TW201310176A - 用於微影設備之支撐平台、微影設備及元件製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種用於一微影設備之支撐平台，該支撐平台具有一支撐區段及一調節系統，其中該支撐區段、該調節系統或其兩者經組態成使得由該調節系統之操作引起的至或自被支撐於該支撐平台上之一基板之熱轉移在該基板之鄰近於該基板之一邊緣的一區中相比於在該基板之處於該基板之中心的一區中較大。

Description

用於微影設備之支撐平台、微影設備及元件製造方法
本發明係關於一種用於微影設備之支撐平台、一種微影設備，及一種用於使用微影設備來製造元件之方法。
微影設備為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影設備可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，圖案化元件(其或者被稱作光罩或比例光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。已知微影設備包括：所謂步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化元件轉印至基板。
已提議將微影投影設備中之基板浸潤於具有相對高折射率之液體(例如，水)中，以便填充在投影系統之最終器件與基板之間的空間。在一實施例中，液體為蒸餾水，但可使用另一液體。將參考液體來描述本發明之一實施例。然 而，另一流體可合適，特別是濕潤流體、不可壓縮流體，及/或折射率高於空氣之折射率(理想地，高於水之折射率)之流體。排除氣體之流體特別理想。此情形之要點係實現較小特徵之成像，此係因為曝光輻射在液體中將具有較短波長。(液體之效應亦可被視為增加系統之有效數值孔徑(NA)且亦增加聚焦深度)。已提議其他浸潤液體，包括懸浮有固體粒子(例如，石英)之水，或具有奈米粒子懸浮液(例如，最大尺寸高達10奈米之粒子)之液體。懸浮粒子可能具有或可能不具有相似於或相同於懸浮有該等粒子之液體之折射率的折射率。可合適之其他液體包括烴，諸如，芳族、氟代烴及/或水溶液。
將基板或基板及基板平台浸沒於液體浴中(見(例如)美國專利第4,509,852號)意謂在掃描曝光期間存在必須被加速之大液體本體。此情形需要額外或更強大之馬達，且液體中之擾動可能導致不良且不可預測之效應。
在浸潤設備中，藉由流體處置系統、元件結構或設備來處置浸潤流體。在一實施例中，流體處置系統可供應浸潤流體且因此為流體供應系統。在一實施例中，流體處置系統可至少部分地限制浸潤流體且藉此為流體限制系統。在一實施例中，流體處置系統可提供對浸潤流體之障壁且藉此為障壁構件，諸如，流體限制結構。在一實施例中，流體處置系統可創製或使用氣流，例如，以幫助控制浸潤流體之流動及/或位置。氣流可形成用以限制浸潤流體之密封件，因此，流體處置結構可被稱作密封構件；此密封構 件可為流體限制結構。在一實施例中，將浸潤液體用作浸潤流體。在彼狀況下，流體處置系統可為液體處置系統。關於前述描述，在此段落中對關於流體所定義之特徵的參考可被理解為包括關於液體所定義之特徵。
在微影設備中利用浸潤流體可引入某些困難。舉例而言，使用浸潤流體可在微影設備內引起額外熱負荷，此情形可影響在基板上形成影像之準確度。
在一些情況下，熱負荷橫越基板可能非均一，從而引起影像之非均一變化。藉由實例，熱負荷可由流體處置系統之操作及/或由浸潤流體之蒸發造成。此等效應可局域化至基板之部件。因此，在基板中可存在局域化溫度改變，從而引起基板之局域化熱膨脹或收縮。此情形繼而可引起疊對誤差及/或臨界尺寸(CD)之局域化變化。
舉例而言，需要提供一種系統，在該系統中可縮減局域化熱負荷之效應。
根據本發明之一態樣，提供一種用於一微影設備之支撐平台，該支撐平台包含：一支撐區段，其經組態以在其一上部面上支撐一基板之一下部表面；及一調節系統，其經組態以將熱能供應至該支撐區段及/或自該支撐區段移除熱能；其中，當一基板被該支撐區段支撐時，該基板熱耦合至該支撐區段，使得當該調節系統將熱能供應至該支撐區段或自該支撐區段移除熱能時，能量繼而分別自該支撐區段轉移至該基板或自該基板轉移至該支撐區段；且該支 撐區段、該調節系統或其兩者經組態成使得由於該調節系統之操作而引起的在該基板之每單位面積上至或自該基板之該熱轉移在該基板之鄰近於該基板之邊緣的一第一區中相比於在該基板之處於該基板之中心的一第二區中較大。
根據本發明之一態樣，提供一種用於一微影設備之支撐平台，該支撐平台包含： 一支撐區段，其經組態以在該支撐區段之一上部表面上支撐一基板之一下部表面，該支撐區段之該上部表面包含一基底表面，該基底表面經組態以在該基板之該下部表面被支撐於該支撐區段上時實質上平行於該基板之該下部表面，且包含複數個瘤節，該複數個瘤節自該基底表面突出且經配置成使得當該基板被該支撐區段支撐時，該基板僅接觸該等瘤節之該上部表面， 其中該等瘤節經組態成使得該等瘤節在平行於該支撐區段之該上部表面之一方向上的硬度針對接觸該基板之鄰近於該基板之一邊緣的一第一區的瘤節相比於針對接觸該基板之處於該基板之中心的一第二區的瘤節較大，且該等瘤節在垂直於該支撐區段之該上部面之一方向上的硬度針對接觸該基板之該第一區之瘤節相比於針對接觸該基板之該第二區之瘤節實質上相同。
現在將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應部件。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影設備。 該設備包含：- 照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射或DUV輻射)；- 支撐結構(例如，光罩平台)MT，其經建構以支撐圖案化元件(例如，光罩)MA，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位圖案化元件MA之第一定位器PM；- 支撐平台，例如，用以支撐一或多個感測器之感測器平台，或經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈基板)W之基板平台WT，該支撐平台連接至經組態以某些特定參數來準確地定位該平台之表面(例如，基板W之表面)之第二定位器PW；及- 投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將藉由圖案化元件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
照明系統IL可包括用於引導、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構MT固持圖案化元件MA。支撐結構MT以取決於圖案化元件MA之定向、微影設備之設計及其他條件(諸如，圖案化元件MA是否被固持於真空環境中)的方式來固持圖案化元件MA。支撐結構MT可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化元件MA。支撐結構MT可為(例如)框架或平台，其可根據需要而固定或可移動。支撐結構MT可確保圖案化元件MA(例如)相對於投影系統PS處 於所要位置。可認為本文對術語「比例光罩」或「光罩」之任何使用均與更通用之術語「圖案化元件」同義。
本文所使用之術語「圖案化元件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中創製圖案的任何元件。應注意，舉例而言，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂輔助特徵，則該圖案可能不會確切地對應於基板之目標部分中之所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所創製之元件(諸如，積體電路)中之特定功能層。
圖案化元件MA可為透射的或反射的。圖案化元件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面在藉由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。
本文所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解釋為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文對術語「投影透鏡」之任何使用均與更通用之術語「投影系統」同義。
如此處所描繪，設備為透射類型(例如，使用透射光罩)。或者，設備可為反射類型(例如，使用上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。
微影設備可為具有兩個或兩個以上平台(或載物台或支撐件)之類型，例如，兩個或兩個以上基板平台，或一或多個基板平台與一或多個清潔平台、感測器平台或量測平台之組合。舉例而言，在一實施例中，微影設備為包含位於投影系統之曝光側之兩個或兩個以上平台的多載物台設備，每一平台包含及/或固持一或多個物件。在一實施例中，該等平台中之一或多者可固持輻射敏感基板。在一實施例中，該等平台中之一或多者可固持用以量測來自投影系統之輻射之感測器。在一實施例中，多載物台設備包含經組態以固持輻射敏感基板之第一平台(亦即，基板平台)，及經組態以不固持輻射敏感基板之第二平台(在下文中通常(但不限於)被稱作量測、感測器及/或清潔平台)。第二平台可包含及/或可固持除了輻射敏感基板以外之一或多個物件。此一或多個物件可包括選自以下各者之一或多者：用以量測來自投影系統之輻射之感測器、一或多個對準標記，及/或清潔元件(用以清潔(例如)液體限制結構)。
在此等「多載物台」機器中，可並行地使用多個平台，或可在一或多個平台上進行預備步驟，同時將一或多個其他平台用於曝光。微影設備可具有可以相似於基板、清潔、感測器及/或量測平台之方式予以並行地使用之兩個 或兩個以上圖案化元件平台(或載物台或支撐件)。
在一實施例中，微影設備可包含編碼器系統，編碼器系統用以量測該設備之一組件之位置、速度等等。在一實施例中，該組件包含基板平台。在一實施例中，該組件包含量測及/或感測器及/或清潔平台。編碼器系統可外加至或代替本文針對該等平台所描述之干涉計系統。編碼器系統包含與標尺或柵格相關聯(例如，配對)之感測器、傳感器或讀頭。在一實施例中，可移動組件(例如，基板平台及/或量測及/或感測器及/或清潔平台)具有一或多個標尺或柵格，且該等組件移動所相對的微影設備之框架具有感測器、傳感器或讀頭中之一或多者。感測器、傳感器或讀頭中之一或多者與標尺或柵格合作以判定組件之位置、速度等等。在一實施例中，組件移動所相對的微影設備之框架具有一或多個標尺或柵格，且可移動組件(例如，基板平台及/或量測及/或感測器及/或清潔平台)具有與標尺或柵格合作以判定組件之位置、速度等等的感測器、傳感器或讀頭中之一或多者。
參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源SO為準分子雷射時，輻射源SO與微影設備可為分離實體。在此等狀況下，不認為輻射源SO形成微影設備之部件，且輻射光束係憑藉包含(例如)合適引導鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，舉例而言，當輻射源SO為水銀燈時，輻射源SO可為微影設備之整體部件。輻射源SO及 照明器IL連同光束遞送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈之調整器AD。通常，可調整照明器IL之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。此外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如，積光器IN及聚光器CO。照明器IL可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。相似於輻射源SO，可能認為或可能不認為照明器IL形成微影設備之部件。舉例而言，照明器IL可為微影設備之整體部件，或可為與微影設備分離之實體。在後一狀況下，微影設備可經組態以允許照明器IL安裝於其上。視情況，照明器IL係可拆卸的，且可被分離地提供(例如，由微影設備製造商或另一供應商提供)。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩平台)MT上之圖案化元件(例如，光罩)MA上，且係藉由圖案化元件MA而圖案化。在已橫穿圖案化元件MA的情況下，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF(例如，干涉量測元件、線性編碼器或電容性感測器)，可準確地移動基板平台WT，例如，以使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射 光束B之路徑來準確地定位圖案化元件MA。一般而言，可憑藉形成第一定位器PM之部件之長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現支撐結構MT之移動。相似地，可使用形成第二定位器PW之部件之長衝程模組及短衝程模組來實現基板平台WT之移動。在步進器(相對於掃描器)之狀況下，支撐結構MT可僅連接至短衝程致動器，或可固定。可使用圖案化元件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化元件MA及基板W。儘管所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分C之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。相似地，在一個以上晶粒提供於圖案化元件MA上之情形中，圖案化元件對準標記可位於該等晶粒之間。
所描繪設備可用於以下模式中至少一者中：
1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束B之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構MT及基板平台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板平台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中所成像之目標部分C之大小。
2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束B之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構MT及基板平台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板平台WT相對於支撐結構MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小 限制單次動態曝光中之目標部分C之寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分C之高度(在掃描方向上)。
3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化元件，且移動或掃描基板平台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板平台WT之每一移動之後或在一掃描期間之順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化元件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化元件(諸如，上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同之使用模式。
儘管在本文中可特定地參考微影設備在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影設備可在製造具有微米尺度或甚至奈米尺度特徵之組件時具有其他應用，諸如，製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。
用於在投影系統PS之最終器件與基板之間提供液體之配置可分類成三種通用種類。此等種類為浴類型配置、所謂局域化浸潤系統及全濕潤浸潤系統。在浴類型配置中，基板W之實質上全部及(視情況)基板平台WT之部分被浸沒於液體浴中。
局域化浸潤系統使用液體供應系統，其中液體僅提供至 基板之局域化區域。藉由液體填充之空間的平面圖小於基板之頂部表面的平面圖，且經填充有液體之區域相對於投影系統PS保持實質上靜止，而基板W在彼區域下方移動。圖2至圖6展示可用於此系統中之不同供應元件。存在密封特徵以將液體密封至局域化區域。PCT專利申請公開案第WO 99/49504號中揭示一種經提議以安排此情形之方式。
在全濕潤配置中，液體係未受限制的。基板之整個頂部表面及基板平台之全部或部分被覆蓋於浸潤液體中。覆蓋至少該基板之液體之深度小。液體可為在基板上之液體膜，諸如，液體薄膜。浸潤液體可供應至投影系統及面對該投影系統之對向表面或供應於該投影系統及該對向表面附近(此對向表面可為基板及/或基板平台之表面)。圖2至圖5之液體供應元件中任一者亦可用於此系統中。然而，密封特徵不存在、未被啟動、不如正常一樣有效率，或以其他方式對於將液體僅密封至局域化區域無效。
如圖2及圖3所說明，液體係藉由至少一入口而供應至基板上，較佳地，沿著基板相對於最終器件之移動方向。液體在已傳遞於投影系統下方之後係藉由至少一出口而移除。隨著在-X方向上於器件下方掃描基板，在器件之+X側處供應液體且在-X側處吸取液體。圖2示意性地展示如下配置：液體係經由入口被供應且在器件之另一側上係藉由連接至低壓力源之出口被吸取。在圖2之說明中，沿著基板相對於最終器件之移動方向供應液體，但並非需要為此狀況。圍繞最終器件所定位之入口及出口的各種定向及 數目係可能的，圖3中說明一實例，其中圍繞最終器件以規則圖案來提供在任一側上的入口與出口之四個集合。應注意，在圖2及圖3中藉由箭頭來展示液體之流動方向。
圖4中展示具有局域化液體供應系統之另外浸潤微影解決方案。液體係藉由投影系統PS之任一側上之兩個凹槽入口被供應，且藉由經配置成自該等入口徑向地向外之複數個離散出口被移除。入口可配置於中心具有孔之板中，且投影光束通過該孔被投影。液體係藉由投影系統PS之一側上之一個凹槽入口被供應，且藉由投影系統PS之另一側上之複數個離散出口被移除，從而導致液體薄膜在投影系統PS與基板W之間流動。對將使用入口與出口之哪一組合的選擇可取決於基板W之移動方向(入口與出口之另一組合係非作用中的)。應注意，在圖4中藉由箭頭來展示流體及基板W之流動方向。
已提議之另一配置係提供具有液體限制結構之液體供應系統，液體限制結構沿著投影系統之最終器件與基板平台之間的空間之邊界之至少一部分而延伸。圖5中說明此配置。
在一實施例中，微影設備包含具有液體移除元件之液體限制結構，液體移除元件具有經覆蓋有網眼或相似多孔材料之入口。網眼或相似多孔材料提供在投影系統之最終器件與可移動平台(例如，基板平台)之間的空間中接觸浸潤液體的二維孔陣列。在一實施例中，網眼或相似多孔材料包含蜂窩結構其他多邊形網眼。在一實施例中，網眼或相 似多孔材料包含金屬網眼。在一實施例中，網眼或相似多孔材料自始至終圍繞微影設備之投影系統之影像場而延伸。在一實施例中，網眼或相似多孔材料位於液體限制結構之底部表面上且具有面朝平台之表面。在一實施例中，網眼或相似多孔材料具有大體上平行於平台之頂部表面的其底部表面之至少一部分。
圖5示意性地描繪局域化液體供應系統或流體處置結構12，流體處置結構12沿著投影系統之最終器件與基板平台WT或基板W之間的空間之邊界之至少一部分而延伸。(請注意，此外或在替代例中，除非另有明確敍述，否則在以下本文中對基板W之表面的參考亦指代基板平台之表面)。流體處置結構在XY平面中相對於投影系統實質上靜止，但在Z方向上(在光軸之方向上)可能存在某相對移動。在一實施例中，密封件形成於流體處置結構12與基板W之表面之間，且可為諸如氣體密封件(歐洲專利申請公開案第EP-A-1,420,298號中揭示具有氣體密封件之此系統)或液體密封件之無接觸密封件。
流體處置結構12使在投影系統PS之最終器件與基板W之間的空間11中至少部分地含有液體。可圍繞投影系統PS之影像場而形成至基板W之無接觸密封件16，使得液體經限制於基板W之表面與投影系統PS之最終器件之間的空間內。空間11係藉由定位於投影系統PS之最終器件下方且環繞投影系統PS之最終器件的流體處置結構12至少部分地形成。液體係藉由液體入口13被帶入至投影系統PS下方及流 體處置結構12內之空間中。液體可藉由液體出口13移除。流體處置結構12可延伸至略高於投影系統PS之最終器件。液體液位上升至高於最終器件，使得提供液體緩衝。在一實施例中，流體處置結構12具有內部周邊，內部周邊在上部末端處緊密地符合投影系統PS或其最終器件之形狀且可(例如)為圈狀。在底部處，內部周邊緊密地符合影像場之形狀，例如，矩形，但並非需要為此狀況。
可藉由氣體密封件16而使在空間11中含有液體，氣體密封件16在使用期間形成於流體處置結構12之底部與基板W之表面之間。氣體密封件係藉由氣體形成。氣體密封件中之氣體係經由入口15而在壓力下提供至流體處置結構12與基板W之間的間隙。氣體係經由出口14被萃取。氣體入口15上之過壓、出口14上之真空位準及該間隙之幾何形狀經配置成使得在內部存在限制液體之高速氣流16。氣體對流體處置結構12與基板W之間的液體之力使在空間11中含有液體。入口/出口可為環繞空間11之環形凹槽。環形凹槽可連續或不連續。氣流16對於使在空間11中含有液體有效。美國專利申請公開案第US 2004-0207824號中揭示此系統，該公開案之全文以引用之方式併入本文中。在一實施例中，流體處置結構12不具有氣體密封件。
圖6說明為液體供應系統之部件之流體處置結構12。流體處置結構12圍繞投影系統PS之最終器件之周邊(例如，圓周)而延伸。
部分地界定空間11之表面中之複數個開口23將液體提供 至空間11。液體在進入空間11之前分別通過各別腔室34、36而傳遞通過側壁28之開口29及側壁32中之開口23。
密封件提供於流體處置結構12之底部與對向表面(例如，基板W或基板平台WT或其兩者)之間。在圖6中，密封元件經組態以提供無接觸密封件且係由若干組件構成。自投影系統PS之光軸徑向地向外，提供延伸至空間11中之(選用)流動控制板53。控制板53可具有開口55以准許流動液體通過開口55；若使控制板53在Z方向(例如，平行於投影系統PS之光軸)上位移，則開口55可有益。開口180可自流體處置結構12之底部表面上之流動控制板53徑向地向外，該底部表面面對對向表面(例如，基板W)(例如，與該對向表面(例如，基板W)相對)。開口180可在朝向對向表面之方向上提供液體。在成像期間，此情形可有用於藉由將基板W與基板平台WT之間的間隙填充有液體來防止浸潤液體中之氣泡形成。
用以自流體處置結構12與對向表面之間萃取液體之萃取器總成70可自開口180徑向地向外。萃取器總成70可作為單相萃取器或作為雙相萃取器而操作。萃取器總成70充當液體之彎液面320之彎液面牽制特徵。
氣刀90可自萃取器總成徑向地向外。全文以引用之方式併入本文中的美國專利申請公開案第US 2006/0158627號中詳細地揭示萃取器總成及氣刀之配置。
作為單相萃取器之萃取器總成70可包含液體移除元件、萃取器或入口，諸如，全文以引用之方式併入本文中的美 國專利申請公開案第US 2006-0038968號中所揭示的萃取器總成。在一實施例中，液體移除元件70包含被覆蓋於多孔材料111中之入口120，多孔材料111用以將液體與氣體分離以實現單液相液體萃取。選擇腔室121中之負壓，使得形成於多孔材料111之孔中之彎液面防止周圍氣體被牽引至液體移除元件70之腔室121中。然而，當多孔材料111之表面接觸液體時，不存在用以限定流動之彎液面，且液體可自由地流動至液體移除元件70之腔室121中。
多孔材料111具有大量小孔，該等小孔各自具有在5微米至50微米之範圍內之尺寸，例如，寬度，諸如，直徑。多孔材料111可維持於在將供移除液體之表面(諸如，對向表面，例如，基板W之表面)上方的在50微米至300微米之範圍內之高度處。在一實施例中，多孔材料111具至少輕微親液性，亦即，與浸潤液體(例如，水)成小於90°(理想地小於85°，或理想地小於80°)之動態接觸角。
自氣刀90徑向地向外可提供一或多個出口210以自氣刀90移除氣體及/或移除可經過氣刀90而逸出之液體。一或多個出口210可位於氣刀90之一或多個出口之間。為了促進流體(氣體及/或液體)至出口210之導向，可在液體限制結構12中提供凹座220，凹座220自氣刀90之出口及/或自氣刀90之出口之間被引導朝向出口210。
儘管圖6中未特定地說明，但液體供應系統具有用以應付液體液位之變化之配置。此情形係使得可應付積聚於投影系統PS與液體限制結構12之間(且形成(例如)彎液面400) 的液體且不會使該液體逸出。一種應付此液體之方式係提供疏液性(例如，疏水性)塗層。該塗層可圍繞流體處置結構12之頂部形成環繞開口之帶狀物，及/或圍繞投影系統PS之最後光學器件形成帶狀物。塗層可自投影系統PS之光軸徑向地向外。疏液性(例如，疏水性)塗層幫助使浸潤液體保持於空間11中。或者或另外，可提供一或多個出口201以移除液體到達相對於結構12之特定高度之液體。
另一局域化區域配置為使用氣體拖曳原理之流體處置結構。舉例而言，美國專利申請公開案第US 2008-0212046號、第US 2009-0279060號及第US 2009-0279062號中已描述所謂氣體拖曳原理。在彼系統中，萃取孔經配置為呈可理想地具有隅角之形狀。隅角可與較佳移動方向(諸如，步進方向或掃描方向)對準。對於在較佳方向上之給定速度，相比於在流體處置結構之表面中之兩個出口經對準成垂直於較佳方向的情況，隅角可與較佳移動方向對準的情況縮減對流體處置結構之表面中之兩個開口之間的彎液面的力。然而，本發明之一實施例可適用於一流體處置系統，該流體處置系統在平面圖中具有任何形狀，或具有諸如經配置為呈任何形狀之萃取開口之組件。在一非限制性清單中，此形狀可包括諸如圓圈之橢圓、諸如矩形之直線形狀(例如，正方形)，或諸如斜方形之平行四邊形，或諸如具有四個或四個以上尖角之星形的具有四個以上隅角之有隅角形狀。
在本發明之一實施例可涉及的US 2008/0212046 A1之系 統之變化中，開口被配置所呈之有隅角形狀之幾何形狀允許針對在掃描方向及步進方向兩者上所對準之隅角而存在尖銳隅角(介於約60°與90°之間，理想地介於75°與90°之間，且最理想地介於75°與85°之間)。此情形允許在每一經對準隅角之方向上之速度增加。此係因為歸因於在掃描方向上之不穩定彎液面(例如，在超過臨界速度時)的液體小滴之創製縮減。在隅角與掃描方向及步進方向兩者對準時，可在彼等方向上達成增加速度。理想地，在掃描方向上之移動速度與在步進方向上之移動速度可實質上相等。
在微影設備內，基板可被支撐於支撐平台上。詳言之，支撐平台可包括經組態以支撐基板之下部表面之支撐區段。舉例而言，支撐區段之上部面可包括基底表面，基底表面具有自基底表面突出之複數個瘤節。基板之下部表面可被支撐於瘤節之上部面上。此配置可最小化或縮減基板與支撐平台相接觸之總面積，從而最小化或縮減污染物在支撐平台與基板之間轉移的可能性，及/或最小化或縮減污染物位於基板與支撐平台上之其支撐件之間的可能性，污染物位於基板與支撐平台上之其支撐件之間可引起基板之變形。
在一實施例中，在基板下方，圍繞瘤節之空間可連接至負壓源。因而，基板可被真空夾持至支撐平台。
在局域熱負荷作用於基板及/或支撐平台上之情況下，在(例如)基板內可存在局域溫度變化，從而引起局域熱膨脹或熱收縮，最顯著地是在平行於基板之上部主面及下部 主面之方向上。然而，基板之熱膨脹及/或熱收縮可受到基板被夾持至之支撐平台抵抗。詳言之，用以抵抗熱膨脹及/或熱收縮之力可經由瘤節而施加至基板。
在朝向基板之中心之區中，在圍繞基板之每一局域部件之每一方向上存在瘤節。此等周圍瘤節可提供用以抵抗熱膨脹及/或熱收縮之力。然而，在圍繞基板之邊緣之區中，僅在朝向基板之中心之方向上存在與瘤節之接觸。換言之，自基板之邊緣遠處不存在施加至基板之區以抵抗熱膨脹及/或熱收縮的力。
因此，對於基板之局域區域之給定溫度改變，基板之淨熱膨脹或收縮(即，在考量藉由與瘤節之接觸提供的對膨脹或收縮之抵抗之後)在接近於基板之邊緣之區中相比於在基板之中心中將較大。
此效應不僅應用於由基板之局域熱負荷及/或局域溫度改變造成之熱膨脹及/或收縮，而且應用於橫越基板均一地施加之熱負荷及/或溫度改變。
為了縮減或最小化基板內之溫度改變，可提供將熱能供應至支撐平台之支撐區段及/或自支撐平台之支撐區段移除熱能的調節系統。因而，可供應或移除熱以便補償基板及/或支撐平台上之熱負荷。調節系統可將熱直接提供至支撐區段或自支撐區段直接移除熱以補償支撐平台上之熱負荷。此外，調節系統可將熱提供至支撐區段或自支撐區段移除熱，使得熱自支撐區段流動至基板，或自基板流動至支撐區段，以便補償基板上之熱負荷。
在本發明之一實施例中，支撐區段、調節系統或其兩者經組態成使得在使用期間，由調節系統之操作引起的至或自基板之熱轉移橫越基板不均一。
詳言之，在一實施例中，該系統經組態成使得在基板之每單位面積上至或自基板之熱轉移在基板之處於基板之邊緣的一或多個區中相比於位於基板之中心處或附近的一或多個區中較大。換言之，支撐區段及/或調節系統經組態成使得調節系統之效應在基板之邊緣區處相比於在中心區中較大。
此系統可經組態成使得對於給定熱負荷，基板在其邊緣區中之溫度改變可小於基板在其中心區中之溫度改變。此情形可補償針對給定局域溫度改變的橫越基板之所得熱膨脹及/或熱收縮之上述變化。因而，可縮減或最小化橫越基板的基板之所得膨脹及/或收縮之變化。
下文描述不同實施例，在調節系統之操作期間，該等實施例在基板之邊緣區中相比於在基板之中心區中可引起在基板之每單位面積上至或自基板之較大熱轉移。
可存在自基板之一或多個邊緣區(其中調節系統之效應最大化或增加)至基板之一或多個內部區(其中調節系統之效應並不如此大)的逐漸改變。
在本發明之一實施例中，支撐區段及/或調節系統可經組態成使得在調節系統之效應較大的邊緣區與調節系統之效應相對縮減的中心區之間存在明顯區別。
在任一狀況下，可適當地選擇邊緣區與中心區之相對部 位之配置，以便使調節系統之效應變化最佳地補償基板回應於局域溫度改變之熱膨脹及/或熱收縮變化，如上文所論述。
根據本發明之一實施例的支撐平台可利用此等態樣之任何組合。
圖7示意性地描繪可提供本發明之一實施例的支撐平台WT。圖7所描繪之實施例被簡化，且不為解釋本發明之一實施例所需要的基板平台之特徵未被描繪。然而，本發明之一實施例的支撐平台可包括許多此等額外特徵。
如圖所示，支撐平台WT可包括經組態以支撐基板W之支撐區段22。詳言之，基板W可藉由複數個瘤節20支撐。支撐平台WT進一步包括將熱能供應至支撐區段22及/或自支撐區段22移除熱能之調節系統21。
舉例而言，基板W係藉由通過瘤節20之熱傳導而熱耦合至支撐區段22，瘤節20與基板W之下部表面進行實體接觸。換言之，當調節系統21將熱能供應至支撐區段22或自支撐區段22移除熱能時，能量繼而分別自支撐區段轉移至基板或自基板轉移至支撐區段。
如下文所論述，支撐區段22及/或調節系統21經組態成使得在操作期間，在基板之每單位面積上至或自基板之熱轉移在基板W之第一外部區26(即，鄰近於基板W之邊緣之區)中相比於在基板之第二內部區27中較大。出於描述便利起見，應瞭解，支撐區段22包括鄰近於且熱耦合至基板W之外部區26之外部區24。支撐區段進一步包括鄰近於且 熱耦合至基板W之內部區27之內部區25。
圖8示意性地描繪本發明之一實施例。如圖所示，調節系統21包括加熱器系統30，加熱器系統30在外部區24中相比於在內部區25中可向支撐區段提供支撐區段22之上部面之每單位面積的較多熱能。
如圖9所示，在一實施例中，此加熱器系統可包括可(例如)受到控制器31獨立地控制之至少第一加熱器單元30a及第二加熱器單元30b。至少一加熱器單元30a可經組態以將熱提供至支撐區段22之外部區24，且至少一另一加熱器單元30b可經組態以將熱能提供至支撐區段22之內部區25。
藉由獨立地控制加熱器單元30a、30b，相比於內部區25，可向外部區24提供支撐區段22之上部面之每單位面積的較大熱能。舉例而言，加熱器單元30a、30b可為具有相似構造之電加熱器，諸如，電阻性加熱器。在彼狀況下，控制器31可經組態成使得在操作中，提供至加熱支撐區段22之外部區24之加熱器單元30a的電流大於提供至將熱提供至支撐區段22之內部區25之加熱器單元30b的電流。在一實施例中，可使用薄膜加熱器。舉例而言，薄膜加熱器可包含經形成為薄層之加熱器件。舉例而言，薄膜加熱器可藉由膠質物塗覆或被塗覆為塗層。
或者或另外，加熱器系統30可經組態成使得對於一共同輸入，在支撐區段22之上部面之每單位面積上所產生的熱在外部區24中相比於在內部區25中較大。
舉例而言，若加熱器系統30包含狹長電加熱器件(例 如，電阻性加熱器件)，則加熱系統可經組態成使得在外部區24中相比於在內部區25中存在支撐區段22之上部面之每單位面積的較大加熱器件長度。
此系統可使能夠使用單一加熱單元(諸如，單一狹長電加熱器件)以將熱提供至外部區24及內部區25兩者。此情形可藉由外部區24及內部區25中之電加熱器件之配置的差異而達成。有利地，此系統可僅需要單一控制器。
圖10及圖11描繪此實施例之配置。在每一狀況下，展示支撐區段22之一部分，連同用以形成加熱系統30之狹長電加熱器件32之部分。
如圖10所示，相比於內部區25，可在外部區24中藉由縮減狹長電加熱器件32之鄰近區段之間的分離度來達成支撐區段22之上部面之每加熱面積的較大加熱器件長度。
或者或另外，如圖11所示，在沿著曲折路徑提供狹長電加熱器件32的配置中，狹長電加熱器件32之曲折度(meander)在外部區24中相比於在內部區25中可較緊密地配置。
在一實施例中，調節系統可包含在支撐區段22內之通道35。可提供調節流體以流動通過通道35。調節系統可包括調節單元(圖中未繪示)，調節單元將調節流體供應至通道，視情況驅動調節流體通過通道(例如，遵循通過支撐區段22之複數個區之路徑)，且一旦調節流體已完成支撐區段22內之路徑，就移除調節流體。調節單元可包括加熱器及/或冷卻器以便調整供應至通道35之調節流體之溫度，以便使調節流體可將熱提供至支撐區段22及/或在調 節流體沿著通過支撐區段22之路徑流動時自支撐區段22移除熱。
在一實施例中，用於通道35之路徑可經組態成使得該通道穿過支撐區段22之至少外部區24及內部區25。如圖12所描繪，通道35可穿過該等區中之一者或其兩者達複數次。
在一實施例中，相比於自支撐區段22之內部區25內的通道35之未經修改區段中之調節流體的熱轉移，支撐區段22之外部區24內的通道35之區段36可經修改以便增加自通道35之經修改區段36內之調節流體至支撐區段22之外部區24的熱轉移。
在一實施例中，相比於支撐區段22之內部區25內的通道35之區段，通道35之經修改區段36可具有較小橫截面積。此情形將引起通道35之經修改區段36內之調節流體的速度大於通道35之未經修改區段中之調節流體的速度，以便使體積流動速率相同。由於速度增加，故調節流體中之擾動可增加，從而增加調節流體與支撐區段之間的熱轉移，在支撐區段中調節流體傳遞通過通道35之經修改區段36。
或者或另外，通道35之經修改區段36可經組態成使得經修改區段36中之通道之粗糙度大於通道35在未經修改區段中之粗糙度。再次，同內部區25內之轉移相對比，此情形可增加調節流體與外部區24中之支撐區段之間的熱轉移。舉例而言，表面粗糙度可在流動中誘發擾動。
或者或另外，相比於支撐區段22之內部區25內的通道35之未經修改區段，通道35之經修改區段36在外部區24內傳 遞所沿的路徑可經組態以具有較大數目個隅角及/或具有較尖銳隅角。此情形可增加通道35之經修改區段36中之調節流體之流動的擾動，從而再次增加調節流體與外部區24中之支撐區段22之間的熱轉移。
或者或另外，如圖12特定地所描繪，支撐區段22之外部區24內的通道35之經修改區段36可經配置成使得通道35之經修改區段36之橫截面的周長大於支撐區段22之內部區25內的通道35之未經修改區段。對於支撐區段22之上部面之給定單位面積，相比於內部區25，在外部區24中，增加通道35之經修改區段36之橫截面的周長會引起調節流體與支撐區段22之間的接觸面積增加。
藉由適當地選擇經修改區段36中之通道35之橫截面的形狀，相比於通道35之非經修改區段有可能具有通道35之橫截面之增加周長，但相比於未經修改區段，在經修改區段36中仍有可能具有通道35之較小總橫截面積。舉例而言，此情形可藉由選擇具有如下形狀之橫截面而達成：在該形狀中，至少一部分具有相對高縱橫比。
在一實施例中，用於輸送調節流體之通道之路徑可經組態成使得支撐區段22之外部區24內的通道35之鄰近區段37之間的分離度小於內部區25中的通道35之鄰近區段之間的分離度。如前所述，同調節流體與支撐區段22之內部區25之間的熱轉移相對比，此情形可增加調節流體與支撐區段22之外部區24之間的熱轉移。
此配置可經配置成使得對應於支撐區段22之上部面之給 定區域的通道35之總體積在外部區24中相比於在內部區25中較大，從而相比於內部區25增加外部區24中之熱轉移。
如圖13所示，即使外部區24內的通道35之區段37中每一者之橫截面積小於支撐區段22之內部區25內的通道35之區段的橫截面積，仍可總體上達成此配置。因而，吾人可具有如下益處與上文所論述之益處的組合益處：相比於內部區25，在外部區24中調節流體之較大體積傳遞通過支撐區段22之對應於支撐區段22之上部面之給定區域的區，同時相比於支撐區段22之內部區25中的調節流體速度，亦在外部區24內的通道35之區段37中提供較高調節流體速度。
在一實施例中，通道35之一區段可劃分成平行子通道。舉例而言，沿著通道35之半路，通道35之一部分可分支成兩個或兩個以上區段。此情形可提供通道35之鄰近區段37，例如，如圖13所示。
或者或另外，如圖14特定地所描繪，可在通道35中之一或多者中、鄰近於通道35中之一或多者或環繞通道35中之一或多者提供通道加熱器53。通道加熱器53可包含複數個加熱器。複數個加熱器之空間密度可經配置為在外部區24中相比於在內部區25中較高。在一實施例中，加熱器可在外部區24中相比於在內部區中較緊密地隔開。在一實施例中，加熱器可在外部區24中相比於在內部區25中較大，例如，較長。在一實施例中，加熱器可在外部區24中相比於在內部區25中在較大程度上環繞通道。在一實施例中，加熱器可經配置以在外部區24中相比於在內部區25中向通道 35之表面區域之較大比例供應熱(例如，藉由較緊密地隔開、較長及/或藉由在較大程度上環繞通道35)。相比於內部區25，在外部區24中，加熱器之較高空間密度可能能夠供應支撐區段22之每單位面積的較高加熱功率，而無需複雜控制系統來調整個別加熱器之加熱功率。在一實施例中，供應至加熱器之加熱功率針對每一加熱器相同或在加熱器之每單位面積上相同。
在將調節流體提供至支撐區段22內之通道的實施例中，或者或另外，吾人可將調節系統組態成使得調節流體被提供至支撐區段22之外部區24內的通道35之一末端且自支撐區段22之內部區25內的通道35之一末端被萃取。因而，調節流體可首先傳遞通過支撐區段22之外部區24內的通道35之區段。在此階段期間，調節流體與支撐區段22之間的溫度差可最大(在不考慮橫越支撐區段22之溫度變化的情況下，該溫度差將隨著熱在支撐區段與調節流體之間轉移而沿著通道35之長度減低)。因而，熱轉移速率可在調節流體首先傳遞通過之區中最大。因此，在如上文所論述之配置中，調節流體與支撐區段22之間的熱轉移速率可在支撐區段22之外部區24中相比於在支撐區段22之內部區25中較大。
舉例而言，在下文所論述之實施例中，支撐區段22可經組態成使得相比於內部區25，在外部區24中存在對支撐區段22與基板W之間的熱能轉移之縮減抵抗。
如上文所論述，支撐區段22可包括支撐基板W之下部表 面之複數個瘤節20。瘤節20亦藉由通過瘤節20之熱傳導而提供用於支撐區段22與基板W之間的熱轉移之最少抵抗路徑。
在一實施例中，瘤節20經配置成使得在基板W及/或支撐區段22之上部面之每單位面積上瘤節20與基板W相接觸之總面積在外部區24中相比於在內部區25中較大。因而，使得熱可在瘤節20與基板W之間轉移的基板W與瘤節20相接觸之面積之百分比在外部區24中相比於在內部區25中較大。
在一實施例中，如圖15所描繪，可藉由針對支撐區段22之外部區24及內部區25使用不同大小之瘤節20a、20b來提供基板與瘤節相接觸之面積之此比例差。詳言之，在外部區24中每一瘤節20a與基板W之下部表面相接觸的面積可大於在內部區25中瘤節20b與基板W之下部表面相接觸的面積。
或者或另外，如圖16所描繪，在一實施例中，可藉由調整瘤節20之間隔而使在基板W之每單位面積上瘤節20與基板W之下部表面相接觸的總面積橫越支撐區段22變化。舉例而言，如圖16所描繪，相比於內部區25中之瘤節20之間隔，外部區24中之瘤節20之間的間隔可縮減。因而，在支撐區段22之上部表面之每單位面積上瘤節20之總數目可在外部區24中相比於在內部區25中較大。
諸如上文所描述之在基板W之每單位面積上瘤節與基板W之下部表面相接觸之總面積存在橫越基板W之分佈之配 置的配置可引起基板W之變形。詳言之，此配置可引起橫越基板W的藉由瘤節20提供之支撐力之分佈變化。此情形繼而可引起瘤節20之變形變化，使得可不提供基板W之均勻支撐。在一實施例中，可藉由適當地控制基板W至支撐區段22之真空夾持來部分地或完全地補償此變化。詳言之，圍繞瘤節20之負壓可經配置以橫越基板W變化，使得真空夾持力橫越基板W變化。舉例而言，可藉由將通向圍繞瘤節20之空間之多個開口提供至用以提供真空夾持之負壓源且藉由適當地閥調(例如，控制)每一開口處之壓力來配置此負壓。
在一實施例中，如圖17所描繪，瘤節20之間隔及每一瘤節20與基板W之下部表面相接觸之總面積可橫越支撐區段22保持恆定。此情形可有利，此係因為其可在基板W緊固至瘤節20時防止由藉由瘤節20提供之支撐力之分佈變化造成的基板W之變形，該等分佈變化係由橫越基板W在基板W之每單位面積上瘤節20與基板W之下部表面相接觸之總面積的分佈引起。
在圖17所描繪之配置中，藉由將支撐區段22之基底表面(瘤節20自該基底表面突出)組態成使得在外部區24中基底表面之區段22a與基板W之下部表面之間的分離度小於在內部區25中支撐區段22之基底表面之區段22b與基板W之下部表面之間的分離度，相比於內部區25，在外部區24中對支撐區段22與基板W之間的熱能轉移之抵抗縮減。
藉由縮減外部區24中之分離度，可提供通過氣隙(其可 在低於周圍壓力之壓力下)之熱導率之增加。可針對基底表面提供多個中間位階。或者或另外，可提供傾斜表面而非階式表面(如圖所示)。
或者或另外，可藉由在外部區24中使用經修改瘤節40來減低在外部區24中通過支撐區段22與基板W之下部表面之間的氣隙之熱阻之縮減。如圖18所描繪，經修改瘤節40可具有第一部分41，第一部分41經配置以接觸基板W之下部表面且可對應於用於內部區25中之非經修改瘤節20。經修改瘤節40可進一步包括第二部分42，第二部分42相比於第一部分41自支撐區段22之基底表面較少地突出且因此不接觸基板W之下部表面。因而，經修改瘤節40之第二部分42中每一者提供一區域，在該區域中，支撐區段22與基板W之下部表面之間的分離度縮減，但不影響瘤節20在基板W之下部表面之每單位面積上與基板W相接觸的總面積。
如圖18所示，經修改瘤節40中每一者之第二部分42可環繞第一部分41。第二部分42之大小對於所有經修改瘤節40均無需相同。因而，舉例而言，經修改瘤節之第二部分42之寬度及/或高度可隨著與支撐區段22之中心相隔的距離而增加，使得對支撐區段22與基板W之間的熱轉移之抵抗朝向基板W之邊緣減低。
或者或另外，如圖19所描繪，支撐區段22可包括提供於瘤節20之間的一或多個突出部45。突出部45可經配置成使得該等突出部不毗鄰於瘤節20中任一者。此情形可促進製造支撐區段22。然而，藉由在外部區24內提供支撐區段22 之最上部表面與基板W之下部表面之間的分離度縮減的局域區域，對通過氣隙在支撐區段22與基板W之間轉移熱能之抵抗可縮減。繼而，對支撐區段22與基板W之間的熱能轉移之抵抗可在外部區24中相比於在內部區25中較低。
在一實施例中，至少一突出部45可經組態成使得其上部表面形成圍繞支撐區段22之外部區24延伸(即，涵蓋內部區25)之環帶。此情形可促進製造。
在一實施例中，突出部45可經組態成使得上部表面實質上形成圍繞支撐區段22之外部區24延伸之環帶(例如，一系列同心環)，但劃分成複數個區段。此情形提供複數個開口以幫助確保氣體在突出部45之兩個側之間容易地流動。此情形可確保最小化用於基板W至支撐區段22之真空夾持之負壓的局域縮減。
如下文進一步所論述，在一實施例中，可提供遍及支撐區段22之整個上部表面(即，在外部區24及內部區25兩者中)分佈之突出部45。在此配置中，突出部45可經組態為一系列同心環，該等同心環可各自具有如上文所論述之複數個開口。在此配置中，瘤節20可配置於突出部45之鄰近同心環之間。提供此配置可促進支撐區段22之製造。
在一實施例中，至少一突出部45可經組態成使得突出部45之上部表面與被支撐區段22支撐之基板W之下部表面之間的分離度為10微米或更小。在此實施例中，支撐區段22之基底表面與基板W之下部表面相隔的分離度可為150微米。或者，支撐區段22之基底表面與基板W之下部表面之 間的分離度可較大，例如，400微米或更大。在具有複數個突出部45之實施例中，基板W之下部表面之區域的大約50%可直接在突出部45上方。因而，可改良支撐區段22與基板W之間的熱導率。詳言之，熱轉移可增加達大約2倍至3倍，所有其他因子保持恆定。
在一實施例中，如圖20所描繪，突出部45之位置及大小可經選擇成使得在浸潤微影設備中使用支撐平台期間，薄浸潤流體層配置於突出部45之上部表面與基板W之下部表面之間。
此薄浸潤流體層可顯著地縮減對支撐區段22與基板W之間的熱轉移之抵抗，而不會提供對基板W之實體約束，在突出部45與基板W直接進行實體接觸時將提供對基板W之實體約束的狀況。
在一實施例中，突出部45可位於兩個密封件47之間，密封件47經配置以防止或限制浸潤流體在基板W下方自基板W之邊緣朝向基板W之中心的轉移。兩個密封件47可由環形突出部形成，環形突出部延伸至充分地接近於基板之下側之位置以提供所要密封功能性。在一實施例中，突出部45不為環形，以便幫助確保兩個密封件47之間的區中之壓力均一。舉例而言，突出部45可配置於一周邊(例如，圓周)路徑中，該周邊(例如，圓周)路徑具有在該突出部之部分之間的一或多個開口以將最內部密封件47與突出部45之間的區連接至最外部密封件47與突出部45之間的區。在此部位中，舉例而言，在使用期間，可藉由圍繞瘤節20提供 之負壓牽引浸潤流體朝向突出部45，該負壓用以基板W至支撐區段22之真空夾持。突出部45相對於基板W之下部表面的高度可經選擇成使得突出部45之頂部與基板W之下部表面之間的間隙係使得浸潤流體保持於該間隙中。詳言之，間隙之大小可經選擇成使得將浸潤流體固持於間隙中之毛細壓力大於可由用以基板W至支撐區段22之真空夾持之負壓造成的橫越突出部45之氣體壓力差。
在一實施例中，除了已針對浸潤微影之效能而提供之流體以外的流體可提供至突出部45。因而，適當選定流體之供應可提供至突出部45。
在一實施例中，可藉由控制瘤節20之上部表面(即，與基板W接觸之表面)來實現橫越支撐區段22的對在支撐區段22與基板W之間轉移熱之抵抗之差異。舉例而言，如圖21所描述，瘤節20可經組態成使得瘤節20之上部表面之表面粗糙度針對外部區24中之瘤節相比於針對內部區25中之瘤節較小。
舉例而言，相比於內部區25中之瘤節20，可藉由針對外部區24中之瘤節之上部表面利用改良型拋光來達成此表面粗糙度差異。或者或另外，可(例如)藉由刮擦或蝕刻而在內部區25中之瘤節20之上部表面中誘發表面粗糙度。
相似於如上文所論述的由瘤節20與基板W之下部表面相接觸之總面積之分佈造成的變形變化，橫越支撐區段22的瘤節20之上部表面之表面粗糙度差異可引起由基板W至支撐區段22之真空夾持造成的瘤節20之變形變化。因而，如 上文所描述，可藉由提供如上文所描述之真空夾持配置來部分地或完全地補償此變形變化，在該配置中，存在用以提供真空夾持之負壓橫越基板W之分佈。
在一實施例中，可藉由在不同區中於支撐區段22與基板W之間使用不同氣體來實現橫越支撐區段22的對在支撐區段22與基板W之間轉移熱之抵抗之差異。詳言之，在一實施例中，相比於提供至支撐區段22之內部區25與基板W之內部區27之間的空間之熱導率氣體，較高熱導率氣體提供至支撐區段22之外部區24與基板W之外部區26之間的空間。在一實施例中，相對高熱導率氣體包含：He(氦氣)、H2(氫氣)、He與H2之混合物、包含水蒸氣之氣體、另一氣體或以上各者之任何組合。在一實施例中，氣體可包含以上各者中任一者及/或以下各者中至少一者：空氣、氬氣及/或氮氣。
圖25描繪包含氣體處置系統70之實施例，氣體處置系統70用以將相對高熱導率氣體提供至支撐區段22與基板W之外部區26之間的空間。出於清楚起見，未展示支撐基板W之瘤節。
氣體可藉由供應管線71供應至空間且藉由氣體萃取管線72抽取，氣體萃取管線72提供於藉由基板W之外部區26界定之空間的任一側上。因而，相對高熱導率氣體可實質上保持於支撐區段22與基板W之外部區26之間的空間中。相比於在支撐區段22與基板W之內部區27之間，此配置可在支撐區段22與基板W之外部區26之間提供較高熱導率。
在一實施例中，氣體供應管線71及氣體萃取管線72各自連接至支撐區段22之上部表面中之複數個各別埠73。每一氣體供應管線71或氣體萃取管線72可連接至複數個埠73。詳言之，氣體萃取管線72可連接至沿著對應於基板W之外部區26之空間之邊界提供的複數個埠73。
在一實施例中，流動抵抗結構74可提供於連接至氣體萃取管線72之埠73之任一側上，以便限定氣體至或自高熱導率氣體被提供至之空間之流動。
如圖25所描繪，可提供氣體處置系統70，以便將相對高熱導率氣體供應至支撐區段與基板之外部區26之間的空間。在一實施例中，可提供可相似之第二氣體供應系統以將不同氣體供應至支撐區段22與基板之內部區27之間的空間，即，相比於提供至支撐區段22與基板W之外部區26之間的空間之氣體具有較低熱導率之氣體。此情形可促進在內部區27及外部區26中對支撐區段22與基板W之間的空間中之氣體之控制。相比於既未提供又未操作氣體供應系統之狀況，兩種氣體均可具有較高熱導率。
在上文所論述之實施例中，提供由於調節系統之操作而引起的在基板之每單位面積上至或自基板之熱轉移可在特定區中被改良的多種方式。詳言之，由於調節系統之操作而引起的在基板之每單位面積上至或自基板之熱轉移可經配置為在基板之鄰近於基板之邊緣的第一區中相比於在基板之處於基板之中心的第二區中較大。可使用此等配置之組合。
此外，在不存在製造困難及/或約束的情況下，為了縮減或最小化支撐區段及/或基板之溫度改變而可將上文所論述之用以改良由於調節系統之操作而引起的至或自基板之熱轉移的配置應用於整個支撐區段上。在此實施例中，也許有可能在使得不良效應縮減至可接受位準的程度上縮減溫度改變。因此，在實施例中，上文所描述之用以改良至或自基板之第一區之熱轉移的配置中之一或多者可應用於整個支撐區段上，即，應用於支撐區段22之內部區25及外部區24兩者中。
相似地，在一實施例中，用以改良至或自基板之熱轉移的上述配置中之一或多者可應用於支撐區段之對應於基板之第二區(即，基板之內部區)的區。舉例而言，關於基板之第一區，可利用用以改良至或自基板之熱轉移的第一配置，但在整個支撐區段上利用該第一配置可能不實務或經濟。在彼狀況下，關於基板之第二區，可利用用以改良至或自基板之熱轉移的上述配置中之一不同配置。舉例而言，相比於關於基板之第一區而利用的第一配置，第二配置可不在相同程度上改良至或自基板之熱轉移，但可被更簡單地提供及/或更具成本效益。
在可與上述實施例中任一者組合之實施例中，相比於基板之處於基板之中心的內部區，支撐區段可經組態以縮減對基板之鄰近於基板之邊緣的外部區之熱變化之增加敏感性的效應。
在一實施例中，此情形係可藉由將支撐區段組態成包括 一上部表面而達成，該上部表面包含實質上平行於待支撐之基板之下部表面的基底表面，及自基底表面突出之複數個瘤節。支撐區段可經組態成使得在基板被支撐區段支撐時僅瘤節之上部表面接觸基板。在一實施例中，瘤節經進一步組態成使得瘤節在平行於支撐區段之上部面之方向上的硬度針對接觸基板之外部區26的瘤節相比於針對接觸基板W之內部區27的瘤節較大。該等瘤節中每一者在平行於基板之主面之方向上的此增加硬度可經選擇以便補償如下事實：歸因於基板之有限範圍，基板之處於基板之邊緣的區不具有接觸基板的圍繞該區在每一方向上延伸之瘤節，如上文所論述。
在一實施例中，瘤節可經組態成使得瘤節在垂直於支撐區段之上部面之方向上的硬度針對接觸基板之外部區及基板之內部區兩者的瘤節實質上相同，但存在如下事實：硬度在平行於支撐區段之上部面之方向上不同。此情形可在基板被夾持(例如，被真空夾持)至支撐區段時縮減基板之局域高度變化。在此夾持期間，基板將在垂直於支撐區段之上部面之方向上對該等瘤節中每一者施加一力，從而引起與該瘤節在此方向上之硬度成比例之小變形。
在一實施例中，接觸基板之外部區之瘤節可經組態成使得該等瘤節之硬度大於接觸基板之內部區之瘤節之硬度的方向為徑向方向。徑向方向意謂遠離於基板之中心之方向，其通常可為圈狀。然而，在非圈狀基板之狀況下，該方向仍將遠離於基板之中心。因此，此方向針對接觸基板 之外部區之不同部分的瘤節不同。
圖23以平面圖描繪根據一實施例的在支撐區段22上之複數個瘤節。如圖所示，提供第一類型之複數個瘤節65以接觸基板W之第一區，且提供第二類型之複數個瘤節66以接觸基板W之第二區。
第一類型之瘤節65具有在徑向方向67(即，遠離於基板W之中心)上狹長之橫截面(在平行於支撐區段22之上部表面之平面中)。另一方面，第二類型之瘤節66具有習知圓形橫截面。因此，即使所有瘤節65、66均具有相同橫截面積，第一類型之瘤節65可相比於第二類型之瘤節66仍在徑向方向67上較硬。在一實施例中，兩種類型之瘤節65、66可經組態以具有實質上相同橫截面積以幫助確保所有瘤節65、66均在垂直於支撐區段22之基底表面之方向上具有實質上相同硬度。
或者或另外，可藉由如下操作來提供相似效應：將支撐區段22組態成使得支撐區段22之外部區24中之瘤節20相比於支撐區段22之內部區25中之瘤節20具有表面粗糙度較低之上部表面，如圖21所描繪及上文所論述。縮減表面粗糙度會增加瘤節與基板相接觸之面積，繼而加瘤節與基板之間的局域接觸之硬度。因而，此配置可提供如下兩個益處：相比於基板W之內部區27，在基板之外部區26中提供基板W與支撐區段22之間的增加熱轉移，及縮減基板W之外部區26中之溫度波動的效應。
或者或另外，在圖24所描繪之實施例中，接觸基板W之 外部區26之瘤節68(即，支撐區段22之外部區24中之瘤節)可成錐形，使得瘤節68之橫截面積在遠離於支撐區段22之基底表面之方向上減低。舉例而言，瘤節68可為截頭圓錐形形狀。藉由使用此組態，接觸基板W之外部區26之瘤節68可經組態以相比於接觸基板W之內部區27之瘤節69(其可(例如)具有習知形狀)在垂直於支撐區段22之基底表面之方向上具有同實質上相同硬度，但可在平行於該支撐區段之基底表面之方向上具有較大硬度。在一實施例中，接觸基板W之內部區27之瘤節69可為實質上圓柱形形狀。
針對用於微影設備中之調節系統的問題可為回應時間。舉例而言，可需要最小化或縮減基板之溫度之變化。然而，也許沒有可能直接偵測此等變化。因而，可有必要監視支撐基板W之支撐平台WT之支撐區段22的溫度。舉例而言，若量測到支撐區段22之溫度正在下降，則可判定此情形係由基板W之溫度下降造成，且可適當地控制調節系統21以便提供熱以升高該溫度。
然而，在基板W之溫度之下降與支撐區段22之溫度之後繼下降之間存在延遲。
或者或另外，可藉由調節系統21自身引入延遲。詳言之，一旦已判定應藉由調節系統21提供熱或藉由調節系統21移除熱，就在實現熱轉移之前可存在延遲。舉例而言，在利用調節流體通過支撐區段22內之通道之流動的調節系統21中，在判定需要調節之時間點與經適當加熱或冷卻之調節流體傳遞通過支撐平台WT之時間之間將存在延遲。 此外，歸因於使熱在支撐平台WT之支撐區段22與基板W自身之間轉移所花費的時間，可發生另外延遲。
基板之溫度改變與熱提供至基板或自基板移除熱之間的此等回應延遲可引起基板之較大溫度波動。
在一實施例中，如圖8所描繪，調節系統21可受到可提供調節系統21之改良型控制之控制器31控制。在所描繪配置中，微影設備進一步包括位置量測系統50，位置量測系統50經組態以量測微影設備內之支撐平台WT之位置。此位置量測系統50可為經提供以便控制用以移動支撐平台WT之致動器系統之位置量測系統。或者，用以控制調節系統之位置量測系統50可為未用作支撐平台WT之移動之控制之部分的分離位置量測系統。
控制器31可經組態以基於包括支撐平台WT之測定位置之資訊來控制調節系統21以將熱能提供至支撐平台WT及/或自支撐平台WT移除熱能。舉例而言，該控制器可經預程式化成使得在支撐平台WT之特定位置處，藉由調節系統將某一量之熱能提供至支撐平台WT或自支撐平台WT移除某一量之熱能。
對於此配置，控制器31可包括記憶體51，在記憶體51中將儲存有對應於針對支撐平台WT之一或多個部位被預期需要藉由調節系統21供應及/或移除之熱之量的資料。
因而，吾人可能知道，當支撐平台WT處於特定部位中時，在基板W處將發生給定量之冷卻(例如，由浸潤流體處置系統之操作造成)。因此，控制器31可經組態以將適當 量之熱能供應至支撐平台WT以便補償冷卻。
因此，該系統可經組態成使得調節系統21可將熱能提供至支撐平台WT及/或自該支撐平台移除熱能以在該支撐平台與基板W之間提供所要熱轉移，而無需等待(例如)支撐平台WT之測定溫度回應。
在一實施例中，記憶體51可包括對應於在基板W之處理期間支撐平台WT之預期移動及在該等預期移動期間被預期藉由調節系統21供應及/或移除之熱能之量的資料。基於此資料，控制器31可較佳地能夠預測支撐平台WT之所要加熱及/或冷卻。
詳言之，舉例而言，可避免突增(overshoot)問題。舉例而言，控制器31之記憶體51內之資料可准許控制器31在支撐平台WT移動遠離於浸潤流體處置系統之前不久停止將熱自調節系統21供應至支撐平台WT以補償由浸潤流體處置系統造成之冷卻。歸因於自調節系統21通過支撐平台WT至基板W之熱轉移之延遲，在流體處置系統之操作之最終階段(其可冷卻基板W)期間，熱將繼續供應至基板W。然而，在具有經適當配置之時序的情況下，在冷卻效應中止於基板W上的時間點，熱可不再實質上自調節系統21經由支撐平台WT提供至基板W。與此對比，在無此預測性系統的情況下，熱將繼續提供至基板平台WT，直至量測到由在冷卻結束之後基板W之早先溫度上升引起的基板平台之溫度上升。此後，熱將繼續自基板平台WT供應至基板W，直至基板平台WT之溫度與基板W之溫度相等。 此情形可引起基板W之溫度突增。
儘管控制器31可經主要地配置以基於支撐平台WT之位置而為預測性的(亦即，使用前饋)，但可(例如)在支撐平台WT之支撐區段22內提供一或多個溫度感測器52，如圖8所描繪。因而，控制器31可利用來自溫度感測器52之資訊以便改進調節系統之控制(亦即，可包括回饋迴路)。
舉例而言，控制器31可使用在每一瞬時之測定溫度來修改對調節系統21之用以將熱能供應至支撐平台WT之支撐區段22及/或自支撐平台WT之支撐區段22移除熱能的命令。或者或另外，控制器31可使用藉由溫度感測器52量測之歷史資料，以便更新記憶體51中用於在後續基板W之處理期間控制調節系統30之資訊。
舉例而言，可提供複數個溫度感測器52，複數個溫度感測器52係橫越支撐平台WT之支撐區段22而分佈及/或用以直接量測基板W之溫度。此外，調節系統21可經組態成使得供應至支撐平台WT之複數個不同區及/或自支撐平台WT之複數個不同區移除之熱的量可受到控制器31回應於支撐平台WT之位置獨立地控制。
在一實施例中，控制器31可經組態成使得當支撐平台提供至微影設備內之使基板W裝載至支撐平台WT的部位時，控制器31可控制調節系統21以在基板W裝載至支撐平台WT之前開始將熱能供應至支撐平台WT及/或自支撐平台WT移除熱能。控制器31可經組態成使得調節系統21開始將被預期為基板W所需要之量之熱能供應至支撐平台WT 及/或自支撐平台WT移除被預期為基板W所需要之量之熱能。此情形可避免或縮減由必須傳遞通過支撐平台WT以在調節系統21與基板W之間轉移之熱引起的延遲。因而，在已剛好裝載至支撐平台WT之基板遭遇熱負荷的時間，由於在基板W裝載至支撐平台WT之前自調節系統21提供至支撐平台WT之支撐區段22或自支撐平台WT之支撐區段22提供至調節系統21的熱流，必需之熱流藉由支撐平台WT之支撐區段22提供至基板W或自基板W提供。
在一實施例中，在基板裝載至支撐平台之前藉由調節系統21提供至支撐平台WT及/或自支撐平台WT移除之熱的量可基於基板W之測定溫度。
在如圖22所描繪之實施例中，可量測在基板W裝載至支撐平台WT之前基板W之溫度之量測，同時藉由基板處置設備60來處置基板W。因而，基板W之溫度量測可在足以使控制器31控制藉由調節系統21提供至支撐平台WT之支撐區段22及/或自支撐平台WT之支撐區段22移除的熱能的時間內提供至控制器31，如上文所論述。
在一實施例中，基板處置設備60可包括一或多個溫度感測器61。舉例而言，一或多個溫度感測器61可在基板W被基板處置設備60固持時接觸基板W。
或者或另外，諸如紅外線相機之非接觸溫度感測器可經配置成使得其可在基板W藉由基板處置設備60處置時量測基板W之溫度。舉例而言，此非接觸溫度感測器可安裝至基板處置設備60。或者，非接觸溫度感測器可安裝至微影 設備之另一部件，但可經配置成使得在將基板W裝載至支撐平台WT之程序期間基板處置設備60使基板W移動經過非接觸溫度感測器。
不管溫度感測器之性質，該系統可經組態以針對基板W利用單一溫度量測。
或者，可橫越基板W進行複數個溫度量測。若調節系統21經組態以獨立地控制提供至支撐平台WT之不同區及/或自支撐平台WT之不同區移除的熱能，則此情形可被有益地使用。在彼狀況下，可基於基板W之初始溫度來獨立地控制調節系統21之每一部件。
若提供複數個分離溫度感測器61，則可提供對應於調節系統21之每一區段之一分離溫度感測器61。或者，若(例如)利用紅外線相機，則可獲得整個基板W之影像且可分離地分析該影像之複數個區段，以便提供針對調節系統21之每一區段之必需控制。
應瞭解，上文所描述之特徵中任一者均可與任何其他特徵一起使用，且其不僅僅為本申請案中所涵蓋的明確地所描述之彼等組合。舉例而言，本發明之一實施例可應用於圖2至圖4之實施例。此外，本文對加熱或加熱器之論述應被理解為分別涵蓋冷卻或冷卻器。
此外，儘管上文已出於便利起見而在浸潤微影設備之內容背景中描述本發明，但應瞭解，本發明可結合任何形式之微影設備而使用。
在一態樣中，提供一種用於一微影設備之支撐平台，該 支撐平台包含：一支撐區段，其經組態以在其一上部面上支撐一基板之一下部表面；及一調節系統，其經組態以將熱能供應至該支撐區段及/或自該支撐區段移除熱能，其中，當一基板被該支撐區段支撐時，該基板熱耦合至該支撐區段，使得當該調節系統將熱能供應至該支撐區段或自該支撐區段移除熱能時，能量繼而分別自該支撐區段轉移至該基板或自該基板轉移至該支撐區段，且該支撐區段、該調節系統或其兩者經組態成使得由於該調節系統之操作而引起的在該基板之每單位面積上至或自該基板之該熱轉移在該基板之鄰近於該基板之邊緣的一第一區中相比於在該基板之處於該基板之中心的一第二區中較大。
在一實施例中，該調節系統包含一加熱器系統，該加熱器系統經組態成使得其可在熱耦合至該基板之該第一區的該支撐區段之一第一區中相比於在熱耦合至該基板之該第二區的該支撐區段之一第二區中向該支撐區段提供該支撐區段之該上部面之每單位面積的較多熱能。
在一實施例中，該加熱器系統包含複數個可獨立控制加熱器單元，且至少一加熱器單元提供於該支撐區段之該第一區中且至少一另一加熱器單元提供於該支撐區段之該第二區中。
在一實施例中，該加熱器系統包含一狹長電加熱器件，該狹長電加熱器件經配置成使得在該支撐區段之該第一區中相比於在該支撐區段之該第二區中存在該支撐區段之該上部面之每單位面積的一較大加熱器件長度。
在一實施例中，該調節系統包含在該支撐區段內之一通道，該通道經組態以輸送一調節流體；且該通道經組態以穿過熱耦合至該基板之該第一區的該支撐區段之一第一區及熱耦合至該基板之該第二區的該支撐區段之一第二區。
在一實施例中，該通道之橫截面積在該支撐區段之該第一區中相比於在該支撐區段之該第二區中較小。
在一實施例中，該通道之表面粗糙度在該支撐區段之該第一區中相比於在該支撐區段之該第二區中較大。
在一實施例中，該通道在該支撐區段之該第一區中相比於在該支撐區段之該第二區中具有較大數目個隅角及/或具有較尖銳隅角。
在一實施例中，該通道之橫截面之周長在該支撐區段之該第一區中相比於在該支撐區段之該第二區中較大。
在一實施例中，該通道之一第一區段與該通道之一鄰近第二區段之間的分離度在該支撐區段之該第一區中相比於在該支撐區段之該第二區中較小。
在一實施例中，對應於該支撐區段之該上部面之一給定區域的該通道之總體積在該支撐區段之該第一區中相比於在該支撐區段之該第二區中較大。
在一實施例中，該支撐平台進一步包含一通道加熱器，該通道加熱器經組態以將熱供應至該通道中之該調節流體。
在一實施例中，該通道加熱器經組態以在該支撐區段之該第一區中相比於在該支撐區段之該第二區中向該通道之 該表面區域之一較大比例供應熱。
在一實施例中，該通道加熱器包含複數個加熱器，且該複數個加熱器之空間密度在該支撐區段之該第一區中相比於在該支撐區段之該第二區中較大。
在一實施例中，該調節系統經組態成使得調節流體被提供至位於該支撐區段之該第一區內的該通道之一末端且自位於該支撐區段之該第二區內的該通道之一末端被萃取。
在一實施例中，該支撐區段之該上部面包含：一基底表面，其經組態以實質上平行於被支撐於該支撐區段上之一基板之一下部表面；及複數個瘤節，其自該表面突出，其中，當一基板被該支撐區段支撐時，該基板僅接觸該等瘤節之該上部表面。
在一實施例中，支撐區段經組態成使得在該基板之每單位面積上瘤節與被該支撐區段支撐之一基板相接觸之總面積在該基板之該第一區中相比於在該基板之該第二區中較大。
在一實施例中，接觸被該支撐區段支撐之一基板之該第一區的該等瘤節中每一者之該上部表面大於接觸該基板之該第二區的該等瘤節中每一者之該上部表面。
在一實施例中，在被該支撐區段支撐之一基板之每單位面積上接觸該基板之瘤節之數目在該基板之該第一區中相比於在該基板之該第二區中較大。
在一實施例中，該支撐區段經組態成使得該基底表面與被該支撐區段支撐之一基板之間的分離度針對該基板之該 第一區相比於針對該基板之該第二區較小。
在一實施例中，經配置以接觸被該支撐區段支撐之一基板之該第一區的至少一瘤節包含包括經組態以接觸該基板之一上部表面之一第一部分，及小於該第一部分的自該基底表面突出之一第二部分。
在一實施例中，該支撐區段之該上部表面進一步包含配置於該上部面之一第一區中之一凸部，該上部面之該第一區經組態以熱耦合至被該支撐區段支撐之一基板之該第一區，該凸部經組態成使得其相比於該等瘤節較少地突出遠離於該基底表面。
在一實施例中，該凸部經組態成使得其形成環繞該支撐區段之一第二區之一環帶，該支撐區段之該第二區經配置以熱耦合至被該支撐區段支撐之一基板之該第二區。
在一實施例中，該凸部經組態成使得在使用時，一流體層保持於該凸部上且接觸被支撐於該支撐區段上之一基板。
在一實施例中，接觸被該支撐區段支撐之該基板之該第一區的瘤節之該上部表面經組態以相比於接觸該基板之該第二區的瘤節之該上部表面具有一較低表面粗糙度。
在一實施例中，該支撐平台進一步包含一氣體處置系統，該氣體處置系統經組態以將一氣體提供至該支撐區段與該基板之該第一區之間的一空間，該氣體相比於該支撐區段與該基板之該第二區之間的該空間中之一氣體具有較高熱導率。
在一實施例中，提供至該支撐區段與該基板之該第一區之間的該空間之該氣體包含選自以下各者之至少一者：He、H2及/或水蒸氣。
在一態樣中，提供一種用於一微影設備之支撐平台，該支撐平台包含一支撐區段，該支撐區段經組態以在該支撐區段之一上部表面上支撐一基板之一下部表面，該支撐區段之該上部表面包含一基底表面，該基底表面經組態以在該基板之該下部表面被支撐於該支撐區段上時實質上平行於該基板之該下部表面，且包含複數個瘤節，該複數個瘤節自該基底表面突出且經配置成使得當該基板被該支撐區段支撐時，該基板僅接觸該等瘤節之該上部表面，其中該等瘤節經組態成使得該等瘤節在平行於該支撐區段之該上部表面之一方向上的硬度針對接觸該基板之鄰近於該基板之一邊緣的一第一區的瘤節相比於針對接觸該基板之處於該基板之中心的一第二區的瘤節較大，且該等瘤節在垂直於該支撐區段之該上部面之一方向上的硬度針對接觸該基板之該第一區之瘤節相比於針對接觸該基板之該第二區之瘤節實質上相同。
在一實施例中，該等瘤節之該硬度係針對經定向成遠離於該基板之該中心之一徑向方向進行比較。
在一實施例中，接觸該基板之該第一區之該等瘤節具有一橫截面，使得該等瘤節在遠離於該基板之該中心之一徑向方向上的長度大於該等瘤節在垂直於該徑向方向之一切線方向上的寬度。
在一實施例中，該等瘤節與該基板之該第一區相接觸的一橫截面積同該等瘤節與該基板之該第二區相接觸的一橫截面積相同。
在一實施例中，接觸該基板之該第一區之該等瘤節在遠離於該支撐區段之該基底表面之一方向上具有一漸減橫截面積。
在一實施例中，接觸該基板之該第一區的瘤節之該等上部表面相比於接觸該基板之該第二區的瘤節之該等上部表面具有一較低表面粗糙度。
在一態樣中，提供一種微影設備，該微影設備包含上文所提及之一支撐平台。
在一態樣中，提供一種元件製造方法，該元件製造方法包含使用上文所提及之一微影設備將一圖案自一圖案化元件轉印至一基板。
在一態樣中，提供一種微影設備，該微影設備包含：一支撐平台，其經組態以支撐一基板；一調節系統，其經組態以將熱能供應至該支撐平台及/或自該支撐平台移除熱能；一位置量測系統，其經組態以量測該微影設備內之該支撐平台之位置；及一控制器，其經組態以基於包括該支撐平台之該測定位置之資訊來控制該調節系統以將熱能供應至該支撐平台及/或自該支撐平台移除熱能。
在一實施例中，該控制器包含一記憶體，在該記憶體中儲存有對應於針對該支撐平台之一特定部位被預期需要藉由該調節系統供應及/或移除之一熱能之量的資料；且該 控制器經組態以基於該資料來控制該調節系統。
在一實施例中，該記憶體進一步包含對應於在一基板之處理期間該支撐平台在該微影設備內之預期移動及在該等預期移動期間被預期藉由該調節系統供應及/或移除之熱能之量的資料。
在一實施例中，被預期需要藉由該調節系統供應及/或移除之熱之量係基於在該支撐平台之每一部位處該支撐平台及被該基板支撐之一基板上之預期熱負荷，及/或在每一移動期間，基於達使熱能在該調節系統與該基板及/或該基板平台之間轉移之一預期延遲的偏移。
在一實施例中，該微影設備進一步包含一溫度感測器，該溫度感測器用以量測該支撐平台之至少一部分及/或被支撐於該支撐平台上之一基板之至少一部分的溫度，其中該控制器經組態成使得其基於進一步包含來自該溫度感測器之一溫度量測之資訊來控制該調節系統。
在一實施例中，該調節系統經組態成使得供應至該支撐平台之複數個不同區及/或自該支撐平台之該複數個不同區移除之熱的量可受到該控制器獨立地控制。
在一實施例中，該控制器經組態成使得當該支撐平台處於用於使一基板裝載至該支撐平台之一部位時，該控制器控制該調節系統以在該基板裝載至該支撐平台之前開始將被預期需要之熱能供應至該支撐平台及/或自該支撐平台移除被預期需要之熱能。
在一態樣中，提供一種微影設備，該微影設備包含：一 支撐平台，其經組態以支撐一基板；一調節系統，其經組態以將熱能供應至該支撐平台及/或自該支撐平台移除熱能；及一控制器，其經組態以控制該調節系統以將熱能供應至該支撐平台及/或自該支撐平台移除熱能，該控制器經組態成使得當該支撐平台處於用於使一基板裝載至該支撐平台之一部位時，該控制器控制該調節系統以在該基板裝載至該支撐平台之前開始將被預期需要之熱能供應至該支撐平台及/或自該支撐平台移除被預期需要之熱能。
在一實施例中，該微影設備進一步包含：一基板處置設備，其經組態以將一基板裝載至該基板平台；及一溫度感測器，其經組態以量測藉由該基板處置設備處置之一基板之至少一部分的溫度，其中該控制器使用該基板之該測定溫度以判定被預期需要供應至該支撐平台及/或自該支撐平台移除之熱能。
在一實施例中，該溫度感測器經組態以量測該基板之複數個部分之溫度。
在一態樣中，提供一種元件製造方法，該元件製造方法包含使用一微影設備以將一圖案自一圖案化元件轉印至一基板，其中該微影設備包含：一支撐平台，其經組態以支撐該基板；一調節系統，其經組態以將熱能供應至該支撐平台及/或自該支撐平台移除熱能；及一位置量測系統，其經組態以量測該微影設備內之該支撐平台之位置，該方法包含基於包括該支撐平台之該測定位置之資訊來控制該調節系統以將熱能供應至該支撐平台及/或自該支撐平台 移除熱能。
在一態樣中，提供一種元件製造方法，該元件製造方法包含使用一微影設備以將一圖案自一圖案化元件轉印至一基板，其中該微影設備包含：一支撐平台，其經組態以支撐該基板；及一調節系統，其經組態以將熱能供應至該支撐平台及/或自該支撐平台移除熱能，該方法包含控制該調節系統以在該基板裝載至該支撐平台之前將被預期需要之熱能供應至該支撐平台及/或自該支撐平台移除被預期需要之熱能。
儘管在本文中可特定地參考微影設備在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影設備可具有其他應用，諸如，製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板，適用時，可將本文中之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，例如，以便創製多層IC，使得本文所使用之術語「基板」亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
本文所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之 電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)。術語「透鏡」在內容背景允許時可指代各種類型之光學組件中任一者或其組合，包括折射及反射光學組件。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明之實施例可採取如下形式：電腦程式，其含有描述如上文所揭示之方法的機器可讀指令之一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於其中之此電腦程式。另外，可以兩個或兩個以上電腦程式來體現機器可讀指令。可將兩個或兩個以上電腦程式儲存於一或多個不同記憶體及/或資料儲存媒體上。
當藉由位於微影設備之至少一組件內之一或多個電腦處理器來讀取一或多個電腦程式時，本文所描述之任何控制器可各自或組合地為可操作的。該等控制器可各自或組合地具有用於接收、處理及發送信號之任何合適組態。一或多個處理器經組態以與該等控制器中至少一者通信。舉例而言，每一控制器可包括用於執行包括用於上文所描述之方法之機器可讀指令之電腦程式的一或多個處理器。該等控制器可包括用於儲存此等電腦程式之資料儲存媒體，及/或用以收納此媒體之硬體。因此，該(該等)控制器可根據一或多個電腦程式之機器可讀指令進行操作。
本發明之一或多個實施例可適用於任何浸潤微影設備， 特別地(但不獨佔式地)為上文所提及之彼等類型，且無論浸潤液體係以浴之形式被提供、僅提供於基板之局域化表面區域上，抑或未受限制的。在一未受限制配置中，浸潤液體可流動遍及基板及/或基板平台之表面，使得基板平台及/或基板之實質上整個未經覆蓋表面濕潤。在此未受限制浸潤系統中，液體供應系統可能不限制浸潤流體或其可能提供浸潤液體限制之比例，但未提供浸潤液體之實質上完全限制。
應廣泛地解釋本文所預期之液體供應系統。在特定實施例中，液體供應系統可為將液體提供至投影系統與基板及/或基板平台之間的空間的機構或結構組合。液體供應系統可包含一或多個結構、包括一或多個液體開口之一或多個流體開口、一或多個氣體開口或用於二相流之一或多個開口的組合。開口可各自為通向浸潤空間之入口(或來自流體處置結構之出口)或出自浸潤空間之出口(或通向流體處置結構之入口)。在一實施例中，空間之表面可為基板及/或基板平台之部分，或空間之表面可完全地覆蓋基板及/或基板平台之表面，或空間可包覆基板及/或基板平台。液體供應系統可視情況進一步包括用以控制液體之位置、量、品質、形狀、流動速率或任何其他特徵之一或多個器件。
以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
11‧‧‧空間
12‧‧‧流體處置結構/液體限制結構
13‧‧‧液體入口/液體出口
14‧‧‧出口
15‧‧‧氣體入口
16‧‧‧無接觸密封件/氣體密封件/氣流
20‧‧‧瘤節
20a‧‧‧瘤節
20b‧‧‧瘤節
21‧‧‧調節系統
22‧‧‧支撐區段
22a‧‧‧基底表面之區段
22b‧‧‧基底表面之區段
24‧‧‧支撐區段之外部區
25‧‧‧支撐區段之內部區
26‧‧‧基板之第一外部區
27‧‧‧基板之第二內部區
28‧‧‧側壁
29‧‧‧開口
30‧‧‧加熱器系統
30a‧‧‧第一加熱器單元
30b‧‧‧第二加熱器單元
31‧‧‧控制器
32‧‧‧狹長電加熱器件
35‧‧‧通道
36‧‧‧通道之經修改區段
37‧‧‧通道之鄰近區段
40‧‧‧經修改瘤節
41‧‧‧經修改瘤節之第一部分
42‧‧‧經修改瘤節之第二部分
45‧‧‧突出部
47‧‧‧密封件
50‧‧‧位置量測系統
51‧‧‧記憶體
52‧‧‧溫度感測器
53‧‧‧通道加熱器
55‧‧‧開口
60‧‧‧基板處置設備
61‧‧‧溫度感測器
65‧‧‧第一類型之瘤節
66‧‧‧第二類型之瘤節
67‧‧‧徑向方向
68‧‧‧瘤節
69‧‧‧瘤節
70‧‧‧萃取器總成/液體移除元件/氣體處置系統
71‧‧‧氣體供應管線
72‧‧‧氣體萃取管線
73‧‧‧埠
74‧‧‧流動抵抗結構
90‧‧‧氣刀
111‧‧‧多孔材料
120‧‧‧入口
121‧‧‧腔室
180‧‧‧開口
201‧‧‧出口
210‧‧‧出口
220‧‧‧凹座
320‧‧‧彎液面
400‧‧‧彎液面
AD‧‧‧調整器
B‧‧‧輻射光束
BD‧‧‧光束遞送系統
C‧‧‧目標部分
CO‧‧‧聚光器
IF‧‧‧位置感測器
IL‧‧‧照明系統/照明器
IN‧‧‧積光器
M1‧‧‧圖案化元件對準標記
M2‧‧‧圖案化元件對準標記
MA‧‧‧圖案化元件
MT‧‧‧支撐結構
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器
PS‧‧‧投影系統
PW‧‧‧第二定位器
SO‧‧‧輻射源
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板平台/支撐平台
圖1描繪根據本發明之一實施例的微影設備；圖2及圖3描繪供微影投影設備中使用之液體供應系統；圖4描繪供微影投影設備中使用之另外液體供應系統；圖5描繪供微影投影設備中使用之另外液體供應系統；圖6以橫截面描繪供微影投影設備中使用之另外液體供應系統；圖7以橫截面描繪可用於本發明之一實施例中的支撐平台；圖8以平面圖描繪可用於本發明之一實施例中的支撐平台之配置；圖9以平面圖描繪根據本發明之一實施例的支撐平台；圖10及圖11以平面圖描繪根據本發明之一實施例的支撐平台之部件之細節；圖12至圖21各自以橫截面描繪可根據本發明之實施例而使用的支撐平台之細節；圖22描繪可用於本發明之一實施例中的基板處置設備；圖23以平面圖描繪根據本發明之一實施例的支撐平台之部件；圖24以橫截面描繪根據本發明之一實施例的支撐平台之部件；及圖25以橫截面描繪根據本發明之一實施例的支撐平台之細節。
20‧‧‧瘤節
21‧‧‧調節系統
22‧‧‧支撐區段
24‧‧‧支撐區段之外部區
25‧‧‧支撐區段之內部區
26‧‧‧基板之第一外部區
27‧‧‧基板之第二內部區
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板平台/支撐平台

Claims (15)

  1. 一種用於一微影設備之支撐平台，該支撐平台包含：一支撐區段，其經組態以在其一上部面上支撐一基板之一下部表面；及一調節系統，其經組態以將熱能供應至該支撐區段及/或自該支撐區段移除熱能；其中，當一基板被該支撐區段支撐時，該基板熱耦合至該支撐區段，使得當該調節系統將熱能供應至該支撐區段或自該支撐區段移除熱能時，能量繼而分別自該支撐區段轉移至該基板或自該基板轉移至該支撐區段，且該支撐區段、該調節系統或其兩者經組態成使得由於該調節系統之操作而引起的在該基板之每單位面積上至或自該基板之該熱轉移在該基板之鄰近於該基板之邊緣的一第一區中相比於在該基板之處於該基板之中心的一第二區中較大。
  2. 如請求項1之支撐平台，其中該調節系統包含一加熱器系統，該加熱器系統經組態成使得其可在熱耦合至該基板之該第一區的該支撐區段之一第一區中相比於在熱耦合至該基板之該第二區的該支撐區段之一第二區中向該支撐區段提供該支撐區段之該上部面之每單位面積的較多熱能。
  3. 如請求項2之支撐平台，其中該加熱器系統包含複數個可獨立控制加熱器單元；且至少一加熱器單元提供於該支撐區段之該第一區中且 至少一另一加熱器單元提供於該支撐區段之該第二區中，及/或其中該加熱器系統包含一狹長電加熱器件，該狹長電加熱器件經配置成使得在該支撐區段之該第一區中相比於在該支撐區段之該第二區中存在該支撐區段之該上部面之每單位面積的一較大加熱器件長度。
  4. 如前述請求項中任一項之支撐平台，其中該調節系統包含在該支撐區段內之一通道，該通道經組態以輸送一調節流體；且該通道經組態以穿過熱耦合至該基板之該第一區的該支撐區段之一第一區及熱耦合至該基板之該第二區的該支撐區段之一第二區。
  5. 如請求項4之支撐平台，其中該通道之橫截面積在該支撐區段之該第一區中相比於在該支撐區段之該第二區中較小，及/或其中該通道之表面粗糙度在該支撐區段之該第一區中相比於在該支撐區段之該第二區中較大，及/或其中該通道在該支撐區段之該第一區中相比於在該支撐區段之該第二區中具有較大數目個隅角及/或具有較尖銳隅角，及/或其中該通道之橫截面之周長在該支撐區段之該第一區中相比於在該支撐區段之該第二區中較大，及/或其中該通道之一第一區段與該通道之一鄰近第二區段之間的分離度在該支撐區段之該第一區中相比於在該支撐區段之該第二區中較小，及/或其中對應於該支撐區段之該上部面之一給定區域的該通道之總體積在該支撐區段之該第一區中相比於在該支撐區段之該第二區中較大。
  6. 如請求項4或5之支撐平台，其進一步包含一通道加熱器，該通道加熱器經組態以將熱供應至該通道中之該調節流體。
  7. 如請求項6之支撐平台，其中該通道加熱器經組態以在該支撐區段之該第一區中相比於在該支撐區段之該第二區中向該通道之該表面區域之一較大比例供應熱，及/或其中該通道加熱器包含複數個加熱器，且該複數個加熱器之空間密度在該支撐區段之該第一區中相比於在該支撐區段之該第二區中較大。
  8. 如請求項4至7中任一項之支撐平台，其中該調節系統經組態成使得調節流體被提供至位於該支撐區段之該第一區內的該通道之一末端且自位於該支撐區段之該第二區內的該通道之一末端被萃取。
  9. 如前述請求項中任一項之支撐平台，其中該支撐區段之該上部面包含：一基底表面，其經組態以實質上平行於被支撐於該支撐區段上之一基板之一下部表面；及複數個瘤節，其自該表面突出，其中，當一基板被該支撐區段支撐時，該基板僅接觸該等瘤節之該上部表面，及/或其中該支撐平台進一步包含一氣體處置系統，該氣體處置系統經組態以將一氣體提供至該支撐區段與該基板之該第一區之間的一空間，該氣體相比於該支撐區段與該基板之該第二區之間的該空間中之一氣體具有較高熱導率，及/或其中接觸被該支撐區段支撐之該基板之該第一區的瘤節之該上部表面經組態以相比於接觸該基板之該 第二區的瘤節之該上部表面具有一較低表面粗糙度。
  10. 如請求項9之支撐平台，其中支撐區段經組態成使得在該基板之每單位面積上瘤節與被該支撐區段支撐之一基板相接觸之總面積在該基板之該第一區中相比於在該基板之該第二區中較大。
  11. 如請求項10之支撐平台，其中接觸被該支撐區段支撐之一基板之該第一區的該等瘤節中每一者之該上部表面大於接觸該基板之該第二區的該等瘤節中每一者之該上部表面，及/或其中在被該支撐區段支撐之一基板之每單位面積上接觸該基板之瘤節之數目在該基板之該第一區中相比於在該基板之該第二區中較大，及/或其中該支撐區段經組態成使得該基底表面與被該支撐區段支撐之一基板之間的分離度針對該基板之該第一區相比於針對該基板之該第二區較小，及/或其中經配置以接觸被該支撐區段支撐之一基板之該第一區的至少一瘤節包含包括經組態以接觸該基板之一上部表面之一第一部分，及小於該第一部分的自該基底表面突出之一第二部分，及/或其中該支撐區段之該上部表面進一步包含配置於該上部面之一第一區中之一凸部，該上部面之該第一區經組態以熱耦合至被該支撐區段支撐之一基板之該第一區，該凸部經組態成使得其相比於該等瘤節較少地突出遠離於該基底表面。
  12. 如請求項11之支撐平台，其中當該支撐區段之該上部表面進一步包含該凸部時，該凸部經組態成使得其形成環 繞該支撐區段之一第二區之一環帶，該支撐區段之該第二區經配置以熱耦合至被該支撐區段支撐之一基板之該第二區，及/或其中該凸部經組態成使得在使用時，一流體層保持於該凸部上且接觸被支撐於該支撐區段上之一基板。
  13. 一種用於一微影設備之支撐平台，該支撐平台包含：一支撐區段，其經組態以在該支撐區段之一上部表面上支撐一基板之一下部表面，該支撐區段之該上部表面包含一基底表面，該基底表面經組態以在該基板之該下部表面被支撐於該支撐區段上時實質上平行於該基板之該下部表面，且包含複數個瘤節，該複數個瘤節自該基底表面突出且經配置成使得當該基板被該支撐區段支撐時，該基板僅接觸該等瘤節之該上部表面，其中該等瘤節經組態成使得該等瘤節在平行於該支撐區段之該上部表面之一方向上的硬度針對接觸該基板之鄰近於該基板之一邊緣的一第一區的瘤節相比於針對接觸該基板之處於該基板之中心的一第二區的瘤節較大，且該等瘤節在垂直於該支撐區段之該上部面之一方向上的硬度針對接觸該基板之該第一區之瘤節相比於針對接觸該基板之該第二區之瘤節實質上相同。
  14. 一種微影設備，其包含一如前述請求項中任一項之支撐平台。
  15. 一種元件製造方法，其包含使用一如請求項14之微影設備將一圖案自一圖案化元件轉印至一基板。
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TW (1) TWI507826B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI579640B (zh) * 2015-10-15 2017-04-21 許銘案 薄膜光罩、貼合輔具、貼合與曝光輔助裝置及將一薄膜光罩貼合於一曲面基板的方法
TWI810519B (zh) * 2017-12-13 2023-08-01 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 用於微影設備之基板固持器

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20230176487A1 (en) * 2001-02-19 2023-06-08 Asml Netherlands B.V. Substrate support system, lithographic apparatus and method of exposing a substrate
NL2009189A (en) 2011-08-17 2013-02-19 Asml Netherlands Bv Support table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method.
SG188036A1 (en) 2011-08-18 2013-03-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, support table for a lithographic apparatus and device manufacturing method
US11085112B2 (en) * 2011-10-28 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Susceptor with ring to limit backside deposition
NL2009858A (en) 2011-12-27 2013-07-01 Asml Netherlands Bv Substrate holder, lithographic apparatus, and device manufacturing method.
KR102003416B1 (ko) 2012-05-29 2019-07-24 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 지지 장치, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법
JP6006406B2 (ja) 2012-05-29 2016-10-12 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． オブジェクトホルダ及びリソグラフィ装置
US9541846B2 (en) 2013-09-06 2017-01-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Homogeneous thermal equalization with active device
EP3049869B1 (en) 2013-09-27 2017-11-08 ASML Netherlands B.V. Support table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method
JP6244876B2 (ja) 2013-12-17 2017-12-13 ブラザー工業株式会社 情報処理プログラム、情報処理装置、および情報処理装置の制御方法
NL2014516A (en) 2014-04-30 2016-03-08 Asml Netherlands Bv Support table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method.
US9575415B2 (en) * 2014-05-22 2017-02-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wafer stage temperature control
WO2016062540A1 (en) * 2014-10-23 2016-04-28 Asml Netherlands B.V. Support table for a lithographic apparatus, method of loading a substrate, lithographic apparatus and device manufacturing method
KR102618488B1 (ko) 2014-11-23 2023-12-27 엠 큐브드 테크놀로지스 웨이퍼 핀 척 제조 및 수리
US20160230269A1 (en) * 2015-02-06 2016-08-11 Applied Materials, Inc. Radially outward pad design for electrostatic chuck surface
CN105183037B (zh) * 2015-09-09 2017-11-14 合肥芯碁微电子装备有限公司 一种激光直写式光刻机精确温度控制方法
WO2017071900A1 (en) * 2015-10-29 2017-05-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus substrate table and method of loading a substrate
CN105629681B (zh) * 2016-04-07 2018-12-21 京东方科技集团股份有限公司 一种承载基台、曝光装置及曝光方法
NL2021663A (en) 2017-10-12 2019-04-17 Asml Netherlands Bv Substrate holder for use in a lithographic apparatus
WO2019081174A1 (en) * 2017-10-27 2019-05-02 Asml Holding N.V. BURLS HAVING MODIFIED SURFACE TOPOGRAPHY FOR HOLDING AN OBJECT IN LITHOGRAPHIC APPLICATIONS
KR102390754B1 (ko) 2017-11-08 2022-04-26 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 기판 홀더 및 디바이스를 제조하는 제조 방법
JP7121122B2 (ja) * 2017-11-20 2022-08-17 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 基板ホルダ、基板支持部、基板をクランプシステムにクランプする方法、およびリソグラフィ装置
CN113168123A (zh) 2018-12-21 2021-07-23 Asml控股股份有限公司 掩模版子场热控制
JP6842225B1 (ja) * 2020-11-12 2021-03-17 ハイソル株式会社 チャックユニット及びチャックユニットの温度制御方法
EP4359867A1 (en) 2021-06-24 2024-05-01 ASML Netherlands B.V. Structures for use on a substrate holder, substrate holder, lithographic apparatus and method

Family Cites Families (73)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4509852A (en) 1980-10-06 1985-04-09 Werner Tabarelli Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements
JPH03192246A (ja) * 1989-12-21 1991-08-22 Sharp Corp 感光シートの露光台
EP0456426B1 (en) 1990-05-07 2004-09-15 Canon Kabushiki Kaisha Vacuum type wafer holder
EP0463853B1 (en) 1990-06-29 1998-11-04 Canon Kabushiki Kaisha Vacuum chuck
JPH0851143A (ja) 1992-07-20 1996-02-20 Nikon Corp 基板保持装置
JPH0669125A (ja) * 1992-08-13 1994-03-11 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置
JPH06132387A (ja) 1992-10-19 1994-05-13 Hitachi Electron Eng Co Ltd 真空吸着ステージ
US5583736A (en) 1994-11-17 1996-12-10 The United States Of America As Represented By The Department Of Energy Micromachined silicon electrostatic chuck
US5761023A (en) 1996-04-25 1998-06-02 Applied Materials, Inc. Substrate support with pressure zones having reduced contact area and temperature feedback
WO1999049504A1 (fr) 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition par projection
US6322626B1 (en) 1999-06-08 2001-11-27 Micron Technology, Inc. Apparatus for controlling a temperature of a microelectronics substrate
US6494955B1 (en) 2000-02-15 2002-12-17 Applied Materials, Inc. Ceramic substrate support
JP3859937B2 (ja) 2000-06-02 2006-12-20 住友大阪セメント株式会社 静電チャック
FR2815395B1 (fr) * 2000-10-13 2004-06-18 Joint Industrial Processors For Electronics Dispositif de chauffage rapide et uniforme d'un substrat par rayonnement infrarouge
JP4288694B2 (ja) * 2001-12-20 2009-07-01 株式会社ニコン 基板保持装置、露光装置及びデバイス製造方法
US6730175B2 (en) 2002-01-22 2004-05-04 Applied Materials, Inc. Ceramic substrate support
KR20040003372A (ko) * 2002-07-02 2004-01-13 주식회사 하이닉스반도체 핫플레이트 구조
KR20040003373A (ko) * 2002-07-02 2004-01-13 주식회사 하이닉스반도체 냉각판 구조 및 그 제조방법
JP2004039862A (ja) * 2002-07-03 2004-02-05 Nikon Corp 光学装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
US20040011780A1 (en) 2002-07-22 2004-01-22 Applied Materials, Inc. Method for achieving a desired process uniformity by modifying surface topography of substrate heater
SG2010050110A (en) 2002-11-12 2014-06-27 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1420298B1 (en) 2002-11-12 2013-02-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
EP1431825A1 (en) * 2002-12-20 2004-06-23 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and substrate holder
KR20040070008A (ko) 2003-01-29 2004-08-06 쿄세라 코포레이션 정전척
EP1510868A1 (en) 2003-08-29 2005-03-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1530088B1 (en) 2003-11-05 2007-08-08 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
JP4429023B2 (ja) 2004-01-07 2010-03-10 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US7227619B2 (en) 2004-04-01 2007-06-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP5119666B2 (ja) * 2004-06-21 2013-01-16 株式会社ニコン 露光装置、液体除去方法、及びデバイス製造方法
US7304715B2 (en) 2004-08-13 2007-12-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7701550B2 (en) 2004-08-19 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7532310B2 (en) 2004-10-22 2009-05-12 Asml Netherlands B.V. Apparatus, method for supporting and/or thermally conditioning a substrate, a support table, and a chuck
US7196768B2 (en) * 2004-10-26 2007-03-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI281833B (en) 2004-10-28 2007-05-21 Kyocera Corp Heater, wafer heating apparatus and method for manufacturing heater
JP4444090B2 (ja) 2004-12-13 2010-03-31 東京エレクトロン株式会社 熱処理板の温度設定方法，熱処理板の温度設定装置，プログラム及びプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
KR101771334B1 (ko) * 2004-12-15 2017-08-24 가부시키가이샤 니콘 기판 유지 장치, 노광 장치 및 디바이스 제조방법
EP1681597B1 (en) 2005-01-14 2010-03-10 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20080165330A1 (en) 2005-01-18 2008-07-10 Nikon Corporation Liquid Removing Apparatus, Exposure Apparatus and Device Fabricating Method
US7815740B2 (en) 2005-03-18 2010-10-19 Tokyo Electron Limited Substrate mounting table, substrate processing apparatus and substrate processing method
US7751027B2 (en) 2005-06-21 2010-07-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101539517B1 (ko) 2005-12-08 2015-07-24 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
US7649611B2 (en) 2005-12-30 2010-01-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2007083592A1 (ja) 2006-01-17 2007-07-26 Nikon Corporation 基板保持装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法
KR20080026499A (ko) 2006-09-20 2008-03-25 캐논 가부시끼가이샤 기판보유장치
US7557328B2 (en) * 2006-09-25 2009-07-07 Tokyo Electron Limited High rate method for stable temperature control of a substrate
US8634053B2 (en) 2006-12-07 2014-01-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7791709B2 (en) 2006-12-08 2010-09-07 Asml Netherlands B.V. Substrate support and lithographic process
US20080137055A1 (en) * 2006-12-08 2008-06-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4899879B2 (ja) 2007-01-17 2012-03-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
US20080212050A1 (en) * 2007-02-06 2008-09-04 Nikon Corporation Apparatus and methods for removing immersion liquid from substrates using temperature gradient
JP2009060011A (ja) * 2007-09-03 2009-03-19 Tokyo Electron Ltd 基板載置台、基板処理装置、及び温度制御方法
DE112008003277T5 (de) 2007-12-06 2011-01-05 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Suszeptor für das Dampfphasenwachstum und Dampfphasenwachstumsvorrichtung
JP2009266886A (ja) * 2008-04-22 2009-11-12 Nikon Corp マスク、マスク保持装置、露光装置及びデバイスの製造方法
NL1036835A1 (nl) * 2008-05-08 2009-11-11 Asml Netherlands Bv Lithographic Apparatus and Method.
EP2131241B1 (en) 2008-05-08 2019-07-31 ASML Netherlands B.V. Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method
US8421993B2 (en) 2008-05-08 2013-04-16 Asml Netherlands B.V. Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2010016176A (ja) 2008-07-03 2010-01-21 Kyocera Corp 試料保持具
US8994917B2 (en) 2008-08-08 2015-03-31 Asml Netherlands B.V. Temperature stabilization system to stabilize a temperature of an article
NL2004980A (en) 2009-07-13 2011-01-17 Asml Netherlands Bv Heat transfers assembly, lithographic apparatus and manufacturing method.
NL2005874A (en) 2010-01-22 2011-07-25 Asml Netherlands Bv A lithographic apparatus and a device manufacturing method.
JP5423632B2 (ja) * 2010-01-29 2014-02-19 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置
RU2552595C2 (ru) * 2010-02-19 2015-06-10 МЭППЕР ЛИТОГРАФИ АйПи Б.В. Опорная структура подложки, прижимной подготовительный блок и установка для литографии
JP5269128B2 (ja) 2010-03-12 2013-08-21 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置および方法
NL2006203A (en) 2010-03-16 2011-09-19 Asml Netherlands Bv Cover for a substrate table, substrate table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus, and device manufacturing method.
NL2006913A (en) 2010-07-16 2012-01-17 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and method.
US20120196242A1 (en) 2011-01-27 2012-08-02 Applied Materials, Inc. Substrate support with heater and rapid temperature change
WO2012103967A1 (en) * 2011-02-01 2012-08-09 Asml Netherlands B.V. Substrate table, lithographic apparatus and device manufacturing method
US10242890B2 (en) 2011-08-08 2019-03-26 Applied Materials, Inc. Substrate support with heater
NL2009189A (en) 2011-08-17 2013-02-19 Asml Netherlands Bv Support table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method.
SG188036A1 (en) * 2011-08-18 2013-03-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, support table for a lithographic apparatus and device manufacturing method
US20130087309A1 (en) 2011-10-11 2013-04-11 Applied Materials, Inc. Substrate support with temperature control
EP3049869B1 (en) * 2013-09-27 2017-11-08 ASML Netherlands B.V. Support table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2015119744A1 (en) 2014-02-07 2015-08-13 Applied Materials, Inc. Chucking capability for bowed wafers on dsa

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI579640B (zh) * 2015-10-15 2017-04-21 許銘案 薄膜光罩、貼合輔具、貼合與曝光輔助裝置及將一薄膜光罩貼合於一曲面基板的方法
TWI810519B (zh) * 2017-12-13 2023-08-01 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 用於微影設備之基板固持器

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