TW201300766A - 缺陷檢查裝置及方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種缺陷檢查裝置及方法，該缺陷檢查裝置中，在具有偏光板與隔膜之層疊膜上配置偏光濾波器。使偏光濾波器的偏光軸與偏光板的偏光軸大致正交。在層疊膜的正下方配置線光源，在偏光濾波器的正上方配置線感測器攝像機。從線光源朝向層疊膜照射檢查光。用線感測器攝像機接收透射層疊膜及偏光濾波器之檢查光來拍攝層疊膜的照射區域。將亮度變高之高亮度區域作為缺陷圖像資料從藉由拍攝獲得之圖像資料中抽出。當缺陷圖像資料為2個高亮度區域排列之特定缺陷圖像資料時，將與該缺陷圖像資料對應之膜缺陷部份判定為虛擬缺陷。

Description

缺陷檢查裝置及方法
本發明係有關一種檢查層疊偏光板與膜而形成之層疊膜的缺陷之缺陷檢查裝置及方法者。
在液晶顯示器中使用各種光學功能性膜。作為該光學功能性膜已知有膜狀偏光板。該偏光板的一面形成有用於將偏光板貼附於液晶顯示器的玻璃基板等之黏附層。在貼附於玻璃基板等之前期間該黏附層被隔膜覆蓋。因此，例如如在日本專利公開2009-069142號公報中記載，液晶顯示器的製造製程中包含層疊偏光板與隔膜而形成之層疊膜的製造製程。
這種層疊膜中存在發生於其製造製程中膜表面或膜內部中附著異物、或者污垢黏貼或產生瑕疵等各缺陷之情況。因此，層疊膜的製造製程中進行缺陷檢查。該缺陷檢查根據藉由如下拍攝而獲得之圖像來進行，前述圖像為藉由從光源對層疊膜照射光並用攝像機拍攝層疊膜的透射光或反射光而獲得之圖像。
日本專利公開2007-213016號公報中公開有以使偏光濾波器介於層疊膜與攝像機之間之狀態拍攝層疊膜的透射光之缺陷檢查裝置。偏光濾波器配置成其偏光軸與偏光板的偏光軸正交，成為所謂正交偏光。藉此，若層疊膜不存在缺陷，則層疊膜的透射光的振動方向與偏光濾波器的偏光軸正交，因此該透射光被偏光濾波器遮斷。因此，藉由 透射光獲得之圖像(透射像)成為整面黑圖像。相反，當層疊膜存在缺陷時，透射其缺陷部份之透射光的偏光狀態發生變化，藉此該缺陷部份的透射光透射偏光濾波器。因此，透射像的與缺陷部份對應之部份的亮度變高。藉此，能夠檢查層疊膜有無缺陷。
日本專利公開平6-160295號公報中公開有分析細長地延長之缺陷部的圖像來判定該缺陷部的種類之瑕疵檢查方法。該日本專利公開平6-160295號公報的瑕疵檢查方法中，由缺陷部的圖像的2次力矩求出缺陷部的形狀與方向性，從而判定缺陷部存在瑕疵還是污垢。
日本專利公開平7-318508號公報中公開有從藉由接收層疊膜等被檢查體的反射光而拍攝獲得之圖像抽出各種特徵量，且根據該特徵量進行缺陷檢查之缺陷檢查裝置。該缺陷檢查裝置中，以各特徵量為基礎計算多元迴歸方程式獲得預測特性值，並且從判別函數計算判別評分，根據這些結果判定有無缺陷。
層疊膜的隔膜在液晶顯示器的製造製程中最終導致從偏光板剝離。因此，即使在隔膜自身存在缺陷，只要黏附層的保護功能未被受損，則原本就無需將該隔膜的缺陷當作缺陷。然而，日本專利公開2007-213016號公報及日本專利公開平6-160295號公報的檢查方法中，無法區別偏光板的缺陷與隔膜的缺陷。因此，需要由檢察人員等確認缺陷的發生部位，並判定其為偏光板的缺陷亦即實損缺陷，還是隔膜的缺陷亦即虛擬缺陷。
日本專利公開平7-318508號公報的缺陷檢查裝置中，並非不能適當設定從拍攝圖像抽出之特徵量的種類來判別實損缺陷和虛擬缺陷。但是，需要對所有拍攝圖像進行特徵量抽出處理、及基於多元迴歸方程式和判別函數之複雜的運算處理。因此，產生運算量變得龐大且處理中耗費時間之類之問題。其結果，在傳送線上行走之層疊膜的缺陷檢查中利用日本專利公開平7-318508號公報中的缺陷檢查裝置是極為困難的。
本發明的目的在於提供一種能夠簡單執行層疊膜的虛擬缺陷的判定之缺陷檢查裝置及方法。
本發明的缺陷檢查裝置具備光源、偏光濾波器、拍攝部、缺陷圖像抽出部、及虛擬缺陷判定部。光源對層疊膜照射光。光源配置在層疊膜的表裏面的一側。層疊膜具有偏光板與層疊在偏光板上之基膜。偏光濾波器配置在層疊膜的表裏面的另一側。偏光濾波器具有與偏光板的第1偏光軸大致正交且與偏光板的表裏面平行之第2偏光軸。偏光濾波器遮斷透射層疊膜的正常部份之前述光。偏光濾波器使透射層疊膜的缺陷部份之光透射。拍攝部配置在偏光濾波器的與層疊膜對置之一面側的相反面側。拍攝部接收透射偏光濾波器之光來拍攝層疊膜的前述光的照射區域。缺陷圖像抽出部將高亮度區域作為缺陷圖像從藉由拍攝部獲得之透射像中抽出。虛擬缺陷判定部將與特定缺陷圖像對應之缺陷部份判定為虛擬缺陷。當缺陷圖像為特定缺陷 圖像時進行判定。特定缺陷圖像為2個高亮度區域排列之缺陷圖像。虛擬缺陷為非偏光板的缺陷之缺陷。
缺陷檢查裝置具備從缺陷圖像抽出複數種特徵量之特徵量抽出部為較佳。複數種特徵量包括平均亮度與中心亮度。平均亮度為缺陷圖像的亮度的平均值。中心亮度為缺陷圖像的中心位置的亮度。虛擬缺陷判定部藉由對特徵量抽出部的抽出結果與各特徵量的閾值進行比較來判定缺陷圖像是否為特定缺陷圖像。閾值根據特定缺陷圖像的特徵預先規定。特徵量中包括平均亮度與中心亮度之差為較佳。
缺陷檢查裝置進一步具備第1~第N判定部、及判定控制部為較佳。第1~第N判定部個別判定缺陷圖像是否為第1~第N特定缺陷圖像。第1~第N判定部設定在虛擬缺陷判定部。第1~第N判定部藉由將特徵量抽出部的抽出結果分別與第1~第N閾值進行個別比較來進行判定。特定缺陷圖像由分別與N(N為2以上的自然數)種第1~第N虛擬缺陷對應之第1~第N特定缺陷圖像構成。閾值由分別根據第1~第N特定缺陷圖像的特徵個別規定之前述第1~第N閾值構成。判定控制部按預定順序執行基於第1~第N判定部之判定處理。當在第M[M為(N-1)以下的自然數]次判定處理中判定缺陷部份為虛擬缺陷時，判定控制部停止第(M+1)次之後的判定處理。
特定缺陷圖像中有時包含具有大致十字形狀的高亮度區域者。
即使基膜為剝離自如地貼附於形成在偏光板的表面上之黏附層上之隔膜，本發明亦具有可靠的效果。
缺陷檢查裝置具備實損缺陷判定部為較佳。實損缺陷判定部將與虛擬缺陷判定部未判定為特定缺陷圖像之缺陷圖像對應之缺陷部份判定為偏光板的缺陷亦即實損缺陷。缺陷檢查裝置具備標記部為更佳。標記部在層疊膜的被判定為前述實損缺陷之部份進行表示實損缺陷之標記。
本發明的缺陷檢查方法具備照射步驟(A步驟)、遮斷步驟(B步驟)、拍攝步驟(C步驟)、缺陷圖像抽出步驟(D步驟)、及虛擬缺陷判定步驟(E步驟)。A步驟中，從光源對層疊膜照射光。光源配置在層疊膜的表裏面的一側。層疊膜層疊偏光板和基膜而形成。B步驟中，藉由偏光濾波器遮斷透射層疊膜的正常部份之光。偏光濾波器配置在表裏面的另一側。偏光濾波器具有第2偏光軸。前述第2偏光軸與偏光板的第1偏光軸大致正交且與表裏面平行。偏光濾波器使透射層疊膜的缺陷部份之光透射。C步驟中，接收透射偏光濾波器之光來拍攝層疊膜的光的照射區域。藉由拍攝部進行接收與拍攝。拍攝部配置在偏光濾波器的與層疊膜對置之一面側的相反面側。D步驟中，將高亮度區域作為缺陷圖像從在C步驟中獲得之透射像抽出。E步驟中，將與特定缺陷圖像對應之缺陷部份判定為虛擬缺陷。當缺陷圖像為特定缺陷圖像時進行判定。特定缺陷圖像為2個高亮度區域排列之缺陷圖像。虛擬缺陷為非偏光板的缺陷之缺陷。
根據本發明，無需進行利用多元迴歸方程式及判別函數等複雜的運算處理就能夠簡單執行虛擬缺陷的判定。藉此，能夠縮短檢查處理中耗費的時間，因此能夠對行走中的層疊膜進行缺陷檢查。
如圖1及圖2所示，製造長形狀的層疊膜9之層疊膜製造生產線10上配置有缺陷檢查裝置11。缺陷檢查裝置11檢查行走之層疊膜9的缺陷。圖中，用箭頭Y表示層疊膜9的行走方向，在之後的說明中稱作Y方向。如圖3所示，成為檢查對象之層疊膜9具備膜狀偏光板13、黏附層14及隔膜15，且具有這些偏光板13、黏附層14、及隔膜15在厚度方向(圖1中的箭頭Z)上重疊之層疊結構。隔膜15層疊在形成於偏光板13的一面之黏附層14上，且為薄膜狀基膜。如此，在本實施方式中，隔膜15透過黏附層14設置在偏光板13上，但亦可無黏附層14，亦即隔膜15密著設置於偏光板13的一面上。
偏光板13藉由將例如在聚乙烯醇(PVA)等聚合物中混合各種有機物而形成之膜向預定方向拉伸而生成。藉此，偏光板13中的各分子M(參考圖7)沿拉伸方向取向。其結果，偏光板13使沿各分子M的取向方向振動之偏光透射。其中，偏光板13的偏光軸D1(參考圖2)設為沿圖中Y方向者。偏光板13透過形成在其一面之黏附層14貼附於液晶顯示器的玻璃基板(未圖示)等。
隔膜15可剝離地層疊在黏附層14上，且在偏光板13 貼附於玻璃基板等之前期間保護黏附層14。在玻璃基板等貼附偏光板13時等，該隔膜15最終從黏附層14上剝離。
返回到圖1及圖2，缺陷檢查裝置11配置在層疊膜9的傳送線中途。該缺陷檢查裝置11具備線光源17、偏光濾波器19、作為拍攝部之線感測器攝像機(以下簡單稱作攝像機)20、標記裝置21及缺陷檢查裝置主體(以下簡單稱作裝置主體)22。
線光源17及偏光濾波器19分別具有在層疊膜9的寬度方向(以下簡單稱作膜寬度方向)上比層疊膜9的寬度更長地延長之形狀。圖中，用箭頭X表示膜寬度方向。箭頭X與箭頭Y正交。
線光源17配置在層疊膜9的表裏面的一面側。例如將線光源17配設在層疊膜9的圖1及圖2的下麵側。線光源17朝向層疊膜9照射沿膜寬度方向延長之線狀檢查光24。另外，作為線光源17能夠利用鹵素燈、LED等。層疊膜9無需區別表裏，表裏面的一面側是指兩個膜面中的一側，表裏面的另一面側是指兩個膜面中的另一側。
偏光濾波器19配置在層疊膜9的表裏面的另一面側。例如，將偏光濾波器19配設在圖1及圖2中的層疊膜9的上面側。具體而言，偏光濾波器19配置在層疊膜9與攝像機20之間。偏光濾波器19具有與層疊膜9的表裏面平行且相對偏光軸D1大致正交之偏光軸D2。另外，在此所說的“大致正交”包括完全正交之情況與大致正交之情況(偏光軸D1與偏光軸D2所成之角度接近90°的值之情況) 這兩種情況。藉此，偏光濾波器19與偏光板13成為所謂正交偏光的關係。
偏光濾波器19遮斷透射層疊膜9而入射之檢查光24中向與偏光軸D2垂直之方向振動之偏光成份的光，且使向與偏光軸D2平行之方向振動之偏光成份的光直接透射。藉此，透射偏光濾波器19之檢查光24成為向與偏光軸D2平行之方向振動之偏光。
攝像機20配置在偏光濾波器19的與層疊膜9對置之一面側的相反面側且層疊膜9的寬度方向中心的正上方位置。攝像機20具有由向膜寬度方向排列成1列之複數個像素構成之線狀拍攝區域。該拍攝區域在膜寬度方向比層疊膜9的寬度更長地延長。
攝像機20接收透射層疊膜9及偏光濾波器19之檢查光24來拍攝被照射檢查光24之層疊膜9的線狀照射區域。攝像機20向裝置主體22輸出該1線量的圖像信號。該攝像機20在每當傳送1線量層疊膜9時連續執行拍攝與圖像信號的輸出。藉此，接收透射層疊膜9的整個區域之檢查光24來獲得層疊膜9的整個區域的圖像信號。
標記裝置21配置在層疊膜9的傳送路上。標記裝置21配置在比線光源17或攝像機20等更靠層疊膜9的傳送方向下游側。在裝置主體22的控制下於層疊膜9產生特定缺陷時，標記裝置21對層疊膜9進行表示其位置之標記。
裝置主體22根據從攝像機20輸入之圖像信號進行層疊膜9中是否產生缺陷之缺陷檢查。並且，當層疊膜9中 產生缺陷時，裝置主體22判定該缺陷為在隔膜15產生之虛擬缺陷，還是在偏光板13中產生之實損缺陷。
其中，虛擬缺陷是指，例如如圖4所示因存在於隔膜15的內部之異物26引起之缺陷。此時，因異物26而在偏光板13的表面形成凹陷13a，但如圖5所示，從偏光板13剝離隔膜15時偏光板13上不會殘留異物26。並且，藉由偏光板13的復原力凹陷13a亦會消失，因此亦不會影響偏光板13的性能。因此，若基於隔膜15之黏附層14或偏光板13的保護之類的功能未受損，則原本就無需將虛擬缺陷當作缺陷。
實損缺陷例如為異物附著或埋入於偏光板13等的外觀缺陷，且為剝離隔膜15時亦會殘留在偏光板13上之缺陷。該實損缺陷為影響偏光板13的性能者，因此需要當作缺陷。
如圖6所示，裝置主體22的CPU28藉由根據來自操作部29之控制信號依次執行從記憶體30讀取之各種程序或資料來統括控制裝置主體22的各部。記憶體30的RAM區域作為用於由CPU28執行處理之作業記憶體或各種資料的暫時保管處發揮作用。並且，記憶體30的ROM區域中儲存有控制用各種程序或資料。
CPU28上透過總線Bu連接有操作部29、記憶體30、輸入I/F(interface)31、圖像處理電路32、缺陷圖像抽出電路33、特徵量抽出電路34、虛擬缺陷判定電路35、實損缺陷判定電路36、缺陷位置檢測電路37、標記控制電路 38等。操作部29在缺陷檢查的開始/停止操作等中使用。
輸入I/F31與攝像機20連接。輸入I/F31將由攝像機20依次輸入之1線量的圖像信號依次向圖像處理電路32輸出。
圖像處理電路32蓄積從輸入I/F31輸入之1線量的圖像信號，例如每當蓄積預定線數量的圖像信號時，根據這些圖像信號生成2維圖像資料。藉此，接收在Y方向上將層疊膜9分為複數個區間時分別透射各區間之檢查光24來生成所拍攝之圖像資料。圖像處理電路32將圖像資料依次儲存在記憶體30中。
圖像資料中，與層疊膜9的正常部份對應之區域成為黑圖像亦即低亮度區域。這是因為，透射層疊膜9的正常部份之檢查光24的振動方向與偏光軸D2正交，因此該檢查光24被偏光濾波器19遮斷。
相反，圖像資料中，與層疊膜9的缺陷部份(以下稱作膜缺陷部份)對應之區域未成為黑圖像，亦即成為亮度較高的高亮度區域。這是因為，檢查光24透射膜缺陷部份時偏光狀態發生變化，藉此，檢查光24透射偏光濾波器19，而不成為向與偏光軸D2垂直之方向振動之直線偏光。
此時，透射偏光濾波器19之檢查光24的量(以下稱作透射檢查光量)根據透射膜缺陷部份之檢查光24的偏光狀態發生變化。例如，檢查光24中向與偏光軸D2平行之方向振動之偏光成份越多透射檢查光量越多，越少則透射檢查光量亦越少。亦即，檢查光24中向與偏光軸D2平行 之方向振動之偏光成份增多時透射檢查光量增加，相反減少時透射檢查光量減少。另外，透射膜缺陷部份之檢查光24的偏光狀態根據偏光板13中的分子M的取向方向發生變化。
例如，當發生由圖4所示之異物26引起之虛擬缺陷時，受來自該異物26的按壓而在偏光板13中的分子M(參考圖7)的取向方向發生混亂。具體而言，從膜面的法線方向觀察層疊膜9時，各分子M因來自異物26的按壓而朝向異物26的中心被延伸。如圖7所示，位於異物26的中心附近之分子Ma因異物26僅向偏光板13的厚度方向被按壓，分子Ma的取向方向則為維持與偏光軸D1大致平行之方向不發生變化。
並且，在位於分子Ma的周圍之分子Mb中，朝向異物26的中心向與偏光軸D1平行之方向被延伸者維持原有狀態僅平行移動而取向方向則不會發生變化。另一方面，在分子Mb中，朝向異物26的中心向傾斜方向被延伸者的取向方向朝向異物26的中心傾斜地偏斜。
透射這種分子M的取向方向上產生混亂之部位之檢查光24並不成為向與偏光軸D2垂直之方向振動之直線偏光，因此透射偏光濾波器19。其結果，若接收該檢查光24來拍攝被照射檢查光24之層疊膜9的照射區域，則如圖8所示，可獲取黑圖像(圖中用點表示)中亮度較高之2個高亮度區域40(圖中用空心部份表示)排列之圖像資料(透射像)41。以下，將觀察到排列有2個高亮度區域40之虛 擬缺陷稱作“2點排列虛擬缺陷”。
2點排列虛擬缺陷有兩個高亮度區域40的亮度、像素數及間隔等不同之N(N為2以上的自然數)種，將各個2點排列虛擬缺陷稱作“2點排列(1)”、“2點排列(2)”、......、“2點排列(N)”。例如，如圖9所示，“2點排列(1)”中兩個高亮度區域40完全分離。
如圖10所示，關於“2點排列(2)”，目測時雖然2個高亮度區域40看起來分離著但實際上兩者是相連的。並且，如圖11所示，2點排列(2)中，兩個高亮度區域40的面積及亮度變得較大，亦包含目測亦能夠確認2個高亮度區域40相連者。
另一方面，實損缺陷至少有3種，附著於偏光板13之球形或多角形狀的“異物”、附著於偏光板13且比“異物”更細長形狀的“細長異物”、及埋入於偏光板13之纖維狀“絨毛”。另外，“異物”、“細長異物”、“絨毛”等的大小低於預定下限規格值之“異物(小)”不會影響偏光板13的性能，因此不判定為實損缺陷。
返回到圖6，缺陷圖像抽出電路33按照預先規定之條件將因膜缺陷部份引起之高亮度區域40作為缺陷圖像資料從儲存在記憶體30之圖像資料41抽出。該條件是指，例如構成高亮度區域40之各像素的亮度值的下限值或像素數的下限值。藉此，亮度值為預定值以上之像素連結預定個數以上而形成之高亮度區域40作為缺陷圖像資料而被抽出。並且，缺陷圖像抽出電路33以第1抽出模式和第 2抽出模式這2種抽出模式進行缺陷圖像資料的抽出。
如圖12所示，第1抽出模式中，以沿高亮度區域40的外周之方式設定外接四角形43a，且將該外接四角形43a的內側作為缺陷圖像資料42a抽出。當複數個高亮度區域40例如如2點排列虛擬缺陷般集合時，設定包含這些高亮度區域40的集合體之外接四角形43a，且將該外接四角形43a的內側作為缺陷圖像資料42a抽出。並且，3個以上的高亮度區域40集合時，亦將所有的高亮度區域40的集合體作為缺陷圖像資料42a抽出。
另一方面，當高亮度區域40以單體存在時，設定包含此之外接四角形43a進行缺陷圖像資料42a的抽出。另外，對外接四角形43a的大小規定有上限。因此，關於未進入外接四角形43a內之高亮度區域40，當作因其他膜缺陷部份引起者，另外進行抽出。
如圖13所示，第2抽出模式中，當複數個高亮度區域40集合時，設定包含像素數較多之高亮度區域40之外接四角形43b，且將該外接四角形43b的內側作為缺陷圖像資料42b抽出。另外，當高亮度區域40以單體存在時，設定包含此之外接四角形43b進行缺陷圖像資料42b的抽出。此時，缺陷圖像資料42a與缺陷圖像資料42b成為相同者。缺陷圖像抽出電路33對從圖像資料41抽出之缺陷圖像資料42a、42b建立相互關聯並儲存於記憶體30中。
返回到圖6，特徵量抽出電路34從儲存於記憶體30之缺陷圖像資料42a、42b分別抽出特徵量。該特徵量中包 括例如“平均亮度”、“中心亮度”、“平均亮度-中心亮度”、“最大亮度”、“像素數”、“面積比1”、“面積比2”、“寬度”、“長度”、“縱橫比”、“平均寬度”、“平均寬度縱橫比”等。
“平均亮度”為構成缺陷圖像資料42a之各像素的亮度的平均值。“中心亮度”為缺陷圖像資料42a的中心位置的像素的亮度。“平均亮度-中心亮度”為“平均亮度”-“中心亮度”。
“像素數”為構成缺陷圖像資料42a、42b內的高亮度區域40之像素的像素數。“面積比1”為缺陷圖像資料42a中的“像素數”÷“高亮度區域40外的像素的像素數”。“面積比2”為缺陷圖像資料42b中的“像素數”÷“高亮度區域40外的像素的像素數”。
“寬度”為缺陷圖像資料42a的寬度(外接四角形43a的寬度)。“長度”為缺陷圖像資料42a的長度(外接四角形43a的長度)。“縱橫比”為“長度”÷“寬度”。“平均寬度”為缺陷圖像資料42a內的高亮度區域40的寬度的平均值。“平均寬度縱橫比”為“長度”÷“平均寬度”。特徵量抽出電路34將從缺陷圖像資料42a、42b抽出之各特徵量與作為抽出源之缺陷圖像資料42a、42b建立對應關係並儲存於記憶體30。
虛擬缺陷判定電路35判定與記憶體30內的缺陷圖像資料42a、42b對應之膜缺陷部份是否為2點排列虛擬缺陷。此時，2點排列虛擬缺陷有“2點排列(1)”~“2點排列(N)”這N種。因此，虛擬缺陷判定電路35具有個別 判定膜缺陷部份是否為“2點排列(1)”、......、“2點排列(N)”之第1判定電路46(1)~第N判定電路46(N)。
第1判定電路46(1)根據記憶體30內的缺陷圖像資料42a、42b的特徵量進行判定缺陷圖像資料42a、42b是否為表示“2點排列(1)”之第1特定缺陷圖像資料(參考圖14)之第1判定處理。藉此第1判定電路46(1)判定膜缺陷部份是否為“2點排列(1)”。該第1判定處理藉由缺陷圖像資料42a、42b的各特徵量與各特徵量的第1閾值54(1)(參考圖14)的比較而執行。各特徵量的第1閾值54(1)按照第1特定缺陷圖像資料的特徵預先規定。
第2判定電路46(2)進行判定缺陷圖像資料42a、42b是否為表示“2點排列(2)”之第2特定缺陷圖像資料(參考圖14)之第2判定處理。藉此第2判定電路46(2)判定膜缺陷部份是否為“2點排列(2)”。以下同樣藉由第N判定電路46(N)進行判定缺陷圖像資料42a、42b是否為表示“2點排列(N)”之第N特定缺陷圖像資料之第N判定處理來判定膜缺陷部份是否為“2點排列(N)”。
第2~第N判定處理藉由將缺陷圖像資料42a、42b的各特徵量分別與各特徵量的第2~第N閾值54(2)~54(N)(參考圖14)進行比較來執行。各特徵量的第2~第N閾值54(2)~54(N)按照第2~第N特定缺陷圖像資料的特徵個別預先規定。
實損缺陷判定電路36判定與儲存在記憶體30內之缺陷圖像資料42a、42b對應之膜缺陷部份是否為實損缺陷。 實損缺陷判定電路36將與藉由虛擬缺陷判定電路35未判定為第1~第N特定缺陷圖像資料之缺陷圖像資料42a、42b對應之膜缺陷部份判定為實損缺陷。
缺陷位置檢測電路37檢測藉由虛擬缺陷判定電路35及實損缺陷判定電路36分別判定為2點排列虛擬缺陷、實損缺陷之膜缺陷部份在層疊膜9內的位置座標。該位置座標可由如下求出，亦即例如來自檢測通過層疊膜9的前端之前端檢測感測器(未圖示)的檢測情報、已知的層疊膜9的傳送速度、及圖像資料41內的缺陷圖像資料42a、42b的位置情報等。另外，除了該方法之外還可利用公知的各種檢測方法檢測膜缺陷部份的位置座標。缺陷位置檢測電路37將2點排列虛擬缺陷及實損缺陷的位置座標資料儲存於記憶體30。
標記控制電路38根據記憶體30內的實損缺陷的位置座標資料(以下稱作實損缺陷位置座標資料)控制標記裝置21，並對傳送路上的層疊膜9進行表示實損缺陷的位置之標記。標記控制電路38由來自前端檢測感測器的檢測情報、已知的層疊膜9的傳送速度等監控與層疊膜9的實損缺陷位置座標資料對應之位置(以下稱作位置座標對應位置)的移動。藉此，能夠對層疊膜9的位置座標對應位置進行標記。
CPU28藉由依次執行從記憶體30的ROM區域讀取之各種程序而作為虛擬缺陷判定控制部28a發揮作用。虛擬缺陷判定控制部28a按預定順序(例如，第1判定電路46 (1)、第2判定電路46(2)、......、第N判定電路46(N))執行基於第1~第N判定電路46(1)~46(N)之判定處理。
另外，虛擬缺陷判定控制部28a當在第1判定處理中判定膜缺陷部份為2點排列(1)時停止第2~第N判定處理，而當在第2判定處理中判定膜缺陷部份為2點排列(2)時停止第3~第N判定處理。因此，當在第M[M為(N-1)以下的自然數]判定處理中判定膜缺陷部份為2點排列虛擬缺陷時，不進行其後的判定處理。
如圖14所示，記憶體30的ROM區域中除了各種程序之外，還儲存有缺陷圖像抽出基準資料60、虛擬缺陷分類基準資料61及缺陷位置情報資料62。
缺陷圖像抽出基準資料60作為用於由缺陷圖像抽出電路33從圖像資料41抽出缺陷圖像資料42a、42b之基準資料使用。該缺陷圖像抽出基準資料60中儲存有構成高亮度區域40之像素的亮度值的下限值、像素數的下限值等。藉此，缺陷圖像抽出電路33參考缺陷圖像抽出基準資料60從圖像資料41抽出缺陷圖像資料42a、42b。
虛擬缺陷分類基準資料61為在基於第1~第N判定電路46(1)~46(N)之第1~第N判定處理使用之資料。虛擬缺陷分類基準資料61中儲存有按照第1~第N特定缺陷圖像資料的特徵分別預先規定之各特徵量的第1~第N閾值54(1)~54(N)。
例如，第1閾值54(1)按照第1特定缺陷圖像資料 的外觀上的特徵而規定。該特徵具體而言為：(a1)面積較大的高亮度區域40為大致圓形；(b1)目測觀察時兩個高亮度區域40分離；(c1)兩個高亮度區域40靠近排列等。第1閾值54(1)與(a1)對應，“面積比2”規定為預定值β以上。與(b1)對應，“平均亮度-中心亮度”規定為0.0以上(正值)。與(c1)對應，“縱橫比”為1.0以下的預定值且“面積比1”規定為預定值α以上。
並且，第2閾值54(2)按照第2特定缺陷圖像資料的外觀上的特徵亦即具體而言為(a2)大致圓形的2個高亮度區域40以局部重疊之方式排列等特徵而規定。第2閾值54(2)與(a2)對應，“縱橫比”規定為1.0以下，“平均亮度-中心亮度”規定為預定值γ以上，“面積比1”規定為預定值δ以上，“平均寬度縱橫比”規定為預定值ε以下。
第1~第N判定電路46(1)~46(N)藉由分別參考第1一第N閾值54(1)~54(N)來個別判定缺陷圖像資料42a、42b是否為第1~第N特定缺陷圖像資料。
缺陷位置情報資料62儲存藉由缺陷位置檢測電路37抽出之2點排列虛擬缺陷及實損缺陷的位置座標資料。藉此，標記控制電路38能夠藉由參考缺陷位置情報資料62獲取實損缺陷位置座標資料。
接著，利用圖16對上述結構的缺陷檢查裝置11的作用進行說明。若由操作部29進行檢查開始操作，則與開始傳送層疊膜9的同時開始基於缺陷檢查裝置11之檢查處理。最初，從線光源17朝向層疊膜9照射檢查光24。
入射至層疊膜9的正常部份之檢查光24轉換成向與偏光軸D1平行之方向振動之直線偏光透射層疊膜9。與此相對，入射至膜缺陷部份之檢查光24在透射膜缺陷部份時偏光狀態發生變化，藉此不會成為向與偏光軸D1平行之方向振動之直線偏光。這些透射正常部份或膜缺陷部份之檢查光24入射至偏光濾波器19。
入射至偏光濾波器19之檢查光24中，向與偏光軸D1平行之方向(與偏光軸D2垂直之方向)振動之直線偏光被偏光濾波器19遮斷。與此相對，藉由透射膜缺陷部份而未成為向與偏光軸D1平行之方向振動之直線偏光之檢查光24透射偏光濾波器19入射至攝像機20。
攝像機20接收透射偏光濾波器19之檢查光24來拍攝層疊膜9的被照射檢查光24之線狀照射區域，將1線量的圖像信號輸出於裝置主體22。以下，每當傳送1線量的層疊膜9時，攝像機20連續執行拍攝與圖像信號的輸出。
從攝像機20輸出之1線量的圖像信號透過輸入I/F31依次輸入於圖像處理電路32。圖像處理電路32蓄積從輸入I/F31輸入之1線量的圖像信號，每當蓄積預定線數量的圖像信號時，根據這些圖像信號生成2維圖像資料41且儲存於記憶體30。
當新的圖像資料41儲存於記憶體30時，CPU28對缺陷圖像抽出電路33發出缺陷圖像抽出指令。缺陷圖像抽出電路33接收該指令讀取記憶體30內的圖像資料41。並且，缺陷圖像抽出電路33按照由記憶體30內的缺陷圖像 抽出基準資料60規定之基準，開始從圖像資料41抽出因膜缺陷部份引起之高亮度區域40。
最初，如圖12所示，缺陷圖像抽出電路33以第1抽出模式進行高亮度區域40的抽出。藉此，當複數個高亮度區域40如2點排列虛擬缺陷般集合時，這些高亮度區域40的集合體作為缺陷圖像資料42a而被抽出。另外，當高亮度區域40以單體存在時，該高亮度區域40作為缺陷圖像資料42a而被抽出。
接著，如圖13所示，缺陷圖像抽出電路33以第2抽出模式進行高亮度區域40的抽出。藉此，當複數個高亮度區域40如2點排列虛擬缺陷般集合時，其中最大像素數的高亮度區域40作為缺陷圖像資料42b而被抽出。另外，當高亮度區域40以單體存在時，該高亮度區域40作為缺陷圖像資料42b而被抽出，因此，缺陷圖像資料42b與缺陷圖像資料42a成為相同者。缺陷圖像抽出電路33將缺陷圖像資料42a、42b儲存於記憶體30。
當新的缺陷圖像資料42a、42b儲存於記憶體30時，CPU28對特徵量抽出電路34發出特徵量抽出指令。特徵量抽出電路34接收該指令從記憶體30內的缺陷圖像資料42a、42b抽出各種特徵量。特徵量抽出電路34將各特徵量與作為抽出源的缺陷圖像資料42a、42b建立對應關係儲存於記憶體30。
接著，CPU28對虛擬缺陷判定電路35及實損缺陷判定電路36發出判定指令。最初，在基於虛擬缺陷判定控制部 28a之控制下，第1判定電路46(1)對記憶體30內的缺陷圖像資料42a、42b的各特徵量與虛擬缺陷分類基準資料61的第1閾值54(1)進行比較。根據該比較結果，第1判定電路46(1)進行判定缺陷圖像資料42a、42b是否為第1特定缺陷圖像資料之第1判定處理。藉此，判定膜缺陷部份是否為“2點排列(1)”。
當判定為膜缺陷部份不是“2點排列(1)”時，虛擬缺陷判定控制部28a使第2判定電路46(2)工作。第2判定電路46(2)對缺陷圖像資料42a、42b的各特徵量與第2閾值54(2)進行比較來進行判定缺陷圖像資料42a、42b是否為第2特定缺陷圖像資料之第2判定處理。藉此，判定膜缺陷部份是否為“2點排列(2)”。
以下同樣，在判定膜缺陷部份為2點排列虛擬缺陷之前，虛擬缺陷判定控制部28a依次執行基於第3判定電路46(3)~第N判定電路46(N)之第3~第N判定處理，並判定有無2點排列虛擬缺陷。
層疊膜9的虛擬缺陷幾乎為因隔膜15內部的異物26引起者，因該異物26引起之虛擬缺陷中，如圖7~圖8所示觀察到排列有2個高亮度區域40。因此，從圖像資料41抽出之缺陷圖像資料42a、42b中，與排列有2個高亮度區域40之缺陷圖像資料42a對應之膜缺陷部份被判定為虛擬缺陷。其結果，無需如以往對整個圖像資料41進行特徵量的抽出處理、或基於多元迴歸方程式及判別函數之複雜的運算，就可判定有無虛擬缺陷。藉此，檢查處理中耗費的 時間縮短，因此能夠對行走中的層疊膜9進行缺陷檢查。
當在第1~第(N(1))判定處理的任一處理中判定膜缺陷部份為2點排列虛擬缺陷時，虛擬缺陷判定控制部28a停止其後的判定處理。藉此，不進行無用的判定處理，因此更迅速地進行檢查。
實損缺陷判定電路36監控基於第1判定電路46(1)~第N判定電路46(N)之第1~第N判定處理。並且，在各判定處理的任一處理中都未判定為2點排列虛擬缺陷時，實損缺陷判定電路36將膜缺陷部份判定為實損缺陷。
當判定膜缺陷部份為2點排列虛擬缺陷或實損缺陷時，CPU28對缺陷位置檢測電路37發出位置檢測指令。缺陷位置檢測電路37接收該指令，檢測判定為2點排列虛擬缺陷或實損缺陷之膜缺陷部份在層疊膜9內的位置座標。接著，缺陷位置檢測電路37將2點排列虛擬缺陷或實損缺陷的位置座標資料儲存於記憶體30內的缺陷位置情報資料62。
當實損缺陷位置座標資料儲存於缺陷位置情報資料62時，CPU28對標記控制電路38發出標記指令。標記控制電路38接收該指令，從缺陷位置情報資料62讀取實損缺陷位置座標資料。
接著，標記控制電路38由來自前端檢測感測器的檢測情報及層疊膜9的傳送速度等監控層疊膜9中的位置座標對應位置的移動。並且，當位置座標對應位置向標記裝置21的正下方移動時，標記控制電路38使標記裝置21工作 並使其在位置座標對應位置進行標記。藉此，容易判別層疊膜9中的實損缺陷的位置。
以下，在完成層疊膜9的整個區域的檢查之前，反覆執行上述處理。
上述實施方式中，實損缺陷判定電路36僅判定膜缺陷部份是否為實損缺陷。但是，當膜缺陷部份為實損缺陷時，可對其種類(“異物”、“細長異物”、“絨毛”等)進行判定。此時，如圖16所示，在記憶體30的ROM區域儲存實損缺陷分類基準資料64。
實損缺陷分類基準資料64中儲存有分別按照“異物”、“細長異物”、“絨毛”等實損缺陷的種類預先規定之各特徵量的閾值。藉此，實損缺陷判定電路36能夠根據特徵量抽出電路34的抽出結構並參考實損缺陷分類基準資料64來判定實損缺陷的種類。
上述實施方式中，作為由隔膜15內的異物26引起之虛擬缺陷，以產生圖7~圖11所示之“2點排列虛擬缺陷”之情況為例子進行說明。但是，除此之外，還有產生十字形狀的虛擬缺陷(以下稱作十字虛擬缺陷)之情況。另外，在此所說的“十字”亦包括“X字”。
當隔膜15內存在異物26時，如圖4所示，受來自異物26的按壓而在偏光板13的表面形成凹陷13a。此時，若凹陷13a形成為接近理想圓的形狀，則如圖17所示，通過異物26的中心並位於與偏光軸D1平行之直線L1上或其附近之分子Mc向與偏光軸D1平行之方向僅平行移動 而取向方向則不會發生變化。並且，通過異物26的中心並位於與偏光軸D1垂直之直線L2上或其附近之分子Md亦向與偏光軸D1垂直之方向僅平行移動而取向方向則不會發生變化。與此相對，相對異物26的中心位於傾斜方向之分子Me的取向方向朝向異物26的中心傾斜地偏斜。
透射分子Mc、Md之檢查光24為向與偏光軸D1平行之方向(相對偏光軸D2垂直之方向)振動之直線偏光，因此該檢查光24被偏光濾波器19遮斷。與此相對，透射分子Me之檢查光24並不成為向相對偏光軸D2垂直之方向振動之直線偏光，因此透射偏光濾波器19。其結果，若接收該檢查光24來進行拍攝，則如圖18所示，可獲取黑圖像(圖中用點表示)中包含十字形狀的高亮度區域66(圖中用空心部份表示)之圖像資料41。
如此，當因隔膜15內的異物26引起之虛擬缺陷中存在“2點排列虛擬缺陷”和“十字虛擬缺陷”這兩者時，在虛擬缺陷判定電路35設置第X判定電路46(X)，並且，使第X閾值54(X)登錄在虛擬缺陷分類基準資料61。
第X判定電路46(X)進行判定缺陷圖像資料42a、42b是否為表示“十字虛擬缺陷”之第X特定缺陷圖像資料之第X判定處理。藉此，第X判定電路46(X)判定膜缺陷部份是否為“十字虛擬缺陷”。
第X閾值54(X)為在第X判定處理中使用之資料，按照第X特定缺陷圖像資料的外觀上的特徵而規定。該特徵具體而言為：(aX)高亮度區域40呈大致十字形成；(bX) 十字的中央部份的亮度相比其他部份的亮度暗或相等等。並且，(aX)中，高亮度區域40呈大致十字形狀時的特徵可舉出：(aX-1)外接四角形43a為大致正方形狀；(aX-2)外接四角形43a內的高亮度區域40的面積比例為預定值以下等。
第1閾值54(1)與(aX-1)對應，“縱橫比”規定在包含1.0之預定範圍內(ζ以上η以下)。並且，與(aX-2)對應，“面積比1”規定在0.5以下的預定範圍內，並且“平均寬度縱橫比”規定在3.0以下的預定範圍內。並且，與(bX)對應，“平均亮度-中心亮度”規定在-5.0以上的接近0的值。
第X判定電路46(X)能夠藉由對特徵量抽出電路34的抽出結果與第X閾值54(X)進行比較來進行第X判定處理。另外，可以將在各判定處理中進行第X判定處理之順序適當變更例如設為首次等。此時，當判定膜缺陷部份為“十字虛擬缺陷”時，虛擬缺陷判定控制部28a停止其後的判定處理。
並且，在“十字虛擬缺陷”的種類不僅是1種而存在複數種時亦能夠應用本發明。此時，與“2點排列虛擬缺陷”相同，將按“十字虛擬缺陷”的種類預定規定之各特徵量的閾值儲存在虛擬缺陷分類基準資料61。藉此，虛擬缺陷判定電路35能夠藉由參考虛擬缺陷分類基準資料61來判定“十字虛擬缺陷”的種類。
上述實施方式中，作為層疊膜9的虛擬缺陷，以因包 含在隔膜15內之異物26引起之虛擬缺陷為例子進行了說明，但是例如，如圖20所示，在對因存在於隔膜15與偏光板13之間之異物68引起之虛擬缺陷進行檢查時亦能夠應用本發明。從偏光板13剝離隔膜15時，有異物68殘留在黏附層14之顧慮，但藉由在液晶顯示器的玻璃基板等貼附偏光板13之前進行之清潔處理，異物68會被去除。因此，即使產生異物68亦不會影響偏光板13的性能。另外，因異物68引起之虛擬缺陷的檢查以與上述的因異物26引起之2點排列虛擬缺陷或十字虛擬缺陷的檢查相同的方法進行。
上述實施方式中，用攝像機20拍攝透射偏光濾波器19之檢查光24，但亦可利用在層疊膜9的寬度方向上移動自如之區域攝像機等各種攝像機(拍攝部)拍攝檢查光24。
上述實施方式中，作為由特徵量抽出電路34從缺陷圖像資料42a、42b抽出之特徵量，以“平均亮度”及“中心亮度”等為例子進行了說明。但是，亦可進行對2點排列虛擬缺陷或十字虛擬缺陷的判定有用的上述以外的特徵量的抽出。
上述實施方式中，將2點排列虛擬缺陷或十字虛擬缺陷判定為層疊膜9的虛擬缺陷。但是，亦可以將如隔膜15中產生之不影響偏光板13的性能之各種缺陷判定為層疊膜9的虛擬缺陷。
上述實施方式中，層疊膜9為3層結構，但進行至少包含偏光板13之2層或4層以上的層疊膜的檢查時亦能夠 應用本發明。並且，亦可以透過黏附層14在偏光板13的兩面貼附隔膜15。
以配置於製造液晶顯示器中使用之層疊膜9之層疊膜製造生產線10上之缺陷檢查裝置11為例子進行了說明。
但是，在液晶顯示器以外使用之層疊膜的缺陷檢查裝置中亦能夠應用本發明。
[實施例]
以下，示出用於實證本發明的效果之實施例來具體說明本發明。但是，本發明並不限定於這些實施例。
如下述表1所示，實施例中，由缺陷檢查裝置11獲取1139片量的圖像資料41(層疊膜9的約7500m量的資料)。並且，實施例中，與此同時實施按各個圖像資料41獲取缺陷圖像資料42a、42b，獲取來自缺陷圖像資料42a、42b之各特徵量，及判定有無2點排列虛擬缺陷及實損缺陷。
檢查人員目測確認藉由缺陷檢查裝置11判定為2點排列虛擬缺陷及實損缺陷之膜缺陷部份。其結果，將2點排列虛擬缺陷判定為絨毛者產生10個，將絨毛判定為2點排列虛擬缺陷者產生1個。在實際606(=597+10-1)個2點排列虛擬缺陷中的誤判定為11個，誤判定率達約1.81%。其結果，確認到在缺陷檢查裝置11中能夠以高精確度執行有無2點排列虛擬缺陷之判定。
9‧‧‧層疊膜
10‧‧‧層疊膜製造生產線
11‧‧‧缺陷檢查裝置
13‧‧‧偏光板
13a‧‧‧凹陷
14‧‧‧黏附層
15‧‧‧隔膜
17‧‧‧線光源
19‧‧‧偏光濾波器
20‧‧‧線感測器攝像機
21‧‧‧標記裝置
22‧‧‧缺陷檢查裝置主體
24‧‧‧檢查光
26、68‧‧‧異物
28‧‧‧CPU
28a‧‧‧虛擬缺陷判定控制部
29‧‧‧操作部
30‧‧‧記憶體
31‧‧‧輸入I/F
32‧‧‧圖像處理電路
33‧‧‧缺陷圖像抽出電路
34‧‧‧特徵量抽出電路
35‧‧‧虛擬缺陷判定電路
36‧‧‧實損缺陷判定電路
37‧‧‧缺陷圖像檢測電路
38‧‧‧標記控制電路
40、66‧‧‧高亮度區域
41‧‧‧圖像資料
42a、42b‧‧‧缺陷圖像資料
43a、43b‧‧‧外接四角形
46(1)~46(N)‧‧‧第1判定電路~第N判定電路
46(X)‧‧‧第X判定電路
54(1)~54(N)‧‧‧第1閾值~第N閾值
60‧‧‧缺陷圖像抽出基準資料
61‧‧‧虛擬缺陷分類基準資料
62‧‧‧缺陷位置情報資料
64‧‧‧實損缺陷分類基準資料
Bu‧‧‧總線
D1、D2‧‧‧偏光軸
L1、L2‧‧‧直線
M、Ma、Mb、Mc、Md、Me‧‧‧分子
X、Y、Z‧‧‧方向
圖1係缺陷檢查裝置的概要圖。
圖2係缺陷檢查裝置的立體圖。
圖3係層疊膜的截面圖。
圖4係用於說明因隔膜內的異物引起之層疊膜的虛擬缺陷之說明圖。
圖5係用於說明虛擬缺陷不影響偏光板的性能之說明圖。
圖6係表示缺陷檢查裝置的電性結構之塊圖。
圖7係用於說明因隔膜內的異物而在偏光板中的各分子的取向方向產生混亂之說明圖。
圖8係2個高亮度區域排列之圖像資料的說明圖。
圖9係用於說明作為虛擬缺陷之“2點排列(1)”之說明圖。
圖10係用於說明作為虛擬缺陷之“2點排列(2)”之說明圖。
圖11係用於說明“2點排列(2)”的另一例子之說明圖。
圖12係用於說明基於第1抽出模式之缺陷圖像資料的抽出處理之說明圖。
圖13係用於說明基於第2抽出模式之缺陷圖像資料的抽出處理之說明圖。
圖14係用於說明缺陷圖像抽出基準資料、虛擬缺陷分類用特徵量資料及缺陷位置情報資料之說明圖。
圖15係表示基於缺陷檢查裝置之檢查處理的流程之流程圖。
圖16係用於判定實損缺陷的種類之實損缺陷分類用特徵量資料的說明圖。
圖17係用於說明與圖7不同之偏光板中的各分子的取向方向的混亂之說明圖。
圖18係包含十字形狀的高亮度區域之圖像資料的說明圖。
圖19係表示能夠判定2點排列虛擬缺陷與十字虛擬缺陷的種類之另一實施方式的缺陷檢查裝置的電性結構之塊圖。
圖20係用於說明因夾在隔膜與偏光板之間之異物引起之層疊膜的虛擬缺陷之說明圖。
9‧‧‧層疊膜
10‧‧‧層疊膜製造生產線
11‧‧‧缺陷檢查裝置
17‧‧‧線光源
19‧‧‧偏光濾波器
20‧‧‧線感測器攝像機
21‧‧‧標記裝置
22‧‧‧缺陷檢查裝置主體
24‧‧‧檢查光
X、Y、Z‧‧‧方向

Claims (9)

  1. 一種缺陷檢查裝置，其特徵為，具備如下：光源，對層疊膜照射光，前述光源配置在前述層疊膜的表裏面的一側，前述層疊膜具有偏光板和層疊在偏光板之基膜；偏光濾波器，配置在前述表裏面的另一側，前述偏光濾波器具有與前述偏光板的第1偏光軸大致正交且與前述表裏面平行之第2偏光軸，前述偏光濾波器遮斷透射前述層疊膜的正常部份之前述光，前述偏光濾波器使透射前述層疊膜的缺陷部份之光透射；拍攝部，配置在前述偏光濾波器的與前述層疊膜對置之一面側的相反面側，前述拍攝部接收透射前述偏光濾波器之光來拍攝前述層疊膜的前述光的照射區域；缺陷圖像抽出部，將高亮度區域作為缺陷圖像從藉由前述拍攝部獲得之透射像抽出；及虛擬缺陷判定部，將與特定缺陷圖像對應之前述缺陷部份判定為虛擬缺陷，當前述缺陷圖像為特定缺陷圖像時進行前述判定，前述特定缺陷圖像為2個高亮度區域排列之缺陷圖像，前述虛擬缺陷為非前述偏光板的缺陷之缺陷。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之缺陷檢查裝置，其中，具備從前述缺陷圖像抽出複數種特徵量之特徵量抽出部，前述複數種特徵量包括平均亮度與中心亮度，前述平均亮度為前述缺陷圖像的亮度的平均值，前述中心亮度為前述缺陷圖像的中心位置的亮度，前述虛擬缺陷判定部藉 由對前述特徵量抽出部的抽出結果與各前述特徵量的閾值進行比較來判定前述缺陷圖像是否為前述特定缺陷圖像，前述閾值根據前述特定缺陷圖像的特徵預先規定。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之缺陷檢查裝置，其中，前述特徵量中包括前述平均亮度與前述中心亮度之差。
  4. 如申請專利範圍第2項或第3項所述之缺陷檢查裝置，其中，進一步具備如下：第1~第N判定部，個別判定前述缺陷圖像是否為第1~第N特定缺陷圖像，前述第1~第N判定部設置在前述虛擬缺陷判定部，前述第1~第N判定部藉由將前述特徵量抽出部的抽出結果分別與第1~第N閾值進行個別比較來進行前述判定，前述特定缺陷圖像由分別與N種第1~第N虛擬缺陷對應之第1~第N特定缺陷圖像構成，前述閾值由分別根據前述第1~第N特定缺陷圖像的特徵個別規定之前述第1~第N閾值構成，其中(N為2以上的自然數)；及判定控制部，按預定順序執行基於前述第1~第N判定部之判定處理，當在第M次判定處理中判定前述缺陷部份為前述虛擬缺陷時，前述判定控制部停止第(M+1)次之後的判定處理，其中M為(N-1)以下的自然數。
  5. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述之缺陷檢查裝置，其中， 前述特定缺陷圖像中包含具有大致十字形狀的前述高亮度區域者。
  6. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述之缺陷檢查裝置，其中，前述基膜為剝離自如地貼附於形成在前述偏光板的表面上之黏附層上之隔膜。
  7. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述之缺陷檢查裝置，其中，具備實損缺陷判定部，其將與前述虛擬缺陷判定部未判定為前述特定缺陷圖像之前述缺陷圖像對應之前述缺陷部份判定為前述偏光板的缺陷亦即實損缺陷。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之缺陷檢查裝置，其中，具備標記部，其在被判定為前述層疊膜的前述實損缺陷之部份進行表示前述實損缺陷之標記。
  9. 一種缺陷檢查方法，其特徵為，具備如下步驟：(A)從光源對層疊膜照射光，前述光源配置在前述層疊膜的表裏面的一側，前述層疊膜層疊偏光板和基膜而形成；(B)藉由偏光濾波器遮斷透射前述層疊膜的正常部份之前述光，前述偏光濾波器配置在前述表裏面的另一側，前述偏光濾波器具有第2偏光軸，前述第2偏光軸與前述偏光板的第1偏光軸大致正交且與前述表裏面平行，前述偏光濾波器使透射前述層疊膜的缺陷部份之光透射； (C)接收透射前述偏光濾波器之光來拍攝前述層疊膜的前述光的照射區域，藉由拍攝部進行前述接收與前述拍攝，前述拍攝部配置在前述偏光濾波器的與前述層疊膜對置之一面側的相反面側；(D)將高亮度區域作為缺陷圖像從在前述C步驟中獲得之透射像抽出；及(E)將與特定缺陷圖像對應之前述缺陷部份判定為虛擬缺陷，當前述缺陷圖像為特定缺陷圖像時進行前述判定，前述特定缺陷圖像為2個高亮度區域排列之缺陷圖像，前述虛擬缺陷為非前述偏光板的缺陷之缺陷。
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