TW201233677A - Amine compound and organic EL device - Google Patents

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TW201233677A
TW201233677A TW100147424A TW100147424A TW201233677A TW 201233677 A TW201233677 A TW 201233677A TW 100147424 A TW100147424 A TW 100147424A TW 100147424 A TW100147424 A TW 100147424A TW 201233677 A TW201233677 A TW 201233677A
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TW
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compound
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amine compound
mmol
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TW100147424A
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Inventor
Naoki Matsumoto
Takanori Miyazaki
Yasushi Hara
Original Assignee
Tosoh Corp
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Description

201233677 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 【0001】 本發明係關於新穎的胺化合物及使用該胺化合物之有機 元件。 【先前技術】 【0002】 有機EL元件係以1對電極夾持有機薄膜而得之面發光型元 件具有溥型輕質、高視野角、高速回應性此類的特徵,且期 使用在各種顯示元件。再者,最近於行動電話的顯示器等—部八 的領域也開始實用化。有機EL元件,係利用從陽極。二刀 從陰極注入之電子於發光層再結合時發出的光的元件 以疊層電洞輸送層、發光層、電子輸送層等之多層疊層型'為= 糸 ^此’電洞輸送層或電子輸送層此類的電荷輸送層,1 ^ 是具有能使對於發光層注人電荷變得容易,i幽荦注入 電荷或於發光層生成之激子之能量的作用。因此,電 1¾層提南有機a元件之低驅動電壓化及發光效率方面ί 【0003】 電洞輸送材料可使用具有適當離子化潛力鱼 ,例如:4,4,-雙陶-萘基苯基]聯苯的 係為人所熟知。但是膽錢 」, 纽並不令人滿意, 輸送材料。從三重態能階之觀點^NPD 階高的電洞 昇綠色之發私概發光材難咖而意’例如:組合 告發光效率會降_如麵•贱獻^。有機EL树,據報 201233677 【0004】 由於如此的背景,最近有人報告以分子内具有咔唑環之胺化 ^當?電,輸送材料。具有4姆之胺化合物,比起咖具有 較局的二重魏階’且同時電洞輸送性優異,所以係有用之分子 J架’但是至今為止所報告的化合物多為在十純之3位且有胺 基之3-胺基十坐化合物(例衫照專利文獻工、2)。σ卡唾環之3位 由於為電子提雜氮原子之職,所以3健取代之胺基會由於 咔唑環之氮原子而活化。亦即,3_胺基咔唑化合物之離子化潛力比 起通常之胺化合物輕。耻’當至今為止喃告之3•胺基十坐 化合物使用於電洞輸送層時,電洞對於發光層注入之障壁會增 大,會有有機EL元件之驅動電壓增高的問題。 曰曰 【0005】 由於上述背景,胺基鍵結於咔唑環之2位者比起鍵結於3位 者,具有能適當離子化之潛力。關於咔唑環之2位經胺基取代之 化合物,有人例示2-二曱苯胺基咔唑類當做電子照相减光體 電荷輸送材料(例如參照專利文獻3)。但是,所例示之 璃轉移溫度低,當使用於有機EL元件時,高溫驅動時之耐久性會 有問題。又,就有機電子裝置用之材料而言,也有人揭示7_苯^ 胺基咔唑化合物(例如參照專利文獻4)。但是胺基之對位即味^坐 環之7位有苯基取代之專利文獻4記載之化合物,由於兀電子的 共輛廣,故分子之能隙小,且三重態能階也低。因此,與具有綠 色發光之碟光發光材料組合獲得之元件,無法獲得足夠的發光效 率❶ 【0006】 一有人報告有機EL元件之耐久性藉由於電洞輸送層摻雜能接 叉電子之摻雜物而提高(例如參照非專利文獻2)。有機EL元件驅 動時,尚會發生於發光層内未與電洞再結合之電子注入到電洞輸 送層的現象,所以據認為伴隨電子注入電洞輸送層之胺化合物= 不可逆還原係元件之劣化之一大原因。 口 [先前技術文獻]. : 201233677 [專利文獻] [0007] 【專利文獻1】日本特開2006-28176公報 【專利文獻2】日本特開2006-298898公報 【專利文獻3】曰本特開2003-316035公報 【專利文獻4】國際公開2006/108497小冊 [非專利文獻] 【0008】 π%【非專利文獻 1】J〇umal 〇f Applied Physics,2004 年,95 卷 【非專利文獻 2】Japanese Journal of Applied Physies,1995 年’ 34卷,L824頁 【發明内容】 [發明欲解決之課題] [0009] 料的目的在於提供適於有機&树之尤其電洞輸送材 性優在於提供發光效率高、驅動電壓低,久 [解決課題之方式] 【0010】 並Ξΐί :=送】而得的有機EL元件,驅動電塵低 201233677
【0012】 .也m / 各自獨立,表示也可具有碳數1〜36 J取=2齒素原子之具有至少_,鍵之碳數3〜2〇之雜芳 1白想ί主各气獨立,表不碳原子或氮原子。Rl、R2及R4〜R7 ,ίΐίΓ、古齒素原子、碳數1〜18之錢、分支或環 基、破Μ8之直鏈、分支或環狀之烧氧基、也可具有碳 ,1〜36之取代基或自素原子之碳數6〜μ之絲、或也可具有碳 數1〜36之取代基或_素原子之碳數4〜2〇之雜芳基。R3表示氯原 子、鹵素原子、碳數1〜18之直鏈、分支或環狀之烷基、或碳數丨〜18 ^直鏈、分支或環狀之烷氧基R8及R9各自獨立,表示鹵素原子、 石反數1〜18之直鏈、分支或環狀之烧基、碳數丨〜比之直鏈、分支 或環狀之烷氧基、或也可具有碳數丨〜36之取代基或鹵素原子之破 數6〜30之芳基。π^η各自獨立,表示〇或1之整數[惟m+n為 1或2],p及q各自獨立,表示〇〜4之整數。 【0013】 _本發明更提供一種有機EL元件,其具有包含上述通式(1)表 示之胺化合物之選自於發光層、電洞輸送層及電洞注入層中至少1
ET 層0 [發明之效果] 【0014】: 201233677 通式(1)表示之本發明之胺化合物,具有比習知材料 電洞輸送能力’且有良好的電子接受安定性,所以能達成、= 元件之低驅動電壓化、高發光效率化、耐乂性之提升。 【實施方式】 [發明之實施態樣] 【0016】 r以下對於本發明之胺化合物及有機EL元件詳細説明。 本發明之以通式⑴表示之胺化合物巾,&表示也可具 1〜36之取代基或鹵素原子之碳數6〜3〇之 八 【0018】
Ar表不之也可具有碳數丨〜36之取 6〜30之芳基中,碳數6〜3〇关 ^图=原千之石反數 基、聯苯基、聯:苯Α 其具體例例如:苯 a 絲、苐基、菲基、苯并第基、二苯并 【〇土〇19】 基、祕、祕、絲、歧恤_)基等。 鏈、之取代基’可舉例如:直鏈、分支鱗狀之烧基、直 ,二支或_之絲基、芳氧基、三絲 罝 原何糊减H取 ί〇2】 取餘置及取代健不_較。 严壯分支或環狀之絲也可具有岐原子,直鏈、分支或 r,基、乙基、丙基、異:、丁i 甲基二氟以基L己基、庚基、辛基、硬脂基、三氯 【_】 姑基、環己基等,但不限於該等。 甘直鏈、分支或環狀之烷氧基, 7气其、而 氧基、異丙氧基、正丁氧基 牛氧基、乙氧基、丙 己氧基、硬脂物,^^^奉、第三丁氧基、戍氧基、. 201233677 [0022] 4 _ίϊί 如:苯氧基、4_甲絲氧基、3_甲基苯氧基、 _萘氧基、2_萘氧基等,但靴於該等。 三,基矽基,可舉例如三曱基矽基、三乙基矽基 基等,但不限於該等。 a/ 【0024】 :芳基矽基’可舉例如:三苯基矽基、三(4-甲基苯基)矽基、三 基)石夕基、三(4_甲基苯基)石夕基、三(4·聯苯)石夕基等,但不 【0025】
Ar之具體例,可舉例如:苯基、4_曱基苯基、3_曱基苯基、2_ 4甲乙ί Ϊ基、3-乙基苯基、乙基苯基、4_正丙基苯基、 i 丙基苯基、4·正丁基苯基、4·異丁基苯基、4- 4 I第三丁f苯基、4_正戊基苯基、4_異戊基苯基、 土本土、-正己基苯基、4-正辛基苯基、4_正癸基苯基、4_ ft基苯基、4_環縣苯基、4_環己基苯基、4·三苯曱基苯基、 基苯基、4三苯基錄苯基、3_三苯基絲苯基、2,4-二 f ΐ |2,5·二甲基苯基、3,4_二甲基苯基、3,5-二甲基苯基、2,6- 一土本土、2,3,5_二甲基苯基、2,3,6-三甲基苯基、3,4,5_三甲其 f基、4_甲氧基苯基、3_甲氧基苯基、2_甲氧基苯基:乙^基J ^ 3-乙氧基苯基、2_乙氧基苯基、4_正丙氧基苯基、3_正丙氧基 二ί丙氧基苯基、2_異丙氧基_、‘正丁氧基苯基、4·異 I = 了氧絲基、氧絲基、4_異戊氧基苯 =甘/、戊氧基本基、4_新戊氧基苯基、2-新戊氧基苯基、4_正己 基、2-(2-乙广基丁基)氧絲基、4·正辛氧基苯基、4_正癸氧 广二土 J 忙氧ΐ苯基、4_正十四氧基苯基、4-環己氧基苯基' -衣己氣基4基、4·苯氧基苯基、2-甲基_4_甲氧基苯基、2_甲基_5: Ιίίϊΐ、3部·4_甲氧基苯基、基·5_Τ氧基苯基、3-乙基 _ - f氧基苯基、2_ f氧基·4· Τ基苯基、3_ 基.何基苯基、2,4· ' 201233677 一甲氧基苯基、2,5-二曱氧基苯基、2,6-二曱氧基苯基、3,4-二曱氧 基本基、3,5·二曱氧基苯基、3,5-二乙氧基苯基、3,5-二-正丁氧基 苯基、2-曱氧基-4-乙氧基苯基、2-曱氧基-6-乙氧基苯基、3,4,5-三 曱氧基苯基、4-(9-十坐基)苯基、3-(9-°卡唑基)苯基、4-氟苯基、3-氟苯基、2-氟苯基、2,3-二氟苯基、2,4-二氟苯基、2,5-二氟苯基、 2,6-二氟苯基、3,4-二氟苯基、3,5-二氟苯基、4-(1-萘基)苯基、4-(2-秦基)本基、3-(1-萘基)苯基、3-(2-萘基)苯基、ι_萘基、2_萘基、4· 曱基-1-奈基、6-曱基-2-萘基、4-苯基-1-萘基、6-苯基萘基、2- 蒽基、9-蒽基、10-苯基-9-蒽基、2-第基、9,9-二曱基-2-苐基、9,9_ 二乙基-2-苐基、9,9-二-正丙基-2-第基、9,9-二-正辛基第基、9,9-二苯基-2-苐基、9,9’-螺聯苐基、9-菲基、2-菲基、苯并第基、二苯 并苐基、丙二烯合苐基基、芘基、筷基、茈基、苞基恤呵丨)基、 4_聯木棊、3_聯苯基、2_聯苯基、對聯三苯基、喃聯三苯基、鄰聯 三苯基等。Ar不限於該等。 【0026】 通式(1)表示之胺化合物中,從玻璃轉移溫度高、比起具有綠 色發光之構光發光材料有較高之三重態能階較佳之觀點,心較佳 為也可具有奴數1〜36之取代基或鹵素原子之聯苯基、3_聯苯 基、間聯三苯基、苯基、及2-第基。 [0027] 山通式(1)表示之胺化合物中,A及B各自獨立,表示也可具有 碳數1〜36之取代基或鹵素原子之具有至少1個c :炭 3〜20之雜絲。 观〈魏 【0028】 至少 A及B表示之也可具有碳數丨〜36之取代基或鹵素原子之具有 1個C=N鍵之碳數3〜20之雜芳基中,具有至少1個(:=1^ ^之兔數3〜2〇之料基從對於還原之安定性及㈣熱性高為較佳之 觀點,例如:料基K基、㈣基 营、:級、錢基、辦基、似三_、苯基; 坐基、夺开似基、苯并異嗟唾基、2山3_苯并嗟二峻基、苯并。等 201233677 峻基、苯并異嘩唑基、2,u_笨并嘮二唑基、喹啉基、異喹啉基、 喹喔啉基、喹唑啉基、吖啶基、u〇_,啉基等。碳數i〜36之取代 基或i素原子不特別限定,例如於前述心例示之碳數丨〜36之取 代基或鹵素原子。 【0029】 朴A及B之具體例’可舉例如:1_咪唑基、2_笨基_丨_咪唑基、厶 苯基-3,4-二曱基-μ咪唑基、2,3,4_三苯基小咪唑基、2_(2_蔡基)_3,4_ 二曱基-1-咪唾基、2-(2-萘基)-3,4-二苯基小味唑基、1_曱基_2_σ米嗅 基、1-乙基-2-咪唑基、l苯基_2_味唑基、甲基冰苯基_2_咪唑基、 1- 曱基-4,5-二曱基-2-咪唑基、μ曱基_4,5_二苯基_2-味唑基、^苯基 -4,5-=曱基冬咪唑基、1·苯基-4,5-二苯基-2-咪唑基、:μ苯基_4,1 二聯苯基-2-咪唑基、:ι_曱基_3_吡唑基、μ苯基_3_吡唑基、丨_曱基^_ 吡唑基、1-苯基-4-吡唑基、μ曱基_5_吡唑基、丨_苯基_5_吡唑基、 2- 噻唑基、4-噻唑基、5-噻唑基、3_異噻唑基、4-異噻唑基、5_異 °塞唾基、2-气唾基、4-气唑基、5-气σ坐基、3-異噚唾基、4-異坐 基、5-異十坐基、2-吡啶基、3_甲基_2_fl比咬基、4_曱基_2_吡啶基、 5-甲基-2-吡啶基、6-曱基-2·吼啶基、3-吼啶基、4-甲基_3-吼啶基、 ^比咬基、2-嘧啶基、5-嘧啶基、咄畊基、丨^-三啡基、4,6_二 苯基1,3,5-三啡-2-基、1_苯并咪唑基、2_曱基小苯并咪唑基、2_苯 基-1-苯并咪唑基、1_甲基_2_苯并咪唑基、丨苯基_2_苯并咪唑基、 1 二甲基-5-苯并咪〇坐基、0二甲基_5_苯并♦坐基、i甲基_2苯基-孓 苯并咪基、1-苯基-5-苯并咪唑基、二苯基_5_苯并咪唑基、卜 ^基-6-苯并咪唑基、ι,2_二甲基_6_苯并咪唑基、丨_甲基_2_苯基_6_ 苯并咪唑基、1-苯基-6-苯并咪唑基、U_二苯基_6_苯并咪唑基、^ 甲基-3-吲唑基、1-苯基_3_吲唑基、2_苯并噻唑基、4_苯并噻唑基、 5_J并噻唑基、6-苯并噻唑基、7_苯并噻唑基、3_苯并異噻唑基、 4-苯并異噻唑基、5-苯并異噻唑基、6_苯并異噻唑基、7_苯并異噻 =基、2,1,3-苯并噻二唑基_4_基、2,1,3-苯并噻二唑基_5_基、2_苯并 11亏唑基、4-苯并气唑基、5-苯并号唑基、6_苯并今唑基、7_苯并哼 唑基> 3-苯并異5唑基、4-苯并異噚唑基、5_苯并異嘎唑基、各苯. 201233677 f唑基、7_苯并異噚唑基、2,1,3-苯并噚二唑基_4_基、2,ι,3_ 苯并气二唑基-5-基、2-喹啉基、3-喹啉基、5-喹啉基、6-喹啉基、 1-異喹啉基、4-異喹啉基、5-異喹啉基、2-喹喔啉基、3-苯基-2-喹 喔啉基、6-喹喔啉基、2,3-二甲基-6-喹喔啉基、2,3-二苯基-6-喹喔 #基、2-喧唾琳基、4-喧唑啉基、2-α丫啶基、9_。丫啶基、丨,啡淋 -3_基、1,1〇_啡啉_5_基等。人及6不限於該等。 【0030】 ' 通式(1)表示之胺化合物中,從對於還原之安定性及耐熱性高 時較佳的觀點,Α&Β各自獨立,為也可具有碳數丨〜36之取代 基或_素原子之選自於咪唑基、噻唑基、吡啶基、嘧啶基、吡讲 基、1,3,5-二4基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、或喹喔啉 取 代基較佳。 【0031】 …通式⑴表示之胺化合物中,义及又2各自獨立,表示碳原子 或氮原子。從胺化合物之合成容易的觀點,¥及χ2同時為碳原子 較佳。 【0032】 於通式⑴表示之胺化合物中,R1、^及R4〜R7各自獨立,表示 氫乂子、函素原子、碳數Μ之直鏈、分支或環狀之烧基、碳數 了 ^直鏈、分支或環狀之烧氧基、也可具有碳數1〜36之取代基 原子之碳數6〜3〇之絲、或也可具有碳數丨〜36之取代基 或鹵素原子之碳數4〜20之雜芳基。 【0033】 漠、i^SiR4〜R7表示之-素原子之具義,可舉例如:氣、氯、 【0034】 ^之碳數1〜18之直鏈、分域環狀之烧基, 7s有鹵素原子’其具體例可舉例如曱基、乙基、丙基、異丙 第二丁 5、戊基、己基、庚基、辛基、硬 曰土 一亂土 ―®1甲基、環丙.基、環己基等,但不限於該等。 12 201233677 【0035】 R及R〜R表示之碳數i〜18之直鏈、分支或環狀之p氦 i 含有-素原*,其具體例例如:甲氧基、乙氧基、丙氧i、 2丙氧,、正丁氧基、第二丁氧基、第三τ氧基、戊氧基、 基、硬脂氧基等’但不限於該等。 【0036】 山R及尺R表示之也可具有碳數1〜36之取代基或鹵专原 不特別岐,其具體例例如與前述&; 具體例^__子之碳數㈣之芳基之 【0037】 R、R及反4〜R7表示之也可具有碳數1〜36之取代美式南去;5 〜20之雜芳基中,碳數一2〇之雜絲為夂原 子至少其巾之_的雜軒料香·,雖^別限 ^ 、3喊基、4_辦基、3制基、4·喧琳基、 '2=:^、2部娜、2.料_、^=2'. 本开水坐基、2-一苯并噻吩基、3_二苯并嗟 :卜6 ΐϊίί^之具购,例如與前述Ar例示之 ΐ=8】 代基或_素原之具體例為同樣者。 通式(1)表示之胺化合物中,R3表示氫 1〜18之直鏈、分支或環狀之絲 :^ = 狀之烷氧基。 &火双1 之直缚、分支或環 【0039】 R3表示之鹵素原子、碳數Μ8之 /或碳f 1〜18之直鏈、*支或環狀之綠f_: 及以例不之鹵素原子、魏卜18之直鏈、分支或 13 201233677 ίϊίί基、或碳數1〜18之直鏈、分支或環㈣氧基之具體例 【0040】 子、ί ί 示之胺化合物中,R8及r9各自獨立,表示_辛斤 5支I之Λ鏈、分支或環狀之綠、1⑽之4 =二氧基基:或也可具有碳數w之取代基‘子 【0041】 统基二數1〜18之直鏈、分支或環狀之 巧述 R1、R2 及 iii 、錢數1〜18之直鏈、妓或之Si之 【0042] 數6〜3〇H 具=碳數1〜36之取代基或_素原子之碳 具有碳數= =,例如與前述&例示之也可 為同樣者。 代基或齒素原子之碳數6〜30之芳基之具體例 【0043】 整數通合財’心各自獨立,表示。或1之 為較:為:i mm〇且n為1之胺化合物 Γ〇〇441 1句υ之肢化合物尤佳。 數。通式(υ表示之胺化合物中’Pkq各自獨立,表示*之整 【0045】 .合物^下顯不通式⑴表示之胺化合物之較佳例,但不限於該等化 ::_姹3 201233677 Ο ◎
(A 1 )
【0047】
(All)
15 201233677
(A 1 9 ) 【0048】
(A 2 2)
(A 2 6 ) (A 2 7 ) 16 201233677
Ο (A 3 0)
17 201233677 【0049】
18 201233677
[0050] 19 201233677
CA 5 3 )
◎ (A 5 6 )
20 201233677
[0051] 21 201233677
(BIO) (B;l 1,) (B 1 2)
(B 1 3 ) (B 1 4 ) (B 1 5 )
(B 1 β) (El 7) (B18) [Q052] 22 201233677
(B 1 9)
(C4)
(C l 0;>
(c 1 1)
(C 3)
(C 6)
(C 9)
(C 1 2) 23 [0053] 201233677 前述通式(1)表示之胺化合物可依照例如:公知之方法 (TetrahedronLetters,1998 年,第 39 卷,2367 頁)合成。具體而言,可 依照下列路徑合成。 【0054】 (路徑a)使經2位經鹵化之9H-咔唑化合物與自化芳香族化合 物’於驗存在下,使用銅觸媒或鈀觸媒使反應,而生成2_鹵化_9_ 取代咔唑,其次使該產物與2級胺化合物,於鹼存在下使用銅觸 媒或鈀觸媒使反應。 【0055】 (路徑b)使2位經_化之9H-咔唑化合物與齒化芳香族化合 物,於驗存在下,使用銅觸媒或鈀觸媒使反應而生成2_蟲化_9_取. 代Π卡哇,其次使该產物與1級胺化合物,於驗存在下使用銅觸媒 或鈀觸媒使反應,獲得2級胺。再使獲得之2級胺與鹵化芳香族 化合物,於鹼存在下,使用銅觸媒或鈀觸媒使反應。 [0056] ^
一本發明之前述通式(1)表示之胺化合物,可當做選自於有機EL 兀件之發光層、電洞輸送層及電洞注入層當中至少一層之形成材 料使用。 a y 【0057】 尤其前述通式(1)表示之胺化合物的電洞輪送能優異, 送層及巧洞注入層使用時,可達成有機EL元件之& 動電壓化、提高高發光效率化及耐久性。又, 二 胺化合,比起習知材料,其三重態能階較高, 發J材枓,在使_光發光㈣於發姑之元件也可獲得高發 效罕。 【0058】 及之?安化合ΐ當做有機el元件之電洞注入 時,發光層可_自吨使狀公知之榮 或&先發先材料。發光層可僅由丄種發光材开 认, 材料中.摻雜1種以上的發光材料。 Λ 〇 ' 24 201233677 [0059] =成由前述通式⑴表示之胺化合物構成 電洞輸送層時,.視需要也可於丨層中含有洞,主入層.及/或 可將又,上分別構成的2層以工疊中層3 =以:或也 胺化合物,也可使用氧她等氧化物、7,7路表示之 2,3,5,6-四氟-7,7,8,8_四氰基驅二曱烧、六氰基六二甲烧、 將通式⑴表示之航合物與 通式⑴表示』 [0060] 當前述通式(1)表示之胺化合物當做有機el 科’可轉航合物翔制,也可於公知之 、、形成含有前述通式σ)表示之胺化合物之電洞注入爲、垂、^ 送層或發光層之方法’例如可應用真空蒸鑛 ^ 等公知之方法。 奴堂法、澆鑄法 [實施例] [0062] 以下依據實施㈣於本發明更詳細酬 該等實施例。 明不限定於 【0063】 【〇2】舰及乂魏測定使用Va^公司製Gemin_進行。 FDMS測定使用曰立製作所製M_8〇B進行。 【0065】 法評|原特性細使用料電H5G1及HB_谢之棘伏安 【0066】 25 201233677 機EL元件之發光特性,係對於製作之元件施加直流電流, TOPCON 公司製 LUMINANCEMETER(BM-9;)之 有 - 並使用 行評價 【0067】 合成例.1 0(4-氯苯基)硝基苯之合成[參照下式⑺]) 於氮氣流下,於500ixiL之三口燒瓶中添加鄰溴硝基苯 25你(123.0麵〇1)、對氯苯基棚酸几城丨35 3匪〇1)、肆(三苯基鱗) 把0.71g(0.61mmol)、四氫吱喃ioojjjL、2〇加%之碳酸鈉水溶液 162g(就碳酸鋼而言為,進行8小時加熱回流。冷卻至 室溫後,將水層與有機層分液。將有機層以飽和氯化銨水溶液洗 滌再以飽和氯化鈉水溶液洗滌。將有機相以無水硫酸鎂乾燥後, 利用過渡去除不溶物後將溶液於減麼下濃縮,將殘渣以二氧化石夕 凝膠管柱層析(甲苯)精製,並將2-(4-氯苯基)硝基苯27.2g予以單 離(產率94%)。 【0068】 化合物之鑑定係利用b-NMR測定、13C-NMR測定進行。 【0069】 ^-NMRCCDCyaCppm) ; 7.87(d,lH),7.36-7.66(m,5H),7.21-7.27 (m,2H) 13C-NMR(CDCl3)6(ppm) ; 148.98,135.85,135.12,134.37,132.45, 131.79,129.23,128.84,128.53,124.21 ’ 【0070】 合成例2 (2-氣咔唑之合成[參照下式(2)]) 於氮氣流下’於200mL之梨型燒瓶中添加合成例1獲得之 2-(4-氯苯基)硝基苯10.0g(42.7mmol),添加亞磷酸三乙酯50mL 後’於150C檀拌24小時。於減壓下輝去亞碑酸三乙g旨,於殘渣 中加入鄰二曱苯並進行再結晶,.藉此將2·氣咔唑之白色粉末 5:.lg(25.6mmol)予以單離(產率 60。乂)。 26 201233677 【0071】 化合物之鑑定利用1H-NMR測定、13C-NMR測定進行。 【0072】 1H-NMR(Acetone-d6)6(ppm) ; 10.46(br-s,lH),8.10(d,2H),7.37-7. 55(m,3H),7.15-7.24(m,2H) l3C-NMR(Acetone-d6)5(ppm) ; 141.35,141.15,131.33,126.70,123. 17,122.64,121.92,120.84,120.09,119.78,111.81,111.43 【0073】
CH^聊' ^ Pd(PPh)a, aq. 【0074】 合成例3 (2-氯-N-(4-聯苯基)咔唑之合成) 於氮氣流下,於50mL之三口燒瓶中添加合成例2獲得之2-氣π卡。坐 4.0g(19.8mmol)、4-漠聯苯 5.5g(23.7mmol)、碳酸鉀 3.83g(27.7mmol)、鄰二曱苯20mL,於漿體狀之反應液中添加乙 酸鈀 44mg(0.19mmol)、三(第三丁基)膦 0.14g(0.69mm〇l),於 130°C攪拌24小時。冷卻至室溫後,濾取析出之沉澱,將獲得之 固體以水洗滌’再以曱醇洗滌。減壓乾燥後,以正丁醇再結晶, 將2-氯-N-(4-聯苯基户卡嗤之白色粉末4.9g(13.8mmol)予以單離(產 率 69%)。 【0075】 化合物之鑑定利用1H-NMR測定、13C-NMR測定進行。 【0076】 !H-NMR (CDCl3)8(ppm); 8.07(d,lH),8.00(d,m),7.77(d,2H),7.65(d,2H),7.54(d,2H),7.21-7.41(m ,8H) . . · 27 201233677 13C-NMR (CDCl3)5(ppm) ; 141.38,141.18,140.72,140.08,136.17, 131.75,128.99,128.66,127.74,127.27,127.16,126.23,122.82,121.99,125 1.19,120.47,120.29,110.05,109.98 [0077] 合成例4 (N-苯基-N-(2-(N-(4·聯苯基)»坐基)胺之合成) 於氮氣流下,於lOOmL之三口燒瓶添加合成例3獲得之2-氣 -N-(4-聯苯基)咔嗤 9.5g(26.8mmol)、苯胺 3.7g(40.2mmol)、第三丁 醇鈉3.6g(37.5mmol)、鄰二曱苯60mL,於漿體狀之反應液中添加 乙酸把 60mg(0.26mmol)、三(第三丁基)膦 I89mg(0.93mmol)後,於 130°C攪拌1〇小時。冷卻至室溫後,添加純水35mL並且攪拌。 分液為水層與有機層’將有機層以純水洗滌,之後以飽和氣化鈉 水溶液洗滌。將有機層以無水硫酸鎂乾瘭後,將以過濾去除不溶 物後的溶液於減壓下濃縮’獲得茶色之固體。以鄰二曱苯再結晶, 將N-苯棊-N-(2-(N-(4-聯苯基))σ卡唾基)胺之白色粉末 8.0g(19.4mmol)予以單離(產率 72%)。 【0078】 化合物之鑑定利用1H-NMR測定、13C-NMR測定進行。 【0079】 JH-NMR (CDCl3)6(ppm) ; 7.95-8.04(m,2H),7.74(d,2H),7.18-7.6 6(m, 12H),6.99-7.12(m,4H),6.87(t, 1 H),5.77(br, 1H) 13C-NMR (CDCl3)5(ppm) ; 143.62,142.19,141.73,141.02,140.21, 136.79,129.37,128.95,128.49,127.63,127.23,127.14,124.79,123.77,12 1.11,120.71,120.12,119.45,118.00,117.27,11238,109.63,99.03 【0080】 合成例5 (2-(4-溴苯基)-4,5-二苯基-1H-咪唑之合成) 於200mL之三口燒瓶中添加4·溴苯甲醛10g(54.0mmol)、二 苯基乙二酮 11.3g(54.0mmol)、乙酸銨 20.8g(270.2mmol)、乙酸 lOOmL,於110°C攪拌12小時。冷卻至室溫後,將反應液添加於 28 201233677 水200mL中。濾取析出之白色粉末,以水洗滌,再以甲醇洗滌, 藉此獲得2-(4-漠苯基)-4,5-二苯基-1H-味嗤之白色粉末 20.0g(53.4mmol)(產率 98%)。 【0081】 化合物之鑑定利用FDMS進行。 FDMS(m/z) ; 374(M+) 【0082】 合成例6 (1-甲基-2-(4-漠苯基)-4,5-二苯基-σ米唾之合成) 於100mL之三口燒瓶中’添加合成例5獲得之2-(4-溴苯基)- 4,5-二苯基-1H-咪唑 10g(26.7mmol)、碘曱烷 4.1g(29.3mmol)、苄 基三乙基氯化銨8.1g(29.3mmol)、48%濃度之氫氧化鈉水溶液2.4 g(就氫氧化鈉固體而言為1.15g)、二甲基亞砜4〇mL,於70°C擾拌 3小時。冷卻至室溫後’於反應液中添加水4〇mL。渡取析出之白 色粉末,以水洗滌,再以甲醇洗滌,藉此獲得μ甲基冬(4_溴苯基) -4,5-二苯基-咪唑之白色粉末8.2g(21.9mmol)(產率81%)。 【0083】 化合物之鑑定利用1H-NMR測定、13C-NMR測定進行。 【0084】 ^-NMR (CDCl3)6(ppm) ; 7.61(s > 4H) » 7.13-7.54(m > 10H) » 3.47(s ’ 3H) 13C-NMR (CDCl3)6(ppm) ; 146.66 » 137.94 > 134.39 » 131.73 ’ 130.89,130.78 ’ 130.43 ’ 129.79,129.04,128.66,128.09, 126.88 > 126.41,123.02,33.29 【0085】 ^ 合成例7 (1-甲基-2-(4-溴苯基)苯并咪唑之合成) 於50mL之三口燒瓶中添加2-(4-溴苯基)-lH-苯并味唑 2g(7.3mmol)、碘甲烷l.lg(8.0mm〇l)、苄基三乙基氯化銨 2.2g(8.0mmol)、濃度48%之氫氧化鈉水溶液〇.6g(就氫氧化鈉固體 而言為.0.29g)、二甲基亞石風.lOmL ’於70°C擾捧5小時。冷卻至室 ^ · * .· . . · .-· · · ’ · · '29 201233677 溫後’於反應液中添加水10mL。濾取析出乏白色粉末,以水洗條 再以曱醇洗務’藉此獲得1-.曱基-2-(4-漠苯基)苯并咪α坐之白色粉末 1.4g(5.1 mmol)(產率 70%)。 【0086】 化合物之鑑定利用FDMS進行。 FDMS(m/z) ; 286(M+) 【0087】 合成例8 (1-(4-溴苯基>2-苯基苯并咪唑之合成) 於氮氣流下,於lOOmL之三口燒瓶中添加2_苯基-1H_苯并咪 0坐 3.0g(15.4mmol)、對漠破苯 8.6g(3〇,8mmol)、蛾化銅 0.58g(3.0mmol)、碳酸鉋 10.0g(30.8mm〇l)、二甲基曱醯胺 3〇mL, 於室溫授拌30分鐘。之後於120°C擾拌36小時。冷卻至室溫後, 添加乙酸乙酯50mL,將不溶物過濾。以水洗滌濾液再以飽和食鹽 水洗滌後,於減壓下濃縮獲得殘渣。將殘渣以二氧化矽凝膠管柱 層析精製,並將1-(4-漠苯基)-2-苯基苯并味^坐之白色粉末 1.7g(4.9mmol)予以單離(產率 32°/〇)。 【0088】 化合物之鑑定利用FDMS進行。 FDMS(m/z) ; 348(M+) 【0089】 實施例1 (化合物(A2)之合成) 羚氮氣流下,於200mL之三口燒瓶中’添加合成例2獲得之
2-氯咔唑 7.8g(39.0mmol)、4-(2-吡啶基)溴苯 9.0g(39.〇mm〇l)、碳酸 卸7.5g(54.6mmol)、鄰二曱苯75mL,於漿體狀之反應液中添加乙 酉义纪 87mg(0.39mmol)、二(第二丁基)鱗 275mg(1.3mmol),於 130°C 檀拌15小時。冷卻至室溫後添加水3〇mL,將有機層分離。將有 機層以水洗滌再以飽和食鹽水洗滌後,以無水硫酸鎂乾燥,之後 過濾去除不溶物。將過濾獲得之溶液裝入200rnL:之三口燒瓶。於 201233677 溶液中添加Ν,Ν-雙(4-聯苯基)胺12.5g(39.0mmol)、第三丁醇鈉 5.2g(54.6mmol)、乙酸把 87mg(0.39mmol)、三(第三丁基)膦 275mg(1.36mmol),而後於130°C授拌8小時。冷卻至室溫後添加 水30mL。濾取析出之沉澱,並將獲得之沉澱物以水洗滌,再以乙 醇洗滌。減壓乾燥後,以鄰二曱苯進行再結晶,並將化合物(A2) 之白色粉末17.9g(28.0mmol)予以單離(產率72%)。 [0090] 化合物之鑑定利用FDMS、iH-NMR測定、13C-NMR測定進 行。 【0091】 FDMS(m/z) ; 639(M+) ^-NMR (CDCl3)6(ppm) ; 8.63(d,lH),8.13(d,2H),8.05(d,2H),7. 73(d,2H),7.54-7.62(m,6H),7.10_7.49(m,20H) 13C-NMR (CDGl3)5(ppm); 156.38,149.70,147.26,146.02,141.66, 141.18,140.60,138.23,138.09,136.88,134.96,128.69,128.42,127.72,12 6.92,126.73,126.62,125.47,123.64,123.44,122.34,121.13,120.56,120.3 6,119.94,119.85,119.03,109.80,106.92 [0092] 實施例2 (化合物(A45)之合成) 於氮氣流下,於lOOmL之三口燒瓶中添加合成例2獲得之2-氯咔唾3.2g(16.0mmol)、合成例6獲得之1-曱基-2-(4-溴苯基)-4,5-二苯基-味°坐 6.0g(16.0mnpl)、碳酸If 3.1g(22.4mmol)、鄰二甲苯 40mL,於漿體狀之反應液中添加乙酸鈀35mg(0.16mmol)、三(;第 三丁基)膦113mg(0.56mmol),而後於130°C檟:拌20小時。冷卻至 室溫後,添加水20mL,將有機層分離。將有機層以水洗滌再以飽 和食鹽水洗滌後,以無水硫酸鎂乾燥並過濾去除不溶物。將過濾 獲得之溶液裝入lOOmL之三口燒瓶。於溶液中添加N-(4-聯苯 基)-N-(對曱苯基)胺 4.lg(16.0mmol)、第三丁醇鈉 2.lg(22.4mm〇l)、 乙酸Is 35mg(0.16mmol)、三(第三丁基)膦 113mg(0.56minol),而後 31 201233677 於130°C攪拌4小時。冷卻至室溫後,添加水20mL。濾取析出之 沉澱’將獲得之沉殿物以水洗滌,再以乙醇洗滌。減壓乾燥後, 以鄰二曱苯再結晶’並將化合物(A45)之淡黃色粉末 7.90g(10.8mmol)予以單離(產率 68%)。 【0093】 化合物之鑑定利用FDMS進行。 FDMS(m/z) ; 732(M+) 【0094】 實施例3 (化合物(A52)之合成) 於氮氣流下’於200mL之二口燒瓶中添加合成例2獲得之2_ 氯咔唑5.0g(24.7mmol)、合成例7獲得之1-曱基-2-(4-溴苯基)苯并 咪唑 7.0g(24.7mmol)、碳酸鉀 4.8g(34.7mm〇l)、鄰二曱苯 75m£ ’ 於衆·體狀之反應液中添加乙酸把55mg(〇.24tiiniol)、三(第:丁某) 膦174mg(0.86mmol),而後於130°C攪拌18小時。冷卻至室溫後, 加水30mL,分離有機層。將有機層以水洗蘇再以飽和食鹽水洗蘇 後,以無水硫酸鎂乾燥,並藉由過濾去除不溶物。將過濾獲得之 溶液添加到200mL之二口燒瓶中。於溶液中添加n,n_雙(4_聯苯基) 版 7.9g(24.7mmol)、弟二 丁醇鈉 3.3g(34.5mmol)、乙酸把 55mg(0.24mmol)、二(第二丁基)膦 I74mg(0.86mmol),而後於 13〇。〇 攪拌5小時。冷卻至室溫後’添加水30JHL。渡取析出之沉澱,將 獲得之沉澱物以水洗滌,再以乙醇洗滌。減壓乾燥後,以鄰二甲 苯進行再結晶’將化合物(A52)之淡黃色粉末1〇 予以 單離(產率60%)。 【0095】 化合物之鑑定利用FDMS進行。 FDMS(m/z) ; 692(M+) 【0096】 實施例4 (化合物(A57)之合成): 32·. 201233677 於氮氣流下’於50mL之三口燒瓶中添加合成例2獲得之2-氯咔唑2.0g(7.2mmol)、合成例8獲得之ι·(4-溴苯基)-2-苯基苯并 咪唑 2.5g(7.2mmol)、碳酸鉀 l.4g(l〇.lmmol)、鄰二曱苯 20mL,於 漿體狀之反應液添加乙酸鈀16mg(0.07mm〇l)、三(第三丁基)膦 49mg(0.24mmol),而後於130°C攪拌18小時。冷卻至室溫後加水 10mL ’將有機層分離。將有機層以水洗滌再以飽和食鹽水洗滌 後,以無水硫酸鎮乾燥’並利用過濾去除不溶物。將過濾獲得之 溶液添加到50mL之三口燒瓶。於溶液中添加N_(4_聯苯基)_义(對 甲本基)月女1.8g(7.2mmol)、第二丁醇納968mg(10.1mmol)、乙酸把 l6mg(0.〇7mmol)、三(第三丁基)膦49mg(0以咖叫,而後於13〇。〇 攪拌6小時。冷卻至室溫後加水lOmL。濾取析出之沉殿,將獲得 之沉殿物以水洗滌,再以乙醇洗滌;。減壓乾燥後,以鄰二曱苯進 行再結晶’並將化合物(A57)之白色粉末3.2g(4.7mmol)予以單離 (產率66%)。 【0097】 化合物之鑑定利用FDMS進行。 FDMS(m/z) ; 692(M+) 【0098】 實施例5 (化合物(A59)之合成) 於氮氣流下’於lOOmL之三口燒瓶中添加合成例2獲得之厶 氣咔唾 6.9g(34.4mmol)、4-(2-苯并噻唑基)溴笨 1〇 〇g(34 4mm〇1)、 碳酸鉀6.6g(48.1mm〇l)、鄰二甲苯60mL,於漿體狀之反應液中添 加乙酸把77mg(0.34mm〇l)、三(第三丁基)膦如瓜奶2腿〇1),而 後於130°C攪拌20小時。冷卻至室溫後加水3〇mL,分離有機層。 將有機層以水洗滌,再以飽和食鹽水洗滌後,以無水硫酸鎮乾燥, 並利用過濾去除不溶物。將過濾獲得之溶液添加'到50mL之三口 燒瓶。於溶液中添加N,N-雙(4-聯苯基)胺11 〇g(34.4mm〇i)、第三 丁.醇納 4.6g(48.1mniol)、乙酸把 77mg(0.34inniol)、三(第三丁其) 膦243mg(Ummol),而後於13〇。(:攪拌5小時。冷卻至室溫後^ 33 201233677 水20mL。濾取析iti之織’將獲得之涵^財絲再以乙醇洗 滌。減壓乾燥後,以鄰二曱苯進行再結晶,將化合物(A59)之淡黃 色粉末18.8g(27.1mmol)予以單離(產率79%)。 【0099】 化合物之鑑定利用FDMS進行。 FDMS(m7z) ; 695(M+) 【0100】 實施例ό (化合物(Β3)之合成) 於氮氣流下,於50mL之三口燒瓶中添加合成例4獲得之N_ 苯基-N-(2_(N-(4-聯苯基))味唑基)胺3 〇g(7 3mm〇1)、4_(2_π比啶基) 漠本 1.7g(7.3mmol)、第二丁醇鋼 〇.98g(l〇.2mmol)、鄰二曱苯 15mL ’並於聚體狀之反應液中添加乙酸免i6mg(〇.〇7mmol)、三(第 三丁基)膦49mg(0.24mmol) ’而後於13〇。〇攪拌5小時。冷卻至室 溫後加水10mL,將有機層分離。將有機層以水洗滌再以飽和食鹽 水洗滌後,以無水硫酸鎂乾燥,利用過濾去除不溶物後,將溶液 於減壓下濃縮。將獲得之殘渣以二氧化矽凝膠管柱層析(曱苯與己 烷之混合溶劑)精製’並將化合物(B3)之玻璃狀固體3.4g(6.2mmol) 予以單離(產率85%)。 【0101】 化合物之鑑定利用FDMS進行。 FDMS(m/z) ; 563(M+) 【0102】 實施例7 ' (化合物(ΒΙΟ)之合成) 於氮氣流下,於50mL之三口燒瓶中添加合成例4獲得之Ν-.苯基-N-(2-(N-(4-聯苯基))咔唑基)胺0.90g(2.2mmol)、合成例7獲 得之1-曱基-2-(4-溴苯基)苯并咪唑〇.62g(2.2mmol)、第三丁醇鈉 G-28g(3.0mm〇l)、鄰二甲苯i〇mL,於漿體狀之反應液中添加乙酸
靶 5mg(0.〇2mmol)、三(第三丁基)膦 I4mg(0.07mmol),而後;^ 13(TC • · * . . . 34 * 201233677 攪拌5小時。冷卻至室溫後加水5mL,並將有機層分離。將有機 層以水洗滌再以飽和食鹽水洗滌後,以無水硫酸鎂乾燥,並利用 過濾去除不溶物。將過濾獲得之溶液於減壓下濃縮。將殘渣以二 氧化矽凝膠管柱層析(甲苯與己烷之混合溶劑)精製,將化合&(B1〇) 之玻璃狀固體0.92g(1.5mmol)予以單離(產率72%)。 【0103】 化合物之鑑定利用FDMS進行。 FDMS(m/z) ; 616(M+) 【0104】 實施例8 (化合物(B13)之合成) 於氮氣流下,於50mL之三口燒瓶中添加合成例4獲得之N-苯基-N-(2_(N-(4-聯苯基))咔唑基)胺〇.82g(2.〇mmol)、合成例8獲 得之1-(4-溴苯基)-2-苯基苯并咪唑〇.69g(2.〇mmol)、第三丁醇鈉 0.27g(2.8mmol)、鄰二曱苯lOmL,於漿體狀之反應液中添加乙酸 鈀 5mg(0.〇2mmol)、三(第三丁基)膦 i4mg(0 07mmol),而後於 13(rc 攪拌5小時。冷卻至室溫後加水5mL,並分離有機層。將有機層 以水洗滌再以飽和食鹽水洗滌後,以無水硫酸鎖乾燥,並利用過 濾去除不溶物。將過濾獲得之溶液於減壓下濃縮。將殘渣以二氧 化矽凝膠管柱層析(甲苯與己烷之混合溶劑)精製,並將化合物(B13) 之玻璃狀固體〇_82g(1.2mmol)予以單離(產率6〇%)。 【0105】 化合物之鑑定利用FDMS進行。 FDMS(m/z) ; 678(M+) 【0106】 實施例9 (化合物(B14)之合成) 於氮氣流下,於50mL之三口燒瓶中添加合成例4獲得之N-苯基-N-(2_(N-(4-聯笨基))°卡嗤基)胺1.5卩(3.6mmol)、合灰例6獲得 之1-甲基-2-(4-溴苯基)-4,5-二苯基Hi 3g(3.6mmol)、.第三丁醇 35 201233677 納〇.48g(5.0mmol)、鄰二甲苯15mL,於漿體狀之反應液中添加乙 酸鈀 7mg(0.〇3mmol)、三(第三丁基)膦 2img(〇.10mm〇i),而後於 13〇°C攪拌7小時。冷卻至室溫後加水lOmL,分離有機層。將有 機層以水洗滌,並以飽和食鹽水洗滌後,以無水琉g曼鎂乾燥並以 過濾去除不溶物。將過濾獲得之溶液於減壓下濃縮。將殘渣以二 氧化石夕凝膠管柱層析(曱苯與己烧之混合溶劑)精製,並將化合物 (B14)之玻璃狀固體2.0g(2.8mmol)予以單離(產率79%)。 【0107】 化合物之鑑定利用FDMS進行。 FDMS(m/z) ; 718(M+) 【0108】 實施例10 (化合物(B19)之合成) 於氮氣流下,於50mL之三口燒瓶中,添加合成例4獲得之 N-苯基-Ν-(2·(Ν-(4-聯苯基))咔唑基)胺3 7g(9.〇mm〇1)、4_(2_苯并噻 唑基)溴苯2.6g(9.0mmol)、第三丁醇納!观2 6mm〇1)、鄰二甲苯 25mL ’並於聚體狀之反應液中添加乙酸飽2〇mg(〇 〇9mmol)、三(第 三丁基)膦63mg(0.31mmol),而後於130°c攪拌5小時。冷卻至室 溫後加水lGmL ’並分離有機層。將有機層财洗滌再以飽和食趟 水洗碰,以無水硫_錢,並姻過濾去除不溶物。將過^ 獲知之洛液於減壓下濃縮。將殘渣以二氧化矽凝膠管柱層析 與己烷之混合溶劑)精製,並將化合物(B19)之玻璃狀固 4.5g(7.3mmol)予以單離(產率 82。/0)。 【0109】 化合物之鑑定利用FDMS進行。 FDMS(m/z) ; 619(M+) 【0110】 實施例11 (化合物(A2)之還原特性評價) 36 201233677 於過氯酸四丁基銨之濃度為O lmol/L之無水四氫呋喃溶液 ^ ’使化合物(A2)以〇.〇〇imo]/L的濃度溶解,以循環伏安法測定 還原電位。作用電極使用玻璃碳(glassy ,對極使用始線, f照電極使=浸於AgN03之乙腈溶液之銀線。化合物(A2)於以二 茂鐵之氧化還原電位當做基準在_2 88V VS.FC/Fc+觀測到還原波, 確S忍具有電子接受.性。 【0111】 實施例12 (化合物(A45)之還原特性評價) 實施例11中,使用化合物(A45)代替化合物(A2),除此以外, 施例i1 _同方法評價還原特性,絲,化合物(A45)於以 :戊,之氧化還原電位當做基準在_2 98¥ vs Fc/Fc+觀測到還原 波’確認具有電子接受性。 【0112】 實施例13 (化合物(A52)之遥原特性評價) 盘V1中’使用化合物(A52)代替化合物(A2),除此以外, 相㈤方法評價_特性,結果,化合物(A52)於以 :墟原電位當做基準在-2.93V VS.FC/Fc+觀測到還原 波,確s忍具有電子接受性。 【0113】 實施例14 (化合物(A57)之還原特性評價) _货钟夕Θ 去5平知還原特性,結果,化合物(A57)於广 i,確認具有ί子^生當做基準在-2.95V VS.FC/Fe+觀測到還肩 【0114】 實施例15 (化合物(A59)之遠原特性評價) 37 201233677 —二施例11中,使用化合物(A59)代替化合物(A2),除此以外, 施例π以相同方法評償還原特性,結果,化合物(A59)於以 一茂鐵>之氧化還原電位當做基準在_248v vsFc/Fc+觀測到還原 波,確S忍具有電子接受性。循環伏安法測定之結果如圖1所示。 【0115】 實施例16 (化合物(B3)之還原特性評價) —貫施例11中,使用化合物(B3)代替化合物(A2),除此以外, ,貫施例11以相同方法評價還原特性,結果,化合物(B3)於以二 茂鐵之氧化還原電位當做基準在-3.08V vs.Fc/Fc+觀測到還原波, 確s忍具有電子接受性。 【0116】 實施例17 (化合物(B13)之還原特性評價) 實施例11中’使用化合物(B13)代替化合物(A2),除此以外, ,實施例11以相同方法評價還原特性,結果,化合物(B13)於以二 戊鐵之氧化還原電位當做基準在_3.i5V vs.Fc/Fc+觀測到還原波, 確認具有電子接受性。 【0117】 實施例18 (化合物(B14)之還原特性評價) 實施例11中’使用化合物(B14)代替化合物(A2),除此以外, 與實施例11以相同方法評價還原特性,結果,化合物(B14)於以二 戊鐵之氧化還原電位當做基準在-3.18Vvs.Fc/Fc+觀測到還原波, 確認具肴電子接受性。 【0118】 實施例19 (化合物(B19)之還原特性評價) 實施例11中,使用化合物(B19)代替化合物(A2),除此以外, 與實施例11以相同方法評價還原特性,結果,化合物(B19)於以二 38 201233677 【0119】 比較例1 (比較=合物(a)之還原特性評價) 卜μ 中’使用下列之比較化合物⑻代替4匕合物⑽,除 ^實ί例i1以相同方法評價還原特性,結果,化合物(a) / 戊之化還原電位當做基準掃描直到-3.30VVS.FC/FC+, 但未觀測到還原波。 卞πμ田且』 【0120】 比較化合物(a) 【0121】 實施例20 (化合物(A2)之元件評價) 將疊層有厚度2GGnm之ITO透職極(陽極)的玻璃基板利用 丙=純水進行超音波洗滌,並·異丙醇進行沸騰洗滌。再進 臭氧絲,設置於真空蒸難㈣,以真空泵浦排氣至 X 0 Pa。首先,在ITO透明電極上以蒸鍍速度〇 3nm/秒蒸鍍 NPD,成為施m之電洞注入層。然後,將化合物(A2)以紐速度 0.3nm/f>蒸鑛30nm後,以蒸鑛速度〇.25nm/秒進行共同蒸鍍,使 得墙光換雜物材料參(2-苯基吼旬銥(Ir(ppy)3)與主體&料《4, ^卡唾基)聯苯(CBP)之重量比成為! ·· lu,成為2〇nm之發光層。 其次,以蒸鍍速度〇.3nm/秒蒸鍍2,9-二甲基_4,7_二苯基_υ〇_啡啉 (BCP) ’成為l〇nm之激子阻擋層後,再以〇.3nm/秒蒗鑛參(8_ 經基啥嚇)紹),成為3〇nm之電子輸送層。然後,以蒸^速度〇 〇lmn/ 39 201233677 秒蒸鍍0.5nm氟化裡’成為電子注入層,再以蒸鍍速度〇.25nm/ 秒洛鑛鋁100nm,形成陰極。於氮氣氛圍下,以υγ硬化樹脂黏 接密封用之玻璃板,當做評價用之有機EL元件。對於以此方式製 作的元件施加20mA/cm2的電流’並測定驅動電壓及外部量子效 率。結果如表1。 【0122】 實施例21 (化合物(A45)之元件評價) 將化合物(A2)改變為化合物(A45),除此以外與實施例20以相 同方法製作有機EL元件。施加20mA/cm2之電流時之驅動電壓及 外部量子效率如表1所示。 【0123] 實施例22 (化合物(A52)之元件評價) 將化合物(A2)改變為化合物(A52),除此以外與實施例20以同 樣方法製作有機EL元件。施加20mA/cm2之電流時之驅動電壓及 外部量子效率如表1。 【0124] 實施例23 (化合物(A57)之元件評價) 將化合物(A2)改變為化合物(A57),除此以外與實施例20以同 樣方法製作有機EL元件。施加20mA/cm2之電流時之驅動電壓及 外部量子效率如表1所示。 【0125】 實施例24. (化合物(A59)之元件評價) 將化合物(A2)改變為化合物(a59),除此以外與實施例20以同 樣方法製作有機EL元件。施加2〇mA/cm2之電流時之驅動電壓及 外部量子效率如表1所示。 【0126】 201233677 實施例25 (化合物(B3)之元件評價) 將化合物(A2)改變為化合物(B3) ’除此以外與實施例2〇以同 樣方法製作有機EL元件。施加20mA/cm2之電流時之驅動電壓及 外部量子效率如表1所示。 【0127】 實施例26 (化合物(B13)之元件評價) 將化合物(A2)改變為化合物(B13),除此以外與實施例2〇以同 樣方法製作有機EL元件。施加20mA/cm2之電流時之驅動電壓及 外部量子效率如表1所示。 【0128】 比較例2 (NPD之元件評價) —將化合物(A2)改變為NPD(4,4,-雙萘基)-N-苯基]聯 苯)’除此以外與實施例20以同樣方法製作有機EL元件。施加 20mA/cm2之電流時之驅動電壓及外部量子效率如表1所示。 【0129】 化合物 (電洞輸送 層) 驅動電壓 (V) 外部量子 效率(%) 實施例20 (A2) 8.5 11.8 ~ 實施例21 (A45) 8.3 10.5 實施例22 (A52) 8.5 10.2 實施例23 (A57) 8.6 11.4 實施例24 (A59) 8.7 10.1 實施例25 (B3) 8.6 11.9 實施例26 (B13) 8.5 11.7. , 比較例2 NPD 8,8 8.70 [表1] 41 201233677 【0130】 實施例27 (化合物(A2)之元件壽命評價) 將豐層有厚度200nm之ITO透明電極(陽極)之玻璃基板,利 用丙酮及純水進行超音波洗滌、利用異丙醇進行沸騰洗滌。並進 行紫外臭、氧洗務,設置於真空蒸錢裝置後,以真空栗浦排氣至 達1x10 Pa。、首先’在1丁〇透明電極上以蒸鍍速度〇 lnm/秒蒸鍍 銅酞花青」成為10nm之電洞注入層。然後,將以蒸鍍速度 0.3nm/秒洛錢25nm ’之後將化合物(A2)以蒸鍍速度〇 lnm/秒蒸鍍 5nm。然彳以蒸鍍速度〇.25nm/秒進行共同蒸鍍,使磷光摻雜物 材料參(2-苯基吡啶)銥(lr(ppy)3)與主體材料4,4,_雙^_咔唑基)聯 苯(CBP)的重量比為1 : η·5 ’製成3Gnm的發光層。其次以蒸鑛速 度0.3nm/秒蒸鍍BAlq(雙(2·甲基-8-羥基喹啉)(對苯基酚基)鋁),製 成5nm之激子阻擋層後,再以〇 3nm/秒蒸鍍Alq3(參(8_羥基喹啉) 鋁)’製成45nm之電子輸送層。然後,以蒸鍍速度〇 〇lnm^>、蒸鍍 〇.5nm氟化鋰當做電子注入層,再以蒸鍍速度〇2511111/秒蒸鍍 lOOnm鋁,形成陰極。於氮氣氛圍下以uv硬化樹脂黏接密 的玻璃板,製成評價用之有機EL元件。於以此方式製作之元件施 加6.25mA/cm2之電流’並評價輝度半減時間。結果如表2 【0131】 貫施例28 (化合物(A57)之元件壽命評價) 將化合物(A2)改變為化合物(A57),除此以外與實施例27以 樣方法製作有機EL元件。施加6.25mA/cm2之電流時之輝$主、士 時間如表2所示。 '千-千减 【0132】 實施例29 (化合物(A59)之元件壽命評價) 42 201233677 將化合物(A2)改變為化合物(A59),除此以外與實施例27以同 樣方法製作有機EL元件。施加6.25mA/cm2之電流時之輝度半減 時間女1表2所示。 【0133】 參考例1 (參考化合物(a)之元件壽命評價) 將化合物(A2)改變為下列參考化合物(a),除此以外與實施 27以同樣方法製作有機a元件。施加⑶—⑽2之電流時 度半減時間如表2所示。 【0134】
參考化合物(a) 【0135】 [表2] 實施例27 實施例28 貫施例29 參考例1 (A2) 1460 (A57) 1580 (A59) 1650 參考母合物⑻ ii3〇 [產業利用性] 43 【0136】 201233677 層、電洞輪送層或電洞注入声物當做有機EL元件之發光 輸送層之形成材料為有用。丄材料為有用,尤其當做電洞 光層、電洞輪送層及制注^|巾=明之胺化合物之選自發 電壓低、發光效率高、耐久性優異。夕一層之有機EL元件,驅動 【圖式簡單說明】 圖1顯示於實施例15進行循淨 之循環伏安圖。 、伏女法測定之胺化合物(A59) 【主要元件符號說明】

Claims (1)

  1. 201233677 七、申請專利範圍: 1. 一種胺化合物,係以下列通式(1)表示
    數可欠具ί碳數1〜36之取代基或齒素原子之碳 其π 11自獨立’表示也可具有碳數1〜%之取代 基或2鹵素原子之具有至少1個C=N鍵之碳數3〜2〇 絲.χ1 及X各自獨立地表示碳原子或氮原子;R1、R1及R4 7 二, 子之原C1〜18之直鍵、分支或環狀之烧基: 直 支或·找氧基、也可具有碳數1〜36之 取代基或鹵素原子之碳數6〜30之芳基、或也可且有數 取代基或i切叔 4〜2G之雜絲 ί 1〜18之直鏈、8分支ί環狀之烧基、或碳數1〜18之ii 刀^或4之餘基;R及R各自獨立,麵較料、碳數U 之直鏈、分支或環狀之絲、碳數卜18之直鏈、分 ,基、或也可具有碳數1〜36之取代基或齒素原子之碳數6〜3〇 2 芳基;m及n各自獨立,表示〇或1之整數[惟m+n為丄 d 及q各自獨立,表示0〜4之整數。 〆 y 45 1 .如申請專利範圍第1項之胺化合物,其中,通式(1)中,A及B 各自獨立,表示也可具有碳數丨〜36之取代基或齒素原子之於 咪唾基、嗟唑基、吼啶基、嘧啶基、吼畊基、^5-三啡美、、养 咪唑基、苯并噻唑基、及喹喔啉基中的取代基。.土 . · . 201233677 3.如申請專利範 為也可具錢* ^或2項之胺化合物,其t,it灿中 聯苯基、間聯代基或«原子之選自於4,二二 〜本基、苯基、及2-苐基之取代基。 承丞、3- t申1利範圍第i或2項之胺化合物 為1且n為〇,或m為。且以卜 通式(1)中、 5. 如申請專利範圍第i或2項之胺化合物,其中 及X2同時為碳原子。 、式⑴中,χΐ 6. —種有機EL元件,其具有包含如申請專利範圍第i或]工 胺化合物的選自於發光層、電洞輸送層及電洞注入層之^至 46
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