TW201232849A - Methodology of forming optical lens for semiconductor light emitting device - Google Patents
Methodology of forming optical lens for semiconductor light emitting device Download PDFInfo
- Publication number
- TW201232849A TW201232849A TW100127597A TW100127597A TW201232849A TW 201232849 A TW201232849 A TW 201232849A TW 100127597 A TW100127597 A TW 100127597A TW 100127597 A TW100127597 A TW 100127597A TW 201232849 A TW201232849 A TW 201232849A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- semiconductor light
- emitting device
- optical lens
- lens
- low surface
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 52
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 46
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 35
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 7
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 claims description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 3
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 2
- 239000011149 active material Substances 0.000 claims description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 2
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical group FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 2
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 2
- 230000009974 thixotropic effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 2
- 238000001723 curing Methods 0.000 claims 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 claims 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims 1
- 239000011359 shock absorbing material Substances 0.000 claims 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 claims 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 abstract description 4
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 12
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000004347 surface barrier Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
201232849 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種透過在半導體發光裝置的支撐結構 上塗佈(applying)低表面能屏障帶或屏障面(low surface energy barrier band or surface)的光學透鏡製造方法。 【先前技術】 半導體發光裝置,例如發光二極體係作為半導體光源使 用,且在過去幾十年已被大量地應用,不僅是LED的效率 及亮度,其製程亦持續地改善。表面固定式LED(surface mount LED)具有一 LED晶粒設於一支撐結構,且將其封裝 於一光學半球形透鏡(optical dome lens),藉以避免機械損壞 及環境影響,並塑造、獲得該LED晶粒的光。 在工業上具有數種製造光學透鏡的主要方法,一般用於 表面固定式LED的透鏡可透過重疊模造或模壓成型方法製 成,其係一種將LED晶粒固設封裝的簡單方法;然而,這 樣的製法需要模具而相對地昂貴,且只有在大量生產的情況 下才具有成本效益。 此外’以重疊模造方法製造用於封裝的光學透鏡具有很 多缺點·’其中一缺點是切割作業(singulation process)會間接 造成透鏡平面區域(plano area)的產生,且無論以切割(dicing) 或鐳射切割,都因為相對位於底部較硬質之材料與位於頂部 較軟質的材料需要達到平衡而降低切割速度。用於切割製程 201232849 的刀刀在循%使用-段時間後,因為封I材料容易黏附於切 割刀刃上而需要重新磨利。而且’在透鏡平面區域的封裝材 料產生切或從該支禮結構剝轉會導致產量損失增加。盆 他的缺點尚有因光線通過透鏡平面區域傳輸到不需要的區 域造成光線輸出損耗以及透鏡平面區域上的昂貴封裝材料 的不必要浪費。 若以非模塑技術(non-molded technology)在支樓結構上 製造光學透鏡將能有效地改善上述缺點;該非模塑技術係於 添加封裴材料之前,先將低表面能材料設於該支撐結構上, 藉此,達到避免在半導體發光裝置之間出現透鏡平面區域, 亦為具有成本效益之方法。 【發明内容】 本發明之主要目的在於提供一種半導體發光裝置之光 學透鏡製造方法,其中,因該方法只涉及一般點膠作業 (dispensing) ’而無需使用成型機形成光學圓頂(〇ptical dome)’以提供一種製造成本降低且較具靈活性的生產方式。 本發明之另一目的在於提供一種半導體發光裝置之光 學透鏡製造方法’其中’該方法設有高表面能或高界面活性 封裝·材料以及低表面能材料(low surface energy material) 〇 本發明之另一目的在於提供一種半導體發光裝置之光 學透鏡製造方法,其中,因該半導體發光裝置之間不存在透 鏡平面區域(piano area),使半導體發光裝置之輸出產量增 201232849 加。 本發明之另一目的在於提供一種半導體發光裝置之光 學透鏡製造方法’其巾,該半導體發光裝置較具有應用靈活 度,不論是設計研發樣品或實際產品上,皆具有週轉時間短 之優點。 本發明之另一目的在於提供一種半導體發光裝置之光 學透鏡製造方法,其巾,該方㈣得以祕應用於半導體發 光模組。 本發明之另一目的在於提供一種半導體發光裝置之光 學透鏡製造方法,其中,該方法係可直接應用於晶片直接封 裝之製程。 緣是,為達上述目的,本發明之最佳實施例提供一種半 導體發光裝置之光學透鏡製造方法,該方法包括取至少—晶 粒貼附於一支撐結構步驟;其特徵在於該步驟進一步包括: (a)將一低表面能材料塗佈(applying)於一支撐結構上; 0)將一封裝材料點膠(dispensing)設於具有該低表面 能材料之該支稽結構上,在該晶粒上形成至少一光學透鏡. (c)固化該封裝材料以將液態物質轉化為固態封裝材 料; 其中’該塗佈低表面能材料步驟係得以在該封裝材料點 膠步驟前的任何階段優先實施。 為達上述目的,本發明之第二實施例提供一種半導體發 201232849 先裝置’其包括1,卜曰决 ^ 一日日板、至少一先學透鏡、一支撐結構; 其特徵在於: X光干透繞未成形有_透鏡平面區域⑻_咖)。 …為達上述目的,本發明之第三實施例提供—種半導體發 光模、、且其具有至少一半導體發光裝置包括至少一晶粒、至 少光予透鏡及作為一支樓結構之印刷電路板;其特徵在 於: 该光學透鏡未成形有1鏡平面區域(pi_ 【實施方式】 在以下詳細說日种,_了多個具體的細節以便全面瞭 明。然而’本發明所屬技術領域内具有通常知識者, 夠理解本發明沒有這些具體的細節也是可以實施的。此 外’為了避免_本發明,料眾所周知的方法、程序以及 /或元件未進行詳細敘述。 本發明透過以下對其實施例的敘述以及配合圖式參考 能更清楚地被理解。 請配合參閱第la圖所示,顯示習知以重疊㈣製程 (〇V_lding ρπ>叫製造•半導體發域置 的方法示意圖。在一具有對應所需& 兄 吓罵透鏡开乂狀之模穴201的模 具200上,分佈(dispe臟1)具一定量的封裝材料3〇3,將模 具200閉合施壓使該封裝材料3〇3充分填充於模穴规内部 之前,將複數個晶粒302設於-放置在該模$ 2〇〇上部的支 201232849 撐結構301上,直到完成重疊模造程序時開啟該模具20〇, 使各該晶粒302上形成一成型透鏡303’的結構。如前所述, 現有的重疊模造程序不僅因需要精密模具配合而增加製造 成本’同時也因產生一透鏡平面區域305(plano area)形成光 折射效應導致光輸出量損失。 請配合參閱第1 b圖所示,顯示本發明以非模塑技術 (non-molded technology)製造用於半導體發光裝置之光學透 鏡的方法示意圖。於該方法中,並不具有如習知重疊模造製 程的模具準備步驟,取而代之的是’由低表面能材料1〇4、 104’在一支撐結構ιοί上形成低表面能屏障帶1〇4或屏障面 104’ ;在該支撑結構1〇1與該封裝劑1〇3之間形成足夠高的 表面能差,藉以使該封裝劑103維持在可能的最低能階,並 自動形成所需要的光學透鏡103’。任何物質的表面能為其分 子間作用力的直接證明,為了證實這一點,當該封裝劑1〇3 被點膠設於該支撐結構1〇1上時,該支撐結構1〇1具有低表 面能屏障帶104或屏障面104’環設於該封裝劑1〇3周侧,使 該低表面能材料104、104,以如此的方法形成以避免潮濕。 在市面上帶有氟碳基團的光學等級聚矽氧(siHc〇ne),具有低 能量且可塗佈於低表面能量屏障帶1〇4或屏障面1〇4,。於本 發明中’該低表面能材料104、104,具有5 mN/m〜8mN/m的 表面能範圍,其較佳為15 mN/m。 δ月配合參閱第lc、Id圖所示,顯示本發明低表面能屏 201232849 障帶或屏障面l〇4設於支撐結構ι〇1之實施態樣。該低表面 能屏障帶104或屏障面104,係得以為圓形、方形、矩形或其 他任何所需形狀以防止該封裝材料1〇3流動擴散,並藉以形 成所需光學透鏡103,形狀;此外,該低表面能屏障層1〇4可 根據不論是研發目的或生產目的等需要,形成具不同尺寸或 數量的設計靈活性,並透過點膠法(dispensing)、拉伸法 (drawn)、模版印刷法(stencil printing)、噴墨印刷(inkjet printing)、轉印法(transfer stamping)、將整個支撐結構 1〇1 沉浸(dipping)於低表面能溶液中或晶圓製造光阻程序(wafer fabrication photo resist process)等方法製成;或者,該低表面 能屏障帶104或屏障面1〇4’得以經衝壓或模造成形為一片狀 材料,並透過黏著劑貼附於該支撐結構1〇1。 在本發明中,該封裝劑1〇3可包含有矽氧樹脂 (silicone)、環氧樹脂(epoxy)或矽氧樹脂與環氧樹脂之混合 物。該封裝劑103的表面能係大於2〇 mN/m,且該封裝劑 103透過添加局界面活性材料㈤钟册心細贈_ι)以及 觸變材料(thixotropic material),藉以增加其表面能;另為 區隔該封裝㈣,輯_支撐結構1G1 _化前後形態以 封裝劑1G3表7F1U化前的封裝材料,以光學透鏡1()3,表示固 化後的封裝材料。 接著,將該封裝劑103點膠設於該具有低表面屏障帶 104或屏障面刚,的切結構ΗΠ上,以直接覆蓋於該晶粒 201232849 1〇2並形成該光學透鏡1〇3,的所需形狀即完成;該封裝劑⑻ 可透過熱、濕冑、紫外光或前述之結合等方式,卩額外加工 或與該點膠作業同時進行,使該龍劑1G3的液態物質經轉 化形成固態封裝劑而固化形成該光學透鏡1〇3,。 請配合參閱第2a、2b圖所示’顯示本發明光學透鏡製 造方法與習知製造方法所成形之透鏡平面區域3〇5 (pian〇 area)比較。使用習知重疊模造製造方法會形成約〇 〇5mm厚 度的透鏡平面區域305 ;在實施重疊模造製程的過程中,該 封裝材料不只填滿該模穴201凹槽,也會擴散至該模穴2〇1 凹槽周側的區域上,導致形成該透鏡平面區域3〇5。透過本 發明無需模具之技術,在完成後並不會產生該透鏡平面區域 305,且由於透鏡平面區域不存在,達到降低切割過程中的 難度以及光折射所產生的光輸出損耗。此外,以本發明製成 的半導體發絲置1GG的熱阻低,因此熱量_經由印刷電 路板散發並提高散熱性。 睛配合參閱第3圖所示,顯示習知製造半導體發光裝置 之々IL程圖。一般而g,該製造程序包括第一製程及第二製 程’其中’該第-製程的輸出為半導體發光裝置的單元體, 該第二製㈣輸㈣為半導體發錢組。該第—製程係起始 於將該晶粒貼附於該支撐結構,該支撐結構包括含有金屬導 線(metal leads)或其他任何結構的陶瓷基板或聚矽氧基板。 透過貼附-打線(wke bond)形成電性連接,該打線(_ b〇nd) 201232849 較佳為金線連結(gold wireb〇n(jing)以連接該晶粒與該支撐 、’·σ構局。卩接觸,遠支樓結構係透過將兩件模具互相擠壓而壓 縮成型,並將預設封裝材料分佈於其中一模具,藉以在該晶 粒上形成該光學透鏡;接著將成形有該透鏡的支撐結構自該 模具中移除,當該晶粒上形成預定形狀的透鏡後,將所有工 件於進行檢測後切割,再將該半導體發光裝置包裝成袋或成 捲以便於出貨。 該第二製程則始於印刷電路板的焊料印刷(s〇丨der printing),接著以表面貼附技術(SMT)將第一製程輸出的半 導體發光裝置單元體貼附於印刷電路板的表面上,其他電路 疋件也可以同時進行表面貼附作業。再將該電路板進行迴流 焊接(reflow soldering)使焊料融化,並加熱該電路板或該模 組的鄰接面;於焊接後,對該電路板或該模組進行檢測再切 割。該第二製程結束於該半導體發光模組的包裝出貨。 請配合參閱第4圖所示,顯示本發明製造半導體發光裝 置之流程圖。如同習知製造方法’本發明之製造方法係始於 將該晶粒102貼附於該支撐結構1〇1,該支撐結構1〇ι係為 一陶瓷基板、一聚矽氧基板或其他形式的支撐體;透過貼附 一打線(wire bond)形成電性連接,該打線(Wire bond)較佳為 金線連結(gold wirebonding)以連接該晶粒與該支撐結構局 部或金屬墊(metal pad)接觸。於本發明中,複數個低表面能 屏障帶104或屏障面1〇4,透過該低表面能材料104、104,, 201232849 優先該點膠成形且含有高表面能材料的封裝劑1⑽形成於該 支撐結構101 ;該低表面材料104、104,成形該低表面能屏 障帶104或屏障面1〇4’的步驟,係得於本發明點膠作業之前 的任何時候實施;於點膠和固化步驟之後,具預設形狀的透 鏡103’設於該晶粒1〇2,所有工件轉為檢測使用,接著進行 切割步驟;該半導體發光裝置1〇〇最後於包裝盤或包裝管中 進行包裝以便於運輸。 在本發明的另一實施例中,該透鏡103,的製造方法可被 應用到包含LED晶片直接封裝裝置(chip on board device)的 半導體發光模組。該晶片直接封裝基板(chip on board substrate)係為係為金屬芯印刷電路板(Metal Core PCB)、一 般具有或不具有導熱孔(thermal via)、聚亞酰胺撓性板 (polyimide flex board)、玻璃基板(glass substrate)、聚石夕氧基 板(silicone substrate)、陶瓷基板(ceramic substrate)、塑膠基 板(plastic substrate)、引線框架(leadframe)的印刷電路板 (PCB)(環氧樹脂基板FR或CEM)。於本實施例中,該支撐 結構101為該印刷電路板,該光學透鏡103’可直接形成貼附 於該半導體發光模組,而無需在表面貼附製程中安裝半導體 發光裝置的每個單獨的單元,藉此將製程簡化成如第5圖所 示之步驟。 【圖式簡單說明】 第la圖習知以重疊模造方法製造用於半導體發光裝 201232849 置之光學透鏡的流程示意圖。 第lb圖本發明以非模塑技術(non_m〇ided technology) 製造用於半導體發光裝置之光學透鏡的流程示意圖。 第lc圖本發明低表面能屏障帶1〇4設於支撐結構之實 施態樣。 第Id圖本發明低表面能屏障面1〇4’設於支撐結構之 另一實施態樣。 第2a圖習知製造方法成形有透鏡平面區域(piano area) 之結構示意圖。 第2b圖本發明光學透鏡製造方法未成形有透鏡平面 區域(piano area)之結構示意圖。 第3圖習知製造半導體發光裝置及發光模組之流程 圖。 第4圖本發明製造半導體發光裝置之流程圖。 第5圖本發明製造半導體發光模組之流程圖。 【主要元件符號說明】 半導體發光裝置100 支撐結構101 晶粒102 封裴劑103 光學透鏡103’ 低表面能屏障帶104 13 201232849 低表面能屏障面104’ 模具200 模穴201 支撐結構301 晶粒302 封裝劑303 光學透鏡303’ 透鏡平面區域305
Claims (1)
- 201232849 七、申請專利範圍: i 一種半導體發絲置之光學透難造方法,財法包括取 至少一晶粒_於-讀結構步驟;其特徵在於該步驟進 一步包括: (a) 將一低表面能材料塗佈於一支撐結構上; (b) 將一封裝材料點膠設於具有該低表面能材料之 X支樓、構上,在該晶粒上形成至少一光學透鏡; (c) 固化該封裝材料以將液態物質轉化為固態 材料; & 其中,該塗佈低表面能材料步驟係得以在該封裝材 料點膠步驟前的任何階段優先實施。 5.如申請專利範圍第 鏡製造方法,其中 201232849 碳氟基團的聚矽氧材料。 6. 如申請專利範圍第2項所述之半導體發光裝置之光學透 鏡製造方法’其中,該低表面能屏障帶或屏障面係得以經 由點膠法、拉伸法、模版印刷法、喷墨印刷、轉印法、將 整個支樓結構沉浸於低表面能溶液中或晶圓製造光阻程 序等方法製成。 7. 如申睛專利範圍第2項所述之半導體發光裝置之光學透 鏡製造方法,其中,該低表面能屏障帶或屏障面係經衝壓 或模k成形為一片狀材料,並透過黏著劑貼附於該支樓結 構。 申』:專利_第1項所述之半導體發光裝置之光學透 :製&方法’其中’該封震材料係為魏樹脂、環氧樹脂 或其混合物。 鏡1=1:圍二1項所述之半導體發光裝置之光學透 ίο如申咬直 該封敦材料之表面能係大於20 mN/m。 如申請專利範圍第1 鏡製造方沐η 半導體發光裝置之光學透 蜆袈k方法,其中,該封 及觸變材料。 輯枓添加有高界面活性材料以 U.如申請專利範圍第1 鏡製造方法,其中,該封裝材2半導體發光裝置之光學透 濕度或其結合所達成。之固化係透過紫外光、熱、 12.如申請專利範圍第1 所4之半導體發光裝置之光學透 201232849 鏡製造方法,其中,該方法係得以應用於晶片直接封裝装 置上。 13.如申請專利範圍第12項所述之半導體發光裝置之光學透 鏡製造方法,其中,該晶片直接封裝裝置係為金屬芯印刷 電路板、具有或不具有導熱孔、聚亞酰胺撓性板、玻璃基 板、聚矽氧基板、陶瓷基板、塑膠基板、引線框架的印刷 電路板。 ΐ4·一種半導體發光裝置,其包括至少一晶粒、至少一光學 透鏡、一支稽·結構;其特徵在於: 該光學透鏡未成形有一透鏡平面區域。 I5.—種一種半導體發光模組,其具有至少一半導體發光裝 置包括至少-晶粒、至少-光學透鏡及作為 印刷電路板;其特徵在於: 該光學透鏡未成形有一透鏡平面區域。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
MYPI2010003985 MY152737A (en) | 2010-08-24 | 2010-08-24 | Methodology of forming optical lens for semiconductor light emitting device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201232849A true TW201232849A (en) | 2012-08-01 |
TWI487152B TWI487152B (zh) | 2015-06-01 |
Family
ID=45723955
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW100127597A TWI487152B (zh) | 2010-08-24 | 2011-08-03 | 半導體發光裝置之光學透鏡製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN103119738B (zh) |
MY (1) | MY152737A (zh) |
TW (1) | TWI487152B (zh) |
WO (1) | WO2012026801A2 (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI568027B (zh) * | 2012-12-21 | 2017-01-21 | 光寶電子(廣州)有限公司 | 發光二極體封裝結構及其圍牆的製造方法 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103400930A (zh) * | 2013-07-23 | 2013-11-20 | 沈阳利昂电子科技有限公司 | 高效率、宽光角的led模组的硅胶透镜构造及制作方法 |
US20150323965A1 (en) * | 2014-05-09 | 2015-11-12 | Apple Inc. | Self-profiling friction pads for electronic devices |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW331042B (en) * | 1996-10-11 | 1998-05-01 | Highlight Optoelectronics Inc | The apparatus and producing method for wireless light emitted diode |
JP4190095B2 (ja) * | 1999-07-29 | 2008-12-03 | 三洋電機株式会社 | 混成集積回路装置 |
JP3492945B2 (ja) * | 1999-07-19 | 2004-02-03 | 株式会社シチズン電子 | 発光ダイオード |
KR100425566B1 (ko) * | 1999-06-23 | 2004-04-01 | 가부시키가이샤 시티즌 덴시 | 발광 다이오드 |
JP2004119583A (ja) * | 2002-09-25 | 2004-04-15 | Seiko Epson Corp | 光学素子の製造方法 |
AT412928B (de) * | 2003-06-18 | 2005-08-25 | Guenther Dipl Ing Dr Leising | Verfahren zur herstellung einer weissen led sowie weisse led-lichtquelle |
KR100674831B1 (ko) * | 2004-11-05 | 2007-01-25 | 삼성전기주식회사 | 백색 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법 |
US20070096139A1 (en) * | 2005-11-02 | 2007-05-03 | 3M Innovative Properties Company | Light emitting diode encapsulation shape control |
US8969908B2 (en) * | 2006-04-04 | 2015-03-03 | Cree, Inc. | Uniform emission LED package |
JP4954591B2 (ja) * | 2006-04-13 | 2012-06-20 | シャープ株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
JP2009038292A (ja) * | 2007-08-03 | 2009-02-19 | Rohm Co Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
JP2010129923A (ja) * | 2008-11-28 | 2010-06-10 | Showa Denko Kk | 発光部材、発光装置、照明装置、バックライト装置および発光部材の製造方法 |
-
2010
- 2010-08-24 MY MYPI2010003985 patent/MY152737A/en unknown
-
2011
- 2011-06-20 CN CN201180041273.5A patent/CN103119738B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-06-20 WO PCT/MY2011/000114 patent/WO2012026801A2/en active Application Filing
- 2011-08-03 TW TW100127597A patent/TWI487152B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI568027B (zh) * | 2012-12-21 | 2017-01-21 | 光寶電子(廣州)有限公司 | 發光二極體封裝結構及其圍牆的製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103119738A (zh) | 2013-05-22 |
TWI487152B (zh) | 2015-06-01 |
WO2012026801A2 (en) | 2012-03-01 |
CN103119738B (zh) | 2017-03-08 |
WO2012026801A3 (en) | 2012-04-19 |
MY152737A (en) | 2014-11-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI303870B (en) | Structure and mtehod for packaging a chip | |
US20090256222A1 (en) | Packaging method of image sensing device | |
JPH0845972A (ja) | 半導体デバイスの製造方法 | |
TW200816420A (en) | Sensor-type package structure and fabrication method thereof | |
JP6430143B2 (ja) | 樹脂成形装置及び樹脂成形方法並びに成形製品の製造方法 | |
SG102035A1 (en) | Super thin/super thermal ball grid array package | |
US20050156301A1 (en) | Method of packaging an optical sensor | |
TW201042780A (en) | Compact molded LED module | |
JP2007189116A (ja) | 光素子の樹脂封止成形方法 | |
KR101681360B1 (ko) | 전자부품 패키지의 제조방법 | |
JP2004174801A (ja) | 樹脂封止装置 | |
TWI578414B (zh) | 指紋感測晶片封裝方法及利用該方法製成之指紋感測模組 | |
JP5873678B2 (ja) | Ledパッケージ用基板の製造方法、および、ledパッケージの製造方法 | |
US8293572B2 (en) | Injection molding system and method of chip package | |
TWI245430B (en) | Fabrication method of semiconductor package with photosensitive chip | |
TW201232849A (en) | Methodology of forming optical lens for semiconductor light emitting device | |
US7863094B2 (en) | Method for removing bubbles from adhesive layer of semiconductor chip package | |
JP2007059492A (ja) | フレネルレンズ付チップledの構造およびその製造方法。 | |
TWI324829B (en) | Optical semiconductor package and method for manufacturing the same | |
US20090321988A1 (en) | Chip packaging process | |
JP2011238667A (ja) | 固体撮像装置の製造方法および固体撮像装置 | |
CN109616424B (zh) | 一种注塑成型装置及封装结构 | |
TW200929453A (en) | Sensor semiconductor package and method thereof | |
EP3327755A1 (en) | Chip packaging structure and chip packaging method | |
CN115472640B (zh) | 一种图像传感器的封装结构和方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |