TW201229305A - Film deposition apparatus - Google Patents
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201229305 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種成膜裝置’係使得在容器内將相 互反應之至少2種類反應氣體依序供給於基板之供給 循環實行複數次，藉以積層複數層之反應產物來形成薄 膜。 【先前技術】 作為半導體積體電路(1C)之製造程序之一，有例如 被稱為 ALD(Atomic Layer Deposition)、MLD(Molecular Layer Deposition)之成膜方法。此成膜方法多以所謂的 旋轉台式ALD裝置來進行。此種ALD裝置之.-例係由 本說明書申請人所提出（參見專利文獻U。 專利文獻1之ALD装置，例如載置5片基板之旋 轉台在真空容器内配置成可旋轉自如，而於旋轉台上 方，對旋轉台上之基板供給第丨反應氣體之第丨反應氣 體供給部以及供給第2反應氣體之第2反應氣體供給部 係沿著旋轉台之旋轉方向上分離設置著。此外，於真空 容器内設有分離區域，用以將從第i反應氣體供給部被 供給第1反應氣體之第1處理區域與從第2反應氣體供 …σ卩被供給第2反應氣體之第2處理區域加以分離。於 分^區域設有：供給分離氣體之分離氣體供給部 ;以及 天化板面，為了藉由來自分離氣體供給部之分離氣體來 f分離區域維持在比第丨處理區域、第2處理區域為更 高之壓力，而對旋轉台提供狹窄空間。 201229305 依據此種構成’由於藉由被維持在高壓力之分離區 域來分離第1處理區域與第2處理區域是以可充分分 離第1反應氣體與第2反應氣體。而且，即便是旋轉台 進行高速旋轉之情況下，仍可分離反應氣體彼此，可提 昇製造生產量。 專利文獻1日本特開2〇1〇—56470號公報 【發明内容】 但是，希望進一步提升ALD之生產量。為了能符 合此種需求，乃檢討於ALD裝置設置複數真空容器來 達成ALD裝置之實質的大型化。此外，也有人嘗試將 所使用之基板加以大口徑化，以謀求生產量之提升與1C 製造成本的降低。 但是’ 一旦將ALD裝置予以實質大型化，則供給 反應氣體之設備、排氣系統等也必須增強，恐會導致 ALD裝置之製造成本的增加、底面積(footprint)的增大 等。 是以，本發明係提供一種成膜裝置，可一邊防止附 加設備、底面積之過度增加、一邊增加生產量。 依據本發明之第1樣態係提供一種成膜裝置，係於 容器内將相互反應之至少2種類之反應氣體依序朝向 基板來供給，而積層該2種類之反應氣體之反應產物層 來形成薄膜。此成膜裝置具備有：第1旋轉台，係以可 旋轉的方式設置於該容器内，包含有10個以上之基板 載置區域而可分別載置直徑300mm之基板；第1反應 201229305 氣體供給部，係配置於該容器内之第1區域，於與該第 1旋轉台之旋轉方向呈交叉之方向上延伸，朝:向該第1 旋轉台供給第1反應氣體；第2反應氣體供給部，係配 置在從該第1區域沿著該第1旋轉台之該旋轉方向離開 之第2區域，於與該旋轉方向呈交叉之方向上延伸，朝 向該第1旋轉台供給第2反應氣體；第1排氣口，係對 該第1區域所設者；第2排氣口，係對該第2區域所設 者；以及分離區域，係包含有：分離氣體供給部，配置 在該第1區域與該第2區域之間，喷出將該第1反應氣 體與該第2反應氣體加以分離之分離氣體；以及天花板 面，係在其與該第1旋轉台之間區劃出用以流通該分離 氣體供給部所供給之該分離氣體的空間，且所具有之高 度可將流通該分離氣體之該空間的壓力維持在高於該 第1區域以及該第2區域之壓力。 【實施方式】 依據本發明之實施形態，可提供一種成膜裝置，可 一邊防止附加設備、底面積之過度增加、一邊增加生產 量。 以下，參照所附圖式針對本發明之非限定例示之實 施形態做說明。於所附之全圖式中，針對相同或是對應 之構件或是零件係賦予相同或是對應之參照符號而省 略重複說明。此外，圖式非以顯示構件或是零件間之相 對比為目的，從而，關於具體的厚度、尺寸係參照非受 以下限定之實施形態，而由業界人士所決定。 201229305 (第1實施形態） 參照圖1到圖6B來說明本發明之第1實施形態之 成膜裝置。如圖1以及圖2所示般，本實施形態之成膜 裝置10係具備有：扁平真空容器1，具有大致圓形之 平面形狀；以及旋轉台2，設置於此真空容器1内，於 真空容器1之中心具有旋轉中心。 真空容器1如圖2(沿圖1之I—I線之截面圖）所示 般，係具有：容器本體12，具有大致扁平之有底圓筒 形狀；以及頂板11，係經由例如〇型環等密封構件13 而氣密地載置於容器本體12之上面。頂板11以及容器 本體12係以例如鋁(A1)等金屬所製作者。 參照圖1，於旋轉台2形成有用以載置晶圓之複數 載置部24。具體而言，於本實施形態，係沿著旋轉台2 之外周緣在外側設有11個載置部24、於其内側設有5 個载置部24。各載置部24在本實施形態中係以凹部的 形式來構成，為了可載置直徑300mm之晶圓，而具有 比該晶圓之直徑大例如4mm程度的内徑，並具有與1 晶圓之厚度為大致相等之深度。載置部24由於以 方式構成，所以當晶圓載置於載置部24之日4 。此 面和旋轉台2表面（未形成載置部24之區域)成為日日圓表 度。亦即’由於不會因為晶圓之厚度而產生高⑽相同高 可降低於旋轉台2上之氣流出現紊亂。此外差，故 被收納於載置部24，故即便旋轉台2產生旋轉於晶圓 於載置部24之晶圓也不會朝旋轉台2之外 戟置 飛出，可 8 201229305 停留在載置部24。不過，為了讓晶圓確實地停留在載 置部24中，亦可使用後述之晶圓引導環。 此外，所謂具有300mm直徑之晶圓（直徑3〇〇mm 之B3圓）並非意指直控需嚴格地為，而是竟指以 直徑,3〇〇mmi晶圓或是直徑12英吋之晶圓來市^之晶 ，。後述具有45〇mm直徑之晶圓 45〇mm 口部此外’如圖2所示般，旋轉台2於中央具有圓形開 上；開口 °卩之周圍係藉由®筒形狀之核心部21從 部2lf而被保持著。具體而言，如圖3所示般，核心 21a，名t由上較(祕)213與下穀训所構成。於上轂 127，於21之中心錯開之位置形成有貫通孔 有螺孔1 μ又21b在對應於貫通孔127之位置則形成 中而被釘123經由塾片124而被插入貫通孔127 轉台2自^、孔128，藉此，上轂21a與下轂21b將旋 可藉由卸除Sit而固定旋轉台2。旋轉台2之交換 示了1個螺名、 來輕易進行。此外，於圖3中雖顯 應之螺孔12【，12^，惟亦可設置和複數貫通孔127相對 於旋轉台2。藉由複數螺釘丨23來將核心部21固定 Ό ^|5 21 ^ 所示彀，旋轉軸下轂2113係固定於旋轉軸221，如圖2 部23。核^1、部221係經由旋轉轴件222而連接於驅動 此具有旋轉轴221、以及旋轉轴件222彼 轉軸，仗而可藉由驅動部23之旋轉來 201229305 使得旋轉軸件222、旋轉軸221、以及核心部21、甚至 於旋轉台2進行旋轉。 此外，旋轉軸221以及驅動部23係收納於上面開 口之筒狀盒體20内。此盒體20係經由設置於其上面之 凸緣部20a而氣密地裝設於真空容器1之底部内面，藉 此，盒體20之内部環境氣氛從外部環境氣氛受到隔離。 再次參照圖1，真空容器1在旋轉台2上方設有相 互分離之2個凸狀部4A以及4B。如圖示般，凸狀部 4A以及4B具有大致扇形之上面形狀。扇形之凸狀部 4A以及4B係接近於頂部以包圍核心部21的方式裝設 於頂板11之突出部5的外周，其圓弧則沿著容器本體 12之内周壁來配置著。凸狀部4A，4B能以例如鋁等金 屬所形成。為便於說明起見，在圖1中省略了頂板11， 而凸狀部4A,4B係裝設於頂板11之下面。 此外，雖圖示省略，惟凸狀部4B也具有和凸狀部 4A大致相同構成並以同樣方式配置著，故以下針對凸 狀部4B來說明，而省略關於凸狀部4A之重複說明。
參照圖4，凸狀部4B具有朝半徑方向延伸而將凸 狀部4B分割為二之溝槽部43，於溝槽部43收容有分 離氣體喷嘴42。分離氣體喷嘴42如圖1所示般，係從 容器本體12之周壁部導入真空容器1内而延伸於真空 容器1之半徑方向上。此外，分離氣體喷嘴42之基端 部係裝設於容器本體12之外周壁，藉此，相對於旋轉 台2表面被大致平行地受到支撐。此外，於凸狀部4A 201229305 同樣地配置有分離氣體喷嘴41。 分離氣體喷嘴41(42)係連接於分離氣體之氣體供 給源（未圖示）。分離氣體可為氮(N2)氣體或是惰性氣 體，此外，只要是不致對成膜造成影響之氣體，則分離 氣體之種類並無特別限定。於本實施形態，在分離氣體 方面係利用N2氣體。此外，分離氣體喷嘴41(42)具 用以朝向旋轉台2表面仙N2氣體之噴出孔仙、 喷出孔4lh具有約〇·5麵之σ徑，沿著分離氣體喷 嘴41(42)之長度方向以約1〇mm之間隔來配置排列、 此外，從分離氣射嘴41(42)<下端職轉台2表面^ 間隔可為0.5mm〜4mm。 如圖4(沿著圖1之輔助綠S的截關）所示般，葬 由旋轉台2與凸狀部4B來形成具有高度以（凸狀部^ 之下面44距離旋轉台2表面<高度）之分離空間只。古 度hi以例如〇.5mm〜版m為隹，以儘可能小為更佳二 不過’為了避免S旋轉台2之旋轉魏造錢轉台 撞於天花板面44’高度Μ以3·5ιηιη〜6 5mm程度為佳。 另-方面’於凸狀部4B之兩侧區域則形成有藉由旋 台2表面與頂板11下面所區劃而成之第i區域481盥 第2區域482。第1區域481以及第2區域術之高度 (從旋轉台2到頂板11之高度）為例如15mm〜i5〇mm。 於第1區域481設有反應氣體噴嘴31，於第2區域482 設有反應氣體喷嘴32。該等反應氣體喷嘴31，32如圖】 所示般係從容器本體12之外周壁導入真空容器i内， 11 201229305 而延伸於真空容器1之半徑方向上。於反應氣體喷嘴 31,32之長度方向上形成有複數噴出孔33，此等喷出孔 33係以約10mm之間隔來配置排列，具有約〇.5mm之 口徑並朝下方開口（圖4)。從反應氣體噴嘴31供給第1 反應氣體，從反應氣體喷嘴32供給第2反應氣體。於 本實施形態，反應氣體喷嘴31係連接著氧化矽膜之矽 原料的雙特丁基胺基矽烷(BTBAS)之供給源反應氣體 噴，32係連接著作為將BTBASm以氧化而生成^化矽 之氧化氣體的臭氧氣體(〇3)供給源。 ^ 一旦從分離氣體喷嘴41供給氮(n2)氣體，則此n2 氣體會從分離空間η朝向第i區域481與第2區域482 机動。由於分離空間H之高度如上述般相對於第丨區域 481以及第2區域482來得低，故分離空間η之壓力會 比第1區域481以及第2區域482之壓力來得容易維持 在高壓。換言之，以可將分離空間Η之壓力維持在高於 第1區域481以及第2區域482之壓力的方式來決定凸 狀部4Β之高度以及寬度甚至是來自分離氣體喷嘴41 之氣體供給量為佳。為了做此決定，考慮第i以及 第2反應氣體、旋轉台2之旋轉速度等為更佳。如此般， 分離空間Η可對第1區域481以及第2區域482提供壓 力屏壁，藉此，可確實地分離第1區域481以及第2區 域 482。 ‘ 亦即’於圖4中，即使從反應氣體喷嘴31將第1 反應氣體(例如BTBAS氣體)供給於第1區域481，而藉
S 12 201229305 由旋轉台2之旋轉朝向凸狀部4B流動，會因為形成於 分離空間Η之壓力屏壁而無法穿越分離空間H到達第2 區域482。從反應氣體噴嘴32供給於第2區域482之 第2反應氣體（例如ο;氣體）也會因為形成於凸狀部 4Α(圖1)下方之分離空間η的壓力屏壁而無法穿越分離 空間Η到達第1區域481。亦即，可有效地抑制第j反 應氣體(例如BTBAS氣體)與第2反應氣體(例如〇3氣體) 通過分離空間Η而混合。依據本發明之發明者的檢討， 發現藉由以上構成’即便旋轉台2以例如約240rpm之 旋轉速度進行旋轉之情況，也可將BTBAS氣體與〇3 氣體更確實地加以分離。 再次參照圖2 ’位於頂板η下面、將固定旋轉台2 之核心部21加以包圍而被裝設之突出部5係接近於旋 轉台2表面。於圖示例中，突出部5之下面位於和凸狀 部4A(4B)之下面44為大致相同高度，從而，突出部5 下面距離旋轉台2之高度和下面44之高度hi為相同。 此外，核心部21與頂板η之間隔、以及核心部21之 外周與突出部5之内周之間隔也設定成和高度Μ大致 同等。另一方面，於頂板11之上部中央連接有分離氣 體供給管51，藉此供給沁氣體。藉由從分離氣體供給 管51所供給之A氣體，則核心部21與頂板11之間的 空間、核心部21之外周與突出部5之内周之間的空間、 以及突出部5與旋轉台2之間的空間（以下為便於說明 起見，有時將該等空間稱為中央空間)相較於第1區域 13 201229305 481以及第2區域482可具有相對高壓力。亦即，中央 空間可對於第1區域481以及第2區域482提供壓力屏 壁，藉此，可確實分離第1區域481與第2區域482。 亦即，可有效抑制第1反應氣體(例如BTBAS氣體)與 第2反應氣體(例如03氣體)通過中央空間而混合。 如圖2所示般，於旋轉台2與容器本體12之底部 之間的空間設有作為加熱部之環狀加熱器單元7，藉 此，旋轉台2上之晶圓W經由旋轉台2而被加熱至既 定溫度。此外，塊體構件71a係於旋轉台2之下方以及 外周附近以包圍加熱器單元7的方式被設置著。因此， 放置加熱器單元7之空間係從加熱器單元7之外側區域 被區劃出。為了防止氣體從塊體構件71a流入内側，係 以於塊體構件71a上面與旋轉台2下面之間維持著些許 間隙的方式進行配置。在收容有加熱器單元7之區域， 為了對此區域進行沖洗，複數沖洗氣體供給管73係以 貫通容器本體12底部的方式隔著既定間隔來連接著。 此外，於加熱器單元7上方，保護加熱器單元7之保護 板7a係被塊體構件71a以及後述之隆起部R所支樓 著，藉此，即便BTBAS氣體、Ο;氣體流入旋轉台2之 下方空間，仍可保護加熱器單元7。保護板7 a以例如石 英製作者為佳。 力…、β早兀7月匕以例如配置成同心圓狀之 數燈加熱器來構成。蕤此， 猎可獨立控制各燈加熱器，而 可使付旋轉台2之溫度均勻化。 201229305 進一步參照圖2，於容器本體12底部，在環狀加 熱器單元7之内側具有隆起部R。隆起部R之上面係接 近於旋轉台2以及核心部21，於隆起部R上面與旋轉 台2内面之間、以及隆起部R上面與核心部21内面之 間保留有些許間隙。此外，容器本體12之底部具有可 穿通旋轉軸22之中心孔。此中心孔之内徑係比旋轉軸 22之直徑略大，保留有透過凸緣部20a而連通於盒體 20之間隙。沖洗氣體供給管72係連接於凸緣部20a之 上部。 藉由此種構成，如圖2所示般，N2氣體從沖洗氣 體供給管72經由位於旋轉軸22與容器本體12底部之 中心孔之間的間隙、核心部21與旋轉台2底部之隆起 部R之間的間隙、以及隆起部R與旋轉台2内面之間 的間隙而流至加熱器單元7下之空間。此外，N2氣體從 沖洗氣體供給管73流至加熱器單元7下之空間。然後， 該等N2氣體係通過塊體構件71a與旋轉台2内面之間 的間隙而流入排氣口 61。如此般流動之N2氣體可發揮 分離氣體之功用，以抑制BTBAS氣體(03氣體）回流至 旋轉台2之下方空間而和03氣體(BTBAS氣體)產生混 合。 此外，參照圖1，於容器本體12内周面與旋轉台2 外周緣之間的空間、且為面對凸狀部4A下部的位置設 有彎曲部46A，於面對凸狀部4B下部的位置設有彎曲 部46B。由於彎曲部46A與46B具有相同構成，故參 15 201229305 照圖2針對彎曲部46A做說明。如圖示般，彎曲部4从 在本實施形態中係和凸狀部4A —體形成。彎曲部46a 係大致包覆旋轉台2與容器本體12之間的空間，阻止 來自反應氣體喷嘴31之第1反應氣體(BTBAS氣體)通 過此空間而混合。彎曲部46與容器本體12之間的= 隙、以及彎曲部46與旋轉台2之間的間隙例如可和^ 旋轉台2到凸狀部4之天花板面44之高度hl為大致相 同。此外，由於具有彎曲部46A，故來自分離氣體噴嘴 41(圖1)之N2氣體難以朝向旋轉台2之外侧流動。從 而，有助於將分離空間H(凸狀部4A之下面44與旋轉 σ 2之間的空間）的壓力維持在向壓。此外，若於彎曲 部46下方設置塊體構件71b，可進一步抑制分離氣體 流動到旋轉台2下方，此為更加所希望者。 此外，彎曲部46A，46B與旋轉台2之間的間隙，當 考慮旋轉台2之熱膨張，旋轉台2受到後述加熱器單元 所加熱之情況，設定為上述間隔(hl程度）乃為所希望 者。 此外，如圖1所示般，於第1區域481，容器本體 12之一部份朝外側擴張，其下方形成有排氣口 61，而 於第2區域482同樣地，容器本體12之一部份朝外側 5、’其下方形成有排氣口 62。排氣口 61，62係分別或 =通連接於包含有例如壓力調整器以及雜分子泵 之排氣系統，藉此來調整真空容器1内之壓力。由於 排氣D 6i以及62係分別相對於第i區域481以及第2 201229305 區域482所形成者，故主要是第1區域481以、及第 〇 域482受到排氣’從而，如上述般，第1區蜮481、區 第2區域482之壓力變得比分離空間Η之璧乃來〜乂及 此外，排氣口 61係設置在反應氣體喷嘴31與^^° 4Β(相對於此反應氣體喷嘴31沿著旋轉台2之旋大部 Α而位於下游側）之間。排氣口 62係於反應氣體噴 與凸狀部4A(相對於此反應氣體喷嘴32沿著旋轉a 之旋轉方向A位於下游侧）之間、接近於凸狀部 設置者。藉此，從反應氣體喷嘴31所供給之第丨反應 氣體(例如BTBAS氣體）完全從排氣口 61被排氣，2 應氣體噴嘴32所供給之第2反應氣體(〇3氣體)也1人 從排氣口 62被排氣。亦即，此種排氣口 61，62之== 係有助於兩反應氣體之分離。 參照圖1，於容器本體12之周壁部形成有搬運口 1 亩5三j W係通過搬運口 15巾由搬運臂1G被搬運至 真空容器1中或是從真空容器1搬運至外部。此搬運口 u閥15a，藉此來開閉搬運口 15。 曰’參簡5，針對升降銷(協同於搬運臂W將 :環做說：旋轉台2或是從旋轉台2搬出)以及晶圓引 n \ L 。圖5(a)係顯示旋轉# 2之一部份的立體 通孔，並設有可rm之載置部24形成有3個貫 16 〇 刀别通過该專貫通孔而上下動之升降銷 /下叙：降銷16a可支撐推動器P來使得推動器P 由外’於載置部24設有可收容推動器p、所 17 201229305 具有之形狀對應於推動器P之形狀的容置部24b。 一旦降下升降銷16a將推動器p收容於容置部 24b，則推動器P之上面與載置部24之底面會位於相同 高度。此外，如圖5(b)所示般，於载置部24之外周形 成有晶圓支撐部24a。晶圓支撐部24a係沿著載置部24 外周形成有複數個（例如8個），載置於載置部24之晶圓 W係受到晶圓支撐部24a所支撐著。藉此，於晶圓w 與載置部24之底面之間維持著一定間隔，晶圓w之内 面不會直接接觸到載置部24之底面。因此，晶圓經由 和載置部24底面之間的空間而由旋轉台2所加熱，從 而晶圓W可被均勻加熱。 再次參照圖5(a)，於載置部24之周圍形成有圓形 導槽18g，晶圓引導環18可嵌合於此。圖5(c)係顯示嵌 合於導槽18g之晶圓引導環18。如圖示般，晶圓引導 環18具有比晶圓W之外徑來得略大之内徑，當晶圓引 導環18嵌合於導槽i8g之時，晶圓…被配置在晶圓引 導環18之内側。此外，於晶圓引導環18之上面設有爪 部…。爪部18a並未接觸晶圓w，而是朝向晶圓引導 環18之内側自晶圓W外緣略為延伸至内側。例如當真 空容器1 因為特殊原因而出現劇烈的壓力變動之情 況’晶圓W有可能因為該壓力變動而從 出。但是，由於晶圓W被設置於曰 18a所下壓’而可維持在載置部24 ^ 此外，於導槽18g外側設有使得晶圓引導環时 201229305 降之4個升降銷16b。在升降銷16b將晶圓引導環18 上提之過程中，晶圓W藉由搬運臂1〇(圖1)而被搬入於 旋轉台2與晶圓引導環18之間。一旦推動器P被升降 銷16a所上提，推動器P從搬運臂10承接晶圓w，則 搬運臂10退出、升降銷16a下降而將推動器P收容於 載置部24之容置部24b。藉此，晶圓w因被晶圓支撐 部24a所支撐著而被載置於載置部24。接著，一旦升降 銷16b下降而將晶圓引導環18收容於導槽：l8g，則晶 圓W可藉由晶圓引導環18被確實地收容於載置部24。 此外’此實施形態之成膜裝置1〇如圖1所示般， 設有用以控制裝置全體動作之控制部1〇(^此控制部 1〇〇具有例如由電腦所構成之程序控制器1〇〇a、使用者 ”面邰io〇b、§己憶裝置100c。使用者介面部1〇〇b具有 :顯示成縣置動作㈣之顯示器、由成膜裝置之操作 奴序配方或疋由程序管理者變更程序配方之參 數的鍵盤或觸控面板(未圖示）等。 f施—係於程序控制器職中記憶著用以 制程式、程序配方、以及各種程序中 成膜方ΓΓ於該等程式中也有例如 用以進行後述 該等控制程式、程序配方係依照 木目便用者介面部100b 來讀取、警;r 心扣7而稭由程序控制器100a =體儲存在電腦可讀取式 來被安裝於記憶裝置_。電腦;^輸出人裝置，不） 电月自可讀取式記憶媒體100d 201229305 可為硬碟、CD、CD —R/RW、DVD —R/RW、軟碟、半 導體記憶體等。此外，程式亦可經由通訊迴路而下載至 記憶裝置100c。 其次’適宜參照到目前為止所參照之圖式，針對本 實施形態之成膜裝置10之動作（成膜方法)作說明。首 先，旋轉旋轉台2，讓其内側之5個載置部24之一者 整列於搬運口 15，打開閘閥！5a。其次，一旦藉由升降 銷16b將晶圓引導環18上提，則晶圓w藉由搬運臂1〇 通過搬運口 15而被搬入真空容器1内，保持在旋轉台 2與晶圓引導環18之間。晶圓W係由利用升降銷16a 而被上提之推動器（pusher)P所接收，在搬運臂10從容 器1退出後’藉由升降銷16a以及推動器P來載置於載 置部24 °其次，晶圓引導環18藉由升降銷16b來嵌合 於導槽18g。上述一連串的動作係反覆進行5次，而於 旋轉台2之内侧的5個載置部24分別載置晶圓W。接 著’以同樣方式，於旋轉台2之外側的11個載置部24 也分別載置晶圓W，結束晶圓w之搬運。 其次’真空容器1内由未圖示之排氣系統所排氣， 而從分離氣體噴嘴41,42、分離氣體供給管51、沖洗氣 體供給官72,73被供給n2氣體，以未圖示之壓力調整 器將真空容器1内之壓力維持在事先設定之壓力。其 次’旋轉台2從上方觀看開始繞順時鐘方向旋轉。旋轉 台2係藉由加熱器單元7而被事先加熱到既定溫度(例 如300 C) ’晶圓w被載置於旋轉台2而受到加熱。當 201229305 晶圓λν被加熱而維持於既定溫度後，BTBAS氣體通過 反應氣體喷嘴31而供給至第1區域481，仏氣體通過 反應氣體喷嘴32而供給至第2區域482。 當晶圓W通過反應氣體喷嘴31下方之際，晶圓w 表面會吸附BTBAS分子，當通過反應氣體喷嘴32下方 之際，晶圓W表面會吸附〇3分子，以〇3來氧化BTBAS 分子。從而，一旦晶圓W因為旋轉台2之旋轉而通過 第1區域481以及第2區域482兩者一次，於晶圓w 表面會形成氧化矽之一分子層（或是2以上之分子層）。 此私序反覆進彳亍，而於晶圓W表面沉積具有既定膜厚 之氧化>5夕膜。當沉積了具有既定膜厚之氧化矽膜後，停 止BTBAS氣體與〇3氣體之供給，並停止旋轉台2之旋 轉。然後，晶圓W係藉由和搬入動作相反的動作而藉 由搬運臂10從真空容器1被搬出’結束成膜程序。 依據本貫施形態之成膜裝置1〇，由於在旋轉台2 可載置具有300mm之直徑的16片晶圓，故相較於在旋 轉台載置例如5片晶圓之情況，生產量可提高3 2倍。 此外，相較於具有2個真空容器（具備可載置例如5 片300mm晶圓之旋轉台2)之成膜系統，本實施形態之 成膜裝置10具有以下優點。圖6A(a)係作為比較例之成 膜系統，具備有：2個真空容器10c ;與此等連接之真 空搬運室106 ;經由加載互鎖室105a〜l〇5c來和真空搬 運室106連接之大氣搬運室1〇2 ;平台F，係結合有與 大氣搬運室 102 結合之 FOUP(Fr〇nt_〇pening Unified 201229305
Pod)等晶圓載具。如圖示般’於真空容器l〇c内設有旋 轉台200，其具有可載置300mm晶圓之5個載置部 240。另一方面，圖6A(b)所示之成膜系統係具備有：本 發明之實施形態之成膜裝置10 ;真空搬運室106 ;對真 空搬運室106經由加載互鎖室l〇5a〜105c來連接之大氣 搬運室102 ;以及平台F，係載置和大氣搬運室1〇2結 合之晶圓載具。圖6B(a)係對應於圖6A(a)之成膜系統而 顯示了例如配置於潔淨室樓下空間之附加設備之圖。如 圖示般，對應於2個真空容器l〇c，設有2個變壓器TS、 2個臭氧生成器〇g、2個冷凝器CH、4個排氣裝置ES、 以及2個除害設備ττ。此外，於該等設備周圍係設有 用以保守逐一檢查該等設備之空間MS。合計起來會需 要約5.4mx約4m到約21.6m2之空間。另一方面，如圖 6B(b)所示般’依據具有本發明之實施形態之成膜裝置 1〇的成膜系統（圖6A(b))，雖各設備略為大型化，但分 別僅需1個即足夠，是以以約5.4mx約3m到約16.2m2 程度之空間即足夠。亦即，可達成約25%((21.6 — 16.2)/16.2 = 0.25)之省空間化。 此外’於圖6A(a)以及(b)所分別表示之成獏系統彼 此之底面積差，由於真空搬運室106等大致相同，是以 相當於2個真空容器10c與1個真空容器1〇之差。由 於比較用真空容器l〇c之外徑為約l_6m，基於 (1.6/2)2χ3.14χ2之計算，2個真空容器10c之專有面積 成為4.02m2。另一方面，由於真空容器1〇之外經為約
S 22 201229305 之计算’真空容器丨之專有面 丨，圖6A(b)所示成膜系統之底面 例如真空搬運室106以及真空容 2.4m，基於(2.4/2)2x3.14 積成為4.52mm2。從而， 積會變得較大。但是，例 f l(l〇e)等和外部$境相隔離之裝置，亦可配置於潔淨 至^維修區等潔淨度低的環境。如此—來，幾乎沒有對 你/爭至内專有面積之增加的影響。 此外，依據本實施形態之成膜裝置10，由於凸狀 #4A，4B與旋轉台2之間的分離空間H(參照圖4)之高 度hi比第1區域481以及第2區域482之高度來得低， 而可藉由來自分離氣體喷嘴41,42之N2氣體的供給將 刀，空間Η維持在比第1區域481以及第2區域482 之壓力為更高壓力。從而，可輕易分離第丨區域481與 第2區域482。換言之，第1反應氣體與第2反應氣體 幾乎不會在真空容器丨内之氣相中發生混合 。此外，從 分離空間Η朝第1區域481以及第2區域482流出之 $氣體，由於反應氣體喷嘴31，32接近於旋轉台2上面 而分離於頂板11’故容易流入反應氣體噴嘴31,32與頂 板11之間的空間。從而，從反應氣體喷嘴31，32所分 別供給之第1反應氣體以及第2反應氣體不會因為A 氣體而被大幅地稀釋。 此外’於本實施形態中，旋轉台2不限於圖1所示 具有16個載置部24者，可做各種變形。例如如圖7(a) 所示般，亦可使得可載置直徑3〇〇mm晶圓之載置部24 於旋轉台2内側設置5個、而於其外側設置10個。此 23 201229305 外，如圖7(b)所示般，亦可僅於外侧（沿著外周之區域) ό又置11個載置d卩24 ’亦可設置1 〇個載置部μ。即便 是僅於外侧設置載置部24之情況，相較於5個之情況 可增加生產量。 (第2實施形態） ”人 > …圖8至圖11來說明本發明之第2實施 形態之成膜裝置刚。此外，以下係以相對於第i實施 形態之成膜裝置10的差異處為中讀說明，關於實質 相同之構成係省略其說明。 如圖8所示般，於成膜裝置刚之旋轉台2a係設 有5個載置部24可分別恭番古γ ^ 刀乃置直徑450mm之晶圓。於旋 轉台2a亦可設置參照圖5所說明過之晶圓支樓部⑽、 升降銷16a、B曰圓引導環18、爪部18a、以及升降銷 等。 此外，於成膜裝置100係設有供給第i反應氣體(例 如BTBAS氣體)之3支反應氣體噴嘴31A，31B，31C。此 等係貫通谷器本體12之側周壁而導入於真空容器1 内’沿著旋轉台2a之半徑方向而和旋轉台2a之上面呈 大致平行地受到支撐著。反應氣體噴嘴31A〜31C之卞 端與旋轉台2a上面之間隔可為例如〇.5mm〜4mm。如圖 示般，反應氣體喷嘴31A,31B，31C個別長度不同，依反 應氣體喷嘴31A、反應氣體喷嘴31B、以及反應氣體嘴 嘴31C之順序變短。此外，於該等反應氣體噴嘴 31A〜31C係分別沿著長度方向設有複數喷出孔（圖示省
S 24 201229305 略）’其以既定間隔來配置並朝旋轉台2a開口著。喷出 孔之直徑可為約0.5mm。 此外’各反應氣體噴嘴31A，31B，31C係藉由分別設 有質流控制器等流量控制器之配管（未圖示）而連接於供 給第1反應氣體之反應氣體供給源。藉此，從各反應氣 體喷嘴31A，31B，3lC所供給之第1反應氣體之流量可獨 立控制。 m像汉應乱體噴嘴31A,31B，31C，一邊從反應氣體 喷嘴31Λ沿著旋轉台2a之半徑方向均勻地供給第1反 應，體’一邊從例如反應氣體喷嘴31B以及31C也供 給第1反應氣體’藉此，可抑制第1反應氣體之實質濃 度f接近於旋轉台2a外緣之區域出現降低。接近於旋 轉# 2a +緣之區域，由於線速度大、氣麟速快，而 ,尚有第1反應氣體難以吸附於晶圓之情況。但是，藉由 從反應，體噴嘴3lB、；31C也供給第1反應氣體，可促 、 氣體在接近旋轉台2a外緣之區域的吸附。 此外’於成膜裝置1〇〇設有氣體注射器320。以下， >知、圖9至目11說明氣體注射器320。氣體注射器320 ’、有，既定氣體以電毁來活性化而供給於晶圓之功能。 氣體注射器320,如圖9所示般，具備有扁平且細 形狀的氣體注射器本體32卜如圖9以及圖 m/該氣體靖器本體321之内部呈現空洞。 :體左射盗32〇係例如以電聚姓刻耐性 製作。内部之空洞係形成有由延伸於長度方向上之= 25 201229305 壁324所區劃之寬度不同的2個空間，其中之一係用以 將既定氣體電漿化之氣體活性化室323，另一者係用以 對此氣體活性化室323肖勻地供給既定氣體之氣體導 入室322。如圖11所示般，氣體導入室322之寬度相 對於氣體活性化室323之寬度的比為例如大約2 : 3， 氣體導入室322之容積較大。 如圖10以及圖11所示般，於氣體導入室322内， 係沿著氣體注射器本體321之側壁（亦即沿著分隔壁324) 以從基端側朝向前端侧延伸的方式配置有管狀之 導入噴嘴34。於此氣體導入喷嘴34之對向於分隔壁324 之側周壁上，氣體孔341係在噴嘴34之長度方向上隔 著間隔而穿設著，可朝向氣體導入室322内喷出既定氣 體。另-方面’氣體導人喷嘴34之基端側在氣體注射 器本體321之側壁部係和氣體導入埠39(圖9)連接著， 此氣體導人埠39係連接於未圖示之氣體供給源。從此 氣體供給源通過氣體導入埠39而對喷嘴34提供既定氣 體。 對向於氣體導入喷嘴34之氣體孔341的分隔壁324 上部，在相當於和氣體注射器本體321之天花板面的連 接部之高度位置，於長度方向上呈細長矩形狀之連通孔 亦即缺口部325係沿著氣體導入室322之長度方向（沿 著後述電極36a，36b之長度方向）保持間隔而設置著，可 將供給於氣體導入室322内之既定氣體朝氣體活性化 至323之上方部做供給。此處例如從氣體導入喷嘴34
S 26 201229305 之氣體孔341到分隔壁324之距離「L1」係設定為例如 從相鄰之氣體孔341所喷出之氣體在氣體導入室322内 於長度方向上擴散、混合，而於該長度方向上可成為均 勻的濃度並流入各缺口部325。 於氣體活性化室323内，2支由介電體所構成之例 如陶瓷製襯套管35a，35b係從該空間323之基端側朝向 前端側而沿著分隔壁324做延伸，該等襯套管35a，35b 係保有間隔而在水平方向上相互並行配置著。於各襯套 官35a，35b之官内，自基端部朝前端部貫通插設有例如 耐熱性優異之鎳合金製之例如直徑5mm程度的電極 36a，36b(圖10)。藉此，一對電極36a，36b在由襯套管 35a，35b之材料亦即陶瓷所包覆之狀態下，在例如 2mm〜10mm之間例如保有4mm之間隔彼此並行延伸配 置著。各電極36a，36b之基端側係被拉出至氣體注射器 本體321之外部，於真空容器】之外部經由整合器而和 尚頻電源（皆未圖不)連接著。藉由對該等電極取鳩 以例如13.56MHz供給例如1〇w〜2〇〇w範圍之例如 ioow的高頻電力，則流經2支襯套管35a，3i;b之間的 電漿產生部351之既定氣體會以電容耗合型電聚方式 被電漿化(活性化）。此外，2支襯套管取说係貫通氣 體注射器本體32丨之基端部側的側壁而延伸至外部，該 等襯套管35a，35b係由固定於氣體注射器本體321之侧 壁部的例如陶竞製保護管37所被覆著。 此外於此電漿產生部351之下方的氣體注射器本 201229305 體321底面，用以將利用該電漿產生部351所電漿化後 之活性化既定氣體朝下方喷出之氣體噴出孔330係於 氣體注射器本體321之長度方向（亦即電極36a，36b之長 度方向）上保有間隔而配置著。此外如圖10所示般，從 襯套管35b之頂部到氣體活性化室351之天花板面的距 離「h2」和從襯套管35b之侧壁面到對向之分隔壁324 的距離「w」之關係為例如r h2 2 w」，故從氣體導入 室322流入氣體活性化室323之既定氣體主要係通過2 個襯套管35a，35b之間而非通過分隔壁324與襯套管 35b之間來流向氣體喷出孔330。 具備以上說明之構成的氣體注射器本體321之配 置方式係例如將前述導入谭39、保護管37固定於容器 本體12側周壁而使得基端側被懸臂支撐著，其前端側 則成為朝旋轉台2之中心部延伸著之狀態。此外氣體注 射器本體321之底面的高度位置係被調整成為使得從 氣體活性化室323之氣體喷出孔33到載置於旋轉台2 之凹部24的晶圓W表面之距離落於例如lmm〜10mm 之範圍（例如l〇mm)。此處氣體注射器本體321係以可 自容器本體12可裝卸的方式所構成，於保護管37與容 器本體12之連接部係以例如未圖示之〇型環來維持真 空容器1内之氣密狀態。 對氣體注射器320之氣體喷嘴34所供給之既定氣 體可為例如〇2氣體。於此種情況下，由於可將經活性 化之〇2氣體供給於晶圓W，故可使得吸附於晶圓之
S 28 201229305 體氧化所生成之氧切膜緻密 化，或疋可去除氧切财之有機物等雜質。 疋軋體可為虱(ΝΗ3)氣體。藉此’可對於由Β皿s與 〇3所生紅-好（或是舰分子)層之氧化㈣⑽ 上活性化ΝΗ3分子或錢自由基等，從而可沉積 矽膜。 依據第2實施形態之成膜裝置刚，由於旋轉台2a 可載置5片的直徑45〇mm之晶圓，故相較於例如載置 5片的直徑300mm晶圓之情況，可提高實質生產量。 此外，由於在成膜裝置1〇〇設有供給第i反應氣體 之3支反應氣體噴嘴31A，31B，31C，故可沿著旋轉台2a 之半徑方向均勻吸附第i反應氣體，從而可使得晶圓上 之膜厚、膜質能均勻化。 再者’由於在成膜裝置1〇〇設有氣體注射器320， 故所具有之優點為可將氣體活性化來供給，可對藉由從 反應氣體喷嘴31，32所分別供給之第1以及第2反應氣 體而生成之膜進行改質。 (第3實施形態） 其次’參照圖12，針對本發明之第3實施形態之 成膜裝置做說明。如圖示般，本實施形態之成膜裝置 101在旋轉台方面係使用了圖7(b)所示者。此旋轉台2 沿著外周緣係形成有U個載置部24,内側則無載置部 24 °於本實施形態，係對應於旋轉台2不具載置部之内 侧（的區域)來增大突出部5之外徑。再者，伴隨於此， 29 201229305 圓弧的長度也變大。在這心方面，本 貫施㈣之成膜裝置101係不同 =』 裝置10,而在其他構成方面則實質相同貫㈣权成膜 依據此種構成，由於突出部5 :變廣，故可確實抑制來自反應氣體走二 應巩體與來自反應氣體喷嘴32之第 出部5與核心部21之周邊區域而產生混:?=: 於凸狀部4A，4B之内圓弧變長，故可確 之第1反錢體與來自反應缝噴嘴32: 第2反應軋體通過突出部5與凸狀部从，犯之交界區域 Γτ產t混合。當真空容器1内之壓力低之情況(例如 1T㈣’凸狀部4A，4B與旋轉台2之間的分離空間Η(圖 4)之壓力與第1區域481以及第2區域482之壓力的差 距變小’分離效果可能會降低，但依據本實施形態，由 於可增加分離空間Η沿著旋轉台2之旋轉方向上的長 度’可得到充分的分離效果。 此外，由於可在旋轉台2上载置j片的直徑3〇〇mm 晶圓’故相較於例如5片之情況，可提高生產量。 以上，參照數個實施形態來說明了本發明，惟本發 明不限定於所揭示之實施形態，可參酌所附申請專利範 圍來進行各種變更以及變形。 例如，第2實施形態之成膜裴置1〇〇之旋轉台2a 亦可設置於第1實施形態之成獏裝置1〇，第1實施形 態之成膜裝置10之旋轉台2亦可設置於第2實施形態
S 30 201229305 之成膜裝置100 〇此外，亦可將圖7所示旋轉台2設置 於第2實施形態之成膜裝置1〇〇。亦即，本發明之實施 形態之成膜裝置，藉由將可載置具有3〇〇mjJ直徑之晶 圓的，台與可載置具有45G_直徑之晶_旋轉台 進仃父換，而可於具有30〇mm直徑之晶圓上沉積膜、 亦可於具有45〇mm直徑之晶圓上沉積膜。亦即，依據 本發明之實施形態之成膜裴置，即便是從直徑 300mm 之晶圓移轉為直徑4 5 〇 m m之晶圓的情況，亦無須導入 直徑45〇mm晶®用之成縣置或是大#縣地進行改 裝而可對應於直徑450mm之晶圓，此為所能提供之 優點。 此外’旋轉台之交換可藉由參照圖3所說明過之核 心部21之卸除來輕易進行。 去^二形成於旋轉台之載置部24數量不限於例示 降低备！ 2更。例如若增加載置部24之數量，則可 降低。@ 1^圓所需要之&氣體，可謀求製造成本之 二2(2. p/糸顯不為了藉由位於凸狀部4A，4B與旋轉 ^分離空間W分離第1反應氣體與第2 =分離氣體噴嘴41，42供給之N2 慮了可载置特計算之結果。具體而言，係考 台之真空容器大丨里曰曰圓之旋轉台直徑、可收容該旋轉 大小等，以i數來^_及該真空容器中凸狀部4 A，4B之 台之直徑變大，7不晶圓片數。如圖示般，伴隨旋轉 σ载置於旋轉台之晶圓（直徑300mm) 201229305 之數量也增加。如此一來，由於真空容器也變大，故所 應供給之N2氣體流量也增加。但是，儘管晶圓片數增 加（真空容器也變大），然若換算為每〗片晶圓則n2氣體 流量反而減少。 此外，溝槽部43在上述實施形態中係以將凸狀部 4二等分的方式來形成，惟於其他實施形態，亦可例如 以凸狀部4在旋轉台2之旋轉方向上游侧變廣的方式來 形成溝槽部43。 此外，於成膜裝置10、1〇〇、1〇1，反應氣體喷嘴 31，32亦可非從容器本體12之周壁部導入，而是從真空 容器1之中心側來導入。再者，反應氣體喷嘴31，32亦 町相對於半徑方向呈既定角度來導入。 此外，於第2實施形態，對於第丨反應氣體(例如 BTBAS氣體）係使用了 3支反應氣體喷嘴 31A，31B，31C，惟亦可改為或是進一步對於第2反應氣 鱧(例如〇3氣體)使用長度互異之複數支氣體喷嘴。此 外，此種複數支噴嘴亦可設置於第丨實卿態之成膜裝 Ϊ 10、第3實施形態之成膜裝置1(Π。再者，第2實^ 形態之氣體注射器320亦可設置於第i實施形態之成膜 裝置10或是第3實施形態之成膜裝置1〇1。 此外’凸狀部4A，4B沿著旋轉台2之旋轉方向上的 長度，例如對應於載置在旋轉台2内侧之載置部“的 晶圓中心所通過路㈣圓弧長度為晶圓w直 W〜約W、較佳為約1/6以上。藉此，可輕易^
S 32 201229305 空間Η維持在高壓力。 本發明之實施形態之成膜裝置不限於氧化矽膜之 成膜，亦可適用於氮化矽之分子層成膜。此外，亦可進 行使用有二甲基銘(ΤΜΑ)與〇3氣體之氧化|呂(αι2〇3)之 分子層成膜、使用有四乙基甲基胺基錯(丁£]^八211)與〇3 氣體之氧化錯(Zr〇2)之分子層成膜、使用有四乙基甲基 胺基铪(TEMAH)與Ο;氣體之氧化铪(Hf〇2)之分子層成 膜、使用有锶雙四甲基庚二酮酸(Sr(THD)2)與〇3氣體之 氧化锶(SrO)之分子層成膜、使用有鈦甲基庚二酮酸雙 四甲基庚二酮酸(Ti(MPD)(THD))與A氣體之氧化鈦 (Τι〇2)之分子層成膜等。此外，亦可不利用a氣體而是 利用氧電漿。當然，即使使用該等氣體之組合也可達成 上述效果。 本申請案係基於2010年9月3日於日本專利局提 出申請之曰本專利申請第2010— 197953號主張優先 權’將其全部内容援引於本說明書當中。 【圖式簡單說明】 圖1係示思顯示本發明之第1實施形態之成膜震置 的俯視圖。 圖2係示意顯示圖1之成膜裴置之截面圖。
圖3係說明圖1之成膜裝置之旋轉台與固定旋轉台 之核心部之說明圖。 D 圖4係沿著圖1之輔助線s之部份截面圓。 圖5係說明圖1之成膜裝置之旋轉台之基板载置部 33 201229305 之說明圖。 圖6A係說明圖1之成膜裝置之優點之說明圖。 圖6B係說明圖1之成膜裝置之優點之其他說明圖。 圖7係顯示圖1之成膜裝置之旋轉台變形例之圖。 圖8係示意顯示本發明之第2實施形態之成膜裝置 俯視圖。 圖9係顯示圖8之成膜裝置所具備之氣體注射器之 立體圖。 圖10係顯示圖8之成膜裝置所具備之氣體注射器 之截面圖。 圖11係顯示圖8之成膜裝置所具備之氣體注射 器，係具有缺口面之部分放大立體圖。 圖12係示意顯示本發明之第3實施形態之成膜裝 置之俯視圖。 圖13係用以說明本發明之實施形態之成膜裝置優 點之圖。 【主要元件符號說明】
S 1 真空容器 2,2a 旋轉台 4A，4B 凸狀部 5 突出部 7 加熱器單元 7a 保護板 10 成膜裝置 34 201229305 10c 11 12 13 15 15a 16a, 16b 18 18a 18g 20 20a 21 21a 21b 23 24 24a 24b 31,32
31A,31B,31C 41,42 33 34 真空容器 頂板 容器本體 密封構件 搬運口 閘閥 升降銷 晶圓引導環 爪部 圓形導槽 盒體 凸緣部 核心部 上轂 下轂 驅動部 載置部 晶圓支撐部 容置部 反應氣體喷嘴 反應氣體喷嘴 分離氣體喷嘴 喷出孔 氣體導入喷嘴 35 201229305 35a,35b 襯套管 36a,36b 電極 37 保護管 39 導入埠 43 溝槽部 44 下面 46A,46B 彎曲部 51 分離氣體供給管 61,62 排氣口 71a,71b 塊體構件 72,73 沖洗氣體供給管 100 控制部 100a 程序控制器 100b 使用者介面部 100c 記憶裝置 lOOd 電腦可讀取式記憶媒體 101 成膜裝置 102 大氣搬運室 105a〜105c 加載互鎖室 106 真空搬運室 123 螺釘 124 墊片 127 貫通孔 128 螺孔 s 36 201229305 200 旋轉台 240 載置部 221 旋轉軸 222 旋轉軸件 320 氣體注射器 321 氣體注射器本體 322 氣體導入室 323 氣體活性化室 324 分隔壁 325 缺口部 330 氣體喷出孔 341 氣體孔 351 氣體活性化室 481 第1區域 482 第2區域 R 隆起部 W 晶圓 37
Claims (1)
- 201229305 七 申3青專利範圍： .一種成難置，係於容器内將相互反應之至少2種 類之反應氣體依序朝向基板來供給，而積層該2種 類之反應氧體之反應產物層來形成薄膜；具備有·· 第1旋轉台，係以可旋轉的方式設置於該容器 内，包含有10個以上之基板載置區域而可分別載 置直徑300mm之基板； 第1反應氣體供給部，係配置於該容器内之第 1區域，於與該第1旋轉台之旋轉方向呈交又之方 向上延伸，朝向該第丨旋轉台供給第丨反應氣體； 第2反應氣體供給部，係配置在從該第丨區域 沿著該第1旋轉台之該旋轉方向離開之第2區域， 於與該旋轉方向呈交又之方向上延伸，朝向該第1 旋轉台供給第2反應氣體； 第1排氣口，係對該第1區域所設者； 第2排氣口，係對該第2區域所設者；以及 分離區域，係包含有：分離氣體供給部，配置 在亥第1 Q域與s亥第2區域之間，嘴出、將該第1反 應氣體與该第2反應氣體加以分離之分離氣體；以 及天花板面，係在其與該第丨旋轉台之間區劃出用 以流通該分離氣體供給部所供給之該分離氣體的 空間，且所具有之高度可將流通該分離氣體之該空 間的壓力維持在高於該第1區域以及爷第2區域之 壓力。 μ S 38 201229305 2. 如申請專利範圍第1項之成膜裝置，係進一步具備 將該第1旋轉台以可裝卸的方式加以支撐、旋轉之 支撐部； 該第1旋轉台藉由該支撐部可和包含有分別 載置直徑450mm之基板的5個以上基板載置區域 之第2旋轉台進行交換。 3. 如申請專利範圍第1項之成膜裝置，其中該第1以 及第2反應氣體供給部之其中一者或是兩者包含 有在和該旋轉方向呈交叉之方向上延伸之長度互 異之複數氣體喷嘴。 4. 如申請專利範圍第1項之成膜裝置，係進一步具備 氣體注射器，其包含有： 流路形成構件，係藉由分隔壁來區劃成為氣體 活性化室與氣體導入室； 氣體導入埠，係用以對該氣體導入室導入處理 氣體； 一對電極，係於該氣體活性化室内沿著該分隔 壁而相互並行地延伸設置著，被施加用以使得氣體 活性化之電力； 連通孔，係於該分隔壁沿著電極之長度方向設 置著，用以將該氣體導入室内之氣體供給於該氣體 活性化室；以及 氣體喷出口，係為了在該氣體活性化室喷出經 活性化之氣體而於該氣體活性室沿著該電極之長 39 201229305 度方向被設置著。 5. 如申請專利範圍第1項之成膜裝置，其中該第1旋 轉台係具備有：溝槽部，係包圍該基板載置區域； 以及晶圓引導環，係具有比該基板之直徑來得大之 内徑，可嵌合於該溝槽部； 該晶圓引導環包含有爪部，係比載置在該晶圓 引導環内側之該基板的外緣更朝内側延伸。 6. 如申請專利範圍第2項之成膜裝置，其中該第2旋 轉台係具備有：溝槽部，係包圍該基板載置區域； 以及晶圓引導環，係具有比該基板之直徑來得大之 内徑，可嵌合於該溝槽部； 該晶圓引導環包含有爪部，係比載置在該晶圓 引導環内側之該基板的外緣更朝内側延伸。
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