201220857 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明，係有關於搭載有將聲音訊號變換爲電性訊號 之電性音響變換元件的電性音響變換元件搭載基板、以及 具備有電性音響變換元件搭載基板的麥克風單元。又，本 發明，係有關於電性音響變換元件搭載基板以及麥克風單 元之製造方法。 【先前技術】 從先前技術起，在各種形態之聲音輸入裝置（例如， 行動電話或是收發機（transceiver)等之聲音通訊機器、 聲音認證系統等之利用有對於所輸入之聲音作解析的技術 之資訊處理系統、錄音機器等）中，係適用有具備將輸入 之聲音變換爲電性訊號並輸出的功能之麥克風單元。 在麥克風單元中，係包含有將聲音訊號變換爲電性訊 號之電性音響變換元件。電性音響變換元件，例如係如專 利文獻1或2中所示一般，被搭載在形成有配線圖案之基板 (電性音響變換元件搭載基板）上。電性音響變換元件， 係如專利文獻1中所示一般，有著以將與被形成在基板處 之基板內空間（作爲背室而起作用者、或者是作爲音孔（ 音道）而起作用者）相通連的開口作覆蓋的方式而搭載在 基板上的情況。 於此，在本說明書中之所謂「基板內空間」，係指將. 基板外周面（關於被形成有開口之部分，係將開口面假定 -5- 201220857 爲形成外周面者）作爲基準面時，被形成在較該基準面而 更靠基板內側之空間。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本特開2008-510427號公報 [專利文獻2]日本特開2010-41565號公報 【發明內容】 [發明所欲解決之課題] 另外，作爲在麥克風單元中所包含之電性音響變換元 件，由於能夠進行小型化等之理由，係有著利用以半導體 製造技術所形成之 MEMS ( Micro Electro Mechanical System )晶片的情況。此MEMS晶片，係具備有：振動板 ;和空出有空隙地而被與該振動板作對向配置並在其與前 述振動板一同形成電容器之固定電極。 在MEMS晶片中，於振動板和固定電極之間所形成的 空隙，例如係爲1 μιη左右而爲狹小。因此，若是塵埃進入 至此空隙中，則會成爲MEMS晶片之動作不良的原因。 在FR-4基板（玻璃環氧基板）等之包含有樹脂纖維的 基板中，例如會容易從爲了形成貫通孔或者是溝而進行了 切削之面產生纖維層（塵埃之其中一例）。因此，在以將 與基板內空間（具備有被施加了切削等之加工的面）相通 連之開口作覆蓋的方式而搭載MEMS晶片之構成的麥克風 201220857 單元（例如在專利文獻1中有所揭示）中，若是作爲基板 而採用FR-4基板一般之容易產生塵埃的基板，則係有著成 爲容易發生MEMS晶片之動作不良的問題。 有鑑於上述之點，本發明之目的，係在於提供一種： ' 能夠將電性音響變換元件之由於塵埃而發生故障的可能性 降低之電性音響變換元件搭載基板。又，本發明之其他目 的，係在於經由具備此種電性音響變換元件搭載基板，而 提供一種施加有塵埃對策之小型且高品質的麥克風單元。 進而，本發明之其他目的，係在於提供一種對於此種電性 音響變換元件搭載基板以及麥克風單元而言爲合適的製造 方法。 [用以解決課題之手段] 爲了達成上述目的，本發明之電性音響變換元件搭載 基板’係爲搭載將聲音訊號變換爲電性訊號之電性音響變 換元件的電性音響變換元件搭載基板，其特徵爲，具備有 :搭載面’係搭載前述電性音響變換元件，並且形成有被 前述電性音響變換元件所覆蓋之開口；和基板內空間，係 與前述開口相通連；和塗布層，係將前述基板內空間之壁 面的至少一部份作覆蓋。 若依據本構成，則能夠將基板內空間處之被施加有切 斷或切削等之加工的面，藉由塗布層來作覆蓋，並使其成 爲難以產生塵埃之狀態。因此，若是使用本構成之電性音 響變換元件搭載基板，則係易於防止電性音響變換元件之 201220857 故障。 在上述構成之電性音響變換元件搭載基板中，前述塗 布層’係亦可設爲電鍍層》若依據本構成，則係能夠容易 地在將例如貫通配線形成於電性音響變換元件搭載基板上 時而同時地亦形成塵埃對策用之上述塗布層，而爲便利。 又，在上述構成之電性音響變換元件搭載基板中，作 爲基板材料，係亦可設爲使用玻璃環氧材料。如同上述~ 般，玻璃環氧材料，係容易從進行了切斷或切削等之加工 的面而產生塵埃。因此，在本構成的情況時，由上述塗布 處理所進行之塵埃對策的效果，係變得更大。 又，在上述構成之電性音響變換元件搭載基板中，前 述基板內空間，係可設爲並不與前述開口以外之其他開口 相通連，亦可設爲與前述開口以外之其他開口相通連。進 而，當前述基板內空間爲與前述開口以外之其他開口亦作 了通連的情況時，前述其他開□，係可設置在前述搭載面 之背面處，前述其他開口 ’亦可設置在前述搭載面處。麥 克風單元，係依據於目的而被設爲多種類之形態，對於此 多種類之形態，本發明之電性音響變換元件搭載基板係可 廣泛作適用。 爲了達成上述目的’本發明之麥克風單元，其特徵爲 ，具備有：上述構成之電性音響變換元件搭載基板；和以 覆蓋前述開口的方式而被搭載在前述搭載面上之電性音響 變換元件，和與前述電性音響變換元件搭載基板一同地而 形成收容前述電性音響變換元件之收容空間的蓋部。 -8 - 201220857 本構成之麥克風單元，由於係難以在基板內空間中產 生塵埃’因此，係難以發生電性音響變換元件之故障。亦 即是’若依據本構成，則係能夠提供高品質之麥克風單元 〇 在上述構成之麥克風單元中，係亦可設爲下述之構成 :亦即是’前述電性音響變換元件，係爲MEM S晶片，並 具備有：振動板；和空出有空隙地而被與前述振動板作對 向配置，並且與前述振動板一同形成電容器之固定電極。 MEMS晶片，由於係能夠形成爲小型，因此，若依據本構 成’則係能夠提供小型且高品質之麥克風單元。 爲了達成上述目的，本發明之電性音響變換元件搭載 基板之製造方法，其特徵爲，具備有：第1步驟，係製作 出具備有被前述電性音響變換元件所覆蓋之開口和與該開 口相通連之基板內空間以及貫通配線用之貫通孔的基板； 和第2步驟’係對於前述基板內空間以及前述貫通配線用 之貫通孔進行電鍍處理；和第3步驟，係在前述電鍍處理 後，進行蝕刻處理，而在基板外面形成配線圖案。 若依據本構成，則係能夠在形成貫通配線的同時，亦 將與被電性音響變換元件所覆蓋之開口相通連的基板內空 間之壁面藉由電鍍層（塗布層之其中一種形態）來作覆蓋 ’而易於進行施加有塵埃對策之電性音響變換元件搭載基 板的形成。 在上述構成之電性音響變換元件搭載基板之製造方法 中’係亦可設爲下述之構成：亦即是，係更進而具備有： -9- 201220857 第4步驟’係將其他之基板，貼合在藉由前述第3步驟而形 成了前述配線圖案之基板的被形成有前述開口之面的背面 處；和第5步驟，係以將藉由前述第3步驟而形成了前述配 線圖案之基板的被形成有前述開口之面全體作覆蓋的方式 ，而安裝保護蓋；和第6步驟，係在前述其他基板上形成 貫通配線用之貫通孔；和第7步驟，係在以不同順序而進 行的前述第4步驟、第5步驟以及第6步驟結束後，對於藉 由前述第6步驟所形成之前述貫通配線用之貫通孔進行電 鍍處理；和第8步驟，係在前述第7步驟結束後，經由蝕刻 處理來在前述其他塞板上形成配線圖案；和第9步驟，係 在對於前述其他基板而形成了配線圖案之後，將前述保護 蓋分離。 例如在無法單純藉由朝向基板厚度方向之挖掘來形成 基板內空間的情況時，係有著以使用複數枚之基板來形成 電性音響變換元件搭載基板一事較爲便利的情況。本構成 ，係對於如此這般地使用複數之基板來形成具備有基板內 空間之電性音響變換元件搭載基板的情況作了想定。而， 在使用複數枚之基板來形成電性音響變換元件搭載基板的 情況時，會有電鍍處理液或蝕刻處理液等侵入至基板內空 間，並且該殘料最終係被殘留，而製作出被污染了的電性 音響變換元件搭載基板之虞。關於此點，在本構成中，係 預先考慮到在後續工程中電鍍液等可能會殘留在基板內空 間中一事，而設爲事先安裝保護蓋來使基板內空間成爲被 覆蓋了的狀態，之後，再進行電鍍處理以及蝕刻處理。因 -10- 201220857 此，係能夠降低提供如同上述一般之被污染了的電性音響 變換元件搭載基板之可能性。 爲了達成上述目的，本發明之麥克風單元之製造方法 ，其特徵爲，具備有：藉由上述構成之電性音響變換元件 搭載基板之製造方法來製造電性音響變換元件搭載基板之 步驟；和將前述電性音響變換元件以覆蓋前述開口的方式 來搭載在前述電性音響變換元件搭載基板上之步驟；和以 將前述電性音響變換元件作覆蓋的方式而將蓋部被覆在前 述電性音響變換元件搭載基板上之步驟。 若依據本構成，則由於係能夠製造出被施加有塵埃對 策並且污染之可能性爲低的電性音響變換元件搭載基板， 並且係爲使用該電性音響變換元件搭載基板來組裝麥克風 單元之構成，因此，係能夠提供高品質之麥克.風單元。 [發明之效果] 若依據本發明，則能夠提供一種可將電性音響變換元 件之由於塵埃而產生故障的可能性降低之電性音響變換元 件搭載基板。又’若依據本發明，則經由具備此種電性音 響變換元件搭載基板’係能夠提供一種施加有塵埃對策之 小型且高品質的麥克風單元。進而，若依據本發明，則能 夠提供一種對於此種電性音響變換元件搭載基板以及麥克 風單元而言爲合適的製造方法。 【實施方式】 -11 - 201220857 以下’參考圖面，對於本發明之電性音響變換元件搭 載基板及麥克風單元、以及此些之製造方法作詳細說明。 (第1實施形態） 圖1 ’係爲對於本發明所被適用之第1實施形態之麥克 風單元的構成作展示之槪略剖面圖。如同圖1中所示一般 ，第1實施形態之麥克風單元1，係具備有：MEMS晶片1 1 、和搭載有MEMS晶片11之麥克風基板12、以及蓋13。第 1實施形態之麥克風單元1，係作爲全指向性麥克風而起作 用。 由矽晶片所成之MEMS晶片1 1，係爲本發明之電性音 響變換元件的實施形態，並爲使用半導體製造技術所製造 之小型的電容型麥克風晶片。圖2，係爲對於第1實施形態 之麥克風單元所具備的MEMS晶片之構成作展示的槪略剖 面圖。MEMS晶片1 1，其之外形係爲略直方體形狀，並如 圖2中所示一般，具備有絕緣性之基底基板111、和固定電 極1 1 2、和絕緣性之中間基板1 1 3、以及振動板1 1 4。 在基底基板11 1上，係於其之中央部處被形成有俯視 略圓形狀的貫通孔Ilia。板狀之固定電極112，係被配置 在基底基板111之上，並被形成有複數之小直徑（直徑 ΙΟμπι左右）的貫通孔1 12a。中間基板1 13，係被配置在固 定電極112之上，並與基底基板111相同的，於其之中央部 處被形成有俯視略圓形狀的貫通孔1 1 3 a。被配置在中間基 板1 1 3上之振動板1 44，係爲受到音壓而作振動（在圖2中 -12- 201220857 而於上下方向振動，在本實施形態中，係爲略圓形之部分 作振動）之薄膜，並具備有導電性而形成電極的其中一端 。經由中間基板1 1 3之存在而成爲空出有間隙Gp地來以成 爲略平行之關係而作對向配置的固定電極1 1 2和振動板1 1 4 ，係形成電容器。 MEMS晶片11，由於若是藉由音波之到來而使得振動 板1 14振動則在振動板114和固定電極1 12之間的電極間距 離會改變，因此·，靜電容量係改變。其結果，係能夠將入 射至MEMS晶片1 1處之音波（聲音訊號）作爲電性訊號而 取出。另外，在MEMS晶片11處，藉由被形成於基底基板 111處之貫通孔111 a和被形成於固定電極11 2處之複數的貫 通孔1 12a以及被形成在中間基板1 13處之貫通孔1 13a的存 在，振動板1 1 4之下面側亦係成爲能夠與外部（MEMS晶 片1 1之外部）之空間相通連。 被形成爲俯視略矩形狀之麥克風基板12，係爲本發明 之電性音響變換元件搭載基板的實施形態，於其之上面 12a處，係被搭載有MEMS晶片11。於圖1中，雖係省略圖 示，但是，在麥克風基板1 2處，係被形成有在用以對於 MEMS晶片11施加電壓或者是從MEMS晶片1 1而取出電性 訊號時所需要的配線圖案（亦包含貫通配線）。 又，在麥克風基板12處，係於搭載有MEMS晶片1 1之 搭載面（上面）12a處被形成有開口 121，MEMS晶片1 1， 係以將此開口 1 2 1作覆蓋的方式而被作配置。此開口 1 2 1 .， 係與略圓柱狀之基板內空間1 22相連接。此基板內空間1 22 -13- 201220857 ，係僅與開口 1 2 1相連接，而並未與其他開口相連接。亦 即是，在麥克風基板1 2處，係經由開口 1 2 1以及基板內空 間1 22而被形成有凹部。基板內空間1 22，係爲了將背室（ 面臨振動板1 1 4之下面的密閉空間）之容積作增加而被設 置。若是背室容積增大，則振動板1 1 4係成爲容易作位移 ，而MEMS晶片1 1之麥克風感度係提升。 另外，麥克風基板12，例如亦可設爲FR_4 (玻璃環氧 基板）基板，但是，亦可設爲其他種類之基板。 將外徑設爲略直方體形狀之蓋13，係經由被被覆在麥 克風基板12上，而與麥克風基板12 —同地來形成收容 MEMS晶片1 1之收容空間1 4。在蓋1 3處，係以將在麥克風 單元1之外部所產生的聲音導引至MEMS晶片11之振動板 114處的方式，而被形成有音孔131。另外，蓋13，係爲本 發明之蓋部的實施形態。 若是透過音孔1 3 1而被輸入至收容空間1 4內之音波到 達振動板1 1 4處，則振動板1 1 4係振動，並如同上述一般地 而產生靜電容量之改變。麥克風單元1，係構成爲將此靜 電容量之改變作爲電性訊號來取出並輸出至外部。另外， 用以將在MEMS晶片11處之靜電容量的改變作爲電性訊號 來取出之電性電路部，係以設置在收容空間1 4內爲理想， 但是，就算是設置在收容空間1 4外亦無妨。又，電性電路 部，係亦可在形成MEMS晶片1 1之矽基板上以單晶（ monolithic)來形成。 另外，在第1實施形態之麥克風單元1中，被形成在麥 -14- 201220857 克風基板12處之基板內空間122的壁面122a (在本實施形 態中，係爲基板內空間1 22之壁面全體），係藉由塗布層 CL而被作被覆。此由塗布層CL所致之被覆，例如係可藉 由電鍍處理來得到，塗布層CL，例如係可設爲Cu電鍍等 之金屬電鍍層。經由此由塗布層CL所致之被覆，係能夠 將在麥克風基板12之基板內空間122內而產生塵埃的可能 性降低。 當將麥克風基板12藉由例如玻璃環氧基板（FR-4基板 )來構成的情況時，係容易從麥克風基板1 2之加工面（被 進行有切斷或切削等之加工的面）而產生纖維狀之塵埃。 在並未將基板內空間122之壁面122a藉由塗布層CL來作被 覆的情況時（與本實施形態相異之構成的情況），塵埃係 容易進入至以將與基板內空間122相通連之開口 121作覆蓋 的方式而作了配置的MEMS晶片1 1之內部。對於MEM S晶 片1 1之麈埃的侵入，係會成爲MEMS晶片1 1之故障的原因 。作爲其中一例，係可列舉出：塵埃從被設置在固定電極 1 12處之貫通孔1 12a而侵入，而使得固定電極1 12和振動板 1 1 4之間的間隙Gp (參考圖2 )中堵塞有塵埃的情形。關 於此點，在第1實施形態之麥克風單元1中，藉由塗布層 CL之存在，係難以從基板內空間122而產生塵埃，而能夠 將MEMS晶片1 1之故障的可能性抑制爲較低。 接著，針對製造出上述一般之麥克風基板12以及麥克 風單元1的方法，主要參考圖3來作說明。圖3，係爲用以 對於第1實施形態之麥克風單元所具備的麥克風基板之製 -15- 201220857 造方法作說明的剖面圖，（a)〜（f)係對於製造途中之 狀態作展示，（g )係對於麥克風基板之完成後的狀態作 展示。 在製造麥克風基板12時，首先，係準備將上面和下面 藉由例如Cu等之金屬材料（導電性材料）101而作了覆蓋 的基板121平板狀）（工程a，參考圖3(a))。於此， 基板12’之厚度，例如係爲1.〇mm，導電性材料1()1之厚度 ，係被設爲〇.15μηι。 在準備了的基板12'之略中央位置處，係從上面起來 對於基板12'而一直挖掘至厚度方向（圖3之上下方向）的 途中位置處。藉由此，如圖3 (b)中所示一般，而在基板 1 2 '處，形成俯視略圓形狀之開口 1 2 1、以及與此開口 1 2 1 相連結之略圓柱狀的基板內空間1 22 (僅與開口 1 2 1相連結 ，而並不與其他開口相連結）（工程b )。基板1 2'之挖掘 ，例如，係使用能夠一面對座標位置作控制一面進行立體 物之切削加工的NC( Numerical Control)裝置。基板內空 間1 2 2之尺寸，例如係被設爲直徑〇 . 6 m m、深度0.5 m m。 另外，於此，係設爲藉由利用NC裝置來得到被形成 有開口 1 2 1以及基板內空間1 22之基板（被形成有凹部之基 板）的構成，但是，係並不被限定於此。亦即是，亦可設 爲經由將被形成有貫通孔（該貫通孔之形成，例如係由鑽 頭或雷射所進行）之第1基板（平板狀）和並不存在有貫 通孔之第2基板（平板狀）作貼合，來得到1個的被形成有 開口 1 2 1以及基板內空間1 22之基板。 -16- 201220857 接著，在被形成有開口 121以及基板內空間122的基板 1 2'處，於有必要將上面和下面作電性連接的部分處，如 同圖3 ( c )中所示一般地而形成貫通孔1 〇 3 (例如，直徑 0.3mm)(工程c )。貫通孔1 〇 3之形成，例如係使用續頭 或雷射，或者是使用NC裝置等。有必要將基板12,之上面 和下面作電性連接的部分，係爲依據麥克風單元之電路構 成被作了何種設計一事所適宜決定者。在圖3 ( c )中，係 將形成貫通孔1 〇 3之場所作爲3個場所來展示，但是，係並 不被限定於此。又，工程b和工程c，係亦可將順序作交換 〇 若是在基板1 2'處被形成了貫通孔1 〇 3，則接下來，係 對於貫通孔103進行電鍍處理（例如無電解銅電鍍處理） ，並形成如圖3(d)中所示一般之貫通配線1〇4 (工程d) 。此時，關於基板內空間122之壁面，亦係設爲進行有電 鑛處理。因此，與貫通配線104之形成同時地，基板內空 間122之壁面全體係經由金屬（例如Cu)電鏟層CL (塗布 層CL)而被作被覆。 另外，貫通配線1 04之形成、或者是將基板內空間1 2 2 之壁面藉由塗布層CL來作覆蓋之處理，係亦可藉由電鍍 處理以外之方法來進行，例如，係亦可藉由使用有導電性 糊（塡埋、塗布等）之方法等來進行。 接著，將在基板1 2'之上面以及下面處的需要配線圖 案之部分，如圖3 ( e )中所示一般，藉由抗蝕刻劑1 05來 作遮蔽（工程e )。此時，關於被施加在基板內空間1 22之 201220857 壁面處的塗布層CL (例如Cu電鑛層），亦係藉由抗蝕刻 劑105來作遮蔽。 若是由抗蝕刻劑1 0 5所致的遮蔽結束，則係將基板1 2 | 浸漬在蝕刻液中（工程f )。藉由此，被設置在基板1 2 ’之 上面以及下面處的導電性材料（例如Cu )中，並未被抗蝕 刻劑1 05所覆蓋之部分，係如圖3 ( f )中所示一般地而被 除去。 另外，於此，雖係設爲藉由蝕刻來將不必要之導電性 材料除去的構成，但是，係並不被限定於此，例如亦可設 爲經由雷射加工或者是切削加工來將不必要之導電性材料 除去。 若是蝕刻結束，則進行基板12'之洗淨、抗蝕刻劑105 之除去（工程g)。藉由此，如圖3(g)中所示一般，得 到具備有開口 121以及藉由塗布層CL而將壁面作了覆蓋的 基板內空間1 1 2並且被形成有配線圖案（亦包含貫通配線 )之麥克風基板12。 在此麥克風基板1 2之上面1 2a處，以覆蓋開口 1 2 1的方 式而配置MEMS晶片1 1，進而，以覆蓋MEMS晶片Π的方 式，而將蓋13作被覆，藉由此，而得到圖1中所示之麥克 風單元1。另外，MEMS晶片11，係以不會產生音響漏洩 的方式，而經由黏晶材（例如環氧樹脂系或者是矽膠樹脂 系之接著劑等），來以不會在其自身之底面和麥克風基板 12的上面之間產生空隙的方式而接合在麥克風基板12處。 又’蓋1 3 ’亦係以作氣密密封的方式而例如使用接著 -18- 201220857 劑或接著薄片等來接合在麥克風基板12之上面處。當將電 性電路部搭載在麥克風基板1 2處的情況時，係在將MEM S 晶片1 1以及電性電路部接合在麥克風基板1 2處之後，再將 蓋13接著在麥克風基板12之上面（MEMS晶片1 1等之搭載 面）處。被形成在麥克風基板12之下面處的配線圖案，係 作爲外部電極而被使用。 於上述’針對被設置在麥克風基板12處之配線圖案， 雖係對於藉由以蝕刻法所進行之減算法來形成的構成作了 展不，但是’係並不被限定於此。亦即是，被設置在麥克 風基板1 2處之配線圖案，係亦可藉由印刷或者是塡埋法等 之加算法來形成。 (第2實施形態） 圖4，係爲對於本發明所被適用之第2實施形態之麥克 風單元的構成作展示之槪略剖面圖。如同圖4中所示一般 ’第2實施形態之麥克風單元2，係具備有：MEMS晶片21 、和搭載有MEMS晶片21之麥克風基板22、以及蓋23。第 2實施形態之麥克風單元2，係作爲全指向性麥克風而起作 用。 關於具備有固定電極212 (具備複數之貫通孔2i2a) 和振動板214之MEMS晶片21 (本發明之電性音響變換元 件的實施形態）的構成，由於係爲與第1實施形態之 MEMS晶片1 1相同的構成，因此係省略詳細說明。 麥克風基板22 (本發明之電性音響變換元件搭載基板 -19- 201220857 的實施形態）之構成，雖係爲與第1實施形態之麥克風基 板12略相同之構成，但是，與被形成在麥克風基板22之搭 載面（上面）22a處的第1開口 221相通連之基板內空間222 ，係亦與被形成在麥克風基板22之搭載面的背面（下面） 22b處之第2開口 223相通連，在此點上，係與第1實施形態 之構成相異。亦即是’在麥克風基板22處，係並非被形成 有如同第1實施形態一般之凹部，而是經由第1開口 1 2 1、 基板內空間122以及第2開口 223，而被形成有將麥克風基 板22在厚度方向上作貫通之貫通孔。又，關於蓋23 (本發 明之蓋部的實施形態），雖然亦爲與第1實施形態之蓋13 略相同的構成，但是，係並未被設置有音孔，在此點上， 係與第1實施形態之構成相異。 另外，麥克風基板22，例如亦可設爲FR-4 (玻璃環氧 基板）基板，但是，亦可設爲其他種類之基板。 在第2實施形態之麥克風單元2中，MEMS晶片21，係 以將被形成在麥克風基板22之搭載面22a處的第1開口 221 作覆蓋的方式，而被作配置。經由第1開口 2 2 1、基板內空 間222以及第2開口 223所形成之貫通孔，係作爲音孔而起 作用。亦即是，在麥克風單元2之外部所產生了的音波， 係經過第2開口 223、基板內空間222、第1開口 221而到達 振動板214之下面。
藉由此，振動板214係振動，並產生靜電容量之變化 。麥克風單元2，係構成爲將此靜電容量之改變作爲電性 訊號來取出並輸出至外部。另外，有關於用以將在MEM S -20- 201220857 晶片21處之靜電容量的改變作爲電性訊號來取出之電性電 路部的配置之注意事項，係與第1實施形態的情況相同。 第2實施形態之麥克風單元2，由於係爲將經由麥克風 基板22和蓋23所形成之密閉空間24 (收容MEMS晶片21之 收容空間）作爲背室來利用的構成，因此，係容易將背室 容積增大。故而，係容易使麥克風感度提升。 另外，在第2實施形態之麥克風單元2中，亦同樣的， 被形成在麥克風基板22處之基板內空間222的壁面222a ( 在本實施形態中，係爲基板內空間222之壁面全體），係 藉由塗布層CL而被作被覆。此由塗布層CL所致之被覆， 例如係可藉由電鍍處理來得到，塗布層CL，例如係可設 爲Cu電鑛等之金屬電鍍層。藉由此塗布層CL之被覆所得 到的效果，係與第1實施形態的情況時相同，在第2實施形 態之麥克風單元2中，亦能夠對於在基板內空間222中之塵 埃的產生作防止，並降低MEMS晶片21之故障。 接著’針對製造出上述一般之麥克風基板22以及麥克 風單元2的方法，主要參考圖5來作說明。圖5，係爲用以 對於第2實施形態之麥克風單元所具備的麥克風基板之製 造方法作說明的剖面圖，（a )〜（f )係對於製造途中之 狀態作展示’ （g )係對於麥克風基板之完成後的狀態作 展示。 在製造麥克風基板22時，首先，，係準備將上面和下面 藉由例如Cu等之金屬材料（導電性材料）201而作了覆蓋 的基板22'(平板狀）（工程&，參考圖5(a))。基板22' -21 - 201220857 以及導電性材料20 1之厚度，係可設爲與第1實施形態相同 〇 在準備了的基板22'之略中央位置處，沿著基板22·之 厚度方向（圖5之上下方向）’而使用例如鑽頭或雷射亦 或是NC裝置等，來開孔從上面而貫通至下面的孔（例如 直徑0.6mm)。藉由此，而形成在基板22'之上面處而俯視 略圓形狀之第1開口 22 1、與此第1開口 22 1相通連之略圓柱 狀的基板內空間222、以及被設置在基板22'之下面並且與 基板內空間222相通連之俯視略圓形狀之第2開口 223 (工 程b，參考圖5(b))。 之後，依序進行與第1實施形態的情況時相同之處理 〇 首先，在有必要將上面和下面作電性連接的部分處， 如圖5(c)中所示一般地而形成貫通孔203 (工程c)。另 外，工程b和工程c，係亦可將順序作交換。而後，進行電 鍍處理，而形成如圖5 ( d )所示一般之貫通配線204 (工 程d)。此時，關於基板內空間222之壁面，亦係設爲被進 行有電鍍處理，而將基板內空間222之壁面全體，藉由金 屬（例如Cu )電鍍層CL (塗布層CL )來作被覆。另外， 貫通配線204之形成、或者是將基板內空間222之壁面藉由 塗布層CL來作被覆之處理，係.與第1實施形態相同的，亦 可藉由其他之方法來進行。 接著，將在基板22’之上面以及下面處的需要配線圖 案之部分，如圖5 ( e )中所示一般，藉由抗蝕刻劑205來 -22- 201220857 作遮蔽（工程e )。此時，關於被施加在基板內空間22 2之 壁面處的塗布層CL (例如Cu電鍍層），亦係藉由抗蝕刻 劑2 0 5來作遮蔽。 若是由抗蝕刻劑20 5所致之遮蔽結束，則將基板22'浸 漬在蝕刻液中，並將不必要之導電性材料（例如C u )如圖 5 ( f)中所示一般地除去（工程f )，之後，進行洗淨、 抗蝕刻劑205之除去（工程g )。藉由此，得到如圖5 ( g ) 中所示一般之具備有第1開口 22 1、藉由塗布層CL而被作 了覆蓋的基板內空間222以及第2開口 223，並且被形成有 配線圖案（亦包含貫通配線）之麥克風基板22。 在此麥克風基板22之上面22a處，以覆蓋開口 221的方 式而配置MEMS晶片21，進而，以覆蓋MEMS晶片21的方 式，而將蓋23作被覆，藉由此，而得到圖4中所示之麥克 風單元2。另外，有關於MEMS晶片21或蓋23之接合方法 、以及在將電性電路部搭載於麥克風基板2 2處的情況時之 注意事項，係與第1實施形態的情況相同。又，關於被設 置在麥克風基板22處之配線圖案，係亦可並不藉由減算法 而是藉由加算法來形成，關於此點，亦係與第1實施形態 的情況相同。 (第3實施形態） 圖6 ’係爲對於本發明所被適用之第3實施形態之麥克 風單元的構成作展示之槪略剖面圖。如同圖6中所示一般 ’第3實施形態之麥克風單元3，係具備有：MEMS晶片31 -23- 201220857 、和搭載有MEMS晶片31之麥克風基板32、以及蓋 3實施形態之麥克風單元3 ’係作爲全指向性麥克風 用。 關於具備有固定電極312 (具備複數之貫通孔 和振動板314之MEMS晶片31 (本發明之電性音響 件的實施形態）的構成，由於係爲與第1實施 MEMS晶片1 1相同的構成，因此係省略詳細說明。 於被形成有音孔331之蓋33 (本發明之蓋部的實施 ，由於亦係爲與第1實施形態之蓋1 3相同之構成， 省略詳細說明。 麥克風基板32 (本發明之電性音響變換元件的 態）之構成，係與第1實施形態之構成相異。因此： 施形態之麥克風單元3，相較於第1實施形態之麥克 1，其背室之構成係成爲相異。 被形成爲俯視略矩形狀之麥克風基板3 2，係功 所示一般將3個的基板32a、32b、3 2c貼合所成。方/ ，雖係省略圖示，但是，在麥克風基板32處，係被 在用以對於被搭載在其之上面3 2d處的MEMS晶片 電壓或者是從MEMS晶片3 1而取出電性訊號時所需 線圖案（亦包含貫通配線）。 又，在麥克風基板32處，係於搭載有MEMS晶 搭載面（上面）32d處被形成有開口 321，MEMS晶 係以將此開口 3 2 1作覆蓋的方式而被作配置。此開匸 係與剖面視之略L字狀之基板內空間3 22相連接。此 33。第 而起作 3 12a) 變換元 形態之 又，關 形態） 因此係 實施形 ，第3實 風單元 口圖6中 >圖6中 形成有 3 1施加 要的配 片31之 片31， 3 32 1 > 基板內 -24- 201220857 空間3 22，係僅與開口 321相連接，而並未與其他開口相連 接。如同上述一般，由於麥克風基板3 2係成爲將複數之基 板貼合所成的構成，因此，係能夠容易地得到剖面視之略 L字狀的基板內空間322。另外，麥克風基板32，例如亦可 設爲FR-4 (玻璃環氧基板）基板，但是，亦可設爲其他種 類之基板。 此基板內空間322，係爲了將背室（面臨振動板3 1 4之 下面的密閉空間）之容積作增加而被設置。本實施形態之 基板內空間3 22，由於其之形狀（剖面視之略L字形狀）的 原因，相較於第1實施形態之基板內空間1 22，係能夠將容 積增大。因此，第3實施形態之麥克風單元3，相較於第1 實施形態之麥克風單元1，係能夠期待有麥克風感度的提 升。另外，基板內空間3 22，只要是設爲以能夠將背室容 積增大的方式而具備有與基板厚度方向之挖掘相連接的中 空空間之構成即可，而並不被限定於本實施形態之構成， 例如亦可設爲剖面視之略T字狀等。 在第3實施形態之麥克風單元3中，透過音孔331而被 輸入至MEM S晶片3 1之收容空間3 4 (經由麥克風基板3 2和 蓋3 3所形成）內的音波，若是到達振動板3 1 4處，則振動 板314係振動，並產生靜電容量之變化。麥克風單元3，係 構成爲將此靜電容量之改變作爲電性訊號來取出並輸出至 外部。另外，有關於用以將在MEMS晶片31處之靜電容量 的改變作爲電性訊號來取出之電性電路部的配置之注意事 項，係與第1實施形態的情況相同。 -25- 201220857 另外，在第3實施形態之麥克風單元3中，被形成在麥 克風基板32處之基板內空間322的壁面322a之一部分（除 了基板內空間3 22之底壁以外的部分），係藉由塗布層CL 而被作被覆。此由塗布層C L所致之被覆，例如係可藉由 電鍍處理來得到，塗布層CL，例如係可設爲Cu電鍍等之 金屬電鍍層。藉由此塗布層CL之被覆所得到的效果，係 與第1實施形態的情況時相同，在第3實施形態之麥克風單 元3中，亦能夠對於在基板內空間3 2 2中之塵埃的產生作防 止，並降低MEMS晶片31之故障》 另外，關於基板內空間3 22之底壁，當然的，就算是 設爲藉由塗布層CL而作了被覆的構成亦可。在本實施形 態中，係成爲將麥克風基板32藉由貼合複數之基板32a〜 32c來形成之構成，基板內空間3 22之底壁，係以基板32c 之上面而形成。此基板32c之上面，由於係並非爲被進行 有切斷或切削等之加工的面，因此，係難以產生塵埃。因 此，在本實施形態中，係設爲並不將基板內空間322之底 壁以塗布層CL而作被覆的構成。 接著’針對製造出上述一般之麥克風基板32以及麥克 風單元3的方法’主要參考圖7來作說明。圖7，係爲用以 對於第3實施形態之麥克風單元所具備的麥克風基板之製 造方法作說明的剖面圖，（a)〜（〇)係對於製造途中之 狀態作展示，（P )係對於麥克風基板之完成後的狀態作 展示。 在製造麥克風基板32時，首先，係準備將上面藉由例 -26- 201220857 如Cu等之金屬材料（導電性材料）301而作了覆蓋的第1基 板3 2a (平板狀）。而後，沿著第1基板32a之厚度方向（ 圖7之上下方向），而使用例如鑽頭或雷射亦或是NC裝置 等，來開孔從上面而貫通至下面的俯視略圓形狀之第1貫 通孔3 02 (工程a，參考圖7(a))。第1貫通孔3 02之形成 位置，係被設爲第1基板32a之略中央位置。另外，第1基 板32a之厚度，例如係爲〇.3mm，導電性材料301之厚度， 係被設爲0.15 μιη。又，第1貫通孔3 02之直徑，係被設爲 0 · 6 m m 〇 又，係準備將下面藉由例如Cu等之金屬材料（導電性 材料）301而作了覆蓋的第2基板32b (平板狀）。第2基板 32b以及導電性材料301之厚度，係設爲與第1基板32a的情 況相同。而後，沿著第2基板32b之厚度方向（圖7之上下 方向），而使用例如鑽頭或雷射亦或是NC裝置等，來開 孔從上面而貫通至下面的俯視略圓形狀之第2貫通孔3 03 ( 工程b，參考圖7(b))。此第2貫通孔303，係被設置在 與第1貫通孔3 02相重合之位置處’其之直徑係被設爲較第 1貫通孔3 02更大。另外，當然的，工程a和工程b之順序， 係亦可設爲相反。 接著，在第1基板32a之下面和第2基板32b之上面的至 少其中一者處塗布接著劑，並進行衝壓而將第1基板3 2a和 第2基板32b作貼合（工程c，參考圖7 ( c ))。藉由此， 而得到被搭載有MEM S晶片3 1之搭載面的開口 3 2 1、和與 該開口 321相通連之基板內空間322 (剖面視之略L字狀） -27- 201220857 。另外，代替接著劑，亦可使用接著薄片（例如，厚度 5 Ομιη左右之熱可塑性薄片），且亦可經由熱壓縮來將第i 基板32a和第2基板32b作貼合。 又，如圖7(c)中所示一般，將第1基板32a和第2基 板3 2b貼合所形成之基板，係亦可藉由1枚的基板來形成之 。於此情況，係準備在上面以及下面被設置有導電性材料 之基板。而後，對於此基板，而使用N C裝置來從上面側 和下面側形成挖掘部。若是對於形成挖掘部之面積作改變 ’則藉由從上面側所形成之控掘部和從下面側所形成之控 掘部，係能夠得到與圖7 ( c )中所示者相同之基板。 接著，在第1基板32a之上面和第2基板32b之下面處的 有必要進行電性連接之場所，形成第3貫通孔3 04 (例如， 直徑0.3mm)(工程d，參考圖7 ( d ))。第3貫通孔304 之形成，例如係使用鑽頭或雷射，或者是使用NC裝置等 〇 接著’係對於第3貫通孔304進行電鍍處理（例如無電 解銅電鍍處理），並形成如圖7(e)中所示一般之第1貫 通配線3 0 5 (工程e )。此時，關於基板內空間3 2 2之壁面 ，亦係設爲被進行有電鍍處理，而將基板內空間322之壁 面全體，藉由金屬（例如Cu)電鍍層CL(塗布層CL)來 作被覆。另外，第1貫通配線3 05之形成、或者是將基板內 空間322之壁面藉由塗布層CL來作覆蓋之處理，係亦可藉 由電鍍處理以外之方法來進行，例如，係亦可藉由使用有 導電性糊（塡埋、塗布等）之方法等來進行。 -28- 201220857 接著，對於第1基板32a之上面和第2基板32b之下面處 的有必要形成配線圖案之部分，藉由抗蝕刻劑3 06來作遮 蔽（工程f，參考圖7 ( f ))。此時，關於被施加在基板 內空間322之壁面處的塗布層CL (例如Cu電鍍層），亦係 藉由抗蝕刻劑3 0 6來作遮蔽。 接著，將成爲相互被作了貼合之關係的第1基板32a以 及第2基板3 2b浸漬在鈾刻液中。藉由此，被設置在基板處 的導電性材料（例如Cu )中，並未被抗蝕刻劑3 06所覆蓋 之部分，係被除去（工程g，參考圖7(g))。另外，於 此，雖係設爲藉由蝕刻來將不必要之導電性材料除去的構 成，但是，係並不被限定於此，例如亦可設爲經由雷射加 工或者是切削加工來將不必要之導電性材料除去。 接著，進行被浸漬在蝕刻液中之基板的洗淨，之後， 進行抗蝕刻劑3 06之除去（工程h，參考圖7(h))。而後 ，將下面被導電性材料301所覆蓋了的第3基板32c (本發 明之其他基板的實施形態），貼合在第2基板3 2b之下面（ 工程i，參考圖7 ( i ))。第3基板32c以及導電性材料之 厚度，係設爲與第1基板32a以及第2基板32b的情況相同。 第3基板32c之對於第2基板3 2b的貼合，係只要藉由和第1 基板32a與第2基板3 2b之貼合相同的方法來進行即可。 接著，安裝將第1基板32 a之上面全體作覆蓋並密閉的 保護蓋3 0 7 (工程j，參考圖7 ( j ))。在本實施形態中， 保護蓋3 07係成爲箱形狀，並在設爲使箱的開口朝向下方 之姿勢的狀態下，而將外緣部3 07a接著固定在第1基板32a -29- 201220857 處。在外緣部3 0 7 a以外之位置處，於第1基板3 2a和保護蓋 307之間係被形成有空隙。另外，保護蓋307之形狀，係並 不被限定於此形狀，而亦可設爲平板狀。當保護蓋307爲 平板狀的情況時，係亦可設爲使其之全面被與第1基板32a 的上面作接著。 此安裝保護蓋3 07之工程，係爲爲了在之後的基板製 造工程中而對於基板處理液侵入至基板內空間3 22中並使 最終所得到之電性音響變換元件搭載基板32被污染一事作 防止的目的而被設置者。詳細而言，當沒有保護蓋307的 情況時，在電鍍、蝕刻、洗淨工程中，電鍍液或蝕刻液會 侵入至基板內空間3 22中，並有著其之殘液殘留而使基板 被污染的可能性。關於此點，藉由如同本實施形態一般地 而安裝保護蓋307，係能夠防止上述基板之污染。 接著，在第3基板32c處，開孔從第3基板32c之下面起 而到達第2基板32b之下面處的俯視略圓形狀之第4貫通孔 3 08 (工程k，參考圖7 ( k))。此第4貫通孔308，例如係 可藉由雷射或NC裝置等來開孔，其之直徑，係可設爲 0.5mm左右。另外，工程i〜工程k之順序，係亦可適當地 作交換。 接著，係對於第4貫通孔3 08進行電鍍處理（例如無電 解銅電鍍處理），並形成如圖7(1)中所示一般之第2貫 通配線309 (工程1 )。藉由此，而進行第2基板32b之下面 的配線圖案和第3基板32c之下面的導電性材料301，其兩 者間之電性連接。在進行電鍍處理時，藉由保護蓋3 07之 -30- 201220857 存在，電鍍液係不會有侵入至基板內空間322中的情況。 另外，第2貫通配線309之形成，係亦可藉由電鑛處理以外 之方法來進行，例如，係可列舉出使用有導電性糊（塡埋 、塗布等）之方法等。 接著，在第3基板3 2 c之下面處，將有必要形成配線圖 案之部分，藉由抗蝕刻劑306來作遮蔽（工程m，參考圖7 (m))。接著，將基板（將第1基板32a、第2基板32b、 第3基板32c作貼合所成）浸漬在蝕刻液中，而將第3基板 3 2c之下面的不必要之導電性材料（例如Cu )除去（工程η ，參考圖7(η))。此時，藉由保護蓋3 07之存在，蝕刻 液係不會有侵入至基板內空間3 2 2中的情況。 另外，於此，雖係設爲藉由蝕刻來將不必要之導電性 材料除去的構成，但是，係並不被限定於此，例如亦可設 爲經由雷射加工或者是切削加工來將不必要之導電性材料 除去。 若是蝕刻結束，則係進行基板的洗淨，並更接著進行 抗蝕刻劑3 06之除去（工程〇，參考圖7 ( 〇 ))。最後，如 圖7 ( ρ )中所示一般，將保護蓋3 07之接著部份卸下，而 將保護蓋3 0 7分離（工程ρ )。藉由此，得到具備有開口 321以及藉由塗布層CL而將壁面之一部分作了覆蓋的基板 內空間3 22並且被形成有配線圖案（亦包含貫通配線）之 麥克風基板3 2。 在此麥克風基板32之上面32d處，以覆蓋開口 321的方 式而配置MEMS晶片31，進而，以覆蓋MEMS晶片31的方 -31 - 201220857 式，而將蓋33作被覆，藉由此，而得到圖6中所示之麥克 風單元3。另外，有關於MEMS晶片31或蓋33之接合方法 、以及在將電性電路部搭載於麥克風基板32處的情況時之 注意事項，係與第1實施形態的情況相同。又，關於被設 置在麥克風基板32處之配線圖案，係亦可並不藉由減算法 而是藉由加算法來形成，關於此點，亦係與第1實施形態 的情況相同。 (第4實施形態） 圖8，係爲對於本發明所被適用之第4實施形態之麥克 風單元的構成作展示之槪略剖面圖。如同圖8中所示一般 ，第4實施形態之麥克風單元4，係具備有：MEMS晶片41 、和搭載有MEMS晶片41之麥克風基板42、以及蓋43。此 第4實施形態之麥克風單元4，係作爲雙指向性之差動麥克 風而起作用。 關於具備有固定電極412 (具備複數之貫通孔412a) 和振動板414之MEMS晶片41 (本發明之電性音響變換元 件的實施形態）的構成，由於係爲與第1實施形態之 MEMS晶片1 1相同的構成，因此係省略詳細說明。 麥克風基板42 (本發明之電性音響變換元件的實施形 態）之構成，係與第1、第2以及第3實施形態之構成相異 。被形成爲俯視略矩形狀之麥克風基板42，係如圖8中所 示一般將3個的基板42a、42b、42c貼合所成。於圖8中， 雖係省略圖示，但是，在麥克風基板42處，係被形成有在 -32- 201220857 用以對於被搭載在其之上面4 2d處的MEMS晶片41施加電 壓或者是從MEMS晶片4 1而取出電性訊號時所需要的配線 圖案（亦包含貫通配線）。 又，在麥克風基板42處，係於搭載有MEMS晶片41之 搭載面（上面）42d的靠中央處，被形成有第1開口 421， MEMS晶片41，係以將此第1開口 421作覆蓋的方式而被作 配置。此第1開口 42 1，係與剖面視之略U字狀之基板內空 間422相連接。基板內空間422，係並非僅與第1開口 421相 連接，而亦與被形成於麥克風基板42之搭載面42 d處的第2 開口 423相連接。如同上述一般，由於麥克風基板42係成 爲將複數之基板貼合所成的構成，因此，係能夠容易地得 到具備有第1開口 421、基板內空間422、第2開口 423之構 成。另外，麥克風基板42，例如亦可設爲FR-4 (玻璃環氧 基板）基板，但是，亦可設爲其他種類之基板。 將外徑設爲略直方體形狀之蓋43，係經由被被覆在麥 克風基板42上，而與麥克風基板42 —同地來形成收容 MEMS晶片4 1之收容空間44。在蓋43處，係被設置有與此 收容空間44相通連之第1音孔431。又，在蓋43處，係被形 成有透過第2開口 423而與基板內空間422相通連之第2音孔 43 2。另外，蓋43，係爲本發明之蓋部的實施形態。 在第4實施形態之麥克風單元4中，透過第1音孔431而 被輸入至收容空間44內之音波，係到達振動板414之上面 。又，透過第2音孔432而被輸入至基板內空間422內之音 波，係到達振動板414之下面。因此，若是在麥克風單元4 -33- 201220857 之外部而產生聲音，則振動板414，係經由被施加於上面 處之音壓和被施加在下面處之音壓間的差而振動。 音波之音壓（音波之振幅），係與相距於音源之距離 成反比。而，音壓，在接近於音源之位置處，係急遽地衰 減，並隨著遠離音源而平緩地衰減。因此，當從音源起直 到振動板414之上面爲止的距離和直到下面爲止的距離相 異的情況時，在麥克風單元4之近旁所產生並入射至振動 板414之上面以及下面處的使用者聲音，係在振動板414之 上面和下面處產生大的音壓差，並使振動板振動。另一方 面，從遠方所入射至振動板414之上面以及下面處的雜音 ，由於係成爲略相同之音壓，因此係相互抵消，振動板係 幾乎不會振動。 故而，從經由振動板4 1 4之振動所被取出的電性訊號 ，係可視爲將雜音作了除去的僅代表使用者聲音之電性訊 號。亦即是，本實施形態之麥克風單元4，作爲要求對遠 方雜音作抑制並將近接音集音的近接通話型麥克風，係爲 合適。 另外，用以將在MEMS晶片41處之靜電容量的改變作 爲電性訊號來取出之電性電路部，例如係可設置在收容空 間44內，亦可設置在麥克風單元之外部。又，電性電路部 ，係亦可在形成MEMS晶片41之矽基板上以單晶（ monolithic)來形成。 另外，，在第4實施形態之麥克風單元4中，被形成在麥 克風基板42處之基板內空間422的壁面422a之一部分，係 -34- 201220857 藉由塗布層CL而被作被覆。此由塗布層CL所致之被覆， 例如係可藉由電鍍處理來得到，塗布層CL，例如係可設 爲Cu電鍍等之金屬電鍍層。藉由此塗布層CL之被覆所得 到的效果，係與第1實施形態的情況時相同，在第4實施形 態之麥克風單元4中，亦能夠對於在基板內空間422中之塵 埃的產生作防止，並降低MEMS晶片41之故障。 另外，當然的，亦可設爲將形成基板內空間422之壁 面的全體均藉由塗布層CL來作被覆之構成。在本實施形 態中，係成爲將複數之基板42a〜42c作貼合來形成麥克風 基板42之構成。基板內空間422之並未被設置有塗布層CL 的部分（壁面）’係經由第3基板42c之上面而被形成。此 部分，由於係並非爲被進行有切斷或切削等之加工的面， 因此’係難以產生塵埃。因此，在本實施形態中，係將基 板內空間422之一部份的壁面，設爲並不以塗布層Cl來作 被覆的構成。 接著，針對製造出上述一般之麥克風基板42以及麥克 風單元4的方法，主要參考圖9來作說明。圖9，係爲用以 對於第4實施形態之麥克風單元所具備的麥克風基板之製 造方法作說明的剖面圖，（a )〜（〇 )係對於製造途中之 狀態作展示，（P )係對於麥克風基板之完成後的狀態作 展示。 在製造麥克風基板42時，首先，係準備將上面藉由例 如Cu等之金屬材料（導電性材料）40 i而作了覆蓋的第！基 板4 2 a (平板狀）。而後，沿著第！基板4 2 a之厚度方向（ -35- 201220857 圖9之上下方向），而使用例如鑽頭或雷射亦或是NC裝置 等，來開孔從上面而貫通至下面的俯視略圓形狀之第1貫 通孔402以及第2貫通孔403 (工程a，參考圖9 ( a ))。另 外，第1基板42a之厚度，例如係爲0.3mm，導電性材料 401之厚度，係被設爲0.15 μηι。又，第1貫通孔402以及第2 貫通孔4 0 3之直徑，係被設爲0 · 6 m m。於此，第1貫通孔 402和第2貫通孔403，係被設爲相同的形狀，但是，此些 就算是成爲相異之形狀亦無妨。 又，係準備將下面藉由例如Cu等之金屬材料（導電性 材料）401而作了覆蓋的第2基板42b (平板狀）。第2基板 42b以及導電性材料401之厚度，係設爲與第1基板42 a的情 況相同。而後，沿著第2基板42 b之厚度方向（圖9之上下 方向），而使用例如鑽頭或雷射亦或是NC裝置等，來開 孔從上面而貫通至下面的俯視略矩形狀之第3貫通孔404 ( 工程b，參考圖7 ( b ))。此第3貫通孔404，係以與第1貫 通孔402以及第2貫通孔403相重合的方式而被作設置。 另外，在本實施形態中，係以使第3貫通孔404之右端 與第1貫通孔402之右端成爲同一位置，並使第3貫通孔404 之左端與第2貫通孔403之左端成爲同一位置的方式，而作 形成，但是，係並不被限定於此構成。例如，亦可設爲將 第3貫通孔404之左右端較本實施形態而更朝向左右作擴廣 之構成等。又，第3貫通孔404之形狀，亦並不被限定於本 實施形態之形狀（俯視略矩形狀），而可適宜作變更。又 ，當然的，工程a和工程b之順序，係亦可設爲相反。 -36- 201220857 接著，將第1基板42a之下面和第2基板42b之上面作貼 合（工程c，參考圖9(c))。藉由此’藉由此，而得到 搭載有MEMS晶片41之搭載面的第1開口 421、與第1開口 421相連之基板內空間422 (剖面視之略U字狀）、以及在 搭載有MEMS晶片41之搭載面上而與第1開口 421相獨立地 被設置並且與基板內空間422相連之第2開口 423。另外， 第1基板42a和第2基板42b間的貼合，係只要和第3實施形 態之第1基板32a與第2基板32b間的貼合同樣的來進行即可 。又，與第3實施形態之情況相同的，在圖9 ( C )中所示 之構成的基板（將第1基板42a和第2基板42b貼合所形成之 基板），係亦可藉由1枚的基板來形成之。 以下，雖然在基板之形狀上係有所差異，但是，係藉 由與第3實施形態之情況相同的處理程序，而進行麥克風 基板42之製造。關於與第3實施形態重複之點，係作省略 或者是作簡單記載。 在第1基板42a之上面和第2基板42b之下面處的有必要 進行電性連接之場所，例如使用鑽頭惑雷射或者是NC裝 置等’來形成第4貫通孔405 (例如，直徑0.3mm )(工程 d ’參考圖9 ( d ))。接著，對於第4貫通孔405進行電鍍 處理（例如無電解銅電鍍處理），並形成如圖9(e)中所 示一般之第1貫通配線406 (工程e)。此時，關於基板內 空間422之壁面’亦係設爲被進行有電鑛處理，而將基板 內空間42 2之壁面全體，藉由金屬電鍍層CL(塗布層CL) 來作被覆。 -37- 201220857 另外，貫通配線406之形成、或者是將基板內空間422 之壁面藉由塗布層CL來作被覆之處理，係與第3實施形態 之情況相同的，亦可藉由電鍍處理以外之方法來進行。 接著，對於第1基板42a之上面和第2基板42b之下面處 的有必要形成配線圖案之部分，藉由抗蝕刻劑407來作遮 蔽（工程f，參考圖9(f))。此時，關於被施加在基板 內空間422之壁面處的塗布層CL，亦係藉由抗蝕刻劑407 來作遮蔽。而後，進行由蝕刻液所致之不必要的導電性材 料40 1之除去（工程g，參考圖9 ( g ))、蝕刻後之洗淨、 以及抗蝕刻劑407之除去（工程h，參考圖9(h))。 另外，於此，雖係設爲藉由蝕刻來將不必要之導電性 材料除去的構成，但是，係並不被限定於此，例如亦可設 爲經由雷射加工或者是切削加工來將不必要之導電性材料 除去。 接著，將下面被導電性材料401所覆蓋了的第3基板 42c (本發明之其他基板的實施形態），貼合在第2基板 42b之下面（工程i，參考圖9(i))。接著，安裝將第1 基板42a之上面全體作覆蓋並密閉的保護蓋408 (工程j， 參考圖9 ( j ))。保護蓋408之形狀或安裝方法、使用保 護蓋4 8之理由，係與第3實施形態的情況時相同。接著， 在第4基板42c處，例如使用雷射或NC裝置等，來開孔從 第3基板42c之下面起而到達第2基板42b之下面處的俯視略 圓形狀之第5貫通孔409(工程k，參考圖9(k))。另外 ，工程i〜工程k之順序，係亦可適當地作交換。 -38- 201220857 接著，係對於第4貫通孔4 0 9進行電鍍處理（例如無電 解銅電鍍處理），並形成如圖9(1)中所示一般之第2貫 通配線4 1 0 (工程1 )。藉由此，而進行第2基板4 2 b之下面 的配線圖案和第3基板4 2 c之下面的導電性材料4 0 1，其兩 者間之電性連接。在進行電鍍處理時，藉由保護蓋40 8之 存在，電鍍液係不會有侵入至基板內空間422中的情況。 另外’第2貫通配線4 1 0之形成，係亦可藉由電鍍處理以外 之方法來進行，關於此點，係與第3實施形態相同。 接著，在第3基板42c之下面，將需要配線圖案之部分 藉由抗蝕刻劑407來作遮蔽（工程m，參考圖9 ( m ))， 並將基板（將3個的基板42a〜42c作貼合所成）浸漬在蝕 刻液中，而將第3基板42c之下面的不必要之導電性材料（ 例如Cu)除去（工程n，參考圖9(n))。此時，藉由保 護蓋408之存在，蝕刻液係不會有侵入至基板內空間422中 的情況。 另外，於此，雖係設爲藉由蝕刻來將不必要之導電性 材料除去的構成，但是，係並不被限定於此，例如亦可設 爲經由雷射加工或者是切削加工來將不必要之導電性材料 除去。 若是蝕刻結束，則係進行基板的洗淨，並更接著進行 抗蝕刻劑407之除去（工程〇，參考圖9(〇))。最後，如 圖9 (p)中所示一般，將保護蓋408之接著部份卸下，而 將保護蓋4 0 8分離（工程p )。藉由此，得到具備有第1開 口 421、第2開口 423、以及藉由塗布層CL而將其壁面之— -39- 201220857 部分作了覆蓋的基板內空間422，並且被形成有配線圖案 (亦包含貫通配線）之麥克風基板42。 在此麥克風基板42之上面42d處，以覆蓋第1開口 42 1 的方式而配置MEMS晶片41，進而，以覆蓋MEMS晶片41 並且使第2音孔432與第2開口 423相重合的方式，而將蓋43 作被覆，藉由此，而得到圖8中所示之麥克風單元4。另外 之接合方法、以及在將電性 的情況時之注意事項，係與 ，關於被設置在麥克風基板 藉由減算法而是藉由加算法 1實施形態的情況相同。 ，有關於MEMS晶片41或蓋43 電路部搭載於麥克風基板42處 第1實施形態的情況相同。又 42處之配線圖案，係亦可並不 來形成，關於此點，亦係與第 (其他） 以上所示之實施形態的麥 音響變換元件搭載基板（麥克 還有該些之製造方法，係僅爲 用範圍，係並不被限定於以上 在不脫離本發明之目的的範圍 態的構成，亦可進行各種之變 例如，在以上所示之實施 響變換元件身爲利用半導體技 成，但是，係並不被限定於此 成之電性音響變換元件，由於 弱，因此係可合適地適用本發 克風單元1〜4、或者是電性 風基板）12、22 ' 32、42、 本發明之例示，本發明之適 所示之實施形態。亦即是， 內，針對以上所示之實施形 更。 形態中，雖係採用令電性音 術所形成的MEMS晶片之構 構成。藉由MEMS晶片所構 特別是對於塵埃之耐性係爲 明，但是，就算是在使用有 -40- 201220857 Μ E M S晶片以外之電性音響變換元件的情況時，亦能夠適 用本發明。 又，在以上之實施形態中’係針對電性音響變換元件 爲所謂的電容型麥克風之情況而作了說明，但是，本發明 ’在電性音響變換元件爲電容型麥克風以外之構成的麥克 風（例如動電型（Dynamic型）、電磁型（magnetic型） 、壓電型等之麥克風等）之情況時，亦能夠作適用。 又’在以上之實施形態中’雖針對被設置在電性音響 變換元件搭載基板之基板內空間處的塗布層係身爲電鍍層 等之金屬層的情況來作了說明’但是，係並不被限定於此 。也就是說’被設置在基板內空間處的塗布層，只要是具 備有對於有可能會在基板內空間中所產生之麈埃作抑制的 功能者，則就算是金屬層以外者亦無妨。 除此之外，電性音響變換元件或者是麥克風單元之形 狀（亦包含被設置於該些處之開口、基板內空間等），係 並不被限定爲本實施形態之形狀，不用說，亦可變更爲各 種之形狀。 [產業上之利用可能性] 本發明之麥克風單元，對於例如在行動電話等之聲音 輸入裝置中所具備的麥克風單元而言，係爲合適。 【圖式簡單說明】 [圖1]對於本發明所被適用之第1實施形態之麥克風單 -41 - 201220857 元的構成作展示之槪略剖面圖。 [圖2]對於第1實施形態之麥克風單元所具備的mems 晶片之構成作展示的槪略剖面圖。 [圖3]用以對於第1實施形態之麥克風單元所具備的麥 克風基板之製造方法作說明的剖面圖。 [圖4]對於本發明所被適用之第2實施形態之麥克風單 元的構成作展示之槪略剖面圖。 [圖5]用以對於第2實施形態之麥克風單元所具備的麥 克風基板之製造方法作說明的剖面圖。 [圖6]對於本發明所被適用之第3實施形態之麥克風單 元的構成作展示之槪略剖面圖。 [圖7]用以對於第3實施形態之麥克風單元所具備的麥 克風基板之製造方法作說明的剖面圖。 [圖8]對於本發明所被適用之第4實施形態之麥克風單 元的構成作展示之槪略剖面圖。 [圖9]用以對於第4實施形態之麥克風單元所具備的麥 克風基板之製造方法作說明的剖面圖。 【主要元件符號說明】 1、2、3、4:麥克風單元 1 1、21、3 1、41 : MEMS晶片（電性音響變換元件） 12、22、32、42:麥克風基板（電性音響變換元件搭 載基板） 12a、22a、32d、42d :搭載面 -42- 201220857 1 3、2 3、3 3、4 3 ··蓋（蓋部 1 4、2 4、3 4、4 4 :收容空間 22b :搭載面之背面 3 1 c、4 1 c :第3基板（其他3 103 、 203 、 304 、 308 、 405 112、 212、 312、 412:固定 114、 214、 314、 414:振動 121 、 221 、 321 、 421 :開口 122、 222、 322、 422 ：基板 122a 、 222a 、 322a 、 422a ： 22 3、423 :第2開口（其他i 3 0 7、4 0 8 :保護蓋 CL :塗布層 ;板） 409 :貫通配線用之貫通 電極 板 或第1開口 內空間 基板內空間之壁面 m ) -43-