201220857 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明,係有關於搭載有將聲音訊號變換爲電性訊號 之電性音響變換元件的電性音響變換元件搭載基板、以及 具備有電性音響變換元件搭載基板的麥克風單元。又,本 發明,係有關於電性音響變換元件搭載基板以及麥克風單 元之製造方法。 【先前技術】 從先前技術起,在各種形態之聲音輸入裝置(例如, 行動電話或是收發機(transceiver)等之聲音通訊機器、 聲音認證系統等之利用有對於所輸入之聲音作解析的技術 之資訊處理系統、錄音機器等)中,係適用有具備將輸入 之聲音變換爲電性訊號並輸出的功能之麥克風單元。 在麥克風單元中,係包含有將聲音訊號變換爲電性訊 號之電性音響變換元件。電性音響變換元件,例如係如專 利文獻1或2中所示一般,被搭載在形成有配線圖案之基板 (電性音響變換元件搭載基板)上。電性音響變換元件, 係如專利文獻1中所示一般,有著以將與被形成在基板處 之基板內空間(作爲背室而起作用者、或者是作爲音孔( 音道)而起作用者)相通連的開口作覆蓋的方式而搭載在 基板上的情況。 於此,在本說明書中之所謂「基板內空間」,係指將. 基板外周面(關於被形成有開口之部分,係將開口面假定 -5- 201220857 爲形成外周面者)作爲基準面時,被形成在較該基準面而 更靠基板內側之空間。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本特開2008-510427號公報 [專利文獻2]日本特開2010-41565號公報 【發明內容】 [發明所欲解決之課題] 另外,作爲在麥克風單元中所包含之電性音響變換元 件,由於能夠進行小型化等之理由,係有著利用以半導體 製造技術所形成之 MEMS ( Micro Electro Mechanical System )晶片的情況。此MEMS晶片,係具備有:振動板 ;和空出有空隙地而被與該振動板作對向配置並在其與前 述振動板一同形成電容器之固定電極。 在MEMS晶片中,於振動板和固定電極之間所形成的 空隙,例如係爲1 μιη左右而爲狹小。因此,若是塵埃進入 至此空隙中,則會成爲MEMS晶片之動作不良的原因。 在FR-4基板(玻璃環氧基板)等之包含有樹脂纖維的 基板中,例如會容易從爲了形成貫通孔或者是溝而進行了 切削之面產生纖維層(塵埃之其中一例)。因此,在以將 與基板內空間(具備有被施加了切削等之加工的面)相通 連之開口作覆蓋的方式而搭載MEMS晶片之構成的麥克風 201220857 單元(例如在專利文獻1中有所揭示)中,若是作爲基板 而採用FR-4基板一般之容易產生塵埃的基板,則係有著成 爲容易發生MEMS晶片之動作不良的問題。 有鑑於上述之點,本發明之目的,係在於提供一種: ' 能夠將電性音響變換元件之由於塵埃而發生故障的可能性 降低之電性音響變換元件搭載基板。又,本發明之其他目 的,係在於經由具備此種電性音響變換元件搭載基板,而 提供一種施加有塵埃對策之小型且高品質的麥克風單元。 進而,本發明之其他目的,係在於提供一種對於此種電性 音響變換元件搭載基板以及麥克風單元而言爲合適的製造 方法。 [用以解決課題之手段] 爲了達成上述目的,本發明之電性音響變換元件搭載 基板’係爲搭載將聲音訊號變換爲電性訊號之電性音響變 換元件的電性音響變換元件搭載基板,其特徵爲,具備有 :搭載面’係搭載前述電性音響變換元件,並且形成有被 前述電性音響變換元件所覆蓋之開口;和基板內空間,係 與前述開口相通連;和塗布層,係將前述基板內空間之壁 面的至少一部份作覆蓋。 若依據本構成,則能夠將基板內空間處之被施加有切 斷或切削等之加工的面,藉由塗布層來作覆蓋,並使其成 爲難以產生塵埃之狀態。因此,若是使用本構成之電性音 響變換元件搭載基板,則係易於防止電性音響變換元件之 201220857 故障。 在上述構成之電性音響變換元件搭載基板中,前述塗 布層’係亦可設爲電鍍層》若依據本構成,則係能夠容易 地在將例如貫通配線形成於電性音響變換元件搭載基板上 時而同時地亦形成塵埃對策用之上述塗布層,而爲便利。 又,在上述構成之電性音響變換元件搭載基板中,作 爲基板材料,係亦可設爲使用玻璃環氧材料。如同上述~ 般,玻璃環氧材料,係容易從進行了切斷或切削等之加工 的面而產生塵埃。因此,在本構成的情況時,由上述塗布 處理所進行之塵埃對策的效果,係變得更大。 又,在上述構成之電性音響變換元件搭載基板中,前 述基板內空間,係可設爲並不與前述開口以外之其他開口 相通連,亦可設爲與前述開口以外之其他開口相通連。進 而,當前述基板內空間爲與前述開口以外之其他開口亦作 了通連的情況時,前述其他開□,係可設置在前述搭載面 之背面處,前述其他開口 ’亦可設置在前述搭載面處。麥 克風單元,係依據於目的而被設爲多種類之形態,對於此 多種類之形態,本發明之電性音響變換元件搭載基板係可 廣泛作適用。 爲了達成上述目的’本發明之麥克風單元,其特徵爲 ,具備有:上述構成之電性音響變換元件搭載基板;和以 覆蓋前述開口的方式而被搭載在前述搭載面上之電性音響 變換元件,和與前述電性音響變換元件搭載基板一同地而 形成收容前述電性音響變換元件之收容空間的蓋部。 -8 - 201220857 本構成之麥克風單元,由於係難以在基板內空間中產 生塵埃’因此,係難以發生電性音響變換元件之故障。亦 即是’若依據本構成,則係能夠提供高品質之麥克風單元 〇 在上述構成之麥克風單元中,係亦可設爲下述之構成 :亦即是’前述電性音響變換元件,係爲MEM S晶片,並 具備有:振動板;和空出有空隙地而被與前述振動板作對 向配置,並且與前述振動板一同形成電容器之固定電極。 MEMS晶片,由於係能夠形成爲小型,因此,若依據本構 成’則係能夠提供小型且高品質之麥克風單元。 爲了達成上述目的,本發明之電性音響變換元件搭載 基板之製造方法,其特徵爲,具備有:第1步驟,係製作 出具備有被前述電性音響變換元件所覆蓋之開口和與該開 口相通連之基板內空間以及貫通配線用之貫通孔的基板; 和第2步驟’係對於前述基板內空間以及前述貫通配線用 之貫通孔進行電鍍處理;和第3步驟,係在前述電鍍處理 後,進行蝕刻處理,而在基板外面形成配線圖案。 若依據本構成,則係能夠在形成貫通配線的同時,亦 將與被電性音響變換元件所覆蓋之開口相通連的基板內空 間之壁面藉由電鍍層(塗布層之其中一種形態)來作覆蓋 ’而易於進行施加有塵埃對策之電性音響變換元件搭載基 板的形成。 在上述構成之電性音響變換元件搭載基板之製造方法 中’係亦可設爲下述之構成:亦即是,係更進而具備有: -9- 201220857 第4步驟’係將其他之基板,貼合在藉由前述第3步驟而形 成了前述配線圖案之基板的被形成有前述開口之面的背面 處;和第5步驟,係以將藉由前述第3步驟而形成了前述配 線圖案之基板的被形成有前述開口之面全體作覆蓋的方式 ,而安裝保護蓋;和第6步驟,係在前述其他基板上形成 貫通配線用之貫通孔;和第7步驟,係在以不同順序而進 行的前述第4步驟、第5步驟以及第6步驟結束後,對於藉 由前述第6步驟所形成之前述貫通配線用之貫通孔進行電 鍍處理;和第8步驟,係在前述第7步驟結束後,經由蝕刻 處理來在前述其他塞板上形成配線圖案;和第9步驟,係 在對於前述其他基板而形成了配線圖案之後,將前述保護 蓋分離。 例如在無法單純藉由朝向基板厚度方向之挖掘來形成 基板內空間的情況時,係有著以使用複數枚之基板來形成 電性音響變換元件搭載基板一事較爲便利的情況。本構成 ,係對於如此這般地使用複數之基板來形成具備有基板內 空間之電性音響變換元件搭載基板的情況作了想定。而, 在使用複數枚之基板來形成電性音響變換元件搭載基板的 情況時,會有電鍍處理液或蝕刻處理液等侵入至基板內空 間,並且該殘料最終係被殘留,而製作出被污染了的電性 音響變換元件搭載基板之虞。關於此點,在本構成中,係 預先考慮到在後續工程中電鍍液等可能會殘留在基板內空 間中一事,而設爲事先安裝保護蓋來使基板內空間成爲被 覆蓋了的狀態,之後,再進行電鍍處理以及蝕刻處理。因 -10- 201220857 此,係能夠降低提供如同上述一般之被污染了的電性音響 變換元件搭載基板之可能性。 爲了達成上述目的,本發明之麥克風單元之製造方法 ,其特徵爲,具備有:藉由上述構成之電性音響變換元件 搭載基板之製造方法來製造電性音響變換元件搭載基板之 步驟;和將前述電性音響變換元件以覆蓋前述開口的方式 來搭載在前述電性音響變換元件搭載基板上之步驟;和以 將前述電性音響變換元件作覆蓋的方式而將蓋部被覆在前 述電性音響變換元件搭載基板上之步驟。 若依據本構成,則由於係能夠製造出被施加有塵埃對 策並且污染之可能性爲低的電性音響變換元件搭載基板, 並且係爲使用該電性音響變換元件搭載基板來組裝麥克風 單元之構成,因此,係能夠提供高品質之麥克.風單元。 [發明之效果] 若依據本發明,則能夠提供一種可將電性音響變換元 件之由於塵埃而產生故障的可能性降低之電性音響變換元 件搭載基板。又’若依據本發明,則經由具備此種電性音 響變換元件搭載基板’係能夠提供一種施加有塵埃對策之 小型且高品質的麥克風單元。進而,若依據本發明,則能 夠提供一種對於此種電性音響變換元件搭載基板以及麥克 風單元而言爲合適的製造方法。 【實施方式】 -11 - 201220857 以下’參考圖面,對於本發明之電性音響變換元件搭 載基板及麥克風單元、以及此些之製造方法作詳細說明。 (第1實施形態) 圖1 ’係爲對於本發明所被適用之第1實施形態之麥克 風單元的構成作展示之槪略剖面圖。如同圖1中所示一般 ,第1實施形態之麥克風單元1,係具備有:MEMS晶片1 1 、和搭載有MEMS晶片11之麥克風基板12、以及蓋13。第 1實施形態之麥克風單元1,係作爲全指向性麥克風而起作 用。 由矽晶片所成之MEMS晶片1 1,係爲本發明之電性音 響變換元件的實施形態,並爲使用半導體製造技術所製造 之小型的電容型麥克風晶片。圖2,係爲對於第1實施形態 之麥克風單元所具備的MEMS晶片之構成作展示的槪略剖 面圖。MEMS晶片1 1,其之外形係爲略直方體形狀,並如 圖2中所示一般,具備有絕緣性之基底基板111、和固定電 極1 1 2、和絕緣性之中間基板1 1 3、以及振動板1 1 4。 在基底基板11 1上,係於其之中央部處被形成有俯視 略圓形狀的貫通孔Ilia。板狀之固定電極112,係被配置 在基底基板111之上,並被形成有複數之小直徑(直徑 ΙΟμπι左右)的貫通孔1 12a。中間基板1 13,係被配置在固 定電極112之上,並與基底基板111相同的,於其之中央部 處被形成有俯視略圓形狀的貫通孔1 1 3 a。被配置在中間基 板1 1 3上之振動板1 44,係爲受到音壓而作振動(在圖2中 -12- 201220857 而於上下方向振動,在本實施形態中,係爲略圓形之部分 作振動)之薄膜,並具備有導電性而形成電極的其中一端 。經由中間基板1 1 3之存在而成爲空出有間隙Gp地來以成 爲略平行之關係而作對向配置的固定電極1 1 2和振動板1 1 4 ,係形成電容器。 MEMS晶片11,由於若是藉由音波之到來而使得振動 板1 14振動則在振動板114和固定電極1 12之間的電極間距 離會改變,因此·,靜電容量係改變。其結果,係能夠將入 射至MEMS晶片1 1處之音波(聲音訊號)作爲電性訊號而 取出。另外,在MEMS晶片11處,藉由被形成於基底基板 111處之貫通孔111 a和被形成於固定電極11 2處之複數的貫 通孔1 12a以及被形成在中間基板1 13處之貫通孔1 13a的存 在,振動板1 1 4之下面側亦係成爲能夠與外部(MEMS晶 片1 1之外部)之空間相通連。 被形成爲俯視略矩形狀之麥克風基板12,係爲本發明 之電性音響變換元件搭載基板的實施形態,於其之上面 12a處,係被搭載有MEMS晶片11。於圖1中,雖係省略圖 示,但是,在麥克風基板1 2處,係被形成有在用以對於 MEMS晶片11施加電壓或者是從MEMS晶片1 1而取出電性 訊號時所需要的配線圖案(亦包含貫通配線)。 又,在麥克風基板12處,係於搭載有MEMS晶片1 1之 搭載面(上面)12a處被形成有開口 121,MEMS晶片1 1, 係以將此開口 1 2 1作覆蓋的方式而被作配置。此開口 1 2 1 ., 係與略圓柱狀之基板內空間1 22相連接。此基板內空間1 22 -13- 201220857 ,係僅與開口 1 2 1相連接,而並未與其他開口相連接。亦 即是,在麥克風基板1 2處,係經由開口 1 2 1以及基板內空 間1 22而被形成有凹部。基板內空間1 22,係爲了將背室( 面臨振動板1 1 4之下面的密閉空間)之容積作增加而被設 置。若是背室容積增大,則振動板1 1 4係成爲容易作位移 ,而MEMS晶片1 1之麥克風感度係提升。 另外,麥克風基板12,例如亦可設爲FR_4 (玻璃環氧 基板)基板,但是,亦可設爲其他種類之基板。 將外徑設爲略直方體形狀之蓋13,係經由被被覆在麥 克風基板12上,而與麥克風基板12 —同地來形成收容 MEMS晶片1 1之收容空間1 4。在蓋1 3處,係以將在麥克風 單元1之外部所產生的聲音導引至MEMS晶片11之振動板 114處的方式,而被形成有音孔131。另外,蓋13,係爲本 發明之蓋部的實施形態。 若是透過音孔1 3 1而被輸入至收容空間1 4內之音波到 達振動板1 1 4處,則振動板1 1 4係振動,並如同上述一般地 而產生靜電容量之改變。麥克風單元1,係構成爲將此靜 電容量之改變作爲電性訊號來取出並輸出至外部。另外, 用以將在MEMS晶片11處之靜電容量的改變作爲電性訊號 來取出之電性電路部,係以設置在收容空間1 4內爲理想, 但是,就算是設置在收容空間1 4外亦無妨。又,電性電路 部,係亦可在形成MEMS晶片1 1之矽基板上以單晶( monolithic)來形成。 另外,在第1實施形態之麥克風單元1中,被形成在麥 -14- 201220857 克風基板12處之基板內空間122的壁面122a (在本實施形 態中,係爲基板內空間1 22之壁面全體),係藉由塗布層 CL而被作被覆。此由塗布層CL所致之被覆,例如係可藉 由電鍍處理來得到,塗布層CL,例如係可設爲Cu電鍍等 之金屬電鍍層。經由此由塗布層CL所致之被覆,係能夠 將在麥克風基板12之基板內空間122內而產生塵埃的可能 性降低。 當將麥克風基板12藉由例如玻璃環氧基板(FR-4基板 )來構成的情況時,係容易從麥克風基板1 2之加工面(被 進行有切斷或切削等之加工的面)而產生纖維狀之塵埃。 在並未將基板內空間122之壁面122a藉由塗布層CL來作被 覆的情況時(與本實施形態相異之構成的情況),塵埃係 容易進入至以將與基板內空間122相通連之開口 121作覆蓋 的方式而作了配置的MEMS晶片1 1之內部。對於MEM S晶 片1 1之麈埃的侵入,係會成爲MEMS晶片1 1之故障的原因 。作爲其中一例,係可列舉出:塵埃從被設置在固定電極 1 12處之貫通孔1 12a而侵入,而使得固定電極1 12和振動板 1 1 4之間的間隙Gp (參考圖2 )中堵塞有塵埃的情形。關 於此點,在第1實施形態之麥克風單元1中,藉由塗布層 CL之存在,係難以從基板內空間122而產生塵埃,而能夠 將MEMS晶片1 1之故障的可能性抑制爲較低。 接著,針對製造出上述一般之麥克風基板12以及麥克 風單元1的方法,主要參考圖3來作說明。圖3,係爲用以 對於第1實施形態之麥克風單元所具備的麥克風基板之製 -15- 201220857 造方法作說明的剖面圖,(a)〜(f)係對於製造途中之 狀態作展示,(g )係對於麥克風基板之完成後的狀態作 展示。 在製造麥克風基板12時,首先,係準備將上面和下面 藉由例如Cu等之金屬材料(導電性材料)101而作了覆蓋 的基板121平板狀)(工程a,參考圖3(a))。於此, 基板12’之厚度,例如係爲1.〇mm,導電性材料1()1之厚度 ,係被設爲〇.15μηι。 在準備了的基板12'之略中央位置處,係從上面起來 對於基板12'而一直挖掘至厚度方向(圖3之上下方向)的 途中位置處。藉由此,如圖3 (b)中所示一般,而在基板 1 2 '處,形成俯視略圓形狀之開口 1 2 1、以及與此開口 1 2 1 相連結之略圓柱狀的基板內空間1 22 (僅與開口 1 2 1相連結 ,而並不與其他開口相連結)(工程b )。基板1 2'之挖掘 ,例如,係使用能夠一面對座標位置作控制一面進行立體 物之切削加工的NC( Numerical Control)裝置。基板內空 間1 2 2之尺寸,例如係被設爲直徑〇 . 6 m m、深度0.5 m m。 另外,於此,係設爲藉由利用NC裝置來得到被形成 有開口 1 2 1以及基板內空間1 22之基板(被形成有凹部之基 板)的構成,但是,係並不被限定於此。亦即是,亦可設 爲經由將被形成有貫通孔(該貫通孔之形成,例如係由鑽 頭或雷射所進行)之第1基板(平板狀)和並不存在有貫 通孔之第2基板(平板狀)作貼合,來得到1個的被形成有 開口 1 2 1以及基板內空間1 22之基板。 -16- 201220857 接著,在被形成有開口 121以及基板內空間122的基板 1 2'處,於有必要將上面和下面作電性連接的部分處,如 同圖3 ( c )中所示一般地而形成貫通孔1 〇 3 (例如,直徑 0.3mm)(工程c )。貫通孔1 〇 3之形成,例如係使用續頭 或雷射,或者是使用NC裝置等。有必要將基板12,之上面 和下面作電性連接的部分,係爲依據麥克風單元之電路構 成被作了何種設計一事所適宜決定者。在圖3 ( c )中,係 將形成貫通孔1 〇 3之場所作爲3個場所來展示,但是,係並 不被限定於此。又,工程b和工程c,係亦可將順序作交換 〇 若是在基板1 2'處被形成了貫通孔1 〇 3,則接下來,係 對於貫通孔103進行電鍍處理(例如無電解銅電鍍處理) ,並形成如圖3(d)中所示一般之貫通配線1〇4 (工程d) 。此時,關於基板內空間122之壁面,亦係設爲進行有電 鑛處理。因此,與貫通配線104之形成同時地,基板內空 間122之壁面全體係經由金屬(例如Cu)電鏟層CL (塗布 層CL)而被作被覆。 另外,貫通配線1 04之形成、或者是將基板內空間1 2 2 之壁面藉由塗布層CL來作覆蓋之處理,係亦可藉由電鍍 處理以外之方法來進行,例如,係亦可藉由使用有導電性 糊(塡埋、塗布等)之方法等來進行。 接著,將在基板1 2'之上面以及下面處的需要配線圖 案之部分,如圖3 ( e )中所示一般,藉由抗蝕刻劑1 05來 作遮蔽(工程e )。此時,關於被施加在基板內空間1 22之 201220857 壁面處的塗布層CL (例如Cu電鑛層),亦係藉由抗蝕刻 劑105來作遮蔽。 若是由抗蝕刻劑1 0 5所致的遮蔽結束,則係將基板1 2 | 浸漬在蝕刻液中(工程f )。藉由此,被設置在基板1 2 ’之 上面以及下面處的導電性材料(例如Cu )中,並未被抗蝕 刻劑1 05所覆蓋之部分,係如圖3 ( f )中所示一般地而被 除去。 另外,於此,雖係設爲藉由蝕刻來將不必要之導電性 材料除去的構成,但是,係並不被限定於此,例如亦可設 爲經由雷射加工或者是切削加工來將不必要之導電性材料 除去。 若是蝕刻結束,則進行基板12'之洗淨、抗蝕刻劑105 之除去(工程g)。藉由此,如圖3(g)中所示一般,得 到具備有開口 121以及藉由塗布層CL而將壁面作了覆蓋的 基板內空間1 1 2並且被形成有配線圖案(亦包含貫通配線 )之麥克風基板12。 在此麥克風基板1 2之上面1 2a處,以覆蓋開口 1 2 1的方 式而配置MEMS晶片1 1,進而,以覆蓋MEMS晶片Π的方 式,而將蓋13作被覆,藉由此,而得到圖1中所示之麥克 風單元1。另外,MEMS晶片11,係以不會產生音響漏洩 的方式,而經由黏晶材(例如環氧樹脂系或者是矽膠樹脂 系之接著劑等),來以不會在其自身之底面和麥克風基板 12的上面之間產生空隙的方式而接合在麥克風基板12處。 又’蓋1 3 ’亦係以作氣密密封的方式而例如使用接著 -18- 201220857 劑或接著薄片等來接合在麥克風基板12之上面處。當將電 性電路部搭載在麥克風基板1 2處的情況時,係在將MEM S 晶片1 1以及電性電路部接合在麥克風基板1 2處之後,再將 蓋13接著在麥克風基板12之上面(MEMS晶片1 1等之搭載 面)處。被形成在麥克風基板12之下面處的配線圖案,係 作爲外部電極而被使用。 於上述’針對被設置在麥克風基板12處之配線圖案, 雖係對於藉由以蝕刻法所進行之減算法來形成的構成作了 展不,但是’係並不被限定於此。亦即是,被設置在麥克 風基板1 2處之配線圖案,係亦可藉由印刷或者是塡埋法等 之加算法來形成。 (第2實施形態) 圖4,係爲對於本發明所被適用之第2實施形態之麥克 風單元的構成作展示之槪略剖面圖。如同圖4中所示一般 ’第2實施形態之麥克風單元2,係具備有:MEMS晶片21 、和搭載有MEMS晶片21之麥克風基板22、以及蓋23。第 2實施形態之麥克風單元2,係作爲全指向性麥克風而起作 用。 關於具備有固定電極212 (具備複數之貫通孔2i2a) 和振動板214之MEMS晶片21 (本發明之電性音響變換元 件的實施形態)的構成,由於係爲與第1實施形態之 MEMS晶片1 1相同的構成,因此係省略詳細說明。 麥克風基板22 (本發明之電性音響變換元件搭載基板 -19- 201220857 的實施形態)之構成,雖係爲與第1實施形態之麥克風基 板12略相同之構成,但是,與被形成在麥克風基板22之搭 載面(上面)22a處的第1開口 221相通連之基板內空間222 ,係亦與被形成在麥克風基板22之搭載面的背面(下面) 22b處之第2開口 223相通連,在此點上,係與第1實施形態 之構成相異。亦即是’在麥克風基板22處,係並非被形成 有如同第1實施形態一般之凹部,而是經由第1開口 1 2 1、 基板內空間122以及第2開口 223,而被形成有將麥克風基 板22在厚度方向上作貫通之貫通孔。又,關於蓋23 (本發 明之蓋部的實施形態),雖然亦爲與第1實施形態之蓋13 略相同的構成,但是,係並未被設置有音孔,在此點上, 係與第1實施形態之構成相異。 另外,麥克風基板22,例如亦可設爲FR-4 (玻璃環氧 基板)基板,但是,亦可設爲其他種類之基板。 在第2實施形態之麥克風單元2中,MEMS晶片21,係 以將被形成在麥克風基板22之搭載面22a處的第1開口 221 作覆蓋的方式,而被作配置。經由第1開口 2 2 1、基板內空 間222以及第2開口 223所形成之貫通孔,係作爲音孔而起 作用。亦即是,在麥克風單元2之外部所產生了的音波, 係經過第2開口 223、基板內空間222、第1開口 221而到達 振動板214之下面。
藉由此,振動板214係振動,並產生靜電容量之變化 。麥克風單元2,係構成爲將此靜電容量之改變作爲電性 訊號來取出並輸出至外部。另外,有關於用以將在MEM S -20- 201220857 晶片21處之靜電容量的改變作爲電性訊號來取出之電性電 路部的配置之注意事項,係與第1實施形態的情況相同。 第2實施形態之麥克風單元2,由於係爲將經由麥克風 基板22和蓋23所形成之密閉空間24 (收容MEMS晶片21之 收容空間)作爲背室來利用的構成,因此,係容易將背室 容積增大。故而,係容易使麥克風感度提升。 另外,在第2實施形態之麥克風單元2中,亦同樣的, 被形成在麥克風基板22處之基板內空間222的壁面222a ( 在本實施形態中,係爲基板內空間222之壁面全體),係 藉由塗布層CL而被作被覆。此由塗布層CL所致之被覆, 例如係可藉由電鍍處理來得到,塗布層CL,例如係可設 爲Cu電鑛等之金屬電鍍層。藉由此塗布層CL之被覆所得 到的效果,係與第1實施形態的情況時相同,在第2實施形 態之麥克風單元2中,亦能夠對於在基板內空間222中之塵 埃的產生作防止,並降低MEMS晶片21之故障。 接著’針對製造出上述一般之麥克風基板22以及麥克 風單元2的方法,主要參考圖5來作說明。圖5,係爲用以 對於第2實施形態之麥克風單元所具備的麥克風基板之製 造方法作說明的剖面圖,(a )〜(f )係對於製造途中之 狀態作展示’ (g )係對於麥克風基板之完成後的狀態作 展示。 在製造麥克風基板22時,首先,,係準備將上面和下面 藉由例如Cu等之金屬材料(導電性材料)201而作了覆蓋 的基板22'(平板狀)(工程&,參考圖5(a))。基板22' -21 - 201220857 以及導電性材料20 1之厚度,係可設爲與第1實施形態相同 〇 在準備了的基板22'之略中央位置處,沿著基板22·之 厚度方向(圖5之上下方向)’而使用例如鑽頭或雷射亦 或是NC裝置等,來開孔從上面而貫通至下面的孔(例如 直徑0.6mm)。藉由此,而形成在基板22'之上面處而俯視 略圓形狀之第1開口 22 1、與此第1開口 22 1相通連之略圓柱 狀的基板內空間222、以及被設置在基板22'之下面並且與 基板內空間222相通連之俯視略圓形狀之第2開口 223 (工 程b,參考圖5(b))。 之後,依序進行與第1實施形態的情況時相同之處理 〇 首先,在有必要將上面和下面作電性連接的部分處, 如圖5(c)中所示一般地而形成貫通孔203 (工程c)。另 外,工程b和工程c,係亦可將順序作交換。而後,進行電 鍍處理,而形成如圖5 ( d )所示一般之貫通配線204 (工 程d)。此時,關於基板內空間222之壁面,亦係設爲被進 行有電鍍處理,而將基板內空間222之壁面全體,藉由金 屬(例如Cu )電鍍層CL (塗布層CL )來作被覆。另外, 貫通配線204之形成、或者是將基板內空間222之壁面藉由 塗布層CL來作被覆之處理,係.與第1實施形態相同的,亦 可藉由其他之方法來進行。 接著,將在基板22’之上面以及下面處的需要配線圖 案之部分,如圖5 ( e )中所示一般,藉由抗蝕刻劑205來 -22- 201220857 作遮蔽(工程e )。此時,關於被施加在基板內空間22 2之 壁面處的塗布層CL (例如Cu電鍍層),亦係藉由抗蝕刻 劑2 0 5來作遮蔽。 若是由抗蝕刻劑20 5所致之遮蔽結束,則將基板22'浸 漬在蝕刻液中,並將不必要之導電性材料(例如C u )如圖 5 ( f)中所示一般地除去(工程f ),之後,進行洗淨、 抗蝕刻劑205之除去(工程g )。藉由此,得到如圖5 ( g ) 中所示一般之具備有第1開口 22 1、藉由塗布層CL而被作 了覆蓋的基板內空間222以及第2開口 223,並且被形成有 配線圖案(亦包含貫通配線)之麥克風基板22。 在此麥克風基板22之上面22a處,以覆蓋開口 221的方 式而配置MEMS晶片21,進而,以覆蓋MEMS晶片21的方 式,而將蓋23作被覆,藉由此,而得到圖4中所示之麥克 風單元2。另外,有關於MEMS晶片21或蓋23之接合方法 、以及在將電性電路部搭載於麥克風基板2 2處的情況時之 注意事項,係與第1實施形態的情況相同。又,關於被設 置在麥克風基板22處之配線圖案,係亦可並不藉由減算法 而是藉由加算法來形成,關於此點,亦係與第1實施形態 的情況相同。 (第3實施形態) 圖6 ’係爲對於本發明所被適用之第3實施形態之麥克 風單元的構成作展示之槪略剖面圖。如同圖6中所示一般 ’第3實施形態之麥克風單元3,係具備有:MEMS晶片31 -23- 201220857 、和搭載有MEMS晶片31之麥克風基板32、以及蓋 3實施形態之麥克風單元3 ’係作爲全指向性麥克風 用。 關於具備有固定電極312 (具備複數之貫通孔 和振動板314之MEMS晶片31 (本發明之電性音響 件的實施形態)的構成,由於係爲與第1實施 MEMS晶片1 1相同的構成,因此係省略詳細說明。 於被形成有音孔331之蓋33 (本發明之蓋部的實施 ,由於亦係爲與第1實施形態之蓋1 3相同之構成, 省略詳細說明。 麥克風基板32 (本發明之電性音響變換元件的 態)之構成,係與第1實施形態之構成相異。因此: 施形態之麥克風單元3,相較於第1實施形態之麥克 1,其背室之構成係成爲相異。 被形成爲俯視略矩形狀之麥克風基板3 2,係功 所示一般將3個的基板32a、32b、3 2c貼合所成。方/ ,雖係省略圖示,但是,在麥克風基板32處,係被 在用以對於被搭載在其之上面3 2d處的MEMS晶片 電壓或者是從MEMS晶片3 1而取出電性訊號時所需 線圖案(亦包含貫通配線)。 又,在麥克風基板32處,係於搭載有MEMS晶 搭載面(上面)32d處被形成有開口 321,MEMS晶 係以將此開口 3 2 1作覆蓋的方式而被作配置。此開匸 係與剖面視之略L字狀之基板內空間3 22相連接。此 33。第 而起作 3 12a) 變換元 形態之 又,關 形態) 因此係 實施形 ,第3實 風單元 口圖6中 >圖6中 形成有 3 1施加 要的配 片31之 片31, 3 32 1 > 基板內 -24- 201220857 空間3 22,係僅與開口 321相連接,而並未與其他開口相連 接。如同上述一般,由於麥克風基板3 2係成爲將複數之基 板貼合所成的構成,因此,係能夠容易地得到剖面視之略 L字狀的基板內空間322。另外,麥克風基板32,例如亦可 設爲FR-4 (玻璃環氧基板)基板,但是,亦可設爲其他種 類之基板。 此基板內空間322,係爲了將背室(面臨振動板3 1 4之 下面的密閉空間)之容積作增加而被設置。本實施形態之 基板內空間3 22,由於其之形狀(剖面視之略L字形狀)的 原因,相較於第1實施形態之基板內空間1 22,係能夠將容 積增大。因此,第3實施形態之麥克風單元3,相較於第1 實施形態之麥克風單元1,係能夠期待有麥克風感度的提 升。另外,基板內空間3 22,只要是設爲以能夠將背室容 積增大的方式而具備有與基板厚度方向之挖掘相連接的中 空空間之構成即可,而並不被限定於本實施形態之構成, 例如亦可設爲剖面視之略T字狀等。 在第3實施形態之麥克風單元3中,透過音孔331而被 輸入至MEM S晶片3 1之收容空間3 4 (經由麥克風基板3 2和 蓋3 3所形成)內的音波,若是到達振動板3 1 4處,則振動 板314係振動,並產生靜電容量之變化。麥克風單元3,係 構成爲將此靜電容量之改變作爲電性訊號來取出並輸出至 外部。另外,有關於用以將在MEMS晶片31處之靜電容量 的改變作爲電性訊號來取出之電性電路部的配置之注意事 項,係與第1實施形態的情況相同。 -25- 201220857 另外,在第3實施形態之麥克風單元3中,被形成在麥 克風基板32處之基板內空間322的壁面322a之一部分(除 了基板內空間3 22之底壁以外的部分),係藉由塗布層CL 而被作被覆。此由塗布層C L所致之被覆,例如係可藉由 電鍍處理來得到,塗布層CL,例如係可設爲Cu電鍍等之 金屬電鍍層。藉由此塗布層CL之被覆所得到的效果,係 與第1實施形態的情況時相同,在第3實施形態之麥克風單 元3中,亦能夠對於在基板內空間3 2 2中之塵埃的產生作防 止,並降低MEMS晶片31之故障》 另外,關於基板內空間3 22之底壁,當然的,就算是 設爲藉由塗布層CL而作了被覆的構成亦可。在本實施形 態中,係成爲將麥克風基板32藉由貼合複數之基板32a〜 32c來形成之構成,基板內空間3 22之底壁,係以基板32c 之上面而形成。此基板32c之上面,由於係並非爲被進行 有切斷或切削等之加工的面,因此,係難以產生塵埃。因 此,在本實施形態中,係設爲並不將基板內空間322之底 壁以塗布層CL而作被覆的構成。 接著’針對製造出上述一般之麥克風基板32以及麥克 風單元3的方法’主要參考圖7來作說明。圖7,係爲用以 對於第3實施形態之麥克風單元所具備的麥克風基板之製 造方法作說明的剖面圖,(a)〜(〇)係對於製造途中之 狀態作展示,(P )係對於麥克風基板之完成後的狀態作 展示。 在製造麥克風基板32時,首先,係準備將上面藉由例 -26- 201220857 如Cu等之金屬材料(導電性材料)301而作了覆蓋的第1基 板3 2a (平板狀)。而後,沿著第1基板32a之厚度方向( 圖7之上下方向),而使用例如鑽頭或雷射亦或是NC裝置 等,來開孔從上面而貫通至下面的俯視略圓形狀之第1貫 通孔3 02 (工程a,參考圖7(a))。第1貫通孔3 02之形成 位置,係被設爲第1基板32a之略中央位置。另外,第1基 板32a之厚度,例如係爲〇.3mm,導電性材料301之厚度, 係被設爲0.15 μιη。又,第1貫通孔3 02之直徑,係被設爲 0 · 6 m m 〇 又,係準備將下面藉由例如Cu等之金屬材料(導電性 材料)301而作了覆蓋的第2基板32b (平板狀)。第2基板 32b以及導電性材料301之厚度,係設爲與第1基板32a的情 況相同。而後,沿著第2基板32b之厚度方向(圖7之上下 方向),而使用例如鑽頭或雷射亦或是NC裝置等,來開 孔從上面而貫通至下面的俯視略圓形狀之第2貫通孔3 03 ( 工程b,參考圖7(b))。此第2貫通孔303,係被設置在 與第1貫通孔3 02相重合之位置處’其之直徑係被設爲較第 1貫通孔3 02更大。另外,當然的,工程a和工程b之順序, 係亦可設爲相反。 接著,在第1基板32a之下面和第2基板32b之上面的至 少其中一者處塗布接著劑,並進行衝壓而將第1基板3 2a和 第2基板32b作貼合(工程c,參考圖7 ( c ))。藉由此, 而得到被搭載有MEM S晶片3 1之搭載面的開口 3 2 1、和與 該開口 321相通連之基板內空間322 (剖面視之略L字狀) -27- 201220857 。另外,代替接著劑,亦可使用接著薄片(例如,厚度 5 Ομιη左右之熱可塑性薄片),且亦可經由熱壓縮來將第i 基板32a和第2基板32b作貼合。 又,如圖7(c)中所示一般,將第1基板32a和第2基 板3 2b貼合所形成之基板,係亦可藉由1枚的基板來形成之 。於此情況,係準備在上面以及下面被設置有導電性材料 之基板。而後,對於此基板,而使用N C裝置來從上面側 和下面側形成挖掘部。若是對於形成挖掘部之面積作改變 ’則藉由從上面側所形成之控掘部和從下面側所形成之控 掘部,係能夠得到與圖7 ( c )中所示者相同之基板。 接著,在第1基板32a之上面和第2基板32b之下面處的 有必要進行電性連接之場所,形成第3貫通孔3 04 (例如, 直徑0.3mm)(工程d,參考圖7 ( d ))。第3貫通孔304 之形成,例如係使用鑽頭或雷射,或者是使用NC裝置等 〇 接著’係對於第3貫通孔304進行電鍍處理(例如無電 解銅電鍍處理),並形成如圖7(e)中所示一般之第1貫 通配線3 0 5 (工程e )。此時,關於基板內空間3 2 2之壁面 ,亦係設爲被進行有電鍍處理,而將基板內空間322之壁 面全體,藉由金屬(例如Cu)電鍍層CL(塗布層CL)來 作被覆。另外,第1貫通配線3 05之形成、或者是將基板內 空間322之壁面藉由塗布層CL來作覆蓋之處理,係亦可藉 由電鍍處理以外之方法來進行,例如,係亦可藉由使用有 導電性糊(塡埋、塗布等)之方法等來進行。 -28- 201220857 接著,對於第1基板32a之上面和第2基板32b之下面處 的有必要形成配線圖案之部分,藉由抗蝕刻劑3 06來作遮 蔽(工程f,參考圖7 ( f ))。此時,關於被施加在基板 內空間322之壁面處的塗布層CL (例如Cu電鍍層),亦係 藉由抗蝕刻劑3 0 6來作遮蔽。 接著,將成爲相互被作了貼合之關係的第1基板32a以 及第2基板3 2b浸漬在鈾刻液中。藉由此,被設置在基板處 的導電性材料(例如Cu )中,並未被抗蝕刻劑3 06所覆蓋 之部分,係被除去(工程g,參考圖7(g))。另外,於 此,雖係設爲藉由蝕刻來將不必要之導電性材料除去的構 成,但是,係並不被限定於此,例如亦可設爲經由雷射加 工或者是切削加工來將不必要之導電性材料除去。 接著,進行被浸漬在蝕刻液中之基板的洗淨,之後, 進行抗蝕刻劑3 06之除去(工程h,參考圖7(h))。而後 ,將下面被導電性材料301所覆蓋了的第3基板32c (本發 明之其他基板的實施形態),貼合在第2基板3 2b之下面( 工程i,參考圖7 ( i ))。第3基板32c以及導電性材料之 厚度,係設爲與第1基板32a以及第2基板32b的情況相同。 第3基板32c之對於第2基板3 2b的貼合,係只要藉由和第1 基板32a與第2基板3 2b之貼合相同的方法來進行即可。 接著,安裝將第1基板32 a之上面全體作覆蓋並密閉的 保護蓋3 0 7 (工程j,參考圖7 ( j ))。在本實施形態中, 保護蓋3 07係成爲箱形狀,並在設爲使箱的開口朝向下方 之姿勢的狀態下,而將外緣部3 07a接著固定在第1基板32a -29- 201220857 處。在外緣部3 0 7 a以外之位置處,於第1基板3 2a和保護蓋 307之間係被形成有空隙。另外,保護蓋307之形狀,係並 不被限定於此形狀,而亦可設爲平板狀。當保護蓋307爲 平板狀的情況時,係亦可設爲使其之全面被與第1基板32a 的上面作接著。 此安裝保護蓋3 07之工程,係爲爲了在之後的基板製 造工程中而對於基板處理液侵入至基板內空間3 22中並使 最終所得到之電性音響變換元件搭載基板32被污染一事作 防止的目的而被設置者。詳細而言,當沒有保護蓋307的 情況時,在電鍍、蝕刻、洗淨工程中,電鍍液或蝕刻液會 侵入至基板內空間3 22中,並有著其之殘液殘留而使基板 被污染的可能性。關於此點,藉由如同本實施形態一般地 而安裝保護蓋307,係能夠防止上述基板之污染。 接著,在第3基板32c處,開孔從第3基板32c之下面起 而到達第2基板32b之下面處的俯視略圓形狀之第4貫通孔 3 08 (工程k,參考圖7 ( k))。此第4貫通孔308,例如係 可藉由雷射或NC裝置等來開孔,其之直徑,係可設爲 0.5mm左右。另外,工程i〜工程k之順序,係亦可適當地 作交換。 接著,係對於第4貫通孔3 08進行電鍍處理(例如無電 解銅電鍍處理),並形成如圖7(1)中所示一般之第2貫 通配線309 (工程1 )。藉由此,而進行第2基板32b之下面 的配線圖案和第3基板32c之下面的導電性材料301,其兩 者間之電性連接。在進行電鍍處理時,藉由保護蓋3 07之 -30- 201220857 存在,電鍍液係不會有侵入至基板內空間322中的情況。 另外,第2貫通配線309之形成,係亦可藉由電鑛處理以外 之方法來進行,例如,係可列舉出使用有導電性糊(塡埋 、塗布等)之方法等。 接著,在第3基板3 2 c之下面處,將有必要形成配線圖 案之部分,藉由抗蝕刻劑306來作遮蔽(工程m,參考圖7 (m))。接著,將基板(將第1基板32a、第2基板32b、 第3基板32c作貼合所成)浸漬在蝕刻液中,而將第3基板 3 2c之下面的不必要之導電性材料(例如Cu )除去(工程η ,參考圖7(η))。此時,藉由保護蓋3 07之存在,蝕刻 液係不會有侵入至基板內空間3 2 2中的情況。 另外,於此,雖係設爲藉由蝕刻來將不必要之導電性 材料除去的構成,但是,係並不被限定於此,例如亦可設 爲經由雷射加工或者是切削加工來將不必要之導電性材料 除去。 若是蝕刻結束,則係進行基板的洗淨,並更接著進行 抗蝕刻劑3 06之除去(工程〇,參考圖7 ( 〇 ))。最後,如 圖7 ( ρ )中所示一般,將保護蓋3 07之接著部份卸下,而 將保護蓋3 0 7分離(工程ρ )。藉由此,得到具備有開口 321以及藉由塗布層CL而將壁面之一部分作了覆蓋的基板 內空間3 22並且被形成有配線圖案(亦包含貫通配線)之 麥克風基板3 2。 在此麥克風基板32之上面32d處,以覆蓋開口 321的方 式而配置MEMS晶片31,進而,以覆蓋MEMS晶片31的方 -31 - 201220857 式,而將蓋33作被覆,藉由此,而得到圖6中所示之麥克 風單元3。另外,有關於MEMS晶片31或蓋33之接合方法 、以及在將電性電路部搭載於麥克風基板32處的情況時之 注意事項,係與第1實施形態的情況相同。又,關於被設 置在麥克風基板32處之配線圖案,係亦可並不藉由減算法 而是藉由加算法來形成,關於此點,亦係與第1實施形態 的情況相同。 (第4實施形態) 圖8,係爲對於本發明所被適用之第4實施形態之麥克 風單元的構成作展示之槪略剖面圖。如同圖8中所示一般 ,第4實施形態之麥克風單元4,係具備有:MEMS晶片41 、和搭載有MEMS晶片41之麥克風基板42、以及蓋43。此 第4實施形態之麥克風單元4,係作爲雙指向性之差動麥克 風而起作用。 關於具備有固定電極412 (具備複數之貫通孔412a) 和振動板414之MEMS晶片41 (本發明之電性音響變換元 件的實施形態)的構成,由於係爲與第1實施形態之 MEMS晶片1 1相同的構成,因此係省略詳細說明。 麥克風基板42 (本發明之電性音響變換元件的實施形 態)之構成,係與第1、第2以及第3實施形態之構成相異 。被形成爲俯視略矩形狀之麥克風基板42,係如圖8中所 示一般將3個的基板42a、42b、42c貼合所成。於圖8中, 雖係省略圖示,但是,在麥克風基板42處,係被形成有在 -32- 201220857 用以對於被搭載在其之上面4 2d處的MEMS晶片41施加電 壓或者是從MEMS晶片4 1而取出電性訊號時所需要的配線 圖案(亦包含貫通配線)。 又,在麥克風基板42處,係於搭載有MEMS晶片41之 搭載面(上面)42d的靠中央處,被形成有第1開口 421, MEMS晶片41,係以將此第1開口 421作覆蓋的方式而被作 配置。此第1開口 42 1,係與剖面視之略U字狀之基板內空 間422相連接。基板內空間422,係並非僅與第1開口 421相 連接,而亦與被形成於麥克風基板42之搭載面42 d處的第2 開口 423相連接。如同上述一般,由於麥克風基板42係成 爲將複數之基板貼合所成的構成,因此,係能夠容易地得 到具備有第1開口 421、基板內空間422、第2開口 423之構 成。另外,麥克風基板42,例如亦可設爲FR-4 (玻璃環氧 基板)基板,但是,亦可設爲其他種類之基板。 將外徑設爲略直方體形狀之蓋43,係經由被被覆在麥 克風基板42上,而與麥克風基板42 —同地來形成收容 MEMS晶片4 1之收容空間44。在蓋43處,係被設置有與此 收容空間44相通連之第1音孔431。又,在蓋43處,係被形 成有透過第2開口 423而與基板內空間422相通連之第2音孔 43 2。另外,蓋43,係爲本發明之蓋部的實施形態。 在第4實施形態之麥克風單元4中,透過第1音孔431而 被輸入至收容空間44內之音波,係到達振動板414之上面 。又,透過第2音孔432而被輸入至基板內空間422內之音 波,係到達振動板414之下面。因此,若是在麥克風單元4 -33- 201220857 之外部而產生聲音,則振動板414,係經由被施加於上面 處之音壓和被施加在下面處之音壓間的差而振動。 音波之音壓(音波之振幅),係與相距於音源之距離 成反比。而,音壓,在接近於音源之位置處,係急遽地衰 減,並隨著遠離音源而平緩地衰減。因此,當從音源起直 到振動板414之上面爲止的距離和直到下面爲止的距離相 異的情況時,在麥克風單元4之近旁所產生並入射至振動 板414之上面以及下面處的使用者聲音,係在振動板414之 上面和下面處產生大的音壓差,並使振動板振動。另一方 面,從遠方所入射至振動板414之上面以及下面處的雜音 ,由於係成爲略相同之音壓,因此係相互抵消,振動板係 幾乎不會振動。 故而,從經由振動板4 1 4之振動所被取出的電性訊號 ,係可視爲將雜音作了除去的僅代表使用者聲音之電性訊 號。亦即是,本實施形態之麥克風單元4,作爲要求對遠 方雜音作抑制並將近接音集音的近接通話型麥克風,係爲 合適。 另外,用以將在MEMS晶片41處之靜電容量的改變作 爲電性訊號來取出之電性電路部,例如係可設置在收容空 間44內,亦可設置在麥克風單元之外部。又,電性電路部 ,係亦可在形成MEMS晶片41之矽基板上以單晶( monolithic)來形成。 另外,,在第4實施形態之麥克風單元4中,被形成在麥 克風基板42處之基板內空間422的壁面422a之一部分,係 -34- 201220857 藉由塗布層CL而被作被覆。此由塗布層CL所致之被覆, 例如係可藉由電鍍處理來得到,塗布層CL,例如係可設 爲Cu電鍍等之金屬電鍍層。藉由此塗布層CL之被覆所得 到的效果,係與第1實施形態的情況時相同,在第4實施形 態之麥克風單元4中,亦能夠對於在基板內空間422中之塵 埃的產生作防止,並降低MEMS晶片41之故障。 另外,當然的,亦可設爲將形成基板內空間422之壁 面的全體均藉由塗布層CL來作被覆之構成。在本實施形 態中,係成爲將複數之基板42a〜42c作貼合來形成麥克風 基板42之構成。基板內空間422之並未被設置有塗布層CL 的部分(壁面)’係經由第3基板42c之上面而被形成。此 部分,由於係並非爲被進行有切斷或切削等之加工的面, 因此’係難以產生塵埃。因此,在本實施形態中,係將基 板內空間422之一部份的壁面,設爲並不以塗布層Cl來作 被覆的構成。 接著,針對製造出上述一般之麥克風基板42以及麥克 風單元4的方法,主要參考圖9來作說明。圖9,係爲用以 對於第4實施形態之麥克風單元所具備的麥克風基板之製 造方法作說明的剖面圖,(a )〜(〇 )係對於製造途中之 狀態作展示,(P )係對於麥克風基板之完成後的狀態作 展示。 在製造麥克風基板42時,首先,係準備將上面藉由例 如Cu等之金屬材料(導電性材料)40 i而作了覆蓋的第!基 板4 2 a (平板狀)。而後,沿著第!基板4 2 a之厚度方向( -35- 201220857 圖9之上下方向),而使用例如鑽頭或雷射亦或是NC裝置 等,來開孔從上面而貫通至下面的俯視略圓形狀之第1貫 通孔402以及第2貫通孔403 (工程a,參考圖9 ( a ))。另 外,第1基板42a之厚度,例如係爲0.3mm,導電性材料 401之厚度,係被設爲0.15 μηι。又,第1貫通孔402以及第2 貫通孔4 0 3之直徑,係被設爲0 · 6 m m。於此,第1貫通孔 402和第2貫通孔403,係被設爲相同的形狀,但是,此些 就算是成爲相異之形狀亦無妨。 又,係準備將下面藉由例如Cu等之金屬材料(導電性 材料)401而作了覆蓋的第2基板42b (平板狀)。第2基板 42b以及導電性材料401之厚度,係設爲與第1基板42 a的情 況相同。而後,沿著第2基板42 b之厚度方向(圖9之上下 方向),而使用例如鑽頭或雷射亦或是NC裝置等,來開 孔從上面而貫通至下面的俯視略矩形狀之第3貫通孔404 ( 工程b,參考圖7 ( b ))。此第3貫通孔404,係以與第1貫 通孔402以及第2貫通孔403相重合的方式而被作設置。 另外,在本實施形態中,係以使第3貫通孔404之右端 與第1貫通孔402之右端成爲同一位置,並使第3貫通孔404 之左端與第2貫通孔403之左端成爲同一位置的方式,而作 形成,但是,係並不被限定於此構成。例如,亦可設爲將 第3貫通孔404之左右端較本實施形態而更朝向左右作擴廣 之構成等。又,第3貫通孔404之形狀,亦並不被限定於本 實施形態之形狀(俯視略矩形狀),而可適宜作變更。又 ,當然的,工程a和工程b之順序,係亦可設爲相反。 -36- 201220857 接著,將第1基板42a之下面和第2基板42b之上面作貼 合(工程c,參考圖9(c))。藉由此’藉由此,而得到 搭載有MEMS晶片41之搭載面的第1開口 421、與第1開口 421相連之基板內空間422 (剖面視之略U字狀)、以及在 搭載有MEMS晶片41之搭載面上而與第1開口 421相獨立地 被設置並且與基板內空間422相連之第2開口 423。另外, 第1基板42a和第2基板42b間的貼合,係只要和第3實施形 態之第1基板32a與第2基板32b間的貼合同樣的來進行即可 。又,與第3實施形態之情況相同的,在圖9 ( C )中所示 之構成的基板(將第1基板42a和第2基板42b貼合所形成之 基板),係亦可藉由1枚的基板來形成之。 以下,雖然在基板之形狀上係有所差異,但是,係藉 由與第3實施形態之情況相同的處理程序,而進行麥克風 基板42之製造。關於與第3實施形態重複之點,係作省略 或者是作簡單記載。 在第1基板42a之上面和第2基板42b之下面處的有必要 進行電性連接之場所,例如使用鑽頭惑雷射或者是NC裝 置等’來形成第4貫通孔405 (例如,直徑0.3mm )(工程 d ’參考圖9 ( d ))。接著,對於第4貫通孔405進行電鍍 處理(例如無電解銅電鍍處理),並形成如圖9(e)中所 示一般之第1貫通配線406 (工程e)。此時,關於基板內 空間422之壁面’亦係設爲被進行有電鑛處理,而將基板 內空間42 2之壁面全體,藉由金屬電鍍層CL(塗布層CL) 來作被覆。 -37- 201220857 另外,貫通配線406之形成、或者是將基板內空間422 之壁面藉由塗布層CL來作被覆之處理,係與第3實施形態 之情況相同的,亦可藉由電鍍處理以外之方法來進行。 接著,對於第1基板42a之上面和第2基板42b之下面處 的有必要形成配線圖案之部分,藉由抗蝕刻劑407來作遮 蔽(工程f,參考圖9(f))。此時,關於被施加在基板 內空間422之壁面處的塗布層CL,亦係藉由抗蝕刻劑407 來作遮蔽。而後,進行由蝕刻液所致之不必要的導電性材 料40 1之除去(工程g,參考圖9 ( g ))、蝕刻後之洗淨、 以及抗蝕刻劑407之除去(工程h,參考圖9(h))。 另外,於此,雖係設爲藉由蝕刻來將不必要之導電性 材料除去的構成,但是,係並不被限定於此,例如亦可設 爲經由雷射加工或者是切削加工來將不必要之導電性材料 除去。 接著,將下面被導電性材料401所覆蓋了的第3基板 42c (本發明之其他基板的實施形態),貼合在第2基板 42b之下面(工程i,參考圖9(i))。接著,安裝將第1 基板42a之上面全體作覆蓋並密閉的保護蓋408 (工程j, 參考圖9 ( j ))。保護蓋408之形狀或安裝方法、使用保 護蓋4 8之理由,係與第3實施形態的情況時相同。接著, 在第4基板42c處,例如使用雷射或NC裝置等,來開孔從 第3基板42c之下面起而到達第2基板42b之下面處的俯視略 圓形狀之第5貫通孔409(工程k,參考圖9(k))。另外 ,工程i〜工程k之順序,係亦可適當地作交換。 -38- 201220857 接著,係對於第4貫通孔4 0 9進行電鍍處理(例如無電 解銅電鍍處理),並形成如圖9(1)中所示一般之第2貫 通配線4 1 0 (工程1 )。藉由此,而進行第2基板4 2 b之下面 的配線圖案和第3基板4 2 c之下面的導電性材料4 0 1,其兩 者間之電性連接。在進行電鍍處理時,藉由保護蓋40 8之 存在,電鍍液係不會有侵入至基板內空間422中的情況。 另外’第2貫通配線4 1 0之形成,係亦可藉由電鍍處理以外 之方法來進行,關於此點,係與第3實施形態相同。 接著,在第3基板42c之下面,將需要配線圖案之部分 藉由抗蝕刻劑407來作遮蔽(工程m,參考圖9 ( m )), 並將基板(將3個的基板42a〜42c作貼合所成)浸漬在蝕 刻液中,而將第3基板42c之下面的不必要之導電性材料( 例如Cu)除去(工程n,參考圖9(n))。此時,藉由保 護蓋408之存在,蝕刻液係不會有侵入至基板內空間422中 的情況。 另外,於此,雖係設爲藉由蝕刻來將不必要之導電性 材料除去的構成,但是,係並不被限定於此,例如亦可設 爲經由雷射加工或者是切削加工來將不必要之導電性材料 除去。 若是蝕刻結束,則係進行基板的洗淨,並更接著進行 抗蝕刻劑407之除去(工程〇,參考圖9(〇))。最後,如 圖9 (p)中所示一般,將保護蓋408之接著部份卸下,而 將保護蓋4 0 8分離(工程p )。藉由此,得到具備有第1開 口 421、第2開口 423、以及藉由塗布層CL而將其壁面之— -39- 201220857 部分作了覆蓋的基板內空間422,並且被形成有配線圖案 (亦包含貫通配線)之麥克風基板42。 在此麥克風基板42之上面42d處,以覆蓋第1開口 42 1 的方式而配置MEMS晶片41,進而,以覆蓋MEMS晶片41 並且使第2音孔432與第2開口 423相重合的方式,而將蓋43 作被覆,藉由此,而得到圖8中所示之麥克風單元4。另外 之接合方法、以及在將電性 的情況時之注意事項,係與 ,關於被設置在麥克風基板 藉由減算法而是藉由加算法 1實施形態的情況相同。 ,有關於MEMS晶片41或蓋43 電路部搭載於麥克風基板42處 第1實施形態的情況相同。又 42處之配線圖案,係亦可並不 來形成,關於此點,亦係與第 (其他) 以上所示之實施形態的麥 音響變換元件搭載基板(麥克 還有該些之製造方法,係僅爲 用範圍,係並不被限定於以上 在不脫離本發明之目的的範圍 態的構成,亦可進行各種之變 例如,在以上所示之實施 響變換元件身爲利用半導體技 成,但是,係並不被限定於此 成之電性音響變換元件,由於 弱,因此係可合適地適用本發 克風單元1〜4、或者是電性 風基板)12、22 ' 32、42、 本發明之例示,本發明之適 所示之實施形態。亦即是, 內,針對以上所示之實施形 更。 形態中,雖係採用令電性音 術所形成的MEMS晶片之構 構成。藉由MEMS晶片所構 特別是對於塵埃之耐性係爲 明,但是,就算是在使用有 -40- 201220857 Μ E M S晶片以外之電性音響變換元件的情況時,亦能夠適 用本發明。 又,在以上之實施形態中’係針對電性音響變換元件 爲所謂的電容型麥克風之情況而作了說明,但是,本發明 ’在電性音響變換元件爲電容型麥克風以外之構成的麥克 風(例如動電型(Dynamic型)、電磁型(magnetic型) 、壓電型等之麥克風等)之情況時,亦能夠作適用。 又’在以上之實施形態中’雖針對被設置在電性音響 變換元件搭載基板之基板內空間處的塗布層係身爲電鍍層 等之金屬層的情況來作了說明’但是,係並不被限定於此 。也就是說’被設置在基板內空間處的塗布層,只要是具 備有對於有可能會在基板內空間中所產生之麈埃作抑制的 功能者,則就算是金屬層以外者亦無妨。 除此之外,電性音響變換元件或者是麥克風單元之形 狀(亦包含被設置於該些處之開口、基板內空間等),係 並不被限定爲本實施形態之形狀,不用說,亦可變更爲各 種之形狀。 [產業上之利用可能性] 本發明之麥克風單元,對於例如在行動電話等之聲音 輸入裝置中所具備的麥克風單元而言,係爲合適。 【圖式簡單說明】 [圖1]對於本發明所被適用之第1實施形態之麥克風單 -41 - 201220857 元的構成作展示之槪略剖面圖。 [圖2]對於第1實施形態之麥克風單元所具備的mems 晶片之構成作展示的槪略剖面圖。 [圖3]用以對於第1實施形態之麥克風單元所具備的麥 克風基板之製造方法作說明的剖面圖。 [圖4]對於本發明所被適用之第2實施形態之麥克風單 元的構成作展示之槪略剖面圖。 [圖5]用以對於第2實施形態之麥克風單元所具備的麥 克風基板之製造方法作說明的剖面圖。 [圖6]對於本發明所被適用之第3實施形態之麥克風單 元的構成作展示之槪略剖面圖。 [圖7]用以對於第3實施形態之麥克風單元所具備的麥 克風基板之製造方法作說明的剖面圖。 [圖8]對於本發明所被適用之第4實施形態之麥克風單 元的構成作展示之槪略剖面圖。 [圖9]用以對於第4實施形態之麥克風單元所具備的麥 克風基板之製造方法作說明的剖面圖。 【主要元件符號說明】 1、2、3、4:麥克風單元 1 1、21、3 1、41 : MEMS晶片(電性音響變換元件) 12、22、32、42:麥克風基板(電性音響變換元件搭 載基板) 12a、22a、32d、42d :搭載面 -42- 201220857 1 3、2 3、3 3、4 3 ··蓋(蓋部 1 4、2 4、3 4、4 4 :收容空間 22b :搭載面之背面 3 1 c、4 1 c :第3基板(其他3 103 、 203 、 304 、 308 、 405 112、 212、 312、 412:固定 114、 214、 314、 414:振動 121 、 221 、 321 、 421 :開口 122、 222、 322、 422 :基板 122a 、 222a 、 322a 、 422a : 22 3、423 :第2開口(其他i 3 0 7、4 0 8 :保護蓋 CL :塗布層 ;板) 409 :貫通配線用之貫通 電極 板 或第1開口 內空間 基板內空間之壁面 m ) -43-