CN102939768B - 电声转换器件安装基板、麦克风单元及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

公开的基板（12）上安装有电声转换器件（11），该电声转换器件将声音信号转换成电信号。此外，所述基板设置有：安装表面（12a），其中形成由该电声转换器件（11）覆盖的开口（121）；基板内空间（122），连接至所述开口（121）；以及涂覆层（CL），其覆盖该基板内空间（122）的至少部分壁表面（122a）。

Description

电声转换器件安装基板、麦克风单元及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种电声转换器件安装基板，其上安装有将声音信号转换成电信号的电声转换器件，并且涉及一种包括该电声转换器件安装基板的麦克风单元。此外，本发明还涉及该电声转换器件安装基板和麦克风单元的制造方法。
背景技术
通常，具有将输入声音转换成电信号并将该电信号输出的功能的麦克风应用于各种类型的语音输入装置(例如，诸如移动电话和收发器等之类的语音通信装置、诸如语音识别系统之类的利用输入语音分析技术的信息处理装置、以及录音装置等等)。
麦克风单元包括将声音信号转换成电信号的电声转换器件。电声转换器件安装在基板(电声转换器件安装基板)上，该基板上形成有布线图案，例如专利文献1和2中所示。如专利文献1所示，存在这样一种情况，其中：电声转换器件安装在基板上，以覆盖连接至形成于基板中的基板内空间(其在某些情况下用作后腔，而在其它情况下用作音孔(声音通道))的开口。
这里，本说明书中的“基板内空间”是相对于作为参考面的基板外周表面(假定在形成开口的部位，开口表面形成该外周表面)而言形成在更内侧部位的空间。
引用列表
专利文献
PLT1:JP-A-2008-510427
PLT2:JP-A-2010-41565
发明内容
技术问题
同时，存在这样的情况：由于尺寸缩减是可能的等原因，将利用半导体制造技术形成的MEMS(微机电系统)芯片用作麦克风单元中包括的电声转换器件。MEMS芯片包括膜片(diaphragm)和固定电极，该固定电极被布置为与膜片相对且其间有间隙，并且与膜片一起形成电容器。
在MEMS芯片中，形成在膜片与固定电极之间的间隙例如是1μm那样窄。因此，如果灰尘侵入该间隙，则会引起MEMS芯片的运行不良。
对于诸如包括树脂纤维的FR-4基板(玻璃环氧基板)之类的基板而言，从被刮削以形成例如通孔、凹槽等的表面上容易出现纤维废料(灰尘的实例)。因此，在具有安装有MEMS芯片以覆盖连接至基板内空间(其具有被施加了诸如刮削等加工的表面)的开口的结构的麦克风单元(例如专利文献1中所示)中，存在如下的问题：如果采用诸如容易释放灰尘的FR-4基板之类的基板来作为基板的话，则容易出现MEMS芯片运行不良。
鉴于上述各点，本发明的一个目的是提供一种电声转换器件安装基板，其能够减小电声转换器件由于灰尘而发生故障的可能性。此外，本发明的另一个目的是提供一种小而高质量的麦克风单元，对其通过包括该电声转换器件安装基板而采取了防尘措施。另外，本发明的又一个目的是提供一种该电声转换器件安装基板和麦克风单元的优选制造方法。
解决问题的方案
为实现上述目的，根据本发明的电声转换器件安装基板是安装有将声音信号转换成电信号的电声转换器件的电声转换器件安装基板，该电声转换器件安装基板包括：安装表面，其上安装有该电声转换器件，并且其设置有被该电声转换器件覆盖的开口；基板内空间，其连接至该开口；以及涂覆层，其覆盖该基板内空间的至少一部分壁表面。
根据此结构，通过由涂覆层覆盖被施加了诸如切割、刮削等加工的表面，能够得到不可能产生灰尘的状态。因此，通过使用具有该结构的电声转换器件安装基板，易于防止电声转换器件的故障。
在具有上述结构的电声转换器件安装基板中，涂覆层可以是电镀层(plated layer)。根据此结构，易于在形成例如穿过电声转换器件安装基板的直通布线的同时，也形成用于防尘措施的涂覆层，这是便利的。
此外，在具有上述结构的电声转换器件安装基板中，玻璃环氧材料可用作基板材料。如上所述，玻璃环氧基板容易从被施加了诸如切割、刮削等加工的表面释放灰尘。因此，在此种结构的情况下，由于涂覆工艺而导致的防尘措施的效果变得显著。
此外，在具有上述结构的电声转换器件安装基板中，基板内空间可以不连接至除该开口之外的另一开口，或者也可以连接至除该开口之外的另一开口。进一步地，在基板内空间连接至除该开口之外的另一开口的情况下，该另一开口可以经过与该安装表面相对的后表面而布置，或者可以经过该安装表面而布置。麦克风单元根据其用途而被制造成各种形式，根据本发明的电声转换器件安装基板广泛地适用于各种形式。
为实现上述目的，根据本发明的麦克风单元包括：具有上述结构的电声转换器件安装基板；电声转换器件，其安装在该安装表面上以覆盖该开口；以及盖部，其与该电声转换器件安装基板相协同以形成容纳空间，用于容纳该电声转换器件。
具有上述结构的麦克风单元不可能在基板内空间中释放出灰尘，因此，不可能出现电声转换器件的故障。换句话说，根据此结构，能够提供具有高质量的麦克风单元。
在具有上述结构的麦克风单元中，电声转换器件可以是MEMS芯片，该MEMS芯片包括：膜片以及固定电极，该固定电极被布置为与该膜片相对且在它们之间具有间隙，并且与该膜片一起形成电容器。可以将MEMS芯片形成为小尺寸，因此，根据此结构，可以提供小型且高质量的麦克风单元。
为实现上述目的，根据本发明的一种电声转换器件安装基板的制造方法包括：第一步骤，用于制备基板，该基板设置有：由该电声转换器件覆盖的开口，连接至该开口的基板内空间，以及用于直通布线的通孔；第二步骤，用于将电镀工艺施加至该基板内空间和该用于直通布线的通孔；以及第三步骤，用于通过在该电镀工艺之后进行蚀刻工艺，而将布线图案形成在基板外表面上。
根据此结构，在形成直通布线的同时，可以通过电镀层(涂覆层的形式)来覆盖基板内空间的壁表面，该基板内空间连接至由该电声转换器件覆盖的开口，由此，易于形成应用了防尘措施的电声转换器件安装基板。
具有上述结构的电声转换器件安装基板的制造方法还可包括：第四步骤，用于将另一基板贴附至在第三工艺中形成了该布线图案的该基板的形成有该开口的表面相对的后表面；第五步骤，用于安装保护盖以覆盖在第三工艺中形成了该布线图案的该基板的形成有该开口的表面的整个表面；第六步骤，用于经过该另一基板形成用于直通布线的通孔；第七步骤，用于在以任意顺序进行的第四步骤、第五步骤和第六步骤完成后，将电镀工艺施加于在该第六步骤中形成的该用于直通布线的通孔；第八步骤，用于在第七步骤完成后，通过蚀刻工艺在该另一基板上形成布线图案；以及第九步骤，用于在该另一基板上形成该布线图案之后，分离开该保护盖。
例如，在通过仅沿基板厚度方向挖掘无法形成基板内空间的情况下，存在利用多个基板而便利地形成电声转换器件安装基板的情况。该结构设想出了利用多个基板而形成具有基板内空间的电声转换器件安装基板的情况。而且，在利用多个基板而形成电声转换器件安装基板的情况下，存在这样的担心：电镀工艺液体、蚀刻工艺液体等侵入基板内空间，它们的残留物余留到最后，生产出被污染的电声转换器件安装基板。就此而言，根据此结构，预期到在后续步骤中电镀液等余留在基板内空间中的可能性，预先安装保护盖以覆盖基板内空间，之后，再进行电镀工艺和蚀刻工艺。因此，能够减小产出上述被污染的电声转换器件安装基板的可能性。
为实现上述目的，根据本发明的一种麦克风单元的制造方法包括：通过具有上述配置的制造方法来制造电声转换器件安装基板的步骤；将电声转换器件安装到该电声转换器件安装基板上以覆盖该开口的步骤；以及将盖部覆盖到该电声转换器件安装基板上以覆盖该电声转换器件的步骤。
根据此配置，制造出应用了防尘措施并且污染可能性低的电声转换器件安装基板，并且利用该电声转换器件安装基板组装麦克风单元，因此，能够提供具有高质量的麦克风单元。
发明的有益效果
根据本发明，可以提供一种电声转换器件安装基板，其能够减小电声转换器件由于灰尘而发生故障的可能性。此外，根据本发明，通过包括该电声转换器件安装基板，可以提供一种应用了防尘措施的小型高质量的麦克风。另外，根据本发明，可以提供一种该电声转换器件安装基板和麦克风单元的优选制造方法。
附图说明
图1是示出根据应用本发明的第一实施例的麦克风单元结构的示意性剖视图。
图2是示出根据第一实施例的麦克风单元所包括的MEMS芯片的结构的示意性剖视图。
图3是用于描述根据第一实施例的麦克风单元所包括的麦克基板(mikesubstrate)的制造方法的剖视图。
图4是示出根据应用本发明的第二实施例的麦克风单元结构的示意性剖视图。
图5是用于描述根据第二实施例的麦克风单元所包括的麦克基板的制造方法的剖视图。
图6是示出根据应用本发明的第三实施例的麦克风单元结构的示意性剖视图。
图7是用于描述根据第三实施例的麦克风单元所包括的麦克基板的制造方法的剖视图。
图8是示出根据应用本发明的第四实施例的麦克风单元结构的示意性剖视图。
图9是用于描述根据第四实施例的麦克风单元所包括的麦克基板的制造方法的剖视图。
具体实施方式
在下文中，参照附图详细描述电声转换器件安装基板、麦克风单元以及它们的制造方法。
(第一实施例)
图1是示出根据应用本发明的第一实施例的麦克风单元结构的示意性剖视图。如图1所示，根据第一实施例的麦克风单元1包括：MEMS芯片11；麦克基板12，MEMS芯片11安装于该麦克基板12上；以及盖13。根据第一实施例的麦克风单元1用作全方向麦克。
包括硅芯片的MEMS芯片11是根据本发明的电声转换器件的实施例，并且是通过利用半导体制造技术而制造的小电容器型麦克风单元。图2是示出根据第一实施例的麦克风单元所包括的MEMS芯片的结构的示意性剖视图。MEMS芯片11的外形具有基本上为长方体的形状，并且如图2所示，MEMS芯片11包括：绝缘底座基板111；固定电极112；绝缘中间基板113；以及膜片114。
底座基板111设置有通孔111a，该通孔111a当经其中心部从上方观看时具有基本为圆形的形状。板形固定电极112布置在底座基板111上，并设置有多个小直径(直径约10μm)通孔112a。中间基板113布置在固定电极112上，并且与底座基板111类似，设置有通孔113a，该通孔113a当经其中心部从上方观看时具有基本为圆形的形状。布置在中间基板113上的膜片114是接收声压以振动(在图2中竖直地振动。此外，在本实施例中，基本为圆形的部分振动)的薄膜，具有导电性，并形成电极的端部。固定电极112和膜片114被布置为处于相互之间基本上平行的关系且由于中间基板113的存在而越过间隙Gp，所述固定电极112和膜片114形成电容器。
在MEMS芯片11中，当声波抵达且膜片114振动时，在膜片114与固定电极112之间的电极间距离变化，因此，静电电容量变化。结果是，可以提取进入MEMS芯片11的声波(声音信号)作为电信号。这里，在MEMS芯片11中，由于存在穿过底座基板111形成的通孔111a、穿过固定电极112形成的多个通孔112a以及穿过中间基板113形成的通孔113a，所以膜片114的下表面也能够与外部空间(MEMS芯片11的外部)相连通。
被形成为从上方观看时具有基本为矩形形状的麦克基板12是根据本发明的电声转换器件安装基板的实施例，且在其上表面12a上安装有MEMS芯片11。虽然在图1中省略了，但麦克基板12设置有布线图案(包括直通布线)，该布线图案是向MEMS芯片11施加电压以及从MEMS芯片11提取电信号所必需的。
此外，麦克基板12经上面安装有MEMS芯片11的安装表面(上表面)12a设置有开口121，并且MEMS芯片11被布置为覆盖开口121。开口121连接至具有基本为圆筒(cylindrical)形状的基板内空间122。基板内空间122仅连接至开口121，而不连接至其它开口。换句话说，麦克基板12通过开口121和基板内空间122而设置有凹部。布置基板内空间122的意图在于增大后腔(面向膜片114下表面的密闭空间)的体积。如果后腔体积增大，则膜片114容易移位，并且MEMS芯片11的麦克灵敏度提高。
这里，麦克基板12例如可以是FR-4(玻璃环氧基板)基板，然而也可以是其它种类的基板。
外形形成为基本为长方体形状的盖13布置在麦克基板12上方，从而与麦克基板12协同以形成容纳MEMS芯片11的容纳空间14。盖13设置有音孔131，该音孔131将出现在麦克风单元1外部的声音引导至MEMS芯片11的膜片114。这里，盖13是本发明的盖部的实施例。
当经由音孔131输入至容纳空间14内的声波抵达膜片114时，膜片114振动，由此，如上所述，静电电容量发生变化。麦克风单元1被构造为将静电电容量的变化提取为电信号并将其输出至外部。这里，优选的是，用于将静电电容量的变化提取为电信号的电路部布置在容纳空间14中，但是，该电路部也可以布置在容纳空间14外部。此外，该电路部可以以单片方式形成在构成MEMS芯片11的硅基板上。
同时，在根据第一实施例的麦克风单元1中，形成在麦克基板12中的基板内空间122的壁表面122a(在本实施例中，基板内空间122的整个壁表面)被涂覆层CL所覆盖。例如通过电镀工艺可得到涂覆层CL的覆盖，并且涂覆层CL例如可以是金属镀层，如Cu镀层等。由于涂覆层CL的覆盖，可以减小灰尘出现于麦克基板12的基板内空间122中的可能性。
在麦克基板12由例如玻璃环氧基板(FR-4基板)构成的情况下，从麦克基板12的加工表面(被施加了诸如切割、刮削等加工的表面)容易产生纤维状灰尘。在基板内空间122的壁表面122a没有通过涂覆层CL覆盖的情况下(在与本实施例不同的情况下)，灰尘容易进入布置为覆盖开口121的MEMS芯片11中，该开口121连接至基板内空间122。灰尘侵入MEMS芯片11中导致MEMS芯片11发生故障。作为实例，存在灰尘从经固定电极112布置的通孔112a进入并堵塞固定电极112与膜片114之间的间隙Gp(参见图2)的情形。关于这一点，在根据第一实施例的麦克风单元1中，由于存在涂覆层CL，所以灰尘不可能从基板内空间122出现，并且可以减小MEMS芯片11发生故障的可能性。
下面，主要参照图3来描述上述麦克基板12和麦克风单元1的制造方法。图3是用于描述根据第一实施例的麦克风单元所包括的麦克基板的制造方法的剖视图，其中(a)至(f)示出制造过程中的多个状态，(g)示出麦克基板完成时的状态。
在制造麦克基板12时，首先，制备基板12’(平板形)，其上表面和下表面由诸如Cu等之类的金属材料(导电材料)101所覆盖(步骤a；参见图3中的(a)图)。基板12’的厚度例如为1.0mm，导电材料101的厚度为0.15μm。
在所制备基板12’的基本上是中心的位置，将基板12’从上表面沿厚度方向(图3中的竖直方向)挖掘至一个位置。以这种方式，如图3中的(b)图所示，形成从上方观看时具有基本为圆形的形状的开口121和连接至开口121的基本为圆筒形的基板内空间122(其仅连接至开口121而不连接至其它开口)(步骤b)。例如利用NC(数控)装置来进行进入基板12’内的挖掘，该NC(数控)装置能够进行控制坐标位置的3D对象的刮削加工。基板内空间122的尺寸例如是直径为0.6mm，深度为0.5mm。
同时，这里，利用NC装置得到设置有开口121和基板内空间122的基板(设置有凹部的基板)；但是，这不是限定性的。换句话说，设置有通孔(例如，通过钻头或激光而形成)的第一基板(平板形)和没有通孔的第二基板相互贴附，由此，可得到设置有开口121和基板内空间122的一个基板。
下面，在形成有开口121和基板内空间122的基板12’中，经过对于将上表面和下表面相互电连接而言必需的部分形成通孔103(例如，直径为0.3mm)，如图3中的(c)图所示(步骤c)。为了形成通孔103，例如，使用钻头、激光、NC装置等。对于将基板12’的上表面和下表面相互电连接而言必需的部分是基于麦克风单元的电路结构如何设计而适当确定的。在图3的(c)图中，三个位置被示出为形成通孔103的位置；但是，这不是限定性的。此外，步骤b和步骤c可以相互交换顺序。
在经基板12’形成了通孔103时，下面，将电镀工艺(例如，化学镀铜工艺)施加于通孔103以形成直通布线104，如图3中的(d)图所示(步骤d)。此时，也将电镀工艺施加于基板内空间122的壁表面。因此，在形成直通布线104的同时，基板内空间122的整个壁表面被金属(例如，Cu)镀层CL(涂覆层CL)所覆盖。
这里，直通布线104的形成和通过涂覆层CL覆盖基板内空间122的壁表面的工艺可以用电镀工艺之外的方法进行，例如，可以用使用导电膏等的方法(掩埋、涂覆等)进行。
下面，基板12’的上表面和下表面中需要布线图案的部分通过蚀刻抗蚀剂105来遮盖，如图3中的(e)图所示(步骤e)。此时，涂覆至基板内空间122的壁表面的涂覆层CL(例如，Cu镀层)也通过蚀刻抗蚀剂105来遮盖。
在完成通过蚀刻抗蚀剂105的遮盖时，将基板12’浸入蚀刻液(步骤f)。以此方式，在布置于基板12’的上表面和下表面上的导电材料(例如，Cu)中，未被蚀刻抗蚀剂105所覆盖的部分被去除，如图3中的(f)图所示。
同时，这里，不必要的导电材料通过蚀刻被去除；但是，这不是限定性的，不必要的导电材料也可以通过例如激光加工和刮削加工而被去除。
在完成蚀刻时，进行基板12’的清洗和蚀刻抗蚀剂105的去除(步骤g)。以此方式，如图3中的(g)图所示，得到了麦克基板12，其包括开口121和壁表面被涂覆层CL所覆盖的基板内空间122，并且设置有布线图案(包括直通布线)。
通过将MEMS芯片11布置到麦克基板12的上表面12a上以覆盖开口121，并且进一步通过设置盖13以覆盖MEMS芯片11，得到了图1所示的麦克风单元1。这里，MEMS芯片11通过裸片接合材料(例如，环氧树脂粘合剂，有机硅树脂粘合剂等)连接至麦克基板12，使得不会出现声音泄漏，并且在底表面与麦克基板12的上表面之间不形成间隙。
此外，盖13还利用例如用于气密性密封的粘合剂或粘合片而连接至麦克基板12的上表面。在电路部安装到麦克基板12上的情况下，MEMS芯片11和电路部连接至麦克基板12，之后，盖13连接至麦克基板12的上表面(MEMS芯片11等的安装表面)。形成在麦克基板12下表面上的布线图案被用作外部电极。
在以上描述中，描述了结构，其中布置在麦克基板12上的布线图案是通过使用蚀刻法的削减方法(subtraction method)形成的；但是，这不是限定性的。换句话说，布置在麦克基板12上的布线图案可以通过使用印刷、掩埋等的添加方法(addition mehtod)形成。
(第二实施例)
图4是示出根据应用本发明的第二实施例的麦克风单元结构的示意性剖视图。如图4所示，根据第二实施例的麦克风单元2包括：MEMS芯片21；麦克基板22，MEMS芯片21安装于该麦克基板22上；以及盖23。根据第二实施例的麦克风单元2用作全方向麦克。
具有固定电极212(其具有多个通孔212a)和膜片214的MEMS芯片21(根据本发明的电声转换器件的实施例)的结构与第一实施例中MEMS芯片11的结构相同，因此，省略其详细描述。
麦克基板22(根据本发明的电声转换器件安装基板的实施例)的结构与第一实施例中的麦克基板12的结构基本相同，但是与第一实施例的结构的不同之处在于，连接至经麦克基板22的安装表面(上表面)形成的第一开口221的基板内空间222还连接至第二开口223，该第二开口223是经与麦克基板22的安装表面相对的后表面(下表面)22b而形成的。换句话说，与第一实施例不同，麦克基板22不是设置有凹部，而是通过第一开口121、基板内空间122和第二开口223设置有沿厚度方向穿透麦克基板22的通孔。此外，盖23(根据本发明的盖部的实施例)也具有与第一实施例中的盖13基本相同的结构，但是与第一实施例的结构的不同之处在于没有设置音孔。
这里，麦克基板22例如可以是FR-4(玻璃环氧基板)基板，但也可以是其它种类的基板。
在根据第二实施例的麦克风单元2中，MEMS芯片21布置为覆盖经麦克基板22的安装表面22a形成的第一开口221。由第一开口221、基板内空间222和第二开口223形成的通孔用作音孔。换句话说，出现在麦克风单元2外部的声波经由第二开口223、基板内空间222和第一开口221抵达膜片214的下表面。
以此方式，膜片214发生振动，由此，静电电容量发生变化。麦克风单元2被构造为将静电电容量的变化提取为电信号并将其输出至外部。这里，与用于将MEMS芯片21的静电电容量变化提取为电信号的电路部的布置相关的注意事项与第一实施例的情况相同。
根据第二实施例的麦克风单元2被构造为将由麦克基板22和盖23形成的密闭空间24(用于容纳MEMS芯片21的容纳空间)用作后腔，因此，容易扩大后腔体积。因此，容易提高麦克灵敏度。
这里，在根据第二实施例的麦克风单元2中，形成在麦克基板22中的基板内空间222的壁表面222a(在本实施例中，指基板内空间222的整个壁表面)也被涂覆层CL所覆盖。例如通过电镀工艺可得到涂覆层CL的覆盖，并且涂覆层CL例如可以是金属镀层，如Cu镀层等。涂覆层CL的覆盖的效果与第一实施例的情况相同，并且在根据第二实施例的麦克风单元2中，也可以防止基板内空间222中出现灰尘，并减少MEMS芯片21的故障。
下面，主要参照图5来描述上述麦克基板22和麦克风单元2的制造方法。图5是用于描述根据第二实施例的麦克风单元所包括的麦克基板的制造方法的剖视图，其中(a)至(f)示出制造过程中的多个状态，(g)示出麦克基板完成时的状态。
在制造麦克基板22时，首先，制备基板22’(平板形)，其上表面和下表面由诸如Cu等的金属材料(导电材料)201所覆盖(步骤a；参见图5中的(a)图)。基板22’和导电材料201的厚度可以与第一实施例中相同。
在所制备基板22’的基本上是中心的位置，沿着基板22’的厚度方向(图5中的竖直方向)，使用例如钻头、激光、NC装置等开设一个从上表面穿透到下表面的孔(例如，直径为0.6mm)。以这种方式，经基板22’的上表面形成具有基本为圆形的形状的第一开口221，形成具有基本为圆筒形的形状并连接至第一开口221的基板内空间222，并形成经基板22’的下表面布置并连接至基板内空间222的第二开口223(步骤b；参见图5中的(b)图)。
之后，连续进行与第一实施例中相同的工艺。
首先，经过对于将上表面和下表面相互电连接而言必需的部分形成通孔203，如图5中的(c)图所示(步骤c)。这里，步骤b和步骤c可以相互交换顺序。而且，进行电镀工艺以形成直通布线204，如图5中的(d)图所示(步骤d)。此时，也将电镀工艺施加于基板内空间222的壁表面，并且基板内空间222的整个壁表面被金属(例如，Cu)镀层CL(涂覆层CL)所覆盖。这里，直通布线204的形成和通过涂覆层CL覆盖基板内空间222的壁表面的工艺可以用其它方法进行，这与第一实施例中相同。
下面，基板22’的上表面和下表面中需要布线图案的部分通过蚀刻抗蚀剂205来遮盖(步骤e)。此时，涂覆至基板内空间222的壁表面的涂覆层CL(例如，Cu镀层)也通过蚀刻抗蚀剂105来遮盖。
在完成通过蚀刻抗蚀剂205的遮盖时，将基板22’浸入蚀刻液以去除不必要的导电材料(例如，Cu)，如图5中的(f)图所示(步骤f)，之后，进行清洗和蚀刻抗蚀剂205的去除(步骤g)。以此方式，如图5中的(g)图所示，得到麦克基板22，其包括第一开口221、被涂覆层CL所覆盖的基板内空间222、和第二开口223，并且设置有布线图案(包括直通布线)。
通过将MEMS芯片21布置到麦克基板22的上表面22a上以覆盖开口221，并且进一步通过设置盖23以覆盖MEMS芯片21，得到图4所示的麦克风单元2。MEMS芯片21和盖23的连接方法以及在将电路部安装到麦克基板22上的情况下的注意事项与第一实施例中的情况相同。此外，布置在麦克基板22上的布线图案可以通过添加方法而不是削减方法而形成，这也与第一实施例中的情况相同。
(第三实施例)
图6是示出根据应用本发明的第三实施例的麦克风单元结构的示意性剖视图。如图6所示，根据第三实施例的麦克风单元3包括：MEMS芯片31；麦克基板32，MEMS芯片31安装于该麦克基板32上；以及盖33。根据第三实施例的麦克风单元3用作全方向麦克。
具有固定电极312(其具有多个通孔312a)和膜片314的MEMS芯片31(根据本发明的电声转换器件的实施例)的结构与第一实施例中MEMS芯片11的结构相同，因此，省略其详细描述。此外，设置有音孔331的盖33(本发明的盖部的实施例)的结构也与第一实施例中的盖13的结构相同，因此，省略其详细描述。
麦克基板32(根据本发明的电声转换器件的实施例)的结构与第一实施例的结构不同。因此，在根据第三实施例的麦克风单元3中，后腔具有与根据第一实施例的麦克风单元1中不同的结构。
形成为从上方观看时具有基本为矩形的形状的麦克基板32是通过将三个基板32a、32b和32c相互贴附而构成的，如图6所示。虽然在图6中省略了，但是麦克基板32设置有布线图案(包括直通布线)，该布线图案对于将电压施加到安装在上表面32d上的MEMS芯片31以及从MEMS芯片31中提取电信号是必需的。
此外，麦克基板32经安装有MEMS芯片31的安装表面(上表面)32d而设置有开口321，并且MEMS芯片31被布置为覆盖开口321。开口321连接至具有基本上为L形的截面的基板内空间322。基板内空间322仅连接至开口321，而不连接至其它开口。如上所述，麦克基板32具有通过贴附所述多个基板而得到的结构，因此，容易得到具有基本上为L形的截面的基板内空间322。这里，麦克基板32例如可以是FR-4(玻璃环氧基板)基板，然而也可以是其它种类的基板。
布置基板内空间322的意图是增大后腔(面向膜片314下表面的密闭空间)的体积。因为所述形状(截面基本上是L形)，所以与第一实施例中的基板内空间122相比，可以扩大本实施例中基板内空间322的体积。因此，与根据第一实施例的麦克风单元1相比，根据第三实施例的麦克风单元3可预期提高麦克灵敏度。这里，为了可以扩大后腔体积，基板内空间322可被构造为具有连接至沿基板厚度方向的挖掘口的中空空间，或者不限于本实施例的结构：例如，可以使用截面基本是倒T形等形状。
在根据第三实施例的麦克风单元3中，当经由MEMS芯片31的音孔331输入至容纳空间34(由麦克基板32和盖33形成)内的声波抵达膜片314时，膜片314振动，由此，静电电容量发生变化。麦克风单元3被构造为将静电电容量的变化提取为电信号并将其输出至外部。这里，与用于将MEMS芯片31的静电电容量变化提取为电信号的电路部的布置相关的注意事项与第一实施例的情况相同。
同时，在根据第三实施例的麦克风单元3中，形成在麦克基板32中的基板内空间322的一部分壁表面322a(除基板内空间322的底壁之外的部分)被涂覆层CL所覆盖。例如通过电镀工艺可得到涂覆层CL的覆盖，并且涂覆层CL例如可以是金属镀层，如Cu镀层等。涂覆层CL的覆盖的效果与第一实施例的情况相同，并且在根据第三实施例的麦克风单元3中，也可以防止基板内空间322中出现灰尘，并减少MEMS芯片31的故障。
这里，当然可以采用基板内空间322的底壁也被涂覆层CL覆盖的结构。在本实施例中，采用了这样的结构，其中：麦克基板32是通过将多个基板32a至32c相互贴附而形成的，并且基板内空间32的底壁由基板32c的上表面形成。基板32c的上表面不是被施加了诸如切割、刮削等加工的表面，因而不可能产生灰尘。因此，在本实施例中，采用基板内空间322的底壁不被涂覆层CL覆盖的结构。
下面，主要参照图7来描述上述麦克基板32和麦克风单元3的制造方法。图7是用于描述根据第三实施例的麦克风单元所包括的麦克基板的制造方法的剖视图，其中(a)至(o)示出制造过程中的多个状态，(p)示出麦克基板完成时的状态。
在制造麦克基板32时，首先，制备第一基板32a(平板形)，其上表面例如被诸如Cu等之类的金属材料(导电材料)301所覆盖。而且，沿着第一基板32a的厚度方向(图7中的竖直方向)，使用例如钻头、激光、NC装置等开设从上表面穿透到下表面的第一通孔302(该第一通孔302从上方观看时具有基本为圆形的形状)(步骤a；参见图7中的(a)图)。第一通孔302的形成位置处于第一基板32a的基本上是中心的位置。这里，第一基板32a的厚度例如为0.3mm，导电材料301的厚度为0.15μm。此外，第一通孔302的直径为0.6mm。
此外，制备第二基板32b(平板形)，其下表面被诸如Cu等之类的金属材料(导电材料)301所覆盖。第二基板32b和导电材料301的厚度与第一基板32a的情况相同。而且，沿着第二基板32b的厚度方向(图7中的竖直方向)，使用例如钻头、激光、NC装置等开设从上表面穿透到下表面的第二通孔303(该第二通孔303从上方观看时具有基本为圆形的形状)(步骤b；参见图7中的(b)图)。第二通孔303布置在与第一通孔302重叠(overlap)的位置，并且被布置为直径比第一通孔302大。这里，当然，步骤a和步骤b的顺序可以反转。
下面，将粘合剂涂抹到第一基板32a的下表面和第二基板32b的上表面中的至少之一上，并且通过按压将第一基板32a和第二基板32b相互贴附(步骤c；参见图7中的(c)图)。以此方式，得到安装有MEMS芯片31的安装表面的开口321，并且得到连接至开口312的基板内空间322(截面基本上是L形)。这里，取代粘合剂，可以使用粘合片(例如，具有约50μm厚度的热塑片)，或者可以通过热压合来贴附第一基板32a和第二基板32b。
此外，图7中的(c)图所示的通过贴附第一基板32a和第二基板32b形成的基板可以由一块基板形成。在这种情况下，制备上表面和下表面设置有导电材料的基板。而且，利用NC装置从上表面和下表面这两者在基板上形成挖掘口。如果使得从上表面形成的挖掘口面积与从下表面形成的挖掘口面积不同，则得到与图7中的(c)图所示的相同的基板。
下面，经过在第一基板32a的上表面和第二基板32b的下表面之间必须进行电连接的部分形成第三通孔304(例如，直径为0.3mm)(步骤d；参见图7中的(d)图)。为了形成通孔304，例如，使用钻头、激光、NC装置等。
下面，将电镀工艺(例如，化学镀铜工艺)施加于第三通孔304以形成第一直通布线305，如图7中的(e)图所示(步骤e)。此时，也将电镀工艺施加于基板内空间322的壁表面，基板内空间322的整个壁表面被金属(例如，Cu)镀层CL(涂覆层CL)所覆盖。这里，第一直通布线305的形成和通过涂覆层CL覆盖基板内空间322的壁表面的工艺可以用电镀工艺之外的方法进行，例如，可以用使用导电膏等的方法(掩埋、涂覆等)进行。
下面，第一基板32a的上表面和第二基板32b的下表面中需要布线图案的部分通过蚀刻抗蚀剂306来遮盖(步骤f；参见图7中的(f)图)。此时，涂覆至基板内空间322的壁表面的涂覆层CL(例如，Cu镀层)也通过蚀刻抗蚀剂306来遮盖。
下面，将处于相互贴附关系的第一基板32a和第二基板32b浸入蚀刻液。以此方式，在布置于基板上的导电材料(例如，Cu)中，未被蚀刻抗蚀剂306所覆盖的部分被去除(步骤g；图7中的(g)图)。同时，这里，不必要的导电材料通过蚀刻被去除；但是，这不是限定性的，不必要的导电材料也可以通过例如激光加工和刮削加工而被去除。
下面，清洗蚀刻液中浸泡的基板，之后，进行蚀刻抗蚀剂306的去除(步骤h；参见图7中的(h)图)。而且，将下表面被导电材料301所覆盖的第三基板32c(根据本发明的另一基板的实施例)贴附至第二基板32b的下表面上(步骤i；参见图7中的(i)图)。第三基板32c和导电材料的厚度与第一基板32a和第二基板32b的情况相同。将第三基板32c贴附至第二基板32b上可以通过与第一基板32a和第二基板32b的贴附相同的方法进行。
下面，安装保护盖307以覆盖并密闭第一基板32a的整个上表面(步骤j；参见图7中的(j)图)。在本实施例中，保护盖307具有盒子(box)形状，并且外边缘部307a接合并固定至第一基板32a上，同时盒子的开口面向下。在除外边缘部307a之外的位置，在第一基板32a与保护盖307之间形成有间隙。这里，保护盖307的形状不限于此，而可以是平板形。在保护盖307为平板形的情况下，整个表面可以被接合至第一基板32a的上表面。
设置安装保护盖307的步骤的目的是为了在后续基板制造工艺期间防止基板处理液侵入基板内空间322，以及防止最终得到的电声转换器件安装基板32被污染。具体而言，在不存在保护盖307的情况下，有可能电镀液和蚀刻液在电镀、蚀刻和清洗步骤期间侵入基板内空间322，并且余留有残留物而污染基板。就此而言，如同在本实施例中那样，通过安装保护盖307能够防止基板污染。
下面，开设从上方观看时具有基本为圆形的形状的第四通孔308，其从第三基板32c的下表面延伸至第二基板32b的下表面(步骤k；参见图7中的(k)图)。通过例如激光、NC装置等可开设第四通孔308，并且可以将直径形成为约0.5mm。这里，步骤i至步骤k的顺序可以适当改变。
下面，将电镀工艺(例如，化学镀铜工艺)施加于第四通孔308以形成第二直通布线309，如图7中的(l)图所示(步骤l)。以此方式，在第二基板32b的下表面上的布线图案与第三基板32c的下表面上的导电材料301之间进行电连接。在进行电镀工艺时，由于存在保护盖307，所以蚀刻液不会侵入基板内空间322。这里，第二直通布线309的形成可以通过电镀工艺之外的方法进行，例如，可以通过使用导电膏等的方法(掩埋、涂覆等)进行。
下面，第三基板32c的下表面中需要布线图案的部分通过蚀刻抗蚀剂306来遮盖(步骤m；参见图7中的(m)图)。下面，将基板(其是通过将第一基板32a、第二基板32b和第三基板32c彼此贴附而形成的)浸入蚀刻液中以去除第三基板32c的下表面上不必要的导电材料(例如，Cu)(步骤n；参见图7中的(n)图)。此时，由于存在保护盖307，所以蚀刻液不会侵入基板内空间322。
同时，这里，不必要的导电材料是通过蚀刻去除的；但是，这不是限定性的，不必要的导电材料也可通过例如激光加工和刮削加工而去除。
在完成蚀刻时，进行基板清洗，进一步地，进行蚀刻抗蚀剂306的去除(步骤o；参见图7中的(o)图)。而且，最终，如图7中的(p)图所示，保护盖307的接合部被卸下以将保护盖307分离开(步骤p)。以此方式，得到麦克基板32，其包括开口321和壁表面被涂覆层CL部分覆盖的基板内空间322，并且设置有布线图案(包括直通布线)。
通过将MEMS芯片31布置到麦克基板32的上表面32d上以覆盖开口321，并且进一步通过设置盖33以覆盖MEMS芯片31，得到图6所示的麦克风单元3。MEMS芯片31和盖33的连接方法以及在将电路部安装到麦克基板32上的情况下的注意事项与第一实施例中的情况相同。此外，布置在麦克基板32上的布线图案可以通过添加方法而不是削减方法而形成，这也与第一实施例中的情况相同。
(第四实施例)
图8是示出根据应用本发明的第四实施例的麦克风单元结构的示意性剖视图。如图8所示，根据第四实施例的麦克风单元4包括：MEMS芯片41；麦克基板42，MEMS芯片41安装于该麦克基板42上；以及盖43。根据第四实施例的麦克风单元4用作双向差分麦克。
具有固定电极412(其具有多个通孔412a)和膜片414的MEMS芯片41(根据本发明的电声转换器件的实施例)的结构与根据第一实施例的MEMS芯片11的结构相同，因此，省略其详细描述。
麦克基板42(根据本发明的电声转换器件的实施例)的结构与第一、第二和第三实施例的结构不同。形成为从上方观看时具有基本为矩形的形状的麦克基板42是通过将三个基板42a、42b和42c相互贴附而构成的，如图8所示。虽然在图8中省略了，但是麦克基板42设置有布线图案(包括直通布线)，该布线图案对于将电压施加到安装在上表面42d上的MEMS芯片41以及从MEMS芯片41中提取电信号是必需的。
此外，麦克基板42设置有第一开口421，该第一开口421靠近安装MEMS芯片11的安装表面(上表面)42d的中心，并且布置MEMS芯片41以覆盖第一开口421。第一开口421连接至具有基本为U形的截面的基板内空间422。基板内空间422不仅连接至第一开口421，而且连接至经麦克基板42的安装表面42d形成的第二开口423。如上所述，麦克基板42具有通过粘附所述多个基板而得到的结构，因此，容易得到具有第一开口421、基板内空间422和第二开口423的基板内空间422。这里，麦克基板42例如可以是FR-4(玻璃环氧基板)基板，然而也可以是其它种类的基板。
形成为具有基本为长方体的形状的盖43被布置在麦克基板42上方，从而与麦克基板42协同以形成容纳MEMS芯片41的容纳空间44。盖43设置有与容纳空间44相连通的第一音孔431。此外，盖33设置有第二音孔432，该第二音孔432经由第二开口423而与基板内空间422相连通。这里，盖43是本发明的盖部的实施例。
在根据第四实施例的麦克风单元4中，经由第一音孔431输入至容纳空间44内的声波抵达膜片414的上表面。此外，经由第二音孔432输入至基板内空间422内的声波抵达膜片414的下表面。因此，当声音出现在麦克风单元4外部时，膜片414由于作用于上表面的声压与作用于下表面的声压之间的差异而发生振动。
声波的声压(声波的幅度)与距离声源的距离成反比。而且，声压在靠近声源的位置处急剧衰减，而在距离声源越远的位置处衰减得越慢。因此，在从声源到膜片414上表面的距离与从声源到膜片414下表面的距离彼此不同的情况下，用户语音(其出现在麦克风单元4附近且从膜片414的上表面和下表面进入)在膜片414的上表面与下表面之间产生大的声压差，以使膜片发生振动。另一方面，从膜片414的上表面和下表面进入的来自远处的噪声具有基本相同的声压，因此，它们彼此抵消并且几乎不会使膜片振动。
因此，通过膜片414的振动提取的电信号可被视为去除了噪声且表示用户语音的电信号。换句话说，根据本实施例的麦克风单元4适用于近讲型(close-talking)麦克，需要该近讲型麦克能够减小远距噪声并采集近处的声音。
这里，用于将MEMS芯片41的静电电容量变化提取为电信号的电路部例如可以布置在容纳空间44中，或者布置在麦克风单元外部。此外，该电路部可以以单片方式形成在构成MEMS芯片41的硅基板上。
同时，在根据第四实施例的麦克风单元4中，形成在麦克基板42中的基板内空间422的一部分壁表面422a被涂覆层CL所覆盖。例如通过电镀工艺可得到涂覆层CL的覆盖，并且涂覆层CL例如可以是金属镀层，如Cu镀层等。涂覆层CL的覆盖的效果与第一实施例的情况相同，并且在根据第四实施例的麦克风单元4中，也可以防止基板内空间422中出现灰尘，并减少MEMS芯片41的故障。
这里，当然可以采用形成基板内空间422的整个壁表面被涂覆层CL覆盖的结构。在本实施例中，采用了这样的结构，其中：麦克基板42是通过将多个基板42a至42c相互贴附而形成的。未布设基板内空间422的涂覆层CL的部分(壁表面)由第三基板42c的上表面形成。该部分不是被施加了诸如切割、刮削等加工的表面，因此不可能产生灰尘。因此，在本实施例中，采用基板内空间422的一部分壁表面不被涂覆层CL覆盖的结构。
下面，主要参照图9来描述上述麦克基板42和麦克风单元4的制造方法。图9是用于描述根据第四实施例的麦克风单元所包括的麦克基板的制造方法的剖视图，其中(a)至(o)示出制造过程中的多个状态，(p)示出麦克基板完成时的状态。
在制造麦克基板42时，首先，制备第一基板42a(平板形)，其上表面例如由诸如Cu等之类的金属材料(导电材料)401所覆盖。而且，沿着第一基板42a的厚度方向(图9中的竖直方向)，使用例如钻头、激光、NC装置等开设从上表面穿透到下表面的第一通孔402和第二通孔403(具有基本为圆形的形状)(步骤a；参见图9中的(a)图)。这里，第一基板42a的厚度例如为0.3mm，导电材料401的厚度为0.15μm。此外，第一通孔402和第二通孔403的直径为0.6mm。这里，第一通孔420和第二通孔403的形状彼此相同，然而，它们也可具有不同的形状。
此外，制备第二基板42b(平板形)，其下表面由诸如Cu等之类的金属材料(导电材料)401所覆盖。第二基板42b和导电材料401的厚度与第一基板42a的情况相同。而且，沿着第二基板42b的厚度方向(图9中的竖直方向)，使用例如钻头、激光、NC装置等开设从上表面穿透到下表面的第三通孔404(从上方观看时具有基本为矩形的形状)(步骤b；参见图9中的(b)图)。第三通孔404布置为与第一通孔402和第二通孔403重叠。
这里，在本实施例中，第三通孔404的右端被形成为位于与第一通孔402的右端相同的位置，而第三通孔404的左端被形成为位于与第二通孔403的左端相同的位置；但是，这种结构不是限定性的。例如，可以采用第三通孔404的左端和右端比本实施例向左和向右更加拓宽的结构。此外，第三通孔404的形状也不受限于本实施例的形状(从上方观看时基本为矩形的形状)，而是可适当地更改。这里，当然，步骤a和步骤b的顺序可以反转。
下面，将第一基板42a的下表面和第二基板42b的上表面相互贴附(步骤c；参见图9中的(c)图)。以此方式，得到安装MEMS芯片41的安装表面的第一开口421，得到连接至第一开口421的基板内空间422(截面基本为U形)，并且得到第二开口423，该第二开口423独立于第一开口421而被布置在安装MEMS芯片41的安装表面上，并且连接至基板内空间422。这里，可以以与第三实施例中第一基板32a和第二基板32b的贴附相同的方式来进行第一基板42a和第二基板42b的贴附。此外，以与第三实施例的情况相同的方式，具有图9中的(c)图所示结构的基板(通过贴附第一基板42a和第二基板42b而形成的板)可以由一块基板形成。
此后，虽然基板形状有差异，但是以与第三实施例的情况相似的过程来进行麦克基板42的制造。与第三实施例重叠的点省略或简要描述。
通过使用例如钻头、激光、NC装置等，经过在第一基板42a的上表面和第二基板42b的下表面之间必须进行电连接的部分形成第四通孔405(例如，直径为0.3mm)(步骤d；参见图9中的(d)图)。下面，通过将电镀工艺(例如，化学镀铜工艺)施加于第四通孔405，形成第一直通布线406，如图9中的(e)图所示(步骤e)。此时，也将电镀工艺施加于基板内空间422的壁表面，基板内空间422的整个壁表面被金属镀层CL(涂覆层CL)所覆盖。
这里，直通布线406的形成和通过涂覆层CL覆盖基板内空间422的壁表面的工艺可以用电镀工艺之外的方法进行，这与第三实施例中的情况相同。
下面，第一基板42a的上表面和第二基板42b的下表面中需要形成布线图案的部分通过蚀刻抗蚀剂407来遮盖(步骤f；参见图9中的(f)图)。此时，涂覆至基板内空间422的壁表面的涂覆层CL也通过蚀刻抗蚀剂407来遮盖。而且，通过蚀刻液来进行不必要导电材料401的去除(步骤g；参见图9中的(g)图)，并且在蚀刻之后，进行清洗和蚀刻抗蚀剂407的去除(步骤h；参见图9中的(h)图)。
同时，这里，不必要的导电材料通过蚀刻被去除；但是，这不是限定性的，不必要的导电材料可以通过例如激光加工和刮削加工而被去除。
下面，将下表面被导电材料401覆盖的第三基板42c(根据本发明的另一基板的实施例)贴附至第二基板42b的下表面上(步骤i；参见图9中的(i)图)。下面，安装保护盖408以覆盖并密闭第一基板42a的整个上表面(步骤j；参见图9中的(j)图)。保护盖408的形状和安装方法以及使用保护盖408的原因与第三实施例的情况相同。下面，通过使用例如激光、NC装置等，开设从上方观看时具有基本为圆形的形状的第五通孔409，其从第三基板42c的下表面延伸至第二基板42b的下表面(步骤k；参见图9中的(k)图)。这里，步骤i至步骤k的顺序可以适当改变。
下面，将电镀工艺(例如，化学镀铜工艺)施加于第四通孔409以形成第二直通布线410，如图9中的(l)图所示(步骤l)。以此方式，在第二基板42b的下表面上的布线图案与第三基板42c的下表面上的导电材料401之间进行电连接。在进行电镀工艺时，由于存在保护盖408，所以蚀刻液不会侵入基板内空间422。这里，第二直通布线410的形成可以通过电镀工艺之外的方法进行，这与第三实施例中相同。
下面，第三基板42c的下表面中需要布线图案的部分通过蚀刻抗蚀剂407来遮盖(步骤m；参见图9中的(m)图)；将基板(其是通过将第一基板42a至第三基板42c这三块基板彼此贴附而形成的)浸入蚀刻液中以去除第三基板42c的下表面上不必要的导电材料(例如，Cu)(步骤n；参见图9中的(n)图)。此时，由于存在保护盖408，所以蚀刻液不会侵入基板内空间422。
同时，这里，不必要的导电材料是通过蚀刻去除的；但是，这不是限定性的，不必要的导电材料也可通过例如激光加工和刮削加工而去除。
在完成蚀刻时，进行基板清洗，进一步地，进行蚀刻抗蚀剂407的去除(步骤o；参见图9中的(o)图)。而且，最终，如图9中的(p)图所示，保护盖408的接合部被卸下以将保护盖408分离开(步骤p)。以此方式，得到麦克基板42，其包括第一开口421、第二开口423和壁表面被涂覆层CL部分覆盖的基板内空间422，并且设置有布线图案(包括直通布线)。
通过将MEMS芯片41布置到麦克基板42的上表面42d上以覆盖第一开口421，并且进一步通过设置盖43以使得第二音孔432与第二开口423重叠，得到图8所示的麦克风单元4。MEMS芯片41和盖43的连接方法以及在将电路部安装到麦克基板42上的情况下的注意事项与第一实施例中的情况相同。此外，布置在麦克基板42上的布线图案可以通过添加方法而不是削减方法而形成，这也与第一实施例中的情况相同。
(其它)
根据上述实施例的麦克风单元1至4、电声转换器件安装基板(麦克基板)12、22、32、42以及它们的制造方法仅仅是本发明的实例，本发明的申请范围不限于上述实施例。换句话说，可以在不脱离本发明的目的的情况下对上述实施例添加各种改型。
例如，在上述实施例中，采用电声转换器件是利用半导体制造技术形成的MEMS芯片的结构；但是，该结构不是限定性的。由MEMS芯片形成的电声转换器件对于灰尘尤其脆弱，因此，优选应用本发明；然而，本发明也可应用于使用除MEMS芯片之外的电声转换器件的情况。
此外，在上述实施例中，描述了电声转换器件是所谓的电容器型麦克风的情况；然而，本发明也可应用于电声转换器件是具有除电容器型麦克风之外的结构的麦克风(例如，移动导体(动电型)麦克风，电磁(磁)麦克风，压电麦克风等等)的情况。
此外，在上述实施例中，描述了布置在电声转换器件安装基板的基板内空间中的涂覆层是金属层(如电镀层等)的情况；但是，这不是限定性的。简言之，布置在基板内空间中的涂覆层可以是除金属层之外的层，只要该层具有减少可能出现在基板内空间中的灰尘的功能即可。
另外，电声转换器件和麦克风单元(包括布置在它们之中的开口、基板内空间等)的形状不限于根据实施例的形状，而是当然可以更改为各种形状。
工业适用性
例如，本发明适用于诸如移动电话等语音输入装置中包括的麦克风单元。
附图标记列表
1,2,3,4  麦克风单元
11,21,31,41  MEMS芯片(电声转换器件)
12,22,32,42  麦克基板(电声转换器件安装基板)
12a,22a,32d,42d  安装表面
13,23,33,43  盖(盖部)
14,24,34,44  容纳空间
22b  与安装表面相对的后表面
31c,41c  第三基板(其它基板)
103,203,304,308,405,409  用于直通布线的通孔
112,212,312,412  固定电极
114,214,314,414  膜片
121,221,312,322  开口或第一开口
122,222,322,422  基板内空间
122a,222a,322a,422a  基板内空间的壁表面
223,423  第二开口(其它开口)
307,408  保护盖
CL  涂覆层

Claims (12)

1.一种电声转换器件安装基板，其用于安装MEMS芯片，该MEMS芯片包括：膜片以及固定电极，该固定电极被布置为与该膜片相对且在它们之间具有间隙，该电声转换器件安装基板包括：
安装表面，其上安装有该MEMS芯片，并且其设置有被该MEMS芯片覆盖的开口；
基板内空间，其连接至该开口；以及
金属镀层，其覆盖形成该基板内空间的壁表面的至少一部分。
2.如权利要求1所述的电声转换器件安装基板，其中
该基板包括纤维。
3.如权利要求1所述的电声转换器件安装基板，其中
玻璃环氧材料被用作基板材料。
4.如权利要求2所述的电声转换器件安装基板，其中
玻璃环氧材料被用作基板材料。
5.如权利要求1至4中任一项所述的电声转换器件安装基板，其中
该基板内空间不连接至除该开口之外的另一开口。
6.如权利要求1至4中任一项所述的电声转换器件安装基板，其中
该基板内空间连接至除该开口之外的另一开口。
7.如权利要求6所述的电声转换器件安装基板，其中
该另一开口经过与该安装表面相对的后表面而布置。
8.如权利要求6所述的电声转换器件安装基板，其中
该另一开口经过该安装表面而布置。
9.一种麦克风单元，包括：
如权利要求1至8中任一项所述的电声转换器件安装基板；
MEMS芯片，其安装在该安装表面上以覆盖该开口；以及
盖部，其与该电声转换器件安装基板相协同以形成容纳空间，用于容纳该MEMS芯片。
10.一种电声转换器件安装基板的制造方法，该电声转换器件安装基板用于安装MEMS芯片，该MEMS芯片包括：膜片以及固定电极，该固定电极被布置为与该膜片相对且在它们之间具有间隙，该制造方法包括：
第一步骤，用于制备基板，该基板在外表面设置有由该MEMS芯片覆盖的开口，并且在内部设置有连接至该开口的基板内空间；
第二步骤，用于将电镀工艺施加至形成该基板内空间的壁表面；以及
第三步骤，用于通过在该电镀工艺之后进行蚀刻工艺，而将布线图案形成在基板外表面上。
11.如权利要求10所述的电声转换器件安装基板的制造方法，还包括：
第四步骤，用于将另一基板贴附至在第三工艺中形成了该布线图案的该基板的形成有该开口的表面相对的后表面；
第五步骤，用于安装保护盖以覆盖在第三工艺中形成了该布线图案的该基板的形成有该开口的表面的整个表面；
第六步骤，用于经过该另一基板形成用于直通布线的通孔；
第七步骤，用于在以任意顺序进行的第四步骤、第五步骤和第六步骤完成后，将电镀工艺施加于在该第六步骤中形成的该用于直通布线的通孔；
第八步骤，用于在第七步骤完成后，通过蚀刻工艺在该另一基板上形成布线图案；以及
第九步骤，用于在该另一基板上形成该布线图案之后，分离开该保护盖。
12.一种麦克风单元的制造方法，包括：
通过权利要求10或11所述的制造方法来制造电声转换器件安装基板的步骤；
将该MEMS芯片安装到该电声转换器件安装基板上以覆盖该开口的步骤；以及
将盖部覆盖到该电声转换器件安装基板上以覆盖该电声转换器件的步骤。
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