KR101703628B1 - 마이크로폰 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

마이크로폰 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명의 실시 예에 따른 마이크로폰은 제1 음향홀이 형성되는 메인기판에 상기 제1 음향홀과 대응하여 위치하는 음향 감지 모듈; 상기 메인기판에 장착되어 음향 감지 모듈과 전기적으로 연결되는 반도체칩; 상기 메인기판에 장착되며, 제2 음향홀이 형성되고, 상기 음향 감지 모듈과 반도체칩을 수용하는 수용공간이 형성되는 커버; 및 상기 제2 음향홀과 대응하여 위치하며, 복수개의 필터홀이 형성되는 음향 지연 필터를 포함한다.

Description

마이크로폰 및 그 제조방법{MICROPHONE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR}

본 발명은 마이크로폰 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 음향 지연 필터를 적용하여 지향 특성을 구현하는 마이크로폰 및 그 제조방법에 관한 것이다.

일반적으로 마이크로폰은 음성을 전기적인 신호로 변환하는 장치이다.

상기 마이크로폰은 스마트폰과 같은 이동 통신기기, 이어폰 또는 보청기 등 다양한 통신기기에 적용될 수 있다.

이러한 마이크로폰은 양호한 음향성능, 신뢰성 및 작동성이 요구된다.

MEMS(Micro Electro Mechanical System) 기반의 정전용량형 마이크로폰(Capacitive Microphone Based on MEMS, 이하에서는 간단히 'MEMS 마이크로폰'이라 함)은 종래의 일렉트릿 콘덴서 마이크로폰(Electret Condenser Microphone)에 비하여 음향성능, 신뢰성 및 작동성이 우수하다.

이러한 MEMS 마이크로폰은 지향특성에 따라 무지향성(전방향) 마이크로폰과 지향성 마이크로폰으로 구분된다.

먼저, 상기 지향성 마이크로폰은 입사하는 음파의 방향에 따라서 감도가 다른 마이크로폰을 말하며, 그 지향 특성에 따라 단일 지향성, 양방향 지향성 등이 있다.

예를 들어, 상기 지향성 마이크로폰은 좁은 방에서 실시하는 녹음 작업이나, 잔향이 많은 방에서 원하는 소리만을 수음할 때 사용된다.

상기한 바와 같은 마이크로폰을 차량에 적용할 경우, 차량 환경에서는 음원의 거리가 멀고, 잡음이 가변적으로 발생되는 환경에 있기 때문에, 차량 내 잡음 환경 변화에 강건한 마이크로폰이 요구되며, 이를 구현하기 위해 원하는 방향에서만 음원을 받아들이는 지향성 MEMS 마이크로폰이 적용된다.

그러나 상기한 바와 같은 종래의 지향성 마이크로폰은 원하는 방향에서만 음원을 받아들이기 때문에, 주변에서 입력되는 잡음에 강건하다는 장점은 있지만, 무지향성에 비해 상대적으로 감도가 낮고, 주파수 응답 특성이 좋지 못하다는 문제점이 있다.

이 배경기술 부분에 기재된 사항은 발명의 배경에 대한 이해를 증진하기 위하여 작성된 것으로서, 이 기술이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 이미 알려진 종래 기술이 아닌 사항을 포함할 수 있다.

본 발명의 실시 예는 복수의 홀이 규칙적으로 배열된 다공성의 음향 지연 필터를 적용하여 지향 특성을 향상시킬 수 있는 마이크로폰 및 그 제조방법을 제공하고자 한다.

본 발명의 하나 또는 다수의 실시 예에서는 제1 음향홀이 형성되는 메인기판에 상기 제1 음향홀과 대응하여 위치하는 음향 감지 모듈; 상기 메인기판에 장착되어 음향 감지 모듈과 전기적으로 연결되는 반도체칩; 상기 메인기판에 장착되며, 제2 음향홀이 형성되고, 상기 음향 감지 모듈과 반도체칩을 수용하는 수용공간이 형성되는 커버; 및 상기 제2 음향홀과 대응하여 위치하며, 복수개의 필터홀이 형성되는 음향 지연 필터를 포함하는 마이크로폰을 제공할 수 있다.

또한, 상기 음향 지연 필터는 복수개의 필터홀이 규칙적으로 배열되는 다공성일 수 있다.

또한, 상기 필터홀의 반경은 70μm이상 80μm이하의 범위일 수 있다.

또한, 이웃하는 필터홀의 중심간의 거리는 200μm이상 300μm이하의 범위일 수 있다.

또한, 상기 필터홀의 홀 비율(HR: Hole Ratio)은 25%이상 30%이하의 범위일 수 있다.

또한, 상기 홀 비율은 상기 필터홀의 개수, 필터홀의 개당 면적, 제2 음향홀의 면적 중 적어도 하나를 이용하여 생성될 수 있다.

또한, 상기 홀 비율은 하기 수학식 1에 의해 생성되는 것을 특징으로 할 수 있다.

또한, 상기 음향 지연 필터는 상기 제2 음향홀의 둘레를 따라 형성된 안착홈을 통하여 고정될 수 있다.

또한, 상기 안착홈은 상기 커버의 외면에 형성될 수 있다.

또한, 상기 안착홈은 상기 커버의 내면에 형성될 수 있다.

또한, 상기 음향 지연 필터는 상기 안착홈의 바닥면에 형성된 접착제를 통하여 접착 고정될 수 있다.

본 발명의 하나 또는 다수의 실시 예에서는 제1 음향홀이 형성되는 메인기판 상에, 상기 제1 음향홀과 대응되는 위치에 음향 감지 모듈을 형성하는 단계; 상기 메인기판 상에, 상기 음향 감지 모듈과 전기적으로 연결되는 반도체칩을 형성하는 단계; 상기 메인기판에 장착되며, 제2 음향홀이 형성되어 상기 음향 감지 모듈과 반도체칩을 수용하는 수용공간을 포함하는 커버를 형성하는 단계; 및 상기 제2 음향홀과 대응되는 위치에 다공성의 음향 지연 필터를 형성하는 단계를 포함하며, 상기 음향 지연 필터는 필터기판 위에 산화막을 증착하는 단계; 상기 산화막 위에 하드마스크를 증착하는 단계; 상기 하드마스크를 패터닝 한 후, 상기 하드마스크를 차폐막으로하여 필터기판에 복수의 필터홀을 식각하는 단계; 및 상기 산화막과 하드마스크를 제거하는 단계로 이루어지는 마이크로폰의 제조방법을 제공할 수 있다.

또한, 상기 복수의 필터홀을 식각하는 단계는 반경이 70μm이상 80μm이하의 범위인 필터홀을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.

또한, 상기 복수의 필터홀을 식각하는 단계는 이웃하는 필터홀의 중심간의 거리가 200μm이상 300μm이하의 범위로 형성하는 단계를 포함할 수 있다.

또한, 상기 필터홀의 홀 비율(HR: Hole Ratio)은 25%이상 30%이하의 범위일 수 있다.

또한, 상기 음향 지연 필터를 형성하는 단계는 상기 제2 음향홀의 둘레에 형성된 안착홈에 상기 음향 지연 필터를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.

또한, 상기 안착홈은 상기 커버의 외면에 형성될 수 있다.

또한, 상기 안착홈은 상기 커버의 내면에 형성될 수 있다.

또한, 상기 음향 지연 필터를 형성하는 단계는 상기 안착홈의 바닥면에 형성된 접착제를 통하여 상기 음향 지연 필터가 접착 고정되는 단계를 포함할 수 있다.

본 발명의 실시 예는 실리콘 기반의 다공성 음향 지연 필터를 통하여, 지향 특성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

또한, 본 발명의 실시 예는 상기 다공성 음향 지연 필터의 일괄공정이 가능하여 패키지 가공 오차를 줄임으로써, 수율 및 제작 비용 측면에서 유리한 효과가 있다.

이 외에, 본 발명의 실시 예로 인해 얻을 수 있거나 예측되는 효과에 대해서는 본 발명의 실시 예에 대한 상세한 설명에서 직접적 또는 암시적으로 개시하도록 한다. 즉, 본 발명의 실시 예에 따라 예측되는 다양한 효과에 대해서는 후술될 상세한 설명 내에서 개시될 것이다.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 마이크로폰을 개략적으로 나타낸 구성도이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 마이크로폰의 음향 지연 필터를 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 마이크로폰의 지향 특성을 나타낸 실험 그래프이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 마이크로폰을 개략적으로 나타낸 구성도이다.
도 5 내지 도 11은 본 발명의 실시 예에 따른 마이크로폰을 제조하기 위한 제조 공정도이다.

이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예를 설명한다. 다만, 하기에 도시되는 도면과 후술되는 상세한 설명은 본 발명의 특징을 효과적으로 설명하기 위한 여러 가지 실시 예들 중에서 바람직한 하나의 실시 예에 관한 것이다. 따라서, 본 발명이 하기의 도면과 설명에만 한정되어서는 아니 될 것이다.

또한, 하기에서 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지의 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다. 그리고 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서, 이는 사용자, 운영자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 그 정의는 본 발명에서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.

또한, 이하 실시 예는 본 발명의 핵심적인 기술적 특징을 효율적으로 설명하기 위해 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 명백하게 이해할 수 있도록 용어를 적절하게 변형, 또는 통합, 또는 분리하여 사용할 것이나, 이에 의해 본 발명이 한정되는 것은 결코 아니다.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 마이크로폰을 개략적으로 나타낸 구성도이며, 도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 마이크로폰의 음향 지연 필터를 나타낸 도면이고, 도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 마이크로폰의 지향 특성을 나타낸 실험 그래프이다.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 마이크로폰은 메인기판(10), 커버(20), 음향 감지 모듈(30), 반도체칩(40) 및 음향 지연 필터(50)로 구성된다.

먼저, 상기 메인기판(10)은 제1 음향홀(11)이 형성되며, PCB 기판으로 이루어질 수 있다.

여기서, 상기 제1 음향홀(11)은 외부의 음원을 받아들이는 통로이다.

그리고 상기 커버(20)는 상기 메인기판(10) 상에 장착되어 소정의 수용공간(S)이 형성된다.

또한, 상기 커버(20)는 상부 일측에 제2 음향홀(21)이 포함되며, 상기 제2 음향홀(21)도 상기 제1 음향홀(11)과 마찬가지로 외부의 음원이 유입되는 통로이다.

이러한 커버(20)는 금속재질로 이루어질 수 있다.

그리고 상기 음향 감지 모듈(30)은 상기 메인기판(10) 상에 형성되어 상기 수용공간(S)에 배치된다.

또한, 상기 음향 감지 모듈(30)은 상기 제1 음향홀(11)과 대응되는 위치에 설치되어, 상기 제1 음향홀(11) 및 제2 음향홀(21)로부터 유입되는 음원을 입력받는다.

즉, 상기 음향 감지 모듈(30)은 외부의 음원이 진동막(33)에 가해지면, 상기 진동막(33)과 고정막(37) 사이의 간격이 변하게 되고, 이에 따라, 상기 진동막(33)과 고정막(37) 사이의 정전용량이 변하게 된다.

이때, 상기 음향 감지 모듈(30)은 변화하는 정전용량 신호를 이하에서 설명할 반도체칩(40)으로 출력한다.

이러한 음향 감지 모듈(30)은 MEMS(Micro Electro Mechanical System) 기술을 기반으로 하는 정전용량형 MEMS 소자일 수 있으며, 무지향 특성을 가진다.

그리고 상기 반도체칩(40)은 상기 음향 감지 모듈(30)과 전기적으로 연결되며, 상기 수용공간(S)에 형성된다.

본 발명의 실시 예에 따른 반도체칩(40)은 수용공간(S)에 형성되는 것을 예로 들어 설명하였지만, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 음향 감지 모듈(30)과 전기적으로 연결되어 있으면, 그 위치는 무관하다.

예를 들어, 상기 반도체칩(40)은 상기 커버(20)의 수용공간(S) 외부에서 음향 감지 모듈(30)과 전기적으로 연결될 수도 있다.

상기 반도체칩(40)은 음향 감지 모듈(30)로부터 출력된 음향 출력신호를 입력받아 외부로 전송한다.

이러한 반도체칩(40)은 ASIC(Application Specific Integrated Circuit)일 수 있다.

한편, 상기 음향 지연 필터(50)는 상기 음향 감지 모듈(30)의 상부에 배치된다.

상기 음향 지연 필터(50)는 상기 커버(20)에 형성된 제2 음향홀(21)과 대응되는 위치에 배치되어, 상기 제2 음향홀(21)로 유입되는 음원이 통과된다.

또한, 상기 음향 지연 필터(50)는 제2 음향홀(21)의 둘레를 따라 형성된 안착홈(23)을 통하여 고정된다.

이때, 상기 안착홈(23)은 커버(20)의 외면에 형성되어 바닥면의 접착제(25)에 의해 상기 음향 지연 필터(50)를 접착 고정시킨다.

여기서, 상기 접착제(25)는 에폭시(Epoxy)일 수 있다.

이러한 음향 지연 필터(50)는, 도 2와 도 3을 참조하면, 복수개의 필터홀(H)이 형성된 다공성이며, 실리콘 재질로 이루어질 수 있다.

이때, 상기 필터홀(H)은 반경(r)이 70μm이상 80μm이하의 범위인 것을 특징으로 하며, 도 3에 도시된 바와 같이 실험 데이터에 의하면 75μm이다.

또한, 상기 필터홀(H)은 이웃하는 필터홀(H)의 중심간의 거리(l)가 200μm이상 300μm이하의 범위인 것을 특징으로 하며, 도 3에 도시된 바와 같이 실험 데이터에 의하면 250μm이다.

또한, 상기 필터홀(H)의 홀 비율(HR: Hole Ratio)은 25%이상 30%이하의 범위인 것을 특징으로 하며, 도 3에 도시된 바와 같이 실험 데이터에 의하면 27.8%이다.

이때, 상기 홀 비율(HR)은 상기 필터홀(H)의 개수, 필터홀(H)의 개당 면적, 제2 음향홀(21)의 면적 중 적어도 하나를 이용하여 생성된다.

이러한 필터홀(H)의 홀 비율(HR)은 하기의 [수학식 1]에 의해 생성될 수 있다.

[수학식 1]

HR=((A1*A2)/B)*100

상기 HR은 홀 비율이며, A1는 필터홀(H)의 개수이고, A2는 필터홀(H) 개당 면적이며, B는 제2 음향홀(21)의 면적을 나타낸다.

이때, 본 발명의 실시 예에 따른 제2 음향홀(21)의 면적은 1.4π(파이)로 한다.

이러한 상기 음향 지연 필터(50)는 필터홀(H)의 반경(r)이 75μm이며, 상기 필터홀(H)의 중심간의 거리(l)가 250μm이고, 상기 필터홀(H)의 홀 비율이 27.8%일 때, 지향성의 폴라패턴(#3)을 나타내며, 지향차가 15dB로서, 가장 높은 지향성을 나타낸다.

도 4는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 마이크로폰을 개략적으로 나타낸 구성도이다.

도 4를 참조하면, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 마이크로폰(1)은 도 1을 기본으로 하면서, 음향 지연 필터(50)가 안착되는 안착홈(23)의 위치가 상기 커버(20)의 내면에 형성된다.

이때, 상기 음향 지연 필터(50)는 안착홈(23)의 바닥면의 접착제(25)에 의해 접착 고정된다.

이에 따라, 상기 음향 지연 필터(50)는 메인기판(10)과 커버(20)에 의해 형성된 수용공간(S) 내에 위치하게 된다.

이하, 상기와 같이 구성되는 마이크로폰의 제조방법을 설명하고자 한다.

도 5 내지 도 11은 본 발명의 실시 예에 따른 마이크로폰을 제조하기 위한 제조 공정도이다.

도 5를 참조하면, 메인기판(10)이 구비되고, 상기 메인기판(10)의 일측에 제1 음향홀(11)이 형성된다.

이때, 상기 제1 음향홀(11)은 외부로부터 음원을 받아들이는 통로이다.

이어서, 상기 메인기판(10) 상부 일측에 이하에서 설명할 반도체칩(40)과 전기적으로 연결되는 패드 전극(13)이 패터닝된다.

다음으로, 상기 메인기판(10) 상에 제1 음향홀(11)과 대응되는 위치에 음향 감지 모듈(30)이 형성된다.

상기 음향 감지 모듈(30)의 제조방법을 간단하게 설명하면, 먼저, 모듈기판(31)이 구비되고, 상기 모듈기판(31) 위에 진동막(33)이 형성된다.

여기서, 상기 모듈기판(31)은 실리콘으로 이루어질 수 있으며, 상기 진동막(33)은 폴리실리콘 또는 전도성이 있는 물질로 형성될 수 있다.

다음으로, 상기 진동막(33) 위에 고정막(37)이 형성된다.

여기서, 상기 고정막(37)은 폴리실리콘 또는 금속으로 이루어질 수 있다.

이때, 상기 진동막(33)과 고정막(37) 사이에는 지지층(35)이 형성된다.

이러한 지지층(35)은 상기 진동막(33)의 가장자리를 따라 형성된 상태로, 상부의 고정막(37)을 지지 고정하며, 이에 따라, 상기 진동막(33)과 고정막(37)이 일정간격 이격되어 배치된다.

다음으로, 상기 진동막(33)과 연결되는 제1 패드(P1) 및 상기 고정막(37)과 연결되는 제2 패드(P2)가 형성된다.

여기서, 상기 제1 패드(P1)는 상기 고정막(37)과 희생층의 일부를 제거하여 상기 진동막(33)을 노출시킨 후, 노출된 진동막(33) 위에 형성된다.

도 6을 참조하면, 상기 메인기판(10) 상에 상기와 같이 제조되는 음향 감지 모듈(30)과 전기적으로 연결되는 반도체칩(40)이 형성된다.

이때, 상기 음향 감지 모듈(30)은 제2 패드(P2)를 통하여 반도체칩(40)과 연결되며, 동시에, 상기 반도체칩(40)은 메인기판(10) 상의 전극 패드(13)를 통하여 상호 전기적으로 연결된다.

도 7을 참조하면, 상기 메인기판(10)에 장착되는 커버(20)가 형성된다.

이때, 상기 커버(20)는 상부면에 제2 음향홀(21)이 형성되며, 상기 음향 감지 모듈(30)과 반도체칩(40)을 수용하는 수용공간(S)을 포함한다.

이때, 상기 커버(20)는 제2 음향홀(21)의 둘레에 안착홈(23)이 형성되며, 상기 안착홈(23)의 바닥면에는 접착제(25)가 도포된다.

이러한 안착홈(23)은 상기 커버(20)의 외면 혹은 내면에 형성될 수 있다.

도 8을 참조하면, 상기 안착홈(23)에 다공성의 음향 지연 필터(50)가 형성된다.

즉, 상기 음향 지연 필터(50)는 안착홈(23)의 바닥면에 도포된 접착제(25)를 통하여 접착 고정된다.

이때, 상기 음향 지연 필터(50)를 제조하는 방법은 다음과 같다.

도 9를 참조하면, 필터 기판(51) 위에 산화막(53)이 증착된다. 이때, 상기 산화막(53)은 SiO2로 이루어질 수 있다.

다음으로, 상기 산화막(53) 위에 하드마스크(55)가 증착된다. 이때, 상기 하드마스크(55)는 Al(알루미늄)으로 이루어질 수 있다.

도 10을 참조하면, 상기 하드마스크(55)가 패터닝 된 후, 상기 하드마스크(55)를 차폐막으로 하여 필터기판(51)에 복수의 필터홀(H)이 식각된다.

이때, 필터홀(H)은 반경(r)이 70μm이상 80μm이하의 범위로 형성될 수 있으며, 실험 데이터에 의하면 75μm이다.

또한, 상기 필터홀(H)은 이웃하는 필터홀(H)의 중심간의 거리(l)가 200μm이상 300μm이하의 범위로 형성될 수 있으며, 실험 데이터에 의하면 250μm이다.

또한, 상기 필터홀(H)의 홀 비율(HR: Hole Ratio)은 25%이상 30%이하의 범위로 형성될 수 있으며, 실험 데이터에 의하면, 27.8%이다.

마지막으로, 상기 산화막(53)과 하드마스크(55)가 제거되어 도 11에 도시된 바와 같이 음향 지연 필터(50)가 완성된다.

따라서 본 발명의 실시 예들에 따른 마이크로폰(1)은 다공성의 음향 지연 필터(50)를 적용하여, 높은 지향차를 가지는 지향성 마이크로폰(1)을 구현함으로써, 감도 높은 신호를 출력할 수 있다.

또한, 상기 마이크로폰(1)은 음향 지연 필터(50)를 장착하기 위한 안착홈(53)을 적용하여, 접합 시, 얼라인 오차를 제거함으로써, 지향 특성의 재현성을 확보할 수 있으며, 상기 음향 지연 필터(50)를 접착제(55)로 접착 고정하여 상기 음향 지연 필터가 이탈되는 것을 방지할 수 있다.

결과적으로 본 발명의 실시 예들에 따른 마이크로폰(1)은 일괄공정이 가능하고, 패키지 시, 가공 오차 발생을 줄임으로써, 수율 및 제작 비용을 절감하는 효과가 있다.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

1 ... 마이크로폰 10 ... 메인기판
11 ... 제1 음향홀 13 ... 전극 패드
20 ... 커버 21 ... 제2 음향홀
23 ... 안착홈 25 ... 접착제
30 ... 음향 감지 모듈 31 ... 모듈기판
33 ... 진동막 35 ... 지지층
37 ... 고정막 40 ... 반도체칩
50 ... 음향 지연 필터 51 ... 필터기판
53 ... 산화막 55 ... 하드마스크
H ... 필터홀 S ... 수용공간
P1 ... 제1 패드 P2 ... 제2 패드

Claims (19)

1. 삭제
2. 삭제
3. 삭제
4. 삭제
5. 삭제
6. 삭제
7. 삭제
8. 삭제
9. 삭제
10. 삭제
11. 삭제
12. 제1 음향홀이 형성되는 메인기판 상에, 상기 제1 음향홀과 대응되는 위치에 음향 감지 모듈을 형성하는 단계;
    상기 메인기판 상에, 상기 음향 감지 모듈과 전기적으로 연결되는 반도체칩을 형성하는 단계;
    상기 메인기판에 장착되며, 제2 음향홀이 형성되어 상기 음향 감지 모듈과 반도체칩을 수용하는 수용공간을 포함하는 커버를 형성하는 단계; 및
    상기 제2 음향홀과 대응되는 위치에 다공성의 음향 지연 필터를 형성하는 단계;
    를 포함하며,
    상기 음향 지연 필터는
    필터기판 위에 산화막을 증착하는 단계;
    상기 산화막 위에 하드마스크를 증착하는 단계;
    상기 하드마스크를 패터닝 한 후, 상기 하드마스크를 차폐막으로하여 필터기판에 복수의 필터홀을 식각하는 단계; 및
    상기 산화막과 하드마스크를 제거하는 단계;
    로 이루어지는 마이크로폰의 제조방법.
13. 제12항에 있어서,
    상기 복수의 필터홀을 식각하는 단계는
    반경이 70μm이상 80μm이하의 범위인 필터홀을 형성하는 단계를 포함하는 마이크로폰의 제조방법.
14. 제12항에 있어서,
    상기 복수의 필터홀을 식각하는 단계는
    이웃하는 필터홀의 중심간의 거리가 200μm이상 300μm이하의 범위로 형성하는 단계를 포함하는 마이크로폰의 제조방법.
15. 제12항에 있어서,
    상기 필터홀의 홀 비율(HR: Hole Ratio)은
    25%이상 30%이하의 범위인 마이크로폰의 제조방법.
16. 제12항에 있어서,
    상기 음향 지연 필터를 형성하는 단계는
    상기 제2 음향홀의 둘레에 형성된 안착홈에 상기 음향 지연 필터를 형성하는 단계를 포함하는 마이크로폰의 제조방법.
17. 제16항에 있어서,
    상기 안착홈은
    상기 커버의 외면에 형성되는 마이크로폰의 제조방법.
18. 제16항에 있어서,
    상기 안착홈은
    상기 커버의 내면에 형성되는 마이크로폰의 제조방법.
19. 제16항에 있어서,
    상기 음향 지연 필터를 형성하는 단계는
    상기 안착홈의 바닥면에 형성된 접착제를 통하여 상기 음향 지연 필터가 접착 고정되는 단계를 포함하는 마이크로폰의 제조방법.

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