TW201216456A - Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same - Google Patents

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201216456 六、發明說明： 【發明所屬之技術領 [0001]相關申請案之交立參照 刚本申請案依35 U.S.C §119之規定主張稍早於2010年7 月12曰向韓國智慧財產局提出之申請案之優先權及其效 益，該申請案號為10 — 2010-0066993。 [0003] 根據本發明，一或多種實施例之態樣係關於一種薄膜’儿 積裝置及利用該裝置製造一有機發光顯示裝置之方法 【先前技術】 [0004] 有機發光顯示裝置與其他顯示裝置比較之下具有大視角 、較佳的對比特性及較快的反應速率；因此’有機發光 顯示裝置被視為下一代的顯示裝置。 【發明内容】 [0005] 為了解決目前利用精細金屬遮罩（FMM)的沉積法的問題 根據本發明，一或多種實施例之態樣提供可應用於單純 大規模製造大型顯示裝置並可精確地在沉積製程的過程 中與基板對齊之薄膜沉積裝置，以及利用該薄膜沉積裝 置製造一有機發光顯示裝置之方法。 [_]根據本發明，一實施例之態樣提供一種薄膜沉積裝置， 其用以形成薄膜於基板上。㈣膜沉積裝置包含沉積源 ，係用以排出沉積材料；沉積源喷嘴單元，係設置於沉 積源之^並包含排列於第—方向之複數個沉積源嘴嘴 ;以及圖樣溝槽板’係設置相對於沉積源噴嘴單元並具 有排列垂直於第方向之第二方向之複數個圖樣溝槽。 100124505 表單編號A0101 1003413410-0 201216456 沉積係當基板相對於薄膜沉積裝置於第一方向移動時而 執行。圖樣溝槽板具有相互隔開之第一對齊標記及第二 對齊標記。基板具有相互隔開之第一對齊圖樣及第二對 齊圖樣。薄膜沉積裝置更包含用以對第一對齊標記及第 一對齊圖樣拍攝之第一相機組件，以及用以對第二對齊 標記及第二對齊圖樣拍攝之第二相機組件。 [0007] 沉積源、沉積源喷嘴單元及圖樣溝槽板可整體地形成一 單一物體。 [0008] 沉積源、沉積源噴嘴單元以及圖樣溝槽板可透過可用以 引導沉積材料移動的連接單元整體地連接為單一物體。 [0009] 連接單元可被形成以封合介於沉積源、沉積源喷嘴單元 及圖樣溝槽板之間的空間。 [〇〇1〇] 複數個沉積源喷嘴可相對於從沉積源喷嘴突出的表面的 垂直線傾斜一角度。複數個沉積源喷嘴可相對於從沉積 源喷嘴突出的表面的垂直線傾斜零角度。 [0011] 複數個沉積源喷嘴可包含在第一方向以二列排列的沉積 源喷嘴，且於二列的該沉積源喷嘴可傾斜以面對朝向彼 此。 [0012] 複數個沉積源喷嘴可包含在第一方向以二列排列的沉積 源喷嘴。位於圖樣溝槽板之第一側的二列之一列的沉積 源喷嘴係可排列以面對朝向圖樣溝槽板之第二側。位於 圖樣溝槽板之第二側的二列之另一列的沉積源喷嘴可排 列以面對朝向圖樣溝槽板之第一側。 100124505 表單編號A0101 第5頁/共67頁 1003413410-0 201216456 [0013] 第一對齊圖樣可包含排列於第一方向的複數個第一標記 。第二對齊圖樣可包含排列於第一方向的複數個第二標 記。第一對齊圖樣及第二對齊圖樣可於第二方向相互隔 開。 [0014] 第一標記及第二標記之至少之一可具有多邊形。 [0015] 第一標記及第二標記之至少之一可具有三角形。 [0016] 第一對齊圖樣及第二對齊圖樣可以鋸齒狀的型式形成。 [0017] 第一相機組件及第二相機組件所排列的方向可垂直於第 一方向。 [0018] 第一相機組件及第二相機組件可設置於基板上以分別對 應第一對齊標記及第二對齊標記。 [0019] 基於由第一相機組件及第二相機組件所截取之資訊，薄 膜沉積裝置可更包含用以決定基板與圖樣溝槽板相互對 齊之角度之控制器。 [0020] 透過由第一相機組件所拍攝之第一對齊圖樣及第一對齊 標記的影像之間的第一距離與由第二相機組件所拍攝的 第二對齊圖樣及第二對齊標記的影像之間的第二距離比 較，控制器可決定基板及圖樣溝槽板在與第一方向垂直 之第二方向相互對齊之角度。 [0021] 控制器可決定是否圖樣溝槽板係傾斜於由第一方向及第 二方向形成的平面之内，並透過由第一相機組件所拍攝 的第一對齊標記的影像與由第二相機組件所拍攝的第二 對齊標記的影像比較而不對齊於基板。 100124505 表單編號A0101 第6頁/共67頁 1003413410-0 201216456 [0022] 當第一對齊標記之影像之寬度大於第二對齊標記之影像 之寬度時，控制器可決定圖樣溝槽板由第一方向及第二 方向所形成之朝向第二對齊標記之平面内傾斜，且當第 一對齊標記之影像之寬度小於第二對齊標記之影像之寬 度時，控制器可決定圖樣溝槽板由第一方向及第二方向 所形成之朝向第一對齊標記之平面内傾斜。 [0023] 透過由第一相機組件所拍攝的第一對齊圖樣之影像與由 第二相機組件所拍攝的第二對齊圖樣之影像比較，控制 器可決定基板是否傾斜於由第一方向及第二方向所形成 Ο 的平面内，且不對齊圖樣溝槽板。 [0024] 當第一對齊圖樣之影像之寬度大於第二對齊圖樣之影像 之寬度時，控制器可決定基板於朝向第二對齊圖樣由第 一方向及第二方向形成的平面内傾斜，且當第一對齊圖 樣之影像之寬度小於第二對齊圖樣之影像之寬度時，控 制器可決定基板於朝向第一對齊圖樣由第一方向及第二 方向形成的平面内傾斜。 ^ [0025] 基於由控制器決定的對齊度，基板及圖樣溝槽板可透過 移動基板或圖樣溝槽板而相互對齊。 [0026] 根據本發明，另一實施例之態樣提供一種薄膜沉積裝置 ，其用以形成薄膜於基板上。此薄膜沉積裝置包含沉積 源，係用以排出沉積材料；沉積源喷嘴單元，係設置於 沉積源之一侧並包含排列於第一方向的複數個沉積源喷 嘴；圖樣溝槽板，係設置相對於沉積源喷嘴單元並具有 排列於第一方向的複數個圖樣溝槽；以及阻隔板組件， 100124505 表單編號A0101 第7頁/共67頁 1003413410-0 201216456 係包含在第一方向設置於沉積源喷嘴單元及圖樣溝槽板 之間的複數個阻隔板，並將沉積源喷嘴單元及圖樣溝槽 板之間的一沉積空間分割成複數個子沉積空間。薄膜沉 積裝置及基板係相互隔開。薄膜沉積裝置或基板相對彼 此而移動。圖樣溝槽板具有相互隔開之第一對齊標記及 第一對齊標記。基板具有具有相互隔開之第一對齊圖樣 及第二對齊圖樣。薄膜沉積裝置更包含用以對第一對齊 才示S己及第一對齊圖樣拍攝之第一相機組件，以及用以對 第二對齊標記及第二對齊圖樣拍攝之第二相機組件。 [0027] 複數個阻隔板可實質上往垂直於第一方向的第二方向延 伸。 [0028] 阻隔板組件可包含第一阻隔板組件，係包含複數個第一 阻隔板，以及第二阻隔板組件，係包含複數個第二阻隔 板。 [0029] 複數個第一阻隔板及複數個第二阻隔板可實質上往垂直 於第一方向的第二方向延伸。 [0030] 複數個第一阻隔板可分別對應於複數個第二阻隔板排列 [0031] 沉積源可與阻隔板組件隔開。 [0032] 阻隔板組件可與圖樣溝槽板隔開。 [〇〇33]第一對齊圖樣可包含複數個第一標記，其排列於垂直於 第一方向及第二方向之一第三方向。第二對齊圖樣可包 含排列於第三方向之複數個第二標記。第一對齊圖樣及 1003413410-0 100124505 表單編號A0101 第8頁/共67頁 201216456 第二對齊圖樣可於第二方向相互隔開。 [0034] 第一標記或第二標記之至少之一可具有多邊形。 [0035] 第一標記或第二標記之至少之一可具有三角形。 [0036] 第一對齊圖樣及第二對齊圖樣可以鋸齒狀的型式形成。 [0037] 第一相機組件及第二相機組件可排列的方向係垂直於第 一方向。 [0038] 第一相機組件及第二相機組件可設置於基板上以分別對 應第一對齊標記及第二對齊標記。 [0039] 基於由第一相機組件及第二相機組件所截取之資訊，薄 膜沉積裝置可更包含用以決定基板與圖樣溝槽板相互對 齊之角度之控制器。 [0040] 透過比較由第一相機組件所拍攝之第一對齊圖樣及第一 對齊標記的影像之間的第一距離與第二相機組件所拍攝 的第二對齊圖樣及第二對齊標記的影像之間的第二距離 ，控制器可決定基板及圖樣溝槽板於第一方向相互對齊 之角度。 [0041] 控制器可決定圖樣溝槽板是否於由第一方向及第三方向 形成的平面之内傾斜，並透過比較由第一相機組件所拍 攝的第一對齊標記的影像與由第二相機組件所拍攝的第 二對齊標記的影像而不對齊於該基板。 [0042] 當第一對齊標記之影像之寬度大於第二對齊標記之影像 之寬度時，控制器可決定圖樣溝槽板於由第一方向及第 三方向形成之朝向第二對齊標記之平面内傾斜，且當第 100124505 表單編號 A0101 第 9 頁/共 67 頁 1003413410-0 201216456 [0043] [0044] [0045] [0046] [0047] -輕標記之影像之寬度小於第二對齊標記之影像之寬 度捋，控制器可決定圖樣溝槽板於由第一方向及第三方 向形成之朝向第一對齊標記之平面内傾斜。 控制器可透過比較由第_相機組件所拍攝的第—對齊圖 樣之影像與由第二相機組件所拍攝㈣二_圖樣之影 像決定基板是錢斜於方向及第三方向所形成的 一平面内。 *第對齊圖樣之影像之寬度大於第二對齊圖樣之彩像 之寬度時’控制器可決定該基板係於朝向第二對齊圖樣 之平面内傾斜’且當第-對齊圖樣之影像之該寬度小於 第二對齊圖樣之影像之寬度時，控制器可決定基板係於 朝向第一對齊圖樣之平面内傾斜。 基於由控制器蚊所對齊的角度，基板及圖樣溝槽板可 透過移動基板或圖樣溝槽板而相互對齊。 根據本發明’另—實施例之態樣提供-種製造有機發光 裝置之方法，其係藉由利用薄膜沉積裝置用以形成 薄膜於基板上。此方法包含：透過-距離排列基板以將 薄膜沉積裝置隔開；當薄膜沉積裝置或基板相對彼此移 動時、積自薄膜沉積裝置排出的沉積材料於基板上； 以及當薄膜叫裝置或基板相對彼此移料，將薄膜沉 積裝置與基板對齊。 將沉積材料沉積於基板上之步驟可包含當基板相對於薄 膜>儿積裝置移動時，在基板上持續地沉積自薄膜沉積裝 置排出之沉積材料。 100124505 表單編號Α0101 第10頁/共67頁 1003413410-0 201216456 [0048] [0049] Ο [0050]

[0051] [0052] 將薄膜沉積裝置與基板對齊的步驟可包含透過利用相機 組件在基板上拍攝對齊標記及在薄膜沉積裝置上拍攝對 齊圖樣；透過比較由相機組件所拍攝的對齊標記及對齊 圖樣之影像決定基板及薄膜沉積裝置相互對齊之角度； 以及基於對齊的角度，透過移動基板或薄膜沉積裝置互 相對齊基板與薄膜沉積裝置。 實施方式】 下文中，本發明之例示性實施例將參照附圖進行更完整 地描述。在圖中，層及區域的厚度為了清晰易懂而以誇 示方法表示。整個說明書中相同的參考數字代表相同的 構件，且多餘的敘述可被省略。 一有機發光顯示裝置可包含中間層，且中間層可包含設 置於第一電極與第二電極之間的發射層，此第一電極與 此第二電極係彼此相對排列。該些電極與中間層可透過 各式各樣方法而形成，其中之一可為一分散沉積法。當 一有機發光顯示裝置利用此沉積法製造時，與要形成之 薄膜具有相同圖樣的精細金屬遮罩（FMM)係設置以緊密地 接觸一基板，且設置薄膜材料於精細金屬遮罩之上以形 成具有所欲圖樣之薄膜。 然而，利用此精細金屬遮罩（FMM)的此類沉積方法並不適 合利用大型母玻璃（例如：具有5G或更大尺寸的母玻璃） 來製造的大型裝置。換句話說，當利用此類大型遮罩時 ，遮罩可因為它本身的重量而彎曲，因而扭曲圖型。這 對近來朝向高解析晝質圖樣的趨勢來說是不利的。 第1圖係繪示本發明之一實施例中包含一薄膜沉積裝置之 100124505 表單編號Α0101 第11頁/共67頁 1003413410-0 201216456 [0053] [0054] [0055] [0056] 一薄膜沉積系統。第2圖係繪示第1圖的薄膜沉積裝置之 修飾例。 請參閱第1圖’該薄膜沉積系統係包含一載入單元71〇 ; 一沉積單元730 ; —卸載單元720 ; —第一輸送單元610 ;一第二輸送單元620。 載入單元710可包含一第一機架712 ; —傳送機器714 ; 一傳送室716以及一第一倒置室718。 無施加沉積材料於上之複數個基板5〇〇係堆放在第一機架 712之上。傳送機器714係從第一機架712中拿起一基板 500，並將基板500設置於由第二輸送單元62〇傳送的靜 電卡盤600上，之後由第二輸送單元“ο將載有基板5〇〇 之靜電卡盤600移送至傳送室716。 第一倒置室718與傳送室716係相鄰而置，第一倒置室 718係包含一第一倒置機器719可倒置靜電卡盤6〇〇，並 可將靜電卡盤600裝載至沉積單元73〇的第—輸送單元 610 中。 [0057] 請參閱第1圖，傳送機器714將其中一個基板咖置放於靜 電卡盤600之表面上’财基板5敎靜電卡躺g會被 載入至傳送室716。然後，第-倒置機器71 9倒置靜電卡 盤6〇0 ’如此一來，置於沉積單元730中的基板500是顛 倒過來的。 [0058] 100124505 卸載單元72Q所建構的操作模式與上述之載入單元710正 好相反進一步地說，第二倒置機器729於第二倒置室 728倒置載有基板500之靜電卡盤_，使其通過 第12頁/共67頁 表單編號A0101 沉積單 1003413410-0 201216456 [0059] 0 [0060] Ο [0061] 100124505 兀730，然後將載有基板5〇〇之靜電卡盤6〇〇移送至投出 室726。接著，投出機器724將载有基板5〇〇之靜電卡盤 6〇〇移出投出室726，並將基板5〇〇與靜電卡盤6〇〇隔開， 然後將基板500裝載至第二機架722。而與基板5〇〇隔開 的靜電卡盤600，則會透過第二輸送單元62〇返回到載入 單元710。 然而，本發明並不限於上文所述。例如，當設置基板500 於靜電卡盤600之上時，基板5〇〇可固定於靜電卡盤6〇〇 的底部表面上，之後再移送至沉積單元73〇。於此情形時 ，舉例來說，第一倒置室718、第一倒置機器719、第二 倒置室728、第二倒置機器729是不需要的。 沉積單元730可包含至少一沉積室。如第i圖所示，根據 所述之實施例，沉積單元73〇包含第一沉積室731，其中 ，第一到第四個薄膜沉積裝置100、200、300、400可設 置於第一沉積室731。雖然第1圖繪示總共四個的薄膜沉 積裝置，例如：第一至第四薄膜沉積裝置1〇〇至4〇〇，係 安裝於第-沉積室73卜安裝於第—沉積室731的所有數 量的薄膜沉積裝置係減沉積材料及沉積狀況而異。第 一沉積室731可在沉積製程期間維持真空狀態。 請參閱第2圖，建構於本發明之另一實施例的薄膜沉積裝 置’-沉積單元730可包含彼此相連的第_沉積室731和 第二沉積室732。於此情況下’第一薄膜沉積裝置100和 第二薄膜沉積装置2〇〇可設置於第—沉積室731之中，以 及第三薄膜沉積裝置30〇和第四薄膜沉積裝置400可設置 於第二沉積室732之中。在其它實例中，可使用超過兩個 表單編號A0101 第13頁/共67頁 1003413410-0 201216456 沉積室。 [0062] 請參閱第1圖，於目前的實施例中，载有基板500之靜電 卡盤600可移至沉積單元730，且特定地，可透過第一輸 送單元610依序移至載入單元710、沉積單元730以及卸 載單元720。接著’藉由卸載單元720靜電卡盤600係與 基板500隔開，且透過第二輸送單元620返回至載入單元 710 ° [0063] 第3圖係為本發明之一實施例建構的薄膜沉積裝置1〇〇之 透視圖。第4圖係為第3圖的薄膜沉積裝置1〇〇的侧截面圖 。第5圖係為第3圖的薄膜沉積裝置1〇〇的剖面圖。 [0064] 請參閱第3圖至第5圖，薄膜沉積裝置1〇〇包含沉積源no 、沉積源噴嘴單元120、圖樣溝槽板150、第一相機組件 161、第二相機組件162及控制器170。 [0065] 特定地，第1圖的第一沉積室731於利用一精細金屬遮罩 (FMM)之沉積方式中基本上可維持於一高真空狀態，致使 自沉積源110發射且排出穿過沉積源喷嘴單元120及圖樣 溝槽板150的沉積材料115可於基板50 0上沉積出所想要 的圖樣。除此之外，圖樣溝槽板1 5 0的溫度充分地低於沉 積源110的溫度。以此觀點而言，圖樣溝槽板150的溫度 可為100°C或更低。圖樣溝槽板150的溫度充分低可降低 圖樣溝槽板1 5 0的熱膨脹。 [0066] 作為沉積標鞋•基板的基板500可設置於第一沉積室731。 基板500可作為平板顯示器之基板。用以製造複數個平板 顯示器的大型基板’例如母玻璃’可用來作為基板5〇〇。 100124505 表單編號A0101 第14頁/共67頁 1003413410-0 201216456 [0067] 其它基板亦可被採用。 特別是，現代的精細金屬遮罩（FMM)沉積法，精細金屬遮 罩的尺寸與基板的尺寸相同。因此，因為精細金屬遮罩 的尺寸必須隨著基板變大而增加，製造一大型精細金屬 遮罩和延伸一精細金屬遮罩以精確地與圖樣對齊皆不容 易。 [0068] Ο 為了解決此問題，於薄膜沉積裝置100中，當薄膜沉積裝 置Uo或基板500相對彼此移動時，沉積可被執行。換句 話說，當基板500，其設置以面對薄膜沉積裝置1〇()，在γ 輛方向移動時，沉積可被持續地進行，換句話說，當基 板5〇〇在第6圖中以箭頭R標示的方向（第一方向）移動時， 沉積可藉由掃描方式執行。 [0069]

100124505 ^建構為本實施例的薄膜沉積裝们附，圖樣溝槽板 150可顯著地小於運用於傳統沉積法的精細金屬遮罩。^ :話說，於薄膜沉積裝置⑽中，當基板5〇_袖方向 時’沉積係持續地即等於以掃描方式來執行。因此， 樣溝槽板丨5〇在X軸及m方向的長度可比基板5〇〇幻 Y轴方向的長度少（例如：顯注地較少）。如上所述 屬^成圖樣溝槽板15〇可比運用於傳統沉積法的精㈣ 對=較小（例如：顯注地較小），製造圖樣溝槽板15〇 相封谷易的。也就是說，利用小 精4 於運用在傳統沉積法的 啊、，田金屬遮罩的圖樣溝槽板15〇 相較0所有製程中更加方便 ;運用在大型精細金屬遮罩的 餘刻及其它隨後的製程，例如:=統沉積法’包含了 、鈿主Λ 精密延伸、焊接、移動 表軍編號馳 帛心襄置有更多優點。 201216456 [0070] 含有並加熱沉積材料11 5的沉積源1 10係設置在第一沉積 室731相對於基板500所設置之一側的相反側。沉積源 110係設置相對於基板500，且沉積源110係設置於第一 沉積室731之一侧，此第一沉積室731的一侧係設置相對 於基板500。當沉積源110的沉積材料11 5被汽化時，沉 積材料115可被沉積於基板500之上。 [0071] 特別是，沉積源110包含填充著沉積材料115之坩鍋112 ，以及冷卻區塊111其係朝向坩銷11 2之一側加熱坩鍋 11 2以汽化坩鍋11 2所包含的沉積材料11 5，特別是，朝 向沉積源噴嘴單元120。冷卻區塊111係預防自坩鍋11 2 的熱輻射外散，即至第一沉積室731中，且可因此包含一 加熱器（圖未示）以加熱鉗銷112。 [0072] 沉積源喷嘴單元120係設置於沉積源110之一側，特定地 位於沉積源110面對基板500之一侧。沉積源喷嘴單元 120，包含在Y軸方向以等間距排列之複數個沉積源喷嘴 121，即為基板500的掃描方向。沉積材料115於沉積源 110裡被汽化，經由沉積源喷嘴單元120朝向基板500。 如上所述，當沉積源喷嘴單元120包含排列於Y軸方向的 複數個沉積源喷嘴121，也就是說，基板50 0的掃描方向 ，排出穿過圖樣溝槽板150的該些圖樣溝槽151時，沉積 材料11 5所形成的圖樣尺寸僅受到其中之一的沉積源喷嘴 121的尺寸影響（因為在X軸方向的沉積噴嘴僅有一線）。 因此，可讓陰影區不形成於基板500上。此外，因為複數 個沉積源喷嘴1 21係排列於基板500的掃描方向（Y軸方向 )，即使該些沉積源喷嘴121之間的流動有所差異，此差 100124505 表單編號A0101 第16頁/共67頁 1003413410-0 201216456 異可被補償且沉積的一致性可維持恆定。 [0073] 圖樣溝槽板1 5 0及一板框1 5 5皆係置於沉積源11 〇和爲板 500之間。板框155可做成格子狀，類似於窗框。圖'^溝 槽板150係約束於板框155之内。圖樣溝槽板15〇係包含 排列於X軸方向的複數個圖樣溝槽151 ^複數個圖樣溝槽 151可被線性地排列於X轴方向。於沉積源11〇被汽化的冗

積材料115，經由沉積源喷嘴單元12〇及圖樣溝槽板 朝向基板500圖樣。圖樣溝槽板15〇可藉由蝕刻製造，上 蝕刻方式與目前運用於製造精細金屬遮罩的方式相同。 尤其是，條紋精細金屬遮罩。以此觀點而言，該些圖樣 溝槽1 51的總數可大於沉積源喷嘴12丨的總數。 ’ [0074]

沉積源11〇及連接至沉積源110的沉積源喷嘴單元12〇可 以一距離(即一預定距離)自圖樣溝槽板15〇分離且隔開。 又或者，沉積源uo及連接至沉積源11〇的沉積源幵 调可透過連接單元135連接至圖樣溝槽板15〇 /也就 是說’沉舰11G、沉積源対單元12{)及圖樣溝槽板 150可透過連接單心5彼此連接而整體地形成為二單一 物體。連接單元135可引導被排出且經由沉積源喷嘴121 之已汽化的沉積材料115排出，以直線移動但不往X轴方 向流動。請參«㈣’連接單元135可形成於沉積源HO 、沉積源喷嘴單元12〇及圖樣溝槽板⑽的左右兩側以引 導沉積材料115不往X轴方向流動；然而本發明之態樣 並不限於此。舉例來說，該純接單元135可以封合盒子 的里式办成以引V/儿積材料115不往χ軸及γ轴兩者的方向 流動。 100124505 表單編號Α0101 第17頁/共67頁 1003413410-0 201216456 [0075] 如上所述，目前實施例建構的薄膜沉積裝置100在相對於 基板500移動時執行沉積。為了相對基板500移動薄膜沉 積裝置100，圖樣溝槽板150係以一距離（即一預定距離） 自基板500分離且隔開。 [0076] 尤其是，目前利用精細金屬遮罩之沉積法，為了防止生 成一陰影區於基板上，沉積係以精細金屬遮罩緊密地與 基板接觸而執行。然而，當精細金屬遮罩緊密地與基板 接觸時，此接觸可導致瑕疵。此外，於目前沉積法中， 因為遮罩不能相對於基板移動，遮罩的尺寸必須與基板 的尺寸相同。因此，遮罩的尺寸必須隨著顯示裝置變大 而增加。然而製造如此大型遮罩並不容易。 [0077] 為了克服此問題，目前實施例所建構的薄膜沉積裝置100 中，圖樣溝槽板150係設置透過一距離（即一預定距離）與 基板500分離且隔開。 [0078] 如上所述，根據本發明實施例，可形成小於基板的遮罩 ，且沉積係當遮罩相對於基板移動時而執行。因此，遮 罩可容易地製造。除此之外，基板與精細金屬遮罩之接 觸所導致的瑕疵（發生於目前的沉積法中）可被避免。再 者，於沉積製程中，因為不需要設置金屬遮罩以緊密接 觸基板，可減少製造時間。 [0079] 本發明之一實施例中，薄膜沉積裝置100更包含第一對齊 圖樣502及第二對齊圖樣503，第一對齊標記152及第二 對齊標記153，第一相機組件161及第二相機組件162， 以及一控制器170以相互對齊基板500及圖樣溝槽板150 100124505 表單編號A0101 第18頁/共67頁 1003413410-0 201216456 ο [0080] Ο [0081] Ο [0082] 100124505 第一對齊圖樣502及第二對齊圖樣503以基板5〇〇的移動 方向Ρ形成於基板500之上。第一對齊圖樣5〇2及第二對齊 圖樣503可形成於基板500的各個端點上以相互隔開。第 一對齊圖樣502可包含排列於基板500的移動方向ρ上的複 數個第一標記502a，且第二對齊圖樣503可包含排歹,】於義 板500的移動方向ρ上的複數個第二標記5〇3a。第—枳飞 502a及第二標記503a可具有多邊形狀，例如：如第3圖 所示之正三角形。若每一個第一標記5〇2a及第二標弋 503a具有正三角形，那麼正三角形之斜邊可設置以面對 基板500之邊緣，其如第3圖所示。於此案例中，第一對 齊圖樣502及第二對齊圖樣503可以鋸齒狀的型式形成。 第一對齊標記152及第二對齊標記153可設置於圖樣溝槽 板150之各個端點。於一實施例中，第一對齊標記152及 第二對齊標記153可設置於圖^篆溝槽板150之角落。第一 對齊標記152及第二對齊標記153可設置於圖樣溝槽板 150之兩相鄰的角落。第一對齊標記152及第二對齊標記 153可在一垂直於移動方向ρ之方向（第二方向）相互隔開 。第一對齊標記152及第二對齊標記153可具有多邊形狀 ，例如：如第3圖所示之正三角形。若每一個第一對齊標 記152及第二對齊標記153具有正三角形，那麼其斜邊可 設置以面對圖樣溝槽板150，如第3圖所示。 若基板500及圖樣溝槽板150係恰當地相互對齊，第一對 齊標記152及第二對齊標記153係設置於第一對齊圖樣 502及第二對齊圖樣503之間。此將於後文敘述。 表單編號A0101 第19頁/共67頁 1003413410-0 201216456 [0083]第一相機組件Ml及第二相機組件162可設置於基板500 上以分別對應第一對齊標記152及第二對齊標記153 °第 一相機組件161可對在基板500上的第一對齊圖樣502及 第一對齊標記152拍攝，且第二相機組件162可對在基板 500上的第二對齊圖樣503及第二對齊標記153拍攝。因 為基板500可為透明的，第一相機組件161及第二相機組 件162分別於對第一對齊標記152及第二對齊標記153拍 攝時’視野係可穿透基板50〇。第一相機組件161及第二 相機組件162所對齊之方向可為垂直於移動方向P之第二 方向。 [_]控制器170可透過分析由第一相機組件16ι及第二相機組 件162所戴取的資訊決定基板5〇〇及圖樣溝槽板150相互 對齊之角度’且可基於對齊的角度移動基板500或圖樣溝 槽板150。 [0085] 繪示於第3圖中基板5〇〇與圖樣溝槽板150的對齊將參照第 6圖至第9圖敎述。 [0086] 第6圖係根據本發明之一實施例中繪示於第3圖的基板500 及圖樣溝槽板1 5 0，由第一相機組件1 61及第二相機組件 16 2視角觀看的排列平面圖。 [0087] 請參閱第3圖及第6圖，基板500係往Υ軸方向移動。第一 對齊圖樣502及第二對齊圖樣5〇3係設置與基板500移動 之Υ軸方向平行。當第一對齊圖樣502及第二對齊圖樣503 在垂直於Υ轴方向的X軸方向（第二方向）被相互隔開時， 第一對齊圖樣502及第二對齊圖樣503可設置於基板50〇 100124505 表單編號Α0101 第20頁/共67頁 1003413410-0 201216456 [0088] [0089] [0090] Ο [0091] Ο 之相對端點。 設置於圖樣溝槽板150上的第一對齊標記1 52及第二對齊 標祀153可於第二方向相互隔開，且可設置於第一對齊 圖樣502及第二對齊圖樣503之間。 於一實施例中，第一對齊圖樣502及第二對齊圖樣5〇3之 間的距離大於第一對齊標記152及第二對齊標記153之間 的距離。 第7圖係根據本發明之一實施例描述當第6圖所繪示的基 板500及圖樣溝槽板150恰當地相互對齊時，第一對齊圖 樣502與第二對齊圖樣503以及第一對齊標記152與第二 對齊標記153的排列。 請參閱第6圖及第7圖，第一相機組件161的第一影像裝置 161a及第二相機組件162的第二影像裝置162a係設置於 第二方向（X軸方向）以分別對第一對齊圖樣502與第一對 齊標記152以及第二對齊圖樣503與第二對齊標記153拍 攝。當基板500及圖樣溝槽板150係恰當地相互對齊時， 則第一對齊圖樣502與第一對齊標記152之間的距離A係相 等於第二對齊圖樣503與第二對齊標記153之間的距離A， 。同樣地’於此案例中，由第一相機組件161拍攝的第一 對齊圖樣502之影像寬度B係相等於由第二相機組件162拍 攝的第二對齊圖樣503之影像寬度B’ 。同樣地，由第一 相機組件161拍攝的第一對齊標記152之影像寬度c相等於 由第二相機組件162拍攝的第二對齊標記153之影像寬度c 9 〇 100124505 表單編號A0101 第21頁/共67頁 1003413410-0 201216456 [0092] [0093] [0094] [0095] 於實施例中，當基板500及圖樣溝槽板150係恰當地相 互對齊時’第—對齊圖樣5〇2與第-對齊標記152之間的 距離A可相等於第二對齊圖樣5〇3與第二對齊標記153的距 離A’。於此案例中，由第—相機組件161的第-影像裝 置161a所拍攝的第—對齊圖樣5〇2之影像宽度料目等於同 時（即同步地）由第二相機組件162的第二相機裝置呢a 所拍攝的第二對齊圖樣5〇3之影像寬度B，。同樣地，由 第一相機組件161的第一影像裝置161a所拍攝的第一對齊 標記152之影像寬度c相等於同時（即同步地）由第二相機 、、且件1 6 2的第_影像裝置丨6 2 a所拍攝的第二對齊標記⑸ 之影像寬度C’ 。 第8圖係根據本發明之-實施例繪示當第6圖的基板5〇〇往 X軸負的方向移動時，第一對齊圖樣5〇2與第二對齊圖樣 503以及第一對齊標記152與第二對齊標記153之排列。 請參照第6圖至第8圖，當基板_往X轴負的方向移動時 ’第-對齊圖樣502與第-對齊標記152之間的距離A少於 第二對齊圖樣5G3與第二對齊標記153之間的距離A，。然 而’於此案例中’由第-相機組件161拍攝的第一對齊圖 樣502之寬度B相等於由第二相機組件162拍攝的第二對齊 圖樣503之寬度B，’且由第—相機組件161拍攝的第一對 齊標s己152之寬度C相等於由第二相機組件162拍攝的第二 對齊標記153之寬度C，。 若基板5GG往X軸負的方向移動時，控制器17()控制一驅動 單元（圖未示）使基板50(Μ±χ軸方向移動一距離（A，— A)/2。 100124505 表單編號A0101 第22頁/共67頁 1003413410-0 201216456 [0096] 第9圖係根據本發明之一實施例繪示當第6圖之基板500往 一箭頭β (例如：以一角度0轉動）標示的方向扭曲時， 第一對齊圖樣502與第二對齊圖樣503以及第一對齊標記 152與第二對齊標記153之排列。若基板500相對於圖樣 溝槽板150往方向0扭曲，其意思為基板500相對於Ζ軸以 逆時針（往方向6> )或順時針（往負方向-0 )移動。 [0097] 請參閱第9圖，若基板500係往方向0 (逆時針）扭曲（例如 :轉動），然後由第一相機組件161拍攝的第一對齊標記 152之寬度C相等於由第二相機組件162拍攝的第二對齊標 記153之寬度C’ ，但由第一相機組件161拍攝的第一對齊 圖樣502之寬度Β則少於由第二相機組件162拍攝的第二對 齊圖樣503之寬度Β’ 。基板500所扭曲（例如：轉動）的 角度<9相等於Arctan((B’ -Β)/Α)。於此情況中，為了 將基板500與圖樣溝槽板15〇對齊，第3圖的控制器1?〇控 制驅動單元（圖未示）使基板5〇〇往負的方向(順時針） 以Arctan((B’ -Β)/Α)之角度移動。

[0098] 雖然圖未示，若圖樣溝槽板15〇以方向0(逆時針）扭曲 則由第一相機組件1 61拍攝的第一對齊標記丨52之寬度^ 少於由第二相機組件162拍攝的第二對齊標記153之寬度 ，。於此情況中，控制器170控制驅動單元使圖樣溝槽板 150往箭頭的負方向_0(順時針）以Arctan((c， 之角度移動（例如：轉動）。 100124505 如上所述，不只是當基板5〇〇往垂直於移動方向（第—方 向）之方向（第二方向）移動時，且當基板5〇〇往相對於移 動方向P(第一方向）扭曲（例如：轉動）時，第3圖的薄膜 表單編號A0101 第23頁/共67頁 1003413410-0 [0099] 201216456 沉積裝置1 00係根據本發明之一實施例能夠控制基板5〇{) 與圖樣溝槽板1 5 0的對齊。 [0100] [0101] 第1 0圖係根據本發明之另一實施例所繪示薄膜沉積裝置 100之透視圖。請參閱第10圖，薄膜沉積裝置1〇〇，包 含沉積源110、沉積源喷嘴單元12〇’及圖樣溝槽板15〇 。沉積源110包含填充著沉積材料115的坩鍋112，以及 用來加熱坩鍋112以汽化坩鍋丨12所包含的沉積材料115 之冷卻區塊111，使得已汽化的沉積材料115朝向沉積源 噴嘴單元120移動。為一平面形狀的沉積源喷嘴單元 120係設置於沉積源11〇之一側。沉積源喷嘴單元丨2〇 包含複數個排列於Y軸方向的沉積源喷嘴121 ’ 。圖樣 溝槽板150和一板框1 55係設置於沉積源11〇和基板5〇〇之 間。圖樣溝槽板150具有排列於X軸方向的複數個圖樣溝 槽151。沉積源11〇及沉積源喷嘴單元12〇，可透過連接 單元135連接至圖樣溝槽板丨5〇。 於目前實施例中，不像第3圖的薄膜沉積裝置1〇〇，形成 於沉積源噴嘴單元12〇’之上的複數個沉積源喷嘴丨2!’ 係以一角度（例如：一預定角度）傾斜。尤其是，沉積 源喷嘴121’可包含排列於各列的沉積源喷嘴1213及 121b。該些沉積源噴嘴121a及121b可以鋸齒狀圖樣交替 排列於各列圖樣。該些沉積源喷嘴121a&121b可相對於 XZ平面以一角度傾斜（例如：一預定角度）。該些沉積 源喷嘴121a及121b可不與XZ平面垂直而形成。 於目前實施例中，該些沉積源噴嘴1213及1211)係以一角 度傾斜（例如：一預定角度）彼此相對排列。在第一列 100124505 表單編號A0101 第24頁/共67頁 1003413410-0 [0102] 201216456 的沉積源喷嘴12la及在第二列的沉積源喷嘴12lb可傾斜 以面對彼此。第一列的沉積源噴嘴121a可朝向第二列沉 積源喷嘴的沉積源喷嘴12 lb傾斜。也就是說，設置於沉 積源喷嘴單元120’左部分的第一列的沉積源喷嘴121a的 頂部可排列以面對朝向圖樣溝槽板150之右側部位，且於 沉積源喷嘴單元120’之右部分的第二列的沉積源喷嘴 121b的頂部可排列以面對朝向圖樣溝槽板150之左側部位 〇 [0103] Ο 於是，沉積材料115之沉積速率可調整以減少在基板500 之中心上及尾端部位上之間沉積形成之薄膜厚度的差異 ，進而改善厚度的均勻度。此外，利用沉積材料115之效 率亦可改善。 [0104]

第11圖係建構為本發明之另一實施例的薄膜沉積裝置之 透視圖。請參閱第11圖，根據本實施例之薄膜沉積裝置 可包含複數個薄膜沉積裝置，該複數個薄膜沉積裝置之 中的每一個皆具有繪示於第3圖的薄膜沉積裝置100的結 構。換句話說，薄膜沉積裝置根據目前實施例可包含複 數沉積源，該複數沉積源係同步地（例如：同時地）排 出用以形成R(紅色）發射層、G (綠色）發射層及B(藍色） 發射層之沉積材料。 [0105] 特別地，目前實施例所建構的薄膜沉積裝置包含第一薄 膜沉積裝置101、第二薄膜沉積裝置102及第三薄膜沉積 裝置103。第一薄膜沉積裝置101、第二薄膜沉積裝置 102及第三薄膜沉積裝置103之中的每一個皆具有於第3圖 至第5圖描述的薄膜沉積裝置100相同的構造，因/此其詳 100124505 表單編號A0101 第25頁/共67頁 1003413410-0 201216456 細的插述將不在此提供。 [0106] [0107] [0108] 100124505 第溥犋沉積裝置1(Π、第二薄膜沉積裝置1〇2及第三薄 膜;積裝置103的沉積源110可分別含有不同的沉積材料 材料，薄·積裝置1G1可含有用以形_發射層的沉積 沉積第二薄膜沉積裝置1 02可含有用以形成㈣射層的 持料，且第三薄膜沉積聚置1〇3可含有用以形成B發 射層的沉積材料。 換句'•舌垅，在製造有機發光顯示裝置的典型方法中，— 同的/冗積至及遮罩可用於形成每一顏色發射層。然 而田使用目前實施例所建構的薄膜沉積裝置時，R發射 s 6發射層及B發射層可同步地（例如：在同樣的時間 ) 由星~今 '夕沉積源形成。因此，製造有機發光裝置所消 耗的時間可減少（例如：明顯地減少）。此外，有機發 光裝置可藉由減少數量的沉積室製造，使得設備成本亦 可降低（例如：顯著地降低）。 雖然圖未不，第一沉積源裝置101的圖樣溝槽板150、第 '儿積源裝置1〇2的圖樣溝槽板25〇、第三沉積源裝置 03的圖樣溝槽板350可以偏移一固定距離相對彼此而排 列，進而防止對應於圖樣溝槽板15〇 、250及350的沉積 區域於基板5〇〇上彼此重叠。換句話說，當第一薄膜沉積 裝置 1 0 1、繁-、**** ϋ*、，店 at 弟一'儿積源巢置102及第三沉積源裝置103用 來刀别積R發射層、㈣射層及B發射層時，為了讓尺發 射層、G發射層及B發射層形成於基板⑽的不 同區域，第 一薄膜沉積裝置101的圖樣海槽i5i、第二薄膜沉積裝置 〇2的圖樣屢槽251、第三薄媒沉積裝置103的圖樣溝槽 表單編號A0101 « 9R _ 胃/共 67 頁 1003413410-0 201216456 [0109] [0110] Ο [0111] ❹ [0112] 351並不相對彼此對齊而排列β 用以形成R發射層、G發射層及Β發射層的沉積材料可分別 於不同的溫度汽化。因此，第一沉積裝置1〇1、第二沉積 裝置102及第三沉積裝置1〇3的沉積源各別的溫度可被設 疋為不相同。 雖然根據目前的實施例之薄膜沉積裝置包含三個薄膜沉 積裝置，本發明並不限於此。換句話說，根據本發明之 另一實施例之薄膜沉積裝置可包含複數個薄膜沉積裝置 ，該複數個薄膜沉積裝置之中的每一個含有不同的沉積 材料。舉例來說，根據本發明之另一實施例之—薄膜沉 積裝置可包含五個薄膜沉積裝置，其分別含有用於R發射 層、G發射層、B發射層、R發射層的之辅助層（R，）及〇發 射層之輔助層（G’ ）的材料。 如上所述，藉由複數個薄膜沉積裝置可同步地（例如：在 相同的時間）形成複數個薄膜，因此產率及沉積效率可被 改善。此外，所有的製造過程係單純化，且製造成本可 降低。 第12圖係本發明之一實施例所建構之薄膜沉積裳置1〇〇, ，的透視圖。第13圖係第12圖之薄膜沉積裝置1〇〇，，的 側剖面圖。第1 4圖係第12圖的薄膜沉積裝置丨〇 〇，，於 X-Z平面的剖面圖。 請參閱第12圖至第14圖，薄膜沉積裝置100，，包含沉積 源lio、沉積源喷嘴單元120’，、阻隔板組件13〇及圖 樣溝槽151。 100124505 表單編號A0101 第27頁/共67頁 1003413410-0 [0113] 201216456 [0114] 雖然為了方便解釋沉積室並未繪示於第12圖至第14圖， 所有薄膜沉積裝置1 〇 〇 的組件可設置於維持適當真空 度的沉積室内。沉積室維持適當的真空度是為了讓沉積 材料實質上以直線移動穿越薄膜沉積裝置1〇〇’，。 [0115] 薄膜沉積裝置100 係設置於沉積室中，作為沉積標把 基板的基板500係透過第1圖的靜電卡盤β〇〇傳送。基板 500可為用於平面顯示裝置之基板。大型基板，例如用以 製造複數個平面顯示器的母玻璃可用來作為基板500。其 它的基板亦可被採用。 [0116] 本發明之一實施例’基板500可相對於薄膜沉積裝置1〇〇 ’’而移動。舉例來說，基板500可相對於薄膜沉積裝置 100’ ’以箭頭Ρ之方向移動。 [0117] 因此，於第3圖的薄膜沉積裝置100，目前實施例所建構 的薄膜沉積裝置100，’所包含的圖樣溝槽板15〇ΐΓ小於（ 例如：顯著地較小）用於典型沉積法的精細金属遮罩° & 句話說，目前實施例所建構之薄膜沉積裝置100’ 中 當基板500往Y軸方向移動時，沉積係持續地以（即’掃& 方式）執行。因此，若圖樣溝槽板150在X軸方尚的見度與 基板500在X軸方向的寬度實質上彼此相等’圖樣溝槽板 150在Y轴方向的長度可少於（例如：顯著地少於）基板 500之長度。然而，即使當圖樣溝槽板150在x軸方向的寬 度少於基板500在X軸方向的寬度，沉積可在基板500或z彝 膜沉積裝置100，’相對彼此移動時’以掃描方式於整1^ 基板500上執行。 1003413410-0 100124505 表單編號A0101 第28頁/共67頁 201216456 [Oil8]如上所述，因為形成圖樣溝槽板150可小於（例如：顯著 地小於）用於典型沉積法的精細金屬遮罩，相對之下製造 圖樣溝槽板150是容易的。換句話說，利用小於用在典型 沉積法之精細金屬遮罩的圖樣溝槽板150相較於利用較大 細微金屬遮罩的早期沉積法在所有製程上是更方便的， 包含钱刻及其它後續的製程，例如：精密延伸、焊接、 移動及清洗製程。用於相對大型顯示裝置是更具優勢的 〇 [0119] 〇 含有並加熱沉積材料U 5的沉積源110係設置於沉積室之 基板500所設置的—侧之相對側。 [0120] 沉積源110包含填充著沉積材料115之坩鍋112，以及圍 繞坩鍋112之冷卻區塊lu ^冷卻區塊ill防止來自坩鍋 112的熱輻射外散即至沉積室内部。冷卻區塊111可包含 加熱掛銷112之加熱器（未示）。 [0121] 〇 >儿積源喷嘴單元12〇’，係設置於沉積源11〇之一側，尤 其是’沉積源110面對朝向基板5〇〇之側邊。沉積源喷嘴 單兀*120’ ’包含在X軸方向以相同區間排列的複數個沉 積源喷嘴121’ ’ 。於沉積源110汽化的沉積材料115經 由沉積源喷嘴單元120，，的沉積源喷嘴121，，朝向作 為沉積標靶基板的基板5〇〇。 [0122] 阻隔板組件130係設置於沉積源喷嘴單元120，’之一側 。阻隔板組件130包含複數個阻隔板131及覆蓋阻隔板 131之侧邊的阻隔板框132。換句話說，第12圖實施例的 阻隔板框132包含兩相對的阻隔框板，其沿著Y軸方向由 100124505 表單編號A0101 第29頁/共67頁 1003413410-0 201216456 位於其間之阻隔板1 31彼此相隔開。當顯示在第1 2圖左側 上的阻隔框板1 3 2咼度低於右側上的阻隔框板時，它們可 具有如第13圖所繪示之相同的高度。複數個阻隔板】可 在X軸方向以相同區間相互平行而排列。此外，於第12圖 ，每一個阻隔板131可平行於χζ平面而排列，並且可具有 矩形形狀。上述的複數個阻隔板131將沉積源噴嘴單元 120’，及圖樣溝槽板15〇之間的沉積空間分割成複數個 子沉積空間S。如第14圖所示，目前實施例所建構的薄膜 沉積裝置100’，中，沉積空間是由阻隔板131分割成子 /儿積空間S，其分別對應於沉積材料115排出所穿越的沉 積源噴嘴121’ ’ 。 [0123] 阻隔板131可分別設置於相鄰的沉積源喷嘴12丨’，之間 。換句話說，每一個沉積源喷嘴121，，可設置於兩相鄰 的阻隔板131之間。沉積源喷嘴121’，可分別位於兩相 鄰的阻隔板131之間的中點。然而，本發明並不限於此結 構。舉例來說，複數個沉積源121’，可設置於兩相鄰的 阻隔板131之間。於此案例中，該複數個沉積源噴嘴丨21 ’’亦可分別位於兩相鄰的阻隔板131之間的中點。 [0124] 如上所述，因為該些阻隔板131把沉積源噴嘴單元12〇， ，及圖樣溝槽板1 5 0之間的沉積空間分割成複數個子沉積 空間S，排出穿過每一個沉積源噴嘴121’，的沉積材料 115並不與排出穿過其它沉積源喷嘴121，，的沉積材料 115混合’且穿越圖樣溝槽151以沉積於基板5〇〇上。換 句話說，阻隔板131引導排出穿過該些沉積源噴嘴121， 的沉積材料11 5直線移動且並不流向X軸方向。 100124505 表單編號A0101 第30頁/共67頁 1003413410-0 201216456 [0125] 如上所述，沉積材料115透過安裝阻隔板131被強制直線 移動，與未安裝阻隔板的情形比較下，致使一較小陰譽 區可形成於基板500上。因此’薄膜沉積裝置1〇〇，， 及 基板500可透過一距離（例如：預定距離）分離且相 11¾ 開。此將於後文詳細敘述》 [0126] 形成該些阻隔板131之側邊的阻隔板框132維持該些阻隔 板131之位置，且引導排出穿過該些沉積源噴嘴丨2丨，， 的沉積材料115使其不流向Y轴方向。 0 [0127] 沉積源喷嘴單元120’ ’及阻隔板組件130可透過_距離 (例如：預定距離）分離且彼此隔開。這樣可防止從沉 積源110的熱輻射傳導至阻隔板組件130。然而，本發0月 之態樣並不限於此。舉例來說，適當的熱絕緣器（圖未 示）可進一步地設置於沉積源喷嘴單元120’，及阻隔板 組件130之間。於此案例中，沉積源喷嘴單元12〇，， 阻隔板組件130可於兩者之間設置熱絕緣器而結合在_起 J [0128] 此外，阻隔板組件130可建構成從薄臈沉積裝置1〇〇，， 是可拆卸的。本發明目前實施例所建構的薄膜沉積襄置 10 0 ’’中，是利用阻隔板組件13 0圍繞沉積空間，致使 剩下未沉積的沉積材料115大多數沉積於阻隔板組件13〇 内。因此，因為阻隔板組件130被建構為從薄膜沉積裝置 100’ ’是可拆卸的’當大量的沉積材料115在冗長的沉 積製程後留置於阻隔板組件130時，阻隔板組件13〇可自 薄膜沉積裝置1GG’ ’拆卸下’ ‘然後置於分離的沉積材料 回收裝置以便重新獲得沉積材料115 ^於是，沉積材料 100124505 表單编號A0101 第31頁/共67頁 1003413410-0 201216456 11 5的再使用率會增加，致使沉積效率獲得改善，然後製 造成本即可降低。 [0129] 圖樣溝槽板150及板框155係設置於沉積源110及基板500 之間。板框155可做成格子狀，類似於窗框。圖樣溝槽板 150係結合於板框155之内。圖樣溝槽板150具有排列於X 軸方向的複數個圖樣溝槽151。每一個圖樣溝槽151於Y軸 方向延伸。於沉積源110汽化且穿越沉積源喷嘴121’ ’ 的沉積材料115朝向基板500穿越該些圖樣溝槽151。 [0130] 圖樣溝槽板150可由一金屬薄膜形成。圖樣溝槽板150可 固定於板框155，使一拉伸力可被施加於上。該些圖樣溝 槽151可透過對圖樣溝槽板150蝕刻成條紋圖樣而形成。 [0131] 目前實施例所建構的薄膜沉積裝置100’ ’中，圖樣溝槽 151的總數可大於沉積源喷嘴12Γ ’的總數。此外，圖 樣溝槽151的數量相較下可遠大於設置於兩相鄰阻隔板 131之間沉積源噴嘴121’ ’的數量。圖樣溝槽151的數 量可等於形成於基板500上沉積圖樣的數量。 [0132] 阻隔板組件130及圖樣溝槽板150可透過一距離（例如： 一預定距離）設置為彼此分離。又或者，阻隔板組件1 30 及圖樣溝槽板150可透過該些第二連接構件133連接。由 於沉積源的溫度較高，阻隔板組件130的溫度可增加至 100°C或較高。因此，為了防止阻隔板組件130的熱傳導 至圖樣溝槽板150，阻隔板組件130及圖樣溝槽板150之 間可透過一距離（例如：一預定距離）分離且彼此分隔 開。 100124505 表單編號A0101 第32頁/共67頁 1003413410-0 201216456 [0133]如上所述’目前實施例所建構之薄膜沉積裝置⑽，，在 薄膜a積裝置1GQ’ ’相對於基板5卿動時執行沉積的 ^ 了相對於基板500而移動薄膜沉積裝置100，’，圖 樣溝槽板150係透過—距離（例如：一預定距離）與基板 500刀離。除此之外’當圖樣溝槽板“ο及基板5〇〇係分 離且彼此隔開時’為了防止相對較大的陰影區生成於基 板500之上’阻隔板131係排列於沉積源喷嘴單元12〇， 及圖樣溝槽板150之間以強制沉積材料115直線移動。 可形成於基板5〇〇上的陰影區尺寸因此顯地降低。

〇 B _特別是，在利用精細金屬遮罩的典型π積法中，為了防 止於基板上生成陰影區，精細金屬遮罩係與基板緊密地 物理接觸而執行沉積。然而，當精細金屬遮罩用於緊密 地與基板接觸時，此接觸可導致瑕疵，例如形成於基板 上的圖樣刮痕。此外，於目前沉積法中，因為遮罩不能 相對於基板移動，遮罩的尺寸必須與基板的尺寸相同。 因此，遮罩的尺寸必須隨著顯示裝置變大而增加，。然 而製造如此大型遮罩並不容易。 [0135] 為了克服此問題，目前實施例所建構的薄膜沉積裝置1 〇 〇 ’’中’圖樣溝槽板150係透過一距離（例如：一預定距 離）設置與基板500分離且隔開◊此法可透過安裝阻隔板 131以促進減少形成於基板500上的陰影區尺十。 [0136] 如上所述，當圖樣溝槽板150小於基板5〇〇時，圖樣溝槽 板150可在沉積製程期間相對於基板5〇〇移動。因此，不 再需要製造如用於目前沉積法的大型精細金屬遮罩。此 外，因為基板500及圖樣溝槽板150係相互分離，因為彼 100124505 表單編號A0101 第33頁/共67頁 1003413410-0 201216456 此接觸所導致的瑕疵可被防止。此外，因為在沉積製程 期間不再需要將基板500接觸圖樣溝槽板150，製造速度 可被改善。 [0137] 第15圖係為本發明另一實施例所建構的薄膜沉積裝置100 的透視圖。 [0138] 請參閱第15圖，薄膜沉積裝置100’ ’’包含沉積源110 、沉積源喷嘴單元120、第一阻隔板組件130、第二阻隔 板組件140以及圖樣溝槽板150。 [0139] 雖然沉積室未繪示於第15圖以方便解釋，薄膜沉積裝置 100’ ’’的所有組件可設置於維持適當真空度的沉積室 之内。該沉積室維持適當的真空度是為了讓沉積材料實 質上以直線移動穿過薄膜沉積裝置100’ ’ ’ 。 [0140] 作為沉積標靶基板的基板500係設置於沉積室中。含有且 加熱沉積材料11 5的沉積源11 0係設置於沉積室於基板 500所設置之一側的相對側。 [0141] 沉積源110及圖樣溝槽板150之結構實質上與之前實施例 所述相同，因此其詳細敘述將不在此提供。第一阻隔板 組件130亦與第12圖中實施例所述的阻隔板組件130相同 ，因此其詳細的敘述將不在此提供。 [0142] 目前的實施例中，第二阻隔板組件140可設置於第一阻隔 板組件1 3 0之一側。於一實施例中，第二阻隔板組件14 0 可設置於第一阻隔板組件130與圖樣溝槽板150之間。第 二阻隔板組件140包含複數個第二阻隔板141及覆蓋第二 阻隔板1 41之側邊的第二阻隔板框1 42。 100124505 表單編號A0101 第34頁/共67頁 1003413410-0 201216456 [0143] [0144] Ο [0145] 複數個第二阻隔板141可在χ軸方向彼此平行以相同區間 分隔而排列。此外，每個第二阻隔板丨4丨在第丨5圖中可以 平行YZ平面而形成延伸，即垂直於χ軸方向。第二阻隔板 框142可以框架的形狀環繞複數個第二阻隔板141。 如上所述排列的複數個第一阻隔板131及第二阻隔板141 將沉積源噴嘴單元120，，與圖樣溝槽板150之間的—沉 積空間做分割。沉積空間係由第一阻隔板131及第二阻隔 板141刀割成子》儿積空間，其分別對應於沉積材料11 5排 出穿過的沉積源嗔嘴12Γ ，。

G 該些第二阻隔板141可設置以分別對應於第一阻隔板。換 句話說，第二阻隔板141可分別設置於與該些第一阻隔板 131平行且位於相同的平面上。於一實施例中，每個第_ 阻隔板141可分別在Z軸方向與對應的第一阻隔板131對齊 。每對對應的第一阻隔板131及第二阻隔板141可位於相 同平面上。雖然第一阻隔板131及第二阻隔板141係分别 繪示為在Y軸方向具有相同的厚度，本發明之態樣並不限 於此。換句話說，需要準確地與圖樣溝槽板15()對齊的第 一阻板141可相對較薄地形成，反之不需精確地與圖樣 溝槽板150對齊的第一阻隔板131可相對較厚地形成。這 使製造薄膜沉積裝置100，，，較容易。 [0146] 目刖實施例所建構的複數個薄膜沉積裝置100’，，如 第1圖所繪示，可成功地設置於第1圖的第-沉積室73卜 於此案例中，複數個薄膜沉積裝置1〇〇，，可用來分別沉 積不同的〉儿積材料。舉例來說，複數個薄膜沉積裝置100 可具有不同的圖樣溝槽形式，以致於不同顏色的 100124505 表單編號A0101 第35頁/共67頁 1003413410-0 201216456 [0147] [0148] [0149] [0150] [0151] [0152] 像素，例如紅色、綠色及藍色可同時地透過—膜沉積製 程來定義。 第1 6圖係根據本發明之—實施例利用—薄膜沉積裝置製 造一主動矩陣式有機發光顯示裝置之剖面圖。 -月參閱第16圖，主動矩陣式有機發光顯示裝置可形成於 基板30上。基板30可由透明材料形成，例如：玻璃塑 膠或金屬。絕緣層3卜例如緩衝層，係形成於整體基板 30上。 薄膜電晶體（TFT)40、電容50及有機發光二極體（〇LED) 係設置於絕緣層31上，如第16圖所示。 -半導體主動層41係於一圖樣(例如：一預定圖樣)形成 於絕緣層31上。閘極絕緣層32係形成以覆蓋半導體主動 層41。半導體主動層41可包含p型或n型半導體材料。 薄膜電晶體40的閘極電極42係形成於開極絕緣⑽對應 於半導體主動層41的—區域。層間絕緣層33係形成以覆 蓋閘極電⑽。然後’層間絕緣⑽及閘極絕緣層犯係 透過例如乾式㈣峨綱㈣成用叫露半導體主動 層41之部分的接觸孔。 源極/没極電極43係形成於層間絕緣層33之上讀觸透過 接觸孔而暴露的半導體主動層41。鈍化層34係形成以覆 蓋源極/没極電極43 ’並被姓刻以暴露部分的汲極電極43 。一絕緣層（圖未示）可更進一步形成於鈍化層34之上以 平面化鈍化層34。 100124505 表單編號Α0101 第36頁/共67頁 1003413410-0 201216456 [0153]此外，有機發光二極體60顯示器係於電流流通時發射紅 、綠及藍光以顯現預設之影像資訊。有機發光二極體⑽ 包含设置於鈍化層34上的第一電極61。第一電極η係電 性連接至薄膜電晶體40的沒極電極43。 [0154] 像素定義層35係形成以覆蓋第—電極61。開叫係形成 於料定制35裡，接著有機發光層63卿成於由開口 W義的n第二電極62係形成於有機發光層Μ之 [0155] [0156] [0157] 100124505 似別像素的像素定我層扣係由一 素定義層35亦平面化彳機材料形成。像 平面，Β 第—電極61形成的區域之 且特別於鈍化層34的表面。 第一電極61及第二電極62係彼此 性的電饜緣且为別施加相反極 !至有機發光層63以誘導發光。 有機發光層63可由低分子量有機材a 料形成。當料或尚女子量有機材 具有單一志夕 得’有機發光層63可 4多層結構，包含至少選白飾 電洞傳輪'㈢電洞注入層（HIL)、 碍輸層(HTL)、發射層⑽ 及電子注入抵/ 電子輸送層（ETL)以 在入層（EIL)所組成之群組。 例子，包冬* 了應用之有機材料的 3 賦青銅（CuPu)、N，N， ’-二笨其 〜二（萘-1-基）-N、N 本基、聯笨胺（NPB)、三（8、麵教* 及其他_^^_ \ 以 用第1圖辛梦， f量有機材料，可使 _至第16圖所敘述之其中之〜 真空沉積的方式沉積。 缚膜沉積裝置’以 幵 1 64形成於畫素定義層35中之後 表翠編號_ _______ 基板30會被傳送至 第37頁/共67頁

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[0158] 201216456 》儿積室（圖未示）。 [0159] 在有機發光層咖彡叙後，係可使用 之相同沉積方式’形”二電極62。 形成有機發先層63 [0160] 第一電極&1可作為陽極， 者，第一電極61可作為陰極， 。第-電極㈣應於個別二電極62可作為陽極 一 豕京匕域而圖樣化 二電極62可形成以覆蓋所有的像素。 第二電極62可作為陰極 又或 並且第 [0161] [0162] 第一電極61可為透明電極或反射式電極。這類透明電極 係可由銦錫氧化物（_、銦鋅氧化物（ιζ〇)'氧化鋅 (ZnO)或氧化銦（In2(y所組成。這類反射式電極可透過 由銀（Ag)、鎂（Mg)、鋁（A1) ' 鉑（pt)、鈀（pd)、金 (Au)、錄（Ni)、敍⑽）、銥（Ir)、鉻（Cr)或其化合物 形成反射層並且於反射層上形成銦錫氧化物（IT〇)、銦鋅 氧化物（ΙΖ0)、氧化鋅（ΖηΟ)或氧化銦（ΐη2〇3)層而形成 。第一電極61可透過形成一層層次，例如用濺鍍的方式 ’然後再圖樣化該層次’例如用光微影蝕刻的方式而形 成0 第二電極62亦可為透明電極或反射式電極。當第二電極 62作為透明電極時，第二電極62係作為陰極使用。為此 ’這類透明電極係可透過沉積具有低功函數之金屬，如 鐘（U)、鈣（ca)、氟化鋰/鈣（LiF/Ca)、氟化鋰/鋁 (LiF/Al)、鋁（A1)、銀（Ag)、鎂（Mg)或其化合物形成 於有機發光層63的表面之上，並於其上，形成輔助電極 層或匯流排電極線，其係由銦錫氧化物（I TO)、銦鋅氡化 100124505 表單編號A0101 第38頁/共67頁 1003413410-0 201216456 201216456 [0163] ❹ [0164] Ο [0165] 物（ΙΖΟ)、氧化鋅（ΖηΟ)或氧化姻（11^〇3)或類似化合物 所組成。當第二電極62作為反射式電極時，此反射式電 極可透過沉積鋰（Li)、㉟（ca)、氟化鋰/祝LiF/Ca)、 氟化鐘/紹（LiF/A1)、銘（A1)、銀（Ag)、鎂（Mg)或其化 合物形成於㈣發光⑽U。第二電⑽可透過利用 與上述有機發光層63形成之相同沉積方式而形成。 本發明之上述實施賴建構㈣膜沉積裝置可應用於形 成有機薄膜電晶體之有機層或無機層，以及形成由各式 各樣材料所减之輕。舉例來說，任-適合的薄膜沉 積裝置如100(第3圖至第5圖）、1〇〇，（第_)、1〇1、 ⑽、；!^第11圖）、1〇〇，，（第12圖至第14圖）及1〇〇 (第15圖）可用來做為第i圖及第2圖的一個或多個 薄膜沉積裝置100、200、3〇〇或4〇〇 ’或做為们圖及第2 圖未特別顯示額外的薄膜沉積裝置。 承上所述，根據本發明實施例之薄膜沉積裝置及透過利 用該薄膜沉積裝置製造有機發光顯示裝置的方法中，薄 膜沉積裝置係可輕易地應用於大尺寸顯示裝置的大量生 產製造。此外，可簡易地製造薄膜沉積裝置和有機發光 顯示裝置、可改善產率和沉積效率、以及可允許沉積材 料的再利用。再者，薄膜沉積裝置可精確地在沉積期間 與基板對齊。 本發明已參考例示性實施例與予展現和說明，任何未脫 離如下列之申請專利範圍和其等效修改中所主張的本發 明之精神與範疇，應皆能被該技術領域擁有通常知識者 所暸解。 100124505 表單編號A0101 第39頁/共67頁 1003413410-0 201216456 【圖式簡單說明】 [0166] 本發明更完整的内容及其許多態樣，將利用其相同參考 數字表示相同或相似的構件之參考附圖及其下列詳細敘 述，而使其被更容易且更好的理解，其中： 第1圖係繪示本發明之一實施例中，包含一薄膜沉積裝置 之一薄膜沉積系統為； 第2圖係繪示第1圖的薄膜沉積裝置之修飾例； 第3圖係根據本發明之一實施例的薄膜沉積裝置之斜視圖 » 第4圖係為第3圖的薄膜沉積裝置之側截面圖； 第5圖係為第3圖的薄膜沉積裝置於X-Z平面的剖面圖； 第6圖係根據本發明之一實施例，繪示第3圖的基板及溝 槽板排列的平面圖； 第7圖係根據本發明之一實施例繪示當第3圖的基板及溝 槽板恰當地相互對齊時，第一對齊與第二對齊以及第一 對齊標記與第二對齊標記之排列； 第8圖係根據本發明之一實施例繪示當第3圖的基板往X軸 負向移動時，第一對齊與第二對齊以及第一對齊標記與 第二對齊標記之排列； 第9圖係根據本發明之一實施例，繪示當第3圖之基板往 一箭頭0所標示的方向扭曲時，第一對齊圖樣與第二對 齊圖樣以及第一對齊標記與第二對齊標記之排列； 第1 0圖係建構為本發明之另一實施例之薄膜沉積裝置之 斜視圖； 第11圖係建構為本發明之另一實施例之薄膜沉積裝置之 斜視圖； 100124505 表單編號A0101 第40頁/共67頁 1003413410-0 201216456 第12圖係建構為本發明之另一實施例之薄膜沉積裝置之 斜視圖； 第13圖係為第12圖的薄膜沉積裝置之侧截面圖； 第14圖係為第12圖的薄膜沉積裝置於X-Z平面的剖面圖； 第15圖係建構為本發明另一實施例的薄膜沉積裝置的斜 視圖；以及 第1 6圖係根據本發明之一實施例，透過利用一薄膜沉積 裝置製造一主動矩陣式有機發光顯示裝置之剖面圖。

【主要元件符號說明】 [0167] 100、 100， 、 100， ’ 、 薄膜沉積裝置 101 ： 第一薄膜沉積裝置 102 ： 第二薄膜沉積裝置 103 ： 第三薄膜沉積裝置 110 ： 沉積源 111 ： 冷卻區塊 112 ： 坩鍋 115 ： 沉積材料 120、 120，、120，，： 121、 121’ 、 121， ’ 、 130 ： (第一）阻隔板組件 131 ： 阻隔板 132 ： 阻隔板框 133 ： 第一連接構件 135 ： 連接單元 140 ： 第二阻隔板組件 100’ 表單編號A0101 、200 、 300 、 400 沉積源喷嘴單元 121a、121b .沉積源嗔嘴 100124505 第41頁/共67頁 1003413410-0 201216456 141 :第二阻隔板 142 :第二阻隔板框 150 :圖樣溝槽板 151 :圖樣溝槽 152 :第一對齊標記 153 :第二對齊標記 1 5 5 :板框 161 :第一相機組件 161a :第一影像裝置 162 :第二相機組件 162a :第二影像裝置 170 :控制器 30、500 :基板 350 :圖樣溝槽板 250 :圖樣溝槽板 31 :絕緣層 3 2 :閘極絕緣層 33 :層間絕緣層 34 :純化層 35 :像素定義層 40 :薄膜電晶體 41 :半導體主動層 42 ‘·閘極電極 43 :源極/汲極電極 50 :電容502 :第一對齊圖樣 503 :第二對齊圖樣 100124505 表單編號A0101 第42頁/共67頁 1003413410-0 201216456

502a :第一標記 503a :第二標記 60 ： 有機發光二極體 600 :靜電卡盤 610 :第一輸送單元 620 :第二輸送單元 61 ： 第一電極 62 ： 第二電極 63 ： 有機發光層 64 ： 開口 710 :載入單元 712 :第一機架 714 :傳送機器 716 :傳送室 718 :第一倒置室 719 :第一倒置機器 720 :卸載單元 722 :第二機架 724 :投出機器 726 :投出室 728 :第二倒置室 729 :第二倒置機器 730 :沉積單元 731 :第一沉積室 732 :第二沉積室 R ： 箭頭 表單編號A0101 100124505 第43頁/共67頁 1003413410-0 201216456 p:移動方向 0 :角度 S :子沉積空間 A、A， :距離 B ' B， :影像寬度 C、C， :影像寬度 100124505 表單編號A0101 第44頁/共67頁 1003413410-0

Claims (1)

1. 201216456 七、申請專利範圍： 1 . 一種薄膜沉積裝置，其用以形成一薄膜於一基板上，該薄 膜沉積裝置包含： 一沉積源，係用以排出一沉積材料； 一沉積源喷嘴單元，係設置於該沉積源之一側，該沉積源 喷嘴單元包含排列於一第一方向之複數個沉積源喷嘴；以 及 一圖樣溝槽板，係設置相對於該沉積源喷嘴單元，該圖樣 溝槽板具有排列在垂直於該第一方向之一第二方向排列之 ^ 複數個圖樣溝槽， 其中沉積係當該基板相對於該薄膜沉積裝置於該第一方向 移動時而執行， 該圖樣溝槽板具有相互隔開之一第一對齊標記及一第二對 齊標記， 該基板具有相互隔開之一第一對齊圖樣及一第二對齊圖樣 ，以及 該薄膜沉積裝置更包含用以對該第一對齊標記及該第一對 Ο 齊圖樣拍攝之一第一相機組件，以及用以對該第二對齊標 記及該第二對齊圖樣拍攝之一第二相機組件。 2 .如申請專利範圍第1項所述之薄膜沉積裝置，其中該沉積 源、該沉積源喷嘴單元及該圖樣溝槽板係整體地形成一單 一物體。 3 .如申請專利範圍第1項所述之薄膜沉積裝置，其中該沉積 源、該沉積源喷嘴單元及該圖樣溝槽板係透過用以引導該 沉積材料移動的連接單元整體地連接為一單一物體。 100124505 表單編號A0101 第45頁/共67頁 1003413410-0 201216456 4 ·如申請專利範圍第3項所述之薄膜沉積裝置’其中該連接 單元封合介於該沉積源、該沉積源喷嘴單元及該圖樣溝槽 板之間的一空間。 5 .如申請專利範圍第1項所述之薄膜沉積裝置，其中該複數 個沉積源喷嘴係相對於從該沉積源喷嘴突出的一表面的一 垂直線傾斜一角度。 6 ·如申請專利範圍第5項所述之薄膜沉積裝置，其中該複數 個沉積源喷嘴包含在該第一方向以二列排列的沉積源噴嘴 ’且於該二列之一列的該沉積源喷嘴係傾斜以面對朝向於 該二列之另一列的該沉積源喷嘴。 7 •如申請專利範圍第5項所述之薄膜沉積裝置，其中該複數 個沉積源噴嘴包含在該第一方向以二列排列的沉積源喷嘴 ’位於該圖樣溝槽板之一第一側的該二列之一列的該沉積 源噴嘴係排列以面對朝向該圖樣溝槽板之一第二側，且位 於該圖樣溝槽板之該第二側的該二列之另一列的該沉積源 喷嘴係排列以面對朝向該圖樣溝槽板之該第一側。 8 .如申請專利範圍第1項所述之薄膜沉積裝置，其中該第一 對齊圖樣包含排列於該第一方向的複數個第一標記’該第 二對齊圖樣包含排列於該第一方向的複數個第二標記’以 及該第一對齊圖樣及該第二對齊圖樣於該第二方向相互隔 開。 9 ·如申請專利範圍第8項所述之薄膜沉積裝置，其中該第一 標記及該第二標記之至少之一具有一多邊形。 10 ’如申請專利範圍第9項所述之薄膜沉積裝置，其中該第一 標記及該第二標記之至少之一具有一三角形。 11 ·如申請專利範圍第9項所述之薄膜沉積裝置，其中該第一 100124505 1003413410-0 第46頁/共67頁 表單編號A0101 201216456 對齊圖樣及該第二對齊圖樣係以一鋸齒狀的型式形成。 12 .如申請專利範圍第1項所述之薄膜沉積裝置，其中該第一 相機組件及該第二相機組件所排列的一方向係垂直於該第 一方向。 13 .如申請專利範圍第1項所述之薄膜沉積裝置，其中該第一 相機組件及該第二相機組件係設置於該基板上以分別對應 該第一對齊標記及該第二對齊標記。 14 .如申請專利範圍第1項所述之薄膜沉積裝置，該薄膜沉積 裝置更包含基於由該第一相機組件及該第二相機組件所截 取之資訊，用以決定該基板與該圖樣溝槽板相互對齊之一 角度之一控制器。 15 .如申請專利範圍第14項所述之薄膜沉積裝置，其中透過由 該第一相機組件所拍攝之該第一對齊圖樣及該第一對齊標 記的影像之間的一第一距離與由該第二相機組件所拍攝的 該第二對齊圖樣及該第二對齊標記的影像之間的一第二距 離比較，該控制器係供以決定該基板及該圖樣溝槽板相互 對齊於與該第一方向垂直之該第二方向之該角度。 16 .如申請專利範圍第14項所述之薄膜沉積裝置，其中該控制 器係供以決定該圖樣溝槽板是否傾斜於由該第一方向及該 第二方向形成的一平面之内，並透過由該第一相機組件所 拍攝的該第一對齊標記的一影像與由該第二相機組件所拍 攝的該第二對齊標記的一影像比較而不對齊於該基板。 17 .如申請專利範圍第16項所述之薄膜沉積裝置，其中當該第 一對齊標記之該影像之一寬度大於該第二對齊標記之該影 像之一寬度時，該控制器係供以決定該圖樣溝槽板於朝向 該第二對齊標記之該平面内傾斜，且當該第一對齊標記之 100124505 表單編號A0101 第47頁/共67頁 1003413410-0 201216456 該影像之該寬度小於該第二對齊標記之該影像之該寬度時 ，該控制器係供以決定該圖樣溝槽板於朝向該第一對齊標 記之該平面内傾斜。 18 .如申請專利範圍第14項所述之薄膜沉積裝置，其中透過比 較由該第一相機組件所拍攝的該第一對齊圖樣之一影像與 由該第二相機組件所拍攝的該第二對齊圖樣之一影像，該 控制器係供以決定該基板是否傾斜於由該第一方向及該第 二方向所形成的一平面内。 19 .如申請專利範圍第18項所述之薄膜沉積裝置，其中當該第 一對齊圖樣之該影像之一寬度大於該第二對齊圖樣之該影 像之一寬度時，該控制器係供以決定該基板於朝向該第二 對齊圖樣之該平面内傾斜，且當該第一對齊圖樣之該影像 之該寬度小於該第二對齊圖樣之該影像之該寬度時，該控 制器係供以決定該基板於朝向該第一對齊圖樣圖樣之該平 面内傾斜。 2〇 .如申請專利範圍第14項所述之薄膜沉積裝置，其中基於由 該控制器決定的該對齊度，該基板及該圖樣溝槽板係透過 移動該基板或該圖樣溝槽板而相互對齊。 21 . —種薄膜沉積裝置，其用以形成一薄膜於一基板上，該裝 置包含： 一沉積源，係用以排出一沉積材料； 一沉積源喷嘴單元，係設置於該沉積源之一側並包含排列 於一第一方向的複數個沉積源喷嘴； 一圖樣溝槽板，係設置相對於該沉積源喷嘴單元並具有排 列於該第一方向的複數個圖樣溝槽；以及 一阻隔板組件，係包含複數個阻隔板，該複數個阻隔板在 100124505 表單編號A0101 第48頁/共67頁 10034134100 201216456 該第一方向設置於該沉積源喷嘴單元及該圖樣溝槽板之間 圖樣，並將該沉積源喷嘴單元及該圖樣溝槽板之間的一沉 積空間分割成複數個子沉積空間， 其中該薄膜沉積裝置及該基板係相互隔開， 一沉積製程係當執行於該薄膜沉積裝置或該基板相對彼此 而移動時， 該圖樣溝槽板具有相互隔開之一第一對齊標記及一第二對 齊標記， 該基板具有相互隔開之一第一對齊圖樣及一第二對齊圖樣 ，以及 該薄膜沉積裝置更包含用以對該第一對齊標記及該第一對 齊圖樣拍攝之一第一相機組件，以及用以對該第二對齊標 記及該第二對齊圖樣拍攝之一第二相機組件。 22 .如申請專利範圍第21項所述之薄膜沉積裝置，其中該複數 個阻隔板往垂直於該第一方向的一第二方向大幅地延伸。 23 .如申請專利範圍第21項所述之薄膜沉積裝置，其中該阻隔 板組件包含： 一第一阻隔板組件，係包含複數個第一阻隔板，以及 一第二阻隔板組件，係包含複數個第二阻隔板。 24 .如申請專利範圍第23項所述之薄膜沉積裝置，其中該複數 個第一阻隔板及該複數個第二阻隔板往垂直於該第一方向 的一第二方向大幅地延伸。 25 .如申請專利範圍第24項所述之薄膜沉積裝置，其中該複數 個第一阻隔板係分別對應於該複數個第二阻隔板排列。 26 .如申請專利範圍第21項所述之薄膜沉積裝置，其中該沉積 源係與該阻隔板組件隔開。 100124505 表單編號A0101 第49頁/共67頁 1003413410-0 201216456 27 . 28 . 29 . 30 . 31 . 32 . 33 . 34 . 35 · 100124505 如申請專利範圍第21項所述之薄膜沉積裝置，其中該阻隔 板組件係與該圖樣溝槽板隔開。 如申請專利範圍第21項所述之薄膜沉積裝置，其中兮第一 對齊圖樣包含排列於該第一方向之複數個第一標記， 該第二對齊圖樣包含排列於該第一方向之複數個第二標記 ’以及 該第一對齊圖樣及該第二對齊圖樣係於—第二方向相互隔 開。 如申請專利範圍第28項所述之薄膜沉積裝置，其中該第一 標記或該第二標記之至少之一具有一多邊形。 如申請專利範圍第29項所述之薄膜沉積裝置，其中該第一 標記或該第二標記之至少之一具有一三角形。 如申請專利範圍第29項所述之薄膜沉積裝置，其中該第一 對齊圖樣及該第二對齊圖樣係以一鋸齒狀的型式形成。 如申請專利範圍第21項所述之薄膜沉積裝置，其中該第一 相機組件及該第二相機組件所排列的一方向係垂直於該第 一方向。 如申請專利範圍第21項所述之薄膜沉積裝置，其中該第一 相機組件及該第二相機組件係設置於該基板上以分別對應 該第一對齊標記及該第二對齊標記。 如申請專利範圍第21項所述之薄膜沉積裝置，其中基於由 該第一相機組件及該第二相機組件所截取之資訊，該薄膜 沉積裝置更包含一控制器，其係用以決定該基板與該圖樣 溝槽板相互對齊之一角度。 如申請專利範圍第34項所述之薄膜沉積裝置，其中透過比 較該第一相機組件所拍攝之該第一對齊圖樣及該第一對齊 1003413410-0 表單編號A0101 第50頁/共67頁 201216456 標記的影像之間的一第一距離與該第二相機組件所拍攝的 該第二對齊圖樣及該第二對齊標記的影像之間的一第二距 離，該控制器係供以決定該基板及該圖樣溝槽板於該第一 方向相互對齊之該角度。 36 .如申請專利範圍第34項所述之薄膜沉積裝置，其中該控制 器係供以決定該圖樣溝槽板是否傾斜於由該第一方向及一 第三方向形成的一平面之内，並透過比較由該第一相機組 件所拍攝的該第一對齊標記的一影像與由該第二相機組件 所拍攝的該第二對齊標記的一影像而不對齊於該基板。 〇 37 .如申請專利範圍第36項所述之薄膜沉積裝置，其中當該第 一對齊標記之該影像之一寬度大於該第二對齊標記之該影 像之一寬度時，該控制器係供以決定該圖樣溝槽板於朝向 該第二對齊標記之該平面内傾斜，且當該第一對齊標記之 該影像之該寬度小於該第二對齊標記之該影像之該寬度時 ，該控制器係供以決定該圖樣溝槽板於朝向該第一對齊標 記之該平面内傾斜。 38 .如申請專利範圍第34項所述之薄膜沉積裝置，其中該控制 ^ 器係供以決定該基板是否傾斜於由該第一方向及該第三方 向所形成的一平面内，並透過比較由該第一相機組件所拍 攝的該第一對齊圖樣之一影像與由該第二相機組件所拍攝 的該第二對齊圖樣之一影像而不對齊於該圖樣溝槽板。 39 .如申請專利範圍第38項所述之薄膜沉積裝置，其中當該第 一對齊圖樣之該影像之一寬度大於該第二對齊圖樣之該影 像之一寬度時，該控制器係供以決定該基板於朝向該第二 對齊圖樣之該平面内傾斜圖樣，且當該第一對齊圖樣之該 影像之該寬度小於該第二對齊圖樣之該影像之該寬度時， 100124505 表單編號 A0101 第 51 頁/共 67 頁 1003413410-0 201216456 該控制器係供以決定該基板於朝向該第一對齊圖樣之該平 面内傾斜圖樣。 40 .如申請專利範圍第34項所述之薄膜沉積裝置，其中基於由 該控制器決定所對齊的該角度，該基板及該圖樣溝槽板係 透過移動該基板或該圖樣溝槽板而相互對齊。 41 . 一種製造一有機發光顯示裝置之方法藉由利用一薄膜沉積 裝置用以形成一薄膜於一基板上，該方法包含： 透過一距離排列該基板以將該薄膜沉積裝置隔開； 當該薄膜沉積裝置或該基板相對彼此移動時，沉積自該薄 膜沉積裝置排出的一沉積材料於該基板上；以及 當該薄膜沉積裝置或該基板相對彼此移動時，將該薄膜沉 積裝置與該基板對齊。 42 .如申請專利範圍第41項所述之方法，其中將該沉積材料沉 積於該基板上之步驟包含當該基板相對於該薄膜沉積裝置 移動時，在該基板上持續地沉積自該薄膜沉積裝置排出之 該沉積材料。 43 .如申請專利範圍第41項所述之方法，其中將該薄膜沉積裝 置與該基板對齊的步驟包含： 透過利用一相機組件在該基板上拍攝一對齊標記及在該薄 膜沉積裝置上拍攝一對齊圖樣； 透過比較由該相機組件所拍攝的該對齊標記及該對齊圖樣 之影像決定該基板及該薄膜沉積裝置相互對齊之一角度； 以及 基於對齊的該角度，透過移動該基板或該薄膜沉積裝置互 相對齊該基板與該薄膜沉積裝置。 100124505 表單編號A0101 第52頁/共67頁 1003413410-0