TW201214831A - Light-emitting device and article - Google Patents

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201214831 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明包含關於一種裝置的實施例。更特定言之，本發 明包含關於一種發光裝置及製造該裝置的一種方法的實施 例0 【先前技術】 有機發光裝置（OLED)可用於平坦面板背光應用或用於 一般照明。OLED透過電激發的有機分子上的激發子之賴 射重新組合而產生光。OLED可使用於顯示及照明鹿用兩 者。通常’ OLED中之電極之一者可具有透明及導電兩者 性質。對於此透明電極之通常使用之材料係透明導電氧化 物（TCO)，例如，銦錫氧化物（IT0)或摻雜鋁之鋅氧化物 (ΑΖΟ)。當與金屬相比較時，TC〇具有高許多的電阻率。 結合OLED係受電流驅動的事實，TC〇透明電極之較高的 電阻率可導致較大OLED像素上的一顯著電壓變化。當該 TCO電極在尺寸上大時，例如，具有約1〇公分的一長度及 約10公分的一寬度，該電壓變化可為顯著的，且可致使該 裝置上光強度的顯著變化。為克服TC〇透明電極之高電阻 率，且仍然能夠製造較大的0LED像素，一途徑係將期望 的較大面積的〇LED裝置分成以單片串聯連接的分開的較 小發射像素。該TCO電極可像素化至小尺寸（例如，在電 流流動方向上i公分)，使得在每一像素上之電壓變化及因 此光強度變化對於—觀看者並不顯著1因於電串聯連接 本質’在單月串聯連接所在之處之像素之間的區域可能不 154764.doc 201214831 發射光。此等區域可形成該0LED表面上的暗區域，因此 形成發射光之處之區域（一發射區域）與暗區域（非發射區 域）之間的一對比。許多顯示及照明應用可要求當供電給 該等OLED時看不見暗區域。 對於内部/外部裝飾物及招牌，可期望獲得一期望色彩 輸出。可期望具有一種裝置，該裝置可在整個〇Led上提 供有效光輸出，且減少發射區域與非發射區域之間之對 比’以提供一均一點亮的0LED裝置。 【發明内容】 在一實施例中提供一種裝置《該裝置包含一層，該層包 括一光發射區域及一光非發射區域。—光提取特徵部安置 於該光非發射區域之上。 在另一實施例令提供一種裝置《該裝置包含一層及在該 層上彼此依一距離而安置的複數個發光元件。該層定義複 數個光發射區域及光非發射區域。該層包括對應於該複數 個發光元件的複數個光發射區域，及對應於該複數個發光 元件之間之距離的複數個光非發射區域β —光提取特徵部 安置於該層中該複數個光非發射區域之一者或多者上。 然而在另一實施例中提供一種方法。該方法包括提供支 樓複數個發光元件之一層的步驟。該複數個發光元件可彼 此依一預定距離而安置。此導致形成對應於該層上的該複 數個發光元件的複數個光發射區域，及形成對應於該層上 之該等發光元件之間之該預定距離的複數個光非發射區 域。該方法進一步包括安置一光提取特徵部的步驟，以便 154764.doc 201214831 對應於該層上之該複數個光非發射區域。 【實施方式】 除非内文中以別的方式明確指示，否則單數形式 」、「一個」及「該」包含複數個指示物。如貫穿本說 明書及凊求項而在本文中使用，在不導致其相關之基本功 忐中的一變化之下，相近的語言可適用於修改可允許變化 的任意數量表示。相應地，由一術語或多個術語修改的一 值，諸如「約」並不限制於所指定的精確值。在一些執行 實例中，該相近語言可對應於用於量測該值之一儀器的精 確度。類似地，「無」可與一術語組合使用，且可包含不 實質的數目，或微量，而仍然考慮無修改之術語。 如在本文中所使用，術語「固定於」或「安置於…之 上」或「沈積於…之上」或「沈積於…之間」指固定或直 接接觸而安置，及藉由在其等之間具有干預層而間接接觸 兩者。「可操作地耦接」係在提供一狀態之函數之所列出 之部分之間的一關係。沒有進一步限定，「光透射的」意 »胃著在可見波長範圍内至少一頻率之大於約百分之五十的 光經一給定厚度之一材料而透射。該可見波長範圍係約 4〇〇奈米至約700奈米。一些材料基於光之波長而透射或多 或少的光。即，在一頻率處光透射性的一材料可或多或少 以另一波長為透射性的。 使用於多種實施例中的術語「烷基」意欲指定線性烷 基、支鏈烷基、芳烷基、環烷基、雙環烷基、三環烷基及 聚環烷基基團，包括碳及氫原子。烷基基團可為飽和或非 154764.doc 201214831 飽和的，且可包括例如乙烯基或丙烯基。術語「烧基」亦 涵蓋烧氧化物基團之院基部分。在多種實施例中，正常及 支鏈烷基基團係含有從1至約32個碳原子之基團，且包含 如例證性的非限制性實例C1-C32烷基（視情況經C1-C32烷 基、C3-C15環烧基或芳基處選擇之一個或多個基團取 代）；及C3-C15環烷基，視情況經C1-C32烷基或芳基處選 擇之一個或多個基團取代。實例包含曱基、乙基、正丙 基、異丙基、正丁酯、二級丁基、三級丁基、戊基、新戊 基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烧基及十二烧 基。％·烧基及雙環烧基基團之一些例證性非限制性實例包 含環丁基、環戊基、环己基、曱基环己基、環庚基、雙環 庚基及金鋼烷基。在多種實施例中，芳烷基基團包含含有 從7至約14個碳原子的基團；包含苯甲基、苯丁基、苯丙 基及笨乙基的基團。 如實施例中所使用之術語「芳基」指定取代或未取代的 芳基基團，包括從6至20個環的碳原子。芳基基團之一些 實例包含視情況經從Cl_C32烷基、C3_Ci5環烷基、芳基及 包含從元素週期表之15、16及17基團處選擇之原子的功能 性基團選擇之一個或多個基團取代的C6_c2〇芳基。芳基基 團之實例包含取代或未取代之苯基、聯苯基、曱笨基、二 甲苯基、萘基及聯萘β 參考圖1，提供變化0LED組態之一示意性側視圖1〇〇。 在一第一實施财’一0LED 11〇包括一陽極112、一發射 層114及—陰極116。在—第二實施例中，-OLED 118包括 154764.doc -6- 201214831 一陽極120、一電洞注入層122、一發射層124及一陰極 126。在一第三實施例中，一 OLED 128包括一陽極13〇、 一電洞注入層132、一發射層134、一電子注入層136及一 陰極138。通常藉由堆疊一系列之層而形成OLED，如上文 所提，以提供期望之色彩及光強度。參考圖2，其中展示 一OLED 200的一示意性側視圖，該OLED 200具有兩個單 元：一第一單元210及一第二單元212。該OLED 200可包 括一基板214，其上安置一陽極216、一第一單元21〇、一 第二單元212及一陰極218’發射之光220穿過該基板而可 觀看。該第一單元210可包括一電洞運輸層222、一第一發 射層224及一第一電洞運輸層226。該第二單元212可包括 一第二電洞運輸層228、一第二發射層23 0及一第二電洞運 輸層232。 適宜之陽極216可包含具有一較高功函數的一材料；例 如，大於約4.0電子伏特。在一實施例中，陽極材料功函 數可在從約5電子伏特至約6電子伏特或從約6電子伏特至 約7電子伏特之一範圍中。可出於此目的而使用透明金屬 氧化物（諸如銦錫氧化物「IT0」）或微加工的金屬柵格（諸 如金或銀金屬柵格）。ΙΤ0係光透射性的，且允許光從有機 =射層發射以穿過該ΙΤ⑽極逸出而在沒有嚴重削弱。適 宜於作為該陽極216使用的其他材料為錫氧化物、姻氧化 物、鋅氧化物、銦鋅氧化物、鋅銦錫氧化物、録氧化物及 其等之混合物。在一實施例中’包含此一導電氧化物的一 陽極216之厚度可大於約1G奈米。在一實施例中，該陽極 154764.doc 201214831 216之厚度可在從約1G㈣至⑽奈米、從約5q奈米至約 100奈米或從約100奈米至約200奈米之範圍内。 在-實施例中’-金屬之一薄透明層適宜用於該陽極 216。-透明金屬層可具有小於或等於約50奈米的一厚 度。在-實施例中，該金屬厚度可在從約5G奈米至約2〇奈 米的-範圍内。該陽極的適宜金屬可包含例如銀、銅、 鎢、鎳、钻、鐵、砸、錯、金、始、紹或其等之混合物或 其等之合金。可藉由一技術(諸如物理氣相沈積、化學氣 相沈積或濺射）沈積該陽極216於下伏元件之上。 該陰極218注入負電荷載子或電子至該有機發射層中， 且可由具有一較低功函數的一材料製成；例如小於約4 電子伏特。在多種實_巾，並非適宜於作為陰極使用的 每-材料需要具有-低功函數。適宜於作為該陰極使用的 材料可包含K、Li、Na、Mg、Ca、s” Ba、A卜 Ag、化、

Sn、Zn、Zr、Se及Y。其他適宜材料可包含稀土類元素、 其等之合金或其等之混合物。用於製造陰極層之適宜合金 材料之實例可包含Ag-Mg、A1_Li、In_Mg&A1_Ca合金。可 •使用層狀的非合金結構。此等層狀的非合金結構可包含一 薄層之一金屬，諸如具有從約i奈米至約5〇奈米之一範圍 内的一厚度的Ca。其他此等層狀非合金結構可包含一非金

屬，諸如由一些其他金屬之—較厚層蓋在頂上的LiF、KF 或NaF。一適宜之其他金屬可包含鋁或銀。該陰極218可藉 由例如物理氣相沈積、化學氣相沈積或濺射而沈積於下伏 層之上。 154764.doc 201214831 適宜OLED可包含一發射層224、230，其可稱為一有機 發射層、一發射材料層、一電致發光層或稱為一發光層。 電致發光（EL)材料指有機螢光及/或磷光材料。當經受一施 加的電壓偏壓時，電致發光材料發射光。電致發光材料可 經定製以發射一決定之波長範圍内的光。在一實施例中， 該發射層224、230之厚度可大於約4〇奈米。在一實施例 中，該厚度可小於約300奈米。 用於开> 成該發射層224、230的該電致發光材料可為一聚 合物、一共聚物或聚合物之一混合物。適宜電致發光材料 可包含聚N己烯咔唑（PVK)及其衍生物；聚荞及其衍生 物，諸如聚烷基第，例如聚_9,9_二己基第、聚二辛基第或 聚-9,9-雙-3,6-二氧雜庚基_第_2,7_二基；聚對伸苯基及其 何生物，諸如聚_2_癸氧基_丨，4·伸苯基或聚_2,5_二庚基_ 1，4-伸苯基；聚對伸苯基伸乙烯基及其衍生物，諸如經二 烷氧基取代的PPV及經氰基取代的PPV ;聚噻吩及其衍生 物，諸如聚-3-烷基噻吩，聚_4,4，_二烷基_2,2,雙噻吩、聚_ 2’5_伸噻吩基伸乙烯基；聚吡啶伸乙烯基及其衍生物；聚 喹噁啉及其衍生物；及聚喹啉及其衍生物。在-實施例 中，適宜電致發光材料係經N，N-雙-4-曱基苯基-4-苯胺 而之聚9,9 _辛基荞_2,7_二基。可使用基於一個或多個 此等聚合物之此等聚合物及共聚物之混合物。可作為電致 X光材料使用的其他適宜材料為聚_炫。聚係使得用 =土及/或芳基側基團取代一矽主鏈的線性聚合物。聚 、-系準、准材料，具有沿著聚合物主鏈的非定域西格瑪 154764.doc -9- 201214831 共軛的電子。聚石夕烧之實例包含聚二正丁基石夕烧、聚二正 戊基石夕院、聚二正己基石夕院、聚甲基苯基石夕烧及聚雙鮮丁 基苯基發院。 在一實施例中，可使用包含芳香族單元的具有分子量小 於約5000的有機材料作為電致發光材料，以形成該等發射 層224、230。此等材料之一實例係^^叁氺一二苯胺基 苯基苯胺基苯，其發射從約38〇奈米至約5〇〇奈米之波長範 圍内的光。此等電致發光層有機材料可從諸如苯基蒽、四 芳基乙烯、香豆素、紅烯、四苯基丁二烯、蒽、二萘嵌 苯、六苯並苯或其等之衍生物的有機分子處準備。此等材 料可發射具有約520奈米之一最大波長的光。然而其他適 宜材料係低分子量金屬有機錯合物，諸如鋁_乙醯丙_化 物、鎵-乙醯丙酮化物及銦_乙醯丙酮化物，其發射約々I $奈 米至約457奈米之波長範圍内的光，鋁吡啶曱基甲基酮雙· 2,6-二丁基苯酚鹽或銃_4_甲氧基吡啶甲基甲基酮-雙乙醯 基丙酮化物，其發射具有從約42〇奈米至約433奈米之一範 圍内之一波長的光。纟可見波長範圍内發射的其他適宜電 致發光材料可包含8·羥基喹啉之有機金屬錯合物，諸如叁_ 8-羥基喹啉鋁及其衍生物， — 例如上文之圖2中所展示之〇LED 2〇〇可進一步包含一層 或多層，諸如一電洞運輸層222、228、一電子運輸層 226、232及其他層（圖中未展示），包含一電洞注入層、一 電洞注入增強層、一電荷運輸層、一電子注入層、一電子 注入增強層、電子阻塞層、囊封層及光出柄合層或其等之 154764.doc -10- 201214831 任意組合。在此討論之多種層可安置於該陽極216與該陰 極21 8之間。 適宜於用作可包含於該OLED 200中之電荷運輸層之材 料的非限制性實例可包含較低至中等分子量之有機聚合 物’例如’使用聚苯乙烯標準判定之小於約2〇〇〇〇〇克每莫 爾之分子量Mw之平均重量之有機聚合物，例如，聚_3,4_ 伸乙基二氧噻吩（PED〇T)、聚苯胺、聚_3,4_伸丙基二氧基 噻吩（PProDOT)、聚苯乙烯磺酸鹽（pss)、聚乙烯咔唑 (PVK)及其他類似材料。 適宜於可包含於該OLED 200中之電洞運輸層222、228 之材料的非限制性實例可包含三芳基二胺、四苯基二胺、 方族三級胺、腙衍生物、咔唑衍生物、三唑衍生物、咪唑 行生物、包含胺基的噁二唑衍生物、聚噻吩及類似材料。 適且於可包含於該〇LED 2〇〇中之一電洞阻塞層之材料的 非限制性實例可包含聚N-乙烯基咔唑及類似材料。 適且於可包含於該〇LED 2〇〇中之一電洞注入層的材料 之非限制性實例可包含rp摻雜」質子摻雜導電性聚合 諸如質子摻雜之聚噻吩或聚苯胺，及ρ摻雜之有機半 導體’諸如®氟四氰基啥諾三甲烧（F4-TCQN)、推雜之有 機及聚合半導體，及含有三芳胺的化合物及聚合物。電子 /主入材料之非限制性實例可包含聚苐及其衍生物，叁_8•羥 基喹啉鋁（Alq3)，用鹼金屬鹼土金屬n摻雜之有機/聚合 導體，及類似物。 α 適宜於可包含於該〇LED 2〇〇中之一電洞注入增強層的 154764.doc 201214831 材料之非限制性實例可包含基於伸芳基的化合物，諸如 茈四甲馱一酐、雙-1，2,5·噻二唑并對喹諾雙雙-1’3-二硫唑及類似材料。 適宜於可包含於該〇LED 2叫之該電子注人增強層及 電子運輸層226、232之材料之非限制性實例可包含金屬有 機錯合物，諸如HH絲料物…比咬衍 生物、心魅物、㈣衍生物、包料生物、苯酿衍 生物、硝基取代之第衍生物及類似材料。 適且於可包含於該0LED 200中之該電？阻塞層之材料 之非限制性實例可包含N，N，_二咔唑_3,5_苯（下文中為 MCP)，4,4·-Ν，Ν'_二咔唑-聯苯（下文中為CBp)，14二咔 基本（下文中為CCP)，或1，3,5三（N-味。坐基）苯（下文中 為 TCB)。 適宜於可包含於該OLED 200中之該囊封層之材料的非 限制性實例可包含可保護該等〇LED裝置免於物理或化學 損害的材料《物理損害包含刮傷、直接碰撞、衝壓及類似 物。化學損害包含由於OLED裝置中的有機層缺少水分、 氧氣及其他反應性物種而電化學劣化。該囊封層可併入一 保護層及一黏合層。在一實施例中，該保護層可為用一氣 體障壁塗層塗佈的一金屬馆或一聚合膜。在一實施例中， 該黏合層可包含一熱塑膠黏合劑、一熱硬化黏合劑之一者 或多者，諸如一紫外線光可固化黏合劑及一壓力敏感黏合 劑0 適宜於可包含於該OLED 200中之該光出耦合層之材料 154764.doc -12- 201214831 的非限制性實例可包含可從該等OLED裝置提取更多光的 任意適宜材料。該光出耦合層可包括具有粗略等於該 OLED之該光透射層的一折射率的材料，該光出耦合層附 著至該光透射層。使用於光出耦合層中之光提取元件之形 狀及/或幾何經設計以便增強從該裝置出耦合的光。 參考圖3，提供一顯示裝置30〇的一示意性側視圖。該裝 置300可包含具有複數個0LED 312、314及316的一基板 310 ’該等OLED在該基板310上依一距離318及32〇安置。 該等OLED 312、314及316之各者可包括一陽極322、有機 發射層324與3 26，及一陰極328。從該等有機發射層3 24與 326處發射之光330可穿過該透明陽極層318及該基板31〇。 在該基板310上的光發射區域332、334及336粗略地對應於 該等OLED 312、314及316。在該基板上的光非發射區域 338及340粗略地對應於該等距離318及320，該等OLED依 該等距離安置於該基板310上。參考圖4,提供該顯示裝置 300的一示意性俯視圖342。如該裝置之該俯視圖342中所 展示，該等光非發射區域344可顯現為該等光發射區域348 之間之暗區域》 在一實施例中，提供一種裝置，例如參考圖5中之一顯 示裝置500。該裝置500可包含定義一光發射區域526、 528、530及一光非發射區域532、534之一層510。例如， 該層510可包含具有複數個OLED 514、516及518的一基板 512，該等OLED依一距離520及522而安置於該基板512 上。該等OLED 514、516、51 8可例如經組態為圖1及/或圖 154764.doc -13- 201214831 2中所展示。從該等〇LED 514、516及518處發射之光524 可穿過該基板512。定義於該層510上的該等光發射區域 526、528及530粗略地對應於該等〇LED 514、5 16及518。 定義於該層5 10上的該等光非發射區域532及534粗略地對 應於該等距離520及522，該等OLED 514、5 16及5 18依該 等距離安置於該基板512上。光提取特徵部536及538可安 置於一些或所有該等光非發射區域532及534上。該等光提 取特徵部536及538可用於從該層510提取該光540。在某些 實施例中，光提取特徵部536及538可額外地安置於一些或 所有該等光發射區域526、528及530上，使得不同類型之 光提取特徵部可安置於該等光非發射區域及該等光發射區 域上。例如，在一實施例中，下文圖6中討論之包含表面 像差（surface aberrati〇n)636、638的光提取特徵部可安置 於該等光發射區域上，且下文圖10中討論之包含折射率匹 配元件1036、1038之光提取特徵部可安置於該等光非發射 區域上。 如在本文中所使用，片語「光發射區域」意為該發射材 料層遭受電激發之有機分子上激發子之輻射重新組合且將 主動發射光之處的區域。如在本文中所使用，片語「光非 發射區域」意為不發生激發子之輻射重新組合且不將主動 發射光之處的區域。 在一實施例中，該層510可包括安置於該基板512上的複 數個有機及無機層（例如，佔據該等〇LED 514、516、518 的該等層）。在一實施例中，該基板512可包含—光透射元 154764.doc •14· 201214831 件（圖中未展示）。該基板512可從一光透射材料形成。在一 實施例中’該光透射材料可為透明的。在另—實施例中， 該光透射材料可具有一色彩、色澤濃淡或光學效應誘導品 質（諸如孔光或偏振）。在一實施例中’不考慮波長或厚 度’穿過該基板512透射之光的量在從約百分之60至約百 分之70 '從約百分之70至約百分之80、或從約百分之8〇至 約百分之90之光的一範圍内。在一實施例中，不考慮透射 百分比或厚度，所透射之光可具有從約400奈米至約5〇〇奈 米、從約5〇〇奈米至約6〇〇奈米、或從約600奈米至約7〇〇奈 米之一範圍内的一波長。在一實施例中’以約5 5 〇奈米之 波長的多於約50%之光穿過該基板而透射，不考慮厚度。 上文討論之量及所透射之光波長的實施例適用於該等光透 射有機電子裝置、所得之裝置及從其製造的物品。多種實 施例之厚度在下文中揭示。 該基板5 12可從剛性基板及可撓性基板之一群組中選 擇。該等剛性基板包含但不限於玻璃、金屬及塑膠；且該 等可撓性基板包含可撓性玻璃、金屬箔及塑膠膜。玻璃之 非限制性實例可包含石英玻璃及硼矽酸玻璃。塑膠之非限 制實例可包含有機聚合物。適宜有機聚合物可包含選自聚 對本一甲酸乙二（醇）S旨、聚蔡二甲酸乙二醋、聚_石風、聚 碳酸酯、聚醯亞胺、聚丙烯酸、聚烯烴及類似物處之熱塑 性聚合物。 在一實施例中，該等光發射區域526、528、530可粗略 地對應於發光元件，例如OLED 5 14、5 16及518，其等可 154764.doc -15- 201214831 安置於該層510的一預定部分。在一實施例中，該等光非 發射區域532、534可粗略對應於該層並不包括該等發光元 件之層的一部分。 在一實施例中’該光提取特徵部536、538可包含安置於 該層510中之光非發射區域上的表面像差。如在本文中所 使用，片語「表面像差」指定義於該層51〇之表面512上的 粗糙表面特徵部。例如，參考圖2,表面像差可藉由實體 上修改該OLED裝置200之透明層218之表面而形成。在一 實施例中，該表面修改可包含實體地改變對應於該等光非 發射區域之表面，藉由機械到傷、凹痕及/或在該層510之 對應部分之表面上形成凹槽，及/或藉由利用導致在該層 510之特疋部分中蝕刻、燒蝕及/或分解的化學程序。在一 實施例中’圖5中展示之該等表面像差536、538可包含凹 'J傷及凹槽’其等用於破壞該表面之連續性。表面像 差6 538之非限制性實例可包含雕刻於之透明層 之表面中的表面特徵部。在一實施例中，該表面像差特徵 部可以圖7中展示之點特徵部的形式’諸如凹痕或凹坑 736,、738。在多種實施例中，點特徵部可包含三角形、半 圓形正方形、矩形、五邊形或六邊形橫截面形狀。在另 實施例中，該等表面像差特徵部可以圖 徵部之形放 < 深特 式诸如到傷（636及638，在一表面上的較薄 淺切口或標記X ^ 在多種實施例中，= ，窄長的通道或凹陷)。 在多種實施例中… 可為一直線’或，線。 中忒荨線表面像差特徵部可包含三角形、 154764.doc 1 -16- 201214831 半圓形j£方形、矩形、五邊形或六邊形橫截面形狀。該 線特徵4之橫截面形狀可為沿著該線特徵部均一的，或可 ’口著《亥線特徵部之長度而變化。在某些實施例中，該等表 面像差特徵部可為料點肖徵部及該線特冑部兩者的一組 合。 參考圖6，提供一顯示裝置6〇〇的一示意圖。該裝置6〇〇 可包含一層610〇該層61〇可包含具有複數個〇LED 614、 616及618的一基板612，該等〇LED依一距離62〇及622安置 於該基板612上。從該等〇LED 、616及618處發射之光 624可穿過該基板612。定義於該層61〇上之光發射區域 626、628及630粗略地對應於該等〇LEd 614、616及618。 定義於該層610上之光非發射區域632及634粗略地對應於 該等距離620及622 ’該等〇LED 614、616及618依該等距 離安置於該基板612上。光提取特徵部（例如刮傷636及638) 可安置於一些或所有該等光非發射區域632及634上。該等 刮傷636及638可用於增強從該層610之光640的提取，可能 地提供一更均一點亮的顯示裝置600。使用該等刮傷636及 638而從該等非發射區域處提取的至少一些光6 4〇可為在該 層610内以別的方式經受傳播的一波導模式的光。 參考圖7’提供一顯示裝置700的一示意圖。該裝置7〇〇 可包含層710。該層710可包含具有複數個〇LED 714、716 及718的一基板712’該等OLED依一距離720及722而安置 於該基板712上。從該等OLED 714、716及718處發射之光 724可穿過該基板712。定義於該層710上之光發射區域 154764.doc • 17- 201214831 726、728及730粗略地對應於該等OLED 714、716及718。 定義於該層710上之光非發射區域732及734粗略地對應於 該等距離720及722，該等OLED 714、716及718依該等距 離安置於該基板712上。光提取特徵部（例如凹痕736及738) 可安置於一些或所有該等光非發射區域732及734上。在一 實施例中’該等凹痕736、738可具有小於或等於1〇〇微米 的一深度及一間距。該等凹痕736及738用於從該層710提 取光740 ’可能地提供一更均一之點亮的顯示裝置7〇〇。使 用該等凹痕736及738而從該等非發射區域處提取的至少一 些光740可為在該層710内以別的方式經受傳播的一波導模 式742的光。 該基板波導模式742(展示於圖7中）可具有某一場分佈（如 下文中圖18所展示隨著在該等凹痕區域736、738中的 光強度增加，一較深凹痕736、738可更強烈地擾亂該基板 波導模式742。結果，可預期一更高光提取效率。在一實 施例中，該等凹痕736、738之深度可經修改以從該基板波 導模式742獲得不同的提取效率。在一實施例中，該等凹 痕736、738之深度可用於達成該等光發射區域與該等光非 發射區域之間的一平衡之亮度，且可能地提供一更均一點 亮的顯示裝置700。 在-實施例中，如圖8中所展示之凹痕深度83〇及如圖9 中展示之凹痕至凹痕之間距93〇可在小於約⑽微米之一範 圍内。在多種實施例中’ 1痕之深度、寬度及形狀可經 改變以改良光提取效率n在該等凹痕928之間之間 154764.doc •18· 201214831 距930亦可經改變以改良光提取效率。在多種實施例中， 對於一肉眼可能無法察覺到該間距及該深度。 參考圖8，提供一顯示裝置8〇〇的一示意圖。該裝置800 可包含一層810。該層810可包含具有複數個〇lED 814及 8 16的一基板，該等OLED依一距離818安置於該基板812 上。從該等OLED 814、816處發射之光820可穿過該基板 812。定義於該層810上的光發射區域822、824粗略地對應 於該等OLED 814、816。定義於該層810上的光非發射區 域826粗略地對應於距離818，該等〇LED 814、816依距離 818安置於該基板812上。具有變化深度830及一固定間距 832的凹痕828可安置於該光非發射區域826上》 參考圖9，提供一顯示裝置900的一示意圖。該裝置900 可包含一層910。該層910可包含具有複數個OLED 914及 916的一基板，該等OLED依一距離918安置於該基板912 上。從該等OLED 914、816處發射之光920可穿過該基板 912。定義於該層910上的光發射區域922、924粗略地對應 於該等OLED 914、916。定義於該層910上的光非發射區 域926粗略地對應於距離918，該等OLED 914、916依距離 918安置於該基板912上。具有變化之凹痕間之間距930及 一固定深度932的凹痕928可安置於該非光發射區域926 上。 參考圖5及圖10，在一實施例中，該等光提取特徵部 534、536可包括安置於層1010中之光非發射區域1〇32、 1034上的折射率匹配元件1036、1038。在多種實施例中， 154764.doc •19- 201214831 由於在該等折射率匹配元件1036、1038與該等折射率匹配 το件1036、103 8所安置之該層1〇1〇之間之界面處出現的菲 涅爾反射，該等折射率匹配元件1〇36、1〇38可減少光提取 損失。 在一實施例中，該折射率匹配元件1036、1038可包含球 狀物。在一實施例中’與顯示裝置1〇〇〇之該層1〇1〇具有相 同折射率之一半球狀特徵部1〇36、1〇38可幫助改良該顯示 裝置1000之光提取效率。參考圖u，在一實施例中該折 射率匹配元件包含微球狀物1136 ' 1138。微球狀物特徵部 1136、1138可包含二維陣列之球狀物，該等球狀物具有在 幾微米至幾十微米之一範圍内的直徑。該微球狀物陣列 1136、1138可為規則的或不規則的（隨機）。所有微球狀物 可具有相同或類似的直徑或該等微球狀物可具有一範圍之 不同直徑。參考圖12，在一實施例中，折射率匹配元件包 含微透鏡1236、1238。微透鏡特徵部丨236、1238可包含以 任意形狀之一維陣列之微透鏡’例如，球狀物、半球狀物 或稜錐’或可改良從該層1210之光提取效率的任意形狀之 特徵部。在一實施例中，該等微透鏡特徵部可由具有粗略 地等於下文描述之顯示裝置1200之層1210之折射率的一折 射率的材料製成。該等微透鏡特徵部可由對從該裝置12〇〇 之該層1210處發射之光具有較低吸收性的材料製成。 參考圖10，提供一顯示裝置1〇〇〇的一示意圖。該裝置 1000可包含一層1010。該層1010可包含具有複數個〇led 1014、1016及1018的一基板1〇12，該等〇led依一距離 154764.doc •20- 201214831 1020及1022安置於該基板i〇i2上》從該等〇LED 1014、 1016及1018處發射之光1024可穿過該基板1〇12 ^定義於該 層1010上的光發射區域1026、1028及1030粗略地對應於該 等OLED 1014、1016及1018。定義於該層1〇1〇上的光非發 射區域1032及1034粗略地對應於該等距離1〇20及1022，該 等OLED 1014、1016及1018依該等距離安置於該基板1〇12 上。光提取特徵部（例如折射率匹配球狀物1036及1038)可 安置於一些或所有該等光非發射區域1030及1032上。該等 折射率匹配球狀物1036及103 8可用於從該層1010提取光 1040 ’可能地提供一更均一點亮之顯示裝置丨〇〇〇。使用該 等折射率匹配球狀物1036及1038而從該等非發射區域提取 至少一些光1040可為在該層1010内以別的方式經受傳播之 一波導模式的光。 參考圖11 ’提供一顯示裝置1100的一示意圖。該裝置 1100可包含一層111〇。該層111〇可包含具有複數個〇1^1) 1114、1116及1Π8的一基板m2，該等OLED依一距離 1120及1122安置於該基板1112上。從該等〇leD 1114、 1116及1118處發射之光1124可穿過該基板1112。定義於該 層1110上的光發射區域1126、1128及1130粗略地對應於該 等OLED 1114、1116及1118。定義於該層111〇上的光非發 射區域1132及1134粗略地對應於該等距離1120及1122，該 等OLED 1114、1116及1118依該等距離安置於該基板1112 上°光提取特徵部（例如折射率匹配微球狀物1136及U38) 可安置於一些或所有該等光非發射區域1132及U34上。該 154764.doc -21- 201214831 等折射率匹配微球狀物1136及1 ί38可用於從該層111 〇提取 光1140，可能地提供一更均一點亮之顯示裝置11〇〇。使用 該等折射率匹配微球狀物1136及1138而從該等非發射區域 提取至少一些光1140可為在該層1110内以別的方式經受傳 播之一波導模式的光。 參考圖12，提供一顯示裝置1200的一示意圖。該裝置 1200可包含一層1210。該層1210可包含具有複數個OLED 1214、1216及1218的一基板1212，該等OLED依距離1220 及1222安置於該基板1212上。從該等OLED 1214、1216及 121 8處發射之光1224可穿過該基板1212。定義於該層1210 上的光發射區域1226、1228及1230粗略地對應於該等 OLED 1214、121 6及1218。定義於該層1210上的光非發射 區域1232及1234粗略地對應於該等距離1220及1222，該等 OLED 1214、1216及1218依該等距離安置於該基板1212 上。光提取特徵部（例如折射率匹配微透鏡〗236及1338)可 安置於一些或所有該等光非發射區域1232及1234上。該等 折射率匹配微透鏡1236及123 8可用於從該層1210提取光 1240 ’可能地提供一更均一點亮之顯示裝置1200。使用該 等折射率匹配微透鏡1236及1238而從該等非發射區域提取 至少一些光1240可為在該層121〇内以別的方式經受傳播之 一波導模式的光。 參考圖5及圖13，在一實施例中，該等光提取特徵部 536、538可包含安置於層131〇中之光非發射區域1332、 1334上之二維光子晶體特徵部1336、1338。二維光子晶體 154764.doc •22- 201214831 可由週期性介電質或金屬介電質奈米結構組成，其等可以 類似於一半導體晶體中藉由定義允許及禁止之電子能帶而 影響電子運動之週期性電位的一方法而影響電磁波（EM)之 傳播°該等光子晶體可含有較高及較低介電常數之規則重 複的内部區域。二維光子晶體可有效地控制OLED中光傳 播的橫向模式。 參考圖13 ’提供一顯示裝置13〇〇之一示意圖。該裝置 1300可包含一層131〇〇該層1310可包含具有複數個OLED 1314、1316及1318之一基板1312，該等OLED依一距離 1320及1322安置於該基板1312上。從該等OLED 1314、 1316及1318處發射之光13 24可穿過該基板1312。定義於該 層1310上的光發射區域13 26、1328及133 0粗略地對應於該 等OLED 1314、1316及1318。定義於該層1310上的光非發 射區域1332及1334粗略地對應於該等距離1320及1322，該 等OLED 1314、1316及1318依該等距離安置於該基板1312 上。光提取特徵部（例如二維光子晶體1336及1338)可安置 於一些或所有該等光非發射區域1332及1334上。該等二維 光子晶體1336及1338可用於從該層13 10提取光1340，可能 提供一更均一點亮的顯示裝置1300。使用該等二維光子晶 體1336及1338從該等非發射區域1332及1334提取的至少一 些光1340可為在該層13 10内以別的方式經受傳播之一波導 模式的光。 在一實施例中，如下文圖14中所展示之顯示裝置1400可 包括在層1410之邊緣處之一反射性塗層1442、1444。繞該 154764.doc -23- 201214831 層1410之邊緣添加一反射性塗層1442、1444可阻塞該等邊 緣處的光洩漏，且因此，在該層141 0中光子被循環多次， 且最終在安置於該等非發射區域1432、1434上之所設計的 特徵部1436、143 8處提取出。在一實施例中，該反射性塗 層1442、1444甚至可用具有一較低提取效率之一光提取特 徵部來提供較高效率的光提取。在一實施例中，該反射性 塗層1442、1444可與該非發射區域中之所有不同特徵部組 合’如上文圖5至圖13中所討論。反射性塗層1442、1444 之非限制性實例可包含金屬層，諸如Ag、Al、Cu、Au、 Ba、Ca及包括前述之至少兩者的合金。 參考圖I4 ’提供一 OLED裝置14〇〇之一示意圖。該裝置 1400可包含一層1410。該層1410可包含具有複數個qled 1414、1416及1418之一基板1412，該等OLED依距離1420 及1422安置於該基板14 12上。從該等〇LED 1414、141 6及 1418處發射之光1424可穿過該基板1412。該層141〇上的光 發射區域1426 ' 1428及1430粗略地對應於該等〇leD 1414、1416及1418。該層1410上的光非發射區域丨432及 1434粗略地對應於該等距離142〇及1422，該等OLED 1414、1416及1418依該等距離安置於該基板1412上。光提 取特徵部1436及1438可安置於一些或所有該等光非發射區 域1432及1434上。該等光提取特徵部1436及1438可用於從 該層1410提取光1440，可能提供一更均一點亮的顯示裝置 1400。使用該等光提取特徵部1436及1438從該等非發射區 域處提取的至少一些該光1440可為在該基板1412内以別的 154764.doc -24- 201214831 方式經受傳播之一波導模式的光。再者，一反射性塗層 1442及1444係安置於該OLED裝置之該等邊緣上。該反射 性塗層可幫助阻塞該裝置之該等邊緣處的光沒漏。 參考圖15，在一實施例中’一顯示裝置15〇〇可進一步包 括折射率匹配特徵部1552、1554及1556，其等安置於 OLED 1514、1516、1518中存在的透明導電氧化物層 1540、1544及1548與基板1512之間。該透明導電氧化物層 可形成該等OLED中的陽極。該等折射率匹配特徵部可用 於提取光’ s玄光將以別的方式經受該基板15 12與該透明導 電氧化物層154〇、1544及1 548之間之傳播之一波導模式。 仍然參考圖15，提供一 OLED裝置IS 〇〇的一示意圖。該 裝置1500可包含一層1510。該層1510可包含具有複數個 OLED 1514、1516 及 1518 的一基板 1512’ 該等 〇LED 依距 離1520及15 22安置於該基板1512上。從該等〇LED 1514、 15 16及1518中之有機發射層1542、1546及1550處發射之光 1524可穿過該基板1512。該層1510上的光發射區域1526、 1528及1530粗略地對應於該等OLED 1514、1516及1518。 該層1510上的光非發射區域1532及1534粗略地對應於該等 距離1520及1522，該等OLED依該等距離安置於該基板 1512上。光提取特徵部1536及1538可安置於一些或所有該 等光非發射區域1532及1534上。該等光提取特徵部1536及 1538可用於從該層1510提取光1540，可能地提供一更均一 點亮的顯示裝置1500。使用該等光提取特徵部1536及1538 而從該等非發射區域處提取之至少一些該光1540可為在該 154764.doc -25- 201214831 基板1512内以別的方式經受傳播的一波導模式的光。在某 些實施例中，如圖15中所展示，該等〇LED 1514、15丨6及 1518可分別包含一發射層1542、1546及155〇及形成該等 OLED中之陽極的一透明導電氧化物層154〇、^料及 1S41 —折射率匹配特徵部1552、1554及1556可安置於該 等OLED 1514、1516及1518中之該透明導電氧化物層 1540、1544及1548與該基板1512之間。該折射率匹配特徵 部1552、1554及1556可包含一週期性子波長結構，其包括 一稜錐或圓錐形結構。該折射率匹配特徵部1552、1554及 1556可用於從該層151〇提取光1524、154〇之至少一部分， 可能地提供一更均一點亮之顯示裝置丨5 〇 〇 ^使用該等光提 取特徵4 1552、1554及1556而從該等發射區域及非發射區 域分別提取之至少-些光1524、154〇可為將以別的方式經 受該基板1512與該透明導電氧化層154〇、1544及1548之間 傳播之一波導模式的光。 在一實施例中，一顯示裝置15〇〇進一步包括安置於該等 OLED 1514、1516、1518中存在之該透明導電氧化物層 1540、1544及1548與該基板15 12之間的折射率匹配層 1552。該折射率匹配層可用於提取光，該光將以別的方式 經受該基板〗512與該透明導電氧化物層154〇、〗544及1548 之間之傳播的一波導模式。 參考圖16，知供一 OLED裝置1600的一示意圖。該裝置 1600可包含一層1610。該層16丨〇可包含具有複數個OLED 1614、1616及1618的一基板1612，該等〇LED依一距離 154764.doc -26· 201214831 1620及1622安置於該基板1612上。從該等OLEO 1614、 1616及1618中之有機發射層1642、1646及1650處發射之光 1624可穿過該基板1612。該層1610上的光發射區域1626、 1628及1630粗略地對應於該等OLED 1614、1616及1618。 該層1610上的光非發射區域1632及1634粗略地對應於該等 距離1620及1622，該等OLED依該等距離安置於該基板 1612上。光提取特徵部1636及1638可安置於一些或所有該 等光非發射區域1632及1634上。該等光提取特徵部1636及 1638可用於從該層1610提取光1640，可能地提供一更均一 點亮的顯示裝置1600。使用該等光提取特徵部1636及1638 而從該等非發射區域處提取之至少一些該光1640可為在該 基板1612内以別的方式經受傳播的一波導模式的光。在某 些實施例中’如圖16中所展示，該等OLED 1614、1616及 1618可分別包含一發射層1642、1646及1650及形成該等 OLED中之陽極的一透明導電氧化物層164〇、1644及 1648。一折射率匹配層1652可安置於該等OLED 1614、 1616及1618中之該透明導電氧化物層1640、1644及1648與 5亥基板1612之間。§亥折射率匹配層16 5 2可包含一週期性子 波長結構，其包括一稜錐或圓錐形結構。該折射率匹配層 1652可用於從該層1610提取光1624、1640之至少一部分， 可能地提供一更均一點亮之顯示裝置丨600。使用該等光提 取層1652而從該等發射區域及非發射區域分別提取之至少 一些光1624、1640可為將以別的方式經受該基板1612與該 透明導電氧化層1640、1644及1648之間傳播之一波導模式 154764.doc -27- 201214831 的光。 再次參考圖5’在另一實施例中提供一裝置5〇〇 ^該裝置 500包含一層510及複數個發光元件，例如彼此依距離 520、522安置於該層上的OLED 514、516及518。該層510 可定義複數個光發射區域526、528及530及光非發射區域 532及534。該層510可包括：複數個光發射區域526、528 及530’其等粗略地對應於該複數個發光元件514、516及 518 ’及複數個光非發射區域532、534，其等粗略地對應 於該複數個發光元件514、516及518之間之距離520、 522。一光提取特徵部536、538可安置於該層510中之該複 數個光非發射區域532、534之一者或多者上。 在一實施例中，在該等發光元件5 14、516、5 18之間之 該距離520、522可在從約1〇微米至約1〇毫米之一範圍内。 在另一實施例中，該等發光元件5〗4、5丨6、5丨8之間之該 距離係在從約1〇〇微米至約5毫米之一範圍内。然而在另一 實施例中，該等發光元件514、516、518之間之該距離係 在從約500微米至約3毫米之一範圍内。 參考圖17，其中提供代表用於製造根據上文之描述而組 態之一顯不裝置（例如，圖5中展示之該顯示裝置5〇〇，該 圖亦在下文中參考）之一方法17〇〇的一流程圖。該方法可 包括提供—層51G ’其支樓複數個發光元件514、516及 518。該複數個發光元件514、516及518彼此依預定距離 520 522而安置。此導致形成對應於該層51〇上的該複數 個發光元件514、516及518的複數個光發射區域526、 154764.doc -28· 201214831 528、530，且形成對應於該層510中之該等發光元件514、 516及518之間之預定距離520、522的複數個光非發射區域 532、534。該方法1700進一步包括安置光提取特徵部 536、538，以便對應於該層510上之該複數個光非發射區 域532 、 534 » 參考圖6、圖7及圖17,在不同實施例中，該等光提取特 徵部可包括表面像差636、638、736及738。在一實施例 中，該等表面像差可包含一刮傷636、638或一凹痕736、 738。在多種實施例中’該等刮傷或凹痕可使用一碳化物 晝線工具、一剃刀片、金剛石柵格切割輪及對熟習此項技 術者已知之其他方法而形成，以形成光學品質刮傷或凹 痕0 參考圖10、圖11、圖12及圖17，在不同實施例中，該等 光提取特徵部可包括折射率匹配特徵部1〇36、1〇38、 1136、II38 ' 1236及1238。在一實施例中，該等特徵部包 含球狀物1036、1038，微球狀物1136、1138或微透鏡1236 及1238。在多種實施例中，微球狀物或微透鏡可藉由在材 料中（諸如光阻劑或UV可固化環氧樹脂）執行微影蝕刻且將 聚合物熔化以形成多個透鏡陣列來形成。其他實施例可包 含藉由從-母版透僻列模製或壓紋來製造微透鏡或微球 狀物之多個複製品°亦可使用該母版透鏡陣列作為-心 軸，透過產生一電鑄來複製該母版透鏡陣列。 參考圖13及圖17，在一 二維光子晶體1336、1338 實施例中，該光提取特徵部包括 。在多種實施例中，可使用微影 154764.doc •29· 201214831 蝕刻及類似於積體電路所使用之蝕刻技術來製造二維光子 晶體。形成料二維光子晶體之替代途徑可包含從膠狀晶 體作為自組裝之結構來生長該等光子晶體。 在OLED中之光產生機制可為在該〇LED基板之電激發之 有機分子上之激發子的重新組合。當此光產生時，其從該 有機發射層自然地以所有方向輻射，且經由多種模式傳 播。該等多種模式包含與從該0LED基板處逸出之光關聯 的模式（稱為「外部模式」），及/或與經受該〇LED基板内 之全内反射之光關聯的模式（稱為「波導模式」）。對於顯 示應用，從該基板表面發射之光（即，經由一外部模式傳 播之光）係最有用的，因為此代表由該顯示器之觀看者接 收的光。然而，在一些情況中，所產生之較大量的光可與 波導模式關聯，如下文圖18中所展示（例如，捕捉於該基 板及裝置内，或從該OLED裝置之邊緣處發射出），僅限制 ：!：的光到達該OLED之一觀看者。例如，所產生之光從該 基板逸出的部分可近似於 "Hep, ext 〜1 / 2n2org (1) 其中Ip, ext係外部耦合效率，且心^係ITO/有機層之總數 目。捕捉於該基板内之光的部分ηερ，subs及該等ΙΤ〇/有機層 中的部分巧^,"分別由下列給出： cp, subs COS 0〇rg cl ~ COS ®〇rg, c2 (2) ^Icp, org = COS 9〇rgj c2 (3) 其中0。％^及0。％ c2分別係有機層空氣及有機層基板之間的 臨限角。出於一般照明及平坦面板顯示器之應用的目的， 154764.doc -30- 201214831 從該基板表面發射之光（Tlcp，ext)最有用，其僅係從一顯示 裝置處總發射之光的百分之二十，例如，參考圖3中之該 顯示裝置300。 參考圖18，其中描繪一典型〇led結構1800中產生之光 之傳播的多種模式《該〇LED結構1 800可包括一陰極層 1810、一電子運輸層1812、一發射層1814、一電洞運輸層 1816、一透明導電氧化物層1818及一基板層182〇。由該發 射層1 814發射之光可由於多種模式而消失。歸因於折射 1822、歸因於IT0/有機波導模式1824、歸因於基板波導模 式1826及歸因於該基板1828之邊緣處的逸出，光可能發射 失敗以便由一觀看者接收。 根據上文描述而組態之實施例可用於減小經受傳播之波 導模式之光的量，藉由例如減小在基板空氣界面之全内反 射以增加基板模式之逸出及/或有機/ΙΤ〇、基板及逸出模 式之相對數目的一修改。減小在基板空氣界面之全内反射 以增加基板模式的程序可例透過基板表面修改而達成，諸 如粗糙化或附著矽石微球狀物或微透鏡。後面的程序可藉 由例如將該發射區域壓紋、改變該裝置中之層的折射率， 及/或圖案化該裝置以產生光子晶體行為而達成。 申請者已發現增加該輸出耦合的一方法係藉由增加該基 板空氣界面之表面粗糙度◎此方法可使得一些通常將全内 反射之光以不同角度散射，且因此從該表面逸出。申請者 亦已發現，增加之散射亦可藉由使用具有矽石球狀物之表 面的週期性圖案化而達成。亦已測試技術，藉此該表面之 154764.doc 31 201214831 幾何經改變以減少全内反射’且增強表面發射。使用附著 至前表面之微透鏡亦為成功的。使用半球設計，使得發射 出現於該球狀物之中央，意謂著撞擊該玻璃空氣界面之光 線可以法線入射’且因此逸出。經使用此等技術及其他技 術’該等波導模式（其通常將被限制於該表面）可有效地從 該裝置出耦合。用較小比例圖案化及使用微透鏡及圖案化 平臺可達成增強。 在本文中描述之實施例可解決此項技術中已知之缺點。 在本文中所描述之該等發光特徵部可從以像素為基礎之顯 示袭置中的光非發射區域提供一改良之光提取機制。此等 裝置可潛在地提供改良之效率及成本。相應地，本文中描 述之該等實施例提供包含一層的一裝置，該層包括一光發 射區域及一光非發射區域。一光提取特徵部安置於該光非 發射區域上。該光提取特徵部可用於修改該顯示裝置之該 透明層之表面，藉此最小化由於波導模式而損失之光。在 一實施例中，該表面修改可包含實體上改變該表面，藉由 在該等光非發射區域上機械到傷或壓紋、凹痕。在另一實 施例中’該表面修改可包含附著光提取元件，其等具有粗 略地等於該等光非發射區域處該顯示裝置之該透明層的一 折射率。在多種實施例中，該等光提取元件可包含具有適 當折射率的球狀物、微透鏡陣列、二維光子晶體結構、梯 形或稜錐形材料。 再次參考圖5，在一實施例中，該顯示裝置500可包含額 外層（圖中未展示），諸如—障壁層、一耐磨層、一黏合 154764.doc •32· 201214831 層、一耐化學腐蝕層、一光致發光層、一輻射吸收層、— 輻射反射層、一平坦化層、一光擴散層及一光管理膜之— 者或多者。此等層亦可存在於本文中預期的其他實施例 中0 固定或安置本文中所討論之多種層可使用已知技術而實 行，諸如旋塗、浸潰塗佈、逆轉輥塗佈、繞線*mayer 桿塗佈、直接及偏移凹版塗佈、狹槽晶粒塗佈、刮刀塗 佈、熱溶塗佈、簾式塗佈、刀輕塗佈、擠壓、，氣刀塗佈、 喷塗、回轉網筛塗佈、多層滑動塗佈、共擠壓、彎月面塗 布、逗號及微凹版塗佈、平板程序、朗繆爾程序及閃急^ 鍍、氣相沈積、電漿增強化學氣相沈積「pecvd」、射頻 電漿增強化學氣相沈積「RFPECVD」、擴大熱電漿化學氣 相沈積「ETPCVD」、電子迴旋加速器諧振f聚增強化學氣 相沈積「ECRPECVD」、誘導輕合之錢增強化學氣相沈 積「ICPECVD」及包含反應性濺射线射技術。 在本文中描述之該等實施例係具有對應於請求項中所陳 述之本發明之元件的元件的組合物、結構、系統及方法之 實例。此書寫之描述可致使—般技術者製造及使用具有替 代元件之實施例，其等同樣對應於請求項中所陳述之本發 明之元件。本發明之範圍因此包含並非不同於請求項之字 面語:的組合物、結構、系統及方法，且進—步包含具有 並不實質上不同於求項之字面語言的其他結構、系統及 法雖」在本文t僅緣不及描述某些特徵部及實施例， .對於一般技術者可出科多修改及變化。隨"請專利範 154764.doc • 33 · 201214831 圍覆蓋所有此等修改及變化。 【圖式簡單說明】 圖1係展示一 OLED的一示意性側視圖。 圖2係展示一 OLED的一示意性側視圖。 圖3係根據一實施例之一顯示装_置之一示意性側視圖。 圖4係根據一實施例之一顯示裝置之一示意性俯視圖。 圖5係根據一實施例之一顯示裝置之一示意圖。 圖6係根據一實施例之一顯示裝置之一示意圖。 圖7係根據一實施例之一顯示裝置之一示意圖。 圖8係根據一實施例之一顯示裝置之一示意圖。 圖9係根據一實施例之一顯示裝置之一示意圖。 圖1〇係根據一實施例之一顯示裝置之一示意圖。 圖11係根據一實施例之一顯示裝置之一示意圖。 圖12係根據一實施例之一顯示裝置之一示意圖。 圖13係根據一實施例之一顯示裝置之一示意圖。 圖14係根據一實施例之一顯示裝置之一示意圖。 圖15係根據一實施例之一顯示裝置之一示意圖。 圖16係根據一實施例之一顯示裝置之一示意圖。 圖17係形成根據一實施例之一顯示裝置之一方法之一示 意圖。 圖18係描繪在根據一實施例之一顯示裝置中產生之光的 傳播的多種模式之一示意圖。 【主要元件符號說明】 1〇〇 有機發光裝置之側視圖 154764.doc •34· 201214831 110 有機發光裝置 112 陽極 114 發射層 116 陰極 118 有機發光裝置 120 陽極 122 電洞注入層 124 發射層 126 陰極 128 有機發光裝置 130 陽極 132 電洞注入層 134 發射層 136 電子注入層 138 陰極 200 有機發光（OLED)裝置 210 第一單元 212 第二單元 214 基板 216 陽極 218 陰極 220 發射之光 222 電洞運輸層 224 第一發射層 154764.doc •35- 201214831 226 第一電子運輸層 228 第二電洞運輸層 230 第二發射層 232 第二電子運輸層 300 顯示裝置 310 基板 312 有機發光裝置 314 有機發光裝置 316 有機發光裝置 318 距離 320 距離 322 陽極 324 有機發射層 326 有機發射層 328 陰極 330 光 332 光發射區域 334 光發射區域 336 光發射區域 338 光非發射區域 340 光非發射區域 342 俯視圖 344 光非發射區域 348 光發射區域 154764.doc -36- 201214831 500 顯示裝置 510 層 512 基板 514 有機發光裝置 516 有機發光裝置 518 有機發光裝置 520 距離 522 距離 524 光 526 光發射區域 528 光發射區域 530 光發射區域 532 光非發射區域 534 光非發射區域 536 光提取特徵部 538 光提取特徵部 540 光 600 顯示裝置 610 層 612 基板 614 有機發光裝置 616 有機發光裝置 618 有機發光裝置 620 距離 154764.doc -37- 201214831 622 距離 624 光 626 光發射區域 628 光發射區域 630 光發射區域 632 光非發射區域 634 光非發射區域 636 刮傷 638 刮傷 640 光 700 顯示裝置 710 層 712 基板 714 有機發光裝置 716 有機發光裝置 718 有機發光裝置 720 距離 722 距離 724 光 726 光發射區域 728 光發射區域 730 光發射區域 732 光非發射區域 734 光非發射區域 154764.doc .38. 201214831 736 凹痕 738 凹痕 740 光 742 傳播之波導模式 800 顯示裝置 810 層 812 基板 814 有機發光裝置 816 有機發光裝置 818 距離 820 光 822 光發射區域 824 光發射區域 826 光非發射區域 828 凹痕 830 深度 832 間距 900 顯示裝置 910 層 912 基板 914 有機發光裝置 916 有機發光裝置 918 距離 920 光 154764.doc -39- 201214831 922 光發射區域 924 光發射區域 926 光非發射區域 928 凹痕 930 間距 932 深度 1000 顯示裝置 1010 層 1012 基板 1014 有機發光裝置 1016 有機發光裝置 1018 有機發光裝置 1020 距離 1022 距離 1024 光 1026 光發射區域 1028 光發射區域 1030 光發射區域 1032 光非發射區域 1034 光非發射區域 1036 折射率匹配球狀物 1038 折射率匹配球狀物 1040 光 1100 顯示裝置 154764.doc • 40- 201214831 1110 層 1112 基板 1114 有機發光裝置 1116 有機發光裝置 1118 有機發光裝置 1120 距離 1122 距離 1124 光 1126 光發射區域 1128 光發射區域 1130 光發射區域 1132 光非發射區域 1134 光非發射區域 1136 折射率匹配微球狀物 1138 折射率匹配微球狀物 1140 光 1200 顯示裝置 1210 層 1212 基板 1214 有機發光裝置 1216 有機發光裝置 1218 有機發光裝置 1220 距離 1222 距離 154764.doc -41 - 201214831 1224 光 1226 光發射區域 1228 光發射區域 1230 光發射區域 1232 光非發射區域 1234 光非發射區域 1236 折射率匹配微透鏡 1238 折射率匹配微透鏡 1240 光 1310 層 1312 基板 1314 有機發光裝置 1316 有機發光裝置 1318 有機發光裝置 1320 距離 1322 距離 1324 光 1326 光發射區域 1328 光發射區域 1330 光發射區域 1332 光非發射區域 1334 光非發射區域 1336 二維光子晶體 1338 二維光子晶體 154764.doc • 42- 201214831 1340 光 1400 顯示裝置/OLED裝置 1410 層 1414 有機發光裝置 1416 有機發光裝置 1418 有機發光裝置 1420 距離 1422 距離 1424 光 1426 光發射區域 1428 光發射區域 1430 光發射區域 1432 光非發射區域 1434 光非發射區域 1436 光提取特徵部 1438 光提取特徵部 1440 光 1442 反射性塗層 1444 反射性塗層 1500 顯示裝置/OLED裝置 1510 層 1512 基板 1514 有機發光裝置 1516 有機發光裝置 154764.doc -43- 201214831 1518 有機發光裝置 1520 距離 1522 距離 1524 光 1526 光發射區域 1528 光發射區域 1530 光發射區域 1532 光非發射區域 1534 光非發射區域 1536 光提取特徵部 1538 光提取特徵部 1540 光 1542 發射層 1544 透明導電氧化物層 1546 發射層 1548 透明導電氧化物層 1550 發射層 1552 折射率匹配特徵部 1554 折射率匹配特徵部 1556 折射率匹配特徵部 1600 顯示裝置/OLED裝置 1610 層 1612 基板 1614 有機發光裝置 154764.doc - 44 - 201214831 1616 有機發光裝置 1618 有機發光裝置 1620 距離 1622 距離 1624 光 1626 光發射區域 1628 光發射區域 1630 光發射區域 1632 光非發射區域 1634 光非發射區域 1636 光提取特徵部 1638 光提取特徵部 1640 光 1642 有機發射層 1644 透明導電氧化物層 1646 有機發射層 1648 透明導電氧化物層 1650 有機發射層 1652 光提取層 1800 有機發光裝置結構 1810 陰極層 1812 電子運輸層 1814 發射層 1816 電洞運輸層 154764.doc -45- 201214831 1818 透明導電氧化物層 1820 基板層 1822 反射 1824 銦錫氧化物/有機波導模式 1826 基板波導模式 1828 從基板之邊緣逸出 154764.doc -46-

Claims (1)

1. 201214831 七、申請專利範圍： l 一種裝置，其包括： $ ’其包括一光發射區域及一光非發射區域；及 取特徵部，其係安置於該光非發射區域上。 2·如咕求項1之裝置，其中該光發射區域對應於安置在該 層之—預定部分上之一發光元件。 青求項1之裝置’其中該光非發射區域對應於該層的 部分’其不包括該等發光元件。 如叫求項1之裝置，其中該層包括一基板層。 5. 如明求項1之裝置，其中該光提取特徵部包括安置於該 層中之該光非發射區域上的表面像差。 6. 如吻求項5之装置，其中該光提取特徵部包括安置於該 層中之5亥光非發射區域上的凹痕或刮傷。 7. 如晴求項1之裝i，其中該光提取特徵部包括安置於該 層中之遠光非發射區域上的折射率匹配元件。 二項1之裝置，其中該光提取特徵部包括安置於該 層中之該光非發射區域上的折射率匹配球狀物。 層中Ί1之裝置，其中$光提取特徵部包括安置於該 之該光非發射區域上的折射率匹配微透鏡。 10·Γΐ求項1之裝置，其中該光提取特徵部包括安置於該 曰之該光非發射區域上的折射率匹配微球狀物。 u. 之裝置，其中該光提取特徵部包括安置於該 。4非發射區域上的二維光子晶 12·如請求項1之裝置，盆 衧徵 裝置,、Μ裝置進1包括 154764.doc 201214831 緣處的反射性塗層β 13. 14. 15. 16. 如請求们之裝置’其中該裝置進一步包括安置於該層 上之一透明導電氧化物層。 如-月求項13之裝置，其中一折射率匹配特徵部係安置於 該透明導電氧化物層與該層之間。 如清求項13之裝置，其中—折射率匹配層係安置於該透 明導電氧化物層與該層之間。 一種裝置，其包括： 一層； 複數個發光元件，其等彼此依距離而安置於該層上； 該層定義複數個光發射區域及光非發射區域，其中該 層包括對應於該複數個發光元件的複數個光發射區域， 及對應於該複數個發光元件之間之該距離的複數個光非 發射區域；及 一光提取特徵部，其安置於該層中之該複數個光非發 射區域之一者或多者上。 Π·如請求項16之裝置，其中該等發光元件之間的距離係在 從約10微米至約10毫米的範圍内。 18. —種方法，其包括： 提供支撑複數個發光元件之一層，其中該複數個發光 元件彼此依一預定距離而安置於該複數個發光元件上； 導致形成對應於該層上之該複數個發光元件的複數個 光發射區域，及形成對應於該層中之該等發光元件之間 之該預定距離的複數個光非發射區域；及 154764.doc -2- 201214831 安置一光提取特徵部，以便對應於該層上的該複數個 光非發射區域。 19.如請求項is之方法，其中該安置一光提取特徵部包括： 在該層中之該複數個非發射區域上安置表面像差。 20‘如請求項18之方法，其中該安置一光提取特徵部包括· 在該層中之該複數個非發射區域上安置一折射率匹_ 件。 配几 154764.doc