KR20130061126A - 발광 장치 및 제품 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 발광 영역 및 비발광 영역을 포함하는 층을 포함하는 장치에 관한 것이다. 광-추출 특징부가 비발광 영역상에 배치된다. 광-추출 특징부는 표면 수차 및 굴절률 부합 요소를 포함할 수 있다. 장치를 제조하는 방법이 또한 제공된다.
Description
본 발명은 장치에 관한 것이다. 더욱 특히, 본 발명은 발광 장치 및 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
유기 발광 장치(OLED)는 평판 백라이트 제품 또는 일반적인 조명에서 사용될 수 있다. OLED는 전기적으로 들뜬 유기 분자상에서 여기자의 방사성 재조합을 통해 광을 생성한다. OLED는 디스플레이 및 조명 제품 모두에서 사용될 수 있다. 전형적으로, OLED중 하나의 전극은 투명성 및 전도성 둘다를 가질 수 있다. 이러한 투명 전극에 통상적으로 사용된 물질은 투명 전도성 산화물(TCO), 예를 들어, 인듐 주석 산화물(ITO) 또는 알루미늄-도핑된 아연 산화물(AZO)이다. 금속과 비교했을 때, TCO는 훨씬 더 높은 전기 저항성을 갖는다. OLED가 구동 전류라는 사실과 함께, TCO 투명 전극의 더 높은 전기 저항성이 큰 OLED 픽셀상에 중요한 전압 변화를 야기할 수 있다. TCO 전극이 예를 들어, 약 10 cm의 길이 및 약 10 cm의 너비를 갖는 크기에서 클 때, 전압의 변화는 중요할 수 있고 장치상에서 광도의 중요한 변화를 야기할 수 있다. TCO 투명 전극의 높은 저항성을 극복하고 계속 큰 OLED 픽셀을 제조할 수 있도록, 목적한 큰 영역의 OLED 장치를 일련의 일체식으로 연결된 개별적인 더 작은 픽셀로 분배하는 하나의 접근법이 있다. TCO 전극은 작은 크기로 픽셀화될 수 있어서(예를 들어, 전류 흐름 방향에서 1 cm) 각각의 픽셀상에 전압 변화 및 이의 광도 변화는 시청자에게 중요하지 않다. 일련의 전기 연결 특성 때문에, 단일한 일련의 연결이 위치된 픽셀 사이의 영역이 광을 방출될 수 없다. 이러한 영역은 OLED 표면상 어두운 영역을 형성할 수 있고, 이에 따라, 광이 방출된 영역(발광 영역) 및 어두운 영역(비발광 영역) 사이의 대비를 형성한다. 많은 디스플레이 및 조명 제품은 OLED에 전원이 들어올 때 어떠한 어두운 영역도 보이지 않을 것을 요구할 수 있다.
내부/외부 장식과 신호를 위해, 목적한 색상 출력을 수득하는 것이 바람직할 수 있다. 전체 OLED상에서 효율적인 발광을 제공할 수 있고 방출 영역 및 비방출 영역 사이의 대비를 감소시켜 획일적인 광 OLED 장치를 제공하는 장치를 제공하는 것이 바람직할 수 있다.
일 양태에서, 장치가 제공된다. 장치는 발광 영역 및 비발광 영역을 포함하는 층을 포함한다. 광-추출 특징부가 비발광 영역상에 배치된다.
장치는 또 다른 양태에서 제공된다. 장치는 층 및 층상에 서로 떨어져 배치된 다수의 발광 요소를 포함한다. 층은 다수의 발광 영역 및 비발광 영역을 한정한다. 층은 다수의 발광 요소에 상응하는 다수의 발광 영역 및 다수의 발광 요소 사이의 거리에 상응하는 다수의 비발광 영역을 포함한다. 광-추출 특징부는 층 중 하나 이상의 다수의 비발광 영역상에 배치된다.
방법은 또 다른 양태에서 제공된다. 방법은 다수의 발광 요소를 지지하는 층을 제공하는 단계를 포함한다. 다수의 발광 요소는 서로 떨어진 소정 거리에 배치될 수 있다. 이는 층상의 다수의 발광 요소에 상응하는 다수의 발광 영역의 형성 및 층상의 발광 요소 사이의 소정 거리에 상응하는 다수의 비발광 영역의 형성을 야기한다. 방법은 층상의 다수의 비발광 영역에 상응하도록 광-추출 특징부를 배치하는 단계를 또한 포함한다.
도 1은 OLED를 나타내는 도시적인 측면도이다.
도 2는 OLED를 나타내는 도시적인 측면도이다.
도 3은 일 양태에 따른 디스플레이 장치의 도시적인 측면도이다.
도 4는 일 양태에 따른 디스플레이 장치의 도시적인 상면도이다.
도 5는 일 양태에 따른 디스플레이 장치의 도시적인 도면이다.
도 6은 일 양태에 따른 디스플레이 장치의 도시적인 도면이다.
도 7은 일 양태에 따른 디스플레이 장치의 도시적인 도면이다.
도 8은 일 양태에 따른 디스플레이 장치의 도시적인 도면이다.
도 9는 일 양태에 따른 디스플레이 장치의 도시적인 도면이다.
도 10은 일 양태에 따른 디스플레이 장치의 도시적인 도면이다.
도 11은 일 양태에 따른 디스플레이 장치의 도시적인 도면이다.
도 12는 일 양태에 따른 디스플레이 장치의 도시적인 도면이다.
도 13은 일 양태에 따른 디스플레이 장치의 도시적인 도면이다.
도 14는 일 양태에 따른 디스플레이 장치의 도시적인 도면이다.
도 15는 일 양태에 따른 디스플레이 장치의 도시적인 도면이다.
도 16은 일 양태에 따른 디스플레이 장치의 도시적인 도면이다.
도 17은 일 양태에 따른 디스플레이 장치를 제조하는 방법의 도시적인 도면이다.
도 18은 일 양태에 따른 디스플레이 장치에서 생성된 광의 전파의 다양한 방식을 묘사하는 도시적인 도면이다.
도 2는 OLED를 나타내는 도시적인 측면도이다.
도 3은 일 양태에 따른 디스플레이 장치의 도시적인 측면도이다.
도 4는 일 양태에 따른 디스플레이 장치의 도시적인 상면도이다.
도 5는 일 양태에 따른 디스플레이 장치의 도시적인 도면이다.
도 6은 일 양태에 따른 디스플레이 장치의 도시적인 도면이다.
도 7은 일 양태에 따른 디스플레이 장치의 도시적인 도면이다.
도 8은 일 양태에 따른 디스플레이 장치의 도시적인 도면이다.
도 9는 일 양태에 따른 디스플레이 장치의 도시적인 도면이다.
도 10은 일 양태에 따른 디스플레이 장치의 도시적인 도면이다.
도 11은 일 양태에 따른 디스플레이 장치의 도시적인 도면이다.
도 12는 일 양태에 따른 디스플레이 장치의 도시적인 도면이다.
도 13은 일 양태에 따른 디스플레이 장치의 도시적인 도면이다.
도 14는 일 양태에 따른 디스플레이 장치의 도시적인 도면이다.
도 15는 일 양태에 따른 디스플레이 장치의 도시적인 도면이다.
도 16은 일 양태에 따른 디스플레이 장치의 도시적인 도면이다.
도 17은 일 양태에 따른 디스플레이 장치를 제조하는 방법의 도시적인 도면이다.
도 18은 일 양태에 따른 디스플레이 장치에서 생성된 광의 전파의 다양한 방식을 묘사하는 도시적인 도면이다.
본원에 사용된 단수 형태는 별도로 문맥상에서 분명하게 지적하지 않는 한, 복수의 의미를 포함한다. 명세서 및 청구범위를 통해 본원에 사용된 근사치 용어는, 관련된 기본 작용에서 변화를 야기하지 않고 허용가능하게 변할 수 있는 임의의 양적 표현을 개질하기 위해 적용될 수 있다. 따라서, "약"과 같은 용어에 의해 개질된 값은 명시된 정확한 값에 제한되지 않는다. 일부 경우에서, 근사치 용어는 값을 측정하기 위한 기구의 정밀도에 일치할 수 있다. 유사하게는, "부재"는 다른 용어와 조합하여 사용될 수 있고, 여전히 개질된 용어의 부재를 고려하고 있으면서, 비실질적인 수 또는 미량을 포함할 수 있다.
본원에 사용된 바와 같이, 용어 "에 고정된" 또는 "상에 배치된" 또는 "상에 증착된" 또는 "사이에 배치된"은 직접적으로 접촉하거나 그들 사이에 중간층을 가짐으로써 간접적으로 고정되거나 배치됨을 둘다 나타낸다. "작동가능하게 연결된"은 언급된 작용을 제공하는 나열된 부분 사이의 관계이다. 추가 수식어 없이, "광 전달성"은 주어진 두께의 물질을 통해 가시 파장 범위에서 하나 이상의 주파수의 약 50% 초과의 광이 전송됨을 의미한다. 가시 파장 범위는 약 400 nm 내지 약 700 nm이다. 일부 물질은 광의 파장에 기초하여 다소의 광을 전송한다. 즉, 하나의 주파수에서 광을 전달하는 물질은 또 다른 파장에서 다소 전달할 수 있다.
다양한 양태에서 사용된 바와 같은 용어 "알킬"은 선형 알킬, 분지형 알킬, 아르알킬, 사이클로알킬, 바이사이클로알킬, 트라이사이클로알킬 및 탄소 및 수소 원자를 포함하는 폴리사이클로알킬 라디칼을 나타낸다. 알킬 기는 포화되거나 포화되지 않고, 예를 들어, 비닐 또는 알릴을 포함할 수 있다. 용어 "알킬"은 또한 알콕사이드 기의 알킬 부분을 포괄한다. 다양한 양태에서, 정상 및 분지형 알킬 라디칼은 1 내지 약 32개의 탄소 원자를 함유하고, 예시적인 비제한적인 예로서 C1-C32 알킬(C1-C32 알킬, C3-C15 사이클로알킬 및 아릴로부터 선택된 하나 이상의 기로 선택적으로 치환됨); 및 C1-C32 알킬 및 아릴로부터 선택된 하나 이상의 기로 선택적으로 치환된 C3-C15 사이클로알킬을 포함한다. 예는 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, sec-부틸, 3차-부틸, 펜틸, 네오펜틸, 헥실, 헵틸, 옥틸, 노닐, 데실, 운데실 및 도데실을 포함한다. 사이클로알킬 및 바이사이클로알킬 라디칼의 일부 예시적인 비제한적인 예는 사이클로부틸, 사이클로펜틸, 사이클로헥실, 메틸사이클로헥실, 사이클로헵틸, 바이사이클로헵틸 및 아다만틸을 포함한다. 다양한 양태에서, 아르알킬 라디칼은 7 내지 약 14개의 탄소 원자를 함유하는 것이고, 이들은 벤질, 페닐부틸, 페닐프로필 및 페닐에틸을 포함한다.
양태에서 사용된 바와 같은 용어 "아릴"은 6 내지 20개의 고리 탄소 원자를 포함하는 치환되거나 치환되지 않은 아릴 라디칼을 나타낸다. 아릴 라디칼의 일부 예는 C1-C32 알킬, C3-C15 사이클로알킬, 아릴, 및 주기율표의 15, 16 및 17족으로부터 선택된 원자를 포함하는 작용기로부터 선택된 하나 이상의 기로 선택적으로 치환된 C6-C20 아릴을 포함한다. 아릴 라디칼의 예는 치환되거나 치환되지 않은 페닐, 바이페닐, 톨릴, 자일릴, 나프틸 및 바이-나프틸을 포함한다.
도 1을 참고하면, 다양한 OLED 배열의 도시적인 측면도(100)가 제공된다. 제 1 양태에서, OLED(110)는 양극(112), 방출층(114) 및 음극(116)을 포함한다. 제 2 양태에서, OLED(118)는 양극(120), 정공 주입층(122), 방출층(124) 및 음극(126)을 포함한다. 제 3 양태에서, OLED(128)는 양극(130), 정공 주입층(132), 방출층(134), 전자 주입층(136) 및 음극(138)을 포함한다. 전형적으로, OLED는 상기 언급된 바와 같이 일련의 층을 적층함으로써 형성되어 목적한 색상 및 광도를 제공한다. 도 2를 참고하면, 2개의 유닛, 제 1 유닛(210)과 제 2 유닛(212)을 갖는 OLED(200)의 도시적인 측면도를 나타낸다. OLED(200)는 양극(216)이 배치된 기판(214), 제 1 유닛(210), 제 2 유닛(212), 및 방출된 광(220)을 이를 통해 볼 수 있는 음극(218)을 포함할 수 있다. 제 1 유닛(210)은 정공 수송층(222), 제 1 방출층(224) 및 제 1 전자 수송층(226)을 포함할 수 있다. 제 2 유닛(212)은 제 2 정공 수송층(228), 제 2 방출층(230) 및 제 2 전자 수송층(232)을 포함할 수 있다.
적합한 양극(216)은 높은 일 함수(예를 들어, 약 4.0 전자 볼트 초과)를 갖는 물질을 포함할 수 있다. 일 양태에서, 양극 물질의 일 함수는 약 5 전자 볼트 내지 약 6 전자 볼트, 또는 약 6 전자 볼트 약 7 전자 볼트의 범위일 수 있다. 투명한 금속 산화물, 예를 들어 인듐 주석 산화물 "ITO", 또는 미세 가공된 금속 그리드, 예를 들어 금 또는 은 금속 그리드가 이 목적을 위해 사용될 수 있다. ITO는 광 전달성이고, 유기 방출층으로부터 방출된 광이 심각하게 약화되지 않은 ITO 양극을 통해 벗어나도록 한다. 양극(216)으로서 사용하기 적합한 다른 물질은 주석 산화물, 인듐 산화물, 아연 산화물, 인듐 아연 산화물, 아연 인듐 주석 산화물, 안티모니 산화물 및 이들의 혼합물이다. 일 양태에서, 이러한 전기 전도 산화물을 포함하는 양극(216)의 두께는 약 10 nm 초과일 수 있다. 일 양태에서, 양극(216)의 두께는 약 10 nm 내지 약 50 nm, 약 50 nm 내지 약 100 nm, 또는 약 100 nm 내지 약 200 nm의 범위일 수 있다.
일 양태에서, 금속의 얇은 투명층은 양극(216)에 적합하다. 투명 금속층은 약 50 nm 미만이거나 동일한 두께를 가질 수 있다. 일 양태에서, 금속 두께는 약 50 nm 내지 약 20 nm의 범위일 수 있다. 양극을 위해 적합한 금속은, 예를 들어, 은, 구리, 텅스텐, 니켈, 코발트, 철, 셀레늄, 게르마늄, 금, 백금, 알루미늄, 또는 이들의 혼합물 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다. 양극(216)은 물리적 증착법, 화학적 증착법 또는 스퍼터링(sputtering)과 같은 기술에 의해 근본적인 요소상에 증착될 수 있다.
음극(218)을 음전하 담체 또는 전자를 유기 방출층에 주입하고 낮은 일 함수(예를 들어, 약 4 전자 볼트 미만)를 갖는 물질을 제조할 수 있다. 다양한 양태에서, 음극으로서 사용하기에 적합한 모든 물질이 낮은 일 함수를 갖을 필요는 없다. 음극으로서 사용하기에 적합한 물질은 K, Li, Na, Mg, Ca, Sr, Ba, Al, Ag, In, Sn, Zn, Zr, Sc 및 Y를 포함할 수 있다. 다른 적합한 물질은 란탄 계열의 원소, 이의 합금 또는 이의 혼합물을 포함할 수 있다. 음극층의 제조를 위해 적합한 합금 물질의 예는 Ag-Mg, Al-Li, In-Mg 및 Al-Ca 합금을 포함할 수 있다. 층이 있는 비합금 구조가 사용될 수 있다. 이러한 층이 있는 비합금 구조는 예를 들어, 약 1 nm 내지 약 50 nm의 범위의 두께를 갖는 Ca과 같은 금속의 박층을 포함할 수 있다. 이러한 층이 있는 비합금 구조의 다른 것은 일부 다른 금속의 박층에 의해 오버-캡핑(over-capping)된 비금속, 예를 들어 LiF, KF 또는 NaF를 포함할 수 있다. 적합한 다른 금속은 알루미늄 또는 은을 포함할 수 있다. 음극(218)은, 예를 들어, 물리적 증착법, 화학적 증착법 또는 스퍼터링에 의해 근본적인 요소상에 배치될 수 있다.
적합한 OLED는 방출층(224, 230)을 포함할 수 있고, 유기 방출층, 방출 물질층, 전계 발광층 또는 발광층으로서 나타낼 수 있다. 전계 발광(EL) 물질은 유기 형광 및/또는 인광 물질을 나타낸다. 전계 발광 물질은 인가된 전압 바이아스를 거치는 경우 광을 방출한다. 전계 발광 물질은 결정된 파장 범위에서 광을 배출할 수 있도록 맞추어질 수 있다. 일 양태에서, 방출층(224, 230)의 두께는 약 40 nm 초과일 수 있다. 일 양태에서, 두께는 약 300 nm 미만일 수 있다.
방출층(224, 230)을 형성하는데 사용된 전계 발광 물질은 중합체, 공중합체 또는 중합체의 혼합물일 수 있다. 적합한 전계 발광 물질은 폴리 N-비닐카바졸(PVK) 및 이의 유도체; 폴리플루오렌 및 이의 유도체, 예컨대 폴리알킬플루오렌, 예를 들어 폴리-9,9-다이헥실플루오렌, 폴리다이옥틸플루오렌 또는 폴리-9,9-비스-3,6-다이옥사헵틸-플루오렌-2,7-다이일; 폴리 파라-페닐렌 및 이의 유도체, 예컨대 폴리-2-데실옥시-1,4-페닐렌 또는 폴리-2,5-다이헵틸-1,4-페닐렌; 폴리-p-페닐렌 비닐렌 및 이의 유도체, 예컨대 다이알콕시-치환된 PPV 및 시아노-치환된 PPV; 폴리티오펜 및 이의 유도체, 예컨대 폴리-3-알킬티오펜, 폴리-4,4'-다이알킬-2,2'-바이티오펜, 폴리-2,5-티에닐렌 비닐렌; 폴리피리딘 비닐렌 및 이의 유도체; 폴리퀴녹살린 및 이의 유도체; 및 폴리퀴놀린 및 이의 유도체를 포함할 수 있다. 일 양태에서, 적합한 전계 발광 물질은 N,N-비스 4-메틸페닐-4-아닐린으로 말단이 캡핑된 폴리-9,9-다이옥틸플루오레닐-2,7-다이일이다. 이들 중합체, 또는 하나 이상의 이들 중합체를 기제로 하는 공중합체의 혼합물이 사용될 수 있다. 전계 발광 물질로서 사용될 수 있는 다른 적합한 물질은 폴리실란이다. 폴리실란은 알킬 및/또는 아릴 측기로 치환된 실리콘-골격을 갖는 선형 중합체이다. 폴리실란은 중합체 골격 쇄를 따라 다른 위치로 옮겨진 시그마-공액결합된 전자를 갖는 유사 1차원 물질이다. 폴리실란의 예는 폴리 다이-n-부틸실란, 폴리 다이-n-펜틸실란, 폴리 다이-n-헥실실란, 폴리메틸 페닐실란 및 폴리 비스-p-부틸 페닐실란을 포함한다.
일 양태에서, 방향족 단위를 비롯한, 약 5000 미만의 분자량을 갖는 유기 물질이 전계 발광 물질로서 사용되어 방출층(224, 230)을 형성할 수 있다. 이러한 물질의 예는 1,3,5-트리스 N-4-다이페닐 아미노 페닐 페닐 아미노 벤젠이고, 약 380 nm 내지 약 500 nm의 파장 범위에서 광을 방출한다. 이들 전계 발광층 유기 물질은 유기 분자, 예를 들어 페닐안트라센, 테트라아릴레텐, 쿠마린, 루브렌, 테트라페닐부타다이엔, 안트라센, 페릴렌, 코로넨 또는 이들의 유도체로부터 제조될 수 있다. 이들 물질은 약 520 nm의 최대 파장을 갖는 광을 방출될 수 있다. 또 다른 적합한 물질은 저 분자량의 금속 유기 착체, 예를 들어 약 415 nm 내지 약 457 nm의 파장 범위에서 광을 방출하는 알루미늄-아세틸아세토네이트, 갈륨-아세틸아세토네이트 및 인듐-아세틸아세토네이트, 약 420 nm 내지 약 433 nm의 범위에서 파장을 갖는 광을 방출하는 알루미늄 피콜리메틸케톤 비스-2,6-다이부틸펜산화물 또는 스칸듐-4-메톡시 피콜릴 메틸 케톤-비스 아세틸 아세토네이트이다. 가시 파장 범위에서 방출하는 다른 적합한 전계 발광 물질은 8-하이드록시퀴놀린의 유기-금속성 착체, 예를 들어 트리스-8-퀴놀리놀라토 알루미늄 및 이의 유도체를 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 도 2에서 보여진 바와 같이, OLED(200)는 하나 이상의 층, 예컨대 정공 수송층(222, 228), 전자 수송층(226, 232), 및 다른 층(도면에 나타내지 않음), 예컨대 정공 주입층, 정공 주입 강화층(전하 수송층), 전자 주입층, 전자 주입 강화층, 전자 차폐층, 캡슐화층 및 광 외부 결합층 또는 이들의 임의의 조합을 추가로 포함할 수 있다. 본원에 기재된 다양한 층은 양극(216) 및 음극(218) 사이에 배치될 수 있다.
OLED(200)에 포함될 수 있는 전하 수송층으로서 사용하기에 적합한 물질의 비제한적인 예는, 저 분자량 내지 중간 분자량, 예를 들어 폴리스티렌 표준을 사용하여 측정된 1 몰당 약 200,000 g 미만의 평균 분자량(Mw)을 갖는 유기 중합체, 폴리-3,4-에틸렌 다이옥시 티오펜(PEDOT), 폴리아닐린, 폴리-3,4-프로필렌 다이옥시티오펜(PProDOT), 폴리스티렌 설포네이트(PSS), 폴리비닐 카바졸(PVK) 및 다른 유사한 물질을 포함할 수 있다.
OLED(200)에 포함될 수 있는 정공 수송층(222, 228)으로서 적합한 물질의 비제한적인 예는 트라이아릴다이아민, 테트라페닐다이아민, 방향족 3차 아민, 하이드라존 유도체, 카바졸 유도체, 트라이아졸 유도체, 이미다졸 유도체, 아미노기를 포함하는 옥사다이아졸 유도체, 폴리티오펜 및 유사한 물질을 포함할 수 있다. OLED(200)에 포함될 수 있는 정공-차폐층에 적합한 물질의 비제한적인 예는 폴리 N-비닐 카바졸 및 유사한 물질을 포함할 수 있다.
OLED(200)에 포함될 수 있는 정공 주입층에 적합한 물질의 비제한적인 예는 "p-도핑된" 양성자-도핑된 전도 중합체, 예를 들어 양성자-도핑된 폴리티오펜 또는 폴리아닐린, 및 p-도핑된 유기 반도체, 예를 들어 테트라플루오로테트라시아노퀴노다이메탄(F4-TCQN), 도핑된 유기 및 중합체성 반도체, 및 트라이아릴아민-함유 화합물 및 중합체를 포함할 수 있다. 전자-주입 물질의 비제한적인 예는 폴리플루오렌 및 이의 유도체, 알루미늄 트리스-8-하이드록시퀴놀린(Alq3), 알칼리 알칼리 토금속으로 n-도핑된 유기/중합체성 반도체 등을 포함할 수 있다.
OLED(200)에 포함될 수 있는 정공 주입 강화층에 적합한 물질의 비제한적인 예는 아릴렌계 화합물, 예를 들어 3,4,9,10-페릴렌 테트라-카복실계 다이무수물, 비스-1,2,5-티아다이아졸로-p-퀴노 비스-1,3-다이티올 및 유사 물질을 포함할 수 있다.
OLED(200)에 포함될 수 있는 전자 주입 강화층, 및 전자 수송층(226, 232)에 적합한 물질의 비제한적인 예는 금속 유기 착체, 예를 들어 옥사다이아졸 유도체, 페릴렌 유도체, 피리딘 유도체, 피리미딘 유도체, 퀴놀린 유도체, 퀴녹살린 유도체, 다이페닐퀴논 유도체, 니트로-치환된 플루오렌 유도체 및 유사 물질을 포함할 수 있다.
OLED(200)에 포함될 수 있는 전자 차폐층에 적합한 물질의 비제한적인 예는 N,N'-다이카바졸릴-3,5-벤젠(이하 mCP), 4,4'-N,N'-다이카바졸-바이페닐(이하 CBP), 1,4-다이카바졸-9-일-벤젠(이하 CCP) 또는 1,3,5-트리스(N-카바졸릴)벤젠(이하 TCB)을 포함할 수 있다.
OLED(200)에 포함될 수 있는 캡슐화층에 적합한 물질의 비제한적인 예는 물리적으로 또는 화학적으로 손상되는 것으로부터 OLED 장치를 보호할 수 있는 물질을 포함할 수 있다. 물리적 손상은 스크래칭, 직접적 충격, 펀칭 등을 포함한다. 화학적 손상은 습기, 산소 및 다른 반응 종의 존재에 기인한 OLED 장치 중 유기층의 전기화학적 분해를 포함한다. 캡슐화층은 보호층 및 접착층을 혼입할 수 있다. 일 양태에서, 보호층은 기체 장벽 코팅으로 코팅된 금속 호일 또는 중합체성 필름일 수 있다. 일 양태에서, 접착층은 하나 이상의 열가소성 접착체, 열경화성 접착체, 예를 들어, 자외선 경화 접착체, 및 압감 접착체를 포함할 수 있다.
OLED(200)에 포함될 수 있는 광 외부 결합층에 적합한 물질의 비제한적인 예는 OLED 장치로부터 더 많은 광을 추출할 수 있는 임의의 적합한 물질을 포함할 수 있다. 광 외부 결합층은 광 외부 결합층이 부착된 OLED의 광 전달성 층과 거의 같은 굴절률을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 광 외부 결합층에 사용된 광 추출 요소의 외형 및/또는 기하학이 장치로부터의 광의 외부 결합을 강화하도록 고안된다.
도 3을 참고하면, 디스플레이 장치(300)의 도시적인 측면도가 제공된다. 장치(300)는 기판(310)상에서 거리(318) 및 (320)에 배치된 다수의 OLED(312, 314 및 316)를 갖는 기판(310)을 포함할 수 있다. 각각의 OLED(312, 314 및 316)는 양극(322), 유기 방출층(324 및 326) 및 음극(328)을 포함할 수 있다. 유기 방출층(324 및 326)으로부터 방출된 광(330)은 투명 양극층(318) 및 기판(310)을 통해서 통과될 수 있다. 기판(310)상의 발광 영역(332, 334 및 336)은 OLED(312, 314 및 316)에 거의 상응한다. 기판상의 비발광 영역(338 및 340)은 거리(318) 및 (320)에 거의 상응하고, 이때 OLED는 기판(310)상에 배치된다. 도 4를 참고하면, 디스플레이 장치(300)의 도시적인 상면도(324)가 제공된다. 장치의 상면도(342)에서 보이는 바와 같이, 비발광 영역(344)은 발광 영역(348) 사이에 어두운 영역으로서 나타날 수 있다.
일 양태에서, 장치, 예를 들어 도 5에 나타낸 디스플레이 장치(500)가 제공된다. 장치(500)는 발광 영역(526, 528, 530) 및 비발광 영역(532, 534)을 한정하는 층(510)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 층(510)은 기판(512)상에서 거리(520 및 522)에 배치된 다수의 OLED(514, 516 및 518)를 갖는 기판(512)을 포함할 수 있다. 예를 들어, OLED(514, 516, 518)는 도 1 및/또는 도 2에서 보이는 바와 같이 구성될 수 있다. OLED(514, 516 및 518)로부터 방출된 광(524)은 기판(512)을 통해 통과할 수 있다. 층(510)상에 한정된, 발광 영역(526, 528 및 530)은 OLED(514, 516 및 518)에 거의 상응한다. 층(510)상에 한정된, 비발광 영역(532 및 534)은 OLED(514, 516 및 518)가 기판(512)상에 배치되어 있는 거리(520 및 522)에 거의 상응한다. 광-추출 특징부(536 및 538)는 비발광 영역(532 및 534)의 일부 또는 전체상에 배치될 수 있다. 광-추출 특징부(536 및 538)는 층(510)으로부터 광(540)을 추출하는 역할을 한다. 특정 양태에서, 광-추출 특징부(536 및 538)는 발광 영역(526, 528 및 530)의 일부 또는 전체상에 추가적으로 배치될 수 있고, 이와 같이 다른 유형의 광-추출 특징부는 비발광 영역 및 발광 영역상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 일 양태에서, 표면 수차(636, 638)를 포함하는 하기 도 6에 기재된 광-추출 특징부는 발광 영역상에 배치될 수 있고, 굴절률 부합 요소(1036, 1038)를 포함하는 하기 도 10에 개시된 광-추출 특징부가 비발광 영역상에 배치될 수 있다.
본원에 사용된 바와 같이 어구 "발광 영역"은 방출 물질층이 전기적으로 들뜬 유기 분자상에서 여기자의 방사선 재조합을 겪고 광을 활발히 방출될 수 있는 영역을 의미한다. 본원에 사용된 바와 같은 어구 "비발광 영역"은 어떠한 여기자의 방사선 재조합도 발생하지 않고 어떠한 광도 활발히 방출될 수 없는 영역을 의미한다.
일 양태에서, 층(510)은 기판(512)상에 배치된 다수의 유기층 및 무기층(예를 들어, OLED(514, 516, 518)를 제조하는 층)을 포함할 수 있다. 일 양태에서, 기판(512)은 광 전달성 요소(나타내지 않음)를 포함할 수 있다. 기판(512)은 광 전달성 물질로부터 형성될 수 있다. 일 양태에서, 광 전달성 물질은 투명할 수 있다. 다른 양태에서, 광 전달성 물질은 색상, 틴트, 또는 광학적 효과 유도 성질(예컨대, 유백광 또는 편광)을 가질 수 있다. 일 양태에서, 파장 또는 두께에 상관없이, 기판(512)을 통해 전송된 광의 양은 약 60% 내지 약 70%, 약 70% 내지 약 80%, 또는 약 80% 내지 약 90%의 광의 범위이다. 일 양태에서, % 투과 또는 두께에 상관없이, 전송된 광은 약 400 nm 내지 약 500 nm, 약 500 nm 내지 약 600 nm, 또는 약 600 nm 내지 약 700 nm의 범위에서 파장을 가질 수 있다. 일 양태에서, 약 550 nm의 파장에서 약 50% 초과의 광이 두께에 상관없이 기판을 통해 전송되었다. 전송된 광의 양 및 파장에 대해 상기 기재된 양태는 광 전달성 유기 전자 장치, 그들로부터 제조된 합성 장치 및 제품에 유효하다. 다양한 양태의 두께가 하기에 기재되었다.
기판(512)은 딱딱한 기판 및 유연한 기판으로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다. 딱딱한 기판은 비제한적으로 유리, 금속 및 플라스틱을 포함하고, 유연한 기판은 유연한 유리, 금속 호일 및 플라스틱 필름을 포함한다. 유리의 비제한적인 예는 석영 유리 및 붕규산 유리를 포함할 수 있다. 플라스틱의 비제한적인 예는 유기 중합체를 포함할 수 있다. 적합한 유기 중합체는 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리에터설폰, 폴리탄소에이트, 폴리이미드, 폴리아크릴레이트, 폴리올레핀 등으로부터 선택된 열가소성 중합체를 포함할 수 있다.
일 양태에서, 발광 영역(526, 528, 530)은 발광 요소, 예를 들어 층(510)의 소정 부분에 배치될 수 있는 발광 요소, 예를 들어 OLED(514, 516 및 518)에 거의 상응할 수 있다. 일 양태에서, 비발광 영역(532, 534)은 발광 요소를 포함하지 않는 층의 부분에 거의 상응할 수 있다.
일 양태에서, 광-추출 특징부(536, 538)는 층(510)에서 비발광 영역상에 배치된 표면 수차를 포함할 수 있다. 본원에 사용된 바와 같은 어구 "표면 수차"는 층(510)의 표면(512)상에 한정된 거친 표면 특징부을 나타낸다. 예를 들어, 도 2를 참고하면, 표면 수차는 OLED 장치(200)의 투명층(218)의 표면을 물리적으로 개질함으로써 형성될 수 있다. 일 양태에서, 표면 개질은 층(510)에 상응하는 부분의 표면상의 기계적인 스크래칭, 함몰, 및/또는 홈 형성, 및/또는 층(51)의 특정 부분에서의 에칭, 제거 및/또는 분해를 야기하는 화학적 방법의 사용에 의해 비발광 영역에 상응하는 표면의 물리적인 변화를 포함할 수 있다. 일 양태에서, 도 5에서 나타낸 표면 수차(536, 538)는 표면의 연속성을 방해하는, 함몰, 흠집 및 홈을 포함할 수 있다. 표면 수차(536, 538)의 비제한적인 예는 OLED의 투명층의 표면에 새겨진 표면 특징부를 포함할 수 있다. 일 양태에서, 표면 수차 특징부는 도 7에서 나타낸 바와 같은 핵심 특징부, 예컨대 함몰 또는 딤플(736, 738)의 형태일 수 있다. 다양한 양태에서, 핵심 특징부는 삼각형, 반원형, 정사각형, 직사각형, 오각형 또는 육각형 단면 형태를 포함할 수 있다. 다른 양태에서, 표면 수차 특징부는 도 6에서 나타낸 바와 같이 선 특징부, 예컨대 흠집(636 및 638, 표면상에 가늘고 얇은 커트 또는 마크) 또는 홈(도면에서 나타내지 않음, 길고 좁은 채널 또는 침강)의 형태일 수 있다. 다양한 양태에서, 선 특징부는 직선 또는 곡선일 수 있다. 다양한 양태에서, 선 표면 수차 특징부는 삼각형, 반원형, 정사각형, 직사각형, 오각형 또는 육각형 단면 형태를 포함할 수 있다. 선 특징부의 단면 형태는 선 특징부를 따라 획일적일 수 있거나 선 특징부의 길이에 따라 변할 수 있다. 특정 양태에서, 표면 수차 특징부는 핵심 특징 및 선 특징부 둘다의 조합일 수 있다.
도 6을 참고하면, 디스플레이 장치(600)의 구성도가 제공된다. 장치(600)는 층(610)을 포함할 수 있다. 층(610)은 기판(612)상에서 거리(620 및 622)에 배치된 다수의 OLED(614, 616 및 618)를 갖는 기판(612)을 포함할 수 있다. OLED(614, 616 및 618)로부터 방출된 광(624)은 기판(612)을 통해 통과할 수 있다. 층(610)상에 한정된 발광 영역(626, 628 및 630)은 OLED(614, 616 및 618)에 거의 상응한다. 층(610)상에 한정된 비발광 영역(632 및 634)은 거리(620 및 622)에 거의 상응하고, 이때 OLED(614, 616 및 618)는 기판(612)상에 배치된다. 광-추출 특징부, 예를 들어, 흠집(636 및 638)은 비발광 영역(632 및 634)의 일부 또는 전체상에 배치될 수 있다. 흠집(636 및 638)은 더욱 획일적인 광 디스플레이 장치(600)를 제공할 수 있는 층(610)으로부터 광(640)의 추출을 강화할 수 있다. 흠집(636 및 638)을 사용하여 비-방출 영역으로부터 추출된 광(640)의 적어도 일부는 그렇지 않으면 층(610)내의 전파의 도파관 방식을 이용할 수 있는 광일 수 있다.
도 7을 참고하면, 디스플레이 장치(700)의 구성도가 제공된다. 장치(700)는 층(710)을 포함할 수 있다. 층(710)은 기판(712)상에서 거리(720 및 722)에 배치된 다수의 OLED(714, 716 및 718)를 갖는 기판(712)을 포함할 수 있다. OLED(714, 716 및 718)로부터 방출된 광(724)은 기판(712)을 통해서 통과할 수 있다. 층(710)상에 한정된 발광 영역(726, 728 및 730)은 OLED(714, 716 및 718)에 거의 상응한다. 층(710)상에 한정된 비발광 영역(732 및 734)은 거리(720)에 거의 상응하고, 이때 OLED(714, 716 및 718)는 기판(712)상에 배치된다. 광-추출 특징부, 예를 들어, 함몰(736 및 738)은 비발광 영역(732 및 734)의 일부 또는 전체상에 배치될 수 있다. 일 양태에서, 함몰(736, 738)은 100 ㎛ 이하의 깊이 및 이격을 가질 수 있다. 함몰(736 및 738)은 더욱 획일적인 광 디스플레이 장치(700)를 가능하게 제공할 수 있는 층(710)으로부터 광(740)을 추출하는 역할을 한다. 함몰(736 및 738)을 사용하여 비-방출 영역으로부터 추출된 광(740)의 적어도 일부는 그렇지 않으면 층(710)내에 전파의 도파관 방식(742)을 이용할 수 있는 광일 수 있다.
도 7에서 나타낸 전파의 도파관 방식(742)은 특정 분야 분포를 가질 수 있다(하기 도 18에서 보인 바와 같음). 깊은 함몰(736, 738)은 함몰된 영역(736, 738)에서 증가하는 광도로서 더욱 강력하게 전파의 도파관 방식(742)을 방해할 수 있다. 결과적으로, 더 높은 광 추출 효율성이 기대될 수 있다. 일 양태에서, 함몰(736, 738)의 깊이는 전파의 도파관 방식(742)으로부터 상이한 추출 효율성을 수득하기 위해 개질될 수 있다. 일 양태에서, 함몰(736, 738)의 깊이는 발광 영역 및 비발광 영역 사이의 균형잡힌 휘도를 성취하기 위해 사용될 수 있고, 더욱 획일적인 광 디스플레이 장치(700)가 가능하게 제공될 수 있다.
일 양태에서, 도 8에서 나타낸 바와 같은 함몰 깊이(830) 및 도 9에서 나타낸 바와 같은 함몰 이격(930)에 대한 함몰이 약 100 ㎛ 미만의 범위일 수 있다. 다양한 양태에서, 함몰의 깊이, 너비 및 형태는 광 추출 효율성을 향상시키기 위해 변할 수 있다. 추가로, 함몰(928) 사이의 이격(930)은 광 추출 효율성을 향상시키도록 또한 변할 수 있다. 다양한 양태에서, 이격 및 깊이는 인간의 육안으로 인식할 수 없다.
도 8을 참고하면, 디스플레이 장치(800)의 구성도가 제공된다. 장치(800)는 층(810)을 포함할 수 있다. 층(810)은 기판(812)상에서 거리(818)에 배치된 다수의 OLED(814 및 816)를 갖는 기판을 포함할 수 있다. OLED(814, 816)로부터 방출된 광(820)은 기판(812)을 통해 통과할 수 있다. 층(810)상에 한정된 발광 영역(822, 824)은 OLED(814, 816)에 거의 상응한다. 층(810)상에 한정된 비발광 영역(826)은 거리(818)에 거의 상응하고, 이때 OLED(814, 816)는 기판(812)상에 배치된다. 변화하는 깊이(830) 및 고정된 이격(832)을 갖는 함몰(828)은 비발광 영역(826)상에 배치될 수 있다.
도 9를 참고하면, 디스플레이 장치(900)의 구성도가 제공된다. 장치(900)는 층(910)을 포함할 수 있다. 층(910)은 기판(912)상에서 거리(918)에 배치된 다수의 OLED(914 및 916)를 갖는 기판을 포함할 수 있다. OLED(914, 916)로부터 방출된 광(920)은 기판(912)을 통해 통과될 수 있다. 층(910)상에 한정된 발광 영역(922, 924)은 OLED(914, 916)에 거의 상응한다. 층(910)상에 한정된 비발광 영역(926)은 거리(918)에 거의 상응하고, 이때 OLED(914, 916)는 기판(912)상에 배치된다. 함몰 및 고정된 깊이(932) 사이에 변화하는 이격(930)을 갖는 함몰(928)은 비발광 영역(926)상에 배치될 수 있다.
도 5 및 10을 참고하면, 일 양태에서, 광-추출 특징부(534, 536)는 층(1010)에서 비발광 영역(1032, 1034)상에 배치된 굴절률 부합 요소(1036, 1038)를 포함할 수 있다. 다양한 양태에서, 굴절률 부합 요소(1036, 1038)는 굴절률 부합 요소(1036, 1038), 및 굴절률 요소(1036, 1038)가 배치된 층(1010) 사이의 계면에서 발생하는 프레넬(Fresnel) 반사 때문에 광 추출 손실을 감소시킬 수 있다.
일 양태에서, 굴절률 부합 요소(1036, 1038)는 구를 포함할 수 있다. 일 양태에서, 디스플레이 장치(1000)의 층(1010)으로서 동일한 굴절률을 갖는 반원 유사 특징부(1036, 1038)는 디스플레이 장치(1000)의 광 추출 효율성을 향상시키는데 도움을 줄 수 있다. 일 양태에서, 도 11을 참고하면, 굴절률 부합 요소는 미소구(1136, 1138)를 포함한다. 미소구 특징부(1136, 1138)는 1 ㎛ 내지 10 ㎛ 범위의 직경을 갖는 구의 2차원 어레이를 포함할 수 있다. 미소구 어레이(1136, 1138)는 질서 정연하거나 무질서할 수 있다(무작위). 모든 미소구는 동일하거나 유사한 직경을 가질 수 있고, 미소구는 다른 직경의 범위를 가질 수 있다. 도 11을 참고하면, 일 양태에서, 굴절률 부합 요소는 마이크로렌즈(1236, 1238)를 포함한다. 마이크로렌즈 특징부(1236, 1238)는 임의의 형태, 예를 들어 구형, 반원형 또는 피라미드형, 또는 층(1210)으로부터 광 추출 효율성을 향상시킬 수 있는 임의의 형태의 특징부의 마이크로렌즈의 2차원 어레이를 포함할 수 있다. 일 양태에서, 마이크로렌즈 특징부는 하기 기재된 디스플레이 장치(1200)의 층(1210)과 거의 동일한 굴절률을 갖는 물질로 제조될 수 있다. 마이크로렌즈 특징부는 장치(1200)의 층(1210)으로부터 방출된 광에 대한 낮은 흡수를 갖는 물질로 제조될 수 있다.
도 10을 참고하면, 디스플레이 장치(1000)의 구성도가 제공된다. 장치(1000)는 층(1010)을 포함할 수 있다. 층(1010)은 기판(1012)상에서 거리(1020 및 1022)에 배치된 다수의 OLED(1014, 1016 및 1018)를 갖는 기판(1012)을 포함할 수 있다. OLED(1014, 1016 및 1018)로부터 방출된 광(1024)은 기판(1012)을 통해서 통과할 수 있다. 층(1010)상에 한정된 발광 영역(1026, 1028 및 1030)은 OLED(1014, 1016 및 1018)에 거의 상응한다. 층(1010)상에 한정된 비발광 영역(1032 및 1034)은 거리(1020 및 1022)에 거의 상응하고, 이때 OLED(1014, 1016 및 1018)는 기판(1012)상에 배치된다. 광-추출 특징부, 예를 들어, 굴절률 부합 구(1036 및 1038)는 비발광 영역(1030 및 1032)의 일부 또는 전체상에 배치될 수 있다. 굴절률 부합 구(1036 및 1038)는 층(1010)으로부터 광(1040)을 추출하는 역할을 할 수 있고, 더욱 획일적인 광 디스플레이 장치(1000)를 제공할 수 있다. 굴절률 부합 구(1036 및 1038)를 사용하여 비-방출 영역으로부터 추출된 광(1040)의 적어도 일부는 그렇지 않으면 층(1010)내의 전파의 도파관 방식을 이용하는 광일 수 있다.
도 11을 참고하면, 디스플레이 장치(1100)의 구성도가 제공된다. 장치(1100)는 층(1110)을 포함할 수 있다. 층(1110)은 기판(1112)상에서 거리(1120 및 1122)에 배치된 다수의 OLED(1114, 1116 및 1118)를 갖는 기판(1112)을 포함할 수 있다. OLED(1114, 1116 및 1118)로부터 방출된 광(1124)은 기판(1112)을 통해 통과할 수 있다. 층(1110)상에 한정된 발광 영역(1126, 1128 및 1130)은 OLED(1114, 1116 및 1118)에 거의 상응한다. 층(1110)상에 한정된 비발광 영역(1132 및 1134)은 거리(1120 및 1122)에 거의 상응하고, 이때 OLED(1114, 1116 및 1118)는 기판(1112)상에 배치된다. 광-추출 특징부, 예를 들어, 굴절률 부합 미소구(1136 및 1138)는 비발광 영역(1132 및 1134)의 일부 또는 전체상에 배치될 수 있다. 굴절률 부합 미소구(1136 및 1138)는 더욱 획일적인 광 디스플레이 장치(1100)를 제공할 수 있는 층(1110)으로부터 광(1140)을 추출하는 역할을 할 수 있다. 굴절률 부합 미소구(1136 및 1138)를 사용하여 비-방출 영역으로부터 추출된 광(1140)의 적어도 일부가 그렇지 않으면 층(111)내의 전파의 도파관 방식을 이용할 수 있는 광일 수 있다.
도 12를 참고하면, 디스플레이 장치(1200)의 구성도가 제공된다. 장치(1200)는 층(1210)을 포함할 수 있다. 층(1210)은 기판(1212)상에서 거리(1220 및 1222)에 배치된 다수의 OLED(1214, 1216 및 1218)를 갖는 기판(1212)을 포함한다. OLED(1214, 1216 및 1218)로부터 방출된 광(1224)은 기판(1212)을 통해서 통과할 수 있다. 층(1210)상에 한정된 발광 영역(1226, 1228 및 1230)은 OLED(1214, 1216 및 1218)에 거의 상응한다. 층(1210)상에 한정된 비발광 영역(1232 및 1234)은 거리(1220 및 1222)에 거의 상응하고, 이때 OLED(1214, 1216 및 1218)는 기판(1212)상에 배치된다. 광-추출 특징부, 예를 들어, 굴절률 부합 마이크로렌즈(1236 및 1238)는 비발광 영역(1232 및 1234)의 일부 또는 전체상에 배치될 수 있다. 굴절률 부합 마이크로렌즈(1236 및 1238)는 층(1210)으로부터 광(1240)을 추출하는 역할을 하여 더욱 획일적인 광 디스플레이 장치(1200)를 제공할 수 있다. 굴절률 부합 마이크로렌즈(1236 및 1238)를 사용하여 비-방출 영역으로부터 추출된 광(1240)의 적어도 일부가 그렇지 않으면 층(1210)내의 전파의 도파관 방식을 사용할 수 있는 광일 수 있다.
도 5 및 13을 참고하면, 일 양태에서, 광-추출 특징부(536, 538)는 층(1310)중 비발광 영역(1332, 1334)상에 배치된 2차원 광결정 특징부(1336, 1338)를 포함할 수 있다. 2차원 광결정은 전자의 에너지대의 허용 및 금지를 정의함으로써 전자 운동에 영향을 미치는 반도체 결정 중 주기적인 전위와 유사한 방식으로서 전자파(EM)의 전파에 영향을 끼칠 수 있는 주기적인 유전체 또는 금속-유전체 나노구조로 이루어질 수 있다. 광결정은 높고 낮은 유전율의 규칙적으로 반복되는 내부 영역을 함유할 수 있다. 2차원 광결정은 OLED에서 광 전파의 측면 방식을 효과적으로 조절할 수 있다.
도 13을 참고하면, 디스플레이 장치(1300)의 구성도가 제공된다. 장치(1300)는 층(1310)을 포함할 수 있다. 층(1310)은 기판(1312)상에서 거리(1320 및 1322)에 배치된 다수의 OLED(1314, 1316 및 1318)를 갖는 기판(1312)을 포함할 수 있다. OLED(1314, 1316 및 1318)로부터 방출된 광(1324)은 기판(1312)을 통해서 통과할 수 있다. 층(1310)상에 한정된 발광 영역(1326, 1328 및 1330)은 OLED(1314, 1316 및 1318)에 거의 상응한다. 층(1310)상에 한정된 비발광 영역(1332 및 1334)은 거리(1332 및 1334)에 거의 상응하고, 이때 OLED(1314, 1316 및 1318)는 기판(1312)상에 배치된다. 광-추출 특징부, 예를 들어, 2차원 광결정(1336 및 1338)은 비발광 영역(1332 및 1334)의 일부 또는 전체상에 배치될 수 있다. 2차원 광결정(1336 및 1338)은 층(1310)으로부터 광(1340)을 추출하는 역할을 하여 더욱 획일적인 광 디스플레이 장치(1300)를 제공할 수 있다. 2차원 광결정(1336 및 1340)을 사용하여 비-방출 영역(1332 및 1334)으로부터 추출된 광(1340)의 적어도 일부가 그렇지 않으면 층(1310)내의 전파의 도파관 방식을 이용할 수 있는 광일 수 있다.
일 양태에서, 하기 도 14에 보여진 바와 같이, 디스플레이 장치(1400)가 층(1410)의 모서리에 반사 코팅(1442, 1444)을 포함할 수 있다. 층(1410)의 모서리 주위에 반사 코팅(1442, 1444)을 첨가하는 것은 모서리에서 광 누출을 차단할 수 있고, 따라서 광자는 층(1410)에서 여러 번 재생되고 결국 비-방출 영역(1432, 1434)상에 배치된 고안된 특징부(1436, 1438)에서 추출된다. 일 양태에서, 반사 코팅(1442, 1444)은 낮은 추출 효율을 갖는 광-추출 특징부를 갖고 또한 고 효율의 광 추출을 제공할 수 있다. 일 양태에서, 반사 코팅(1442, 1444)은 도 5 내지 도 13에서 논의된 바와 같이 비-방출 영역에서 모든 상이한 특징부와 조합될 수 있다. 반사 코팅(1442, 1444)의 비제한적인 예는 금속층, 예컨대 Ag, Al, Cu, Au, Ba, Ca 및 이들 중 2개 이상을 포함하는 합금을 포함할 수 있다.
도 14를 참고하면, OLED 장치(1400)의 구성도가 제공된다. 장치(1400)는 층(1410)을 포함할 수 있다. 층(1410)은 기판(1412)상에서 거리(1420 및 1422)에 배치된 다수의 OLED(1414, 1416 및 1418)를 갖는 기판(1412)을 포함할 수 있다. OLED(1414, 1416 및 1418)로부터 방출된 광(1424)은 기판(1412)을 통해 통과할 수 있다. 층(1410)상의 발광 영역(1426, 1428 및 1430)은 OLED(1414, 1416 및 1418)에 거의 상응한다. 층(1410)상의 비발광 영역(1432 및 1434)은 거리(1420 및 1422)에 거의 상응하고, 이때 OLED(1414, 1416 및 1418)는 기판(1412)상에 배치된다. 광-추출 특징부(1436 및 1438)는 비발광 영역(1432 및 1434)의 일부 또는 전체상에 배치될 수 있다. 광-추출 특징부(1436 및 1438)는 층(1410)으로부터 광(1440)을 추출하는 역할을 하여 더욱 획일적인 광 디스플레이 장치(1400)를 제공할 수 있다. 광-추출 특징부(1436 및 1438)를 사용하여 비-방출 영역으로부터 추출된 광(1440)의 적어도 일부는 그렇지 않으면 기판(1412)내의 전파의 도파관 방식을 이용할 수 있는 광일 수 있다. 추가적으로, 반사 코팅(1442 및 1444)이 OLED 장치의 모서리상에 배치된다. 반사 코팅은 장치의 모서리에서 광 누출의 차폐를 도울 수 있다.
도 15를 참고하면, 일 양태에서, 디스플레이 장치(1500)는 OLED(1514, 1516, 1518)에 존재하는 투명한 전도성 산화물층(1540, 1544 및 1548), 및 기판(1512) 사이에 배치된 굴절률 부합 특징부(1552, 1554 및 1556)를 추가로 포함할 수 있다. 투명한 전도성 산화물층은 OLED 중 양극을 형성할 수 있다. 굴절률 부합 특징부는 그렇지 않으면 기판(1510) 및 투명한 전도성 산화물층(1540, 1544 및 1548) 사이의 전파의 도파관 방식을 이용할 수 있는 광을 추출하는 역할을 할 수 있다.
또한 도 15를 참고하면, OLED 장치(1500)의 구성도가 제공된다. 장치(1500)는 층(1510)을 포함할 수 있다. 층(1510)은 기판(1512)상에서 거리(1520 및 1522)에 배치된 다수의 OLED(1514, 1516 및 1518)를 갖는 기판(1512)을 포함할 수 있다. OLED(1514, 1516 및 1518)중 유기 방출층(1542, 1546 및 1550)으로부터 방출된 광(1524)은 기판(1512)을 통해서 통과할 수 있다. 층(1510)상의 발광 영역(1526, 1528 및 1530)은 OLED(1514, 1516 및 1518)에 거의 상응한다. 층(1510)상의 비발광 영역(1532 및 1534)은 거리(1520 및 1522)에 거의 상응하고, 이때 OLED는 기판(1512)에 배치된다. 광-추출 특징부(1536 및 1538)는 비발광 영역(1532 및 1534)의 일부 또는 전체상에 배치될 수 있다. 광-추출 특징부(1536 및 1538)는 층(1510)으로부터 광(1540)을 추출하는 역할을 하여 더욱 균일하게 광 디스플레이 장치(1500)를 제공할 수 있다. 광-추출 특징부(1536 및 1538)를 사용하여 비-방출 영역으로부터 추출된 광(1540)의 적어도 일부는 그렇지 않으면 기판(1512)내의 전파의 도파관 방식을 이용할 수 있는 광일 수 있다. 특정 양태에서, 도 15에서 나타낸 바와 같이, OLED(1514, 1516 및 1518)는 각각 방출층(1542, 1546 및 1550), 및 OLED 중 양극을 형성하는 투명한 전도성 산화물층(1540, 1544 및 1548)을 포함할 수 있다. 굴절률 부합 특징부(1552, 1554 및 1556)는 OLED(1514, 1516 및 1518)중 투명한 전도성 산화물층(1540, 1544 및 1548) 및 기판(1512) 사이에 배치될 수 있다. 굴절률 부합 특징부(1552, 1554 및 1556)는 프리즘 또는 원뿔 모양의 구조를 포함하는 주기적인 하위-파장 구조를 포함할 수 있다. 굴절률 부합 특징부(1552, 1554 및 1556)는 층(1510)으로부터 광(1524, 1540)의 적어도 부분을 추출하는 역할을 하여 더욱 획일적인 광 디스플레이 장치(1500)를 제공할 수 있다. 광-추출 특징부(1552, 1554 및 1556)를 사용하여 각각 방출 영역 및 비-방출 영역으로부터 추출된 광(1524, 1540)의 적어도 일부는 그렇지 않으며 기판(1512) 및 투명한 전도성 산화물층(1540, 1544 및 1548) 사이의 전파의 도파관 방식을 이용할 수 있는 광일 수 있다.
일 양태에서, 디스플레이 장치(1500)는 OLED(1514, 1516, 1518)에 존재하는 투명한 전도성 산화물층(1540, 1544 및 1548) 및 기판(1512) 사이에 배치된 굴절률 부합층(1552)을 추가로 포함할 수 있다. 굴절률 부합층은 그렇지 않으면 기판(1510) 및 투명한 전도성 산화물층(1540, 1544 및 1548) 사이의 전파의 도파관 방식을 이용할 수 있는 광을 추출하는 역할을 할 수 있다.
도 16을 참고하면, OLED 장치(1600)의 구성도가 제공된다. 장치(1600)는 층(1610)을 포함할 수 있다. 층(1610)은 기판(1612)상에서, 거리(1620 및 1622)에 배치된 다수의 OLED(1614, 1616 및 1618)를 갖는 기판(1612)을 포함할 수 있다. OLED(1614, 1616 및 1618)에서 유기 방출층(1642, 1646 및 1650)으로부터 방출된 광(1624)은 기판(1612)을 통해서 통과할 수 있다. 층(1610)상의 발광 영역(1626, 1628 및 1630)은 OLED(1614, 1616 및 1618)에 거의 상응한다. 층(1610)상의 비발광 영역(1632 및 1634)은 OLED가 기판(1612)상에 배치되는 거리(1620 및 1622)에 거의 상응한다. 광-추출 특징부(1636 및 1638)는 비발광 영역(1632 및 1634)의 일부 또는 전체상에 배치될 수 있다. 광-추출 특징부(1636 및 1638)는 층(1610)으로부터 광을 추출하는 역할을 하여 더욱 획일적인 광 디스플레이 장치(1600)를 제공할 수 있다. 광-추출 특징부(1636 및 1638)를 사용하여 비-방출 영역으로부터 추출된 광(1640)의 적어도 일부는 그렇지 않으면 기판(1612)내로 전파의 도파관 방식을 이용할 수 있는 광일 수 있다. 특정 양태에서, 도 16에서 나타낸 바와 같이, OLED(1614, 1616 및 1618)는 방출층(1642, 1646 및 1650), 및 OLED 중 양극을 형성하는 투명한 전도성 산화물층(1640, 1644 및 1648)을 각각 포함할 수 있다. 굴절률 부합층(1652)은 OLED(1614, 1616 및 1618)중 투명한 전도성 산화물층(1640, 1644 및 1648) 및 기판(1612) 사이에 배치될 수 있다. 굴절률 부합층(1652)은 프리즘 또는 원뿔 모양의 구조를 포함하는 주기적인 하위-파장 구조를 포함할 수 있다. 굴절률 부합층(1652)은 층(1610)으로부터 광(1624, 1640)의 적어도 일부를 추출하는 역할을 하여 더욱 획일적인 광 디스플레이 장치(1600)를 제공할 수 있다. 광 추출층(1652)을 사용하여 방출 영역 및 비-방출 영역으로부터 각각 추출된 광(1624, 1640)의 적어도 일부는 그렇지 않으면 기판(1612) 및 투명한 전도성 산화물층(1640, 1644 및 1648) 사이의 전파의 도파관 방식을 이용할 수 있는 광일 수 있다.
도 5를 다시 참고하면, 다른 양태에서 장치(500)가 제공된다. 장치(500)는 층(510) 및 다수의 발광 요소, 예를 들어 층상에서 서로 떨어진 거리(520, 522)에 배치된 OLED(514, 516 및 518)를 포함한다. 층(510)은 다수의 발광 영역(526, 528 및 530) 및 비발광 영역(532 및 534)을 한정할 수 있다. 층(510)은 다수의 발광 요소(514, 516 및 518)에 거의 상응하는 다수의 발광 영역(526, 528 및 530), 및 다수의 발광 요소(514, 516 및 518) 사이의 거리(520, 522)에 거의 상응하는 다수의 비발광 영역(532, 534)을 포함할 수 있다. 광-추출 특징부(536, 538)는 층(510)중 다수의 비발광 영역(532, 534)중 하나 이상에 배치될 수 있다.
일 양태에서, 발광 요소(514, 516, 518) 사이의 거리(520, 522)는 약 10 ㎛ 내지 약 10 mm의 범위일 수 있다. 다른 양태에서, 발광 요소(514, 516, 518) 사이의 거리는 약 100 ㎛ 내지 약 5 mm의 범위이다. 또 다른 양태에서 발광 요소(514, 516, 518) 사이의 거리는 약 500 ㎛ 내지 약 3 mm의 범위이다.
도 17을 참고하면, 본원은 상기 설명에 따라 배열된 디스플레이 장치를 생성하는 방법(1700)의 대표적인 흐름도를 제공한다(예를 들어, 도면이 또한 도 5에 도시된 하기 참고된 디스플레이 장치(500)). 방법은 다수의 발광 요소(514, 516 및 518)를 지지하는 층(510)을 제공하는 단계를 포함할 수 있다. 다수의 발광 요소(514, 516 및 518)는 서로 소정 거리(520, 522)에 배치된다. 이는 층(510)상의 다수의 발광 요소(514, 516 및 518)에 상응하는 다수의 발광 영역(526, 528, 530)의 형성, 및 층(510)중 발광 요소(514, 516 및 518) 사이의 소정 거리(520, 522)에 상응하는 다수의 비발광 영역(532, 534)의 형성을 야기한다. 방법(1700)은 층(510)상의 다수의 비발광 영역(532, 534)에 상응하도록 광-추출 특징부(536, 538)를 배치함을 추가로 포함한다.
다른 양태에서, 도 6, 7 및 17을 참고하면, 광-추출 특징부가 표면 수차(636, 638, 736 및 738)를 포함할 수 있다. 일 양태에서, 표면 수차는 흠집(636, 638) 또는 함몰(736, 738)을 포함할 수 있다. 다양한 양태에서, 흠집 또는 함몰은 카바이드 스크라이브(carbide scribe) 도구, 면도날, 다이아몬드 격자 다이싱 휠, 및 광학적 품질의 흠집 또는 함몰을 형성하기 위해 당해 분야에 공지된 다른 방법을 사용하여 형성될 수 있다.
다른 양태에서, 도 10, 11, 12 및 17을 참고하면, 광-추출 특징부가 굴절률 부합 특징부(1036, 1038, 1136, 1138, 1236 및 1238)를 포함할 수 있다. 일 양태에서, 특징부는 구(1036, 1038), 미소구(1136, 1138) 또는 마이크로렌즈(1236 및 1238)를 포함한다. 다양한 양태에서, 미소구 또는 마이크로렌즈는 감광액 또는 자외선 경화성 에폭시와 같은 물질에 사진 평판술을 수행하는 단계, 및 중합체를 용융시켜 다중렌즈의 어레이를 형성하는 단계에 의해 제작될 수 있다. 다른 양태는 마스터 렌즈 어레이로부터 주형 또는 엠보싱에 의해 마이크로렌즈 또는 미소구의 많은 복제물을 제조하는 단계를 포함할 수 있다. 마스터 렌즈 어레이는 또한 맨드렐(mandrel)로서 마스터 렌즈 어레이를 사용하여 전기주조의 발생을 통해서 복제될 수 있다.
일 양태에서, 도 13 및 17을 참고하면, 광-추출 특징부는 2차원 광결정(1336, 1338)을 포함한다. 다양한 양태에서, 2차원 광결정은 집적 회로를 사용하는 것과 유사한 에칭 기술 및 사진 평판술을 사용하여 제작될 수 있다. 2차원 광결정을 형성하기 위한 다른 접근법은 교질 결정으로부터 자가-조립된 구조로서 광결정이 성장하는 단계를 포함할 수 있다.
OLED 중 광발생 기작은 OLED 기판의 전기적으로 들뜬 유기 분자상의 여기자의 재조합일 수 있다. 이러한 광이 발생되었을 때, 이는 모든 방향에서 자발적으로 유기 방출층으로부터 방사되고 다양한 방식을 통해 전파된다. 다양한 방식은 OLED 기판으로부터의 광방출와 관련된 것들("외부 방식"으로서 나타냄) 및/또는 OLED 기판 내의 총 내부 반사를 이용하는 광과 관련된 것들("도파관 방식"으로서 나타냄)을 포함한다. 디스플레이 제품의 경우, 기판 표면으로부터 방출된 광(즉, 외부 방식을 통한 광 전파)이 가장 유용하고, 이는 디스플레이의 시청자에 의해 받아들여진 광을 나타낸다. 그러나, 일부의 경우에서, 다량의 발생된 광은 하기 도 18에서 나타낸 바와 같이(예를 들어, 기판 및 장치 내부로 트래핑되거나 OLED 장치의 모서리로부터 방출됨), OLED의 시청자에게 도달하는 오직 제한된 양의 광을 갖는 도파관 방식과 관련될 수 있다. 예를 들어, 기판으로부터 방출되는 발생된 광의 분획의 근사치는 하기 수학식 1에 의해 계산될 수 있다.
상기 식에서,
ηcp , ext는 외부 커플링 효율이고;
norg는 ITO/유기층의 전체 수이다.
기판에 트래핑된 광의 분획은 ηcp , subs이고, ITO/유기층에서 ηcp , org는 각각 하기의 수학식 2 및 3으로 주어진다.
상기 식에서,
θorg , c1 및 θorg , c2는 각각 유기층-공기 및 유기층-기판 사이의 임계각이다.
일반적인 조명 및 평판 디스플레이 적용의 목적을 위해, 기판 표면으로부터 방출된 광(ηcp , ext)이 가장 유용하고, 이는 디스플레이 장치, 예를 들어 도 3에 나타낸 디스플레이 장치(300)로부터의 전체 방출된 광의 단지 20%이다.
도 18을 참고하면, 전형적인 OLED 구조(1800)에서 발생된 광의 전파의 다양한 방식을 도시한다. OLED 구조(1800)는 음극층(1810), 전자 수송층(1812), 방출층(1814), 정공 수송층(1816), 투명한 전도성 산화물층(1818) 및 기판층(1820)을 포함할 수 있다. 방출층(1814)에 의해 방출된 광은 다양한 방식 때문에 손실될 수 있다. 광은 굴절(1822), ITO/유기 도파관 방식(1824) 및 기판 도파관 방식(1826)에 기인하고, 기판(1828)의 모서리를 벗어나기 때문에 시청자에 의해 수율되도록 방출됨이 실패할 수 있다.
상기 설명에 따라 구성된 양태는, 예를 들어, 기판 방식의 방출을 증가시키기 위한 기판 공기 계면에서의 총 내부 반사의 감소 및/또는 유기/ITO, 기판 및 방출 방식의 비례수의 개질에 의해 전파의 도파관 방식을 거치는 광의 양을 감소시키도록 작용할 수 있다. 예를 들어, 전자의 방법은 기판 표면 개질, 예컨대 실리카 미소구 또는 마이크로렌즈를 거칠게 하거나 부착함을 통해 성취될 수 있다. 후자의 방법은, 예를 들어 방출 영역을 물결모양이 되도록 하는 단계, 장치에서 층의 굴절률을 변경하는 단계, 및/또는 광결정 거동을 생성하기 위해 장치를 패턴화하는 단계에 의해 성취될 수 있다.
본 발명자들은 기판-공기 계면의 표면 거칠기를 증가시킴으로써 출력 커플링을 증가시키는 하나의 방법을 발견하였다. 이 방법은 광의 일부가 일반적으로 완전히 내부적으로 반사되어 다른 각도로 산란될 수 있고, 따라서 표면으로부터 방출될 수 있도록 할 수 있다. 본 발명자들은 증가된 산란이 실리카 구에 의한 표면의 주기적인 패턴화를 사용함으로써 성취될 수 있음을 또한 발견하였다. 표면의 기하학이 전체 내부 반사를 감소시키고 표면 방출을 강화시키도록 변형된 기술을 또한 시험하였다. 정면에 부착된 마이크로렌즈의 사용 또한 성공적이었다. 구의 중앙에서 방출이 발생하도록 계획된 반구를 사용하면 유리 공기 계면상에 충돌하는 광선이 정상적으로 입사되고, 이에 따라 방출될 수 있다는 것을 의미한다. 이들 및 다른 기술의 사용을 통해, 일반적으로 기판에 국한된 도파관 방식이 장치 밖에서 효율적으로 결합될 수 있다. 강화는 더 작은 규모의 패턴화 및 마이크로렌즈 및 패턴화된 메사의 사용으로 성취될 수 있다.
본원에 기재된 바와 같은 양태는 당해 분야의 유명한 결점을 처리할 수 있다. 본원에 기술된 발광 특징부는 픽셀계 디스플레이 장치 중 비발광 영역으로부터 향상된 광 추출 기작을 제공할 수 있다. 이들 장치가 향상된 효율성 및 비용을 잠재적으로 제공할 수 있다. 따라서, 본원에 기술된 양태는 발광 영역 및 비발광 영역을 포함하는 층을 포함하는 장치를 제공한다. 광-추출 특징부가 비발광 영역상에서 배치된다. 광-추출 특징부가 도파관 방식에 기인한 광 손실을 최소화시킴으로써 디스플레이 장치의 투명층의 표면을 개질하는 역할을 할 수 있다. 일 양태에서, 표면 개질은 비발광 영역에서 기계적인 스크래칭, 엠보싱 또는 함몰에 의해 표면을 물리적으로 변화시킴을 포함할 수 있다. 다른 양태에서, 표면 개질은 비발광 영역에서 디스플레이 장치의 투명층과 거의 동일한 굴절률을 갖는 발광 요소를 부착함을 포함할 수 있다. 다양한 양태에서, 광 추출 요소는 구, 마이크로렌즈 어레이, 2차원 광결정 구조, 사다리꼴 형태, 또는 적절한 굴절률을 갖는 물질의 피라미드 형태를 포함할 수 있다.
도 5를 다시 참고하면, 일 양태에서, 디스플레이 장치(500)는 추가적인 층(도면에 나타내지 않음), 예컨대 하나 이상의 장벽층, 내마층, 접착층, 화학적인 내성층, 축광층, 방사선 흡수층, 방사선 반사층, 평탄화층, 광학 분산층 및 광 관리 필름을 포함할 수 있다. 이들 층은 또한 본원에 고찰된 다른 양태에서 존재할 수 있다.
본원에 기재된 다양한 층을 고정하거나 배치하는 것은 공지된 기술, 예컨대 스핀 코팅, 침지 코팅, 리버스 롤 코팅, 권선 또는 메이어(Mayer) 로드 코팅, 직접 및 오프셋 그라비아 코팅, 슬롯 다이 코팅, 블레이드 코팅, 고온 용융 코팅, 커튼 코팅, 나이프 오버 롤 코팅, 압출, 에어 나이프 코팅, 스프레이 코팅, 회전 스크린 코팅, 다층 슬라이드 코팅, 공압출, 메니스커스 코팅, 콤마 및 미세그라비어 코팅, 석판술 방법, 랭뮤어 방법 및 플래시 증발, 증착법, 플라스마-강화된 화학적-증착법 "PECVD", 라디오-주파수 플라스마-강화된 화학적-증착법 "RFPECVD", 열팽창-플라스마 화학적-증착법 "ETPCVD", 전자-사이클로트론-공명 플라스마-강화된 화학적-증착법 "ECRPECVD", 유도성 결합 플라스마-강화된 화학적-증착법 "ICPECVD", 및 반응성 스퍼터링을 비롯한 스퍼터링 기술을 포함한다.
본원에 기술된 양태는 조성, 구조, 시스템 및 청구범위에 언급된 발명의 요소에 상응하는 요소를 갖는 방법이다. 이 기재된 설명은 당해 분야의 통상적인 숙련자가 청구범위에 언급된 발명의 요소에 유사하게 해당하는 다른 요소들을 갖는 양태를 제조하고 사용할 수 있도록 한다. 따라서, 본 발명의 범주는 청구범위의 문자 그대로의 언어와 상이하지 않는 조성, 구조, 시스템 및 방법을 포함하고, 청구범위의 문자 그대로의 언어와 비실질적인 차이를 갖는 다른 구조, 시스템 및 방법을 추가로 포함한다. 단지 특정한 특징 및 양태가 본원에 예시되고 기재되었지만, 많은 개질 및 변화가 관련 분야의 숙련자에게 발생할 수 있다. 청구된 청구범위는 이러한 모든 개질 및 변화를 포함한다.
Claims (20)
- 발광 영역 및 비발광 영역을 포함하는 층; 및
비발광 영역상에 배치된 광-추출 특징부
를 포함하는 장치. - 제 1 항에 있어서,
발광 영역이 층의 소정 부분상에 배치된 발광 요소에 상응하는 장치. - 제 1 항에 있어서,
비발광 영역이 발광 요소를 포함하지 않는 층의 부분에 상응하는 장치. - 제 1 항에 있어서,
층이 기판층을 포함하는 장치. - 제 1 항에 있어서,
광-추출 특징부가 층 중 비발광 영역상에 배치된 표면 수차(surface aberration)를 포함하는 장치. - 제 5 항에 있어서,
광-추출 특징부가 층 중 비발광 영역상에 배치된 함몰 또는 흠집을 포함하는 장치. - 제 1 항에 있어서,
광-추출 특징부가 층 중 비발광 영역상에 배치된 굴절률 부합 요소를 포함하는 장치. - 제 1 항에 있어서,
광-추출 특징부가 층 중 비발광 영역상에 배치된 굴절률 부합 구를 포함하는 장치. - 제 1 항에 있어서,
광-추출 특징부가 층 중 비발광 영역상에 배치된 굴절률 부합 마이크로렌즈를 포함하는 장치. - 제 1 항에 있어서,
광-추출 특징부가 층 중 비발광 영역상에 배치된 굴절률 부합 미소구를 포함하는 장치. - 제 1 항에 있어서,
광-추출 특징부가 층 중 비발광 영역상에 배치된 2차원 광결정 특징부를 포함하는 장치. - 제 1 항에 있어서,
층의 모서리에 반사 코팅을 추가로 포함하는 장치. - 제 1 항에 있어서,
층상에 배치된 투명한 전도성 산화물층을 추가로 포함하는 장치. - 제 13 항에 있어서,
굴절률 부합 특징부가 투명한 전도성 산화물층과 층 사이에 배치되는 장치. - 제 13 항에 있어서,
굴절률 부합 층이 투명한 전도성 산화물층과 층 사이에 배치되는 장치. - 층;
층상에 서로 떨어져서 배치된 다수의 발광 요소;
층 중 다수의 비발광 영역 중 하나 이상에 배치된 광-추출 특징부
를 포함하되,
상기 층이 다수의 발광 영역 및 다수의 비발광 영역을 한정하되, 상기 층이 다수의 발광 요소에 상응하는 다수의 발광 영역 및 다수의 발광 요소 사이의 거리에 상응하는 다수의 비발광 영역을 한정하는 장치. - 제 16 항에 있어서,
발광 요소 사이의 거리가 약 10 ㎛ 내지 약 10 mm의 범위인 장치. - 서로 소정 거리에 배치된 다수의 발광 요소를 지지하는 층을 제공하는 단계;
층상의 다수의 발광 요소에 상응하는 다수의 발광 영역의 형성 및 층 중 발광 요소 사이의 소정 거리에 상응하는 다수의 비발광 영역의 형성을 야기하는 단계; 및
층상의 다수의 비발광 영역에 상응하도록 광-추출 특징부를 배치하는 단계
를 포함하는 방법. - 제 18 항에 있어서,
광-추출 특징부를 배치하는 단계가 층 중 다수의 비발광 영역상에 표면 수차를 배치함을 포함하는 방법. - 제 18 항에 있어서,
광-추출 특징부를 배치하는 단계가 층 중 다수의 비발광 영역상에 굴절률 부합 요소를 배치함을 포함하는 방법.
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| US7560861B2 (en) * | 2004-05-03 | 2009-07-14 | Lg Electronics Inc. | Organic electro-luminescence display device with an organic electro-luminescence array and fabricating method thereof |
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