TW201214633A - Method for producing glass substrate and method for producing electronic part - Google Patents

Method for producing glass substrate and method for producing electronic part Download PDF

Info

Publication number
TW201214633A
TW201214633A TW100122618A TW100122618A TW201214633A TW 201214633 A TW201214633 A TW 201214633A TW 100122618 A TW100122618 A TW 100122618A TW 100122618 A TW100122618 A TW 100122618A TW 201214633 A TW201214633 A TW 201214633A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
glass
wire
holes
base
plate
Prior art date
Application number
TW100122618A
Other languages
English (en)
Inventor
Eiji Terao
Original Assignee
Seiko Instr Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Instr Inc filed Critical Seiko Instr Inc
Publication of TW201214633A publication Critical patent/TW201214633A/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02Containers; Seals
    • H01L23/04Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/053Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body
    • H01L23/055Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body the leads having a passage through the base
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4803Insulating or insulated parts, e.g. mountings, containers, diamond heatsinks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/14Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • H01L23/15Ceramic or glass substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
  • Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
  • Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)

Description

201214633 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於在玻璃基板形成多數貫通電極之玻璃基 板之製造方法及使用此之電子零件之製造方法。 【先前技術】 近年來,使用行動電話或攜帶資訊終端機器之時刻源 或時序源使用利用水晶等之壓電振動子。壓電振動子所知 的有各式各樣,但是就其一而言,所知的有表面安裝型之 壓電振動子。就以該壓電振動子而言,所知的有以基座基 板和蓋基板上下夾著形成有壓電振動片之壓電基板而予以 接合的三層構造型。壓電振動件被收納在形成於基座基板 和蓋基板之間的空腔內。 再者,最近開發有兩層構造型之壓電振動子。該類型 係由直接接合基座基板和蓋基板之兩層構造型之封裝體所 構成,在構成於基座基板和蓋基板之間的空腔內收納有壓 電振動片。兩層構造型之壓電元件比起三層構造型在可以 謀求薄型化等之點上較優。 在專利文獻1及專利文獻2記載有兩層構造型之水晶 振動子封裝體。就以基座基板或蓋基板之封裝體材料而言 ,使用玻璃。因使用玻璃,故比起使用陶瓷之時容易成形 ,可以降低製造成本。再者,玻璃材料因熱傳導率小,故 絕熱性優,可以保護內部之壓電振動子溫度變化。 在專利文獻3記載有與上述相同之兩層構造型之水晶 -5- 201214633 振動子封裝體。此時,記載有基座基板使用玻璃,在該基 座基板形成使用金屬材料之貫通電極之方法。於在玻璃形 成貫通電極之時,首先在玻璃板上形成有貫通孔》第17 圖表示在玻璃板131形成由金屬銷115所構成之貫通電極 之方法(專利文獻3之第3圖)。第17圖(a)係表示在玻璃 板131形成貫通孔119之方法。將玻璃板131設置在模具 126之底部》在模具126設置加熱器125,可以加熱玻璃 板131。在模具126之上部設置有由沖頭129所構成之開 孔機。在沖頭1 29之玻璃板1 3 1側設置有開孔銷1 28,再 者,在沖頭129也設置有加熱器127。然後,於將玻璃板 131加熱至特定溫度之後,下降沖頭129而形成貫通孔 119° 第17圖(b)係表示在玻璃板131之貫通孔119打入金 屬銷115之方法。在台135設置形成有貫通孔119之玻璃 板131,藉由玻璃熔塊噴吹機133,對貫通孔119噴吹玻 璃熔塊132,並藉由金屬銷打入機134將金屬銷115打入 貫通孔1 1 9。 第18圖係表示擠壓成形工程(專利文獻3之第4圖)。 第18圖(a)所示般,將金屬銷115打入貫通孔119的玻璃 板131設置在沖壓下模136和沖壓上模137之間。在沖壓 上模137形成有隔間凸條138、插銷頭收納凹部139或凹 部形成用凸條141»將該模具投入至電氣爐,一面將沖壓 上模137推壓至沖壓下模136 —面加熱至溫度1000°C以上 。其結果,如第18(b)圖所示般,沖壓上模137之表面之 201214633 凹凸被轉印至玻璃板131,在玻璃板131形成分割用溝 142或凹部116。同時在玻璃板131形成由確保密封性之 金屬銷115所構成之貫通電極。 [先行技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本特開20〇2-124845號公報 [專利文獻2]日本特開20〇2-121〇37號公報 [專利文獻3]日本特開20〇3-2〇9198號公報 【發明內容】 [發明所欲解決之課題] 但是,加熱玻璃板131而形成貫通孔119,之後當冷 卻玻璃板131時,玻璃板131由於內部應力而變形,平坦 性下降。再者,當在玻璃板131轉印沖壓上模137之表面 形狀之後予以冷卻時,由於轉印時之玻璃流動或冷卻時之 熱不均勻性,使得金屬銷115傾斜,再者,產生金屬銷 115之位置偏移,或是由於內部應力使得玻璃板131複雜 扭曲。並且,當硏削而修正翹曲時,硏削量變多加工需要 長時間,或是期待形狀之取得數量減少。再者,露出於凹 部116之底面的金屬銷115傾斜而產生貫通電極之位置偏 離。再者,當包圍凹部116之側壁上面之平坦性差時,則 無法確保接合於該上面之蓋體的氣密性,有電子零件之信 賴性下降之課題。 本發明係鑒於上述課題而硏究出,可以提供在高位置 201214633 精度設置貫通電極之平坦性優良的玻璃基板。 [用以解決課題之手段] 藉由本發明之玻璃基板之製造方法具備:玻璃貫通孔 形成工程,其係在板狀玻璃上形成多數貫通孔;基台貫通 孔形成工程’其係在兩片基台形成多數貫通孔;拉線工程 ,其係在上述兩片基台之間夾持上述板狀玻璃,進行上述 基台之多數貫通孔和上述板狀玻璃之多數貫通孔之定位, 使由導體所構成之導線貫通於上述多數貫通孔而在上述兩 片基台之間拉引導線;導線埋入工程,其係將上述板狀玻 璃加熱至較其軟化點高之溫度,而將上述基台間之導線埋 入上述玻璃;鑄錠形成工程,其係冷卻上述玻璃,形成埋 入有導線的玻璃鑄錠;切斷工程,其係將上述鑄錠予以切 片而形成玻璃板;及硏磨工程,其係硏磨上述玻璃板,使 導線露出於表面和背面而成爲貫通電極。 再者,上述玻璃貫通孔形成工程具備:凹部形成工程 ,其係在板狀玻璃形成凹部;和硏削工程,其係硏削與形 成有該凹部之表面相反側之背面而使上述凹部貫通背面側 再者,上述導線埋入工程爲對上述板狀玻璃施加壓縮 應力的工程。 再者,上述拉線工程係形成在上述基台之多數貫通孔 對應於形成在上述板狀玻璃之單獨的貫通孔,使多數導線 貫通於上述板狀玻璃之單獨的貫通孔而在上述兩片基台之 201214633 間拉引導線。 再者,在上述鑄錠形成工程中,使從較上述玻璃基板 之變形點高5 0 °C之溫度冷卻至較變形點低5 0 °C之溫度爲 止之冷卻速度,較冷卻至上述玻璃基板之變形點高5〇t之 溫度爲止之冷卻速度慢。 再者,上述導線之熱膨脹率爲與上述玻璃相同程度。 藉由本發明之電子零件之製造方法係根據上述中任一 所記載之玻璃基板之製造方法而形成玻璃基板,在上述玻 璃基板形成電極而成爲基座基板之基座基板形成工程,和 將電子零件安裝於上述基座基板之安裝工程,和在安裝有 上述電子零件之基座基板接合蓋基板之接合工程。 [發明效果] 本發明之玻璃基板之製造方法具備:玻璃貫通孔形成 工程,其係在板狀玻璃上形成多數貫通孔:基台貫通孔形 成工程,其係在兩片基台形成多數貫通孔;拉線工程,其 係在兩片基台之間夾持板狀玻璃,進行基台之多數貫通孔 和板狀玻璃之多數貫通孔之定位,使由導體所構成之導線 貫通於多數貫通孔而在兩片基台之間拉引導線;導線埋入 工程,其係將扳狀玻璃加熱至較其軟化點高之溫度,而將 基台間之導線埋入玻璃;鑄錠形成工程,其係冷卻玻璃, 形成埋入有導線的玻璃鑄錠;切斷工程,其係將該鑄錠予 以切片而形成玻璃板;及硏磨工程,其係硏磨該玻璃板, 使導線露出於表面和背面而成爲貫通電極。依此,因藉由 -9- 201214633 玻璃之流動而施加至導線之壓力小,故可以以高精度控制 導線之位置,並且將玻璃熔塊於冷卻後予以切片,故可以 形成不會有翹曲且氣密性高之附有貫通電極之玻璃基板。
式 方 施 實 rL 第1圖爲表示與本發明有關之附有貫通電極之玻璃基 板的製造方法的工程圖,表示本發明之基本構成。首先, 在玻璃貫通孔形成工程S1中,在板狀玻璃形成多數貫通 孔。再者,在基台貫通孔形成工程S2中,於兩片基台形 成多數貫通孔。就以玻璃而言,可以使用鈉鈣玻璃、硼矽 酸玻璃、鉛玻璃等。就以基台之材料而言,使用碳或陶瓷 之耐熱性材料。藉由切削加工、噴砂或模具成形等可以對 玻璃形成貫通孔。再者,藉由對基台進行切削加工,再者 模具成形未處理片而形成貫通孔,燒結此而成爲貫通孔。 接著,在拉線工程S3中,在形成有貫通孔之兩片基 台間夾持形成有貫通孔之板狀玻璃,使基台之貫通孔和板 狀玻璃之貫通孔位置對準,而使由導體所構成之導線貫通 至該些貫通孔而在兩片基台間拉引導線。例如,在導線之 —端設置台座,使該台座卡止於一方之基台,在導線之另 一端設置卡止部,使該卡止部卡止於另一方之基台,施加 應力使兩個基台間隔開而可以對導線賦予張力。導線係可 以使用Ni-Fe合金,例如42合金或科伐鐵鎳鈷(kovar)合 金。若使用該些合金時,則可以使熱膨脹係數近似於玻璃 ,並可以降低相對於熱變化使得玻璃和導線間的界面惡化 -10- 201214633 之情形。 接著,在導線埋入工程S4中,將板狀玻璃加熱至較 其軟化點高之溫度而使流動,並將基台間之導線埋入至玻 璃。於在基台間疊層多數板狀玻璃之時,使板狀玻璃彼此 熔接。此時,加熱至例如900°C以上之溫度。接著,在鑄 錠形成工程S5中,冷卻玻璃形成埋入導線之玻璃鑄錠。 接著,在切斷工程S6中,使用鋼絲鋸等之切片機將玻璃 鑄錠切斷成輪狀。接著,在切削工程S7中,硏削及硏磨 切片之玻璃板之兩面而使導線之剖面露出於玻璃板之兩面 ,成爲附有貫通電極之玻璃基板。 如此一來,因在導線通過設置有貫通孔之板狀玻璃之 貫通孔之狀態下使玻璃軟化 '流動,故可以在短時間將導 線埋入於玻璃。再者,因於冷卻玻璃鑄錠之後切斷,故可 以取得不會翹曲之附有貫通電極之玻璃基板。再者,若將 板狀玻璃設爲多層時,則可以在短時間同時製造大的玻璃 鑄錠之多數的玻璃基板。 並且,玻璃貫通孔形成工程S1可以具備使用例如成 形模具在板狀玻璃形成凹部之凹部形成工程,和硏削與形 成該凹部之表面相反側之背面而使凹部貫通於背面側之硏 削工程。若藉由該方法時,因可以同時形成多數貫通孔, 故適合於製造多個取出用之附有貫通電極之玻璃基板。 再者,在導線埋入工程S4中,藉由對板狀玻璃施加 壓縮應力,可以促進軟化之玻璃之流動。再者,可以在真 空中進行導線埋入工程S4。尤其,於在兩片之基板間多 -11 - 201214633 數疊層板狀玻璃之時,則可以防止氣泡被取入玻璃內部之 情形。 再者,拉線工程S3係使形成在基台之多數貫通孔對 應於形成在板狀玻璃之單獨之貫通孔,可以在多數導線貫 通於板狀玻璃之單獨之貫通孔而予以拉引。依此’減少形 成在玻璃之貫通孔之數量,基台和板狀玻璃間之定位或導 線之貫通作業成變得容易。 再者,在鑄錠形成工程S5中,可以使從較上述玻璃 基板之變形點高50°C溫度冷卻至較變形點低50°C之溫度 爲止之冷卻速度,較冷卻至玻璃基板之變形點高50°C之溫 度爲止之冷卻速度慢。依此,可以減少殘留於玻璃基板之 變形,防止在導線和玻璃基板之間產生之間隙或裂紋,形 成氣密性高之貫通電極。再者,若將導線之熱膨脹率設成 與玻璃相同程度時,則可以降低由於熱膨脹差導致之殘留 應力,並防止在貫通電極和玻璃間產生間隙或裂紋。以下 ,針對本發明使用圖面予以詳細說明。 (第一實施形態) 第2圖〜第7圖爲用以說明本發明之第一實施形態的 圖示。第2圖爲表示在板狀玻璃形成多數貫通孔之玻璃貫 通孔形成工程S1之一例的說明圖。第3圖係在上基台U 和下基台lb之間疊層多數之板狀玻璃,表示在貫通孔安 裝導線2之狀態,第4圖表示對安裝之導線2賦予張力的 樣子,任一者皆爲用以說明拉線工程S 3之圖示。 -12- 201214633 首先,在玻璃貫通孔形成工程S1中’在板狀玻璃貫 穿設置有用以形成多數貫通電極之貫通孔。使用鈉鈣玻璃 以當作玻璃。貫通孔係可以藉由噴砂或鑽頭硏削來形成。 第2圖係表示使用成形模具而形成貫通孔之方法。首先’ 如第2圖(a)所示般,準備板狀玻璃3 0(玻璃準備工程)。接 著,如第2圖(b)所示般,在下模31設置板狀玻璃30’在 板狀玻璃30上載置加壓用之上模32(凹部形成工程下 模31之表面具備有貫通孔形成用之凸部。該凸部係爲了 提升離型性,設爲側面傾斜之圓錐台之形狀。將板狀玻璃 30加熱至其軟化點以上之溫度,同時將上模32加壓至下 方。在此,上下模32、31係使用碳材料。碳材料對玻璃 材料之離型性佳,並且可以吸收從玻璃材料釋放出之氣泡 ,降低殘留在玻璃材料之氣孔之氣孔率之故。 接著,予以冷卻,從上下模32、31取出板狀玻璃30( 凹部形成工程)。如第2(c)所示般,在板狀玻璃30轉印下 模31之表面形狀而形成凹部33。接著,如第2圖(d)所示 般,硏削與凹部33相反側之背面而形成貫通孔13a(硏削 工程)。貫通孔13a之縱剖面具有圓錐台之形狀。第2圖 (e)爲由形成有多數貫通孔13a之板狀玻璃30所構成之玻 璃晶圓之外觀圖。 接著,在基台貫通孔形成工程S2中,於上基台la和 下基台lb形成多數貫通孔。多數貫通孔係形成在與形成 在板狀玻璃30之貫通孔13a相同之位置。上下基台la、 lb使用碳。上下基台la、lb係在形成在板狀玻璃30之貫 -13- 201214633 通孔13a相同之位置具有貫通孔。如第3圖所示般,在上 基台la和下基台lb之間疊層多數板狀玻璃30而與以夾 持,使由導體所構成之導線2貫通,在上基台la之上面 及下基台lb之下面卡止導線2。 然後,如第4圖所示般,多數導線2係在上基台la 之上面藉由設置在導線2之一端的台座2a卡止於上基台 la,並在下基台lb之背面藉由設置於導線2之另一端之 卡止部14卡止於下基台lb。然後,拉引多數導線2之上 下基台la、lb之兩端或在四方安裝上張力施加構件3a及 下張力施加構件3b,藉彈簧構件4施加應力T使上下間 分開。依此,可以對上下基台1 a、1 b間之多數導線2賦 予張力。上張力施加構件3a及下張力施加構件3b可以使 用碳材料或陶瓷材料。導線2係可以使用Fe-Ni合金,例 如42合金或科伐鐵鎳鈷(k〇var)合金。若使用該些合金時 ,則可以使熱膨脹係數近似於玻璃,並可以降低相對於熱 變化使得玻璃和導線間的界面惡化之情形。導線2之直徑 爲0.05mm〜1mm,將導線2間之最短距離設爲0.5mm〜 2mm,將上基台la及下基台lb之直徑設爲1吋〜4吋。 上下基台la、lb使用碳。並且,上下基台la、lb爲四角 形亦可即使爲多角形亦可。 第5圖爲表示將上下基台la、lb或上下張力施加構 件3a、3b投入至容器6之狀態的導線埋入工程S4之說明 圖。將導線2、上下基台la、lb及上下張力施加構件3a 、3b收納於耐熱性之容器6。接著,每容器6加熱至玻璃 -14- 201214633 軟化點以上,例如9 Ο 0 °C以上而使玻璃軟化,且使流動而 熔接多數板狀玻璃30彼此或導線2和玻璃。 可以在容器6內又投入玻璃5而以玻璃5塡滿上下張 力施加構件3a、3b或上下基台la、lb之周圍,對蓋體7 施加壓力P而促進玻璃5之流動。再者,可以將容器6內 抽真空,以取代將玻璃5投入至容器6內,而可以防止殘 留在形成在板狀玻璃30間或板狀玻璃30之貫通孔13a之 空氣被取入玻璃內。並且,即使在第5圖中,藉由上下基 台構成耐熱性之容器及其蓋體,在上下基台間夾持板狀玻 璃30且拉引多數導線而施予熱處理來取代使用耐熱性之 容器6亦可。依此,可以刪減玻璃或容器之消耗量》 第6圖爲用以說明鑄錠形成工程S5及切斷工程S6之 圖示。冷卻容器6及玻璃5,從容器6.取出上下張力施加 構件3a、3b及上下基台la、lb,除去上下張力施加構件 3 a、3b而取得玻璃鑄錠。使用鑽石輪劃片機或鋼絲鋸將玻 璃鑄錠8切成輪狀,取得玻璃板9。因於冷卻玻璃鑄錠8 之後切斷,故切斷後之玻璃板9翹曲小。接著,在切削工 程S7中,硏削及硏磨玻璃板9之兩面而取得埋入有貫通 電極10之玻璃基板11。可以形成使貫通電極1〇之表面和 玻璃5之表面成爲平頂的平坦性之良好玻璃基板11。 並且,在鑄錠形成工程S5中,可以使從較上述玻璃 基板之變形點高5〇°C之溫度冷卻至較變形點低5〇°C之溫 度爲止之冷卻速度,較冷卻至玻璃基板之變形點高50°C之 溫度爲止之冷卻速度慢。依此’可以減少殘留於玻璃基板 -15- 201214633 之變形,防止在導線2和玻璃基板9之間產生之間隙或裂 紋,形成氣密性高之貫通電極。 第7圖(a)爲玻璃基板1 1之縱剖面模式圖,(b)爲玻璃 基板Π之上面模式圖。因貫通電極10和玻璃5熔接,故 密封性優良。因玻璃基板11之表面之翹曲少,故可以以 短時間進行硏削及硏磨,玻璃之硏削量也更少。如第7圖 (b)所示般,具有兩個貫通電極10,同時形成多數藉由切 斷線1 2區劃之單位單元。 並且,在上述第一實施形態中,雖然以形成在上下基 台la、lb之貫通孔13b和形成在板狀玻璃30之貫通孔 13a —對一對應而使導線2通過,但本發明並不限定於此 。第8圖係表示在上下基台la、lb之間疊層夾持多數板 狀玻璃30,使導線2通過各貫通孔13,並使導線2卡止 於上下基台la、lb之狀態。形成在各板狀玻璃30之一個 貫通孔13a對應於形成於上基台la及下基台lb之各個的 兩個貫通孔13b。因此,藉由導線2通過形成於上下基台 la、lb之各貫通孔13b,使兩條導線2通過形成於各板狀 玻璃30之一個貫通孔13a。藉由在該狀態下使板狀玻璃 3〇軟化而使玻璃流動,可以形成氣密性高之貫通電極10 。並且,在導線2之一端設置直徑大於貫通孔13b之直徑 的台座2a,在另一端設置直徑大於貫通孔13b之直徑的卡 止部14而構成可對導線2賦予張力。再者,板狀玻璃30 之貫通孔13a係可以放大成使多數導線2通過。 -16- 201214633 (第二實施形態) 第9圖〜第12圖係用以說明與本發明之第二實施形 態有關之玻璃基板之製造方法的圖示,具體表示拉線工程 S3。首先,在基台貫通孔形成工程S2中,於平板狀之上 基台la和凹形狀之下基台lb形成貫通孔13b"基台貫通 孔形成工程S2及拉線工程S3以外之工程因與第一實施形 態相同,故省略說明。 第9圖爲表示在形成有多數貫通孔13b之平板狀之上 基台la和凹形狀之下基台lb之間疊層形成有多數貫通孔 13a之多數板狀玻璃30的狀態。在下基台lb之圓筒上面 設置圓筒之形狀爲相同之圓筒體34而作爲板狀玻璃30及 上基台la之導引。圓筒體34係設置成高於上基台la許 多。進行形成於上下基台la、lb之貫通孔13b和形成於 板狀玻璃30之貫通孔13a之定位而予以固定。作爲上下 基台la、lb及圓筒體34可以使用碳材料或陶瓷材料。貫 通孔13b可以使用鑽頭硏削等予以貫穿設置。再者,事先 在未處理片形成貫通孔,並可以將此予以燒結使成爲附有 貫通孔之基台。並且,雖然將上下基台la、lb設爲圓盤 或圓筒狀,但是並不限定於此,即使設爲矩形狀亦可。 第1〇圖爲表示在上下基台la、lb之間疊層夾持多數 板狀玻璃30,且安裝導線2之導線安裝工程。首先,準備 在一端設置直徑大於導線2之直徑的台座2a,將另一端削 尖成針狀的導線2。台座2a係大於設置在上下基台la、 lb之貫通孔13之直徑,導線2形成較貫通孔13之直徑稍 -17- 201214633 微小。接著,使設置有上述台座2a之多數導線2前端爲 尖之方向朝下而垂直投入至圓筒體34內之上基台la上。 然後,將下基台la載置於無圖示之振動產生機而對上下 左右賦予振動。依此,可以在短時間將導線2插入安裝於 上基台la之多數導通孔13b及定位於此之板狀玻璃30之 多數貫通孔13a。 第11圖表示在突出於下基台lb之下面側之導線2之 前端形成卡止部14的卡止部形成工程。台座2a之直徑因 大於貫通孔13,故作爲落下制動器而發揮功能。然後,使 從下基台lb之下面突出之導線2之前端部溶解,形成直 徑大於貫通孔l3b之直徑的卡止部14。依此,可以將應力 T施加於使上基台la和下基台lb變寬之方向而對多數導 線2賦予張力。並且,因卡止部14若卡止於下基台11?即 可’故即使將從下基台lb突出至下面側之導線2捆成束 或是彎曲而使不會從下基台lb內側脫離,來取代熔融導 線2之前端亦可。 第12圖係表不對導線2賦予張力之張力賦予工程。 首先’去除圓筒體34而設置張力附加構件3。即是,張力 附加構件3係固定上基台la之外周部,形成可收納下基 台lb之圓筒上端部。在該收納部24組裝彈簧構件4而彈 推至使下基台lb和上基台ia間隔開之方向。並且,在張 力附加構件3之上基台la附近之側面形成開口部,構成 可在藉由上基台la、下基台lb&張力附加構件3所構成 之內部空間塡充熔融玻璃,或是構成可對內部空間抽真空 -18- 201214633 。依此,可以防止氣泡混入至玻璃內部》 (第三實施形態) 第13圖爲表示與本發明之第三實施形態有關之電子 零件之製造方法的工程圖。表示使用壓電振動子作爲安裝 於玻璃基板之電子零件之例。第14圖爲表示在形成有貫 通電極10之玻璃基板11安裝壓電振動片18之狀態的剖 面模式圖,第15圖爲完成之壓電振動子20之剖面模式圖 。本第三實施形態具備基座基板形成工程S40、蓋基板形 成工程S20以及壓電振動片作成工程S30。以下,依序予 以說明。 首先,在玻璃材料等準備工程S0中,準備用以形成 玻璃基板11之玻璃和用以形成貫通電極10之導線2等。 在玻璃貫通孔形成工程S1中,在板狀玻璃形成多數貫通 孔l3a。再者,在基台貫通孔形成工程S2中,於兩片基台 la、lb形成多數貫通孔13b。接著,在拉線工程S3中, 於上基台la及下基台lb之間疊層夾持板狀玻璃30,進行 上下基台la、lb之多數貫通孔13b和板狀玻璃30之多數 貫通孔13a之定位,使由導體所構成之導線2貫通於多數 貫通孔13而在上下基台la、lb之間拉引導線2。接著, 在導線埋入工程S4中,將板狀玻璃30加熱至其軟化點以 上之溫度,而將上下基台la、lb間之導線2埋入至板狀 玻璃30。接著,在鑄錠形成工程S5中,冷卻玻璃而取出 取出埋入導線2之玻璃鑄錠8。接著,在切斷工程S6中 -19- 201214633 ,將上述玻璃鑄錠8切成輪狀而形成玻璃板9。接著,在 切削工程S7中,硏削切出之玻璃板9之兩面而使導線2 露出於其表面和背面而使成爲貫通電極10。以上爲玻璃基 板形成工程S41。 接著,在接合膜形成工程S42中,在成爲玻璃基板 11之周圍的區域堆積用以執行陽極接合之接合膜。作爲接 合膜係堆積鋁。接著,在引繞電極形成工程S43中,從一 方之貫通電極10之上面沿著玻璃基板11之外周部形成引 繞電極16而當作基座基板23。引繞電極16、16’係藉由 濺鍍法堆積Au/Cr膜,並藉由光微影及蝕刻處理予以圖案 製作而形成。再者,引繞電極16、16’係可以藉由印刷法 等取代濺鍍法來形成。以上爲基座基板形成工程S40。 接著,說明蓋基板形成工程S20。蓋基板19爲了縮 小與基座基板23接合之時之熱膨脹差,以使用與基座基 板23相同之材料爲佳。使用鈉鈣玻璃當作基座基板23之 時,蓋基板19也同樣使用鈉鈣玻璃材料。首先,在硏磨 、洗淨、蝕刻工程S21中,硏磨玻璃基板,對玻璃基板施 予蝕刻處理而除去、洗淨最表面之加工變質層。 接著,在凹部形成工程S22中,藉由模具成形而形成 凹部22。凹部22係在具有凸部之承受模和凹部之加壓模 之間夾持玻璃基板,加熱至玻璃之軟化點以上並予以按壓 而成形。成形用模具係以從碳材料形成爲佳。由於相對於 玻璃離型性佳,氣泡之吸收性優之故。接著,在硏磨工程 S23中,將與基座基板23接合之接合面硏磨成平坦面。 -20- 201214633 依此,可以提升與基座基板23接合之時之密閉性。 接著,在壓電振動片作成工程S30中,準備由水晶板 所構成之壓電振動片18»在壓電動片18之兩表面形成互 相電性分離之勵振電極,並與形成在壓電振動片18之一 端之表面之端子電極電性連接。接著,在安裝工程S11中 ,在基座基板23之貫通電極10和引繞電極16’之端部或 壓電振動片18之端子電極形成導電性黏接材17,例如金 凸塊。藉由該導電性黏接材17將壓電振動片18安裝成懸 臂梁狀。依此,形成在壓電振動片18之兩面之勵振電極 係互相電性分離而與兩個貫通電極10導通。 接著,在頻率調整工程S12中,將壓電振動片18之 振動頻率調整至特定頻率。接著,在重疊工程S13中,在 基座基板23上設置蓋基板19並經接合材21而重疊。接 著,在接合工程S14中,加熱重疊之基座基板23和蓋基 板19,並對基座基板23和蓋基板19間施加高電壓而予以 陽極接合。接著,在外部電極形成工程S15中,在基座基 板23之外面形成電性連接貫通電極10之各個之外部電極 15。接著,在切斷工程S16中,沿著切斷線而予以分離切 斷,而取得各個壓電振動子20。 如此一來,在上下基台la、lb間夾持板狀玻璃30而 拉引多數導線2,加熱至玻璃之軟化點以上之溫度而融合 板狀玻璃30彼此或板狀玻璃30和導線2,冷卻而形成鑄 錠8’切片該玻璃鑄錠8,硏磨而製作之玻璃基板n因可 以形成氣密性優之高位置精度之貫通電極10,並且平坦性 -21 - 201214633 優,故可以保基座基板23和蓋基板19間之氣密性。依此 ,可以提供信賴性高之壓電振動子20。並且,在上實施形 態中,即使在玻璃基板形成工程S40中先形成在外部電極 形成工程S15中所形成之外部電極15亦可。再者,頻率 調整工程S12即使在切斷工程S16之後執行亦可。 第1 6圖係組裝藉由在上述第三實施形態中說明之製 造方法所製造之壓電振動子20之振盪器40之上面模式圖 。如第16圖所示般,振盪器40具備基板43、設置在該基 板上之壓電振動子20、積體電路41及電子零件42。壓電 振動子20係根據供給至外部電極6、7之驅動訊號而生成 一定頻率之訊號,積體電路41及電子零件42係處理自壓 電振動子20供給之一定頻率之訊號,而生成時脈訊號等之 基準訊號。與本發明有關之壓電振動子20因可以形成高信 賴性且小型,故可以將振盪器40之全體構成更小型。 【圖式簡單說明】 第1圖爲表示與本發明之實施形態有關之玻璃基板之 製造方法的工程圖。 第2圖爲用以說明與本發明之實施形態有關之玻璃基 板之製造方法的圖示,表示玻璃貫通孔形成工程。 第3圖爲用以說明與本發明之實施形態有關之玻璃基 板之製造方法的圖示’在上下基台間夾持板狀玻璃,並表 示導線通過之狀態。 第4圖爲用以說明與本發明之實施形態有關之玻璃基板 -22- 201214633 之製造方法的圖示,表示對安裝的導線賦予張力之狀態。 第5圖爲用以說明與本發明之實施形態有關之玻璃基板 之製造方法的圖示,表示在容器收納拉引導線之板狀玻璃。 第6圖爲用以說明與本發明之實施形態有關之玻璃基 板之製造方法的圖示,表示切斷形成的鑄錠之狀態。 第7圖爲用以說明與本發明之實施形態有關之玻璃基 板之製造方法的圖示,表示玻璃基板之狀態。 第8圖爲用以說明與本發明之實施形態有關之玻璃基 板之製造方法的圖示,表示玻璃貫通孔形成工程》 第9圖爲用以說明與本發明之實施形態有關之玻璃基 板之製造方法的圖示,表示拉線工程。 第1〇圖爲用以說明與本發明之實施形態有關之玻璃 基板之製造方法的圖示,表示拉線工程。 第11圖爲用以說明與本發明之實施形態有關之玻璃 基板之製造方法的圖示,表示拉線工程。 第1 2圖爲用以說明與本發明之實施形態有關之玻璃 基板之製造方法的圖示,表示拉線工程。 第圖爲表示與本發明之實施形態有關之電子零件 之製造方法的工程圖* 第14圖爲表示與本發明之實施形態有關之電子零件 之製造方法,表示安裝壓電振動片之狀態的剖面模式圖。 第15圖爲表示與本發明之實施形態有關之電子零件 之製造方法,爲完成之壓電振動子之剖面模式圖。 第16圖爲組裝藉由與本發明之實施形態有關之電子零 -23- 201214633 件之製造方法所製造出之壓電振動子之發訊器之上視圖》 第圖爲表示在以往之眾知的玻璃板形成貫通孔, 打入插銷之方法。 第18圖爲表示藉由以往眾知之擠壓成形方法成形玻 璃板之狀態。 【主要元件符號說明】 1 a :上基台 lb :下基台 2 :導線 3 :張力附加構件 4 :彈簧構件 5 :玻璃 6 :容器 7 :蓋 8 :玻璃鑄錠 9 :玻璃板 I 〇 :貫通電極 II :玻璃基板 12 :切斷線 18 :壓電振動片 1 9 :蓋基板 20 :壓電振動子 3 0 :板狀玻璃 -24-

Claims (1)

  1. 201214633 七、申請專利範圍: 1.—種附有貫通電極之玻璃基板之製造方法,其特徵 爲具備: 玻璃貫通孔形成工程,其係在板狀玻璃形成多數貫通 孔: 基台貫通孔形成工程,其係在兩片基台形成多數貫通 孔: 拉線工程,其係在上述兩片基台之間夾持上述板狀玻 璃,進行上述基台之多數貫通孔和上述板狀玻璃之多數貫 通孔之定位,使由導體所構成之導線貫通於上述多數貫通 孔而在上述兩片基台之間拉引導線; 導線埋入工程,其係將上述板狀玻璃加熱至較其軟化 點高之溫度,而將上述基台間之導線埋入上述玻璃; 鑄錠形成工程,其係冷卻上述玻璃,形成埋入有導線 的玻璃鑄錠; 切斷工程,其係將上述鑄錠予以切片而形成玻璃板; 及 硏磨工程,其係硏磨上述玻璃板,使導線露出於表面 和背面而成爲貫通電極。 2.如申請專利範圍第1項所記載之玻璃基板之製造方 法,其中 上述玻璃貫通孔形成工程具備:凹部形成工程,其係 在板狀玻璃形成凹部:和 硏削工程,其係硏削與形成該凹部之表面相反側之背 -25- 201214633 面,而使上述凹部貫通於背面側。 3. 如申請專利範圍第1或2項所記載之玻璃基板之製 造方法,其中 上述導線埋入工程爲對上述板狀玻璃施加壓縮應力的 工程。 4. 如申請專利範圍第1〜3項中之任一項所記載之玻 璃基板之製造方法,其中 上述拉線工程係形成在上述基台之多數貫通孔對應於 形成在上述板狀玻璃之單獨的貫通孔,使多數導線貫通於 上述板狀玻璃之單獨的貫通孔而在上述兩片基台之間拉引 導線。 5. 如申請專利範圍第1至4項中之任一項所記載之玻 璃基板之製造方法,其中 在上述鑄錠形成工程中, 使較上述玻璃基板之變形點高50°C之溫度冷卻至較上 述玻璃基板之變形點低5 0 °C之溫度爲止的冷卻速度,較冷 卻至上述玻璃基板之變形點高50°C之溫度爲止的冷卻速度 慢。 6. 如申請專利範圍第1至5項中之任一項所記載之玻 璃基板之製造方法,其中 上述導線之熱膨脹率與上述玻璃爲相同程度。 7. —種電子零件之製造方法,其特徵爲具備: 基座基板形成工程,其係根據如申請專利範圍第1至 6項中之任一項所記載之玻璃基板之製造方法形成玻璃基 -26- 201214633 板,於上述玻璃基板形成電極而成爲基座基板; 安裝工程,其係在上述基座基板安裝電子零件;及 接合工程,其係在安裝有上述電子零件之基座基板接 合蓋基板。 -27-
TW100122618A 2010-07-08 2011-06-28 Method for producing glass substrate and method for producing electronic part TW201214633A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010156173A JP2012019108A (ja) 2010-07-08 2010-07-08 ガラス基板の製造方法及び電子部品の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201214633A true TW201214633A (en) 2012-04-01

Family

ID=44514496

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100122618A TW201214633A (en) 2010-07-08 2011-06-28 Method for producing glass substrate and method for producing electronic part

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8656736B2 (zh)
EP (1) EP2405473A3 (zh)
JP (1) JP2012019108A (zh)
KR (1) KR20120005395A (zh)
CN (1) CN102332884A (zh)
TW (1) TW201214633A (zh)

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012019108A (ja) * 2010-07-08 2012-01-26 Seiko Instruments Inc ガラス基板の製造方法及び電子部品の製造方法
JP5466102B2 (ja) * 2010-07-08 2014-04-09 セイコーインスツル株式会社 貫通電極付きガラス基板の製造方法及び電子部品の製造方法
JP5511557B2 (ja) * 2010-07-08 2014-06-04 セイコーインスツル株式会社 ガラス基板の製造方法及び電子部品の製造方法
DE102011009865B4 (de) 2011-01-31 2012-09-20 Heraeus Precious Metals Gmbh & Co. Kg Kopfteil für eine medizinisch implantierbare Vorrichtung
DE102011009858B8 (de) 2011-01-31 2013-11-07 Heraeus Precious Metals Gmbh & Co. Kg Cermethaltige Durchführung für eine medizinisch inplantierbare Vorrichtung mit Verbindungsschicht
DE102011009867B4 (de) 2011-01-31 2013-09-05 Heraeus Precious Metals Gmbh & Co. Kg Keramikdurchführung für eine medizinisch implantierbare Vorrichtung
DE102011009855B8 (de) 2011-01-31 2013-01-03 Heraeus Precious Metals Gmbh & Co. Kg Keramikdurchführung mit induktivem Filter
DE102011009861B4 (de) * 2011-01-31 2012-09-20 Heraeus Precious Metals Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung einer cermethaltigen Durchführung
DE102011009856B8 (de) 2011-01-31 2012-12-27 W.C. Heraeus Gmbh Elektrische Durchführung und Verfahren zur Herstellung einer cermethaltigen Durchführung für eine medizinisch implantierbare Vorrichtung
DE102011009860B4 (de) 2011-01-31 2013-03-07 Heraeus Precious Metals Gmbh & Co. Kg Implantierbare Vorrichtung mit integrierter Keramikdurchführung
DE102011009859B4 (de) 2011-01-31 2012-09-20 Heraeus Precious Metals Gmbh & Co. Kg Keramikdurchführung mit Filter
DE102011009857B8 (de) 2011-01-31 2013-01-17 Heraeus Precious Metals Gmbh & Co. Kg Elektrische Durchführung mit cermethaltigem Verbindungselement für eine aktive, implantierbare, medizinische Vorrichtung
DE102011009862B4 (de) 2011-01-31 2012-11-08 Heraeus Precious Metals Gmbh & Co. Kg Cermethaltige Durchführung mit Halteelement für eine medizinisch implantierbare Vorrichtung
DE102011119125B4 (de) 2011-11-23 2014-01-23 Heraeus Precious Metals Gmbh & Co. Kg Kontaktierungsanordnung mit Durchführung und Filterstruktur
CN102820262A (zh) * 2012-09-05 2012-12-12 江苏物联网研究发展中心 一种玻璃通孔的制作及互连的方法
US9478959B2 (en) 2013-03-14 2016-10-25 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Laser welding a feedthrough
US9431801B2 (en) 2013-05-24 2016-08-30 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Method of coupling a feedthrough assembly for an implantable medical device
US9403023B2 (en) 2013-08-07 2016-08-02 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Method of forming feedthrough with integrated brazeless ferrule
US9610451B2 (en) 2013-12-12 2017-04-04 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Direct integration of feedthrough to implantable medical device housing using a gold alloy
US9504841B2 (en) 2013-12-12 2016-11-29 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Direct integration of feedthrough to implantable medical device housing with ultrasonic welding
US9610452B2 (en) 2013-12-12 2017-04-04 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Direct integration of feedthrough to implantable medical device housing by sintering
CN103943605B (zh) * 2014-03-31 2017-02-15 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 基于超薄玻璃的封装结构及方法
WO2016145539A1 (en) * 2015-03-18 2016-09-22 The Royal Institution For The Advancement Of Learning/Mcgill University Electrochemical flow cell and ultramicroelectrode
US20170005259A1 (en) * 2015-07-03 2017-01-05 Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. Piezoelectric device and base
JP2018106057A (ja) 2016-12-27 2018-07-05 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及び単位レジスタ回路
EP3900783B1 (en) 2020-02-21 2023-08-16 Heraeus Medical Components, LLC Ferrule for non-planar medical device housing
EP3900782B1 (en) 2020-02-21 2023-08-09 Heraeus Medical Components, LLC Ferrule with strain relief spacer for implantable medical device
CN113277748A (zh) * 2021-07-07 2021-08-20 泰极微(成都)技术发展有限公司 一种玻璃封装金属针的方法及玻璃封装产品

Family Cites Families (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2219574A (en) * 1936-06-01 1940-10-29 Hygrade Sylvania Corp Composite glass-metal article
US2287598A (en) * 1937-12-28 1942-06-23 Polaroid Corp Method of manufacturing lightpolarizing bodies
US3193907A (en) * 1960-03-22 1965-07-13 Litton Prec Products Inc High speed cathode-ray direct writing tube
US3305334A (en) * 1960-03-22 1967-02-21 Litton Prec Products Inc Method of making a glass sheet having a plurality of spaced wires therein
US3999004A (en) * 1974-09-27 1976-12-21 International Business Machines Corporation Multilayer ceramic substrate structure
US4209481A (en) * 1976-04-19 1980-06-24 Toray Industries, Inc. Process for producing an anisotropically electroconductive sheet
US5272283A (en) * 1982-07-27 1993-12-21 Commonwealth Of Australia Feedthrough assembly for cochlear prosthetic package
US4717433A (en) * 1983-03-07 1988-01-05 Rockwell International Corporation Method of cooling a heated workpiece utilizing a fluidized bed
JP2536676B2 (ja) * 1990-07-30 1996-09-18 日本電気株式会社 マイクロピン集合体及びその製造方法
US6014873A (en) * 1990-09-26 2000-01-18 Asahi Glass Company Ltd. Process for bend-shaping a glass plate and an apparatus for bend-shaping the glass plate
JP2789501B2 (ja) * 1991-02-21 1998-08-20 信越石英株式会社 光学用シリカガラスの製造方法
US5515604A (en) * 1992-10-07 1996-05-14 Fujitsu Limited Methods for making high-density/long-via laminated connectors
JP3221473B2 (ja) * 1994-02-03 2001-10-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JPH07245482A (ja) * 1994-03-03 1995-09-19 Shinko Electric Ind Co Ltd セラミック回路基板及びその製造方法
JPH07267664A (ja) * 1994-03-23 1995-10-17 Asahi Glass Co Ltd 熱処理ガラス製造時の吹出流体温度及び圧力制御法
JP3483012B2 (ja) * 1994-07-01 2004-01-06 新光電気工業株式会社 セラミック基板製造用焼結体、セラミック基板およびその製造方法
JP3442895B2 (ja) * 1994-07-04 2003-09-02 新光電気工業株式会社 基板製造用焼成体、基板およびその製造方法
US5817984A (en) * 1995-07-28 1998-10-06 Medtronic Inc Implantable medical device wtih multi-pin feedthrough
US5795218A (en) * 1996-09-30 1998-08-18 Micron Technology, Inc. Polishing pad with elongated microcolumns
JPH10190190A (ja) * 1996-10-31 1998-07-21 Hoya Corp 基板およびその製造方法
TW452826B (en) * 1997-07-31 2001-09-01 Toshiba Ceramics Co Carbon heater
US20030129654A1 (en) * 1999-04-15 2003-07-10 Ilya Ravkin Coded particles for multiplexed analysis of biological samples
JP2000302488A (ja) * 1999-04-23 2000-10-31 Seiko Epson Corp ガラスの微細穴加工方法
US6174175B1 (en) * 1999-04-29 2001-01-16 International Business Machines Corporation High density Z-axis connector
JP2001053191A (ja) * 1999-08-05 2001-02-23 Fujitsu Ltd 電極突起を導出した基板及びその製造方法
US6329631B1 (en) * 1999-09-07 2001-12-11 Ray Yueh Solder strip exclusively for semiconductor packaging
JP2001177011A (ja) * 1999-10-05 2001-06-29 Fujitsu Ltd 実装基板の製造方法及びそれにより製造された実装基板
JP2001160678A (ja) 1999-12-01 2001-06-12 Hoya Corp 表裏導通基板の製造方法及び半導体実装基板の製造方法
JP2002121037A (ja) 2000-08-07 2002-04-23 Nippon Sheet Glass Co Ltd 電子部品パッケージ用多数個取りガラス板の製造方法
JP2002124845A (ja) 2000-08-07 2002-04-26 Nippon Sheet Glass Co Ltd 水晶振動子パッケージ及びその製造方法
US7375887B2 (en) * 2001-03-27 2008-05-20 Moxtek, Inc. Method and apparatus for correcting a visible light beam using a wire-grid polarizer
US7480988B2 (en) * 2001-03-30 2009-01-27 Second Sight Medical Products, Inc. Method and apparatus for providing hermetic electrical feedthrough
US6821625B2 (en) * 2001-09-27 2004-11-23 International Business Machines Corporation Thermal spreader using thermal conduits
JP2003209198A (ja) 2001-11-09 2003-07-25 Nippon Sheet Glass Co Ltd 電子部品パッケージ
DE10215654A1 (de) 2002-04-09 2003-11-06 Infineon Technologies Ag Elektronisches Bauteil mit mindestens einem Halbleiterchip und Flip-Chip-Kontakten sowie Verfahren zu seiner Herstellung
TWI220162B (en) * 2002-11-29 2004-08-11 Ind Tech Res Inst Integrated compound nano probe card and method of making same
JP2005130371A (ja) * 2003-10-27 2005-05-19 Seiko Epson Corp 圧電デバイス用パッケージおよび圧電デバイス
KR100583138B1 (ko) * 2004-10-08 2006-05-23 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시장치
US7728260B2 (en) * 2005-06-07 2010-06-01 Johnson Steven X Warm window system
US8106853B2 (en) * 2005-12-12 2012-01-31 Nupix, LLC Wire-based flat panel displays
JP2007228443A (ja) * 2006-02-25 2007-09-06 Seiko Instruments Inc 電子部品及びその製造方法、圧電デバイス及びその製造方法、電波時計並びに電子機器
KR101232926B1 (ko) * 2006-10-13 2013-02-13 아사히 가라스 가부시키가이샤 유리 기판의 천공 가공 방법 및 상기 방법에 의해 제조된 플라즈마 디스플레이용 유리 기판
JP5216290B2 (ja) 2007-09-27 2013-06-19 日本電波工業株式会社 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法
US7912333B2 (en) * 2008-02-05 2011-03-22 Schlumberger Technology Corporation Dual conductor fiber optic cable
TW200952184A (en) * 2008-06-03 2009-12-16 Univ Nat Taiwan Structure of mixed type heterojunction thin film solar cells and its manufacturing method
JP2012019108A (ja) * 2010-07-08 2012-01-26 Seiko Instruments Inc ガラス基板の製造方法及び電子部品の製造方法
JP5511557B2 (ja) * 2010-07-08 2014-06-04 セイコーインスツル株式会社 ガラス基板の製造方法及び電子部品の製造方法
US20120138977A1 (en) * 2010-12-05 2012-06-07 Chia-Mao Li Annual packaging structure for led lamps

Also Published As

Publication number Publication date
US8656736B2 (en) 2014-02-25
JP2012019108A (ja) 2012-01-26
EP2405473A2 (en) 2012-01-11
US20120006060A1 (en) 2012-01-12
KR20120005395A (ko) 2012-01-16
EP2405473A3 (en) 2013-07-03
CN102332884A (zh) 2012-01-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201214633A (en) Method for producing glass substrate and method for producing electronic part
TWI513391B (zh) A method of manufacturing a glass substrate with a through electrode, and a method of manufacturing the same
KR20140095002A (ko) 전자 디바이스 및 전자 디바이스의 제조 방법
US20110193643A1 (en) Method of manufacturing package and method of manufacturing piezoelectric vibrator
TW201041197A (en) Piezoelectric oscillator
TWI539560B (zh) Package manufacturing method, piezoelectric vibrator and oscillator
KR101722268B1 (ko) 관통 전극을 갖는 글래스 기판의 제조 방법 및 전자 부품의 제조 방법
JP5123076B2 (ja) 圧電発振器の製造方法
KR101688664B1 (ko) 패키지의 제조 방법, 압전 진동자 및 발진기
JP5779030B2 (ja) 電子デバイス、発振器及び電子デバイスの製造方法
TW201225362A (en) Method for producing glass substrate and method for producing electronic part