TW201214633A - Method for producing glass substrate and method for producing electronic part - Google Patents
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- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 209
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 120
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 37
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 94
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 claims description 59
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 19
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 14
- 238000005491 wire drawing Methods 0.000 claims description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 8
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 5
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 4
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003271 Ni-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
- QXZUUHYBWMWJHK-UHFFFAOYSA-N [Co].[Ni] Chemical compound [Co].[Ni] QXZUUHYBWMWJHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 239000005340 laminated glass Substances 0.000 description 1
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000006060 molten glass Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000001568 sexual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
- H01L23/053—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body
- H01L23/055—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body the leads having a passage through the base
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4803—Insulating or insulated parts, e.g. mountings, containers, diamond heatsinks
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
- H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
- H01L23/15—Ceramic or glass substrates
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
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Description
201214633 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於在玻璃基板形成多數貫通電極之玻璃基 板之製造方法及使用此之電子零件之製造方法。 【先前技術】 近年來,使用行動電話或攜帶資訊終端機器之時刻源 或時序源使用利用水晶等之壓電振動子。壓電振動子所知 的有各式各樣,但是就其一而言,所知的有表面安裝型之 壓電振動子。就以該壓電振動子而言,所知的有以基座基 板和蓋基板上下夾著形成有壓電振動片之壓電基板而予以 接合的三層構造型。壓電振動件被收納在形成於基座基板 和蓋基板之間的空腔內。 再者,最近開發有兩層構造型之壓電振動子。該類型 係由直接接合基座基板和蓋基板之兩層構造型之封裝體所 構成,在構成於基座基板和蓋基板之間的空腔內收納有壓 電振動片。兩層構造型之壓電元件比起三層構造型在可以 謀求薄型化等之點上較優。 在專利文獻1及專利文獻2記載有兩層構造型之水晶 振動子封裝體。就以基座基板或蓋基板之封裝體材料而言 ,使用玻璃。因使用玻璃,故比起使用陶瓷之時容易成形 ,可以降低製造成本。再者,玻璃材料因熱傳導率小,故 絕熱性優,可以保護內部之壓電振動子溫度變化。 在專利文獻3記載有與上述相同之兩層構造型之水晶 -5- 201214633 振動子封裝體。此時,記載有基座基板使用玻璃,在該基 座基板形成使用金屬材料之貫通電極之方法。於在玻璃形 成貫通電極之時,首先在玻璃板上形成有貫通孔》第17 圖表示在玻璃板131形成由金屬銷115所構成之貫通電極 之方法(專利文獻3之第3圖)。第17圖(a)係表示在玻璃 板131形成貫通孔119之方法。將玻璃板131設置在模具 126之底部》在模具126設置加熱器125,可以加熱玻璃 板131。在模具126之上部設置有由沖頭129所構成之開 孔機。在沖頭1 29之玻璃板1 3 1側設置有開孔銷1 28,再 者,在沖頭129也設置有加熱器127。然後,於將玻璃板 131加熱至特定溫度之後,下降沖頭129而形成貫通孔 119° 第17圖(b)係表示在玻璃板131之貫通孔119打入金 屬銷115之方法。在台135設置形成有貫通孔119之玻璃 板131,藉由玻璃熔塊噴吹機133,對貫通孔119噴吹玻 璃熔塊132,並藉由金屬銷打入機134將金屬銷115打入 貫通孔1 1 9。 第18圖係表示擠壓成形工程(專利文獻3之第4圖)。 第18圖(a)所示般,將金屬銷115打入貫通孔119的玻璃 板131設置在沖壓下模136和沖壓上模137之間。在沖壓 上模137形成有隔間凸條138、插銷頭收納凹部139或凹 部形成用凸條141»將該模具投入至電氣爐,一面將沖壓 上模137推壓至沖壓下模136 —面加熱至溫度1000°C以上 。其結果,如第18(b)圖所示般,沖壓上模137之表面之 201214633 凹凸被轉印至玻璃板131,在玻璃板131形成分割用溝 142或凹部116。同時在玻璃板131形成由確保密封性之 金屬銷115所構成之貫通電極。 [先行技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本特開20〇2-124845號公報 [專利文獻2]日本特開20〇2-121〇37號公報 [專利文獻3]日本特開20〇3-2〇9198號公報 【發明內容】 [發明所欲解決之課題] 但是,加熱玻璃板131而形成貫通孔119,之後當冷 卻玻璃板131時,玻璃板131由於內部應力而變形,平坦 性下降。再者,當在玻璃板131轉印沖壓上模137之表面 形狀之後予以冷卻時,由於轉印時之玻璃流動或冷卻時之 熱不均勻性,使得金屬銷115傾斜,再者,產生金屬銷 115之位置偏移,或是由於內部應力使得玻璃板131複雜 扭曲。並且,當硏削而修正翹曲時,硏削量變多加工需要 長時間,或是期待形狀之取得數量減少。再者,露出於凹 部116之底面的金屬銷115傾斜而產生貫通電極之位置偏 離。再者,當包圍凹部116之側壁上面之平坦性差時,則 無法確保接合於該上面之蓋體的氣密性,有電子零件之信 賴性下降之課題。 本發明係鑒於上述課題而硏究出,可以提供在高位置 201214633 精度設置貫通電極之平坦性優良的玻璃基板。 [用以解決課題之手段] 藉由本發明之玻璃基板之製造方法具備:玻璃貫通孔 形成工程,其係在板狀玻璃上形成多數貫通孔;基台貫通 孔形成工程’其係在兩片基台形成多數貫通孔;拉線工程 ,其係在上述兩片基台之間夾持上述板狀玻璃,進行上述 基台之多數貫通孔和上述板狀玻璃之多數貫通孔之定位, 使由導體所構成之導線貫通於上述多數貫通孔而在上述兩 片基台之間拉引導線;導線埋入工程,其係將上述板狀玻 璃加熱至較其軟化點高之溫度,而將上述基台間之導線埋 入上述玻璃;鑄錠形成工程,其係冷卻上述玻璃,形成埋 入有導線的玻璃鑄錠;切斷工程,其係將上述鑄錠予以切 片而形成玻璃板;及硏磨工程,其係硏磨上述玻璃板,使 導線露出於表面和背面而成爲貫通電極。 再者,上述玻璃貫通孔形成工程具備:凹部形成工程 ,其係在板狀玻璃形成凹部;和硏削工程,其係硏削與形 成有該凹部之表面相反側之背面而使上述凹部貫通背面側 再者,上述導線埋入工程爲對上述板狀玻璃施加壓縮 應力的工程。 再者,上述拉線工程係形成在上述基台之多數貫通孔 對應於形成在上述板狀玻璃之單獨的貫通孔,使多數導線 貫通於上述板狀玻璃之單獨的貫通孔而在上述兩片基台之 201214633 間拉引導線。 再者,在上述鑄錠形成工程中,使從較上述玻璃基板 之變形點高5 0 °C之溫度冷卻至較變形點低5 0 °C之溫度爲 止之冷卻速度,較冷卻至上述玻璃基板之變形點高5〇t之 溫度爲止之冷卻速度慢。 再者,上述導線之熱膨脹率爲與上述玻璃相同程度。 藉由本發明之電子零件之製造方法係根據上述中任一 所記載之玻璃基板之製造方法而形成玻璃基板,在上述玻 璃基板形成電極而成爲基座基板之基座基板形成工程,和 將電子零件安裝於上述基座基板之安裝工程,和在安裝有 上述電子零件之基座基板接合蓋基板之接合工程。 [發明效果] 本發明之玻璃基板之製造方法具備:玻璃貫通孔形成 工程,其係在板狀玻璃上形成多數貫通孔:基台貫通孔形 成工程,其係在兩片基台形成多數貫通孔;拉線工程,其 係在兩片基台之間夾持板狀玻璃,進行基台之多數貫通孔 和板狀玻璃之多數貫通孔之定位,使由導體所構成之導線 貫通於多數貫通孔而在兩片基台之間拉引導線;導線埋入 工程,其係將扳狀玻璃加熱至較其軟化點高之溫度,而將 基台間之導線埋入玻璃;鑄錠形成工程,其係冷卻玻璃, 形成埋入有導線的玻璃鑄錠;切斷工程,其係將該鑄錠予 以切片而形成玻璃板;及硏磨工程,其係硏磨該玻璃板, 使導線露出於表面和背面而成爲貫通電極。依此,因藉由 -9- 201214633 玻璃之流動而施加至導線之壓力小,故可以以高精度控制 導線之位置,並且將玻璃熔塊於冷卻後予以切片,故可以 形成不會有翹曲且氣密性高之附有貫通電極之玻璃基板。
式 方 施 實 rL 第1圖爲表示與本發明有關之附有貫通電極之玻璃基 板的製造方法的工程圖,表示本發明之基本構成。首先, 在玻璃貫通孔形成工程S1中,在板狀玻璃形成多數貫通 孔。再者,在基台貫通孔形成工程S2中,於兩片基台形 成多數貫通孔。就以玻璃而言,可以使用鈉鈣玻璃、硼矽 酸玻璃、鉛玻璃等。就以基台之材料而言,使用碳或陶瓷 之耐熱性材料。藉由切削加工、噴砂或模具成形等可以對 玻璃形成貫通孔。再者,藉由對基台進行切削加工,再者 模具成形未處理片而形成貫通孔,燒結此而成爲貫通孔。 接著,在拉線工程S3中,在形成有貫通孔之兩片基 台間夾持形成有貫通孔之板狀玻璃,使基台之貫通孔和板 狀玻璃之貫通孔位置對準,而使由導體所構成之導線貫通 至該些貫通孔而在兩片基台間拉引導線。例如,在導線之 —端設置台座,使該台座卡止於一方之基台,在導線之另 一端設置卡止部,使該卡止部卡止於另一方之基台,施加 應力使兩個基台間隔開而可以對導線賦予張力。導線係可 以使用Ni-Fe合金,例如42合金或科伐鐵鎳鈷(kovar)合 金。若使用該些合金時,則可以使熱膨脹係數近似於玻璃 ,並可以降低相對於熱變化使得玻璃和導線間的界面惡化 -10- 201214633 之情形。 接著,在導線埋入工程S4中,將板狀玻璃加熱至較 其軟化點高之溫度而使流動,並將基台間之導線埋入至玻 璃。於在基台間疊層多數板狀玻璃之時,使板狀玻璃彼此 熔接。此時,加熱至例如900°C以上之溫度。接著,在鑄 錠形成工程S5中,冷卻玻璃形成埋入導線之玻璃鑄錠。 接著,在切斷工程S6中,使用鋼絲鋸等之切片機將玻璃 鑄錠切斷成輪狀。接著,在切削工程S7中,硏削及硏磨 切片之玻璃板之兩面而使導線之剖面露出於玻璃板之兩面 ,成爲附有貫通電極之玻璃基板。 如此一來,因在導線通過設置有貫通孔之板狀玻璃之 貫通孔之狀態下使玻璃軟化 '流動,故可以在短時間將導 線埋入於玻璃。再者,因於冷卻玻璃鑄錠之後切斷,故可 以取得不會翹曲之附有貫通電極之玻璃基板。再者,若將 板狀玻璃設爲多層時,則可以在短時間同時製造大的玻璃 鑄錠之多數的玻璃基板。 並且,玻璃貫通孔形成工程S1可以具備使用例如成 形模具在板狀玻璃形成凹部之凹部形成工程,和硏削與形 成該凹部之表面相反側之背面而使凹部貫通於背面側之硏 削工程。若藉由該方法時,因可以同時形成多數貫通孔, 故適合於製造多個取出用之附有貫通電極之玻璃基板。 再者,在導線埋入工程S4中,藉由對板狀玻璃施加 壓縮應力,可以促進軟化之玻璃之流動。再者,可以在真 空中進行導線埋入工程S4。尤其,於在兩片之基板間多 -11 - 201214633 數疊層板狀玻璃之時,則可以防止氣泡被取入玻璃內部之 情形。 再者,拉線工程S3係使形成在基台之多數貫通孔對 應於形成在板狀玻璃之單獨之貫通孔,可以在多數導線貫 通於板狀玻璃之單獨之貫通孔而予以拉引。依此’減少形 成在玻璃之貫通孔之數量,基台和板狀玻璃間之定位或導 線之貫通作業成變得容易。 再者,在鑄錠形成工程S5中,可以使從較上述玻璃 基板之變形點高50°C溫度冷卻至較變形點低50°C之溫度 爲止之冷卻速度,較冷卻至玻璃基板之變形點高50°C之溫 度爲止之冷卻速度慢。依此,可以減少殘留於玻璃基板之 變形,防止在導線和玻璃基板之間產生之間隙或裂紋,形 成氣密性高之貫通電極。再者,若將導線之熱膨脹率設成 與玻璃相同程度時,則可以降低由於熱膨脹差導致之殘留 應力,並防止在貫通電極和玻璃間產生間隙或裂紋。以下 ,針對本發明使用圖面予以詳細說明。 (第一實施形態) 第2圖〜第7圖爲用以說明本發明之第一實施形態的 圖示。第2圖爲表示在板狀玻璃形成多數貫通孔之玻璃貫 通孔形成工程S1之一例的說明圖。第3圖係在上基台U 和下基台lb之間疊層多數之板狀玻璃,表示在貫通孔安 裝導線2之狀態,第4圖表示對安裝之導線2賦予張力的 樣子,任一者皆爲用以說明拉線工程S 3之圖示。 -12- 201214633 首先,在玻璃貫通孔形成工程S1中’在板狀玻璃貫 穿設置有用以形成多數貫通電極之貫通孔。使用鈉鈣玻璃 以當作玻璃。貫通孔係可以藉由噴砂或鑽頭硏削來形成。 第2圖係表示使用成形模具而形成貫通孔之方法。首先’ 如第2圖(a)所示般,準備板狀玻璃3 0(玻璃準備工程)。接 著,如第2圖(b)所示般,在下模31設置板狀玻璃30’在 板狀玻璃30上載置加壓用之上模32(凹部形成工程下 模31之表面具備有貫通孔形成用之凸部。該凸部係爲了 提升離型性,設爲側面傾斜之圓錐台之形狀。將板狀玻璃 30加熱至其軟化點以上之溫度,同時將上模32加壓至下 方。在此,上下模32、31係使用碳材料。碳材料對玻璃 材料之離型性佳,並且可以吸收從玻璃材料釋放出之氣泡 ,降低殘留在玻璃材料之氣孔之氣孔率之故。 接著,予以冷卻,從上下模32、31取出板狀玻璃30( 凹部形成工程)。如第2(c)所示般,在板狀玻璃30轉印下 模31之表面形狀而形成凹部33。接著,如第2圖(d)所示 般,硏削與凹部33相反側之背面而形成貫通孔13a(硏削 工程)。貫通孔13a之縱剖面具有圓錐台之形狀。第2圖 (e)爲由形成有多數貫通孔13a之板狀玻璃30所構成之玻 璃晶圓之外觀圖。 接著,在基台貫通孔形成工程S2中,於上基台la和 下基台lb形成多數貫通孔。多數貫通孔係形成在與形成 在板狀玻璃30之貫通孔13a相同之位置。上下基台la、 lb使用碳。上下基台la、lb係在形成在板狀玻璃30之貫 -13- 201214633 通孔13a相同之位置具有貫通孔。如第3圖所示般,在上 基台la和下基台lb之間疊層多數板狀玻璃30而與以夾 持,使由導體所構成之導線2貫通,在上基台la之上面 及下基台lb之下面卡止導線2。 然後,如第4圖所示般,多數導線2係在上基台la 之上面藉由設置在導線2之一端的台座2a卡止於上基台 la,並在下基台lb之背面藉由設置於導線2之另一端之 卡止部14卡止於下基台lb。然後,拉引多數導線2之上 下基台la、lb之兩端或在四方安裝上張力施加構件3a及 下張力施加構件3b,藉彈簧構件4施加應力T使上下間 分開。依此,可以對上下基台1 a、1 b間之多數導線2賦 予張力。上張力施加構件3a及下張力施加構件3b可以使 用碳材料或陶瓷材料。導線2係可以使用Fe-Ni合金,例 如42合金或科伐鐵鎳鈷(k〇var)合金。若使用該些合金時 ,則可以使熱膨脹係數近似於玻璃,並可以降低相對於熱 變化使得玻璃和導線間的界面惡化之情形。導線2之直徑 爲0.05mm〜1mm,將導線2間之最短距離設爲0.5mm〜 2mm,將上基台la及下基台lb之直徑設爲1吋〜4吋。 上下基台la、lb使用碳。並且,上下基台la、lb爲四角 形亦可即使爲多角形亦可。 第5圖爲表示將上下基台la、lb或上下張力施加構 件3a、3b投入至容器6之狀態的導線埋入工程S4之說明 圖。將導線2、上下基台la、lb及上下張力施加構件3a 、3b收納於耐熱性之容器6。接著,每容器6加熱至玻璃 -14- 201214633 軟化點以上,例如9 Ο 0 °C以上而使玻璃軟化,且使流動而 熔接多數板狀玻璃30彼此或導線2和玻璃。 可以在容器6內又投入玻璃5而以玻璃5塡滿上下張 力施加構件3a、3b或上下基台la、lb之周圍,對蓋體7 施加壓力P而促進玻璃5之流動。再者,可以將容器6內 抽真空,以取代將玻璃5投入至容器6內,而可以防止殘 留在形成在板狀玻璃30間或板狀玻璃30之貫通孔13a之 空氣被取入玻璃內。並且,即使在第5圖中,藉由上下基 台構成耐熱性之容器及其蓋體,在上下基台間夾持板狀玻 璃30且拉引多數導線而施予熱處理來取代使用耐熱性之 容器6亦可。依此,可以刪減玻璃或容器之消耗量》 第6圖爲用以說明鑄錠形成工程S5及切斷工程S6之 圖示。冷卻容器6及玻璃5,從容器6.取出上下張力施加 構件3a、3b及上下基台la、lb,除去上下張力施加構件 3 a、3b而取得玻璃鑄錠。使用鑽石輪劃片機或鋼絲鋸將玻 璃鑄錠8切成輪狀,取得玻璃板9。因於冷卻玻璃鑄錠8 之後切斷,故切斷後之玻璃板9翹曲小。接著,在切削工 程S7中,硏削及硏磨玻璃板9之兩面而取得埋入有貫通 電極10之玻璃基板11。可以形成使貫通電極1〇之表面和 玻璃5之表面成爲平頂的平坦性之良好玻璃基板11。 並且,在鑄錠形成工程S5中,可以使從較上述玻璃 基板之變形點高5〇°C之溫度冷卻至較變形點低5〇°C之溫 度爲止之冷卻速度,較冷卻至玻璃基板之變形點高50°C之 溫度爲止之冷卻速度慢。依此’可以減少殘留於玻璃基板 -15- 201214633 之變形,防止在導線2和玻璃基板9之間產生之間隙或裂 紋,形成氣密性高之貫通電極。 第7圖(a)爲玻璃基板1 1之縱剖面模式圖,(b)爲玻璃 基板Π之上面模式圖。因貫通電極10和玻璃5熔接,故 密封性優良。因玻璃基板11之表面之翹曲少,故可以以 短時間進行硏削及硏磨,玻璃之硏削量也更少。如第7圖 (b)所示般,具有兩個貫通電極10,同時形成多數藉由切 斷線1 2區劃之單位單元。 並且,在上述第一實施形態中,雖然以形成在上下基 台la、lb之貫通孔13b和形成在板狀玻璃30之貫通孔 13a —對一對應而使導線2通過,但本發明並不限定於此 。第8圖係表示在上下基台la、lb之間疊層夾持多數板 狀玻璃30,使導線2通過各貫通孔13,並使導線2卡止 於上下基台la、lb之狀態。形成在各板狀玻璃30之一個 貫通孔13a對應於形成於上基台la及下基台lb之各個的 兩個貫通孔13b。因此,藉由導線2通過形成於上下基台 la、lb之各貫通孔13b,使兩條導線2通過形成於各板狀 玻璃30之一個貫通孔13a。藉由在該狀態下使板狀玻璃 3〇軟化而使玻璃流動,可以形成氣密性高之貫通電極10 。並且,在導線2之一端設置直徑大於貫通孔13b之直徑 的台座2a,在另一端設置直徑大於貫通孔13b之直徑的卡 止部14而構成可對導線2賦予張力。再者,板狀玻璃30 之貫通孔13a係可以放大成使多數導線2通過。 -16- 201214633 (第二實施形態) 第9圖〜第12圖係用以說明與本發明之第二實施形 態有關之玻璃基板之製造方法的圖示,具體表示拉線工程 S3。首先,在基台貫通孔形成工程S2中,於平板狀之上 基台la和凹形狀之下基台lb形成貫通孔13b"基台貫通 孔形成工程S2及拉線工程S3以外之工程因與第一實施形 態相同,故省略說明。 第9圖爲表示在形成有多數貫通孔13b之平板狀之上 基台la和凹形狀之下基台lb之間疊層形成有多數貫通孔 13a之多數板狀玻璃30的狀態。在下基台lb之圓筒上面 設置圓筒之形狀爲相同之圓筒體34而作爲板狀玻璃30及 上基台la之導引。圓筒體34係設置成高於上基台la許 多。進行形成於上下基台la、lb之貫通孔13b和形成於 板狀玻璃30之貫通孔13a之定位而予以固定。作爲上下 基台la、lb及圓筒體34可以使用碳材料或陶瓷材料。貫 通孔13b可以使用鑽頭硏削等予以貫穿設置。再者,事先 在未處理片形成貫通孔,並可以將此予以燒結使成爲附有 貫通孔之基台。並且,雖然將上下基台la、lb設爲圓盤 或圓筒狀,但是並不限定於此,即使設爲矩形狀亦可。 第1〇圖爲表示在上下基台la、lb之間疊層夾持多數 板狀玻璃30,且安裝導線2之導線安裝工程。首先,準備 在一端設置直徑大於導線2之直徑的台座2a,將另一端削 尖成針狀的導線2。台座2a係大於設置在上下基台la、 lb之貫通孔13之直徑,導線2形成較貫通孔13之直徑稍 -17- 201214633 微小。接著,使設置有上述台座2a之多數導線2前端爲 尖之方向朝下而垂直投入至圓筒體34內之上基台la上。 然後,將下基台la載置於無圖示之振動產生機而對上下 左右賦予振動。依此,可以在短時間將導線2插入安裝於 上基台la之多數導通孔13b及定位於此之板狀玻璃30之 多數貫通孔13a。 第11圖表示在突出於下基台lb之下面側之導線2之 前端形成卡止部14的卡止部形成工程。台座2a之直徑因 大於貫通孔13,故作爲落下制動器而發揮功能。然後,使 從下基台lb之下面突出之導線2之前端部溶解,形成直 徑大於貫通孔l3b之直徑的卡止部14。依此,可以將應力 T施加於使上基台la和下基台lb變寬之方向而對多數導 線2賦予張力。並且,因卡止部14若卡止於下基台11?即 可’故即使將從下基台lb突出至下面側之導線2捆成束 或是彎曲而使不會從下基台lb內側脫離,來取代熔融導 線2之前端亦可。 第12圖係表不對導線2賦予張力之張力賦予工程。 首先’去除圓筒體34而設置張力附加構件3。即是,張力 附加構件3係固定上基台la之外周部,形成可收納下基 台lb之圓筒上端部。在該收納部24組裝彈簧構件4而彈 推至使下基台lb和上基台ia間隔開之方向。並且,在張 力附加構件3之上基台la附近之側面形成開口部,構成 可在藉由上基台la、下基台lb&張力附加構件3所構成 之內部空間塡充熔融玻璃,或是構成可對內部空間抽真空 -18- 201214633 。依此,可以防止氣泡混入至玻璃內部》 (第三實施形態) 第13圖爲表示與本發明之第三實施形態有關之電子 零件之製造方法的工程圖。表示使用壓電振動子作爲安裝 於玻璃基板之電子零件之例。第14圖爲表示在形成有貫 通電極10之玻璃基板11安裝壓電振動片18之狀態的剖 面模式圖,第15圖爲完成之壓電振動子20之剖面模式圖 。本第三實施形態具備基座基板形成工程S40、蓋基板形 成工程S20以及壓電振動片作成工程S30。以下,依序予 以說明。 首先,在玻璃材料等準備工程S0中,準備用以形成 玻璃基板11之玻璃和用以形成貫通電極10之導線2等。 在玻璃貫通孔形成工程S1中,在板狀玻璃形成多數貫通 孔l3a。再者,在基台貫通孔形成工程S2中,於兩片基台 la、lb形成多數貫通孔13b。接著,在拉線工程S3中, 於上基台la及下基台lb之間疊層夾持板狀玻璃30,進行 上下基台la、lb之多數貫通孔13b和板狀玻璃30之多數 貫通孔13a之定位,使由導體所構成之導線2貫通於多數 貫通孔13而在上下基台la、lb之間拉引導線2。接著, 在導線埋入工程S4中,將板狀玻璃30加熱至其軟化點以 上之溫度,而將上下基台la、lb間之導線2埋入至板狀 玻璃30。接著,在鑄錠形成工程S5中,冷卻玻璃而取出 取出埋入導線2之玻璃鑄錠8。接著,在切斷工程S6中 -19- 201214633 ,將上述玻璃鑄錠8切成輪狀而形成玻璃板9。接著,在 切削工程S7中,硏削切出之玻璃板9之兩面而使導線2 露出於其表面和背面而使成爲貫通電極10。以上爲玻璃基 板形成工程S41。 接著,在接合膜形成工程S42中,在成爲玻璃基板 11之周圍的區域堆積用以執行陽極接合之接合膜。作爲接 合膜係堆積鋁。接著,在引繞電極形成工程S43中,從一 方之貫通電極10之上面沿著玻璃基板11之外周部形成引 繞電極16而當作基座基板23。引繞電極16、16’係藉由 濺鍍法堆積Au/Cr膜,並藉由光微影及蝕刻處理予以圖案 製作而形成。再者,引繞電極16、16’係可以藉由印刷法 等取代濺鍍法來形成。以上爲基座基板形成工程S40。 接著,說明蓋基板形成工程S20。蓋基板19爲了縮 小與基座基板23接合之時之熱膨脹差,以使用與基座基 板23相同之材料爲佳。使用鈉鈣玻璃當作基座基板23之 時,蓋基板19也同樣使用鈉鈣玻璃材料。首先,在硏磨 、洗淨、蝕刻工程S21中,硏磨玻璃基板,對玻璃基板施 予蝕刻處理而除去、洗淨最表面之加工變質層。 接著,在凹部形成工程S22中,藉由模具成形而形成 凹部22。凹部22係在具有凸部之承受模和凹部之加壓模 之間夾持玻璃基板,加熱至玻璃之軟化點以上並予以按壓 而成形。成形用模具係以從碳材料形成爲佳。由於相對於 玻璃離型性佳,氣泡之吸收性優之故。接著,在硏磨工程 S23中,將與基座基板23接合之接合面硏磨成平坦面。 -20- 201214633 依此,可以提升與基座基板23接合之時之密閉性。 接著,在壓電振動片作成工程S30中,準備由水晶板 所構成之壓電振動片18»在壓電動片18之兩表面形成互 相電性分離之勵振電極,並與形成在壓電振動片18之一 端之表面之端子電極電性連接。接著,在安裝工程S11中 ,在基座基板23之貫通電極10和引繞電極16’之端部或 壓電振動片18之端子電極形成導電性黏接材17,例如金 凸塊。藉由該導電性黏接材17將壓電振動片18安裝成懸 臂梁狀。依此,形成在壓電振動片18之兩面之勵振電極 係互相電性分離而與兩個貫通電極10導通。 接著,在頻率調整工程S12中,將壓電振動片18之 振動頻率調整至特定頻率。接著,在重疊工程S13中,在 基座基板23上設置蓋基板19並經接合材21而重疊。接 著,在接合工程S14中,加熱重疊之基座基板23和蓋基 板19,並對基座基板23和蓋基板19間施加高電壓而予以 陽極接合。接著,在外部電極形成工程S15中,在基座基 板23之外面形成電性連接貫通電極10之各個之外部電極 15。接著,在切斷工程S16中,沿著切斷線而予以分離切 斷,而取得各個壓電振動子20。 如此一來,在上下基台la、lb間夾持板狀玻璃30而 拉引多數導線2,加熱至玻璃之軟化點以上之溫度而融合 板狀玻璃30彼此或板狀玻璃30和導線2,冷卻而形成鑄 錠8’切片該玻璃鑄錠8,硏磨而製作之玻璃基板n因可 以形成氣密性優之高位置精度之貫通電極10,並且平坦性 -21 - 201214633 優,故可以保基座基板23和蓋基板19間之氣密性。依此 ,可以提供信賴性高之壓電振動子20。並且,在上實施形 態中,即使在玻璃基板形成工程S40中先形成在外部電極 形成工程S15中所形成之外部電極15亦可。再者,頻率 調整工程S12即使在切斷工程S16之後執行亦可。 第1 6圖係組裝藉由在上述第三實施形態中說明之製 造方法所製造之壓電振動子20之振盪器40之上面模式圖 。如第16圖所示般,振盪器40具備基板43、設置在該基 板上之壓電振動子20、積體電路41及電子零件42。壓電 振動子20係根據供給至外部電極6、7之驅動訊號而生成 一定頻率之訊號,積體電路41及電子零件42係處理自壓 電振動子20供給之一定頻率之訊號,而生成時脈訊號等之 基準訊號。與本發明有關之壓電振動子20因可以形成高信 賴性且小型,故可以將振盪器40之全體構成更小型。 【圖式簡單說明】 第1圖爲表示與本發明之實施形態有關之玻璃基板之 製造方法的工程圖。 第2圖爲用以說明與本發明之實施形態有關之玻璃基 板之製造方法的圖示,表示玻璃貫通孔形成工程。 第3圖爲用以說明與本發明之實施形態有關之玻璃基 板之製造方法的圖示’在上下基台間夾持板狀玻璃,並表 示導線通過之狀態。 第4圖爲用以說明與本發明之實施形態有關之玻璃基板 -22- 201214633 之製造方法的圖示,表示對安裝的導線賦予張力之狀態。 第5圖爲用以說明與本發明之實施形態有關之玻璃基板 之製造方法的圖示,表示在容器收納拉引導線之板狀玻璃。 第6圖爲用以說明與本發明之實施形態有關之玻璃基 板之製造方法的圖示,表示切斷形成的鑄錠之狀態。 第7圖爲用以說明與本發明之實施形態有關之玻璃基 板之製造方法的圖示,表示玻璃基板之狀態。 第8圖爲用以說明與本發明之實施形態有關之玻璃基 板之製造方法的圖示,表示玻璃貫通孔形成工程》 第9圖爲用以說明與本發明之實施形態有關之玻璃基 板之製造方法的圖示,表示拉線工程。 第1〇圖爲用以說明與本發明之實施形態有關之玻璃 基板之製造方法的圖示,表示拉線工程。 第11圖爲用以說明與本發明之實施形態有關之玻璃 基板之製造方法的圖示,表示拉線工程。 第1 2圖爲用以說明與本發明之實施形態有關之玻璃 基板之製造方法的圖示,表示拉線工程。 第圖爲表示與本發明之實施形態有關之電子零件 之製造方法的工程圖* 第14圖爲表示與本發明之實施形態有關之電子零件 之製造方法,表示安裝壓電振動片之狀態的剖面模式圖。 第15圖爲表示與本發明之實施形態有關之電子零件 之製造方法,爲完成之壓電振動子之剖面模式圖。 第16圖爲組裝藉由與本發明之實施形態有關之電子零 -23- 201214633 件之製造方法所製造出之壓電振動子之發訊器之上視圖》 第圖爲表示在以往之眾知的玻璃板形成貫通孔, 打入插銷之方法。 第18圖爲表示藉由以往眾知之擠壓成形方法成形玻 璃板之狀態。 【主要元件符號說明】 1 a :上基台 lb :下基台 2 :導線 3 :張力附加構件 4 :彈簧構件 5 :玻璃 6 :容器 7 :蓋 8 :玻璃鑄錠 9 :玻璃板 I 〇 :貫通電極 II :玻璃基板 12 :切斷線 18 :壓電振動片 1 9 :蓋基板 20 :壓電振動子 3 0 :板狀玻璃 -24-
Claims (1)
- 201214633 七、申請專利範圍: 1.—種附有貫通電極之玻璃基板之製造方法,其特徵 爲具備: 玻璃貫通孔形成工程,其係在板狀玻璃形成多數貫通 孔: 基台貫通孔形成工程,其係在兩片基台形成多數貫通 孔: 拉線工程,其係在上述兩片基台之間夾持上述板狀玻 璃,進行上述基台之多數貫通孔和上述板狀玻璃之多數貫 通孔之定位,使由導體所構成之導線貫通於上述多數貫通 孔而在上述兩片基台之間拉引導線; 導線埋入工程,其係將上述板狀玻璃加熱至較其軟化 點高之溫度,而將上述基台間之導線埋入上述玻璃; 鑄錠形成工程,其係冷卻上述玻璃,形成埋入有導線 的玻璃鑄錠; 切斷工程,其係將上述鑄錠予以切片而形成玻璃板; 及 硏磨工程,其係硏磨上述玻璃板,使導線露出於表面 和背面而成爲貫通電極。 2.如申請專利範圍第1項所記載之玻璃基板之製造方 法,其中 上述玻璃貫通孔形成工程具備:凹部形成工程,其係 在板狀玻璃形成凹部:和 硏削工程,其係硏削與形成該凹部之表面相反側之背 -25- 201214633 面,而使上述凹部貫通於背面側。 3. 如申請專利範圍第1或2項所記載之玻璃基板之製 造方法,其中 上述導線埋入工程爲對上述板狀玻璃施加壓縮應力的 工程。 4. 如申請專利範圍第1〜3項中之任一項所記載之玻 璃基板之製造方法,其中 上述拉線工程係形成在上述基台之多數貫通孔對應於 形成在上述板狀玻璃之單獨的貫通孔,使多數導線貫通於 上述板狀玻璃之單獨的貫通孔而在上述兩片基台之間拉引 導線。 5. 如申請專利範圍第1至4項中之任一項所記載之玻 璃基板之製造方法,其中 在上述鑄錠形成工程中, 使較上述玻璃基板之變形點高50°C之溫度冷卻至較上 述玻璃基板之變形點低5 0 °C之溫度爲止的冷卻速度,較冷 卻至上述玻璃基板之變形點高50°C之溫度爲止的冷卻速度 慢。 6. 如申請專利範圍第1至5項中之任一項所記載之玻 璃基板之製造方法,其中 上述導線之熱膨脹率與上述玻璃爲相同程度。 7. —種電子零件之製造方法,其特徵爲具備: 基座基板形成工程,其係根據如申請專利範圍第1至 6項中之任一項所記載之玻璃基板之製造方法形成玻璃基 -26- 201214633 板,於上述玻璃基板形成電極而成爲基座基板; 安裝工程,其係在上述基座基板安裝電子零件;及 接合工程,其係在安裝有上述電子零件之基座基板接 合蓋基板。 -27-
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010156173A JP2012019108A (ja) | 2010-07-08 | 2010-07-08 | ガラス基板の製造方法及び電子部品の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201214633A true TW201214633A (en) | 2012-04-01 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW100122618A TW201214633A (en) | 2010-07-08 | 2011-06-28 | Method for producing glass substrate and method for producing electronic part |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8656736B2 (zh) |
EP (1) | EP2405473A3 (zh) |
JP (1) | JP2012019108A (zh) |
KR (1) | KR20120005395A (zh) |
CN (1) | CN102332884A (zh) |
TW (1) | TW201214633A (zh) |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012019108A (ja) * | 2010-07-08 | 2012-01-26 | Seiko Instruments Inc | ガラス基板の製造方法及び電子部品の製造方法 |
JP5466102B2 (ja) * | 2010-07-08 | 2014-04-09 | セイコーインスツル株式会社 | 貫通電極付きガラス基板の製造方法及び電子部品の製造方法 |
JP5511557B2 (ja) * | 2010-07-08 | 2014-06-04 | セイコーインスツル株式会社 | ガラス基板の製造方法及び電子部品の製造方法 |
DE102011009865B4 (de) | 2011-01-31 | 2012-09-20 | Heraeus Precious Metals Gmbh & Co. Kg | Kopfteil für eine medizinisch implantierbare Vorrichtung |
DE102011009858B8 (de) | 2011-01-31 | 2013-11-07 | Heraeus Precious Metals Gmbh & Co. Kg | Cermethaltige Durchführung für eine medizinisch inplantierbare Vorrichtung mit Verbindungsschicht |
DE102011009867B4 (de) | 2011-01-31 | 2013-09-05 | Heraeus Precious Metals Gmbh & Co. Kg | Keramikdurchführung für eine medizinisch implantierbare Vorrichtung |
DE102011009855B8 (de) | 2011-01-31 | 2013-01-03 | Heraeus Precious Metals Gmbh & Co. Kg | Keramikdurchführung mit induktivem Filter |
DE102011009861B4 (de) * | 2011-01-31 | 2012-09-20 | Heraeus Precious Metals Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur Herstellung einer cermethaltigen Durchführung |
DE102011009856B8 (de) | 2011-01-31 | 2012-12-27 | W.C. Heraeus Gmbh | Elektrische Durchführung und Verfahren zur Herstellung einer cermethaltigen Durchführung für eine medizinisch implantierbare Vorrichtung |
DE102011009860B4 (de) | 2011-01-31 | 2013-03-07 | Heraeus Precious Metals Gmbh & Co. Kg | Implantierbare Vorrichtung mit integrierter Keramikdurchführung |
DE102011009859B4 (de) | 2011-01-31 | 2012-09-20 | Heraeus Precious Metals Gmbh & Co. Kg | Keramikdurchführung mit Filter |
DE102011009857B8 (de) | 2011-01-31 | 2013-01-17 | Heraeus Precious Metals Gmbh & Co. Kg | Elektrische Durchführung mit cermethaltigem Verbindungselement für eine aktive, implantierbare, medizinische Vorrichtung |
DE102011009862B4 (de) | 2011-01-31 | 2012-11-08 | Heraeus Precious Metals Gmbh & Co. Kg | Cermethaltige Durchführung mit Halteelement für eine medizinisch implantierbare Vorrichtung |
DE102011119125B4 (de) | 2011-11-23 | 2014-01-23 | Heraeus Precious Metals Gmbh & Co. Kg | Kontaktierungsanordnung mit Durchführung und Filterstruktur |
CN102820262A (zh) * | 2012-09-05 | 2012-12-12 | 江苏物联网研究发展中心 | 一种玻璃通孔的制作及互连的方法 |
US9478959B2 (en) | 2013-03-14 | 2016-10-25 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Laser welding a feedthrough |
US9431801B2 (en) | 2013-05-24 | 2016-08-30 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Method of coupling a feedthrough assembly for an implantable medical device |
US9403023B2 (en) | 2013-08-07 | 2016-08-02 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Method of forming feedthrough with integrated brazeless ferrule |
US9610451B2 (en) | 2013-12-12 | 2017-04-04 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Direct integration of feedthrough to implantable medical device housing using a gold alloy |
US9504841B2 (en) | 2013-12-12 | 2016-11-29 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Direct integration of feedthrough to implantable medical device housing with ultrasonic welding |
US9610452B2 (en) | 2013-12-12 | 2017-04-04 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Direct integration of feedthrough to implantable medical device housing by sintering |
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JP2018106057A (ja) | 2016-12-27 | 2018-07-05 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及び単位レジスタ回路 |
EP3900783B1 (en) | 2020-02-21 | 2023-08-16 | Heraeus Medical Components, LLC | Ferrule for non-planar medical device housing |
EP3900782B1 (en) | 2020-02-21 | 2023-08-09 | Heraeus Medical Components, LLC | Ferrule with strain relief spacer for implantable medical device |
CN113277748A (zh) * | 2021-07-07 | 2021-08-20 | 泰极微(成都)技术发展有限公司 | 一种玻璃封装金属针的方法及玻璃封装产品 |
Family Cites Families (48)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2003209198A (ja) | 2001-11-09 | 2003-07-25 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 電子部品パッケージ |
DE10215654A1 (de) | 2002-04-09 | 2003-11-06 | Infineon Technologies Ag | Elektronisches Bauteil mit mindestens einem Halbleiterchip und Flip-Chip-Kontakten sowie Verfahren zu seiner Herstellung |
TWI220162B (en) * | 2002-11-29 | 2004-08-11 | Ind Tech Res Inst | Integrated compound nano probe card and method of making same |
JP2005130371A (ja) * | 2003-10-27 | 2005-05-19 | Seiko Epson Corp | 圧電デバイス用パッケージおよび圧電デバイス |
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US8106853B2 (en) * | 2005-12-12 | 2012-01-31 | Nupix, LLC | Wire-based flat panel displays |
JP2007228443A (ja) * | 2006-02-25 | 2007-09-06 | Seiko Instruments Inc | 電子部品及びその製造方法、圧電デバイス及びその製造方法、電波時計並びに電子機器 |
KR101232926B1 (ko) * | 2006-10-13 | 2013-02-13 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 유리 기판의 천공 가공 방법 및 상기 방법에 의해 제조된 플라즈마 디스플레이용 유리 기판 |
JP5216290B2 (ja) | 2007-09-27 | 2013-06-19 | 日本電波工業株式会社 | 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法 |
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TW200952184A (en) * | 2008-06-03 | 2009-12-16 | Univ Nat Taiwan | Structure of mixed type heterojunction thin film solar cells and its manufacturing method |
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US20120138977A1 (en) * | 2010-12-05 | 2012-06-07 | Chia-Mao Li | Annual packaging structure for led lamps |
-
2010
- 2010-07-08 JP JP2010156173A patent/JP2012019108A/ja not_active Withdrawn
-
2011
- 2011-06-28 TW TW100122618A patent/TW201214633A/zh unknown
- 2011-07-07 KR KR20110067207A patent/KR20120005395A/ko not_active Application Discontinuation
- 2011-07-07 US US13/135,496 patent/US8656736B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-07-08 CN CN2011101971108A patent/CN102332884A/zh active Pending
- 2011-07-08 EP EP20110173348 patent/EP2405473A3/en not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8656736B2 (en) | 2014-02-25 |
JP2012019108A (ja) | 2012-01-26 |
EP2405473A2 (en) | 2012-01-11 |
US20120006060A1 (en) | 2012-01-12 |
KR20120005395A (ko) | 2012-01-16 |
EP2405473A3 (en) | 2013-07-03 |
CN102332884A (zh) | 2012-01-25 |
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