TW201214470A - Transparent conductive film having high optical transmittance and method for manufacturing the same - Google Patents

Transparent conductive film having high optical transmittance and method for manufacturing the same Download PDF

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Description

201214470 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種具有高光穿透度之透明導電膜,該透 明導電膜可廣泛使用於觸控面板(T〇uch Pand)之透明電極 、液晶顯示器(Liquid Crystal Display)、電子紙(E_paper) 、太陽能電池(Solar Cell)、電子感應顯示(EL),各類具可 撓性的軟性電子產品、以及各類電氣領域。 本發明亦關於一種製備上述透明導電膜之方法。 【先前技術】 近年來,附有觸控面板之筆記型電腦及手機趨於普及, 業界對於具有優異電性及光學性質之觸控面板也更為要求 。透明導電膜為觸控面板之關鍵組件,現今透明導電膜製 作方式多以乾式製程,例如以真空蒸鍍法、濺鍍法、離子 佈植及化學氣相沉積法為主,但乾式製程會有下述問題: (1) 加工過程及卷樣保存時易使薄膜表面破裂,而使表 面阻抗增加(如日本特開2006-302562所揭露之製程)。 (2) 所使用之設備機台昂貴導致量產成本提高(如曰本特 開2008-〇59928所揭露之製程)。 而利用濕式塗佈透明導電膜之方式可解決上述問題,相 較於乾式製程,濕式塗佈導電膜生產效率高且所需的設備 相對上較簡單。習知之濕式塗佈方式主要是將導電材料配 製成一溶液,爾後再將該溶液塗佈於基材上,形成一導電 膜。 一般常見的濕式導電材料有石墨浠(Graphene)、聚(3,4_ 147387.doc 201214470 烧氧基塞1^7)、奈米碳管(Carbon nanotube)等,但上述材 料白具有顏色’不易製得為一具透明性之導電膜,因此在 應用上有所限制,所以增進其透明性為一重要課題。 因此’近期開發濕式製程以製備透明導電膜之發展亦日 趨興盛,譬如US 7449133、日本特開平丨-3 13521號、曰本 特開 2002-193972 號、日本特開 2〇〇3_286336 號、us
7378040、日本特開 20〇5-281704 號、US 7060241、US 7172817、US 72618S2、US 7459121 等專利文獻令所述。 兹簡要分類說明如下: 1^ 7449133揭示利用新穎的導電材料石墨烯(^叩]^1^) 加以改質,使其具有導電性官能基之分子鏈段以增加石 墨烯與石墨烯之間的導電通路,進而增進導電及光穿透度 。但疋利用改質方法以增加石墨烯與石墨烯之間的導電通 路,其製程繁複、產率不高且所費不貲。 曰本特開平1-3 13521號公報揭示藉由使3,4二烷氧基噻 吩在聚陰離子存在下進行氧化聚合所得的聚(3,4_二烷氧基 噻吩)與聚陰離子形成導電性高分子。日本特開2〇〇2_ 193972號公報及曰本特開2〇〇3_286336號公報進—步揭示 藉由改善製法’可在具有較高的光透過率下,具有較低的 表面電阻值(較高的導電性),然而,使用此等導電性高分 子作為導電性薄膜,會有耐濕熱性不佳的缺點。 US 7378040揭示在奈米碳管中加入含氟的高分子或單體 做為奈米碳管的黏合劑,藉由這類含氟高分子或單體的^ 性來增加穿透度、導電度及一些機械強度等性質。:是含 147387.doc 201214470 敗尚分子價格並無競爭力且對環境影響甚大。 曰本特開2005-281704號公報揭示利用添加各種黏合劑 的方去,雖可k兩導電性高分子的耐候性質,但導電性高 分子的導電性會下降。 US 7060241揭示利用調控奈米碳管的外徑小於3.5 nm, 所製備的奈米碳管具有高穿透度。但是奈米碳管在成長以 及篩込時,必須將其控制在—定的外徑範圍之内,實屬困 難。 US 7 1 728 1 7揭示將導電粒子形狀由圓形改為扁平狀,可 以使粒子與粒子間接觸的機率增加,亦可增加穿透率,但 其製作方式卻會導致此導電粒子的良率下降以及成本大幅 提高。 二7261852揭示將含奈米碳管的塗液通過濾膜,使奈米 反目/儿積在;慮膜上’此方法可沉積出較厚的奈米碳管堆積 ,且又可過濾黏合劑’達到較高的導電度。但是此方法會
導致膜厚不均,且會使後續薄膜的電阻值不穩定,以及: 成可見光穿透度低之缺點。 US 7459121揭示利用浸泡塗佈coating)方法製備夺 米碳管導電膜’同時利用此塗佈設備可達成連續式的製程 。但是浸泡塗佈製程上的塗料濃度極不穩定,將會影響製 備出來的薄膜’使其表面電阻值均勻性不佳。 如上所述,該等先前技術利用濕式製程所製備之導電膜 ’其無法同時具備均勻電阻值及高可見光穿透度特性' 其製作過程過於繁複。因此,為了解決上述問題,產業界 147387.doc 201214470 需要一種製備導電膜之方法,該方法除了可以滿足 對於導電膜之電性 '機械強度、耐候性等各種特性之要 外,同時提升光穿透性,此外亦可使製程步驟簡單。 【發明内容】 本發明主要目的在於;^徂 _ „ . ^ j佑%杈供一種具有良好電性 耐候性及高光穿透性之透明導電膜。 有鑑於此, 、機械強度、 為達上揭及其他目的,本發明提供—種透明導電膜,其 已3基材,於3亥基材上具有高水接觸角區域與低水接觸 角區域之光㈣膜層;以及於該光敏感 異之導電層(如圖6所示)。 序又八有差 本發明亦提供一種製備透明導電膜之方法,其 (a)提供一基材; ~ ' (b) 於該基材上塗佈光敏感塗液以形成光敏感膜層; (c) 提供光罩於該光敏感膜層上; ⑷二一輻射光進行照射以使該光敏感膜層_L形成至少 一個尚水接觸角區域與至少一個低水接觸角區域; (e)移除該光罩;及 ⑴於該光敏感膜層上塗佈導電塗液以形成厚度具有差異 之導電層。 、 【實施方式】 本發明提供-種透明導電膜,其包含:基材;於該基材 上具有高水接觸角區域與低水接觸角區域之光敏感膜層 ,·以及於該光敏感膜層上厚度具有差異之導電層(如圖㈣ 示)。 147387.doc 201214470 本發明透明導電膜所使用之基材並無特別限制,任何習 知可應用於作為透明導電膜用之基材,皆可被應用於本發 明中,例如聚酯系樹脂(polyester-based resin)、醋酸系樹 脂(acetate-based resin)、聚醚砜系樹脂(polyethersulf〇ne_ based resin)、聚碳酸酯系樹脂(p〇iycarbonate_based resin) 、聚醯胺系樹脂(polyamide-based resin)、聚醯亞胺系樹脂 (polyimide-based resin)、聚烯烴系樹脂(p〇iy〇lenn-based resin)、丙烯酸酯系樹脂(acrylic-based resin)、聚氯乙稀系 樹脂(polyvinyl chloride-based resin)、聚苯乙烯系樹脂 (polystyrene-based resin)、聚乙烯醇系樹脂(p〇iyvinyl alcohol-based resin)、聚芳酯系樹脂(p〇iyaryiate_based resin)、聚苯硫系樹脂(polyphenylene suinde-based resin) 、聚一氣亞乙稀系樹脂(polyvinylidene chloride-based resin)或(曱基)丙烯酸酯系樹脂((methyl)acrylic_based resin)等材料,但不僅限於此。 根據本發明之較佳實施態樣’用於形成光敏感膜層所適 用之光敏感塗液之材料包含:含有感光基團之有機分子、 溶劑及視情況選用之添加劑。 根據本發明,適用之含有感光基團的有機分子可選自: 肉桂酸酯系(cinnamate)有機分子,此類有機分子可舉出的 例子,例如聚肉桂酸乙稀g旨(polyvinyl cinnamate)、4-經基 肉桂酸甲醋(methyl 4-hydroxy cinnamate)或聚4-曱氧基肉 桂酸乙烯醋(polyvinyl 4-methoxy cinnamate);香豆素(或稱 「鄰經基肉桂酸内酯」)(coumarin)或其衍生物;聚醯亞胺 147387.doc 201214470 (polyimide);及丙烯酸酯系(acrylate)有機分子,此類有機 分子可舉出的例子,例如甲丙烯酸2_經乙酿(2 hydroxyethyl methacrylate)、三丙二醇二丙稀酸酉旨 (tripropylene glycol diacrylate’ TPGDA)、聚氨醋丙稀酸 酉旨(polyurethane acrylate) 〇 根據本發明’適用於光敏感塗液之添加劑可以為光起始 劑、光增感劑、光酸生成劑等或該等之組合。 根據本發明,光起始劑可使用以下態樣,但不限定,例 如:4-二甲基胺基笨甲酸(4-dimethylamino benzoic acid)、 4-二曱基胺基苯甲酸酯(4-dimethylamino benzoate)、烧氧 基乙酿基苯酮(alkoxyacetyl phenone)、苯曱基二甲基縮_ (benzyldimethyl ketal)、二苯曱酮(benzophenone)、苯甲醯 基苯曱酸烧酯(benzoyl benzoic acid alkyl ester )、雙(4-二 烧基胺基苯基)嗣(bi(4-dialkylaminophenyl)ketone)、苯偶 姻(benzoin);苯偶姻苯酸醋(benzoin benzoate)、苯偶姻烧 醚(benzoin alkyl ether)、2-經基-2-曱基丙基苯酮(2-hydroxy-2-methylpropyl phenone)、1-經基環己基苯酮(1-hydroxycyclohexylphenone)、售嘲綱(thioxanthone)、2,4,6-三甲基苯曱醯基苯醢基膦氧化物(2,4,6-trimethylbenzoyl benzoylphosphine oxide) ' 雙(2,6)-二曱氧基苯曱酿基- 2.4.4- 三曱基-戊基膦氧化物(bis(2,6)-dimethoxybenzoyl- 2.4.4- trimethyl-pentylphosphine oxide)、雙(2,4,6-三曱基苯 曱醯基)-苯基膦氧化物(bisp^j-trimethyl-benzoyD-phenylphosphine oxide) ; 2-曱基-1-[4-(甲基硫)苯基]-2-嗎 147387.doc 201214470 啉基丙烷-1-酮(2-methyl-l_[4-(methylsulfanyl)phenyl]-2-morpholinyl-propane-1-one) > 2-苯曱基 _2-二甲基胺基· 1-(4-嗎啉基苯基)-1- 丁酮(2-benzyl-2-dimethylamino-l-(4-morpholinylphenyl)-l-butanone)、芳環烯金屬衍生物(aryl cycloalkenyl metal derivatives)化合物等。 根據本發明,適用的光增感劑可為含不飽和雙鍵的偶氮 染料(Azo dye),例如曱基紅或甲基藍。 適用的光酸生成劑,例如可為芳香烴重氮鹽類 (aryldiazonium sah)、二芳香烴鏑離子鹽類(diarylhai〇nium salt)或二芳香烴疏離子鹽類(triaryisuif〇niurn sait)。 根據本發明之較佳實施態樣,本發明光敏感膜層經輻射 光照射後,會形成至少一個低水接觸角區域與至少一個高 水接觸角區域,其間水接觸角差值範圍,在5度至4〇度之 間’較佳在1 0至3 5度之間。 根據本發明之較佳實施態樣,本發明光敏感膜層之高水 接觸角區域佔該光敏感膜層總面積之25%至75%。根據本 發明之另一較佳實施態樣,本發明光敏感膜層之低水接觸 角區域佔該光敏感膜層總面積之25%至75〇/(^在已形成不 同K接觸角區域的光敏感膜層上,覆蓋一導電塗液7(如圖 導電塗液覆蓋光敏感膜層)。根據「楊氏定理」,當固 體的表面與液體水的表面互相接觸時,在固液界面邊緣處 會形成個夹角,此稱為水接觸角(如圖1 :揚式定理示意 圖)。水接觸角與表面張力的關係式為:
ΟΟϋβ ~Zs ~/sL η 147387.doc 201214470 0:水接觸角 固體的表面張力 固液界面的表面張力 々:液體水的表面張力 當液體滴在具有低表面張力物質所形成的薄膜層上液 滴的形狀會偏向圓形.,在固液界面邊緣處所形成的失角之 角度會較大’也就是水接觸角會較大;反之,當液滴滴在 具有高表面張力物質所形成的薄膜層上,液滴的形狀會趨 於扁平,在固液界面邊緣處所形成的夾角之角度會較小, 也就是水接觸角會較小。因此,由較高表面張力的物質所 形成的薄膜層具有較低的水接觸角;而由較低表面張力的 物質所形成的薄膜層具有較高的水接觸角。 由此可知,當導電塗液覆蓋至光敏感膜層之低水接觸角 (间表面張力)區域5,其塗料液滴的形狀會趨於扁平因此 導電塗液較易呈現均勻展平的狀態。而覆蓋至光敏感膜層 之尚水接觸角(低表面張力)區域6的導電塗液,其塗料液滴 的形狀會偏向圓形,因此導電塗液較不易均勻展平,並出 現流往低水接觸角區域的趨勢(如圖5 :導電塗液流動示意 圖)。 由於覆蓋至向水接觸角區域的導電塗液,出現流往低水 接觸角區域的趨勢,因此低水接觸角區域會聚集較大量的 導電塗液,於乾燥之後,於該區域形成厚度較厚的導電層 ,反之,尚水接觸角區域則聚集較少量的導電塗液,於乾 燥之後,於該區域形成厚度較薄的導電層。如此可形成— 147387.doc •10· 201214470 層厚度具有差異的導電層8(如圖厚度具有差異的導電 . 層)。 • 本發明之厚度具有差異的導電層,可利用alpha-step儀 • 器(K〇Saka ET 4000a)測定其Rz(十點平均粗糙度)值,其Rz 值較佳不小於20 nm、更佳之Rz值為不小於25 nm ,最佳之 Rz值為不小於2 7 ηηι。 本發明透明導電膜之導電層厚度具有差異,適於形成該 φ 冑電層的導電材料可選自:⑴導電高分子;(2)奈米金屬 粒子或奈米金屬氧化物粒子;及奈米碳材料。 適用於本發明的導電高分子係為具有共軛双鍵結構的高 刀子,例如聚苯胺系(p〇lyaniUne)、聚噻吩系 (polythiophene)、聚乙炔系(p〇lyacetylene)及聚吡咯系 (polypyrrole) 〇 適用於本發明的奈米金屬粒子或奈米金屬氧化物粒子可 為任何本發明所屬技術領域之人士所熟知者,其例如可為 鲁奈米銀粒子(Ag)或奈米氧化銦錫粒子(ITO)。 適用於本發明的奈米碳材料例如為奈米碳管(carb〇n nanotube)、石墨烯(graphene)或奈米石墨粒子 graphite particles) 〇 本發明亦提供一種製備透明導電膜之方法,其包括: (a) 提供一基材; (b) 於該基材上塗佈光敏感塗液以形成光敏感膜層; (c) 於光敏感膜層上提供光罩; (d) 以一輻射光進行照射使該光敏感膜層上形成至少一 I47387.doc 201214470 個高水接觸角區域與至少一個低水接觸角區域; (e) 移除光罩; (f) 及於光敏感膜層上塗佈導電塗液以形成厚度具有差異 之導電層。 根據本發明的具體實施態樣,該製備透明導電膜之方法 係在基材上塗佈光敏感塗液’以形成光敏感膜層,接著覆 蓋光罩後進行輻射光(例如紫外光)的照射,以於光敏感膜 層上形成一個或多個低水接觸角區域(高表面張力)與一個 或夕個尚水接觸角區域(低表面張力)。接著移除光罩,於 光敏感膜層上塗佈導電塗液。塗佈於其上的導電塗液容易 聚集於低水接觸角區域,而於該區域形成厚度較厚的導電 層,塗佈於其上的導電塗液較不易聚集於高水接觸角區域 ,因此該區域係形成厚度較薄的導電層,如此可形成一層 厚度具有差異的導電層。 本务明所使用之光敏感塗液中之光敏感材料可經光之照 射或加熱而產生固化,在固化後,會因為官能基的變化、 結構上的變化’内聚力的變化,而在表面張力上產生明顯 改變。 依據本發明之較佳實施例,如圖2所示,將光敏感塗液 塗在基材4上形成光敏感膜層3,覆蓋光罩2,照射紫外光ι "照射到紫外光的區域,其純感膜層會產生水接觸角的 變化;被光罩上之圖案遮蓋而未照射到紫外光的區域,其 光敏感膜層的水接觸角維持不變。因而如圖3所示,形成 具有不同水接觸㈣區域(低水接觸角區域5及高水接觸角 147387.doc 201214470 區域6)。 本發明可藉由選用如前所述 从^ * 不同的光敏感材料,使光 • 敏感膜層的水接觸角產生不同程度的變化。 本發明透明導電膜之光敏感 兀取级M層上具有高水接觸角區域 ”低水接觸角區域,其高水接觸角區域與低水接觸角區域 之差值範圍’在5度至4G度之間,較佳在1()至35度之間。 本發明藉由選用不同覆蓋率的光軍,可調控低水接觸肖 φ &域與高水接觸角區域之間的區域面積比。根據本發明具 體實施例,光罩覆蓋率範圍係在25%至75%之間。 在已形成不同水接觸角區域的光敏感膜層上,塗上以溶 劑與導電材料所組成的導電塗液7(如目4 : $電塗液覆蓋 光敏感膜層)。覆蓋到低水接觸角(高表面張力)區域5的導 電塗液,其塗料液滴的形狀會趨於扁平,因此導電塗液較 易呈現均勻展平的狀態。而覆蓋到高水接觸角(低表面張 、力)區域ό的導電塗液,其塗料液滴的形狀會偏向圓形,因 φ 此導電塗液較不易均勻展平,並出現流往低水接觸角區域 的趨勢(如圖5 :導電塗液流動示意圖)。 由於覆蓋至尚水接觸角區域的導電塗液,出現流往低水 接觸角區域的趨勢,因此低水接觸角區域會聚集較大量的 導電塗液,於乾燥之後,於該區域形成厚度較厚的導電層 •,反之’高水接觸角區域則聚集較少量的導電塗液,於乾 燥之後’於該區域形成厚度較薄的導電層。如此可形成一 層厚度具有差異的導電層8(如圖6:厚度具有差異的導電 層)〇 147387.doc •13· 201214470 本發明之方法可藉由調整紫外光照射劑量,使光敏感膜 層的水接觸角出現不同程度的變化。當紫外光照射光敏感 膜層時ik著表外光照射劑量的增加,低水接觸角區域與 间水接觸角區域之間的水接觸角差距會變得更大。根據本 發明,紫外光照射劑量較佳之範圍係自1〇() mJ/cm2至8〇〇 mJ/cm2 〇 因此,以調整紫外光照射劑量的方法,可使低水接觸角 區域與高水接觸角區域之間的水接觸角差距增大,進而影 響導電塗液的聚集程度,使導電膜層的厚度差異增大,進 而使光穿透度的提升程度更為顯著。 本發明藉由形成兩個或兩個以上不同水接觸角區域誘 導形成厚度具有差異的導電層之技術’可運用於由各類導 電材料所製成的導電塗液。 根據本發明,可使用水當溶劑來分散導電材料,以配製 導電塗液。也可使用有機溶劑如醇類、酮類或酯類,來分 散導電材料’以配製導電塗液。不論是以水或有機溶劑來 配製導電塗液,只要將導電塗液的表面張力控制在15 dyne/cm至40 dyne/cm之間,塗在具有不同水接觸角區 域的光敏感膜層上時,都可以被誘導形成厚度具有差異的 導電層。 本發明製備透明導電膜的方法不但操作過程簡單,其製 備過程中可以固定塗料之濃度’能精準達到控制各層之厚 度,最終使薄膜的電阻值穩定且具有高光穿透度。 實例 147387.doc 14· 201214470 以下實施例將對本發明做進一步之說明,惟非用以限制 本發明之範圍,任何熟悉本發明技術領域者,在不違背本 發明之精神下所得以達成之修飾及變化,均屬於本發明之 範圍。 A :控制光敏感膜層中的高水接觸角區域與低水接觸肖區 域之間的水接觸角差距值 實施例1 首先,將光敏感材料配製成光敏感塗液並塗於基材上形 成光敏感膜層’其包含以下步驟: (1·1)將甲乙酮(methyiethyiketone)與環戍鲷 (CyCl〇pentanone)以1:1的重量比例,配製出混合溶劑3 5g。 (1.2) 光敏感材料0.5 g(瑞士R〇Uc,型號R〇p_i〇3,肉桂 酸酯系,固含量1〇%,溶劑為環戊酮),加入步驟(ιι)所配 製出的混合㈣3.5 g,稀釋含量25%的光敏感塗 液4 g。 (1.3) 將步驟(1.2)所配製出的光敏感塗液勉,滴於聚酯系 基材上(日本Toyobo,型號A4300,5 cm χ 5 cm χ 1〇〇 μιη) 以方疋轉塗佈法(Spin Coating,1000 rpm,4〇秒)將塗液均 勻展平,再置於恆溫loot的烘箱内,烘烤2分鐘以除去溶 劑,最後回復至室溫,形成基材上方的光敏感膜層。 接著將光敏感膜層覆蓋光罩,照射紫外光使光敏感膜層 產生不同水接觸角之區域,其包含以下步驟: (1·4)將覆蓋率50%的光罩(如圖7),置於經由步驟(1 3)所 製出的’塗有光敏感膜層的基材之上方。 147387.doc 15 201214470 (1.5)使用紫外曝光機(美國jpusi〇n),以紫外光照射步驟 (1.4)所擺放的裝置(如圖2) ’紫外光照射劑量為 470(mJ/cm ),照射後將光罩移開。光敏感膜層被紫外光照 射到的區域,產生水接觸角的變化;被光罩上的圖案遮蓋 而未照射到紫外光的區域,其光敏感膜層的水接觸角維持 不變,因而形成兩種不同水接觸角的區域(如圖3),經測量 水水接觸角差距為5度。 以導電塗液塗於光敏感膜層上形成導電層,其包含以下 步驟: (1_6)將步驟(1.5)所製出,已形成兩個不同水接觸角區域 的光敏感膜層置放於一平臺上。以導電等級的導電高分子 溶液(購自德國HC.Starck)做為導電塗液,取3 mi滴於光敏 感膜層的上方。 (1.7) 將繞線棒(Coating Rod ’ Rod Νο·9,塗佈歷膜厚度 20_ 6 μηι)置於光敏感膜層的上方,在導電塗液完全渔潤繞 線棒後,以滑動的方式,將導電塗液在光敏感膜層上完全 展平,形成厚度約20 μηι的溼膜(如圖4)。 (1.8) 將步驟(1 ·7)所塗出的溼膜,放入恆溫1 〇〇它的烘箱 内,烘烤2分鐘以除去溶劑’即可在光敏感膜層上,沉積 一層導電層。 實施例2 製備過程包含以下步驟: (2.1)光敏感材料0.76 g(Cognis,型號4172F,丙稀酸醋 系),加入曱苯3.2 g(Toluene),光起始劑〇.04 g(美國Ciba 147387.doc •16· 201214470 ,1-184),配製成固含量為20%的光敏感塗液4g。 (2.2) 將步驟(2.1)所配製出的光敏感塗液4 g,滴於聚酯 系基材上(日本Toyobo,型號 A4300,5 cm X 5 cm X 1〇〇 μηι) ’ 以旋轉塗佈法(Spin Coating,1 〇〇〇 rpm,40秒)將塗 液均勻展平,再置於恆溫100°C的烘箱内,烘烤2分鐘以除 去溶劑,最後回復至室溫,形成基材上方的光敏感膜層。 (2.3) 將覆蓋率50%的光罩,置於經由步驟(2.2)所製出的 ,塗有光敏感膜層的基材之上方。 (2.4) 使用紫外曝光機(美國Fusi〇n),以紫外光照射步驟 (2.3)所擺放的裝置,紫外光照射劑量為47〇(«1"<:1112)。 (2.5) 把光罩從光敏感膜層上移開,將光敏感膜層置放於 充滿氮氣的透明盒内。使用紫外光曝光機,以紫外光照射 置於透明盒内的光敏感膜層使其完全乾燥,紫外光照射劑 量為470(mJ/cm2)。如此可形成兩個不同水接觸角的區域, 經測量水接觸角差距為15度。 (2.6) 至(2.8)同步驟(1.6)至(1.8)。 實施例3 製備過程包含以下步驟: (3.1) 光敏感材料0.76 g(美國Sartomer,型號SR-285,丙 烯酸酯系)’加入曱苯3.2 g(Toluene),光起始劑〇.〇4 g(美 國Ciba ’ 1-184) ’配製成固含量為20%的光敏感塗液4g。 (3.2) 將步驟(3.1)所配製出的光敏感塗液4 g,滴於聚酿 系基材上(日本 Toyobo ’ 型號 A4300,5 cm X 5 cm X 1〇〇 μηι) ’ 以旋轉塗佈法(Spin Coating,1 〇〇〇 rpm,40秒)將塗 147387.doc •17- 201214470 液均勻展平,再置於恆溫10(rc的烘箱内,烘烤2分鐘以除 去溶劑,最後回復至室溫,形成基材上方的光敏感膜層。 (3.3) 將覆蓋率50%的光罩,置於經由步驟(32)所製出的 ’塗有光敏感膜層的基材之上方。 (3.4) 使用紫外曝光機(美國1?1^1〇11),以紫外光照射步驟 (3.3)所擺放的裝置,紫外光照射劑量為47〇(1^/(^2)。 (3·5)把光罩從光敏感膜層上移開,將光敏感膜層置放於 充滿氮氣的透明盒内。使用紫外光曝光機,以紫外光照射 置於透明盒内的光敏感膜層,紫外光照射劑量為 470(mJ/cm2)。如此可形成兩個不同水接觸角的區域,水接 觸角差距為35度。 (3.6)至(3.8)同步驟(1.6)至(1.8)。 B :不同的光罩覆蓋率 實施例4 製備過程包含以下步驟: (4.1) 同步驟(3.1)。 (4.2) 同步驟(3.2)。 (4.3) 將覆蓋率25%的光罩(如圖1〇),置於經由步驟(4 2) 所製出的塗有光敏感膜層的基材之上方。 (4.4) 使用紫外曝光機(美國Fusi〇n),以紫外光照射步驟 (4_3)所擺放的裝置’紫外光照射劑量為47〇(mJ/cm2)。 (4.5) 把光罩從光敏感膜層上移開,將光敏感膜層置放於 充滿氮氣的透明盒内。使用紫外光曝光機,以紫外光照射 置於透明盒内的光敏感膜層使其乾燥,紫外光照射劑量為 147387.doc -18- 201214470 470(mJ/Cm2)e如此可形成兩個不同水接觸角的區域水接 觸角差距為35度。 (4.6)至(4.8)同步驟(1.6)至(1.8)。 實施例5 製備過程包含以下步驟: (5.1) 同步驟(3.1)。 (5.2) 同步驟(3.2)。 (5.3) 將覆蓋率75%的光罩(如圖八),置於經由步驟(5 2) 所製出的塗有光敏感膜層的基材之上方。 (5.4) 使用紫外曝光機(美國Fusi〇n),以紫外光照射步驟 (5.3)所擺放的裝置’紫外光照射劑量為47〇(〇1;/(;1112)。 (5.5) 把光罩從光敏感膜層上移開,將光敏感膜層置放於 充滿氮氣的透明盒内。使用紫外光曝光機,以紫外光照射 置於透明盒内的光敏感膜層使其乾燥,紫外光照射劑量為 470(mJ/cm2)。如此可形成兩個不同水接觸角的區域,水接 觸角差距為35度。 (5.6) 至(5.8)同步驟(1.6)至(1.8)。 C :不同的導電材料 實施例6 製備過程包含以下步驟: (6.1)至(6.5)同步驟(3.1)至(3_5)。 (6.6) 將步驟(6.5)所製出,已形成兩個不同水接觸角區域 的光敏感膜層置放於一平臺上。以導電等級的奈米碳管分 散液(購自美國XinNano)做為導電塗液,取3 ml滴於光敏感 147387.doc -19- 201214470 膜層的上方。 (6.7)將繞線棒(Coating R〇d,R〇d No.9,塗佈溼膜厚度 20.6 μιη)置於光敏感膜層的上方,在導電塗液完全溼潤繞 線棒後,以滑動的方式,將導電塗液在光敏感膜層上完全 展平’形成厚度約20 μπι的歷膜。 (6·8)將步驟(6.7)所塗出的溼膜,放入恆溫l〇〇t的烘箱 内,烘烤2分鐘以除去溶劑,即可在光敏感膜層上沉積 一層導電膜層》 實施例7 製備過程包含以下步驟: (7.1)至(7.5)同步驟(3.1)至(3.5)。 (7.6)將步驟(7.5)所製出,已形成兩個不同水接觸角區域 的光敏感膜層置放於一平臺上β以導電等級的石墨烯 (Graphene)分散液(購自美國SCIENCES)做為導電塗液 ,取3ml滴於光敏感膜層的上方。 (了…將繞線棒彳以如叫尺“’尺“⑽^’塗佈溼膜厚产 20·6 μιη)置於光敏感膜層的上方,在導電塗液完全溼潤繞 線棒後,以滑動的方式,將導電塗液在光敏感膜層上完全 展平’形成厚度約2 0 μιη的溼膜。 (7.8)將步驟(7.7)所塗出的溼膜,放入恆溫:l〇〇c>c的烘箱 内,烘烤2分鐘以除去溶劑,即可在光敏感膜層上,沉積 一層導電膜層。 實施例8 製備過程包含以下步驟: 147387.doc •20- 201214470 (8.1)至(8.5)同步驟(3.1)至(3.5)。 (8.6) 將步驟(8.5)所製出,已形成兩個不同水接觸角區域 的光敏感膜層置放於一平臺上。以導電等級的奈米銀粒子 分散液(購自Cima)做為導電塗液,取3如滴於光敏感膜層 的上方。 (8.7) 將繞線棒(^:0沾叩尺〇(1,尺〇(1]^0.9,塗佈溼膜厚度 20.6 μιη)置於光敏感膜層的上方,在導電塗液完全溼潤繞 線棒後,以滑動的方式,將導電塗液在光敏感膜層上完全 展平’形成厚度約20 μπι的溼膜。 (8.8) 將步驟(8.7)所塗出的溼膜,放入恆溫100°C的烘箱 内’烘烤2分鐘以除去溶齊丨,即可在光敏感膜層上,沉積 一層導電層。 比較例 A.控制光敏感膜層中的高水接觸角區域與低水接觸角 區域之間的水接觸角差距值 比較例1 (1.1)至(1.4)同實施例1步驟(11)至(14)。 (1-5)使用备、外曝光機(美國Fusi〇n),以紫外光照射步驟 (1.4)所擺放的裝置,紫外光照射劑量為i〇〇(mJ/cm2),照 射後將光罩移開。光敏感膜層被紫外光照射到的區域,產 生水接觸角的變化’被光罩上的圖案遮蓋而未照射到紫外 光的區域’其光敏感膜層的水接觸角維持不變,因而形成 兩種不同水接觸角的區域,經測量水水接觸角差距為2度。 (1·6)至(1.8)同實施例1步驟(1.6)至(1.8)。 147387.doc 201214470 比較例2 製備過程包含以下步驟: (2.1) 取一聚酯系基材(曰本Toyobo,型號A4300,5 cm X 5 cm X 100 μηι)。 (2.2) 以導電等級的導電高分子溶液(購自德國Hc ^訂心) 做為導電塗液’取3 ml滴於基材的上方。 (2.3) 將繞線棒(Coating Rod,Rod No.9,塗佈溼膜厚产 20.6 μηι)置於基材的上方,在導電塗液完全溼潤繞線棒後 ,以滑動的方式,將導電塗液在基材上完全展平,形成厚 鲁 度約20 μηι的渔膜。 (2.4) 將步驟(2.3)所塗出的溼膜,放入恆溫1〇〇。〇的烘箱 内,烘烤2分鐘以除去溶劑,即可在基材上,沉積—層^ 電層。 比較例3 製備過程包含以下步驟: (3.1) 同實施例3步驟(3.1)。 (3.2) 同實施例3步驟(3.2)。 φ (3_3)將覆蓋率50%的光罩,置於經由步驟(32)所製出的 ,塗有光敏感膜層的基材之上方。 、 (3.3)所擺放的裝置,紫外光照射劑量為_(mj/cm2)。形 成兩個不同水接觸自的. ,A Λ Λ 设啊月的^域,水接觸角差距為50度。 (3.5)至(3.7)同實施例1步驟(1.6)至(1.8)。 Β :不同的光罩覆蓋率 147387.doc -22· 201214470 比較例4 製備過程包含以下步驟: (4.1) 同實施例3步驟(3.1)。 (4.2) 同實施例3步驟(3.2)。 (4.3) 將覆蓋率1 〇%的光罩(如圖11),置於經由步驟(4.2) 所製出的’塗有光敏感膜層的基材之上方。 (4.4) 使用紫外曝光機(美國Fusi〇n),以紫外光照射步驟 (4_3)所擺放的裝置,紫外光照射劑量為ewmj/cm2)。 (4.5) 把光罩從光敏感膜層上移開,將光敏感膜層置放於 充滿氮氣的透明盒内。使用紫外光曝光機,以紫外光照射 置於透明盒内的光敏感膜層使其乾燥,紫外光照射劑量為 470(mJ/cm2)。如此可形成兩個不同水接觸角的區域,水接 觸角差距為35度》 (4.6) 至(4.8)同實施例1步驟(ι·6)至(18)。 比較例5 製備過程包含以下步驟: (5 · 1)同實施例3步驟(3.1)。 (5.2) 同實施例3步驟(3.2)。 (5.3) 將覆蓋率9〇%的光罩(如圖9),置於經由步驟(5 2)所 製出的,塗有光敏感膜層的基材之上方。 (5.4) 使用紫外曝光機(美國?1^丨〇幻,以紫外光照射步驟 (5.3)所擺放的裝置,紫外光照射劑量為47〇(mj/cm2)。 (5_5)把光罩從光敏感膜層上移開,將光敏感膜層置放於 充滿氮氣的透明盒内。使用紫外光曝光機,以紫外光照射 147387.doc -23- 201214470 置於透明盒内的光敏感膜層使其乾燥,紫外光照射劑量為 470(mJ/cm2)。如此可形成兩個不同水接觸角的區域,水接 觸角差距為35度。 (5.6)至(5,8)同實施例1步驟(1.6)至(18)。 C:不同的導電材料 比較例6 製備過程包含以下步驟: (6_1)取一聚醋系基材(日本仏又^。,型號a43〇〇 ’ $ cm x 5 cm x 100 μπι) ° (6.2) 以導電等級的奈米碳管分散液(購自美國χίηΝ&η〇) 為導電塗液’取3 ml滴於基材的上方。 (6.3) 將繞線棒(Coating Rod ’ Rod No.9,塗佈澄膜厚度 20.6 μπι)置於基材的上方,在導電塗液完全溼潤繞線棒後 ,以滑動的方式,將導電塗液在基材上完全展平,形成厚 度約20 μιη的溼膜。 (6.4) 將步驟(6.3)所塗出的溼膜,放入恆溫1〇〇t的烘箱 内,烘烤2分鐘以除去溶劑,即可在基材上,沉積一層導 電層。 比較例7 製備過程包含以下步驟: (7.1) 取一聚酯系基材(曰本T〇y〇b〇 ’型號a43〇〇,$ cm〉 5 cm χ 100 μηι)。 (7.2) 以導電等級的石墨烯(Graphene)分散液(購自美國 XG SCIENCES)做為導電塗液,取3 m丨滴於基材的上方。 147387.doc • 24- 201214470 (7·3)將繞線棒(Coating Rod,R〇d Νο·9,塗佈渔膜厚度 20.6 μηι)置於基材的上方,在導電塗液完全溼潤繞線棒後 ,以滑動的方式,將導電塗液在基材上完全展平,形成厚 度約20 μπι的渔膜。 (7.4)將步驟(7.3)所塗出的溼膜,放入恆溫1〇〇。〇的烘箱 内,烘烤2分鐘以除去溶劑,即可在基材上,沉積一層導 電層。
比較例8 製備過程包含以下步驟:
(8.1) 取一聚醋系基材(日本T〇y〇b〇,型號A43〇〇,5⑽X 5 cm X 1 〇〇 μηι) 〇 (8.2) 以導電等級的奈米銀粒子分散液(購自以㈣做為導 電塗液’取3 ml滴於基材的上方。 (8.3) 將繞線棒(Coating Rod,R0d N〇9,塗佈渔膜厚度 20.6 _)置於基材的上方,在導電塗液完全関繞線棒^ ,以滑動的方式,將導電塗液在基材上完全展平,形成厚 度約20 μηι的溼膜。 (8.4)將步驟(8.3)所塗出的溼膜,放入恆溫1〇〇。。的烘箱 内,烘烤2分鐘以除去溶劑,可在基材±,沉積一層導 電層。 各實施例與比較例之樣品測試方法 <探針式表面分析儀測試> 將各實施例與各比較例的樣品,以探針式表面分析儀( 日本K0SAKA製,錢ΕΤ__α)進行測試,測得各實施 147387.doc •25· 201214470 例與各比較例的Rz值(較厚 距值)。 區域與較薄區域之間的厚度差 <表面電阻率測試> 將各實施例與各比較例的掸0 j 的樣 ,根據 ASTM D257-93, 乂冋電饥阻抗。十(日本二菱化學製,型號町㈣,探 針型號URS)進行測試,測得各實施例與各比較例的表面電 阻值。 <光穿透度測試> 以JIS-K7105為基準,以霧度計(日本電色工業製,型號 NDH-2000)測試各實施例與各比較例的樣品,測得各實施 例與各比較例樣品的光穿透度。 實驗數據 A:控制光敏感膜層中的高水接觸角區域與低水接觸角 區域之間的水接觸角差距值 表1 實施例1 實施例2 實施例3 光敏感塗液配方 甲乙酮 1.75g 環戊酮 1.75g Rop-103 0.5g 曱苯 3.2g 1-184 0.04g 4172F 〇-76g 甲苯 3.2g 1-184 〇.〇4g SR-285 0.76g 照光劑量 470 mJ/cm2 470 mJ/cmz 470 mJ/cm2 水接觸角差距值 5度 15度 35度 光罩覆蓋率(%) 50 50 50 導電層厚度差距 Rz (nm) 32 nm 85 nm 127 nm . · 90.4 光穿透度(%) 85.2 一^ 87.8 ____一 表面電阻(Ω/口) 800 800 800 147387.doc -26· 201214470 表2 比較例1 比較例2 比較例3 光敏感塗液配方 曱乙酮 1.75g 環戊酮 1.75g Rop-103 0.5g 無 甲苯 3.2g 1-184 〇.〇4g SR-285 0.76g 照光劑量 100 mJ/cm2 無 800 mJ/cm2 水接觸角差距值 2度 0度 50度 光罩覆蓋率(%) 50 50 50 導電層厚度差距 Rz (nm) < 5 nm < 5 nm 無法成膜 光穿透度(%) 83.1 82.9 表面電阻(Ω/口) 800 800 根據如上表1及表2中之數據所示,改變光敏感塗液配方 或是紫外線照光劑量,皆會影響光敏感膜層之不同水接觸 角區域之差距值以及透明導電膜之導電層厚度差距。
比較例1及實施例1至3顯示隨著高水接觸角區域與低水 接觸角區域之間的水接觸角差距增加,當導電塗液塗佈於 其上時,導電塗液聚集於低水接觸角區域的傾向會更強, 使得更大量的導電塗液聚集於低水接觸角區域,於乾燥後 形成更厚的導電膜層,反之’高水接觸角區域則聚集更少 量的導電塗液,於乾燥後形成厚度更薄的導電膜層。使得 導電膜層中較厚的區域與較薄的區域之間的厚度差異增大 ’進而使光穿透度的提升程度更為顯著。 工業界通常對於透明導電膜,要求其光穿透度的提升需 在2%以上。對照於比較例2,比較例!的光穿透度提升不 到1%,並無明顯的提升;實施例!至實施例3的光穿透度 均提升2。/。以,其有明顯的提升,且仍能維持原有的= 147387.doc -27- 201214470 電性’故較符合業界之需求。 然而’根據比較例3之數據’水接觸角差距超過5〇度時 ,導電塗液將完全聚集在低水接觸角區域,而在高水接觸 角區域上則沒有任何的導電塗液,此時已無法形成一個完 整的膜層’將會產生許多膜面的缺陷,因此高水接觸角區 域與低水接觸角區域之間的水接觸角差距應控制於50度以 下。 B:不同的光罩覆蓋率 表3 實施例3 實施例4 實施例5 光敏感塗液配 方 曱笨 3.2g 1-1 84 0.04g SR-285 0.76g 甲苯 3.2g 1-184 0.04g SR-285 0.76g 曱笨 3.2g 1-1 84 0.04g SR-285 0.76g 照光劑量 470 mJ/cm2 470 mJ/cm2 470 mJ/cm2 水接觸角差距 值 35度 35度 35度 光罩覆蓋率 (%) 50 25 75 導電層厚度差 距 Rz (nm) 127 nm 130 nm 1 28 nm 光穿透度(%) 90.4 90.6 86.5 表面電阻 (Ω/口) 800 830 800 表4 比較例4 比較例5 光敏感塗液配方 甲苯 3.2g 1-184 〇.〇4g SR-285 0.76g 曱苯 3.2g 1-184 0.04g SR-285 0-76g 照光劑量 470 mJ/cm2 470 mJ/cm2 水接觸角差距值 35度 35度 光罩覆蓋率(%) 10 90 147387.doc -28 · 201214470 導電層厚度差距 Rz (nm) 125 nm 131 nm 光穿透度(%) 90.7 83.6 表面電阻(Ω/口) 1000 800 如表3及表4之實施例3至5及比較例4至5之數據所示,改 變光罩覆蓋率,除了改變光穿透度外,亦會改變表面電阻 。在相同條件下,隨著光罩覆蓋率之降低,導電層較薄區 域的面積變大,光穿透度與表面電阻皆會增加。 然而,工業界通常對於透明導電膜要求其表面電阻的增 加不可超過10% ^實施例4(光罩覆蓋率25%)的表面電阻為 830 Ω/□,並未增加超過1〇%,故符合要求;比較例4(光罩 覆蓋率10%)的表面電阻為1000 Ω/□,增加超過1〇%,已嚴 重影響導電膜層的導電性,故不符合要求。 C :不同的導電材料 表5 實施例6 比較例6 光敏感塗液配方 甲苯 3.2g 1-184 0.04g SR-285 0.76g 無 照光劑量 470 mJ/cm2 無 水接觸角差距值 35度 0度 光罩覆蓋率(%) 50 50 導電層材料種類 奈米碳管 奈米碳管 導電膜厚度差距 Rz (nm) 45 nm < 5 nm 光穿透度(%) 90.6 84.1 表面電阻(Ω/d) 900 900 147387.doc -29- 201214470 表6 實施例7 _ 比較例7 ^ 光敏感塗液配方 曱苯 3.2g 1-184 0.04g SR-285 0.76g '-- 無 照光劑量 470 mJ/cm2 水接觸角差距值 35度 〇度' 光罩覆蓋率(%) 50 50 ^ 導電層材料種類 石墨稀 石 導電層厚度差距Rz (nm) 27 nm < 5 nm 光穿透度(%) 81.3 ~~~ — ------ 76.0 ^ 表面電阻(Ω/口) 1100 〜 * ~ —-~~~.................. 1100 ^ 表7 實施例8 曱苯 3.2g
1-184 0.04g SR-285 0.76g
奈米銀 115 nm 85.1 150
光敏感塗液配方 照光劑量 水接觸角差距值 光罩覆蓋率(%) 導電層材料種類 導電膜I度差距Rz (nm) _ 光穿透度ϋ 表面電阻(Ω/口) 明之方法所製備之 此外亦可維持表面 如表5至7之個別數據顯示,使用本發 透明導電膜,其具有較佳之光穿透度, 電阻。而對照實施例6至8之數據,其顯示若使用不同的導 電材料’亦會改變透明導電膜之光穿透率以及表面電阻。 細合以上實施例與比較例之數據相較,可知本發明之透 147387.doc -30· 201214470 明導電膜在維持導電特性之同時,具有較佳的光穿透率。 【圖式簡單說明】 圖1係揚式定理示意圖。 圖2係光罩曝光製程示意圖。 圖3係具不同水接觸角區域的光敏感膜層。 圖4係導電塗液覆蓋光敏感膜層。 圖5係導電塗液流動示意圖。 圖6係顯示厚度具有差異的導電層。 圖7係覆蓋率50%光罩示意圖。 圖8係覆蓋率75%光罩示意圖。 圖9係覆蓋率90%光罩示意圖。 圖10係覆蓋率25%光罩示意圖。 圖11係覆蓋率10%光罩示意圖。 【主要元件符號說明】
紫外光 光罩 3 4 5 6 7 8 光敏感膜層 基材 低水接觸角區 尚水接觸角區 導電塗液 導電層 147387.doc •31 -

Claims (1)

  1. 201214470 七、申請專利範圍: 1. 一種透明導電膜,包含: 基材; 於絲材上具有南水接觸角區域與低水接觸角區域之 光敏感膜層;以及 於該光敏感膜層上之厚度具有差異的導電層。
    2.如請求们之透明導電膜,其中形成該光敏感膜層所用 之材料為光敏感塗液,其包含含有感光基團之有機分子 、溶劑及視情況選用之添加劑。 3·如請求項2之透明導電膜,纟中該含有感光基團的有機 分子選自由肉桂酸醋系有機分子、香豆素及其衍生物、 聚醯亞胺、丙烯酸醋系有機分子及其混合所組成之群。 4.如凊求項3之透明導電膜,其中該肉桂酸酯系有機分子 選自由聚肉桂酸乙烯酯、4_羥基肉桂酸甲酯及聚4•甲氧 基肉桂酸乙烯酯所組成之群。 5.如請求項3之透明導電膜,其中該丙烯酸醋系有機分子 係選自由甲丙烯酸2-羥乙酯、三丙二醇二丙烯酸酯及聚 氨酯丙烯酸酯所組成之群。 6.如請求項2之透明導電膜,其中該添加劑係光起始劑、 光增感劑、光酸生成劑或其組合。 7.如請求項1之透明導電膜,其中該高水接觸角與該低水 接觸角差距在5至40度之間。 8·如請求項1之透明導電膜,其中該高水接觸角區域佔該 光敏感膜層總面積之25%至75%。 147387.doc 201214470 9.如請求们之透明導電膜’其中該導電層之導電材料為 選自由導電高分子、奈米金屬粒子、奈米金屬氧化物粒 子及奈米碳材料所組成之群。 10·如:求項9之透明導電膜,其中該導電高分子係選自由 聚苯胺系導電高分子、聚噻吩系導電高分子、聚乙炔系 導電间分子及聚吡咯系導電高分子所組成之群。 u.如請求項9之透明導電膜,其中該奈米金屬粒子係奈米 銀粒子D 12_如請求項9之透明導電膜,其中該奈米金屬“物粒子 係奈米氧化銦錫粒子。 13·:。月求項9之透明導電膜,丨中該奈米碳材料係奈米碳 管、石墨烯或奈米石墨粒子。 14. 一種製備透明導電膜之方法,其步驟包含: (a) 提供基材; (b) 於該基材上塗佈光敏感塗液以形成光敏感膜層; (c) 於該光敏感骐層上提供光罩; (d) 以一輻射光進行照射使該光敏感膜層上形成至少 一個高水接觸角區域與至少一個低水接觸角區域; (e) 移除該光罩;及 (f) 於該光敏感膜層上塗佈導電塗液以形成厚度具有 差異之導電層。 八 士《月袁員14之方法,其中該高水接觸角與該低水接觸角 差距在5至40度之間。 16.如請求項14之方法,其中該光罩之覆蓋率範圍在挪至 147387.doc 201214470 75%之間。 17. 如請求項14之方法,其中該導電塗液之表面張力在^至 40 dyne/cm之間。 18. 如請求項14之方法,其中該輻射光係為紫外光。 19. 如請求項18之方法,其中該紫外光照射劑量之範圍係自 100 mJ/cm2至 800 mj/cm2。 20. 如請求項14之方法,其中該光敏感塗液包含含有感光基 B 團之有機分子、溶劑及視情況選用之添加劑。 21. 如請求項20之方法,其中該含有感光基團的有機分子選 自由肉桂酸酯系有機分子、香豆素及其衍生物、聚醯亞 胺、丙烯酸酯系有機分子及其混合所組成之群。 22. 如請求項21之方法,其中該肉桂酸酯系有機分子選自由 聚肉桂酸乙烯酯、4-羥基肉桂酸曱酯及聚4_曱氧基肉桂 酸乙烯醋所組成之群。 23. 如請求項21之方法,其中該丙烯酸酯系有機分子係選自 φ 由甲丙烯酸2_羥乙酯、三丙二醇二丙烯酸酯及聚氨酯丙 烯酸酯所組成之群。 24. 如請求項20之方法,其中該添加劑係光起始劑、光增感 劑、光酸生成劑或其組合。 147387.doc
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI450821B (zh) * 2012-05-03 2014-09-01 Taiwan Textile Res Inst 具可撓性的透明電極及其製造方法
TWI479512B (zh) * 2012-06-01 2015-04-01 Chi Mei Corp 製備一具有一預定圖案奈米碳管膜的導電板的方法及具有一預定圖案奈米碳管膜的導電板

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013146224A1 (ja) * 2012-03-26 2013-10-03 富士フイルム株式会社 ポリエステルフィルムとその製造方法、太陽電池用バックシートおよび太陽電池モジュール
JP5719864B2 (ja) * 2013-04-09 2015-05-20 長岡産業株式会社 透明導電性フィルム
JP6171609B2 (ja) * 2013-06-19 2017-08-02 東ソー株式会社 透明導電膜用塗工液及びこれを用いた透明導電膜
CN105813835B (zh) * 2013-10-15 2018-04-17 贺利氏德国有限两合公司 基于包含第一区域和另外区域的聚合物层的安全结构体
EP2873520B1 (en) * 2013-10-15 2017-08-02 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Security feature based on a polymer layer comprising a first area and a further area
KR102375653B1 (ko) * 2014-02-12 2022-03-16 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 감광성 엘리먼트
KR102629297B1 (ko) * 2015-07-31 2024-01-24 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 도전성 기판
JP6432684B2 (ja) * 2015-07-31 2018-12-05 住友金属鉱山株式会社 導電性基板、導電性基板の製造方法
JP6428942B2 (ja) * 2015-07-31 2018-11-28 住友金属鉱山株式会社 導電性基板、導電性基板の製造方法
CN111349338A (zh) * 2018-12-21 2020-06-30 中国科学院大连化学物理研究所 一种用于热吸收传导的片层阵列复合材料及其制备和应用
CN111883690B (zh) * 2019-08-28 2022-12-06 广东聚华印刷显示技术有限公司 透明金属电极及其制备方法
CN110996554B (zh) * 2019-12-18 2020-12-25 北京无线电计量测试研究所 一种表贴元器件贴装装置和使用方法
US20210226078A1 (en) * 2020-01-22 2021-07-22 Solaero Technologies Corp. Multijunction solar cells for low temperature operation
KR20220115398A (ko) * 2021-02-10 2022-08-17 삼성전자주식회사 포토레지스트 조성물과 이를 이용하는 집적회로 소자의 제조 방법

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6830785B1 (en) * 1995-03-20 2004-12-14 Toto Ltd. Method for photocatalytically rendering a surface of a substrate superhydrophilic, a substrate with a superhydrophilic photocatalytic surface, and method of making thereof
JP4332360B2 (ja) * 2003-02-28 2009-09-16 大日本印刷株式会社 濡れ性パターン形成用塗工液およびパターン形成体の製造方法
JP2006278149A (ja) * 2005-03-29 2006-10-12 Dainippon Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセント素子用基板、および有機エレクトロルミネッセント素子
KR100854243B1 (ko) * 2006-12-27 2008-08-25 동부일렉트로닉스 주식회사 이미지 센서 제조방법
JP5121264B2 (ja) * 2007-03-14 2013-01-16 株式会社リコー 積層構造体及びその製造方法
US20080305349A1 (en) * 2007-06-05 2008-12-11 Sun Chemical Corporation Energy-curing breathable coatings (combined)
CN101465172A (zh) * 2008-12-31 2009-06-24 中国科学院上海硅酸盐研究所 复合结构透明导电膜及其制备方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI450821B (zh) * 2012-05-03 2014-09-01 Taiwan Textile Res Inst 具可撓性的透明電極及其製造方法
TWI479512B (zh) * 2012-06-01 2015-04-01 Chi Mei Corp 製備一具有一預定圖案奈米碳管膜的導電板的方法及具有一預定圖案奈米碳管膜的導電板

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