TW201212145A - Substrate cooling apparatus - Google Patents

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TW201212145A
TW201212145A TW100103178A TW100103178A TW201212145A TW 201212145 A TW201212145 A TW 201212145A TW 100103178 A TW100103178 A TW 100103178A TW 100103178 A TW100103178 A TW 100103178A TW 201212145 A TW201212145 A TW 201212145A
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TW100103178A
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Shingo Nakane
Takayuki Sato
Mitsuaki Yoshitani
Fumito Fukuhara
Hideto Yamaoka
Yuji Abe
Toshiharu Ishikawa
Original Assignee
Dainippon Screen Mfg
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment

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Description

201212145 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於對加熱後之液晶顯示裝置用玻璃基板、 PDP(plasma display panel,電漿顯示器)用玻璃基板、半導 體晶圓、記錄碟片用基板及太陽電池用基板等薄板狀之精 密電子基板(以下簡單地稱作「基板」)進行冷卻處理之基板 冷卻裝置。 【先前技術】 對上述基板進行之處理步驟中,例如於對塗佈有光阻等 處理液之基板加熱並進行成膜之後,適當地進行冷卻該基 板之處理。先前’作為對加熱後之基板進行冷卻之方式, 通常採用將基板載置於經水冷之金屬之冷卻板上之方法。 •又,近年來為提高生產量’亦進行以經冷媒冷卻之搬送輥 一面搬送加熱後之基板一面冷卻。至於該基板冷卻裝置, 揭示於例如專利文獻1中。 [專利文獻1 ]曰本專利特開2009-9428 1號公報 【發明内容】 [發明所欲解決之問題] 然而’將加熱後之基板載置於冷卻板上進行冷卻之方式 中’不僅難以提高生產量(為提高生產量而必需呈多段狀地 配置冷卻板),亦存在於基板大型化時變得無法應對之問 題。又’藉由經冷卻之搬送輥一面搬送基板一面進行冷卻 之方式中,由於搬送輥與基板反覆進行直接接觸·剝離, 因此剝離帶電所引起之靜電之產生成為問題。 153755.doc 201212145 乍為解決該㈣題之冷卻方式,考慮—面搬送加熱後之基 面對該基板喷吹空氣流進行冷卻之方法。於作為喷吹空 氣流之單元而使用具有HEPA(hig“咖叫p—e桁, 南效率微粒空氣)過滤器之風扇過據單元,且對挺送之基板 供給降流之情形時,因空氣流較弱,沿著基板表面之空氣 流之流速幾乎接近零,由此無法有效率地奪去基板之執量 而進行冷卻。X,對搬送之基板自狹縫狀之喷嘴呈簾狀地 喷吹壓縮空氣之方式中,僅可於空氣流接觸於基板之瞬間 奪去基板之熱量’其後空氣流會向周圍擴散,因此難以有 效果地進行均勻之冷卻。 本發明係鑒於上述問題而完成者,其目的在於提供一種 可一面搬送基板,一面效率佳地均勻冷卻基板面内之基板 冷卻裝置。 【解決問題之技術手段】 為解決上述問題,請求項1之發明係一種基板冷卻裝置, 其特徵在於:其係對加熱後之基板進行冷卻處理者,且包 括:搬送機構,其於特定之方向搬送基板;風洞部,其於 藉由上述搬送機構之基板之搬送路徑之周圍形成兩端部開 放之氣體流路;及氣流形成機構,其於上述氣體流路中沿 著基板之搬送方向形成氣流。 又’請求項2之發明係如請求項1之發明之基板冷卻裝 置,其中,於上述風洞部形成有與上述氣體流路連通之排 氣口,上述氣流形成機構具有將上述氣體流路内之環境氣 體自上述排氣口排出之排氣機構。 153755.doc 201212145 又’請求項3之發明係如請求項2之發明之基板冷卻裝 置其中,上述排氣口形成於上述風洞部之上述搬送方向 之中央部。 又,喷求項4之發明係如請求項丨至3中任一項之發明之基 板V "卩裝置其中,上述氣流形成機構包括向上述氣體流 路之兩端部之至少一方吹入氣體之氣體喷出機構。 °月求項5之發明係如請求項4之發明之基板冷卻裝 置,其中,上述氣體喷出機構包括產生離子並使之與氣體 一同吹入上述氣體流路之兩端部之至少一方之離子化器。 又,請求項6之發明係如請求項丨至5中任一項之發明之基 板冷卻裝置,纟中’將向上述氣體流路之兩端部之至少一 方導引氣體之通風筒附設於上述風洞部。 青求項7之發明係如請求項6之發明之基板冷卻裝 置,其中,上述通風筒設置於上述搬送路徑之上下方於 上述設置於上下方之通風筒中設置有雙方之間隔最窄之縮 控部’下側通風筒之縮徑部與上述搬送通路之間隔,小於 上側通風筒之縮徑部與上述搬送通路之間隔。 又,請求項8之發明係如請求項⑴中任—項之發明之基 板冷卻裝置’其中,於上述風洞部之内壁面上與上述搬送 方向平行地延伸設置有整流扇。 又’請求項9之發明係如請求項⑴中任—項之發明之基 板冷卻裝置,其中,上述搬送機構 疋调1稱係错由一部分自設置於 ::洞部之底面之開口部突出之觀而搬送基板,於上述 $ 有覆蓋上純之較上述 153755.doc 201212145 底面更靠下方之全體之圍罩。 又,請求項ίο之發明係一種基板冷卻裝置,其特徵在於: 其係對加熱後之基板進行冷卻處理者,且包括:搬送機構, 其於特定之方向搬送基板;蓋體’其藉由覆蓋上述搬送機 構所搬送之基板之表面,而於與該基板之表面之間形成兩 端部開放之氣體流路;及氣流形成機構,其於上述氣體流 路中沿著基板之搬送方向而形成氣流。 又,請求項11之發明係如請求項10之發明之基板冷卻裝 置,其中,於上述蓋體形成有與上述氣體流路連通之排氣 口,上述氣流形成機構包括將上述氣體流路内之環境氣體 自上述排氣口排出之排氣機構。 又,請求項12之發明係如請求項…或丨丨之發明之基板冷 飞裝置,其中,上述氣流形成機構包括向上述氣體流路之 兩端部之至少一方吹入氣體之氣體喷出機構。 又,請求項13之發明係如請求項12之發明之基板冷卻裝 置其中,上述氣體喷出機構包括產生離子並使之與氣體 同11人入上述氣體流路之兩端部之至少一方之離子化器。 又,請求項14之發明係如請求項1〇至13中任一項之發明 之基板冷卻裝置,其中,將向上述氣體流路之兩端部之至 少—方導引氣體之通風筒附設於上述蓋體上。 又,請求項15之發明係如請求項1〇至14中任一項之發明 之基板冷卻裝置,其中,於上述蓋體之内壁面上與上述搬 送方向平行地延伸設置有整流扇。 【發明之效果] 153755.doc 201212145 根據請求項1至9之發明,於形成於基板之搬送通路周圍 且兩端部開放之氣體流路中沿著基板之搬送方向而形成氣 流,因此可使氣流不沿著加熱後冑送之基板之表面平行擴 散地流動,從而可一面搬送基板一面效率佳地均勻冷卻基 板面内。 尤其,根據請求項5之發明,產生離子並使之與氣體一同 吹入氣體流路,由此可將基板表面上所產生之靜電令和並 除去。 尤其,根據請求項6之發明,將向氣體流路之兩端部之至 乂方導引氣體之通風筒附設於風洞部’因此可藉由柯安 達效應及伯㈣効應而將更多量之氣體效率佳地送入氣體 流路:因此可提高氣體流路内所形成之氣流之流速而進一 步提南基板之冷卻效率。 、尤其根據明求項7之發明,下側通風筒之縮徑部與搬送 ^路之間小於上側通風筒之縮徑部與搬送通路之間 ’因此與基板之上側相比會於下側產生更強之伯努利効 應而使基板下側之氣㈣得低於上側之氣壓,其結果,可 防止基板自搬送通路浮起。 尤其,/艮據請求項8之發明,於風洞部之内壁面上與搬送 方向平行地延伸設置有敕、、去戶 — 有正机扇,因此於氣體流路中氣流被 ^為直線性地流動,可對基板之表面均句地供給氣流, 攸而可更均勻地冷卻基板。 二其,根據請求項9之發明,搬送機構係藉由—部分自設 置於風洞部之底面之開口部突出之輥而搬送基板,且於風 153755.doc 201212145 洞部之底面之外壁設置有覆蓋輥之較底面更靠下方之全體 之圍罩,因此於氣體流路中流動之氣流自開口部與輥之間 之間隙流出至外部的情況被抑制於最小限度,可防止氣體 流路中所形成之氣流之紊亂,從而可更均勻地冷卻基板。 又,根據請求項10至15之發明,於形成於覆蓋搬送基板 之表面之蓋體與基板表面之間且兩端部開放之氣體流路中 &著基板之搬送方向形成氣流,因此可使氣流不沿著加熱 後搬送之基板之表面平行擴散地流動,從而可一面搬送基 板一面效率佳地均勻冷卻基板面内。 尤其,根據請求項13之發明,產生離子並使之與氣體一 同吹入氣體流路,因此可將基板表面上所產生之靜電中和 並除去。 尤其,根據請求項14之發明,將向氣體流路之兩端部之 至少一方導引氣體之通風筒附設於蓋體上,因此可藉由柯 安達效應及伯努利効應而將更多量之氣體效率佳地送入氣 體流路,從而可提高氣體流路内所形成之氣流之流速而進 一步提高基板之冷卻效率。 尤其,根據請求項15之發明,於蓋體之内壁面上與搬送 方向平行地延伸設置有整流扇,因此於氣體流路中氣流被 整流為直線性地流動,可對基板之表面均勻地供給氣流, 從而可更均勻地冷卻基板。 【實施方式】 以下,參照圖式對本發明之實施形態進行詳細說明。 <第1實施形態> 153755.doc -8 - 201212145 圖1係表示本發明之第1實施形態之基板冷卻裝置丨之要 部構成之側視圖。圖丨及以下之各圖中,為明確該些部分之 方向關係而適當附上設2軸方向為鉛直方向且設又丫平=為 • 水平面之XYZ正交座標系…i及以下之各圖中為容 易理解,根據需要而將各部分之尺寸擴大描述。 本發明之基板冷卻裝置丨係用以一面搬送已進行加熱處 理後之基板W(本實施形態中為矩形之液晶顯示裝置用玻璃 基板)一面進行冷卻處理之裝置。首先,對基板冷卻裝置i 之全體概略構成進行說明。基板冷卻裝置丨之主要構成包括 輥搬送機構10、風洞部20及氣流形成機構60。 輥搬送機構10係包括複數個輥〗丨及使該些輥之一部分或 全部旋轉之馬達(省略圖示)而構成。輥搬送機構1〇藉由使複 數個輥11旋轉,而沿著γ方向以特定速度搬送由輥丨丨所支撐 之基板w。本實施形態中,自(_γ)側向(+γ)側搬送基板w。 再者,本說明書中,將搬送基板界之丫方向稱作「搬送方 向」,將與該搬送方向正交之水平方向(即X方向)稱作「寬 度方向」。 於較基板冷卻裝置1更靠上游側((_γ)側)及更靠下游側 ((+Υ)側)處分別設置有輥輸送機。輥輸送機亦具有複數個輥 丨9 ’藉由使該輥19旋轉而沿著γ方向搬送基板w。上游側之 輥輸送機自前步驟之加熱裝置接收加熱後之基板W並將該 基板W搬送至基板冷卻裝置1。下游側之輥輸送機自基板冷 卻裝置1接收基板W並將該基板W搬送至下一步驟之裝置 (例如曝光裝置)。再者,圖1中,為便於圖示,對上游側及 153755.doc -9- 201212145 下游側之輥輸送機分別僅顯示1個輥丨9。 由上游側及下游側之輥輸送機之複數個輥19及輥搬送機 構10之複數個輥11之頂點所形成之平面為基板W之搬送平 面’沿著該搬送平面於Y方向上形成有基板W之搬送通路。 再者’複數個輥19之頂點之高度位置與輥搬送機構1〇之複 數個輥11之頂點之高度位置相同。 以包圍由輥搬送機構10所形成之基板W之搬送通路之周 圍之方式設置風洞部2 0。風洞部2 0形成為兩端部開放之隧 道狀。具體而言,風洞部20之沿著搬送通路之兩端部,即 搬送通路之入口側((-Y)側)及出口側((+Y)側)之端部開放, 可使基板W通過。又’於風洞部20之入口側端部及出口側 端部附設有通風筒50。 以包圍基板W之搬送通路之周圍之方式設置兩端部開放 之風洞部2 0 ’並且於該風洞部2 0之兩端部附設有通風筒 5〇 ’藉此風洞部20及通風筒50之内側空洞部被規定為兩端 部開放之氣體流路25。氣體流路25形成於輥搬送機構1〇所 形成之基板W之搬送通路之周圍。本說明書中,將氣體流 路25之入口側端部(即圖1之(-γ)側之開口)稱作「基板搬入 口 21」,將出口側端部(圖1之(+γ)側之開口)稱作「基板搬出 口 22」。 第1實施形態中’排氣箱70連接於風洞部2〇之搬送方向之 中央部。排氣箱70將氣體流路25内之環境氣體排出。又, 於基板搬入口 21及基板搬出口 22之附近設置有氣刀喷嘴 8〇。氣刀喷嘴80自基板搬入口 21或基板搬出口 22向氣體流 153755.doc •10· 201212145 路25吹入空氣。藉由該些來自排氣箱70之排氣及氣刀喷嘴 80之空氣吹入而於氣體流路25中沿著基板W之搬送方向形 成氣流。即,第1實施形態中,藉由排氣箱70及氣刀喷嘴80 而構成氣流形成機構60。以下,對各部分之構成進行更詳 細說明。 圖2係自下侧觀察風洞部20之頂部(上面)之圖。又,圖3 係自上側觀察風洞部20之底部(底面)之圖。進而,圖4係自 圖1之A-A剖面觀察風洞部20之圖。風洞部20具有剖面成矩 形之箱形形狀。風洞部20之壁面可由例如不鏽鋼(例如 SUS304或SUS430)之板材構成。本實施形態中,藉由於親 搬送機構10之周圍組裝鋁合金(A1)骨材,並於該骨材上組裝 不鏽鋼板材而構成風洞部20。 風洞部20之搬送方向之長度可設為數十min〜數千左 右之任意值,亦可短於基板w之搬送方向長度。例如,第】 實施形態中,將風洞部20之搬送方向之長度設為8〇()111111, 但其短於第4代(G4)以下之玻璃基板之長度。於風洞部2〇之 搬送方向之長度較長之情形時,亦可於頂部或底部安裝加 強桿以使壁面不撓曲。又,風洞部20之寬度方向之長度為 ,為處理對象之基板W之寬度加上數mm〜數十随左右而 付之值即可H風洞部2G之高度亦可設為數随〜數十 mm左右之任意值。第1實施形態中,冑自基板W之搬送通 路至風洞部20之頂部及底部為止之間隔設為20 mm。再者, 土板W之搬送通路至風洞部2G之頂部及底部為止之間隔 設為可加以調整。 153755.doc 11 201212145 如圖2所示,於風洞部20之頂部穿設有與氣體流路25連通 之複數個(第1實施形態中為8個)排氣口 71 ^ 8個排氣口 71形 成於風洞部20之搬送方向之中央部。又,8個排氣口 71沿著 寬度方向成一列地排列形成。各排氣口 71形成與搬送方向 相比寬度方向較長之長孔形狀。 如圖2及圖4所示,於8個排氣口 71之各自之上側設置有排 氣箱70〇即,於風洞部20之頂部上面,對應於8個排氣口71 而设置有8個排氣箱70。8個排氣箱70經由排氣配管74而與 鼓風機75連通連接。於排氣配管74中插設有排氣閥72及流 重调整閥7 3。排氣閥7 2及流量調整閥7 3個別地設置於8個排 氣箱70之各個上。由於以如此方式構成,故可藉由一面使 鼓風機75作動一面使排氣閥72開放,而使排氣箱7〇内成為 負壓並自排氣口 71將氣體流路25内之環境氣體排出。又, 可藉由個別地調整8個流量調整閥73,而個別地調整來自排 列於寬度方向之8個排氣口 71之排氣流量。 又’於風洞部20之頂部内壁面與搬送方向平行地延伸設 置有複數個整流扇23(第1實施形態中為7個)。整流扇23之船 直方向(Z方向)之長度為數mm左右(第1實施形態中為約7 mm)。如 圖2所示’於沿著寬度方向之8個排氣口 71之排列中,以1 個整流扇23通過相鄰之排氣口 71之間之方式構成。 另一方面’如圖3所示,於風洞部20之底部設置有用以使 輥搬送機構10之親11之上側之一部分突出之開口部31。各 開口部3 1之大小設為與較風洞部20之底部更向上側突出之 輥11之尺寸(突出部位之尺寸)相比稍大之程度,以使氣體流 153755.doc •12- 201212145 路25與較風洞部20之底部更靠下方之空間之間之空氣之出 入儘可能地少。 如圖3所示,於風洞部20之底部之寬度方向兩端附近,沿 著搬送方向成一列地形成有複數個開口部3 1。另一方面, 於除寬度方向兩端附近以外之内側區域中,以沿著搬送方 向相鄰之開口部3 1之寬度方向位置一點點地偏移之方式形 成有複數個開口部3 1。如此配置開口部3 1之原因在於考慮 到:加熱後之基板W直接接觸於輥11,藉此該接觸部位因 熱傳導而導致溫度降低。即,於除基板冒之寬度方向兩端 附近以外之内側區域中’由於沿著搬送方向相鄰之輥丨丨之 寬度方向位置偏移’故而該些輥不會接觸於基板w之同一 部位,將與輥11之接觸對基板W之面内溫度分佈之均勻性 所造成之影響抑制於最小限度。與此相對,於基板W之寬 度方向兩端附近,排成一列之複數個輥丨丨之全部斷斷續續 地接觸於基板W之同一部位,因此有可能導致與其他内側 區域相比溫度降低變得顯著。然而,基板w之寬度方向兩 端附近係不作為器件使用之區域,因此不必與其他内側區 域相同地均勻冷卻。 又,於風洞部20之底部亦穿設有與氣體流路25連通之複 口 71形成於
如圖3及圖4所示, 於6個排氣口 71之各自之下側設置有排 數個排氣口 71 (第1實施形態中為6個)。6個排氣 風洞部20之搬送方向之中央部。又, 153755.doc •13- 201212145 氣箱70〇即’於風洞部20之底部下表面,對應於6個排氣口 71而設置有6個排氣箱70。與設置於頂部之排氣箱7〇相同, 6個排氣箱70經由排氣配管74而與鼓風機75連通連接。於排 氣配管74中插設有排氣閥72及流量調整閥73。排氣閥72及 流量調整閥73個別地設置於6個排氣箱70之各個上。因此, 可藉由一面使鼓風機75作動一面使排氣閥72開放,而使排 氣箱70内成為負壓並自排氣口 71將氣體流路25内之環境氣 體排出。又,可藉由個別地調整6個流量調整閥73,而個別 地調整來自沿寬度方向排列於風洞部2〇之底部之6個排氣 口 71之排氣流量。 又,與頂部之整流扇相同之複數個整流扇23(第丨實施形 態中為4個)與搬送方向平行地延伸設置於風洞部2〇底部之 内壁面。再者,以包圍開口部3丨之周圍之方式設置整流板 以使氣體流路25之氣流不自輕11與開口部3丨之間隙流出。 返回至圖1,於風洞部20之底部外壁面,設置有覆蓋輥11 之較底部更靠下方之全體(即除自開口部31突出之部分以 外之全體)之圍罩35。藉由設置該圍罩35,雖然圍罩35之内 側空間與氣體流路25成為經由開口部3丨而連通之狀態,但 氣體路2 5内之環境氣體與基板冷卻裝置丨之外部環境氣 體被隔斷。 於風洞部20之兩端部附設有通風筒5(^通風筒%於風洞 部20之兩端部分別設置於頂部及底部之雙方。於風洞部2〇 之兩端部,於設置於基板胃之搬送通路之上下方之丨對通風 筒50設置有雙方之間隔最窄之縮徑部55。自風洞㈣之端 153755.doc 201212145 部至縮徑部55為止,上下i對通風筒5〇之間隔慢慢變窄。縮 徑部55上之1對通風筒5〇之間隔變得最窄’且較風洞部2〇 之頂部與底部之間之間隔窄。而且,夾著i對通風筒5 〇之縮 徑部55而使風洞部2〇之端部之相反側形成為雙方之間隔擴 大之曲面形狀(R狀)。即’形成為氣體流路25之基板搬入口 21及基板搬出口 22向上下擴展之通風筒構造。通風筒5〇之 曲面形狀係朝向基板W之搬送通路侧凸出。 又’於基板搬入口 21及基板搬出口 22之附近設置有氣刀 喷嘴80。氣刀喷嘴8〇於基板搬入口 21及基板搬出口 22之各 者設置於較基板W之搬送通路更靠上方及下方處,氣刀喷 嘴80為長度方向成為X方向之狹縫喷嘴,朝向基板搬入口 21 或基板搬出口 22呈於寬度方向延伸之簾狀地喷出空氣。氣 刀噴嘴80之安裝位置及安裝角度可調整,較佳為來自氣刀 喷嘴80之空氣喷出方向為斜方向,且預先調整為該空氣喷 出方向相切於與該氣刀噴嘴80對應之通風筒50之曲面。 其次,對具有上述構成之基板冷卻裝置1之冷卻處理動作 進行說明。於基板冷卻裝置1之前段側設置有進行基板贾之 加熱處理之加熱裝置,由該加熱裝置加熱後之基板w藉由 輥輸送機而搬送至基板冷卻裝置丨。加熱後之基板W之溫度 為100C〜150°C左右。 於加熱後之基板W到達基板搬入口 21之前,藉由氣流形 成機構60而於氣體流路25内形成空氣流。圖5係用以說明形 成於氣體流路25中之空氣流之圖。一面使鼓風機75作動一 面使排氣閥72開放,藉此排氣箱70内成為負壓,氣體流路 153755.doc 15 201212145 25内之環境氣體自排氣口 71排出。於風洞部2〇之頂部及底 部之雙方利用排氣箱70進行排氣。複數個排氣箱Μ(於風洞 部20之頂部為8個,於底部為6個)之各自之排氣流量可藉由 流量調整閥73而個別地調整,且以能夠遍及氣體流路以之 寬度方向而以儘量均勻之流量排氣之方式進行調整。 與排氣一同地自氣刀喷嘴80向基板搬入口21及基板搬出 口 22吹入空氣。自上下丨對氣刀喷嘴8〇向基板搬入口 21及基 板搬出口 22之各自吹入空氣。氣刀喷嘴8〇呈於寬度方向延 伸之簾狀地喷出空氣,因此可遍及氣體流路25之寬度方向 而以均勻地流量向基板搬入口 21及基板搬出口 22吹入空 氣。 與自氣體流路25之中央部進行排氣一同地自兩端部吹入 空氣,藉此於氣體流路25中形成沿著圖5所示之基板w之搬 送方向之空氣流。即,自入口側之上下1對氣刀喷嘴8〇吹入 至基板搬入口 21之空氣’通過入口側之通風筒5〇之縮徑部 5 5而於風洞部20内朝向(+Y)側流動,並自形成於風洞部2〇 之中央部之排氣口 71向排氣箱70排氣。另一方面,自出口 側之上下1對氣刀喷嘴80吹入至基板搬出口 22之空氣,通過 出口側之通風筒5 0之縮徑部5 5而於風洞部20内朝向(-Y)侧 流動,並自形成於風洞部20之中央部之排氣口 71向排氣箱 70排氣。其結果’如圖5所示’於沿著基板W之搬送方向之 氣體流路25之較中央部更靠上游側((-Y)側)形成有從(-Y) 側朝向(+Y)側之氣流,反之於較中央部更靠下游側((+Y)側) 形成有自(+Y)側朝向(-Y)側之氣流。 153755.doc -16· 201212145 加熱後之基板W自基板搬入口 21搬送至風洞部2〇内,沿 著形成有圖5之空氣流之氣體流路25而藉由輥搬送機構1〇 自(-Y)側向(+Y)側搬送。於基板W位於風洞部20之較中央部 更靠上游側時,向與搬送基板W之方向相同之方向流動空 氣流。另一方面,於基板w位於風洞部2〇之較中央部更靠 下游側時’向與搬送基板W之方向相反之方向流動空氣 流。任一情形時,可係與基板w之搬送方向平行地流動空 氣流。 因此,沿著經加熱之基板W之表面而平行地流動空氣 /瓜,该空氣流奪去基板w之熱量並自排氣口 7丨送出,藉此 使基板W—面搬送一面進行冷卻。於氣體流路25中形成有 與基板W之搬送方向平行之錢流,因此基板w之表面與沿 著搬送方向之空氣流持續接觸,從而可效率佳地冷卻基板 W。又,於形成於風洞部20内側之氣體流路25中流動空氣 机因此可防止空氣流擴散而使之持續作用於基板w之表 面。而且’藉由排氣箱70及氣刀喷嘴8G而遍及氣體流路25 之寬度方向以均勻之流量流動空氣流,因此可以基板评之 面内/皿度77佈變得均勾之方式進行冷卻。經冷卻而溫度降 低之基板w自基板搬出σ22搬出,並藉由下游側之輕輸送 機而搬送至下一步驟之裝置。 又’於氣體流路25中形成氣流,並將該氣流自排氣口71 排出至裝置外部,因此於較前段側之加熱裝置更靠前之步 驟為光阻等處料之㈣㈣之情料,可將自經加熱之 土板產生之昇華物或溶媒成分與氣流一同排出至裝置外 153755.doc -17- 201212145 部。其結果,可將加熱後之冷卻步驟之基板w維持於潔淨 狀態。 又’於風洞部20之頂部及底部之内壁面上與搬送方向平 行地延伸設置有整流扇23,因此氣體流路25中之空氣流可 被整流為直線性地流動。藉此,可對沿著氣體流路2 5搬送 之基板W之表面均勻地供給空氣流,從而可更均勻地冷卻 基板W。 又’第1實施形態中’設為於風洞部20之兩端部分別附設 有上下1對通風筒50之通風筒構造。而且,對應於入口側及 出口側之1對通風筒50而分別設置有氣刀喷嘴8〇β自氣刀喷 嘴80以沿著所對應之通風筒50之曲面之方式呈簾狀地喷出 空氣。更嚴格地說,如圖6所示,以使來自氣刀喷嘴go之空 氣喷出方向AR與通風筒50之曲面相切之方式喷出空氣。例 如’以使來自設置於入口側之上側之氣刀喷嘴8〇之空氣喷 出方向AR與入口側之上側通風筒50之曲面相切之方式呈 簾狀地喷出空氣。 通常,於對曲面喷吹流體之情形時,因柯安達效應而沿 著該曲面使流體之流向發生改變。即’第1實施形態中,如 圖6所示,自氣刀喷嘴80向斜方向(斜上方或斜下方)呈簾狀 地喷出空氣,但由於沿著通風筒50之曲面噴吹空氣,故而 該空氣之流向因柯安達效應而沿著通風筒5〇之曲面發生改 變,從而被順利地導引至氣體流路25 ^其結果,可將自氣 刀喷嘴80喷出之空氣效率佳地導入至氣體流路以,可提高 氣體流路25内所形成之空氣流之流速而提高基板w之冷卻 153755.doc • 18 · 201212145 效率。 又’沿著通風筒50之曲面高速地流動空氣之結果,藉由 伯努利効應而使該空氣之流線上之氣壓降低,可吸引基板 搬入口 21及基板搬出口 22附近之空氣流入氣體流路25。其 、’。果可使自氣刀喷嘴80喷出之空氣量以上之空氣流入至 氣體"IL路25 ’可提尚氣體流路25内所形成之空氣流之流速 而進一步提高基板W之冷卻效率。 又,上下1對通風筒5〇之間隔變得最窄之縮徑部55之上下 間隔,窄於風洞部20之頂部與底部之間之間隔。藉由於通 風筒構迨中没置該縮徑部55,可進一步提高來自基板搬入 口 21及基板搬出口 22之空氣之流入速度。藉此,可更強地 獲得伯努利効應,可提高氣體流路25内所形成之空氣流之 流速而進一步提高基板W之冷卻效率。 此外,因自氣刀噴嘴80噴吹至通風筒50之曲面時所產生 之伯努利効應而產生之氣壓之降低,亦會對沿著搬送通路 搬送之基板w帶來影響。若通過基板搬入口 21及基板搬出 口 22之基板W之上側之氣壓低於下側之氣壓,則有基板w 受到來自下方之氣壓而浮起之虞。因此,第1實施形態中, 如圖6所示,於入口側及出口側,分別使下侧通風筒5〇之縮 徑部55與基板W之搬送通路之間隔d〗,小於上側通風筒5〇 之縮徑部55與搬送通路之間隔旬。藉此,於基板w通過基板 搬入口 21或基板搬出口 22時,於基板w之較上側而更靠下 側處產生更強之伯努利効應,從而使基板W下側之氣壓低 於上側之氣壓。其結果,可防止基板W自搬送通路浮起。 153755.doc -19· 201212145 又,由於設置有覆蓋較風洞部20之底部更靠下方之棍u 全體之圍罩3 5,因此可將自該底部之開口部3 1與輥11之間 之間隙流過氣體流路25之空氣流之流出抑制於最小限度。 因此,可防止形成於氣體流路2 5中之空氣流紊亂,可均勻 地冷卻基板W。 〈第2實施形態> 其次’對本發明之第2實施形態進行說明。圖7係表示第2 實施形態之基板冷卻裝置之圖。第2實施形態之基板冷卻裝 置亦係對加熱後之基板W —面搬送一面進行冷卻處理之裝 置。第1實施形態中藉由排氣箱7 0及氣刀喷嘴8 〇而形成氣流 形成機構60’但第2實施形態中未設置氣刀噴嘴8〇,而僅由 排氣箱7〇構成氣流形成機構60。至於其他方面,第2實施形 態之基板冷卻裝置具有與第1實施形態相同之構成,圖7中 對與第1實施形態相同之要素附上相同之符號。 第2實施形態之基板冷卻裝置中,由於未設置氣刀嘴嘴 80,因此僅藉由來自排氣箱70之排氣而於氣體流路25内形 成空氣流《即’藉由一面使鼓風機75作動一面使排氣閥72 開放’而使排氣箱70内成為負壓’氣體流路25内之環境氣 體自排氣口 71排出。與第1實施形態相同,複數個排氣箱7〇 各自之排氣流量可藉由流量調整閥73而個別地調整,且被 調整為能夠遍及氣體流路25之寬度方向而以均勻之流量進 行排氣。 藉由氣體流路25之環境氣體自排氣口 71排出而對氣體流 路25内進行減壓,因此自基板搬入口 21及基板搬出口 22吸 153755.doc •20- 201212145 引外σ卩之環i兄氣體。其結果,如圖7所示,於氣體流路25 中形成有沿著基板W之搬送方向之空氣流。排氣箱70設置 於風洞部20之中央部,因此於沿著基板…之搬送方向之氣 體流路25之較中央部更靠上游侧形成有自(_γ)側向(+γ)側 之氣流,反之於較中央部更靠下游側形成有自(+γ)側向(_γ) 側之氣流。因此,與第1實施形態相同,於基板W位於風洞 部20之較中央部更靠上游側時,向與搬送基板W之方向相 同之方向流動空氣流,於基板w位於風洞部2〇之較中央部 更靠下游侧時,向與搬送基板W之方向相反之方向流動空 氣流。任一情形時’均係與基板W之搬送方向平行地流動 空氣流。 因此’沿著經加熱之基板w之表面而平行地流動空氣 流,該空氣流奪去基板w之熱量並自排氣口 71送出,藉此 可對基板w—面搬送一面進行冷卻。由於氣體流路25中形 成有與基板W之搬送方向平行之空氣流,因此基板w之表面 持續接觸於沿著搬送方向之空氣流,從而可效率佳地冷卻 基板W。又’由於在形成於風洞部20内側之氣體流路25中 流動空氣流’因此可防止空氣流擴散而使之持續作用於基 板w之表面。而且,藉由排氣箱7〇而遍及氣體流路25之寬 度方向以均勻流量流過空氣流,因此可以使基板W之面内 溫度分佈變得均勻之方式冷卻基板w。 又’第2實施形態中,僅藉由來自排氣箱70之排氣而於氣 體流路25内形成空氣流,因此不易產生伴隨喷吹空氣而於 基板W附著微粒等的情況。第2實施形態中,亦設為於風洞 153755.doc •21 · 201212145 部20之兩端部分別附設有上下1對通風筒5〇之通風筒構 造。第2實施形態中不自氣刀喷嘴8〇喷出空氣,因此與第工 實施形態相比氣流較弱,但於自基板搬入口 2〗及基板搬出 口 22吸引外部之環境氣體時,可藉由通風筒5〇而獲得柯安 達效應及伯努利効應。其結果,可提高形成於氣體流路25 内之空氣流之流速而提向基板W之冷卻效率。此外,可獲 得與第1實施形態相同之構成所帶來之相同之效果。 <第3實施形態> 其次,對本發明之第3實施形態進行說明。圖8係表示第3 貫施形態之基板冷卻裝置之圖。圖8中,對與第丨實施形態 相同之要素附上相同之符號。第3實施形態之基板冷卻裝置 亦係對加熱後之基板W —面搬送—面進行冷卻處理之裝 置。 第3實施形態中,與第i實施形態相同,藉由排氣箱7〇及 氣刀噴嘴80而構成氣流形成機構6〇。但第3實施形態中,並 非於風洞部20之中央部而於出口側端部附近設置排氣口 71 及排氣箱70〇又,僅於風洞部2〇之入口側端部附設上下ι 對通風筒50,並且僅於該入口侧之通風筒5〇附近設置氨刀 喷嘴80。至於其他方面,第3實施形態之基板冷卻裝置具有 與第1實施形態相同之構成。 第3實施形態之基板冷卻裝置中,自氣刀喷嘴8〇向基板搬 入口 21吹入空氣,並且藉由排氣箱7〇而自氣體流路25之出 口側端部附近進行排氣,藉此如圖8所示於氣體流路25内形 成有沿著基板W之搬送方向之空氣流。即,自入口側之上 153755.doc -22- 201212145 下1對氣刀喷嘴80吹入至基板搬入口 21之空氣’通過入口側 之通風筒50之縮徑部55流入風洞部20内’並遍及風洞部2〇 之沿著搬送方向之大致全長向側流動,且自形成於出 口側端部附近之排氣口 71向排氣箱7〇排氣。再者,若可自 基板搬出口 22自由地流入空氣,則該空氣流入排氣口 7 j而 導致無法充分獲得排氣箱7 〇之排氣效果’儘可能減小基板 搬出口 22之開口面積而抑制來自基板搬出口 22之空氣之流 入。其結果’如圖8所示’遍及氣體流路25之大致全長而自 (-Υ)側向(+Υ)側形成氣流。由此,第3實施形態中,於基板 W沿著氣體流路25搬送時,於與基板W之搬送方向平行且與 搬送基板W之方向相同之方向流動空氣流。 因此,與第1實施形態相同,沿著經加熱之基板w之表面 而平行地流動空氣流,該空氣流奪去基板w之熱量並自排 氣口 71送出,藉此對基板W一面搬送一面進行冷卻。由於 氣體流路25中形成有與基板w之搬送方向平行之空氣流, 因此基板W之表面沿著搬送方向與空氣流持續接觸,從而 可效率佳地冷卻基板W。又,由於形成於風洞部2〇内侧之 氣體流路25中流過空氣流,因此可防止空氣流擴散而使之 持續作用於基板W之表面。而且,藉由排氣箱7G及氣刀喷 嘴80而遍及氣體流路25之寬度方向以均句流量流動空氣 流,因此可以使基板w之面内溫度分佈變得均勻之方式進 行冷卻。 又,於基板搬入口 21,自氣刀噴嘴8〇以沿著對應之通風 筒50之曲面之方式呈簾狀地喷出空氣,因此可獲得與第1 153755.doc -23- 201212145 實施形態相同之柯安達效應及伯努利効應。其結果,可提 高形成於氣體流路25内之空氣流之流速而進一步提高基板 W之冷卻效率。此外,可獲得與第丨實施形態相同之構成所 帶來之相同之效果。 再者,第3實施形態中,亦可使排氣箱7〇之位置與氣刀噴 嘴80之位置顛倒過來。即,亦可於風洞部2〇之入口側端部 附近設置排氣口 7 1及排氣箱70,僅於風洞部2〇之出口側端 部附叹上下1對通風筒5〇,並且僅於該出口側之通風筒5〇 之附近設置氣刀喷嘴即便如此,亦可於氣體流路25中 形成與基板W之搬送方向平行且與搬送基板w之方向相反 之方向之空氣流。其結果,可獲得與上述相同之效果。如 此’排氣口 71及排氣箱70可設置於風洞部2〇之沿著搬送方 向之任意位置。 但於如第3實施形態將排氣箱70並非配置於風洞部2〇之 中央部而偏向端部來配置之情形時,無法採用如第2實施形 態般之不設置氣刀喷嘴80之構成。其理由在於,於如第3 實施ft/ ‘1、將排氣箱7 〇配置於風洞部2 〇之出口側端部附近之 情形時’自氣體流路25中之基板搬入口21至排氣口71為止 之壓力損耗,顯著大於自基板搬出口 22至排氣口 71為止之 壓力損耗,從而形成並非自基板搬入口 21而自基板搬出口 22朝向排氣口 71之氣流,氣體流路25中未形成與搬送方向 平行之空氣流。 <第4實施形態> 其次,對本發明之第4實施形態進行說明。圖9係表示第4 153755.doc • 24- 201212145 實施形態之基板冷卻裝置之圖。圖9中對與第1實施形態相 同之要素附上相同之符號》第4實施形態之基板冷卻裝置亦 係用以將加熱後之基板W —面搬送一面進行冷卻處理之裝 置。 第4實施形態中’未設置排氣箱70,僅藉由氣刀喷嘴8〇 構成氣流形成機構60。即,第4實施形態之基板冷卻裝置 中,未於風洞部20設置排氣口 71。又,僅於風洞部20之入 口側端部附設上下1對通風筒5 0 ’並且僅於該入口側之通風 筒50附近設置氣刀噴嘴80。至於其他方面,第4實施形態之 基板冷卻裝置具有與第1實施形態相同之構成。 第4實施形態之基板冷卻裝置中,藉由不自氣體流路25 進行排氣地僅自氣刀喷嘴80向基板搬入口 21吹入空氣,而 於氣體流路25中形成沿著如圖9所示之基板w之搬送方向 之空氣流。即,自入口側之上下1對氣刀喷嘴8〇吹入至基板 搬入口 2 1之空氣,通過入口側之通風筒5〇之縮徑部5 5流入 風洞部20内’遍及風洞部20之沿著搬送方向之大致全長向 (+Y)側流動’並直接自基板搬出口 22排出。其結果,如圖9 所示’遍及氣體流路25之大致全長而形成自(_γ)側向(+γ) 側之單向氣流。由此,第4實施形態中,於基板w沿著氣體 流路25搬送時,於與基板W之搬送方向平行且與搬送基板w 之方向相同之方向上形成空氣流。 因此,與第1實施形態相同,沿著經加熱之基板w之表面 而平行地流動空氣流,該空氣流奪去基板w之熱量並自基 板搬出口 22送出,藉此一面搬送基板w一面進行冷卻。由 153755.doc •25· 201212145 於在氣體流路25中形成與基板貿之搬送方向平行之空氣 流,因此基板W之表面與沿著搬送方向之^氣流持續: 觸,從而可效率佳地冷卻基板w。又,由於空氣流於形成 於風洞部20内側之氣體流路25中流動,因此可防止空氣流 擴散而使之持續仙於基板W之表面n藉^刀= 嘴80而遍及氣體流路25之寬度方向以均句流量流動空氣 流,因此可以使基板W之面内溫度分佈變得均勻之方式進 行冷卻。 又,於基板搬入口 21,自氣刀喷嘴8〇以沿著所對應之通 風荀50之曲面之方式呈簾狀地喷出空氣,因此可獲得與第1 實施形態相同之柯安達效應及伯努利効應。其結果,可提 高形成於氣體流路25内之空氣流之流速而進一步提高基板 W之冷卻效率。此外,可獲得與第丨實施形態相同之構成所 帶來之相同之效果。 再者,第4實施形態中’亦可使氣刀喷嘴80之位置與上述 相反。即,僅於風洞部2〇之出口側端部附設上下i對通風筒 50 ’並且僅於該出口側之通風筒50附近設置氣刀喷嘴80。 即便如此’亦可於氣體流路25中形成與基板W之搬送方向 平行且與搬送基板W之方向相反之方向之空氣流。其結 果’可獲得與上述相同之效果。 但於如第4實施形態般不設置排氣箱70之情形時,無法於 風洞部20之兩端部設置氣刀喷嘴80。其原因在於,若不設 置排氣箱70而於風洞部20之兩端部設置氣刀喷嘴80,則不 存在空氣流之出口’從而不會於氣體流路25中形成空氣 153755.doc •26· 201212145 流。即便不設置排氣箱70,只要於風洞部2〇之任一位置形 成與排氣口 71相同之開口部,則會由於該開口部向大氣開 放,而即便於風洞部20之兩端部未設置氣刀喷嘴8〇亦可於 氣體流路2 5内形成空氣流,從而可獲得與上述相同之效果。 〈第5實施形態> 其次,對本發明之第5實施形態進行說明。圖丨〇係表示第 5實施形態之基板冷卻裝置之圖。第5實施形態之基板冷卻 裝置亦係對加熱後之基板W —面搬送一面進行冷卻處理之 裝置。第5貫施形態之基板冷卻裝置中,於氣刀喷嘴8 〇設置 有離子化器81。至於其他方面,第5實施形態之基板冷卻裝 置具有與第1貫施形態相同之構成,因此圖丨〇中對與第j實 施形態相同之要素附上相同之符號。 離子化器81藉由電暈放電而產生離子。以離子化器81所 產生之離子,與自氣刀喷嘴8〇喷出之空氣一同吹入至基板 搬入口 21及基板搬出口 22。其結果,於氣體流路25内形成 含有離子之空氣流。 基板W於基板冷卻裝置内藉由輥搬送機構1〇之輥u而搬 送。又,基板W亦可於基板冷卻裝置之前後藉由輥輸送機 之輥19搬送。因此,所搬送之基板|不斷重複與輥丨丨或輥 19之接觸•剝離,有時會於基板…之表面產生因剝離帶電 所引起之靜電。該靜電存在成為後續之基板處理之障礙之 虞。 第5實施形態之基板冷卻裝置中,藉由離子化器81而對基 板W之表面供給含有離子之空氣流。由此’因剝離帶電而 153755.doc •27· 201212145 產生之靜電被該離子中和,從而對基板w之表面進行除 電。其結果,可防止後步驟中之因靜電所帶來之妨礙。 除於氣體流路25中形成含有離子之空氣流之方面以外, 第5實施形態之基板冷卻裝置與第丨實施形態相同,因此可 獲得與第1實施形態相同之效果。即,由於沿著經加熱之基 板w之表面而平行地形成空氣流,因此該空氣流奪去基板w 之熱量並自排氣口 71送出,藉此可對基板貿一面搬送一面 進行冷卻。由於氣體流路25中形成有與基板贾之搬送方向 平行之空氣流,故而基板W之表面與沿著搬送方向之空氣 流持續接觸’從而可效率佳地冷卻基板W ^又,由於空氣 流於形成於風洞部20内側之氣體流路25中流動,因此可防 止空氣流擴散而使之持續作用於基板w之表面。而且,藉 由排氣箱70而遍及氣體流路25之寬度方向以均勻流量流動 空氣流’因此可以使基板W之面内溫度分佈變得均勻之方 式冷卻基板W。 <第6實施形態> 其次,對本發明之第6實施形態進行說明。圖丨丨係表示第 6貫施形態之基板冷卻裝置之圖。圖丨丨中對與第1實施形態 相同之要素附上相同之符號。第6實施形態之基板冷卻裝置 亦係對加熱後之基板W —面搬送一面進行冷卻處理之裝 置。 第1實施形態至第5實施形態中,以包圍基板w之搬送通 路之周圍之方式設置風洞部20,且於該風洞部20之内側形 成有氣體流路25 ’但第6實施形態中’於基板W之搬送通路 153755.doc -28 * 201212145 之上方配置蓋體120,且蓋體120覆蓋由輥搬送機構1〇所搬 送之基板W之表面,藉此於該基板|之表面與蓋體12〇之間 形成有兩端部開放之氣體流路125。 蓋體120僅與第1實施形態之風洞部2〇之頂部之構成大致 相同。即,於蓋體120之搬送方向之中央部設置有複數個排 氣口,並且對應於該些排氣口而設置有複數個排氣箱7〇。 可藉由複數個排氣箱70自排氣口排出氣體流路丨25内之環 坆氣體。又,於蓋體120之内壁面,與基板賈之搬送方向平 行地延伸設置有複數個整流扇。 於蓋體120之兩端部附設有通風筒5〇。第6實施形態中, 於蓋體120之兩端部各自之上側設置有!個通風筒5〇。又, 於通風筒50附近設置有氣刀喷嘴氣刀喷嘴8〇於蓋體12〇 之兩端部分別設置較於基板W之搬送通路更靠上方處。 第6實施形態中,加熱後之基板w藉由輥搬送機構1〇而自 (-Y)側向(+Y)側搬送。而且,於蓋體12〇之下方被搬送之基 板W覆蓋時形成氣體流路125,該狀態下,利用排氣箱7〇自 氣體流路125進行排氣及利用氣刀噴嘴8〇向氣體流路125吹 入空氣。 藉由自氣體流路1 2 5之中央部進行排氣,並且自兩端部吹 入空氣,而於氣體流路125中形成如圖丨丨所示之沿著基板W 之搬送方向之空氣流。即’自入口側及出口側之氣刀喷嘴 80吹入之空氣分別於氣體流路丨25内向(+γ)側及(_γ)側流 動’並自形成於蓋體120之中央部之排氣口向排氣箱70排 氣。其結果,如圖11所示,於沿著基板W之搬送方向之氣 153755.doc •29· 201212145 體流路125之較中央部更靠上游側,形成自(-γ)側向(+Y)側 之氣流,反之於較中央部更靠下游側,形成自(+Υ)側向(-Υ) 側之氣流。任一情形時,均可與基板w之搬送方向平行地 流動空氣流。 因此,沿著經加熱之基板w之表面而平行地流動空氣 流,該空氣流奪去基板|之熱量並自排氣口送出,藉此對 基板W—面搬送一面進行冷卻。於氣體流路125中形成有與 基板W之搬送方向平行之空氣流,因此基板w之表面與沿著 搬送方向之空氣流持續接觸,從而可效率佳地冷卻基板 W。又,於形成於蓋體120與基板貿之表面之間之氣體流路 125中流動空氣流,因此可防止空氣流擴散而使之持續作用 於基板W之表面。而且,由於藉由排氣箱70及氣刀喷嘴8〇 而遍及氣體流路125之寬度方向以均勻流量流動空氣流,因 此可以使基板W之面内溫度分佈變得均勻之方式冷卻基板 W。 又,於蓋體120之内壁面上與搬送方向平行地延伸設置有 整流扇23,因此可將氣體流路125中之空氣流整流為直線性 地流動。藉此,可對沿著氣體流路125搬送之基板w之表面 均勻地供給空氣流,從而可更均勻地冷卻基板W。 又’於蓋體120之兩端部分別附設通風筒50,並且對應於 兩側之通風筒50而分別設置氣刀喷嘴80。而且,自氣刀喷 嘴80以沿著對應之通風筒50之曲面之方式呈簾狀地喷出空 氣’因此可獲得與第1實施形態相同之柯安達效應及伯努利 効應。其結果,可提高形成於氣體流路12 5内之空氣流之流 153755.doc -30· 201212145 速而進一步提高基板w之冷卻效率。 <變形例> 以上,對本發明之實施形態進行了說明,但本發明可於 不脫離其主旨之範圍内進行上述内容以外之各種變更。例 如上述各貫施开々態中,设為藉由觀搬送機構1 〇而沿γ方向 搬送基板W,但基板w之搬送方式並不限定於輥搬送,只要 為沿著一方向搬送之機構即可。例如,可採用將基板…載 置於皮帶上進行搬送之皮帶搬送機構,亦可採用自基板w 下方噴出壓縮空氣而使基板w—面浮起一面加以搬送之浮 起搬送機構。 又,上述各實施形態中,係於風洞部20(或蓋體120)設置 複數個排氣口 71及與其等對應之複數個排氣箱70,且在複 數個排氣箱70個別地設置流量調整閥73而可調整排氣平 衡,但亦可為藉由其他構造遍及氣體流路25(125)之寬度方 向而以均勻流量進行排氣。例如,可使用歧管或集管,亦 可設置遍及風洞部2〇(或蓋體120)之寬度方向延伸之狹縫狀 之排氣口。 又,亦可代替鼓風機75,而利用設置有基板冷卻裝置之 工廠之設施排氣、噴射器或排氣泵等。 又,亦可代替整流扇23,而使用可將空氣流整流為沿著 搬送方向呈直線性地流動之其他機構。例如,亦可使用沿 著搬送方向延伸之重複配置有凹狀槽與凸狀部之凹凸構造 等。 又,亦可將較風洞部20之頂部與底部之間之間隔窄之縮 153755.doc •31 - 201212145 徑部’設置於通風筒構造以外之風洞部20之内部(即,基板 搬入口 21及基板搬出口 22以外之區域)。 又,上述各實施形態中,經由通風筒50自氣刀喷嘴80向 氣體流路25(125)吹入空氣’但亦可不設置通風筒50而自氣 刀喷嘴80直接向氣體流路25(125)吹入空氣。當然,使用通 風筒50者可藉由柯安達效應及伯努利効應而將更多量之空 氣效率佳地送入氣體流路25(125)。 又,亦可代替第6實施形態中於基板w之搬送通路之上方 配置蓋體120,而於搬送通路之下方配置蓋體〖2〇 ^該情形 時,蓋體120僅與第1實施形態之風洞部2〇之底部之構成大 致相同。總而言之,只要為藉由蓋體12〇覆蓋由輥搬送機構 10所搬送之基板W之表面(上面或下面),而於與該基板貿之 表面之間形成兩端部開放之氣體流路125者即可。 又,亦可對第6實施形態之基板冷卻裝置進行與第丨實施 形態至第5貫施形態之主旨相同之變更。即,亦可僅藉由來 自排氣箱70之排氣或來自氣刀噴嘴8〇之空氣之吹入而於氣 體/”l路125中形成空氣流。又,亦可不於蓋體12〇之中央部 而於出口側端部或入口側端部設置排氣箱7〇,並於其相反 側设置轧刀喷嘴80。進而,亦可於氣刀喷嘴8〇設置離子化 器81,於氣體流路125中形成含有離子之空氣流。 又,可根據冷卻處理之目標溫度而將風洞部2〇(或蓋體 120)之搬送方向之長度設為任意值,但亦可根據需要而設 置複數段之本發明之基板冷卻裝置丨,呈階段性地對基板w 進行冷卻。 I53755.doc •32· 201212145 又,上述各實施形態中,以對加熱後之矩形之液晶顯示 裝置用玻璃基板進行冷卻處理為例進行了說明,但成為本 發明之基板冷卻裝置之處理對象之基板冒並不限定於此, 亦可為例如PDP用玻璃基板、半導體晶圓、記錄碟片用基 板及太陽電池用基板等。又,本發明之技術亦可應用於對 連續性地形成為片狀之基板一面搬送一面進行^卻之裝 【圖式簡單說明】 圖1係表示本發明之第1實施形態之基板冷卻裝 構成之側視圖; 、 。 圖2係自下側觀察風洞部之頂部之圖; 圖3係自上側觀察風洞部之底部之圖; 圖4係自圖1之A_A剖面觀察風洞部之圖; 圖5係用以說明氣體流路中所形成之空氣流之圖; 圖6係表示通風筒及氣刀喷嘴之周邊之圖;· 圖· 7係表示第2實施形態之基板冷卻裝置之圖. 圖8係表示第3實施形態之基板冷卻裝置之圖, 圖9係表示第4實施形態之基板冷卻裝置之圖. 圖10係表示第5實施形態之基板冷卻裝置之圖· 圖11係表示第6實施形態之基板冷卻裝置之圖 【主要元件符號說明】 I 基板冷卻裝置 10 輥搬送機構 II ' 19 輥 153755.doc -33- 201212145 20 風洞部 21 基板搬入口 22 基板搬出口 23 整流扇 25 、 125 氣體流路 31 開口部 35 圍罩 50 通風筒 55 縮徑部 60 氣流形成機構 70 排氣箱 71 排氣口 72 排氣閥 73 流量調整閥 74 排氣配管 75 鼓風機 80 氣刀喷嘴 81 離子化器 120 蓋體 W 基板 AR 空氣喷出方向 dl 下側通風筒之縮徑部與基板之搬送通路之間隔 d2 上側通風筒之縮徑部與搬送通路之間隔 153755.doc • 34 -

Claims (1)

  1. 201212145 七、申請專利範圍·· 1 ·種基板冷部褒置’其特徵在於:其係對加熱後之基板 進行冷卻處理者,包括: 搬送機構,其於特定之方向搬送基板; 風洞部,其於藉由上述搬送機構之基板之搬送路徑之 周圍形成兩端部開放之氣體流路;及 氣流形成機構,其於上述氣體流路中沿著基板之搬送 方向形成氣流。 2. 3. 4. 如請求項1之基板冷卻裝置,其.中於上述風洞部形成與上 述氣體流路連通之排氣口; 上述氣〃IL形成機構具有將上述氣體流路内之環境氣體 自上述排氣口排出之排氣機構。 如-月求項2之基板冷卻襄置,其中上述排氣口形成於上述 風洞部之上述搬送方向上之中央部。 如吻求項1至3中任-項之基板冷卻裝置,其中上述氣流 >成機構包括氣體噴出機構,其向上述氣體流路之兩端 部之至少一方吹入氣體。 5. 如請求項4之基板冷卻裝置, 離子化器,其產生離子並使 流路之兩端部之至少—方。 其中上述氣體噴出機構包括 之與氣體一同吹入上述氣體 6. 如請求項1至3中任—话+甘上人 ^ 項之基板冷卻裝置,其中將向上述 氣體流路之兩端部+ I 「之至^一方導引氣體之通風筒附設於 上述風洞部。 7.如請求項6之基板冷卻裝置 其中上述通風筒設置於上述 153755.doc 201212145 搬送路徑之上下方; 於上述設置於上下方之通風筒中設置有雙方之間隔最 窄之縮徑部; 下側通風筒之縮徑部與上述搬送通路之間隔係小於上 側通風筒之縮徑部與上述搬送通路之間隔。 8· 9. 如請求们之基板冷卻裝置’其中於上述風洞部之内壁面 上與上述搬送方向平行地延伸設置有整流扇。 如請求们之基板冷卻裝置,其中上述搬送機構係藉由一 部分自設置於上述風洞部之底面之開口部突出之親而搬 送基板; 於上述風洞部之上述底面之外壁進而設置有覆蓋上述 輥之較上述底面更靠下方之全體之圍罩。 10 一種基板冷卻裝置,其特徵在於: 進行冷卻處理者,包括: 其係對加熱後之基板 搬送機構,其於特定之方向搬送基板; 蓋體其藉由覆蓋由上述搬送機構所搬送之基板之表 面而於與。亥基板之表面之間形成兩端部開放之氣體流 路;及 氣流形成機構,其於卜被夯挪丄 并於上述乳體流路中沿著基板之搬送 方向而形成氣流。 11. 如請求項10之基板冷卻裝置,其中於上述蓋體形成與上 述氣體流路連通之排氣口; 上述氣流形成機構包括將上述氣體流路内之環境氣體 自上述排氣口排出之排氣機構。 153755.doc 201212145 12.如請求之基板冷卻裝置,其中上述氣流形成機 構包括氣體喷出機構,其向上述氣體流路之兩端部之至 少一方吹入氣體。 • I3.如請求項12之基板冷卻裝置,其中上述氣體噴出機構包 括離子化器,其產生離子並使之與氣體一同吹入上述氣 ' 體流路之兩端部之至少一方。 14·如請求項⑺或丨丨之基板冷卻裝置,其中將向上述氣體流 路之兩端部之至少一方導引氣體之通風筒附設於上述蓋 體上。 15·如請求項1〇之基板冷卻裝置,其中於上述蓋體之内壁面 上與上述搬送方向平行地延伸設置有整流扇。 153755.doc
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