TW201211119A - Resin paste composition - Google Patents

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paste composition
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TW100120876A
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Chiaki Okada
Kazuhiko Yamada
Yukari Inoue
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Hitachi Chemical Co Ltd
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201211119 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於適合將IC、LSI等之半導體元件接著於 引線架、玻璃環氧配線板等之樹脂糊料組成物及使用其之 半導體裝置。 【先前技術】 以往用作爲半導體晶粒接合材，已知Au-Si共晶、焊 料、樹脂糊料組成物等，但由操作性及花費觀點來看廣泛 使用樹脂糊料組成物。 —般，半導體裝置係將半導體晶片等之元件藉由晶粒 接合材接著於引線架而製造。半導體晶片等之半導體元件 ，伴隨高積體化及微細化而要求導電性、導熱性、接著強 度等特性的高信賴性。 因此，在用於將半導體晶片等之元件接著於引線架等 之樹脂糊料組成物中，導電性塡料，考量使用例如金粉、 銀粉、銅粉等之金屬粉，但因不若金粉般稀有且價高、不 若銅粉般易於氧化且保存安定性差、進而操作性或機械特 性優、樹脂糊料組成物所要求的諸特性亦優等之理由，目 前以使用銀粉的樹脂糊料組成物成爲主流（專利文獻1等 作參考）。 然而，因銀粉本身亦爲貴重金屬且係稀有價高的材料 ，作爲晶粒接合材料希望開發使用更易採用的其他充塡材 料的晶粒接合材，但目前現狀係無法獲得使用取代銀粉之 201211119 材料而具有比銀粉佳的特性之樹脂糊料組成物。 [先行技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]特開2002-179769號公報 【發明內容】 [發明所欲解決課題] 本發明係以提供用於將半導體晶片等之元件接著於引 線架等使用的導電性、接著性、及塗佈操作性優且無溶劑 之樹脂糊料組成物爲目的，尤其以提供不大量使用稀有價 高的銀’導電性、接著性、保存安定性優且塗佈操作性、 機械特性亦優的晶粒接合糊料爲目的。 [解決課題之手段] 本發明者們發現藉由使用更易取得的鋁粉、限制該鋁 粉爲特定者，即使不大量使用稀有且價高的銀，可獲得導 電性或接著性（以下、亦稱接著強度、晶粒抗剪接著強度 )等諸特性優的晶粒接合糊料，而完成本發明。 亦即’本發明係關於將有機化合物、平均粒徑爲2〜 10//m以下之粒狀鋁粉及平均粒徑爲1〜5以„1以下之片 狀銀粉均一分散而成的樹脂糊料組成物。又，本發明係關 於使用該樹脂糊料組成物將半導體元件接著於支持構件後 封閉而成的半導體裝置。又，在此所謂「有機化合物」係
S -6- 201211119 指成爲將鋁粉等分散的介質、構成樹脂糊料用、亦即黏合 劑。該有機化合物，除環氧樹脂、矽酮樹脂、胺基甲酸乙 酯樹脂、丙烯酸樹脂般樹脂外，可舉例如硬化性的丙烯酸 化合物等，丙烯酸化合物，以丙烯酸酯化合物或甲基丙烯 酸酯化合物爲佳、進而以在此等樹脂糊料組成物中搭配起 始劑、可撓化劑、耦合劑等佳。 [發明效果] 本發明之樹脂糊料組成物，藉由塡料使用取得容易的 鋁粉，降低高價的銀粉的使用量同時可提供維持以往特性 之便宜的樹脂糊料組成物。該樹脂糊料適合用作爲晶粒接 合糊料。 [實施發明之最佳形態] 本發明之樹脂糊料組成物爲含有特定鋁粉與銀粉與有 機化合物之黏合劑，尤其特係將半導體元件接著至引線架 、玻璃環氧配線板等的晶粒接合材用之樹脂糊料組成物。 在本發明將以往在樹脂糊料用作爲塡料之銀粉的一部 份或全部以特定鋁粉代替者，作爲本發明所用之鋁粉，爲 平均粒徑l〇#m以下之者，以2〜9/zm較佳、3〜8/im 更佳。 又，鋁粉的表觀密度以〇.4〇〜1.20g/cm3爲佳、0.55 〜0.9 5 g/cm3更佳。形狀爲粒狀，但在不損及本發明之特 性程度亦可倂用片狀、球狀、針狀 '不規則形狀者。 201211119 鋁粉的平均粒徑在1 〇 # m以上則樹脂糊料之均一性 、各種物性降低。又，鋁粉的平均粒徑爲經 microtrack X 1 00 (雷射回折散亂式粒度分佈測定法）測定的中位直 徑D 5 0之値。 另一方面，倂用銀粉時，銀粉亦以使用特定者爲佳’ 藉由組合使用特定銀粉與上述特定鋁粉’可取代銀粉’得 到導電性、接著性、保存安定性優且塗佈操作性' 機械特 性亦優的樹脂糊料組成物。 本發明所使用之銀粉，以平均粒徑爲1〜5 // m、敲緊 密度爲3〜6g/cm3、比表面積爲0.5〜lm2/g爲佳。在此’ 銀粉的平均粒徑爲經雷射回折散亂式粒度分佈測定法測定 之値。又，形狀可舉例如粒狀、片狀、球狀、針狀、不規 則形等，以片狀爲佳。 又，銀粉及鋁粉中之「粒狀、片狀、球狀、針狀」可 用以下者定義。 「粒狀」非不規則形狀者而係具有幾乎相等尺寸的形 狀（JISZ2500: 2000 作參考）。 「片狀（FLAKE )」係指板般形狀（JIS Z2500 : 2 000作參考）、因如鱗般薄板狀故亦稱鱗片狀，在本發 明中由SEM觀察之結果進行解析，爲平均厚度t在0.1 /zm〜15ym、長寬比（平均粒子徑a/平均厚度〇在2 〜1 000之範圍之片狀。在此所謂平均粒子徑a係定義爲 將片狀的銀粒子以在平面視角時的面積S之平方根。 「球狀」係指幾乎接近球形之形狀（JIS Z2500 :
S -8 - 201211119 2 Ο 0 0作參考）。 不一定要爲真球狀，而係以粒子長徑（DL )與短徑（DS )比（DL) / (DS)(亦稱球狀係數或真球度）在1.〇〜 1.2之範圍者爲佳。 「針狀」係指針般形狀（】IS Z2500 : 2000作參考） 〇 將鋁粉與銀粉組合使用之場合的鋁粉與銀粉的搭配量 ，相對樹脂糊料組成物之總量100重量份，以60〜85重 量份爲佳、65〜80重量份更佳、70〜80重量份特別佳。 在上述範圍內，則樹脂糊料組成物的導電性（體積電阻率 )、黏度等之特性變得更適合作爲晶粒接合材 混合之鋁粉與銀粉的重量比以1 / 9〜8 / 2爲佳、3 / 7〜7/3更佳、4/6〜5/5特別佳。該鋁粉與銀粉的重量 比超過8/ 2則有高電阻、接著強度降低及、黏度增加、 操作時的操作性及使用時的塗佈操作性降低之傾向。在1 / 9以上、8 / 2以下則有維持良好導電性（體積電阻率） ，且可提高導熱率之傾向。 本發明所用的有機化合物亦可說係使特定銀粉與鋁粉 分散之介質的成分，可使用各種樹脂或硬化性的丙烯酸化 合物等，樹脂方面，可使用環氧樹脂、矽酮樹脂、胺基甲 酸乙酯樹脂、丙烯酸樹脂等。又，硬化性的丙烯酸化合物 方面，可使用丙烯酸酯化合物或甲基丙烯酸酯化合物等。 本發明所使用之丙烯酸酯化合物或甲基丙烯酸酯化合 物爲1分子中具有1個以上之丙烯醯氧基基或甲基丙烯醯 -9- 201211119 氧基基的化合物，例如可使用下述一般式（I)〜（X)所 表示之化合物。 (1 ) 一般式（I) [化1] R1 ①
G-〇-R2-H
II 0 〔式中，R1爲氫或甲基，R2爲碳數1〜100、較佳爲碳數 1〜36之2價脂肪族或具有環狀構造之脂肪族烴基。〕所 示之化合物。 一般式（I)所示之化合物方面，有甲基丙烯酸酯、 乙基丙烯酸酯、η-丙基丙烯酸酯、異丙基丙烯酸酯、n-丁 基丙烯酸酯、異丁基丙烯酸酯、t-丁基丙烯酸酯、戊基丙 烯酸酯、異戊基丙烯酸酯、己基丙烯酸酯、庚基丙烯酸酯 、辛基丙烯酸酯、2-乙基己基丙烯酸酯、壬基丙烯酸酯、 癸基丙烯酸酯、異癸基丙烯酸酯、月桂基丙烯酸酯、十三 基丙烯酸酯、十六基丙烯酸酯、硬脂醯基丙烯酸酯、異硬 脂醯基丙烯酸酯、環己基丙烯酸酯、異冰片基丙烯酸酯、 三環〔5.2.1.02’6〕癸基丙烯酸酯、2-(三環）〔5.2.1.02,6 〕癸-3-烯-8或9-基氧基乙基丙烯酸酯（二環戊烯基氧基 乙基丙烯酸酯）等之丙烯酸酯化合物、甲基甲基丙烯酸酯 、乙基甲基丙烯酸酯、η-丙基甲基丙烯酸酯、異丙基甲基 丙烯酸酯、η-丁基甲基丙烯酸酯、異丁基甲基丙烯酸酯、 t-丁基甲基丙烯酸酯、戊基甲基丙烯酸酯、異戊基甲基丙
S -10- 201211119 烯酸酯、己基甲基丙烯酸酯、庚基甲基丙烯酸酯、辛基甲 基丙烯酸酯、2-乙基己基甲基丙烯酸酯、壬基甲基丙烯酸 酯、癸基甲基丙烯酸酯、異癸基甲基丙烯酸酯、月桂基甲 基丙烯酸酯、十三基甲基丙烯酸酯、十六基甲基丙烯酸酯 、硬脂醯基甲基丙烯酸酯、異硬脂醯基甲基丙烯酸酯、環 己基甲基丙烯酸酯、異冰片基甲基丙烯酸酯、三環〔 5.2.1.02’6〕癸基甲基丙烯酸酯、2-(三環）〔5.2.1.02’6〕 癸-3-烯-8或9-基氧基乙基甲基丙烯酸酯（二環戊烯基氧 基乙基甲基丙烯酸酯）等之甲基丙烯酸酯化合物。 (2) —般式（II) [化2] R1
H2C= OD c-o-r2-oh
II ο 〔式中，R1及R2各自表示前述者。〕 所示之化合物。 一般式（II)所示之化合物有2-羥基乙基丙烯酸酯、 2-羥基丙基丙烯酸酯、二聚物二醇單丙烯酸酯等之丙烯酸 酯化合物、2_羥基乙基甲基丙烯酸酯、2-羥基丙基甲基丙 烯酸酯、二聚物二醇單甲基丙烯酸酯等之甲基丙烯酸酯化 合物等》 (3)—般式（III) -11 - 201211119 [化3] H2C=C〈R / 予3 、 ? - Ο十 CH2-CH - Ο 七⑽ ο 〔式中，R1爲前述者，R3爲氫、甲基基或苯氧基甲基， R4爲氫、碳數1〜6之烷基基、苯基基或苯甲醯基，！！爲 1〜50之整數。〕所示之化合物。 一般式（III)所示之化合物，有二乙二醇丙烯酸酯 、聚乙二醇丙烯酸酯、聚丙二醇丙烯酸酯、2 -甲氧基乙基 丙烯酸酯、2-乙氧基乙基丙烯酸酯、2_ 丁氧基乙基丙烯酸 酯、甲氧基二乙二醇丙烯酸酯、甲氧基聚乙二醇丙烯酸酯 、2-苯氧基乙基丙烯酸酯、苯氧基二乙二醇丙烯酸酯、苯 氧基聚乙二醇丙烯酸酯、2-苯甲醯基氧基乙基丙烯酸酯、 2 -羥基-3-苯氧基丙基丙烯酸酯等之丙烯酸酯化合物、二 乙二醇甲基丙烯酸酯、聚乙二醇甲基丙烯酸酯、聚丙二醇 甲基丙烯酸酯、2-甲氧基乙基甲基丙烯酸酯、2-乙氧基乙 基甲基丙烯酸酯、2-丁氧基乙基甲基丙烯酸酯、甲氧基二 乙二醇甲基丙烯酸酯、甲氧基聚乙二醇甲基丙烯酸酯、2-苯氧基乙基甲基丙烯酸酯、苯氧基二乙二醇甲基丙烯酸酯 、苯氧基聚乙二醇甲基丙烯酸酯、2-苯甲醯基氧基乙基甲 基丙烯酸酯、2-羥基-3-苯氧基丙基甲基丙烯酸酯等之甲 基丙烯酸酯化合物》 (4) 一般式（IV)
S -12- 201211119 [化4] h2c=cx G-〇-4ch2^-R5 m o 〔式中’ R1爲前述者’ r5爲苯基基、腈基、-Si(〇R6)3 ( R0爲碳數1〜6之烷基基）或下述式之基 [化5] 1 V A Ο HOOC士 1。、，0办 —Ν. 、Re ^CHa N-R® I^CHs 或 )-CH2CH2- (R7、R8及R9各自獨立爲氫或碳數1〜6之烷基，r1()爲 氫或碳數1〜6之烷基基或苯基），111爲0、1、2或3之 數。〕所示之化合物。 一般式（IV)所示之化合物有苄基丙烯酸酯、2-氰乙 基丙烯酸酯、r-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、環氧丙 基丙烯酸酯、四氫糠基丙烯酸酯、四氫吡喃基丙烯酸酯、 二甲基胺基乙基丙烯酸酯、二乙基胺基乙基丙烯酸酯、 1，2,2,6,6-五甲基哌啶基丙烯酸酯、2,2,6,6-四甲基哌啶基 丙烯酸酯、丙烯醯氧基乙基磷酸酯、丙烯醯氧基乙基苯基 酸磷酸酯、β-丙烯醯氧基乙基氫苯二甲酸酯、；8-丙烯醯 氧基乙基氫琥珀酸酯等之丙烯酸酯化合物、苄基甲基丙烯 酸酯、2-氰乙基甲基丙烯酸酯、r-甲基丙烯醯氧基丙基 三甲氧基矽烷、環氧丙基甲基丙烯酸酯、四氫糠基甲基丙 -13- 201211119 烯酸酯、四氫吡喃基甲基丙烯酸酯、二甲基胺基乙基甲基 丙烯酸酯、二乙基胺基乙基甲基丙烯酸酯、1，2,2,6,6-五 甲基哌啶基甲基丙烯酸酯、2，2,6，6-四甲基哌啶基甲基丙 烯酸酯、甲基丙烯醯氧基乙基磷酸酯、甲基丙烯醯氧基乙 基苯基酸磷酸酯等之甲基丙烯酸酯、/3-甲基丙烯醯氧基 乙基氫苯二甲酸酯、/3-甲基丙烯醯氧基乙基氫琥珀酸酯 等之甲基丙烯酸酯化合物。 (5) — 般式（V) [化6] /Rl Rl\ cv) H2C=C\ .c = ch2 c-o-r2-o-c/
II II o o 〔式中，R1及R2各自表示前述者。〕 所示之化合物。 一般式（V)所示之化合物，有乙二醇二丙烯酸酯、 1，4-丁烷二醇二丙烯酸酯、1，6 -己烷二醇二丙烯酸酯、 1,9-壬烷二醇二丙烯酸酯、1，3-丁烷二醇二丙烯酸酯、新 戊二醇二丙烯酸酯、二聚物二醇二丙烯酸酯、二羥甲基三 環癸烷二丙烯酸酯等之二丙烯酸酯化合物、乙二醇二甲基 丙烯酸酯、I，4-丁烷二醇二甲基丙烯酸酯、1，6-己烷二醇 二甲基丙烯酸酯、1，9-壬烷二醇二甲基丙烯酸酯、ι，3-丁 烷二醇二甲基丙烯酸酯 '新戊二醇二甲基丙烯酸酯、二聚 物二醇二甲基丙烯酸酯、二羥甲基三環癸烷二甲基丙烯酸 酯等之二甲基丙烯酸酯化合物。 (6)—般式（VI)
S -14 - 201211119 [化7] H2C=c( ( ί \ / 。十 CHrCH-O女 C=CH2 (νϋ 〔式中，R^R3及η各自爲前述者，但R3爲氫或甲基時 ，η不爲1。〕所示之化合物。 —般式（VI )所示之化合物，有二乙二醇二丙烯酸酯 、三乙二醇二丙烯酸酯、四乙二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇 二丙烯酸酯 '三丙二醇二丙烯酸酯、聚丙二醇二丙烯酸酯 等之二丙烯酸酯化合物、二乙二醇二甲基丙烯酸酯、三乙 二醇二甲基丙烯酸酯、四乙二醇二甲基丙烯酸酯、聚乙二 醇二甲基丙烯酸酯、三丙二醇二甲基丙烯酸酯、聚丙二醇 二甲基丙烯酸酯等之二甲基丙烯酸酯化合物。 (7 )—般式（VII ) [化8] R1
H2C=C a11 R1 OH 一 Λ — OH 、( ^-O-CH2-<!：H-CHz-0-(Qy <〇y〇-CHjrCH-CH2-〇-^r 〇 ^12 6 C=CH2 (vn) 〔式中，R1爲前述者’ R11及r>2各自獨立爲氫或甲基。 所示之化合物。 —般式（VII)所示之化合物，有雙酚A、雙酚F或 雙酚AD1莫耳與環氧丙基丙烯酸酯2莫耳之反應物、雙 酚A、雙酣F或雙酚AD1莫耳與環氧丙基甲基丙嫌酸醋2 莫耳之反應物等。 (8 )—般式（VIII) -15- (VIII) 201211119 [化9]
R1 c=ch2 0-CHz-CH)r〇-C 0 〔式中’ R1、R11及R12各自爲前述者，Ri3及r14各自獨 立爲氫或甲基，p及q各自獨立爲1〜20之整數。〕所示 之化合物。 一般式（VIII)所示之化合物方面，有雙酚a、雙酣 F或雙酚AD之聚乙烯氧化物加成物的二丙烯酸酯、雙酚 A、雙酚F或雙酚AD之聚丙烯氧化物加成物的二丙烯酸 酯、雙酚A、雙酚F或雙酚AD之聚乙烯氧化物加成物的 二甲基丙烯酸酯、雙酚A、雙酚F或雙酚AD之聚丙烯氧 化物加成物的二甲基丙烯酸酯等。 (9 )—般式（IX ) [化 10]
HzC=Cy ( ^1° ^ ^17 〕C=CH2 C-0-(CH2 )3 1 Si—Ο—| —Si-4CH2*)3~〇—C (IX) 〇 V ά1β 人 i18 〇 〔式中，R1爲前述者，R15、R16、R17及rH各自獨立爲 氫或甲基基’ x爲1〜20之整數。〕所示之化合物。 一般式（IX)所示之化合物方面，有雙（丙烯醯氧基 丙基）聚二甲基矽氧烷、雙（丙烯醯氧基丙基）甲基矽氧 院-一甲基砂氧院共聚合物、雙（甲基丙稀醯氧基丙基） 聚二甲基矽氧烷、雙（甲基丙烯醯氧基丙基）甲基矽氧烷 一二甲基矽氧烷共聚合物等。
S -16- 201211119 (10)—般式（χ) [化11]
2CHCH= CH >i(CH2CH= CHCH2^ CHSC>r{CH2CHV CH- COOCH2CHsOOC- C=CHa CH CH CHsCOOH Rl CHa CHa CH-COOCH2CHa〇OC- C=CH2 CHzCOOH R1 〔式中’ R1爲前述者，r、s、t及u各自獨立爲重複數的 平均値之〇以上之數，r + t在0.1以上、較佳爲0.3〜5, s + u在1以上、較佳爲1〜1〇〇。〕所示之化合物。 一般式（X)所示之化合物方面，有使加成有無水馬 來酸的聚丁二烯、與2-羥基乙基丙烯酸酯或2-羥基乙基 甲基丙烯酸酯反應得到之反應物及其氫化物，例如]^14-1 000-8 0、MAC- 1 000-80 (皆爲日本石油化學（股）商品 名）等。 丙烯酸酯化合物或甲基丙烯酸酯化合物方面，可將上 述化合物單獨或2種以上組合使用。 接著’此等丙烯酸酯化合物或甲基丙烯酸酯化合物， 在將此等化合物與特定銀粉與鋁粉組合使用的場合，所得 樹脂糊料組成物導電性、接著性、保存安定性優、且塗佈 操作性、機械特性亦優，在得到可用作爲晶粒接合用的樹 脂糊料觀點上，作爲有機化合物，以使用丙烯酸酯化合物 或甲基丙烯酸酯化合物爲佳。 丙烯酸酯化合物或甲基丙烯酸酯化合物的搭配量，相 對樹脂糊料組成物之總量1 00重量份，以5〜2 5重量份爲 佳、8〜2 0重量份更佳、1 〇〜2 0重量份特別佳。 -17- 201211119 本發明中，由接著強度與操作性（黏度）觀點 酸酯化合物或甲基丙烯酸酯化合物以至少含有—| )所示之化合物爲佳。 又，在使用上述般硬化性的丙烯酸化合物之丙 化合物或甲基丙烯酸酯化合物的場合，爲使樹脂糊 物易於硬化，以倂用起始劑爲佳，起始劑以自由基 爲佳。 本發明中使用的自由基起始劑，雖未特別限制 隙等觀點來看以過氧化物爲佳、且由樹脂糊料組成 化性及黏度安定性的觀點來看以在急速加熱試驗之 物的分解溫度爲70〜170°c者爲佳。 自由基起始劑的具體例方面，有1,1,3,3 -四甲 化2-乙基已酸酯、1，1-雙（t-丁基過氧化）環己院 雙（t-丁基過氧化）環十二烷、二-t-丁棊過氧化異 酸酯、t-丁基過苯甲酸酯、二異丙苯基過氧化物、 異丙苯基過氧化物、2,5-二甲基·2，5-二（t-丁基過 己烷、2,5-二甲基-2，5-二（t-丁基過氧化）已炔、 過氧化氫等。 使用自由基起始劑之場合的搭配量，相對樹脂 成物之總量1〇〇重量份以〇.1〜5重量份爲佳、0.6 量份特別佳。該搭配比例未達〇. 1重量份則有硬化 之傾向，超過5重量份則揮發分變多，有在硬化物 成稱作void的空隙之傾向。 在本發明，於上述般有機化合物之黏合劑樹脂 ，丙烯 皮式（I 烯酸酯 料組成 起始劑 ，由空 物的硬 過氧化 基過氧 ：' 1,1- 苯二甲 t-丁基 氧化） 異丙苯 糊料組 〜1重 性降低 中易生 中，可
S -18 - 201211119 使用環氧樹脂、矽酮樹脂、胺基甲酸乙酯樹脂、丙烯酸樹 脂等，但此般樹脂即使在作爲有機化合物使用硬化性的丙 烯酸化合物之丙烯酸酯化合物或甲基丙烯酸酯化合物的系 中，亦可倂用，例如亦可倂用丙烯基系化合物與環氧樹脂 ，構成樹脂糊料組成物。 本發明中可用的環氧樹脂方面，爲1分子中具有2個 以上之環氧基之化合物即可，並未特別限制，可舉例如雙 酚A型環氧樹脂〔AER-X850 1 (旭化成工業（股）、商品 名）、R-301 ( YUKA SHELL EPOXY (股）、商品名）、 YL-980 (YUKA SHELL EPOXY (股）、商品名）〕、雙 酚F型環氧樹脂〔YDF-170C東都化成（股）、商品名） 〕、雙酚AD型環氧樹脂〔R-1710 (三井化學工業（股） 、商品名）〕、酚酚醛清漆型環氧樹脂〔N-7 3 0S ( DIC ( 股）、商品名）、Quatrex-2010 ( The Dow Chemical Company、商品名）〕、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂〔 YDCN-702S (東都化成.（股）、商品名）、EOCN-100 ( 日本化藥（股）、商品名）〕、多官能環氧樹脂〔EPPN-501 (日本化藥（股）、商品名）、TACTIX-742 ( The Dow Chemical Company、商品名）、VG-3010 (三井化學 (股）、商品名）、l〇32S(YUKA SHELL EPOXY (股） 、商品名）〕、具萘骨架之環氧樹脂〔HP-403 2 ( DIC ( 股）、商品名）〕、脂環式環氧樹脂〔CEL-3000 ( Daicel 化學工業（股）、商品名）〕、環氧化聚丁二烯〔P B -3600(Daicel化學工業（股）商品名）、E-1000-6.5C日 -19- 201211119 本石油化學（股）、商品名）〕、胺型環氧樹脂〔ELM-1〇〇(住友化學工業（股）、商品名）'YH-434L (東都 化成（股）、商品名）〕、間苯二酚型環氧樹脂〔 DenacolEX-201(NAGASE 化成工業（股）、商品名）〕 、新戊二醇型環氧樹脂〔DenacolEX-211 ( NAGASE化成 工業（股）、商品名）〕、己二醇二縮水甘油醚型環氧樹 脂〔DenacolEX-212(NAGASE化成工業（股）、商品名 )〕、乙嫌.丙二醇型環氧樹脂〔DenacolEX-810、811、 850、851、821、830、832、841、86 1 ( NAGASE 化成工 業（股）、商品名）〕、下述一般式（XI)所表示之環氧 樹脂〔E-XL-24、E-XL-3L (三井化學（股）、商品名） [化 12]
〔式中，v爲0〜5之整數。〕 等。其中以雙酚F型環氧樹脂、環氧化聚丁二烯、酚醛清 漆型環氧樹脂爲佳。此等環氧樹脂可1種單獨使用、亦可 將2種以上組合使用。 環氧樹脂方面，以分子量或數平均分子量在160〜 3 000者爲佳。數平均分子量係使用膠體滲透層析、利用 標準聚苯乙烯之檢量線所測定（以下、稱GPC法）之値 。又，環氧當量在80〜1000較佳、1〇〇〜500更佳。又， 環氧樹脂相對樹脂糊料組成物之總量1 〇〇重量份，以使用
S -20- 201211119 0.1〜2.0重量份爲佳、使用0.5〜1.5重量份更佳。 又，環氧樹脂，亦可含在1分子中具有1個環氧基之 化合物〔單官能環氧化合物（反應性稀釋劑）〕。此般單 官能環氧化合物的市售品方面，可舉例如PGE (日本化藥 (股）、商品名、苯基環氧丙基酸）、PP-101 (東都化成 (股）、商品名、烷基酚單環氧丙基醚）、ED-502 (旭電 化工業（股）、商品名、脂肪族單環氧丙基醚）、ED-509 (旭電化工業（股）、商品名、烷基酚單環氧丙基醚）、 YED-122 ( YUKA SHELL EPOXY (股）'商品名、烷基酚 單環氧丙基醚）、KBM-403 (信越化學工業（股）、商品 名、3-環氧丙氧基丙基甲基二乙氧基矽烷）、TSL-8 3 50、 TSL- 8 3 5 5、TSL-9905 (東芝矽酮（股）、商品名、3-環氧 丙氧基丙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基甲基二甲氧 基矽烷、1-(3-環氧丙氧基丙基）-1，1,3,3，3-五甲基二矽 氧烷）等。單官能環氧化合物，在不損及本發明之樹脂糊 料組成物的特性範圍下被使用，但相對環氧樹脂全量100 重量份而言，以使用10重量份以下爲佳、使用1〜5重量 份更佳。 又，在本發明，可使用胺系化合物。胺系化合物，雖 未特別限制，可舉例如雙氰胺、下述一般式（XII ) [化 13] 0 0
II 1Q II NH2-NH-C-R19-C-NH-NH2 (ΧΠ) (式中，R19爲m-苯撐基、ρ-苯撐基等之2價芳香族基、 碳數2〜12之直鏈或分支鏈的烷撐基）所表示之二元酸二 -21 - 201211119 醯肼〔ADH、PDH、SDH (皆（股）日本Finechem、商品 名）〕、環氧樹脂與胺化合物的反應物所成之微膠囊型硬 化劑〔NOVACURE (旭化成工業（股）、商品名）〕、咪 唑類（Curezol、2P4MHZ、C17Z、2PZ-OK、四國化成（ 股）製、商品名）等。又，此等胺系化合物可1種單獨使 用、亦可將2種以上組合使用。使用胺系化合物時的搭配 量，相對樹脂糊料組成物1〇〇重量份而言以0.05〜0.3重 量份爲佳、0.09〜0. 15重量份更佳。胺系化合物的搭配量 未達0.05重量份則有硬化性差的傾向，超過0.3重量份 則有樹脂組成物的安定性變差的傾向。 本發明之樹脂糊料組成物中，爲賦予可撓性，可搭配 可撓化劑。可撓化劑方面，可舉例如橡膠系之化合物或熱 可塑性的樹脂，而以具丁二烯之骨架的丁二烯系之橡膠爲 佳。 本發明中可用的丁二烯系橡膠方面，可舉例如環氧化 聚丁二烯橡膠、馬來化聚丁二烯、丙烯腈丁二烯橡膠、羧 基末端丙烯腈丁二烯橡膠、胺基末端丙烯腈丁二烯橡膠、 乙烯基末端丙烯腈丁二烯橡膠、苯乙烯丁二烯橡膠等之液 狀橡膠等。 液狀橡膠方面，以數平均分子量在500〜10,000者爲 佳、1,000〜5，00 0者更佳。分子量過小則有可撓化效果差 的傾向，分子量過大則有樹脂糊料組成物的黏度上昇操作 性差的傾向。數平均分子量係以蒸汽壓浸透法測定的値或 以GPC法測定的値。
S -22- 201211119 又，在熱可塑性樹脂之場合，數平均分子量以在 10,000〜300,000者爲佳、20,000〜200,000者更佳。分子 量過小則有可撓化效果差的傾向，分子量過大則有樹脂糊 料組成物的黏度上昇、操作性差的傾向。又使用可撓化材 之場合的搭配量方面，相對樹脂糊料組成物之總量1 00重 量份，以使用3〜1 2重量份爲佳、使用4〜8重量份更佳 。該搭配量未達3重量份則可撓化效果差、超過12重量 份則黏度增加、有樹脂糊料組成物的操作性降低之傾向。 可在本發明之樹脂糊料組成物中加入耦合劑。本發明 中可用的耦合劑未特別限制，可使用矽烷耦合劑、鈦酸酯 系耦合劑、鋁系耦合劑、锆酸酯系耦合劑、锆鋁酸酯系耦 合劑等之各種者。 耦合劑的具體例方面，有甲基三甲氧基矽烷、甲基三 乙氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、乙 烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、乙烯基三乙醯 氧基矽烷、乙烯基-參（2-甲氧基乙氧基）矽烷、Τ-甲基 丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、7-甲基丙烯醯氧基丙基 甲基二甲氧基矽烷、甲基三（甲基丙烯醯氧基乙氧基）矽 烷、T-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、r-胺基丙基三甲 氧基矽烷、r 一胺基丙基三乙氧基矽烷、Ν-Α-(胺基乙 基）-r-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-/S-(胺基乙基）- r-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、N-/3-( N-乙烯基苄基胺基 乙基）-r-胺基丙基三甲氧基矽烷、r-苯胺基丙基三甲 氧基矽烷、r-脲基丙基三甲氧基矽烷、r-脲基丙基三乙 -23- 201211119 氧基矽烷、3- (4,5-二氫咪唑基）丙基三乙氧基矽烷、冷-(3,4-環氧環己基）乙基三甲氧基矽烷、環氧丙氧基丙 基三甲氧基矽烷、r-環氧丙氧基丙基甲基二乙氧基矽烷 、7 -環氧丙氧基丙基甲基二異丙烯氧基矽烷、甲基三環 氧丙氧基矽烷、r-毓基丙基三甲氧基矽烷、毓基丙基 三乙氧基矽烷、γ-锍基丙基甲基二甲氧基矽烷、三甲基 矽烷基異氰酸酯、二甲基矽烷基異氰酸酯、苯基矽烷基三 異氰酸酯、四異氰酸酯矽烷、甲基矽烷基三異氰酸酯、乙 烯基矽烷基三異氰酸酯、乙氧基矽烷三異氰酸酯等之矽烷 耦合劑、異丙基三異硬脂醯基鈦酸酯、異丙基三十二基苯 磺醯基鈦酸酯、異丙基參（二辛基焦磷酸酯）鈦酸酯、四 異丙基雙（二辛基亞磷酸酯）鈦酸酯、四辛基雙（二（十 三基）亞磷酸酯）鈦酸酯、四（2,2 -二烯丙基氧基甲基-1-丁基）雙（二-十三基）亞磷酸酯鈦酸酯、雙（二辛基焦 磷酸酯）氧基乙酸酯鈦酸酯、雙（二辛基焦磷酸酯）乙烯 鈦酸酯、異丙基三辛醯基鈦酸酯、異丙基二甲基丙烯基異 硬脂醯基鈦酸酯、異丙基（二辛基磷酸鹽）鈦酸酯、異丙 基三異丙苯基苯基鈦酸酯、異丙基三（N —胺基乙基.胺基 乙基）鈦酸酯、二異丙苯基苯基氧基乙酸酯鈦酸酯、二異 硬脂醯基乙烯鈦酸酯等之鈦酸酯系耦合劑、乙醯烷氧基鋁 二異丙酸酯等之鋁系耦合劑、四丙基銷酸酯、四丁基鉻酸 酯、四（三乙醇胺）锆酸酯、四異丙基鍩酸酯、锆乙醯丙 酮乙醯基丙酮锆丁酯 '硬脂酸鉻丁酯等之銷酸酯系耦合劑 等。又’上述中’ r-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、r-
S -24 - 201211119 環氧丙氧基丙基甲基二乙氧基矽烷等爲可與環氧樹脂倂用 之例示爲單官能環氧化合物（反應性稀釋劑）者，但此等 化合物爲具有1個環氧基之矽烷耦合劑，因係具有兩者之 機能者，故亦例示作爲矽烷耦合劑。 使用耦合劑時的搭配量，相對樹脂糊料組成物之總量 100重量份’以0.5〜6.0重量份爲佳、1.0〜5重量份特別 佳。該搭配比例未達0.5重量份則接著強度提升效果差， 超過6重量份則揮發分變多、硬化物中有易生成空隙之傾 向。 在本發明的樹脂糊料組成物中，進而因應必要可將氧 化鈣、氧化鎂等之吸濕劑、氟系界面活性劑、非離子系界 面活性劑、高級脂肪酸等之濕潤提升劑、矽酮油等之消泡 劑、無機離子交換體等之離子捕捉劑等、黏度調整用之稀 釋劑單獨或數種類組合而適宜添加。 製作本發明之樹脂糊料組成物上，將平均粒徑2〜1 0 之粒狀鋁粉、平均粒徑1〜之片狀銀粉、丙烯 酸酯化合物或甲基丙烯酸酯化合物、自由基起始劑、因應 必要使用的可撓化劑的丁二烯系橡膠或耦合劑等之各種添 加劑一起一次或分批投入適當組合攪拌器、Hybrid mixer 、遊星攪拌器等之分散.溶解裝置，因應必要進行加熱後 再進行混合、溶解、解粒混練或分散成爲均一糊料狀即可 。又，亦可與上述丙烯酸酯化合物或甲基丙烯酸酯化合物 搭配環氧樹脂、或矽酮樹脂、胺基甲酸乙酯樹脂、丙烯酸 樹脂等同樣地調製。 -25- 201211119 又’本發明之樹脂糊料組成物由降低釋氣產生 看以實質不含有機溶劑爲佳。又，「實質不含有機 係指不顯著降低本發明之特性程度下可微量存在有 。具體上’有機溶劑之含量以樹脂糊料組成物之總 在lOOOppm以下即可，500ppm以下較佳、i〇〇ppm 佳。又’以不含有機溶劑特別佳。在此有機溶劑係 內不具有乙烯性不飽和基、在25 °C爲液狀，且在大 沸點在25 0°C以下之有機化合物。 本發明之樹脂糊料之黏度（25t )由操作性的 看以30〜200Pa.s較佳、40〜150Pa.s更佳、40〜 特別佳。又，黏度係依據JIS Z8803-1991以旋轉 測定之値。 本發明中，進而使用上述般製造的樹脂糊料組 半導體元件接著至支持構件後、進行封閉可得半導 〇 支持構件方面，例如銅引線架等之引線架、玻 基板（玻璃纖維強化環氧樹脂所成之基板）、BT 氰酸酯單體及其寡聚物與雙馬來醯亞胺所成之使用 脂基板）等之有機基板。 使用本發明之樹脂糊料組成物將半導體元件接 線架等之支持構件，係可藉由首先於支持構件上將 料組成物以點膠法塗佈後，壓黏半導體元件，之後 箱或熱塊等加熱裝置進行加熱硬化而進行。進一步 經引線接合步驟後使用一般方法進行封閉而完成之 觀點來 溶劑」 機溶劑 量基準 以下更 指分子 氣壓中 觀點來 8 OP a · s 黏度計 成物將 體裝置 璃環氧 基板（ BT樹 著至引 樹脂糊 使用烤 ，可爲 半導體
S -26- 201211119 裝置。 上述加熱硬化因低溫長時間硬化之場合、或高溫快速 硬化之場合而異，但通常溫度爲150〜220°C、較佳爲180 〜2 0 0 °C、時間爲3 0秒〜2小時、較佳爲1小時〜i小時 3 0分來進行爲佳。 【實施方式】 [實施例] 接著，以實施例將本發明詳細說明’但本發明不限於 此。 實施例、比較例使用下述者。 (1 )鋁粉 VA-2000 (山石金屬股份公司製之鋁粉的製品名、形 狀：粒狀、平均粒徑=6.7 a m) NO.800F ( Minalco股份公司製之鋁粉的製品名、形 狀：粒狀、平均粒徑= 3·1#πι)
No.500D (大和金屬粉工業股份公司製之鋁粉的製品’ 名、形狀：片狀、平均粒徑= 30.1/zm) Νο·5〇ΟΜ ( Minalco股份公司製之鋁粉的製品名、形 狀：粒狀、平均粒徑=1 〇 · 4 /i m )
No. 22 0 00 (大和金屬股份公司製之鋁粉的製品名、形 狀：片狀、平均粒徑=40.0// m) 又，關於所用鋁粉，表示各自粒子外觀之電子顯微鏡 -27- 201211119 照片如圖1、粒度分佈測定結果如表1。 [表1] 表1 A 1粉 形狀 平均粒徑 um 最大粒徑 Atm 10% 以m 粒度分布 5 0% um 9 0% um No. 800F 霞 3. 1 18.50 1.5 7 3. 13 6. 1 5 VA-2000 ma 6. 7 3 7.00 3.0 2 6.7 4 1 5. 58 No. 500M 1 0. 4 5 2.33 5. 5 0 10.40 2 0.14 No. δ 0 0D 片狀 3 0. 1 3 13. 0 8 13.02 3 0.11 7 3.18 No. 2 2 0 0 0 片狀 40. 0 (2 )銀粉
AgC-212DH (福田金屬箔粉工業股份公司製之銀粉的 商品名、形狀.片狀、平均III徑=2.9//m) SF-65LV (股份公司 FERRO JAPAN公司製之銀粉的 商品名、形狀：片狀、平均粒徑=3.5 # m ) (3)丙烯酸酯化合物及甲基丙烯酸酯化合物 FA-512A(日立化成工業股份公司製二環戊烯基氧基 乙基丙烯酸酯之製品名） SR-3 49 (日本化藥股份公司製乙氧基化雙酚A二丙 烯酸酯之製品名） (4 )環氧樹脂 N-665 -EXP ( DIC股份公司製甲酚酚醛清漆型環氧樹 脂之製品名 '環氧當量=198〜208 )
S •28- 201211119 (5 )自由基起始劑
Trig〇nox22-70E(Kayakuakzo 股份公司製 1,1-二（t- 丁基過氧化）環己烷之製品名） (6) 丁二烯系橡膠（可撓化劑） CTBN-1009SP-S (宇部興產（股）製羧基末端丙烯腈 聚丁二烯共聚物之商品名）
EpoleadPB4700 ( Daicel化學工業股份公司製環氧化 聚丁二烯之商品名） (7 )耦合劑 KBM-403 (信越化學工業股份公司製r -環氧丙氧基 丙基甲基二乙氧基矽烷之製品名） (8 )胺化合物
Dicy (日本環氧樹脂股份公司製雙氰胺之商品名） 實施例1〜8、比較例1〜3 以表2所示搭配比例將各材料混合，使用遊星混合機 進行混練後，在666.61Pa(5Torr)以下進行分鐘脫泡 處理，得到樹脂糊料組成物。將該樹脂糊料組成物的特性 (黏度及黏度安定性、晶粒抗剪接著強度、體積電阻率） 用下述方法調查。其結果如表2。 -29- 201211119 (1 )黏度及黏度安定性：
a) 黏度；將樹脂糊料組成物使用EHD型旋轉黏度計 (東京計器公司製）、3°cone rotor，以0.5rpm測定25°C 之黏度（Pa‘s)。 b) 黏度安定性；以a)爲初期値，採樣時間爲1曰 、3日、7日，使用EHD型旋轉黏度計（東京計器公司製 )、3°conerotor，以 0.5rpm 測定 25°C 之黏度（Pa.s)。 (2 )晶粒抗剪接著強度：將樹脂糊料組成物在鍍敷 Ni/Au的銅框架、鍍敷Ag的銅弓|線架及Ag環鎪敷銅弓|線 架上塗佈約〇.5mg，於其上壓附3mmx3mm之Si晶片（厚 度約0.4mm)，進一步在烤箱至180°C爲止進行30分鐘昇 溫，並在1 80°C進行1小時硬化。將此使用自動接著力試 驗裝置（BT4000、Dage公司製），測定維持260°C/20秒 時的剪斷接著強度（MPa)。又，晶粒抗剪強度測定對10 個試驗片進行。 (3)體積電阻率：在載玻片（東京硝子器機股份公 司製、尺寸= 76x26mm、厚度= 0.9〜1.2mm)上如圖 2( a )般貼上紙膠帶（日東電工CS系統製、No. 721 0F '尺 寸寬= 18mm、厚度= 〇.i〇mm)，於約2mm之溝放置樹脂 糊料組成物（圖2 ( b ))、以載玻片等使平坦延伸（圖2 (c ))、進一步以烤箱在丨80°C進行1小0#硬化（圖2 ( d ))。將此使用數位萬用表（TR6846、ADV ANTES T公 司製）’測定體積電阻率（Ω . c m)。
S -30- 201211119 (4 )導熱率：藉由雷射瞬態法用下述條件測定。又 ，導熱率爲愈大値導熱率愈優。 測定裝置：德NETZSCH公司製、LF A447 (
Nano fl ash ) 照射光：氙氣燈光 溫度檢出器：紅外線檢出器（InSb感測器）
氣體環境：空氣中 測定溫度：2 5 °C 又，各自將混合實施例i、4〜8使用之銀粉（AgC-212DH)與鋁粉（VA-2〇0)的樹脂糊料中之混合粉的狀態 表示如圖3之（A )、在比較例1使用的銀粉彼此之組合 (AgC_2l2DH與SF-65LV)時的樹脂糊料中之混合粉的 狀態表示如圖3之（B )。 -31 - 201211119 0 比較例 I η o to 'T GO CO — Γ- ο d d 00 d 00 一 I ΙΟ 1 1 1 1 c〇H co £ s t*· CO σ> c*> 2.08E-02| !Η ο CN3 o to TJ* OO CO t— ο o r» o 00 oo 一 1 αΐ m 1 1 1 i£> (Ο 高黏度 無法測定 ιό 呀 CO 1.38E-02 5ϊ ο — o to •V GO n t- c> o 卜 o 00 o 00 ① <〇 in 1 1 1 1 1 S 03 ΙΟ g m CNJ ιό (Ο CO 11.75E-02 οο ο 實施例 | αο 翁 i 卜 o d 卜 o o σ» 一 1 00 ΙΟ 守 in g 1 I 1 1 S s ΙΛ § XO in ο ιή t0 5.56E-03 C4 c— eo — 00 c^i 1 r- d d t· o σ» d σ> 一 1 00 ΙΑ 令 in g 1 ί 1 1 £ s S in LA IA U) 9> CO 〇) 6.27E-03 S cj <〇 CO 1A IT3 1 t- d d 卜 d 〇) o φ 一 \ 00 ΙΟ in S 1 1 1 , s s o 00 一 CO CO (Ο 1.24E-02 « CS) ΙΛ ΙΛ in (O 00 1 e- o d 卜 o 〇> o σ» \ GO ιό 令 in s 1 1 t 1 ο s s — s CM 一 ο CO C5 ΙΟ 12.89E+02 S 兮 σ> (O 00 r- d r— 〇 •-H o r- o Oi o σ* 夺 1 00 ΙΑ IA g J 1 1 1 ΐ§ s s § o ο eg m | 7.47E+02 CO o 兮 αό C9 卜 o o 卜 o QO d CO 1 αο ιή 1 1 ΙΛ 1 1 ο g s OO 令· Ο CO •φ 2.06E+03 5 CM 〇 U3 cd n 卜 o — o 卜 o 00 o αο ΤΓ 1 GO in \ ΙΟ s 1 1 5 寸 § a% n eo 00 in |6.17E-02 〇 CO 听 αό Λ r*. o — d 卜 o oo o CO 1 CO IA in 1 1 1 1 φ iD «〇 to 1— r- co |ΐ.17Ε-01 αο eg FA-512A | SR-349 1 N-665-EXP | KBM-403 | Trigonox 22-70E | CTBN-1009SP-S | ΡΒ4700 1 SF-65LV(鱗片狀/平均粒徑3.3μπι> AgC-212DH(鱗片狀均粒徑 2.9/im) |νΑ·2000(粒狀/平均粒徑δ.7 μ m) | N0.8OOF(粒狀/平均粒徑3.2/im) Νο.δΟΟΜ(粒狀坪均粒徑10·4μηη) Ν〇.22000(片狀/2F均粒徑 40.0μιη) |N〇.500D(片狀坪均粒徑30.1 /X m) ι | 第i日 第3日 | 第7曰 | 銅(Ni/Au鍍敷） 銅(Ag/Spo傲敷） 銅(Ag/Ring鍵敷） 1體積電阻率（Ω·αη) T ε 跺 銳 挪 mm 丙烯酸酯 t 2官能丙烯酸酯 j 環氧樹脂 耦合劑 | 胺化合物 1 起始劑 可撓化劑 銀粉 鋁粉 黏度安定性（Pa· s) 晶粒抗剪接著強度 (Mpa) i ί5Κ (wai^) -32- 201211119 由表2結果可知本發明之實施例之樹脂糊料組成物可 得導熱率高者。又，本發明之樹脂糊料組成物（尤其實施 例7及8 )比以往用銀粉作爲塡料的樹脂糊料組成物（比 較例1)，接著強度在其以上且可降低體積電阻率。由此 可確認藉由本發明之樹脂糊料組成物，可不大量使用稀有 且價高之銀，而導熱率、接著強度及體積電阻率等之特性 可優於以往使用銀粉爲塡料之樹脂糊料組成物。 【圖式簡單說明】 [圖1 ]表示用於樹脂糊料組成物的鋁粉的粒子外觀之 電子顯微鏡照片。圖中，（A)〜（C)爲粒狀的鋁粉， 分別以製品名「N0.8OOF」、「VA-2000」及「NO.500M」 表示，又，（D)〜（E)爲薄片狀的鋁粉，爲分別以製 品名「No.500D」及「No.22000」表示之鋁粉。 [圖2]說明測定體積電阻率用的試料之製作順序（a ) 〜（d )之圖。 [圖3 ]本發明之使用銀粉與鋁粉、或組合銀粉與銀粉 之場合的樹脂糊料中粒子之混合狀態的電子顯微鏡照片。 圖中，（A )爲實施例1、4〜8之組合銀粉與鋁粉場合之 樹脂糊料中之狀態、（B )爲比較例1之組合銀粉彼此場 合的樹脂糊料中之狀態。 -33-

Claims (1)

  1. 201211119 七、申請專利範圍： 1. —種樹脂糊料組成物，其特徵係含有有機化合物 與粒狀的鋁粉而成。 2. 如請求項1記載之樹脂糊料組成物，其中，鋁粉 的平均粒徑爲2〜10//m且表觀密度爲0.40〜1.20g/cm3。 3 .如請求項1或2記載之樹脂糊料組成物，其中， 進一步含有銀粉。 4. 如請求項3記載之樹脂糊料組成物，其中，銀粉 的形狀爲片狀。 5. 如請求項3或4記載之樹脂糊料組成物，其中， 銀粉的平均粒徑爲1〜5 // m。 6 ·如請求項3〜5中任一項記載之樹脂糊料組成物， 其中，銀粉的敲緊密度爲3〜6g/cm3。 7. 如請求項3〜6中任一項記載之樹脂糊料組成物， 其中，銀粉的比表面積爲0.5〜lm2/g。 8. 如請求項3〜7中任一項記載之樹脂糊料組成物， 其中，鋁/銀之重量比爲1/9〜8/2。 9. 如請求項1〜8中任一項記載之樹脂糊料組成物， 其中，有機化合物係由丙烯酸化合物、環氧樹脂、矽酮樹 脂、胺基甲酸乙酯樹脂、及丙烯酸樹脂所選出的一種以上 〇 10·如請求項9記載之樹脂糊料組成物，其中，有機 化合物係由丙烯酸化合物、環氧樹脂、及丙烯酸樹脂所選 出的一種以上。 S -34- 201211119 11 ·如請求項1 〇記載之樹脂糊料組成物，其中，有 機化合物爲丙烯酸化合物。 12.如請求項1 1記載之樹脂糊料組成物，其中，丙 烯酸化合物爲丙烯酸酯化合物或甲基丙烯酸酯化合物。 1 3 .如請求項9〜1 2中任一項記載之樹脂糊料，其中 ’再含有由起始劑、可撓化劑、耦合劑所選出的一種以上 0 14. 如請求項1〜8中任一項記載之樹脂糊料組成物 ’其中，有機化合物爲丙烯酸酯化合物或甲基丙烯酸酯化 合物且更含有自由基起始劑。 15. 如請求項1 4記載之樹脂糊料組成物，其中，再 含有可撓化劑。 如請求項14或15記載之樹脂糊料，其中，再含 有耦合劑。 17.—種半導體裝置，其特徵係使用如請求項ι〜16 中任一項記載之樹脂糊料組成物將半導體元件接著於支持 構件後、封閉而成。 -35-
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN104487530A (zh) * 2013-01-28 2015-04-01 日立化成株式会社 树脂糊剂组合物

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012188622A (ja) * 2011-03-14 2012-10-04 Hitachi Chemical Co Ltd 半導体素子接着用樹脂ペースト組成物及び半導体装置
WO2014199843A1 (ja) * 2013-06-13 2014-12-18 東レ株式会社 樹脂組成物、樹脂シートおよび半導体装置の製造方法
JP6405867B2 (ja) * 2013-12-16 2018-10-17 日立化成株式会社 樹脂ペースト組成物及び半導体装置
KR20160138299A (ko) 2014-05-14 2016-12-02 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 반도체 장치의 제조 방법
JP6383183B2 (ja) * 2014-06-03 2018-08-29 太陽インキ製造株式会社 導電性接着剤およびそれを用いた電子部品
US10605709B2 (en) * 2015-03-31 2020-03-31 Struers ApS Mounting medium for embedding a sample material and a method of mounting a sample material in a mounting medium
JP2017066393A (ja) * 2015-09-30 2017-04-06 太陽インキ製造株式会社 導電性接着剤および電子部品
TWI572631B (zh) 2015-11-25 2017-03-01 財團法人工業技術研究院 共聚物與環氧樹脂複合物
WO2017159252A1 (ja) * 2016-03-18 2017-09-21 信越化学工業株式会社 熱伝導性シリコーン組成物及び半導体装置
TWI738735B (zh) * 2016-05-27 2021-09-11 德商漢高智慧財產控股公司 藉由毛細流動以於電子封裝中進行間隙塗覆及／或於其中或其間充填的組合物及其使用方法
WO2018079534A1 (ja) * 2016-10-31 2018-05-03 住友ベークライト株式会社 熱伝導性ペーストおよび電子装置
JP6967726B2 (ja) * 2018-01-31 2021-11-17 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 はんだペーストおよび実装構造体
CN111500180B (zh) * 2019-01-30 2022-08-16 深圳光峰科技股份有限公司 投影屏幕光学涂料
JP7369031B2 (ja) * 2019-12-27 2023-10-25 京セラ株式会社 ペースト組成物、及び電子部品装置の製造方法
CN112080238B (zh) * 2020-09-07 2022-05-27 江苏矽时代材料科技有限公司 一种导热填充胶及其制备方法和应用

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5075262A (en) * 1990-02-21 1991-12-24 Johnson Matthey, Inc. Silver-glass pastes
JP3625081B2 (ja) * 1994-11-25 2005-03-02 株式会社村田製作所 太陽電池の製造方法
JP3254625B2 (ja) * 1997-09-22 2002-02-12 住友ベークライト株式会社 導電性樹脂ペースト及びこれを用いた半導体装置
JP4752109B2 (ja) * 2000-12-12 2011-08-17 日立化成工業株式会社 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置
JP4569109B2 (ja) * 2004-01-08 2010-10-27 住友ベークライト株式会社 金属含有ペーストおよび半導体装置
JP2006073812A (ja) * 2004-09-02 2006-03-16 Kyocera Chemical Corp ダイボンディングペースト
JP5122892B2 (ja) * 2007-09-11 2013-01-16 京セラケミカル株式会社 発光ダイオード用ダイボンディングペーストの製造方法
JP5126175B2 (ja) * 2009-07-27 2013-01-23 住友ベークライト株式会社 金属含有ペーストおよび半導体装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104487530A (zh) * 2013-01-28 2015-04-01 日立化成株式会社 树脂糊剂组合物
CN104487530B (zh) * 2013-01-28 2017-08-01 日立化成株式会社 树脂糊剂组合物

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