JP7351437B2 - ダイアタッチ材用導電性樹脂組成物、高熱伝導性材料および半導体装置 - Google Patents

ダイアタッチ材用導電性樹脂組成物、高熱伝導性材料および半導体装置 Download PDF

Info

Publication number
JP7351437B2
JP7351437B2 JP2023531784A JP2023531784A JP7351437B2 JP 7351437 B2 JP7351437 B2 JP 7351437B2 JP 2023531784 A JP2023531784 A JP 2023531784A JP 2023531784 A JP2023531784 A JP 2023531784A JP 7351437 B2 JP7351437 B2 JP 7351437B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
silver
resin composition
conductive resin
containing particles
die attach
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2023531784A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2023276690A1 (ja
JPWO2023276690A5 (ja
Inventor
智将 樫野
安澄 濱島
将人 吉田
直輝 渡部
真 高本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Bakelite Co Ltd filed Critical Sumitomo Bakelite Co Ltd
Publication of JPWO2023276690A1 publication Critical patent/JPWO2023276690A1/ja
Publication of JPWO2023276690A5 publication Critical patent/JPWO2023276690A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7351437B2 publication Critical patent/JP7351437B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J9/00Adhesives characterised by their physical nature or the effects produced, e.g. glue sticks
    • C09J9/02Electrically-conducting adhesives
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/02Elements
    • C08K3/08Metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/02Non-macromolecular additives
    • C09J11/04Non-macromolecular additives inorganic
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J163/00Adhesives based on epoxy resins; Adhesives based on derivatives of epoxy resins
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/18Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
    • H01B3/30Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • H01B5/14Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52Mounting semiconductor bodies in containers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/02Elements
    • C08K3/08Metals
    • C08K2003/0806Silver
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00Specific properties of additives
    • C08K2201/001Conductive additives

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)

Description

本発明は、導電性樹脂組成物、高熱伝導性材料および半導体装置に関する。
半導体装置の製造において、導電性と接着性を有する導電性樹脂組成物が用いられることがある。導電性と接着性を有する導電性樹脂組成物として、これまで様々なものが開発されている。
特許文献1には、所定の平均粒子径を有する銀粉からなる導電性フィラー、エポキシ樹脂、脂肪族炭化水素鎖に1個以上のグリシジル官能基を有する反応性希釈剤および硬化剤を含む熱伝導性導電性接着剤組成物が開示されている。当該文献には、エポキシ樹脂が1分子内に2個以上のエポキシ官能基および芳香環を有すると記載されている。また、当該文献には、前記反応性希釈剤としては、シクロヘキサンジメタノールジグリシジルエーテルやネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル等が例示されている。
特許文献2には、所定のグリシジルエーテル化合物と、所定のフェノール樹脂系硬化剤と、硬化促進剤と、導電フィラーとを含み、前記グリシジルエーテル化合物に対して前記フェノール樹脂系硬化剤を所定の量で含む導電性接着剤が開示されている。当該文献には、エポキシ樹脂が1分子内に2個以上のエポキシ官能基および芳香環を有すると記載されている。当該文献には、前記グリシジルエーテル化合物として、1,4-シクロヘキサンジメタノールジグリシジルエーテルやペンタエリスリトールテトラグリシジルエーテルが例示されている。
特許文献3には、導電性フィラーと、エポキシ樹脂と、脂肪族炭化水素鎖に2個以上のグリシジルエーテル官能基を有する反応性希釈剤と、硬化剤とを含む熱伝導性導電性接着剤組成物が開示されている。当該文献には、前記反応性希釈剤としては、シクロヘキサンジメタノールジグリシジルエーテルやネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル等が例示されている。さらに、当該文献に記載の技術は接着剤組成物に関するものであり、樹脂により接着性を付与するものであることから、実施例の接着剤組成物は、銀粒子である導電フィラーを80質量%含む。
国際公開第2018/225773号 特開2015-160932号公報 特開2015-224329号公報
しかしながら、特許文献1~3に記載の導電性接着剤を用いて半導体素子を基板に接着した場合、導電特性や製品信頼性等に改善の余地があった。
本発明者らは、所定量以上の銀含有粒子と、多官能の脂肪族エポキシ化合物とを組み合わせて用いることにより、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成させた。
すなわち、本発明は、以下に示すことができる。
[1](A)銀含有粒子と、
(B)3官能以上の脂肪族エポキシ化合物と、
を含み、
銀含有粒子(A)の含有量は81質量%以上である、導電性樹脂組成物。
[2] 3官能以上の脂肪族エポキシ化合物(B)は、下記一般式(1)で表される化合物から選択される少なくとも1種を含む、[1]に記載の導電性樹脂組成物。
Figure 0007351437000001
(一般式(1)中、Rは水酸基または炭素数1~3のアルキル基を示し、複数存在するRは同一でも異なっていてもよい。
Qは、3~6価の脂肪族基を示す。
Xは炭素数1~3のアルキレン基を示し、複数存在するXは同一でも異なっていてもよい。
mは0~3の整数、nは1~6の整数を示す。)
[3] 3官能以上の脂肪族エポキシ化合物(B)は、一般式(1)中の前記Qが一般式(a)~(c)で表される脂肪族基である化合物から選択される少なくとも1種を含む、[1]または[2]に記載の導電性樹脂組成物。
Figure 0007351437000002
(一般式(a)~(c)中、*は結合手を示す。)
[4] 銀含有粒子(A)が球状、樹状、紐状、鱗片状、凝集状、および多面体形状の銀含有粒子から選択される2種以上を含む、[1]~[3]のいずれかに記載の導電性樹脂組成物。
[5] さらに、硬化剤(C)を含む、[1]~[4]のいずれかに記載の導電性樹脂組成物。
[6] さらに、有機溶剤(D)を含む、[1]~[5]のいずれかに記載の導電性樹脂組成物。
[7] [1]~[6]のいずれかに記載の導電性樹脂組成物を焼結して得られる高熱伝導性材料。
[8] 基材と、
前記基材上に接着層を介して搭載された半導体素子と、を備え、
前記接着層は、[1]~[6]のいずれかに記載の導電性樹脂組成物を焼結してなる、半導体装置。
[9] 前記接着層は、前記基材と前記半導体素子のシリコン面または金属面とを接着する、[8]に記載の半導体装置。
本発明によれば、熱伝導性に優れるとともに、貯蔵弾性率や半導体素子および基材等との密着性にも優れた導電性樹脂組成物を提供することができる。言い換えればこれらの特性のバランスに優れた導電性樹脂組成物を提供することができる。
半導体装置の一例を模式的に示す断面図である。 半導体装置の一例を模式的に示す断面図である。
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
本明細書中、数値範囲の説明における「a~b」との表記は、特に断らない限り、a以上b以下のことを表す。例えば、「1~5質量%」とは「1質量%以上5質量%以下」を意味する。
本明細書における基(原子団)の表記において、置換か無置換かを記していない表記は、置換基を有しないものと置換基を有するものの両方を包含するものである。例えば「アルキル基」とは、置換基を有しないアルキル基(無置換アルキル基)のみならず、置換基を有するアルキル基(置換アルキル基)をも包含するものである。
本明細書における「(メタ)アクリル」との表記は、アクリルとメタクリルの両方を包含する概念を表す。「(メタ)アクリレート」「(メタ)アクリロイル」等の類似の表記についても同様である。
本実施形態の導電性樹脂組成物は、
(A)銀含有粒子と、(B)3官能以上の脂肪族エポキシ化合物と、を含む。
銀含有粒子(A)の含有量は81質量%以上、好ましくは82質量%以上、より好ましくは83質量%以上、さらに好ましくは84質量%以上、特に好ましくは85質量%以上とすることができる。
これにより、熱伝導性に優れるとともに、貯蔵弾性率や半導体素子および基材等との密着性にも優れた熱伝導性材料が得られる導電性樹脂組成物を提供することができる。
[銀含有粒子(A)]
銀含有粒子(A)は、適切な熱処理によってシンタリング(焼結)を起こし、粒子連結構造(シンタリング構造)を形成することができる。
特に、導電性樹脂組成物中に銀含有粒子が含まれること、特に、粒径が比較的小さくて比表面積が比較的大きい銀粒子が含まれることで、比較的低温(180℃程度)での熱処理でもシンタリング構造が形成されやすい。好ましい粒径については後述する。
銀含有粒子(A)の形状に特に制限はなく、球状、樹状、紐状、鱗片状、凝集状、多面体形状等の公知の形状を挙げることができ、本実施形態においてはこれらの形状の銀含有粒子を1種以上、好ましくは2種以上を含むことができる。これらの形状の銀含有粒子を2種以上を含むことにより、銀含有粒子同士の接触率が向上することから、当該導電性樹脂組成物の焼結後においてネットワークが容易に形成され熱伝導性および電気伝導性がより向上するとともに、フィラーの配向性を制御することで導電性樹脂組成物内で生じたクラックの伸展を抑制することができる。
本実施形態においては、球状、鱗片状、凝集状、および多面体形状の銀含有粒子から選択される2種以上を含むことが好ましく、球状の銀含有粒子(a1)と、鱗片状、凝集状、および多面体形状から選択される1種以上の銀含有粒子(a2)とを含むことがより好ましく、球状の銀含有粒子(a1)と、鱗片状の銀含有粒子(a2-1)とを含むことが特に好ましい。これにより、銀含有粒子同士の接触率がさらに向上することから、当該導電性樹脂組成物の焼結後においてネットワークが容易に形成され熱伝導性および電気伝導性がさらに向上するとともに、耐衝撃性にさらに優れる。
銀含有粒子(A)が銀含有粒子(a2)を含むことにより、導電性樹脂組成物から得られる成形物の樹脂クラックを抑制したり、線膨張係数を抑制することができる。
なお、本実施形態において、「球状」とは、完全な真球に限られず、表面に若干の凹凸がある形状等も包含する。その円形度は、例えば0.90以上、好ましくは0.92以上、より好ましくは0.94以上である。
銀含有粒子(A)は、その表面がカルボン酸、炭素数4~30の飽和脂肪酸、または一価の炭素数4~30の不飽和脂肪酸、長鎖アルキルニトリル等の有機化合物で処理されていてもよい。
銀含有粒子(A)は、(i)実質的に銀のみからなる粒子であってもよいし、(ii)銀と銀以外の成分からなる粒子であってもよい。また、金属含有粒子として(i)および(ii)が併用されてもよい。
本実施形態において、特に好ましくは、銀含有粒子(A)は、樹脂粒子の表面が銀でコートされた銀コート樹脂粒子を含む。これにより、熱伝導性により優れるとともに低い貯蔵弾性率を有する硬化物が得られる導電性樹脂組成物を調製することができる。
銀コート樹脂粒子は、表面が銀であり、かつ、内部が樹脂であるため、熱伝導性が良く、かつ、銀のみからなる粒子と比較してやわらかい、と考えられる。このため、銀コート樹脂粒子を用いることで、熱伝導率や貯蔵弾性率を適切な値に設計しやすいと考えられる。
通常、熱伝導性を大きくするためには、銀含有粒子の量を増やすことが考えられる。しかし、通常、金属は「硬い」ため、銀含有粒子の量が多すぎると、シンタリング後の弾性率が大きくなりすぎてしまう場合がある。銀含有粒子の一部または全部が銀コート樹脂粒子であることで、所望の熱伝導率や貯蔵弾性率を有する硬化物を得ることができる導電性樹脂組成物を容易に設計することができる。
銀コート樹脂粒子においては、樹脂粒子の表面の少なくとも一部の領域を銀層が覆っていればよい。もちろん、樹脂粒子の表面の全面を銀が覆っていてもよい。
具体的には、銀コート樹脂粒子において、銀層は、樹脂粒子の表面の好ましくは50%以上、より好ましく75%以上、さらに好ましくは90%以上を覆っている。特に好ましくは、銀コート樹脂粒子において、銀層は、樹脂粒子の表面の実質的に全てを覆っている。
別観点として、銀コート樹脂粒子をある断面で切断したときには、その断面の周囲全部に銀層が確認されることが好ましい。
さらに別観点として、銀コート樹脂粒子中の、樹脂/銀の質量比率は、例えば90/10~10/90、好ましくは80/20~20/80、より好ましくは70/30~30/70である。
銀コート樹脂粒子における「樹脂」としては、例えば、シリコーン樹脂、(メタ)アクリル樹脂、フェノール樹脂、ポリスチレン樹脂、メラミン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリテトラフルオロエチレン樹脂などを挙げることができる。もちろん、これら以外の樹脂であってもよい。また、樹脂は1種のみであってもよいし、2種以上の樹脂が併用されてもよい。
弾性特性や耐熱性の観点から、樹脂は、シリコーン樹脂または(メタ)アクリル樹脂が好ましい。
シリコーン樹脂は、メチルクロロシラン、トリメチルトリクロロシラン、ジメチルジクロロシラン等のオルガノクロロシランを重合させることにより得られるオルガノポリシロキサンにより構成される粒子でもよい。また、オルガノポリシロキサンをさらに三次元架橋した構造を基本骨格としたシリコーン樹脂でもよい。
(メタ)アクリル樹脂は、主成分(50重量%以上、好ましくは70重量%以上、より好ましくは90重量%以上)として(メタ)アクリル酸エステルを含むモノマーを重合させて得られた樹脂であることができる。(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、プロピル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、2-エチルへキシル(メタ)アクリレート、ラウリル(メタ)アクリレート、ステアリル(メタ)アクリレート、シクロへキシル(メタ)アクリレート、2-ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、1,4-シクロヘキサンジメタノールモノ(メタ)アクリレート、2-プロピル(メタ)アクリレート、クロロ-2-ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、メトキシエチル(メタ)アクリレート、グリシジル(メタ)アクリレート、ジシクロペンタニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンテニル(メタ)アクリレートおよびイソボロノル(メタ)アクリレートからなる群から選ばれる少なくとも1種の化合物を挙げることができる。また、アクリル系樹脂のモノマー成分には、少量の他のモノマーが含まれていてもよい。そのような他のモノマー成分としては、例えば、スチレン系モノマーが挙げられる。銀コート(メタ)アクリル樹脂については、特開2017-126463号公報の記載なども参照されたい。
シリコーン樹脂や(メタ)アクリル樹脂中に各種官能基を導入してもよい。導入できる官能基は特に限定されない。例えば、エポキシ基、アミノ基、メトキシ基、フェニル基、カルボキシル基、水酸基、アルキル基、ビニル基、メルカプト基等が挙げられる。
銀コート樹脂粒子における樹脂粒子の部分は、各種の添加成分、例えば低応力改質剤などを含んでもよい。低応力改質剤としては、ブタジエンスチレンゴム、ブタジエンアクリロニトリルゴム、ポリウレタンゴム、ポリイソプレンゴム、アクリルゴム、フッ素ゴム、液状オルガノポリシロキサン、液状ポリブタジエン等の液状合成ゴム等が挙げられる。特に、樹脂粒子の部分がシリコーン樹脂を含む場合、低応力改質剤を含むことで、銀コート樹脂粒子の弾性特性を好ましいものとすることができる。
銀コート樹脂粒子における樹脂粒子の部分の形状は、特に限定されない。好ましくは、球状と、球状以外の異形状、例えば扁平状、板状、針状などとの組み合わせが好ましい。
銀コート樹脂粒子の比重は特に限定されないが、下限は、例えば2以上、好ましくは2.5以上、より好ましくは3以上である。また、比重の上限は、例えば10以下、好ましくは9以下、より好ましくは8以下である。比重が適切であることは、銀コート樹脂粒子そのものの分散性や、銀コート樹脂粒子とそれ以外の銀含有粒子を併用したときの均一性などの点で好ましい。
銀コート樹脂粒子を用いる場合、銀含有粒子(A)全体中の銀コート樹脂粒子の割合は、好ましくは1~50質量%、より好ましくは3~45質量%、さらに好ましくは5~40質量%である。この割合を適切に調整することで、ヒートサイクルによる接着力の低下を抑えつつ、放熱性を一層高めることができる。
ちなみに、銀含有粒子(A)全体中の銀コート樹脂粒子の割合が100質量%ではない場合、銀コート樹脂粒子以外の銀含有粒子は、例えば、実質的に銀のみからなる粒子である。
銀含有粒子(A)のメジアン径D50は、例えば0.01~50μm、好ましくは0.1~20μm、より好ましくは0.5~10μmである。D50を適切な値とすることで、熱伝導性、焼結性、ヒートサイクルに対する耐性などのバランスを取りやすい。また、D50を適切な値とすることで、塗布/接着の作業性の向上などを図れることもある。
銀含有粒子の粒度分布(横軸:粒子径、縦軸:頻度)は、単峰性であっても多峰性であってもよい。
本発明の効果の観点から、銀含有粒子(a)が、球状の銀含有粒子(a1)と鱗片状の銀含有粒子(a2-1)とを含むことが好ましい。これらの銀含有粒子は、実質的に銀のみからなる銀粒子であることがより好ましい。
球状の銀含有粒子(a1)のメジアン径D50は、例えば0.1~20μm、好ましくは0.5~10μm、より好ましくは0.5~5.0μmである。
球状の銀含有粒子(a1)の比表面積は、例えば0.1~2.5m/g、好ましくは0.5~2.3m/g、より好ましくは0.8~2.0m/gである。
球状の銀含有粒子(a1)のタップ密度は、例えば1.5~6.0g/cm、好ましくは2.5~5.8g/cm、より好ましくは4.5~5.5g/cmである。
球状の銀含有粒子(a1)の円形度は、例えば0.90以上、好ましくは0.92以上、より好ましくは0.94以上である。
これらの各特性を満たすことにより、熱伝導性、焼結性、ヒートサイクルに対する耐性などのバランスに優れる。
鱗片状の銀含有粒子(a2-1)のメジアン径D50は、例えば0.1~20μm、好ましくは1.0~15μm、より好ましくは2.0~10μmである。
鱗片状の銀含有粒子(a2-1)の比表面積は、例えば0.1~2.5m/g、好ましくは0.2~2.0m/g、より好ましくは0.25~1.2m/gである。
鱗片状の銀含有粒子(a2-1)のタップ密度は、例えば1.5~6.0g/cm、好ましくは2.5~5.9g/cm、より好ましくは4.0~5.8g/cmである。
これらの各特性を満たすことにより、熱伝導性、焼結性、ヒートサイクルに対する耐性などのバランスに優れる。
本実施形態においては、上記特性の少なくとも1つを満たす球状の銀含有粒子(a1)と、上記特性の少なくとも1つを満たす鱗片状の銀含有粒子(a2-1)とを組み合わせることにより、熱伝導性および電気伝導性が特に向上する。
鱗片状の銀含有粒子(a2-1)の含有量に対する球状の銀含有粒子(a1)の含有量の比(a1/a2-1)が好ましくは0.1以上10以下、より好ましくは0.3以上5以下である、さらに好ましくは0.5以上3以下、特に好ましくは0.7以上2以下とすることができる。これにより、銀含有粒子同士の接触率が特に向上することから、当該ペースト状重合性組成物の焼結後においてネットワークが容易に形成され熱伝導性および電気伝導性が特に向上する。
鱗片状の銀含有粒子(a2-1)のメジアン径D50に対する球状の銀含有粒子(a1)のメジアン径D50の比(a1/a2-1)が好ましくは0.01以上0.8以下、より好ましくは0.05以上0.6以下、さらに好ましくは0.07以上0.3以下である。
これにより、鱗片状の銀含有粒子間の空隙に、球状の銀含有粒子が効率的に充填され、銀含有粒子同士の接触率が特に向上することから、当該ペースト状重合性組成物の焼結後においてネットワークが容易に形成され熱伝導性および電気伝導性が特に向上する。
鱗片状の銀含有粒子(a2-1)のタップ密度に対する球状の銀含有粒子(a1)のタップ密度の比(a1/a2-1)が好ましくは0.5以上2.0以下、より好ましくは0.7以上1.2以下である。
これにより、銀含有粒子の充填率が向上し、銀含有粒子同士の接触率が特に向上することから、当該ペースト状重合性組成物の焼結後においてネットワークが容易に形成され熱伝導性および電気伝導性が特に向上する。
銀コート樹脂粒子のメジアン径D50は、例えば5.0~25μm、好ましくは7.0~20μm、より好ましくは8.0~15μmである。これにより、熱伝導性をより向上させることができる。
銀含有粒子(A)のメジアン径D50は、例えば、シスメックス株式会社製フロー式粒子像分析装置FPIA(登録商標)-3000を用い、粒子画像計測を行うことで求めることができる。より具体的には、この装置を用い、湿式で体積基準のメジアン径を計測することで、銀含有粒子(A)の粒子径を決定することができる。
銀含有粒子(A)のうち、実質的に銀のみからなる粒子は、例えば、DOWAハイテック社、福田金属箔粉工業社などより入手することができる。また、銀コート樹脂粒子は、例えば、三菱マテリアル社、積水化学工業社、株式会社山王などより入手することができる。
本実施形態の導電性樹脂組成物全体中の銀含有粒子(A)の割合は、本発明の効果の観点から、好ましくは70~98質量%、より好ましくは75~95質量%、さらに好ましくは80~92質量%である。
[3官能以上の脂肪族エポキシ化合物(B)]
3官能以上の脂肪族エポキシ化合物(B)は、下記一般式(1)で表される化合物から選択される少なくとも1種を含む。
3官能以上の脂肪族エポキシ化合物(B)に含まれる下記一般式(1)で表される化合物は、複数のエポキシ基含有基が結合する3~6価の脂肪族基を備えており、反応性に優れ架橋密度が高くなることから、当該化合物から樹脂が得られる際の硬化収縮によって銀含有粒子の焼結が促進されて熱伝導性に優れた高熱伝導性材料を得ることができる。さらに、得られる硬化物(高熱伝導性材料)は弾性率が低く柔軟性に優れることから、当該硬化物を備える半導体装置等は応力緩和により製品信頼性に優れる。さらに、得られる硬化物(高熱伝導性材料)は半導体素子や基板等との密着性にも優れており製品信頼性に優れる。言い換えればこれらの特性のバランスに優れた導電性樹脂組成物を提供することができる。
Figure 0007351437000003
一般式(1)中、Rは水酸基または炭素数1~3のアルキル基を示し、好ましくは水酸基または炭素数1~2のアルキル基、さらに好ましくは水酸基または炭素数1のアルキル基である。複数存在するRは同一でも異なっていてもよい。
Xは炭素数1~3のアルキレン基を示し、好ましくは炭素数1~2のアルキレン基、さらに好ましくは炭素数1のアルキレン基である。複数存在するXは同一でも異なっていてもよい。
mは0~4の整数を示し、好ましくは0~3の整数を示し、より好ましくは0~2の整数を示す。
nは1~6の整数を示し、好ましくは2~6の整数を示し、より好ましくは2~4の整数を示す
Qは3~6価の脂肪族基を示し、好ましくは4~6価の脂肪族基を示す。
Qにおける3~6価の前記脂肪族基としては、本発明の効果を奏する範囲で公知の脂肪族基を用いることができるが、例えば下記一般式(a)~(c)で表される脂肪族基を挙げることができる。
Figure 0007351437000004
一般式(1)のQが一般式(a)の脂肪族基を含む化合物としては、デナコールEX-321(ナガセケムテックス社製)、PETG(昭和電工社製)等が挙げられる。
一般式(1)のQが一般式(b)の脂肪族基を含む化合物としては、デナコールEX-313(ナガセケムテックス社製)等が挙げられる。
一般式(1)のQが一般式(c)の脂肪族基を含む化合物としては、デナコールEX-614B(ナガセケムテックス社製)等が挙げられる。
一般式(a)~(c)中、*は結合手を示す。
3官能以上の脂肪族エポキシ化合物(B)は、本発明の効果の観点から、前記Qが一般式(a)、(b)および(c)で表される脂肪族基である化合物から選択される少なくとも1種を含むことが好ましく、Qが一般式(a)で表される脂肪族基である化合物から選択される少なくとも1種を含むことがより好ましい。
本実施形態の導電性樹脂組成物全体中の3官能以上の脂肪族エポキシ化合物(B)の割合は、本発明の効果の観点から、好ましくは1~25質量%、より好ましくは2~20質量%、さらに好ましくは3~15質量%である。
[硬化剤(C)]
本実施形態の導電性樹脂組成物は、さらに硬化剤(C)を含むことができる。
硬化剤(C)としては、多官能エポキシ化合物(C)に含まれるエポキシ基と反応する反応性基を有するものを挙げることができる。
硬化剤(C)は、好ましくは、フェノール系硬化剤を含む。これら硬化剤は、特に、熱硬化性成分がエポキシ基を含む場合に好ましい。
フェノール系硬化剤は、低分子化合物あってもよいし、高分子化合物(すなわちフェノール樹脂)であってもよい。
低分子化合物であるフェノール系硬化剤としては、例えば、ビスフェノールA、ビスフェノールF(ジヒドロキシジフェニルメタン)等のビスフェノール化合物(ビスフェノールF骨格を有するフェノール樹脂);4,4'-ビフェノールなどのビフェニレン骨格を有する化合物などが挙げられる。
フェノール樹脂として具体的には、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールノボラック樹脂、フェノール-ビフェニルノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂;ポリビニルフェノール;トリフェニルメタン型フェノール樹脂等の多官能型フェノール樹脂;テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂等の変性フェノール樹脂;フェニレン骨格及び/又はビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂、フェニレン及び/又はビフェニレン骨格を有するナフトールアラルキル樹脂等のフェノールアラルキル型フェノール樹脂などを挙げることができる。
硬化剤(C)を用いる場合、1種のみを用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。
本実施形態の導電性樹脂組成物が硬化剤(C)を含む場合、その量は、3官能以上の脂肪族エポキシ化合物(B)の量を100質量部としたとき、好ましくは10~120質量部、より好ましくは20~80質量部である。
[有機溶剤(D)]
本実施形態の導電性樹脂組成物は、さらに有機溶剤(D)を含むことができる。
有機溶剤(D)としては、メタノール、エタノール、1-プロパノール、2-プロパノール、1-ブタノール、2-ブタノール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、メチルメトキシブタノール、α-ターピネオール、β-ターピネオール、へキシレングリコール、ベンジルアルコール、2-フェニルエチルアルコール、イゾパルミチルアルコール、イソステアリルアルコール、ラウリルアルコール、エチレングリコール、プロピレングリコール、ブチルプロピレントリグリコール、グリセリン等のアルコール類;
アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、ジアセトンアルコール(4-ヒドロキシ-4-メチル-2-ペンタノン)、2-オクタノン、イソホロン(3、5、5-トリメチル-2-シクロヘキセン-1-オン)、ジイソブチルケトン(2、6-ジメチル-4-ヘプタノン)等のケトン類;
酢酸エチル、酢酸ブチル、ジエチルフタレート、ジブチルフタレート、アセトキシエタン、酪酸メチル、ヘキサン酸メチル、オクタン酸メチル、デカン酸メチル、メチルセロソルブアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、1,2-ジアセトキシエタン、リン酸トリブチル、リン酸トリクレジル、リン酸トリペンチル等のエステル類;
テトラヒドロフラン、ジプロピルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、エトキシエチルエーテル、1,2-ビス(2-ジエトキシ)エタン、1,2-ビス(2-メトキシエトキシ)エタン等のエーテル類;
酢酸2-(2ブトキシエトキシ)エタン等のエステルエーテル類;
2-(2-メトキシエトキシ)エタノール等のエーテルアルコール類;
トルエン、キシレン、n-パラフィン、イソパラフィン、ドデシルベンゼン、テレピン油、ケロシン、軽油等の炭化水素類;
アセトニトリルもしくはプロピオニトリル等のニトリル類;
アセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、N-メチルピロリドン等のアミド類;γ―ブチロラクトン、γ-バレロラクトン、δ-バレロラクトン等のラクトン類;
低分子量の揮発性シリコンオイル、揮発性有機変成シリコンオイル等のシリコンオイル類;
単官能(メタ)アクリル化合物など、を挙げることができる。
有機溶剤(D)を用いる場合、1種のみの溶剤を用いてもよいし、2種以上の溶剤を併用してもよい。
有機溶剤(D)を用いる場合、その量は特に限定されない。所望の流動性などに基づき使用量は適宜調整すればよい。一例として、有機溶剤(D)は、導電性樹脂組成物の不揮発成分濃度が50~95質量%となる量で使用される。
[その他の成分]
本実施形態の導電性樹脂組成物は、その他の成分として、エポキシ樹脂、2官能エポキシ化合物、硬化促進剤、シランカップリング剤、可塑剤、密着性付与剤等を含むことができる。
前記エポキシ樹脂としては、芳香族エポキシ樹脂を挙げることができ、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールA型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールAF型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ビスフェノールA-ポリエチレンオキサイド型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂、トリス(ヒドロキシフェニル)メタン型エポキシ樹脂およびテトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂等のグリシジルエーテル型エポキシ樹脂、並びにグリシジルアミン型エポキシ樹脂が挙げられる。その他、例えば、エピクロルヒドリンとフタル酸誘導体および脂肪酸等のカルボン酸との縮合によって得られるグリシジルエステル型エポキシ樹脂等、さらには様々な方法で変性したエポキシ樹脂等が挙げられる。
本実施形態の導電性樹脂組成物は、前記エポキシ樹脂を1質量%未満の量で含むことができる。
前記2官能エポキシ化合物としては、ビスフェノールAジグリシジルエーテル、ビスフェノールFジグリシジルエーテル、ビスフェノールSジグリシジルエーテル、ビスフェノールAFジグリシジルエーテル、ビスフェノールアセトフェノンジグリシジルエーテル、ビスフェノールトリメチルシクロヘキサンジグリシジルエーテル、ビスフェノールフルオレンジグリシジルエーテル、テトラメチルビスフェノールAジグリシジルエーテル、テトラメチルビスフェノールFジグリシジルエーテル、テトラ-t-ブチルビスフェノールAジグリシジルエーテル、テトラメチルビスフェノールSジグリシジルエーテル等のビスフェノール系ジグリシジルエーテル類;エチレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、1,4-ブタンジオールジグリシジルエーテル、1,5-ペンタンジオールジグリシジルエーテル、1,6-ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、1,7-ヘプタンジオールジグリシジルエーテル、1,8-オクタンジオールジグリシジルエーテル、1,10-デカンジオールジグリシジルエーテル、2,2-ジメチル-1,3-プロパンジオールジグリシジルエーテル等のアルキレングリコールジグリシジルエーテル類;トリメチロールプロパンジグリシジルエーテル等が挙げられる。
シランカップリング剤を含むことにより接着力の一層の向上を図ることができ、可塑剤を含むことにより貯蔵弾性率を低くすることができる。そして、ヒートサイクルによる接着力の低下を一層抑えやすくなる。
<導電性樹脂組成物>
本実施形態の導電性樹脂組成物は、好ましくは、20℃でペースト状である。すなわち、本実施形態の導電性樹脂組成物(ペースト状組成物)は、好ましくは、20℃で、糊のようにして基板等に塗布することができる。このことにより、本実施形態の導電性樹脂組成物を、半導体素子の接着剤などとして好ましく用いることができる。
もちろん、適用されるプロセスなどによっては、本実施形態の導電性樹脂組成物は、比較的低粘度のワニス状などであってもよい。
本実施形態の導電性樹脂組成物は、上述の各成分と、必要に応じてその他の成分とを、従来公知の方法で混合することにより得ることができる。
本実施形態の導電性樹脂組成物(100質量%)は、本発明の効果の観点から、銀含有粒子(A)を、好ましくは70~98質量%、より好ましくは75~95質量%、さらに好ましくは80~92質量%の量で含み、
3官能以上の脂肪族エポキシ化合物(B)を、好ましくは1~25質量%、より好ましくは2~20質量%、さらに好ましくは3~15質量%の量で含むことができる。
また、銀含有粒子(A)は球状の銀含有粒子(a1)と、鱗片状の銀含有粒子(a2-1)とを含むことが好ましく、鱗片状の銀含有粒子(a2-1)の含有量に対する球状の銀含有粒子(a1)の含有量の比(a1/a2-1)を、好ましくは0.1以上10以下、より好ましくは0.3以上5以下である、さらに好ましくは0.5以上3以下、特に好ましくは0.7以上2以下とすることができる。
本実施形態の導電性樹脂組成物は、さらに硬化剤(C)を含む場合、その量は、3官能以上の脂肪族エポキシ化合物(B)の量を100質量部としたとき、好ましくは10~120質量部、より好ましくは20~80質量部である。
<高熱伝導性材料>
本実施形態の導電性樹脂組成物を焼結することにより高熱伝導性材料を得ることができる。
高熱伝導性材料の形状を変えることにより、自動車、電機分野において熱放散性を必要とする様々な部品に適用することができる。
<半導体装置>
本実施形態の導電性樹脂組成物を用いて、半導体装置を製造することができる。例えば、本実施形態の導電性樹脂組成物を、基材と半導体素子との「接着剤」として用いることで、半導体装置を製造することができる。
換言すると、本実施形態の半導体装置は、例えば、基材と、上述の導電性樹脂組成物を熱処理により焼結して得られる接着層を介して基材上に搭載された半導体素子と、を備える。
本実施形態の半導体装置は、応力が緩和され、さらにヒートサイクルによっても接着層の密着性などが低下しにくい。つまり、本実施形態の半導体装置の信頼性は高い。
半導体素子としては、IC、LSI、電力用半導体素子(パワー半導体)、その他各種の素子を挙げることができる。
基板としては、各種半導体ウエハ、リードフレーム、BGA基板、実装基板、ヒートスプレッダー、ヒートシンクなどを挙げることができる。
以下、図面を参照して、半導体装置の一例を説明する。
図1は、半導体装置の一例を示す断面図である。
半導体装置100は、基材30と、導電性樹脂組成物の熱処理体である接着層10(ダイアタッチ材)を介して基材30上に搭載された半導体素子20と、を備える。
半導体素子20と基材30は、例えばボンディングワイヤ40等を介して電気的に接続される。また、半導体素子20は、例えば封止樹脂50により封止される。
接着層10の厚さは、5μm以上が好ましく、10μm以上がより好ましく、20μm以上が更に好ましい。これにより、導電性樹脂組成物の応力吸収能が向上し、耐ヒートサイクル性を向上できる。
接着層10の厚さは、例えば100μm以下、好ましくは50μm以下である。
図1において、基材30は、例えば、リードフレームである。この場合、半導体素子20は、ダイパッド32または基材30上に接着層10を介して搭載されることとなる。また、半導体素子20は、例えば、ボンディングワイヤ40を介してアウターリード34(基材30)へ電気的に接続される。リードフレームである基材30は、例えば、42アロイ、Cuフレーム等により構成される。
基材30は、有機基板やセラミック基板であってもよい。有機基板としては、例えばエポキシ樹脂、シアネート樹脂、マレイミド樹脂等によって構成されたものを挙げることができる。
基材30の表面は、例えば、銀、金などの金属により被膜されていてもよい。これにより、接着層10と基材30との接着性が向上する。
半導体素子20の接着層10と接する面は、シリコン面であってもよく、金属蒸着面や金属メッキ面であってもよい。金属蒸着面としては、金また銀が蒸着された面を挙げることができ、金属メッキ面としては、金また銀がメッキされた面を挙げることができる。
本実施形態の導電性樹脂組成物は、半導体素子および基材等との密着性にも優れており、シリコン面であっても密着性に優れる。
図2は、図1とは別の半導体装置100の一例を示す断面図である。
図2の半導体装置100において、基材30は、例えばインターポーザである。インターポーザである基材30のうち、半導体素子20が搭載される一面と反対側の面には、例えば複数の半田ボール52が形成される。この場合、半導体装置100は、半田ボール52を介して他の配線基板へ接続されることとなる。
半導体装置の製造方法の一例について説明する。
まず、基材30の上に、導電性樹脂組成物を塗工し、次いで、その上に半導体素子20を配置する。すなわち、基材30、導電性樹脂組成物、半導体素子20がこの順で積層される。
導電性樹脂組成物を塗工する方法は特に限定されない。具体的には、ディスペンシング、印刷法、インクジェット法などを挙げることができる。
次いで、導電性樹脂組成物を熱硬化させる。熱硬化は、好ましくは前硬化及び後硬化により行われる。熱硬化により、導電性樹脂組成物を熱処理体(硬化物)とする。熱硬化(熱処理)により、導電性樹脂組成物中の金属含有粒子が凝集し、複数の金属含有粒子同士の界面が消失した構造が接着層10中に形成される。これにより、接着層10を介して、基材30と、半導体素子20とが接着される。次いで、半導体素子20と基材30を、ボンディングワイヤ40を用いて電気的に接続する。次いで、半導体素子20を封止樹脂50により封止する。このようにして半導体装置を製造することができる。
以上、本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することができる。また、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれる。
以下に、実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
実施例で用いた成分を以下に示す。
(エポキシ樹脂)
・エポキシ樹脂1:ビスフェノールF型エポキシ樹脂(日本化薬社製、RE-303S)
(3官能以上の脂肪族エポキシ化合物)
・脂肪族エポキシ化合物1:トリメチロールプロパンポリグリシジルエーテル(下記化学式で表される化合物の混合物、デナコールEX-321L、ナガセケムテック社製)
Figure 0007351437000005
・脂肪族エポキシ化合物2:ペンタエリスリトールテトラアリルエーテルの過酸化水素によるエポキシ化反応生成物(下記化学式で表される化合物、ショウフリーPETG、昭和電工社製)
Figure 0007351437000006
((メタ)アクリル化合物)
・アクリルモノマー1:エチレングリコールジメタクリレート(共栄社化学社製、ライトエステルEG)
(硬化剤)
・硬化剤1:ビスフェノールF骨格を有するフェノール樹脂(DIC社製、DIC-BPF)
(ラジカル重合開始剤)
・ラジカル重合開始剤1:ジクミルパーオキサイド(化薬アクゾ社製、パーカドックスBC)
(硬化促進剤)
・硬化促進剤1:2-フェニル-1H-イミダゾール-4,5-ジメタノール(四国化成工業社製、2PHZ-PW)
(銀含有粒子)
・銀フィラー1:DOWAエレクトロニクス社製、AG-DSB-114、球状、メジアン径D50:0.7μm、比表面積:1.05m/g、タップ密度5.25g/cm、円形度:0.953
・銀フィラー2:福田金属箔粉工業社製、HKD-12、鱗片状、メジアン径D50:7.6μm、比表面積:0.315m/g、タップ密度:5.5g/cm
(溶剤)
・溶剤1:トリプロピレングリコールモノ-n-ブチルエーテル(BFTG、日本乳化剤社製、沸点274℃)
[実施例1~5、比較例1~2]
表1に示される配合量に従って、各原料成分を混合し、ワニスを得た。
次に、得られたワニスを用い、表1に示す配合量に従って配合し、常温で、3本ロールミルで混練した。これにより、導電性樹脂組成物を作製した。
(体積抵抗率)
導電性樹脂組成物をガラス板上に塗布し、窒素雰囲気下で、30℃から200℃まで60分間かけて昇温し、続けて200℃で120分間熱処理した。これにより、厚さ0.05mmの導電性樹脂組成物の熱処理体(硬化物)を得た。ミリオームメータ(HIOKI社製)による直流四電極法、電極間隔が40mmの電極を用い、熱処理体表面の抵抗値を測定した。
(貯蔵弾性率)
導電性樹脂組成物の熱処理体を用いて約0.1mm×約10mm×約4mmに切り出し、評価用の短冊状サンプルを得た。このサンプルを用いて25℃における貯蔵弾性率(E’)を、DMA(動的粘弾性測定、引張モード)により昇温速度5℃/min、周波数10Hzの条件で測定した。
(恒温吸湿処理後の密着強度(Auチップ))
AgメッキされたCuリードフレームのAgメッキ上に、得られた導電性樹脂組成物を所定量塗布し、その上に5×7mm角の裏面AuコートされたチップをAuコート面が接するようにマウントし、窒素雰囲気下において200℃で2時間硬化させ、評価用半導体装置を作製した。得られた半導体装置を温度60℃、湿度60%下で48時間処理した後、4000万能型ボンドテスター(Nordson Dage社製)を用いて、260℃加熱時にリードフレームからの高さ50μmの位置をツール速度500μm/sでシェアをかけた際の強度をチップ密着強度として評価した。
(恒温吸湿処理後の剥離有無評価(Auチップ))
上記で作製した評価用半導体装置を上記と同様に温度60℃、湿度60%下で48時間処理した後の剥離有無を超音波探傷試験機(SAT)にて評価した。剥離が確認されてものを×、剥離がなかったものを〇とした。
(恒温吸湿処理後の密着強度(シリコンチップ))
金属メッキされていないシリコンチップを用い、塗付された導電性樹脂組成物の上にシリコンチップをシリコン面が接するようにマウントした以外は、上記と同様にして恒温吸湿処理後の密着強度を測定した。
(恒温吸湿処理後の剥離有無評価(シリコンチップ))
金属メッキされていない7x7mm角シリコンチップを用いた以外は、上記と同様にして恒温吸湿処理後の剥離有無を評価した。
Figure 0007351437000007
表1に記載の結果から、3官能以上の脂肪族エポキシ化合物と、所定量の銀含有粒子とを含む導電性樹脂組成物から得られた硬化物は、体積抵抗率が低く熱伝導性に優れ、また、貯蔵弾性率が低く応力が緩和され、さらに恒温吸湿試験後においてもシリコン面または金属面に対して密着強度が高く剥離も抑制されていることから硬化物を備える半導体装置等は信頼性に優れること、言い換えればこれらの特性のバランスに優れることが明らかとなった。
この出願は、2021年7月2日に出願された日本出願特願2021-110818号および2021年10月4日に出願された日本出願特願2021-163530号を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。
100 半導体装置
10 接着層
20 半導体素子
30 基材
32 ダイパッド
34 アウターリード
40 ボンディングワイヤ
50 封止樹脂
52 半田ボール

Claims (11)

  1. (A)銀含有粒子と、
    (B)3官能以上の脂肪族エポキシ化合物と、
    を含み、
    銀含有粒子(A)の含有量は81質量%以上である、ダイアタッチ材用導電性樹脂組成物(ただし、アルキル置換窒素含有複素環式化合物にそれぞれ由来する官能基を1つ以上有するアミン-エポキシ付加物の1種以上を含む場合、および25℃において固体である平均分子量が350以上のフェノール樹脂系硬化剤を含む場合を除く)
  2. 3官能以上の脂肪族エポキシ化合物(B)は、下記一般式(1)で表される化合物から選択される少なくとも1種を含む、請求項1に記載のダイアタッチ材用導電性樹脂組成物。
    Figure 0007351437000008
    (一般式(1)中、Rは水酸基または炭素数1~3のアルキル基を示し、複数存在するRは同一でも異なっていてもよい。
    Qは、3~6価の脂肪族基を示す。
    Xは炭素数1~3のアルキレン基を示し、複数存在するXは同一でも異なっていてもよい。
    mは0~3の整数、nは~6の整数を示す。)
  3. 3官能以上の脂肪族エポキシ化合物(B)は、一般式(1)中の前記Qが一般式(a)~(c)で表される脂肪族基である化合物から選択される少なくとも1種を含む、請求項に記載のダイアタッチ材用導電性樹脂組成物。
    Figure 0007351437000009
    (一般式(a)~(c)中、*は結合手を示す。)
  4. 3官能以上の脂肪族エポキシ化合物(B)を1~25質量%の量で含む、請求項1に記載のダイアタッチ材用導電性樹脂組成物。
  5. 銀含有粒子(A)が球状、樹状、紐状、鱗片状、凝集状、および多面体形状の銀含有粒子から選択される2種以上を含む、請求項に記載のダイアタッチ材用導電性樹脂組成物。
  6. 銀含有粒子(A)が球状の銀含有粒子、および鱗片状の銀含有粒子を含む、請求項1に記載のダイアタッチ材用導電性樹脂組成物。
  7. さらに、硬化剤(C)を含む、請求項に記載のダイアタッチ材用導電性樹脂組成物。
  8. さらに、有機溶剤(D)を含む、請求項に記載のダイアタッチ材用導電性樹脂組成物。
  9. 請求項1~のいずれかに記載のダイアタッチ材用導電性樹脂組成物を焼結して得られる高熱伝導性材料。
  10. 基材と、
    前記基材上に接着層を介して搭載された半導体素子と、を備え、
    前記接着層は、請求項1~のいずれかに記載のダイアタッチ材用導電性樹脂組成物を焼結してなる、半導体装置。
  11. 前記接着層は、前記基材と前記半導体素子のシリコン面または金属面とを接着する、請求項10に記載の半導体装置。
JP2023531784A 2021-07-02 2022-06-16 ダイアタッチ材用導電性樹脂組成物、高熱伝導性材料および半導体装置 Active JP7351437B2 (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021110818 2021-07-02
JP2021110818 2021-07-02
JP2021163530 2021-10-04
JP2021163530 2021-10-04
PCT/JP2022/024078 WO2023276690A1 (ja) 2021-07-02 2022-06-16 導電性樹脂組成物、高熱伝導性材料および半導体装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JPWO2023276690A1 JPWO2023276690A1 (ja) 2023-01-05
JPWO2023276690A5 JPWO2023276690A5 (ja) 2023-08-31
JP7351437B2 true JP7351437B2 (ja) 2023-09-27

Family

ID=84692327

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2023531784A Active JP7351437B2 (ja) 2021-07-02 2022-06-16 ダイアタッチ材用導電性樹脂組成物、高熱伝導性材料および半導体装置

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7351437B2 (ja)
KR (1) KR20240027774A (ja)
TW (1) TW202311339A (ja)
WO (1) WO2023276690A1 (ja)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013147047A1 (ja) 2012-03-29 2013-10-03 Dic株式会社 導電性インキ組成物、導電性パターンの製造方法及び導電性回路
JP2014531495A (ja) 2011-09-20 2014-11-27 ヘンケル・アクチェンゲゼルシャフト・ウント・コムパニー・コマンディットゲゼルシャフト・アウフ・アクチェンHenkel AG & Co.KGaA 銀被覆粒子含有導電性接着剤
JP2015160932A (ja) 2014-02-28 2015-09-07 昭和電工株式会社 導電性接着剤及びそれらを使用した電子機器
CN107446520A (zh) 2017-06-29 2017-12-08 晶丰电子封装材料(武汉)有限公司 一种常温固化导电胶及其连接可充电电池组的工艺方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6031882B2 (ja) * 2012-08-07 2016-11-24 Dic株式会社 導電性インキ組成物、導電性パターンの製造方法及び導電性回路
WO2014119463A1 (ja) * 2013-01-30 2014-08-07 Dic株式会社 導電性ペースト、導電性パターンの形成方法及び導電性パターン印刷物
JP5806760B1 (ja) 2014-05-29 2015-11-10 田中貴金属工業株式会社 熱伝導性導電性接着剤組成物
WO2018225773A1 (ja) 2017-06-07 2018-12-13 田中貴金属工業株式会社 熱伝導性導電性接着剤組成物

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014531495A (ja) 2011-09-20 2014-11-27 ヘンケル・アクチェンゲゼルシャフト・ウント・コムパニー・コマンディットゲゼルシャフト・アウフ・アクチェンHenkel AG & Co.KGaA 銀被覆粒子含有導電性接着剤
WO2013147047A1 (ja) 2012-03-29 2013-10-03 Dic株式会社 導電性インキ組成物、導電性パターンの製造方法及び導電性回路
JP2015160932A (ja) 2014-02-28 2015-09-07 昭和電工株式会社 導電性接着剤及びそれらを使用した電子機器
CN107446520A (zh) 2017-06-29 2017-12-08 晶丰电子封装材料(武汉)有限公司 一种常温固化导电胶及其连接可充电电池组的工艺方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW202311339A (zh) 2023-03-16
JPWO2023276690A1 (ja) 2023-01-05
KR20240027774A (ko) 2024-03-04
WO2023276690A1 (ja) 2023-01-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2022069401A (ja) ペースト状組成物、高熱伝導性材料、および半導体装置
TWI828881B (zh) 導熱性組成物及半導體裝置
JP7264211B2 (ja) 熱伝導性組成物および半導体装置
JP7351437B2 (ja) ダイアタッチ材用導電性樹脂組成物、高熱伝導性材料および半導体装置
CN110692126A (zh) 电子部件粘接用树脂组合物、小型芯片部件的粘接方法、电子电路基板及其制造方法
TW202135098A (zh) 導電性糊及半導體裝置
JP2022018051A (ja) ペースト状樹脂組成物、高熱伝導性材料、および半導体装置
JP7491463B2 (ja) 導電性樹脂組成物、高熱伝導性材料および半導体装置
JP7279802B2 (ja) 高熱伝導性材料用ペースト状樹脂組成物、高熱伝導性材料、および半導体装置
JP7392876B2 (ja) 銀含有ペーストおよび接合体
CN117580909A (zh) 导电性树脂组合物、高导热性材料和半导体装置
JP7260079B1 (ja) 導電性ペースト、硬化物、シンタリング促進剤およびシンタリング促進方法
JP7201139B1 (ja) 銀含有ペースト
WO2022202434A1 (ja) 導電性ペーストおよび半導体装置
WO2023132051A1 (ja) ペースト状樹脂組成物、高熱伝導性材料、および半導体装置
JP2023016331A (ja) 導電性ペーストおよび半導体装置
JP2022049009A (ja) ペースト状重合性組成物、高熱伝導性材料
CN117098806A (zh) 导电性树脂组合物、高导热性材料和半导体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230615

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20230615

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20230615

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230815

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230828

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 7351437

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151