TW201203341A - Wafer processing method - Google Patents

Wafer processing method Download PDF

Info

Publication number
TW201203341A
TW201203341A TW100112015A TW100112015A TW201203341A TW 201203341 A TW201203341 A TW 201203341A TW 100112015 A TW100112015 A TW 100112015A TW 100112015 A TW100112015 A TW 100112015A TW 201203341 A TW201203341 A TW 201203341A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
wafer
reinforcing plate
electrode
reinforcing
heat
Prior art date
Application number
TW100112015A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshikazu Kobayashi
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Publication of TW201203341A publication Critical patent/TW201203341A/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/64—Manufacture or treatment of solid state devices other than semiconductor devices, or of parts thereof, not peculiar to a single device provided for in groups H01L31/00 - H10K99/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Dicing (AREA)

Description

201203341 六、發明說明： 【發明所屬之技彳标領威】 技術領域 本發明係有關於一種晶圓之加工方法，係在研磨晶圓 之内面之後，形成從晶圓之内面連接至形成於晶圓之表面 之元件之電極的貫穿電極者。 c先前技術】 背景技術
於表面形成有經格子狀之切割預定線區劃之IC、LSI 等多數元件的半導體晶圓係經切割裝置切割成各個元件， 而業經切割之元件正廣泛地被使用於行動電話、電腦等各 種電器。 在近年之半導體元件技術中，層疊有多數半導體晶片 之層叠型半導體封裝在達成高密度化或小型化薄型化方 面正有效地被使用。由於前述半導體元件技術係以研磨磨 石研磨晶圓之内面，並加工使晶圓之厚度變薄至50μηι左 右，再形成從晶圓之内面連接至形成於表面之元件之電極 的貫穿電極’因此係在研磨晶圓之内面前透過黏著劑將加 強板點著至晶圓之表面。 ^'而’在形成連接至元件之電極的貫穿電極時，晶圓 路在較同’皿的環境下，因此係使用具有可和5忙高溫 之強度的環氧黏著劑作為將加強板黏著至晶圓之表面的 黏著劑。 由於黏著劑如前所述具有可而⑵叱高溫之強度，因此 201203341 習知中當要使加強板從晶圓之表面分離時，係加熱加強板 使其上昇至250°C以上的溫度，再一面使加強板從晶圓之表 面滑動一面使其分離，以不造成晶圓的負擔。 先前技術文獻 專利文獻
【專利文獻1】特開2003-249620號公報 【專利文獻2】特開2004-95849號公報 【專利文獻3】特開2004-119593號公報 C 明内容J 發明揭示 發明欲解決之課題 這樣一來，由於在習知之晶圓之加工方法中，係使用 具有可对25(TC高溫之強度的耐熱性黏著劑作為將加強板 黏著至晶圓的黏著劑，因此在形成貫穿電極於晶圓之後， 則有難以從晶圓之表面剝離加強板的問題。 本發明係鑒於前述點而製成者，其目的在於提供一種 可輕易地從晶圓之表面剝離加強板之晶圓之加工方法。 用以欲解決課題之手段 根據本發明，其係提供一種晶圓之加工方法，該晶圓 係於表面具有形成有多數元件之元件區域及圍繞前述元件 區域之外圍剩餘區域者；該加工方法之特徵在於包含有以 下步驟，即：加強板形成步驟，係於晶圓表面塗佈耐熱性 黏著劑並使其硬化，並且僅以前述黏著劑形成加強板者； 内面研磨步驟，係以夾盤台固持前述加強板，並研磨與前 201203341 述元件區域相對應之晶圓的内面且形成圓形凹部，並且使 ^狀加強部殘留於與前述外圍剩餘區域相對應之内面者； 貝穿電極I成步驟’係形成從配設於前述加強板之晶圓的 内面連接至$成於晶圓的表面之元件之電極的貫穿電極 者’及加強板去除步驟，係將用以㈣前述雜性黏著劑 之溶劑供給至前述加強板並熔融去除前述加強板者。 晶圓之加工方法最好是更包含有以下步驟，即：晶圓 ^撐步驟’係在貫行加強板去除步驟之後，將晶圓之内面 以=::Γ於環狀框之切割膠帶，並透過切割膠帶 以刖杨狀框切㈣者；及㈣分 環狀框所支叙㈣分«各個元件者。將由則迷 發明效果 根據本發明，即使加強板僅由耐熱 由於在内面研磨步驟時係研磨晶圓’:二， 部殘留於外圍部，因此可透過環 =狀加強 在不妨礙操作實行強度’並可 去除加電極形成步驟。又，在 去除加強板時’只要將用以熔化耐 至加強板便可簡單地去除，並提料產性劑之溶劑供給 圖式簡單說明 第1圖係顯示耐熱性黏著劑供給步驟之圖。 第2(A)圖係顯示藉由耐熱性黏著 “ 之表面側的透視圖，而第 °板之狀_ 第3圖得日η 内面側的透視圖。 圖糸曰曰圓之内面研磨步驟的透視圖。 第4圖係電極形成步驟的說明圖。 201203341 第5圖係適合在加強板去除步驟使用之失盤台的縱截 面圖。 第6圖係顯不加強板去除步驟的透視圖。 第7圖係顯不晶圆切步驟的透視圖。 第8圖係顯示晶圆切割步驟的透視圖。 【實施方式】 用以實施發明之形態 以下’ 一面參照圖式，一面詳細地說明本發明之實施 型態。當參照第1圖時’顯示有对熱性黏著劑供給步驟的透 « 態巾’係藉由旋轉塗佈法將_熱性黏著 劑10供給至晶圓2之表面2a。首先，將半導體晶圓（以下簡 稱為晶圓）2吸附固持於可旋轉之夾盤台4上。 晶圓2之表面2 a形成有格子狀之多數切割道（切割預定 線)3 ’且經該多數切割道3區劃之各區域形成有IC、LSI等 元件5。晶圓2於其表面2a具有形成有多數元件5之元件區域 6及圍繞元件區域6之外圍剩餘區域7。 當要於晶圓2之表面2a上旋轉塗佈财熱性黏著劑時，係 一面使夾盤台4以例如300rpm左右的轉速朝箭頭A方向旋 轉’ 一面從耐熱性黏著劑滴下部8於晶圓2之表面2a上滴下 耐熱性黏著劑10。 當使夾盤台4至少旋轉5秒以上時，晶圓2之表面2a上便 均等地旋轉塗佈有所滴下之耐熱性黏著劑10，並形成有耐 熱性黏著劑層。耐熱性黏著劑10係由環氧系樹脂所形成， 並具有可耐250°C高溫之強度。 6 201203341 在於晶圓2之表面2a上形成一樣厚度的耐熱性黏著劑 層後’藉由以預定溫度進行預疋時間之供烤’則可如第2(A) 圖所示般’將由对熱性黏者劑層所構成之加強板12 —體的 固定於晶圓2之表面。第2(B)圖係將第2(A)圖之内外反轉後 的透視圖。 這樣一來，在將由耐熱性黏著劑所構成之加強板12一 體的固定於晶圓2之表面後，便實行用以研磨晶圓2之内面 的内面研磨步驟。前述内面研磨步驟係藉由於第3圖中顯示 有其主要部分之研磨裝置14所實行。 研磨裝置14具有：用以固持加強板12並可旋轉之夾盤 台16 ;及對於晶圓2施行研磨加工之研磨部件18。研磨部件 18係由可旋轉且可昇降之心軸20及下面固定有多數研磨磨 石24之研磨輪22所構成。 加強板12側係由夹盤台16所吸附固持，而晶圓2之内面 2b係設置成與研磨磨石24相對。當一面使夾盤台16以例如 300rpm的轉速朝箭頭a所示之方向旋轉，一面使研磨磨石24 以例如6000rpm的轉速朝箭頭b所示之方向旋轉時，.便同時 啟動圖未示之研磨進給機構，而使研磨輪22之研磨磨石24 接觸於晶圓2之内面2b。之後，使研磨輪22以預定之研磨進 給速度朝下方進行預定量之研磨進給。 結果’在晶圓2之内面2b，在與元件區域6相對應之區 域業經研磨去除並形成有預定厚度(例如50μιη)之圓形凹部 26的同時’與外圍剩餘區域7相對應之區域業經保留並形成 有含有外圍剩餘區域7之環狀加強部28。 201203341 在實行研磨步驟後，便如第4圖所示，實行貫穿電極形 成步驟，即，形成從一體的固定於加強板12之晶圓2之内面 2b連接至形成於晶圓2的表面2a之元件5之電極的貫穿電极 30 ° 在前述貫穿電極形成步驟中，首先，藉由例如雷射光 束之照射將多數貫穿孔形成於晶圓2。雷射光束係使用對於 晶圓2具有吸收性之波長（例如，355nm)的雷射光束，以使 用YAG雷射或YV04雷射之第3諧波為佳。 接著’將聚合物材料等絕緣物填充至貫穿孔之内部。 填充之方法以使用液相法為佳。由於液相法不必高溫加熱 晶圓2’因此即使是事先形成有元件5之晶圓亦可以使用。 接著’藉由雷射加工法或以平版印刷法所進行蝕刻， 再在填充於貫穿孔内部之絕緣物形成貫穿孔。並且，將鋼、 鎳、鈀、金、銀等導電物嵌入貫穿孔内部。 前述嵌入導電物之方法可使用乾式電鍍、濕式電鍍、 喷射塗裝法、導電糊或熔融金屬之成膜法等。貫穿電極3〇 係貫穿晶圓2之内外兩面而形成，並電連接於形成於晶圓2 之表面2a的元件5之電極。 在本實施型態中，即使加強板12僅由耐熱性黏著劑所 形成，由於強度藉由形成於晶圓2之外圍的環狀加強部28充 分地保持’因此可在不妨礙操作性的情況下實行前述電極 形成步驟。 在實行貫穿電極形成步驟後，便如第5圖所示般，使用 夾盤台32，並以夾盤台32吸附固持具有圓形凹部26之晶圓 8 201203341 2。夾盤台32具有僅些微小於晶圓2之圓形凹部26之直徑的 小徑部32a，且於該小徑部32a配設有由多孔性陶瓷等所形 成之吸附固持部34。吸附固持部34係透過吸附路徑36連接 於圖未示之負壓吸附源。 如第6圖所示，當以夾盤台32吸附固持晶圓2，並一面 使夾盤台32朝箭頭A方向旋轉，一面從溶劑供給裝置38將丁 酮等溶劑40供給至由耐熱性黏著劑所形成之加強板12上 時’加強板12便經溶劑40熔化’而可從晶圓2之表面去除由 耐熱性黏著劑所構成之加強板12。 在如前述般從晶圓2之表面去除加強板12之後，便實行 如第7圖所示之晶圓支撐步驟，即，將晶圓2之内面黏著至 外圍部黏著於環狀框54之切割膠帶52上，並透過切割膠帶 52以環狀框54支撐晶圓2。 接著貫行如第8圖所示之晶圓切割步驟，即，於切削 裝置之夾盤台5 G透過切割膠帶5 2吸_持晶圓2，並以切削 ^件32之㈣刀# 36沿著切割預定線3完全㈣晶圓2並形 成切削槽56，而將晶圓2切割成各個元件5。 ,®面以每切割道節距分度進給切削刀月3ό，一面切 敗伸於第1方向之全部切割道3之動作結束後，便使夾盤 台5〇㈣9G度’再切削延伸於與第1方向垂直之第2方向之 全部切割道3，而將晶圓2切割成各個元件D。 【圖式簡單説明】 第1圖係顯示耐熱性黏著劑供給步驟之圖。 第2⑷圖係顯示藉由财熱性黏著劑形成加強板之狀態 201203341 .之表面側的透視圖，而第2(B)圖係其内面側的透視圖。 第3圖係晶圓之内面研磨步驟的透視圖。 第4圖係電極形成步驟的說明圖。 第5圖係適合在加強板去除步驟使用之夾盤台的縱截 面圖。 第6圖係顯示加強板去除步驟的透視圖。 第7圖係顯示晶圆支撐步驟的透視圖。 第8圖係顯示晶圆切割步驟的透視圖。 【主要元件符號說明】 2...晶圓 24...研磨磨石 2a…表面 26...圓形凹部 2b...内面 28...環狀加強部 3...切割道 30...貫穿電極 4...夾盤台 32...夾盤台 5...元件 32a...小徑部 6...元件區域 34...吸附固持部 7...外圍剩餘區域 36...吸附路徑 8...耐熱性黏著劑滴下部 38...溶劑供給裝置 10...对熱性黏著劑 40...溶劑 12...加強板 50...夾盤台 14...研磨裝置 52...切割膠帶 16...夾盤台 54...環狀框 18...研磨部件 56...切削槽 20.··心轴 60...切削刀片 22...研磨輪 A，a，b...箭頭 10 201203341 D...元件

Claims (1)

  1. 201203341 七、申請專利範圍： 1. 一種晶圓之加工方法，該晶圓係於表面具有形成有多數 元件之元件區域及圍繞前述元件區域之外圍剩餘區域 者； »亥曰a圓之加工方法之特徵在於包含有以下步驟 即： 加強板形成步驟，係於晶圓表面塗佈耐熱性黏著劑 並使其硬化，並且僅以前述黏著劑形成加強板者； 内面研磨步驟，係以夾盤台固持前述加強板，並研 磨與别述元件區域相對應之晶圓的内面且形成圓形凹 部，並且使環狀加強部殘留於與前述外圍剩餘區域相對 應之内面者； 貫穿電極形成步驟，係形成從配設於前述加強板之 晶圓的内面連接至形纽晶圓的纟面之元件之電極的 貫穿電極者；及 加強板去除錢’娜用叹融前述賴性黏著劑 之溶劑供給至前述加強板並炼融去除前述加強板者。 2.如申請專利範圍第㈣之晶圓之加工方法其更包 以下步驟，即： 晶圓支撐步驟，係在實行前述加強板去除步驟之 ^將晶圓之㈣黏著至外圍部安裝於環狀框之切割膠 帶，並透過前述切娜帶以前述環狀框支撐晶圓者；及 晶圓分割步驟，係將由前述環狀框 割成各個元件者。 所支撐之晶圓分 12
TW100112015A 2010-05-21 2011-04-07 Wafer processing method TW201203341A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010117037A JP2011243906A (ja) 2010-05-21 2010-05-21 ウエーハの加工方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201203341A true TW201203341A (en) 2012-01-16

Family

ID=44900652

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100112015A TW201203341A (en) 2010-05-21 2011-04-07 Wafer processing method

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8329558B2 (zh)
JP (1) JP2011243906A (zh)
KR (1) KR20110128232A (zh)
CN (1) CN102299065B (zh)
DE (1) DE102011102175A1 (zh)
TW (1) TW201203341A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI813850B (zh) * 2019-01-25 2023-09-01 日商迪思科股份有限公司 卡盤台

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5796412B2 (ja) * 2011-08-26 2015-10-21 三菱電機株式会社 半導体素子の製造方法
US9136173B2 (en) 2012-11-07 2015-09-15 Semiconductor Components Industries, Llc Singulation method for semiconductor die having a layer of material along one major surface
US9484260B2 (en) 2012-11-07 2016-11-01 Semiconductor Components Industries, Llc Heated carrier substrate semiconductor die singulation method
JP2015119085A (ja) * 2013-12-19 2015-06-25 株式会社ディスコ デバイスウェーハの加工方法
JP6385131B2 (ja) * 2014-05-13 2018-09-05 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
US10373869B2 (en) 2017-05-24 2019-08-06 Semiconductor Components Industries, Llc Method of separating a back layer on a substrate using exposure to reduced temperature and related apparatus
JP7083573B2 (ja) * 2018-04-09 2022-06-13 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
WO2020129641A1 (ja) * 2018-12-20 2020-06-25 日本碍子株式会社 セラミックヒータ

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003249620A (ja) 2002-02-22 2003-09-05 Toray Eng Co Ltd 半導体の接合方法およびその方法により作成された積層半導体
JP2004095849A (ja) 2002-08-30 2004-03-25 Fujikura Ltd 貫通電極付き半導体基板の製造方法、貫通電極付き半導体デバイスの製造方法
JP2004119593A (ja) 2002-09-25 2004-04-15 Canon Inc 半導体装置の製造方法
JP4776188B2 (ja) * 2004-08-03 2011-09-21 古河電気工業株式会社 半導体装置製造方法およびウエハ加工用テープ
JP2009021462A (ja) * 2007-07-13 2009-01-29 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの加工方法
JP2009043931A (ja) * 2007-08-08 2009-02-26 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの裏面研削方法
JP2009123907A (ja) * 2007-11-14 2009-06-04 Furukawa Electric Co Ltd:The 回路素子形成方法
JP2010062375A (ja) * 2008-09-04 2010-03-18 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI813850B (zh) * 2019-01-25 2023-09-01 日商迪思科股份有限公司 卡盤台

Also Published As

Publication number Publication date
US20110287609A1 (en) 2011-11-24
CN102299065B (zh) 2015-08-19
DE102011102175A1 (de) 2011-11-24
KR20110128232A (ko) 2011-11-29
JP2011243906A (ja) 2011-12-01
US8329558B2 (en) 2012-12-11
CN102299065A (zh) 2011-12-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201203341A (en) Wafer processing method
JP5027460B2 (ja) ウエハの接着方法、薄板化方法、及び剥離方法
TWI446420B (zh) 用於半導體製程之載體分離方法
JP4847255B2 (ja) 半導体ウエーハの加工方法
TWI377642B (en) Substrate supporting plate and striping method for supporting plate
JP4364535B2 (ja) 半導体装置の製造方法
KR102466056B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 제조 장치
TW200524679A (en) Substrate attaching method
TW200411755A (en) Method of processing a semiconductor wafer
JP7012454B2 (ja) 静電吸着チャックの製造方法並びに半導体装置の製造方法
TWI546854B (zh) The method of grinding
JP2011216763A (ja) ウェーハの加工方法
JP2013084770A (ja) ウェーハの研削方法
JP5570298B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP5578936B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP2019096811A (ja) 加工方法
JP2014049537A (ja) ウェーハの加工方法
JP2011243901A (ja) ウエーハの加工方法
JP5489863B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP2020035918A (ja) 被加工物の加工方法
JP2019216154A (ja) ウェーハの加工方法
JP2013187281A (ja) 被加工物の加工方法
JP2011243904A (ja) ウエーハの加工方法
JP2011243902A (ja) ウエーハの加工方法
WO2021251018A1 (ja) 仮接着方法、デバイスウエハ加工方法、仮接着用積層体及びデバイスウエハ加工用積層体