TW201145804A - Low voltage mixer circuit for a UWB signal transmission device - Google Patents

Description

201145804 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明有關低壓混波器電路，用於將由天線所傳送之 信號的高頻轉換，且特別地，用於超寬頻（UWB )信號傳 輸裝置。 【先前技術】 在使用超寬頻（UWB )技術的系統中，資料傳輸係經 由UWB資料信號而執行，UWB資料信號包含使用或不使 用載波頻率之很短脈波的系統。應瞭解的是，"資料〃通 常包含具有一或更多個連續符號的紋理資訊、同步資訊、 或其他資訊。當脈波很短，例如，各係2奈秒或更小的時 間週期時，則此將產生超寬頻頻譜於頻域中。對於UWB技 術而言，UWB信號的界定頻譜必須在3.1與10.6 GHz之間 。而且’該頻譜可被畫分成爲若干頻帶，而界定出包含大 約499.2 MHz之12個頻帶的不同傳輸頻率。 針對將由附近的U W B接收器裝置所辨識的U W B傳送 器裝置’所傳送之資料信號的脈波順序編碼在理論上係對 傳送器裝置個人化。不同類型的編碼可使用以傳送UWB信 號中的資料。可使用脈波位置調變（P P Μ )、脈波振幅調 變（P A Μ )、二進制相位或相移鍵控（B P S Κ ) '脈波位 置調變及相移鍵控之結合、二進制開關鍵控（OOK )、或 另外類型之調變。藉由超寬頻技術的資料傳輸係以低功率 ' 傳送的脈波而執行於短距離。 -5- 201145804 資料脈波係產生於用以供應至少一資料脈波信號 波產生電路中，該脈波產生電路係由UWB信號傳輸裝 資料產生器所控制。用於UWB信號之此脈波信號仍可 混波器而頻率轉換。因而，此脈波信號係與來自本地 器之至少一載波頻率而混波於混波器之中。因爲在混 輸出處的傳輸動態範圍係經常不足的，所以藉由混波 提供的信號通常必須以附加的放大器來加以放大。藉 大器所放大的信號可界定將由傳輸裝置天線所傳送之 信號。惟，此會構成此類型之先前技藝裝置的缺點， 所意指的是，組件的數目及裝置的電力消耗均無法降 使用於UWB信號傳輸裝置中之混波器電路的一實 係界定於日本專利第2005- 1 841 41號中。此混波器電 用於UWB信號之傳輸的高頻來轉換資料信號。此混波 路係做成使得其可操作於低壓，例如在小於2 V的電 。爲達成此，其包含二差動對之MOS電晶體，各差動 與另一MOS電晶體及電阻器串聯連接於供應電壓源的 之間。此致使該供應電壓的位準能降低。然而，該混 電路並未供應具有足夠動態範圍的輸出信號。因此， 使用放大器於混波器電路輸出處，以便放大輸出信號 UWB信號傳輸，而造成缺點。 對於前一文獻之混波器電路的一種改良係揭示於 專利第2 009/0 1 7460號中。此文獻之混波器電路亦包 差動對之NMOS電晶體，各差動對係與另一NMOS電 及電阻器串聯連接於供應電壓源的該等端子之間。連 的脈 置的 經由 振盪 波器 器所 由放 UWB 因爲 低。 施例 路以 器電 壓處 對係 端子 波器 此需 用於 美國 含二 晶體 接至 -6- 201145804 對應的差動對之NMOS電晶體的各NMOS電晶體係適應以 去除第三階跨導，而獲得更線性的混波器電路。即使可將 該混波器電路配置而操作於低壓，但亦必須使用放大器於 混波器電路輸出處，以便放大輸出信號用於UWB信號傳輸 ，而造成缺點。 美國專利第2006/0 1 35 1 09號亦揭示與日本專利第 2005- 1 84 Ml號及美國專利第2009/0 1 74460號中相同結構 的混波器電路，但具有二反向配置於跨導級之中。惟，此 混波器電路使用主動負載用以供應二輸出信號，而造成缺 點，因爲此意指無法在混波器電路輸出處確保良好的動態 範圍。 【發明內容】 因此，本發明之目的在於藉由提供尤其用於UWB信號 傳輸裝置之低壓混波器電路，以克服上述缺點，而確保最 大的動態範圍於低壓混波器電路輸出處。 因此’本發明關於上述之低壓混波器電路，其包含如 申請專利範圍第1項之獨立項中所界定的特徵。 該混波器電路之特殊實施例係界定於如申請專利範圍 第2至9項之依附項中。 該低壓混波器電路之一優點在於，混波器電路輸出信 號的電壓振幅係因爲具有低供應電壓的跨導級而增加。即 使具有小於IV的供應電壓’此亦提供最大動態範圍於混 波器電路輸出處。爲達成此，僅二電晶體係串聯連接於供 201145804 應電壓源的二端子之間，用於跨導級及用於跨導級與差動 對的電晶體間之配置。 因此，本發明亦關於設置有低壓混波器電路之UWB信 號傳輸裝置，其包含如申請專利範圍第10項中所界定的特 徵。 該UWB傳輸裝置之特殊實施例係界定於如申請專利範 圍第1 1項之依附項中。 【實施方式】 在下文說明，將全面界定低壓混波器電路的特殊元件 。然而，熟習於此技術領域中的該等人士所熟知之該混波 器電路的各個元件之製作方法將僅以簡明的方式來加以敘 述。該低壓混波器電路可較佳地使用於UWB信號傳輸裝置 中，但其亦可使用於例如，任何其他的射頻信號傳輸或接 收裝置中。 包含依據本發明之低壓混波器電路3的UWB信號傳輸 裝置1係以簡單的方式顯示於第1圖中。此傳輸裝置可由資 料產生器2、脈波產生器電路10、與該脈波產生器電路結 合的BPM/BPSK調變單元6、本地振盪器4，依據本發明之 混波器電路3，及用以傳送UWB信號的天線5所形成。 藉由天線而傳送的UWB載波頻率信號可由同步前導及 在該前導之後的資料符號系列所形成。對於各個所傳送的 資料符號，UWB信號包含界定二位元之小於2奈秒的脈波 或位置調變及相移之脈波的叢訊，且在3.1 GHz與10.6 -8- 201145804 GHz間的載波頻率上頻率轉換。例如，UWB信號的載波頻 率可自UWB頻譜的3.1 GHz及10.6 GHz帶寬內之十二個 499.2 MHz頻帶中來予以決定，以供資料傳輸之用。例如 ，可選擇7.9872 GHz的載波頻率。 在UWB信號傳輸階段中，資料產生器2供應數位資料 信號至包含位置調變（BPM )及二進制相移鍵控（BPSK )單元6以及脈波產生器電路10之配置。此允許脈波產生 器電路供應至少一脈波輸出信號ΙΝ0以供混波器電路3之用 。來自本地振盪器4之至少一載波頻率信號LOP係與脈波 產生器輸出信號混波於混波器電路3之中。此允許該輸出 信號被頻率轉換至載波頻率之上。因此，該混波器電路3 直接供應至少一輸出信號RF0至傳輸天線5，做爲將被傳 送到至少一附近之接收器裝置的脈波資料UWB信號。 請注意的是，如下文參照第2及3圖所解說地，混波器 電路3可較佳地組構爲自脈波產生器電路1 0接收二脈波資 料輸出信號ΙΝ0及IN1。第一輸出信號ΙΝ0的脈波係與第二 輸出信號IN 1相關聯而反向。在混波器電路3中，第一脈波 輸出信號IN 0係與來自本地振盪器4之第一載波頻率信號 LOP混波，而來自脈波產生器電路的第二脈波輸出信號 IN1係與第二載波頻率信號LON混波。來自本地振盪器4之 此第二載波頻率信號係與第一載波頻率信號相關聯而相移 1 8 0°。因此，若將該二差動輸出結合時，可增強將由天線 5所傳送的脈波UWB資料信號。爲達成此，可將用於混波 器電路輸出信號的相加器設置於混波器輸出處。 -9 - 201145804 現將參照第2圖來更詳細地敘述此發明之低壓混波器 電路的一實施例。較佳地，此低壓混波器係打算形成如上 文所解說之UWB信號傳輸裝置的一部分。其係藉由例如， 大約0.9V之可小於IV的低壓電源供應源所供電。相對於 應用已有之最高技術的該等混波器電路，此可相當大地降 低混波器電路的功率消耗。此混波器可以以積集形式，例 如以0.1 8微米CMOS技術而製造於P摻雜的矽基板之中。其 可以與傳輸裝置之资料產生器、BPM/BPSK調變單元及脈 波產生器電路、以及大部分的本地振盪器製作於相同的積 體電路之中。 此低壓混波器電路包含：二阻抗，其係電阻器R0、 R1 ;二差動對的NMOS電晶體M5、M6、M7、及M8(第一 導電型），其係相同尺寸且匹配；以及跨導級，係由二分 支之匹配的NMOS電晶體Ml、M2及匹配的PMOS電晶體M3 、M4(第二導電型）所形成。第一分支之跨導級包含第 —NMOS電晶體Ml，其係以與第一PMOS電晶體M3反向的 形式而與該第一 PMOS電晶體M3串聯連接於供應電壓源 VDD (未顯示）的二端子之間。第二分支之跨導級包含第 二NMOS電晶體M2，其係以與第二PMOS電晶體M4反向的 形式而與該第二PMOS電晶體M4串聯連接於該供應電壓源 的該二端子之間。各個MOS電晶體包含：第一電流端子， 其界定源極；第二電流端子，其界定汲極；控制端子’其 界定閘極：以及界定井或基板接觸的端子。 該二NMOS電晶體Ml及M2的源極係連接至接地端子 -10- 201145804 ，而該二PMOS電晶體M3、M4的源極係連接至供應電壓源 之高電位端子VDD。在第一分支中之第一 NMOS電晶體Ml 的汲極係連接至第一 PMOS電晶體M3的汲極，而界定第一 連接結點。在第二分支中之第二NM0S電晶體M2的汲極係 連接至第二PMOS電晶體M4的汲極，而界定第二連接結點 。在反向配置中之第一 NM0S電晶體Ml的閘極係連接至第 —PMOS電晶體M3的閘極，以接收來自脈波產生器電路的 第一脈波輸出信號ΙΝ0。最後，在反向配置中之第二 NM0S電晶體M2的閘極係連接至第二PMOS電晶體M4的閘 極，以接收來自脈波產生器電路的第二脈波輸出信號IN 1 〇 第一差動對之各個NMOS電晶體M5、M6的源極係連 接至跨導級的第一分支之第一 NM0S電晶體Ml及PMOS電 晶體M3的第一連接結點。第二差動對之各個NMOS電晶體 M7、M8的源極係連接至跨導級的第二分支之第二NMOS 電晶體M2及PMOS電晶體M4的第二連接結點。第一差動對 之第一 NMOS電晶體M5的汲極係連接至第一電阻器R0，該 第一電阻器R0亦連接至供應電壓源（未顯示）的高電位端 子VDD。第一差動對之第二NMOS電晶體M6的汲極係連接 至第二電阻器R1，該第二電阻器R1亦連接至供應電壓源 (未顯示）的高電位端子VDD。第二差動對之第一 NMOS 電晶體M8的汲極係連接至第二電阻器R1。第二差動對之 第二NMOS電晶體M7的汲極係連接至第一電阻器R0。 該二差動對的第一 NMOS電晶體M5及M8之閘極係連 -11 - 201145804 接，用以接收來自本地振盪器的第一載波頻率信號LOP。 該二差動對的第二NMOS電晶體M6及M7之閘極係連接， 用以接收來自本地振盪器的第二載波頻率信號LON。正弦 的第二載波頻率信號LON係與正弦的第一載波頻率信號 L0P相對地相移1 80度。因此，當第一載波頻率信號LOPS 在比第二載波頻率信號LON更高的電壓位準時，係使第一 NMOS電晶體M5及M8導通，而使第二NMOS電晶體M6及 M7不導通。相反地’當第二載波頻率信號L〇n係在比第 —載波頻率信號LOP更高的電壓位準時，則使第二NMOS 電晶體M6及M7導通，而使第一NMOS電晶體M5及M8不導 通。因爲該等載波頻率信號係正弦的，所以當然具有非陡 峭的導通轉移於該等差動對的第一與第二NMOS電晶體之 間。 形成UWB信號的第一輸出信號RF0係供應至第一電阻 器R0與第一差動對的第一NMOS電晶體M5及第二差動對的 第二NMOS電晶體M7之連接結點。形成UWB信號的第二輸 出信號RF1係供應至第二電阻器ri與第二差動對的第— NMOS電晶體M8及第一差動對的第二NMOS電晶體M6之連 接結點。 當第一脈波輸出信號ΙΝ0係在例如，接近於VDD之高 電壓位準時，係使此反向配置中之第一 Ν Μ Ο S電晶體Μ 1導 通’而使第一PMOS電晶體M3不導通。在此情況中，第二 脈波輸出信號IN 1係在例如，接近於接地之低電壓位準。 因此’使此反向配置中之第二NMOS電晶體M2不導通，而 -12- 201145804 使第二PMOS電晶體M4導通。電流I〇流過第一NMOS電晶 體Ml且流過第一差動對之NMOS電晶體M5、M6的其中一 者。此電流U亦流過第一電阻器R0，或具有與該第一電阻 器相同之電阻値的第二電阻器R 1。此電流1〇的値係相依於 各個電阻器R〇、R1的値，該等電阻器的値可爲適應於天 線阻抗之50歐姆左右。然而，在第二差動對的NMOS電晶 體M7、Μ 8中並無電流I,流動。 相反地，當第二輸出信號ΙΝ1係在例如，接近於VDD 之高電壓位準時，則使第二NMOS電晶體M2導通，而使第 二PMOS電晶體M4不導通。在此情況中，第一脈波輸出信 號IN0係在例如，接近於接地之低電壓位準，此意指使第 — NMOS電晶體Ml不導通，而使第一 PMOS電晶體M3導通 。因此，電流1!流過第二NMOS電晶體M2且流過第二差動 對之NMOS電晶體M7、M8的其中一者。此電流^亦流過第 一電阻器R0、或第二電阻器R 1。此電流I,的値係相依於各 個電阻器R〇、R1的値。然而，在第一差動對的NMOS電晶 體M5、M6中，並無電流1〇流動。 由脈波產生器電路所供應的脈波輸出信號IN 0及IN 1可 透過三進制資料編碼而調變。在此情況中，當該等脈波輸 出信號的其中一者係在高狀態時，係界定'' 1 〃狀態，而 當其係在接近於接地之低狀態時，係界定-1 〃狀態。'' 〇 〃狀態則界定於當該等脈波輸出信號的電壓位準係在 VDD/2時。在此後者情況中，假定跨接各個MOS電晶體的 閘極電壓係小於導通臨阻値時，則使跨導級之MOS電晶體 -13- 201145804 無一導通。因此，混波器電路輸出信號RF0及RF1係接近 於供應電壓源之高電位VDD。 在第2圖中所示的混波器電路之此第一實施例中，跨 導級之PMOS電晶體M3及M4的井或基板電位係設定於供應 電壓源之高電位V D D。該跨導級之Ν Μ Ο S電晶體Μ 1及Μ 2的 基板或井電位係設定於供應電壓源之接地電位。此亦適用 於如第2圖中所示之該等差動對的NMOS電晶體Μ5、Μ6、 Μ7、及Μ8之基板或井電位。因爲可將混波器的積體電路 製作於Ρ矽基板之中。所以PMOS電晶體的井電位係設定於 高電位，而NMOS電晶體的基板電位係設定於低電位。 在該跨導級的二分支中之NMOS及PMOS電晶體的反向 配置保證混波器電路輸出信號RF0及RF1之良好的放大率 。因而，此可確保透過低供應電壓之大的傳輸動態範圍。 在該等情形中，無需一定要配置另一放大器於混波器電路 輸出處，以供經由傳輸裝置天線而傳送UWB信號之用。 該混波器電路放大率亦可藉由作用在跨導級之Μ Ο S電 晶體的基板及井電位上，而經由跨導級來加以改變，如第 3圖中所描繪地。請注意的是，在第3圖中之與第2圖中的 該等電晶體相同之電晶體具有相同的參考符號。因此，爲 簡明之緣故，針對用於電流1〇及1,之差動對的電晶體及其 連接的說明將不再予以重複。 藉由改變PMOS電晶體M3及Μ4的基板或井電位Vp及 /或NMOS電晶體Ml及M2的基板或井電位Vn，可改變混 波器電路輸出信號RF0、RF1的放大率。在輸出信號RF0、 -14- 201145804 RF1上之此額外的放大增益，可免於設置信號放大器於用 以提供將被傳送之UWB信號的混波器電路輸出處之需。爲 顯示跨導級MOS電晶體之電位Vp及/或Vn之此影響’若 干電壓値被指示於下文的表中。混波器電路供應電壓VDD 係設定小於1 V，例如在0.9V。此表指出輸出電壓Vout ( RF0、RF1 )的最大變化振幅爲NMOS電晶體之基板或井電 位Vn以及PMOS電晶體之基板或井電位Vp的函數。

Vn NMOS [V] Vp PMOS = 0.5 V Vout(RF0, RF1)[mV] Vp PMOS = VDD = 0.9 V Vout(RF0, RF1) [mV] -0.5 420 330 -0.25 390 290 0 340 220 0.25 270 160 0.5 220 130 例如，NMOS電晶體的基板電位Vn可設定於供應電壓 源的低電位，亦即，0V。在此情況中，針對0.5V之PMOS 電晶體井電位Vp，當與0.9V之PMOS電晶體井電位相較時 ，混波器電路輸出信號RF的振幅可更大1.5倍。該0.9V電 位係供應電壓源的高電位VDD。當然，必須將相同的井電 位施加至PMOS電晶體M3及M4。其亦適用於NMOS電晶體 Ml及M2的基板電位。 而且，請注意的是，上述混波器電路具有明顯的線性 結構。因此，其在寬頻範圍上係十分有用的，此係爲何較 佳地使用其於UWB信號傳輸裝置之中的原因。此外，因爲 -15- 201145804 僅只二MOS電晶體的組合係串聯連接於供應電壓源的二端 子之間，所以可以以IV以下，例如0.9V之很低的電壓來 供電該混波器電路。 當然，可想到反向連接第2圖中所描繪的所有組件。 然而，在第2圖中的所有NMOS電晶體必須由PMOS電晶體 所置換，以及在第2圖中的所有PMOS電晶體必須由NMOS 電晶體所置換；而且，該等電阻器係連接至供應電壓源的 低電位端子。 同時，可想到使用除了僅只電阻器之外的阻抗。第一 電感可置換第一電阻器，以及第二電感可置換第二電阻器 ;而且，可想像電阻器與電感並聯或串聯的組合。 熟習於本項技藝之該等人士可自方才已給定的說明來 想出’尤其是在UWB信號傳輸裝置中之低壓混波器電路的 若干變化例，而不會背離藉由申請專利範圍所界定之本發 明的範疇。雙極性電晶體可被使用，以取代MOS電晶體。 在該等情形中，第一導電型或第二導電型的各個PMOS電 晶體係由PNP電晶體所置換，而第二導電型或第—導電型 的各個NMOS電晶體係由NPN電晶體所置換。第一電流端 子係該等雙極性電晶體的射極，第二電流端子係集極，以 及控制端子係基極。若來自脈波產生器電路之單一脈波信 號係與來自振盪器之單一載波頻率信號混波時，則可設置 單一反向配置而連接至由該載波頻率信號所控制之單一 MOS電晶體。與MOS電晶體及反向配置的單—電阻器亦可 被設置，用以供應單一混波器電路輸出信號。而且，該混 -16- 201145804 波器電路可使用於射頻或UWB信號接收器裝置。 U 明 說 單 簡 式 圖 在UWB信號傳輸裝置中之該低壓混波器電路的目的、 優點及特性將更清楚地呈現於下文藉由圖式所描繪之至少 一非限制的實施例之說明中，其中： 第1圖以簡單之方式來顯示包含依據本發明之低壓混 波器電路的UWB信號傳輸裝置； 第2圖顯示依據本發明之用於UWB信號傳輸裝置的低 壓混波器電路之實施例；以及 第3圖顯示依據本發明之低壓混波器電路的跨導級之 特殊實施例。 【主要元件符號說明】 1 : UWB信號傳輸裝置 2 :資料產生器 3 :低壓混波器電路 4 =本地振盪器 5 :天線 6: BPM/BPSK調變單元 1 〇 :脈波產生器電路

Ml、M2、M5、M6、M7、M8: NMOS 電晶體 M3、 M4: PMOS電晶體 R0、R1 :電阻器 -17- 201145804 VDD :高電位端子 ΙΝ0 :第一脈波輸出信號 IN1 :第二脈波輸出信號 LOP:第一載波頻率信號 L ON:第二載波頻率信號 RF0:第一輸出信號 RF1 :第二輸出信號 Vp、Vn:基板或井電位 -18-

Claims (1)

1. 201145804 七、申請專利範圍： 1. 一種用於超寬頻信號傳輸裝置之低壓混波器電路 ，該混波器電路包含： 跨導級，其包含反向電晶體配置，具有NMOS電晶體 及PMOS電晶體，該NMOS電晶體與該PMOS電晶體串聯 連接於供應電壓源的二端子之間，該NMOS電晶體的汲極 係連接至該PMOS電晶體的汲極以界定跨導級輸出連接結 點，該NMOS電晶體的閘極係連接至該PMOS電晶體的閘 極，用以接收資料信號； 至少一電晶體，其中第一電流端子係連接至該跨導級 的連接結點，第二電流端子係連接至阻抗，用以供應輸出 信號，且電晶體控制端子係配置用以自振盪器接收信號， 連接至該跨導級之該連接結點的該電晶體，及該阻抗 係串聯連接於供應電壓源的二端子之間， 其中該混波器電路係積集於矽基板之上，其中該基板 或該跨導級之該NMOS電晶體的井電位係設定於第一電位 ’該第一電位係適應於該供應電壓源的低電位與高電位之 間’且其中該基板或該跨導級之該PMOS電晶體的井電位 係設定於第二電位，該第二電位係適應於該供應電壓源的 該低電位與該高電位之間。 2. 如申請專利範圍第1項之低壓混波器電路，該混 波器電路包含： 跨導級，具有二M0S電晶體反向配置，第一反向配 置的輸入係配置以接收第一資料信號，該第一反向配置的 -19- 201145804 輸出係該跨導級的第一輸出連接結點，第二反向配置的輸 入係配置用以接收第二資料信號，及該第二反向配置的輸 出係該跨導級的第二輸出連接結點； 第一導電型之MOS電晶體的第一差動對，其中電晶 體源極係連接至該跨導級的該第一連接結點，該第一差動 對的第一電晶體之汲極係連接至第一阻抗，用以供應第一 輸出信號’且其中該第一差動對的第二電晶體之汲極係連 接至第二阻抗，用以供應第二輸出信號； 第一導電型之MOS電晶體的第二差動對，其中電晶 體源極係連接至該跨導級的該第二連接結點，該第二差動 對的第一電晶體之汲極係連接至第二阻抗，用以供應第二 輸出信號，且其中該第二差動對的第二電晶體之汲極係連 接至第一阻抗，用以供應第一輸出信號， 該第一及第二差動對的各該第一電晶體的閘極係配置 用以自振盪器接收第一信號，且該第一及第二差動對的各 該第二電晶體的閘極係配置用以自該振盪器接收第二信號 連接至該等跨導級連接結點之該等差動對的該等電晶 體，及該等阻抗係串聯連接於供應電壓源的二端子之間。 3. 如申請專利範圍第2項之低壓混波器電路，其中 該二差動對之該等MOS電晶體係NMOS電晶體。 4. 如申請專利範圍第2項之低壓混波器電路，其中 該第一阻抗係第一電阻器，且其中該第二阻抗係第二電阻 器。 -20- 201145804 5 .如申請專利範圍第2項之低壓混波器電路，其中 該第一阻抗係第一電感，且其中該第二阻抗係第二電感。 6. 如申請專利範圍第2項之低壓混波器電路，其中 該第一反向配置包含第一 NMOS電晶體及第一 PMOS電晶 體，該第一 NMOS電晶體與該第一 PMOS電晶體串聯連接 於供應電壓源的二端子之間，該第一 NMOS電晶體的汲極 係連接至該第一 PMOS電晶體的汲極以界定所連接至該第 一差動對之電晶體的該第一連接結點，而該第一 NMOS電 晶體的閘極係連接至該第一 PMOS電晶體的閘極，用以接 收該第一資料信號，且其中該第二反向配置包含第二 NMOS電晶體及第二PMOS電晶體，該第二NMOS電晶體 與該第二PMOS電晶體串聯連接於該供應電壓源的該二端 子之間，該第二NMOS電晶體的汲極係連接至該第二 PMOS電晶體的汲極以界定所連接至該第二差動對之電晶 體的該第二連接結點，而該第二NMOS電晶體的閘極係連 接至該第二PMOS電晶體的閘極，用以接收該第二資料信 號。 7. 如申請專利範圍第6項之低壓混波器電路，其中 該基板或該跨導級之該等Ν Μ O S電晶體二者的井電位係設 定於該第一電位，該第一電位係適應於該供應電壓源的該 低電位與該高電位之間，且其中該基板或該跨導級之該等 PMOS電晶體二者的井電位係設定於該第二電位，該第二 電位係適應於該供應電壓源的該低電位與該高電位之間。 8 ·如申請專利範圍第1項之低壓混波器電路，其中 -21 - 201145804 該混波器電路係積集於p摻雜之矽基板上，且其中該基板 或該NMOS電晶體或該等NMOS電晶體二者的井電位係 設定於該供應電壓源的該低電位，而該基板或該PMOS電 晶體或該等Ρ Μ Ο S電晶體二者的井電位係在該供應電壓源 的該低電位與該高電位之間的中間位準處。 9.如申請專利範圍第1項之低壓混波器電路，其中 該混波器電路係以0.18微米CMOS技術而積集於Ρ摻雜 之矽基板上。 10·—種超寬頻信號傳輸裝置，包含：脈波產生器電 路，該脈波產生器電路係與資料脈波或脈波群位置調變及 相移鍵控單元結合；資料產生器；本地振盪器；以及如申 請專利範圍第1項之混波器電路，該資料產生器係用以供 應數位控制信號至該脈波產生器電路以及該資料脈波或脈 波群位置調變及相移鍵控單元，以及該混波器電路係用以 接收來自該脈波產生器電路之至少一資料信號，而與來自 該本地振盪器之至少一載波頻率信號混波，以便直接供應 至少一輸出信號至天線，以供超寬頻信號傳輸之用。 1 1 .如申請專利範圍第1 0項之超寬頻信號傳輸裝置 ’其中該本地振盪器供應彼此相對地相移1 80度之二載波 頻率信號’以便使該混波器電路中之各信號分別與來自該 脈波產生器電路的第一資料信號及第二資料信號混波，其 中該第一資料信號係第一脈波輸出信號，其係以三進制編 碼而調變’且其中該第二資料信號係第二脈波輸出信號， 其係以三進制編碼而調變’該第二脈波輸出信號係與該第 -22- 201145804 一脈波輸出信號互補