TW201143882A - Kneading apparatus and manufacturing method of resin composition for sealing semiconductor - Google Patents

Description

201143882 六、發明說明： 【發明所屬之技術區域】 本發明係關於混練裝置及半導體密封用樹脂組成物之 製造方法。 【先前技術】 已知有以樹脂製密封材料被覆（密封）半導體晶片（ +蚌體元件）而成之半導體封裝。此半導體封裝之密封材 枓係將樹脂纟_11成物藉由例如轉移成形等成形而得。 此處’前述樹脂組成物之製造步驟包含在混合含複數 種粉末材料之樹脂組成物（組成物）後進行混練的混練步 ，驟。於此混練步驟使用具有外殼、具有於該外殼内設置成 轉之螺桿之I軸型混練播出機、具有.丨對前述螺桿之2 軸型此練撥出機等之擠出機（例如參照專利文獻】）。又， 擠出機之外殼及螺桿係以金屬構成。 ^但是，過去的擠出機因外殼及螺桿係以金屬構成，使 知在扣練％金屬製異物（金屬異物）會從該外殼及螺桿混 =·脂，成物中’使得用所製造之樹脂組成物來密封半導 體晶片時，會有短路等問題發生。 專利文獻1日本特開2003 — 275555號公報 【發明内容】 本發明之目的係提供能在輯樹脂材料時，防止 成物中之混練裝置及半導體密封用掏 用以述目的，本發明為一種混練裝置，其 特徵:於:：數種粉末材料之組成物之混練裝置， 4/22 201143882 經供=供給前述組成物之供給口、現練 組成物的排出口；及 、排出經^練之珂逑 二以:練前述混練室内之前述組成物的 桿車^述外殼内設置成可旋轉，且具有螺 内之螺桿構件，且 置在刚述此練室 :於前述混練室内之前述螺桿 、及削述混練室的至少内面之中 參/面 屬構成。 主夕—者係以非金 ，1二，：:=上述目的’本發明為-種混練裝置 置，其特徵在於：具備： 成物之犯練裝 經供:供給前述組成物之供給口、μ =之“組成物之混練室、 5 組成物的排出口；及 此，、果之刖述 個碑練前述混練室内之前述組成物的至少】 r: V 刚14外殼内設置成可旋轉，且且有艘 :軸、與設置於該螺桿軸之外周 :、：螺 内之螺桿構件及混練構件] 在則述混練室 位於前述混練室内之前述螺 構件的至少表面、及前述混練室的至少混練 >、一者係以非金屬所構成。 之中的至 义方；本發明之混練裝置中，在前述 件的最外周部之間，較佳為；成;= 雕0.5〜4irim之間隔。 尺’間隙距 5/22 201143882 則述混練構件較佳為具 面且以非金屬構成之外 则述螺桿構件較佳為且 而且以非金屬構成之外 於本發明之混練裝置中， 有芯部、及設置於該芯部的表 婚0 刖述螺桿軸較佳為具有 部分表面且以非金屬構成 於本發明之混練裝置中 G部、及設置於該芯部之— 之外層。 於本發明之混練裝置屮， 有芯部、及設迮於該芯部之表 層。 在前述混練室之内面與 ，較佳為形成有間隙距 於本發明之混練裝置中， 前述螺桿構件之最外周部之間 ί4隹（).5〜4 m m之間隔。 前述螺桿較佳係裝卸自 於本發明之混練裝置中 如地設置於前述外殼。 於本發明之混練裳置中，冑前述螺桿轴之長广” 為丨;、前述螺桿構件之直徑設為D 1時，L/D較佳^ 】0 下〇 於本發明之混練裝置中，前述非金屬較佳為陶究

於本發明之混練裝置中，前述陶瓷以500gf之荷 重測定而得之維氏硬度Hv較佳為13〇〇以上。 U 於本發明之混練裝置中，前述陶瓷之熱傳導係數 較佳為〇·〇1 cal/(cm ·秒·。C)以上。 又’為了達成上述目的’本發明為一種半導體密 封用樹脂組成物之製造方法， 該半導體密封用樹脂組成物之製造方法的特徵 6/22 201143882 * 混練含複數種粉末 係在於使用如本發明之混練裝置 材料之組成物。 【實施方式】 以下基於隨附圖式所示較佳實施形態詳細說明本發明 之混練裝置及半導體密封用樹脂組成物之製造方法。 <第1實施形態> 圖1顯示樹脂組成物之製造步驟圖，圖2為顯示本钵 2之混練裝置第ί實施形態之示意透視圖，圖3為顯示圖; =練裝置之内部的平面圖（部分截面圖)，圖4為顯示 :厅不I練裝置之-端的戴面圖，圖5及圖6分別 W =示混練裝置之螺桿的螺桿部之構成例之戴面圖^ 」、左 說明。’工 4)」右側做為「右（下游）」進行 成物之樹脂組 所，首先說明從原料起到制;丰=說明此混練裝置1之 之破覆（密封）用樹於组^ 晶片（半導體元件） 準備做為“ 原料有樹脂、硬化 ：，各種材料。 祛极子)，接著依需要二上充材她機填充材料)u 月旨，較佳為環氧樹骑Γ 進劑、偶合劑等。做為樹 型 4::::者三出甲_清漆型、雙驗 做為硬化劑者，「知”70型、多芳香族環型等。又々 7/22 列如可舉出清漆型、齡芳燒 2〇Π43882 型、三酚甲烷型、多芳香族環型等。 做為填充材料（無機填充材料）者，例如可舉出炫融 砂石（破碎狀、球狀）'結晶矽石等沙石及氧化紹等。 〜做為硬化促進劑者，例如可舉出碟化合物、胺化合物 夺0 做為偶合劑者，例如可舉出矽烷化八物等。 原料亦可省略前述材料中指定㈣料，又，可含 脫^ 7 7〜材彳4 °做為其’d扣丨斗，例如可舉出著色劑、 、應力降低劑、阻燃劑等。 做為，燃劑，例如可舉出填化環氧樹脂、氧化錄、無 舉:有:Γ二:做，素·無録系之阻燃劑，例如可 +扎有機磷、金屬水合物、含氮樹脂等。 (微粉碎） 置，===:指定之材料，首先藉由粉碎裝 料，川ί )疋之粒度分布。做為此粉碎之原 料，亦潰：卿、硬化促進劑等填充材料以外原 化劑、：=::口的Γ材料。藉此得到含有樹脂、硬 做為使用例如4續， 可對原料中指定之材料，例如填 5 (剩餘部分），施加表面處為七王部或—部 等附著在填充材科的表:=2’例如 之身7 2組成物。又，針、+ 于〗3填充材料 或者亦可任方先進^_與表面處理可同時進行， (¾合） 8/22 201143882 其次，藉由混合裝置將前述微粉碎步驟得到之第]組 成物及前述表面處理步驟得到之第2組成物，亦即將含比 重不同之複數種粉末材料之樹脂組成物（組成物）完全混合 。做為此混合裝置，可使用例如具有旋轉葉片之高速混合 裝置及容器旋轉式混合機等。 (混練） 其次，藉由混練裝置丨混練前述經混合之樹脂組成物 。又，對於混練裝置1容後詳述。 (脫氣） 其次，藉由脫氣裝置，對前述經混練之樹脂組成物進 行脫氣。 (片化） 其次，藉由片化裝置將前述經脫氣之塊狀樹脂組成物 成形為片狀，得到片狀樹脂組成物。做為此片化裝置，例 如可使用製板報機等。 (冷卻） 其次，藉由冷卻裝置冷卻前述片狀樹脂組成物。藉此 可輕易且確實地進行樹脂組成物之粉碎。 (粉碎） 其次’錯由粉碎裝置將前述片狀樹脂組成物粉碎成指 定之粒度分布，得到粉末狀樹脂組成物。做為此粉碎裝置 者，例如可使用錘磨機、石臼式磨碎機、輥《碎機。 又，做為付到顆粒狀或粉末狀之樹脂組成物的方法者 ，可不經過上述片化、冷卻、粉碎步驟，使用例如於混練 裝置的出口設置具有小直徑之模嘴，將自模嘴吐出之溶融 狀態的樹脂組成物以切刀等切斷成指定長度，來得到顆粒 9/22 201143882 狀樹脂組成物之熱切法。於此情形，經由熱切法得到顆粒 狀之樹脂組成物後’較佳為趁樹脂組成物之溫度尚未明顯 下降時進行脫氣。 (錠化） 其次，藉由成形體製造裝置（打錠裝置），將前述粉末 狀樹脂組成物壓縮成形，可得到為成形體之樹脂組成物。 此樹脂組成物係用於例如半導體晶片（半尊微元件） 之被從（密封）等。亦即’將樹脂組成物藉由例如轉移成 形等成形，而做為密封材料被獲半導體晶片，製造半導體 封裝。 又，亦可省略前述錠化步驟，將粉末狀樹脂組成物做 為冗成體。於此情形可例如藉由壓縮成形、射出成形等來 成形密封材料。 其次，針對混練裝置丨進行說明。 如圖2〜圖6所示，混練裝置丨為混練含複數種粉末材 料之樹脂組成物（組成物）的2軸型混練擠出機，具備外 殼2、於外殼2内設置成可旋轉之長條狀的丨對螺桿如、 4b。螺桿4a與螺桿4b係水平且相互平行的並排設置。 外殼2係與位於垂直方向上侧之上側構件21、及位於 垂直方向下側之下側構件22裝卸自如地連結著。此外殼2 係具有外殼本體20及設置於外殼本體20内且區劃出混練 樹脂組成物之混練室30的殼體3。 冗又也3係兩端封閉的筒狀，於該殼體3之左側（上游 側）端部的垂直方向之上側，形成有供給樹脂組成物之供 給口 31。自供給口 31供給至混練室30内之樹脂組成物係 在混練室30内混練。又，於殼體3之右側（下游側）端部 10/22 201143882 成物之排 組成物進倾-崎裝置如對錢練之樹脂 U為Ufe2G之構成材料並無特別限定，例如可兴 出如不鏽鋼等各種金屬材料。 牛 又，殼體3係以陶竟構成。 :如可舉出氧—石、氧化綈、氧二J、=二 酸=氧化崎物、氮化紹、氮化録=4 二=之碳=碳化她心_組合彼等之2 ^上而成之稷合时有氧化物系陶究為較 4此（後述之各螺;^ 4a、4b的外層45亦以陶乾構成 ’可防止於混練時金屬製異物（金屬異物）混人樹脂組成 ，在使帛所製造n喊物密封半導體晶>{時，可 防止紐路等之發生。具體來說，以混練裝置"昆練後，樹 脂組成物中金屬之含有率增加量（來自混練的金屬之含有 i.〇wtppm , 〇 iwtppm ’進一步為0 wtppm。 又，藉由使用氧化物系陶瓷，特別是使用絕緣性高、 耐磨損性良好之氧化鋁做為構成殼體3之陶瓷，即便殼體3 因與混練物磨擦而磨損，磨損物混入樹脂組成物中，亦可 防止使用所製造之樹脂組成物來密封半導體晶片時發生短 路等。 又，構成殼體3之陶瓷，以500gf之荷重測，維氏硬度 Hv較佳為1300以上，更佳為15〇〇〜17⑻左右。藉此，可 防止在混練中，構成殼體3之材料（陶瓷）的粉體（異物 11/22 201143882 )混入樹脂組成物中❶又，即便殼體3因與混練物麼擦而 磨損，磨損物混入樹脂組成物中，亦可防止使用所製造之 樹脂組成物來密封半導體晶片時發生短路等。 又’構成殼體3之陶瓷的熱傳導係數較佳為〇 〇丨ca|/ ( cm ·秒·。C)以上，更佳為 0_04〜0,〇8cal/ (cm ·秒· 〇c )左右。藉此’可將來自後述之溫度調節手段的熱量確實 地賦予至混練物或吸收，以此穩定的進行混練。 又’殼體3之厚度雖無特別限制’但較佳為（) 2〜2〇mm 左右’更佳為0.3〜丨Omm左右。藉由將殼體3厚度設定於 此數值範圍’以般體3之無破損、比金屬低之熱傳導係數 的陶瓷亦可將來自殼體3之外部（外殼本體2〇内）溫度調 節手段的熱量確實地賦予至混練物。 又’於本實施形態中’雖殼體3之整體係以陶瓷構成 ，但不限於此，例如亦可為殼體3中僅其内面係以陶瓷構 成。亦即，至少混練室30之内面係以陶瓷構成即可。又， 殼體3之中僅内面以陶瓷構成之情形，該陶瓷層的厚度雖 無特別限制，但較佳為0.2〜20mm左右，更佳為0.3〜10mm 左右。 又’方；外s又2内之威體3 (混練室3 0 )的外侧，分別 可旋轉地支撐著螺桿4a、4b之軸承61，係裴卸自如地設置 方；忒外威2。於此情形，合計有4個軸承61，且分別配置 於對應各螺桿4a、4b之兩端部位置。藉此，各螺桿4a、仆 係可分別對外殼2拆卸各軸承61。 又’於殼體3之接觸各螺桿4a、4b之部位，分別設置 有密封殼體3與各螺桿4a、4b之間隙的密封構件33。此密 封構件33係以非金屬（例如彈性體等）構成。 12/22 201143882 又，於外殼2内之混練室30 (殼體3)的外側混練該 混練室30内之樹脂組成物時，係設置有加熱/冷卻樹脂組成 物之溫度調節手段。又，亦可分割溫度控制之範圍。又， 做為溫度調節媒體未特別限制，例如可舉出水、油、無機 系鹽水溶液、有機系鹽水溶液等。 又，於外殼2左側端部的垂直方向之上側，設置有連 通至供給口 31之筒狀供給部5。供給部5之上側的端部（ 上端部），其内徑係自下側向上側漸增之錐狀。 其次，針對1對螺桿4a、4b說明，但因螺桿4a與螺 桿4b的構成大致相同，故以下針對螺桿4a做代表性的說 明。 如圖3所示，螺桿4a具有螺桿軸41、設置於螺桿軸 41外周的螺桿構件42、與螺桿構件42反方向之螺桿構件 42a、及混練構件43。混練構件43可以例如槳葉等構成。 又，螺桿構件42、42a及混練構件43分別可以單一構件構 成，又，亦可以複數個構件構成。又，螺桿構件42、42a 及混練構件43係分別可固定於螺桿軸41，又，亦可為裝卸 自如。 又，混練構件43係設置於螺桿構件42之右側（下游 側），螺桿構件42a係設置於混練構件43之右側。又，藉 由設置混練構件43，可進一步提高混練度。 又，螺桿構件42、42a及混練構件43係分別配置於混 練室30内。 又，螺桿構件42、42a其形狀各無特別限制，例如亦 可形成1條、2條或3條以上。又，螺桿構件42與螺桿構 件42a係僅有例如方向不同但構造類似。以下，以螺桿構 13/22 201143882 件42做代表性的說明。 又，螺桿4[丨之兩端部係分別插入至軸承6丨。於此情形 ，並非•设立有螺桿4a的後述之外層45之部位，而是露出 為仏部411之部位被插入#承6且被支持¥ ,因此可防止 螺桿4a在其被支持部位的破損。 又，於螺桿4£1的一邊（左側）端部側連接著並未圆示 的馬達。藉此，螺桿4a可藉由馬達的驅動力旋轉。又，螺 桿4a的一邊端部’藉由例如偶合等連結構件幻而裝卸自 如地連接至馬達侧的旋轉軸。 藉由此螺桿4a、4b之旋轉’混練室30内之樹脂組成 物’藉由螺桿構件42及混練構件43來混練的同時，被向 著排出口 32輸送。又，螺桿4a與螺桿仆的旋轉方向可為 不I^又亦可為相同，但較佳為相同。螺桿&與螺桿仙 係籍由在相同方向旋轉’於混練中，附著在各螺桿和、仆 之樹脂組成物係被去除，而被往排出口 32輸送。 螺桿構 與設置 於芯部 又，如圓3〜圖6所示，螺桿4a之螺桿轴4| 件42及混練構件43係分別有芯部4丨卜犯丨、u丨 於該思部4H、421、431表面（外面）之外層幻 於此情形，在螺桿構件42及混練構件二中 421、431之表面整體係分別設置有外層。 々料42之芯部421的形狀並無特別限定，例 牛圖5所不’成為對應於螺桿構件42之形狀（盥 桿42大致相似的形狀)之情形，及如圖6所示，； 表面成平㈣狀之情形等。又，對混練構件4 的形狀亦為相同。 之心4 431 又’於螺桿軸4卜在芯部41】的部分表面設置有外層 14/22 201143882 45。於此情形，外層45係 螺桿4a之間的間隙密封之在芯部41〗中之將殼體3與 做為各芯部4丨1、42】、/構件33的附近。 定，例如為類似不鏽鋼等夂?之構成材料各並無特別限 又，總+ ' ★屬材料。 、扣軸41、螺桿構 45係分別以非金屬所構成 2及混練構件43之各外層 脂材料等，特別以㈣較佳。4非金屬’較佳為陶究或樹 述殼體3_者。又做為該陶究，可舉例為與前 m村㈣㈣可使軸同組成之 ，丄==，別限制’較佳為。一上 第曰由像這樣在各螺桿4a、处設置外屛 時金屬製異物混入樹脂組成物中，且在㈣所; 組成物密封半導體晶片時可防止短路等發生。R之树月曰 亦即，針對螺桿軸41，藉由以芯部41】與外屏 該螺桿轴41，即便是樹脂組成物侵入螺桿軸 : 丁干田斗i之外声45 與密封構件33之間而產生磨擦，芯部411的構成 / 、 會混入樹脂組成物中。 ； 、 又’本實施形態中，螺桿4a的一部分，亦即螺彳曰 丄 、螺桿構件42及混練構件43各自的一部分，# :干由 ^ , ^ 以'非金屬 構成，但不限於此，例如亦可以非金屬分別構成螺曰 42及混練構件43之整體。 干 又’在混練室30之内面與螺桿構件42的最外周部之 間、與混練室30之内面與混練構件43的最外周呷八 別形成有間隔。藉Κ防止螺桿如在旋轉時，螺^: 42及混練構件43摩擦到混練室30之内面，而續嫌i 傅成螺才干 15/22 201143882 構件42、混練構件43、殼體3之材料（非金屬）的粉體（ 異物）混入樹脂組成物中。 ;亦述間隔之大小’亦即混練室3 ()之内面與螺桿構件们 的最外周部之間的間隙距離、混練室30之内面與混練構件 的最外周部之間的間隙距離，分別較佳為〇5〜左 右又佳為2〜3mm左右。藉此，在確實混練的同時，可 防止螺桿構件42及混練構件43摩擦到混練室3〇之内面。 又，在將螺# 4a之螺桿灿4丨的長度設為L、螺桿構件 42 <直徑設為丨）時，L/D較佳為丨〇以下，更佳為7〜9卢 f。藉此，螺桿4a的撓曲量可以變得比較小，在螺桿二 旋IV%，，丁防止螺桿構件42及混練構件摩擦到混練室 3〇之内面時，構成螺桿構件42、混練構件43、殼體3之、材 料的粉體混入樹脂組成物中。 其·人，s兒明混練步驟與該混練步驟中混練裝置】之作 (混練步驟） =混練步财’啟動混練裝置】，將含複數種粉末材 仏4月0組成物投入至供給部5。弟.备此，將樹脂組成物自供 而口 31供給至混練室％内。 y、 样^/Γ練室3G巾’#由旋射的各螺桿4a、4b之各螺桿 構件42及各混練構件u <分糾干 排出口 3?於一技 树月曰、、且成物被一邊混練、一邊朝 排出。軏运。接著，經混練之樹脂組成物自排出口 32 又，清掃混練裝置】時，首先 却下上侧構件21。又，於久㈣” 卜觸件22 別將連㈣Μ O k ;;各螺杯4a、牝之一者的端部，分 連、·、。構件62拆下，而解除各螺桿4a、4b與馬達側之 16/22 201143882 旋轉軸的連結。 其次，自外殼2將各螺桿4a、4b各自的軸承6〗卸下 ，以進行清掃。 如以上說明，依照此混練裝置1，可防止在混練步驟中 金屬製異物（金屬異物）混入樹脂組成物中，且在使用所 製造之樹脂組成物密封半導體晶片時，可防止短路等發生 〇 <第2實施形態> 圖7為顯示本發明之混練裝置的第2實施形態的内部 之平面圖（部分戴面圖）。又，以下將圖7中的上側做為「 上」、下側做為「下」、左侧做為「左（上游）」、右側做為 「右（下游）」進行說明。 以下，針對第2實施形態，以與前述第1實施形態之 相異點為中心予以說明，對於相同事項省略其說明。 如圖7所示，於第2實施形態之混練裝置]中係省略 混練構件43。亦即，在第1實施形態的混練構件43之位置 係配置有一部分的螺桿構件42。 依照此混練裝置1，可得到與前述第]實施形態相同之 效果。 以上，係基於圖式之實施形態說明了本發明之混練裝 置及半導體密封用樹脂組成物之製造方法，但本發明並非 限制於此，各部之構成可以具有相同功能之任意構成物取 代。又，本發明亦可添加其它任意構成物及步驟。 又，本發明亦可組合前述各實施形態中之任意2個以 上之構成（特徵）。 又，於前述實施形態中螺桿數目為2個，但本發明不 17/22 201143882 眼於此，螺桿數目亦可為丨個，又，亦可為3以上。 又，於前述實施形態中，混練室之内面及位於螺桿之 混練室内之部位的内面係分別以陶瓷構成，但本發明不限 於此’办叮例如以陶曼構成说練室之内面與位於螺桿之混 練室内的部位内面中的任一者。 產業利用性 依據本發明’於混練組成物時，可防止金屬製異物（ 金屬異物）混入該組成物中，在將所製造之樹脂組成物用 於密封半導體元件時，可防止短路等的發生。因此，耳 產業利用性。 〃 【圖式簡單說明】 圖丨為樹脂組成物之製造工程之示意圖。

圖2為顯示本發明混練裝置之第1實施形態之示音 視圖。 ' 〜、^N U 圖3為顯示圖2所示混練裝置之内部的 戴面圖）。 口、邰刀 圆4為顯示圖2所示混練裝置之一端側的戴面圖。 圖5為顯示圖2戶斤練裝置之螺桿的螺 的戴面圖。 &成 ，6為顯示圖2所示混練裝置之螺桿的螺#部之 例的截面圖。 得战 圖7為顯示本發明混練裝置之第2實施形態 平面圖（部分戴面圖）。 。丨之· 【主要元件符號說明】 1 混練裝置 脫氣裝置 18/22 100 201143882 2 外殼 20 外殼本體 21 上側構件 22 下側構件 3 殼體 30 混練室 31 供給口 32 排出口 33 密封構件 4a 螺桿 4b 螺桿 41 螺桿軸 411 芯部 42、42a 螺桿構件 421 芯部 43 混練構件 431 芯部 45 外層 5 供給部 61 車由承 62 連結構件 D 螺桿構件之直徑 19/22

Claims (1)

1. 201143882 七、申請專利範園： I. 一種混練裝览’其係用以混練含複數種粉朱材料之組 成物之混練裝置’其特徵在於具備： 外殼，其係具有供給前述組成物之供給口、混練經供 給之前述組成物的混練室、與排出經混練之前述組成 物的排出口；及 用以混練前述混練室内之前述組成物的至少丨個碑桿 ，其係於前述外殼内設1成可旋轉，且具有螺棹:: 及設1於該螺#軸之外周且配置在前述混練室内之 螺桿構件，且 位於前述混練室内之前述螺桿構件的至少表面'及前 述混練室的至少内面之中的至少一去r nJ 者仏以非金屬構 成。 人一植混練裝罝’其係用以混練含複數 成物之混練裝£，其特徵在於具備： :殼’其係具有供給前述組成物之供給口、混練评 ===之混練室、與排出經混練之前述組成 用以混練前述混練室内前 ,± 成物的至少1個螺桿 與設可旋轉，且具有_、 螺桿構件錢^件卜且周且配置在前㈣練室内之 位於前述混練室 的至少/ ,述累杯構件及前述混練構件 者夂=前述混練室的至少内面之中的至少-有知、以非金屬所構成。 •如f請專利範@第 歧置，其中在前述混練 20/22 201143882 前述混練構件的最外周部之間，形成有間 隙距離0.5〜4mm之間隔。 4·如申請專利範圍第2或3項之 有芯部、及設置於該芯部的表面且 構成之外層。 开*屬 :明寸利圍第】至4項中任一項之混練裝置，盆 中料螺桿轴具有芯部、及設置於該芯部之_部〇 面且以非金屬構成之外層。 刀、 請專利範圍第！至5項中任—項之混練裝置，盆 桿構件具有芯部、及設置於該芯部之表面且 以非金屬構成之外層。 7. 1 t :專利靶圍第丨至6項中任-項之混練裝置，复 則述混練室之内面與前述螺桿構件之最外周邛 之間，形成有間隙距離〇.5〜4mm之間隔。 。 8.1::月專利圍第1至7項中任-項之混練装置，罝 中丽述螺桿係裝卸自如地設置於前述外殼。 、 • 9· i中Γ專利紅圍第1至8項中任一項之混練裝置，装 將則述螺桿軸之長度設為L、前述 設為D時，L/D係為]〇以下。 平之直仪 1〇ϋ „月專利範圍第】至9項中任一項之混練裝置，政 中前述非金屬為陶究。 、 11. 如申請專利範圍第]G項之混練裝置，其中前述 X 500gf之荷重測定而得之維氏硬度為⑽以上 12. 如申請專利範圍第10或11項之混練裝置，其中前述 陶莞之熱傳導係數為。編/(cm•秒·。c)以上。 21/22 201143882 13. —種半導撤密封用樹脂組成物之製造方法 於使用如屮請專利範圍第丨至丨2項中任 裝置，混練含複數種粉末材料之組成物。 其特徵在 項之混練 22/22