TW201138177A - Electrical device and method for manufacturing the same - Google Patents

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201138177 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明有關於電氣裝置及其製造方法。 【先前技術】 有機EL(Electro Luminescence，電激發光）元件、有 機光電變換元件、及有機電晶體等氣電元件具有作為構成 元件之一之有機層。由於有機層與空氣接觸時容易劣化， 所以在搭載具有有機層之電子元件之電氣裝置中，為了抑 制元件之劣化進行密封。 密封之進行是，例如以包圍被搭载在支持基板上之電 子元件之方式，配置密封構件，將密封基板貼合在支持基 板，在其間包夾有該密封構件。 密封構件使用氣體不容易通過之構件。使用玻璃作為 此種密封構件之玻璃料密封，作為密封方法之一曾被檢討 過。另外，玻璃料有當與通常之玻璃比較時，在低溫熔融 成為薄片狀或粉末狀之玻璃（以下簡稱為「玻璃料破螭粉 末」），在玻璃料密封時，使用使玻璃料玻璃粉末分散在溶 劑之糊狀之玻璃料劑。在玻璃料密封時，首先將破璃料劑 供給到搭載有電子元件之支持基板#包圍該電子元件，^ 密封基板貼合在支持基板，在其間包夾有玻璃料劑。然後， 將雷射光照射在玻璃料劑藉此將玻璃料劑加熱熔融。當停 止雷射光之照射時’玻璃料劑之溫度下降，玻璃料劑再度 進打硬化。依照此種方式，形成密封構件，用來氣密式地 後、封被支持基板、密封基板和密封構件包圍之區域。 322878 3 201138177 由於密封基板和支持基板包央密封構件地貼合，戶斤> 在兩者之間會因密封構件之厚度而形成有間隙。依照 方式，因為電氣裝置成為中空構造’所以裝置之堅固性I 成為問題。例如由於從外部施加之應力或本身之重量，& 使密封基板或支持基板彎曲，而因此會在密封基板或支才寺 基板產生龜裂。另外’在具備有發光元件朝向密封基板射 出光之電氣裝置中，由於密封基板之彎曲會使牛頓環 (Newtonring)等之光干涉效應變為顯著。因此，在先前技 術中’在密封基板和支持基板之間設有間隔物（spacer)用 以支持密封基板（參照例如專利文獻1)。 (先前技術文獻） (專利文獻） (專利文獻1)曰本特開2008-218004號公報 【發明内容】 (發明所欲解決之問題） 在先前之技術中’除了密封構件外，因為要另外設置 間隔物所以用來形成漿置之步驟數會增加為其問題。 因此’本發明之目的是提供電氣裝置，係在具備有密 封構件和間隔物之電氣裝置中，構建成可以抑制形成密封 構件和間隔物時所必要之步驟數之增加。 (解決問題之手段） 本發明之電氣裝置，具有：支持基板；電氣電路，被 設在設定於該支持基板上之密封區域内；密封構件，包園 密封區域，被設在上述支持基板上；密封基板，隔介上述 4 322878 201138177 密封構件貼合在上述支持基板； 一 述支持基板和上述密封基板之間·=間隔物，被配置在上 備具有有機層之電子元件；上二丄其中，上逑電氣電路i 用相同材卿成。 料構料切間隔物^ 另外’在該電氣裝置中，最 ^ 間隔物被配置成為互相離開。 述雄封構件和上述 另外’在該電氣褒置中，最 填在被支持基板、肢基板和㈣ 另外，在該電氣裳置中，最好使上㈣ EL元件、有機光電變換元件、或有機電晶體 充填構件，充 之區域。 子元件為有機 另外，在該電氣裝置中，最好使上述電 EL元件·，該錢EL元件㈣㈣基板放出光.機 隔物從上述支持基板之厚度方向之一方觀看時，被配 設有有機EL元件之區域以外之其餘區域。 另外，該電氣裝置之製造方法是上述電氣裝置之製造 方法，包含：準備設有上述電氣電路之支持基板的步驟7 沿著上述密封區域之外緣，供給成為上述密封構件之密封 材料，並對被上述密封材料所包圍之區域供給成為上述間 隔物之間隔物材料的步驟；隔介成為上述密封構件之密封 材料將上述密封基板貼合在上述支持基板的步驟；對上述 密封材料照射電磁射束，用來對上述密封材料加熱熔融的 步驟；以及使上述密封材料冷卻、硬化，用來構成上述密 封構件的步驟；上述密封材料和上述間隔物材料為相同材 料。 322878 5 201138177 另外，該電氣裝置之製造方法最好復包含有加熱步 驟，其係在供給密封材料和間隔物材料之後，於將上述密 封基板貼合在上述支持基板之步驟之前，以比密封材料和 間隔物材料之熔融溫度低之溫度，對被供給之密封材料和 被供給之間隔物材料進行加熱。 另外，該電氣裝置之製造方法最好利用印刷法供給密 封材料和間隔物材料。 另外，該電氣裝置之製造方法最好同時印刷密封材料 和間隔物材料。 (發明之效果） 依照本電氣裝置時，在具備有密封構件和間隔物之電 氣裝置中，可以抑制形成密封構件和間隔物時之必要步驟 數之增加。 【實施方式】 本發明之電氣裝置具備有：支持基板；電氣電路，被 設在設定於該支持基板上之密封區域内；密封構件，包圍 密封區域地被設在上述支持基板上；密封基板，隔著上述 密封構件貼合在上述支持基板；以及間隔物，被配置在上 述電氣電路和上述密封基板之間，上述電氣電路具備具有 有機層之電子元件，上述密封構件和上述間隔物使用相同 之材料形成。 本發明之電氣裝置可以運用在組入具備具有有機層之 電子元件之電氣電路之各種電氣裝置。作為具有有機層之 電子元件可以例舉有機EL元件、有機光電變換元件和有機 6 322878 201138177 電sa體。本發明之電氣裝置例如可以運用在將被使用作為 像素之光源或背照燈之有機EL元件組入到電氣電路之顯 示裝置、將被使用作為太陽電池或光感測器之有機光電變 換元件組入到電氣電路之光電變換裝置、及將用以驅動或 控制上述有機EL元件、有機光電變換元件和其他電子元件 之有機電晶體組入到電氣電路之電氣裝置。另外在以下之 說明中，所說明之顯示裝置之例是以將被使用作為像素之 光源之有機EL元件組入到電氣電路之顯示裝置，用來說明 本發明之電氣裝置。 在顯示裝置主要地包含有主動矩陣驅動型之裝置和被 動矩陣驅動型之裝置。本發明雖可運用在雙方之型之顯示 裝置，但疋在本實施形態中是說明作為一例之主動矩陣驅 動型之顯示裝置。 〈顯示裝置之構造〉 首先’說明作為電氣裝置之顯示裝置n之構造。第1 圖是俯視圖，用來示意性地表示本實施形態之顯示裝置 11。第2圖是從第1圖所示之切斷面線Π-Π看到之顯示 裝置11之剖視圖。第7圖是與第2圖同樣地，在第1圖所 示之顯示裝置中，詳細地表示通過構成電氣電路u之 凡件之剖面構造之圖。顯示裝置U是電氣裝置，具有：支 持基板12 ;電氣電路丨4，設在被設定於該支持基板12上 之密封區域13内；密封構件16，包圍密封區域13地被設 在上述支持基板12上；密封基板17，隔著上述密封構件 16貼合在上述支持基板12 ;以及間隔物23，被配置在上 7 322878 201138177 述支持基板12和上述密封基板之間；上述電氣電路14具 備具有有機層之電子元件，上述密封構件16和上述間隔物 23使用相同之材料形成。 在第1圖中，被設在支持基板12之表面，且具有矩形 環狀之部分相當於密封構件16,被該密封構件16包圍之 部分相當於密封區域13。 在本實施形態中第1圖所示之電氣電路14,如第7圖 所示，其構成包含有被使用作為像素之光源之多數個有機 EL元件（電子元件）24，和用來個別驅動該有機EL元件24 之像素電路PC。另外，有機EL元件24位於隔壁IS間， 且充填在該等之間之空間，但是為著使說明明瞭化，在第 7圖中，在隔壁IS和有機EL元件24之間描繪成具有稍微 之離開。像素電路PC從支持基板12之厚度方向（Z軸方向） 之一方觀看（以下有稱為「俯視看」之情形）時，形成在顯 示影像資訊之區域（以下有稱為影像顯示區域18)。像素電 路PC由有機電晶體或無機電晶體或電容器等構成。另外， 電子元件24亦可以使用有機光電變換元件或有機電晶體 代替有機EL元件。 在像素電路PC上形成有覆蓋該像素電路PC之絕緣膜 IL1。絕緣膜IL1，例如由樹脂製成之有機絕緣膜或無機絕 緣膜構成。另外絕緣膜IL1之一部分因為在加熱熔融玻璃 料劑時被加熱，所以在絕緣膜IL1最好使用具有耐熱性之 膜。因此，在絕緣膜中，至少設在加熱熔融玻璃料劑時被 加熱之部位之絕緣膜IL1(或IL2)，從耐熱性之觀點看最好 8 322878 201138177 =無機絕_構成。此種無機絕緣膜可 =膜:Γ膜、和魏化氮化膜等之金屬氣::如， ，、邑緣膜之厚度通常在5Gnn^3_nm左右。一。無機 IL2)在形成電氣電路之步驟中，以電浆⑽、、緣膜IL1(或 之習知之成膜方法形成。 去或機覆法等 =數個有機虹元件24賴在像素電略p ①件在影像顯示區域18中被設在上 亦即在 。有機EL元件24，例 “絕緣祺IL1 區域18配置成在列方μ被成矩陣狀，在影像噸干 息取隹列方向χ和方向¥分 私.肩不 在將列方向設為χ軸，將 私之間隔。 之厚度方向為=‘、、*之情況時’基板 個右嫵1Μ 等3軸構成三次元正交; =元件24和像素電路PC利用在厚心:i。各 膜1L1之導電體W卜W2被 在厚度方向貫穿絕緣 到有機EL元件24之上^連亦即，導電體W1連接 之上4電極El(參昭第谱奋 連接到有機EL元件24之以^ ρ第8圖），導電體Μ 之導電，、W2連接到像/電路V:參照第8圖)’各個 簡單之像素電路PC由留^ ^ n 電氣佈線15輸入到該電晶：a„來自外部之 連接到電源電位，另外體 體之—方之端子 極EU參照第8圖)，EL元==懷元件之上部電 照第8圖）連接到接地電位件之//；：方之下部電極E2(參 之铪AR± m 位。®在閘極有來自電氣佈線15 =二時;因為電晶體進行。N’所以在有機 €極El、E2間祜旛如雷两 第8圖）進行發光。*，在該等之間之發光祕（參照 322878 9 201138177 支持基板12，例如由玻璃板、金屬板、樹脂膜、和該 等之疊層體構成。在被設於支持基板12上之有機EL元件 24包含有朝向支持基板12射出光之所謂之底部發射型之 有機EL元件、和朝向密封基板17射出光之所謂之頂部發 射型之有機EL元件。當底部發射型之有機EL元件24被搭 載在支持基板12之情況時，於支持基板12使用具有透光 性之基板。另外，當頂部發射型之有機EL元件24被搭載 在支持基板12之情況時，於支持基板12亦可以使用具有 不透光性之基板。 在顯示裝置11設有多數之電氣佈線15用來將預定之 電氣信號輸入到電氣電路14。預定之電氣信號是指使多數 個有機EL元件24分別以預定之光強度個別發光用之電氣 信號，例如成為用來個別選擇被配置成矩陣狀之有機EL元 件24中之應發光元件之電氣信號，或用以指定各個元件之 發光強度之電氣信號。由於在顯示裝置11設有多數個有機 EL元件24，所以需要傳送電氣信號用之多數條電氣佈線。 上述電氣信號從外部之電氣信號輸入/輸出源19輸入。在 顯示裝置11，電氣信號輸入/輸出源19利用所謂之驅動器 實現。多數條電氣佈線15被設置成用來連接電氣信號輸入 /輸出源19和電氣電路14，故在支持基板12上，被設置 成從上述密封區域13内延伸到密封區域13外。在該多數 條電氣佈線15上亦通常設有絕緣膜IL2。亦即電氣佈線15 通常是被絕緣膜IL2覆蓋。另外，在第7圖中，雖表示絕 緣膜IL1、IL2由共同絕緣膜構成之情況，但是該等亦可以 10 322878 201138177 以不同之材料構成。多數條電氣佈線15亦可以以電氣電路 14作為中心，從密封區域13内延伸到密封區域13外成為 放射狀，但是在本實施形態中，如第1圖所示，以收斂到 電氣信號輸入/輸出源19之方式，通過密封區域13之外緣 之一邊，從密封區域13内延伸到密封區域13外。另外， 外部之電氣信號輸入/輸出源19是指設在密封區域13之外 者，亦可以如本實施形態之方式在電氣裝置具有作為驅動 器者，另外，亦可以不在電氣裝置具備。 電氣佈線15由高導電性之金屬薄膜，或由透明導電性 氧化物構成。具體而言，由Al、Cu、Cr、W、Μο、ΙΤ0、ΙΖ0 等薄膜或該等之疊層膜構成。電氣佈線15之厚度通常在 lOOnm至2000nm左右，其幅度通常在10/zm至200/zm左 右。 密封構件16被設置成在支持基板12上，沿著密封區 域13之外緣包圍密封區域13。換言之，密封區域13是被 密封構件16包圍之區域，其外緣被密封構件16界定。如 上所述，多數條電氣佈線15因為設置成從密封區域13内 延伸到密封區域13外，所以沿著密封區域之外緣延伸之密 封構件16從俯視看被配置成與多數條電氣佈線15交叉。 另外，在本實施形態中，如上所述，因為多數條電氣佈線 15被絕緣膜IL2覆蓋，所以密封構件16設在電氣佈線15 上在其間包夾有絕緣膜IL2。 在支持基板12上復設有間隔物2 3。間隔物2 3設在被 密封構件16包圍之區域。亦即間隔物23被設在密封區域 11 322878 201138177 13。另外如後文所述，本實施形態之間隔物23不是固著地 設在支持基板12上，而是設置成抵接在支持基板12。 間隔物23之設置用來防止在密封基板12產生彎曲。 間隔物23以可以避免施加在密封基板17之應力集中在特 定部位之方式，設置成為可以分散施加在密封基板17之應 力之方式之配置《例如間隔物23俯視看形成連續，設置成 為格子狀或條帶狀《另外間隔物23亦可以離散地設置。例 如將複數根柱狀之間隔物23離散地設在支持基板12上， 亦可以在列方向X和行方向γ以預定之間隔將複數根柱狀 之間隔物23離散地配置成矩陣狀。 密封構件16和間隔物23亦可以實體地連接，但是最 好配置成實體地離開。如後文所述，在密封構件和間隔 物2 3實s體地連接之情況時，在將成為密封構件之密封材料 ττ二f 1寺、毛由成為間隔物23之間隔物材料使電氣電路 透過將密^果是會有電氣電路之特性降低之問題，但是 料加熱㈣時件^和_物23配置成離開，在將密封材 熱，結果是可以^防止間隔物材料和電氣電路14被加 間隔物23可、電^電路U之特性之降低。 式配置設置，分散施加在密封基板17之應力的方 朝向密封基板17〜射出匕觀點看其配置並沒有限制。但是當 在支持基板之情况時，光之頂部發射型之有機EL元件被設 隔物23最好被配置=為光會被間隔物23遮斷，所以間 時之設有有機EL 元件在從切基板之厚度方向 之一方觀看 之區域以外之其餘區域。另外，於設 322878 】2 201138177 有朝向支持基板射出光之底部發射型之有機eL元件之情 況時’亦可與有機EL元件之配置無關地配置間隔物23。 以下參照第3圖至第6圖用來說明設有頂部發射型之 有機EL元件之情況時之間隔物23之配置。 第3圖至第6圖是俯視圖，使影像顯示區域a之一部 分擴大地示意性表示。在第3圖至第6圖中，係將各個有 機EL元件24分別以大致矩形形狀之虛線表示，間隔物23 分別以實線表示，另外在表示間隔物23之部分附加有斜 線。 如上所述有機EL元件24被配置成矩陣狀，在列方向 X和行方向γ分別隔有預定之間隔。通常在支持基板12上 設有隔壁IS(參照第7圖）用來區分各個有機EL元件24。 隔壁IS在俯視看，例如被設置成格子狀，在被該格子狀之 隔壁包圍之區域分別設有有機EL元件。換言之，在第3圖 至第6圖中’在設有有機el元件24之區域以外之其餘之 區域設有隔壁IS。另外隔壁之形狀並不只限於格子狀。例 如亦可以設置條帶狀之隔壁。在此種情況時，例如在列方 向X延伸之複數根隔壁分別被設置成在行方向γ隔有預定 之隔壁。各個有機EL元件被設在各個隔壁間，在各個隔壁 間以在列方向X隔有預定間隔之方式配置各個有機EL元 件。 如上所述’間隔物23在俯視看被設在設有有機EL元 件24之區域以外之其餘之區域。因此例如在設有隔壁之情 況時’間隔物23在俯視看被設在隔壁IS上。另外間隔物 13 322878 201138177 23雖可以被設置成接觸隔壁IS，但是通常係以隔著導電性 薄膜或絕緣膜之方式被配置在隔壁上。 如第3圖至第6圖所示在本實施形態中，設有有機 元件24之區域以外之其餘之區域，被設定成為格子狀。例 如如第3圖所示間隔物23分別被設在格子之全部之交又 另外間隔物23並不一定要設在格子之全部之交又 點。例如在彩色顯示裝置之情況，大多設有分別射出紅色、 綠色、藍色之光之3種有機EL元件24R、24G、24B，但是 間隔物23亦可以依照所設之元件之種類數（在第4圖中為 「3種」），設在列方向X之預定之交叉點（在第4圖中為 「2交點」）。 另外如上所述，間隔物23亦可以連續形成，亦可以設 置成為格子狀（參照第5圖）或條帶狀（參照第6圖）^在第 5圖中所示之例是在列方向χ延伸之複數根間隔物23，和 在行方向Y延伸之複數根間隔物23分別被設在全部之有機 EL元件之間，但是與上述之離散配置之間隔物23同樣地， 不一定要設在全部之有機EL元件之間。另外，在第6圖中 所示之例是在列方向χ延伸之複數根間隔物23分別被設在 全部之有機EL元件之間。但是與上述之離散配置之間隔物 23同樣地，不一定要設在全部之有機EL元件之間。 密封構件16之寬度和厚度考慮所需要之氣密度或密 封材料之特性等地設定，但是其寬度通常在5〇〇#111至 2000/zm左右’其厚度通常在5/ί/ιη至50//ΙΠ左右。另外在 14 322878 201138177 設有枉狀之間隔物之情況時，其寬度通常為10 至80 左右’在俯視看於預定之方向設有連續延伸之間隔物23之 情況時，其寬度通常在l〇/zm至80/zm左右。另外在利用 後文所述之方法形成間隔物23之情況時，形成有與密封構 件16大致相同厚度之間隔物。 密封基板17貼合在支持基板，在其間包夾有密封構件 16。密封基板17由玻璃板、金屬板、樹脂膜、和該等之疊 詹體構成°在朝向密封基板17射出光之所謂之頂部發射型 之有機EL το件被搭载在支持基板12之情況時，密封基板 17由具有透光性之構件構成。 〈顯示裝置之製造方法〉 其次說明顯示裝置之製造方法。 本發明之電氣裝置之製造方法所包含之步驟有：準備 設有上述電氣電路之支持基板；沿著上述密封區域之外 緣’供給成為上述密封構件之密封材料，且對被上述密封 材料包圍之區域供給成為上述間隔物之間隔物材料；隔介 成為上述密封構件之密封材料將上述密封基板貼合在上述 支持基板；對上述密封材料照射電磁射束，用來對上述密 封材料加熱熔融；以及使上述密封材料冷卻、硬化，用來 構成上述密封構件；上述密封材料和上述間隔物材料為相 同材料。 (準備設有電氣電路之支持基板之步驟） 首先準備苐1圖所示之設有電氣電路14之支持基板 12 °另外在本實施形態中，因為在支持基板12上亦設有電 15 322878 201138177 氣佈線15，所以準備設有電氣電路14和電氣佈線15之支 持基板。亦即準備支持基板12，在其上形成有用以驅動有 機EL元件之電路和由複數個有機EL元件24構成之電氣電 路14，及電氣佈線15。另外，亦可以在支持基板12形成 用以驅動有機EL元件24之電路PC和電氣佈線15，然後 在其上形成複數個有機EL元件24，藉此準備設有電氣電 路14和電氣佈線15之支持基板12。 像素電路PC和電氣佈線15可以使用習知之半導體技 術來形成。 有機EL元件24由疊層複數層而構成。具體而言，如 第8圖所示，構建成包含有一對電極El、E2，和被設在該 電極El、E2之間之發光層EL。例如，可以以上部電極E1 作為陰極，以下部電極E2作為陽極，但是亦可以使其相 反。另外有機EL元件24除了發光層EL之外，亦可以依照 需要具備有由電洞注入層、電洞輸送層和電子阻擋層等構 成之陽極側有機層L1，和由電子注入層、電子輸送層和電 洞阻擋層等構成之陰極側有機層L2。電極E1或E2、與發 光層EL亦可以直接接觸。有機EL元件24透過依序疊層構 成該等有機EL元件24之複數層，而可以在像素電路PC(參 照第7圖）上形成。各層可以使用蒸鍍法或濺鍍法等之乾式 法，或喷墨法或喷嘴印刷法、旋塗膜法等之濕式法，順序 地叠層。 (供給構成密封構件和間隔物之材料之步驟） 在本步驟中，沿著密封區域13之外緣供給成為上述密 16 322878 201138177 且對由上述⑽ 成為上遂間隔物23之間隔物材料。密封二圍之區域 材料只要可以供给到域基板12和密^^和間隔物 体一古Hd w - ‘ .. 鬼扳17中之至少 任方即可。在本實施形態中是將密封 土，， 供給到密封基板17上。 和間隔物材料 密封材料和間隔物材料使用相同之材 封材料和間隔物材料者，在本實施形態 === 破璃料劑構建成包含有玻壤料== 玻璃料夜之構成包含有結合劑’和使該結合劑和 玻璃枓玻―末分散之溶劑。另外玻璃料_粉末可以使 用低融點玻璃粉末，其含有成分有VH SnQ、Sn〇2、 P他、Bh〇3、B2〇3、Zn〇、和Si〇2f，可以使用例如日本旭 硝子股份有限公司製之BAS115，BNL115BB-N，FP-74等。 結合劑可以使用硝化纖維素（nitr〇cellul〇se)、甲基丙烯 酸（methyl acryiate)、乙基丙烯酸酯（ethyl acrylate)、 丙烯酸丁酯（butyl acrylate)、乙基纖維素（ethyl cellulose)、經丙基纖維素（hydroxypropyl cel lulose )、 丁基纖維素（butyl cellulose)等。溶劑可以使用丁基卡必 醇醋酸（butyl carbitol acetate)、丙二醇二乙酸酯 (propylene glycol diacetate)、甲基乙基酮（methyl ethyl ketone)、乙基卡必醇醋酸（ethyl carbitol acetate)、乙酸戊酯（Amyl acetate)等。 密封材料和間隔物材料可以利用習知之塗佈方法供 給。可以利用例如，網版印刷法、平版印刷法、喷墨印刷 17 322878 201138177 :給和=刷法等之印刷法，和使用分配器之塗佈法等 和塗佈肤Γ於被塗佈面上之密封材料之膜厚之均-性、 要之時之再現料之财㈣性良好，而且塗佈所需 密t故較好是印刷法，更好是網版印刷法。 別供給密封料之供給亦可以在不同之步驟分 封材料4 _ β σ勿材料，但是為著減少步驟數，密 '、和間隔物材料最好以相 料和間隔物材料㈣供給。密封材 另外如卜.Μ 可列舉有上述之印刷法。 相離開，衆」述密封材料和間隔物材料最好被配置成互 離開地供^ 和間隔物材料最好以不相連之方式互相 材料和間腺^如升/態中進行暫時鍛燒。亦即在供給密封 12之㈣料之後’於將密封絲Π齡在支持基板 料，从比密扭从將被仏給之密封材料和被供給之間隔物材 行力σ熟。⑹，和間隔物材料之溶融溫度為低之溫度進 料中《不i成八行暫時鍛燒用來除去密封材料和間隔物材 敌使結合劑概捧/亦即藉由進行暫時鍛燒用來使溶劑氣化 基板17上殘留:’從玻璃料劑中除去媒液。結果是在密封 可以使密封材^壤料坡璃粉末。另外，藉由進行暫時鍛燒 由進行暫時隔物材料固著在密封基板。另外，藉 熱搶融之步驟中除去不要成分，所以在將密封材料加 科和間隔物扮迭、封後，可以防止不要之氣體從密封材 原因之氣體，從=化，並可以防止造成電子元件之劣化之 、封材料和間隔物材料放出到密封區域。 322878 18 201138177 在匕雄、封材料和間隔物材料之溶融溫度低之溫度、且在可 以除去媒液之溫度進行暫時鍛燒，例如以300¾至500°C進 行除了在、封材料和間隔物材料之外，當將利用加熱進行 化子變化之構件設在密封基板17之情況時，最好以其他之 構件不會產生化學變化之溫度進行暫時鍛燒。 (將密封基板貼合在支持基板之步驟） 八大將雄封基板貼合在支持基板。在本實施形態中進 行暫時雄、封。暫時密封，首先例如沿著密封材料對其外側 供給成為暫時密封構件之暫時密封材料，其次在真空中或 惰，氣體環境中’將密封基板π貼合在支持基板12。第9 圖是基板貼合後之顯示裝置之俯視圖，將密封基板Η之記 載省略。使暫時密封構件16A被定位成包圍料構件16^ 卜側另外，在第9圖中亦表示有當在被密封之空間内充 填充填材料N之情況時所使用之阻塞（dam)構件⑽。關於 阻塞構件16B將於後述。 暫時密封材料使用例如光硬化性樹脂。然後，使光照 射^暫時密封材料用來使暫時密封材料硬化，藉以進行暫 時被封。暫時密封材料可以使用，例如紫外 ^旨、紫外線硬化型丙稀酸樹脂等。另外，在第ι圖中雖 =顯不暫時，封構件，但在進行暫時密封之情況時，由於 在m月曰：々者密封構件16延伸，所以實際上，例如 封構件和紐化性樹脂之二根線，如 龍域之㈣延伸。料在將光硬化 ' 16配置成為接近之情況時，因為在以雷 322878 19 201138177 射使密封材料加熱熔融時，會有光硬化性樹脂進行燃燒之 問題，所以光硬化性樹脂和密封構件16最好配置成離開 0. 5mm以上。 另外，作為其他之貫施形態者，亦可以在玻璃料密封 後，將雖然在暫時密封時為必要之部位但於電氣裝置之構 造中為不需要之部位從電氣裝置切離，例如亦可以在暫時 密封所使用之光硬化性樹脂和密封構件之間將基板切開， 並將配置有光硬化性樹脂之部分作為不要部分，從電氣裝 置切離。在此種情況，於暫時密封時，光硬化性樹脂亦可 以配置成離開密封構件16達預定之距離成為包圍密封構 件16之方式。 當在真空中進行暫時密封之情況時，最好將真空度設 為IPa至90kPa。另外，當在惰性氣體環境中進行暫時密 封之情況時，最好在露點為〜7〇t以下之惰性氣體環境令進 行暫時密封。另外惰性氣體可以使用氬或氮。另外照射在 暫時密封材料之光可以使用紫外線。依照此種方式，藉由 在真空中或惰性氣體環境中進行暫時密封，可以使密封區 域中之水为濃度和氧濃度小於大氣。另外在暫時密封時氣 密度雖低，但是在暫時密封後之狀態進行後面所述之玻璃 料密封，以提高密封區域之氣密度，藉此可以使密封區域 中之水分濃度和氧濃度保持小於大氣之狀態。 密封基板17和支持基板a之貼合可以以對準標記作 為基準地進行。例如在密封基板和支持基板分別預先施加 對準標記，利用光學感剛器辨識該對準標記之位置，然後， 322878 20 201138177 根據辨識到之位置資訊，進行密封基板和支持基板之位置 對準，然後貼合密封基板和支持基板即可。 (將密封材料加熱溶融之步驟） • 在本實施形態中於暫時密封後，在大氣十將密封材料 加熱熔融。另外在本步驟不將間隔物材料加熱。密封材料 之加熱熔融之進行是對成為密封構件16之密封材料照射 電磁射束。 在本實施形態中電磁射束之照射從支持基板12和密 封基板17之中之密封基板17侧進行。亦即在密封基板17 上配置用來射出電磁射束之照射頭（以下有稱為電磁射束 照射頭之情形）’用來對密封基板17照射電磁射束。從電 磁射束照射頭射出之電磁射束穿透密封基板17，照射在成 為密封構件16之密封材料。電磁射束適於使用高能量密度 之光，適於使用雷射光。 另外’電磁射束最好是密封材料可以有效率地吸收光 能量之波長之光’且對密封基板17可以以高穿透率穿透之 波長之光。換言之，密封基板17最好使用電磁射束可以穿 透之構件’密封材料最好使用能夠吸收電磁射束之材料。 電磁射束所使用之光之尖峰波長通常在19〇mn至i2〇〇nm ’ 最好在300nm至ll〇〇nm。放射電磁射束之雷射裝置可以使 用例如YAG雷射、半導體雷射（二極體雷射）、氬離子雷射、 準分子雷射等。 電磁射束之照射，例如可以使用能夠使電磁射束照射 頭3次元移動之控制裝置進行。例如亦可以配置與密封材 21 322878 201138177 料之間隔有預定間隔之電磁射束照射頭，對密封材料照射 電磁射束，並使電磁射束照射頭沿著密封材料掃描。另外 電磁射束之照射亦可以變動電磁射束之光強度地進行，但 是最好是涵蓋配置有密封材料之全體區域，以相同之光強 度照射上述電磁射束。這是因裝置之設定簡便之故。另外 在變化光強度之情況時，亦可在這時將電磁射束照射頭之 掃描速度降低，但是在將光強度保持為一定，且使電磁射 束照射頭進行掃描之情況時，使電磁射束照射頭沿著密封 材料1周時所需要之時間可以縮短。另外電磁射束之照射 亦可以對經貼合之密封基板和支持基板，使電磁射束照射 頭相對地掃描，不只限於電磁射束照射頭，例如亦可以使 經貼合之密封基板17和支持基板12移動用來進行照射， 另外，亦可以使貼合後之密封基板17和支持基板12及電 磁射束照射頭之雙方移動用來進行照射。經貼合之密封基 板17和支持基板12之移動之進行可以在設有移動機構之 載物台上載置經貼合之密封基板17和支持基板12，使該 載物台移動用來進行該移動。 電磁射束最好調整其射點（spot)直徑。點直徑之大小 可以藉由使用聚光透鏡等之光學元件進行調整。密封材料 之射點直徑之大小，通常，最好調整成為密封材料之寬度 之程度。當射點直徑太小時密封材料變成被局部地加熱， 另外當太大時變成密封材料以外之構件亦被加熱。在本說 明書中射點直徑是在垂直於光軸之平面切斷電磁射束時， 相對於光軸上之光強度，光強度為可連結成為「Ι/e2」之 22 322878 201138177 位置之曲線之直徑之意，記號「e」是自 l 上述曲線不一定要為正圓，但要求a : 另外 時，可以使曲線近似圓算出其直徑。于曲線之直役之情况 依照此種方式’藉由調整電磁射束之 只對密封材料加熱、熔融。假如間 二可以 之情況時，由於間隔物材料之被加熱會使電氣 熱，電氣電路會有因熱而劣化之問題電路亦破如 中’因為間隔物材料未被加熱溶融，所本實施形態 防止電氣電路之劣化。另外在在本步驟令可以 置成互相離開之情況時，即使密2㈣和間隔物材科配 會傳達到間隔物材料，所以可熱’該熱亦不 本步驟中可以防止電氣電 電氣電路被加熱，在 (構成密封構件之步驟） 其次，使炼融之密封材料冷 16。另外紐之密封材料亦可 b構成鱗構件 度下降來冷卻，：^ U讀置周圍之溫 藉由停止電磁射使其溫度下降。例如 低，使熔融之密封㈣ ㈣材料之溫度自然地降 間隔物材料雖不:t:然地硬化。另外本實施形態中之 所以其功能適於作為但疋利用暫時锻燒進行固化， 時鍛燒被固著在密=隔物23°另外間隔物23是利用暫 處理，所以只加固著在支持基板側之 來形封構件16和間隔物㈣此用 &之密封構件16和間隔物23。另外支 322878 23 201138177 持基板12和密封基板17之間隔，在設有密封構件匕之^ 位和設有間隔物23之部位為不同。在間隔物23之二置^ 位，因為設有電氣電路（在本實施形態中為有機EL元件 所以會增加該部分之厚度。但是在有機EL元件24與密封 構件16和間隔物23之厚度比較時，其厚度薄裘玎：忽:見 之裎度’所以在密封構件之設置部位和間膦物之-又置/ 位即使支持基板和密封基板之間隔為不同持，亦由於/ 不同引起而產生之應力很小，對密封基板造成之影響亦很 小。另外在電氣電路14之厚度變厚，因而I生之上述應力 變大之情料，可以崎產生之應力變小y式，調整支 持基板12或密封基板17之厚度。例如，办玎以沿著密封 構件16之設置部位，在支持基板12或密封基板17形成凸 條另外相反地在設有電氣電路之部位，在支持基板12或 街封基板17形成凹陷亦可。 如以上所說明，藉由使用相同材料形成密封構件16和 間隔物23，而在形成密封構件16之過程中，亦可以同時 形成間隔物23。因此’在除了密封構件外更具備有間隔物 之裝置’亦不需要另外設置用以形成間隔物之步驟， 可以抑制裝置之製造所需要之步驟數之增加。 ϋ卜在本實施㈣之另—實卿㈣，發光裝置亦； 充㈣件Ν(參料9圖），充填在被支持基板12 封基板17、密封構件16包圍之區域。 如上所述’例如在設置頂部放射型之有機ει^件^ 况時，從有機EL元件24放射之光，通過有機虹元件2 322878 201138177 和密封基板π之間之空間’然後穿過密封基板i7 外界。當在有機EL元件24和密封基板17之間之空= 被充填構件N(參照第9圖）充填之情况時，直 二B「禾 之程度。相對於此在密封基板17使用破璃板之情：：二」 折射率在以至⑽左右，在上^間和密封基板ΐ7^ 間產生折射率差。該折射率差會引起反射之產生 施形態中，將充填構件N充填在上述1在本實 .^ 空間，藉此可以使 上述空間和密封基板17之間的折射率_ 丄… 差變小，可以抑制上 述空間和密封基板17之間之折射率差 當將密封基板17之折射較為nl、將域_ n 折射率設為n2時，nl，n2最好滿足以下之關係。 I nl-n2 | <nl-l 上述之式左邊表示支持基板17和充填構件折射率 差之絶對值，右邊表示支持基板Π和空氣之折射率差。透 過設置此種之充填構件N可以抑制從有機乩元件放射之光 在裝置内部反射，可以抑制光被封入在裝置内部。 充填構件N使用例如光硬化性樹脂。在使用高流動性 之材料作為硬化前之光硬化性樹脂之情況時，為著將該材 料保持在預定之位置，使用有所謂之阻塞構件16B(參照第 9圖）。阻塞構件ΐ6β例如位於密封構件16之内側，沿著 該密封構件16形成包圍影像顯示區域18。充填構件N充 填在被阻塞構件16B包圍之區域内。成為阻塞構件16B之 材料使用形體保持性比成為充填構件N之材料高之材料。 另外，間隔物23亦設在被該阻塞構件16B包圍之區域。 25 322878 201138177 阻塞構件16B和充填構件n，例如在密封材料和間隔 物材料之暫時鍛燒後，且在貼合支持基板12和密封基板 Π之前被設在密封基板Π上。 阻塞構件16B從密封性能之觀點看，最好使用紫外線 硬化型或熱硬化型之材料形成，例如由環氧樹脂或丙烯酸 樹脂構成。另外充填構件N最好由對有機el元件24之發 光波長之光具有透光性之材料構成，例如由環氧樹脂、丙 烯酸樹脂、甲基丙烯酸樹脂、芴樹脂、環烯烴聚合物等構 成。 除了充填構件N之外’在形成阻塞構件16B之情況時， 先配置成為阻塞構件16B之材料。首先在密封基板17上， 沿著密封材料之配置，對其内側供給成為阻塞構件16β之

材料。 件16B 然後將成為充填構件N之材料供給到被成為阻塞構 午之材料包圍之區域。然後，依照此種方式將密封基 板17貼合在支持基板丨2。另外在阻塞構件16B，最好使用 與暫時密封材料16A相同讀料，在上敎料密封時， 暫時密封材料16A沿著密封構件16被配置在其外側。另

322878 26 201138177 以上是說明電氣電路14被設在支持基板之形態之顯 示裝置，但是在密封基板17亦可以設置電氣電路。例如亦 可以將驅動電氣電路14之一部分之像素電路PC設在支持 基板’將有機EL元件2 4設在密封基板17。另外設在支持 基板12之像素電路PC(參照第7圖）和設在密封基板17之 有機EL元件24利用預定之導電性構件電連接。 另外在上述之顯示裝置中，所說明之顯示裝置是設有 有機EL元件24作為具有有機層之電子元件，但是在構成 像素電路PC之一部分之電晶體亦可以使用有機電晶體作 為具有有機層之電子元件。 【圖式簡單說明】 第1圖是俯視圖，示意性表示本實施形態之顯示裝置 11。 第2圖是從第1圖所示之切斷面線II-II看到之顯示 裝置11之剖視圖。 第3圖是俯視圖，使影像顯示區域18之一部分擴大地 示意性表示。 第4圖是俯視圖，使影像顯示區域18之一部分擴大地 示意性表示。 第5圖是俯視圖，使影像顯示區域18之一部分擴大地 示意性表示。 第6圖是俯視圖，使影像顯示區域18之一部分擴大地 示意性表示。 第7圖表示第1圖所示之顯示裝置之剖面構造。 27 322878 201138177 第8圖表示有機EL元件之剖面構造。 第9圖表示製造途中之顯示裝置之俯視圖。 電氣信號輸入/輸出源 23 紅色之光之有機EL元件 綠色之光之有機EL元件 藍色之光之有機EL元件 【主要元件符號說明】 11 顯示裝置 13 密封區域 15 電氣佈線 16A 密封構件 17 密封基板 19 24 有機EL元件

24R 24G 24B E1 上部電極 EL 發光層 L1 陽極側有機層 N 充填材料 12 支持基板 14 電氣電路 16 密封構件 16B 阻塞構件 18 影像顯示區域 間隔物 E2 下部電極 IL卜IL2絕緣膜 L2 陰極側有機層 W2 導電體 28 322878

Claims (1)

1. 201138177 七、申請專利範圍： 1. 一種電氣裝置，具有： 支持基板； 電氣電路’被設在設定於該支持基板上之密封區域 内； 密封構件，包圍上述密封區域，被設在上述支持基 板上； 密封基板，隔介上述密封構件貼合在上述支持基 板；以及 間隔物，被配置在上述支持基板和上述密封基板之 間； 其中， 上述電氣電路具備具有有機層之電子元件； 上述密封構件和上述間隔物使用相同材料形成。 2. 如申請專利範圍第1項所述之電氣裝置，其中， 上述密封構件和上述間隔物被配置成為互相離開。 3. 如申請專利範圍第1項所述之電氣裝置，其中， 復包含有充填構件，充填在被上述支持基板、上述 密封基板和上述密封構件所包圍之區域。 4. 如申請專利範圍第1項所述之電氣裝置，其中， 上述電子元件為有機EL元件、有機光電變換元 件、或有機電晶體。 5. 如申請專利範圍第1項所述之電氣裝置，其中， 上述電子元件為有機EL元件； 322878 201138177 上述有機EL元件朝向上述密封基板放出光；且 上述間隔物從上述支持基板之厚度方向之—方觀 看時’被配置在設有上述有機EL元件之區域以外之其 餘區域。 6. 一種電氣裝置之製造方法，用來製造申請專利範圍第i 項所述之電氣裝置，包含： 準備設有上述電氣電路之上述支持基板的步驟； 沿著上述密封區域之外緣，供給成為上述密封構件 之密封材料’且對被上述密封材料所包圍之區域供給成 為上述間隔物之間隔物材料的步驟； 隔介成為上述密封構件之密封材料將上述密封美 板貼合在上述支持基板的步驟； 、 :上述密封材料照射電磁射束’用來對上述密封材 科加熱炫融的步驟；以及 的步=述密封材料冷卻、硬化，而構成上述密封構件 上述岔封材料和上述間隔物材料為相同材料。 ^申請專利範圍第6項所述之電氣裝置之製造方法，其 :料和上述間_料二 在上述支持基板之步驟之前1比上述密封 L :隔物材料之熔融溫度低之溫度，對被 :: 持科和被供給之上述間隔物材料進行加妖。攻在封 322878 2 201138177 8. 如申請專利範圍第6項所述之電氣裝置之製造方法，其 中， 利用印刷法供給上述密封材料和上述間隔物材料。 9. 如申請專利範圍第8項所述之電氣裝置之製造方法，其 中， 同時印刷上述密封材料和上述間隔物材料。 3 322878