TW201138165A - High heat-dissipation LED non-metal substrate and manufacturing method thereof and high heat-dissipation LED component and manufacturing method thereof - Google Patents

Description

201138165 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種LED非金屬基板製法，尤指一種高 散熱LED非金屬基板及其製法與高散熱|_ED元件及其製 法0 【先前技術】 應用於LED晶片封裝用基板概可分為金屬或如陶瓷基 板或矽基板的非金屬基板，以陶瓷板體製程來說目前係包 含有四種製程，分別為低溫共燒多層陶瓷板（LTCC)或一高 溫共燒多層陶瓷板（HTCC)、一直接接合銅基板（DBC)及一 直接鍍銅基板（DPC);其中又以DBC及Dpc基板直接採 用陶瓷板體之熱導率為最佳，然而由於DBC基板係將銅 板合成在陶瓷板體上，故必須在攝氏1〇65_1〇85度之高溫 %境下才能完成，相較之下，僅需攝氏25〇_35〇度環境之 DPC基板製程技術，不論在熱導率及製程成本上都較其它 製程佳。 目月丨D P C基板製程步驟係先將陶瓷板體做前處理清 办，再利用真空鍍膜方式於陶瓷板體上濺鍍銅箔，再以黃 光微影蝕刻技術對銅箔進行圖案化以完成線路製作，最後 再以電鍍及化學鍍沉積方式增加線路的厚度。由於採用濺 鏡銅、'自及黃光微影技術’故線路寬度大概在10〜50um，因 此此有效縮LED封裝尺寸’提供高功率且小尺寸LED元 件一個較佳的高散熱陶瓷基板。

雖然陶瓷板體具有高熱導率特色’但對於高功率L E D 201138165 晶片來說，縱使採用DPC散熱基板，整體熱導率若能提 升則為最佳，以下則提出一種現有增強DPC散熱基板熱 導率之製程，首先請參閱第九A至E圖所示，其包含以下 步驟： 提供一陶瓷板體（51); 形成複數電性連接用貫穿孔（511)及一散熱用貫穿孔 (512)； 提供一匹配散熱用貫穿孔（512)之預先成型之導熱銅柱 (61)； > 將導熱銅柱（61)穿設於散熱用貫穿孔（512)内； 濺鍍陶瓷板體（51)，於其外表面及複數電性連接用貫 穿孔（51 1)内形成銅箔（515),;及 圖案化外表面銅箔（515)，以於上表面形成有黏晶墊（52) 及打線墊（53) ’下表面則形成有對應黏晶墊（52)及打線墊 (53)的散熱墊（54)及銲墊（55);其中複數導電貫穿孔（51 1) 係電連接打線塾（53)及銲墊（55)，而導熱銅柱（60)二端則是 φ 分別與黏晶墊（52)及散熱塾（54)連接。 上述散熱基板製程主要於黏晶區預先成型一可插入散 熱柱之散熱用孔，於濺鍍步驟後，令該導熱銅柱二端分別 與黏晶墊及散熱墊連接。當led晶片黏貼於黏晶墊上時， 於運作時產生之高熱即可快速由導熱銅柱向下傳導至散熱 塾’精此^南整體導熱率β然而，正由於導熱銅柱必須與 黏晶墊及散熱墊連接才具有良好熱傳導效果’故製作此一 散熱基板必須準備一尺寸與散熱用貫穿孔匹配的導熱銅 柱’其尺寸要相當精準；再者，就目前DPC標準製程來 201138165 說曰加額外插任導熱銅柱步驟，勢必提高整體製程的成本 及複雜度。 、此外，由於導熱銅柱係預先成型，故製程上必須確保 導熱鋼桎與黏晶墊及散熱墊接合強度，確保導熱品質；是 =必須料控制㈣厚度。再者，目前散熱基板之結構仍 又J挑减，起因在於LED晶片尺寸愈趨小型化，因此黏晶 塾面積亦相對縮小’而製程導熱銅柱有一定尺寸極限，而 ,ϋ m π小型化|_ED晶片封裝’而且㈣濺鑛鐘銅羯亦 ,f其最小精度之極限，以電性連接用的貫穿孔來說，1mm 厚勺陶竟板體’必須牙設孔徑為0 5mm的貫穿孔，方能構 成一導電孔。因此，目前DPC散熱基板製程或是非金屬 基板仍有待進一步改良。 【發明内容】 本發明主要目的係提供一種高散& LED非金屬基板及 其製法與咼散熱LED το件及其製法，能提供符合高功率小 φ 尺寸LED元件的散熱用基板。 欲達上述目的所使用的主要技術手段係令該高散熱 LED非金屬基板製法包含有： 提供一非金屬板體； 於非金屬板體上形成至少一第一貫穿孔； 電鍍非金屬板體外表面與各至少一第一貫穿孔，而於 外表面形成電鍍銅層，並於各至少第一貫穿孔内形成實心 導熱銅柱；及 圖形化電鍍銅層，於第一表面形成有至少一黏晶墊及 201138165 複數打線塾，又於第二表面形成對應黏晶墊的散熱塾；其 中該實心導熱銅柱與黏晶墊及散熱墊一體成型。 上述本發明係主要採用電鍍方式，配合小孔徑第一貫 穿孔，於其中形成實心導熱銅柱’而一製程步驟的優點在 於黏晶墊及散熱墊與實心導熱銅柱可在同一道電鍍步驟中 -體成型’具有最佳的接合強度；如此亦可簡化一道插設 導熱銅柱的步驟，可以低成本製程成本製作符合高功率小 尺寸LED晶片封裝用的高散熱基板。 本發明次一目的係提供一種具有快速封膠用之高散熱 LED非金屬基板製法’意即上述最後一道製程步驟結束後， 再進一包含有組合一外框於非金屬板體第一表面之步驟； 其中該外框的開口處對應該黏晶墊及打線墊的部份，令黏 晶塾及各打線墊部份外露於該外框開口，供黏晶及打線 用，最後只要將液態膠體注入外框開口中，即可完成高熱 散LED元件封裝。 . 由上述說明可知，本發明高散熱LED非金屬基板係包 含有： 一非金屬板體，係包含有二相對的第一及第二表面及 至少一實心導熱銅柱，其中第一表面係形成有複數打線墊 及至少一黏晶墊，第二表面則對應至少一黏晶墊形成有散 熱墊；其中各實心導熱鋼柱與對應黏晶墊與散熱墊一體成 型；及 一外框，係設置於陶瓷板體之第一表面，並包含有至 少一開口，各至少一開口係對應黏晶墊及各打線墊部份， 使其外露於該外框開口，以便黏晶及打線製程用。 201138165 再者’本發明的高散熱LED元件係包含有上述非金屬 板體外更進-步包含有一 LED晶片及封膠體；其中該 晶片係毒占設於該黏晶塾上，並以導線連接至複數打線势， 而封膠體係填充於該外框的中間開口。由於一般封膠體於 製程中為液態’故可藉由注入外框的中間開口中，不僅不 會溢流，更能精準地封合LED晶片於其中。 【實施方式】 • f先請參閱第一“E圖所示，係為本發明一高散熱 LED元件第一較佳實施例的製作流程圖，本實施例中該高 散熱LED元件係用以銲接於散熱模組（4〇)上，如第八a圖 所示’其包含有： 提供一非金屬板體（11);於本實施例中該非金屬板體 (11)係為一陶瓷板體，亦可為一矽基板，其厚度為〇.3mm 至 2mm ; 於非金屬板體（11)上形成至少一第二貫穿孔（112);於 • 本實施例中各第二貫穿孔（1 1 2)係以雷射鑽孔方式或其它鑽 孔加工方式形成之，其孔徑為〇.〇2mm以上； 電鍍非金屬板體（11)外表面與各第二貫穿孔（112)，而 於外表面形成電鍍銅層（115)，且各第二貫穿孔（彳12)内則 形成有與電鍍銅層一體成型的實心導熱銅柱（17); 圖形化電鍍銅層（11 5)，於第一表面形成有至少一黏晶 塾（1 2)及複數打線塾（1 3 )，又於第二表面對應黏晶塾(1 2)形 成散熱墊（14);其中實心導熱銅柱（17)則與黏晶塾（12)及散 熱墊（14) 一體成型；至此即構成本發明第一較佳實施例的 201138165 高散熱非金屬基板（1 0a);於本實施例中，本步驟係形成一 黏晶墊（12)、一散熱墊（14)及二打線墊（13); 準備一包含有至少一開口的外框（20) ’並令外框（20) 各開口（21)對準對應的黏晶墊（1 2)及各打線墊（1 3)部份，並 結合至該非金屬板體（1 1)形成有黏晶墊（彳2)及各打線墊（13) 的表面上’如第二圖所示，該外框（2〇)周邊係形成有缺口， 以供各打線墊部份外露，作為外部電極（彳3a)使用；於本實 施例中’該外框（20)可為玻璃纖維板或經陽極處理後的鋁 _ 板，並以壓合方式結合於非金屬板體（11)上；又在本實施 例中’該外框（20)係包含一開口（21 )，以對應單黏晶墊（1 2) 及打線墊（1 3)部份； 準備至少一 LED晶片（3〇)，並黏設於對應的黏晶墊（12) 上； 將各至少一 LED晶片（3〇)以打線方式將導線（31)連接 至對應的打線墊（13)上；及 庄入液態膠於外框開口（2彳），待固化後即構成一封膠 • 體（22)，將LED晶片（3〇)封合於其中。

再印參閱第二A至E圖所示，係為本發明一高散熱LED

兀件第一較佳實施例的製作流程圖’本實施例的高散熱[ED 元件係用以銲接至電路板(4〇a)，如第八B圖所示，其包含 有： 提供一非金屬陶究板體（11);於本實施例中非金属板 體⑴）係為-陶竞板體，亦可為一石夕基板，其厚度為〇 3酬 至 2mm ; 形成複數第一貫穿孔（111)及至少一第二貫穿孔 8 201138165 (112);於本實施例中第一貫穿孔及第二貫穿孔◦ ι2) 係以雷射鑽孔方式形成，其孔徑為〇 〇2mm至0.15mm ; 電鍍陶瓷板體（11)外表面與第一及第二貫穿孔 (111)(11 2)，於外表面形成電鍍銅層（11 5〉，而各第一貫穿 孔（111)内形成導電銅柱（16)，各至少一第二貫穿孔（112) 則形成導熱銅柱（17); 圖形化電鍍銅層（115)，於第一表面形成有至少一黏晶 墊（1 2)及複數打線墊（1 3〉，又於第二表面形成對應黏晶墊 I (12)及打線墊（13)的至少一散熱塾（14)及複數録墊（15);其 中第一貫穿孔（111)實心導電鋼柱（16)係與打線墊（1 3)及銲 墊（15)—體成型’而第二貫穿孔（112)的實心導熱銅柱（17) 則與黏晶塾（12)及散熱墊（14) 一體成型；至此即構成本發 明第二較佳實施例的高散熱非金屬基板（1 〇a，）；於本實施 例中，本步驟係形成—黏晶墊（1 2)、一散熱墊（14)、二打 線墊（13)及二銲墊（15); 準備一包含有至少一開口的外框（20)，並令外框（20) • 各開口（21)對準對應的黏晶墊（12)及各打線墊（13)部份，並 結合至該陶瓷板體（11)形成有黏晶墊（1 2)及各打線墊（13)的 表面上；至於構成本發明第二較佳實施例的高散熱非金屬 基板（1 0a) ’於本實施例中，該外框（2〇)可為玻璃纖維板或 經陽極處理後的鋁板，並以壓合方式結合於非金屬板體（11) 上；又在本實施例中，該外框（20)係包含一開口（21)，以 對應單黏晶墊（12)及打線墊（13)部份； 準備至少一 LED晶片（30)，並黏設於對應的黏晶墊（彳2) 201138165 將各LED晶片（30)以打線方式將導線（31)連接至對應 的打線墊（13)上；及 注入液態膠於外框開口（21)，待固化後即構成一封膠 體（22)，將LED晶片（13)封合於其中。 上述電鍍非金屬板體（1彳）步驟中，首先對非金屬板體 (1 1)進行脫脂，再予以酸洗，之後再進行活化，再形成化 學銅或化學鎳，最後再放入電鍍液中電鍍銅；因此，於本 步驟結束後，該第一及第二貫穿孔（111)(11彳2)係形成實心 導電及導熱銅柱（16)(17)。 上述圖形化電鍍銅層步驟中，係於電鍍銅層（115)上進 行乾膜處理，再蝕刻未被乾膜覆蓋的電鍍銅層（115)，之後 再移除乾膜，再對部份的電鍍銅層塗佈防銲油墨，再對未 塗佈防銲油墨的電鍍銅層直接進行喷錫。或者，對電鍍銅 層（115)分別進行電鍍鎳、電鍍銀或電鍍金，令電鍍銅層（115) 上再疊設一鍚層，或一電鍍鎳層及一電鍍銀層，或是疊設 有一電鍍鎳層及一電鍍金層，以形成具有較佳的導電率； φ 最後構成高導電率之黏晶墊、打線墊' 散熱墊及銲墊，之 後再塗佈防録油墨。其中該電鍍鎳層厚度為3 u m以上，電 鑛銀層厚度為ium以上’而該電鍍金層為〇 〇25urn以上。 以下進一步說明本發明高散熱非金屬基板的結構，首 先明同吟參閱第一 E圖及第二圖所示，本發明高散熱非金 屬基板（1 Oa)第一較佳實施例係包含有： 一非金屬板體（11)’係包含有二相對的第一及第二表 面（11 3)(114)及至少一實心導熱銅柱（17)，其中第一表面 (11 3)係形成有複數打線墊（1 3)及至少一黏晶墊（12)，第二 201138165 表面<114)則形成有對應至少一黏晶墊（12)的散熱塾（16); 又該至少一實心導熱銅柱（1 7)係同樣穿設於非金屬板體（11) 内’並與對應的黏晶墊（12)與散熱墊（14)—體成型；於本實 施例中該非金屬板體（11)係為一陶瓷基板及矽基板；又實 心導熱銅柱（17)的數量端視散熱速率之高低而調整；及 一外框（20)，係設置於非金屬板體（11)之第一表面 (111)，並包含有至少一開口（21)及複數缺口，其中各至少 一開口（21)係對應黏晶墊（12)及各打線墊（13)部份，使其外 B 露於該外框開口（21 )，以便黏晶及打線製程用，而複數缺 口則對應打線墊其它部份以令其外露作為外接電極（1 3a) 用；於本實施例中，該外框（2〇)係包含有一開口（21 )，以 對應單一黏晶墊（12)及二打線墊（13)部份。 請同時參閱第三E圖、第四及五圖所示，本發明高散 熱非金屬基板（1〇a，）第二較佳實例，其包含有： 一非金屬板體（11)，係包含有二相對的第一及第二表 面（113)(114)、複數實心導電銅柱（16)及至少一實心導熱銅 • 柱〇7)，其中第一表面（11 3)係形成有複數打線墊（13)及至 少一黏晶塾（12)，第二表面（114)則形成有對應複數打線墊 (13)及至少一黏晶墊（12)的銲墊（15)及散熱墊（16);又複數 實心導電銅柱（16)係穿設於陶瓷板體（1 1)内，與對應的打線 塾（13)與銲墊（15)—體成型，該至少一實心導熱銅柱（17)係 同樣穿設於非金屬板體（11)内，並與對應的黏晶墊（12)與散 熱塑*(14)一體成型；於本實施例中該非金屬板體（11)係為一 陶曼基板及矽基板，而實心導電銅柱及實心導熱銅柱係為 —銅柱；及 201138165 一外框（20) ’係設置於非金屬板體（11)之第一表面 (111)，並包含有至少一開口（21)以對應黏晶墊（12)及各打 線塾（1 3)部份，使其外露於該外框開口（21 )，以便黏晶及 打線製程用；於本實施例中，該外框（20)係包含有一開口 (21) ’以對應單一黏晶墊（12)及二打線墊（13)部份。 請進一步參閱第一 E圖所示，本發明使用上述高散熱 非金屬基板（10a)進行封裝的高散熱LED元件的第一較佳 實施例，其進一步包含有： 至少一 LED晶片（30)，係黏設於該黏晶墊（12)上，並 •以導線（31)連接至複數打線墊（1 3);於本實施例中，單一黏 晶塾（1 2)上黏設有單一 |_ED晶片（30)，又各黏晶墊下對應 一或複數實心導熱銅柱（17) ’再如第六圖所示，該單一 黏晶墊（12)上亦可黏設有複數LED晶片（30)，又各LED晶 片（30)係對應一或複數實心導熱銅柱（1 7 及 至少一封膠體（31 )，係填充於該外框（20)的對應開口 (21)。由於一般封膠（31)體於製程中為液態，故可藉由注入 φ 外框的開口（21)中，不僅不會溢流，更能精準地封合leD 晶片（30)於其中。 請配合參閱第七圖所示，係本發明高散熱Led元件的 第二較佳實施例’該陶瓷板體（1彳）上可形成二個黏晶塾 (12) ’各黏晶墊（12)上係黏設複數led晶片（30);又各led 晶片（30)係對應複數實心散熱銅柱（17)，以加速Led晶片 (30)散熱迷率。 請參閱第八B圖所示，當上述LED元件的銲墊（15)銲 接於該電路板（40)上，散熱墊（14)會貼合於電'路板（4〇)，因 12 m 201138165 此當LED晶片（30)運作產生之高熱，即可由導熱銅柱（彳7) 快速向下傳導至散熱墊（14)，由散熱墊（14)將高熱傳導至 電路板（40)上，以避免led晶片（30)過熱。 上述本發明係主要採用電鍍方式，配合小孔徑（〇.〇2mm 以上）第一及第二貫穿孔，於其中形成導電銅柱及導熱銅 柱，而一製程步驟的優點在於黏晶墊及散熱墊與導熱銅柱 可在同一道電鍍步驟中一體成型，具有最佳的接合強度； 如此亦可節化一道插設導熱銅柱的步驟，可以低成本製程 φ 成本製作符合高功率小尺寸LED晶片封裝用的高散熱非金 屬土板再者，該咼散熱非金屬基板進一步結合一外框， 以加速LED元件之封膠步驟之速度及品質。 【圖式簡單說明】 第_ a 至E圖’係為本發明高散熱[ED元件第一齡 佳實施例的製程流程圖。 第一圖：係第一 E圖的上視平面圖。

第 = Λ _ — 至E圖，係為本發明高散熱LED元件第- @ 佳實施例的製程流程圖。 件第-較 第四圖：係第三E圖的上視平面圖。 第五圖：係第三E圖的仰視平面圖。 視圖第、圖係本發明高散熱LED元件第—較佳實施例上 第七圖：係本發明高散熱LED元件第二較佳實施例上 圖.係第一E圖銲接於一散熱模組的示意圖。 13 201138165 第八B圖：係第三E圖銲接於一 第九A至E圖：係既有高散熱 程圖 電路板的示意圖。 LED陶瓷基板製程流

【主要元件符號說明】 (1〇a)(l〇a’）非金屬基板 (11)非金屬板體 (111)第一貫穿孔 (112)第二貫穿孔 (113)上表面 (114)下表面 (115)電鍍金屬層 (12)黏晶墊 (1 3)打線墊 (13a)外接電極 (14)散熱墊 (15)銲墊 (1 6)導電銅柱 (17)導熱銅柱 (20)外框 (21)開口 (22)封膠 (30)LED 晶片 (31)導線 (40)散熱模組 (40a)電路板 (50)陶瓷基板 (51)陶瓷板體 (511)第一貫穿孔 (512)第二貫穿孔 (51 3)金屬層 (52)黏晶墊 (53)打線塾 (54)散熱墊 (55)銲墊 (6〇)導熱銅柱

Claims (1)

1. 201138165 七、申請專利範圍： 1· 一種高散熱LED非金屬基板製法，其包含有二 提供一非金屬板體； 於非金屬板體上形成至少—第一貫穿孔； 電鍍金屬板體外表面與該至少第一貫穿孔，而於外表 面形成電鍍鋼層，而各第一貫穿孔内形成實心導熱銅柱； 圖形化電鍍銅層，於第一表面形成有至少一黏晶墊及

   複數打線墊，又於第二表面形成對應黏晶墊的至少一散熱 墊，其巾f —貫穿孔導熱銅柱係與黏晶墊及散熱塾一體成 型。 2.如申請專利範圍第】項所述之高散熱led非金屬基 板製法，其中： 於形成第一貫穿孔步驟中，係進一步對該非金屬基板 形成複數第二貫穿孔； 於電鍍金屬板體步驟中，係對各第二貫穿孔電鑛，而 於各第一貫穿孔形成有實心導電銅柱；及 於圖形化電鍍銅層步驟中，於非金屬板體第二表面對 應打線墊處形成有銲墊，其中各“導電銅柱與對應的打 線墊及銲墊一體成型。 3.如申請專利範圍第！ 項所述之高散熱別非金 屬基板製法，於圖形化電鐘銅層步驟後再包含有以下步驟： 準備一包含有至少一開口的外框，並令各至少一開口 對準對應_ Μ及打㈣部份，結合至該非金屬板體形 成有黏晶墊及各打線墊的表面上。 15 201138165 柄制、，如申'^專利㈣第3項所述之高散熱LED非金屬基 、， 。卜框可為玻璃纖維板或經陽極處理後的鋁板， 並以壓合方式結合於非金屬板體上。 卜如申％專利4 ®第4項所述之高散熱LED非金屬基 板1法，上述電鍍非金屬板體步驟中’首先對非金屬板體 " 再予以酸洗，之後再進行活化，再形成化學銅 或化學鎳最後再放入銅電鍍液中，以形成電鍍銅層。 6_如中。月專利範圍第5項所述之高散熱[印非金屬基 _ 板^法上述圖形化電鑛銅層步，驟中，於電錢銅層進行乾 膜程序，再钱刻未被乾膜覆蓋的電鐘鋼I，之後再去除乾 膜並對部份電鍍銅層塗佈—層防銲油墨’再對未塗佈防 銲油墨的電鍍銅層喷鍚。 ^如申請專利範圍第6項所述之高散熱LED非金屬基 板製法上述圖形化電鍍銅層步驟中，於電鍍銅層進行乾 膜私序再蝕刻未被乾膜覆蓋的電鍍銅層，之後再去除乾 膜再於圖形化電鑛銅層上依序進行電鑛錄及電鍵銀，最 φ 後再塗佈防銲油墨。 u 8.如申請專利範圍第6項所述之高散熱led非金屬基 板製法，上述圖形化電鍍銅層步驟中，於電鍍銅層上進行 乾膜程序，再蝕刻未被乾膜覆蓋的電鍍銅層，之後再去除 乾膜再於圖形化電鍍銅層上依序進行電鍍鎳及電鍍金， 最後再塗佈防銲油墨。 9·如申請專利範圍第2項所述之高散熱LED非金屬基 板製法β亥非金屬基板厚度為〇.3mm至2mm，而各第_ 貫穿孔及各第二貫穿孔孔徑為0.02mm以上。 16 201138165 10. 如申請專利範圍第7項所述之高散熱|_ED非金屬 基板製法’§亥非金屬基板厚度為〇.3mm至2 mm，而各第 一貝穿孔及各第二貫穿孔孔徑為〇 〇2mm以上，又該電錄 鎳層為3um以上，而該電鍍銀層厚度為1um以上。 11. 如申請專利範圍第8項所述之高散熱LED非金屬 基板製法’該非金屬基板厚度為〇.3mm至2mm，而各第 貫穿孔及各第二貫穿孔孔徑為0_ 02 mm以上’又該電錄 鎳層度為3um以上，而該電鍍金層為〇 〇25um以上。 12‘如申請專利範圍第3項所述之高散熱LED非金屬 基板製法，該非金屬基板係為陶瓷基板或矽基板❶ 13·一種高散熱LED非金屬基板，係包含有： 一非金屬板體，係包含有二相對的第一及第二表面、 至少一第一貫孔穿及至少一實心導熱銅柱，其中第一表面 係形成有複數打線墊及至少一黏晶墊，第二表面則形成有 對應至少一黏晶墊的散熱墊；又該至少一導熱銅柱形成於 對應第一貫穿孔内並與對應的黏晶墊與散熱墊一體成型； 及 一外框，係設置於陶瓷板體之第一表面，並包含有至 丨’開口以對應黏晶塾及各打線塾部份。 申μ專利範圍第15項所述之高散熱LED非金屬 基板4外框對應打線塾係進一步形成缺口，令部份打線 墊外露作為外接電極。 15·如申凊專利範圍第13項所述之高散熱非金屬 基板忒非金屬板體係進一步包含有複數第二貫穿孔及複 數實〜導電銅柱’並於第二表面上形成對應複數打線塾的 LSI 17 201138165 第一貫穿孔，並與對應 銲墊’各實心導電銅柱係設於對應 的打線墊的銲墊一體成型。 16. 如申請專利範圍第13 1 15項任一項所述之高散 熱LED非金屬基板，該外框可為玻璃纖維板或經陽極處理 後的鋁板，並壓合於非金屬板體的第一表面。 17. 如申請專利範圍第13項所述之高散熱LED非金屬 基板，該黏晶墊、打線墊及散熱墊均為銅層。 18·如申請專利範圍第17項所述之高散熱LED非金屬

   基板，其銅層再分別形成一防銲油墨層及一鍚層。 19.如申凊專利範圍第16項所述之高散熱led非金屬 基板，該電鍍銅層上再依序形成有電鍍鎳層及電鍍銀層及 .一防知·油墨層。 20.如申請專利範圍帛16項所述之高散熱led非金屬 基板，該電鍍鋼層上再依序形成有電鍍鎳層及電鍍金層及 一防銲油墨層。 21·如申請專利範圍第13項所述之高散熱LED非金屬 基板該非金屬基厚度為〇.3mm至2mm，而各第一貫穿 孔孔徑為G.Q2_以上，又該電鑛録層為編以上及電鍛 銀層异度為1um以上。 22. 如申請專利範圍第14項所述之高散熱LED非金屬 基板，該非金屬基厚度為〇_3mm至2mm，而各第一貫穿 孔孔徑為0.02mm以上，又該電鍍鎳層度為3um以上，而 該電鍍金層為〇.〇25um以上。 23. —種高散熱LED非金屬基板製法，其包含有： 提供一非金屬板體； 18 201138165 於非金屬板體上形成至少一第一貫穿孔； 電鍍金屬板體外表面與該至少第一貫穿孔，而於外表 面形成電鍍銅層，而各第一貫穿孔内形成實心導熱銅柱； 圖形化電鍍銅層，於第一表面形成有至少一黏晶墊及 複數打線墊，又於第二表面形成對應黏晶墊的至少一散熱 墊，其中第一貫穿孔内的導熱銅柱係與黏晶墊及散熱墊一 體成型；及 準備至少一 LED晶片’並黏設於對應的黏晶墊上； _ 將各LED晶片以打線方式連接至對應的打線墊上；及 注入液態膠於外框的中間開口，待固化後即構成一封 膠體’將L E D晶片封合於其中。 24·如申請專利範圍第23項所述之高散熱LED非金屬 基板製法，其中： 於形成第一貝穿孔步驟中，係進一步對該非金屬基板 形成複數第二貫穿孔； 於電鍍金屬板體步驟中亦對各第二貫穿孔電鏡，而於 φ 各第二貫穿孔形成有實心導電鋼柱；及 於圖形化電鍍銅層步驟中，於非金屬板體第二表面對 應打線塾處形成有銲塾，其中各實心導電銅柱係與對應的 打線墊及銲墊一體成型。 5·如申》月專利範圍第23或24項所述之高散熱LED 非金屬基板製法，於圖形化電鑛銅層步驟後再包含有以下 步驟： 準備-包含有至少一開口的外框，並令各至少一開口 對準對應的黏晶塾及打魂執邱々、 , 夂打踝墊°P份，結合至該非金屬板體形 19 201138165 成有黏晶墊及各打線墊的表面上。 26.如申睛專利範圍第25項所述之高散熱led非金屬 基板製法，該外框可為玻璃纖維板或經陽極處理後的銘板， 並以壓合方式結合於非金屬板體上。 27_如申请專利範圍第26項所述之高散熱led非金屬 基板4法，上述電錢非金屬板體步驟中，首先對非金屬板 體進行脫脂，再予以酸洗，之後再進行活化，再形成化學 銅或化學錄’最後再放人銅電鍍液中，以形成電鍍鋼層。 • 28·如申清專利範圍第27項所述之高散熱非金屬 基板製法’上述圖形化電鍍銅層步驟中，於電鑛銅層進行 乾膜程序，再飯刻未被乾膜覆蓋的電錢銅層，之後再去除 乾膜，並對部份電鑛銅層塗佈-層防銲油墨’再對未塗佈 防銲油墨的電鍍銅層喷鍚。 29.如申凊專利範圍第28項所述之高散熱[π非金屬 土板製法’上述圖形化電鑛銅層步驟中，於電鍛銅層進行 乾膜程序，再姓刻未被乾膜覆蓋的電鑛銅層，之後再去除 #㈣’再於圖形化電㈣層上依序進行電錄鎳及電鍛銀， 最後再塗佈防銲油墨。 30·如申凊專利範圍第28項所述之高散熱非金屬 基板製法，上述圖形化電鑛銅層步驟中，於電鍵銅層上進 行乾膜程序，再姓刻未被乾膜覆蓋的電鍛銅層，之後再去 除乾膜，再於圖形化電㈣層上依序進行電鍵錄及電鍍 金’最後再塗佈防銲油墨。 31’如申凊專利範圍帛24項所述之高散熱led非金屬 基板製法，s亥非金屬基板厚度為〇.3mm至2_，而各第 20 I 201138165 一貫穿孔及各第二貫穿孔孔徑為0.02mm以上。 32.如申請專利範圍第29項所述之高散熱LED非金屬 基板製法’該非金屬基板厚度為〇.3mm至2mm，而各第 一貫穿孔及各第二貫穿孔孔徑為〇.〇2mm以上，又該電錢 鎳層為3um以上，而電鍍銀層厚度為ium以上。 33·如申請專利範圍第30項所述之高散熱LED非金屬 基板製法’該非金屬基板厚度為〇.3mm至2mm，而各第 一貫牙孔及各第二貫穿孔孔控為〇〇2mm以上，又該電錢 _ 錄層度為3um以上’而該電鍍金層為〇.〇25um以上。 34. 如申請專利範圍第25項所述之高散熱|_ED非金屬 基板製法’該非金屬基板係為陶瓷基板或石夕基板。 35. —種高散熱LED非金屬基板，係包含有： 一非金屬板體，係包含有二相對的第一及第二表面、 至少一第一貫孔穿及至少一實心導熱銅柱，其中第一表面 係形成有複數打線墊及至少一黏晶墊，第二表面則形成有 對應至少一黏晶墊的散熱墊；又該至少一導熱銅柱形成於 • 對應第一貫穿孔内並與對應的黏晶墊與散熱墊一體成型； 及 一外框，係設置於陶瓷板體之第一表面，並包含有至 少一開口以對應黏晶墊及各打線墊部份； 至> 一 aa片，係黏合於對應的黏晶墊上，並以導線連 接至對應的打線墊；及 至少一封膠體，係填充於該外框的對應開口。 36·如申凊專利砘圍第35項所述之高散熱led非金屬 基板’該外框對應打線墊係、進—步形成缺口，令部份打線 I Si 21 201138165 墊外露作為外接電極β 37. 如申凊專利範圍第36項所述之高散熱LED非金屬 基板’該非金屬板體係進一步包含有複數第二貫穿孔及複 =實心導電銅&，並於第二表面上形成對應複數打線塾的 銲墊’各實心導電銅柱係設於對應第二貫穿孔，並與對應 的打線墊的銲墊一體成型。 38. 如申請專利範圍第35至37項任一項所述之高散 熱LED非金屬基板，該外框可為玻璃纖維板或經陽極處理 後的鋁板，並壓合於非金屬板體的第一表面。 39·如申請專利範圍第38項所述之高散熱LED非金屬 基板’該黏晶墊、打線墊及散熱墊均為銅層。 40·如申請專利範圍第39項所述之高散熱[ED非金屬 基板’其銅層再分別形成一防銲油墨層及一鍚層。 41. 如申請專利範圍第39項所述之高散熱led非金屬 基板，該銅層上再依序形成有電鍍鎳層及電鍍銀層及一防 鲜油墨層。 42. 如申請專利範圍第39項所述之高散熱led非金屬 基板，該電鍍銅層上再依序形成有電鍍鎳層及電鍍金層及 一防銲油墨層。 43. 如申請專利範圍第35項所述之高散熱LED非金屬 基板，該非金屬基厚度為〇.3mm至2mm，而各第一貫穿 孔孔徑為0.02mm以上，又該電鍍鎳層3um以上及電錢銀 層厚度為1um以上。 44·如申請專利範圍第36項所述之高散熱LED非金屬 基板，該非金屬基厚度為0.3mm至2mm，而各第一貫穿 22 201138165 孔孔徑為0.02mm以上，又該電鍍鎳層度為3um以上，而 該電鍵金層為〇.〇25um以上。 八、圖式··（如次頁）

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