TW201128685A - Resist coating and developing apparatus and resist coating and developing method - Google Patents

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201128685 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係.塗佈光_於基板，使鱗光光 之光阻塗佈顯影裝置及光阻塗佈顯影 及光阻塗佈顯影方法。 土仰貝〜裝置 【先前技術】 你u為ί造密集ΐ更高之半導體積體電路，業界要求更細微化。 二2 1罩取小尺寸(CD)逐漸達到低於現有曝光裝置曝光極 ί 以約此寬度形成電場效應電晶體_通道 ^右線寬粗糙度(LWR)A，FET練值電 ί積1ί電路之特性惡化或 阻膜=====利文獻1中記載有—方法，藉由對光 先嶋面’使光阻膜表面凹凸均一化。 【專利文獻】 【專利文獻1】日本特開2005_19969號公報 【發明内容】 (發明所欲解決之課題） 時路 和，陷入顯影作用受到妨礙而曰無法圖;生成分而被中 劑氣體漏⑨至光阻塗佈顯影裝^ 若因如此之溶劑溶 成不適感。 ？/展1外，有時亦會對裝置操作人員造 201128685 鑑於上述問韻， '置及光阻塗佈顯影方法提供一種光阻塗佈顯影裝 減低光阻圖案之線寬粗糙度。，、朝外部擴散，並同時高效率地 (解決課題之手段）° 影裳ί達目的’依本發明第1態樣可提供一種光阻塗佈顯 =部使成光_ ; 氣或生部’產生含有對該光^具有溶解性之溶劑蒸 體，部，調整藉由該氣體纽部產生之該氣體； 膜之i板至並可ms:且;化之該光阻 之給^對所收納 排乳。卩，使该處理室排氣至減壓狀態。 步驟依本發明第2態樣可提供一種光阻塗佈顯影方法，包含下列 在基板上塗佈光阻以形成光阻膜； 利用既定光罩使該光阻臈曝光； 使經曝光之该光阻膜顯影以使該光阻膜圖案化， 之處Ϊΐί該經圖案化之該光阻膜之基板收納在可維持減壓狀態 溶解性之麵氣或氣體之氣體； 凋正猎由5亥風體產生部產生之該氣體；及 對收納於該處理室之該基板供給經調整之該。 (發明之效果） ~ & 依本發明實施形態可提供-種光阻塗佈顯影 避免製程蒙氣污染’並同時高效率地減低光“案 201128685 •【實施方式】 離。並同時說明關☆本發明非限定例示之實_ Ϊ照符號，省之構件或树賦悄—或對叙 概略顯=本發明一實施形態光阻塗佈顯影裝置1構成之 光阻淹佈^係光阻塗佈顯影裝置1之概略前棚，圖3传 元土佈‘"、員衫裝置1之概略後視圖。 係 3及^ f。示’光阻塗佈顯影裝置1包含晶隨盒站2、處理站 晶圓匣盒站2包含： ,置有收納例如25片晶圓〜之®盒C ;及 體7 ’自載置於載置部6之£盒c取出晶圓W，在 E益C與處理站3之間送入送出晶圓W。 在 置/ 6可沿圖中X方向(晶盒站2之長邊方向)截罢 :盘上ΐ:'個德盒°。晶圓輸送體7配置在晶隨盒站2裁ίί 趙 8沿χ。且晶= 之旋轉方向;之i=;fa向中心 向多:置:;=金c，依序取出沿ζ方 ,^0/yz, l円之日日圓w，可朝處理站3第3處理萝罢热 二ίΪΪ送取出之晶圓W。且晶圓輸送體7宜具有對準晶圓 F詈?3處用理嘉站其大致令心部設有主輸送裝置13，於此主輪送 f，周邊配置有4個處理裝置群組⑴、G2、G3、G4。此 ^且考具有多段配置之各種處理裝置。第1處理i 罢壯第處理褒置群組⑺及第4處理裝置群組G4配 4配置 置，弟處理裝置群組G4鄰接介面部 6 201128685 主輸送裝置π可相對於配置在此等處理 出晶^之各種處理裝置(後述)及光阻膜處理裝置離述健入送 包含第1處理裝置群組G1及第2處理裝置群組⑺例如圖2所示 光阻塗佈裝置π，塗佈光阻液於晶圓w以料她眩·芬 顯影處理裝置18,配置於光阻塗佈事 7 、’ 光阻膜顯影。 土忡戒置17上方，使經曝光之 自下而上依序包含： 圓W之定著性之附著 第3處理裝置群組G3例如圖3所示， 冷卻裝置30，冷卻晶圓w ; 附著裝置3卜進行用以提高光阻液對晶 處理； 延伸裝置32，傳遞晶圓w ; 預烤裝置33、34 ’進行使塗係於b圓yj；· 發之烘烤處理；進魏」祕日日®〜之光阻液中之溶劑蒸 備用之烘烤裝置35 ;及 5加熱經顯影之光阻膜之後烘烤處理。 ί:ί it 圖3所示，自下而上依序包含： 延伸•冷卻裝置41，使晶圓W自缺冷卻· 遞晶=置仏在主輸送裝置13與晶圓輸送_後述)之間傳 冷卻裝置43 ; 曝後烤裝置44、45，加熱經曝光之光阻臈； 備用之烘烤裝置46 ;及 ' ’ 後烘烤裝置47。 又，處理裝置群組之數量及配置、配置 處理裳置數量、麵及配置可依^之 或製造之元件義任意選擇。 置1所處理 201128685 此晶 晶圓w至此/者置42、周邊曝光裝置51及曝光裝置5，分別輸送 膜處ίίίΖ 4 _ ____置於處理站3之光阻 參照圖4即知光阻膜處理裝置60包含： 處理室62 ’對光阻膜進行處理；及 真f預備室64，經由閘閥GV1連接此處理室62。 3個ίίΓϋ^ίί載置晶圓W之基座挪於基座似設有 設有孔圓上=基座奶上，自基座62S舉起晶圓， 内建有以 夫圖干之雷、篇命了，二乂^加熟〇P62H(圖5)。加熱部62H連接 :]定部及溫度調整11等，藉由此#者，可ί SIS 及載置於其上之晶圓W。且基座心包 62底部形成有複數(圖示例中係4個)排氣口 内於減壓系統i未圖/) ’可維持處理室& 細赠未_ 葬由ϊί Ϊ腸室64設有支持並輸送晶81 w之輸送臂64A。可 =送臂順著導軌66沿圖中γ方丄 曰個狹缝部，3個昇降鎖64阿通過此等者上下動。藉由 導管，經溫度調整體= 8 201128685
可冷卻載置於輸送臂64A上66 B •允許昇降銷_上下動之狹縫64曰A可以除上述 高效率地冷卻晶圓w。 s㉙之犯圍接觸晶圓W，故可 且具有真空預備室64面對處理站3 3。若開啟_ GV2 ’即可藉* 置日=間閥 真空預備室64内，將晶圓自真備^置、13將曰:0，入 GV2 ’即可氣密性地維持真空預備 达出。f關閉間閥 64E之排氣系統，可維持Π !)，口 64E’藉由連接排氣口 反夫昭岡4 B ^夺，、工預備至64内於減壓狀態。 閜GVlV袖圖Λ圖5即知於真空預傷室64頂棚部附近設有，間 =二紫外線_可係主要發射t L卜ίί:丰刀子 圖示配置之紫外線燈UV，藉由輪逆璧 朝真空預備室64送出晶圓時），可自/理室62 外線燈UV亦可在直空預備^ ”射各外光。又，紫 番。π 4 f _ 頂棚部附近沿閉閥GV2延伸設 在措由主輸送裳置13朝真线備室64送人晶圓评時 夕ί，ti；^晶1㈣射紫外光。且只要可對晶圓^ΐί # ffl 載置於輸达臂64Α之晶圓w上方配置氙準分子产: 使用反射鏡等對晶圓w整體照射紫外光。 L平刀于燈， 參照圖5即知，光阻臈處理裝置6〇中包含. 氣體=氣體鼓H 67A，赶對晶圓w上喊賴供給之溶劑 生之調整器65A，調整(調節)因溶劑氣體產生器6从產 圖干容^體產生器及溶劑氣體調整器65A 圏不於先阻膜處理裝置60處理室62旁邊，但不限於 整器65八可鄰接例如光』處ί 戒置之異工預備至64配置，亦可配置於光阻膜處理裝 圖4中已省略溶劑氣體產生器67Α及溶劑氣體調整器 201128685 -伯悲中，作為溶劑氣體產生器67A，如圖5所示竟顧 二管器储存槽。亦即，於溶劑氣11產生器67A内部收有 體舰體產生器67a連接導人使此賴起泡之載 冰南丨σ氧官67b，與對溶劑氣體調整器65a提供因起泡含有 之=氣體_蝴之橋配管65b。鋪氣體可係例如 體供給體或娜2)氣，由未圖狄載持氣 料且?25*體產生1167A於本實施形態魏納於恒溫槽67丁，
Hi，67Α、吸氣管67Β及橋配管65Β大致維持 8〇2至3可為溶紙致不績或變f之溫度，例如在 體產峰哭H ，具體而言可約為1〇叱。如後述，溶劑氣 橋配管。°65Β ^溫ί更宜高於溶劑氣體調整器65A之溫度。且於 沾Η ϋ+/·/’旦溫槽671之外部部分捲繞有例如帶狀加埶号 體^结稭此加熱橋配管65Β，可用以防止於橋配管65β内部溶劑氣 之性ί。’32舰體產生^ 67Α之溶劑宜具有使光阻膜溶解 ί;=Γ分膨潤之性質即可。如此之性質於本二二爯 單二生。具體而吕’作為適當之溶劑’可舉丙_、丙二醇 早甲旨(pgmea^n甲基2财酮等為例。一 也、容ίΐίΐΐ體產生器67A吸氣管錦載持氣體供給源(未圖示） 生器67A之間，設有用以使載持氣體供給開始/L ，口閥或用以控制流量之流量控制器(皆未圖示藉 控制部，控制供給開始/停止及流量。 。 溶劑氣體調整器6SA藉由例如與起、泡器儲存槽大小大 ΪΙ=存1構成。且溶劑氣體調整器65A連接來自溶劑氣體產 之二=之f配管65B。藉此’可將由溶劑氣體產生器67A產生 广制乳體V入溶劑氣體調整器65A内部。且溶劑氣許 6 為送出管之橋配管62B，藉此’自溶劑氣體調^整g 处理至62送出溶劑氣體。且溶劑氣體調整器65a 口料 201128685 =於溶劑氣體調整器65A、橋配f 65B及橋配管62B可 允、^致相寺之溫度。此溫度可在例如約 =度宜為例如罐c。且此溫度更宜低於溶劑氣體夂 67Α:ίϊ=ΐ器—内部設有連接來自溶劑氣體產生器 6A所^包吕含 務乳去除喷嘴说。霧氣去除喷嘴说如圖 漏斗部65C1，連接橋配管65B ;及 扁平之方形導管部65C2，連接漏斗部65C1。 三角巧狀A致為三角形之2個板構件構成，於此 65以且ϋ (橋6犯’於三角形底邊連接方形導管部 平之漏斗^ 1封裝有2個板狀構件之側壁，整體形狀為扁 側顏Ξ 自圖6A中箭頭AR1方向觀察霧氣去除喷嘴65C之 管漏之厚，橋配管_月方形導管部 65C2之厚^大‘算卜丨大f相寺細小至與扁平之方形導管部 劑氣體流Γ中剖_形之溶 路。格锝义為方科官部65C2内部中剖面為扁平矩形之流 口，G導兩在與漏斗部65C1連接端相反側端形成開 提供之溶劑氣體朝溶舰體調整器65a 去(自圖6a中箭頭趣方峨察霧氣 漏斗部⑽朝^方形導管部⑽内部設有沿自 籍由=隔壁』 控制r:藉此，可 哭此構成之溶劑氣體調整器65A’即使在由溶劑惫雕吝座 液杯當溶紙體主要於方料管部65C2 201128685 霧氣等由内壁面簡’故可自溶職體中確 一 氣去除喷嘴65C之溶劑氣體調整器65A於 二=f有務 生器67A ’利用例如直接使溶劑呈霧狀進行 嘖 波霧化器等時特別適當。 贺務之噴務益或超音 且溶劑氣體調整器65A收納於恒溫槽65T，並 =2設有熱電偶TC，故可維持低於溶劑 6开^^ 產生态67Α内之狐度。因此於溶劑氣體產生器^ 持氣體流速快之理由溶劑氣體未充分飽和 洛劑氣體通過溶劑氣體調整器65Α，提高(Uf，， 氣體之飽和度(麟氣體巾溶劑蒸氣之濃度）。〃 ° L、…合别 傭ίΐί照圖5即知，於處理室62頂棚部連接有來自溶劑氣體 6 =之橋配管62Β。連接處理室62之橋配管62β嗔吐j 於基座62S大致申央上方，藉此，可對載 之
整體供給溶劑氣體。 徵#、紐62S之日日回W 西乂=二戶!t，於處理室62繞設有帶狀加熱器㈣，於橋 配i 狀^7熱器62H2。藉此，可控制處理室62及橋 一: 之溫度。此等溫度可在例如約7〇。(：至約90。(：之範圍内， 65A之溫度相等。如此，可防止溶劑氣體凝 、、、°於橋配官62B及處理室62内壁面。 侧關於依本實施形態包含光阻膜處理裝㈣之光阻塗 佈^農置1之動作(光阻塗佈顯影裝置i中之處理步驟）。 圓wl甘Ϊ由晶圓輸送體7(圖υ自£盒c取出1片未處理之晶 二輪送至第3處理裝置群組G3之延伸裝置32(圖3)。1 —iit輸送農置13將晶圓W送入第3處理裝置群組G3之附著 W ί提升光阻液對晶圓W之密接性，塗佈例如HMDS於 欠’輸送晶® w至冷卻裝置30，使其冷卻至既定溫 送至光时佈裝置17。於光阻_裝置17使光阻液 轉主佈在日日圓W上，形成光阻膜。 12 201128685 藉由主輪送裝置 ί 33 ’對晶圓W進行預烤字形g光圓w輪送至_裝 輸送至延伸·冷卻梦 砰接者，措由主輸送裝置13 = 輸送晶圓w至周^曝光裝且藉由晶圓輪送體== 處理。於曝光褒置5、 、 、*光裝置5 ’於各裝置進行 藉由晶圓輸送體50將定光罩對光阻膜進行曝光處理後， 裝置42。 字曰曰固，送至第4處理裳置群組〇4之1申 後烤裝⑽ 主輸送裝置13將晶圓其冷卻。接著，藉由 裝置群組G2之顯影處理【置群组G1或第2處理 藉此，在晶圓％上^置安 18 ’在此對晶圓W進行顯影處理。 藉由讀送裝置；^§!^之絲峨阻遮罩）。 處理裝置6〇(圖4及圖將=口結土2圓W輸送至光阻膜 裝置將晶圓4)，藉由主輪送 降銷64P上方。复多，備至64内，固持晶圓％於3個昇 圓W，主輸送褒置^直空 昇退自主輸送裝置13接收晶 w^t 64Ai 内排軋，維持於既定壓力。直 真二預備至64 啟真室Λ4/月處理室62送入晶圓w。亦即，開 與處室62之間之閘閥GV卜輸送臂64A产導 虚理官6?日，门儿°又於真工預備至6之紫外線燈UV ’對送入 ίϊΐί低1A /射紫外光。此紫外光之照射於藉由對溶 因上ΐί I 形成光阻膜時特別適當。吾人認為此係 口 ArF，先阻所含有之内酯因紫外光之照射分解。
64A 3 ’昇降鎖6沈上昇’自輸送臂似接收晶圓W，輸送臂 自處理室62退出後昇降銷卿下降，載置晶圓w於基座62S 13 201128685 i排C GV1，處理室62内藉由排氣系統(未圖示)通 處理時之懕六排乳，維持於既定壓力。此麗力宜低於後述光阻膜 力’宜係生產能力大致不因排氣所需時間降低之愿 力，=在約α1Το订(13.3Pa)至約7To_.9册a)之翻牛内低之泛 膜處2 W進行用以使經圖案化之光阻膜平滑化之光阻 源ii伙先開啟闕67v，自未圖示之載持氣體供給 叨羞 之吸氣管67B供給載持氣體。藉此，自 j轧g、67B朝收納於溶劑氣體產生器67A之溶劑内 管之期間内包含溶劑蒸氣作為溶劑氣體通過橋配 B 65B jh谷劑氣體調整器65A供給載持氣體。 整哭通過霧氣去除喷嘴65c對溶劑氣體調 是ΐ通職ί配管65B之溶劑氣體。藉由溶劑氣體特別 Ϊΐίί ίΐΪΐ 時衝擊内壁面，去除溶劑氣體所含有 =故可。!f二之溫度低於賴氣體產生器 卻因溶劑氣i產特另I是霧氣去除喷嘴65c)冷 ，配管膜處理裝置容S J未= 寺’飽劑氣體(含有溶劑蒸氣或氣體之載持氣體）。、 之詞2曰？;給溶劑氣體，處理室62内即由既定壓力 f办片]轧肢所充滿，晶圓评上的光阻膜暴露於溶劑氣體中。此 ，理室62内之壓力宜低於域壓，例如 】 =〇τ。难3狗之範圍内。只要係此程度之壓力，(即 曰曰圓W上的光阻膜暴露於溶劑氣體中。 暴Ϊΐΐϊ氣體中既定期間後，關閉閥67V並停止供 、·口載持軋體、、，σ束對邊晶圓W之光阻膜處理。 a 處I里結束後，載置晶圓w於基座62s上並直接藉由基 加熱基座62S及其上之晶圓W。此時之溫 度例如可在約70C至約130。(：之範圍内。 在此說明關於藉由以上處理光阻膜平滑 顯示圖案呈線與間距狀之光阻膜「線」剖面之示^。係 201128685 液狀化，其表(：：====， 蒸^；Γ?Ί之部分即會·縮而更平二二 膜们，可防止之光_R3。且藉由加熱光阻 如此結束平滑化處理後，依與自真 自辦62 嫩=== =菩ϊίΐ，備室64之輸送臂_迅速冷卻晶圓W。 误曰措由主輸送裳置13自真空預備室64送出晶圓W，輸 烤rf - 理裝置群組G4之後供烤裝置47，在此進行後供 =接者，猎由主輸送裝置13輸送晶圓w至第4 日、 處理步ί w包含一連Μ阻塗佈/曝光/顯影之 處理形態之光阻塗佈顯影裝置1，於光阻膜
Ltiit 以減光阻圖案之LWR。因此，即使在例如 之差異。寸麵s22nm形成FET閘極時，亦可減低臨限值電壓 且對維持減壓之處理室62内供給溶劑氣 460 0 ：,ΐ! ：；^ί =體產生器67Α密封，吸氣管67Β及橋配管 密 内4空間暴露在溶劑巾’可防止光_之顯影作職溶劑降t置 15 201128685 可燃峨在使用例如 塵室内1财置赫㈣時侧影織1 _設備或無 二=土源，溶劑氣體起火之事態發生。 跑^此可阻膜處理裝置60具有溶劑氣體調整器 =之務氣♦，或提高溶_體巾 以= ί2供給含有霧氣等溶劑氣體，霧 然而，於即可ΐ於ί部分過度轉，陷人®*魏之事態。 整哭65^去^由具有霧氣去除喷嘴65C之溶劑氣體調 化了且若!ίίςί體體；整之f $故光阻膜可均一膨潤而平滑 可以高濃度對處體即 :使_和’可__==,=== =雖已參紐個實本發明， 分！ ΐ處 處理室62内，橋配管_前端可 ，體於晶圓w。且亦可使基座62S可沿水平m 主62S上的晶圓w並同時供給溶劑氣體。 夕 夕土 述噴產生器不圖5所示之起泡器儲存槽及上 或超音波霧化器，亦可係圖8 上 圖8即知此例之溶劑氣體產生器舰中。參照 氣管_未達到溶劑中。因此，對溶劑氣^產包 不同，吸 有充滿溶劑上方空間之溶劑蒸氣而由 出。依此構成亦可產生溶劑氣體。 65B ^ 且作為溶劑氣體調整器，例如圖9 除噴嘴6冗而代之以細當板65F。圖去 * 2 Γ曰 官B *端喷出之溶劑氣體通過最下二 板卿之開口⑼朝上方流動。此時，第2段播板卿 16 201128685 J最下方之播板65F之開D 65Q沿錯直方向錯開，故溶劑氣體衝 4第2段棺板65F背面’方向變更再通過開口 流 此時甘，劑氣體中所=有之霧氣等衝擊第2段槽板视背面而吸 附於J © ’故可自;谷觀體中去除霧氣等 4 65F ^ -ί；™ 板65F，、中任一者δ又置熱電偶，以調節溫度。 且使經醜化之光卩羯暴露於溶劑氣财後之烘烤亦可不在 ίίί ί行，而在例如第4處理裝置群組G4之烘 置46或後丸、烤政置47進行。換言之，亦可不在處理室62内 =烘烤後焕烤。且亦可不在基座62S内設置加熱部· 代ί以ί真工預備室64之頂棚部設置加熱燈，藉此進行烘烤。 溶劑$體產生部67八、溶劑氣體調整器“A等溫度當然僅 可藉由使用之溶劑、H氣體巾溶劑之濃度料當變更。、 魏於溶細熱變質或分解之溫度，於橋配管视、 2Β等内部大致不凝結之溫度。 燈υΐΐΠ由於光阻處理裝置60真空預備室64之紫外線 s形成之光阻酸射料光，而例如於第4 處縣置峡G4設置料光簡用處理|置，纽進行之。 亦可=為形成有光阻膜之基板例示以半導體晶圓’但基板 Ϊ示器(FPD)用基板，可為製造FPD使用财發明實ί 形怨之光阻塗佈顯影裝置及方法。 a爲她 【圖式簡單說明】 俯視^係顯示依本發明實施形態光阻塗佈顯影裝置構成之概略 本發明實施形態光阻塗佈顯影裝置之概略前視圖。 二4二、本剌實郷態細塗細影裝置之概略後視圖。 處理i置iHii3所示之光阻塗觸影裝倾包含之光阻膜 17 201128685 圖5係顯示靖4戶斤一 ，* 溶劑氣體驢II之概略賴處題置、溶觀體產生器及 圖6A係顯示圖5 _ 圖 圖㈣=„嘴之側視圖。 >、/合知丨氣體調整器之變形例圖。 所不之溶劑氣體調整器霧氣去除喷嘴之立體 【主要元件符號說明】 AR1、AR2…箭頭 C...匣盒 Π二:…處理裝置群組
Rl、R2、R3·..光阻膜 TC...熱電偶 UV··.紫外線燈 W…晶圓 1··.光阻塗佈顯影裝置 2.. .晶圓[£盒站 3.. .處理站 4…介面部 5…曝光裝置 6.. .載置部 7、50·..晶圓輸送體 7a…晶圓輸送臂 8.. .輸送路 13…主輸送裝置 17...光阻塗佈裝置 18 201128685 18.. .顯影處理裝置 ' 30、40、43...冷卻裝置 31.. .附著裝置 32、 42…延伸裝置 33、 34…預烤裝置 35.. .備用之烘烤裝置 36、.47...後烘烤裝置 41.. .延伸•冷卻裝置 ’ 44、45...曝後烤裝置 46.. .備用之烘烤裝置 51.. .周邊曝光裝置 60.. .光阻膜處理裝置 62.. .處理室 62E、64E...排氣口 625.. .基座 62P、64P...昇降銷 62H...加熱部 62B、65B...橋配管 62H1、62H2、65H...加熱器 64.. .真空預備室 64A...輸送臂 65A...溶劑氣體調整器 65T、67T...恒溫槽 65C...霧氣去除喷嘴 65C1...漏斗部 65C2...方形導管部 65C3...區隔壁 65F...檐板 65A1...溶劑氣體調整器 65Q.·:開口 19 201128685 66...導執 67A、67A1...溶劑氣體產生器 67B...吸氣管 67V…閥 20

Claims (1)

  1. 201128685 七、申請專利範圍： 1.一種光阻塗佈顯影裝置，包含·· =====成光阻膜； 劑蒸==，用以產生含有對該光阻膜具有溶解性之溶 體調整部’用以調整藉由該氣體產 ^ /崎具有於絲彡部顯_ _化^^且 膜㈣板，並可維持於減壓狀態，其中 亥 所基板供給藉由該溶劑氣體調整部所調ί之^體 排氣部，使該處理麵氣至減驗能。 之成體’及 2·如申請專利範圍第丨項之光阻塗佈 部之溫度設定成高於該溶劑氣浴劑氣 3.如申請專利範圍第丨或2項之光 T 氣體調整部包含： ▲ 1、、、貝〜衷置’其中’该溶劑 流入管，使藉由該氣體產生部產 轉^部，轉變該流入管的内部剖面形狀^1^入， 導官部，連接於該轉變部，為去除該氣體中 友 使自該轉變部流入之該氣體衝擊内面複數次。^有之務乳’ 逆:；=^更包含 室包含力 部項之光阻塗佈顯影裝置，其中，該處理 6:如申5月專利範圍第丄或2項之光阻塗佈顯 係_、丙二醇單曱㉝醋酸醋(PG施及N't其中，^谷別 其中任一者或此等者二者以甲基2。_同_) 7·—種光阻塗佈顯影方法，包含下列步驟： 在基板上塗佈光阻以形成光阻膜； 利用既定光罩使該光阻膜曝光； 使經曝光之該光阻膜顯影以令其圖案化； 21 201128685 之處$ ϊ ^抓随化之絲峨之基·納在可轉減愿狀態 產生包含對該光阻膜具有溶解性. 調整藉由該氣體產生部產生之該氣體^㈣之乳體， 對收納於该處理室之該基板供給經調整之該 8.=申請專利範圍第7項之紐塗佈顯影方n中，調整咳氣體 ίί驟包含使在產生靴體之步驟中職生之魏體溫度降低之 “經^^^^侧财法，計，更包 二f專利範Λ第7或8項之光阻塗佈顯影方法，其中，該溶 ^中、’、丙—醇單曱醚醋酸酯(PGMEA)及Ν曱基2吡咯酮(ΝΜΡ) 壬者或此等者二者以上之組合。 八、圖式： 22
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