TW201128249A - Optical module for transmitting and/or receiving optical signals - Google Patents

Description

201128249 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種光通訊領域的元件，特別是，可以雙向 或多向接收/發射光訊號的光學模組。 【先前技術】 一般光學模組係包含一個本體耦接至少一個光電元件及 一光纖接頭；其中光電元件包含一光電晶片配置在一底座上； 一金屬蓋(Metal Cap)組設在底座上；以及一玻璃片或一球形透 鏡組設在金屬蓋一端相對光電晶片。 上述光學模組的玻璃片或球形透鏡因具備透光及/或耦光 效果’所以需要向的安裝技術及精確的安裝結果；其導致光電 元件佔光學模組成本中的大部份，而玻璃片及/或球形透鏡更 佔光電元件成本的大部份；另外，金屬蓋也佔光電元件成本的 大部份。 對光電元件而言’金屬蓋的封裝(包含玻璃片及/或球形透 鏡)一旦產生誤差，則會明顯影響辆光效果；為了提高耦光效 果以及求量產時提高良率以降低成本，金屬蓋的型式通常為固 定型式；而光電元件的底座上更配置有一載體來承載光電元件 使其接近耦光元件(透鏡）。 請參閱第1圖’雙向光學模組(Bi_direction0pticalModule) 的構成是一光發射元件(光電元件)1002、一光接收元件(光電元 件)1004及一光纖(含光纖接頭)1〇〇6組設在一金屬本體1〇〇〇 上’一濾波器1008組裝在本體1〇〇〇内相對光纖ι〇〇6。如此 光發射兀件1002所輸出的光訊號可以通過濾波器丨〇〇8進入光 纖1006 ;光纖1006所輸出的光訊號經濾波器ι〇〇8反射後到 達光接收元件1002。 另外調整光發射元件1002及/或光接收元件1〇〇4的數 量，則可以形成多向光學模組。 以雙向光學模組為例，單模玻璃光纖(single_m〇de

Glass

Optical Fiber)因為光纖的耦光面積小，所以光發射元件1〇〇2 201128249 一般為雷射元件且藉雷射焊接(Laser Welding)接合金屬本體 1〇〇〇 ’藉此達到準確的定位及滿足耦光需求。 至於接收端的光電元件1004沒有輕光困難的問題，所以 採用PD或PINTIA ;然而PD或PINTIA的架構具有金屬蓋、 玻璃片或球形透鏡，這些形式的光電元件為高成本的架構。特 別是，對於多向光學模組而言，接收端的光電元件數量愈多’ 其因為金屬蓋、玻璃片及球形透鏡數量增加而更提高成^。另 外，玻璃片或球形透鏡也限制了耦光元件與光電晶片間的距 離。 光電元件除了因其型式(具金屬蓋、玻璃片或球形透鏡)而 提高了光學模組的製作成本外，光學模組中的光發射元件、光 接收元件及遽波器等元件不易於組配於金屬本體，以及光電元 件對應光纖無法達到有效的被動對準效果也是現今光學模組 的缺點。 US 5,552,918 號專利、US 6,493，121 號專利、us 6,854,897 號專利、US 7，153,038號專利、US 7,086,787號專利、US 7,258,494 號專利、IJS 7,125,174 號專利、US 7,403,716 號專利、 US 7,048,451 號專利、US 7,364,374 號專利及 US 20040218857 號公開專利’係揭露光電元件及/或濾波器快速或方便結合於 本體的設計；然而這些專利案仍使用具有金屬殼、玻璃片或球 形透鏡的光電元件’所以無法使光電元件或光學模組的製作成 本降低。 此外這些專利案都需要辅助性元件，然而為了配合輔助性 元件的配置，本體或光電元件的結構需調整或改變，甚至還需 要搭配其他元件’因此更會造成成本升高。 另US7,258,494專利案提供一個滤波器載座（fjiter holder) ’且二個濾波器相對地安裝於該濾波器載座上；此外更 有一獨立的透鏡被安裝在該濾波器载座上，且該透鏡相對濾波 器及光纖插頭。 然而由光發射元件射出的光訊號，以及被導入光接收元件 201128249 巧訊號皆需穿透該透鏡，如此透鏡與光訊號的對準關係 咼度的困難度。 【發明内容】 v 士躺的目的之—係在提供—種光學模組，其具有由第一 ίΐ二第二本體組成的混成本體。該混成本體能與光電元件快 速結合且具有準確的耦光效果。 本發明的另一目的係在提供一種光學模組，其具有至少一 f 3 ΐ在第二本體且相對光電树’藉此可以簡化透鏡的安 裝及提兩耦光效率。 一本發明的又一目的係在提供一種光學模組，其具有至少一 光干裝置例如濾、波器、多工器及/或解多工器，且配置在第 二本體表面或内部，藉此可以讓光學裝置的絲更為簡便。 根據上揭目的，本發明揭露一種光學模組用以結合一光纖 且傳毅/或接收至少一光訊號，其包含一混 t本fiybml housing)及至少二慨電元件崎在混成本體 / ^混成本體由一第一本體結合一第二本體，且第二本體 分別鴻光電元件；又—光學駭位在混成本體内 i ίίίΓ光軸。此外一插槽(femiiechannei)形成在第二本 ，’先纖接頭插入插槽内以執行光訊號的接收及/或發射。至 二掩械在第二本體的表面或内部。該透鏡位在光訊號的 仃進路徑且相對/對準一光軸。 、去;以藉由上述各元件的結構形式與彼此的組合組態，可以 達到别述的各項目的與功效。 種光學模組，其具有非金屬本體，特別是 μ本體上至少具有一透鏡及具有至少一插槽。 件與本體—體餅，且_鏡_光接收元 外該透鏡也可以是獨立且被安裝於該非金屬本體，該透 射 元件。該插槽可用以結合光纖接頭、光發 其次，更有-光學裝置，例如濾、波器、多功器或解多功器， 201128249 被配^在本體上；該光學裝置與絲號的行進方向形成有角度 的相交形式’特別是大約45度相交或大約9〇度相交。 此外，本發明揭露一種光電元件，其包括一個具備絕緣構 造之底座(header·)及組配在上述底朗絕緣構造 上；其中光電晶片係一端為具有較大厚度且可導電的同質基座 (N+基座），且二個電極位在同側具有相同金屬層；辅以l〇wK 材料(如BCB或SOG)降低電容的設計，或在底部鋪上s〇G造 成與底座絕緣的設計，如此可以使光電元件的製作具有高頻 寬、低成本、易製作及/或高良率的功效。 八 又一輔助接腳可與該底座的絕緣構造結合並用以承載光 ，晶片；藉由調整辅助接腳的長度，可以達到調整光電晶片的 咼度，當光電元件組設於電路板上，則輔助接腳可與電路板連 接而成為一電極，或是與電路板分離而不具有電極的功能。 +上述的目的；功效，以及本發明的其他目的、功效，可分 別藉由以下實施例並搭配圖式逐一說明。 【實施方式】 少請參閱第2a圖，用於光通訊的雙向(bi-direction)光學模組 係一混成本體(hybrid housing)10上組設至少二個光電元件，例 如一第一光電元件20及一第二光電元件3〇 ;又一光纖接頭 (fiber ferrule)41，例如陶磁棒，與光纖(〇ptical flber)42 組合配 置在混成本體10上。又一光學裝置5〇位在混成本體1〇内， 以及至少一光訊號43和44行進於混成本體10内。 上述的第一光電元件20可以是光訊號43的發射元件，例 如雷射元件；第二光電元件30可以是光訊號44的接收元件， 例如PD或ΡΙΝΉΑ 〇 該光學裝置50可以是濾波器(fiiter)、多工器、解多工器或 其組合。本實施例以濾波器為例，其可以讓發射自第一光^元 件β20的光訊號43通過且進入光纖42 ;而自光纖42輸出的光 訊號44經光學裝置5〇反射後由第二光電元件3〇接收。 請參閱第2a圖與第2b圖顯示混成本體1〇包含一第一本 201128249 體11及一第二本體12。更具體而言，第一本體u可以由金 屬或非金屬製成；第二本體12可以由金屬或非金屬製作；本 實施例的第一本體U為金屬材料製成，第二本體12為非金屬 材料製成的非金屬本體，例如具有聚醚亞醯胺成份的pEI脂 (Polyetherimide)或塑膠材料。另外第二本體12也可以由其他 樹酯材料或其類似材料射出成形，或是由陶瓷材料製成❶ 一關於第一本體11與第二本體12的組合形式，在第2a圖 顯不第二本體12配置在第一本體u内以形成混成本體1〇。 第2b、圖顯示第一本體U配置在第二本體12内以混成本體 10。然而無論是那一種形式的混成本體1〇，由塑膠 的第二本體12皆用以結合光纖接頭41。 進一步而言，第2b圖顯示第二本體12具有一容置室 (reCeiVedchamber)13，且第一本體11組設在該容置室13内。 請參閱第3a圖，混成本體10的第二本體12 °光纖接頭41與光纖42的組合係穿過第二 ^體11且插入插槽14。其次第一光電元件2 件30可以分_定在第—本體丨卜 Μ-先電兀 能夠二且第== =:(，多個)第二光轴62(或稱分光先：= ^也、約成正交狀旧而第一光軸61與第二光軸 以第-光軸61與第二賴62正交為例 成之銳角為30度至60度，或更為幻度至招 相=形 別是以45度為較佳。所以#却缺 又之間’其中特 繼—==^二光 7 S] 201128249 入第一光電元件30。此時該第二光電元件(光接收元件)3〇的 配置方向與第一光軸61約形成正交，或是介於80度至90度 之間。 又 v 另外一輕光元件’例如透鏡15可形成在第二本體12的表 面且相對第二光電元件3〇 ;所以光訊號更由該透鏡15聚光且 進入該第二光電元件30。 一請參閱第3b圖，透鏡15也可以形成在第二本體12内部 的光通道12a壁面且位在光訊號的行進路徑；又該第二本體 12具有一插入腔124且位在透鏡15的相對面；第二光電元件 30插入該插入腔124内。 值待注意的是，在第3a圖與第3b圖中皆顯示有一透光面 26形成在透鏡15的相對面。該透光面126係可以成傾斜狀 2第二光軸62形成非正交形式；然而也可以將透光面126 製成與第二光軸62形成正交。 又在非金屬的第二本體12上形成有一防裂構造125，例 或孔或細縫’且該防裂構造125相__ 14 ;如此 =接頭41以緊配方式或緊配加膠固方式插入插槽Μ時，插 2壁面不致因擠壓而產生裂痕，也可讓插槽14在環境溫度 變化下不致產生裂痕。 清造125的設計也可以應用於第二本體12的插入腔 第圖），其可以插入腔124不因受到光電元件30的 擠壓或溫度變化而產生裂痕。 人以上的說明，本發明主要揭露第—本體11與第二本 =12、、、σ δ成-混成本體1G ;第—光電元件2()、第二光電元件 3〇及光纖接頭41分別插設於混成本體1〇 ;更具體而言， 光電元件20與金屬的第一本體u結合，第二 7 光纖接頭41與非金屬的第二本體12結合；然而藉由選擇不易 屬材料來製作第二本體12，則第二本體12 =獨立地結合第-光電元件2G、第二錢元件％及光纖接 碩41 〇 201128249 根據以上說明，本發明具有以下特徵： ⑴混成本體1G可以由金屬的第—“ u 本體12組成，且混成本體1G内配置— 第- ^，光學裝置5G可以有角度地配置在第二本體12』= (2)第二本體12可以在光通道i2a内或第二# 中，形成一透細光元件)15 ;然而根據二^路^ 入.(=3體二可二具ΐ 一插槽14用以供光纖接頭41插 入H第—本體12以非金屬材料射出成形時 12的第一光軸61可以準確的對準插槽14 ;換古之 们 可以對準第-光軸61，且使得第一光電元件2〇=ϋ ，（4)混成本體10的第二本體12為非金屬射出 夠進一步地提供適當的插入腔124並且對準第二光軸㈤； 此第二光電元件30不但可以輕易地插入插入腔124盥 體12結合，還可以準確地對準第二光軸62。 〃 一

以上為混成本體10所具備的特徵，以及應 與第-光電元件2G及第二光電元件3G可達成的功效卜第0 -光電元件20為光發射元件，第二光電元件為光接收元件， 但並不以此為限。例如第一光電元件2〇與第二 以皆是光發射元件，或皆是光接收元件。—3G T 以下進一步地舉出雙向或三向光學模組的可能實施例，至 於多向光學模組則可依所舉實施例加以類推而得。 請參閱第4a圖，圖中揭露混成本體1〇的第一本體u具 有一接頭插口(ferrule socket)71。第二本體12具有一插槽14 且相對接頭插口 71 ; —透鏡15形成在第二本體12表面，以 及一光學裝置，例如濾波器51，有角度地配置在第二本體12 的外表面，例如傾斜地配置在第二本體12的一端。為了滿足 濾波器51呈現有角度地形式，第二本體12的端部可以形成一 201128249 傾斜面73，且該濾波器51安裝在傾斜面73上。 然而濾波器51不一定要結合第二本體12，其可以獨立地 被安裝在混成本體10内部，或結合金屬的第一本體u。 第一光電元件20與第二光電元件3〇組設在混成本體1〇 上，且光纖接頭41及光纖42的組合以自接頭插口 71插入插 槽14。另一/慮波器52配置在第二光電元件3〇的端部。 由於第二本體12具有透鏡15且可作為濾波器51的載 體，所以第二本體12與第一本體結合可同時完成透鏡15 與濾波器51的安裝。 再根據前内容可知，第二本體12由塑膠或樹脂材料製 作，所以第一光軸61與插槽14能夠準確地對準；光纖接頭 41與光纖42的組合插入該插槽14内可達到光纖42對準第一 光轴61的效果。 又適度地調整第一光電元件20的組設位置，可使第一光 電元件20對準第一光軸61。 至於第一光電元件30因搞光面積大，所以容易對準第二 光軸62及達到預定的耦光效果。 疋以在第一本體12的構造下，可使第一光電元件2〇與光 纖42準確地相對達到降低耦光誤差及提高耦光效率。〃 «月參閱第4b圖，第二本體12具有一插槽14，且該插槽 14結合第一光電元件2〇。 請參閱第5圖，本實施例與第4a圖的不同在於第二本體 12作為二個濾波器51和52的載體。其中濾波器51配置在第 二本體12 —端提供分光效果；濾波器52配置在第二本體12 内對進入該第二光電元件30之光訊號進行濾波。 然而將慮波52配置在第二本體12表面’甚至配置在透 鏡15表面或透光面126，皆是一種可行的實施組態。此外根 據第4a圖與第4b圖的教示，第5圖中的第二本體12可以改 變配置的方向使得插槽14與第一光電元件2〇結合。 請參閱第6圖，圖中揭露第一光電元件2〇與第二光電元 201128249 件^if1〇上。值得注意的是，第二本體12具 —個鏡 15 和 16，jSl tj? 2|fe AdL 1 ^ ju,. 平/、 15對應第二光電元件、30 ; ^丨f =電元件2〇 ’透鏡 „ 、占丄 恩及益51有角度地配置在笙-太體 2二慮波器52配置在第二光電元㈣上 5月參閱第7a圖，第二本體句人一笙―1Λ :二:=r;121 形二二 —相對ί=62第 插入腔124内。此外透鏡15形成在第二本體12 ^

位在光通道12a的壁面，或是在透光面126的相 立 一濾波器52可配置在插入腔124的 ，/、_人力 請參閱第_，第二本趙12#_=14及_插入腔 124，，、中祕槽14結合第一光電元件2〇 結合第二光電元件30。 ^ 12 以上第3a目至第7b ®所揭露的第二本體12可且 15 ’特別是該透鏡15皆用以將來自光纖的光訊號g 接收功能的第二光電it件30 ;其主要的原因是=尤 例如PIN··或PD，對於光學特性的要求較低，所以可以利 用第二本體12(娜件)直接成形透鏡ls以對應第二光電元件 30。 另外，插槽14形成於非金屬材料製成的第二本體12上， 且該插槽14可以結合光纖接頭41及光纖42的組合體或是 結合第一光電元件20 ;是以第二本體12若具備二個插槽14， 則其一可結合光纖接頭41及光纖42的組合體，另一結合第一 光電元件20;換言之插槽14可與插入腔124為同性質的構造。 其次，濾波器(光學裝置)51可將來自光纖42的光訊號導 入該第二光電元件(光接收元件)30,並且可以竑少夾白#鑣 的光訊號進入該第一光電元件(光發射元件)20。一般而言，第 一光電元件(光發射元件)20所發出之光訊號的光波長對該淚 波器(光學裝置)51，可以有至少80%的穿透率；而光纖42g 201128249 發光的光訊號波長對該濾波器（光學裝置)51，可以有 %的反射率。 υ 晴參閱第8圖，圖中顯示第二本體丨2内部配置—獨立的 透鏡79，例如玻璃透鏡或是塑膠透鏡，且相對光纖犯。如此 ，有光發射元件(20)的光訊號會經透鏡79進入光纖42，而提 高粞光效率。本實施例與US7,258,494的不同在於：第二本體 12具有一體成型的透鏡15，且該透鏡15對應第二光電元 30，且US7258494以單一透鏡所欲達成同時滿足多個光發 元件及光接收元件實施方式亦不相同。

,請再參閱第7a、7b圖與第8圖，藉由高精密度的射出成 形1術’讓插入腔124的位置準確地對準透鏡15及第二光轴 62是可以達成的，所以第二光電元件30組設於插入腔124内 便可輕易地達到對準第二光軸62的效果，同時也讓被動對準 的組立方式成為可行且具備實用性的組立方式。 叫參閱第9a圖，在第二本體12的光通道i2a中可形成二 個相對的透鏡19a與1% ;另外在第二本體12的端部形成傾 斜面73，而濾波器51可以有角度的配置在該傾斜面乃上； 又第二本體20上開設一穿孔127 ;該穿孔127與光通道12& 相通，且另一濾波器52配置在該穿孔127處。第二米學元件 30組設於混成本體10且對應穿孔127及濾波器52。 請參閱第％圖，第二本體π的光通道i2a中可形成二個 ，對的透鏡19a和19b;濾波器51可以有角度的配置在該第 一光學元件20 —端；另一濾波器52則配置第二光學元〇 的端部。 第9a圖及第9b圖所顯示的結構形式，可以讓第二本體 12與透鏡19a和19b的製作、濾波器51和52的安裝更為簡 便且更能夠被具體實施。 一請參閱第1〇圖，本實施例包含一個第一光電元件(光發射 元件)20、一個第一光電元件(光接收元件)3〇及一第三光電元 件(光接收元件)31組設在混成本體1〇上。二個濾波器51和r s] 12 201128249 53組設在第二本體12内部，其中濾波器51具有濾波功能， 而另一滤波器53具有濾波及/或分光的功能；二個透鏡η和 17形成在第二本體12的表面且分別相對第二光電元件3〇及 第二光電元件31。其次，流光片32可配置在第二光電元件32 及第三光電元件31的端面。 上述、，，σ構組態為二向光學模組(杜iplex 〇pticai m〇dule)。其 中第二本體12藉高精密度的射出成形技術製作成形，且根據 前，說明内容，第一光電元件2〇與光纖42可以達成方便耦光 及高耦光率的效果；此外透鏡15和17形成在第二本體12上(或 内部）’可以免去安裝獨立透鏡，以及提高第二光電元件3〇與 第三光電元件31的輕光效率。 凊參閱第11圖，本實施例與前一實施例的不同處在於第 二本體12具有一透鏡16相對第一光電元件2〇。第一光電元 件2〇 ’所以可以不具備球形透鏡。根據前述内容，第一光電 ，件2〇細己置球形it鏡可以達到降低成本的效果，同時藉由 高精密射出技術，透鏡16直接形成在第二本體12上可提高第 一光，元件20與光纖42的對準效果及耦光效率。 請參閱第12圖，複數插入腔75、76和77形成在第二本 體12上’各插入腔75〜77的壁體而延伸結合該第一本體^。

第「光電元件2G肖二個第二光電元件3心3丨可以分別組設 内；又每-插人腔75〜77可以相對一透鏡 Ϊ光電元件20、第二光電元件30及第三光電 元件31可達到被動對準的輕光效果。 光電元件(光發射耕)2G係位在I纖42的相 」而本發明的第二本體12所提供的插入腔75〜77可 ΐΐίΐίίίί 2G、第二光電元件3G及第三光電元件31 白月^達到_光效果，所以第—光電元件2()可以配置在其 他位置。 射二S’主二出第:竟二雷 201128249 ♦

所以傳統雷射通常使用玻璃透鏡來聚光耦合到光纖，是因為玻 璃材質熱膨脹係數(CTE)較小’且玻璃透鏡形狀不會隨溫&變 化改變太大，然而採取雷射二極體為量子點(Quantum D〇t)雷射 或量子井(Quantum Well)雷射，其光的輸出功率在環境溫度升 南時不會有太多的改變’因此將量子點雷射元件應用於第η 圖與第12圖中的第一光電元件20，則量子點雷射對應第二本 體12上的塑膠透鏡，兩者的相互作用仍可在溫度變化時保有 良好的耦光效率及達到合適的光輸出功率。 上述的量子點雷射或量子井雷射為本實_之示例；換古 之，本實關可搭配錢「溫度不敏_射」，其為具有高& ，隙差異(High Band Offset)及好的光及電侷限(〇ptical — E?ctncal Confmement)。—般可為量子點(Qu她坩_雷射或

Well)雷射’另外含蹄料的雷射也符石溫度 =敏感雷射的要求，進-步言，溫度不敏感雷射也就是雷射特 徵(characteristic temperature)溫度在 8〇κ 以上。 閱帛13圖’第-光電元件2〇可以配置在相對第三光 的方向。第二光軸63係約垂直第—光軸6卜 相對教示，第-光電元件2°伽 準第一光輪61。當_光電元件2〇與光纖接頭41分別對 件30對準第二光軸j。一光軸61，且第二光電元 特定或-雜的光贿I ^心配置衫二光軸62上且 第三光電元件31行1。 射並沿著第三光軸63的方向朝 因此行光本體12内且位在第二光軸62上， y刀別朝第二光電元件30與第三光電元 201128249 件31的光訊號可以共用透鏡18。 請參閱第15圖，圖中揭露第二光電元件3〇與第三 件Μ共用位於第二本體12内的透鏡18 ;除此之外，一 電元件20對準第二光軸62且相鄰光纖接頭41。 第14圖與第15圖的實施例之中，一較佳實施 鏡18主要係處理來自於光纖接頭41的統號。換馬， 此實施例中，第二光電元件30與第三光電元件^ 元件，而第-光電元件20為光魏元件。 ^先接收 —以上各實施例揭露在混成本體1〇内有一個用以 元件的光學裝置或滤波器，其被安裳成傾斜狀。例如^ 被安裝在第二本體内部，或是被安裝在第二本體^部

光學裝置或濾波器除了配置在第二本體上或 以有其他的配置位置。 ΓJ 請參閱第16a圖，第-光電元件2〇，或第二光電元件3〇， 或第二光電το件31的金屬外殼—端可製作成—傾斜面％ 請參閱第16b ®，一滤、波器52係傾斜地配置在 凡件30 -端，當光訊號到達遽波器52 號;皮器52進人第二光電元件3G内， 以外的光波長訊號，則可以反射朝第三光電树31行進。 元件ΐ ΐί 的光電元件除了依魏而區分為光發射 f A i卜’另依其封裝架構可以區分成το-c如架 f。無論是那一種架構，其需要一底雖_ 來承载TbH例如第-光電元件會具有—底座，且一 光，晶片位在底座上，其他的光電元件可依此雜。以下的說 明U取用TO-Can架構的光電元件為例，然 Leadftame 架構。 請參閱第17a ®，依光電晶片81(第一光電晶片、第二光 201128249 電aa片或第二光電晶片）的配置模式區分，該光電晶片μ位在 一匹配元件82上，且匹配元件82固定在底座8〇。上述的匹 配元件82可以是傳統的載體、驅動Ic、主動元件、被動元件 或其組合。第17b圖揭露另一種光電晶片81的配置模式，係 將光電晶片81配合適當的黏劑或焊料而直接地固定於底座⑹ 表面。 請參閱第18a圖，依光電元件的外殼封裝架構模式區分， 一外殼(cap)83配置在底座80上且一端為開口 84。開口 84相 對光電晶片81，且開口 84處沒有遮蔽物。第圖揭露底座 80上沒有配置外殼。 一 請參閱第19圖，一薄膜85可覆蓋在光電晶片81局部或 全部表面；薄膜85是一種高分材料，例如Fiuoro _P〇iymer，

其對應的溶劑(Solvent)為 methoxy-nonafluorobutane (分子式 C4F90CH3)。而 Fluor〇P〇lymer 可為 flu⑽chemicai ㈣娜 polymer - fluorosilane polymer ' FLUOROALIPHATIC POLYMER、METHYL NONAFLUOROISOBUTYL ETHER、 METHYL NONAFLUOROBUTYL ETHER、或其它類似的材 料之一或其組合。溶劑的選擇主要須要低沸點（65〇C以下）， 而其混合之溶液在覆蓋元件並適度揮發形成乾膜(_ fihn) 後’ Surface Energy介於10〜I5dynes/cm。存在於特定條件下， 其揮發後的薄膜厚度甚至可低到〇.01〜〇.lum，且仍具有防止元 件退化的效果。 藉由浸置或是滴入的方式可以將液體的高分子材料附著 在光電晶片81上，俟揮發乾燥後即形成薄膜85。 本發明的第一光電元件20、第二光電元件30及/或第三光 電元件31除了可選用TO-Can架構或Leadframe架構外，其光 電晶片配置模式可以是第17a圖或第17b圖所揭露的一種；其 外设封裝架構可以是第18a圖或第18b圖所揭露的一種；此外 光電晶片上可以有一高分薄膜覆蓋，也可以沒有。 在上述的雙向或三向光學模組的實施例中，可以在第二本 201128249 體12表面或内部配置一個濾波器52相對第二 第三光電元件3卜藉此齡混於光概雜訊；或是1 器n置閱在第第或第三光電元件31的外殼二 印參閱第20圖，另一種配置濾波器52的方 器52配置在光電晶片81的發訊號行進路徑 達g请 除雜訊的效果。 W以違到/慮

，外，/慮波器52可以蠢晶的方式形成在光電晶片μ上。 請參閱第21圖，本發明的實施例中，第二本體12 且 J透鏡15，加上第-光電元件2G、第二光電元件％及第三^ ^件31的外殼83上具有一開σ 84，所以透鏡15可以延伸 穿過開π 84而接近找^ 81 ;如此可以提綠光效率。 一由前述說明可知第一光電元件20、第二光電元件3〇及第 二光電元件31可分別組設在插入腔75〜77内。本發明提供一 f緊配合的手段’讓光電元件無人腔能m綠結合且達到被 動對準的效果。 "月參閱第22a圖，圖中揭露插入腔75〜77形成在第二本 ，12’且插入腔75〜77的内壁面具有複數凸緣9b每個凸緣 1的一端具有一導角構造92且毗鄰開口 78 ;每個凸緣91的 另一端相對一逃氣機構93。更具體而言，插入腔75〜77的内 :形成-環部94位在凸緣91 #-端，且逃氣機構93為槽狀 構造且形成在環部94上。 另一種逃氣機構的設計是在插入腔的壁面開設貫穿構造 的穿孔932。 =、.請參閱第22b，第一光電元件20、第二光電元件30及第 二光電元件31相對各插入腔75〜77時，可藉由導角構造92 的引導’使各光電元件20、30和31順利且方便地進入各插入 腔75:77 ;同時，各光電元件2〇、3〇和31會與各凸緣91形 成緊密的接觸，如此可限制各光電元件2〇、3〇和31沿插入腔 75〜77徑向的位移；當光電元件20、30、31接觸到插入腔75 〜77内的擋緣95，則限制各光電元件20、30和31沿插入腔 201128249 75〜77軸向的位移。 電元件2G、3G和31為緊錢觸，甚至 士：兀：0、30和31的移動會造成凸緣 20、3〇和31與插人腔75〜77形成緊配合；至= 緣91 X麵魅生粒妓職㈣魏機構％内。 各^件=2安裝至定位後，逃氣機構93的 落入插入内⑼㈣的表面封住铺微粒不會

請參閱第22c圖，在安裝光電元件2〇、3〇和31時， 腔15二77内的氣體找壓縮後，可以由逃氣機構93，以及插 ^77與光電元件2〇、3〇和31間的間隙96排放到外界， 所以此夠方便且順利地完成安裝。 雙向或二向光學模組以一光纖收發光訊號，所以需要讓 射與接收的光訊號有不同的光軸。 請參閱第23 ®，讓接收光訊號與魏光喊不在同一光 軸的方式之-係-傾斜角45度軸在光纖翻41的端部;如 此光訊號進出光纖42時便會產生不同的行進角度。

，參閱第24圖，另-種讓接收光訊號與發射光訊號不在 同一光軸的方式係將插槽14相對第二本體12製作成傾斜狀， 如此光§fl號進出光纖42時便會產生不同的行進角度。 請參閱第25 ® ’又-種讓接收光峨與發射光訊號不在 同一光軸的方式係將第二本體12的局部製作成傾斜部122且 插槽Μ形成在該傾斜部122内，如此光訊號進出光纖幻 會產生不同的行進角度。 歸納以上的說明的内容’本發明揭露一種具有第一本體及 第一本體的混成本體。第二本體可以藉高精密度射出成技術製 成，且形成透鏡及/或插入腔對準預定的光軸，所以光纖接頭 及一般光電元件可以配置在混成本體或第二本體上。 更進一步，光電元件可以選用具有外殼架構的元件 (TO-can或Leadftame)，外殼一端具有開口，且開口處無配置 201128249 玻璃或球形透鏡’所以光電元件或光學模組可因為沒有玻 或球形透鏡辦低成本；此外光電元件若是私第二本體的插 入腔’則可藉由適當的封裝技術使光電元件與插人腔形 植賊先電元件 另外，選擇沒有外殼，或是外殼具有開口的光電元件可 以，透鏡實質地的接近光電晶片，所以有助於提絲光效率。 能夠實質地接近光電晶片，所以無論光電晶片與底座 載體’皆可以藉由調整透鏡與光電晶片_距離而滿足

賴光需求。 古又高分子材料的薄膜可以隔離空氣及/或水氣，所以將薄 间刀子膜薄應用於沒有外殼的光電元件，或外殼 元件’其有助於找元件/絲模組滿足·的要求\的先電 另外光電元件可以藉由緊配合方式與第二本體結合，苴组 5手段方㈣且能_少雌成本；_狀配於子薄。覆 光電aa>i或光電元件的技術手段，更可以免除—般的密封 封裝，既能降低成本又能滿足環測要求。 一#由第3a圖至第7b圖可知’本發明所揭露的光學模組具有 :第二本體(非金屬本體)12;特別是，該非金屬本體12上至 乂有個體成形的透鏡15及一插槽14 ;更進一步而言，透 可位在非金1本體12表面肋部，且對應光接收^件， Ιί第^電元件3G。此外_ 14可用以結合光纖接頭或光 發射元件，例如第一光電元件2〇。 _ ^第二本體(非金屬本體)12更可以如第6圖所示具備另一 〇第一本體12 -體成形的透鏡16，或是如第8圖所將一個 =立，透鏡79安裝於第二本體12 ;透鏡16或79用 該一光電元件20。 Μ 進一步，在第％及第％圖，則顯示透鏡19a與19b可 邪為第-光電元件2G與第二光電元件3G的共_光裝置。 以上為本發明的可能實施例，但並不以此為限。更進一步 201128249 而&，以第一本體與第二本體構成一混成本體，及第二本體且 有插槽能夠與光纖接頭結合為前題，並且由前述的說明中選g 適當的第二讀的結構形式(有無第二部、傾斜面），透鏡形成 於第二本體上的位置與數量，濾波器的種類、位置與數量，光 電元件的架構、封裝形式(有無外殼、開口及傾斜面），光電晶 片的配置m電元件(光電晶片）有無_覆蓋，光電元件 與插入腔的組配結構，以及光纖接頭的插入形式，搭配混 體以構成光學模組，其皆為本發明所欲轉或欲支持的範圍。 其次，關於上述之光電元件的架構除可為一般的T〇_can 或Lead-frame外，亦可改良為具有以下所揭露之優化架構。 第26、27圖揭露一種光電元件的底座2〇〇結構，豆呈 一金屬盤體(metal stem) 202、複數支可作為電極的電^腳 204a〜204c及一支接地接腳204d ;其中各接腳2〇4a〜2〇4d的 一舳可嵌入該金屬盤體202 ;特別是，電極接腳2〇知〜2〇牝可 搭配-非導電材料206，例如玻璃、塑膠材料，或其他類錄 質，材料，使得金屬盤體2〇2與各接腳2〇4a〜2〇4e形成不導電 狀態。

更進-步，金屬盤體202具有一第一面(盤面)2〇8，及一 第二面(底面)209相對第-面罵，例如圖中的上表面及 面；一嵌孔220形成在第一面208與第二面2〇9之間且位於 -面⑽的中央區域；-絕緣構造224，由絕緣 的 入件，組設於嵌孔22〇内或織入射出(insert m〇lding)方^ 成於嵌孔220内。絕緣構造224可以全部或部份的體積位於盤 體202的第-面208與第二面2〇9之間，且該絕 以承載光電晶片226。 得也外用 特別疋’絕緣構造224具有一第一端224a及一第 224b ’其中第一端224a可相鄰且平齊於第一面，且 端224a承載光電晶片226。上述的絕緣構造224 的絕緣件祕騎位。 ^ 選用電極226a和226b位於同一側的光電晶片挪，且將 20 【S} 201128249 光電晶片226配置在絕緣構造224的第一端22乜，則導線22如 • 和f28b可分別連接電極226a和226b與接腳204a和204c;此 狀態下的光電晶片226與底座200的金屬盤體2〇2成為不導雷 • 的斷路狀態。 ’ 上述貫施例提供一種創新的底座2〇〇結構且能夠與光電 晶片226形成絕緣效果’其有別於傳統底座需藉由載體g載光 電曰曰片或疋在光電晶片上形成絕緣層的結構形態。 第28a圖揭露光電元件230可包含上述的^座2〇〇及 晶片226，以及更包含一蓋體(cap)232組設在底座2〇〇上；苴 中蓋體232 一端具有開孔232a，且開孔232a可配置一光學^ 置234，例如透鏡或玻璃片，或開孔232a處無配置任何元件 或裝置。上述的開孔232a或光學裝置234係相對光電晶片226。 又第28a圖顯示絕緣構造224的第一端224a係凸出金屬 盤體202的第一面208 ;因此光電晶片226位在絕緣構造224 的第一端224a除了與金屬盤體202形成絕緣外，更可搭配第 一端224a的凸出高度而改變與光學裝置234或開孔23^的距 離，藉此調整耦光效率。 根據上述實施例的教示，第28b圖顯示，絕緣構造224的 第一端224a可以凹低於金屬盤體202的第一面208。 φ 再者第28a圖或第28b圖中’絕緣構造224的第二端224b 可以凸出、齊平或凹入該金屬盤體2〇2的第二面209 ;或參照 以下的實施例的說明。 ' 第29圖及第30圖顯示一個大面積的嵌孔252開設在底座 240的金屬盤體242上；特別是被孔252的面積包括金屬盤體 242的中央區域及鄰近的邊緣的區域；絕緣構造254可組設於 嵌孔252内’或藉射出方式形成於嵌孔252内。值得注意的是， 電極接腳244a〜244c位在嵌孔252的範圍内且一端結合該絕緣 - 構造254;又光電晶片256配置在絕緣構造254的第一端254a。 上述金屬盤體242與各電極接腳244a〜244c及接地接腳 244d(見第29圖)可先組合’然後將組合體導入適當的射出成 201128249 形機具及模具内，搭配嵌入射出方式’將絕緣材料注入嵌孔 252内以形成絕緣構造254 ’同時利用絕緣構造254結合各電 極接腳244a〜244c ;此外可以利用射出製程的合模壓力，使接 . 地接腳24牝與金屬盤體242結合，或另外針對接'地接腳24如 進行沖壓使其結合金屬盤體242。 此外第30圖中顯示絕緣構造254的第二端254b齊平金屬 盤體242的第二面249或嵌孔252的孔緣；然而根據前述說明 可知，第二端254b也可以凸出或凹入該金屬盤體242的第二 面249 ;或參照以下的實施例的說明。 第31a圖顯示一光電元件260由底座240與光電晶片256 組合且更搭配一蓋體262而組成；特別是，絕緣構造254的第 一端254a具有一體成形的一凸部255 ;該凸部255凸出金屬 盤體242的第一面248，且光電晶片256組設在凸部255上。 如此光電晶片256與金屬盤體242形成絕緣，且光電晶片256 可藉此調整與蓋體262上的光學裝置264相對位置而提高耦光 效率。 根據刚述實施例的教示’光學裝置264是組設在開孔262a 内，其可以是透鏡或玻璃片；此外，開孔262a處也可無配置 任何元件或裝置。 • 又根據前述實施例的教示，第31b圖顯示該絕緣構造254 的第一端254a可以具有一凹空257。該凹空257可低於金屬 盤體242的第一面248，且光電晶片256配置在凹空257内。 上述的絕緣構造224、254可利用第一端224a、254a的凹 空257來承載光電晶片226和256，且第一端224a、254a可以 平齊、凸出或凹低於第一面2〇8、248。 第32a圖顯示一輔助接腳270配置在絕緣構造224的軸 向。輔助接腳270具有一第一位置271及一第二位置272，其 • 中第一位置271可露出絕緣構造224的第一端224a且相鄰金 屬盤體202的第一面208 ;第二位置272可穿出絕緣構造224 的第二端224b ;光電晶片226配置在第一位置271上。 22 201128249 出絕示27G的第—位置271侧顯的凸 2〇〇 M ,的第—糕224a，或金屬盤體202的第一面 調整光電晶片226所處高度的目的。 270的笛m 2圖與第32b圖所揭示的結構中，輔助接腳 相^相ιί的水平位ί顯^極接腳2〇4a、204c的端部不處於 斷，n i 2千位置，例如將輔助接腳270的部份長度剪 進而形成斷路。 會械懸空而不與電路連接， 以伞ΐ據ί 、絕緣構造224和254之第一端2地和25如可 輔：1腳2703低j盤體2〇2之第-面2〇8的實施概念， 也可以被設計成平齊、凸蚊凹 油ΪΪΪ光電晶片226可為習知以Ν+為基座的晶片，且其 電極使用不同金屬層及位在上、下側由 曰 位置職，=: 參 加ΐ光電晶片226的二個電極位在相同側，例如位在上方 卜則形成斷路的辅助接冑27〇丨會影響元件的電極特性。 270 ^ H露另一實施例，其主要是調整或改變輔助接腳 270 ?^度，使其第二位置说與其他電極肠、2〇知的端部 或相同的水平位置；當綠2〇〇或其構成之光電元件 ^在電路板上，輔助接腳27G可與電路連接而形成通路。特 光電晶片226的電極位在上 '下側，則下側的電極可與 辅助接腳270電性連接，並以該辅助接腳27〇作為電極。 第32a〜％c圖+的底座200是選用第2、3圖所顯示的結 構’所以各接腳204a〜204d與絕緣構造224為相離；然而亦可 ，用第29、30圖所揭示的底座24〇結構，並依上述施例所 教不’將輔助接腳270組設於絕緣構造254的軸向且使得各接 腳244a〜244c的一端插入絕緣構造254内。 S] 23 201128249 第33a及33b圖顯示金屬盤體281上開設一嵌孔282，且 . 一絕緣構造283嵌入嵌孔282内；特別是，複數電極接腳 284a〜284c的一端穿過絕緣構造283，且各電極接腳284a〜284c * 的端部具有電的良導體285(見第33b圖)。上述電的良導體285 可以是金。 此外更有一金屬薄膜287配置或鍍設在絕緣構造283的第 一端283a表面，且使金屬薄膜287與金屬盤體281形成電性 相連。金屬薄膜287的周邊具有缺空288用以對應各接腳 28如〜284c，藉此使得金屬薄膜287與各接腳284a〜284c形成 電性相離狀態。至於光電晶片286則配置於金屬膜287上；若 光電晶片286有一電極位於底面且與金屬薄膜287接觸，則該 金屬薄膜287可作為打線區域。 再參閱第％圖，嵌孔282可被製作成錐形孔狀，而且絕 緣構造283的外形製作成與嵌孔282形狀相符，因此絕緣構造 283置入嵌孔282内可據此達到緊密的結合及定位效果。 第33c、33d圖所揭示之實施例與第33a、33b圖之實施例 的不同在於：金屬薄膜287上開設有一開孔289;光電元件286 位在§亥開孔289内且配置在絕緣構造283上。至於金屬薄膜 287可選擇是否與金屬盤體281電性相連。 ' • 第33e圖係根據第33d圖的結構加以演化，其特別處在 於：一凸部2831凸出地形成在絕緣構造283表面且穿過金 膜287的開孔289 ;光電晶片286配置在凸部2831的端部。 第33f圖揭露絕緣構造283的周邊可進一步延伸形成一延 伸牆部283^;該延伸牆部2832的一端為具有開放口期的 開放端；一蓋體2834組設在延伸牆部2832的開放端，藉此 構成光電元件的組態。 此外延伸牆部2832具有一缺口 2832a，如此一來，打線 - 用之尖嘴容易靠近元件；同樣的道理亦可用於第34a、34b、 36a、36b圖及第37a圖所示的結構中。 再者，辅助接腳270可組設在絕緣構造283的軸向，其第 24 201128249 一位置271可承載光電晶片286 ’且調整輔助接腳270的長度 或高度，可進而達成調整光電晶片286所處高度的效果；又辅 助接腳270的第二位置272伸出絕緣構造283長度若相對其他 接腳284a、284c成為懸空狀，也就是輔助接腳270的第二位 置272比電極接腳284a、284c的自由端更接近盤體281的第 二面281a，則未來使用該光電元件時，辅助接腳270可以不 位於電路上而形成斷路，·若第二位置272伸出絕緣構造283的 長度或位置與其他接腳284a、284c的端部（自由端)相當，則辅 助接腳270可作為電極且用來連接電路。 此外，若要輔接接腳270的長度足以連接電路，但又要使 其與光電晶片286形成絕緣或斷路，可以在光電晶片286的基 座之下配置一個絕緣層構造，例如旋制氧化矽(Spin⑽ SOG) ’並接觸輔助接腳270，如此可達到上述的要求。 ，33f圖所揭露的輔助接腳27〇的第一位置271明顯凸 ί金屬盤體281的表面，因此可達到調整光電晶 的目的。此外，第糊所揭露的延伸牆部2832 構也適用於帛33b及33d目所揭示之底座結構。 屬盤】3 牆部294 _緣構造293嵌設在金 例盘笛H 向，且一蓋體295結合延伸牆部294 ;本實施 所揭露之實施例的不同處在於：本實施辭 配置金屬溥膜於絕緣構造293表面。 …、 非么明的盤體202、242和281主要由金屬爐、生长社人 非金屬或絕緣材料製成之絕緣構造224、3 造並結合 了上Ϊ的結構外，亦有其他構成結構。和283;然而除 4c圖揭露更有-支樓構造293a形成在絕緣構造撕 25 m 201128249 ΐ ΐ 光學襄置293b組設在支樓構造293a上且相 。上述的光學裝置293b可以是濾光片或監控 ΐ支撑構造施可以是一對凸出的柱體、環 办tit足以支禮光學裝置293b或提供光學裝置293b安裝 位置的構造。 w ='圖,揭露一非金屬盤體300 ’以及複㈣極接腳 a~〇4c，、且設在非金屬盤體3〇〇 苴 304邊的一端可凸出於非金屬盤體的第:面中 的良導體3〇5。又金屬膜307係配置在非金屬盤體 的表面，且光電晶片3〇6組設在金屬膜307上。如此光電 aa片306的電極可藉導線(未顯示)與接腳3〇如、％如電性 接，或金屬薄臈307電性連接光電晶片3〇6的一電極再以一 )連接金屬薄膜307與一接腳3〇4a或施，藉此 形成電性連接。 柯 此外在第35a圖中，若將電極接腳3〇4a、3〇物 如 ，電的良導體305與金屬膜3。7連接在一起，則可以不使 線就可以讓電極接腳3G4a、3G4b或3G4e與光電晶片3〇6形成 電性連通。 a 第35b圖所顯示之結構與第35a圖的不同處在於：金 =07上開設有-開孔308 ;光電晶片3〇6植設在開孔3〇8的 範圍内且位在非金屬盤體3〇〇的表面。 第35c ®所顯示之結構與第说圖之不同處在於 盤體300具有-體的凸部3〇9 ;凸部3〇9高出第一面ι〇ι且 穿過開孔308用以承載光電晶片3〇6。是以凸部3〇9且 光電晶片306高度的功能。 、值得注意的是，凸部309具有絕緣特性，因此 述實施例的絕緣構造。進-步可推知，在非金屬盤體上 以將其中央區域定義成用以承載光電晶片3〇6的絕緣構造，而 且根據本發明的前述說明，絕緣構造可以齊平' 非金屬盤體300的第-面30卜 於 26 S] 201128249 、—圖揭露非金屬盤體3GG的周邊可延伸形成一環狀構 31〇 ;延伸牆部31〇的一端為具有開放口 311的 二m，一蓋體312組設在該延伸牆部31〇的開放端；其次蓋 沾域端可具有一光學裝置314，例如(球形)透鏡、（平面） 玻璃，或僅僅是一個開孔且無配置任何元件。 f 36b圖顯示一辅助接腳27〇配置在非金屬盤體3〇〇的軸 二^助接腳270的一端凸出非金屬盤體3〇〇的第一面3〇1且 電晶片306 ;蓋體312組設在延伸牆部31〇的開放端；

凸出第一面3〇1的長度或高度可用以調整光電晶 片6的咼度’藉此使光電晶片306接近蓋體312的光學裝置 314。此外輔助接腳7〇也作為光電晶片3〇6 成斷路狀態。 在第36a圖與第36b圖所揭露的實施例中，非金屬盤體 300的第一面301上可配置一金屬薄膜3〇7。 第3fa圖揭露非金屬盤體300的延伸牆部310上配置一蓋 體3 複數電極接腳3〇4a〜3〇4c嵌入非金屬盤體300的軸向； 光電晶片306或其他的光電/電子元件，配置在其中一電極接 腳304b上，且該電極接腳3〇4b可以形成斷路，或是作為一電 極。本實施例與第36b圖所示實施例的相異處在於：本實施 無金屬薄膜。 第37b圖b揭露的組態與第37a圖所揭露的組態不同處在 於：士電極接腳304a〜304c嵌入非金屬盤體300的方向；此外 光電晶片306為pin二極體並且電性連接一轉阻放大器 (TIA);其中電極接腳304c成懸空狀態，所以電極接 將為斷路。 根據第37b圖所顯示的結構形式，底座的製作可以選用圖 37c及圖37d所顯示的形式，其可先製作具有適當之各電極接 腳304a〜304c的連續金屬帶或金屬片；進而利用射出成型方 式，於各電極接腳304a〜304c的一端(如第13c圖)或靠合處(如 第37d圖)成形一非金屬盤體3〇〇。如此可使非金屬盤體3〇〇 [S] 27 201128249 與各接腳304a〜304c的射出成型更加方便。 以第37d圖為例，形成連續帶狀或片狀的底座結構後，可 以再逐一的針對每一個底座進行配置光電晶片306、匹配元件 及打線(未顯示）；紐再進行肋，藉此形鮮—顆粒狀的光 電元件。 一，統的光電元件的方式是先製作出單一的底座，然後再逐 二，定體，很小的底座及配置光電晶片與打線；其中底座要逐 -定位不容易；而本發明可以使複航座構成連續帶狀或大面 積的片狀，方便製作設備夾持與定位，所以本發明可解決傳統 配置光電晶片與打線時所產生的不便性。 根據第37b〜37d圖所揭露内容的教示，關於非金屬盤體 3〇〇與各接腳施〜304c的組合可推及第π、％及^〜说 圖所顯式的形式及其均等形式。其中在非金屬盤體3〇〇上可配 置一金屬膜307。 又第37f及37h圖揭露接腳284a〜284c配置在金屬盤體292 與絕緣構造293所組成的混合架構的水平方向。其中絕緣構造 293上具有一金屬薄臈287，與金屬盤體292可電性相連。 在上述實施例_提及絕緣構造224'254、283和293可藉 自身在金屬盤體202、242、281、和292上形成一個獨立的、^ 緣部件，或搭配輔助接腳270形成一個獨立的絕緣部件；更進 一步，絕緣構造224、254、283和293的端面可以齊平、凸出 ，凹下於該金屬盤體202、242'281、和292的表面，且光電 晶片226、256、286和296可以配置在獨立的絕緣部件上。 然而除了上述的架構外，第38a圖顯示絕緣構造32〇可具 有柱體321且端面322為傾斜狀，一光學元件/光學裝置323 係配置在端面322成傾斜狀；又第38b及38c圖顯示絕緣構造 320應用其凸出的柱體321及平整的表面325可分別配置光學 元件/光學裝置323和324;第38d圖揭露絕緣構造32〇可具^ 二個柱體321和326且分別配置光學元件/光學裝置32厂和 324，第38e圖揭露絕緣構造320更可具有凹空327且供光學 28 201128249 元件/光學裝置328配置。 . 由第38a〜38e圖所教示，絕緣構造320上可以具有一或各 個柱體32卜326及凹空327，且其端面可以形成傾斜面或平 • 面狀，更可以在絕緣構造320的柱體321、326、凹空327及 表面325配置光學元件/光學裝置323、324且互相對1，藉此 滿足光電元件所要求的光電特性，利用前述條件的任一結合， 可設計用來降低回流損耗㈣1〇ss)，或是顧及監控檢光二極 體(Monitor photo-diode)產生回授控制或監控的需求。 以第38a圖為例，光學元件/光學裝置323可為一面射型 雷射VCSEL或檢光二極體(非MPD);以第38b圖為例，光學 元件/光學裝置324可為一面射型雷射，而另一光學元件/光學 裝置323則可為一濾光片（fllter)或為mpd ;又以第38c圖為 例，光學元件/光學裝置323可為VCSEL，而另一光學元件/ 光學裝置324為MPD，至於位在光學元件/光學裝置323上方 的光學元件/光學裝置為濾光片；再以第圖為例，光學元 件/光學裝置323為VCSEL，而另一光學元件/光學裝置324為 MPD。 然而第38a〜38e圖中的各光學元件/光學裝置323、324與 328可以局部或全部由光電晶片取代。 • 其次’本發明所揭露的絕緣構造224、254、283及293， 無論位置或形態為何，其顯示於盤體202、242、281及292上 的面積(投影面積)至少需與光電晶片226、256、286及296在 該盤體202、242、281及292上的投影面積相當。 關於絕緣構造224、254、283及293，位於盤體202、242、 281及292上的投影面積除了上述的要求外，也可以適度的擴 大。例如絕緣構造224、254、283及293位於盤體202、242、 • 281及292的投影面積可被限制在各電極接腳的内切圓範圍 • 内；或絕緣構造224、254、283及293位於盤體202、242、 281及292上的投影面積為盤體202、242、281及292外緣所 包含(構成)之面積的56%。又另一可實施的條件為該絕緣構造 m 29 201128249 224、254、283 及 293 顯示於該盤體 202、242、281 及 292 上 的投影面積為該盤面的投影面積之1〇%至56%的範圍内；此 外’就體積而論，該絕緣構造224、254、283及293的體積可 以是介於該光電晶片226、256、286及296體積與該盤體202、 242、281及292體積之56%之間；該絕緣構造224、254、283 及293的體積也可以縮小，其被限定在該盤體202、242、281 及292體積的2%〜20%之間；再者以光電晶片226、256、286 或296體積為參考’該絕緣構造224、254、283及293的體積 為該光電晶片226、256、286及296體積的2〜20倍之間。

同理，後續第40a與40b圖所提及之絕緣構造344的投影 面積落於上述所限制的範圍。 上述實施例所提及的光電晶片可取用先前技術中所揭露 的光電晶片，並且配置在本發明所揭露的底座上，藉此組成光 電元件。然而更可以採用以下所揭露之光電晶片結構。 第39a圖揭露一光電晶片346(可取代前述光電晶片226、 256、286、296或306)的構成係一包含有第二極性的晶層構造 350藉磊晶而形成在一具有第一極性的基座33〇上。前述的第 一極性與第二極性為相異的極性，例如圖中所示的晶層構造 350上包含有P晶層’也可再包含有工晶層 晶層；基座330為N+基座。 匕刀此之稱助 xr ϋ"述的構成方式’本發明也可以採用晶層構造,具 Ν Β曰層來搭配Ρ基座。然而不論採用那一種形式組合， 330厚度皆要遠大於晶層構造35〇中的晶層厚度。、、土 第39a圖係以Ρ晶層搭配^^基座為 ^ 基座);具有繼晶層的晶層 =⑽形成在晶層構造35。的同 再者高掺雜的可導電基座BO具有較大的厚 50〜lOOOum之間，通常落在7G〜·咖之間以具有^實ς支 201128249 ί i光電4可持電極特性，是以本實施例所揭 構保有製程控制上的彈性。此外Ν型的 i導電ί座。G的第二側(絲)33%並無相同材f之半絕緣或

當為極ϊ1和332為具有相同導電金屬的結構，通 二„，特別是由Ti/Pt/Au堆疊的金屬結構，豆中 Γ(? if導體較佳的黏附力)通常為i〇-i〇〇nm、朽(為一個 rm於某些實施辦，可減層财為犯⑻胍， 而AU(供韻打線或連結之用)通常為1〇〇 2 電鑛的製程，Au的厚度將可達數um以上。上述的=屬^ 使電極331或332的金屬架構成為⑽或 上述的晶層的厚度為：ρ型晶層通常約1〇〇 nm〜2〇〇〇 加1、I型晶層通常約5〇〇腿〜5〇〇〇 nm。 第39a圖的光電晶片結構係可特別地搭配第 28b、29、30、31a、31b、32a、32b、33c、33d、33e 34a、 34b(例如在辅助接腳為斷路狀態下）、35b、35c、3如、37b、 i8a〜38^圖所揭露的底座，因這些底座都特別使用一個絕緣構 4或疋具有與其它接腳腳位不在同平面的輔助接腳，所以使 用本發明之低成本的N+基座330，且搭配具有相同材質的p 電極332和N電極331，可以使光電晶片346不透過載體而置 放於底座上，藉此達到降低成本與元件電容，以及增進高頻麼 應的特性。 曰 -睛參閱第39b圖，本實施例與第39a圖所顯示之實施例 ，不同在於··一絕緣層333位在可導電基座33〇的一側，例如 旋制氧化矽(Spin on glass，SOG )或旋佈介電層（spin on 201128249 dielectric，S0D)或CVD介電層。此結構形態可適用於圖 26〜38e的各式底座或是傳統的基座，此時可免除異質基板(載 體)的使用’但亦可視需要予以保留。 ^第39c圖除了更詳細的顯示PIN架構外，更加入一低介電 常數層(Low-K Layer)334位在P電極的下方，且填充於p磊晶 層被蝕刻掉的區域内，或低介電常數層334位於二個電極 33卜332之間，藉此可以降低元件的電容值。該低介電常數 層334可由一厚膜(Thick Film)取代。

、第39a〜39c圖所揭露的光電晶片346為因應每一個具絕緣 構造的底座而設計，且光電晶片346搭配各底座可構成一種具 新穎及進步性的光電元件。 第39d與39c圖的差別在於可導電基座33()的底面具有一 絕緣層333。另外在第39c至39j·圖的晶層構造中皆有一絕緣 保護層337。 延續第39c、39d圖之實施例内容，光電晶片的架構可以 是第39e了39j圖所顯示的架構；其中第39e、39f圖揭露為一種 擴散型(diffiisiontype)PIN架構，可具有低介電常數層334或厚 層’第39g〜39j圖揭露一種平台型(mesa ^pe)pj^架構，其配 置有低介電常數層334或厚層，其介電常數或厚層的厚度係以 降低電容值20%以上為設計標準。 又第39h至39j圖，其揭露p晶層與I晶層之間可有一介 面晶層338。該介面晶層338為未攙雜或低攙雜的inp或 層。此為尚能隙材質’用以降低漏電流，一般厚度介於1〇nm 〜200 nm之間。 上述的低介電常數層334或厚層可以是SOG塗層或是旋 佈介電層(spin on dielectric, SOD)或是CVD介電層。 第39k圖顯示一種可用於檢光二極體(Ph〇t〇_Di〇de，pD)的 光電晶片360結構。光電晶片360包含一晶層構造361長晶在 一基座362上。晶層構造361包含P-I-N+晶層，且基座362 為半絕緣基座或是不導電基座，例如填化銦(1他)或神化鎵 [s] 32 201128249 (aAs)。其次，二個電極363和364(或打線塾)位在晶層構造 的2側。更進一步而言，二個電極363和364可以不在同 水平南度，但由俯視方向則可見到二個電極。 該電極(打線墊)363係電性連接N+晶層，而另一電極(打 線墊)364電性連接p晶層。特別是，電極364的構造為具有側 壁(Side wall)構造’也就是電極364經由晶層構造361的側邊， 其-端位於基座362之上，另-端以少數部份面積電性連接該 p晶層，如此可以有效降低二個電極(打線墊)363和364之 的電容值。

更進一步’可在電極364與晶層構造361及基座362之間 配置-個絕緣層365。其次，根據前述實施例的教示，該二電 極363和364可以具有相同的金屬架構。 第40a、40b圖顯示以Pm_TIA光電元件架構為例，其中 底座342具有一絕緣構造344(關於絕緣構造的結構形式^見 上述的底座結構）’光電晶片346配置於絕緣構造344，並使可 ^電基座330位在絕緣構造344表面，藉此使得光電晶片346 與底座342形成絕緣。此外二電極33卜332藉導線335 阻放大器330電性連接(見第4〇b圖）。 /、 根據上述實施例的教示，該二電極也可以與複數電極接腳 中的至少一部份形成電性連接；前面所稱之電性連接係包含由 電極和直接以導線相連接腳，或是卿導線由電極透過立 它主/被動元件，轉阻放大器、電容等等元件，間接連電 極，^ ;惟不論直接或間接形式均屬電極與電極接腳電性 之範嘴。 、上述實施例所使用的可導電基座330為一種同質基座，其 成本低於傳統使用的半絕緣基板，而且該可導電基座^ 絕 緣構造344 _合形態可以滿足光電元件祕與底| 342开^成 絕緣要求免除載翻需求’因此具有降低成本提高的功 效。 其次可導電基座330的厚度大’所以在飯刻形成電極331 m 33 201128249 時’即使钱刻到可導電基座33〇 達到製程參數彈性化及高良率=幵效。因此 腳)270 i賴圖’可—步地配置一辅助接腳(或為簡接 可承載光電if Ϊ/44的轴向，·辅助接腳270的第—端271 緣構Ϊ 344即可達成調整光電晶請高度的Λ凸出絕 第41圖顯示同樣以應_ΉΑ架構為例，本實施 二她例的不同在於：光電晶片346具有絕緣層333 ;所二3 ΐΓ : 電晶片346藉該絕緣層333形成斷路，此外光電 日日片346與底座342也形成斷路。 从!f發明f可導電基座330除了是具有摻雜的Ν型美座 第卜;ίΐ以是二有摻雜的P型基座且結合P型磊晶層，“， 第39a〜39c、40a及41圖的PIN結構將反置。 又根據上開實施例的教示，底座可岐 且—絕緣構造的嵌人件嵌人金屬盤i t: 的嵌入件形成獨立絕緣部件。 ^、色緣 #且一金屬盤體’及一絕緣構造的嵌入金屬盤 is複數電極接腳所構成。其中該絕緣構造形成為獨= 再者底座係-非金屬盤體結合複數電極接 為非金屬盤體的-部份或全部。 爾且絕緣構造 上述各實施例所揭露的電極接腳數量僅為 上的接腳數量為2〜6,亦可視需求增加。价月之用，實際 前述所揭露的各底座，包含T〇_ean架構或 具有絕緣構造，且可以搭配_片

ίί電^可以是傳統架構，即—半絕緣基板上具有j-N ^實施綱娜的㈣，其巾光電晶片構料-可導電^ 土座)上具有Ρ小Ν磊晶層，且基座的第二側( 材質之半絕緣或科電基座，再者__金屬 S1 34 201128249 電晶片的P電極與N電極且同位於同一側；此外也可以在可 導電基座的第一侧(底面)具SOG或SOD或CVD介電材料。 而該晶片可再搭配Low K(BCB或s〇G)材料的設計可進一步 的再降低電容值，提高頻寬。 本發明内容所提及的『斷路』、『絕緣』係指一端以正常的 電壓或電流峨輸人後，另-端不易取得聽號之輸出。而本 發明所提及的Ρ_Ι·Ν+結構省略在某些實闕巾存在的n緩衝 層、未攙雜或低攙雜的InP或inAlAs層，不論是否且緩衝 層或增加其它使元件特性更佳化層 仍屬^

均等的範圍。 、另外本發明的絕緣構造的第一面可對應金屬盤體的第一 面成為凸出、齊平或凹低狀構造；同理本發明的絕緣構造的第 對應金屬盤體的第二面成為凸出、齊平或凹人狀構造也是 本專利欲均等之範圍。 此外本發明實施例所提及的絕緣構造之最佳設計係位在 :、搭配之金屬健的幾何巾心。而金屬細上所開設的開孔 X位，與其搭配之非金屬盤體的幾何令心，但不以此為限。 本發明的光電晶片係以N型可導電基板搭配晶層 ^的P晶層為例；然而亦可等效的置換為 =;，晶層的光電晶片，所以p型基板 層的構造亦屬本專利欲均等之範圍。 間配實際的產品需求，在可導絲贿該底座之 間配置有-異板(健），藉此赃光電⑼的位置。 以㈣之較佳實施例錢設賴式，惟較佳實施例 =叹相式僅是舉例說明，並非用於限制本發明技藝之權利 戶二二凡以均等之技藝手段、或為下述「申請專利範圍」内容 人之圍而實施者’均不脫離本發明之範嘴而為申請 【圖式簡單說明】 第1圖係習知雙向光學模組的結構示意圖。 [S3 35 201128249 ，=圖係本發明_合杨 f f圖係本發_混合本體與各一。 第知圖係本發明的剖面結構示意圖_!構不思圖二。 第3b圖係本發明的剖面結構示意圖二。 第4a圖係本發明實施例一的結構示意圖。 ί 實施例—㈣—結構示意圖。 第5圖係本發明實關二的結構示意圖。 第6圖係本發明實關三的結構示意圖。 第7a圖係本發明實施例四的結構示意圖。 ，7b圖係本㈣實義四咐—結構示 第8圖係本發明實施例五的結構示意圖。 第9a圖係本翻實施例六的結構示意圖。 第9b圖係本發明實施例七的結構示意圖。 第10圖係本發明實施例八的結構示意圖。 第11圖係本發明實施例九的結構示意圖。 第12圖係本發明實施例十的結構示意圖。 第13圖係本發明實施例十一的結構示意圖。 第14圖係本發明實施例十二的結構示意圖。 第15圖係本發明實施例十三的結構示意圖。 參 ϋΪ圖圖係本發明的純元件外殼具傾斜面魏置一遽波器 第16b圖係本發明實施例十二的結構示意圖。 ，17a圖係本發明的光電晶片搭配匹配元件的結構示。 第17b圖係本發明的光電晶片細在底辆結構示意。 第18a圖係本發明的光電元件具外殼的結構示意圖二 第18b圖係树明的光電元件無外殼的結構示g圖。 =Ξί本發明的光電晶片搭配高分子馳的結構示意圖。 第20圖係本發明的光電晶片搭配濾波器的結構示意圖。 第21圖係本發明的透鏡穿過外殼的開口示意圖。 第22a圖係本發明的插入腔結構示意圖。 [S] 36 201128249 第22b圖係本發明的光電元件與插入腔形成緊配合的示 ——〇 1 1 第22c圖係本發明的光電元件與插入腔形成緊配合的示意圖 不 =3圖係本發明的光纖接頭端部具傾斜面錢置於 忍圖。 ^。24圖係本發_插槽成傾斜狀且光纖接頭插人的結構示意 ^ 25圖係本發明的第二本體具傾斜部且插 纖接頭插人的結構示賴。 4爾狀供先 圖26係本發明第一實施例的平面示意圖。 圖27係本發明第一實施例的剖面示意圖。 —細__—㈣且結合蓋體 —綱_輸—树且結合蓋體 圖29係本發明第二實施例的平面示意圖。 圖30係本發明第二實施例的剖面示意圖。 本圖靖二實施例的絕緣構造—端凸出且結合蓋體 本圖㈣第二實施獅絕緣構造—端町且結合蓋體 片且為斷路狀態的結構示意圖。 載光電B曰 ，32c係本發明第三實施例之辅助接腳 片且作為電極狀態的結構示意圖。 载光電晶 本發明細實施例的平面示意圖。 b,'本發明第四實施例的剖面示意圖。 圖33c係本發明第五實施例的平面示意圖。 37 [S1 201128249 圖33d係本發明第五實施例的剖面示意圖。 圖33e係本發明根據第五實施例於絕緣構造上形成一凸部的 剖面示意圖。 • 圖係本發明根據第五實施例一輔助接腳配置在絕緣構造軸 向且結合一蓋體的結構示意圖。 圖34a係本發明第六實施例結合一蓋體的結構示意圖。 圖34b係本發明依第六實施例結合蓋體且一輔^接腳組設在 絕緣構造軸向承載光電晶片的結構示意圖。 圖34c係本發明依第六實施例更具有支撐構造結合光學裝置 的結構示意圖。 • 圖35&係本發明第七實施例的結構示意圖。 ，35b係本發明根據第七實施例的結構使光電晶片位在金屬 薄膜開孔範圍且配置在非金屬盤體表面的結構示意圖。 圖35c係本發明根據第七實施例的結構使光電晶片位在非金 屬盤體之凸部端部的結構示意圖。 圖36a係本發明根據第七實施例的結構使底座具有延伸牆部 且結洽"一盍體的結構示意圖。 圖36b係本發明根據第七實施例的結構使底座具有延伸牆部 結合蓋體’以及具有輔助接腳的結構示意圖。 • 圖37a係本發明第八實施例且結合蓋體的結構示意圖。 圖37b係本發明第九實施例的外觀圖。 圖37c係本發明之底座與各電極接腳的組合形成連續片狀 造的示意圖。 、 圖37d係本發明之底座與各電極接腳的組合形成連續片 造的另一示意圖。 圖37e係本發明之各電極接腳以水平方向結合底座 • 意圖。 _ ， . 圖3开係本發明之各電極接腳以水平方向結合底座的组合示音 圖。 〜 圖37g係本發明之各電極接腳以水平方向結合底座的組合示 [S1 38 201128249 意圖。 ί圖別係本㈣之各魏接腳财平額結合敍的組合示 目奶係本㈣之各馳接_水平方向結合底座的組合示意 ^Ti係本㈣之各電極接_特方向結合底座的組合示意 ί圖撕縣發明之各電極接腳财平方向結合底座的組合示 圖38a係本發明之絕緣構造的 圖38b係本發明之絕緣構造的 ^ 圖38c係本發明之絕緣構造的可f 圖遍係本發明之絕緣構造的°。 圖38e係本發明之絕緣構造的可實施結構五。 圖39a係本發明之光電晶片結構一。 圖39b係本發明之光電晶片結構二。 圖39c係本發明之光電晶片結構三。 圖39d係本發明之光電晶片結構四。 圖39e係本發明之光電晶片結構五。 圖39f係本發明之光電晶片結構六。 圖39g係本發明之光電晶片結構七。 圖39h係本發明之光電晶片結構八。 圖39i係本發明之光電晶片結構九。 圖39j係本發明之光電晶片結構十。 圖39k係本發明之光電晶片結構十一。 圖40a係本發明之光電晶片結構一與底座結合的示意圖。 圖40b係本發明之光電晶片結構一與底座、轉阻放大器結合的 不意圖。 圖41係本發明之光電晶片結構二與底座結合的示意圖。 【主要元件符號說明】 m 39 201128249

10混成本體 11第一本體 12第二本體 12a光通道 120第一部 121第二部 122傾斜部 124插入腔 125防裂構造 126透光面 127穿孔 13容置室 14插槽 1%透鏡 15〜18透鏡 20第一光電元件 19a透鏡 30第二光電元件 41光纖接頭 31第三光電元件 32濾光片 42光纖 43光訊號 44光訊號 45傾斜角 50光學裝置 51〜53濾波器 61第一光軸 62第二光軸 63第三光轴 71接頭插口 73傾斜面 74傾斜面 75〜77插入腔 80底座 78開口 81光電晶片 79透鏡 82匹配元件 83外殼 84開口 85薄膜 91凸緣 92導角構造 93逃氣機構 95擋緣 932穿孔 96防裂構造 94環部 1000金屬本體 1006光纖 1002光發射元件 1008濾波器 1004光接收元件 200底座 202金屬盤體 204a〜204c電極接腳 204d接地接腳206非導電材料 208第一面 209第二面 220嵌孔 ： 224絕緣構造 224a第一端 224b第二端 226光電晶片 226a電極 226b電極 228a〜228b 導線 230 光電元件 232蓋體 232a開孔 234光學裝置 240底座 242金屬盤體 244a〜244c接腳 248第二面 252嵌孔 254絕緣構造 254a第一端 254b第二端 255凸部 256光電晶片 257凹空 201128249 260光電元件 262蓋體 264光學裴置 270辅助接腳 271第一位置 281a第二面 283絕緣構造 2832延伸牆部 272第二位置 281金屬盤體 282嵌孔 283a第一端 2831凸部 2832a 缺口

2833開放口 285電的良導體 288凹空 293絕緣構造 294延伸牆部 300非金屬盤體 306光電晶片 309凸部 312蓋體 321柱體 2834蓋體 286光電晶片 289開孔 293a支撐構造 295蓋體 304a〜304c接腳 307金屬薄膜 310延伸牆部 314光學裝置 322端面 305電的良導體 308開孔 311開放口 320絕緣構造 324光學元件/光學裝置 325表面 327凹空 284a〜284c電極接腳 287金屬薄膜 292金屬盤體 293b光學裝置 296光電晶片 323光學元件/光學装置 326柱體

328光學元件/光學裝置 330可導電基座 331電極 334低介電常數層 330b第二側 333絕緣層 336轉阻放大器 342底座 346光電晶片 361晶層構造 364電極 337絕緣保護層 344絕緣構造 350晶層構造 362基座 365絕緣層 330a第一側 332電極 335導線 338介面晶層 360光電晶片 363電極 [S) 41

Claims (1)

1. 201128249 七、申請專利範圍： L —種光學模'组，係結合一光纖接頭與執行光訊號的收發，其 包含： - 一混成本體，係一第一本體結合一第二本體； 一插槽’伽彡成在該第二本體域合該先纖接頭； -光學裝ϊ ’其結合該混成本體的第二本體，且位在該光訊 號的行進光路中； 至少二光電元件，係組設在該混成本體上，各該光電元件具 有一光電晶片用以執行接收或發送該光訊號。 2. 如申，專利範圍第1項所述之光學模組，其中該第-本體配 置在該第二本_部’或者該第二本體配該第 部。 3. 如申凊專利範圍第1或2項所述之光學模組，其中該光學裝 置配置在該第二本體的外表面。 4·如申請專利範圍第1或2項所述之光學模組，其中該第二本 體喊部贼-傾斜φ，且該絲裝置綠在該傾斜面。 5. 如申请專利範圍第1或2項所述之光學模組，其中該光學裝 置配置在該第二本體的内部。 6. 如申請專利範圍第1項所述之光學模組，更包含一透鏡，該 • 透鏡為一獨立性的元件，其被配置在該混成本體内部且位在 該光訊號的行進路徑。 7. 如申，專利範圍帛1項所述之光學模組，更包含一透鏡該 透鏡係形成在該第二本體，且與該第二本_成__體，又該 透鏡位在該光訊號的行進路徑中。 8. 如申凊專利範圍帛7項所述之光學模組，其中該透鏡位在該 第二本體的表面或内部。 • 9.如申請專利範圍第7項所述之光學模組，其中該透鏡對應- * 就70件’且該光電元件用以接收光訊號。 10.如申請專利，圍第7項所述之光學模組，其中該透鏡對應一 光電疋件’該光電元件為溫度不敏感雷射且用以發射光訊 [S] 42 201128249 號。 11. 如申請專利範圍第1項所述之光學模組，其中該第二本體具 有一第一部及一第二部，該插頭接槽形成在該第一部，該第 二部結合該第一本體且對應一該光電元件。 12. 如申請專利範圍第η項所述之光學模組，更包含一插入腔 形成在該第二本體的第二部，且該光電元件組設於該插入 腔。 13. 如申請專利範圍第12項所述之光學模組，更包含一透鏡形 成在該插入腔的壁面，且該透鏡對應該光電元件。

   14. 如申請專利範圍第12項所述之光學模組，更包含一濾波器 組設在該插入腔内，且該濾波器位在該光訊號的行進路徑 中’以及對應該光電元件。 15. 如申請專利範圍第12項所述之光學模組，更包含複數凸緣 形成在該插入腔的壁面，且各該凸緣接觸該光電元件。 16. 如申請專利範圍第1項所述之光學模組，其中該光電元件包 含一光電晶片配置在一底座，且該底座無配置外殼。 17. 如申請專利範圍第1項所述之光學模組，其中該光電元件包 含一光電晶片配置在一底座，及一外殼結合該底座，1中誃 外殼具有一開口以對應該光電晶片，且無任何物件配i在^ 開口處’使得該開口為開通狀態。 乂 18·如申請專利範圍第π項所述之光學模組，更包含一透鏡形 成在該混成本體’且該透鏡能夠延伸且穿過該開口以接近^ 光電晶片。 19. 如申請專利範圍第1項所述之光學模組，其中該光電元件具 有一外殼，且一傾斜面形成在該外殼一端，該光學步 二 置在該傾斜面上。 20. 如申請專利範圍第丨項所述之光學模組，其中該插槽為傾 構造。 町 21·如申請專利範圍第1項所述之光學模組，其中該第二本體且 有一傾斜部，該插槽形成在該傾斜部内，使得該插槽為傾^ 43 [S1 201128249 構造。 22. 如ί請專利細第1項所述之光學模組，其中形成在該第二 本體的该插槽與該光纖接頭的結合係以緊配加膠固的方式 完成。 23. 光學拉組係結合一光纖接頭與執行光訊號的收發，其 氙合： -混成本體’係-第—本體結合—第二本體； 至少-透鏡’其形成在該混成本體的第二本體，且位在該光 訊號的行進光路中；

   ^少二光電元件’雜設在觀成本體上，各該光電元件具 有-光電⑼肋執行紐或發送該光訊號。 4·如申凊專她圍第23項所述之光學模組，更包含一插槽， 該，槽形成在該第二本體且用以結合該光纖接頭或一光電 7Γ杜〇 25.如申:月專利範圍第23項所述之光學模組更包含一光學裝 ，，垓光學裝置配置在該第二本體或該光電元件，且位於該 光訊號的行進光路中。

   專利域第23項所述之光學模組，其中該第一本體 Τ7由if材料製成’該第二本體由塑膠材料製成。 •亡:明，利範圍第23項所述之光學模組，其中該透鏡對應 二光電70件’該光電元件為溫度不减f射且以發射光訊 28. —種光學模組，包含： 一混成本，，係一第一本體結合一第二本體； =插^ ’係形成在該第二本體並結合—光纖接頭； 一，，，置，其結合該混成本體的第二本體； 光電7L件，包含一發射元件與一接收元件，係組在 該混成本體上； 其中該發射元件與該光纖接頭之間形成H轴，該光學 [S] 44 201128249 29n=形成的銳角介於3°，度之間。 一混成本體，係一金屬本體結合一塑膠本體. 一光學裝置，與該塑膠本體結合； ， 件’包含一發射元件與-接收元件，係組設在 -插槽係形成在該歸本體’肋結 ^申請專利範圍第29項所述之光學模組 ，光纖接頭之間形成—第—光軸， 軸所形成的銳角介於30〜6〇度之間。V罝興4第先 31.5J2i利29項所述之光學模組，更包含-透鏡， 件’其被配置在該混成本體内部且位 32 29項所述之光學模組，更包含—透鏡， V又該透鏡:塑膠本趙形成 以學模組，㈣透鏡位在 34· —種光學模組，包含·· 一混成本體，係一金屬本體結合一塑膠本體· 一，學，置，與該塑膠本體結合； ， 件’包含一發射元件與—接收元件，係組設在 35二==在Ϊ塑膠本體，並結合-光纖接頭。 種光學模組，其包含： 一非金屬本體; 一2透鏡’係-體成形於該非金屬本體； 3上:？槽’係形成在該在該非金屬本體。 第35項所述之光學模組，其找透鏡一體 軸在該非金屬本體的表面或内部。 t SI 45 201128249 37. 如申請專利範圍第35項所述之光學模組，更包含一傾斜 面，該傾斜面形成於該非金屬本體的表面。 38. 如申請專利範圍第37項所述之光學模組，更包含一光學裝 置，該光學裝置係配置在該傾斜面，形成有角度地配置在該 非金屬本體的表面。 39. 如申請專利範圍第35項所述之光學模組，更包含一光纖接 頭，且該光纖接頭係插置於一該插槽内。 40. 如申請專利範圍第35項所述之光學模組，更包含一光電元 件，且該光電元件插置在一該插槽内。 41. 如申請專利範圍第35項所述之光學模組，更包含一防裂構 造形成在該非金屬本體上。 42. —種光學模組，其包含： 一非金屬本體； 至少一個透鏡，係一體成形於該非金屬本體； 至少一光學裝置，係配置在該非金屬本體。 43. 如申請專利範圍第42項所述之光學模組，更包含至少一插 槽，該插槽係形成在該在該非金屬本體。 44. 申請專利範圍第42項所述之光學模組，其中該光學裝置係 有角度地配置在該非金屬本體的表面。

   m 46