TW201125119A - Organic light emitting display apparatus and method of manufacturing the same - Google Patents

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Description

201125119 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 [0001] 本發明的一個或更多的實施例涉及一種有機發光顯示裝 置和製造其之方法，更特別是，一種具有改善的堆疊結 構的有機發光顯示裝置和製造該有機發光顯示裝置的方 法，以減少使用光罩的數量。 【先前技術】 [0002] 最近，平面顯示裝置，其可能是可攜式的，被廣泛用作 0 顯示裝置。在平面顯示裝置中，電致發光顯示裝置是自 發射型顯示裝置，其具有寬廣的視角、優秀的對比度和 快速的響應速度，因此，被認為是下一代顯示裝置。此 外，有機發光顯示裝置中之發光層是由有機材料所形成 的，該有機發光顯示裝置具有比無機發光顯示裝置較高 的亮度、卓越的驅動電壓以及更快的反應速度，並且可 實現多種顏色。 [0003] 有機發光顯示裝置包括薄膜電晶體（thin f i lm tran- 〇 s i s tor，TFT )單元和藉由TFT單元驅動的有機發光元件 以發光。TFT單元可以透過在基板上堆疊導體、半導體和 絕緣層而形成，並且形成TFT包括用於控制有機發光元件 的驅動電晶體和開關電晶體、電容器、數據線、掃描線 和像素單元。TFT單元可透過使用光罩的光阻製程來製造 [0004] 然而，由於數據線和掃描線在基板上相互交叉，難以在 相同層上配置數據線和掃描線。因此，根據傳統的技術 ，數據線和掃描線配置在不同層，並藉由絕緣層所隔開 099140328 表單編號A0101 第3頁/共26頁 1003003192-0 201125119 。然而，當堆疊層的數量增加時，藉由使用光罩來暴露 圖案和姓刻的過程是額外執行的。因此，隨著堆疊數量 的增加，製造過程變為複雜。 [0005] 最近，半色調（half-tone)光罩已被用於減少使用光罩 的數量，但是，暴露程度的改變取決於每回使用光罩暴 露的部分。因此，很難執行上述過程，因此，產品的不 良率增加。 [0006] 此外，由於基板在尺寸上之增加，為了實現大屏幕，低 電阻電線是必要的，因此，形成粗的數據線和掃描線。 然而，配置在數據線和掃描線之間的絕緣層應比數據線 和掃描線還粗，以防止從數據線和掃描線相交處所產生 的電性短路，其中數據線和掃描線配置在不同層。 【發明内容】 [0007] 實施例針對一種有機發光顯示裝置和製造其之方法，其 大大地克服了由於先前技術的限制和缺點所致的一個或 多個問題。 [0008] 因此，實施例的特點提供了 一種具有改善的堆疊結構的 有機發光顯示裝置以及一種製造該有機發光顯示裝置的 方法，以透過減少使用的光罩數量來簡化製造該裝置的 程序。 [0009] 實施例的另一特點提供一種具有改善的堆疊結構的有機 發光顯示裝置以及一種製造該有機發光顯示裝置的方法 ，以透過減少使用的光罩數量而無需使用半色調光罩來 簡化製造該裝置的程序。 099140328 表單編號A0101 第4頁/共26頁 1003003192-0 201125119[0010] ο 貫施例的另也提供—種具 機發光顯示襞置m 。的堆疊、U冓的有法，以實現低電p —種製造該有機發光顯示裝置的方 貝兄低電阻電線。 _]丨他方©將載於以 可從該描述中顯而Γ:述：:並且在某種程度上 賤來學習。 、s可从藉由本實施例的實 以上和額外的特點和優勢中的至少 有機發光顯# 自了透過棱供-種 像素單元，有現，，該有機發光顯示裝置包括·· )，電連接該料單讀形成於其上；薄膜電晶體（TFT 並且在美把 ；數據線和掃指緣，電連接到TFT 線形成=此相交來配置，其中該數據線和該掃描 交Μ上=及橋，其允許在數據線和掃描線的 又處上’數據線和掃描線中之—者繞過另一者。 該橋可包括形成在該基板诚 該掃描線的橋。該交叉進步心錢據線的橋和用於 “：絕緣層，形成在該 …I 線的橋和該用於該掃描線的橋上；以及接觸 連接該用於該數據線的橋和該用於該掃 二=ΓΓ層中。當該數據線和該掃描線是在該 田層上的一層中時’該數據線透過該接觸孔連接到該 用於該數據線的橋，該掃描線透 於該掃描線的橋，以便允許該數：孔連接到該用 媒線和該掃描線的一者 父，而不是干預彼此。 數據線的橋可跨越該掃插線，同時該絕緣層插 至其中，並且該用於該掃描線的橋可跨越與該數據線分 [0012] [0013] 099140328 表單編號Α0101 第5頁/共26頁 1003003192-0 [0014] 201125119 叉的該TFT的源極-汲極電極層，同時該絕緣層插至其中 〇 [0015] 該TFT可包括：閘極電極層，該絕緣層形成在其上，與該 用於該數據線的橋和該用於該掃描線的橋在相同層中； 主動層，形成在該絕緣層上；蝕刻-停止絕緣層，形成在 該主動層上；以及源極-汲極電極層，形成在該蝕刻-停 止絕緣層上，與該數據線和該掃描線在相同層中。 [0016] 該TFT可包括：開關電晶體，電連接到該數據線和該掃描 線；以及驅動電晶體，電連接到該數據線和該像素單元 。該開關電晶體可使用該用於該掃描線的橋以作為閘極 電極層。 [0017] 該像素單元可包括：閘極電極層，該絕緣層形成在其上 ，與該基板上的該用於該數據線的橋和該用於該掃描線 的橋在相同層中；以及像素電極層，形成在該絕緣層上 並且與該數據線和該掃描線在相同層中，且連接到該閘 極電極層。 [0018] 有機發光顯示裝置可進一步包括電容器，其在該TFT和該 像素單元之間電連接。該電容器可包括：閘極電極層， 該絕緣層形成在其上，與該基板上的該用於該數據線的 橋和該用於該掃描線的橋在相同層中；以及源極-汲極電 極層，形成在該絕緣層上，與該數據線和該掃描線在相 同層中。 [0019] 上述和額外的特點和優勢中的至少一個可透過提供一種 製造有機發光顯示裝置的方法來實現，該方法包括：形 099140328 表單編號A0101 第6頁/共26頁 1003003192-0 201125119 [0020] [0021] Ο
[0022] G
[0023] 成像素單元，有機發光元件形成在其上；形成薄祺電曰 體（TFT) ’電連接該像素單元；形成數據線和掃福 電連接到該TFT並且在基板上相互交叉配置；以及形成产 ，在該數據線和該掃描線的交叉處上允許該數據線和兮 掃描線的一者繞過另一者。 形成該橋可包括在該基板上形成用於該數據線的橋和用 於該掃描線的橋。 該方法可進一步包括：在該用於該數據線的橋和該用於 該掃描線的橋上形成絕緣層；形成接觸孔，在該絕緣層 中分別接觸該用於該數據線的橋和該用於該掃描線的橋 :以及在該絕緣層上堆疊該數據線和該掃描線致使該 數據線透過該接觸孔連接到該用於該數據線的橋，並且 該掃描線透過該接觸孔連制該⑽該掃描線的橋，以 便该數據線和該掃描線彼此上下跨越。 該用於該數據線的橋跨越翁描線其具有插至其之間的 S、€緣層it且該用於該掃描線的橋跨越與該數據線偏 離的該m的源；&—&極電極隸有插至其之_該絕緣 層0 形成可包括：在該基板上形成—層閘極電極，其中 β亥用於錄據線的橋和該用於該掃描線的橋形成於該層 上’在該㈤極電極層上形成該絕緣層；在該絕緣層上形 成主動層；在^麵切絲刻-停止祕層；以及在 該刻姓-停止絕緣層上形成—層源極-祕電極層，其中 -亥數據線和該掃&_成在該層上以致於連接到該主動 099140328 表單編號Α0101 第7頁/共26頁 1003003192-0 201125119 層。 [0024] [0025] [0026] [0027] zTFT可包括：形成開關電晶體，電連接到該數據線 掃知線，以及形成驅動電晶體，電連接到該數據線 象素單元’其中該開關電晶體使用該用於掃描線的 橋作為閑極電極層。 、 形成該像素單元可包括：在該基板上形成閘極電極層以 與該用於該數據線的橋和該 用於該知描線的橋在相同声 中；在該閘極電極層上形成該絕緣層；在該絕緣層上形 成一層像素電極層，並且該數據線和該掃描線形成於詼 層上以連接到該閘極電極層。 該方法可進—步包括形成電容器，其在該TFT和該像素單 元之間電連接。該電容器可包括：在該基板上形成閉極 電極層以與該用於該數據線的橋和該用於該掃描線的_ 在相同層中；在該閘極電極層上形成該絕緣層；以及在 δ亥絕緣層上形成一層源極-;；；及極電極層，該數據線和兮掃 描線形成於其中，以便連接到該閘極電極層。 【實施方式】 韓國專利申請案第10-201 0-0000898號，於2010年 曰在韓國知識產權局提申，名稱為“ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME(有機發光顯示裝置和製造其 之方法）”，其以參考形式將它全部内容併入於此。 示範性實施例現在將參照以下所附的圖式以更加充分地 描述，但是他們可能會以不同的形式來實施，並且不應 099140328 表單編號A0101 1003003192-0 [0028] 201125119 被解釋為僅限於此處本描述的實施例。相反地，提供這 些實施例使這這些披露將更徹底和完整，並且對該領域 中的技術人士充分表達本發明的範圍。 [0029] 在圖式Φ . v γ ’兀素和區域的尺寸可被誇大以清晰的說明。 匕也可以理解成，當層或元素被稱為是“在另一層或基 板上” Ο 匕可以直接在其他層或基板上，或者也可以出 有"入層。更進一步地’可以理解的是.，當層被稱為 另層之下，它可以是直接地在其之下，亦可 有或是多個介入層來呈現。此外，它也可以理解成， 田層被稱為是“在兩個元素之間”，它可以是在兩個元 素之間的唯一個元素，或者也可以介入一個或多個元素 來呈現。相似的參考數字從頭至尾是指相似的元素。 [0030] 圖1為根據本發明的實施例來說明有機發光顯示裝置的平 |^| 圖2至5為根據本實施例來說明在有機發光顯示裝 置中的像素單元11〇、薄膜電晶體（TFT) 15〇、電容器 ❹ [0031] 在數據線160和掃描線170之間的交又（a的部分） 的橫戴面圖。 參考圖1，本實施例的有機發光顯示裝置包括包含像素單 元110的TFT單元100、TFT 150、電容器120、數據線 160、掃描線170和恆定電壓線190。有機發光顯示裝置 進一步包括藉由堆疊在像素單元110上而電連接至TFT單 元100的有機發光元件200。 如圖2所示，有機發光元件2〇〇包括電連接至tft單元1〇〇 的像素電極層113、面對像素電極層u 3的輔助電極層 099140328 表單編號A0101 第9頁/共26頁 1003003192-0 [0032] 201125119 (counter electrode 1 ayer)220#口 i己置在像素電桓声 11 3和輔助電極層220之間的有機發光層210。因此，當 電壓自TFT單元100施加到像素電極層113時，在像素電 極層113和輔助電極層220之間的有機發光層21〇發光。 在此，在TFT單元100中堆疊像素單元11〇期間，像素電 極層113形成，這將在後面介紹》 [0033] [0034] [0035] 像素單元110包括每個依序堆疊在基板丨〇1上的閘極電極 層111、絕緣層112和像素電極層113，如圖2所示，其中 有機發光元件200堆疊於像素單元上。此外，當閑極 電極層111和像素電極層Π 3穿透絕緣層112時，其相互 連接。因此’當電流在閘極電極、ηι上流動時，電流也 在像素電極層113上流動。上述堆疊層的過程將在後面介 紹。像素定義層102定義在像素之間的邊界。 如上所述，TFT 150包括電連接到數據線160和掃描線 170的開關電晶體140以及電逹接到數據線16〇和像素單 元110的驅動電晶體130。開關電晶體14〇的堆疊結構和 驅動電晶體130的堆疊結構是相同的。圖3說明了驅動電 晶體1 3 0的結構。 如圖3所示，驅動電晶體130可以包括每個依序堆疊在基 板101上的閘極電極層131、絕緣層132、主動層133， 蝕刻-停止絕緣層134以及源極-汲極電極層135。因此， 當適當的電壓施加到閘極電極層131時，藉由使用主動層 133作為通道，電流在源極—汲極電極層135上流動。開關 電晶體140的源極-汲極電極層（145，參考圖6D)連接 099140328 到驅動電晶體130的閘極電極層131 。驅動電晶體130的 表單編號A0101 第10頁/共26頁 1003003192-0 201125119 [0036] [0037] 源極-汲極 111。 電極層135連接職素單元m的間極 電極層 Ο :的電壓應用到開關電晶體“ (不顯不）時，電流在驅動電晶 間流動。均層堆㈣過鄉錢面介紹象素^110之 電容器120在驅動電晶體13〇和 電/放電操作，以這樣的方式，自有機發1〇之間執行充 所形成的圖像可顯示。圖4說明 ’兀件2G〇發光 電極層 123在基板1 Qi上依序堆叠 源極-汲極電極層 [0038] [0039] ❹ [0040] 因此’電容器120的導電構件(即開極 沒極電極層123)面對彼此，當其 和源極一 19 9 …、有插入其間的絕緣層 ’從而形成-般電_結構4 ' 後面介紹。 %堆疊的過程將在 圖5說明Α部分的橫截面圖，即在數 η 尿線160和掃描線17〇 之間的父叉處的橫截面圖，如圖 π不。如圖5所示，用 於數據線160的橋161、絕緣層162與翁 興數據線160和掃描線 170堆疊在基板1〇1上。 在此，㈣麟㈣〇雜m形成⑽極電靜m 121和131的相同層中，並且形成繞過路徑，其允許數據 線160和掃描線170分別彼此上下交又而 間的干擾。也就是說’數據線16。和掃推線： 同層中，然後透過橋161分別彼此上下交又 099140328
當數據線160和掃描線170形成於相同層中 表單編號A0101 第11頁/共26 I 時，將在後面 1003003192-0 [0041] 201125119 [0042] [0043] [0044] [0045] [0046] 099140328 介紹的用於製造有機發光顯示裝置的光罩製程被簡化。 也就是說，如果數據線16〇和掃描線17〇形成在不同層， 如傳統的技術，在數據線160和掃描線17〇圖案化期間光 罩製程被執行，絕緣層162堆疊在被圖案的線上，然後並 且在其他線圖案化期間另一個光罩製程被執行。 然而，如上所述，當數據線16〇和掃描線17〇同時被圖案 化時，光罩製程的數目可以減少，從而可以簡化製造過 程。 製造具有已描述結構的有機發光顯示裝置將參照圖6八至 6D來說明如下。 參考圖6A，像素單元11 〇的分別的閘極電極層丨丨^ 和131、電容器120、驅動電晶體13〇、開關電晶體14〇與 用於數據線160的橋161和用於掃描線17〇的橋171可沉積 在基板ιοί上。也就是說，閘極電極層丨丨〗、丨21和131與 橋161和171以同樣的材料來形％，並且形成上述的有機 發光顯示裝置的結構的第一層。 開關電晶體140的閘極層可作為用於掃描線17〇的橋171 。第一光罩是用來圖案化閘極電極層m、121和131與 橋161 和171。 基板101可由玻璃材料、塑料材料（如壓克力）或金屬材料 所形成。此外，緩衝層（未顯示）可形成在基板上，以 更平坦化基板101。 每個閘極電極層111、121和131與僑161和171可由導電 材料（如鉬或銦錫氧化物（IT0))所形成’並且每個可形 表單編號Α0101 第〗2頁/共26頁 1003003192-0 [0047] 201125119 成雙層結構，其包括堆疊在I ΤΟ上的鉬。 [0048] [0049] Ο [0050] [0051] Ο [0052] 在形成第一層之後，絕緣層112、122、〗32和162形成在 第層上。然後，如圖6Β所示，主動層133和主動層143 刀別形成於驅動電晶體13〇和開關電晶體14〇上。主動層 133和143可作為源極-汲極層的135和145的導電通道（ 參考圖6C) ’其將分別堆疊於其上。 絕緣層112、122、132和162可作為單一層而同時形成在 所有的基板101上。絕緣層112、122、132、162可由例 如氧化矽、氧化鈕矽或氧化鋁所形成。 主動層133和143可由例如氧化物半導體所形成。第二光 罩可用於圖案化主動層133和143。 可形成蝕刻-停止絕緣層134和蝕刻-停止絕緣層ι44。然 後’如圖6C所示，接觸孔llla、121a、131a、133a、 143a、161a和171a可形成於絕緣層112、122、132和 162與姓刻-停止絕緣層134和144上，例如，透過乾姓刻 法。 在上述過程中，蝕刻—停止絕緣層133和143可只留在驅動 電晶體13 0和開關電晶體14 〇的主動層13 3和14 3。蚀刻- 停止層133和134可由作為絕緣層112、122、132和162 的相同所材料形成。第三光罩可以用來形成接觸孔1113 、121a、131a、133a、143a、161a和 171a。 再者，如圖6所示，驅動電晶體〗30、開關電晶體i4〇和電 容器120的個別源極-汲極電極層135、145和123、像素 單元110的像素電極層113與數據線160和掃描線170可在 099140328 表單編號A0101 第13頁/共26頁 1003003192-0 [0053] 201125119 相同層藉由使用相同的材料來圖案化。上述這些層可由 例如ιτο、銅鋅氧化物（IZ0)或氧化鋅（Zn〇)所形成 [0054] [0055] [0056] [0057] [0058] [0059] 099140328 接觸孔 111a、121a、131a、133a、143a、161 a和 171a 可填充上述的層，從而形成適合的電連接。特別是，像 素單元110的閘極電極層1U和像素電極層113可透過接 觸孔111a來連接。進一步，像素單元丨可透過接觸孔 121a和鄰近接觸孔121a的接觸孔133a的一者連接到電容 器120和驅動電晶體130。 主動層133、源極-没極電極層135和驅動電晶體130的怪 定電壓線190可以透過接觸孔133a連接至其他。驅動電晶 體130可透過接觸孔liia和i21a來連接到電容器12〇和像 素單元11 0。 開關電晶體14 0的主動層14 3和源極-及極電極層14 5可透 過接觸孔143a來連接。開關電晶鍾4;〇.可透過接觸孔 131a來連接到驅動電晶體13〇和電容nuo。 數據線160的斷開部分可透過接觸孔161a藉由橋161彼此 電連接。掃描線170可通過在數據線16〇和掃描線17〇之 間的交叉處的橋161上。 也就是說，數據線160和掃描線170可形成於相同層，但 疋，數據線160和掃描線170可在數據線和掃描線17〇 之間的交叉處透過橋161而分別彼此上下交叉。 此外’掃描線170的斷開部分可透過接觸孔17ia藉由用於 掃描線1 70的橋1 71來電連接彼此，並且開關電晶體1 4〇 1003003192-0 表單編號A0101 第14頁/共26頁 201125119 0 [0060] [0061] [0062] 〇 [0063] 的源極-波極電極们45偏離數據線16〇。同樣，掃描線 no和源極—汲極電極層145可在掃描線17〇和源極-汲極 電極層145之間的交又處透過橋m分別彼此上下交又。 在此，開關電晶體140的源極-汲極電極層145跨越橋ΐ7ι ，但是，因為源極-汲極電極層145偏離數據線，所以 數據線160和掃描線〗70可在橋171上相互交又。因此， 1由使用橋161和川，配置在相同層上的數據線16〇和 掃描線170不會互相干擾。 第四光罩可用於圖案化源極->及極層123、135和145、像 素單元11〇的像素電極層113與數據線160和掃描線。 在此之後，像素定義層1Q2可由有機材料或無機材料形成 在基板101上，除了將有機發光元件2〇〇沉積於其上之像 素單元110的區域上，例如，透過使用第五光罩。 再者，有機發光元件200可形成在像素單元11〇上，從而 完成在圖1所示的配置。在圖1中，有機發光元件200的輔 助電極層22G是為方便起見而省略，其中該辅助電極層形 成在所有像素定義層102以及像素單元11〇上。 透過上述的過程，含有形成於相同層的掃描線17〇和數據 線160的有機發光顯示裝置被製造，因此，光罩製程的數 目可以減少。此外，由於掃描線170和數據線160形成於 相同層，粗導線可形成，使得易於實現低電阻電線。 ’性實施例已揭露於此，雖然使用特定的用語，它們 被使用且以通用及描述的意思來解釋，而不是用於限制 的目的。因此，在該領域中通常技術者將理解各種形 099140328 表單編號A0101 第15頁/共26頁 1003003192-0 [0064] 201125119 式的變化和細節可在不偏離下列所規定的申請專利範圍 中的本發明的精神和範圍内完成。 【圖式簡單說明】 [0065] [0066] [0067] [0068] [0069] [0070] [0071] [0072] [0073] [0074] [0075] 該領域中通常技術人士可參考所附圖式來詳細描述示範 性實施例以對上述的其他特點和優點更加明顯，其中： 圖1為根據本發明的實施例來說明有機發光顯示裝置的平 面圖， 圖2說明如圖1所示的有機發光顯示裝置中的像素單元的 橫截面圖， 圖3說明如圖1所示的有機發光顯示裝置中的驅動電晶體 的橫截面圖， 圖4說明如圖1所示的有機發光顯示裝置中的電容器的橫 截面圖， 圖5說明如圖1所示的有機發光顯示裝置中的數據線和掃 描線互相交叉的部分A的橫截面圖，以及 圖6A至6D為根據本發明的實施例來說明在製造如圖1所示 的有機發光顯示裝置的過程中的階段的平面圖。 【主要元件符號說明】 100 TFT單元 101基板 102像素定義層 110像素單元 099140328 表單編號A0101 第16頁/共26頁 1003003192-0 201125119
[0076] 111 閘極電極層 [0077] 111a 接觸孔 [0078] 112 絕緣層 [0079] 113 像素電極層 [0080] 120 電容器 [0081] 121 閘極電極層 [0082] 121a 接觸孔 ’ [0083] 122 絕緣層 [0084] 123 源極-汲極電極層 [0085] 130 驅動電晶體 [0086] 131 閘極電極層 [0087] 131a 接觸孔 [0088] 132 絕緣層 [0089] 133 主動層 [0090] 133a ,接觸孔 [0091] 134 敍刻-停止絕緣層 [0092] 135 源極-汲極電極層 [0093] 140 開關電晶體 [0094] 143 主動層 099140328 表單編號A0101 第17頁/共26頁 1003003192-0 201125119 [0095] 143a 接觸孔 [0096] 144 蝕刻-停止絕緣層 [0097] 145 源極-汲極電極層 [0098] 150 TFT [0099] 160 數據線 [0100] 161 橋 [0101] 161a 接觸孔 [0102] 162 絕緣層 [0103] 170 掃描線 [0104] 171 橋 [0105] 171a .接觸孔 [0106] 190 恆定電壓線 [0107] 200 有機發光元件 [0108] 210 有機發光層 [0109] 220 輔助電極層 099140328 表單編號A0101 第18頁/共26頁 1003003192-0

Claims (1)

  1. 201125119 七、申請專利範圍： 1 . 一種有機發光顯示裝置，包括：像素單元，有機發光元件 形成於其上；薄膜電晶體（TFT)，電連接該像素單元； 數據線和掃描線，電連接到TFT並且在基板上彼此相交來 配置，其中該數據線和該掃描線形成在一層中；以及橋， 允許數據線和掃描線的一者繞過另一個，並且在數據線和 掃描線的交叉處上。 2 .根據申請專利範圍第1項的有機發光顯示裝置，其中該橋 0 包括用於該數據線的橋和用於該掃描線的橋，並且該交叉 處進一步包括：絕緣層，形成在該用於該數據線的橋和該 用於該掃描線的橋上；以及接觸孔，形成在用於連接該用 於該數據線的橋和該用於該掃描線的橋的該絕緣層上，以 及當該數據線和該掃描線是在該絕緣層上的一層中時，該 數據線透過該接觸孔連接到用於該數據線的橋，並且該掃 描線透過該接觸孔連接到用於該掃描線的橋，以便允許該 數據線和該掃描線的一者相交，而不是干預彼此。 〇 3 .根據申請專利範圍第2項的有機發光顯示裝置，其中該用 於數據線的橋跨越該掃描線具有插至其之間的該絕緣層， 並且該用於掃描線的橋跨越與該數據線分叉的該TFT的源 極-汲極電極層具有插至其之間的該絕緣層。 4 .根據申請專利範圍第2項的有機發光顯示裝置，其中該 TFT包括：閘極電極層，該絕緣層形成在其上，與該用於 數據線的橋和該用於掃描線的橋在相同層中；主動層，形 成在該絕緣層上；蝕刻-停止絕緣層，形成在該主動層上 ;以及源極-汲極電極層，形成在該蝕刻-停止絕緣層上， 099140328 表單編號A0101 第19頁/共26頁 1003003192-0 201125119 與該數據線和該掃描線在相同層中。 5 .根據申請專利範圍第4項的有機發光顯示裝置，其中該 TFT包括：開關電晶體，電連接到該數據線和該掃描線； 以及驅動電晶體，電連接到該數據線和該像素單元，其中 該開關電晶體使用該用於掃描線的橋以作為閘極電極層。 6 .根據申請專利範圍第2項的有機發光顯示裝置，其中，該 像素單元包括：閘極電極層，該絕緣層形成在其上，與該 基板上之用於該數據線的橋及該用於掃描線的橋在相同層 中；以及像素電極層，形成在該絕緣層上並且與該數據線 和該掃描線在相同層中，且連接到該閘極電極層。 7 .根據申請專利範圍第2項的有機發光顧示裝置，進一步包 括電容器，其在該TFT和該像素單元之間電連接。 8 .根據申請專利範圍第7項的有機發光顯示裝置，其中該電 容器包括：閘極電極層，該絕緣層形成在其上，與該基板 上之用於該數據線的橋和用於該掃描線的橋在相同層中； 以及源極-汲極電極層，形成在該絕緣層上，與該數據線 和該掃描線在相同層中。 9 . 一種製造有機發光顯示裝置的方法，該方法包括：形成像 素單元，有機發光元件形成在其上；形成薄膜電晶體（ TFT)，電連接該像素單元；形成數據線和掃描線，電連 接到該TFT並且在基板上相互交叉配置；以及形成橋，在 該數據線和該掃描線的交叉處上允許該數據線和該掃描線 的一者繞過另一個。 10 .根據申請專利範圍第9項的方法，其中形成該橋包括形成 用於該數據線的橋和用於該掃描線的橋。 11 .根據申請專利範圍第10項的方法，進一步包括：在該用於 099140328 表單編號A0101 第20頁/共26頁 1003003192-0 201125119 12 Ο13 . Ο14 . 15 . 099140328 接St線:橋和該用於該掃描線的橋上形成絕緣層;形成 該择描線^絕緣層中分別接觸用於該數據線的橋和用於 線，致使^據二^^^疊該輯線和該每梅 4雜相該機料接卿於該數據線的化 該㈣線透㈣接麻連接制於該掃描線的橋^ >該數據線和該掃描線彼此上下跨越。 根據申料·項的方法，其帽料㈣ 跨越該掃描線具有插至其之間的該絕緣層，並且用於^ 描線的橋跨越與該數據線偏離的該m的源 電極掃 層具有插至其之間的魏緣層。 電極 根據申請專·麵丨項的方法，其中形朗奶包括： 在邊基板上之—層切朗極電極，其巾料該數據 用於該掃描線的橋形成於該層中；在該問極電極層 上 >成錢緣層；在該絕緣層上形成主動層 止絕緣層;以及在該勝停止絕緣層二 成層源極i極電極層，其中該數據線和 / 在該層上以致於連接爾該主動層。㈣成 根Γ請專觸第13項的方法，其切包括. 形成開關電晶體，電連接龍數據線和轉描線·， 成驅動電晶體，電連接到該數據線和該像素單、_ 形 開關電晶體使用該用於掃描線的橋作為閱極二其中該 根據申請專利範圍第_的方法，其中形成層。… 括.在該基板上形成閘極電極層以與該用於該2兀包 和該用於該掃描線的橋在相同層中；_ 橋 成該絕緣層；在該絕緣層上形成-層像素電極】極層上形 數據線和該掃描線形成於該層中以連接到=1，並且該 表單編號A0101 « 01 ”网極電極層。 第21頁/共26頁 1003003192-0 201125119 16 .根據申請專利範圍第11項的方法，進一步包括形成電容器 ，其在該TFT和該像素單元之間電連接。 17 .根據申請專利範圍第16項的方法，其中形成該電容器包括 :在該基板上形成閘極電極層以與該用於該數據線的橋和 該用於該掃描線的橋在相同層中；在該閘極電極層是上形 成該絕緣層；以及在該絕緣層上形成一層源極-汲極電極 層，於其中形成該數據線和該掃描線。 099140328 表單編號A0101 第22頁/共26頁 1003003192-0
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