TW201118201A - Method for storing lanthanum oxide target, and vacuum-packed lanthanum oxide target - Google Patents

Description

201118201 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明，係關於一種因鉋作二—β ^ u羥化而容易粉末化之鑭氧化物 把的保存方法及真空密封之鑭氧化物乾。 【先前技術】 稀土金屬之鑭，係以混合複合氧化物的形態存在於地 殼中。稀土金屬由於係分離自較稀有存在的礦物故被冠 以此種名稱’但就地殼總體而言絕不稀少。最力，稀土金 屬係作為電子材料而受到嗎目，為受到研究開發中的材料。 此稀土金屬之中，特別是鑭㈤)受到矚目。對鑭進行簡 單地介紹’鑭係原子序4 57、原子量為138.9之白色的金 屬’於常溫下具有複六方最密堆積結構。其熔點為9抑， 彿點為35〇n；，密度為6.15g/em3,於空氣中表面會被氧 化’於水中則會緩慢地溶解。 浴秤於熱水 十i 丨唂虿展性。盆雷阳 率為5.7〇xl〇-6Qcm。於445t以 、电阻 α 上a燃燒而變成氧化物 (La2〇3)(參照理化學辭蜱）。就稀土金屬而令… 3之斗人此a σ,通爷氧化數為 j之化合物較為穩定，鑭亦為3價。 高介電常數材料（Hi 鑭以外之稀土金屬 gh — k)等電 亦具有與鑭 鑭係作為金屬閘材料、 子材料而受到矚目之金屬。 類似的屬性。 容易發生氧化的 ’當將鑭等之稀 間發生氧化而變 問題 土金 網等之稀土金屬，由於在純化時會有 ’因此屬於難以高純度化的材料。又 屬放置於空氣中時，由於會在短時 3 201118201 色，因此亦有處理不易的問題。 最近’對新一代MOSFET Φ夕Μ A v T之閘絕緣膜係要求薄膜 化，但迄今為止被使用作為閘絕緣膜 豕犋之Si02 ’會由於隧道 效應而導致漏電流增加，難以正常動作 因此’作為其代替品，係提出古 穴®有具有咼介電常數、高 熱穩定性、對矽中之電洞及電子呈古处旦 '、有问月b罝障壁（energy

barrier)的 Hf02、Zr02、Al2〇3、La π eI B

La2〇3。特別是此等材料之 中’ La2〇3之評價較高，研究直雷胜 九，、電特性後，而完成有將其作 為新一代MOSFET中之關維絲脱a 干之開、名緣膜的研究報告(參照非專利文 獻1)»但是，於該專利文獻之情形， 1月〜研究對象係La203膜， 並未特別提及鑭氧化物靶之吸 '晶性 久/...、注、粉末化現象的行為。 如上述，關於鑭等之稀土金眉 五屬及其乳化物，可謂尚處 於研究的階段，在對此種稀土金 至屬及其軋化物之特性進行 研究時，稀土金屬氧化物，牲别θ _产 寺別疋鑭氧化物本身若以濺鍍 靶材的形態存在，則具有如 大優點.可於基板上直接 . 谷易研究與矽基板之界面處的 订為’並且容易形成稀土 金屬化合物而研究高介電常數閘 膜4之特性，且作為製品之自由度增加。 然而’即使製作成鑭濺鍍革巴 在短時間内發生氧化一般在““ mu ^ Φ m , 在金屬靶表面會形成穩定的氧 反膜’但由於通常非堂蒱 4，因此在濺鍍初期會剝落，而 不會對濺鍍特性造成重大寻 膜厚， 大景/毒。然而，鑭濺鍍靶之氧化皮 膜厚’會導致導電度下降，而造成缝不良。 又’若於空氣中長時間放置時，則甚至會引起與空氣 4 201118201 中的水分發生反應而變成為被氩氧化物之白色粉末覆蓋且 最後粉末化的狀態而無法進行正常賤錄的問題。因此，在 製作把之後’必須立即進行真空包裝或用油脂覆蓋，採取 抗氧化及抗水合作用的對策。 稀土金屬的保存方法，—般係為了避免與大氣接觸而 保存在礦物性油中’但是當要作為賤鍍靶使用B寺，在使用 前為了要將礦物油去除而必須進行洗淨。然而，由於前述 之與氧、水分、二氧化碳之反應性問冑，因此亦有洗淨本 身難以進行的問題。 因此’通常必須要藉由真空包裝來加以保存、包裝。 又，儘管為真空包襄之狀態，仍會因為穿透所使用之膜的 些微水分，造成經化所致之粉末化進行，因此要在可使用 作為濺鍍靶之狀態下作長時間保存並不容易。 回顧以往的公知技術，有以樹脂製的袋子來覆蓋空心 陰極型賤㈣的方法（參照專利文獻1)、將塑膠膜之保護膜 貼附絲的方法（參照專利文獻2)、制表面不存在脫離性 粒子㈣⑽ble particle)之膜來包裝把的方法（參照專利文 ，3)、使用透明之丙烯酸樹脂的上蓋來製作靶的保存容 =，並將其扭緊的方法（參照專利文獻4)、將濺㈣封裝於 ^:狀物的方法（參照專利文獻5)。然而，此等係使用樹脂之 二或：脂性膜來將乾加以封裝者，作為鑭氧化物構成之挺 的保存方法，並不足。 冷，、又，有下述之報告：將鑭氧化物之粉末放入氫氟酸水 冷液’會在粉末的表面形成三氟化鑭的皮膜，對於抑制水 201118201 合作用具有效果（參照 是由於對象物為鑭氧 狀 '塊狀）並不清楚。 專利文獻6)。此雖然會作為參考，但 化物之粉末，因此是否適合於靶（體 因此，本申請人曾開發出一種鑭氧化物靶之保存方 法，係用以保存鑭氧化物構成之滅鍛把的 :在:Γ㈣一一一下、水= .24h以下的真空包裝中，裝入鑭氧化物乾與 -氧化-鋼粉末’裝人絲與粉末後，對真空包裝進 空抽吸及密封，加以保存(參照專利文獻7)。此保存方法極 ’與以往相較之下’具有下述效果：可格外有效地 ]由水合作用(羥化)所導致的粉末化現象，並且可抑制因 形成碳酸鹽而導致的粉末化現象。然而，此保存方法 要作進一步的改良。 必 專 利 文 獻 1 國 際公 開 專 利 文 獻 2 曰 本特 開 專 利 文 獻 3 曰 本特 開 專 利 文 獻 4 曰 本特 開 專 利 文 獻 5 a 本特 開 專 利 文 獻 6 曰 本特 開 專 利 文 獻 7 國 際公 開 W02005/037649 公報。 2002 - 212718 號公報。 2001 — 240959 號公報。 平8 — 246135號公報。 平4一 23 1461號公報。 平10 — 87326號公報。 W02010/ 050409。 非專利文獻1 :德光永輔及另外2人著，「High〜k閘 絕緣膜用氧化物材料之研究」電氣學會電子材料研究會資 料，第6〜13卷，第37〜41頁，2001年9月21日發行。 【發明内容】 6 201118201 本發明，係對為稀土金屬之鑭的氧化物構成之靶的保 法進仃改進，其課題在於提供-種抑制因空氣之殘留 文入所造成之乾的水合作用（經化）而導致的粉末化現 ’並且抑制因形成碳酸鹽而導致的粉末化現象，而可於 可使用作為濺鍍靶之狀態下作長時間保存的技術。 本發明提供： ”-種鑭氧化物靶之保存方法，係用以保存由鑭氧化物 構成之，其特徵在於：於待保存之鑭氧化物之把表 面2預先形成二氟化鑭的皮膜’接著於透氧率在 m · 24h · atm以下、水蒸氣透過率在ο·。/〆.2仙以下的 真空包裝裝入前述形成有三氟化鑭皮膜的鑭氧化物靶 後，將真空包裝抽真空及密封，加以保存。 本發明之一大特徵，係於待保存之鑭氧化物之靶表面 預先形成三氟化鑭的皮膜，藉此可顯著提高抑制靶之水合 作用(經化)而導致的粉末化現象，還有因形成碳酸鹽而導致 的粉末化現象。又，真空包裝之較佳的條件，係具備透氧 率在〇.〇W/ m2 · 24h · _以下、水蒸氣透過率在〇 02g /mM4h以下的性質。以下所說明之真空包裝亦相同。 本發明提供： 2)-種鑭氧化物乾之保存方法，係用以保存由鑭氧化物 構成之賤鍍靶，其特徵在於：於待保存之鑭氧化物之靶表 面預先形成三氟化鑭的皮臈，接著於透氧率在0」咖3 / m2.24h.atm以下、水蒸氣透過率在〇 ig/m2.24h以下的 真空包裝+，裝入前述形成有三氟化鑭皮膜的鑭氧化物靶 7 201118201 與二氧化二鑭粉末後，將真空包襄抽真空及密封，加以保 存0 本發明提供： 3) 如上述1)或2)所記載之鑭氧化物靶之保存方法，其 中，鑭氧化物靶的純度在3N以上，氣體成分之c的含量在 1 OOwtppm 以下 〇 本發明提供： 4) -種密封於真空包裝中之由鑭氧化物構成的減鍍 把，係密封於保存用真空包裝中之由鑭氧化物構成的賤鍛 靶’其特徵在於：於待保#之鑭氧化物之靶表面預先形成 有三氟化鑭的皮膜，該真空包裝的透氧率在〇 ley〆 m2 · 24h · atm以下、水蒸氣透過率在〇」“ ^ ㈣以下， 前述形成有三氣化鑭皮膜的鑭氧化物靶係被裝入及密封於 該真空包裝中。 本發明提供： 5) 一種密封於真空句奘由# 巴裝中之由鑭軋化物構成的濺 把’係密封於保存用真空包奘φ l裒中之由鑭氧化物構成的濺 革巴’其特徵在於：於待 仟保存之鑭虱化物之靶表面預先形 有二鼠化鑭的皮膜，該直★ 4壯a a 2 邊具二包裝的透氧率在0.1cm3 24h · atm以下、水蒸氣透過率/ 2 ^ 处幻手在0.lg/m2 · 24h以7 刚述形成有三氟化鑭皮膜的棚s 片“ 反膜的鑭氧化物靶與三氧化二鑭粉 k破裝入及密封於該真空包裝中。 本發明提供： 6)如上述4)或5)所記載 之密封於真空包裝中之由鑭氧 8 201118201 化物構成的機，該鑭氧化物乾的純度在3N以上，氣體 成刀之C的含量在lOOwtppm以下。 本發明提供： 7)如上述4)至6)中任-項所記載之密封於真空包裝中 之由鑭氧化物構成的濺鍍靶，該由鑭氧化物構成之濺鍍靶 的相對密度在96%以上。 本發明提供： 8)-種薄膜，係將上述4)〜7)中任—項所記載之密封於 空包裝中之由鑭氧化物構成的濺鍍靶保存後，解除真 空，使用所取出之由鑭氧化物構成之粗，藉由濺鑛而形：。 本發明具有下述之極大效果：在將以往之稀土金屬或 稀土金屬t氧化物構成之乾密封在密閉容器《塑料性之膜 加以保存時’若經長時間放置，則會與氧及水分發生反應 :變成為被水合物(氫氧化物)之白色粉末覆蓋的狀態而發 無法進行正常濺錢的問題’但是預先在待保存之鑭氧化 勿之靶表面形成三敦化鑭的皮膜、且密封於真空包裝中加 从保存之由鑭氧化物構成的濺鍍靶，可長期間保存，並不 會發生此種問題。 【實施方式】 已知鑭氧化物的吸濕性（與水分的反應性，水合作則 極強。因此’迄今為止要如何不使鑭氧化物吸濕 如何在水分少的環境來加以保存，一直是個課題。< 疋 X下使用包含實施之具體例及比較例、圖表說明以 之鑭氧化物靶的粉末化現象與解決其之手段。 201118201 乍為PMOS用high (La2〇3)的用途，La 材之功函數調整層 ,^ 糸祀之要求正增加中。吐τ — 中保存時，首先會變成La2〇3,然 La右於大氣

La(OH)3,而崩解成粉狀。 、再從La2〇3快速變成 例如，當將U2〇3靶加以真办 時’從出貨到開封皆會發生出現:末貨至需求處 部崩塌等問題。圖丨顯示其樣子：：粒子、無外周 個月後之乾之未開封的表面狀態係;1示出貨經過4 示對出貨經過4個月後之 ：：…下圖則是顯 照片。 表面、，月潔後之表面狀態的 為了解決以上的問題， 式在進行，並對其加以防治 必須觀察水合作用是以何種方 從此照片清楚可知，特 象。若進行表面清潔，則除 復某種程度，但是使用靶時 清潔的問題。 別是靶的邊緣部發生粉末化現 了邊緣部，表面狀態雖然會回 ，卻會發生必須時常進行表面 瓜而=，為了製造La2〇3靶，會以13〇〇t;左右的溫 度於真空下對La2〇3粉末進行熱壓來製造。此時，為了提升 乾的純度’ La2〇3粉末的純度以較高為佳純度必須為 3N等級。於上述中亦有提及，不僅大氣中的水分，二氧化 碳氣體亦會形成碳酸鹽而導致粉末化現象。因此必須要特 別注意輕中之碳（C)的存在。又，㈣密度亦會影響粉末化 現象。係由於空孔的存在會影響吸濕性的緣故。 凋查於真空下熱壓所得之靶的水合作用會以多 10 201118201 天〜15天日時的 2 3 °C、乾燥運轉 外觀照片。另 快的速度進行。圖2顯示於大氣中放置2 外觀照片。另，試驗係以空調機，在室溫 的環境下’於6月實施。 隔曰，表面開始出現“⑴⑴3粉末，在第3天完全被埋

_ < 穴二匕衣、uADarrier)的保仔試驗。 圖3，係將LazO3靶加以真空包裝（Gxbarrier)時保存2 週後的外觀照片。雖然並未直接看到粉末，但是可知緩慢 地從灰色變成白色。上述各別的XRD測量結果示於圖4。 圖4之上圖為剛熱壓後之[“Ο3靶的xrd測量結果， 中圖為以真空包裝保存2週後之La203靶的XRD測量結 果，下圖則為大氣下保存2週後之La2〇3靶的XRD測量結 果。 在剛進行完熱壓後’雖然為La2〇3單相，但是水合作用 緩慢地開始，2週後，LaA3與La(OH)3的波峰強度比（La2〇3 與 La(0H)3 的最大強度比（La203 之（101)與 La(OH)3 之（1 10))) 為50: 50左右，即使於真空包裝中，表層的一半亦會變成 La(OH)3 ’於大氣中則最後全部都會變成La(〇H)3。可知以 真空包裝雖然可使水合作用變慢，但是並不能加以防治。 另，在進行真空包裝、保存時’較佳為對容器或膜狀之封 膜中先以露點在—8 〇 以下的惰性氣體進行置換後，再加以 选封。密封保存的手段’可使用可撓性膜，將其作成密閉 狀之袋，進行真空密封。 201118201 (除濕劑之使用） 承以上之結果，可知僅以真空包裝之保存並不夠，因 此認為是否只要去除透過真空包裝中進來之水分即可，因 而對除濕#1之使料行了研究。首先，將—般使用作為除 濕劑的碎膠與乾―起包裝，實施試驗。圖5顯示保存第」 天與第1 5天的外觀照片。 與僅有可撓性膜時相較之下，一起包裝矽膠的方法，

La(OH)3的發生變多。此係被認為是由於矽膠的顆粒較大， 於真空包I後留下許多間隙，而殘留許多未完全排氣造成 之水分的緣故。 (La2〇3粉之使用） 又，使用La2〇3粉末作為包裝後亦不會產生間隙，並且 =水力亦強的材料。原始的1^2〇3粉末，由於含有大量水 分，因此對La2〇3粉末以真空爐實施l〇〇〇°Cxl.5h的除氣處 理。以下，將其結果之照片顯示於圖6。左上圖係保存第】 天（真空包裝前），右上圖係使用La2〇3粉並加以真空包裝之 隋形，下圖則是顯示保存1個月之保存結果之圖。 I7使’”呈過1個月後，亦未見表面的變色，又圖7顯示 此乾的X光繞射圖像（XRD)，於此圖7的XRD，La2〇3與 La(〇H)3的波峰強度比（La2〇3與La(OH)3的最大強度比 (La2〇3 之（1〇1)與 La(〇H)3 之（110)))為 90: 10 左右，與僅有 可橈性膜相較之下，水合物大幅減少。 '、'果 °忍為是因為使用粉末’所以沒有產生間隙， -开 |^| _·_ Μ 向及漏性材料的緣故。與僅有可撓性膜相較之 12 201118201 卜，可大幅地增加保存期間。 又，即使鑭氧化物與水分發生 化附著於靶表面，由然後粉末 此可輕易地將其去除， “末，因 由|他金m # 纟為ή的原因。此點與使用 點。金屬構成之乾燥劑的情形相較之下，亦為顯著的優 氣體來與外界氣體隔絕’盡可能地抑制外界 :為=的上述鑭氧化物放在或填充在密封時產生的 二間來抑制靶本身的羥化。 將Α你二靶係接合於支持板、然而例如當使用可撓性膜 由’、' 在閉狀之袋來將接合於支持板之靶真空密封時， 二於㈣支持板之間一定會產生段差，而容易發生空隙。 :此種空隙’“殘留有外界氣體。因此乾之粉狀化容易 此處進仃。較佳為將作為乾燥劑之鑭氧化物填充於此種 段差或空隙。 乍為此乾燥劑之鑭氡化物粉末，其意義應可理解為表 、之粕末或且為顆粒狀。然而，在容易殘留外界氣體 方即使僅放置小的鑭氧化物塊，亦具有效果。 又最有政果係放置成使鑭氧化物與靶直接接觸，但 粉末會附著於把表面’而成為祕中發生粒子（_油）的原 於4種It形，即使如—般的乾燥劑般以包裝在透濕性 膜的狀態封入，亦具有效果。 於本發明乾之保存方法，非常出乎意料地使用上述鑭 13 201118201 巩化物粉末作為乾燥劑，但是就由鑭氧化物構成之靶的保 存方法而言，最容易被羥化之鑭氧化物，其抑制稀土金屬 或其氧化物構成之靶之羥化的效果卻是最高。 使密封保存所使用之可撓性膜的水分透過量或來自心 器外部的水分侵人量在G.lg/m2.24h以下，極力防止水: 的侵入，對於鑭氧化物構成之靶的保存方法而言，亦為= 要。 就作為透氧率在〇.icm3/m2 · 24h · atm以下、水基5 透過率在〇.ig/m'24h以下的真空包裝所使用之可；性 膜的合適例而言，具有GXbarrier(商品名）以上之特性者有 效。較佳為GXbarder(商品名）與附有㈣之袋。此係顯示 代表性之例’若為滿足上述之條件者，當然可使用其他的 可換性膜。以上為本申請人曾提及於上述專利文獻… (表面包覆） 尸上述方法雖然有效，但是在製作乾時，由於暴露在大 乳的時間多’因此容易出現粉末。作為其對策，嘗試了表 面包覆。 首先’貫施隨手可得之不今^八 勘, + 3水分的包覆材（石蠟與鐵氟 龍（Teflone)包覆）之測試。 又，由於專利文獻6記載有若藉由氫敗酸之處理將亂 膜包覆於表面，則耐水性將合描± 卜技 『將會獲得提升，因此亦實施了 虱氟酸處理之試驗。此情形车守 係次潰於氫氟酸中24小時， 將在大氣中穩定的LaF之. 及膜形成在表面，欲使其在大氣 中亦穩定化。以下顯示此等之結果。 14 201118201 圖8為石蠟包覆試驗的結果，圖9為鐵氟龍包覆試驗 °果圖10則為氟化膜包覆試驗的結果》 比θ任包覆皆維持了 1天，而在第2天以後出現了粉末。 白疋攸表面之粗縫部分、邊緣等膜難以附著的地方發生。 石蠟組，若從1個地方發生La(〇H)3，則馬上會全面性 也出現畚末。此認為是由於在水合時發生體積膨張，因此 使付膜無法承$的緣故。鐵氟龍喷覆組則是附著性差，出 見的叙末疋最多的。從以上認為，僅以石壤及鐵氟龍喷覆， 並無法從根本上解決。氫氟酸處理（形成1化膜）亦相同。 此與專利文獻6所記載之事實相反。不過，專利文獻6 係實施在LhO3粉末，相對於此，本發明則是於體狀的 靶實施，因此對象物的性狀不同’並無法期待相同的效果。 如上述，即使是氫氟酸處理，亦發生了與石峨同樣的 現象，但有些位置（尤其是側面）則完全沒有出現粉末。又， 上述表面包覆之方法’即使任一者在大氣中的保存期間皆 延長了，最多亦只有1天而已。 不過，吾人想出是否可期待藉由合併使用氮氣酸處理 與真空包裝，纟進-步提升保存期間。因此，於氫氟酸處 理後加以真空包裝保存，然後進行了調查。 处 (合併使用氤化膜包覆與真空包裝） 圖11顯示對此La2〇3靶合併使用氟化臈包覆與真空包 敦時粉末化現象演變的結果，亦即La2〇3|£之粉末化演= 照片。 ' 又，圖12顯示此情形之La2〇3把的χ光繞射試驗結果。 15 201118201 、方式，包覆氟化膜而提升抗濕性，並加以真空保 存’藉此即使^過i個月後，水合亦沒有進行。u办與 La(OH)3的最大波峰強度比（1^〇3之（ι〇ι)與“⑴扪3之 (110))為90. 10左右（另，僅有真空包裝時為45: 55左右）。 (合併使用氟化膜包覆、真空包裝、及除濕材即[“Ο 粉末） 根據上述的試驗結果’進行了以真空包裝保存有助於 保存期間延長之氫氟酸之表面包覆與La2〇3之除濕材的調 查0 圖13顯示此結果之靶的粉末化現象的演變。並且，圖 14顯示此情形之La2〇3靶的X光繞射試驗結果。 如圖13 m示，藉由合併使用具效果之I化膜包覆、 La2〇3粉、真空包裝’即使丨個月後，&办㈣幾乎沒有 出現變化。又，如圖14所示，與La(0H)3的波峰強 度比（La203 之（1〇1)與 La(〇H)3 之（11〇))為 ％ : 2 左右。 燒結體靶於大氣中會與水分反應，而容易變化成 La(〇H)3。藉由以真空包裝來隔絕外界氣體、包裝内之除 、表面包覆等’可延長保存期間，但並無法完全防止水 而藉由合併使用此等，即使保# 1個月後亦幾乎 沒有出現變化，可確認顯著之改善效果。 產業上之可利用性 以往’若將稀土金屬之氧化物，特別是鑭氧化物濺鍍 把長時間放置於空氣中日夺’則將會與空氣中的水分發生反 應而變成為被氫氧化物之白色粉末覆蓋的狀態，而發生無 16 201118201 法進行正常之濺鍍的問題，但是本發明之鑭氧化物構成之 把的保存方法’並不會發生此類的問題。 之 本發明之鑭氧化物構成之靶的保存方、去， ’暴本上，係 裝入待保存之形成有三氟化鑭之皮骐的鑭氧化物靶與三氣 化二鑭粉末，裝入該靶與粉末後，將真空包裝抽真空： 封，加以保存者。藉此，可有效地抑制因與空氣中之水分 反應而被氫氧化物之白色粉末覆蓋的狀態。 刀 藉此，可穩定地供給把作為金屬閉極材料、 數材料（Hlgh—k)等之電子材料，在產業上極為有用。 【圖式簡單說明】 圖1，係顯示將La氧化物靶加以真空 B ^ i pa . 具工匕裝之經過4個 月後未開封乾、以及將其加以清潔後之無的狀態(昭片卜 =天係剛從真空包裝取出La氧化物纪時、與在大氣 中放置2天〜15天時的外觀照片。 週後的外 圖3，係使用真空包裝（Gxbarrier)時之保 觀照片。 ” 週後、以 圖4,係顯示剛進行完熱壓以真空包 及於大氣下保在？1打 于n傻 保存2週後之各La2〇3靶的XRD測量结果_ 圖5,係將作為除濕劑使用之矽膠 ° 裝實施試驗之圖。 起加以真空包 二:：顯示將La2〇3粉作為除濕劑使用時之結果之圖。 糸使用La2 〇3粉進行真空包梦车 圖像(XRD)e τ具工包裝時之靶的X光繞射 圖I係顯示用以確認包覆石壤時之㈣3乾的粉末化 17 201118201 現象的試驗結果之圖。 圖9 ’係顯不用以確認包覆鐵氟龍（Tefi〇ne ,註冊商標， 以下相同）時之La2〇3靶的粉末化現象的試驗結果之圖。 圖1 〇 ’係顯不用以確認包覆氟化膜時之La2〇3靶的粉 末化現象的試驗結果之圖。 圖U ’係顯示對La2〇3靶合併使用氟化膜包覆與真空 包裝時之粉末化現象演變的結果之圖。 圖12，係顯示合併使用氟化膜包覆與真空包裝時之 La2〇3 |&的X光繞射的分析結果之圖。 圖13，係顯示合併使用氟化膜包覆、真空包裝、及除 濕材即La2〇3粉末時之La203 1巴的粉末化現象演變的結果之 圖。 圖14 ’係顯示合併使用氟化膜包覆、真空包裝、及除 濕材即La2〇3粉末時之La203靶的X光繞射的分析結果之 圖0 【主要元件符號說明】 益 18

Claims (1)

1. 201118201 七、申請專利範圍： 1. 一種鑭氧化物靶之保存方法，係用以保存由鑭氧化 構成之濺鍍靶，其特徵在於·· 物 於待保存之鑭氧化物之靶表面預先形成三氟化鑭的 膜接著於透氧率在0.1 cm3 / m2 · 24h · atm以下、水赛1 透過率在0.1g/m2 · 24h以下的真空包裝中，裝入該形成$ 一說化鑭皮膜的鑭氧化物靶後，將真空包裝抽处 二久密 封，加以保存。 2_ —種鑭氧化物靶之保存方法，係用以保存由鑭氧化物 構成之濺鍍靶，其特徵在於： 於待保存之鑭氧化物之靶表面預先形成三氟化鑭的皮 膜’接著於透氧率在〇.lcmVm2.24h.atm以下、水蒸氣 透過率在0_lg/m2.24h以下的真空包裝中，裝入該形成二 三氟化鑭皮膜的鑭氧化物靶與三氧化二鑭粉末後，將真空 包裝抽真空及密封’加以保存。 3.如申請專利範圍帛1或2項之鑭氧化物#之保存方 法：其中，鑭氧化物靶的純度在3N以上，氣體成分之c的 含置在lOOwtppm以下。 種密封於真空包裝中之由鐦氧化物構成的賤鑛 乾，係密封於保存用真空包裝中之由鑭氧化物構成的滅鑛 靶’其特徵在於： 於待保存之鑭氧化物之靶表面預先形成有 -^ η 一 弗 V* 1C* 测 皮膜’該真空包裝的透氧率在〇lcmVm2 ·抑· _以下、 水蒸氣透過率在（Mg/m2.24h以下，該形成有三氟化綱皮 19 201118201 膜的鑭氧化物靶係被裝入及密封於該真空包裝中。 5·—種密封於真空包裝Φ λ 乾，係密封於保存用之真I:二，化物構成的錢 ㈣，其特徵在於：…裝中之由鋼氧化物構成的減 於:寺保存之鑭氧化物之乾表面預先形成有三氣化鋼的 该真空包裝的透氧率在以下， 過率在〇.lg/m2.24h以下，該形成有三說化綳皮 鋼氧化物靶與三氧化二鑭粉末係被裝入及密封於該真 空包裝中。 〃 6·如申明專利範圍第4或5項之密封於真空包裝中之由 鑭虱化物構成的濺鍍靶，該鑭氧化物靶的純度在3N以上， 軋體成分之C的含量在1 OOwtppm以下。 7 ·如申請專利範圍第4至6項中任—項之密封於真空包 、之由鑭氧化物構成的濺鍍靶，該由鑭氧化物構成之濺 鑛乾·的相對密度在96%以上。 —8.—種薄臈，係將申請專利範圍第4至7項中任一項之 密封於直允幻a*丄 „ A二匕A中之由鑭軋化物構成的濺鍍靶保存後，解 /二’使用所取出之由鑭氧化物構成之靶，藉由濺鍍而 形成。 八、圖式： (如次頁） 20