CN102089256A - 氧化物烧结体、包含该烧结体的溅射靶、该烧结体的制造方法及该烧结体溅射靶的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种氧化物烧结体，包含镧和铪的复合氧化物，其特征在于，烧结体中所含的铪相对于镧含有当量以上。本发明提供一种镧与铪的氧化物烧结体的制造方法，其特征在于，使用La₂(CO₃)₃粉末和HfO₂粉末作为原料粉末，以Hf与La的组成摩尔比为1～1.2的方式进行配合并混合后，将该混合粉末在大气中进行加热合成，然后将该合成材料粉碎得到粉末后，将该合成粉末进行热压而得到烧结体。金属镧快速地与氧结合而崩解，另外氧化镧与水分结合形成氢氧化物而变为粉末状，因此存在均难以长期保存，即使制成溅射靶，也不能实际应用的问题。鉴于此，本发明提供包含镧(La)和铪(Hf)的氧化物的稳定的含La氧化物烧结体，并提供特别适合形成High-k栅绝缘膜的含La氧化物溅射靶。

Description

氧化物烧结体、包含该烧结体的溅射靶、该烧结体的制造方法及该烧结体溅射靶的制造方法

技术领域

本发明涉及包含镧(La)和铪(Hf)的氧化物的氧化物烧结体、包含该烧结体的溅射靶、该烧结体的制造方法及该烧结体溅射靶的制造方法。

背景技术

最近，作为下一代MOSFET中的栅绝缘膜，要求薄膜化，但是，迄今作为栅绝缘膜使用的SiO₂，由隧道效应造成漏电流增加，难以正常工作。

因此，作为代替SiO₂的材料，提出了具有高介电常数、高热稳定性、对硅中的空穴和电子具有高能障的HfO₂、ZrO₂、Al₂O₃、La₂O₃等所谓的High-K材料。

这些材料中有前景的是以HfO₂为基础的材料体系，发布有作为下一代MOSFET中的栅绝缘膜的研究报告。最近了解到通过将HfO系的High-K材料与氧化镧(La₂O₃)组合使用可以得到降低阈值电压等特性改善，从而作为电子材料的镧引起关注。

镧(La)是包括在稀土元素中的元素，作为矿产资源以混合复合氧化物形式包含在地壳中。稀土元素是从比较稀少地存在的矿物中分离出来的，因此具有这样的名称，但是从地壳整体来看绝对不稀少。

镧是原子序数57、原子量138.9的白色金属，在常温下具有双六方最密堆积结构(複六方最密構造)。熔点921℃、沸点3500℃、密度6.15g/cm³，在空气中表面被氧化，逐渐溶于水中。可溶于热水、酸。无延性，但稍有展性。电阻率为5.70×10^-6Ω·cm。在445℃以上燃烧形成氧化物(La₂O₃)(参考理化学辞典)。

稀土元素一般以氧化数为3的化合物稳定，镧也是3价。最近，镧作为金属栅材料、高介电常数材料(High-k)等电子材料受到了研究开发，成为受关注的金属。

金属镧存在纯化时容易氧化的问题，因此是难以高纯度化的材料，高纯度制品也不存在。另外，在将金属镧在空气中放置的情况下，短时间内氧化而变为黑色，因此存在不容易操作的问题。

另一方面，作为下一代MOSFET中的栅绝缘膜，要求薄膜化，但是，迄今作为栅绝缘膜使用的SiO₂，由隧道效应造成漏电流增加，难以正常工作。

因此，作为代替SiO₂的材料，提出了具有高介电常数、高热稳定性、对硅中的空穴和电子具有高能障的HfO₂、ZrO₂、Al₂O₃、La₂O₃。特别是这些材料中La₂O₃的评价高，对其电特性进行了调查，并发布了作为下一代MOSFET中的栅绝缘膜的研究报告(参考非专利文献1和非专利文献3)。但是，在该文献的情况下，作为研究对象的是La₂O₃膜，对于La元素的特性和行为没有特别提及。

因此，对于镧(氧化镧)而言，可以说尚处于研究阶段，在对镧金属或氧化镧或镧与其它元素的复合氧化物的特性进行调查的情况下，如果镧金属自身作为溅射靶材而存在，则可以容易地在衬底上形成镧的薄膜，因此具有的巨大优点为，可以对与硅衬底的界面行为、以及通过进一步形成镧化合物而对高介电常数栅绝缘膜等的特性进行调查，作为制品的自由度增大。

但是，即使制作镧溅射靶，如上所述，其存在在空气中短时间内(约10分钟)就发生氧化的问题。在靶自身上形成氧化膜时，电导率下降，导致溅射不良。另外，在空气中长时间放置时，与空气中的水分反应而成为由氢氧化物的白色粉末覆盖的状态，造成不能正常溅射的问题。

因此，在靶制作后，需要立即进行真空包装或者用油脂包覆的抗氧化对策，这是非常繁杂的作业。鉴于以上问题，镧元素的靶材迄今未实际应用。

另一方面，也提出了不使用镧(氧化镧)作为起始材料，而是以铝酸镧(LaAlO₃)的形式使用的方案(参考非专利文献2)。在该文献中记载有，铝酸镧是比作为下一代材料提出的为High-k绝缘膜的HfO₂、HfSiO更好的材料。

此时，成膜的工艺成为问题。根据该文献，记载了与室温成膜相比，高温成膜(700℃下的成膜)时漏电流少，文中解释到这是因为，高温成膜时膜中的缺陷消失以及可以除去LaAlO₃中存在的过剩氧。

在该文献中，未明确记载成膜工艺，但是有高温(700℃)成膜的说明，预想是使用反应性气体的工艺。为了形成该High-k绝缘膜，成膜工艺以高温为前提，因此认为问题没有得到解决。

另外，作为栅电介质材料的界面材料，也提出了使用La₂Hf₂O₇(参考专利文献1)。在该专利文献1的实施例中，采用了通过以HfCl₄及H₂O为化学前体的原子层沉积法或者电子束外延法从而在Si晶片上生长的方法。此时成膜方法也成问题。

以HfCl₄及H₂O为化学前体的原子层沉积法或者电子束外延法，难以控制成膜，并且效率差。如果这些方法不能充分进行，则存在不能在衬底上进行精密沉积的问题。

由溅射法进行的成膜方法是简便的方法，具有成膜速度大，容易控制的显著优点，但是，将镧金属或氧化镧或者镧与其它元素的复合氧化物作为溅射靶的研究尚不充分，存在不能得到有效的靶的问题。

非专利文献1：德永光辅等著High-kゲ一ト絶縁膜用酸化物材料の研究(《High-k栅绝缘膜用氧化物材料的研究》)，日本电气学会电子材料研究会资料，第6～13卷，37～41页，2001年9月21日发行

非专利文献2：铃木正道等著ランタンアルミネ一ト直接接合ゲ一ト絶縁膜(《铝酸镧直接接合的绝缘膜》)，东芝评论，第62卷，第2期(2007年)37～41页

非专利文献3：ALSHAREEF H.N.，QUEVEDO-LOPEZ M.，WEN H.C.，HARRIS R.，KIRSCH P.，MAJHI P.，LEE B.H.，JAMMY R.，著Work function engineering using lanthanum Oxide interfacial layers(《使用氧化镧界面层的功函数工程》)Appl.Phys.Lett.，第89卷，第23期，232103-232103-3页，(2006)

专利文献1：日本特开2007-324593号公报

发明内容

如上所述，金属镧与氧快速结合而崩解，另外，氧化镧与水分结合形成氢氧化物而变为粉末状，因此均难以长期保存，即使制作溅射靶，也存在不能实际应用的问题。鉴于此，本发明的课题在于提供包含镧(La)和铪(Hf)的氧化物的稳定的含La氧化物烧结体，特别是提供适合形成High-k栅绝缘膜的含La氧化物溅射靶。

如上述课题所述，金属镧容易与氧结合，另外，氧化镧容易与水分结合形成氢氧化物，从而均难以长期保存。

本申请发明通过在氧化镧中添加氧化铪得到烧结体，再将该烧结体加工为靶，从而可以用于溅射成膜。该烧结体及靶的成分组成包含新物质。

根据以上内容，本发明提供：

1)一种氧化物烧结体，包含镧和铪的复合氧化物，其特征在于，烧结体中所含的铪相对于镧含有当量以上。

2)如上述1)所述的氧化物烧结体，其特征在于，氧化物中的La∶Hf的摩尔比为1∶(1.0～1.2)。

3)如上述1)所述的氧化物烧结体，其特征在于，氧化物中的La∶Hf的摩尔比为1∶(1.01～1.1)。

4)如上述1)至3)中任一项所述的氧化物烧结体，其特征在于，相对密度为98％以上，最大粒径为50μm以下，平均粒径为5μm以上且20μm以下。

5)如上述1)至4)中任一项所述的氧化物烧结体，其特征在于，烧结体中所含的碱金属为40ppm以下，除Zr以外的过渡金属元素为100ppm以下，Pb为10ppm以下，U、Th为5ppb以下。

6)一种溅射靶，其包含上述1)至5)中任一项所述的氧化物烧结体。

7)包含上述5)所述的氧化物烧结体的溅射靶，用于形成半导体元件的栅绝缘膜。

本发明还提供：

8)一种镧与铪的氧化物烧结体的制造方法，其特征在于，使用La₂(CO₃)₃粉末和HfO₂粉末作为原料粉末，以Hf与La的组成摩尔比为1～1.2的方式进行配合并混合后，将该混合粉末在大气中进行加热合成，然后将该合成材料粉碎得到粉末后，将该合成粉末进行热压而得到烧结体。

9)如上述8)所述的氧化物烧结体的制造方法，其特征在于，La∶Hf的摩尔比为1∶(1.01～1.1)。

10)一种镧与铪的氧化物烧结体的制造方法，其特征在于，使用La₂O₃粉末和HfO₂粉末作为原料粉末，以Hf与La的组成摩尔比为1～1.2的方式进行配合并混合后，将该混合粉末在大气中进行加热合成，然后将该合成材料粉碎得到粉末后，将该合成粉末进行热压而得到烧结体。

11)如上述10)所述的氧化物烧结体的制造方法，其特征在于，La∶Hf的摩尔比为1∶(1.01～1.1)。

12)如上述8)至11)中任一项所述的氧化物烧结体的制造方法，其特征在于，通过湿式球磨机进行混合，合成通过在大气中1350℃～1550℃下加热5小时～25小时来进行。

13)如上述8)至12)中任一项所述的氧化物烧结体的制造方法，其特征在于，合成粉末的热压通过在1300℃～1500℃、在真空中加热1小时～5小时来进行。

14)一种氧化物烧结体的制造方法，其特征在于，通过上述8)至13)中任一项所述的制造方法来制造上述1)至7)中任一项所述的氧化物烧结体。

15)通过上述14)所述的制造方法来制造氧化物烧结体溅射靶的方法。

发明效果

将以往的镧(氧化镧)溅射靶在空气中长时间放置时，与空气中的水分反应而成为由氢氧化物的白色粉末覆盖的状态，产生不能进行正常的溅射的问题。本发明的包含镧和铪的氧化物的靶，可以显著延迟这样的问题的产生，可以长期保存直到实际应用上没有问题的期限。

另外，由于以与一般作为High-k材料使用的Hf氧化物的混合物的形式使用，因此特别是作为栅绝缘膜，可以说是良好的材料。

附图说明

图1是表示将La₂Hf_(2.044)O₇的氧化物烧结体与Cu制背衬板接合得到的靶的外观图(照片)。

图2是表示La₂Hf_(2.044)O₇的氧化物烧结体靶的组织观察的结果的显微镜照片。

图3是表示La₂Hf_(2.044)O₇的氧化物烧结体的边角料的浸水试验的结果的外观图(照片)。

图4是表示La₂Hf_(2.044)O₇的氧化物烧结体的浸水试验前与浸水试验24小时后的边角料的通过X射线衍射(XRD)测定2θ强度(CPS)的结果的图。

如果是化学计量的成分组成La₂Hf₂O₇，则通常与水分不发生反应，是稳定的。但是，有时由于组成的微小变动而产生局部La过量区域。此时，进行La的局部氧化或氢氧化。这会产生作为烧结体或靶的功能显著下降的问题。

但是，如本发明所示，通过将Hf的量与化学计量的成分组成的比率同等或者比该比率稍稍过量添加，不产生氧化镧，可以防止与水分的反应。由此，具有长期可以保持作为烧结体或靶的功能的显著效果。Hf的量与化学计量的成分组成的比率同等时，通过充分地进行成分的混合和烧结并消除成分的偏析，可以抑制局部的La氧化物或La氢氧化物的形成。

具体实施方式

本发明的氧化物烧结体或溅射靶，是包含镧(La)和铪(Hf)的氧化物的烧结体或溅射靶，其特征在于，烧结体或溅射靶中所含的铪相对于镧含有当量以上。

另外，该氧化物中的La∶Hf比，即La∶Hf＝1∶(1.0～1.2)，优选La∶Hf＝1∶(1.01～1.1)。

镧(La)与铪(Hf)的氧化物的化学计量组成，如上所述为La₂Hf₂O₇。从该组成比可以明显看出，包含Hf比化学计量的组成比过量的区域。即，La∶Hf＝1∶x(1.0≤x≤1.2)。x小于1.0时，对水分的耐久性显著下降，因此x的下限值需要设定为1.0。另外，x大于1.2时，与HfO₂的特性接近，因此认为即使与High-k材料组合使用，也难以改善特性，因此x的上限值设定为1.2。另外，推荐的条件是x为1.01～1.1。

制造该氧化物烧结体靶时，优选使用La₂(CO₃)₃粉末或La₂O₃粉末和HfO₂粉末作为原料粉末。而且，将其以Hf与La的摩尔比为1.0～1.2、优选Hf与La的摩尔比为1.01∶1.1的方式进行配合。

上述的La的原料粉末，只要可以通过热处理预先变成氧化物即可，不限于上述原料粉末。作为这样的原料，有氢氧化镧、硝酸镧、氯化镧。另外，也可以使用金属镧。另一方面，关于Hf，也可以使用金属铪。将其混合后，在氧化气氛的大气中进行加热合成，然后将该合成材料粉碎得到粉末，再将该合成粉末热压而得到烧结体。

混合通过湿式球磨机进行，合成通过在大气中、在1350℃～1550℃下加热约5小时～约25小时来进行是推荐的制造条件。

另外，热压通过在1300℃～1500℃下进行1小时～5小时也是作为烧结条件所推荐的制造条件。以上是有效进行合成和烧结的条件。因此，应该理解，设为除此以外的条件以及附加其它条件当然是可以的。

这些粉末的混合、合成及烧结，是不产生La组成的偏析，得到均匀组织的条件，由此可以得到致密的烧结体和靶。

产生过量的La氧化物或La氢氧化物时，引起烧结体或靶的崩解，作为制品的寿命大幅缩短。此时，通过将Hf的量比La₂Hf₂O₇化学计量的成分组成高一些，即使存在这样的成分波动(偏析)，也可以避免烧结体或靶的崩解。

这是因为：通过过量存在Hf，即使产生局部的组成波动，也可以抑制La的过量偏析的产生，从而以稳定的LaHf氧化物形式保留在烧结体或靶内。比化学计量的成分组成稍稍过量的Hf添加量，是用于制造稳定的烧结体或靶的优选条件。由此，可以得到相对密度为98％以上，最大粒径为50μm以下的氧化物烧结体，并且将其进一步加工可以得到溅射靶。

密度提高和晶粒直径的细微化，可以抑制结瘤或粉粒的产生，是可以进行均匀成膜的优选条件。

以往，虽然存在与使用La金属、La氧化物或La与其它元素的复合氧化物的薄膜相关的文献，但是这些文献全部是以HfCl₄及H₂O作为化学前体的原子层沉积法或电子束外延法等通过气相反应进行的方法，完全没有提出过作为烧结体或溅射靶的方案。

这认为是由于：在包含La金属、La氧化物或La与其它元素的复合氧化物的烧结体或靶的制造工序中，La金属、La氧化物或La与其它元素的复合氧化物快速地崩解，从而不能保持形状。

但是，在本申请发明中，发现通过Hf的添加和成分调节、以及控制原料粉末的混合、合成、烧结条件，可以抑制含La复合氧化物烧结体或靶的崩解，因此，可以作为溅射靶来使用。另外，Hf的添加如上所述作为High-k材料也是有益的。

一般在镧中含有的稀土元素，除了镧(La)以外，还有Sc、Y、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu，由于特性相似，因此难以从La中分离纯化。特别是Ce与La相似，因此不容易减少Ce。

但是，这些稀土元素由于性质近似，因此如果以稀土元素的合计低于1000重量ppm，则不会特别成问题。因此，本申请发明中，含有该水平的稀土元素是允许的，当然，为了有效应用La作为栅绝缘膜的特性，优选减少这些元素。

另外，除此以外，还存在不可避免地混入的杂质。分析值如表1所示。Zr大量(1600重量ppm)含有，但是幸运的是，本申请发明有意地添加Hf，由于Zr与Hf的化学性质非常接近，因此即使Zr作为杂质存在，同样也不会成问题。但是，为了有效应用Hf的特性，进一步减少Zr可以说是优选的条件。这些任一种情况均包含在本发明中。

一般而言，作为气体成分，存在C、N、O、S、H。如上所述，氧作为有害成分可以固定，除此以外的气体成分，不会特别成问题。它们有时以单独的元素的形式存在，但是多数情况下是以化合物(CO、CO₂、SO₂等)或与构成元素的化合物的形式存在。这些气体成分元素的原子量和原子半径小，因此只要不是大量含有，即使作为杂质存在，也不会对材料的特性产生大的影响。因此，本发明的镧的纯度，除稀土类、Zr和气体成分以外的纯度优选设定为3N以上。

另外，优选设定烧结体中所含的碱金属为40ppm以下，除Zr以外的过渡金属元素为100ppm以下，Pb为5ppm以下，U、Th为5ppb以下。这些物质会降低半导体材料的特性，因此应该尽可能少。特别是，碱金属容易在栅绝缘膜中迁移而使MOS界面特性劣化，放射性元素自身发射的α射线造成的损害会对MOS元件的工作可靠性产生影响，另外，Fe、Ni等过渡金属元素及重金属元素，是使界面接合部产生故障的原因。

另外，本申请发明，根据上述制造条件，可以实现氧化物烧结体的相对密度为98％以上，最大粒径为50μm以下，平均粒径为5μm以上且20μm以下。由此，可以防止溅射时产生粉粒，形成均匀性优良的膜。

通过使用上述靶进行溅射，可以形成包含成分组成为La₂Hf_(2.0～2.4)O₇(La∶Hf比为1∶(1.0～1.2))、优选La₂Hf_(2.02～2.2)O₇(La∶Hf比为1∶(1.01～1.1))的镧和铪的氧化物(以下，称为“基本成分组成La₂Hf₂O₇”)的栅绝缘膜。靶的成分组成直接反映在形成的膜中。

另外，这样使包含形成的作为基础成分组成La₂Hf₂O₇的镧与铪的氧化物的栅绝缘膜形成后，可以在50℃～300℃下进行加热处理。这是欲将膜中存在的游离氧进一步固定的条件，因此是可以附加实施的条件。应该理解为这并非必要条件。特别是在下一代MOSFET等的制造条件中，在忌避这样的加热的制造条件中，是不需要的条件。

实施例

以下，对实施例进行说明。另外，该实施例只是为了容易理解，不限制本发明。即，本发明包含在本发明的技术构思范围内的其它实施例和变形。

(实施例1)

使用La2(CO₃)₃粉末和HfO₂粉末作为原料粉末，将其以La与Hf的摩尔比为1∶1.03的方式进行配合，并通过湿式球磨机进行3小时混合。将该混合粉末在大气中在1450℃下加热20小时进行合成。再使用球磨机将该合成材料湿式粉碎10小时而得到粉末。结果，得到成分组成为La₂Hf_2.044O₇的合成粉末。将该合成材料在1500℃下热压2小时得到烧结体。烧结体的尺寸为φ190mm，在加压300kg/cm²下实施。

由此，得到成分组成为La₂Hf_2.044O₇的氧化物烧结体。将该氧化物烧结体进行机械加工，得到溅射靶。机械加工后的靶的尺寸为φ164mm×6mmt。另外，靶的相对密度为99.75％(7.934g/cm³；理论密度为7.954g/cm³)。

另外，将该溅射靶在大气中与Cu制背衬板接合。与Cu制背衬板接合的靶的外观如图1所示。另外，靶的组织观察结果如图2所示。该图2是从靶的表面随机抽取4处，并显示其结果的图。如图2所示，平均粒径为13.2μm～15.1μm，最大粒径为35.6μm～44.4μm，最小粒径为6.7μm，孔隙面积率大致为0％，可以确认为高密度且细微的组织。

这样制作的成分组成为La₂Hf_2.044O₇的氧化物烧结体的边角料的浸水试验的结果如图3所示。图3的左边是浸水试验前的结果，右边是浸水试验24小时后的结果。如图3所示，即使在24小时的浸水试验后，也完全没有由氧化或氢氧化造成的腐蚀的痕迹。

通常，镧(氧化镧)即使在大气中放置1小时，也会快速地进行氧化或氢氧化腐蚀，最初为白色，进一步变为黑色，但是，该La₂Hf_2.044O₇的氧化物烧结体中没有观察到腐蚀。

另外，为了对其进行评价，通过所述浸水试验前和浸水试验24小时后的边角料的X射线衍射(XRD)测定2θ强度(CPS)。结果如图4所示。如图4所示，浸水试验前和浸水试验24小时后的边角料的2θ强度没有变化。由此，也可以确认没有进行氧化或氢氧化腐蚀。

另外，使用该靶进行高频溅射，在Si衬底上形成La₂Hf_2.044O₇氧化物薄膜。结果，在Si与La₂Hf_2.044O₇氧化物薄膜的界面处，完全没有观察到Si氧化膜层。这说明作为栅绝缘膜的材料是有用的。

另外，在实施例1中，使用La₂(CO₃)₃粉末作为原料粉末，但是，即使使用La₂O₃粉末，也可以得到同样的结果。在含有La的原料粉末的选择中不特别具有问题。

(实施例2～实施例8)

使用La₂(CO₃)₃粉末和HfO₂粉末作为原料粉末，以La与Hf的摩尔比相对于La为1，Hf分别为1.01、1.02、1.04、1.05、1.06、1.08、1.2的方式进行配合，并通过湿式球磨机进行混合。制造条件与实施例1相同。结果，得到与实施例1同样的结果。

如果将Hf相对于La的摩尔比的最小限度保持为1.0以上，则腐蚀不会特别地产生影响，Hf的摩尔比超过1.2时，具有使La的作为栅绝缘膜的特性下降的倾向，因此需要将Hf的摩尔比的上限设定为1.2。

产业实用性

将以往的镧(氧化镧)溅射靶在空气中长时间放置时，与空气中的水分反应而成为由氢氧化物的白色粉末覆盖的状态，产生不能进行正常的溅射的问题，而本发明的包含镧和铪的氧化物的烧结体和靶不产生这样的问题。

另外，由于Hf的量与化学计量的成分组成La₂Hf₂O₇相同或比其过量，由此具有的显著效果为，可以利用氧化能力强的Hf将镧和铪的复合氧化物中含有的游离氧或过剩氧固定，可以防止游离氧在溅射形成的La₂Hf₂O₇膜中迁移并在界面处与Si反应形成有害的SiO₂。

因此，使用该靶进行成膜，在形成均匀的膜时具有显著效果，并且形成的薄膜特别是作为与硅衬底邻近配置的电子材料，不会降低或扰乱电子设备的功能，作为栅绝缘膜的材料有用。

Claims (15)

1.一种氧化物烧结体，包含镧和铪的复合氧化物，其特征在于，烧结体中所含的铪相对于镧含有当量以上。

2.如权利要求1所述的氧化物烧结体，其特征在于，氧化物中的La∶Hf的摩尔比为1∶(1.0～1.2)。

3.如权利要求1所述的氧化物烧结体，其特征在于，氧化物中的La∶Hf的摩尔比为1∶(1.01～1.1)。

4.如权利要求1至3中任一项所述的氧化物烧结体，其特征在于，相对密度为98％以上，最大粒径为50μm以下，平均粒径为5μm以上且20μm以下。

5.如权利要求1至4中任一项所述的氧化物烧结体，其特征在于，烧结体中所含的碱金属为40ppm以下，除Zr以外的过渡金属元素为100ppm以下，Pb为10ppm以下，U、Th为5ppb以下。

6.一种溅射靶，其包含权利要求1至5中任一项所述的氧化物烧结体。

7.包含权利要求5所述的氧化物烧结体的溅射靶，其用于形成半导体元件的栅绝缘膜。

8.一种镧与铪的氧化物烧结体的制造方法，其特征在于，使用La₂(CO₃)₃粉末和HfO₂粉末作为原料粉末，以Hf与La的组成摩尔比为1～1.2的方式进行配合并混合后，将该混合粉末在大气中进行加热合成，然后将该合成材料粉碎得到粉末后，将该合成粉末进行热压而得到烧结体。

9.如权利要求8所述的氧化物烧结体的制造方法，其特征在于，La∶Hf的摩尔比为1∶(1.01～1.1)。

10.一种镧与铪的氧化物烧结体的制造方法，其特征在于，使用La₂O₃粉末和HfO₂粉末作为原料粉末，以Hf与La的组成摩尔比为1～1.2的方式进行配合并混合后，将该混合粉末在大气中进行加热合成，然后将该合成材料粉碎得到粉末后，将该合成粉末进行热压而得到烧结体。

11.如权利要求10所述的氧化物烧结体的制造方法，其特征在于，La∶Hf的摩尔比为1∶(1.01～1.1)。

12.如权利要求8至11中任一项所述的氧化物烧结体的制造方法，其特征在于，通过湿式球磨机进行混合，合成通过在大气中1350℃～1550℃下加热5小时～25小时来进行。

13.如权利要求8至12中任一项所述的氧化物烧结体的制造方法，其特征在于，合成粉末的热压通过在1300℃～1500℃、在真空中加热1小时～5小时来进行。

14.一种氧化物烧结体的制造方法，其特征在于，通过权利要求8至13中任一项所述的制造方法来制造权利要求1至7中任一项所述的氧化物烧结体。

15.通过权利要求14所述的制造方法来制造氧化物烧结体溅射靶的方法。

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