TW201112278A - Oxygen-barrier packaged surface mount device - Google Patents

Description

201112278 t、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關電子電路。更明確地說，本發明係關 於一種氧阻障封裝表面固定裝置。 【先前技術】 表面固定裝置（surface mount device，SMD)由於其 尺寸小的優點而被運用於電子電路中。表面固定裝置一 般包含一埋置於一封裝材料如塑膠或環氧樹脂中的核 心元件。舉例來說，可將一具有電阻特性的核心元件埋 置於封裝材料中以製得一表面固定電阻器。 目前使用之表面固定裝置具有一個缺點，即用於封 住核心元件的材料容易讓乳氣渗透至核心元件。這對於 特定核心元件而言是不利的。舉例來說，一正溫係數核 心元件在氧氣可進入的情況下，其電阻會隨著時間增 加。在一些例子中，基礎電阻可能增加五倍而超出核心 裝置之規格所容許的範圍。 【發明内容】 本發明之第一構想在於提供一種表面固定裝置的 製備方法，其包含：提供複數個層體，該複數個層體包 含一 B階之第一層體以及一限定出一開口以容置一核心 元件的第二層體；將一核心元件置入第二層體所設之開 口；以B階之第一層體覆蓋第二層體以及核心元件；對 第一層體和第二層體進行固化直到B階之第一層體轉變 為C階狀態；其中核心元件實質上為一透氧率小於約0.4 cm3 · mm/m2 · atm · day的氧阻障材料所包覆。 本發明之第二構想在於提供一種表面固定裝置的 201112278 製備方法，其包含：提供一基質層，該基質層包含一第 一接點焊墊和一第二接點焊墊；將一核心元件固定於第 一接點焊墊，使核心元件的下導電表面與第一接點焊墊 電性連接；將一導電彈片固定於核心元件的上表面以及 第二接點焊墊，以在核心元件的上表面與第二接點焊墊 間形成一電通道；將一 A階材料注入核心元件和導電彈 片的周圍；及對表面固定裝置進行固化直到A階材料轉 變為C階狀態。或者，前述A階材料可部分固化為B 階狀態，這在完全固化前須進行一些中間程序的情況下 是合適的方法。前述核心元件實質上為一氧阻障材料所 包覆。 本發明之第三構想在於提供一種表面固定裝置的 製備方法，其包含：提供一第一基質層和一第二基質 層，第一基質層和第二基質層分別包含一大體上為L形 的連接件（interconnect)，該L形的連接件限定出一沿著 基質層之上表面的表面固定裝置接觸面、一延伸穿過基 質層之中間區以及一沿著基質層之下表面延伸的核心 元件接觸；將一核心元件的上表面固定於第一基質層之 連接件的核心元件接觸；將該核心元件的下表面固定於 第二基質層之連接件的核心元件接觸；將一 A階材料注 入至核心元件的周圍；及對該A階材料進行固化直到其 轉變為C階狀態；其中前述核心元件實質上為一氧阻障 材料所包覆。 本發明之第四構想在於提供一種表面固定裝置，其 包含：一具有一上表面和一下表面的核心元件；一實質 上封住核心元件的C階氧阻障絕緣材料；以及設置於C 階氧阻障絕緣材料之外表面的第一接點焊墊和第二接 點焊墊；其中第一接點焊墊和第二接點焊墊係用以分別 4 201112278 【實施方式】 為了克服Μ面所提到的種種問題，本發明、人 氧阻障材料之表面固定裝置的各式實施態樣。 態樣大體是利用絕緣材料來避免核心元件受二， 其他雜質的影響。在-些實施態樣中，絕緣 ^ 於第i2/46〇,338誠國專利申請案（G〇lden et ^ = 到的其中-種氧阻障材料’該申請案係與本案在同 提出申請，並納入本案以做為參考文獻。氧阻障材料可 具有小於約 0.4 cm3*mm/m2.atm*day(l cm3*mil/100 in2，atm*day)的透氧率，即量測有多少立方公分之氧氣滲 透過面積為一平方公尺、厚度為一公釐之樣本；該透氧 率係於相對溼度0%、溫度23。(：以及一大氣壓之分壓差 (a partial pressure differential of 〇ne atmosphere)下量測 24小時所得之結果）透氧率可利用aSTMF-1927測試 法搭配美國明尼蘇達州明尼亞波利市的Mocon，Inc_,所 提供之設備來量測。 絕緣材料一般包含一或多種熱固性聚合物，如環氧 樹脂。該絕緣材料可處於A階、B階或C階其中一種物 理狀態。A階狀態的特點是，一組合物具有線性結構、 可溶性和可溶性。在一些實施態樣中，A階組合物可為 一高黏度液體，具有既定分子量並含有大量未反應之化 合物。在這個狀態下，組合物的流動性最佳（相較於B 階或C階材料）。在一些實施態樣中，A階組合物可經由 光啟始反應或熱反應而自A階狀態轉變為B階或C階 狀態。 201112278 B階狀態可藉由將一 A階材料部分固化來達成，其 中A階組合物之至少一部分彼此交聯，且該材料的分子 量增加。除了特別載明’否則可B階化之組合物 (B-stageable composition)可藉由熱延遲固化或uv固化 來達成。在一些實施態樣中’可B階化之組合物係經由 熱延遲固化而完成。B階反應可於該產品之軟化點和熔 解黏度雖較反應前高但仍保有可；I：容性和可溶性時中 止。該B階組合物含有足夠的硬化劑以影響後續加熱程 序中的交聯反應。在一些實施態樣中，B階組合物是流 體或半固體，因此，在一些情況下，該B階組合物可呈 現流動的狀態。在呈半固體狀態的情況下，該熱固性聚 合物可透過如一操作者之處理，以進行後續程序。在一 些貫施態樣中，B階組合物包含一共形之無黏性薄膜， 其係可成形且未完全固化，故可形塑該組合物或改變其 形狀使其包圍一電子元件。 C階狀態係藉由將組合物完全固化來達成。在一些 實施態樣中，C階組合物係自A階狀態完全固化而得。 在其他實施態樣中，C階組合物係自B階狀態完全固化 而得。一般在C階狀態中，組合物於合理情況下將不會 再呈現流體狀態。在這個狀態中，組合物係為一固體， 且通常不能將其改變成不同形狀。 _ 絕緣材料的另一種型式為一預浸材料型式。一般而 έ ’預浸材料型式等同於一含有強化材料的B階型式。 冬例來<»兒，可將玻璃纖維或另一種不同的強化材料結合 於Β階型式中，以此製備Β階絕緣材料板。 前述絕緣材料可用於製備透氧率低的表面固定裝 置或其他小型裝置。舉例來說，該絕緣材料可用於製備 外壁厚度小於〇·35 mm(〇.(n4 in)的低透氧率表面固定 6 201112278 裝置。 第一 A和一 B圖分別為一實施態樣之表面固定裝置 100的上視圖和底視圖。表面固定裝置1〇〇包含一大體 上呈矩形的本體，该本體具有一上表面l〇5a、一下表面 105b、一第一末端ll〇a、一第二末端11〇b、一第一接點 知墊115a以及一第一接點焊墊115b。第一接點焊墊η5a 和第二接點焊墊115b係自表面固定裝置1〇〇的上表面 105a延伸，分別覆蓋第一末端η〇a和第二末端I〗⑽並 延伸至下表面105b。如分別呈現於第一 a圖和第一 B 圖，第一接點焊墊115a限定出一第一對開口丨丨7a，而 第二接點焊墊115b限定出一第二對開口 U7b。如第一 c ，所示，第一對開口 117a和第二對開口 n7b係用以使 第一接點焊墊115a和第二接點焊墊U5b與設置 ，亥心元件12〇電性連接。在-實施態樣中，ΐ二定 裝置100的尺寸約為3.0mm乘2 5〇1111乘0 7〇1爪(0 i2〇in 乘〇. 1 〇〇 in乘0.028 in)，上述三個數值分別為表面固定 裝置100在X、γ和z軸方向的尺寸。 第一 C圖係第一 A圖之表面固定裝置1〇〇於切線 A-A所取之截面圖。表面固定裝置1〇〇包含一第一接點 輝塾115a、一第二接點焊塾⑽、一核心元件12〇以及 二絕緣材料125。核心元件12〇可等同於—具有會因氧 ，在而劣化之特性之元件。舉例來說，核心元件12〇可 :同？ 3有導電性聚合物組合物的低電阻正溫係 d^device)。該導電性聚合物組合物的電子特性 者==劣化。舉例來說，在填充金屬之導電性聚 二円如含有鎳的聚合物組合物，當組合物與 接觸時，金屬粒子的表面會氧化，所形成之氧 曰θ降低金屬粒子彼此接觸時的導電性。大量的氧化 201112278 接觸點會導致正溫錄元件的電叫冑5倍或。這 會超出正溫係數元件原本的規格限制。藉由將 合物組合物與氧氣的接觸降至最低電 性聚合物組合物之it件的電氣性能。权开s有°亥導電 =件no可包含—本體12〇a、一上表面· ^ ΐ面12〇C。本體12〇a可具有大體上為矩形的 外：，二在7些實施態樣中，其沿著γ轴的厚度約〇.3 Γζΐ L ^1' "〇L # X ^ ^ ^ ^ 2 ^m(0.080 in) ,Χ ^ >- 軸的味度約以麵⑼㈣叫。上表面隱以及下 表面HOC可包含-導電性材料。舉例來說，上表面麗 以及下表面120c可包含一厚度為〇您麵(請丨in)的 鎳層及/或-厚度為〇.〇25 mm(()侧in)的銅層。前述導 電性材料可包覆核心元件120的整個上表面腸和下 表面120c。 立在一些貫施態樣中，絕緣材料125可等同於一氧阻 ，材料，士:第12/46°，338號美國專利中請案中所提到的 ，、中y種氧阻障材料。氧阻障材料可避免氧氣滲透進入 ，、元件，避免核心元件的特性劣化。絕緣材料125沿 著Y軸自核心元件120之上表面12〇b至表面固定裝置 !〇〇之上表面l〇〇a的厚度係介於〇〇1〜〇125 mni (0.0004〜0.005 in)之間，例如約 〇 〇56 mm(〇 〇〇22 in)。絕 緣材料125沿著X軸自核心元件12〇之一末端12〇d和 】20e至表面固定裝置1〇〇之一末端的厚度介於 0.025〜0.63 mm (0.001 〜0.025 in)之間，例如約 0 056 職(0.0022 in)。 第一接點焊塾115a和第二接點焊墊115b係用以將 表面固定裝置1〇〇固定於—印刷電路板或基材（圖未 示）。舉例來說，表面固定裝置1〇〇可經由第一接點焊墊 8 201112278 接點焊塾⑽的一個表面焊接至-印刷電 出-第接點。如前所述，第一接點焊塾115a可限定 對開口 U7a，而第二接點焊墊115b可 二弟二對開口 U7b。在第一接點焊塾收上二： ;可自表面固定裝置100的上表面100a延伸至 的上表面。在第二接點焊墊心上， 延；至:二Π:可自表面固定裝置1〇0的下表面1_ 和第牛12G的下表面12Ge。第—對開口心 m中每—開口的内部可鍍上一導電性 外面至^ 口銅。該鑛層可提供一自表面固定裝置100的 外面至核心疋件120的電通道。 第二圖係顯示用於製備第一 A〜一 C圖所 ^例示操作程序。以下參考第三:四^和 200中之結構制第二圖之操作程序。在方塊 ;限==間層I且如第三圖所示中間 c階絕緣材料【一中::層：f體上平坦之 .9Π +隹二只轭態樣中，開口 312的尺寸約 ίοο:) :.5麵乘〇.36職（〇.〇8(^乘_4 z抽：:)尺寸上述三個數_ ^施態樣令，係從中間層別切割出開口 舉例來祝，可以雷射切割出開口 312。在其它實施 201112278 態樣中，中間層310係藉由—模 開口 312。在另一此竇祐能梯士 于。亥Μ具限疋出 層310中衝壓出開:312 Γ ’利用—衝壓機在中間 入門^二圖，在方塊加中，將核心元件3〇5置

圖中所述之核心元件120。如第三 」〜C 310 312^^^305 動、取放機、震動筛選平台及/或其他程序置入開 六晉^參第二圖’在方塊210中，如第三圖所示，將 合置有核心元件3〇5的中間声310水罢从i 和315之間。 日77間摩310夾置於兩絕緣層300 請參第三圖，中間層31〇和核心 上絕緣層300和一下絕緣#315之門千了置於一 m .ΛΛ , r、6、，家層315之間。如前所述，上絕 曰 口下絕緣層315可等同於前述B階預浸材料型 Ϊ外i絕=300和下絕緣層315可具有大體上為平板 且/、於Y軸方向的厚度約0.050 mm (〇〇〇u ^上絕緣们_口下絕緣層315於X轴方向的寬度和 ^軸方向的深度可配置成適當的尺寸以疊覆於中間層 310所限定出的開口 312。 請再參第二圖，在方塊215中，對上層、中間層和 曰300 31 〇和315進行固化。在一些實施態樣中， 可於上絕緣層300的上方以及下絕緣層315的下方設置 一金f層（圖未示）。該金屬層可等同於一銅箔。接著， ，。亥等層體置於一固化溫度下，並施以一壓力以壓實該 等層，。舉例來說，可利用一真空壓製機或其它設備以 ，該等層體之間相互壓實。前述固化溫度可約為175 C ’而施加之壓力可約為1.38 MPa (200 psi)。 201112278 第四A和四B圖係分別顯示固化前後，第三圖之上 絕緣層300、中間層310和下絕緣層315於切線Z-Z所 取之截面圖400和410。在第四A圖中，上絕緣層300 和下絕緣層315之間限定出一縫隙405，並且核心元件 305係置於中間層310的開口 312中。在第四B圖中， 於固化後，上絕緣層300和下絕緣層315被壓縮使縫隙 405因B階預浸材料中強化材料的密度增加而縮小。 可在經固化之層體之間限定出電鍍區域的穿孔，該 電鍍區域基本上等同於一正溫係數元件的末端。在一實 施態樣中，在每一列元件之間設有延伸穿過該等層體的 溝槽。舉例來說，請參第四C圖，溝槽420係往一 Z軸 方向延伸。溝槽420可以雷射、機械式銑削、衝壓或其 他程序形成。 在另一個實施態樣中，如第四D圖所示，孔洞425 係設置於元件之間，且以往X軸方向延伸的長列之形式 相間設置於元件之間。孔洞425可以雷射、機械式鑽鑿 或其他程序形成。在後續的操作程序中，孔洞425的内 表面經電鍍以形成通道，其係如同後面段落所述之第八 A和八B圖中的正溫係數元件800上的通道835a和 835b。 在方塊220中，一鑛金屬層（metallization layer，圖 未示）可形成於上層300、下層315以及使個別的正溫係 數元件之末端露出的穿孔上。舉例來說，一銅及/或鎳層 可沉積於上層和下層之上。前述鍍金屬層可經蝕刻以於 一表面固定裝置上限定出接點焊墊。前述接點焊墊可等 同於第一圖所示之接點焊墊115a和115b。可在該鍍層 中限定出開口。前述開口可等同於第一圖所示之第一對 和第二對開口 117a和117b的一或多個開口。前述開口 201112278 可經由鑽鑿、雷射或其他程序形成。前述開口的内郄J 域可經電鍍而在前述接點焊墊和前述核心元件之間如 成一電通道。在溝槽形成於每—列元件丄&的情況卞二 如第- A和- B圖所示，可在前述正溫係數元件的本， 和nob(第一A圖）鍵上金屬。在孔洞形成於元件= 間的情況下’可在前述孔洞的内表面鍍上金屬。在這f 情況中，前述正溫餘元件的末端麵㈣後面段落， 第八A和八B圖中所示之正溫係數元件_的通道83 a 和835b相似。 在方塊225 +，固化之層體經壓實之結構町 子、雷射或其他工具裁切以製得個別之表面固定慕襄 在-些實施態樣中，如前所述，3⑼、中開， 3:和下層315等同於-氧阻障材料。；述上廣、中Ξ 層和下層的氧阻障特性可避免氧氣進入前述核心： 件’避免前述核心元件的特性產生不良變化。一來 說’前述氧阻障絕緣#料可^生於/ 正溫係數元件之電阻提高五倍的現象到, 在其他貫施態樣中，由絕緣 廣雜1 含-不具有氧阻障特链的材料。在態槔中1 於核心元件上塗佈1態氧阻障—命 二曰核發之，7,37⑽號美國專利;1^ ，阻Ρ爭材料，4專利係納人本發明做 獻。液备

Si障材:::含^容劑’該溶劑可使氧阻障材料沉積 於核心7〇件之上。接荽 材料會留在核心元件上氧阻障 封褒。 牛便可如第一圖所示般 或者，1982年2月9日核發 專利中所述之阻障層可用 $，315,237破美國 J用於封裝核心元件；該專利係納 12 201112278 入本發明做為參考文獻。 熟知此技藝者當可理解，在本發明申试 内，前述表面固定裝置可以不同之方法製備。=範圍 說，在—可供選擇的實施態樣中，表面固定裝置來 在一 下層設置驗容置核心件之凹^ H由 而製得。前述C階下層可接著被一 B階上 4 口） 前所述般固化。 上層设盍，再如 在其他實施態樣中，核心元件可放置於 體所限定出的開口及/或凹部中。接著，一比階層 材料可被強力導入前述開口及/或凹部中 ^氣阻障 件。舉例來說，Α階層體可被擠入前述開口及/ X:兀 最後，B階層體可設置於前述c階層體之上方2凹邛。 方，該組合層體可如前所述進行固化。 /或下 、在另一貫施悲樣中，核心元件可如前所述被封裝於 前述開口及/或凹部中，而一 A階、B階、C階或其任何 組合之氧阻障材料可用以覆蓋包覆核心元件的組合層 在另一實施態樣中，核心元件可如前所述，放置於 (ultraviolet 前述開口及/或凹部中，而一紫外光固俗>> a苗> % 覆益包覆核心 (UV) radiation curable)氧阻障材料可用以供 , 元件的組合層體。接著，該組合層體玎妒前所述進订熱 前述各種實施 _障特性的表 固化。 所屬領域具有通常知識者當可理解 態樣可以不同的方式組合而製得具有氧 置500的底 面固定裝置。 ^ 第五A圖係另一實施態樣之表面固定裝 升彡之 視透視圖。表面固定裝置5〇0包含一 Λ艚上二 \ 、— £ — 體，該本體具有一上表面505a、一下表面 13 201112278 5l〇a、一第二末端51〇b、一第一接點焊墊515a以 &,曰第二接點焊墊515b。第一接點焊墊515a和第二接 而=墊515b係設置於下表面5〇5b之相對的兩個末端， r 些貫施態樣中’兩個接點焊塾間的距離約2.0mm 爪.=ln)。表面固定裝置500的尺寸約為3.0 mm 乘 2·5 =乘 0.71 mm (0.120 in 乘 〇 1〇〇 比乘 〇 〇28 ⑹，上述 =值分別為表面固定裝置5〇〇在X、丫和z軸方向 第五B圖係第五A圖之表面固定裝置5〇〇於切線 焊執戶二取之截面圖。表面固定裝置500包含-第-接點 坊、、_ 5a、一接觸連接件 52〇(contact interconnect)、一 -紹 ί Γ 53G、一彈片 i^接件 525(C丨ip inteiX()nnect)以及 存在而劣HU性ΐ心ί件530可等同於一具有會因氧 心特 牛’例如前述正溫係數元件。核 心元件〇可包含一上表面53如和一下表面 530b。核 mm乘〇大體上呈矩形’其尺寸約為2.0 mm乘0.30 : ,15贿（咖in_12in乘謹 心元件530在Χ、γΗ軸丄尺寸。 來Ϊ to表可包含-導電性材料。舉例 _ι叫厚的鎳層及/H52350b可=一 _ mm 層。前述導電性材料可^蓋核71 (咖in)厚的銅 和下表面5 3 0b。 设盍核心兀件的整個上表面5 3 0 a 氧中’絕緣材㈣可等同於- C階 避免氧:透障材料。前述氧_材料可 第二含-接點焊塾’此後稱做 Λ及—延長部520b。延長部520b 201112278 包含與核心元件530之下表面530b電性連接的一上表 面521。延長部52〇b於χ軸方向的尺寸約為2 〇 mm (0.080丨n) ’於2軸方向的尺寸約為0.13 mm (0.005 in)。 第一接點焊墊515a和第二接點焊墊520a係用於將 表面固定裝置500固定於一印刷電路板或基材（圖未 不）。舉例來說，經由第一接點焊墊515a和第二接點焊 墊520a，表面固定裝置5〇〇可被焊接至一印刷電路板及 /或基材上的焊接點。 彈片連接件525大體上呈l形，且在第一接點焊墊 515a與核心元件53〇之上表面53〇a之間提供一電通 ^ 彈片連接件525包括一水平部分（h〇rizontal

SeCti〇n)525a。彈片連接件525的水平部分（horizontal section)525a可包含一與核心元件53〇之上表面53〇a電 性連接的下表面526。水平部分(horizontal secti〇n)525a 的下表面526於X軸方向的尺寸約2.5 mm (0.100 in)， 於Z軸方向的尺寸約1.0 mm (0.040 in)。 第六圖係顯示可用於製備第五人和五B圖所示之表 面固定裝置的一組例示操作程序。以下將參照第七圖所 描繪之結構來說明第六圖之操作程序。在方塊6〇〇中， 將核心元件705固定於一基材710。如前所述，每一個 核心元件705可等同於一正溫係數元件。核心元件7〇5 可被放置於基材710之上。核心元件705可藉手動、取 放機（pick-and-place machinery)及/或其他程序固定。 基材710可等同於一限定出複數個接點焊墊715和 接觸連接件720的金屬引線框(metal lead frame)或印刷 電路板。接點焊墊715和接觸連接件720可等同於第五 圖所示之接點焊墊515a和接觸連接件520。基材710於 Y軸方向的厚度約為0.2 mm (0.008 in)。核心元件705 15 201112278 基材J10上所限定出之接觸連接件720。舉例 的下表面可谭接於接一 ^ 和基核心元件· 元件705的上表面，而彈接平Μ可固定於核心 -端則固定於 ;r°可焊接於核心元件-的上表：及接 片連ίΓΙ61 二將一絕緣材料注入核心元件705和彈 二連接件的周圍。前述絕緣材料可等同於一 可化。舉例來說， 變為C階型式。 、 0C的固化溫度下，使其轉 脫離表Γ定裝ί自固化之結構 之結構以製得表面固定裝置自’。·射或其匕工具裁切固化 具有氧阻障特性的㈣:、樣♦，絕緣材料包含-不 的周圍前，將而疋在絕緣材料注人核心元件 障材料，塗佈於核:二：阻障材料’例如前述液態氧阻 材選ί二施態樣中’彈片連接件7。。可與基 .線框4L例來說’彈片連接件7。。可與-金屬引 用以的實施態樣中，彈片連接件7。。可 彈力以夹附核心元件7〇5。核心元件705可 201112278 被置於彈片連接件700的水平部分525a(第五圖）以及接 觸連接件720的接點焊墊520a(第五圖）之間。彈片連接 件700的彈力係足以將核心元件7〇5固定在適當的位 置，藉此與核心元件705形成穩定的電性連接。置入前 述核心元件705之後，便可執行方塊61〇(第六圖）之操作 程序。 第八A和八B圖係分別為一第三實施態樣之表面固 定裝置800的上視圖和底視圖。表面固定裝置800包含 一大體上為矩形的本體，該本體具有一上表面805a、一 下表面805b、一第一末端81〇a、一第二末端810b、一 第一接點焊墊815a和一第二接點焊整815b。第一接點 焊塾815a和第二接點焊墊815b係自表面固定裝置800 的上表面805a延伸，分別穿過通道835a和835b並延 伸至下表面805b。表面固定裝置800的尺寸約為3.0 mm 乘 2.5 mm 乘 0.71 mm (0.120 in 乘 0.100 in 乘 0_028 in) ’上述三個數值分別為表面固定裝置8〇〇在χ、γ 和Ζ軸方向的尺寸。 第八C圖係第八a圖之表面固定裝置800於切線 A-A所取之截面圖。表面固定裝置800包含一上基質層 820a、一下基質層82〇b、一核心元件825、一絕緣材料 830、一第一通道835a和一第二通道835b。核心元件825 可等同於一具有會因氧存在而劣化之特性之元件。舉例 來說’核心元件825可等同於前述核心元件。 上基質層820a和下基質層82〇b分別包含一第一接 觸面821、一接觸連接件823和〆基質主體827。接觸 連接件823可為一大體上為l形的導電性材料，其一端 限定出一第二接觸面822，而相對的另一端限定出一元 件接觸面829。可在上基質層820a或下基質層820b之 17 201112278 背向核心元件825的外側上限定出接觸連接件823的第 二接觸面822 ;可在上基質層820a或下基質層820b之 面向核心元件825的内側上限定出元件接觸面829。基 質主體827可等同於一硬化之樹脂填充物或—玻璃纖維 電路板材料。 上基質層820a的元件接觸面829係配置成適當尺寸 以覆蓋核心元件825的頂側。下基質層820b的元件接 觸面829係配置成適當尺寸以覆蓋核心元件825的底 側。 第一通道835a和第二通道835b係設置於表面固定 裝置800相對之兩端上。第一通道835a可自上基質層 820a上的第一接觸面821延伸至下基質層820b上的第 二接觸面。第二通道835b可自下基質層820b上的第一 接觸面821延伸至上基質層820a上的第二接觸面822。 第一通道835a和第二通道835b的内表面可經電鑛以在 上基質層820a和下基質層820b上之接點焊墊之間提供 一電通道。 上基質層820a上的第一接觸面821以及下基質； 820b上的第二接觸面822可限定出第八A圖中的第一 ^ 點焊墊815a。下基質層820b上的第一接觸面821以及 上基質層820a上的第二接觸面822可限定出第八A圖 中的第二接點焊墊815b。第一接點焊墊815a和第二^ 點焊墊815b係用於將表面固定裝置8〇〇固定於—印 電路板或基材（圖未示）。舉例來說，表面固定裴置 可經由第一接點焊墊815a和第二接點焊墊81讣 一印刷電路板及/或基材上的焊接點。 、 在一些實施態樣中，絕緣材料83〇可等同於— 氧阻障材料’例如前述c階氧阻障材料。絕緣材料^ 18 201112278 可用以填滿核心元件825末端與表面固定裝noo末端 之間的區域。 第九圖係顯示用於製備第八A〜八C圖所示之表面 固定裝置的一組例示操作程序。在方塊_，將一核心 元件蚊於—上基材和-下基材之間。如前所述，核心 元件可等同於-正溫係數元件。在—些實施態樣中，可 將一陣列之f心元件固定於上基材和下基材之間。核心 元件可以手動、取放機及/或其他程序固定。 如則所^ 材可等同於一兩側皆具有導電層的印 f電路板。:/ Y轴方向的厚度可約為0.Q76 mm 定出的元件接觸面。疋於上基材和下基材所分別限 接件;二9°二心元件和彈片連 在方塊910，在一固;可4同於- A階材料。 例來說，將絕緣材料置於一料固化。舉 轉變為C階型式。 的固化溫度下，使其 _ =來：J表;:置自固化之結構 之結構以製得表面固定裝置。田射或一他工具裁切固化 在一些實施態樣中 -氧阻障材料。在其他^ : ’絕緣材料可等同於 具有氧阻障特性的材料，f於，絕緣材料包含一不 周圍之前，將一液態之；材二緣材料注入核心元件 障材料，塗佈於核心元件上讀爿，例如前述液態氧阻 氧阻障材 所設置之核心元件因為氧氣戶;產生=面固定裝置中 王妁問咦。絕緣材料保 19 201112278 定裝置内的核心元件免於氧氣和其他 雜=的干擾。在-些實施態樣中，絕緣材料係配製為β 階氧阻障材料板’而在其他實施態樣巾，則 阻障材料。 孔 儘官已參照特定實施態樣說明本發明之表面固定 裝置及其製備方法，熟知此技藝者當可清楚了解，在本 發明申請專利範圍内可進行各種改變或以均等物替 代。在本發明申請專利範圍内’可對發明之教示進行其 他改麦以因應特定的情況或材料。因此，表面固定裝置 及其製備方法並非限縮於所揭露之特定實施態樣，而係 包含任何落入申請專利範圍的實施態樣。 【圖式簡單說明】 第一 A圖為一實施態樣之表面固定裝置的上視圖。 第一B圖為第一A圖之表面固定裝置的底視圖。 第一 C圖係第一 A圖之表面固定裝置於第一 A圖 之切線A-A所取的截面圖。 第二圖係顯示用於製備第一A圖至第一c圖所示之 表面固定裝置的一組例示操作程序。 第三圖係顯示第一A圖至第一c圖所示之表面固定 裝置的上層、中間層和下層。 第四A圖為固化前，第三圖之上層、中間層和下層 於切線Z-Z所取的截面圖。 第四B圖為固化後，第三圖之上層' 中間層和下層 於切線Z-Z所取的截面圖。 第四C圖係顯示具有溝槽之固化層體的透視圖，溝 槽係形成於固化層體所封住的核心元件之間。 第四D圖係顯示具有孔洞之固化層體的透視圖，孔 20 201112278 洞係形成於固化層體所封住的核心元件之間。 第五A圖為另—實施態樣之表面固定裝置的上 視圖。 第五B圖係為第五A圖之表面固定裝置於切線A-A 所取之截面圖。 〜第六圖係顯示用於製備第五A和五B圖所示之表面 固疋裝置的一 Μ例示操作程序。 第七圖係顯示第五Α和五Β圖所示之表面固定裝置 的層體。 第八A圖為第三個實施態樣之表面固定裝置的上視 圖。 第八B圖為第三個實施態樣之表面固定裝置的底視 圖。 第八C圖為第八a圖之表面固定裝置於切線a_a 所取之戴面圖。 第九圖係顯示用於製備第八A-八C圖所示之表面 固定裝置的一組例示操作程序。 【主要元件符號說明】 100-----表面固定裝置 105 a-----上表面 105b-----下表面 ll〇a-----第一末端 H〇b.....第二末端 H5a……第一接點焊墊 115b……第二接點焊墊 117a……第一對開口 H7b……第二對開口 21 201112278 120——核心元件 120a……本體 120b……上表面 120c……下表面 120d.....末端 120e.....末端 125——絕緣材料 200-…-提供一設有開口之C階中間層 205——置入核心元件 210-----以B階預浸材料之上層和下層夾附中間層 215……固化 220……設置電鍍層 225…分離元件 300……上層 305-----核心元件 310-----中間層 312……開口 315……下層 400.....截面圖 405……縫隙 410……截面圖 420…溝槽 425……孔洞 500-----表面固定裝置 505a.....上表面 505b……下表面 510a……第一末端 510b-----第二末端 22 201112278 515a…第一接點焊墊 520…接觸連接件 520a…第二接點焊墊 520b-----延長部 521……上表面 525-----彈片連接件 525a——水平部分 526……下表面 530.....核心元件 530a-----上表面 530b——下表面 535……絕緣材料 600-----將核心元件固定於基材 605-…-將彈片連接件與核心元件和基材固定 610——注入絕緣材料 615……固化 620……設置電鍍層並分離元件 700-----彈片連接件 705-----核心元件 710…基材 715-----接點焊墊 720-…-接觸連接件 800-----表面固定裝置 805a——上表面 805b……下表面 810a…第一末端 810b—--第二末端 815a…第一接點焊墊 23 201112278 815b……第二接點焊墊 820a——上基質層 820b……下基質層 821— —第一接觸面 822— —第二接觸面 823— ----接觸連接件 825——核心元件 827……基質主體 829- ----元件接觸面 830— —絕緣材料 835a——通道 835b……通道 900……將核心元件固定於基材 905——注入絕緣材料 910——固化 915-----分離表面固定裝置 24

Claims (1)

1. 201112278 七、申請專利範圍： 1. -種”裝置的製備方法，其包含： hi、複數個層體，該複數個層體包含一 B階之第 體以及一限定出一開口以容置-核心元件的第二 將°亥核心元件置入該第二層體所限定出之該開口； - #以B卩&之5亥第一層體覆蓋該第二層體以及該核心 凡件，及 對該第一層體和該第二層體進行固化直到B階之 第一層體轉變為C階狀態； 其中該核心元件實質上被一氧阻障材料所包覆，該 .°申明專利範圍第1項所述之方法，進一步包含在固 定出該開口之該第二層體下方設置- B 3. ^申請補範圍第丨項所述之方法，其巾，在固化之 :定第—層體包含—B階之氧阻障材料，而 出销口之該第二層體包含—c階之氧阻障材 4·如申請專利範圍第1項所述之方法，進一步包含： f將，核心it件置人該第二層體所限定出的該開口之 月’先將一氡阻障材料塗佈於該核心元件。 5.如申請專利範圍第1項所述之方法，進一步包含. 於該複數個層體的下方與上方分別今署一3 . 屬層和-第二金屬層；及 -置-弟-金 將1第-金屬層、該第二金屬層以及該複數 置入一真空熱壓設備進行固化。 體 6·=請專利範圍第i項所述之方法， 包含複數個開口以容置複數個核心元件體 佳進-步包含· 疋件’且遠方法較 25 201112278 於固化後裁切該複數個層體以製得複數個元件。 7. 如申請專利範圍帛丨項所述之方法，其中該核心元件 係一正溫係數元件。 8. —種表面固定裝置的製備方法，其包含： 提供一基質層，該基質層包含一第一接點焊墊和一 第二接點焊墊； 將一核心元件置於該第一接點焊墊以及一盥該 二接？焊墊電性連接之導電彈片之間使該核心元件的 二Ιί電表面與該第—接點焊墊電性連接，而該核心 7C件的一上導電表面係與該導電彈片電性連接，· =Α階材料注人該核心元件和該導電彈片的周 固，及 3 A階材料進行固化，直到其轉變為c階材料； 其中该核心7L件實質上為一氧阻障材料 9. 如申請專利範圍第8項所述之方法， 階材料包含一氧阻障材料。 ，、入之忒A 10. —種，面固定裝置的製備方法，其包含： ㈣=第一基質層 該連接件限定出一沿著該基質；之: ΐΓ過該《層之㈡= 將下表面延伸的元件接觸面； 該連===觸i表面固定於該第一基質層之 該連二表面固定於該第二基質層之 將J· A階材料注入至該核心元件的周 m『材料進行固化直到其轉變為c階 11·-種表面m定裝置，其包卜制所包覆。 26 201112278 一核心元件，其具有一上表面和一下表面； 一 c階氧阻障絕緣材料，其實質上封住該核心元 件； 一設置於該c階氧阻障絕緣材料之一外表面上的 第一接點焊墊，其係配置成與該核心元件的該上表面 電性連接； 一設置於該C階氧阻障絕緣材料之一外表面上的 第二接點焊墊，其係配置成與該核心元件的該下表面 電性連接。 27