CN101271751B - 表面贴装型高分子ptc热敏电阻器及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种表面贴装型高分子PTC热敏电阻器及其制造方法。所述热敏电阻器，包括第一引出电极、第二引出电极和高分子PTC芯片，所述第一引出电极下表面与高分子PTC芯片上表面相连接，第一引出电极上表面为第一引出端；所述第二引出电极与高分子PTC芯片的下表面相连接，其特征在于，还包括封装层，所述封装层涂覆在高分子PTC芯片的未与引出电极相接触的其他的表面上。本发明通过将高分子PTC芯片完全密封在元件内部，从而达到高分子PTC材料与空气完全隔离的目的，提高了表面贴装型高分子PTC热敏电阻器的耐候性。
Description
技术领域
本发明涉及一种过流防护用电子元件，具体地说涉及一种以高分子材料为主要原料的表面贴装型高分子PTC热敏电阻器。
背景技术
功能高分子材料是目前材料科学研究的热点，具有PTC特性的高分子复合导电材料便是其中的佼佼者，迄今学术界产业界都在踊跃地对它进行研究开发。所谓高分子PTC复合导电材料，就是具有正温度系数电阻特性的高分子复合导电材料。也就是说，在一定的温度范围内，这种导电材料自身的电阻率会随温度的升高而增大。
利用高分子PTC材料制成高分子PTC热敏电阻器，可以作为电路的过流保护装置。其串联在电路中使用，电路正常工作时，通过高分子PTC热敏电阻器的电流较低，其温度较低，呈现低电阻状态，不会影响电路正常工作。而当由电路故障引起的大电流通过此高分子PTC热敏电阻器时，其温度会突然升高，引起其自身电阻值骤然变大，这样就使电路呈现近似断路状态，从而起到保护电路作用。当故障排除后，高分子PTC热敏电阻器的温度下降，其电阻值又可恢复到低阻值状态。因此，其实这是一种可以自动恢复的保险丝，已广泛地应用到计算机、通信设备、汽车电子、家用及工业控制电器设备等领域中。
高分子PTC热敏电阻器在过流防护领域已经得到普遍应用，电子元器件的可表面贴装化是目前的发展趋势，这也对高分子PTC热敏电阻器的封装技术提出了更高的要求。目前普遍使用的表面贴装型高分子PTC热敏电阻器，由于侧面的高分子PTC材料，尤其是含有金属填料的高分子PTC材料，直接暴露在空气中，容易受到外界环境中氧气及水汽等侵入，造成元件耐候性能变差。也有将高分子PTC芯片密封在产品内部的表面贴装型高分子PTC热敏电阻器出现，但是封装工艺复杂，成本很高。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种封装工艺简单、成本低的表面贴装型高分子PTC热敏电阻器及其制造方法，以克服现有技术存在的上述缺陷。
本发明解决技术问题的技术方案如下：
一种表面贴装型高分子PTC热敏电阻器，包括第一引出电极、第二引出电极和高分子PTC芯片，所述第一引出电极下表面与高分子PTC芯片上表面相连接，第一引出电极上表面为第一引出端；所述第二引出电极与高分子PTC芯片的下表面相连接，其特征在于，还包括封装层，所述封装层涂覆在高分子PTC芯片的未与引出电极相接触的其他的表面上。
本发明同时公布了上述热敏电阻器的制造方法，包括如下步骤：
a将高分子PTC材料压制成片材，然后在上述片材的两面贴覆铜箔，进行辐照交联后，用冲制或切割的方法分割成一定形状，制成高分子PTC芯片；
b分别将两个引出电极焊接在高分子PTC芯片的上、下两个表面；
c在焊接好的上述元件芯片四周侧面及表面无焊接区域涂敷封装材料，加热固化或者光固化形成封装层。
由以上公开的技术方案可知，本发明通过将高分子PTC芯片完全密封在元件内部，从而达到高分子PTC材料与空气完全隔离的目的，提高了表面贴装型高分子PTC热敏电阻器的耐候性。
附图说明
图1为本发明表面贴装型高分子PTC热敏电阻器结构示意图；
图2为本发明表面贴装型高分子PTC热敏电阻器另一实施例示意图；
图3为未封装时本发明热敏电阻器结构图。
具体实施方式
下面结合附图进一步说明本发明。
如图1～3所示，本发明表面贴装型高分子PTC热敏电阻器，包括第一引出电极1、第二引出电极2和高分子PTC芯片3，所述第一引出电极1下表面与高分子PTC芯片3上表面相连接，第一引出电极1上表面为第一引出端；所述第二引出电极2与高分子PTC芯片3的下表面相连接，其特征在于，还包括封装层4，所述封装层4涂覆在高分子PTC芯片3的未与引出电极1、2相接触的其他的表面上。
所述的封装层4的厚度范围为0.01～0.5mm。
所述封装层4材料选自环氧树脂、聚酰胺，聚酯、氟树脂、丙烯酸树脂或硅树脂。
进一步，本发明还可以如图2所示，将封装层4包覆在整个热敏电阻器的除第一引出端和第二引出端的其他表面外。
所述高分子PTC芯片3为两层金属箔301夹一层高分子PTC材料层302的三层结构。其形状可以为矩形、圆形或椭圆形以及其他形状，其中优选的形状为矩形。
所述第一引出电极1最好表面镀有易于焊接的金属镀层，所述金属镀层为锡镀层、金镀层或银镀层，其优选的形状为矩形；所述第二引出电极2表面最好也镀有易于焊接的金属镀层，所述金属镀层为锡镀层、金镀层或银镀层。如图3所示，所述第二引出电极2呈一侧开口的框型三段式结构，包括连接段201、过渡段202和引出段203，所述连接段201内表面与高分子PTC芯片的下表面相连接，其形状最好是矩形，也可以是多边形、圆形、椭圆形等其他形状，其面积可以超出高分子PTC芯片3，也可以全部覆盖或部分覆盖高分子PTC芯片3。引出段203的上表面为热敏电阻器的第二引出端，所述过渡段202连接在连接段201与引出段203之间，其形状为矩形，两侧及中间可以有镂空部分，便于加工成型。
本发明表面贴装型高分子PTC热敏电阻器的制造方法，包括如下步骤：
a将高分子PTC材料压制成片材，然后在上述片材的两面贴覆铜箔，进行辐照交联后，用冲制或切割的方法分割成一定形状，制成高分子PTC芯片3；
b分别将两个引出电极1、2焊接在高分子PTC芯片3的上、下两个表面；
c在焊接好的上述元件芯片四周侧面及表面无焊接区域涂敷封装材料，加热固化或者光固化形成封装层4。
具体实施例1
将高分子PTC材料压制成厚度0.45mm的片材，然后利用平板硫化机在两面贴覆厚度0.035mm铜箔，热压成形，得到总厚度0.52mm的复合片材即高分子PTC芯片3，利用电子加速器辐射交联后，用冲床冲制成3.0*3.8mm的矩形小片，清洗烘干后备用。
利用回流焊工艺，在高分子PTC芯片3上下两个表面焊接引出电极(图3所示)。然后再在芯片的四周侧面，及表面无焊接区域涂敷环氧树脂(图1所示)，加热固化。即得到表面贴装型高分子PTC热敏电阻器。
Claims (8)
1.一种表面贴装型高分子PTC热敏电阻器，包括第一引出电极(1)、第二引出电极(2)和高分子PTC芯片(3)，所述第一引出电极(1)下表面与高分子PTC芯片(3)上表面相连接，第一引出电极(1)上表面为第一引出端；所述第二引出电极(2)与高分子PTC芯片(3)的下表面相连接，其特征在于，还包括封装层(4)，所述封装层(4)涂覆在高分子PTC芯片(3)的未与引出电极(1、2)相接触的其他的表面上，所述高分子PTC芯片(3)为两层金属箔(301)夹一层高分子PTC材料层(302)的三层结构。
2.根据权利要求1所述的表面贴装型高分子PTC热敏电阻器，其特征在于，所述的封装层(4)的厚度范围为0.01～0.5mm。
3.根据权利要求1所述的表面贴装型高分子PTC热敏电阻器，其特征在于，所述第二引出电极(2)呈一侧开口的框型三段式结构，包括连接段(201)、过渡段(202)和引出段(203)，所述连接段(201)内表面与高分子PTC芯片的下表面相连接，引出段(203)的上表面为热敏电阻器的第二引出端，所述过渡段(202)连接在连接段(201)与引出段(203)之间。
4.根据权利要求3所述的表面贴装型高分子PTC热敏电阻器，其特征在于，所述的封装层(4)还包覆在整个热敏电阻器的除第一引出端和第二引出端的其他表面外。
5.根据权利要求1所述的表面贴装型高分子PTC热敏电阻器，其特征在于，所述高分子PTC芯片(3)的形状为矩形、圆形或椭圆形。
6.根据权利要求1所述的表面贴装型高分子PTC热敏电阻器，其特征在于，所述封装层(4)材料选自环氧树脂、聚酰胺、聚酯、氟树脂、丙烯酸树脂或硅树脂。
7.根据权利要求1所述的表面贴装型高分子PTC热敏电阻器，其特征在于，所述第一引出电极(1)表面镀有易于焊接的金属镀层，所述金属镀层为锡镀层、金镀层或银镀层；所述第二引出电极(2)表面镀有易于焊接的金属镀层，所述金属镀层为锡镀层、金镀层或银镀层。
8.一种如权利要求1至7任一项所述热敏电阻器的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
(a)将高分子PTC材料压制成片材，然后在上述片材的两面贴覆铜箔，进行辐照交联后，用冲制或切割的方法分割成一定形状，制成高分子PTC芯片(3)；
(b)分别将两个引出电极(1、2)焊接在高分子PTC芯片(3)的上、下两个表面；
(c)在焊接好的上述元件芯片四周侧面及表面无焊接区域涂敷封装材料，加热固化或者光固化形成封装层(4)。
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Citations (2)
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| CN101079342A (zh) * | 2007-05-28 | 2007-11-28 | 上海神沃电子有限公司 | 表面贴装型高分子esd保护元件及其制备方法 |
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