TW201110402A - Workpiece handling system and method - Google Patents

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TW201110402A
TW201110402A TW099119555A TW99119555A TW201110402A TW 201110402 A TW201110402 A TW 201110402A TW 099119555 A TW099119555 A TW 099119555A TW 99119555 A TW99119555 A TW 99119555A TW 201110402 A TW201110402 A TW 201110402A
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TW
Taiwan
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mask
workpiece
selective
chamber
rti
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Application number
TW099119555A
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Benjamin B Riordon
Kevin M Daniels
William T Weaver
Charles T Carlson
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Varian Semiconductor Equipment
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
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Description

六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於工作件（workpiece)處理，且更明破而 言是關於工作件處理系統以及操作方法。 本申請案主張2009年6月16日申請之臨時專利申請 案第61/187,306號的權利，所述臨時專利申請案以引用的 方式併入本文。 【先前技術】 工作件處理系統一般將多個工作件引入至處理工具 之處理腔室（process chamber)中，自所述處理腔室移除 工作件，及在處理之後將所述工作件返回工作件載體 (carrier)。工作件在處理腔室中之處理通常在真空中執 行。處理工具可為離子植入機（i〇n implanter)，其產生離 子且將離子引導至工作件之表面㈣於處置。離子植入機 可為射束線（beam line)離子植入機或電漿摻雜（plasma doping)離子植入機。射束線離子植入機包含離子源及萃 取電極（extraction electrode)總成(assembly)以自離子源萃 取良好界定之離子束。此項技術巾已知的—個或多個射束 線組件可控制及修改離子束，以獲得具有所要特性之離子 束，所述離子束朝向工作件的前表面引導。所述離子束可 藉由離子束移動、工作件移動或兩者之組合而跨越工作件 的前表面來分佈著。離子植人機亦可包含腔室中產生電漿 之已知電漿雜離子植人機。來自t漿之離子在特定時間 間隔期間躺工作件的前表面而被吸引。工作件亦定位在 201110402 電漿摻雜料獻狀腔室巾。對於任— 可包含(但不限於)太陽能電池(二： 丰導體基板、聚合物基板以及平坦面板。 由離子植入機處置之工作件可| (photoresistmask)以將工作件之選定部八^ 阻·，、罩 護其他部__響。雖=Γ且保 的，置製造過程添加了多個 本。製造過程（尤其是太陽能電池製 / =肖耗喊本衫要_)料柄任何 統 因此’需要―觀良之I作件處理系 【發明内容】 、根據本發明之第—態樣，提供—種工作 所述工作件處理系統包含：處理腔室支^ 第，，存於所述二 4且處於遮罩台中，以及機器人$統 所遮罩’且將所述第1罩 -選擇性植人。付 件經*所述第-遮罩而接收第 根據本發明之另一態樣，提供一 =:2存於處理腔室外部且處於遮樹:·自 所述遮罩台擷取所述第一谀w 定位在所述處理腔室中之 二 及經由糊H爾帛- s 6 201110402 現將參考如附圖中所示之例示性實施例更詳細猫述 本發明。雖然下文參考例示性實施例來描述本發明’但應 理解本發明不限於此。能夠使用本文之教示的熟習此項技 術者將認識到屬於如本文所述之本發明之範疇内的額外貫 施方案、修改及實施例以及其他使用領域，且本發明4關 於此等額外實施方案、修改及實施例以及其他使用領威而 具有顯著效用。 【實施方式】 為了更好理解本發明，參看隨附圖式，其中用相同數 字來參考相同元件。 圖1為工作件處理系統1〇〇之方塊圖，其具有處理腔 室114、儲存在處理腔室114外部且位於遮罩台（mask station) 170中之一個或多個遮罩172、174、176，以及機 器人系統（robot system) 106，所述機器人系統1〇6包含 一個或多個機器人，諸如第一真空機器人1〇2、第二真空 機器人104以及大氣機器人128。遮罩台no使得多種遮 罩172'174、176能夠儲存在其中且能夠由機器人系統1〇6 之相關聯的機器人來存取(access)。因此，工作件處理系統 1〇〇准許在取決於工作件的類型以及處理腔室114中對其 進行的所要的選擇性處置而選擇不同遮罩用於不同目的/中 的靈活性。儘管遮罩台170經圖解為處於第一承載室（1〇屺 lock) 116中，但遮罩台170可處於機器人系統1〇6之一個 或多個機器人可存取的另-位置。舉例而言，遮罩台17〇 可處於第二承載室117、工作件處理機腔室118、緩衝器腔 201110402 室120、或另一特定設計之腔室（諸如附接至工作件處理 機腔室118之-側的腔室1〇7)中。腔室1〇7可經由隔離 閥（未說明）而與工作件處理機腔室118連通。 —工作件處理系統⑽亦可包含緩衝H腔室120、承載 室116、117’以及工作件處理機腔室118。緩衝器腔室 ^處於或接近錢壓力，且提㈣控之低餘環境。緩衝 器腔室120可經由門（d〇〇r) 131而與工作件載體⑽介 接。工作件載體13G可為取決於工作件之標準化工作件載 體。工作件可包含（但不限於）太陽能電池、半導體基板、 聚合物基板卩及平㈣板。胁將半導 體基板’工作件載趙13〇可為前開口式通二器中= 叩ening unified P〇d ’ F0UP )，其為用於在製造設施中傳送 半導體基板之標準化紐。簡n腔室12G,村包含大氣 著軌道126而傳送工作件，且在晶圓載體 130與承載至116、117之間移動I作件。在另—例子中， _器腔室m可由㈣沿著帶子義卫作件之帶式系統 將工作件傳遞至承載室116、117之兩個掃描臂機 器人替換。 承載室116、in可分別經由隔離閥12卜122而與工 ^牛處理機腔室118連通。工作件處理機腔室ιΐ8可包含 第-真空機器人1G2、第二真空機器人1()4以及件對 準台105或定向器。 真空抽吸系統（未說明）控制不同腔室（其包含但不 限於承載室U6、117)中之壓力，言之，當藉由大氣機
S 8 201110402 器人128將工作件自緩衝器腔室12〇轉移至第一承載室 116時，第一承載室U6通風(vented)成緩衝器腔室12〇之 壓力（通常為大氣），其中隔離閥121關閉。接著，連接第 -承載室116與緩衝器腔室12〇之闕關閉，且所述承載室 腔室經真空抽吸至JL作件處理機腔室118的壓力。接著， 隔離閥121打開，且工作件與一個或多個遮罩172、⑺、 Π6可由第一真空機器人1〇2存取。 控制器112可為或包含通用電腦或通用電腦之網路， 其可經程式化以執行解的輸人/輸ώ功能。控制器亦 包含通信裝置、資料儲存裝置及軟體。控制器112可自使 用者介面系統及/或工作件處理系統刚之一個或多個电 _收信號’且可回應於其而控制工作件處理系統1〇〇之 在操作中’控制器112可控制工作件處理系統刚以 承載室m、in巾之-麵雜賴取I作件，且將盆 定位於處理腔室m之夾钳（damp) 115上。舉_/ 之第一真空機器人102可經由打開的隔離 =而自第-承載室116選擇I作件，且將其定位 以用於離子植入。對於離子之「毯覆式⑽ 無，子朝向工作件行進所界定之方向上將遮罩 牛之上游。對於選擇性植入，可將-個或多個 在172、174、176定位於工作件上游。舉例而言， 2 正在進行時，可能需要隨後選擇性植入，因 此第一真空機器人Κ)2可自此例子^定 201110402 116中之遮罩台no來選擇「遮罩A」172。在藉由工作件 對準台105來適當定向之後，第一機器人1〇2可將「遮罩 A」172定位於已處於夾鉗115上之工作件上游，使得可起 始經由此遮罩之非阻擋部分的選擇性植入。 轉至圖2A及圖2B，其說明與實施例一致的夾鉗總成 200的橫截面圖，其中起模頂桿（lift pin ) 202處於延伸（圖 2A)及完全收縮位置（圖2B)。為了促進工作件2〇6及/ 或遮罩172之插入及移除，起模頂桿2〇2可處於圖2八之 延伸位置。在離子經由遮罩172中之開口而撞擊工作件時 的處理期間’起模頂桿可處於圖2B之完全收縮位置。起 模頂桿202可在箭頭21〇之方向上延伸及收縮。 夾鉗總成2GG促進不同之工作件及遮罩組合被引入至 2 i15及自其移除’以及促進不同之工作件及遮罩組合 狀妹槿對2A所說明’起模頂桿202可具有階梯 二f ’其中母—起模了頁桿202之支架（shelf) 2〇4可將 ==之=分支樓在第—承載平面謂上。起模頂 載平面249刀界定用於諸如遮罩172之遮罩的第二承 使用具右⑹兩^不同承载平面24G、242准許（在需要時） pick)。、固τ端執行器（endeffeCt〇r)之雙拾取器（dual
Pick)或者’可利用 的兩個獨立機器人。在“人上二有早末4執灯器 兩者可在單一末端執行器上L鄰接。172與工作件206 件206之適m亦^含對準機構以確保遮罩172與工作 。遮罩172可具有參考夾鉗總成2〇〇之 201110402 另一部分的對準特徵。在圖2A及圖2B之實施例中，遮罩 172之對準特徵為與柱（PQSt) 214對準之⑽（aperture) L73 °^主214自夾鉗115之夾鉗表面217延伸。如圖2B所 不’當遮罩172適當對準時，柱214與遮罩之相關聯孔隙 17^對準。在與本發明一致之另一對準機構中，圖2B上之 ^影中所展示的在遮罩172之面對工作件綱之下侧上的 突=物（pr〇trusi〇n) 270可促進遮罩172與工作件2〇6之 適當對準。夾鉗總成2⑼亦固定該遮罩172與工作件200 之相對定細胁在處賴室114巾的纽。亦即，遮罩 172與工作件206在處理腔t 114巾-起以相同速率移動 而穿過離子。 在另失鉗總成貫施例中，單一階梯狀起模頂桿2〇2 =兩_立起模稱#代q提供—組越頂桿以將工 206支揮於第一承載平面上，且可提供第二組起模頂 杯以將遮罩172支撐於第二承載平面上。 遮罩台170可儲存有用於不同目的及植入圖案的不同 大士及形狀的一個或多個遮罩172、174、176。轉至圖3， ^疋說明朝向軒行進方向之下游的簡化的遮罩302之-^施例的圖。遮罩302亦可儲存於遮罩台170中且用於工 作件處理系統⑽巾。用陰影說明定位於料302下游之 306。此實例中之工作件3〇6可為選擇性發射極太 池且因而可稍後才再說明。遮罩302可由石墨或充 刀(且擋離子之另一材料製成。僅為了說明清晰性，將遮罩 說明為具有四個孔隙322、324、326、328。現實中， 201110402, 遮罩302可取決於孔隙之間的中心間距（center t〇 eentei> spacing) (XI)以及每一孔隙之寬度（Χ2)而具有更多孔 隙。在一實施例中，遮罩302可具有約2 _ 3毫米之中心 間距（XI)且每一孔隙可具有約150 - 700微米之寬度 (Χ2) ’從而准許對選擇性發射極太陽能電池3〇6進行選擇 性摻雜。 在第一離子植入步驟期間，遮罩302未處於工作件上 游以使得能夠在選擇性發射極太陽能電池工作件3〇6上執 行「毯覆式」植入，從而得到輕度摻雜之發射極區域。在 第二離子植入步驟期間，機器人系統1〇6可經由第一真空 機器人106而自遮罩台no榻取所要遮罩302，且將其定 位於選擇性發射極太陽能電池工作件306上游。可將此等 步驟顛倒，使得首先執行遮蔽式植入，且隨後執行「毯覆 式」植入。與次序無關，遮罩302阻擋離子撞擊輕度摻雜 之發射極區域的特定部分，同時允許離子撞擊具有由孔隙 322 ' 324、326、328界定之長度及寬度的細長部分。此等 重度摻雜區域之細長部分定位在稍後將添加選擇性發射極 太陽能電池之前側電觸點或「指狀物（finger)」之處的下 方。 、更特定地參看圖1及圖3，六個選擇性發射極太陽能 電池可以2 X 3矩陣而裝載至載體上’所述载體經設定大 小以载運所述選擇性發射極太陽能電池。可藉由大氣機器 人128將此载體裝載至第-承載室116中。諸如遮罩302 之遮罩可能已儲存於遮罩台170中。在一個例子中，第一
S 12 201110402 承载室116中之垂直儲存位置可交替儲存載體及遮罩。第 一真空機器人1〇2可自第一承載室116擷取載體，且在將 所述載體針對晶圓對準台1〇5而定向之後將所述载體定位 於處理腔室114中之夾鉗115上。載體上之六個選擇性發 射極太陽能電池可接著接收第一毯覆式離子植入。在毯覆 式植入正在進行時，第一機器人丨〇2可自遮罩台17〇擷取 ，如遮罩3G2之遮罩’絲後在毯覆式植人完成之後將其 定位於載體上游。此外，此等步驟之次序可顛倒。 接著，可經由遮罩302而執行選擇性植入以形成更多 重度掺雜區域。接著可藉由第二真空機ϋ人刚在相同時 間移除，罩302及固持六個選擇性發射極太陽能電池之載 體。接著可將_上經處置之選紐發射極太陽能電池定 位於第二承載室117中，同時可將遮罩3〇2返回至遮罩台 口0。隔離閥122可接著關閉，且第二承載室117通風成^ 緩衝器腔室12G相同之壓力（通f為大氣）。經處置之選擇 性發射極太陽能電池可接著由缝㈣人128練且定位 於工作件載體130中之一者中以用於未來傳送。 轉至圖4，其說明選擇性發射極太陽能電池400之橫 截面圖’所述選擇性發射極太陽能電池働可部分地與圖 1之工作件處理系統以及與圖3之遮罩3〇2 一致之 =製造。選擇性發射極太陽能電池4⑻具有輕度摻雜區域 及更重度摻雜區域47〇。輕度摻贿域43G可為η型區 域’其用以在ρ型基底44〇與輕度摻雜之η型區域之 間形成Ρ_η接面420。熟習此項技術者將認識到ρ型區域 13 201110402 與η型區域可顛倒。輕度摻雜區域43〇可藉由毯覆式植入 而形成，更重度摻雜區域470可藉由經由遮罩3〇2之孔隙 322、324、326、328進行選擇性植入而形成。置放於前側 觸點426之下的重度摻雜區域47〇 ?文良觸點似與太陽能 電池之間的傳導性因此，太陽能電池之效率亦得到改良。 轉至圖5，其說明朝向離子行進方向的下游的另一遮 罩502之一實施例的圖。遮罩5〇2為亦可儲存於遮罩台 甲且用於工作件處理系統卿中之遮罩的另一實例。定位 於此遮罩502下游之工作件可為指又背接觸（―邮⑽ baCkc_ct，IBC)太陽能電池。遮罩5〇2為有用於摻雜 me太陽能電池之不同區域的兩個遮罩中之一者。 b圖6為1BC太陽能電池600之橫截面圖，所述见仁太 陽能電池600可科地翻κι作件處理織以及與圖 5之遮罩5G2 一起製造而顯示。脱太陽能電池在此項技 術中為吾人所熟知，且具有彳嫌基板之底部表面上之金屬 觸點670。底部表面之特定部分可用p型摻雜劑植入以產 生發射極區域_。其他部分可用n型摻雜雜人以產生 更加負偏壓之背表面場（back surface field，BSF)區域 650。在操作中，第一遮罩可儲存於處理腔室ii4外部且在 遮罩σ 170中。機器人系統1〇6之機器人可擷取第一遮罩 將其疋位於IBC太陽能電池600上游。接著可使用η型 =雜劑以經由第-遮罩之雜擋部分喊行選擇性植入。 厶，第一遮罩之此選擇性植入可界定IBC太陽能電池6〇〇 之背表面場區域650。在經由第一遮罩之第一選擇性植入
S 14 201110402 w丨〆矗恳 正在進行時，機器人系統106可自遮罩台170擷取類似於 圖5之遮罩502之第二遮罩。第一遮罩可自處理腔室114 移除且返回至遮罩台170。同時，遮罩502可經擷取且定 位於IBC太陽能電池之上游。接著可執行經由遮罩5〇2而 使用p型摻雜劑之第二選擇性植入以形成發射極區域 640。使用兩種不同遮罩之此植入序列允許產生IBC：太陽 :電池所需之觸點圖案。形成背表面場區域65〇及發射極 區域640之次序亦可藉由首先形成發射極區域64〇且接著 形成背表面場區域650而顛倒。 工作件處理系統1 〇 〇之靈活性亦使得能夠連續或同時 使用兩個或兩個以上遮罩，從而達成原本可能僅使用一個 遮罩時極為困難或不可能達成之所要的植入圖案。舉例而 言，轉至圖7,其說明所要的植入圖案7〇2。若僅一個遮罩 經製造以提供圖7之所要的植入圖案7〇2，則可如圖8所 說明來定形遮罩802。不幸地，圖8之具有細長的窄部分 806之遮罩8〇2之形狀難以（若非不可能）藉由諸如石墨 之典型遮罩材料來製造。即使可能製造，此遮罩8〇2將容 易損壞且難以處理。 有利地’如圖9所說明，可藉由連續或同時使用第一 遮罩902及第二遮罩904來達成圖7之所要的植入圖案 ，從而達成所要的聚集選擇性植入圖案9〇6，其與圖^ 之所要的圖案702相同。與圖8之遮罩802相比，遮罩9〇2 及904不具有細長的窄部分，且更易於製造且較不易於在 處理時損壞。 15 201110402 砂置.人系統1G6可自遮罩台17G擷取第一 遮罩，且將所述第一遮罩902定位於工作件9〇1上游 以使用離子進行處置。第—遮罩9G2中之開口 922 22、923、924形成於工作件9〇1上。
罩搬接著可自其在工作件上游之位置移除，機器U 1〇6可自遮罩台170掏取第二遮罩904且將其定位於^作 件901之相同上游。第二遮罩9〇4中之開口 93〇、州、呢、 933准許另一填充圖案中所說明之摻雜區域94〇、941、 942、943形成於同-工作件9〇1上。以此方式經 遮罩902之第一選擇性植入及經由第二遮罩9〇4之第二選 擇性植入而共同提供所要的聚集選擇性植入圖案9〇6， 與圖7之所要的植入圖案7〇2相同。 八 、 遮罩台170可為儲存於其中之一個或多個遮罩額外提 供熱處置。此類熱處置幫助控制及使歸因於一個或多個遮 罩之熱膨脹而造成的變化最小化，因為所述遮罩在使用中 當離子撞擊遮罩時易於變熱。熱處置可包含冷卻、加熱或 兩者。 可藉由允許遮罩返回至遮罩台170以在再次使用之前 充分冷卻來提供被動冷卻（passive cooling)。舉例而十， 當遮罩台170經受諸如在承载室116、117中或在緩衝器腔 至120中之大氣條件時，僅暴露於大氣條件時易於冷卻遮 軍，因為熱里更谷易藉由周圍空氣而自遮罩傳導出去。主' 動冷卻（active cooling)可包含在遮罩台170中添加—個 16 201110402 或多個冷卻單元（未說明）以主動提供其它額外之冷卻。 額外冷卻單元可為氣體冷卻總成或冷卻台，其中低溫流體 經抽吸而經過冷卻台。可使用冷卻以在使用遮罩之前將所 述遮罩預冷卻至周圍溫度以下，或在其使用後使其自較高 溫度返回至約周圍溫度。 如圖ίο所說明’遮罩台170亦可提供一個或多個遮 罩之加熱。類似於冷卻，可加熱一個或多個遮罩以便使遮 罩之歸因於熱膨脹之變化被最小化。在一個實施例中，加 熱器1004可經定位於接近遮罩174以提供對遮罩之主動加 熱。加熱器1004可經實施為位於遮罩上方之加熱表面。加 熱器1004亦可位於遮罩下方或接近遮罩之任何位置以提 供所要的熱量。加熱器1004可提供額外的熱量至遮罩 !J4’j最小化所述遮罩174之輻射冷卻或將遮罩加熱至預 定的高溫顧。此外，諸如遮罩172之_鮮可定位於 非熱傳導襯墊（n〇n_thermally c〇nductive pad ) 1 上且無 需任何加熱器來加熱該遮罩172。非熱傳導襯墊職^ 化該遮罩172之熱損失。 取』 因此，提供一種工作件處理系統，其提供選 ^不同料以用於不同目的之訪性。可實施具有一^ ir二γιγ工作流程。因此啟用了快速製程的 遮罩之現有離子理系統可容易適用於未裝備有任何 令之任何料。因此’離子植人機之產量並未受到進 17 201110402 行中的遮罩檢查或遮罩更換的不利影響。舉例而言，在一 個實施例中，可將視窗（window)置放於腔室1〇7上以提 供視覺遮罩檢查。亦可進行其他類型之遮罩檢查。 本發明在範缚上並不限於本文所述之特定實施例。實 際上，除了本文所述之實施例以外，熟習此項技術者將根 據以上描述及附圖而顯而易見本發明之其他各種實施例及 =改。因此，此類其他實施例及修改意欲屬於本發明之範 w此外，儘管本文已為特定目的而在特定環境中之特定 實，方案之情況下描述本發明，但熟習此項技術者將認識 至1發明之有用性並不限於此，且本發明可有益地實施於 任何數目之環境中用於任何數目之目的。因此，下文所陳 利範嶋於本文所述之本發明之完整範圍及 【圖式簡單說明】 圖。圖1為根據本發明之實施例之工作件處理系統的方塊 圖2A為根據本發明之實》 圖，其中起模頂桿處於升高位置。夾甜、、息成的松截面 縮位置圖。2B為圖从之夾鉗總成的圖，其中起模頂捍處於收 遮罩=為可用於圖1之工作件處理系統中之一種類型的 能電之遮罩而製造的選擇性發射極太陽 201110402 ^f-ry-ryjuix 圖5為可用於圖1之工作件處理系統中之另一類型的 遮罩的圖。 圖6為可使用圖5之遮罩而製造的指叉背接觸太陽能 電池的橫截面圖。 圖7為所要的植入區域圖案的圖。 圖8為將提供圖7之所要的植入區域圖案但極難以製 造的一種遮罩的圖。 圖9為可一起提供圖7的所要的植入區域圖案之兩個 遮罩的圖。 圖10為具有加熱器之遮罩台的方塊圖。 【主要元件符號說明】 100 :工作件處理系統 102 :第一真空機器人 104 :第二真空機器人 105 :工作件對準台 106 :機器人系統 107 :腔室 112 :控制器 114 :處理腔室 115 :夾钳 116 :第一承載室 117 :第二承載室 118 :工作件處理機腔室 120 :緩衝器腔室 19 201110402 121 :隔離閥 122 :隔離閥 126 :軌道 128 :大氣機器人 130 :工作件載體 131 :門 170 :遮罩台 172 :遮罩 173 :孔隙 174 :遮罩 176 :遮罩 200 :夾鉗總成 202 :起模頂桿 204 :支架 206 :工作件 210 :箭頭 214 :柱 217 :夾鉗表面 240 :第一承載平面 242 :第二承載平面 270 :突出物 302 :遮罩 306 :工作件 322 :孔隙 201110402 324 :孔隙 326 :孔隙 328 :孔隙 400 :選擇性發射極太陽能電池 420 : p-n 接面 426 :觸點 430 :輕度摻雜區域/η型區域 440 : ρ型基底 470 :重度摻雜區域 502 :遮罩 600 :指叉背接觸（IBC)太陽能電池 640 :發射極區域 650 :背表面場（BSF)區域 670 :金屬觸點 702 :所要的植入圖案 802 :遮罩 806 :細長的窄部分 901 :工作件 902 :第一遮罩 904 :第二遮罩 906 :所要的聚集選擇性植入圖案 910 :開口 911 :開口 912 :開口 21 201110402 913 開口 914 開口 920 掺雜區域 921 摻雜區域 922 摻雜區域 923 掺雜區域 924 摻雜區域 930 開口 931 開口 932 開口 933 開口 940 摻雜區域 941 摻雜區域 942 摻雜區域 943 :摻雜區域 1002 :非熱傳導襯墊 1004 :加熱器 22

Claims (1)

  1. 201110402 七、申請專利範園： 1. 一種工作件處理系統，其包括： 於遮罩台 中；以及 ’其經組態"^撐工作件用於離子植入 第遮罩，其館存於所述處理腔室外部且處 、挣蓄機自所述遮罩㈣取所述第一 、：所述帛-料粒㈣駐作件之 所述工作件經由所述第—遮罩而接收第-選擇性植入 =根射請專利範圍第1項所述之I作件處理系 更包料齡腔室，且其帽述鮮台定位於所述 承載室腔室中。 3.根據申請專利範圍第〗項所述之工作件處理系 統，更包括夾鉗總成，其定位於所述處理腔室中以支撐所 述工作件用於離子植入，所述夾鉗總成包括： 夾鉗，其具有夾钳表面以支撐所述工作件；以及 兩個可收縮起模頂桿，其在延伸位置中自所述夾鉗表 面延伸，所述兩個可收縮起模頂桿界定第一平面以支撐所 述工作件以及界定第二平面以在所述延伸位置中支撐所述 第一遮罩。 4.根據申请專利範圍第3項所述之工作件處理系 統’其中所述夾鉗總成更包括自所述夾鉗之所述夾钳表面 延伸之柱’所述柱經設定大小以嚙合所述第一遮罩中之相 關聯孔隙，從而在所述兩個可收縮起模頂桿收縮至收縮位 置時促進所述第一遮罩與所述工作件之對準。 23 201110402 5·根據申請專利範圍第1項所述之工作件處理系 統’更包括儲存於所述處_室外部且處於所述遮罩台中 之第二遮罩’且其中所述機器人系統經進一步組態以操取 所述第二遮罩，騎述第二遮罩定位於所述工作件上游， 使得所述X作件經由所述第二遮罩而接收第二選擇性植 入，其中所述第-選擇性植人以及所述第二選擇性植入— 起提供所要的聚集選擇性植入圖案。 6.根據申請專利㈣第丨項所述之工作件處理 :’其中所述遮罩台包括多個非熱料襯細在所述第二 遮罩儲存於所述遮罩台處時支禮所述第一遮罩。 纪1·㈣中請專利1顧述之j：•作件處理系 二，其中所述遮罩台包括加熱器以在所述第—遮罩儲存於 所述遮罩台處時加熱所述第一遮罩。 ； 8.根據中請專利_第1項所述之工作件處理糸 r其中所述遮罩台包括冷卻單元以在所述第一= 於所述遮罩台處時冷卻所述第一遮罩。 逻罩儲存 9· 一種方法，其包括： 將第一遮罩儲存於處理腔室外部且處於遮罩台中. 自所述遮罩台擷取所述第一遮罩； 工作在所述處理腔室中之 經由所述第-鮮執行第—選擇性植入。 在執二第9項所述之方法，其更包括 所这第選擇性植入之後將所述第-遮罩返回至所 €\ 24 述遮罩台。 u·根據申請專利範圍第9項所述之方法，更包括： 將第一遮罩儲存於所述遮罩台中； 自所述遮罩台擷取所述第二遮罩； 將所述第二遮罩定位於已定位在所述處理腔室中之 所述工作件上游以用於離子植入；以及 經由所述第二遮罩而執行第二選擇性植入，其中所述 第一選擇性植入以及所述第二選擇性植入一起提供所要的 聚集選擇性植入圖案。 12. 根據申清專利範圍第11項所述之方法，其中所述 第一遮罩以及所述第二遮罩兩者同時定位於所述工作件之 上游。 13. 根據申請專利範圍第n項所述之方法，其中所述 第一遮罩以及所述第二遮罩連續定位於所述工作件之上 游0 M.根據申請專利範圍第9項所述之方法，其中所述 工作件包括選雜發射極太陽㈣池，且所述第—選擇性 植入將離子植人至所述選擇性發射極太陽能電池之細長部 分中’以形歧位於所騎雜魏極太陽能電池之前側 觸點下方的具有長如及寬度之重度掺雜區域。 15.根據申請專利範圍第14項所述之方法，其 藉由不受所述第-鮮畴之毯覆式植人來植人所述 性發射極太陽能電池，所述毯覆式植人在 發^ 極太陽能電池中提供p_n接面。 發射 201110402 16.根據申請專利範圍第9項所述之方法，其中所述 工作件包括指又背接觸（IBC)太陽能電池，且所述第一 選擇性植人將離子植人至所述IBC太陽能電池之部分中以 形成η型摻雜劑之背表面場區域。 17·根據中請專利範圍第16項所述之方法，更包括： 自所述遮罩台擷取第二遮罩； 將所述第二遮罩定位於已定位在 所述工作件上游以用於離子植入；以及 至中之 始姑 弟一％早㈣行第二選擇性植入以將離子 入入至所述IBC太陽能電池之其他部分巾，以 型摻雜劑之發射極區域。 ^ ί 18.根據申請專利範圍第9項所述之方法， I所述第—遮#位於所述遮罩台中之多個非熱傳導^ 在所述遮罩台中冷所述之方法，其更包括 26
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