CN104364890A - 工件承载件 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种工件承载件，该工件承载件包括第一板，其具有第一外径、第一内径及第一凹部，该第一凹部自第一内径向第一外径延伸第一距离。该工件承载件进一步包括第二板，其具有第二外径、第二内径及第二凹部，该第二凹部自第二内径向第二外径延伸第二距离。与第一板及第二板关联的多个配合功能件配置成选择性将第一工件的位置固定于第一板与第二板之间和第一凹部及第二凹部内。

Description

工件承载件

本申请主张第61/568,865号美国临时申请(申请日：2012年6月12日；名称：工件承载件)的优先权及其有益效果，其视同全文引用，以引用的方式全部纳入本文中。

技术领域

本发明大体上涉及工件承载件，更具体而言，涉及用于在离子注入系统中加工各种规格晶片的承载件。

背景技术

在半导体行业中，通常利用静电夹或夹盘(ESC)在诸如离子注入、蚀刻、化学气相淀积(CVD)等基于等离子或基于真空的半导体制造过程期间夹紧工件或衬底。通常，半导体加工系统及相关ESC是设计用于夹紧特定大小的工件。然而，加工大小不同于预定尺寸的工件则会引发诸多问题，如重新构造工件处理组件、ESC及其他加工装备。在半导体处理系统中改变工件尺寸一般会伴随着成本增大及系统故障停机，通常需要大幅度改进处理装备、ESC及其他加工装备。另外，倘若在高温下进行加工过程，则对该系统仍有其他要求。

发明内容

本发明的目的在于，在构造用于在各半导体加工系统中不同尺寸工件的ESC上加工某一大小的工件。本发明详细介绍一种用于固定多种尺寸工件的工件承载件，其中该工件承载件易于使用，适于在高温下运行，并且可对现有技术中装备的各种改进形式提供具有成本效益的解决方案。

本发明通过提供一种用于在半导体加工系统中处理加工各种尺寸工件的系统、设备及方法来克服现有技术的局限性。因此，下文介绍发明内容的简要概述，以便对本发明的某些方面具有基本了解。该发明内容部分并非本发明的详尽综述。其既非旨在确定本发明的关键元件或主要元件，亦非限定本发明的范围。其目的在于，以简化形式呈现本发明的某些构思，作为下文具体实施方式的引言。

本发明提供的工件承载件包括第一板，其具有第一外径、第一内径及第一凹部，该第一凹部自第一内径向第一外径延伸第一距离。该工件承载件进一步包括第二板，其具有第二外径、第二内径及第二凹部，该第二凹部自第二内径向第二外径延伸第二距离。与第一板及第二板关联的多个配合功能件配置成选择性将第一工件的位置固定于第一板与第二板之间和第一凹部及第二凹部内。所述多个配合功能件可包括耳状部、凹槽、销子、穿孔和/或狭槽。

上文的发明内容部分仅旨在简要概述本发明某些实施方案的某些特征，其他实施方案可包括上述特征以外的其他特征和/或不同特征。特别地，该发明内容部分不得理解为限定本申请的保护范围。因此，为实现前述及有关目的，本发明包括下文所述且特别在权利要求书中所指出的特征。下文内容及附图详细阐明本发明的某些说明性实施方案。然而，这些实施方案仅表明采用本发明原理的多种不同方式中的少数几种。在结合附图考虑的情况下，由下文对本发明的详细描述会更清楚理解本发明的其他目的、优点及新颖性特征。

附图说明

图1是根据本发明几方面的包括离子注入系统的示例性真空系统的框图；

图2是根据本发明另一方面的示例性工件承载件的截面图；

图3表示具有多个配合功能件的示例性工件承载件的分解俯视图；

图4表示如图3所示的示例性工件承载件的分解仰视图；

图5表示如图3和图4所示的示例性工件承载件的俯视图；

图6表示如图3至图5所示的示例性工件承载件的仰视图；

图7表示具有多个配合功能件的另一示例性工件承载件的分解俯视图；

图8表示如图7所示的示例性工件承载件的分解仰视图；

图9表示如图7和图8所示的示例性工件承载件的俯视图；

图10表示如图7至图9所示的示例性工件承载件的仰视图；

图11和图12表示与本发明所述工件承载件相结合的示例性夹持机构；

图13表示根据本发明又一方面的加工多种规格工件的方法。

具体实施方式

本发明大体上针对一种用于在半导体加工系统中处理加工各种尺寸工件的系统、设备及方法。相应地，现将参照附图阐述本发明，其中通篇中的相同标号可用于指代相同元件。应当理解，对这些方面的描述仅供说明，而不得解释为限定目的。出于解释目的，在下文中阐明若干具体细节，以便全面理解本发明。然而，本领域技术人员会显而易知，本发明可在不具备这些具体细节的情况下实施。另外，本发明的范围不应受到下文参照附图所述的实施方案或实施例的限制，而仅受所附权利要求书及其等同变化的限制。

还需指出，附图用于说明本发明实施方案的某些方面，由此应视为仅供示意性说明。特别地，根据本发明的实施方案，附图中所示的元件并不一定相互成比例绘制，将附图中各元件的布置选为可清楚理解相应的实施方案，不得理解为必然表示实施中各组件的实际相对位置。此外，若非特别注明，则本文所述的各实施方案及实施例的特征可相结合。

还应理解，在以下描述中，在图中所示或文中所述的功能模块、装置、组件、电路元件或其他实际部件或功能部件之间的任何直接连接或耦接亦可通过间接连接或耦接来实施。此外还应理解，在图中所示的功能模块或部件在一个实施方案中可作为独立特征或电路形式实施，在另一实施方案中亦可或可选择以共同特征或电路来全部或部分实施。举例而言，几个功能模块可作为在共同处理器(如信号处理器)上运行的软件形式实施。还应理解，若非另有相反规定，则在以下说明书中基于导线所述的任何连接亦可作为无线通信形式实施。

根据本发明一方面，图1表示示例性加工系统100。在本实施例中的加工系统100包括离子注入系统101，但亦涵盖其他各类型的加工系统，如等离子加工系统、反应离子蚀刻(RIE)系统或其他半导体加工系统。离子注入系统101例如包括终端102、束线总成104及终端站106。

一般而言，终端102中的离子源108耦接至电源110，以使掺杂剂气体离子化成多个离子且形成离子束112。在本实施例中，引导离子束112穿过射束控向设备114且穿出穿孔116射向终端站106。在终端站106中，离子束112轰击工件118(例如硅晶片、显示面板等半导体)，该工件118选择性地夹至或安装至夹盘120(例如静电夹盘或ESC)。一旦注入的离子嵌入工件118的晶格时，则其改变工件的物理和/或化学性质。鉴此，离子注入用于半导体装置的制造和金属表面处理以及材料科学研究中的各种应用中。

本发明的离子束112可采取任何形式，如笔形束或点束、带状束、扫描束或使离子指向终端站106的任何其他形式，并且所有这些形式均属本发明的范围内。

根据一典型方面，终端站106包括处理腔室122，如真空腔室124，其中处理环境126与该处理腔室关联。处理环境126一般存在于处理腔室122内，在一个实施例中，处理环境126包括由耦接至处理腔室并配置成大体上将该处理腔室抽成真空的真空源128(例如真空泵)所产生的真空。

在利用离子注入系统101注入期间，随着带点离子与工件碰撞，能量可在工件118上以热量形式积聚。倘若缺乏防范措施，这种热量可能会使工件118翘曲或破裂，这在某些实施方案中会致使工件无用(或可用性显著降低)。该热量还会造成传递至工件118的离子量与所需量不同，这会改变所需的功能性。举例而言，若需将每平方厘米1x1017个原子的剂量注入略在工件118外表面之下的极薄区域中，不理想的热量可能导致所传递的离子自该极薄区域向外扩散，以致实际获得的用量少于每平方厘米1x1017个原子。实际上，不理想的热量会在比所需区域更大的区域范围内“涂污(smear)”所注入的电荷，由此使有效用量降低至少于所需量。由于工件118的不理想热量还会发生其他不良效应。可能还需在低于或高于环境温度的温度下注入离子，以使工件118的表面达成理想的非晶化，从而能够在先进的CMOS集成电路装置制备中形成超浅接面。在这种情况下，需要冷却工件118。在其他情况下，在注入或其他过程中需要进一步加热工件118，从而有助于处理(举例而言，如高温注入到碳化硅)。

因此，根据另一实施例，夹盘120包括温度受控的夹盘130，其中该温度受控的夹盘配置成在工件暴露于离子束112期间在处理腔室122内支撑工件并选择冷却、加热工件118或以其他方式使工件118保持预定温度。如此，需指出，在该实施例中温度受控的夹盘130可包括在处理腔室122内配置成支撑并冷却工件118的低于环境温度的夹盘或者配置成支撑并加热工件的高于环境温度的夹盘。在另一实施例中，温度受控的夹盘130可不对工件提供加热或冷却。

温度受控的夹盘130例如包括配置成分别将工件118冷却或加热至处理温度的静电夹盘，该处理温度显著低于或高于周围或外部环境132(例如亦称作“大气环境”)的环境或大气温度。可进一步提供热系统134，其中在另一实施例中，该热系统配置成冷却或加热温度受控的夹盘130，并由此将留在其上的工件118冷却或加热至处理温度。

根据另一方面，再参照图1，装载锁定腔室136可进一步耦接至处理腔室122，其中该装载锁定腔室配置成使处理环境126与外部环境132隔离。装载锁定腔室136进一步包括配置成工件118在处理腔室122与外部环境132之间传递期间支撑工件的工件支撑件138，如传递至工件传输容器140(例如FOUP或工件盒)并/或自其中传出，该工件传输容器140可与装载锁定腔室122关联或耦接。相应地，装载锁定腔室136通过改变装载锁定腔室环境142保持真空系统100内的处理环境126(例如真空环境)。装载锁定腔室136内的压力例如配置成在与处理环境126关联的真空及与外部环境138关联的压力之间变化。

另外，根据另一典型方面，大气自动装置144配置成在装置锁定腔室122与工件传输容器142之间选择性传递工件118。工件传输容器142例如配置成传送外部环境138中的多个工件118，如传递至真空系统100或自其中传出。真空自动装置146进一步配置成在装载锁定腔室122与夹盘120之间选择性传递工件118。此外，控制器148配置成选择性控制工件118在整个真空系统100的移动，诸如通过控制大气自动装置144、真空自动装置146、夹盘120以及真空系统100的其他组件中的一个或多个组件。

本发明的发明人注意到，利用同一真空系统100加工具有不同尺寸的工件118(例如直径从100mm至300mm不等)具有优势，并且可通过下文所述的设备和系统调节对这类不同尺寸工件的加工。如此，可摆脱此前成本极高的装备更换，并可通过本发明所述的设备、系统及方法实现系统效率。

根据一典型方面，如图2所示，提供工件承载件150，其中该工件承载件配置成将100mm的工件固定在150mm的夹盘(例如图1所示的夹盘120)上。需指出，在阐述特定直径和/或尺寸的工件118时，并非旨在限定本发明的保护范围，本发明可扩展至其他各种尺寸的夹盘120及工件118。

在一实施例中，工件承载件150包括第一板152，其具有第一外径154、第一内径156及第一凹部158，该第一凹部自第一内径向第一外径延伸第一距离160。进一步提供第二板162，其中该第二板具有第二外径164、第二内径166及第二凹部168，该第二凹部自第二内径向第二外径延伸第二距离170。

根据一实施例，多个配合功能件172进一步与第一板152及第二板162相关联，其中所述多个配合功能件配置成选择性将第一工件174的位置固定于第一板与第二板之间和第一凹部158及第二凹部168内。

根据另一实施例，第一板152的第一外径154与第二工件176的直径相关(例如等于其直径)，其中第一工件174的直径小于第二工件的直径。举例而言，第一工件174的直径约为100mm，第二工件176的直径约为150mm。

根据一实施例，如图3至图6所示，多个配合功能件172包括多个自第二板162的第二外径164伸出的耳状部178以及多个伸入第一板152的上表面182的狭槽180。多个耳状部178例如自第二板162的下表面185伸出。多个耳状部178例如可与自动夹持器185对齐，所述自动夹持器与工件118的处理有关，其中第一板152及第二板162在处理期间均被夹住。再如图2所示，第一板152配置成由自动夹持器185选择性在其第一直径154处将其夹住。在另一实施例中，第二板162的至少一部分(例如耳状部178)配置成由自动夹持器185选择性在其第二直径164处将其夹住。

根据另一实施例，如图7至图10所示，多个配合功能件172包括多个自第二板162的下表面184伸出的销子186以及多个伸入第一板152的上表面190的穿孔188。重力使第二板162固定就位，第一工件174受限于第一板152、晶片174及第二板162的堆叠干涉。

第二板162例如包括两个以上销子186，这些销子自第二板的下表面184向下延伸。这些销子186例如刚好嵌入第一板152中的相应穿孔188或狭槽(图中未示)内。销子186的长度例如不会超过第一板152的厚度，因此，它们并不会凸出第一板的下表面而有碍夹紧。在另一实施例中，销子186可位于第一板152上，第二板162则将具有容纳销子的穿孔188。这种布置在低温下可能更佳，而在高温或超高温的情况下可能不太理想，其原因在于第二板162的升温会比第一板152更慢，销子186可能会使第二板162发生破裂。然而，基于材料的选取，这可能成为较佳的解决方案。

第一板152例如可具有在通孔内半径上切出的梯台或第一凹部158，以使第一工件174可置于其中。在一实施方案中，该梯台的深度会小于所用工件的最小厚度。这会确保在第一工件174置于承载件150中时，第二板162会对第一工件施加压力，在其中将第一工件固定就位。在另一实施方案中，梯台或第一凹部158的深度会大于预期采用工件的最大厚度。在这种情况下，第二板162会具有凸缘(例如第二凹部168)，其向下突出至足以再将第一工件174压入梯台，确保使第一工件固定就位且不容易移动。在这两种情况下，均可进一步利用顶板的重力将第一工件174固定就位。

在另一实施例中，为将第一工件174插入如图7至图10所示的工件承载件150中，仅仅将第二板162移开，将第一工件175置于梯台或第一凹部158上，再将第二板置于第一板152上，同时销子186与第一板的穿孔188啮合。为移开第一工件174，将第二板162抬起，取出第一工件174并将第二板放回原处。

在另一实施例中，如图2所示的第一距离106及第二距离170与第一工件174的排斥区相关，其中半导体装置通常并不布置在排斥区内。第一板152的第一凹部158及第二板158的第二凹部168例如配置成接触绕第一工件174周边的排斥区。第一板152及第二板162例如由石墨、碳化硅、氧化铝及石英中的一种或多种材料组成。第一板及第二板可由不同材料或相似材料组成。此外，可在第一工件174与第二凹部158及第二凹部168之间分别形成有利的干涉。第一板152及第二板162例如由在高于700C的温度下仍能保持结构稳定的材料组成。

在另一实施例中，第一凹部158的深度192A与第二凹部168的深度192B的组合小于第一工件174的厚度194。在又一实施例中，第一凹部158的深度192A与第二凹部168的深度192B的组合大于第一工件174的厚度194。

如图2所示的夹盘130例如可为机械式(例如机械式夹紧)，或者，倘若工件承载件150可适当导电，夹盘亦可为静电式(ESC)，以便正常夹紧。第一板152中央具有孔，以使视线能够通向下方的加热器/夹盘。第二板162中同样具有孔，以使离子束或其他处理介质能够达到晶片或工件118的前表面。第一板152及第二板162中的孔例如均小于第一工件的直径，但却足够大，从而工件的绝大部分均能被“看到”或暴露于下方的夹盘或前面的离子束(例如，并不排除超出边缘的排斥区)。第一板152及第二板162中的这些孔可完全呈圆形或包括对准晶片平面或凹口的功能件。

工件承载件150例如旨在使100mm的晶片固定于150mm的夹盘130上。第一板152及第二板162例如可形状互补。第二板162会是具有“翼部”的圆环，底板152会是具有容纳顶板翼部的凹口的另一圆环。第一板152及第二板162(例如，分别是顶板和底板)可放置成顶板的“翼部”或耳状部178会落入底板上相应的凹口中。这两板152和162会处于平面内，形成完整统一的承载件表面。此外，底板的凹口之一可凹割出凹槽，以使顶板的配合功能件嵌入并将顶板固定就位。

无论机械式还是静电式夹盘，只要处于夹盘130上，由顶板伸出的翼部或耳状部178即会由夹紧构件固定就位。转而，工件174及第一板152受到施压。

为将晶片或工件插入工件承载件150，使第二板162(顶板)抬升并向上转动，绕凹割面转动。可将顶板移开。随后将工件置于第一凹部158中，再将第二板162置于第一板152上，首先接驳凹槽，然后向下转到适当位置。翼部或耳状部178在其凹口及凹割面中的结合用作将第一工件174牢固地固定就位。为移开第一工件174，再将第二板162抬起并向上转动，将工件取出，并将第二板162放回原处。

图11和图12表示由自动夹持装置196夹住的示例性工件承载件150的多个视图，其中，同上所述，自动夹持装置通过一个或多个夹持器198夹住至少第一板152。

根据本发明的又一典型方面，图13表示提供用于选择性夹持并处理直径相异的第一及第二工件的示例性方法200。需指出，尽管在本文中以一系列动作或事件阐述示例性方法，但应理解，本发明不仅限于这类动作或事件的所示次序，根据本发明，某些步骤会以不同顺序执行且/或与除本文所述之外的其他步骤同时进行。此外，并非所述各步骤均必须用于实现根据本发明的方法。此外应理解，所述方法可结合本文所述的系统以及结合文中未示的其他系统来实施。

如图13所示的方法200始于动作202，其中确定待处理第一工件还是第二工件。在该实施例中，第一工件的直径小于第二工件的直径。在动作204中，在待处理第一工件的情况下，将第一工件定位于第一板的第一凹部中，其中第一板的第一外径与第二工件的直径相关联，并且第一板具有第一内径，其中第一凹部自第一内径向第一外径延伸第一距离。在动作206中，将第二板置于第一板之上，第二板具有第二外径、第二内经及第二凹部，该第二凹部自第二内径向第二外径延伸第二距离，其中将第一工件的位置大体固定于第一板与第二板之间和第一凹部及第二凹部内，并且多个与第一板及第二板相关的配合功能件进一步选择性将第一工件的位置固定于第一板与第二板之间。在动作208中，将第一板的第一外径夹住，随后在动作210中处理第一工件。

假使在动作202中确定待处理直径较大的第二工件，则在动作212中夹住第二工件的周边并随后在动作214中处理第二工件。

在一实施例中，可随后将第一板及第二工件之一传送至位于处理腔室内的夹盘，这取决于待处理的是第一工件还是第二工件。通过夹盘选择性夹住第一板及第二工件之一例如可包括静电式或机械式将第一板及第二工件之一夹至夹盘。

虽然已就某些实施方案对本发明加以阐述，但需指出，上述实施方案仅作为实施本发明某些实施方案的实施例，本发明的应用并非局限于这些实施方案。特别关于由上述组件(总成、装置、电路等)执行的各种功能，若非特别注明，否则用于描述这些组件的术语(包括提及“构件”)旨在对应于执行所述组件的特定功能(即功能上等同)的任意部件，即便其在结构上不等同于执行本文所述的本发明典型实施方案所公开的结构亦然。另外，虽然仅就多个实施方案中的一种方案公开本发明的特定特征，如若适于或利于任何指定或特定应用，则这一特征可结合其它实施方案的一个或多个其他特征。相应地，本发明不限于上述实施方案，但旨在仅受所附权利要求书及其等同变化的限制。

Claims (31)

1.一种工件承载件，其包括：

第一板，其具有第一外径、第一内径及第一凹部，该第一凹部自所述第一内径向所述第一外径延伸第一距离；

第二板，其具有第二外径、第二内径及第二凹部，该第二凹部自所述第二内径向所述第二外径延伸第二距离；以及

多个与所述第一板及所述第二板相关联的配合功能件，其中所述多个配合功能件配置成选择性将第一工件的位置固定于所述第一板与所述第二板之间和所述第一凹部及所述第二凹部内。

2.如权利要求1所述的工件承载件，其中所述第一外径与第二工件的直径相关联；其中所述第一工件的直径小于所述第二工件的直径。

3.如权利要求2所述的工件承载件，其中所述第一工件的直径约是100mm，所述第二工件的直径约是150mm。

4.如权利要求1所述的工件承载件，其中所述多个配合功能件包括多个自所述第二板下表面伸出的销子以及多个伸入所述第一板上表面的穿孔。

5.如权利要求1所述的工件承载件，其中所述多个配合功能件包括多个自所述第二板的第二外径伸出的耳状部以及多个伸入所述第一板上表面的狭槽。

6.如权利要求1所述的工件承载件，其中所述第一距离及第二距离与所述第一工件的排斥区相关联。

7.如权利要求1所述的工件承载件，其中所述第一板及所述第二板由石墨、碳化硅、氧化铝及石英中的一种或多种材料组成。

8.如权利要求7所述的工件承载件，其中所述第一板及所述第二板由不同材料组成。

9.如权利要求1所述的工件承载件，其中所述第一板及所述第二板由在高于700C的温度下仍保持结构稳定的材料组成。

10.如权利要求1所述的工件承载件，其中所述第一板的所述第一凹部及所述第二板的所述第二凹部配置成接触围绕所述第一工件周边的排斥区。

11.如权利要求10所述的工件承载件，其中所述第一凹部与所述第二凹部的深度组合小于所述第一工件的厚度。

12.如权利要求10所述的工件承载件，其中所述第一凹部与所述第二凹部的深度组合大于所述第一工件的厚度。

13.如权利要求1所述的工件承载件，其中所述第一板配置成由自动夹持器选择性在其第一直径处将其夹住。

14.如权利要求13所述的工件承载件，其中所述第二板的至少一部分配置成由所述自动夹持器选择性在其第二直径处将其夹住。

15.一种用于处理第一工件及第二工件的半导体加工系统，其中所述第一工件的直径小于所述第二工件的直径，该半导体加工系统包括：

处理腔室，其具有与其关联的处理环境；

用于支撑所述第一工件的工件承载件，以及

位于所述处理腔室内的夹盘，其中该夹盘配置成基于待选择所述第一工件或第二工件之一而选择性夹住所述工件承载件或所述第二工件，

其中，所述工件承载件包括：

第一板，其具有第一外径、第一内径及第一凹部，该第一凹部自所述第一内径向所述第一外径延伸第一距离；

第二板，其具有第二外径、第二内径及第二凹部，该第二凹部自所述第二内径向所述第二外径延伸第二距离；以及

多个与所述第一板及所述第二板相关联的配合功能件，其中所述多个配合功能件配置成选择性将第一工件的位置固定于所述第一板与所述第二板之间和所述第一凹部及所述第二凹部内。

16.如权利要求15所述的半导体加工系统，其进一步包括离子注入设备，其中该离子注入设备配置成为置于所述处理腔室中的所述第一工件及第二工件之一提供多个离子。

17.如权利要求15所述的半导体加工系统，其进一步包括可耦接至所述处理腔室的装置锁定腔室，其中该装载锁定腔室配置成使所述处理腔室内的处理环境与外部环境隔离。

18.如权利要求15所述的半导体加工系统，其进一步包括自动夹持器，其中所述第一板配置成由该自动夹持器选择性在其第一直径处将其夹住。

19.如权利要求18所述的半导体加工系统，其中所述第二板的至少一部分配置成由所述自动夹持器选择性在其第二直径处将其夹住。

20.如权利要求18所述的半导体加工系统，其进一步包括可耦接至所述处理腔室的装载锁定腔室，其中所述自动夹持器可耦接至位于所述处理腔室内的真空自动装置，并且该真空自动装置配置成在所述处理腔室内传递所述工件承载件或第二工件并且/或者将其传入且传出所述装载锁定腔室。

21.如权利要求18所述的半导体加工系统，其进一步包括可耦接至所述处理腔室的装载锁定腔室，其中所述自动夹持器可耦接至位于所述处理腔室外的大气自动装置，并且该大气传送自动装置配置成将所述工件承载件或第二工件传入和/或传出所述装载锁定腔室。

22.如权利要求21所述的半导体加工系统，其中所述自动夹持器进一步配置成在工件传输容器及所述工件承载件之间传递所述第一工件。

23.如权利要求16所述的半导体加工系统，其中所述离子注入设备包括：

离子源，其配置成形成离子束；

束线总成，其配置成质谱分析所述离子束；以及

终端站，其包括所述处理腔室。

24.如权利要求15所述的半导体加工系统，其中所述夹盘包括温度受控的夹盘。

25.如权利要求24所述的半导体加工系统，其中所述温度受控的夹盘包括低于环境温度的夹盘及高于环境温度的夹盘中的一个夹盘。

26.如权利要求15所述的半导体加工系统，其中所述夹盘包括静电式夹盘。

27.一种用于在半导体加工系统中处理第一工件及第二工件的方法，其中所述第一工件的直径小于所述第二工件的直径，该方法包括：

确定待处理所述第一工件或所述第二工件；

在待处理所述第一工件的情况下，将所述第一工件定位于第一板的第一凹部中，其中该第一板的第一外径与所述第二工件的直径相关联，并且该第一板具有第一内径，其中所述第一凹部自所述第一内径向所述第一外径延伸第一距离；

将第二板置于所述第一板之上，该第二板具有第二外径、第二内经及第二凹部，该第二凹部自所述第二内径向所述第二外径延伸第二距离，其中将所述第一工件的位置大体固定于所述第一板与所述第二板之间和所述第一凹部及所述第二凹部内，并且多个与所述第一板及所述第二板相关的配合功能件进一步选择性将所述第一工件的位置固定于所述第一板与所述第二板之间；以及

基于待加工所述第一工件或所述第二工件，选择性夹住所述第一板的所述第一外径或所述第二工件的周边。

28.如权利要求27所述的方法，其进一步包括：基于待处理所述第一工件或所述第二工件，将所述第一板及所述第二工件之一传送至位于处理腔室内的夹盘。

29.如权利要求28所述的方法，其进一步包括：通过所述夹盘选择性夹住所述第一板及所述第二工件之一。

30.如权利要求29所述的方法，其中所述通过夹盘选择性夹住所述第一板及所述第二工件之一包括静电式将所述第一板及所述第二工件之一夹至所述夹盘。

31.如权利要求29所述的方法，其中所述通过夹盘选择性夹住所述第一板及所述第二工件之一包括机械式将所述第一板及所述第二工件之一夹至所述夹盘。