CN104380428A - 惰性大气压预冷及后热处理 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种离子注入系统(101)，该系统向置于低于环境温度夹盘(130)上的处理腔室(122)的处理环境(126)中的工件(118)提供离子(112)。具有中间环境(138)的中间腔室(136)与外部环境(132)流体连通并具有用于冷却和加热工件(118)的冷却站(140)及加热站(142)。在处理腔室(122)与中间腔室(136)之间提供装载锁定腔室(150)，以使处理环境(126)与中间环境(138)隔离。正压源(166)在中间腔室(136)内提供干气(168)，中间腔室(136)的露点低于中间腔室外部环境(132)的露点。正压源通过自中间腔室流向外部环境的干气流而使中间环境与外部环境隔离。

Description

惰性大气压预冷及后热处理

技术领域

本发明大体上涉及离子注入系统，更具体涉及防止在离子注入系统中的工件上形成冷凝。

背景技术

在半导体行业中，通常利用静电夹或夹盘(ESC)在诸如离子注入、蚀刻、化学气相淀积(CVD)等基于等离子或基于真空的半导体制造过程期间夹紧工件或衬底。已证实，ESC的夹紧功能以及工件温度控制在处理半导体衬底或晶片(如硅晶片)中相当重要。标准的ESC例如包括位于导电电极之上的介电层，其中半导体晶片置于ESC的表面上(例如该晶片适于介电层的表面上)。在处理半导体(例如离子注入)期间，通常在晶片与电极之间施加箝制电压，其中由静电力将该晶片夹紧在夹盘表面上。

对于某些离子注入过程，需通过冷却ESC来冷却工件。然而，在温度更低的情况下，当将工件从处理环境(例如真空环境)中的冷ESC传送至外部环境(例如更高压、更高温且湿度更大的环境)内时，会在工件上形成冷凝，甚或大气水分会在工件表面上发生冻结。例如，将离子注入工件之后，通常将工件传送至装载锁定腔室内，随后使该装载锁定腔室通风。当打开装载锁定腔室并自其取出工件时，工件通常曝露在环境空气中(例如在大气压下的“潮湿”暖空气)，其中在该工件上可发生冷凝。冷凝会使粒子沉积在工件上并且/或者使沉淀物遗留在工件上，其会对正面粒子(例如有效区域上)具有不利影响，并会导致瑕疵品及生产损失。

因此，在本领域中需要一种用于在将工件自冷环境传送至热环境时减轻该工件上冷凝的设备、系统和方法。

发明内容

本发明通过提供一种用于减少冷冻离子注入系统中在工件上发生冷凝的系统、设备及方法来克服现有技术的局限性。因此，下文介绍发明内容的简要概述，以便对本发明的某些方面具有基本了解。该发明内容部分并非本发明的详尽综述。其既非旨在确定本发明的关键元件或主要元件，亦非限定本发明的范围。其目的在于，以简化形式呈现本发明的某些构思，作为下文具体实施方式的引言。

根据本发明，提供一种用于将离子注入冷工件的离子注入系统。该离子注入系统例如包括配置成向位于处理腔室中的工件提供多个离子的离子注入设备，其中该处理腔室具有与其关联的处理环境。在一个实施例中，低于环境温度的夹盘(如低温冷却静电夹盘)配置成在处理腔室内的工件暴露于多个离子期间支撑工件。该低温夹盘进一步配置成将工件冷却至处理温度，其中该处理温度低于外部环境的露点。

据一方面，进一步提供与外部环境流体连通的中间腔室，该中间腔室具有与其关联的中间环境。该中间腔室例如包括配置成将工件冷却至第一温度的冷却站以及配置成将工件加热至第二温度的加热站。第一温度例如与处理温度相关，第二温度与外部环境的外部温度相关，其中第二温度高于第一温度。

进一步提供装载锁定腔室，其中该装载锁定腔室可耦接至处理腔室及中间腔室。该装载锁定腔室配置成使处理环境与中间环境隔离。装载锁定腔室进一步包括配置成在处理腔室与中间腔室之间传送工件期间支承工件的工件支撑件。

根据本发明的另一方面，进一步提供正压源，其中该正压源配置成向中间腔室提供干气。该干气的露点例如低于外部环境的露点。因此，正压源结合中间腔室通过干气流自中间腔室流向外部环境而使中间环境大体上与外部环境隔离。由此，中间腔室提供一个或多个工件在外部环境与处理环境之间传送期间可滞留的中间环境。如此，在外部环境与处理环境之间提供有利的工件处理流。通过中间加热及冷却工件并且在中间环境内将其排序，通过本发明有利于使在常规装载锁定腔室(例如在该装载锁定腔室内进行加热和/或冷却)中所耗时间减少。

上文的发明内容部分仅旨在简要概述本发明某些实施方案的某些特征，其他实施方案可包括上述特征以外的其他特征和/或不同特征。特别地，该发明内容部分不得理解为限定本申请的保护范围。因此，为实现前述及有关目的，本发明包括下文所述且特别在权利要求书中所指出的特征。下文内容及附图详细阐明本发明的某些说明性实施方案。然而，这些实施方案仅表明采用本发明原理的多种不同方式中的少数几种。在结合附图考虑的情况下，由下文对本发明的详细描述会更清楚理解本发明的其他目的、优点及新颖性特征。

附图说明

图1是根据本发明几方面的包括离子注入系统的示例性真空系统的框图；

图2是根据本发明另一方面的示例性离子注入系统有关的示例性中间腔室的框图；

图3表示根据又一方面在将离子冷注入工件时减少冷凝的方法。

具体实施方式

本发明大体上针对一种用于减少离子注入系统中的工件上形成冷凝的系统、设备及方法。相应地，现将参照附图阐述本发明，其中通篇中的相同标号可用于指代相同元件。应当理解，对这些方面的描述仅供说明，而不得解释为限定目的。出于解释目的，在下文中阐明若干具体细节，以便全面理解本发明。然而，本领域技术人员会显而易知，本发明可在不具备这些具体细节的情况下实施。另外，本发明的范围不应受到下文参照附图所述的实施方案或实施例的限制，而仅受所附权利要求书及其等同变化的限制。

还需指出，附图用于说明本发明实施方案的某些方面，由此应视为仅供示意性说明。特别地，根据本发明的实施方案，附图中所示的元件并不一定相互成比例绘制，将附图中各元件的布置选为可清楚理解相应的实施方案，不得理解为必然表示实施中各组件的实际相对位置。此外，若非特别注明，则本文所述的各实施方案及实施例的特征可相结合。

还应理解，在以下描述中，在图中所示或文中所述的功能模块、装置、组件、电路元件或其他实际部件或功能部件之间的任何直接连接或耦接亦可通过间接连接或耦接来实施。此外还应理解，在图中所示的功能模块或部件在一个实施方案中可作为独立特征或电路形式实施，在另一实施方案中亦可或可选择以共同特征或电路来全部或部分实施。举例而言，几个功能模块可作为在共同处理器(如信号处理器)上运行的软件形式实施。还应理解，若非另有相反规定，则在以下说明书中基于导线所述的任何连接亦可作为无线通信形式实施。

根据本发明的一方面，图1表示示例性的真空系统100。在本实施例中的真空系统100包括离子注入系统101，但亦涵盖其他各类型的真空系统，如等离子处理系统或其他半导体处理系统。离子注入系统101例如包括终端102、束线总成104及终端站106。

一般而言，终端102中的离子源108耦接至电源110，以使掺杂剂气体离子化成多个离子且形成离子束112。在本实施例中，引导离子束112穿过射束控向设备114且穿出穿孔116射向终端站106。在终端站106中，离子束112轰击工件118(例如硅晶片、显示面板等半导体)，该工件118选择性地夹至或安装至夹盘120(例如静电夹盘或ESC)。一旦注入的离子嵌入工件118的晶格时，则其改变工件的物理和/或化学性质。鉴此，离子注入用于半导体装置的制造和金属表面处理以及材料科学研究中的各种应用中。

本发明的离子束112可采取任何形式，如笔形束或点束、带状束、扫描束或使离子指向终端站106的任何其他形式，并且所有这些形式均属本发明的范围内。

根据一典型方面，终端站106包括处理腔室122，如真空腔室124，其中处理环境126与该处理腔室关联。处理环境126一般存在于处理腔室122内，在一个实施例中，处理环境126包括由耦接至处理腔室并配置成大体上将该处理腔室抽成真空的真空源128(例如真空泵)所产生的真空。

在利用离子注入系统101注入期间，随着带点离子与工件碰撞，能量可在工件118上以热量形式积聚。倘若缺乏防范措施，这种热量可能会使工件118翘曲或破裂，这在某些实施方案中会致使工件无用(或可用性显著降低)。该热量还会造成传递至工件118的离子量与所需量不同，这会改变所需的功能性。举例而言，若需将每平方厘米1x10¹⁷个原子的剂量注入略在工件118外表面之下的极薄区域中，不理想的热量可能导致所传递的离子自该极薄区域向外扩散，以致实际获得的用量少于每平方厘米1x10¹⁷个原子。实际上，不理想的热量会在比所需区域更大的区域范围内“涂污(smear)”所注入的电荷，由此使有效用量降低至少于所需量。由于工件118的不理想热量还会发生其他不良效应。

此外，在某些情况下，不仅需要在注入期间冷却工件118以防热积累，还需在低于或高于环境温度的温度下注入离子，以使工件118的表面达成理想的非晶化，从而能够在先进的CMOS集成电路装置制备中形成超浅接面。

因此，根据另一实施例，夹盘120包括低于环境温度的夹盘130，其中低于环境温度的夹盘配置成在工件暴露于离子束112期间在处理腔室122内支撑并冷却工件118或以其他方式使工件118保持预定温度。需指出，尽管在本实施例中将夹盘120称作低于环境温度的夹盘130，但夹盘120同样可包括高于环境温度的夹盘(图中未示)，其中高于环境温度的夹盘配置成在处理腔室122内支撑并加热工件118。低于环境温度的夹盘130例如是配置成将工件118冷却或冷冻至处理温度的静电夹盘，该处理温度显著低于周围或外部环境132(例如亦称作“大气环境”)的环境或大气温度。同样地，在夹盘120包括上述高于环境温度的夹盘的情况下，该高于环境温度的夹盘可包括配置成将工件118加热至处理温度的静电夹盘，该处理温度显著高于周围或外部环境132的环境或大气温度。可进一步提供冷却系统134，其中在另一实施例中，该冷却系统配置成冷却或冷冻低于环境温度的夹盘130，由此将留在其上的工件118冷却或冷冻至处理温度。在另一实施例中，在高于环境温度夹盘的情况下，还可以类似的方式提供加热系统(图中未示)，其中加热系统配置成加热高于环境温度的夹盘并将留在其上的工件118加热至处理温度。

在真空系统100的某些示例性操作中，处理温度低于外部环境132的环境露点(例如8℃，亦称作露点温度)，如约-40℃的处理温度。在这种操作中，由于处理温度显著低于外部环境132的露点温度，故在工件118暴露于环境温度之前不对其进行加温的情况下，会在其上形成冷凝，由此可能使工件受到有害影响(如下文详述)。

因此，根据本发明进一步提供中间腔室136，其中该中间腔室与外部环境132流体连通，诸如通过一个或多个通风口137。中间腔室还具有与其关联的中间环境138(如下文进一步详述)。在本实施例中，中间腔室136进一步包括配置成将工件118冷却至第一温度的冷却站140以及配置成将工件加热至第二温度的加热站142。

在图2中更详细地说明中间腔室136，其中冷却站140例如包括配置成支撑工件118并将工件冷却至第一温度的冷却板144。该冷却板144例如包括冷却元件146，该冷却元件146包括以下之中的一个或多个部件：珀尔帖(Peltier)冷却器、膨胀腔室、低温头及配置成选择性冷却或冷冻工件118的循环制冷回路。加热站142例如包括配置成支撑并加热工件118的加热站支撑件148。该加热站支撑件148例如包括以下之中的一个或多个部件：热板、加热灯、热气源及微波源。

需指出，尽管将冷却站140和加热站142均描述成位于中间腔室136内，但在不主动加热和/或冷却工件的情况下，可考虑将冷却站及加热站中一个或多个皆省除并且/或者替换为配置成支撑工件118的工件支撑件(图中未示)。或者如下文所述，可在中间腔室136内提供其他冷却站140及加热站142，用于额外生产效率。另外，根据另一实施例，冷却站140及加热站142在中间腔室内通常彼此隔离，如通过使冷却站与加热站间的热传递降至最低的距离、护罩或者其他设备或特征而隔开。

根据另一实施例，如图2所示，中间腔室136进一步包括一个或多个与冷却站140及加热站142中一个或多个关联的工件温度监控装置149A、149B。一个或多个工件温度监控装置149A、149B配置成测量留在相应冷却站140及加热站142上的工件118的温度，由此在对工件冷却及加热期间监控其温度并提高处理效率。

根据另一方面，再参照图1，装载锁定腔室150可进一步耦接至处理腔室122及中间腔室136，其中该装载锁定腔室配置成使处理环境126与中间环境138隔离。装载锁定腔室150进一步包括配置成在处理腔室122与中间腔室136之间传送工件118期间支撑工件的工件支撑件152。该工件支撑件152例如可配置成在工件118滞留在工件支撑件上时进一步加热和/或冷却该工件。多个装载锁定门154A、154B可将装载锁定腔室150耦接至相应处理腔室122及中间腔室136，其中选择性将装载锁定腔室流控耦接至处理腔室及中间腔室并确定装载锁定腔室环境156。

相应地，装载锁定腔室150通过装载锁定腔室环境156中的变化保持中空系统100内的处理环境126(例如干燥环境或真空环境)。装载锁定腔室150内的压力例如配置成在处理环境126关联的中空与中间环境138关联的中间压力之间变化，诸如通过装载锁定腔室真空源158及装载锁定腔室通风源160。视情况，可提供与通风源160相结合的装载锁定加热器162，其中与通风源关联的气体在装载锁定腔室150通风期间受热。相应地，装载锁定腔室150可在不损害离子注入系统101内真空品质(例如处理环境126)的情况下使工件118转入或转出该离子注入系统。

另外，根据另一典型方面，中间腔室136的中间环境138还选择性通过门163与外部环境隔离，其中该门配置成可选择性将工件传输容器164(例如FOUP)耦接至中间腔室。该工件传输容器164例如配置成传送大气环境134中的多个工件118，如传递至真空系统100或自其中传出。需指出，这种在空气中处理工件118的方式使工件暴露于大气环境134的水分中。

本发明的发明人知悉，当工件118比外部环境132的露点温度更低时，倘若将该工件自离子注入系统101内的处理环境126传送至外部环境，则在冷冻温度(例如低于外部环境的露点温度的任何温度)下进行的离子注入例如会造成工件118上形成冷凝。倘若工件118的温度低于水的冰点，则例如工件在暴露于外部环境132的环境空气中的环境水(例如湿气)时会结霜(例如沉积的冻结水汽)。

因此，根据本发明的另一方面，正压源166可耦接至中间腔室136，其中该正压源配置成向中间压力下的中间腔室提供干气168，该中间压力大于与外部环境132关联的大气压。该干气168的露点例如低于工件118的温度(例如亦称作晶片温度)。在另一实施例中，干气168的露点低于外部环境132的露点。由正压源166提供的干气168可进一步受到干气加热器169加热。相应地，由于中间环境138与外部环境132之间存在压差，正压源166通常通过自中间腔室136流向外部环境的干气流168使中间环境与外部环境隔离。

在一实施例中，干气168包括惰性气体，如干氮气。如此，提供干气168的正压源166可包括用于容纳/存储干气168的压力罐或压力容器(图中未示)。或者，干气168包括大体上干燥的大气气体，其中正压源166包括一个或多个干燥器(图中未示)或其他设备，以大体去除外部环境132关联的大气气体中湿气。据信，干燥的大气气体相较于压力容器中输送的商用气体更为有利，其原因在于大气气体易于获取且无需额外处理压力容器，故干燥的大气气体比压力容器中输送的其他干气更具成本效益。

在又一实施例中，传送设备170A配置成在中间环境138内传送工件118。举例而言，传送设备170A配置成将工件118自工件传输容器164移走并且/或者将工件送回工件传输容器。传送设备170A进一步配置成将工件118传送至冷却站140及加热站142中一个或多个和/或自其中转出工件。另外，传送设备170A配置成将工件118传送至装载锁定腔室150和/或自其中转出工件。因此，在中间腔室136内传送工件118使工件通过中间环境138且在中间环境内传输。同样地，另一传送设备170B配置成在处理环境126内传送工件118，如将工件传送至夹盘120及装载锁定腔室150及自其中转出工件。

根据另一方面，如图1所示，提供二级监控装置172，其中该二级监控装置配置成至少测量外部环境132的外部温度。如此，进一步提供控制器174且将其配置成确定工件118的温度，在该温度下，工件118自中间腔室136传递至外部环境132时在工件上不会形成冷凝。举例而言，该确定至少部分基于来自一个或多个工件温度监控装置149A、149B及二级温度监控装置172的数据。

现将简要论述工件118结合真空系统100的示例流程图或传递方式，以便提供操作真空系统的诸多操作实施例之一种实施例。需指出，本发明不仅限于本文所提供的示例流程，将工件118传送至真空系统、自真空系统转出工件及在真空系统内传送工件的各种其他传送方式均属本发明的保护范围内。

在一示例性工件流程中，工件118自工件传输容器传送至预校准器站(图中未示)，其中根据处理要求校准工件。然后，视需要低于环境或高于环境注入而定，将工件118传送至中间腔室136内的冷却站140及加热站142中之一。举例而言，在低于环境的注入(例如在低于环境温度的温度下注入)中，将工件118传送至冷却站140，其中将工件预冷冻至接近处理温度。当工件118通过冷却站140冷却(或通过加热站142加热)至接近处理温度之后，即将工件传送至装载锁定腔室150中，其中相应抽空该装载锁定腔室。当抽空之后，即将工件118自装载锁定腔室150传送至夹盘120，用于根据处理要求适当注入离子。

当完成注入之后，即将工件118自夹盘120移走并在此将其置入装载锁定腔室150中，其中对该装载锁定腔室通风。然后，再次视需要低于环境或高于环境注入而定，将工件118自装载锁定腔室150传送至中间腔室136内的冷却站140及加热站142中之一。如上所述，在以上低于环境注入的实施例中，将工件118传送至加热站142，其中在该实施例中，将工件加热至高于外部环境132的露点温度的温度。举例而言，当工件118的温度高于外部环境132的露点时，即将工件传送回工件传输容器164。

根据本发明的另一典型方面，图3表示提供一种防止在工件上发生冷凝的示例性方法200。需指出，尽管在本文中以一系列动作或事件阐述示例性方法，但应理解，本发明不仅限于这类动作或事件的所示次序，根据本发明，某些步骤会以不同顺序执行且/或与除本文所述之外的其他步骤同时进行。此外，并非所述各步骤均必须用于实现根据本发明的方法。此外应理解，所述方法可结合本文所述的系统以及结合文中未示的其他系统来实施。

图4的方法200始于动作202，其中将工件置于冷注入式离子注入系统的处理腔室的处理环境中。该工件例如处于低于外部环境的环境露点的第一温度下。在动作204中，将工件自处理腔室传送至装载锁定腔室，其中将压力自与处理腔室关联的处理压力升至与外部环境关联的外部压力。在动作206中，将工件自装载锁定腔室传送至中间腔室，该中间腔室具有与其关联的中间环境。根据本发明一实施例，中间腔室与外部环境流体连通。

在动作208中，干气流入中间腔室中。由此在中间腔室内相对于外部环境确立正压差。在一实施例中，干气流可通过一个或多个与中间腔室关联的通风孔逸出中间腔室。在动作210中，在中间腔室中将工件加热至高于外部环境的环境露点的第二温度。随后，在动作212中，将工件自中间腔室移走并将其引入外部环境中，其中通过使工件温度高于环境露点(如动作210中所实施的方式)来减少工件上的冷凝。

根据一实施例，将工件置于处理腔室的处理环境中包括将工件自装载锁定腔室传送至处理腔室。在如此传递工件之前，在中间腔室中将工件冷却至第一温度，并将工件自中间腔室传送至装载锁定腔室，其中压力自外部压力降至处理压力。

因此，本发明可为图1所示的离子注入系统101的生产率增长提供支持。通过在干气环绕的中间腔室136中加热或冷却工件118，在装载锁定腔室150内所耗时间降至最少，使生产量最大化。

虽然已就某些实施方案对本发明加以阐述，但仍需指出，上述实施方案仅作为实施本发明某些实施方案的实施例，本发明的应用并非局限于这些实施方案。特别关于由上述组件(总成、装置、电路等)执行的各种功能，若非特别注明，否则用于描述这些组件的术语(包括提及“构件”)旨在对应于执行所述组件的特定功能(即功能上等同)的任意部件，即便其在结构上不等同于执行本文所述的本发明典型实施方案所公开的结构亦然。另外，虽然仅就多个实施方案中的一种方案公开本发明的特定特征，如若适于或利于任何指定或特定应用，则这一特征可结合其它实施方案的一个或多个其他特征。相应地，本发明不限于上述实施方案，但旨在仅受所附权利要求书及其等同变化的限制。

Claims (20)

1.一种离子注入系统，其包括：

处理腔室，其具有与其关联的处理环境；

离子注入设备，其配置成向位于所述处理腔室中的工件提供多个离子；

低于环境温度的夹盘，其配置成在所述工件暴露于所述多个离子期间在所述处理腔室内支撑所述工件，其中该低于环境温度的夹盘进一步配置成将所述工件冷却至处理温度；

中间腔室，其具有与其关联的中间环境，其中该中间腔室与外部环境流体连通，其中该中间腔室包括配置成将所述工件冷却至第一温度的冷却站以及配置成将所述工件加热至第二温度的加热站；

装载锁定腔室，其可耦接至所述处理腔室及所述中间腔室，其中该装载锁定腔室配置成使所述处理环境与所述中间环境隔离，其中该装载锁定腔室包括配置成在所述处理腔室与所述中间腔室之间传送所述工件期间支撑所述工件的工件支撑件；以及

正压源，其配置成向所述中间腔室提供干气，其中该干气的露点低于所述外部环境的露点，其中该正压源通过自所述中间腔室流向所述外部环境的干气流使所述中间环境与所述外部环境基本隔离。

2.如权利要求1所述的离子注入系统，其中所述干气包括惰性气体。

3.如权利要求2所述的离子注入系统，其中所述惰性气体包括干氮气。

4.如权利要求1所述的离子注入系统，其中所述干气包括基本上干燥的大气气体。

5.如权利要求1所述的离子注入系统，其中所述冷却站包括配置成支撑所述工件并将所述工件冷却至所述第一温度的冷却板。

6.如权利要求5所述的离子注入系统，其中所述冷却板包括珀尔帖冷却器、膨胀腔室、低温头及循环制冷回路中的一个或多个部件。

7.如权利要求1所述的离子注入系统，其中所述加热站包括加热站支撑件，其包括热板、加热灯、热气源及微波源中的一个或多个部件。

8.如权利要求1所述的离子注入系统，其进一步包括真空泵，其中所述处理腔室包括真空腔室，其中该真空泵配置成基本上抽空所述处理腔室。

9.如权利要求1所述的离子注入系统，其中所述中间腔室包括门，其中该门选择性将所述中间腔室与所述外部腔室隔离。

10.如权利要求1所述的离子注入系统，其进一步包括一个或多个配置成在所述处理腔室、装载锁定腔室、中间腔室及外部腔室之间传送所述工件的传送设备。

11.如权利要求1所述的离子注入系统，其中所述离子注入设备包括：

离子源，其配置成形成离子束；

束线总成，其配置成质谱分析所述离子束；以及

终端站，其包括所述处理腔室。

12.如权利要求1所述的离子注入系统，其中所述低于环境温度的夹盘包括配置成冷冻所述工件的静电夹盘，其中所述处理温度低于所述外部环境大气的露点。

13.如权利要求1所述的离子注入系统，其中所述加热站及所述冷却站在所述中间腔室内大体上彼此隔离。

14.如权利要求1所述的离子注入系统，其中所述中间腔室进一步包括一个或多个工件温度监控装置，所述工件温度监控装置与所述加热站及所述冷却站中一个或多个相关联。

15.如权利要求14所述的离子注入系统，其进一步包括：

二级监控装置，其中该二级监控装置配置成至少测量所述外部环境的外部温度；以及

控制器，其配置成确定所述工件的温度，在该温度下，所述工件自所述中间腔室传递至所述外部环境时在所述工件上不会形成冷凝，其中所述确定至少部分基于来自所述一个或多个工件温度监控装置及所述二级温度监控装置的数据。

16.一种防止在工件上发生冷凝的方法，该方法包括：

将工件置于冷注入式离子注入系统的处理腔室的处理环境中，其中该工件处于第一温度，其低于外部环境的环境露点；

将所述工件自所述处理腔室传送至装载锁定腔室，其中压力自与所述处理腔室关联的处理压力升至与所述外部环境关联的外部压力；

将所述工件自所述装载锁定腔室传送至中间腔室，其中该中间腔室具有与其关联的中间环境，并与所述外部环境流体连通；

使干气流入所述中间腔室，在其中提供所述中间腔室相对于所述外部环境的正压差；以及

在所述中间腔室中将所述工件加热至第二温度，其高于所述外部环境的环境露点。

17.如权利要求16所述的方法，其中所述将工件置于处理腔室的处理环境中包括将所述工件自所述装载锁定腔室传送至所述处理腔室，该方法进一步包括：

在所述中间腔室内将所述工件冷却至所述第一温度；以及

将所述工件自所述中间腔室传送至所述装载锁定腔室，其中压力自所述外部压力降至所述处理压力。

18.如权利要求17所述的方法，其中所述冷却工件包括将所述工件置于冷却板上，该冷却板包括珀尔帖冷却器、膨胀腔室、低温头及循环制冷回路中的一个或多个部件。

19.如权利要求16所述的方法，其中所述加热工件包括将所述工件置于加热站支撑件上，该加热站支撑件包括热板、加热灯、热气源及微波源中的一个或多个部件。

20.如权利要求16所述的方法，其中所述使干气流入中间腔室包括使惰性气体、干氮气及基本上干燥的大气气体中的一种或多种气体流入所述中间腔室。