KR20200090277A - 기판 이송 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예는, 복수의 기판들이 적재되는 용기 및 상기 기판의 공정을 수행하는 공정 챔버 사이에 배치되어, 상기 기판의 이송 경로를 제공하는 챔버; 상기 챔버의 일면에 배치되며, 상기 챔버와 상기 공정 챔버 사이를 차단하여 구획하는 제1 도어; 상기 용기 내의 기판들을 상기 공정 챔버로 이송하며, 상기 공정 챔버에서 기판의 공정이 수행된 기판을 상기 용기 내로 이송하는 이송 로봇; 및 상기 제1 도어의 상부에 배치되어, 상기 제1 도어가 개방된 상태에서, 상기 공정 챔버에서 언로딩되는 상기 기판 상에 소정의 가스를 공급하는 노즐 헤드;를 포함하는 기판 이송 장치를 제공한다.

Description

기판 이송 장치{SUBSTRATE TRANSFERRING APPARATUS}
본 발명은 기판 이송 장치에 관한 것이다.
반도체 소자의 제조 공정 중 이온 주입 공정 후에는 어닐링이 진행된다. 어닐링은, 고온에서 진행되는 열처리 공정으로, 이온 주입된 불순물을 활성화시키고, 불순물의 확산을 방지한다. 일반적으로, 어닐링에서는, 밀리-세컨드 어닐링과 같은 급속 열처리 공정(RTP)이 사용된다. 밀리-세컨드 어닐링은, 밀리-세컨드(Milli-second) 단위의 짧은 시간 동안에, 램프로부터 발산되는 복사 열 에너지를 웨이퍼와 같은 기판으로 전달하여 가열한다. 이러한 급속 열처리 공정 후에는 이에프이엠(Equipment Front End Module, EFEM)과 같은 기판 이송 장치를 통해 기판을 용기에 탑재하게 된다. 기판의 이송은 기판 이송 장치의 로봇 암에 의해 이루어지는 데, 열처리한 기판을 이송하는 과정에서 기판 표면에 형성된 막질에 이온 농도 편차가 발생하여, 기판의 품질 균일성을 저하하는 문제가 있었다.
이에, 당 기술분야에서는 이에프이엠 내의 기판 표면의 이온 농도 편차를 감소시키기 위한 방안이 요구되고 있다.
다만, 본 발명의 목적은 이에만 제한되는 것은 아니며, 명시적으로 언급하지 않더라도 아래에서 설명하는 과제의 해결수단이나 실시 형태로부터 파악될 수 있는 목적이나 효과도 이에 포함된다고 할 것이다.
본 발명의 일 실시예는, 복수의 기판들이 적재되는 용기 및 상기 기판의 공정을 수행하는 공정 챔버 사이에 배치되어, 상기 기판의 이송 경로를 제공하는 챔버; 상기 챔버의 일면에 배치되며, 상기 챔버와 상기 공정 챔버 사이를 차단하여 구획하는 제1 도어; 상기 용기 내의 기판들을 상기 공정 챔버로 이송하며, 상기 공정 챔버에서 기판의 공정이 수행된 기판을 상기 용기 내로 이송하는 이송 로봇; 및 상기 제1 도어의 상부에 배치되어, 상기 제1 도어가 개방된 상태에서, 상기 공정 챔버에서 언로딩되는 상기 기판 상에 소정의 가스를 공급하는 노즐 헤드;를 포함하는 기판 이송 장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시 형태에 따르면, 이에프이엠 내의 기판 표면의 이온 농도 편차를 감소시킬 수 있는 기판 이송 장치가 제공될 수 있다.
다만, 본 발명의 다양하면서도 유익한 장점과 효과는 상술한 내용에 한정되지 않으며, 본 발명의 구체적인 실시 형태를 설명하는 과정에서 보다 쉽게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 이송 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 도 1의 기판 이송 장치에서 로봇 암에 기판이 적재되어 언로딩되는 상태를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 3은 도 1의 기판 이송 장치의 노즐 헤드를 I 방향에서 바라본 단면도이다.
도 4는 도 3의 노즐 헤드를 II 방향에서 바라본 단면도이다.
도 5는 도 4의 노즐 헤드를 III 방향에서 바라본 저면도이다.
도 6은 도 4의 노즐 헤드의 변형예를 도시한 단면도이다.
도 7은 도 6의 IV 방향에서 바라본 저면도이다.
도 8(a) 및 도 8(b)는 비교예와 일 실시예의 기판 이송 장치에 의해 처리된 기판의 질소 이온 농도분포를 각각 도시한 그래프이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 다음과 같이 설명한다.
도 1 내지 도 2를 참조하여 본 발명의 예시적 실시예에 따른 기판 이송 장치를 설명한다. 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 이송 장치를 개략적으로 도시한 단면도이고, 도 2는 도 1의 기판 이송 장치에서 로봇 암에 기판이 적재되어 언로딩되는 상태를 개략적으로 도시한 평면도이다.
본 발명의 예시적 실시예에 따른 기판 이송 장치(30)는 소정의 청정도를 유지하는 청정실(cleanroom)(1) 내에 설치될 수 있다. 상기 기판 이송 장치(30)는 기판(W)에 대해 소정의 공정을 수행하는 공정 챔버(10)와 기판(W)이 적재되는 용기 용기(container)(20)사이에 배치되어, 기판(W)의 이송경로를 제공할 수 있다. 예를 들어, 상기 공정 챔버(10)는 화학기상증착, 식각, 포토, 세정 공정 등과 같은 공정을 수행하는 챔버일 수 있으며, 공정은 급속 열처리(Rapid Thermal System, RTP) 공정을 포함할 수 있다. 일 실시예의 경우, 공정 챔버(10)는 기판(W) 상에 성장된 막질을 고온 열처리하는 공정을 포함할 수 있다.
상기 용기(20)는 내부 공간에 복수의 기판(W)을 적재할 수 있으며, 외부의 공기가 상기 용기(20) 내부로 유입되지 않도록 도어를 가지는 밀폐형 용기일 수 있다. 예컨대, 풉(Front Opening Unified Pod, FOUP)이 용기로 사용될 수 있다. 일 실시예는 기판(W)은 반도체 웨이퍼를 예로 들어 설명하며, 반도체 웨이퍼 상에 TiN 막질이 형성된 경우를 예로 들어 설명한다. 그러나, 기판(W)은 이 외에 집적회로 제조를 위해서 사용되는 다른 종류의 기판일 수 있으며, 기판(W) 상에 형성된 막질의 종류는 TiN에 한정하지 않는다. 또한, 일 실시예는 기판(W)에 형성된 TiN 막질의 산화로 인해 감소된 기판(W) 표면의 질소 이온 농도를 보충하기 위해, 질소(N2) 가스를 분사하는 경우를 예로 들어 설명하나, 이에 한정하는 것은 아니며, 분사되는 가스는 설비와 공정에 맞추어 O2 가스 또는 NH3 가스와 같은 다양한 가스로 대체할 수 있다.
상기 기판 이송 장치(30)는 상기 용기(20)와 상기 공정 챔버(10) 사이에 위치하여, 상기 용기(20)와 상기 공정 챔버(10)간 기판(W), 즉 웨이퍼들을 이송할 수 있다. 상기 기판 이송 장치(30)는, 예를 들어, 이에프이엠(Equipment Front End Module, EFEM)을 포함할 수 있다.
상기 기판 이송 장치(30)는 챔버(100), 제1 도어(100a), 제2 도어(100b), 이송 로봇(110) 및 노즐 헤드(300)를 포함할 수 있다. 또한, 상기 챔버(100)에는 상기 챔버(100)로 청정한 공기를 유입시키는 팬 필터 유닛(Fan Filter Unit, FFU)(200)을 포함할 수 있다.
상기 챔버(100)는 제1 면(101), 상기 제1 면(101)과 대향하여 상부에 배치되는 제2 면(102), 상기 제1 면(101)과 제2 면(102) 사이에서 상기 제1 면(101)과 제2 면(102)을 연결하는 제3 면(103)을 가질 수 있다. 상기 제1 면 내지 제3 면(101, 102, 103)은 각각 상기 챔버(100)의 바닥면, 상면 및 측면일 수 있다. 상기 챔버(100)는 대체로 직육면체의 형상을 가지며, 내부에는 상기 용기(20)와 공정 챔버(10)간 기판(W)을 이송하는 이송 로봇(110)이 배치될 수 있다.
상기 챔버(100)는 상기 공정 챔버(10)와 연결되는 일측 제3 면(103)에 기판(W)이 이송되는 제1 도어(100a)를 가질 수 있다. 그리고, 상기 용기(20)와 연결되는 타측 제3 면(103)에는 상기 용기(20)와 챔버(100)간 기판(W)이 이송되는 제2 도어(100b)를 가질 수 있다.
상기 챔버(100)는 상기 제2 면(102)에 외부 공기의 유입을 위한 제1 개구(100c) 및, 노즐 헤드(300)에 가스를 공급하기 위한 제2 개구(100e)를 가질 수 있다. 그리고, 상기 제1 면(101)에 상기 챔버(100) 내의 공기를 흄(fume)과 함께 외부로 배출하는 배기부(100d)를 가질 수 있다.
상기 팬 필터 유닛(200)은 상기 챔버(100)의 제2 면(102)에 배치되어 상기 챔버(100) 내부로 공기를 유입시킬 수 있다. 상기 팬 필터 유닛(200)은 수평 단면 크기가 상기 제2 면(102)보다 작고 상기 제1 개구(100c)보다 클 수 있다. 상기 팬 필터 유닛(200)은 상기 제2 면(102)에 형성된 제1 개구(100c)를 덮는 구조로 상기 제2 면(102) 상에 배치될 수 있다.
상기 이송 로봇(110)은 상기 기판(W)을 지지하는 로봇 암(112) 및 상기 로봇 암(112)을 구동 시켜 상기 기판(W)을 이동시키기 위한 암 구동부(111)로 이루어질 수 있다. 상기 이송 로봇(110)은 상기 제2 도어(100b)가 개방되면, 상기 용기(20)에 적재된 기판(W) 중 공정 처리가 필요한 기판(W)을 선택하여 상기 로봇 암(112) 상에 적재하고, 상기 제1 도어(100a)가 개방되면 적재된 기판(W)을 공정 챔버(10)에 로딩(loading)할 수 있다. 또한, 상기 이송 로봇(110)은 공정 챔버(10)에서 기판(W)의 공정이 완료되면, 공정 챔버(10)에서 기판(W)을 언로딩(unloading)하여, 다시 용기(20)에 기판(W)을 적재할 수 있다.
이러한 공정 챔버(10)는 기판(W)을 고온에서 열처리하는 과정을 포함하므로, 공정 처리를 거친 후 언로딩된 기판(W)은 약 450℃ 내지 약 500℃의 고온일 수 있다. 반면에, 언로딩된 기판(W)을 이송하는 로봇 암(112)은 상대적으로 기판(W)에 비해 저온을 가지므로, 도 2와 같이, 저온의 로봇 암(112)에 고온의 기판(W)이 적재되면, 기판(W) 중 로봇 암(112)이 맞닿는 영역(CA1)은 그 외의 영역(CA2)에 비해 상대적으로 저온이 되게 된다. 기판(W)의 상대적으로 온도가 높으면, 기판(W)의 표면에 형성된 TiN 막질의 산화 속도가 높아지게 되므로, 기판(W) 표면의 질소(N)의 농도가 상대적으로 낮아지게 된다. 반대로 기판(W)의 온도가 상대적으로 낮으면, 기판(W)의 표면에 형성된 TiN 막질의 산화 속도가 낮아지게 되므로, 기판(W) 표면의 질소 이온 농도가 상대적으로 높아지게 된다.
이와 같이, 기판(W)의 온도에 따라, 기판(W) 표면의 질소 이온 농도가 달라지게 되므로, 기판(W)에 온도 편차가 발생하면, 질소 이온 농도에도 편차가 발생하게 된다. 이는 기판(W)의 품질 균일성을 저해하는 요소로 작용할 수 있다.
일 실시예는, 기판(W)을 공정 챔버(10)에서 언로딩하는 과정에서, 기판(W)이 언로딩되는 제1 도어(100a)의 상부에 질소 가스를 분사하는 노즐 헤드(300)를 배치하고, 언로딩되는 기판(W)에 질소 가스를 분사함으로써, 산화에 의해 저하된 질소 이온 농도를 상승시키고, 기판(W)의 냉각시킬 수 있다. 또한, 기판(W)의 온도 분포에 따라 질소 가스가 분사되는 양을 조절하여, 기판(W) 표면의 질소 이온 농도와 기판(W)의 표면 온도를 균일하게 할 수 있다.
즉, 일 실시예는 기판(W) 표면의 질소 이온 농도를 균일하게 유지하기 위하여, 기판(W) 표면 중 질소 이온 농도가 낮은 영역에 질소 가스를 분사하여 질소 이온 농도를 상승시키고, 온도가 높은 영역의 냉각 속도를 높여 기판(W)의 온도를 전체적으로 균일할 수 있다.
상기 노즐 헤드(300)는 제1 도어(100a)의 상부에서 기판(W)을 향해 질소 가스를 분사하며, 가스 공급원(500)과 호스와 같은 연결 부재(400)를 통해 연결되어, 가스를 공급받을 수 있다. 상기 연결 부재(400)는 제2 면(102)에 형성된 제2 개구(100e)를 관통하여 가스 공급원(500)과 연결될 수 있다. 일 실시예의 경우, 가스 공급원(500)은 질소 가스를 공급할 수 있다.
도 3 내지 도 5를 참조하여, 노즐 헤드(300)에 대해 설명한다.
도 3은 도 1의 기판 이송 장치의 노즐 헤드를 I 방향에서 바라본 단면도이고, 도 4는 도 3의 노즐 헤드를 II 방향에서 바라본 단면도이며, 도 5는 도 4의 노즐 헤드를 III 방향에서 바라본 저면도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 노즐 헤드(300)는 제1 도어(100a) 상부에 배치되며, 기판(W)이 언로딩되어 제1 도어(100a)응 통과하는 과정에서, 기판(W)의 상면에 가스(G)를 분사할 수 있다.
노즐 헤드(300)는 몸체(310) 및, 몸체(310)에 결합된 패널(320)을 포함할 수 있다.
상기 몸체(310)는 일 방향으로 긴 바 형상을 가지며, 제1 도어(100a)의 상부에서 기판(W) 전체에 가스를 분사하기에 충분한 길이를 갖도록 마련되어, 기판(W) 상면 전체에 가스를 분사할 수 있다. 상기 몸체(310)는 챔버(100)의 제3 면(103) 중 제1 도어(100a)의 상부에 부착될 수 있다. 상기 몸체(310)의 상부에는 연결 부재(400)가 결합될 수 있는 결합부(312)를 가질 수 있다. 일 실시예의 경우, 연결 부재(400)가 결합부(312)에 삽입 고정된 것으로 도시되어 있으나, 이에 한정하는 아니며 접착 또는 클램프 고정과 같은 다양한 방법에 의해 고정될 수 있다.
상기 몸체(310)의 하부에는 제1 도어(100a) 방향으로 개구가 마련되며, 개구에는 가스(G)를 분사하기 위한 복수의 홀(321)이 형성된 패널(320)이 결합될 수 있다. 따라서, 연결 부재(400)를 통해 공급된 가스(G)가 복수의 홀(321)을 통해, 기판(W)의 상면에 분사될 수 있다.
도 4에 도시된 바와 같이, 패널(320)은 몸체(310)의 내측면에 마련된 한 쌍의 결합홈(311)에 슬라이드 결합될 수 있다. 다만, 이에 한정하는 것은 아니며, 나사와 같은 다양한 고정 부재에 의해 결합될 수 있다. 이와 같이, 홀(321)이 형성된 패널(320)을 몸체(310)와 분리할 수 있게 함으로써, 기판 이송 장치(30)가 적용되는 공정이 변경되는 경우에도, 패널(320)만 교체함으로써 공정에 맞추어 기판 이송 장치(30)를 준비할 수 있는 장점이 있다.
도 5를 참조하면, 패널(320)은 몸체(310)의 길이 방향을 따라, 열을 맞추어 배치된 복수의 홀(321)이 배치될 수 있다. 각각의 홀(321)은 원형 또는 다각형의 모양으로 형성될 수 있으며, 복수의 홀(321)이 모두 동일한 형상을 가지게 할 수 있으나, 실시예에 따라서는 일부의 홀(321)이 그 외의 홀(321)과 상이한 형상을 가지도록 형성할 수도 있다.
복수의 홀(321)은, 영역 별로 간격이 상이하도록 배치될 수 있다. 구체적으로, 패널(320)은 각각 볼수의 홀(321)이 형성된 제1 영역(A1) 및, 제1 영역(A1)의 양단에 대칭적으로 배열된 제2 영역(A2)을 가질 수 있다. 제1 영역(A1)의 복수의 홀(321a) 사이의 간격(W1)은 제2 영역(A2)의 복수의 홀(321b) 사이의 간격(W2)보다 좁게 배열될 수 있다. 이러한 제1 영역(A1)의 홀(321a) 간의 간격(W1)과 제2 영역(A2)의 홀(321b) 간의 간격(W2)은 앞서 설명한 바와 같이, 기판(W)의 온도 분포에 따라 결정될 수 있다. 구체적으로, 로봇 암(112)과 기판(W)이 접하는 영역이 상대적으로 넓은 영역 상에 배치된 제2 영역(A2)은 적은 수의 홀(321b)이 배치되도록 하여 가스(G)의 분사량이 적게할 수 있다. 또한, 로봇 암(112)과 기판(W)이 접하는 영역이 상대적으로 좁은 영역 상에 배치된 제1 영역(A1)에는 많은 수의 홀(321a)이 배치되도록 하여 가스의 분사량이 많게 할 수 있다. 일 실시예의 경우, 제1 영역(A1)에는 5개의 홀(321a)이 형성되어 있으며, 제2 영역(A2)에는 3개의 홀(321b)이 형성된 것으로 도시되어 있으나, 이에 한정하는 것은 아니며, 제1 영역(A1)과 제2 영역(A2)의 홀(321a, 321b)의 개수와 간격(W1, W2)은 기판(W)과 접하는 로봇 암(112)의 형상에 따라 변형될 수 있다.
이러한 노즐 헤드는 제1 도어의 상부에 복수개가 배치될 수도 있다. 도 6은 도 1의 기판 이송 장치의 노즐 헤드의 변형예를 도시한 단면도이고, 도 7은 도 6의 IV 방향에서 바라본 저면도이다. 변형예는 앞서 설명한 일 실시예과 비교하여, 노즐 헤드가 2개 배치된 점에서 차이가 있으므로, 이를 중심으로 설명하며, 일 실시예와 중복되는 설명은 생략한다.
도 6을 참조하면, 제1 도어(1100a)의 상부에 제1 노즐 헤드(1300A)와 제2 노즐 헤드(1300B)가 제1 도어(100a)의 전면에 나란하게 중첩하여 제3면(1103)에 배치될 수 있다. 제1 노즐헤드(1300A)와 제2 노즐 헤드(1300B)는 각각 제1 연결 부재(1400A)와 제2 연결 부재(1400B)에 연결되어 가스를 공급받을 수 있다. 또한, 제1 노즐헤드(1300A)와 제2 노즐 헤드(1300B)는 각각 제1 몸체(1310A)와 제2 몸체(1310B)를 가지며, 제1 몸체(1310A)와 제2 몸체(1310B)에 각각 제1 홀(1321A)이 형성된 제1 패널(320)과 제2 홀(1321B)이 형성된 제2 패널(320)을 가질 수 있다.
도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 변형예는 제1 패널(1320A)의 제1 홀(1321A)과 제2 패널(1320B)의 제2 홀(1321B)은 서로 다른 간격 및 개수로 배치할 수 있다. 예를 들어, 제1 도어(1100a)와 인접하여 배치된 제1 노즐 헤드(1300A)의 제1 홀(1321A)은 일 실시예와 같이 홀의 간격이 영역별로 상이하게 배치될 수 있으나, 제1 노즐 헤드(1300A)에 비해 상대적으로 제1 도어(1100a)와 멀게 배치된 제2 노즐 헤드(1300B)의 제2 홀(1321B)의 간격은 균일하게 배치할 수 있다. 따라서, 제1 노즐 헤드(1300A)를 통해 기판(W)의 영역 별로 편차를 가진 질소 이온 농도를 균일하게 하고, 제2 노즐 헤드(1300B)를 통해 기판(W)의 질소 이온 농도를 전체적으로 향상되도록 할 수 있다.
도 8(a) 및 도 8(b)는 비교예와 일 실시예의 기판 이송 장치에 의해 처리된 기판의 질소 이온 농도분포를 각각 도시한 그래프이다.
도 8(a)는 노즐 헤드를 배치하지 않은 기판 이송 장치에 의해 처리된 기판의 질소 이온 농도 분포를 도시한 그래프(G1)이다. 기판 표면의 질소 이온 농도가, 전반적으로 기판의 중앙(0mm)에서는 낮으며, 기판의 가장자리(150mm, -150mm)에서는 높은 것을 볼 수 있다. 도 8(b)는 노즐 헤드를 배치한 일 실시예의 기판 이송 장치에 의해 처리된 기판의 질소 이온 농도 분포를 도시한 그래프(G2)이다. 일 실시예의 그래프(G2)는 비교예의 그래프(G1)에 비해 전체적으로 질소 이온 농도가 균일한 것을 볼 수 있다.
본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
1: 청정실 10: 공정 챔버
20: 용기 30: 기판 이송 장치
100: 챔버 110: 이송 로봇
111: 암 구동부 112: 암
200: 팬 필터 유닛 300: 노즐 헤드
310: 몸체 320: 패널
321 노즐 400: 연결 부재
500: 가스 공급원 W: 기판

Claims (10)

  1. 복수의 기판들이 적재되는 용기 및 상기 기판의 공정을 수행하는 공정 챔버 사이에 배치되어, 상기 기판의 이송 경로를 제공하는 챔버;
    상기 챔버의 일면에 배치되며, 상기 챔버와 상기 공정 챔버 사이를 차단하여 구획하는 제1 도어;
    상기 용기 내의 기판들을 상기 공정 챔버로 이송하며, 상기 공정 챔버에서 기판의 공정이 수행된 기판을 상기 용기 내로 이송하는 이송 로봇; 및
    상기 제1 도어의 상부에 배치되어, 상기 제1 도어가 개방된 상태에서, 상기 공정 챔버에서 언로딩되는 상기 기판 상에 소정의 가스를 공급하는 노즐 헤드;를 포함하는 기판 이송 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 노즐 헤드는,
    상기 제1 도어의 상부에 나란하게 배치되며, 상기 제1 도어를 향하여 배치된 개구를 갖는 몸체; 및
    상기 개구를 덮으며, 상기 몸체의 길이 방향을 따라 복수의 홀이 배열된 패널;을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 이송 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 이송 로봇은,
    상기 기판을 지지하는 암; 및
    상기 암을 이동시키기 위한 암 구동부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 이송 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 패널은,
    상기 복수의 홀이 제1 간격으로 배치된 제1 영역; 및
    상기 복수의 홀이 상기 제1 간격보다 넓은 제2 간격으로 배치된 제2 영역;을 가지며,
    상기 제2 영역은 상기 암이 상기 공정 챔버에서 언로딩하는 과정에서 상기 기판과 접하는 영역 상에 배치된 것을 특징으로 하는 기판 이송 장치.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 패널은 상기 몸체에 슬라이드 결합되는 것을 특징으로 하는 기판 이송 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 챔버의 일면에 배치되며, 상기 챔버와 상기 용기 사이를 차단하여 구획하는 제2 도어를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 이송 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 소정의 가스는 상기 공정 챔버 내에서 사용되는 공정 가스와 동일한 가스인 것을 특징으로 하는 기판 이송 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 용기는 FOUP(Front Opening Unified Pod)인 것을 특징으로 하는 기판 이송 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 노즐 헤드는 제1 노즐 헤드 및 제2 노즐 헤드를 포함하며,
    상기 제1 노즐 헤드 및 상기 제2 노즐 헤드는 상기 제1 도어의 상부에, 상기 제1 도어와 순차적으로 나란하게 배치된 것을 특징으로 하는 기판 이송 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1 노즐 헤드 및 상기 제2 노즐 헤드는 각각 복수의 홀을 갖는 제1 패널 및 제2 패널을 포함하며,
    상기 제1 패널과 상기 제2 패널에 각각 배치된 복수의 홀은 서로 상이한 간격으로 배치된 것을 특징으로 하는 기판 이송 장치.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070049693A (ko) * 2005-11-09 2007-05-14 삼성전자주식회사 기판 가공 장치
KR100807031B1 (ko) * 2006-08-24 2008-02-25 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 제조장치의 챔버용 퍼지 시스템

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070049693A (ko) * 2005-11-09 2007-05-14 삼성전자주식회사 기판 가공 장치
KR100807031B1 (ko) * 2006-08-24 2008-02-25 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 제조장치의 챔버용 퍼지 시스템

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