TW201104025A - Apparatus and method for manufacturing poly-Si thin film - Google Patents

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201104025 六、 [0001] [0002] 099112328 發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明大體上關於-種製造多晶石夕（p〇1卜⑴薄膜的裝 置及方法’更特定έ之係關於—種製造多晶碎薄膜的裝 置及方法’其中藉由向一位於_非晶石夕（a —以）薄膜上

方或下方的導電薄骐施加電力而產生焦耳熱，且利用'該 焦耳熱製造多晶矽薄膜。 X 【先前技術】 -般而言，非晶石夕（a-Si)的缺夢包含作為電荷載子之 電子的低遷移率和-低隸比以,適用於互補金屬氧 化物半導體（CMOS )製程的缺點。 另-方面，多晶碎（poly-Si)薄联器件讓將一視訊信號 寫入-像素及-像素薄膜電晶體（TFT)，内所需的驅 動電路能夠安裝在同-基板上，此應用在非晶石夕m是不 可打的。因此’在多晶石夕薄膜器件中，不需要複數個端 子與一驅動器積體電路（1C)間之一連备，且有可能提 升生產率和可靠度且減小面板厚度。 又，在一多晶矽TFT製程中，可使用矽大尺寸集成（LSI )微處理技術’且可形成一微互連部等。因此，對於安 裝在驅動器1C上之膠帶自動接合（TAB)沒有存在於非晶 矽TFT的節距限制，故像素可輕易地縮小且可在一窄小視 角内施行多個像素。 相較於將非晶矽用於一有源層的TFT，在使用此種多晶矽 的TFT中，切換能力為高且有源層之通道位置係由自對準 作用決定，且因此可達成器件之微型化及CMOS器件之施 行。因為這些理由，將多晶矽TFT用作一主動矩陣式平板 表單編號A0101 0993297392Ό 第4頁/共65頁 201104025 顯示器（譬如液晶顯示器（LCD)或有機發光二極體（ 0LED)顯示裝置）之像素切換器件，且已受注目作為大 型螢幕之施行及具有埋入式驅動器之玻璃基板晶片（C〇G )產品之實際使用的重要器件。 多晶石夕TFT可藉由在高溫及低溫二者進行的製程製造。就 一高溫製程來說，基板必須由昂責材料譬如石英構成， 且因此高溫製程不適合大型螢幕之施行。因此，頃已對 於大規模地使非晶矽薄膜在低溫下結晶化為多晶矽薄膜 的方法進行積極研究。 用於形成多晶矽的低溫技術包含固相結晶化（SPC)、金 屬誘致結晶化（MIC)、金屬誘致侧向.結.晶化（MILC)、 準分子雷射結晶化（ELC)等技術。 在SPC中，可利用低成本設備獲得一致晶想品質。但是， SPC要求一高結晶溫度和一長處理時間，且因此具有低生 產率。又’無法使用具有相對較低熱撓曲溫度之基板， 譬如玻璃基板。在SPC中，當蟲矽薄膜在600°C至700 °C的溫度退火大約1至24小時邊:常有可能使非晶矽薄膜、结 晶化。 此外，在SPC中，在從非晶相轉變成晶體相的固態相變過 程中會觀察到雙晶生長。因此，在成型晶粒中會含有許 多晶格缺陷。這些因素降低電子遷移率及電洞遷移率且 ，提高製得多晶矽TFT之閾電壓。 MIC的好處在於結晶化作用係在一遠低於SPC的溫度完成 ，因為非晶矽與一特定金屬保持接觸。用於MIC的金屬包 含Ni、Pd、Ti、Al、Ag、Ail、Co、Cu、Fe、Μη等，這 些金屬與非晶矽發生反應且形成一共熔合金相或矽化物 099112328 表單編號Α0101 第5頁/共65頁 0993297392-0 201104025 相以促進低溫結晶化作用◊但是，當MIC施用於一製造多 晶矽TFT的實際製程時，這些金屬在通道中造成嚴重污染

MILC是MIC的一種應用技術，其中不沈積金屬而是在一通 道上形成一閘極，使薄金屬在一自對準結構中沈積於一 源極和一汲極上以引發金屬誘致結晶化作用，然後誘發 朝該通道之侧向結晶作用。用於MILC的常見金屬包含Ni 和Pd。相較於由spc形成的多晶矽，由MILC形成的多晶 矽具有較佳結晶度及高場*效遷移率，但已知具有高漏電 流。 . . . . 換句話說’ MUX相較於MIC降低金屬污染，但並未完全解 決此問題。在此同時，有一種場輔助倒向結晶化（FALC )係MILC之改良技術。相較於MILC，FALC呈現一高結晶 速率及結晶方向之各向異性，但依然未完全解決金屬污 染問題。

上述MIC、MILC及FALC相較於SPC全都有效於降低結晶溫 度’但具有長結晶時間及由金屬誘發結晶化作用的共同 缺點。因此，這些技術全都未能免除金屬污染。 在此同時，新近開發的ELC能夠藉由一低溫製程在玻璃基 板上製得多晶矽薄膜同時避免金屬污染。換句話說，由 低壓化學氣相沈積（LPCVD)或電漿增強化學氣相沈積（ PECVD)沈積的非晶矽薄膜對於準分子雷射波長的紫外線 範圍（λ=308 nm)有極高吸收係數，且因此易於在一 適當能量密度熔化。 當此一非晶石夕薄膜因準分子雷射而結晶化時，熔化及固 化程序係在一極短時間長度以内進行。因此之故，嚴格 099112328 表單編號A0101 第6頁/共65頁 0993297392-0 201104025 來說，ELC並非低溫製程。 但在ELC中’結晶化作用係由在一受準分子雷射大幅影響 之局部溶化區域中非常快速地進行的熔化及固化作用完 成。因此’有可能在一極短時間長度（數十個毫微秒） 内形成多晶矽而不傷到基板。換句話說，當一雷射施加 於包含一玻璃基板/ —絕緣層/一非晶矽薄膜的結構之非 晶石夕極短時間時’僅有該非晶矽薄膜被選擇性地加熱及 結晶化而不傷到下層玻璃基板。

又，相較於由固相結晶化作用形成的多晶矽，由液態變 成固態之相變作用形成的多晶矽具有一熱力學穩定的晶 粒結構且顯著地減少晶粒中之晶艘缺陷。因此，由E L C形 成的多晶石夕具有優於由其他結晶化技術形成之多晶矽的 特性。 然而’ ELC有幾個關鍵性缺點。

舉例來說，雷射系統之一問題為雷射束輻射的量不一致 ’雷射處理之一問題為用以獲得粗糙大晶廉之雷射能量 密度的處理區域極其有限，另‘問題為大面積的照射痕 跡。這些問題導致建構多晶矽TFT有源層之多晶矽薄膜的 晶粒大小不—致。又，隨著液態變成固態之相變作用產 生的多晶矽涉及體積膨脹，且因此會從形成晶粒邊界之 一點朝一表面形成明顯突起。此突起直接影響後續程序 中形成之一閘絕緣層，從而因為多晶矽與閘絕緣層間之 一界面的平垣度不一致導致崩潰電壓降低且導致器件可 靠度譬如熱栽子應力降低。 後來已開發出時序側向固化（SLS)以解決上述ELC之不 穩定性’使得雷射能量密度之處理區域可被成功地穩定 099112328 表單編號A0101 第7頁/共65頁 0993297392-0 201104025 。但是，照射痕跡及朝向表面之突起的問題仍未解決。 鑑於當前平板顯示器產業之快速研發的趨勢，將雷射用 於早晚會被大量生產之1 mxl m以上基板之結晶化製程的 技術仍有問題。此外，用於ELC和SLS的設備非常昂貴， 且需要高起始投資及維護成本。 據此，需要一種用於非晶矽薄膜的結晶化技術，其不僅 要克服輻射量依據一局部處理為不一致、處理區域有限 、且必須使用昂貴設備之雷射結晶化的缺點，還要有下 層基板不因快速處理而受損及可藉由高溫相變製得幾乎 無瑕之高品質晶粒的奸處。 特定言之，新近引人注目應甩於次世代平板顧示器的主 動矩陣式有機發光二極體相較於採用電壓驅動類型之Τρτ 液晶顯示器（LCD )係採用電流驅動類型，且因此晶粒大 小之一致性對於大型基板來說係一非常重要的因子。因 此之故，由ELC或SLS進行的低溫結晶化作用面臨其在當 前平板顯示器產業中之極限。有鑑於此，急切需要藉由 不使用雷射之低溫結晶北作用製造高品質多晶矽薄膜的 新技術。 為解決這些習知問題，本發明之發明人已提出一種使矽 薄膜退火的方法，其適於在該矽薄膜底下設置一導電層 ，向該導電層施加電力以藉由焦耳加熱作用產生高熱， 且利用該高熱進行該矽薄膜之結晶化作用、晶格缺陷之 消除、摻雜物之激活、一熱氧化程序等，該方法揭示於 韓國專利申請案第2005-73076號中。 此方法的優點在於提供一多晶矽薄膜，其不會導致玻填 基板熱變形’具有極少晶格缺陷’完全免於出現在藉由 099112328 表單編號A0101 第8頁/共65頁 0993297392-0 201104025 譬如Μ 1C或ΜILC之結晶方法製得的多晶矽薄膜中之觸媒金 屬污染，且不會伴隨著在藉由ELC製得之多晶矽薄膜發生 的表面突出現象。 因此，為利用此種非常創新的方法順暢地製造多晶矽， 重點在於提供一種用於製造多晶矽薄膜的裝置，其能夠 將一基板裝載至一非常精確的位置致使多晶矽薄膜可藉 由此方法製造，且向已裝載基板上之一指定位置施加電 力；以及一種利用該裝置製造多晶矽薄膜的方法。 Ο [0003] 〇 [0004] 【發明内容】 <技術問題> 據此，本發明已努力解決相關技藝中發生的問題，且本 發明之一目標為提出一種製造多晶矽（poly-Si)薄膜的 裝置及方法，能夠將一基板裝載至一非常精確的位置且 向該已裝載基板上之一指定位置施加電力致使多晶矽因 此產生。 本發明之另一目標為提出一種製造多晶矽的裝置及方法 ，能夠向一位於一非晶矽（a-Si)薄膜上或底下的導電 薄膜施加電力以產生焦耳熱，且製造多晶矽薄膜。 <技術解決方案> 為達成以上目標，依據本發明之一第一觀點，本發明提 出一種用於製造多晶矽（poly-Si)薄膜的裝置，其包含 :一隔室；一基板臺，其安裝在該隔室之一側上，且一 具有一非晶矽（a-Si)薄膜及一導電薄膜的基板放置在 該基板臺上；及電力施加電極，其安裝在該隔室之另一 侧上以便面對該基板臺，其移至放置在該基板臺上的該 099112328 表單編號A0101 第9頁/共65頁 0993297392-0 201104025 基板，且其向該基板之該導電薄膜施加電力。其中，該 等電力施加電極向該導電涛膜施加電力，產生焦耳熱， 且經由產生的焦耳熱使該非晶矽薄膜結晶化。 在範例實施例中，該基板臺可包含一對基板夾塊，該等 基板夾塊安裝在該隔室之一底部表面上以一預定間距彼 此分開致使該基板可放在其上。在此例中，該對基板夾 塊可各自包含至少一個吸引口，一真空透過該等吸引口 吸引並夾緊放在其上的基板。 在範例實施例中，該裝置進一步包含一真空單元，該真 空單元經由一真空線連接至該等吸引口且向該等吸引口 供應真空以吸引並夾緊該基板。 在範例實施例中，該裝置可進一步包含準直單元，該等 準直單元係安裝在該基板臺之侧面上且對準放在該基板 臺上之該基板。在此例中，該等準直單元可包含分別安 裝在該基板臺之前侧及後側上且推擠該基板之前侧及後 側的第一準直單元，及分別安裝在該基板臺之左側及右 側上且推擠該基板之左侧及右側的第二準直單元，致使 放在該基板臺上的該基板可被對準。 在範例實施例中，該裝置可進一步包含準直度檢查單元 ，該等準直度檢查單元在將電力施加至經該等準直單元 對準的該基板之前再次檢查該基板之準直度。在此例中 ，該等準直度檢查單元可包含至少一對安裝在該隔室之 一内壁上的相機，以便能夠藉由拍攝該基板之相應邊角 的照片而再次檢查該基板之準直度。 在範例實施例中，該裝置可進一步包含一電極移動單元 ，該電極移動單元連接至該等電力施加電極，且依需要 099112328 表單編號A0101 第10頁/共65頁 0993297392-0 201104025 將该等電力施加電極朝該基板移動致使該尊電力施加電 極可與該基板發生接觸。在此例中，該基板臺可係安裝 在該隔室之一下部部分上，且該電極移動單元可係安裝 在該隔室之一上部部分上，且將該等電力施加電極從該 隔室上部部分移至位於該隔室下部部分之基板。 依據本發明之一第二觀點，提出一種製造多晶矽（P〇ly~ Si)薄膜的方法，其包含：將一具有一非晶矽（a-Si) 薄膜及一導電薄膜的基板裝載至一安裝在一隔室之—内 部之一側上的基板臺上；將安裝在該隔室之另一側上以 便面對該基板臺的電力施加電極移至放在該基板^上之 該基板致使該等電力施加電極與該基板發生接觸；且向 該導電薄膜施加電力，產生焦罕熱，且經由產生的焦耳 熱使該非晶矽薄膜結晶化Λ 。

在範例實施例中，該基板臺可係安裝在該隔室之—下部 部分上，且該等電力施加電極可係安裝在該隔室之一上 部部分上。將該等電力施加電極移至該基板致使該等電 力施加電極與該辱板麵生接觸背步驟可包含將該等電力 施加電極從該pi»室上部部分移，至红'隔室下部部分。 在範例實施例中，該方法可進一步包含：在該基板被裝 載至該基板臺上之後，對準經裝載至該基板臺上的該基 板；且夾緊該經對準基板。在此例中，夾緊該經對準基 板的步驟可包含利用一真空吸引並夾緊該基板，且將該 等電力施加電極移至該基板致使該等電力施加電極與該 基板發生接觸的步驟可為在該經對準基板被夾緊之後進 行0 在範例實施例中，該方法可進一步包含在將該等電力施 099112328 表單編號A0101 第11頁/共65頁 0993297392-0 201104025 加電極移至該基板致使該等電力施加電極與該基板發生 接觸之後再次檢查該基板之準直度。在此例中，向該導 電薄膜施加電力以產生焦耳熱並經由產生的焦耳熱使該 非晶矽薄膜結晶化的步驟可為當該基板之準直度經檢查 判定良好時進行。 在範例實施例中，該方法可進一步包含：在向該導電薄 膜施加電力以產生焦耳熱並經由產生的焦耳熱使該非晶 矽薄膜結晶化之後，使移至該基板的該等電力施加電極 返回其原始位置並使該等電力施加電極與該基板分離； 阻斷供予該基板之真空以釋放讓經吸引夹緊的基板；且 將該經釋放基板卸離該隔室。 在範例實施例中，該方法可進一步包含：當該基板之準 直度經檢查判定為不良時，使移至該基板的該等電力施 加電極返回其原始位置而不向該基板施加電力並使該等 電力施加電極與該基板分離；且阻斷供予該基板之真空 以釋放該經吸引夾緊的基板致使該基板可被再次對準。 依據本發明之一第三觀點，提出一種用於製造多晶矽（ poly-Si)薄膜的裝置，其包含：一隔室；一基板臺，其 安裝在該隔室之一側上，且一具有一非晶矽（a-Si)薄 膜及一導電薄膜的基板放置在該基板臺上；及電力施加 電極，其安裝在該隔室之另一侧上面對該基板臺以便向 該基板之導電薄膜施加電力。其中，該基板臺移至該等 電力施加電極致使放在該基板臺上之該基板之導電薄膜 可與該等電力施加電極發生接觸，且該等電力施加電極 向該導電薄膜施加電力，產生焦耳熱，且經由產生的焦 耳熱使該非晶梦薄膜結晶化。 099112328 表單編號A0101 第12頁/共65頁 0993297392-0 201104025 在範例實施例中’該基板臺可包含一對基板夾塊，該等 基板夾塊安裝在該隔室之一下部部分上以一預定間距彼 此分開致使該基板可放在其上。 在範例實施例中，該對基板夾塊可各自包含至少一個吸 引口，一真空透過該等吸引口吸引並夾緊放在其上的基 板。 Ο 在範例實施例中，該裝置進一步包含一真空單元，該真 空單元經由一真空線連接至該等吸引口且向該等吸引口 供應真空以吸引並夾緊該基板。 在範例實施例中，該裝置可進一步包含準直單元，該等 準直單元係安裝在該基板臺之側面上且對準放在該基板 臺上之該基板。在此例中，該等準直單元可包含分別安 裝在該基板臺之前侧及後側上且推擠該基板之前側及後 侧的第一準直單元’及分別安裝在該基板臺之左側及右 側上且推擠該基板之左侧及右側的第二準直單元，致使 放在該基板臺上的該基板可被’對準^ ,

在範例實施例中，該裝置寸進一步包含準直度檢查單元 ,-S8. .· ’該等準直度檢查單元在將，*力施加至經該等準直單元 對準的該基板之前再次檢查該基板之準直度。在此例中 ，該等準直度檢查單元可包含至少一對安裝在該隔室之 一内壁上的相機，以便能夠藉由拍攝該基板之相應邊角 的照片而再次檢查該基板之準直度。 在範例實施例中，該裝置可進一步包含一基板臺移動單 元，該基板臺移動單元連接至該基板臺，且依需要將該 基板臺移至該等電力施加電極致使放在該基板臺上的基 板可與該等電力施加電極發生接觸。 099112328 表單編號Α0101 第13頁/共65頁 0993297392-0 201104025 在範例實施例中，該基板臺可係安裝在該隔室之一下部 部分上；該等電力施加電極可係安裝在該隔室之一上部 部分上面對該基板臺；且該基板臺移動單元可係安裝在 該基板臺之一下部部分上，且將該基板臺從該隔室下部 部分移至位於該隔室上部部分之電力施加電極。 依據本發明之一第四觀點，提出一種製造多晶石夕（polypi) 薄膜的方法， 其包含 ： 將一具有一 非晶矽 （ a-Si ) 薄膜及一導電薄膜的基板裝載至一安裝在一隔室之一内 部之一側上的基板臺上；將已裝載該基板的該基板臺移 至安裝在該隔室之另一備土的電力施加電極致使該基板 之導電薄膜與該等電力施加電極發生接觸；且向該導電 薄膜施加電力，產生焦耳熱，且經由產生的焦耳熱使該 非晶石夕薄嫉結晶化。 在範例實施例中，該基板臺可係安裝在該隔室之一下部 部分上，且該等電力施加電極可係安裝在該隔室之一上 部部分上，且將已裝載該基板的該基板臺移至該等電力 施加電極致使該導電薄膜與該等電力施加電極發生接觸 的步驟可包含蔣已裝載该基板的該基板臺從該隔室下部 部分移至該隔室上部部分。 在範例實施例中，該方法可進一步包含：在該基板被裝 載至該基板臺上之後，對準經裝载至該基板臺上的該基 板；且夾緊該經對準基板。在此例中，夾緊該經對準基 板的步驟可包含利用一真空吸弓丨並夾緊該基板。在此例 中，將已裝載該基板的該基板臺移至該等電力施加電極 致使該導電薄膜與該等電力施加電極發生接觸的步驟可 為在該經對準基板被夾緊之後進行。 099112328 表單編號A0101 第14頁/共65頁 0993297392-0 201104025 在範例實施例中，該方法可進一步包含在將已裝載該基 板的該基板臺移至該等電力施加電極致使該導電薄膜與 該等電力施加電極發生接觸之後再次檢查該基板之準直 度。在此例中，向該導電薄膜施加電力以產生焦耳熱並 經由產生的焦耳熱使該非晶矽薄膜結晶化的步驟可為當 該基板之準直度經檢查判定良好時進行。 在範例實施例中，該方法可進一步包含：在向該導電薄 膜施加電力以產生焦耳熱並經由產生的焦耳熱使該非晶 矽薄膜結晶化之後，使移至該等電力施加電極的該基板 Ο 臺返回其原始位置並使已裝載該基板的該基板臺與該等 電力施加電極分離；阻斷供予該基板之真空以釋放該經 吸引夾緊的基板；且將該經釋放基板卸離該隔室。 在範例實施例中，該方法可進一步包含：當該基板之準 直度經檢查判定為不良時，使移至該等電力施加電極的 該基板臺返回其原始位置而不向該基板施加電力並使已 裝載該基板的該基板臺與該等電力施加電極分離；且阻 ^ 斷供予該基板之真空以釋放該經吸引夾緊的基板致使該 〇 基板可被再次對準。 [0005] <有利功效> 依據本發明之範例實施例，由於有可能將一具有一非晶 矽薄膜及一導電薄膜的基板裝載至一極精確位置及向該 已裝載基板上之一指定位置、亦即該導電薄膜上之一預 設位置施加電力，故該非晶矽薄膜可利用因該電力之施 加而產生的焦耳熱有效且非常一致地結晶化。 【實施方式】 099112328 表單編號A0101 第15頁/共65頁 0993297392-0 201104025 [0006] 今參照隨附圖式更詳細地說明本發明之範例實施例。然 本發明可以許多替代形式實施且不應解釋為僅限於本文 提出之範例實施例；事實上這些實施例係為了使本說明 書透徹完整而提供，且會將本發明的範圍完全傳達給熟 習此技藝者。在所有圖式中，請注意將使用相同參考數 字或字母標示具有相同功能之類似或等效元件。 第1圖係一例示依據本發明一第一範例實施例用於製造多 晶矽（poly-Si)薄膜之裝置的剖面圖。第2圖係一例示 第1圖所示用於製造多晶矽薄膜之裝置中之一隔室及基板 Λ

I I 臺的剖面透視圖。第3圖係一例示依據本發明一第一範例 實施例用於製造多晶矽薄膜之裝置之控制闕係的方塊圖 〇 參照第1圖至第3圖，依據本發明一第一範例實施例用於 製造多晶矽薄膜的裝置100包含一隔室110 ; —基板臺 120，其安裝在隔室110之一侧例如一下侧上，且一具有 一非晶矽（a-Si)薄膜及一導電薄膜的基板90放置在該 基板臺上；電力施加電極130，其安裝在隔室110之另一 # 侧例如一上側上以便面對基板臺120，該等電力施加電極 移至放在基板臺120上的基板90，且向基板90之導電薄膜 施加電力；及一中央控制單元190，其控制裝置100之所 有驅動。 隔室110具備一密封處理空間致使製造多晶矽薄膜的程序 可於其内進行。因此，從基板90之裝載程序到卸離程序 的多晶矽薄膜所有製造程序係在隔室110内進行，特定言 之係在隔室110之處理空間内進行。隔室110在其一側上 具備一基板轉移孔（圖中未示），基板90由一基板轉移 099112328 表單編號A0101 第16頁/共65頁 0993297392-0 單元180譬如一機械臂通過該基板轉移孔送入或送出。該 基板轉移孔被一圖中未示的門選擇性打開或關閉。 基板臺120包含一對基板夾塊121和122，該等基板夾塊 安裝在隔室110之底部内表面上以一預定間距彼此分開致 使基板90放在其上β其中，基板夾塊121和122各自包含 至少一個吸引口 123，一真空透過該等吸引口供應以吸引 並夾緊放在其上的基板90。吸引口 123暴露於基板夹塊 121和122之頂部表面。吸引口 123經由一真空線161與一 真空單元160連接。真空單元160透過真空線16ι向吸引 口 123供應真空以便吸引並来緊基板90。因此，放在基板 夾塊對121和122上的基板90被透過吸引口 123供應的真 空吸引並夾緊於基板夾塊121和122上。 電力施加電極130係安裝在隔室110之一内部上部部分以 便能夠移至隔室110之一内部下部部分，立經由一電力線 151電連接至一電源供應器150。因此 > 當電源供應器 150透過電力線151向電力施加電極130供應電力時，電 力施加電極13 0向該導電薄膜施加電，力，藉此產生焦耳熱 使該非晶矽薄膜結晶化。' ‘ 同時，依據本發明一第一範例實施例用於製造非晶矽薄 膜的裝置100可進一步包含一電極移動單元140，該電極 移動單元經由電極支架143連接至電力施加電極130，且 依需要將電力施加電極130朝該基板移動，致使電力施加 電極130可與基板90發生接觸。 其中，電極移動單元140係安裝在隔室110之一内部上側 上，且因此使電力施加電極130從隔室110之内部上側移 至位於隔室110之一内部下側上的基板90。詳細地說’電 表單編號Α0101 第Π頁/共65頁 〇99: 201104025 極移動單心ο將電力施加電極⑶朝位於隔室ιι〇之内 部下側上的基板9Q降下，致使—電力施加程序進行且因 此允許電力杨電極130與基板90發生制。#該電力施 加心序70成時電極移動單元⑽將電力施加電極13〇送 回或舉升至其原始位置，致使電力施加電極與基板 分離。如前所述，電極移動單元UG係-能夠將電力施加 電極13〇降下及舉升不超過—預定距離的單元 ，且可以多 種類型施行。舉例來說，電極移動單元ug可包含一活塞

141及-以-預定距_活塞丨㈣復運動的活塞桿142

依據本發明-第-範例實施例甩於製造多晶石夕薄膜的裝 置100可進一步包含準直單元170，該等準直單元係安裝 在基板臺120之側面上且對準放在基板臺12〇上的基板9〇 。舉一實例，準直單元170可包含第—準直單元171，其 安裝在基板臺120之前側和後側、亦即基板夾塊丨21和 122之前側和後側上，且分:別推擠基板9〇之前侧和後側， 致使放在基板臺120上的基板90可被對準；及第二準直單 元172 ’其安裝在基板臺120.之左側..和右侧、亦即基板夾 塊121和122之左側和右侧上，且分別推擠基板9〇之左側 和右側’且第一和第二準直單元171和172可為同時操作 。因此，放在具有基板夾塊121和122之基板臺120上的 基板90可因這些準直單元171和172之同時操作而在基板 臺120上對準。 此外，依據本發明一第一範例實施例用於製造多晶矽薄 膜的裝置100可進一步包含準直度檢查單元173，該等準 直度檢查單元在將電力施加至經準直單元丨7〇對準的基板 099112328 表單編號A0101 第18頁/共65頁 0993297392-0 201104025 90之前再次檢查基板90之準直度。其中’事直度檢查單 元173可包含至少-對安裝在隔室11G之^壁上的相機 ，以便能夠藉 由拍攝基板90之預設位置例如相應邊角的 照片來檢查基板90之準直度而再次檢查基板9〇之準直度 〇 以下參照第4圖至第11圖詳細說明利用依此方式建構之裝 置100製造多晶矽薄膜的方法。

第4圖至第10圖係解釋利用第1圖所示用於製造多晶石夕涛 膜之裝置製造多晶矽薄膜之方法的圖。第11圖係一例不 利用依據本發明一第--範例實施例用於製造多晶石夕薄膜 之裝置製造多晶矽薄膜之方法的流程® β 如圖所示，利用依據本發明一*第一範例實施例用於製造 多晶矽薄膜之裝置製造多晶矽薄膜的方法包含一步驟S10 :將具有非晶矽薄臈及導電薄膜的基板9〇裝載至安裝在 隔室110内部之一側上的基板臺120上。其為裝載基 板90，可使用基板轉移單元180譬如機械# °詳細地說’ 〇 基板轉移單元180將基板90放到其上，然後如第4圖所示 广 / ^ 通過隔室11〇之i板轉移至1痛室lio内。在轉移之 後，基板轉移單元180如第5圖所示降下一預定距離致使 基板90被放到安裝於隔室110内之基板臺120上。 當基板90被放到基板臺120上時，轉移基板90的基板轉移 單元180通過基板轉移孔移出隔室11〇，且門牢牢關閉隔 室110之基板轉移孔。當隔室110之基板轉移孔被門牢牢 關閉時，前述中央控制單元190控制所有程序致使放在基 板臺120上的基板90之非晶矽薄膜如下文所述結晶化。 詳細地說，當基板90被放到基板臺120上及隨後隔室11〇 099112328 表單編號A0101 第19頁/共65頁 0993297392-0 201104025 之基板轉移孔被門牢牢關閉時，用於製造多晶矽薄膜的 裝置100之準直單元170、亦即安裝在基板夾塊121和122 之側面上的準直單元171和172如第6圖所示被同時驅動， 且對準放在基板臺120上之基板90 (S20)。 然後，當基板90被對準時，真空單元160向形成於基板夾 塊121和122中之吸引口 123供應真空。因此，放在基板 臺之基板夾塊121和122上的基板90被供應的真空吸引並 夹緊於基板夾塊121和122上（S30)，如第7圖所示。 接著，當基板90被夾緊時，電極移動單元14〇將安裝在隔 室110之内部上部部分土以便面對基板2〇的電力施加 電極130朝放在基板臺120上之基板90“、特定言之被吸引 並夾緊於基板夾塊121和122上之基板抑降下，致使電力 施加電極130與基板90之導電薄膜發生接觸（S40)。 接著’當電力施加電極130與基板90之導電薄膜發生接觸 時’準直度檢查早元173在將電力施加至該導電薄膜之前 再次檢查基板90之準直度（fS50)，如第9丨圖所示。因此 ’當基板90之準直度:在檢查基板90之準直度的步驟“ο中 被判定為良好時，電力施加電極130向該導電薄膜施加電 力’產生焦耳熱，且允許S亥非晶石夕薄膜因產生的焦耳熱 而結晶化（S60)。 在該非晶矽薄膜結晶化之後，將經降下至基板9〇的電力 施加電極130返回或舉升至其原始位置，且因此與基板9〇 分離（S70)。在電力施加電極13〇與基板9〇分離之後， 供予基板90的真空被阻斷以釋放經吸引夾緊的基板9〇 ( S80)。在基板90被釋放之後’將經釋放的基板9〇卸離隔 室110 (S90)。如此完成薄膜結晶化程序。 099112328 表單编號 A0101 第 20 頁/共 65 頁 201104025 但是，當基板90之準直度在檢查基板9〇之準直度的步驟 S50中被判定為不良時，將經降下至基板9〇的電力施加電 極130返回或舉升至其原始位置而不向基板9〇施加電力， 且因此與基板90分離（S51)。在電力施加電極130與基 板90分離之後，供予基板90的真空被阻斷以釋放經夾緊 的基板90以便允許基板90被再次對準（S52)。 同時’用於製造多晶石夕薄膜的裝置可以如下所述另一範 例實施例施行。 第12圖係一依據本發明一第二範例實施例用於製造多晶 〇

矽薄膜之裝置的剖面圖。第13圖係一例示第12圖所示用 於製造多晶矽薄膜之裝置中之一隔室及基板臺的剖面透 視圖。 / U 參照第12圖和第13圖，依據本發明一第二範例實施例用 於製造多晶矽薄膜的裝置100’可包含一不同於依據本發 明第一範例實施例用於製造多晶矽薄膜之前述裝置100之 基板臺的基板臺120。 - 詳細地說，依據本發明一第二liH对實施例用於製造多晶 Q C … 矽薄膜之裝置100’的基板臺〖20^可包含一對基板夾塊 121和122及一插入該對基板夾塊121和122之間的基板支 撐塊124，該等基板夾塊安裝在隔室110之底部内表面上 以一預定間距彼此分開致使基板90係放在其上° 其中，基板支撐塊124可用來支撐基板90之底部表面以便 防止放在該對基板夾塊121和122上之基板90垂陷°因此 ，基板支撐塊124可不包含如前所述藉以供應真空的吸引 口 123，且可經安裝以便與基板夾塊121和122等大且同 高。基板支撐塊124可為設置在基板夾塊121和I22之間 099112328 表單編號A0101 第21頁/共65頁 0993297392-0 201104025 的中間。 同時，在基板臺120係如前所述建構的情況中，用於對準 基板90的準直單元170亦可如第12圖和第13圖修改。詳 細地說，準直單元170可包含第一準直單元171，，其安 裝在基板支撐塊124之前侧和後側上且分別推擠基板90之 前侧和右側；及第二準直單元172，其安裝在基板夾塊 121和122之左側和右側上且分別推擠基板90之左側和右 側，致使放在基板臺220上的基板191可被對準，且第一 和第二準直單元171’和172可為同時操作。因此，放在

I 具有基板夾塊121和122及插入基板夾魏121和122之間之 基板支撐塊124的基板臺12D上的基板㈣可因上述準直單 元170之同時操作而在基板臺120上對準。： 第14圖係一依據本發明一第三範例實施例用於製造多晶 梦薄膜之裝置的剖面圖。第15圖係一例示:第14圖所示用 於製造多晶矽薄膜之裝置中之一隔室及基板臺的剖面透 視圖。第I6圖係一例示依祿本發明三起例實施例用 於製造多晶矽薄膜之裝置之控制關孫的方塊圖。 參照第14圖至第16圖’依據本發明一第三範例實施例用 於製造多晶矽薄膜的裝置1〇〇包含一隔室21〇 ; —基板臺 220，其安裝在隔室210之一側例如一下側上以便能夠上 下移動’且一具有一非晶矽薄膜及一導電薄膜的基板191 放在該基板臺上；電力施加電極23〇，其安裝在隔室21〇 ’ 之另一側例如一上側上以便面對基板臺22〇，其移至放在 基板臺220上之基板191，且其向基板191之導電薄膜施 加電力·’及一中央控制單元29〇，其控制裝置2〇〇之所有 驅動。 099112328 表單編號A0101 第22頁/共65頁 0993297392-0 201104025 隔室21 0具備一密封處理空間致使製造多晶矽薄膜的程序 可於其内進行。因此，從基板191之裝載程序到卸離程序 的多晶石夕薄臈所有製造程序係在隔室21〇内進行，特定言 之係在隔室210之處理空間内進行。隔室210在其一側上 具備一基板轉移孔（圖中未示），基板191由一基板轉移 單元280譬如一機械臂通過該基板轉移孔送入或送出。該 基板轉移孔被一圖中未示的門選擇性打開或關閉。 基板臺220包含一對基板夹塊221和222，該等基板夾塊 安裝在隔室210之一内部下部部分上以一預定間距彼此分 開致使基板191放在其上。其中，基板夾塊221和222各 自具備至少一個吸引口 223，一真空透過該等吸引口供應 以吸引並夾緊放在其上的基板191。吸引口 223暴露於基 板夾塊221和222之頂部表面。吸引口 223經由一真空線 261與一真空單元260連接。真空單元260透過真空線261 向吸引口 223供應真空以便吸引並夹緊基板191。因此， 放在基板夾塊對221和222上的基板191被透過吸引口 223 供應的真空吸引並夾緊於基板来丨塊;221和222上。 電力施加電極230係安裝在隔室2^0之一内部上部部分。 特定言之，電力施加電極230係經由電極支架243安裝在 隔室210之内部上部部分，該等電極支架係耦接於相應電 力施加電極230。電力施加電極230經由一電力線251電 連接至一電源供應器250。因此，當電源供應器250透過 電力線251向電力施加電極230供應電力時，電力施加電 極230向該導電薄膜施加電力，藉此產生焦耳熱使該非晶 矽薄膜結晶化。 同時，依據本發明一第三範例實施例用於製造多晶矽薄 099112328 表單編號Α0101 第23頁/共65頁 0993297392-0 201104025 膜的裝置200可進一步包含一基板臺移動單元240，該基 板臺移動單元經由一基板臺支撐件244連接至基板臺220 之一下部部分，且依需要將基板臺220移至電力施加電極 230致使放在基板臺220上的基板191之導電薄膜可與電 力施加電極230發生接觸。 其中，基板臺移動單元240係安裝在隔室210之一内部下 部部分、亦即基板臺220之下部部分上，且可將基板臺 220從隔室210之内部下部部分移至位於隔室210之一内 部上部部分的電力施加電極。詳細地說，基板臺移動單 元240將上面放有基板191的基板臺22Ό朝位於基板臺220 上方的電力施加電極230舉升，致使一電力施加程序進行 ，且允許放在基板臺220上的基板191與電力施加電極 230發生接觸。當電力施加程序完成時，基板臺移動單元 240將上面放有基板191的基板臺220返回或降下至其原 始位置，致使基板191與電力施加電極230分離。如前所 述’基板臺移動單元240係一能夠將基板臺220降下及舉 升不超過一預定距離的單元，且可以多，種類型施行。舉 例來說，基板臺移動單元240可包含一安裝在隔室210之 底部内表面上的活塞241，及一以一預定距離離活塞241 往復運動的活塞桿242。 依據本發明一第三範例實施例用於製造多晶矽薄膜的裝 置200可進一步包含準直單元270，該等準直單元係安裝 在基板臺220之側面上且對準放在基板臺220上的基板 191。舉一實例，準直單元270可包含第一準直單元271 ，其安裝在基板臺220之前側和後側、亦即基板夾塊221 和222之前侧和後側上’且分別推擠基板191之前侧和後 099112328 表單編號A0101 第24頁/共65頁 0993297392-0 倒；及第二準直單元272，其安裝在基板臺220之左侧和 右側、亦即基板夾塊221和222之左侧和右侧上，且分別 推擠基板191之左側和右側，致使放在基板臺220上的基 板191可被對準，且第一和第二準直單元271和272可為 同時操作。因此，放在具有基板夾塊221和222之基板臺 220上的基板191可因這些準直單元271和272之同時操作 而在基板臺220上對準。 此外，依據本發明一第三範例實施例用於製造多晶矽薄 骐的裝置200可進一步包含準直度檢聋單元273，該等準 直度檢查單元在將電力施加至經準直單元270對準的基板 191之前再次檢查基板191之準直度。其中，準直度檢查 單元273可包含至少一對安裝在隔室210之一内壁上的相 機’以便能夠藉由拍攝基板191之預設位置例如相應邊角 的照片來檢查基板191之準直度而再次檢查基板191之準 直度》 以下參照第17圖至第24圖詳細說明利用依此方式建構之 裝置200製造多晶矽薄膜的方法》. 第17圖至第23圖係解釋利用第14圖所示用於製造多晶矽 薄膜之裝置製造多晶矽薄膜之方法的圖。第24圖係一例 示利用依據本發明一第三範例實施例用於製造多晶矽薄 膜之裝置製造多晶矽薄膜之方法的流程圖。 如圖所示’利用依據本發明一第三範例實施例用於製造 多晶矽薄膜之裝置製造多晶矽薄膜的方法包含一步驟 S110 :將具有非晶矽薄膜及導電薄膜的基板191裝載至安 裝在隔室210内部之一侧上的基板臺220上。其中，為裝 載基板191，可使用基板轉移單元280譬如機械臂。詳細 表單编號A0101 第25頁/共65頁 0993 201104025 地說，基板轉移單元280將基板191放到其上，然後如第 17圖所示通過隔室210之基板轉移孔轉移至隔室21〇内。 在轉移之後，基板轉移單元280如第18圖所示降下一預定 距離致使基板191被放到安裝於隔室21〇内之基板臺22〇 上。 當基板191被放到基板臺220上時，轉移基板191的基板 轉移單元280通過基板轉移孔移出隔室21〇，且門牢牢關 閉隔室210之基板轉移孔。當隔室21〇之基板轉移孔被門 牢牢關閉時，前述中央控制單元290控制所有程序致使放 在基板臺220上的基板19 j乏非晶考薄媒如下文所述結晶 化。 …V·' 詳細地說，當基板191被放到基板臺22,0上及隨後隔室 21 0之基板轉移孔被門牢牢關閉時，用於製造多晶石夕薄膜 的裝置200之準直單元270、亦即安裝在基板夾塊221和 222之側面上的準直單元271和272如第19圖所示被同時 驅動’且對準放在基板臺220上之基板M〗!（si20)。 然後’當基板191被對準時，真空單元260向形成於基板 夾塊221和222中之吸引口 223供應真空"因此，放在基 板臺之基板夾塊221和222上的基板191被供應的真空吸 引並夾緊於基板夾塊221和222上（S130)，如第20圖所 示。 接著’當基板191被夾緊時，基板臺移動單元240將安裝 在隔室210之内部下部部分上以便面對電力施加電極230 的基板臺220朝電力施加電極舉升，致使基板191之導電 薄膜與電力施加電極230發生接觸（S140)。 接著’當基板191之導電薄膜與電力施加電極230發生接 099112328 表單編號A0101 第26頁/共65頁 0993297392-0 201104025 觸時，準直度檢查單元273在將電力施加至該導電薄膜之 前再次檢查基板191之準直度（S150)，如第22圖所示 。因此，當基板191之準直度在檢查基板191之準直度的 步驟S150中被判定為良好時，電力施加電極230向該導電 薄膜施加電力’產生焦耳熱，且允許該非晶矽薄膜因產 生的焦耳熱而結晶化（S160)。 在該非晶矽薄膜結晶化之後，將經舉升至電力施加電極 230的基板臺220返回或降下至其原始位置，使得放在基 板臺220上的基板191與電力施加電極230分離（S170 ) 。在基板191與電力施加電極230分離之後，供予基板 191的真空被阻斷以釋放經吸引夹緊的基板191 (S180) 。在基板191被釋放之後，將舞釋放,的基板191卸離隔室 21 0 ( S1 9 0 )。如此完成薄膜結晶化氣序。 但是’當基板191之準直度在檢查基板191之準直度的步 驟S150中被判定為不良時，將經舉升至電力施加電極230 的基板臺220返回或降下至其原始也置(而向基板191施 加電力，且使得放在基板臺2抑土的基板191與電力施加 電極230分離（S15_l)。在基板191與電力施加電極230 分離之後’供予基板191的真空被阻斷以釋放經夾緊的基 板191致使基板191可被再次對準（S152)。 同時，用於製造多晶石夕薄膜的裝置可以如下所述另一範 例實施例施行。 第25圖係一依據本發明一第四範例實施例用於製造多晶 石夕薄膜之裝置的剖面圖。第26圖係一例示第25圖所示用 於製造多晶矽薄膜之裝置中之一隔室及基板臺的剖面透 099112328 視圖。 表單編號A0101

第27頁/共65 I 0993297392-0 201104025 參照第2 5圖和第2 6圖’依據本發明一第四範例實施例用 於製造多晶矽薄膜的裝置200，可包含一不同於依據本發 明第三範例實施例用於製造多晶矽薄膜之前述裝置2 〇 〇之 基板臺的基板臺220。 詳細地說，依據本發明一第四範例實施例用於製造多晶 石夕 >專膜之裝置200的基板臺220可包含一對基板夾塊 221和222及一插入該對基板夾塊221和222之間的基板支 撐塊224，該等基板夾塊安裝在隔室210内以一預定間距 彼此分開致使基板191係放在其上。 其中’基板支撐塊224可用來支撐基麵尤底部表面以 便防止放在該對基板夹塊221和222上之基板191垂陷。 因此’基板支撐塊224可不包含如前所述藉以供應真空的 吸引口 223 ’且可經安裝以便與基板夾塊221和222等大 且同高。基板支撐塊224可為設置在基板夾塊221和222 之間的中間。 同時’在基板臺220係如前I麟述建構的情況中，用於對準 基板191的準直單元270亦可如第25圓‘第26圖修改。詳 細地說，準直單元270可包含第一準直單元271’ ，其安 裝在基板支撐塊224之前側和後側上且分別推擠基板191 之前側和右侧；及第二準直單元272，其安裝在基板夾塊 221和222之左側和右側上且分別推擠基板191之左侧和 右侧，致使放在基板臺220上的基板191可被對準，且第 一和第二準直單元271’和272可為同時操作。因此，放 在具有基板夾塊221和222及插入基板夾塊221和222之間 之基板支撐塊224的基板臺220上的基板191可因上述準 直單元270之同時操作而在基板臺220上對準。 099112328 表單編號A0101 第28頁/共65頁 099Σ 201104025 在圖式及說明書内文中已揭示本發明之典型範例實施例 ，且儘管使雜定術語，其係僅[廣義且說明性的態 度使用且無意以此設限，本發明之範圍由以下申請專利 範圍項界定。 【圖式簡單說明】 [0007] 第1圖係-例示依據本發明-第—範例實施例用於製造多 晶矽（poly-Si)薄膜之裝置的剖面圖。 ❹ 第2圖係_例示第1圖所示用於製造多晶矽薄膜之裝置中 之一隔室及基板臺的剖面透視圖。 第3圖係一例示依據本發明一第一範例實施例用於製造多 晶矽薄膜之裝置之控制關係的3方塊圖β 第4圖至第1 〇圖係解釋利用第1圖所示用於製'.造多晶石夕薄 膜之裝置製造多晶石夕薄膜之方法的圖。 第11圖係一例示利用依據本發明一第—範例實施例用於 製造多晶矽薄膜之裝置製造多晶矽薄膜之方法的流程圖 Ο γ. ; : J / Jf Ο 第12圖係一依據本發明一第二範例-實施例用於製造多晶 矽薄膜之裝置的剖面圖。 第13圖係一例示第12圖所示用於製造多晶矽薄膜之裝置 中之一隔室及基板臺的剖面透視圖。 第14圖係一依據本發明一第三範例實施例用於製造多晶 矽薄膜之裝置的剖面圖。 第15圖係一例示第14圖所示用於製造多晶矽薄膜之裝置 中之一隔室及基板臺的剖面透視圖。 第16圖係一例示依據本發明一第三範例實施例用於製造 多晶石夕薄膜之裝置之控制關係的方塊圖。 099112328 表單編號A0101 第29頁/共65頁 0993297392-0 201104025 第17圖至第23圖係解釋利用第14圖所示用於製造多晶石夕 薄膜之裝置製造多晶矽薄膜之方法的圖。 第24圖係一例示利用依據本發明一第三範例實施例用於 製造多晶矽薄膜之裝置製造多晶矽薄膜之方法的流程圖 第25圖係一依據本發明一第四範例實施例用於製造多晶 矽薄膜之裝置的剖面圖。 第26圖係一例示第25圖所示用於製造多晶石夕薄膜之裝置 中之一隔室及基板臺的剖面透視圖。 【主要元件符號說明】 [0008] 90、191 :基板 ^ 100、100’ 、200:用於製造多晶矽薄膜的袭置 110、210 :隔室 120、220 :基板臺 121、122、221、222 :基板夾塊 123、223 :吸弓| 口 124 :基板支撐塊 130 ' 230 :電力施加電極 140 :電極移動單元 141、 241 :活塞 142、 242 :活塞桿 143、 243 :電極支架 150、 250 :電源供應器 151、 251 :電力線 160、260 :真空單元 1 61、261 :真空線 099112328

0993297392-0 表單編號A0101 第30頁/共65頁 201104025 170、 270 :準直單元 171、 17Γ 、271、271’ ：第一準直單元 172、 272 :第二準直單元 173、 273 :準直度檢查單元 180、280 :基板轉移單元 190、290 :中央控制單元 240 :基板臺移動單元 244 :基板臺支撐件 〇 h ' .. i

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GIHce 0993297392-0 099112328 表單編號A0101 第31頁/共65頁

Claims (1)

1. 201104025 七、申請專利範圍： 1 . 一種用於製造多晶矽（p〇ly-Si)薄膜的裝置，包括： 一隔室； 一基板臺’其安裝在該隔室之一侧上，且一具有一非晶矽 (a-Si)薄膜及一導電薄膜的基板放置在該基板臺上； 及 電力施加電極’其安裝在該隔室之另一側上以便面對該基 板臺，其移至放置在該基板臺上的該基板，且其向該基板 之該導電薄膜施加電力， 其中該等電力施加電極向該電薄膜施加電力，產生焦耳 熱’且經由產生的焦耳熱使該非晶矽薄膜結晶化。 2. 如申請專利範圍第1項所述之裝置》其中該基板臺包含一 對基板夹塊’該等基板夹塊安裝在該隔室之一底部表面上 以一預定間距彼此分開致使該基板係放在其上。 3. 如申請專利範圍第2項所述之裝置，其中該對基板夾塊各 自包含至少一個吸引口，一真空透過該等吸引口吸引並夾 )卜::+.:+ 緊放在其上的該基板。. 4 .如申請專利範圍第3項所述之裝置，其進一步包含一真空 單元’該真空單元經由一真空線連接至該等吸引口且向該 等吸引口供應真空以吸引並夾緊該基板。 5. 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其進一步包含準直單 元，該等準直單元係安裝在該基板臺之側面上且對準放在 該基板臺上之該基板。 6. 如申請專利範圍第5項所述之裝置，其中該等準直單元包 含分別安裝在該基板臺之前側及後側上且推擠該基板之前 099112328 表單編號A0101 第32頁/共65頁 0993297392-0 201104025 側及後侧的第一準直單元，及分別安裝在該基板臺之左側 及右侧上且推擠該基板之左側及右側的第二準直單元，致 使放在該基板臺上的該基板被對準。 7. 如申請專利範圍第5項所述之裝置，其進一步包含準直度 檢查單元，該等準直度檢查單元在將電力施加至經該等準 直單元對準的該基板之前再次檢查該基板之準直度。

   8. 如申請專利範圍第7項所述之裝置，其中該等準直度檢查 單元包含至少一對安裝在該隔室之一内壁上的相機，以便 能夠藉由拍攝該基板之相應邊角的照片而再次檢查該基板 之準直度。 9. 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其進一步包含一電極 移動單元，該電極移動單元連接至該等電力施加電極，且 依需要將該等電力施加電極朝該基板移動致使該等電力施 加電極可與該基板發生接觸。 10 .如申請專利範圍第9項所述之裝置，其中： 該基板臺係安裝在該隔室之一下部部分上5且 該電極移動單元係安裝在該隔室之一上部部分上，且將該 等電力施加電極從該隔室上部部分移至位於該隔室下部部 分之該基板。 11 . 一種製造多晶矽（poly-Si)薄膜的方法，包括： 將一具有一非晶矽（a-Si)薄膜及一導電薄膜的基板裝 載至一安裝在一隔室之一内部之一側上的基板臺上； 將安裝在該隔室之另一側上以便面對該基板臺的電力施加 電極移至放在該基板臺上之該基板致使該等電力施加電極 與該基板發生接觸；且 向該導電薄膜施加電力，產生焦耳熱，且經由產生的焦耳 099112328 表單編號A0101 第33頁/共65頁 0993297392-0 201104025 熱使該非晶矽薄膜結晶化。 12 .如申請專利範圍第11項所述之方法，其中： 該基板臺係安裝在該隔室之一下部部分上； 該等電力施加電極係安裝在該隔室之一上部部分上；且 將該等電力施加電極移至該基板致使該等電力施加電極與 該基板發生接觸的步驟包含將該等電力施加電極從該隔室 上部部分移至該隔室下部部分。 13 .如申請專利範圍第11項所述之方法，其進一步包含：在該 基板被裝載至該基板臺上之後， 對準經裝載至該基板臺上的該基板；且 夾緊該經對準基板。 14 .如申請專利範圍第13項所述之方法，其中夾緊該經對準基 板的步驟包含利用一真空吸引並夾緊該基板。 15 .如申請專利範圍第14項所述之方法，其中將該等電力施加 電極移至該基板致使該等電力施加電極與該基板發生接觸 的步驟係在該經對準基板被夾緊之後進行。 16 .如申請專利範圍第15項所述之方法，其進一步包含在將該 等電力施加電極移至該基板致使該等電力施加電極與該基 板發生接觸之後再次檢查該基板之準直度。 17 .如申請專利範圍第16項所述之方法，其中向該導電薄膜施 加電力以產生焦耳熱並經由產生的焦耳熱使該非晶矽薄膜 結晶化的步驟係在該基板之準直度經檢查判定良好時進行 〇 18 .如申請專利範圍第17項所述之方法，其進一步包含：在向 該導電薄膜施加電力以產生焦耳熱並經由產生的焦耳熱使 該非晶矽薄膜結晶化之後， 099112328 表單編號 A0101 第 34 頁/共 65 頁 0993297392-0 201104025 使移至該基板的該等電力施加電極返回其原始位置且使 該等電力施加電極與該基板分離； 阻斷供予該基板之真空以釋放該經吸引夾緊的基板； 且將該經釋放基板卸離該隔室。 19 ·如申請專利範圍第16項所述之方法，其進一步包含：當該 基板之準直度經檢查判定為不良時， 使移至該基板的該等電力施加電極返回其原始位置而不向 該基板施加電力，且使該等電力施加電極與該基板分離； 且 Ο _供㈣基板之真空以釋放該經吸引錄的基板致使該 基板被再次對準。 20 . _種用於製造多晶矽（p〇1y，Si)薄膜的裴置，包括： 一隔室； -基板臺，其安裝在該隔室之_侧上，且—具有—非晶石夕 (a-Si)薄膜及一導電薄膜的基板放置在該基板臺上； 及 ：、ί ◎ 冑力施加電極，*安裝在顧m侧上面對該基板臺 以便向該基板之導電薄膜施加★力， 其中該基板臺移至該等電力施加電極致使放在該基板臺上 之該基板之該導電薄膜可與該等電力施加電極發生接觸， 且 該等電力施加電極向該導電薄膜施加電力，產生焦耳熱， 且經由產生的焦耳熱使該非晶矽薄膜結晶化。 21 ·如申請專利範圍第20項所述之裝置，其中該基板臺包含一 對基板夾塊’該等基板失塊安裝在該隔室之—下部部分上 以一預定間距彼此分開致使該基板放在其上。 099112328 表單編號A0101 第35頁/共的頁 0993297392-0 201104025 22 . 吸引口吸引並央緊 ^請專利範圍第21項所述之裝置其中該縣板爽塊各自 03至少—個吸引口，一真空透過該等 放在其上的該基板。 099112328 23 · 如申請專利範圍第22項所述之裝 含—真空單元，該真空單元經由 置’其中該裝置進一步包 —真空線連接至該等吸引 24 . 25 . 26 . 27 . 28 . 29 口且向該等吸引π供應真空㈣引並夾緊該基板。 如申請專利關㈣項所述之裝置，其進_步包含準直翠 兀，該等準直單元係安裝在該基板臺 該基板臺上之該基板。 之側面上且對準放在 如申請專利範圍第24械__，其中該等準直單元包 含分別安裝在該基板臺之前姆及仙上且推擠該基板之前 側及後側的第-準直單元，及分別安裝在該基板臺之左侧 及右侧上且推擠該基板之左側及右側的第二準直單元致 使放在該基板臺上的該基板被對準。 如申請專利範圍第24項所述之裝置，其進一步包含準直度 檢查單元，鱗準直度檢查單元在將電力施加至經該等準 直單元對料該祕之料切轉基板之準直度。 如申請專利贿第26賴述之裝置，其巾料準直度檢查 單元包含至少-對安裝在該隔室之—内壁上的相機，以便 能夠藉由減該基板之相應邊角的照“再次檢查該基板 之準直度。 如申請專利範圍第20項所述之裝置，其進—步包含一基板 臺移動單元，該基板I：㈣單元連接至板臺，且依需 要將該基板臺移至該等電力施加電極致使放在該基板臺上 的該基板可與該等電力施加電極發生接觸。 如申請專利範圍第28項所述之裝置，其中： 表單煸號A0101 第36頁/共65頁 0993297392-0 201104025 30 . ❹ 31 . ❹ 32 . 33 · 該基板臺係安裝在該隔室之一下部部分上； 該等電力施加電極係安裝在該隔室之一上部部分上面對該 基板臺；且 該基板臺移動單元係安裝在該基板臺之一下部部分上，且 將該基板臺從該隔室下部部分移至位於該隔室上部部分之 該等電力施加電極。 一種製造多晶石夕（poly-Si)薄膜的方法，包括： 將一具有一非晶矽（a-Si)薄膜及一導電薄膜的基板裝 載至一安裝在一隔室之一内部之一侧上的基板臺上； 將已裝載該基板的該基板臺移至安裝在該隔室之另一側上 的電力施加電極致使該基板之導電薄膜與該等電力施加電 極發生接觸；且 向該導電薄膜施加電力，產生焦耳熱，且經由產生的焦耳 熱使該非晶矽薄膜結晶化。 如申請專利範圍第30項所述之方法，其中： 該基板臺係安裝在該隔室之一下部部分上； 該等電力施加電極係安裝在該隔室之一上部部分上；且 將已裝載該基板的該基板臺移至該等電力施加電極致使該 導電薄膜與該等電力施加電極發生接觸的步驟包含將已裝 載該基板的該基板臺從該隔室下部部分移至該隔室上部部 分。 如申請專利範圍第30項所述之方法，其進一步包含：在該 基板被裝載至該基板臺上之後， 對準經裝載至該基板臺上的該基板；且 夾緊該經對準基板。 如申請專利範圍第32項所述之方法，其中夾緊該經對準基 099112328 表單編號A0101 第37頁/共65頁 0993297392-0 201104025 板的步驟包含利用一真空吸引並夾緊該基板。 34 .如申請專利範圍第33項所述之方法，其中將已裝載該基板 的該基板臺移至該等電力施加電極致使該導電薄膜與該等 電力施加電極發生接觸的步驟係在該經對準基板被夾緊之 後進行。 35 .如申請專利範圍第34項所述之方法，其進一步包含在將已 裝載該基板的該基板臺移至該等電力施加電極致使該導電 薄膜與該等電力施加電極發生接觸之後再次檢查該基板之 準直度。 36 .如申請專利範圍第35項所述之方法，其中向該導電薄膜施 加電力以產生焦耳熱並經由產生的焦耳熱使該非晶矽薄膜 結晶化的步驟係在該基板之準直度經檢查判定良好時進行 〇 37 .如申請專利範圍第36項所述之方法，其進一步包含：在向 該導電薄膜施加電力以產生焦耳熱並經由產生的焦耳熱使 該非晶梦薄膜結晶化之後’ 使移至該等電力施加電極的該基板臺返回其原始位置，且 使已裝載該基板的該基板臺與該等電力施加電極分離； 阻斷供予該基板之真空以釋放該經吸引夾緊的基板；且 將該經釋放基板卸離該隔室。 38 .如申請專利範圍第35項所述之方法，其進一步包含：當該 基板之準直度經檢查判定為不良時， 使移至該等電力施加電極的該基板臺返回其原始位置而不 向該基板施加電力，且使已裝載該基板的該基板臺與該等 電力施加電極分離；且 阻斷供予該基板之真空以釋放該經吸引夾緊的基板致使該 099112328 表單編號A0101 第38頁/共65頁 0993297392-0 201104025 基板被再次對準。 Ο ❹ 099112328 表單編號A0101 第39頁/共65頁 0993297392-0