KR101124503B1 - 고배향성 실리콘층 형성방법 및 고배향성 실리콘층적층기판 - Google Patents

고배향성 실리콘층 형성방법 및 고배향성 실리콘층적층기판 Download PDF

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Abstract

본 발명은 그레인 크기가 크고 배향성이 우수한 실리콘 박막을 제조에 관하여 개시한다.
개시된 방법은: 고배향성 실리콘층 형성방법 및 고배향성 실리콘층 적층기판에 관한 것으로, 기판 상에 알루미늄층을 형성하는 단계; 알루미늄층을 고배향성 알루미늄층으로 결정화하는 단계; 상기 고배향성 다결정 알루미늄층 상에 γ-Al2O3 층을 형성하는 단계; 및 상기 γ-Al2O3 층 상에 실리콘층을 에피성장시키는 단계를 포함하여, 이동도가 높은 반도체 소자를 얻을 수 있게 한다.
이동도, 고배향성, 그레인, 다결정성, 에피성장

Description

고배향성 실리콘층 형성방법 및 고배향성 실리콘층 적층기판{Method for forming Highly-orientated Silicon Layer and Substrate containing the Same}
도 1은 엑시머 레이저 어닐링에 의해 결정화된 알루미늄 박막의 광학현미경 이미지이다.
도 2는 엑시머 레이저 어닐링에 의해 결정화된 알루미늄 박막의 XRD 그래프이다.
도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 고배향성 실리콘층 적층 기판의 제조 공정을 보이는 도면이다.
도 4a 내지 도 4e는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 고배향성 실리콘층 적층 기판의 제조 공정을 보이는 도면이다.
도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 고배향성 실리콘층 적층 기판의 제조 공정을 보이는 도면이다.
도 6a 내지 도 6d는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 고배향성 실리콘층 적층 기판의 제조 공정을 보이는 도면이다.
본 발명은 고배향성 실리콘층 형성방법 및 고배향성 실리콘층 적층기판에 관한 것으로, 보다 상세하게는 유리와 같은 절연성 기판 상에서 큰 그레인 크기 및 고배향성을 나타내는 고배향성 실리콘층 형성방법에 관한 것이다.
세계 시장에서 평판 디스플레이는 전자산업의 성장을 견인하는 분야로 자리잡아 가고 있다. LCD(Liquid Crystal Display)와 PDP(Plasma Display Panel), 그리고 빠르게 성능 개선이 이루어지고 있는 OLED(Organic Light Emitting Device)가 각광을 받고 있다. 그 중에서 TFT(Thin film transistor)로 구동되는 LCD와 OLED 는 우수한 화질, 고해상도 등을 무기로 당초 예상했던 20인치 장벽을 넘어 40인치 대화면 TV시장으로 그 영역을 확장하고 있을 뿐만 아니라. 휴대폰 등 모바일 디스플레이에서도 그 영역을 넓히고 있다.
a-Si TFT 의 경우 트랜지스터의 이동도(mobility)가 1cm2/Vsec보다 작아 화소 트랜지스터로만 사용되고 구동 IC(Driver Integrated-Circuit)는 외부에 장착되어 디스플레이 시스템의 부피와 가격이 증가되는 문제점이 있다. 최근 LTPS TFT (LTPS: Low termpature poly-Si)에 대한 연구가 활발히 진행되어 외부의 드라이버 IC를 완전히 없앤 SOG(System on Glass)에 대한 연구가 증가하고 있다. 외부의 드라이버 IC를 모두 유리(glass) 즉 패널 위에 집적할 수 있다면 패널과 외부 드라이버 IC 사이의 연결선이 필요 없게 되어 TFT LCD의 불량이 작아지고 신뢰성이 크게 향상될 수 있다. 궁극적으로 데이터 및 게이트 드라이버 IC 뿐만 아니라 콘트롤러(controller)를 포함한 모든 디스플레이 시스템이 패널에 집적되는 SOG가 최종목표일 것이다. 이러한 목표를 달성하기 위하여 LTPS의 이동도가 400 cm2/Vsec 보다 크며, 균일성도 우수 하여야 한다. 하지만 현재의 알려져 있는 ELA(Excimer Laser Annealing), SLS(Sequential Lateral Solidification), MILC(Metal-Induced Lateral Crystallization)등 방법은 아직 소망하는 품질의 LTPS의 제조에 이르지 못하고 있다.
다결정성 실리콘을 형성하는 방법으로는 크게 다결정성 실리콘을 직접 증착하는 방법과 비정질 실리콘을 증착한 후 결정화하는 단계를 거쳐 다결정성 실리콘을 형성하는 방법이 있다.
다결정성 실리콘을 직접 증착하는 방법에는 저압 화학 기상 증착법(Low Pressure Chemical Vapor Deposition : LPCVD)법, 플라즈마 화학 기상 증착법(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition : PECVD) 등이 있는데, 플라즈마 화학 기상 증착법은 혼합 가스를 사용하여 400℃ 이하에서 증착이 가능하지만 결정립을 억제하기 어려우며, 특히 증착시 결정립의 배향성이 불균일하기 때문에 다결정성 실리콘 박막의 특성에 심각한 문제점을 가져오고 있다.
본 발명은 유리와 같은 절연성 기판 상에서 큰 그레인 크기 및 고배향성을 나타내는 고배향성 실리콘층의 형성방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 다른 목적은 상기와 같은 방법에 의해 제조된 고배향성 실리콘층 적층 기판을 제공하는 것에 관련된다.
본 발명의 한 유형(aspect)에 따르면, 기판 상에 알루미늄층을 형성하는 단계; 진공 분위기에서 상기 알루미늄층을 재결정화하여 고배향성 알루미늄층을 형성하는 단계; 상기 고배향성 알루미늄층 상에 고배향성 γ-Al2O3 층을 형성하는 단계; 및 상기 고배향성 γ-Al2O3 층 상에 실리콘층을 에피성장시키는 단계;를 포함하는 고배향성 실리콘층의 형성방법이 제공된다.
본 발명의 다른 유형에 따르면, 기판 상에 알루미늄층을 형성하는 단계; 상기 알루미늄층을 재결정화 및 산화시켜 고배향성 알루미늄층 및 고배향성 γ-Al2O3 층을 동시에 형성하는 단계; 및 상기 고배향성 γ-Al2O3 층 상에 실리콘층을 에피성장시키는 단계;를 포함하는 고배향성 실리콘층의 형성방법이 제공된다.
본 발명의 또 다른 유형에 따르면, 기판; 상기 기판상에 형성된 고배향성 알루미늄층; 상기 고배향성 알루미늄층 상에 형성된 고배향성 γ-Al2O3 층; 및 상기 고배향성 γ-Al2O3 층 상에 형성된 고배향성 실리콘층;을 포함하는 고배향성 실리콘층 적층기판이 제공된다.
이하에서 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.
본 발명에서는 유리와 같은 절연성 기판 상에 큰 그레인 크기 및 고배향성을 나타내는 실리콘층을 형성하기 위하여 고배향성 γ-Al2O3 층을 매개로 사용한다.
Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 34(1995)pp. 831-835에는 에피탁시 성장법에 의해 형성된 이중 SOI(Silicon on Insulation) 구조에 대해서 개시되어 있다. 상기 논문상에서는 Si기판 상에 형성된 γ-Al2O3 층이 2.4～3.5%의 격자 불일치(lattice mismatch)를 나타내고 있는 것으로 보고되었으며, 이는 4.0～13.0%의 격자 불일치를 나타내는 SOS(Silicon on sapphire) 구조보다 양호한 수치이다. 따라서 이로부터 에피택셜 γ-Al2O3 층 상에 실리콘층이 양호한 품질로 에피택셜하게 형성될 수 있음을 알 수 있다.
고품질의 γ-Al2O3층을 얻기 위하여 Oxidation of Metals Vol. 30, No. 5-6:301-28, Dec. 1988에 개시된 결정성 알루미늄의 산화방법이 사용될 수 있다. 상기 논문에는 일정 온도 및 압력에서 결정성 알루미늄을 산화시킴에 의해 표면에 에피택셜 γ-Al2O3이 형성됨을 보고하고 있다. 본 발명자들은 이에서 착안하여 알루미늄 박막을 재결정화하여 그레인 크기가 크고 배향성이 높은 알루미늄층을 얻은 후, 이를 산화시켜 γ-Al2O3층을 형성함으로써 그레인 크기가 크고 배향성이 높은 γ-Al2O3층을 형성하였다. 상기 고배향성 γ-Al2O3층 상에 실리콘층을 에피성장하는 경우, 에피성장된 실리콘층 역시 그레인 크기가 크고 배향성이 높은 특성을 나타낸다.
본 발명자는 Si 기판 상에 100nm 두께의 Al 박막을 형성한 후 1500mJ//㎠의 에너지 밀도로 엑시머 레이저 어닐링 처리를 행하여, 도 1에 나타난 SEM 이미지 및 도 2에 나타난 XRD(X-Ray Deffraction) 그래프를 얻었다. 도 1에서 알 수 있는 바 와 같이 엑시머 레이저 처리 후의 Al 박막은 5 내지 10㎛ 정도의 대형 그레인 크기를 나타낸다. 또한 도 2의 XRD 그래프에서는 상기 결정화된 Al 박막의 배향성이 일정함을 알 수 있다. 이로부터 알루미늄 박막을 재결정화함으로 인해 고품질γ-Al2O3층을 형성할 수 있는 그레인 사이즈가 크고 배향성이 높은 고품질 알루미늄 박막을 얻을 수 있음을 확인할 수 있다.
이러한 본 발명의 고배향성 실리콘층 형성방법을 바람직한 실시예들을 통하여 보다 상세하게 설명한다.
이하에서 본 발명의 제 1 실시예에 따른 실리콘층 적층 기판의 제조방법을 도 3a 내지 도 3e를 참조로 하여 설명한다.
도 3a에 도시된 바와 같이, 절연 기판(100) 상에 알루미늄을 증착하여 알루미늄층(200)을 형성한다. 이때 기판(100)으로는 실리콘 기판, 유리 기판 또는 플라스틱 기판과 같은 절연성 기판 등을 사용할 수 있으며, 바람직하게는 유리 기판을 사용한다.
상기 알루미늄 층은 알루미늄, Ni-Al 합금 등으로 이루어지며, 통상적으로 알려진 스퍼터링, 이온빔 증착법(IBD: Ion Beam Deposition) 등에 의해 증착된다. 알루미늄의 증착 두께는 특별히 제한되는 것은 아니나, 바람직하게는 5nm～1㎛이다.
도 3c에 도시된 바와 같이 상기 알루미늄층(200)을 재결정화하여 그레인 사이즈가 크고 배향성이 높은 알루미늄(polycrystalline aluminum) 층(300)을 형성한 다. 상기 알루미늄층(200)의 재결정화는 도 3b에 도시된 바와 같이 엑시머 레이저 등에 의해 이루어진다.
도 3c에 도시된 바와 같이 상기 고배향성 알루미늄층(300) 상에 고배향성 γ-Al2O3 층(400)을 형성한다. 상기 고배향성 γ-Al2O3 층(400)은 상기 고배향성 알루미늄층(300)의 표면을 산화시켜 얻을 수 있다. 산화에 의해 γ-Al2O3 층(400)을 형성하는 하기 위하여 상기 고배향성 알루미늄층(300)을 산소 또는 오존 분위기에서 열처리하며, 이때의 온도는 100～600℃의 범위이다.
상기 고배향성 알루미늄층(300) 상에 γ-Al2O3 층(400)을 형성하기 위한 다른 방법으로 분자선 에피탁시(Molecular Beam Epitaxy: MOMBE) 등과 같은 에피성장법 또는 양극산화 피막법이 있다.
γ-Al2O3 층(400)을 얻기 위한 또 다른 방법으로서, 산소 또는 오존 분위기에서 고배향성 알루미늄층(300)을 엑시머 레이저에 의해 어닐링함으로써 고배향성 알루미늄층(300)의 표면에 γ-Al2O3 층(400)을 형성할 수 있다. 이러한 레이저 어닐링은 기판의 전이 온도(transition temperture)에 관계없이 진행할 수 있다는 장점이 있어 바람직하다.
한편, 상기와 같이 산화 등에 의해 얻어진 고배향성 γ-Al2O3 층(400) 상에 별도의 결정성장에 의해 γ-Al2O3 을 더 성장시킬 수 있으며, 이러한 추가적인 γ-Al2O3 의 성장은 선택적이다.
도 3e에 도시된 바와 같이, 상기 고배향성 γ-Al2O3 층(400) 상에 실리콘층(500)을 에피성장시켜 목적하는 고배향성 실리콘층의 적층 기판을 형성한다. 상기 실리콘층 에피성장은 LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition), UHV CVD(Ultra-high Vacuum Chemical Vapor Deposition) 등의 방법에 의해 형성되나, 이에 제한되지 않는다.
도 4a 내지 도 4e는 도 3a 내지 도 3e와 함께 설명된 고배향성 실리콘층의 형성 공정에서, 알루미늄층(200)을 재결정화의 방법을 달리하는 제 2 실시예의 공정을 보인다. 이 방법은 알루미늄층(200)의 재결정화를 고온 롤 스캐닝 (Hot Roll Scanning)을 이용한다.
도 4a에 도시된 바와 같이, 실리콘 기판, 유리 기판 또는 플라스틱 기판과 같은 절연성 기판(100) 상에 알루미늄을 증착하여 알루미늄층(200)을 형성한다. 상기 절연 기판(100)으로 유리 기판을 사용하는 것이 바람직하다.
역시, 상기 알루미늄 층은 알루미늄, Ni-Al 합금 등으로 이루어지며, 스퍼터링, 이온빔 증착법(IBD: Ion Beam Deposition) 등에 의해 5nm～1㎛ 의 두께로 증착된다. 여기에서 알루미늄의 증착 두께는 특별히 제한되지 않는다.
도 4b에 도시된 바와 같이 고온 롤을 이용한 고온 롤 스캐닝 (Hot Roll Scanning)에 의해 상기 알루미늄층(200)을 재결정화하여 도 4c에 도시된 바와 같이 그레인 사이즈가 크고 배향성이 높은 알루미늄(polycrystalline aluminum) 층(300)을 형성한다.
도 4d에 도시된 바와 같이 상기 고배향성 알루미늄층(300) 상에 고배향성 γ-Al2O3 층(400)을 형성한다. 상기 고배향성 γ-Al2O3 층(400)은 상기 고배향성 알루미늄층(300)의 표면을 산화시켜 얻을 수 있다. 산화에 의해 γ-Al2O3 층(400)을 형성하는 하기 위하여 상기 고배향성 알루미늄층(300)을 산소 또는 오존 분위기에서 열처리하며, 이때의 온도는 100～600℃의 범위이다.
상기 고배향성 알루미늄층(300) 상에 고배향성 γ-Al2O3 층(400)을 형성하기 위한 다른 방법으로 분자선 에피탁시(Molecular Beam Epitaxy: MOMBE) 등과 같은 에피성장법 또는 양극산화 피막법이 있다.
고배향형 γ-Al2O3 층(400)을 얻기 위한 또 다른 방법으로서, 전술한 바와 같이 산소 또는 오존 분위기에서 어닐링한다.
한편, 상기와 같이 산화 등에 의해 얻어진 고배향성 γ-Al2O3 층(400) 상에 별도의 결정성장에 의해 γ-Al2O3 을 더 성장시킬 수 있으며, 이러한 추가적인 γ-Al2O3 의 성장은 선택적이다.
도 4e에 도시된 바와 같이, 상기 고배향성 γ-Al2O3 층(400) 상에 실리콘층(500)을 LPCVD, UHV CVD 등의 방법에 의해 성장시켜 목적하는 고배향성 실리콘층의 적층 기판을 얻는다.
한편, 본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 알루미늄층의 재결정화는 공지의 순차적 측면 고상화법(SLS)에 의해 수행된다.
전술한 본 발명의 제 1, 2 실시예에서는 기판 상의 불순물이 실리콘층으로 침투하는 것을 막기 위한 목적 또는 알루미늄의 재 결정화시 배향성을 조절하기 위한 목적으로 알루미늄층을 형성하기 전에 기판상에 버퍼층을 형성할 수 있다. 이러한 버퍼층은 SiO2, Si3N4, AlN, Si3NxOx 등의 물질로 이루어질 수 있다.
본 발명의 제 3, 4 실시예에 따른 실리콘층 적층 기판의 제조방법을 도 5 및 도 6을 참조로 하여 설명한다.
실시예 3에서는 알루미늄층(200)의 결정화 및 산화를 동시에 진행하여 고배향성 알루미늄층(300) 및 고배향성 γ-Al2O3 층(400)을 동시에 형성한다.
도 5a에 도시된 바와 같이 기판(100)에 알루미늄층(200)을 형성한다.
도 5b에 도시된 바와 같이 산소(O)를 알루미늄층(200)에 소정 깊이로 도핑하여 비정질 알루미늄층(200) 상부에 도핑된 알루미늄층(210)을 형성한다.
도 5c에 도시된 바와 같이 엑시머 레이저에 의해 상기 알루미늄층(200) 및 그 위의 도핑된 알루미늄층(210)을 열처리하여 도 5d에 도시된 바와 같이 상기 알루미늄층(200) 및 그 위의 도핑된 알루미늄층(210)로 부터 고배향성 알루미늄층(300) 및 고배향성 γ-Al2O3 층(400)을 동시에 얻는다.
도 5d에 도시된 바와 같이, 고배향성 γ-Al2O3 층(400) 상에 실리콘층(500)을 에피 성장시켜 목적하는 고배향성 실리콘층 적층기판을 얻는다.
여기에서, 도 5b에 도시된 바와 같은 도핑 단계에서, 알루미늄층(200)에 대 한 산소도핑 깊이를 조절하기 위해서 SiO2 등의 물질로 이루어진 부가층을 상기 알루미늄층(200) 위에 형성할 수 있으며, 열처리에 의해 고배향성 알루미늄층(300) 및 고배향성 γ-Al2O3 층(400)이 형성된 이후에는 상기 부가층은 제거된다.
이하에서 설명되는 실시예 4에서는 고진공 조건의 퍼니스 내에서 비정질 알루미늄층(200)을 용융시킨 후 산소 또는 오존 분위기에서 이를 냉각시키는 방법을 통해서 고배향성 알루미늄층(300) 및 고배향성 γ-Al2O3 층(400)을 동시에 형성한다.
도 6a에 도시된 바와 같이 기판(100)에 알루미늄층(200)을 형성한다.
도 6b에 도시된 바와 같이 알루미늄층(200)이 형성된 기판(100)을 고진공 퍼니스에 장입한 후 상기 알루미늄층(200)을 용융시킨다.
도 6c에 산소 또는 오존 분위기에서 용융된 알루미늄층(200)을 냉각시켜 상기 알루미늄층(200)으로 부터 고배향성 알루미늄층(300) 및 그 위의 고배향성 γ-Al2O3 층(400)을 동시에 얻는다.
도 6d에 도시된 바와 같이, 고배향성 γ-Al2O3 층(400) 상에 실리콘층(500)을 에피 성장시켜 목적하는 고배향성 실리콘층 적층기판을 얻는다.
본 발명에 의해 형성된 고배향성 실리콘층 적층기판은 기판 상에 고배향성 알루미늄층, 고배향성 γ-Al2O3 층 및 고배향성 실리콘층이 순차적으로 형성된 구조이다. 이때 고배향성 알루미늄층, γ-Al2O3 층 및 실리콘층의 그레인 크기는 50nm ~ 20㎛ 를 나타낸다.
본 발명의 고배향성 실리콘층 적층 기판은 디스플레이의 스위칭 소자로 사용되는 박막 트랜지스터 등에 적용하여 SOG를 실현하는데 응용할 수 있다.
본 발명에 의해 그레인 크기가 크고 배향성이 우수한 실리콘 박막을 제조하여 이동도가 높은 반도체 소자를 제공할 수 있다. 또한 본 방법은 적층 공정을 진행할 수 있기에 고품질 3-D IC를 실현 할 수 있다.

Claims (26)

  1. 기판 상에 알루미늄층을 형성하는 단계;
    진공 분위기에서 상기 알루미늄층을 재결정화하여 고배향성 알루미늄층을 형성하는 단계;
    상기 고배향성 알루미늄층 상에 고배향성 γ-Al2O3 층을 형성하는 단계; 및
    상기 고배향성 γ-Al2O3 층 상에 실리콘층을 에피성장시키는 단계를 포함하는 고배향성 실리콘층의 형성방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 알루미늄층이 엑시머 레이저 어닐링, 순차적 측면 고상화법(SLS) 또는 고온 롤 스캐닝법(Hot Roll Scanning)에 의해 고배향성으로 재 결정화되는 것을 특징으로 하는 고배향성 실리콘층의 형성방법.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 고배향성 γ-Al2O3 층이 상기 고배향성 알루미늄층을 산화시켜 형성되는 것을 특징으로 하는 고배향성 실리콘층의 형성방법.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 고배향성 γ-Al2O3 층이 산소 또는 오존 분위기에서 상기 고배향성 알루미늄층을 열산화시켜 형성되는 것을 특징으로 하는 고배향성 실리콘층의 형성방법.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 열산화가 100～600℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 고배향성 실리콘층의 형성방법.
  6. 제 3항에 있어서,
    상기 고배향성 γ-Al2O3 층이 산소 또는 오존 분위기에서 상기 고배향성 알루미늄층을 엑시머 레이저 어닐링시켜 형성되는 것을 특징으로 하는 고배향성 실리콘층의 형성방법.
  7. 제 3항에 있어서,
    상기 알루미늄층을 산화시켜 형성된 고배향성 γ-Al2O3 층 상에 γ-Al2O3을 에피성장시키는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 고배향성 실리콘층의 형성방법.
  8. 제 1항에 있어서, 상기 고배향성 γ-Al2O3 층이 양극산화 피막법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 고배향성 실리콘층의 형성방법.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 고배향성 γ-Al2O3 층이 에피성장법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 고배향성 실리콘층의 형성방법.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 고배향성 γ-Al2O3 층의 에피성장이 MOMBE(Metalorganic Molecular Beam Epitaxy)에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 고배향성 실리콘층의 형성방법.
  11. 기판 상에 알루미늄층을 형성하는 단계;
    상기 알루미늄층을 재결정화 및 산화시켜 고배향성 알루미늄층 및 고배향성 γ-Al2O3 층을 동시에 형성하는 단계; 및
    상기 고배향성 γ-Al2O3 층 상에 실리콘층을 에피성장시키는 단계를 포함하는 고배향성 실리콘층의 형성방법.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 알루미늄층에 산소를 도핑한 후, 엑시머 레이저 어닐링시켜 상기 고배 향성 알루미늄층 및 고배향성 γ-Al2O3 층을 형성하는 것을 특징으로 하는 고배향성 실리콘층의 형성방법.
  13. 제 11항에 있어서,
    상기 알루미늄층을 진공 조건의 퍼니스 혹은 RTA 내에서 용융시킨 후, 산소 또는 오존 분위기에서 이를 냉각시켜 상기 고배향성 알루미늄층 및 고배향성 γ-Al2O3 층을 형성하는 것을 특징으로 하는 고배향성 실리콘층의 형성방법.
  14. 제 1항 또는 11항에 있어서,
    상기 실리콘층이 LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 또는 UHV CVD(Ultra-high Vacuum Chemical Vapor Deposition)에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 고배향성 실리콘층의 형성방법.
  15. 기판;
    상기 기판상에 형성된 고배향성 알루미늄층;
    상기 고배향성 알루미늄층 상에 형성된 고배향성 γ-Al2O3 층; 및
    상기 고배향성 γ-Al2O3 층 상에 형성된 고배향성 실리콘층;을 포함하는 고배향성 실리콘층 적층기판.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 알루미늄층이 Al 및 Ni-Al 합금으로 이루어진 군에서 선택된 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고배향성 실리콘층 적층기판.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 고배향성 알루미늄층의 그레인 크기가 50nm ~ 20㎛ 인 것을 특징으로 하는 고배향성 실리콘층 적층기판.
  18. 제 15 항에 있어서,
    상기 고배향성 γ-Al2O3 층의 그레인 크기가 50nm ~ 20㎛인 것을 특징으로 하는 고배향성 실리콘층 적층기판.
  19. 제 15 항에 있어서,
    상기 실리콘층이 Si 및 SiGe로 이루어진 군에서 선택된 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고배향성 실리콘층 적층기판.
  20. 제 15 항에 있어서,
    상기 실리콘층의 그레인 크기가 50nm ~ 20㎛인 것을 특징으로 하는 고배향성 실리콘층 적층기판.
  21. 제 15 항에 있어서,
    상기 기판이 유리기판인 것을 특징으로 하는 고배향성 실리콘층 적층기판.
  22. 제 15 항에 있어서,
    상기 알루미늄층 및 기판 사이에 버퍼층이 추가로 형성되는 것을 특징으로 하는 고배향성 실리콘층 적층기판.
  23. 제 22 항에 있어서,
    상기 버퍼층이 SiO2, Si3N4, AlN 및 Si3NxOx으로 이루어진 군에서 선택된 것을 특징으로 하는 고배향성 실리콘층 적층기판.
  24. 기판;
    상기 기판상에 형성된 고배향성 알루미늄층;
    상기 고배향성 알루미늄층 상에 형성된 고배향성 γ-Al2O3 층; 및
    상기 고배향성 γ-Al2O3 층 상에 형성된 고배향성 실리콘층;을 포함하는 고배향성 실리콘층 적층기판을 이용하여 제조된 박막 트랜지스터.
  25. 기판;
    상기 기판상에 형성된 고배향성 알루미늄층;
    상기 고배향성 알루미늄층 상에 형성된 고배향성 γ-Al2O3 층; 및
    상기 고배향성 γ-Al2O3 층 상에 형성된 고배향성 실리콘층;을 포함하는 고배향성 실리콘층 적층기판을 이용하여 제조된 박막 트랜지스터를 스위칭 소자로 포함하는 디스플레이.
  26. 기판;
    상기 기판상에 형성된 고배향성 알루미늄층;
    상기 고배향성 알루미늄층 상에 형성된 고배향성 γ-Al2O3 층; 및
    상기 고배향성 γ-Al2O3 층 상에 형성된 고배향성 실리콘층;을 포함하는 SOI 기판.
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