TW201101946A - Aluminum substrate circuit board, method of making the same, and electroplating solution for the method - Google Patents

Description

201101946 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種電路板，特別是指一種鋁基電路 板。本發明另有關於該鋁基電路板的製備方法與供該方法 使用的一種電鑛液。 【先前技術】 如圖1所示’一般的鋁基電路板i包含有一依序相疊 之銘基板層11、一絕緣層12，與一金屬導線層13。類鐵碳 〇 (Diamond_Like Carb〇n，簡稱DLC)為該絕緣層12的常見 材質’但實際上類鑽碳之絕緣性並不佳，因而導致該鋁基 電路板1的耐崩潰電壓不足，甚至於使用時發生漏電或短 路之情形；此外，基於DLC與該金屬導線層13間的材質差 異，常使得該絕緣層與金屬導線層會有脫落或分離之現象 ’而使得整個電路板失效。 另一種習知鋁基電路板的製備方法，其是直接在一鋁 〇 I板的表面上進行陽極處理，使該基材表面的叙轉化成氧 化紹而成為該絕緣層12，並同步獲得該絕緣層12下的铭基 板層11，再利用高溫來將銀膠或銅膠燒結於該絕緣層上， 以做為該金屬導線層13，伯‘ 收植# ^ ^但如此將導致該以氧化鋁為其材 k絕緣層12因受高溫而龜裂，導致漏電。 /克服上述缺點，目前市面上常見到的鋁基電路板， 即是直接利用樹脂將鋼箱膠合於一铭基板表面上’另-種 -數的做法則是於膠合時選用-已經過陽極處理的紹基 …、樹月曰之熱傳導性差，會導致該銘基電路板的傳熱效 3 201101946 果不彰，雖然在樹脂中加入陶瓷粉粒能夠改進整體之傳熱 效果，然效果有限，且樹脂的使用仍有高溫劣化及軟化的 疑慮存在。 【發明内容】 有鑑於本業界所面臨之上述難題，本發明之第一目的， 在於提供一種金屬導線較能被附著，且易於散熱、可耐高 電壓之鋁基電路板。 本發明鋁基電路板，包含：一本體單元，以及一金屬 導線單元。 該本體單元包括一鋁層、一形成於該鋁層上之氧化鋁 層，與一形成於該氧化鋁層上的介質物，該介質物之材質 是擇自於鎳、銅、鈷'鐵、銀、鋅、錫、鉬，或此等之一 組合。該金屬冑線單元則是與該介質物銜接地形成於該本 體單元上。 申請人首揭以該本體單元中的介質物作為該氧化鋁層 與金屬導線單元之間的_連結介f，來增進該金屬導線單 疋之附著性。中凊人之所以推測該介質物能增進該附著性 的理由’是基於該介質物的上述特定材質於實務上即常被 運用作為合金中之物料’㈣，應t適合轉用為該本體單 几中的介質物；另，上述推測亦已被中請人更進—步地以 實驗證實。而除了增進該金屬導線單元之附著性料，誃 ^質物因屬金屬材質，故亦可使㈣基電 ^ 良好的熱傳導性。 -遐八有更 本發明之第二目的，則在於提供一種用以獲得上述本 201101946 、 發明銘基電路板之製備方法；其包含： (a) 配製一電鍍液，内含有一溶劑與10 Wt%〜50 wt% 的酸、0.01 wt%〜0.05 wt%的界面活性劑，與〇 $ wt%〜1 wt%的金屬鹽；其中，該溶劑是擇自於水 、乙醇、乙二醇，或此等之一組合；該酸是擇自於 琉酸、草酸、酒石酸、續基水揚酸、順丁婦二酸、 乳酸、麟酸，或此等之一組合，該界面活性劑是擇 〇 自於山梨醇、磺酸鈉、硝酸、檸檬酸、酒石酸卸納 ，或此等之一組合，該金屬鹽則是擇自於鎳鹽、鋼 鹽、鈷鹽 '鐵鹽、銀鹽 '錫鹽、鉬鹽’或此等之一 組合； (b) 使一鋁基板之待處理的一表面浸覆於該電鍍液中以 進行一陽極處理，而使該鋁基板轉化成一本體單元 ，其具有一鋁層、一形成於該鋁層上之氧化鋁層， 與一形成於該氧化鋁層上之介質物，該介質物的材 Q f是擇自於鎳、銅、鈷、鐵、銀、鋅、錫、鉬，或 此等之一組合；及 (c) 使該本體單元上形成一銜接於該介質物之金屬導線 單7L，而獲得一如前所述之本發明鋁基電路板。 本發明鋁基電路板之製備方法的技術特徵，主要是在 於其所使用的電鑛液成分，和習知者有所不同，亦即本發 ^法所使用者是更含有金屬鹽，·金屬鹽經溶解後則釋出 炻離子於該電鐘液中，以使得步驟⑻之該铭基板進行陽 處理時’隨著該縣板表面的材質由㈣變為氧化銘， 5 201101946 電鐘液中的金屬離子也即形成沉積在該氧化銘層上的介質 物，從而作為用以銜接該氧化銘層與金屬導線單元的一媒 介。 、 而即因本發明銘基電路板之製備方法是以該電鑛液的 成份為其主要技術特徵，並使該氧化㈣與介質物被同步 地獲得，因此本發明製備方法不僅具有省時、便於操作等 優點，且也不需要其他特殊設備，故在低成本下，即能獲 得一傳熱快、耐崩潰電Μ値高，且使用壽命長之高品質的 鋁基電路板。 本發明之第三目的，即是在提供使用於上述第二目的 中之電鍵m包含的内容即如第二目的之㈣⑻中所述 者，故在此不予贅述。 【實施方式】 以下即依據圖式並藉實施例加以說明本發明銘基電路 板，並對本發明铭基電路板之製備方法與所使用之本發明 電鍍液提供技術建議，而就未特別予以限制的各項條件， 即是本領域中具有通常知識者可依其需求而自行決定；需 強調的是’為利於說明’該等圖式中之各元件並未依實際 比例加以繪製，而本發明電鍍液内之各物料的含量是以該 電鍍液之總重量為一計算基準。 如以上所述之本發明鋁基電路板的製備方法，為使該 金屬導線單元更能附著於該本體單元上、縮短製程時間， 或更增進傳熱效果，較佳地，於步驟（a)所採用之電鍍液内 的金屬鹽，是擇自於銅鹽、鐵鹽'鉬鹽，或此等之—組合 201101946 •’相對地，其所形成出之介質物的材質，則為銅、鐵、鉬 ’或為該等材質之混合。於實施例中所示範的，則是使用 銅鹽與鐵鹽’其中該銅鹽為硫酸銅與醋酸銅，鐵鹽則為硫 酸鐵。 該金屬導線單元是用以傳導電流，因此基本上對於所 採用的金屬種類並無特殊限制；考量與該介質物之間的附 著性’較佳地該金屬導線單元之材質是選用鋁、金、鎳、 銅、鈷、鐵、銀、鋅、錫、鉬，或此等之一組合，更佳地 〇 日 是選用鋁、金、銅，或此等之一組合。於實施例中，該金 屬導線單元的材質是選用銅。 有關於本發明電鍍液中各成份之使用目的，除了該金 - 屬鹽已如前述之外，該界面活性劑是為辅助該氧化鋁層均 - 勻地形成’而該酸則是用以促使氧化鋁層形成；另除了前 述之基本含量範圍以外，較佳地，該酸的含量是介於15 wt %〜40 wt%之間，該界面活性劑則是介於〇.〇1 wt%〜〇 〇4 wt%之間，該金屬鹽則是介於0.55 wt%〜0.9 wt%之間。於 實施例中所示範的，該酸的含量是介於22 wt%〜30 wt%之 間，該界面活性劑則是0_01 wt% ，該金屬鹽則是介於〇 55 wt% 〜0.75 wt% 之間。 另需說明的是，本發明電鍍液亦可預先配成較濃的溶 液而備用，待使用之前再加入適量的溶劑而稀釋後，獲得 其内之各成份均洛於前述基本含量範圍之本發明電鑛液。 而在步驟（b)中，所使用的鋁基板是具有兩相反表面； 當僅以其中的一表面作為欲處理者，而將其浸覆於該電鑛 7 201101946 液中並進打-陽極處理後，該受浸覆的表面之金屬銘將會 轉化成氧化紹，而使得原紹基板被分隔為-紹層2，與-形 成於該鋁層2上之氧化鋁層3，如圖2中所示者。 需說明的是，在一微觀狀態下，可發現該氧化紹層3 概呈立體六角網狀，並具有諸多如蜂巢狀之㈣31，如圖 3、4所示。基本上該氧化鋁層3之厚度於本案中並未有特 殊限制，然選擇性地，其是介於1〇 μιη〜300 μηι之間。而 有關於該陽極處理之操作條件，在本發明中並未予特殊限 制，選擇性地，該陽極處理是在〇 〜艺下，藉1 〇 ν〜 250V的操作電壓而進行。 於實施例中所示範的，該陽極處理是在1(rc〜2(rc下 ，藉50 V〜60 V的操作電壓而進行；所獲得之氧化鋁層的 厚度為60 μπι。 在該陽極處理進行的同時，該電鍍液中的金屬離子（源自於 步驟（a)之經溶解的金屬鹽）將同步地獲得電子並形成介質物 4沉積在該氧化鋁層3上，而形成該本體單元5 ;當該金屬 離子濃度較低，或該陽極處理進行的時間較短時，該介質 物4的量較少且是由複數分散地形成於該氧化鋁層3上之 介質體41所構成，如局部放大之圖3所示意地。此時，該 介質物4並未於該氧化鋁層3與金屬導線單元6之間形成 一完整且連續的層體，而之後即供一金屬導線單元6銜接 於上，於疋巨觀地，如圖5所示，該等介質物4即以該等 介質體41之態樣少量地存在於該氧化鋁層3與金屬導線單 兀ό之部分交界處’而所獲得之本發明鋁基電路板之第一 201101946 較佳實施例，其包含依序地疊置之本體單元5之鋁層2、氧 化銘層3、介質物4,與金屬導線單元6。 隨著沉積量漸增，亦可於在該氧化鋁層3上的介質物4 形成一實質連續的層體並具有一厚度後，再設置該金屬導 線單7G 6,使得本發明鋁基電路板的結構如圖2所示，其包 含依序地疊置之本體單元之鋁層2、氧化鋁層3、介質物4 ，與金屬導線單元6，且該介質物4是一位於該氧化鋁層3 與金屬導線單元6之間的層體；此結構態樣亦為本發明鋁 基電路板之第二較佳實施例。 另，於本發明中，該金屬導線單元6之形成方式亦未 受限，較佳地是藉由一蒸鍍處理或一電鍍處理來進行。 除了僅以原本鋁基板其中的一表面來進行該陽極處理 以外，亦可使該鋁基板之反向的兩對應表面皆接受此處理 ，而使得最後獲得的本發明鋁基電路板做成類似於目前常 見的雙面電路板之態樣。 上述雙面態樣之本發明鋁基電路板，是在製備時，於 該步驟⑻中選用具有複數通孔之紹基板，且該紹基板在進 行該陽極處理時是完全地浸覆於該電鑛液巾，如此將使得 所形成出的該氧化紹層3是包覆該銘層2地形成於該銘層2 上’該介質物4則是如前述地被同步形成出來，並視該陽 極處理完畢後之該介質物4沉積量多寡，而決定該介質物4 的態樣是如圖7所示之-完整層體，或者是如圖6所示之 由該等散落於該氧化鋁層3上的介質體41所構成，但一必 要前提是該等通孔51仍需於該陽極處理完畢後仍維持其開 201101946 放狀；於是所形成之層疊物的結構即分別如圖6'7所示。 隨後，該金屬導線單元6將封閉該等通孔51並形成於該本 體單元5的兩相反表面上，從而獲得如圖8、9所示之本發 明銘基電路板的第三、四較佳實施例。 另，選擇性地，圖2、5、8、9之金屬導線單元6皆可 再進一步經過例如各種習知的蝕刻方式，來呈現出一預定 之線路圖樣。 先前所述的技術特徵與各項相關之進一步技術建議， 將使得本發明鋁基電路板可具有高傳熱性與高耐崩潰電壓 値，故易於散熱並能承受較高的電壓，從而呈現出一較佳 的品質與較高的使用壽命。 <實施例1、2與比較例> <化學品暨其他材料> 1. 銘基板：由中鋼紹業公司製備。 2. 硫酸、草酸：由中華硫酸公司製備。 3. 硫酸銅、醋酸銅、硫酸鐵：由日本島久公司製備。 4·磺酸鈉、酒石酸鉀鈉··由林純公司製備。 以下實施例1及2是依據上述本發明鋁基電路板的製 備方法之⑻〜⑷步驟’並縣—内所列的操作條件來進行 ，另列出比較例1、2以供比對操作條件與功效之差異。 各實施例與比較例所分別對應製備出之鋁基電路板的 結構態樣及相關功效數據，亦列於表一内；其中，各電鍍 液係以水為溶劑來配製，另當所使用之紹基板是呈完整狀 而無通孔時’則是單以其中之一特定表面浸覆於該電鐘液 10 201101946 中來進行陽極反應，而若使用形成有通孔之鋁基板，則是 ' 使其整體浸覆於該電鍍液中來進行陽極反應。另外，所有 實施例及比較例的金屬導線單元是藉由電鍍方式形成的。 表一

實施例1 實施例2 比較例1 比較例2 電鍍液 成分 酸 硫酸 20 wt% 2 wt% 20 wt% 2 wt% 草酸 10 wt% 20 wt% 10 wt% 20 wt% 酸總ΐ 30 wt% 22 wt% 30 wt% 22 wt% 金屬鹽 硫酸銅 0.3wt% 0.4wt% 無 無 醋酸銅 Owt% Owt% 無 無 硫酸鐵 0.25 wt% 0.35 wt% 無 無 金屬鹽總量 0.55 wt% 0.75 wt% 無 無 界面活性劑 磺酸鈉 0.01 wt% 0.01 wt% 0.01 wt% 0.01 wt% 界面活性劑總量 0.01 wt% 0.01 wt% 0.01 wt% 0.01 wt% 鋁基板 有無通孔？ 無 有 無 有 陽極處理 紹基電 路板 功效證實 溫度 10 °c 20 °C 10 °c 20 °C 操作電壓 50 V 60 V 50 V 60 V 處理時間 氧化鋁層厚度 240分鐘 60 μιη 300分鐘 60 μιη 240分鐘 60 μιη 300分鐘 60 μιη 有無介質物形成？ 有 有 無 無 金屬導線單元/厚度 銅/35μιη 銅/35μπι 銅/35μπι 銅/35μιη 參考圖式 耐崩潰電壓値 圖2 圖9 - - 4000 V 4000 V 無法量測 無法量測 散熱係數 131 W/m · K 131 W/m · Κ 無法量測 無法量測 比較例1、2與實施例1、2的差異僅在於比較例1、2 所使用之電鍍液中，未含有金屬鹽。而在夠長的處理時間 下，該兩實施例皆形成出具有實質厚度之介質物；然，該 兩比較例之經陽極處理的鋁基板上則無介質物，使得金屬 導線單元無從附著，更無法進而形成一鋁基電路板，於是 耐崩潰電壓値與散熱係數也就無法量測。 反觀實施例1、2，其等所形成出之介質物4使得該金 11 201101946 屬導線單元6能穩固地間接附著於該氧化鋁層3上，不易 脫落’並使得該等實施例之鋁基電路板的耐崩潰電壓値與 散熱係數展現了優異的量測結果’因而證實本發明銘基電 路板中的介質物4確實有助於增進該金屬導線單元6的附 著性’進而使本發明鋁基電路板具耐高電壓、傳熱快等優 異的功效。 綜上所述’本發明銘基電路板是採用可與銅或銀等金 屬導線之普遍材質具有良好附著性的金屬，亦即擇自於錄 、銅、鈷、鐵、銀、鋅、錫、鉬，或其等之一組合，來作 為銜接該氧化鋁層與金屬導線單元間的介質物，以取代習 用之接著性差且易導致漏電現象的樹脂或膠體，如此不但 使付該金屬導線單元容易形成在該本體單元上，而且也不 易脫落，同時該介質物的存在亦有助於提高本發明的傳熱 效果。 另外’由於該介質物是藉由該陽極處理而被同步地形 成出來’顯示出本發明鋁基電路板之製備方法在操作上具 有簡便、快速之優勢，生產成本亦可隨之降低。由此可見 ，本發明確實可克服習知鋁基電路板之傳熱慢、金屬導線 單元容易脫落、耐崩潰電壓不足等種種問題，並為本業界 提供了一優異的解決方策。 惟以上所述者，僅為本發明之較佳實施例而已，當不 能以此限定本發明實施之範圍，即大凡依本發明申請專利 範圍及發明說明内容所作之簡單的等效變化與修飾，皆仍 屬本發明專利涵蓋之範圍内。 12 201101946 ^ 【圖式簡單說明】 圖1為一剖視圖，說明一f知紹基電路板之結構； 圖2為一剖視圖，說明本發明鋁基電路板之第一較佳 實施例的結構； 圖3、4各為一局部放大剖視圖，以分別觀察並說明圖 2、5中之氧化鋁層3與介質物4間的狀態，其中圖3之介 質物是由分散之介質體41所構成，圖4之介質物為一實質 層體並具有一厚度； 〇 圖5為一剖視圖’說明本發明鋁基電路板之第二較佳 實施例的結構； 圖6、7各為一示意圖，分別說明本發明鋁基電路板之 第三、四較佳實施例在尚未形成出該金屬導線單元時之結 構；以及 圖8、9各為一剖視圖，分別說明本發明鋁基電路板之 第三、四較佳實施例的結構。

13 201101946 【主要元件符號說明】 2 鋁層 41 介質體 3 氧化鋁層 5 本體單元 31 孔隙 51 通孔 4 介質物 6 金屬導線單元 14

Claims (1)

1. 201101946 七、申請專利範圍： 1. 一種鋁基電路板，包含： 一本體單元，其包括一銘層、一形成於該銘層上之 氧化紹層’與一形成於該氧化鋁層上之介質物，且該介 質物之材質是擇自於鎳、銅、鈷、鐵、銀、鋅、錫、鉬 ’或此等之一組合；以及 一金屬導線單元’其是與該介質物銜接地形成於該 本體单元上。 〇 2·依據申請專利範圍第J項所述之鋁基電路板，其中，該 介質物是由複數分散地形成於該氧化鋁層上的介質體所 構成。 3. 依據申請專利範圍第1項所述之鋁基電路板，其中，該 介質物是一位於該氧化鋁層與金屬導線單元之間的層體 σ 4. 依據申請專利範圍第丨項所述之銘基電路板，其中，該 金屬導線單元之材質是選用鋁、金、鎳、銅、鈷、鐵、 〇 銀、辞、踢、銷，或此等之一組合。 5. 依據申請專利範圍帛1項所述之銘基電路板，其中，該 本體單兀是形成有複數通孔，該氧化鋁層則是包覆該鋁 層，而該導電單元則是貫穿且封閉該等通孔並形成於該 本體單元之兩相反表面上。 6. 依據申請專利範圍帛！項所述之㈣電路板，其中，該 本體單元之氧化鋁層的厚度是介於1〇 μιη〜3〇〇 μιη(^ 15 201101946 7·依據申請專利範圍第1項所述之鋁基電路板，其中，該 金屬導線單元是呈一預定之線路圖樣。 8· 一種如申請專利範圍第1項所述之鋁基電路板的製備方 法’包含： (a) 配製一電鍍液’内含有水與1〇 wt%〜50 wt%的酸 、0·01 wt%〜0·05 wt%的界面活性劑，與〇.5 wt %〜1 wt%的金屬鹽；其中，該酸是擇自於硫酸、 草酸、酒石酸、磺基水楊酸、順丁烯二酸、乳酸 、磷酸，或此等之一組合，該界面活性劑是擇自 於山梨醇、磺酸鈉、硝酸 '檸檬酸、酒石酸鉀鈉 ’或此等之一組合，該金屬鹽則是擇自於鎳鹽、 鋼鹽、始鹽、鐵鹽、銀鹽、錫鹽、鉬鹽，或此等 之一組合； (b) 使一铭基板之待處理的一表面浸覆於該電鍍液中 以進行一陽極處理，而使該鋁基板轉化成一本體 單元，其具有一鋁層、一形成於該鋁層上之氧化 紹層，與一形成於該氧化鋁層上且材質是擇自於 鎳、銅、鈷、鐵、銀、辞、錫'鉬或此等之—組 合的介質物；及 (c) 使該本體單元上形成一銜接於該介質物之金屬導 線單元’而獲得一如申請專利範圍第1項所述之 鋁基電路板。 .依據申請專利範圍第8項所述之鋁基電路板的製備方法 ，其中，該步驟（a)之電鍍液内的金屬鹽，是擇自於鋼醆 16 201101946 、鐵鹽、鉬鹽，或此等之一組合。 10. 依據申請專利範圍第8項所述之鋁基電路板的製備方法 ’其中，該步驟（b)之鋁基板是具有複數通孔而完全地浸 覆於該電鍍液中地進行該陽極處理，於進行完畢後，該 等通孔仍是呈開放狀，並供步驟（c)之該金屬導線單元貫 穿且封閉該等通孔地形成在該本體單元之兩相反表面上 〇 11. 依據申請專利範圍第8項所述之鋁基電路板的製備方法 〇 ，其中，該步驟（b)之陽極處理是在〇°C〜40°c下，藉10 V〜250 V的操作電壓而進行。 12 ·依據申請專利範圍第8項所述之銘基電路板的製備方法 / ’其中，該步驟⑷之金屬導線單元是藉由一蒸鍍處理或 __ 一電鍍處理而形成。 13. —種電鍍液，包含： 一溶劑’其是擇自於水、乙醇、乙二醇，或此等之 一組合； 〇 10 Wt%〜50 wt%的酸’其是擇自於硫酸、草酸、 酒石酸、磺基水楊酸、順丁烯二酸、乳酸、磷酸，或此 等之一組合； 0.01 wt%〜0.05 wt%的界面活性劑，其是擇自於山 梨酵、磺酸鈉、硝酸、檸檬酸、酒石酸卸鈉，或此等之 一組合；以及 〇·5 wt°/。〜1 wt%的金屬鹽，其是擇自於鎳鹽、銅鹽 • 、鈷鹽、鐵鹽、銀鹽、錫鹽、鉬鹽，或此等之一組合。 17 201101946 14. 依據申請專利範圍第13項所述之電鍍液，其中，該酸的 含量是介於15 wt%〜40 wt%之間。 15. 依據申請專利範圍第13項所述之電鍍液，其中，該界面 活性劑的含量是介於0.01 wt%〜0.04 wt%之間。 16. 依據申請專利範圍第13項所述之電鍍液，其中，該金屬 鹽的含量是介於0.55 wt%〜0.9 wt%之間。 17. 依據申請專利範圍第13項所述之電鍍液，其中，該金屬 鹽是擇自於銅鹽、鐵鹽、鉬鹽，或此等之一組合。 18