TW201042417A - Low thermal hysteresis bandgap voltage reference - Google Patents
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Description
201042417 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本揭示案係關於參考電壓電路, 雷踗,發 共匕括犯隙參考電壓 電路#中该電路中之兩個電晶體之射極 例之改變可對該參考電塵之穩定性造成不利影響。 【先前技術】 Ο 儘管輸入電壓、溫度及/或其他條件 屋電路可提供—大體域定的輸出電^ 該輸出電壓之穩定性可視兩個電晶體之射極面積之間 的比例之穩定性而定’該等電晶體中之_者可具有大體 大於另者之射極面積。然而,彼比 械應力影響,該等應力仙溫度改變而不均^"强^ 該等電晶體之不同部分上。此在該參考電壓電路係於單 一晶片上時尤爲真切。 ▲已進行努力以補償熱遲滞之該等不利影響。舉例而 吕,使具有冑小射極面積之電晶體位於個別電晶體之一 群^的中d ”個別電晶體共同充當具有較大射 極面積之電晶體。然而,由於某些類型之應力,此方法 可能無法解决問題。 【發明内容】 單晶片上之一電路可經組態以産生一大體上恆定 4 201042417 的參考電壓。該電路可包括個別電晶體之一第一群組及 一第二群組之一排列。個別電晶體之該第一群組在該電 路中可共同充當具有一第一射極面積之一第一複合電晶 體’該第一射極面積等於個別電晶體之該第一群組的射 極之組合面積。個別電晶體之該第二群組在該電路中可 共同充當具有一第二射極面積之一第二複合電晶體,該 第二射極面積等於個別電晶體之該第二群組的射極之組 合面積。該第二射極面積可大於該第一射極面積。該恆 定參考電壓之穩定性可視該第一射極面積與該第二射極 面積之間的比例之穩定性而定。個別電晶體之該第一群 組可不在個別電晶體之該第二群組之一排列的中心處。 該怪定參考電壓因熱遲滯而產生的變化在攝氏度 之溫度範圍内可小於百萬分之200。 此等以及其他元件、步驟、特徵結構、目的 '利益及 優點現將由以下【實施方式】、隨附圖式及申請專利範圍 ◎ 之回顧可更加明白。 【實施方式】 現論述說明性實施例。可使用其他實施例作爲添加< 替代。顯而易見或不必要之細節可能被省略以節約空間 或更有效的呈現。相反地,某些實施例可在不具備所揭 示之所有細節的情况下實施。 儘管輸入電壓、溫度及/或其他參數改變,但是參考電 201042417 壓可提供一大體上恆定的輸出電壓。 該輸出電麼之穩定性可視兩個電晶 的比例之穩定性而定,該等電晶體中之積之間 上大於另一者之射極面積。然而,彼比例可’、有大體 械應力影響,該等應力伤μ山由 又…遲滯-機 a涊寺應力係藉由溫度改變不均句 該等射極面積之不同部分—加於 认话H 此在該參考電壓電路係含 於單一日日片上時尤爲真切。 、 ❹
第1圖、緣示使用布羅考(Brokaw)單 電壓電路。 之月匕隙參考 如第1圖中所繪示’儘管輸入電105變化,但是誃 電路可包括提供-大體域定之輸出電壓iG3的:= 器101。該電路可包括電阻器1〇7、1〇9、⑴及⑴… 電路亦可包括-微分基極至射極電壓產生器電^ 115’該電壓産生器電路可包括—電晶體Q1 及-電晶體Q2。該電晶體Q1亦可充當一基極至射極電 壓産生器(「vBE」)。 電晶體Q1之射極面積可大體上小於電晶體Q2之射極 面積。輸出電壓103之穩定性可視此等兩個射極面積之 間的比例之穩定性而定。 電曰曰體Q2可爲一複合電晶體,該複合電晶體由個別電 晶體之.一群組組成。組成複合電晶體Q2之個別電晶體之 群組中的射極之組合面積的射極面積與電晶體Q1之射 極面積之間的比例可指示於一示意圖上。第i圖中繪示 此之一實例。第i圖藉由複合電晶體Q2旁之「8」及電 201042417 晶體Q1旁之「1」來圖示8:1之比例。在該組態中,個 另J Q1電日日體可稱爲lxAVBE電晶體且複合電晶體Q2可 稱爲N><Avbe電晶體’其中n表不此比例中之分子。 如大體上與參考電壓相關之上文所示,輸出電壓1〇3 之穩疋丨生可視電晶體Q1之射極面積與複合電晶體Q2之 組合射極面積之間的比例之穩定性而定。亦如上文所指 不,彼比例可受熱遲滯-機械應力影響,該等應力係藉由 溫度改變不均勻地强加於包含此等電晶體之射極面積之 不同部分上。此在該參考電壓電路係於單—晶片上時尤 爲真切。 第2圖繪示一先前技術的個別電晶體之—維排列,其 中個別Qi電晶體在-能隙參考電路中之爲1xAVbe,個 別Q2電晶體之一群組在肖能隙參考t路中冑 且該個別Q1電晶體係位於個別Q2電晶體之該群組内之 中心處。 Ο 若機械應力之梯度沿X方向爲線性的,則第2圖中之 電曰曰體Q1及Q2之組態可有助於降低輸出電壓⑻之熱 遲滯,以使得外加於Q1及Q2上之平均應力幾乎相等。 然而,若該梯度存在一非線性分量,以使得上之平均 應力與Q2上之平均應力不同’則Q1之射極面積與的 之射極面積之間的比例可改變,因此對輸出電壓1〇3之 穩定性造成不利影響。 第3圖圖示—先前技術的個別電晶體之二維排列,其 中在-能隙參考電路中個別Q1電晶 x厶vbe ,在該 7 201042417 月b隙參考電路中個另,j q2電晶體之一群組爲,且 該個別Q1電晶體係位於個別92電晶體之該群組内之中 心處。 與第2圖中所繪示之組態相比而言,當該應力梯度存 在一非線性分量時,第3圖中所繪示之組態可藉由减小 給疋數目之電晶體之陣列的總寬度或總長度而有助於補 償。然而,第3圖中所繪示之組態可能需要該應力梯度 爲70全線性的及/或在X及Y方向皆以Q1電晶體爲中 〇 心。此等條件可能並不總是存在。當此等條件不存在時, 可能對輸出電壓造成不利影響。 第4圖綠示一參考電壓中之個別電晶體之二維排列, 其中個別Q1電晶體之一較小群組不在個別Q2電晶體之 一較大群組之中心處。 第4圖_所繪示之個別電晶體之排列可用於第1圖中 所緣示之Q1及Q2或用於任何其他參考電壓電路中。第 〇 4圖中所繪示之排列與第2圖及第3圖中所繪示之排列 之根本不同之處在於:具有較小射極面積之電晶體Q1 不在具有較大射極面積之複合電晶體Q2之排列的中心 處。另一不同之處在於:具有較小射極面積之電晶體Q1 現亦爲一複合電晶體,該複合電晶體由若干個別電晶體 之組合形成。該複合電晶體Q1可稱爲Μχ裝置,其中組 成複合電晶體Q2及Q 1之個別電晶體之數目的比例經表 示爲Ν:Μ。 第4圖中所繪示之個別電晶體之排列可具有一或多個 8 201042417 額外特徵。舉例而言’所有該等個別電晶體可具有大體 上相同的射極面積及/或可爲大體上相同。個別Q2電晶 體之群組的數目可爲個別Q1電晶體之群組的數目的至 少六倍。個別電晶體之數目可爲一整數的四倍。個別 Q1電晶體之每一相鄰對可由該等個別Q2電晶體中之— 或多者分離。該等個別Q1及Q2電晶體之二維排列之周 邊的形狀可近似爲橢圓形、圓形、矩形、三角形、正方 形或關於兩個垂直轴大體上對稱的任何其他形狀,該兩 Ο 個垂直轴位於該排列之平面内。該等個別Q i電晶體可圍 繞該等個別Q 2電晶體對稱地排列。組成複合q1電晶體 及/或複合Q2電晶體之個別電晶體之群組可具有一共同 的幾何中心。該等個別電晶體之該二維排列可大體上位 於單一晶片上之中心處,如在第4圖中由虛交又線所圖 示。第4圖中所圖示之該排列可導致輸出參考電壓之熱 遲滯小於在個別Q1電晶體位於個別Q2電晶體之排列中 Q 心處的情况下將會産生之輸出參考電壓之熱遲滯。 在第4圖中,個別Q2電晶體與個別Q1電晶體之比例 爲25:4。該比例可爲不同的,諸如50:8、26:4、25:8、 26:8、50:4或任何其他大於1之比例。 第5圖繪示一參考電壓中之個別電晶體之二維排列, 其中個別Q1電晶體之一較小群組並不在個別Q2電晶體 之一較大群組之中心處,且其中個別Q2電晶體與個別 Q1電晶體之比例及個別Q1電晶體之數目大於第4圖中 之比例及數目。 9 201042417 如第5圖中所繪示’個別Q2電晶體與個別q 1電晶體 之比例爲8 1:12。§亥比例爲比第4圖中所繪·示之比例更大 的比例。該等個別Q1電晶體之數目亦爲大體上更大。此 等差異皆可改良輸出參考電壓之穩定性。除此等差異異 之外’上文結合第4圖中之該等個別Q1及Q2電晶體所 論述之所有規格、考慮及變化在此可同等地適用。舉例 而吕’可使用用於複合電晶體Q2及Q1之該等個別電晶 體之間的不同比例以及用於每一複合電晶體之個別電晶 體之不同數目。 第6圖續·示使用多布金(Dobkin )架構之一能隙參考。 如第6圖中所繪示,儘管輸入電壓605改變,但是該能 隙參考可包括提供一大體上恆定之輸出電壓603的一放 大器601。該電路可包括電阻器607、609、611及613。 該電路亦可包括一 △Vbe產生器615,該△ VBE産生器可 包括一電晶體Q1及一電晶體Q2。一第三電晶體Q3可 充當一 Vbe産生器。 上文結合第1圖、第4圖及第5圖中之Qi及Q2所論 述之所有規格、組態及變化亦可分別適用於第6圖中之 Q1及Q2。此外,如同第1圖、第4圖及第5圖中之Q1, 第二電晶體Q3可爲由個別電晶體之一第三群組組態之 一複合電晶體。複合電晶體Q3之集體射極面積可類似地 或可非類似地小於複合電晶體Q1之集體射極面積。輸出 電壓603之穩定性可類似地視複合電晶體Q1、Q2及Q3 之集體射極面積之間的各種比例之穩定性而定。 10 201042417 第7圖繪示一參考電壓中之個別電晶體之二維排列, 其中個別Q1電晶體之—較小群組及個別Q3電晶體之一 較小群組兩者皆不在㈣Q2冑晶體之_較大群版之中 心處。第7圖中所繪示之個別電晶體之排列可用於第6 圖中所緣示之Q卜Q2及⑴電晶體或用於任何其他參考 電壓電路中。
,第7圖中所繪示’該等個別Q3電晶體可類似地不在 / 4個別Q2電晶體之排列的中心處。該等個別Q3電晶 體亦可適用上文結合第4圖及第5圖中之該等個別Μ 電晶體所論述之所有規格、組態及變化。舉例而言,所 有該等個別電晶體可具有大體上相同的射極面積及/或 可爲大體上相同。個別Q3電晶體之數目以及個別電 晶體之數目與㈣Q2電晶體之數目之間的比例亦可變 化。個別Q3電晶體之數目與個別Q1電晶體之數目之間 的比例亦可變化。此外’如第7圖中所圖示,該等個別 Q3電晶體可圍繞該等個別q2電晶體對稱地排列,且個 別電晶體之所有三個群組可具有一共同的幾何中心。該 等個別Ql、Q2及Q3電晶體之二維排列之周邊的形狀可 近似爲橢圓形、圓形、矩形、三角形、正方形或關於兩 個垂直軸大體上對稱的任何其他形狀,該兩個垂直軸位 於該排列之平面内。該等個別電晶體之該二維排列可大 體上位於單一晶片上之中心處,如在第7圖中由虛交叉 線所圖示。此外,如第4圖及第5圖中所繪示之該等排 列,第7圖中所繪示之該等個別電晶體之排列可導致參 201042417 考電壓輸出之執遲、 m “,、遲滯小於在個別Q3電晶體之該群組位 於個別Q2電晶挪a 曰體之該群組之排列中心處的情况下將會 産生的參考電壓輪出之熱遲滯。 第8圖繪示—灸去恭丄 参考電壓中之個別電晶體之一維排列, 其中個別Ql雷曰挪 电曰曰體之一較小群組並不在個別Q2電晶體 之較大群組之中心處。除了在該等個別Q1及Q2電晶 體之排列形狀方面的差異之外,第8圖中之該等個別Q1 * Q2電曰曰體可適用上文結合其他個別q ^及電晶體 實施例所論述之所有相同規格、組態及變化。 第8圖中所繪示之組態以及已論述之Q1及Q2之所有 其他組態可結合一參考電壓使用,其中該參考電壓在攝 氏40、80或120度之溫度範圍内因熱遲滞產生之變化小 於百萬分之200。該參考電壓亦可在此等溫度範圍之一 者内變化小於百萬分之1 〇〇或小於百萬分之5〇。 該等Q1及Q2電晶體亦可彼此偏移。舉例而言,第9 〇 圖綠不一參考電壓中之個別電晶體之二維排列,其中個 別Q1電晶體之一較小群組並不在個別q2電晶體之一較 大群組之中心處’且其中在Q1電晶體與Q2電晶體之間 存在一偏移。第10圖繪示一參考電壓中之個別電晶體之 二維排列,其中個別Q 1電晶體之一較小群組在個別Q2 電晶體之一較大群組之間但並非在其中心處,且其中在 Q1電晶體與Q2電晶體之間存在一偏移。第11圖繪示一 參考電壓中之個別電晶體之二維排列,其中個別q 1電晶 體之一較小群組圍繞個別Q2電晶體之一較大群組且並 12 201042417 非在其中心處’且其中在Ql電晶體與Q2電晶體之間存 在一偏移。 已論述之元件、步驟、特徵結構、目的、利益及優點 僅爲說明性的。其以及關於其之論述並不意欲以任何方 式限制保護之範疇。本發明亦涵蓋諸多其他實施例。此 等實施例包括具有較少、額外及/或不同元件、步驟、特 徵結構、目的、利益及優點之實施例。此等實施例亦包
括其中該等元件及/或步驟經不同地排列及/或排序之實 施例。 舉例而言,可在除了圍繞個別電晶體之該排列之周邊 之外或與其不同的位置處(諸如在該排列之内部)分配 該等個別Q1及Q3 (在出現時)電晶體。當個別電晶體 之排列具有轉角時,個別Q1及q3 (在出現時)電晶體 可經定位於此等轉角處。該等個別Q1及Q3 (在出現時) 電晶體中之一或多者可經置放於該晶片之中心内。 每一個別電晶體之射極尺寸以及每一電晶體之構迭及 類型可變化。舉例而言,可使用PNP電晶體及/或其他類 型之電晶體作爲已圖示之NPN電晶體之添加或替代。 可使用電晶體、該電路中之其他裝置及/或其他電路之 間的不同類型之選路金屬。 可使用其他類型之參考電壓電路作爲添加或替代。舉 例而言,可使用維德拉(Widlar )電池能隙電路。 各種排列之長度與寬度之間的比例可爲不同。舉例而 言,該排列可比第4圖、第5圖及第7圖中所的排 13 201042417 列更窄、更寬或甚至爲正方形。 電晶體Q1、Q2及Q3可能並不全部爲相同類型之電晶 體。或者,該總陣列可分成實體上不同的區(即實體分 離)’諸如四個正方形,每一者在晶片之每一轉角處。另 外,每一個別區可具有一先前類型(諸如第2圖或第3
圖)’但在將其視爲—整體時,其呈現以下特徵··聚合M X裝置並不在聚合Nx裝置之中心處。或者,裝置 可能不是雙極裝置,而是可隨溫度産生一可預測電壓之 ^ 任何種類的裝置’諸如可産生AH m〇sfet或可産 生AVd之任何種類之二極體。或者,該電路可用作一參 考電流而非-參考電壓,以使得該參考電壓經緩衝且經 驅入已知電阻中以形成I=Vref/R,或以使得一與溫度 成比例改變之電流得以與—與溫度成反比例改變之電流 (諸如可由VBE/R産生)組合’以形成在本質上與溫度 恆定的一電流。 ο ❺非另作說明,否則本說明書中(包括隨後之申請專 利範圍中)所闊述之所有量測、值、額定值、位置、量 值尺寸及其他規格爲近似的、非精確的。其意欲具有 -合理的範圍’該範圍與其相關之功能相符且與此項技 術中與其有關之習慣相符。 本揭示案中已引用之所有論文、專利、專利申請案及 其他公開案在此以引用之方式併入本文。 在申請專利範圍中使用措辭「用於…之構件」(「means 時其意欲且應解釋爲涵蓋已描述之相應結構及 201042417 材料及其均等物。類似地,在中請專利範圍中使用措辭 「用於…之步驟」(「stepfor」)時,其涵蓋已描述之相應 ^作及其均等動作。無此等措辭意謂中請專利範圍並非 意欲且不應解釋爲限於相應結構、材料或動作或其均等 物中之任一者。 已陳述或說明之任何内容並非意欲或不應解釋爲引起 任何元件、步驟、特徵結構、目的、利益、優點或均等 物專用於公衆’不管其是否在中請專利範圍中被敎述。 保護之範嗜僅受以下申請專利範圍限制。在根據本說 明書及後續之中請歷程(pr()secuti()n心㈣)解釋時, 彼範疇意欲且應解釋爲與申請專利範圍十所使用之語言 之-般意義相符-般廣泛’且應解釋爲涵蓋所有結構及 功能均等物。 【圖式簡單說明】 ❹ ㈣式揭示1^明性實施仓卜該等圖式並未闌述所有實 施例。可使用其他實施例作爲添加或替代。可省略可能 顯而易見或不必要之細節以節約空間或爲了更有效的說 月相反地,可在無需所揭不之所有細節的情况下實施 二實施例在不同圖式中出現相同元件符號時,其意 欲指相同或類似元件或步驟。 第1圖圖讀料羅考(歸aw)電池之—能隙參考 電壓電路。 15 201042417 圖圖示先前技術的個別電晶體之一維排列,其 :在一能隙參考電路中個別Q1電晶體爲ΐχΛνΒΕ,在該 此隙參考電路中個別Q2電晶體之一群組爲ΝχΛνΒΕ,且 該個別Q1電晶體係位於個別Q2電晶體之該群組内之中 處。 第3圖圖示_先前技術的個別電晶體之二維排列,其 中在一能隙參考電路中個別Q1電晶體爲1 xAVBE,在該 b隙 > 考電路中個別Q2電晶體之-群組爲ΝχΛνΒΕ,且 該個別Q1電晶體係位於個別Q2電晶體之該群組内之中 心處0 第4圖圖示一參考電壓中之個別電晶體之二維排列, ”中個别Q1電晶體之一較小群組不在個別Q2電晶體之 • 一較大群組之中心處。 第5圖圖示—參考電壓中之個別電晶體之二維排列, 八中個別Q1電晶體之一較小群組不在個別Q2電晶體之 〇 -較大群組之中心處’且其中個別Q1電晶體之數目大體 上大於第4圖中之數目。 第6圖圖示使用多布金(D〇bkin)架構之一能隙參考。 第7圖圖示一參考電壓中之個別電晶體之二維排列, 八中個別Q1電晶體之一較小群組及個別q3電晶體之— 較小群組兩者皆不在個別Q2電晶體之一較大群組之中 心處0 第8圖圖示一參考電壓中之個別電晶體之-維排列, 其中個別Q1電晶體之一較小群組不在個別Q2電晶體之 16 201042417 一較大群組之中心處。 第9圖圖示一參考電壓中之個別電晶體之二維排列’ 其中個別Q1電晶體之一較小群組不在個別Q2電晶體之 較大群組之中心處’且其中在Q1電晶體與Q2電晶體 之間存在一偏移。 第1 0圖圖示一參考電壓中之個別電晶體之二維排 列’其中個別Q1電晶體之一較小群組在個別Q2電晶體 之一較大群組之間但非在其中心處,且其中在q丨電晶體 Ο 與Q2電晶體之間存在一偏移。 第11圖圖示一參考電壓中之個別電晶體之二雉排 列’其中個別Q1電晶體之一較小群組圍繞個別Q2電晶 體之一較大群組且並非在其中心處,且其中在Q1電晶體 與Q2電晶體之間存在一偏移。 【主要元件符號說明】 〇 101放大器 輸出電壓 105 輸入電壓 107、109、111、113 電阻器 H5 微分基極至射極電壓産生器電路(「ΛνΒΕ」) 6〇1 放大器 605 輸入電壓 607、609、611、613 電阻器 17 201042417 615 △ VBE産生器 Ql 電晶體 Q2 電晶體 Q3 第三電晶體
18
Claims (1)
- 201042417 七、申請專利範圍: 1. 一種參考電壓,其包含: 一電路,其位於一單晶片上,該電路經組態以産生—大 體上恆疋的參考電壓,該電路包括個別電晶體之一第— 群組及一第二群組的一個二維排列,該二維排列經組態 以使得: " 個別電晶體之該第一群組在該電路中共同充當具有 一第一射極面積之一第一複合電晶體,該第—射極面積 Ο 等於個別電晶體之該第一群組的射極之組合面積;及 個別電晶體之該第二群組在該電路中共同充當具有 一第二射極面積之一第二複合電晶體,該第二射極面積 等於個別電晶體之該第二群組的射極之組合面積且大於 該第一射極面積, 其中: 該電路經組態以使得該恆定參考電壓之穩定性視該 Q 第一射極面積與該第二射極面積之間的比例之穩定性而 定;及 個別電晶體之該第一群組不在個別電晶體之該第二 群組之一排列的中心處。 2. 如申請專利範圍第1項之參考電壓,其中該二維排列 包括個別電晶體之一第三群組,該二維排列經組態以使 得個別電晶體之該第三群組在該電路中共同充當具有一 第三射極面積之一第三複合電晶體,該第三射極面積等 19 201042417 於個別電晶體之該第三群組的射極之組合面積,其中: 該電路經組態以使得該恆定參考電壓之該穩定性視該第 三射極面積與該第二射極面積之間的比例之穩定性而 定;及 個別電晶體之該第三群組不在個別電晶體之該第二群組 之一排列的中心處。 3. —種參考電壓,其包含: 一電路,其位於一單一晶片上,該電路經組態以產生— 大體上恆定的參考電壓’該電路包括個別電晶體之一第 一群組及一第二群組之一排列,該排列經組態以使得: 個別電晶體之該第一群組在該電路中共同充當具有 一第一射極面積之一第一複合電晶體,該第一射極面積 等於個別電晶體之該第一群組的射極之組合面積;及 個別電晶體之該第一群組在該電路中共同充當目有 一第二射極面積之一第二複合電晶體,該第二射極面積 等於個別電晶體之該第二群組的射極之組合面積且大於 該第一射極面積, 其中: 該電路經組態以使得該恆定參考電壓之穩定性視該 第一射極面積與該第二射極面積之間的比例之穩定性而 定; 個別電晶體之该第一群組不在個別電晶體之該第二 群組之一排列的中心處;及 20 201042417 該恆定參考電壓因熱遲滯而產生的變化在一攝氏40 度之溫度範圍内小於百萬分之2〇〇。 4.如申請專利範圍第1項或第3項之參考電壓,其中所 有該等個別電晶體具有大體上相同的射極面積。 5. 如申請專利範圍第4項之參考電壓;,其中所有該等個 別電晶體大體上爲相同。 6. 如申請專利範圍第4項之參考電壓,其中該第二群組 之該等個別電晶體數量爲該第一群組中之該等個別電晶 體之數量的至少六倍。 7.如申請專利範圍第丨項或第3項之參考電壓,其中該第一群組中之該等個別電晶體之該數量爲—整數的四 倍。 8.如申請專利範圍第丨項或第3項之參考電壓,其中該 第一群組中之該等個別電晶體之每_相鄰對係藉由該第Λ 二群組中之該等個別電晶體中之一或多者分離。Λ 9·如申請專利範圍第2項之參考電壓 ^ 第一群組 2第二群組中之該等個別電晶體之每一相鄰對係藉由 群組中之該等個別電晶體中之-或多者分離。 21 201042417 ίο.如申請專利範圍第丨項或第3項之參考電壓,其中該 等個別電晶體之該二維排列之周邊近似爲橢圓形。 11.如申請專利範圍第1項或第3項之參考電壓,其中個 別電晶體之該第一群組係圍繞個別電晶體之該第二群組 對稱地排列。 〇 I2·如申請專利範圍第11項之參考電壓,其中個別電晶 體之該第一群組及該第二群組具有一共同的幾何中心。 13.如申請專利範圍第2項之參考電壓,其中個別電晶體 之該第一群組及該第三群組係圍繞個別電晶體之該第二 群組對稱地排列。 ❹ I4·如申請專利範圍第13項之參考電壓,其中個別電晶 體之該第一群組、該第二群組及該第三群組具有一共同 的幾何中心。 15 ·如申請專利範圍第1項或第3項之參考電壓,其中個 別電晶體之該排列大體上位於該單一晶片上的中心處。 16.如申請專利範圍第1項或第3項之參考電壓,其中該 電路包括一能隙參考電壓電路。 22 201042417 17. 如申請專利範圍第16項之參考電壓,其中該能隙參 考電路包括:一微分基極至射極電壓産生器,其包括該 第一及該第二複合電晶體;及一基極至射極電壓産生 器,其包括該第一複合電晶體。 18. 如申請專利範圍第2項之參考電壓,其中該電路包括 一能隙參考電壓電路,且該能隙參考電路包括:一微分 基極至射極電壓產生器,該微分基極至射極電壓產生器 包括該第一複合電晶體及該第二複合電晶體;及一基極 至射極電壓産生器,該基極至射極電壓産生器包括該第 三複合電晶體。 19. 如申請專利範圍第i項或第3項之參考電壓,其中個 別電晶體之該第一群組及該第二群組之該排列導致該參 考電壓中之該熱遲滯小於在個別電晶體之該第一群組位 於個別電晶體之該第二群組之一排列的中心處的情况下 將會産生的該參考電壓中之熱遲滯。 20. 如申請專利範圍第2項之參考電壓,其中個別電晶體 之該第一群組、該第二群組及該第三群組之該排列導致 該參考電壓中之該熱遲滯小於在個別電晶體之該第一群 組及該第三群組位於個別電晶體之該第二群組之一排列 的中心處的情况下將會產生的該參考電壓中之熱遲滯。 23 201042417 21. 如申請專利範圍第3項之參考電壓,其中該恆定參考 電壓因熱遲滯而產生的變化在一攝氏80度之溫度範圍 内小於百萬分之200。 22. 如申請專利範圍第3項之參考電壓,其中該恆定參考 電壓因熱遲滯而產生的變化在一攝氏120度之溫度範圍 内小於百萬分之200。 ❹24
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