JP2016070829A - ホールセンサ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】二対の端子においては、一対の端子間に流すホール素子制御電流1と、他の一対の端子間に流すホール素子制御電流2とがベクトルとして交わっており、前記ホール素子は前記ホール素子制御電流1と前記ホール素子制御電流2とのベクトル和に沿った直線に関し線対称な形状を有し、発熱源となる素子は前記ホール素子制御電流1と前記ホール素子制御電流2とのベクトル和に沿った直線上に発熱源の中心が位置していることを特徴とするホールセンサとする。
【選択図】図1
Description
VH=μB(W/L)Vdd
とあらわすことができる。印加磁場Bに比例する係数が磁気感度となるので、このホール素子の磁気感度Khは、
Kh=μ(W/L)Vdd
と表される。
図7はスピニングカレントによるオフセットキャンセル回路の原理を示す回路図である。ホール素子10は対称的な形状で、1対の入力端子に制御電流を流し、他の1対の出力端子から出力電圧を得るために、4端子T1、T2、T3、T4を有している。ホール素子の一方の一対の端子T1、T2が制御電流入力端子となる場合、他方の一対の端子T3、T4がホール電圧出力端子となる。このとき、入力端子に電圧Vinを印加すると、出力端子には出力電圧Vh+Vosが発生する。ここでVhはホール素子が発生する磁場に比例したホール電圧、Vosはオフセット電圧を示している。次に、T3、T4を制御電流出力端子、T1、T2をホール電圧出力端子として、T3、T4間に入力電圧Vinを印加すると、出力端子には電圧−Vh+Vosが発生する。S1〜S4はセンサー端子切替手段であり、切替信号発生器11によりN1あるいはN2の端子が選択される。
ホール素子は、図8に示す等価回路で表される。即ち、ホール素子は、4つの端子を、4つの抵抗R1、R2、R3、R4で接続したブリッジ回路として表わすことが可能である。前記のとおり2方向に電流を流したときの出力電圧を減算することによりオフセット電圧をキャンセルすることをこのモデルにより説明する。
Vouta = (R2*R4-R1*R3)/(R1+R4)/(R2+R3)*Vin
が出力される。一方、端子T3、T4に電圧Vinを印加すると、T1、T2にはホール電圧
Voutb = (R1*R3-R2*R4)/(R3+R4)/(R1+R2)*Vin
が出力される。
Vouta-Voutb = (R1-R3)*(R2-R4)*(R2*R4-R1*R3)/(R1+R4)/(R2+R3)/(R3+R4)/(R1+R2)*Vin
となる。したがって、オフセット電圧は各々の等価回路の抵抗R1、R2、R3、R4が異なる場合でもR1=R3あるいはR2=R4であればオフセットをキャンセルすることができる。この場合、電圧を印加する端子を変えても各抵抗値は変化しないことを前提としている。しかし、この前提を満たさない場合、例えば一方向においてR1=R3とした場合でも、他方向においてこの関係を満たすことができなくなった場合、前記の差分をゼロとすることができないため、オフセットをキャンセルすることができなくなる。電圧の印加方向によりオフセットキャンセルができなくなる原因のひとつについて、さらに具体的に説明する。
半導体基板上に設けられたホール素子と、
前記ホール素子の周囲に設けられた発熱源となる素子と、
前記ホール素子に配置された、制御電流入力端子及びホール電圧出力端子を兼ねる二対の端子と、を有し、
前記二対の端子においては、一対の端子間に流すホール素子制御電流1と、他の一対の端子間に流すホール素子制御電流2とがベクトルとして交わっており、
前記ホール素子は前記ホール素子制御電流1と前記ホール素子制御電流2とのベクトル和に沿った直線に関し線対称な形状を有し、
前記発熱源となる素子は前記ホール素子制御電流1と前記ホール素子制御電流2とのベクトル和に沿った直線上に発熱源の中心が位置していることを特徴とするホールセンサである。
まず、ホール素子の形状について説明する。図1に示すようにホール素子120は半導体基板上に正方形のN型不純物領域121からなる磁気感受部と正方形の磁気感受部の各頂点に配置された同一形状のN型高濃度不純物領域の制御電流入力端子及びホール電圧出力端子11A,11B,11C,11Dを有する。上記形態のホール素子120にすることにより、対称性をもつ、ホール素子となる。
ホール素子はスピニングカレント法による2方向のホール素子制御電流JS1及びJS2のベクトル和に沿った直線に関し線対称となる形状を有することが好ましい。
図1のホール素子120のN型高濃度不純物領域の制御電流端子及びホール電圧出力端子110A、110B、110C、110Dは、それぞれ図7のT1、T3、T2、T4に接続される。図8の等価回路を用いると、ここでは室温で温度勾配がない場合はR2=R4が成り立っているとする。このためスピニングカレントによりオフセットをキャンセルすることが可能であることになる。次に、各抵抗の温度が異なっていたり温度勾配があったりすると、各抵抗値は異なってしまう。即ち、R2はR2′となり、R4はR4′となるとする。温度勾配があれば一般にはR2′≠R4′となってしまう。なお、ここで、R1≠R3であり、温度勾配が生じてもR1′≠R3′である。
Vouta = (R2*R4-R1*R3)/(R1+R4)/(R2+R3)*Vin
が出力される。一方、端子T3、T4に電圧Vinを印加すると、電流JS2が流れ、T1、T2にはホール電圧
Voutb = (R1*R3-R2*R4)/(R3+R4)/(R1+R2)*Vin
が出力される。
Vouta-Voutb = (R1-R3)*(R2-R4)*(R2*R4-R1*R3)/(R1+R4)/(R2+R3)/(R3+R4)/(R1+R2)*Vin
しかし、温度勾配が生ずると、抵抗値は異なってしまい、R2はR2′となり、R4はR4′となる。そのため、出力電圧の差は以下の式で表される値となり、ゼロとすることはできなくなる。
Vouta′-Voutb′ = (R1′-R3′)*(R2′-R4′)*(R2′*R4′-R1′*R3′)/(R1′+R4′)/(R2′+R3′)/
(R3′+R4′)/(R1′+R2′)*Vin
しかし、ホール素子と発熱源の位置関係を図1のようにスピニングカレント法による2方向のホール素子制御電流JS1及びJS2のベクトル和VC1の延長線上に発熱源130の中心を合わせることにより、抵抗R2、R4は発熱の影響を受けてR2′、R4′となっても、2方向のホール素子制御電流JS1及びJS2のベクトル和VC1に沿った直線に対し、対称に配置されているので、同じ温度勾配のもとにあることとなり、R2=R4の関係を維持したまま、R2′=R4′となることが可能である。
したがって、出力電圧の差をとると
Vout=Vouta′-Voutb′=0
となり、スピニングカレントによるオフセット電圧が除去可能となる。
ホール素子はスピニングカレント法による2方向のホール素子制御電流JS1及びJS2のベクトル和を通る直線に沿って線対称となる形状を有することが好ましい。
ホール素子はスピニングカレント法による2方向の電流JS1及びJS2のベクトル和を通る直線に沿って線対称となる形状を有することが好ましい。
110 N型高濃度不純物領域
121 N型不純物領域
130、130A、130B ホール素子駆動回路発熱源
11A、11B、11C、11D ホール電圧出力端子及び制御電流入力端子
2、12 電源
3、13 電圧計
11 切替信号発生器
S1、S2、S3、S4 センサー端子切替手段
T1、T2、T3、T4 端子
R1、R2、R3、R4 抵抗
JS1,JS2 ホール素子制御電流
VC1 ホール素子制御電流ベクトル和
Claims (3)
- 半導体基板上に設けられたホール素子と、
前記ホール素子の周囲に設けられた発熱源となる素子と、
前記ホール素子に配置された、制御電流入力端子及びホール電圧出力端子を兼ねる二対の端子と、を有し、
前記二対の端子においては、一対の端子間に流す第1のホール素子制御電流と、他の一対の端子間に流す第2のホール素子制御電流とがベクトルとして交わっており、
前記ホール素子は、前記第1のホール素子制御電流と前記第2のホール素子制御電流とのベクトル和に沿った直線に関し線対称な形状を有し、
前記発熱源となる素子は、前記第1のホール素子制御電流と前記第2のホール素子制御電流2とのベクトル和に沿った直線上に発熱源の中心が位置していることを特徴とするホールセンサ。 - 前記ホール素子は、正方形もしくは十字型の対称性を有する磁気感受部と、その各頂点及び端部に同一形状のN型高濃度不純物領域の制御電流入力端子及びホール電圧出力端子を有することを特徴とする請求項1記載のホールセンサ。
- スピニングカレントによりオフセット電圧を除去できることを特徴とする請求項1または2に記載のホールセンサ。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2020123687A (ja) * | 2019-01-31 | 2020-08-13 | エイブリック株式会社 | 半導体装置 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3401646B1 (en) * | 2017-05-09 | 2020-04-15 | Melexis Technologies SA | Bridge sensor error check |
DE102018111753A1 (de) * | 2018-05-16 | 2019-11-21 | Infineon Technologies Ag | Konzept zur kompensation einer mechanischen verspannung einer in ein halbleitersubstrat integrierten hallsensorschaltung |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01291181A (ja) * | 1988-05-18 | 1989-11-22 | Mitsubishi Electric Corp | ホール素子の同相電圧除去回路 |
JP2003243646A (ja) * | 2002-02-13 | 2003-08-29 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 複合半導体素子及びその製造方法 |
JP2013201229A (ja) * | 2012-03-23 | 2013-10-03 | Seiko Instruments Inc | ホールセンサ |
JP2014066522A (ja) * | 2012-09-24 | 2014-04-17 | Seiko Instruments Inc | 半導体ホールセンサ |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63151090A (ja) * | 1986-12-16 | 1988-06-23 | Matsushita Electronics Corp | ホ−ル効果半導体装置 |
NL1025089C2 (nl) * | 2003-12-19 | 2005-06-21 | Xensor Integration B V | Magneetveldsensor, drager van een dergelijke magneetveldsensor en een kompas, voorzien van een dergelijke magneetveldsensor. |
DE102007044471A1 (de) * | 2007-09-18 | 2009-04-02 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur abschnittsweisen Bestimmung eines parameterabhängigen Korrekturwertnäherungsverlaufs und Sensoranordnung |
JP5679906B2 (ja) * | 2010-07-05 | 2015-03-04 | セイコーインスツル株式会社 | ホールセンサ |
JP5815986B2 (ja) * | 2010-07-05 | 2015-11-17 | セイコーインスツル株式会社 | ホールセンサ |
US9170307B2 (en) * | 2012-09-26 | 2015-10-27 | Infineon Technologies Ag | Hall sensors and sensing methods |
-
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01291181A (ja) * | 1988-05-18 | 1989-11-22 | Mitsubishi Electric Corp | ホール素子の同相電圧除去回路 |
JP2003243646A (ja) * | 2002-02-13 | 2003-08-29 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 複合半導体素子及びその製造方法 |
JP2013201229A (ja) * | 2012-03-23 | 2013-10-03 | Seiko Instruments Inc | ホールセンサ |
JP2014066522A (ja) * | 2012-09-24 | 2014-04-17 | Seiko Instruments Inc | 半導体ホールセンサ |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020123687A (ja) * | 2019-01-31 | 2020-08-13 | エイブリック株式会社 | 半導体装置 |
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