JP6489840B2 - ホール素子 - Google Patents
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Description
まず、ホール素子の磁気検出原理について説明する。物質中に流れる電流に対して垂直な磁界を印加するとその電流と磁界の双方に対して垂直な方向に電界(ホール電圧)が生じる。
VH=μB(W/L)Vdd
とあらわすことができる。印加磁場Bに比例する係数が磁気感度となるので、このホール素子の磁気感度Khは、
Kh=μ(W/L)Vdd
と表される。
垂直方向磁界と水平方向磁界の両方を検出する場合、多くは横型ホール素子と縦型ホール素子を同一基板(ウェハ)上に別々に形成することにより実現する。
図6はスピニングカレントによるオフセットキャンセル回路の原理を示す回路図である。ホール素子10は対称的な形状で、1対の入力端子に制御電流を流し、他の1対の出力端子から出力電圧を得る4端子T1、T2、T3、T4を有している。ホール素子の一方の一対の端子T1、T2が制御電流入力端子となる場合、他方の一対の端子T3、T4がホール電圧出力端子となる。このとき、入力端子に電圧Vinを印加すると、出力端子には出力電圧Vh+Vosが発生する。ここでVhはホール素子の磁場に比例したホール電圧、Vosはオフセット電圧を示している。次に、T3、T4を制御電流出力端子、T1、T2をホール電圧出力端子として、T3、T4間に入力電圧Vinを印加すると、出力端子に電圧−Vh+Vosが発生する。S1〜S4はセンサ端子切替手段であり、切替信号発生器11によりN1あるいはN2の端子が選択される。
まず、ホール効果を利用して垂直磁界及び水平磁界を検出し、オフセット電圧を低減するように構成されたホール素子において、P型のシリコンからなるP型半導体基板層100と前記P型半導体基板層上に設けられた垂直磁界検出N型不純物領域110と、前記垂直磁界検出N型不純物領域を囲むように配置された8つの水平磁界検出N型不純物領域120、121とを有することを特徴とするホール素子とした。
また、垂直磁界検出制御電流入力端子及び水平磁界ホール電圧出力端子の垂直磁界検出表面N型高濃度不純物領域130は深く形成し、水平磁界検出制御電流入力端子の水平磁界検出表面N型高濃度不純物領域140、141は浅く形成し、水平磁界ホール電圧出力端子の表面N型高濃度不純物領域150は前記水平磁界検出制御電流入力端子の表面N型高濃度不純物領域140、141よりも深く形成することを特徴とするホール素子とした。
図1は本発明に係る実施形態を表すホール素子の平面図である。図2は本発明に係る実施形態を表す図1のA−A断面のホール素子の縦断面構造図である。図3は本発明に係る実施形態を表す図1のB−B断面のホール素子の縦断面構造図である。
図1〜3に示すようにホール素子10はP型半導体基板層100上に正方形の基板(ウェハ)表面に対して垂直磁界成分を検出するN型不純物領域110と垂直磁界検出N型不純物領域110を囲むように配置された8つの水平磁界検出N型不純物領域120A〜D、121A〜Dとを有する。
まず、P型半導体基板層100上に垂直磁界検出N型不純物領域110と、水平磁界検出N型不純物領域120A〜D、121A〜DとなるN型不純物層を形成する。このN型不純物層はエピタキシャル層であることが望ましい。エピタキシャル層を形成する場合、その前に平磁界検出N型不純物領域120A〜D、121A〜Dの下層(Z方向)に埋め込みN型高濃度不純物領域を形成しておくことが好ましい。ただし、エピタキシャル層の形成ではなく、深いNウェルにより垂直磁界検出N型不純物領域110と、水平磁界検出N型不純物領域120A〜D、121A〜DとなるN型不純物領域を形成しても良い。
まず、図1のホール素子10のN型高濃度不純物領域の垂直磁界検出制御電流入力端子130A及び水平磁界検出制御電流入力端子140C、141Cにプラス電圧、N型高濃度不純物領域の垂直磁界検出制御電流入力端子130C及び水平磁界検出制御電流入力端子140A、141Aをグランドに接続させる。このとき、垂直磁界検出N型不純物領域110では垂直磁界検出制御電流入力端子130Aから130Cへ電流が流れる。垂直磁界を受けると垂直磁界検出制御電流入力端子130B、130D間に垂直磁界ホール電圧VHZAが発生する。
対向する垂直磁界検出制御電流入力端子に垂直磁界検出制御電圧を印加し、その反対の対向する垂直磁界検出制御電流入力端子で垂直磁界検出ホール電圧を検出する。このとき、垂直磁界検出制御電圧を印加する垂直磁界検出制御電流入力端子周りの水平磁界検出制御電流入力端子に水平磁界検出N型不純物領域に電流が流れるように垂直磁界検出制御電圧印加電圧と逆の電圧を印加する。これにより水平方向磁界検出ホール電圧出力端子150によりX方向及びY方向磁界検出ホール電圧を検出する。
110 垂直磁界検出N型不純物濃度領域
120、120A、120B、120C、120D 水平(Y方向)磁界検出N型不純物濃度領域
121、121A、121B、121C、120D 水平(X方向)磁界検出N型不純物濃度領域
130、130A、130B、130C、130D 垂直磁界検出表面N型高濃度不純物領域
140、140A、140B、140C、140D 水平磁界検出(Y方向)表面N型高濃度不純物領域
141、141A、141B、141C、141D 水平磁界検出(X方向)表面N型高濃度不純物領域
150 水平磁界検出表面N型高濃度不純物領域
160 161 表面P型高濃度不純物領域
170 埋め込みN型高濃度不純物領域
11A、11B、11C、11D ホール電圧出力端子及び制御電流入力端子
2、12 電源
3、13 電圧計
11 切替信号発生器
S1、S2、S3、S4 センサ端子切替手段
T1、T2、T3、T4 端子
R1、R2、R3、R4 抵抗
Claims (9)
- ホール効果を利用して垂直磁界及び水平磁界を検出し、オフセット電圧を低減するように構成されたホール素子において、
P型のシリコンからなるP型半導体基板層と
前記P型半導体基板層上に設けられた垂直磁界検出N型不純物領域と、
前記垂直磁界検出N型不純物領域を囲むように配置された8つの水平磁界検出N型不純物領域と、
を有し、
前記垂直磁界検出N型不純物領域は、
正方形もしくは十字型の4回回転軸を有する垂直磁界感受部と、
前記垂直磁界感受部の各頂点もしくは端部に配置された、垂直磁界検出制御電流入力端子及び垂直磁界ホール電圧出力端子となる同一形状の第1の表面N型高濃度不純物領域と、
を有し、
前記8つの水平磁界検出N型不純物領域は、
前記垂直磁界検出N型不純物領域の左右(X方向)に配置された、水平磁界成分のうち、X方向成分を検出する4つの水平磁界検出N型不純物領域と、
前記垂直磁界検出N型不純物領域の上下(Y方向)に配置された、水平磁界成分のうち、Y方向成分を検出する4つの水平磁界検出N型不純物領域と、
を有することを特徴とするホール素子。 - 前記8つの水平磁界検出N型不純物領域は、すべて同一形状であり、
前記第1の表面N型高濃度不純物領域に対して、左右(X)方向軸及び上下(Y)方向軸上に配置された、第2の表面N型高濃度不純物領域である水平方向磁界検出制御電流入力端子と、
前記水平方向磁界検出制御電流入力端子の基板方向下部(Z方向)となる前記半導体基板層内に配置された埋め込みN型高濃度不純物領域と、
前記水平方向磁界検出制御電流入力端子と前記埋め込みN型高濃度不純物領域に挟まれた水平磁界感受部と、
前記水平方向磁界検出制御電流入力端子を挟んで、上下(Y)方向及び左右(X)方向に配置された2つの第3の表面N型高濃度不純物領域である水平磁界ホール電圧出力端子と、
を有することを特徴とする請求項1に記載のホール素子。 - 前記第1の表面N型高濃度不純物領域は、前記水平方向磁界検出制御電流入力端子の役割も兼ねることを特徴とする請求項2に記載のホール素子。
- 前記第1の表面N型高濃度不純物領域および前記第3の表面N型高濃度不純物領域は、前記第2の表面N型高濃度不純物領域よりも深くまで形成することを特徴とする請求項2または3に記載のホール素子。
- 前記垂直磁界検出N型不純物領域及び前記水平磁界検出N型不純物領域の周囲を囲む表面P型高濃度不純物領域を有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のホール素子。
- 前記表面P型高濃度不純物領域は、前記垂直磁界感受部及び前記水平磁界感受部を区画形成する電位障壁部である請求項5に記載のホール素子。
- 前記垂直磁界検出N型不純物領域におけるスピニングカレントにより垂直磁界成分検出ホール電圧のオフセット電圧を除去できることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載のホール素子。
- 前記水平磁界検出N型不純物領域と前記第1の表面N型高濃度不純物領域とからなる水平磁界検出部において、X方向及びY方向磁界検出部各々4つの磁界検出ホール電圧の出力演算により水平磁界成分検出ホール電圧のオフセット電圧を除去できることを特徴とする請求項1に記載のホール素子。
- 前記垂直磁界検出N型不純物領域におけるスピニングカレントによる垂直磁界成分検出ホール電圧のオフセット電圧の除去と
前記水平磁界検出部における、X方向及びY方向磁界検出部各々4つの磁界検出ホール電圧の出力演算による水平磁界成分検出ホール電圧のオフセット電圧の除去と
を同時に行うことにより、オフセット電圧が除去された垂直磁界検出と水平磁界検出を同時に行う請求項8に記載のホール素子。
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