JPH06186103A - センサー端子切替手段、並びに磁気測定方法若しくは圧力測定方法 - Google Patents
センサー端子切替手段、並びに磁気測定方法若しくは圧力測定方法Info
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- JPH06186103A JPH06186103A JP4355406A JP35540692A JPH06186103A JP H06186103 A JPH06186103 A JP H06186103A JP 4355406 A JP4355406 A JP 4355406A JP 35540692 A JP35540692 A JP 35540692A JP H06186103 A JPH06186103 A JP H06186103A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】センサーによる磁気若しくは圧力測定を簡素な
構成にてしかも高精度で行うことを可能にする手段を提
供する。 【構成】この手段は、センサー１０を動作させるための
センサー端子切替手段Ｓ1，Ｓ2，Ｓ3，Ｓ4である。セン
サー１０は、一対の入力端子に制御電流が流れ且つ他の
一対の出力端子から電圧を出力する四端子Ｔ1，Ｔ2，Ｔ
3，Ｔ4を有する。そして、センサー端子切替手段は、セ
ンサーの一方の一対の端子Ｔ1，Ｔ2が制御電流入力端子
（Ｓ1及びＳ2はＮ1側）となる場合他方の一対の端子Ｔ
3，Ｔ4が電圧出力端子（Ｓ3及びＳ4はＮ2側）となり、
他方の一対の端子Ｔ3，Ｔ4が制御電流入力端子（Ｓ1及
びＳ2はＮ2側）となる場合一方の一対の端子Ｔ1，Ｔ2が
電圧出力端子（Ｓ3及びＳ4はＮ1側）となるように、対
の端子を切り替える。
構成にてしかも高精度で行うことを可能にする手段を提
供する。 【構成】この手段は、センサー１０を動作させるための
センサー端子切替手段Ｓ1，Ｓ2，Ｓ3，Ｓ4である。セン
サー１０は、一対の入力端子に制御電流が流れ且つ他の
一対の出力端子から電圧を出力する四端子Ｔ1，Ｔ2，Ｔ
3，Ｔ4を有する。そして、センサー端子切替手段は、セ
ンサーの一方の一対の端子Ｔ1，Ｔ2が制御電流入力端子
（Ｓ1及びＳ2はＮ1側）となる場合他方の一対の端子Ｔ
3，Ｔ4が電圧出力端子（Ｓ3及びＳ4はＮ2側）となり、
他方の一対の端子Ｔ3，Ｔ4が制御電流入力端子（Ｓ1及
びＳ2はＮ2側）となる場合一方の一対の端子Ｔ1，Ｔ2が
電圧出力端子（Ｓ3及びＳ4はＮ1側）となるように、対
の端子を切り替える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ホール素子から成る磁
気センサーや４つの歪み抵抗器から構成されたブリッジ
回路から成る圧力センサー等の四端子を有するセンサー
のセンサー端子切替手段、並びにこれらのセンサーを用
いた磁気測定方法若しくは圧力測定方法に関する。
気センサーや４つの歪み抵抗器から構成されたブリッジ
回路から成る圧力センサー等の四端子を有するセンサー
のセンサー端子切替手段、並びにこれらのセンサーを用
いた磁気測定方法若しくは圧力測定方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ホール素子は、固体内で運動する電子若
しくは正孔に磁束が作用すると、電子若しくは正孔が磁
束の方向と直角方向にローレンツ力を受けるという原理
に基づいた素子であり、磁界の大きさを測定するための
磁気センサーとして広く使用されている。図３に示すよ
うに、矩形あるいは十字形のホール素子の一対の入力端
子Ｔ1，Ｔ2に制御電流ＩCを流し、それと直角な方向に
入力信号として磁束を加えると、両者に直角の方向に位
置する出力端子Ｔ3，Ｔ4に以下の関係を有するホール電
圧ＶHが誘起される。 ＶH＝（ＲH／ｄ）・ＩC・Ｂ・ｆk ＋ ＶOS ＝ ΔＶH ＋ ＶOS ここで、ＲHはホール係数、ｄはホール素子の厚さ、Ｂ
は磁束密度、ｆkはホール素子パターンの形状効果によ
り定まる補正係数、ＶOSは不平衡電圧（オフセット電
圧）である。ホール素子は、磁束密度Ｂに比例したホー
ル電圧ＶHを出力する。また、ホール素子の磁束密度に
対する感度（ｄＶH／ｄＢ）は、制御電流ＩCに比例す
る。一般に、ホール素子は、磁束密度が０の場合でも、
不平衡電圧ＶOSを出力する。
しくは正孔に磁束が作用すると、電子若しくは正孔が磁
束の方向と直角方向にローレンツ力を受けるという原理
に基づいた素子であり、磁界の大きさを測定するための
磁気センサーとして広く使用されている。図３に示すよ
うに、矩形あるいは十字形のホール素子の一対の入力端
子Ｔ1，Ｔ2に制御電流ＩCを流し、それと直角な方向に
入力信号として磁束を加えると、両者に直角の方向に位
置する出力端子Ｔ3，Ｔ4に以下の関係を有するホール電
圧ＶHが誘起される。 ＶH＝（ＲH／ｄ）・ＩC・Ｂ・ｆk ＋ ＶOS ＝ ΔＶH ＋ ＶOS ここで、ＲHはホール係数、ｄはホール素子の厚さ、Ｂ
は磁束密度、ｆkはホール素子パターンの形状効果によ
り定まる補正係数、ＶOSは不平衡電圧（オフセット電
圧）である。ホール素子は、磁束密度Ｂに比例したホー
ル電圧ＶHを出力する。また、ホール素子の磁束密度に
対する感度（ｄＶH／ｄＢ）は、制御電流ＩCに比例す
る。一般に、ホール素子は、磁束密度が０の場合でも、
不平衡電圧ＶOSを出力する。
【０００３】圧力センサーの一種に、圧力を加えたとき
に生じる形状変化に伴う電気抵抗変化あるいは歪みによ
り電気抵抗の値が変化するピエゾ抵抗効果を利用した圧
力センサーがある。この圧力センサーは、通常、図４に
示すように、４つの歪み抵抗器Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4から
構成されそして四端子Ｔ1、Ｔ2、Ｔ3、Ｔ4を有するブリ
ッジ回路から成る。通常、４つの歪み抵抗器の抵抗値
（＝ｒ）を等しくし、ブリッジ回路の相対する歪み抵抗
器Ｒ1及びＲ3を抵抗増加領域に、そして歪み抵抗器Ｒ2
及びＲ4を抵抗減少領域に対称に配置する。そして、ブ
リッジ回路の一対の入力端子Ｔ1（Ｒ1とＲ2の接続部
分），Ｔ2（Ｒ3とＲ4の接続部分）に制御電流ＩCを流
し、他の一対の端子Ｔ3（Ｒ1とＲ4の接続部分），Ｔ4
（Ｒ2とＲ3の接続部分）から出力された電圧Ｖを測定す
る。
に生じる形状変化に伴う電気抵抗変化あるいは歪みによ
り電気抵抗の値が変化するピエゾ抵抗効果を利用した圧
力センサーがある。この圧力センサーは、通常、図４に
示すように、４つの歪み抵抗器Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4から
構成されそして四端子Ｔ1、Ｔ2、Ｔ3、Ｔ4を有するブリ
ッジ回路から成る。通常、４つの歪み抵抗器の抵抗値
（＝ｒ）を等しくし、ブリッジ回路の相対する歪み抵抗
器Ｒ1及びＲ3を抵抗増加領域に、そして歪み抵抗器Ｒ2
及びＲ4を抵抗減少領域に対称に配置する。そして、ブ
リッジ回路の一対の入力端子Ｔ1（Ｒ1とＲ2の接続部
分），Ｔ2（Ｒ3とＲ4の接続部分）に制御電流ＩCを流
し、他の一対の端子Ｔ3（Ｒ1とＲ4の接続部分），Ｔ4
（Ｒ2とＲ3の接続部分）から出力された電圧Ｖを測定す
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】通常、ホール素子によ
って磁束密度を測定するためには、不平衡電圧ＶOSを補
償するための回路を設ける必要がある。また、不平衡電
圧ＶOSは温度依存性を有している。即ち、ホール素子の
温度が変化すると、不平衡電圧ＶOSの値も変化し、この
不平衡電圧の変化量は温度の変化に対して線形の場合も
あるし非線形の場合もある。従って、一般には、ホール
素子の温度変化を検出する温度センサーを設け、温度セ
ンサーの出力に基づきホール電圧ＶHを補正する回路
（即ち、不平衡電圧ＶOSの温度変動を補償する回路）を
設ける必要がある。その結果、ホール素子の駆動・測定
・制御回路が複雑になるという問題がある。
って磁束密度を測定するためには、不平衡電圧ＶOSを補
償するための回路を設ける必要がある。また、不平衡電
圧ＶOSは温度依存性を有している。即ち、ホール素子の
温度が変化すると、不平衡電圧ＶOSの値も変化し、この
不平衡電圧の変化量は温度の変化に対して線形の場合も
あるし非線形の場合もある。従って、一般には、ホール
素子の温度変化を検出する温度センサーを設け、温度セ
ンサーの出力に基づきホール電圧ＶHを補正する回路
（即ち、不平衡電圧ＶOSの温度変動を補償する回路）を
設ける必要がある。その結果、ホール素子の駆動・測定
・制御回路が複雑になるという問題がある。
【０００５】４つの歪み抵抗器から構成されそして四端
子を有するブリッジ回路から成る圧力センサーにおいて
は、４つの歪み抵抗器の配置位置が固定されている。抵
抗増加領域と抵抗減少領域の各々に加わる圧力にばらつ
きが生じた場合、測定精度が低下するという問題があ
る。これは、抵抗増加領域と抵抗減少領域の各々に１つ
ずつ配置された歪み抵抗器（Ｒ1，Ｒ4）及び（Ｒ2，Ｒ
3）を対とし、二対、合計４つの歪み抵抗器にて圧力を
測定しているからである。歪み抵抗器の対の数を増加さ
せれば圧力測定精度は向上するが、圧力センサーの製造
コストの増加や製造工程の複雑化、圧力センサーの駆動
・測定・制御回路が複雑になるという問題がある。
子を有するブリッジ回路から成る圧力センサーにおいて
は、４つの歪み抵抗器の配置位置が固定されている。抵
抗増加領域と抵抗減少領域の各々に加わる圧力にばらつ
きが生じた場合、測定精度が低下するという問題があ
る。これは、抵抗増加領域と抵抗減少領域の各々に１つ
ずつ配置された歪み抵抗器（Ｒ1，Ｒ4）及び（Ｒ2，Ｒ
3）を対とし、二対、合計４つの歪み抵抗器にて圧力を
測定しているからである。歪み抵抗器の対の数を増加さ
せれば圧力測定精度は向上するが、圧力センサーの製造
コストの増加や製造工程の複雑化、圧力センサーの駆動
・測定・制御回路が複雑になるという問題がある。
【０００６】従って、本発明の第１の目的は、センサー
による磁気若しくは圧力測定を簡素な構成にてしかも高
精度で行うことを可能にする手段を提供することにあ
る。また、本発明の第２の目的は、従来の測定方法を大
幅に変更することなく簡便な方法にてしかも高精度で磁
気を測定し得る磁気測定方法を提供することにある。更
に、本発明の第３の目的は、従来の測定方法を大幅に変
更することなく簡便な方法にてしかも高精度で圧力を測
定し得る圧力測定方法を提供することにある。
による磁気若しくは圧力測定を簡素な構成にてしかも高
精度で行うことを可能にする手段を提供することにあ
る。また、本発明の第２の目的は、従来の測定方法を大
幅に変更することなく簡便な方法にてしかも高精度で磁
気を測定し得る磁気測定方法を提供することにある。更
に、本発明の第３の目的は、従来の測定方法を大幅に変
更することなく簡便な方法にてしかも高精度で圧力を測
定し得る圧力測定方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の第１の目的を達成
するための本発明の手段は、センサーを動作させるため
のセンサー端子切替手段である。センサーは、一対の入
力端子に制御電流が流れ且つ他の一対の出力端子から電
圧を出力する四端子を有する。そして、センサー端子切
替手段は、センサーの一方の一対の端子が制御電流入力
端子となる場合他方の一対の端子が電圧出力端子とな
り、他方の一対の端子が制御電流入力端子となる場合一
方の一対の端子が電圧出力端子となるように、対の端子
を切り替えることを特徴とする。
するための本発明の手段は、センサーを動作させるため
のセンサー端子切替手段である。センサーは、一対の入
力端子に制御電流が流れ且つ他の一対の出力端子から電
圧を出力する四端子を有する。そして、センサー端子切
替手段は、センサーの一方の一対の端子が制御電流入力
端子となる場合他方の一対の端子が電圧出力端子とな
り、他方の一対の端子が制御電流入力端子となる場合一
方の一対の端子が電圧出力端子となるように、対の端子
を切り替えることを特徴とする。
【０００８】前記センサーは、四端子を有するホール素
子、若しくは、４つの歪み抵抗器から構成された四端子
を有するブリッジ回路から成る圧力センサーとすること
ができる。
子、若しくは、４つの歪み抵抗器から構成された四端子
を有するブリッジ回路から成る圧力センサーとすること
ができる。
【０００９】上記の第２の目的を達成するための本発明
の磁気測定方法は、一対の端子に制御電流が流れ且つ他
の一対の端子から電圧を出力する四端子を有するホール
素子を用いた磁気測定方法である。そして、ホール素子
の一方の一対の端子に制御電流を流す際には他方の一対
の端子から出力された電圧を測定し、他方の一対の端子
に制御電流を流す際には一方の一対の端子から出力され
た電圧を測定することを特徴とする。
の磁気測定方法は、一対の端子に制御電流が流れ且つ他
の一対の端子から電圧を出力する四端子を有するホール
素子を用いた磁気測定方法である。そして、ホール素子
の一方の一対の端子に制御電流を流す際には他方の一対
の端子から出力された電圧を測定し、他方の一対の端子
に制御電流を流す際には一方の一対の端子から出力され
た電圧を測定することを特徴とする。
【００１０】上記の第３の目的を達成するための本発明
の圧力測定方法は、４つの歪み抵抗器から構成され且つ
一対の端子に制御電流が流れ他の一対の端子から電圧を
出力する四端子を有するブリッジ回路から成る圧力セン
サーを用いた圧力測定方法である。そして、圧力センサ
ーの一方の一対の端子に制御電流を流す際には他方の一
対の端子から出力された電圧を測定し、他方の一対の端
子に制御電流を流す際には一方の一対の端子から出力さ
れた電圧を測定することを特徴とする。
の圧力測定方法は、４つの歪み抵抗器から構成され且つ
一対の端子に制御電流が流れ他の一対の端子から電圧を
出力する四端子を有するブリッジ回路から成る圧力セン
サーを用いた圧力測定方法である。そして、圧力センサ
ーの一方の一対の端子に制御電流を流す際には他方の一
対の端子から出力された電圧を測定し、他方の一対の端
子に制御電流を流す際には一方の一対の端子から出力さ
れた電圧を測定することを特徴とする。
【００１１】
【作用】本発明のセンサー端子切替手段を用いた本発明
の磁気測定方法においては、ホール素子の一方の一対の
端子（例えば、Ｔ1，Ｔ2）に制御電流ＩCを流す際には
他方の一対の端子（Ｔ3，Ｔ4）から出力されたホール電
圧ＶHを測定し、他方の一対の端子（Ｔ3，Ｔ4）に制御
電流ＩCを流す際には一方の一対の端子（Ｔ1，Ｔ2）か
ら出力されたホール電圧ＶH’を測定する。ここで、ＶH
及びＶH’は、 ＶH ＝ΔＶH ＋ ＶOS ＶH’＝ΔＶH’＋ ＶOS’ である。尚、ΔＶH、ΔＶH’はホール効果によって発生
した電圧、ＶOS、ＶOS’は不平衡電圧である。従って、
２つのホール電圧ＶHとＶH’の差を取れば、 ＶH−ＶH’＝（ΔＶH−ＶOS）−（ΔＶH’−ＶOS’） ＝（ΔＶH−ΔＶH’）−（ＶOS−ＶOS’） となる。上式の第２項の値は不平衡電圧に起因する電圧
の項であるが、第１項の値と比較して小さいので、通
常、無視できる。即ち、不平衡電圧の影響を余り受ける
ことなく、ホール素子を用いて磁気測定を行うことがで
きる。
の磁気測定方法においては、ホール素子の一方の一対の
端子（例えば、Ｔ1，Ｔ2）に制御電流ＩCを流す際には
他方の一対の端子（Ｔ3，Ｔ4）から出力されたホール電
圧ＶHを測定し、他方の一対の端子（Ｔ3，Ｔ4）に制御
電流ＩCを流す際には一方の一対の端子（Ｔ1，Ｔ2）か
ら出力されたホール電圧ＶH’を測定する。ここで、ＶH
及びＶH’は、 ＶH ＝ΔＶH ＋ ＶOS ＶH’＝ΔＶH’＋ ＶOS’ である。尚、ΔＶH、ΔＶH’はホール効果によって発生
した電圧、ＶOS、ＶOS’は不平衡電圧である。従って、
２つのホール電圧ＶHとＶH’の差を取れば、 ＶH−ＶH’＝（ΔＶH−ＶOS）−（ΔＶH’−ＶOS’） ＝（ΔＶH−ΔＶH’）−（ＶOS−ＶOS’） となる。上式の第２項の値は不平衡電圧に起因する電圧
の項であるが、第１項の値と比較して小さいので、通
常、無視できる。即ち、不平衡電圧の影響を余り受ける
ことなく、ホール素子を用いて磁気測定を行うことがで
きる。
【００１２】本発明のセンサー端子切替手段を用いた圧
力測定方法においては、圧力センサーの一方の一対の端
子（例えば、Ｔ1，Ｔ2）に制御電流ＩCを流す際には他
方の一対の端子（Ｔ3，Ｔ4）から出力された電圧Ｖを測
定する。即ち、抵抗増加領域と抵抗減少領域の各々に１
つずつ配置された歪み抵抗器（Ｒ1，Ｒ4）及び（Ｒ3，
Ｒ2）を対とし、二対、合計４つの歪み抵抗器にて圧力
を測定する。他方の一対の端子（Ｔ3，Ｔ4）に制御電流
ＩCを流す際には一方の一対の端子（Ｔ1，Ｔ2）から出
力された電圧Ｖ’を測定する。即ち、抵抗増加領域と抵
抗減少領域の各々に１つずつ配置された歪み抵抗器（Ｒ
1，Ｒ2）及び（Ｒ3，Ｒ4）を対とし、二対、合計４つの
歪み抵抗器にて圧力を測定する。従って、４つの歪み抵
抗器から成る１つのブリッジ回路により、２つの圧力測
定値を得ることができる。
力測定方法においては、圧力センサーの一方の一対の端
子（例えば、Ｔ1，Ｔ2）に制御電流ＩCを流す際には他
方の一対の端子（Ｔ3，Ｔ4）から出力された電圧Ｖを測
定する。即ち、抵抗増加領域と抵抗減少領域の各々に１
つずつ配置された歪み抵抗器（Ｒ1，Ｒ4）及び（Ｒ3，
Ｒ2）を対とし、二対、合計４つの歪み抵抗器にて圧力
を測定する。他方の一対の端子（Ｔ3，Ｔ4）に制御電流
ＩCを流す際には一方の一対の端子（Ｔ1，Ｔ2）から出
力された電圧Ｖ’を測定する。即ち、抵抗増加領域と抵
抗減少領域の各々に１つずつ配置された歪み抵抗器（Ｒ
1，Ｒ2）及び（Ｒ3，Ｒ4）を対とし、二対、合計４つの
歪み抵抗器にて圧力を測定する。従って、４つの歪み抵
抗器から成る１つのブリッジ回路により、２つの圧力測
定値を得ることができる。
【００１３】
【実施例】以下、図面を参照して本発明を実施例に基づ
き説明する。
き説明する。
【００１４】（実施例１）実施例１は、図１に示すよう
に、センサー１０として四端子Ｔ1，Ｔ2，Ｔ3，Ｔ4を有
するホール素子を用いた磁気測定の例である。ホール素
子に設けられたこれらの四端子の内の一対の入力端子に
制御電流ＩCが流れ、他の一対の出力端子からホール電
圧ＶHを出力する。ホール素子としては、ＩｎＳｂ、Ｉ
ｎＡｓ、ＧａＡｓ、Ｇｅ、Ｓｉ等、公知のホール素子を
用いることができる。一対の端子Ｔ1，Ｔ2を基準とした
ときのホール素子パターンの形状効果により定まる補正
係数ｆkと、他方の端子Ｔ3，Ｔ4を基準としたときの補
正係数ｆk’とは出来る限り等しいことが望ましい。即
ち、ホール素子の形状を正方形あるいは４回回転軸を有
する十字形とすることが望ましい。
に、センサー１０として四端子Ｔ1，Ｔ2，Ｔ3，Ｔ4を有
するホール素子を用いた磁気測定の例である。ホール素
子に設けられたこれらの四端子の内の一対の入力端子に
制御電流ＩCが流れ、他の一対の出力端子からホール電
圧ＶHを出力する。ホール素子としては、ＩｎＳｂ、Ｉ
ｎＡｓ、ＧａＡｓ、Ｇｅ、Ｓｉ等、公知のホール素子を
用いることができる。一対の端子Ｔ1，Ｔ2を基準とした
ときのホール素子パターンの形状効果により定まる補正
係数ｆkと、他方の端子Ｔ3，Ｔ4を基準としたときの補
正係数ｆk’とは出来る限り等しいことが望ましい。即
ち、ホール素子の形状を正方形あるいは４回回転軸を有
する十字形とすることが望ましい。
【００１５】センサーを動作させるためのセンサー端子
切替手段Ｓ1，Ｓ2，Ｓ3，Ｓ4が各端子に配置されてい
る。センサー切替手段は、センサーの一方の一対の端子
（Ｔ1，Ｔ2）が制御電流入力端子（即ち、Ｓ1及びＳ2は
Ｎ1側）となる場合他方の一対の端子（Ｔ3，Ｔ4）が電
圧出力端子（即ち、Ｓ3及びＳ4はＮ2側）となり、他方
の一対の端子（Ｔ3，Ｔ4）が制御電流入力端子（即ち、
Ｓ1及びＳ2はＮ2側）となる場合一方の一対の端子（Ｔ
1，Ｔ2）が電圧出力端子（即ち、Ｓ3及びＳ4はＮ1側）
となるように、対の端子（Ｔ1，Ｔ2、及びＴ3，Ｔ4）を
切り替える。
切替手段Ｓ1，Ｓ2，Ｓ3，Ｓ4が各端子に配置されてい
る。センサー切替手段は、センサーの一方の一対の端子
（Ｔ1，Ｔ2）が制御電流入力端子（即ち、Ｓ1及びＳ2は
Ｎ1側）となる場合他方の一対の端子（Ｔ3，Ｔ4）が電
圧出力端子（即ち、Ｓ3及びＳ4はＮ2側）となり、他方
の一対の端子（Ｔ3，Ｔ4）が制御電流入力端子（即ち、
Ｓ1及びＳ2はＮ2側）となる場合一方の一対の端子（Ｔ
1，Ｔ2）が電圧出力端子（即ち、Ｓ3及びＳ4はＮ1側）
となるように、対の端子（Ｔ1，Ｔ2、及びＴ3，Ｔ4）を
切り替える。
【００１６】尚、各端子に供給する制御電流及び各端子
から出力される電圧の関係を以下のように選択すること
が望ましい。 （ケースＡ）端子Ｔ1，Ｔ2からの不平衡電圧と端子Ｔ
3，Ｔ4からの不平衡電圧が同符号である場合には、端子
Ｔ1，Ｔ2からのホール電圧と端子Ｔ3，Ｔ4からのホール
電圧の磁束密度に対する微分係数が異符号であること。
あるいは、 （ケースＢ）端子Ｔ1，Ｔ2からの不平衡電圧と端子Ｔ
3，Ｔ4からの不平衡電圧が異符号である場合には、端子
Ｔ1，Ｔ2からのホール電圧と端子Ｔ3，Ｔ4からのホール
電圧の磁束密度に対する微分係数が同符号であること。
から出力される電圧の関係を以下のように選択すること
が望ましい。 （ケースＡ）端子Ｔ1，Ｔ2からの不平衡電圧と端子Ｔ
3，Ｔ4からの不平衡電圧が同符号である場合には、端子
Ｔ1，Ｔ2からのホール電圧と端子Ｔ3，Ｔ4からのホール
電圧の磁束密度に対する微分係数が異符号であること。
あるいは、 （ケースＢ）端子Ｔ1，Ｔ2からの不平衡電圧と端子Ｔ
3，Ｔ4からの不平衡電圧が異符号である場合には、端子
Ｔ1，Ｔ2からのホール電圧と端子Ｔ3，Ｔ4からのホール
電圧の磁束密度に対する微分係数が同符号であること。
【００１７】センサー端子切替手段は、例えば所謂ＩＣ
アナログスイッチ、各種トランジスタ、リレー等の公知
の切替手段とすることができる。センサー端子切替手段
は、例えば切替信号発生器１２によって生成された切替
信号に基づき、対の端子（Ｔ1，Ｔ2、及びＴ3，Ｔ4）を
Ｎ1側及びＮ2側に切り替えることができる。
アナログスイッチ、各種トランジスタ、リレー等の公知
の切替手段とすることができる。センサー端子切替手段
は、例えば切替信号発生器１２によって生成された切替
信号に基づき、対の端子（Ｔ1，Ｔ2、及びＴ3，Ｔ4）を
Ｎ1側及びＮ2側に切り替えることができる。
【００１８】図１中、２０は定電流電源であり、センサ
ー１０に一定の制御電流ＩCを供給し、センサーの感度
を一定に保つ。また、２２は電圧計であり、ホール素子
から出力されたホール電圧ＶHを測定する。
ー１０に一定の制御電流ＩCを供給し、センサーの感度
を一定に保つ。また、２２は電圧計であり、ホール素子
から出力されたホール電圧ＶHを測定する。
【００１９】センサー切替手段によって、一方の一対の
端子（Ｔ1，Ｔ2）を定電流電源２０に接続して、一方の
一対の端子（Ｔ1，Ｔ2）を制御電流入力端子とした場合
（即ち、Ｓ1及びＳ2をＮ1側とした場合）、例えば、端
子Ｔ1からホール素子１０を経由して端子Ｔ2に制御電流
ＩCが流れる。一方、他方の一対の端子（Ｔ3，Ｔ4）は
電圧出力端子となり（即ち、Ｓ3及びＳ4はＮ2側とな
り）、端子Ｔ3と端子Ｔ4の間に発生するホール電圧を電
圧計２２によって測定する。
端子（Ｔ1，Ｔ2）を定電流電源２０に接続して、一方の
一対の端子（Ｔ1，Ｔ2）を制御電流入力端子とした場合
（即ち、Ｓ1及びＳ2をＮ1側とした場合）、例えば、端
子Ｔ1からホール素子１０を経由して端子Ｔ2に制御電流
ＩCが流れる。一方、他方の一対の端子（Ｔ3，Ｔ4）は
電圧出力端子となり（即ち、Ｓ3及びＳ4はＮ2側とな
り）、端子Ｔ3と端子Ｔ4の間に発生するホール電圧を電
圧計２２によって測定する。
【００２０】一定時間経過後、切替信号発生器１２から
の切替信号に基づき、対の端子の接続が切り替えられ
る。即ち、センサー切替手段（Ｓ1，Ｓ2，Ｓ3，Ｓ4）に
よって、他方の一対の端子（Ｔ3，Ｔ4）が定電流電源２
０に接続され、制御電流入力端子となる（即ち、Ｓ1及
びＳ2をＮ2側とする）。そして、例えば、端子Ｔ3から
ホール素子１０を経由して端子Ｔ4に制御電流ＩCが流れ
る。このとき、一方の一対の端子（Ｔ1，Ｔ2）は電圧出
力端子となり（即ち、Ｓ3及びＳ4はＮ1側となり）、端
子Ｔ1と端子Ｔ2の間に発生するホール電圧を電圧計２２
によって測定する。
の切替信号に基づき、対の端子の接続が切り替えられ
る。即ち、センサー切替手段（Ｓ1，Ｓ2，Ｓ3，Ｓ4）に
よって、他方の一対の端子（Ｔ3，Ｔ4）が定電流電源２
０に接続され、制御電流入力端子となる（即ち、Ｓ1及
びＳ2をＮ2側とする）。そして、例えば、端子Ｔ3から
ホール素子１０を経由して端子Ｔ4に制御電流ＩCが流れ
る。このとき、一方の一対の端子（Ｔ1，Ｔ2）は電圧出
力端子となり（即ち、Ｓ3及びＳ4はＮ1側となり）、端
子Ｔ1と端子Ｔ2の間に発生するホール電圧を電圧計２２
によって測定する。
【００２１】単結晶シリコンから成り、縦０．２ｍｍ、
横０．２ｍｍ、厚さ５μｍの平面形状が正方形のホール
素子１０を用いて本発明の磁気測定方法の評価を行っ
た。定電流電源２０から、制御電流ＩC（＝４３０μ
Ａ）を対の端子を介してセンサー１０に流した。磁束密
度を６００ガウス及び０ガウスとした。測定雰囲気温度
２４゜Ｃにおけるセンサーの出力電圧（ホール電圧
ＶH）の測定結果を以下に示す。尚、センサー端子切替
手段は、マニュアルで操作する機械的な切替スイッチと
した。 制御電流入力端子 磁束密度 制御電流 電圧出力端子 ＶH ＋側 −側 （ガウス） （μＡ） ＋側 −側 （ｍＶ） Ｔ2 Ｔ1 ６００ ４３０ Ｔ4 Ｔ3 +39.44 (注１) Ｔ2 Ｔ1 ０ ４３０ Ｔ4 Ｔ3 +16.33 (注２) Ｔ4 Ｔ3 ６００ ４３０ Ｔ1 Ｔ2 - 5.46 (注３) Ｔ4 Ｔ3 ０ ４３０ Ｔ1 Ｔ2 +15.44 (注４) （注１） ＶH ＝ ΔＶH ＋ ＶOS である。即ち、ホー
ル効果によって生じる電圧ΔＶH＝２３．１１ｍＶであ
る。 （注２） ＶH ＝ ＶOS である。即ち、不平衡電圧ＶOS
＝１６．３３ｍＶである。 （注３） ＶH’＝ ΔＶH’ ＋ ＶOS’ である。即ち、
ホール効果によって生じる電圧ΔＶH’＝−２０．９０
ｍＶである。 （注４） ＶH’＝ ＶOS’ である。即ち、不平衡電圧
ＶOS’＝１５．４４ｍＶである。
横０．２ｍｍ、厚さ５μｍの平面形状が正方形のホール
素子１０を用いて本発明の磁気測定方法の評価を行っ
た。定電流電源２０から、制御電流ＩC（＝４３０μ
Ａ）を対の端子を介してセンサー１０に流した。磁束密
度を６００ガウス及び０ガウスとした。測定雰囲気温度
２４゜Ｃにおけるセンサーの出力電圧（ホール電圧
ＶH）の測定結果を以下に示す。尚、センサー端子切替
手段は、マニュアルで操作する機械的な切替スイッチと
した。 制御電流入力端子 磁束密度 制御電流 電圧出力端子 ＶH ＋側 −側 （ガウス） （μＡ） ＋側 −側 （ｍＶ） Ｔ2 Ｔ1 ６００ ４３０ Ｔ4 Ｔ3 +39.44 (注１) Ｔ2 Ｔ1 ０ ４３０ Ｔ4 Ｔ3 +16.33 (注２) Ｔ4 Ｔ3 ６００ ４３０ Ｔ1 Ｔ2 - 5.46 (注３) Ｔ4 Ｔ3 ０ ４３０ Ｔ1 Ｔ2 +15.44 (注４) （注１） ＶH ＝ ΔＶH ＋ ＶOS である。即ち、ホー
ル効果によって生じる電圧ΔＶH＝２３．１１ｍＶであ
る。 （注２） ＶH ＝ ＶOS である。即ち、不平衡電圧ＶOS
＝１６．３３ｍＶである。 （注３） ＶH’＝ ΔＶH’ ＋ ＶOS’ である。即ち、
ホール効果によって生じる電圧ΔＶH’＝−２０．９０
ｍＶである。 （注４） ＶH’＝ ＶOS’ である。即ち、不平衡電圧
ＶOS’＝１５．４４ｍＶである。
【００２２】磁束密度が０ガウス及び６００ガウスの場
合のＶH（即ち、ＶOSとＶOS’あるいはΔＶH＋ＶOSとΔ
ＶH’＋ＶOS’）の値に差があるが、これは、ホール素
子パターンの形状効果により定まる補正係数に若干の差
異があるためである。試験に用いたホール素子において
は、出力電圧（ホール電圧）がＶH−ＶH’＝４４．９０
ｍＶのとき、磁束密度は６００ガウスである。また、磁
束密度が０ガウスのとき、ホール素子の出力電圧（即
ち、不平衡電圧に相当する出力電圧）はＶH−ＶH’＝
０．８９ｍＶである。
合のＶH（即ち、ＶOSとＶOS’あるいはΔＶH＋ＶOSとΔ
ＶH’＋ＶOS’）の値に差があるが、これは、ホール素
子パターンの形状効果により定まる補正係数に若干の差
異があるためである。試験に用いたホール素子において
は、出力電圧（ホール電圧）がＶH−ＶH’＝４４．９０
ｍＶのとき、磁束密度は６００ガウスである。また、磁
束密度が０ガウスのとき、ホール素子の出力電圧（即
ち、不平衡電圧に相当する出力電圧）はＶH−ＶH’＝
０．８９ｍＶである。
【００２３】ホール素子の温度が−５５゜Ｃ〜１２５゜
Ｃの範囲にあっても、磁束密度が０ガウスのとき、出力
電圧ＶH−ＶH’（即ち、不平衡電圧に相当する出力電
圧）は変化がなかった。
Ｃの範囲にあっても、磁束密度が０ガウスのとき、出力
電圧ＶH−ＶH’（即ち、不平衡電圧に相当する出力電
圧）は変化がなかった。
【００２４】また、センサー端子切替手段によって、８
０回／秒の割合で対の端子の接続切り替えを行ったと
き、ホール素子から出力される電圧は方形波形電圧とな
るが、尖頭値の値に変化はなかった。
０回／秒の割合で対の端子の接続切り替えを行ったと
き、ホール素子から出力される電圧は方形波形電圧とな
るが、尖頭値の値に変化はなかった。
【００２５】以上のように、本発明の磁気測定方法にお
いては、ホール素子の一方の一対の端子（例えば、Ｔ
1，Ｔ2）に制御電流ＩCを流す際には他方の一対の端子
（Ｔ3，Ｔ4）から出力されたホール電圧ＶHを測定し、
他方の一対の端子（Ｔ3，Ｔ4）に制御電流ＩCを流す際
には一方の一対の端子（Ｔ1，Ｔ2）から出力されたホー
ル電圧ＶH’を測定する。そして予め、上記（ケース
Ａ）の場合には、磁束密度とＶH−ＶH’の関係を求めて
おけば、ＶH−ＶH’を測定することにより、磁束密度の
値を得ることができる。また、上記（ケースＢ）の場合
には、磁束密度とＶH＋ＶH’の関係を求めておけば、Ｖ
H＋ＶH’を測定することにより、磁束密度の値を得るこ
とができる。
いては、ホール素子の一方の一対の端子（例えば、Ｔ
1，Ｔ2）に制御電流ＩCを流す際には他方の一対の端子
（Ｔ3，Ｔ4）から出力されたホール電圧ＶHを測定し、
他方の一対の端子（Ｔ3，Ｔ4）に制御電流ＩCを流す際
には一方の一対の端子（Ｔ1，Ｔ2）から出力されたホー
ル電圧ＶH’を測定する。そして予め、上記（ケース
Ａ）の場合には、磁束密度とＶH−ＶH’の関係を求めて
おけば、ＶH−ＶH’を測定することにより、磁束密度の
値を得ることができる。また、上記（ケースＢ）の場合
には、磁束密度とＶH＋ＶH’の関係を求めておけば、Ｖ
H＋ＶH’を測定することにより、磁束密度の値を得るこ
とができる。
【００２６】更には、ホール素子の一方の一対の端子
（例えば、Ｔ1，Ｔ2）に制御電流ＩCを流したときの不
平衡電圧ＶOSと、他方の一対の端子（例えば、Ｔ3，Ｔ
4）に制御電流ＩCを流したときの不平衡電圧ＶOS’とを
ほぼ打ち消すことができ、不平衡電圧の補償回路、ある
いは不平衡電圧の温度変動を補正する回路が不要とな
る。
（例えば、Ｔ1，Ｔ2）に制御電流ＩCを流したときの不
平衡電圧ＶOSと、他方の一対の端子（例えば、Ｔ3，Ｔ
4）に制御電流ＩCを流したときの不平衡電圧ＶOS’とを
ほぼ打ち消すことができ、不平衡電圧の補償回路、ある
いは不平衡電圧の温度変動を補正する回路が不要とな
る。
【００２７】（実施例２）実施例２は、図２に示すよう
に、センサー３０として四端子Ｔ1，Ｔ2，Ｔ3，Ｔ4を有
する４つの歪み抵抗器Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4から構成され
た四端子を有するブリッジ回路から成る圧力センサーを
用いた圧力測定の例である。ブリッジ回路に設けられた
これらの四端子の内の一対の入力端子に制御電流ＩCが
流れ、他の一対の出力端子から電圧Ｖを出力する。歪み
抵抗器としては、Ｓｉ、Ｇｅ、ＩｎＳｂ等の半導体材料
から成るゲージ抵抗器、ニッケル、マンガニン、コンス
タンタン、ニクロム、アイソエラスティク、ニクロム
Ｖ、カルマ、アドバンス、白金・イリジウム、ミナルフ
ァ、ビスマス、ビスマス・アンチモン等を用いることが
できる。４つの歪み抵抗器の抵抗値（＝ｒ）を等しくし
（場合によっては等しくなくともよい）、例えば、ブリ
ッジ回路の相対する歪み抵抗器Ｒ1及びＲ3を抵抗増加領
域に、そしてＲ2及びＲ4を抵抗減少領域に配置する。
に、センサー３０として四端子Ｔ1，Ｔ2，Ｔ3，Ｔ4を有
する４つの歪み抵抗器Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4から構成され
た四端子を有するブリッジ回路から成る圧力センサーを
用いた圧力測定の例である。ブリッジ回路に設けられた
これらの四端子の内の一対の入力端子に制御電流ＩCが
流れ、他の一対の出力端子から電圧Ｖを出力する。歪み
抵抗器としては、Ｓｉ、Ｇｅ、ＩｎＳｂ等の半導体材料
から成るゲージ抵抗器、ニッケル、マンガニン、コンス
タンタン、ニクロム、アイソエラスティク、ニクロム
Ｖ、カルマ、アドバンス、白金・イリジウム、ミナルフ
ァ、ビスマス、ビスマス・アンチモン等を用いることが
できる。４つの歪み抵抗器の抵抗値（＝ｒ）を等しくし
（場合によっては等しくなくともよい）、例えば、ブリ
ッジ回路の相対する歪み抵抗器Ｒ1及びＲ3を抵抗増加領
域に、そしてＲ2及びＲ4を抵抗減少領域に配置する。
【００２８】センサーを動作させるためのセンサー端子
切替手段Ｓ1，Ｓ2，Ｓ3，Ｓ4が各端子に配置されてい
る。センサー切替手段は、センサーの一方の一対の端子
（例えばＴ1，Ｔ2）が制御電流入力端子（Ｓ1及びＳ2は
Ｎ1側）となる場合他方の一対の端子（例えばＴ3，Ｔ
4）が電圧出力端子（Ｓ3及びＳ4はＮ2側）となり、他方
の一対の端子（例えばＴ3，Ｔ4）が制御電流入力端子
（Ｓ1及びＳ2はＮ2側）となる場合一方の一対の端子
（例えばＴ1，Ｔ2）が電圧出力端子（Ｓ3及びＳ4はＮ1
側）となるように、対の端子（Ｔ1，Ｔ2、及びＴ3，Ｔ
4）を切り替える。
切替手段Ｓ1，Ｓ2，Ｓ3，Ｓ4が各端子に配置されてい
る。センサー切替手段は、センサーの一方の一対の端子
（例えばＴ1，Ｔ2）が制御電流入力端子（Ｓ1及びＳ2は
Ｎ1側）となる場合他方の一対の端子（例えばＴ3，Ｔ
4）が電圧出力端子（Ｓ3及びＳ4はＮ2側）となり、他方
の一対の端子（例えばＴ3，Ｔ4）が制御電流入力端子
（Ｓ1及びＳ2はＮ2側）となる場合一方の一対の端子
（例えばＴ1，Ｔ2）が電圧出力端子（Ｓ3及びＳ4はＮ1
側）となるように、対の端子（Ｔ1，Ｔ2、及びＴ3，Ｔ
4）を切り替える。
【００２９】センサー端子切替手段は、例えば所謂ＩＣ
アナログスイッチ、各種トランジスタ、リレー等の公知
の切替手段とすることができる。センサー端子切替手段
は、例えば切替信号発生器１２によって生成された切替
信号に基づき、対の端子（Ｔ1，Ｔ2、及びＴ3，Ｔ4）を
Ｎ1側及びＮ2側に切り替えることができる。
アナログスイッチ、各種トランジスタ、リレー等の公知
の切替手段とすることができる。センサー端子切替手段
は、例えば切替信号発生器１２によって生成された切替
信号に基づき、対の端子（Ｔ1，Ｔ2、及びＴ3，Ｔ4）を
Ｎ1側及びＮ2側に切り替えることができる。
【００３０】図２中、４０は定電圧電源であり、センサ
ー３０に制御電流ＩCを供給し、センサーの感度を一定
に保つ。また、４２は電圧計であり、ブリッジ回路から
出力された電圧Ｖを測定する。
ー３０に制御電流ＩCを供給し、センサーの感度を一定
に保つ。また、４２は電圧計であり、ブリッジ回路から
出力された電圧Ｖを測定する。
【００３１】センサー切替手段によって、一対の端子
（Ｔ1，Ｔ2）を定電圧電源４０に接続して、一対の端子
（Ｔ1，Ｔ2）を制御電流入力端子とした場合（即ち、Ｓ
1及びＳ2をＮ1側とした場合）、他方の一対の端子（Ｔ
3，Ｔ4）は電圧出力端子となり（即ち、Ｓ3及びＳ4はＮ
2側となり）、端子Ｔ3と端子Ｔ4から出力された電圧Ｖ1
を電圧計４２によって測定する。
（Ｔ1，Ｔ2）を定電圧電源４０に接続して、一対の端子
（Ｔ1，Ｔ2）を制御電流入力端子とした場合（即ち、Ｓ
1及びＳ2をＮ1側とした場合）、他方の一対の端子（Ｔ
3，Ｔ4）は電圧出力端子となり（即ち、Ｓ3及びＳ4はＮ
2側となり）、端子Ｔ3と端子Ｔ4から出力された電圧Ｖ1
を電圧計４２によって測定する。
【００３２】一定時間経過後、切替信号発生器１２から
の切替信号に基づき、対の端子が切り替えられる。即
ち、センサー切替手段（Ｓ1，Ｓ2，Ｓ3，Ｓ4）によっ
て、他方の一対の端子（Ｔ3，Ｔ4）が定電圧電源４０に
接続され、制御電流入力端子となる（即ち、即ち、Ｓ1
及びＳ2はＮ2側となる）。このとき、一方の一対の端子
（Ｔ1，Ｔ2）は電圧出力端子となり（即ち、即ち、Ｓ3
及びＳ4はＮ1側となり）、端子Ｔ1と端子Ｔ2から出力さ
れた電圧Ｖ2を電圧計４２によって測定する。
の切替信号に基づき、対の端子が切り替えられる。即
ち、センサー切替手段（Ｓ1，Ｓ2，Ｓ3，Ｓ4）によっ
て、他方の一対の端子（Ｔ3，Ｔ4）が定電圧電源４０に
接続され、制御電流入力端子となる（即ち、即ち、Ｓ1
及びＳ2はＮ2側となる）。このとき、一方の一対の端子
（Ｔ1，Ｔ2）は電圧出力端子となり（即ち、即ち、Ｓ3
及びＳ4はＮ1側となり）、端子Ｔ1と端子Ｔ2から出力さ
れた電圧Ｖ2を電圧計４２によって測定する。
【００３３】ブリッジ回路から出力される電圧Ｖと圧力
センサーにかかる圧力の関係を予め求めておけば、ブリ
ッジ回路の一方の一対の端子Ｔ1，Ｔ2から出力される電
圧Ｖ1と、他方の一対の端子Ｔ3，Ｔ4から出力される電
圧Ｖ2の平均値｛（Ｖ1＋Ｖ2）／２｝を求めれば、圧力
センサーにかかる圧力の平均値を測定することができ
る。
センサーにかかる圧力の関係を予め求めておけば、ブリ
ッジ回路の一方の一対の端子Ｔ1，Ｔ2から出力される電
圧Ｖ1と、他方の一対の端子Ｔ3，Ｔ4から出力される電
圧Ｖ2の平均値｛（Ｖ1＋Ｖ2）／２｝を求めれば、圧力
センサーにかかる圧力の平均値を測定することができ
る。
【００３４】以上のように、本発明の圧力測定方法にお
いては、圧力センサーの一方の一対の端子（例えば、Ｔ
1，Ｔ2）に制御電流を流す際には他方の一対の端子（Ｔ
3，Ｔ4）から出力された電圧を測定する。即ち、抵抗増
加領域と抵抗減少領域の各々に１つずつ配置された歪み
抵抗器（Ｒ1，Ｒ4）及び（Ｒ3，Ｒ2）を対とし、二対、
合計４つの歪み抵抗器にて圧力を測定する。また、他方
の一対の端子（Ｔ3，Ｔ4）に制御電流を流す際には一方
の一対の端子（Ｔ1，Ｔ2）から出力された電圧を測定す
る。即ち、抵抗増加領域と抵抗減少領域の各々に１つず
つ配置された歪み抵抗器（Ｒ1，Ｒ2）及び（Ｒ3，Ｒ4）
を対とし、二対、合計４つの歪み抵抗器にて圧力を測定
する。従って、４つの歪み抵抗器から成る１つのブリッ
ジ回路により、２つの圧力測定値を得ることができる。
いては、圧力センサーの一方の一対の端子（例えば、Ｔ
1，Ｔ2）に制御電流を流す際には他方の一対の端子（Ｔ
3，Ｔ4）から出力された電圧を測定する。即ち、抵抗増
加領域と抵抗減少領域の各々に１つずつ配置された歪み
抵抗器（Ｒ1，Ｒ4）及び（Ｒ3，Ｒ2）を対とし、二対、
合計４つの歪み抵抗器にて圧力を測定する。また、他方
の一対の端子（Ｔ3，Ｔ4）に制御電流を流す際には一方
の一対の端子（Ｔ1，Ｔ2）から出力された電圧を測定す
る。即ち、抵抗増加領域と抵抗減少領域の各々に１つず
つ配置された歪み抵抗器（Ｒ1，Ｒ2）及び（Ｒ3，Ｒ4）
を対とし、二対、合計４つの歪み抵抗器にて圧力を測定
する。従って、４つの歪み抵抗器から成る１つのブリッ
ジ回路により、２つの圧力測定値を得ることができる。
【００３５】以上、本発明を好ましい実施例に基づき説
明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。センサーの材質、大きさ、形状等は例示であ
り、各種公知の材料を用いることができる。また、ホー
ル素子やブリッジ回路の駆動方式や電圧の測定方式、あ
るいはこれらを構成する各種回路を適宜選択・変更する
ことができる。例えば、定電圧電源を用いてホール素子
を駆動させることができる。
明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。センサーの材質、大きさ、形状等は例示であ
り、各種公知の材料を用いることができる。また、ホー
ル素子やブリッジ回路の駆動方式や電圧の測定方式、あ
るいはこれらを構成する各種回路を適宜選択・変更する
ことができる。例えば、定電圧電源を用いてホール素子
を駆動させることができる。
【００３６】
【発明の効果】本発明によれば、センサーによって磁気
若しくは圧力を簡素な構成にてしかも高精度で測定する
ことを可能にする手段であるセンサー切替手段が提供さ
れる。本発明のセンサー切替手段を用いた本発明の磁気
測定方法によれば、不平衡電圧の影響及び不平衡電圧の
温度依存性の影響を受けることなく、従来の測定方法を
大幅に変更することなく簡便な方法にてしかも高精度で
磁気を測定し得る。更に、本発明のセンサー切替手段を
用いた本発明の圧力測定方法によれば、１組のブリッジ
回路をあたかも２組のブリッジ回路として用いるので、
従来の測定方法を大幅に変更することなく簡便な方法に
てしかも高精度で圧力を測定し得る。
若しくは圧力を簡素な構成にてしかも高精度で測定する
ことを可能にする手段であるセンサー切替手段が提供さ
れる。本発明のセンサー切替手段を用いた本発明の磁気
測定方法によれば、不平衡電圧の影響及び不平衡電圧の
温度依存性の影響を受けることなく、従来の測定方法を
大幅に変更することなく簡便な方法にてしかも高精度で
磁気を測定し得る。更に、本発明のセンサー切替手段を
用いた本発明の圧力測定方法によれば、１組のブリッジ
回路をあたかも２組のブリッジ回路として用いるので、
従来の測定方法を大幅に変更することなく簡便な方法に
てしかも高精度で圧力を測定し得る。
【図１】本発明のセンサー切替手段、及びホール素子か
ら成る磁気センサーを示す図である。
ら成る磁気センサーを示す図である。
【図２】本発明のセンサー切替手段、及び４つの歪み抵
抗器から構成されたブリッジ回路から成る圧力センサー
を示す図である。
抗器から構成されたブリッジ回路から成る圧力センサー
を示す図である。
【図３】従来のホール素子を用いた磁気測定方法を説明
するための図である。
するための図である。
【図４】従来の４つの歪み抵抗器から構成されたブリッ
ジ回路を用いた圧力測定方法を説明するための図であ
る。
ジ回路を用いた圧力測定方法を説明するための図であ
る。
１０，３０ センサー １２ 切替信号発生器 ２０ 定電流電源 ２２，４２ 電圧計 ４０ 定電圧電源 Ｓ1，Ｓ2，Ｓ3，Ｓ4 センサー端子切替手段 Ｔ1，Ｔ2，Ｔ3，Ｔ4 端子 Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4 歪み抵抗器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 萩原 弘之 埼玉県秩父郡吉田町大字下吉田6972 株式 会社タイセー内
Claims (5)
- 【請求項１】一対の入力端子に制御電流が流れ且つ他の
一対の出力端子から電圧を出力する四端子を有するセン
サーを動作させるためのセンサー端子切替手段であっ
て、 センサー端子切替手段は、センサーの一方の一対の端子
が制御電流入力端子となる場合他方の一対の端子が電圧
出力端子となり、他方の一対の端子が制御電流入力端子
となる場合一方の一対の端子が電圧出力端子となるよう
に、対の端子を切り替えることを特徴とするセンサー端
子切替手段。 - 【請求項２】前記センサーは、四端子を有するホール素
子であることを特徴とする請求項１に記載のセンサー端
子切替手段。 - 【請求項３】前記センサーは、４つの歪み抵抗器から構
成された四端子を有するブリッジ回路から成る圧力セン
サーであることを特徴とする請求項１に記載のセンサー
端子切替手段。 - 【請求項４】一対の端子に制御電流が流れ且つ他の一対
の端子から電圧を出力する四端子を有するホール素子を
用いた磁気測定方法であって、 ホール素子の一方の一対の端子に制御電流を流す際には
他方の一対の端子から出力された電圧を測定し、他方の
一対の端子に制御電流を流す際には一方の一対の端子か
ら出力された電圧を測定することを特徴とする磁気測定
方法。 - 【請求項５】４つの歪み抵抗器から構成され且つ一対の
端子に制御電流が流れ他の一対の端子から電圧を出力す
る四端子を有するブリッジ回路から成る圧力センサーを
用いた圧力測定方法であって、 圧力センサーの一方の一対の端子に制御電流を流す際に
は他方の一対の端子から出力された電圧を測定し、他方
の一対の端子に制御電流を流す際には一方の一対の端子
から出力された電圧を測定することを特徴とする圧力測
定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4355406A JPH06186103A (ja) | 1992-12-21 | 1992-12-21 | センサー端子切替手段、並びに磁気測定方法若しくは圧力測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4355406A JPH06186103A (ja) | 1992-12-21 | 1992-12-21 | センサー端子切替手段、並びに磁気測定方法若しくは圧力測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06186103A true JPH06186103A (ja) | 1994-07-08 |
Family
ID=18443758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4355406A Pending JPH06186103A (ja) | 1992-12-21 | 1992-12-21 | センサー端子切替手段、並びに磁気測定方法若しくは圧力測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06186103A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0319731A2 (de) * | 1987-12-11 | 1989-06-14 | Gildemeister AG | Drehmaschine mit einem axial verschiebbaren Spindelstock |
| JP2003527591A (ja) * | 2000-03-17 | 2003-09-16 | フェスト アクツィエンゲゼルシャフト ウント コー | 位置検出装置 |
| JP2007192647A (ja) * | 2006-01-19 | 2007-08-02 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体センサ回路 |
| US20110273173A1 (en) * | 2010-05-05 | 2011-11-10 | Austriamicrosystems Ag | Sensor Arrangement and Method for Operating a Sensor Arrangement |
| US20110273172A1 (en) * | 2010-05-05 | 2011-11-10 | Austriamicrosystems Ag | Sensor Arrangement and Method for Operating a Sensor Arrangement |
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