TW201038533A

TW201038533A - Materials for organic electroluminescent devices

Info

Publication number: TW201038533A
Application number: TW099101102A
Authority: TW
Inventors: Amir Hossain Parham; Christof Pflumm; Arne Buesing; Holger Heil; Philipp Stoessel
Original assignee: Merck Patent Gmbh
Priority date: 2009-01-20
Filing date: 2010-01-15
Publication date: 2010-11-01
Also published as: DE112009004294B4; CN102272264A; US20110272685A1; KR20110122130A; DE102009005288A1; DE112009004294A5; CN102272264B; JP5694194B2; JP2012515734A; KR101802526B1; WO2010083873A1

Description

201038533 六、發明說明：【發明所屬之技術領域】本發明描述包含雜芳族橋聯原子之茚並莽衍生物，其作爲具有發光和電洞傳輸性質之材料的新穎種類，特別是用於電發光裝置之發光及/或電荷傳輸層。本發明此外係有關一種用於製備根據本發明化合物之方法及有關包含彼等之電子裝置。 Ο 【先前技術】有機電發光裝置之一般結構係描述於例如 US 453 9507、US 5 1 5 1 629、EP 067646 1 及 WO 98/27 1 36 中。然而，仍有需要改良這些裝置： 1 ·效率仍然是低的，特別是在螢光Ο L E D的情況中，且應被改良。 2. 操作壽命時常仍然是短的，特別是在藍色發光之 Q 情形中，且結果在此仍需要改良。 3. 操作電壓相當高，在螢光的情況中和在磷光 Ο LED的情況中均是。操作電壓減少導致功率之改良。此具有重大意義，特別是針對移動應用。 4. 在根據先前技術之電洞傳輸材料的情況中，電壓依賴於電洞傳輸層之層厚度。事實上，爲了改良光學偶合輸出和生產良率，時常會希望電洞傳輸層之層厚度較厚。然而，此不能夠使用根據先前技術之材料達成，因爲電壓相應增加。因此在此持續需要改良。 -5- 201038533 5 · -些根據先前技術之材料（特別是電洞傳輸材料 )有在氣相沉積法期間於氣相沉積源之邊緣結晶且因此阻塞氣相沉積源之問題。因此可被良好操作處理之材料是大量生產中所想要的。茚並弗胺類由於非常好的電洞移動能力而用作電荷傳輸及-注入材料。此類材料顯示比較低的電壓對傳輸層厚度的依賴性。EP 1860097、WO 2006/100896、 DE 102006025846、WO 2006/122630 和 WO 2008/006449 揭示用於電子裝置中之茚並莽二胺類。其中引述當用作電洞傳輸材料或用作深藍色發光體時具有良好壽命。然而，這些化合物由於材料之結晶性而具有問題：它們以大量生產時在氣相沉積期間顯示有問題的特性，因爲該等材料在氣相沉積期間於氣相沉積源上結晶且因此阻塞氣相沉積源。因此將這些材料使用於製備中係伴隨著增加技術複雜性。因此在此仍需要進—步的改良。持續需要（特別是）改良之發光化合物，特別是藍色發光化合物’其在有機電發光裝置中導致良好效率且同時導致長尋命及其在工業中可被操作處理而沒有問題。此同樣地適用於電荷傳輸和-注入化合物及適用於螢光或磷光化合物用之基質材料。特別地’有需要材料結晶性上的改良。【發明內容】本發明之目的因此在於該等化合物之提供。 -6 - 201038533 令人驚訝地’頃發現使用精確地包含一雜芳族橋聯原子的茚並莽衍生物之電發光裝置具有超越先前技術之顯著改良，特別是當用作主體材料中的藍色-發光摻雜劑或用作電洞傳輸化合物時。當用作電洞傳輸化合物，在二橋聯之一中將碳原子以雜原子取代能夠減少結晶性且因此達成改良之加工性。此外，發生：由於介面形態（interfacial morphology)改變而較使操作電壓降低，和可能由於改良之電洞移動性而使電壓對傳輸層厚度之依賴性降低。當用作深藍色摻雜劑時，雜芳族橋聯原子之引入導致較長壽命和改良之效率。爲此，本發明提供一種通式I或Π之化合物 R1 R1

式I

A

式II Ο 其中

A對應於通式III

且其中該連接至通式I或II之化合物經由γ發生； Υ在每種情況下彼此獨立爲N、P、P = 〇、B、c = 〇、〇、s 、s = o 或 so2 ; 201038533 z在每種情況下彼此獨立爲CR或N; X在每種情況下彼此獨立地爲選自 B(R”、C = 0、 € = S、S = 0' S02 和 WR1)之二價橋聯； R在每種情況下彼此獨立爲 H、D、F、Cl、Br、I、 N(Ar)2 、N(R2)2、C (= O) Ar、P (= Ο ) Ar 2 、 S (= Ο ) Ar、 S( = 0)2Ar ' CR2 = CR2Ar、CN、N02、S i (R2 ) 3、B (O R 2 ) 2、 0S02R2、具有1至40個C原子之直鏈烷基、烯基、炔基、烷氧基或硫烷氧基或具有3至40個C原子之支鏈或環狀烷基、烯基、炔基、烷氧基或硫烷氧基，其各可經一個或更多基團R2取代，其中一個或更多非相鄰CH2基團可經 R2C = CR2、C 三 C、Si(R2)2、Ge(R2h、Sn(R2)2、C = 0、 C = S、C = Se、C = NR2、P (= O) (R2)、S O、S Ο 2、N R2、O、S 或-CON R2替換及其中一個或更多H原子可經D、F、Cl、 Br、I、CN或N02替換，或具有5至40個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在每種情況下可經一個或更多基團R2取代，或具有5至40個芳族環原子之芳氧基或雜芳氧基，其可經一個或更多基團R2取代，或這些系統之組合；其中，除此之外，二個或更多取代基R也可彼此形成單-或多環脂族環系統； R1在每種情況下彼此獨立爲Η、D、F、C1、B r、I、C N、 N〇2、N(R2h、B(OR2)2、Si(R2)2、具有 1 至 40 個 C 原子之直鏈烷基、烯基、炔基、烷氧基或硫烷氧基或具有3至 40個C原子之支鏈或環狀烷基、烯基、炔基、烷氧基或硫烷氧基，其各可經一個或更多基團R2取代，其中一個 8 - 201038533 或更多非相鄰ch2基團可經-R2C = CR2-、-C Ξ c-、、Ge(R2)2、Sn(R2)2、c = 0、C = s、C = Se、C = NR2、 -s-、-COO-或-CONR2-替換及其中一個或更多H原 D、F、Cl、Br、I、CN或N02替換，或芳胺類或之咔唑類，其各可經一個或更基團R2取代，或具 4〇個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其可經更多非芳族R2取代，或具有5至40個芳族環原子 0 基或雜芳氧基，其可經一個或更多非芳族基團R2 或這些系統之組合，其中，除此之外，二個或更多 R1此也可彼此形成單-或多環之環系統； R2在每種情況下彼此獨立爲Η、D或具有1至20 子之脂族或芳族烴基；

Ar在每種情況下彼此獨立爲具有5至40個芳族環芳族或雜芳族環系統，其可經一個或更多基團R1耳 E在每種情況下彼此獨立爲單鍵、N (R1 )、0、S、 ❹ 、SKR1：^ 或 B(R'); q = 1’如果基團Y的對應中央原子爲選自第3或的元素，或 =〇’如果基團Y的對應中央原子爲！或6主族的元素； t在每種情況下彼此獨立爲0或1，其先決條件爲 =0則t = 0 ’和其中t = 0表示基團R1被鍵結而團E ; V在每種情況下彼此獨立爲0或1，其先決條件爲之總數大於或等於一，其中V = 0表示基團R被

Si(R2)2 -〇·、 .子可經 •經取代有5至一個或 •之芳氧取代，取代基個C原原子之 5代； c(r】）2 5主族 I自第4 如果 q 不是基 v和w 鍵結而 -9 - 201038533 不是基團A ; w在每種情況下彼此獨立爲〇或1，其先決條件爲v和w 之總數大於或等於一，其中w = 〇表示基團R被鍵結而不是基團A。在本發明一體系中，在通式I或Π之化合物中基團Y 在每種情況下較佳爲N或C = 〇。 X此外較佳係選自N ( R 1 )或s，其中R 1具有如上所指不之意義。在本發明另一體系中，基團Z在每種情況下較佳彼此獨立地爲CR。基團R在此較佳具有如上所指示之意義。在本發明另一體系中，在通式I或II之化合物中Ar 較佳爲苯基、萘基、具有5_15個碳原子之經取代之芳族或雜芳族環系統或經芳胺或咔唑取代之芳族或雜芳族環系統。在本發明另一體系中’E不存在’也就是t = 〇，或 E爲單鍵或C^R1)2’其中R1具有如上所指示之意義。此外下列較佳適用於通式I或11之化合物：V = w = 1 或 v = 0 和 w=l 或 v=l 和 w = 〇。在本發明另一體系中’化合物係選自式13或IIa:

其中符號和標記具有如上所指示之意義。X特佳等於S或 -10- 201038533 T^R1)。此外通式I或11化之合物較佳符合下列結構式1至 7 2 ··

-11 - 201038533 13 14 15 16 f) Qr^O^P^ 17 18 0 Q _ JX P o ^ 19 20 Q ^ /1. Ο §♦ 21 22 H ! 23 24 K 9 25 26

-12- 201038533

27 28 0 ^ 9 29 30 §1^8 31 32 9 33 34 gt§ 35 36 §^δ 9 37 38 -13- 201038533 u σχ P 39 40 1 41 42 卜 9 /、 9 43 44 9 45 46 47 48 49 50 -14- 201038533

-15- 201038533 Q _ Ο ό h _ _ d 65 66 67 68 ό 69 70 ό x ό 71 72 爲了本發明，具有1至40個c原子之院基基團（其中’除此之外，個別Η原子或CH2基也可經上述基團取代）較佳表示基團甲基、乙基、正丙基、異-丙基、正丁基、異-丁基、第二-丁基、第三-丁基、2-甲基丁基、正戊基、第二-戊基、環戊基、正己基、環己基、正庚基、環庚基、正辛基、環辛基、2-乙基己基、三氟甲基、五氟乙基、2,2,2-三氟乙基。爲了本發明，烯基基團特別地表示乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、環戊烯基 '己烯基、環己烯基、庚烯基、環庚烯基、辛烯基、環辛烯基。爲了本發明’炔基基團特別地表示乙炔基、丙炔基、丁炔基、 -16- 201038533 戊炔基、己炔基或辛炔基。Ci-至C40-烷氧基基團特佳表示甲氧基 '三氟甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異-丙氧基、正丁氧基、異-丁氧基、第二-丁氧基、第三-丁氧基或 2_甲基丁氧基。爲了本發明，芳基基團佳較包含5至40個C原子；爲了本發明，雜芳基基團包含2至40個C原子和至少一種雜原子，其先決條件爲C原子和雜原子之總和爲至少5 。雜原子較佳係選自N、〇及/或S。芳基基團或雜方基基團在此表示簡單芳族環，也就是苯，或簡單雜芳族環’ 例如吡啶、嘧啶、噻吩、等等、或縮合芳基或雜芳基基團，例如萘、蒽、菲、喹啉、異喹啉、苯並噻吩、苯並呋喃及吲哚、等等。爲了本發明，芳族環系統在環系統中包含5至40個 C原子。爲了本發明，雜芳族環系統在環系統中包含2至 4〇個C原子和至少一種雜原子，其先決條件爲c原子和 Q 雜原子之總和爲至少5。雜原子較佳係選自N、Ο及/或 S。爲了本發明，芳族或雜芳族環系統意欲表示一種系統，其不一定只包含芳族或雜芳族基基團，而改爲其中多數個方族或雜芳族基基團也可被短非芳族單元（較佳<10% 之非Η的原子，如例如sp3_混成之C、N或◦原子）中斷。因此’例如9，9 ’ -螺-聯莽、9，9 -二芳基蕗、三芳胺、二芳基醚、二苯乙烯、等等系統爲了本發明也意欲爲芳族環系統’如爲其中二個或多個芳基基團被直線或環狀烷基基團或被矽基基團直中斷之系統。 -17- 201038533 具有5-60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統（其在每種情況下也可經上述基團R取代且其可經由任何所要位置鍵聯至芳族或雜芳族環系統）特別是表示衍生自下列之基：苯、萘、惠、菲 ' 在、疾（chrysene)、苯並蒽 '菲、苯並莽（fluoranthene )、稠四苯、稠五苯、苯並芘、聯苯、伸聯苯（b i p h e n y 1 e n e )、聯三苯、伸聯三苯（ terphenylene)、莽、螺聯兼、二氫菲、二氫芘、四氫注、順式-或反式-節並茜、三聚節（truxene)、異三聚茚（ isotruxene)、螺三聚茚、螺異三聚茚、呋喃、苯並呋喃、異苯並呋喃、二苯並呋喃、噻吩、苯並噻吩、異苯並噻吩、二苯並噻吩、吡咯、吲哚、異吲哚、咔唑、吡啶、喹啉、異喹啉、吖啶、啡啶、苯並-5，6 -喹啉、苯並-6,7 -喹啉、苯並-7，8 -喹啉、啡噻嗪、啡噁嗪、吡唑、吲唑、咪哩、苯並咪哗、萘並咪卩坐（naphthimidazole)、啡咪卩坐（ phenanthroimidazole)、卩定並咪 D坐（pyridimidazole) 、啦曝並咪哩（pyrazinimidazole)、陸嚷啉並咪哩（ quinoxalinimidazole )、嚼哩、苯並D惡U坐、萘嚼哗（ naphthoxazole)、蒽嚼 B坐（anthroxazole)、菲嚼哩（ phenanthroxazole)、異噁唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、苯並噻唑、噠嗪、苯並噠嗪、嘧啶、苯並嘧啶、喹噁啉、1 ,5 -二氮雜蒽、2,7-二氮雜芘、2,3-二氮雜芘、1,6-二氮雜芘、1,8 -二氮雜芘、4,5 -二氮雜芘、4,5,9,10 -四氮雜茈 '吡曉、啡嗪、啡噁嗪、啡噻嗪、熒紅環（fluorubin )、嘌啶、氮雜昨唑、苯並咔啉、啡啉、1 ,2，3 -三唑、1 ,2,4 -三唑、 -18 - 201038533 苯並三唑、12,3-噁二唑、1，2,4-噁二唑、1，2,5-噁二唑、 1，3,4-噁二唑、丨，2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、1，2,5-噻二唑'1，3,4-噻二唑、1,3,5-三嗪、1，2,4-三嗪、1，2,3-三嗪、四唑' 1，2,4,5-四嗪、1，2,3,4-四嗪、1,2,3,5-四嗪、嘌呤、喋啶、吲嗪和苯並噻二唑。根據本發明之化合物可藉由熟習該項技術者已知的合成步驟製備，如例如，溴化作用、鈴木（Suzuki )偶合、 0 哈特維-布希沃德（Hartwig-Buchwald)偶合、等等。包含作爲橋聯X原子之氮的衍生物的合成槪括地顯不於流程1。流程1:

該合成從莽-2-硼酸衍生物著手進行’莽-2-硼酸衍生物在鈴木偶合中偶合至I,4-二溴_2_硝基苯。此接著在莽單元之鹵化作用，例如溴化作用。該硝基基團在亞磷酸酯 (例如亞磷酸三乙酯）之作用下環化，產生對應茚並咔唑衍生物。氮然後可藉烷化劑烷化或在哈特維-布希沃德反 -19 - 201038533 應中芳化。在最後步驟中，使反應性脫離基（例如溴基團 )反應而產生所要之分子。此可進行（例如在哈特維-布希沃德偶合中）以產生對應胺。酮類、膦氧化物類、等等可藉由金屬化（例如鋰化），及與親電子劑之反應獲得。該等結構在此當然也可經另外的取代基取代。含作爲橋聯原子X之硫的衍生物槪括地顯示於流程2 流程2:

該合成從2_溴葬衍生物進行。此在鈴木偶合中與苯之1 -硼酸2 -硫醚衍生物反應和氧化。在酸的影響下，該對應茚並二苯並噻吩形成，其係使用氧化劑氧化。此接著鹵化作用’例如溴化作用，和哈特維-布希沃德偶合以便引入二芳胺基基團。在最後步驟中，再次將硫還原。進行硫之氧化作用和還原作用以便選擇性地促進鹵化作用。一般’根據本發明之化合物可藉由將莽衍生物偶合至經基團X 1取代之苯衍生物，其中基團χ 1爲可轉化成二價 -20- 201038533 基團X之基團’和在後來的步驟中藉由將基團χΐ轉化成基團X而製得。本發明此外係有關一種製備通式I或11化合物之方法，其特徵在於下列步驟： a )將莽衍生物偶合至經基團X 1取代之苯衍生物，其中該基團X1爲一種可被轉化成二價基團X之基團，及 b)將基團X1轉化成基團X，其中X具有如上所指示之意義。 Ο 式I或Π之化合物可使用於電子裝置中，特別是使用於有機電發光裝置中。化合物的精確使用視取代基而定〇在本發明一較佳體系中，式I或II之任一化合物係使用於發光層中，較佳以與至少一種另外的化合物的混合物一起。式Ϊ或II之任一化合物較佳爲混合物中之發光化合物（摻雜劑）。較佳主體材料爲有機化合物，其係在 Q 比式1或11之任一化合物短的波長發光或其完全不發光〇本發明因此此外係有關一種或更多式I或II之任一化合物與一或更多種主體材料的混合物。式I或11之任一化合物在發光層之混合物中的比例爲介於0.1和99.0體積％之間，較佳介於0.5和50.0體積％之間’特佳介於1.0和20.0體積％之間，特別是介於1_ 0和1 〇 · 〇體積％之間。對應地，主體材料在層中的比例爲介於1 · 0和9 9.9體積％之間，較佳介於5 0 · 〇和 -21 - 201038533 99.5體積％之間，特佳介於8〇·〇和99.0體積％之間，特別是介於90.0和99.0體積％之間。適當主體材料爲各種類之物質。較佳主體材料係選自寡聚伸芳（oligoarylene)(例如根據 EP 676461之 2,2’，7,7’-四苯基螺二莽或二萘基蒽），特別是包含稠合芳族基團之寡聚伸芳、寡聚伸芳伸乙烯類（〇ligoarylene vinylenes )(例如根據 EP 67646 1 之 D P VB i 或螺-D P V B i )、多牙（polypodal)金屬錯合物（例如根據 WO 04/08 1 01 7 )、電洞傳導化合物（例如根據 WO 04/05 89 1 1 )、電子傳導化合物，特別是酮類、氧化膦類、亞颯類等等（例如根據WO 05/08408 1和 W0 05/084082 )、阻轉異構體（atropi somers )(例如根據EP 1 6 5 5 3 5 9 )或硼酸衍生物（例如根據WO 06/ 1 1 7052 )或苯並蒽衍生物（例如根據 W Ο 0 8 / 1 4 5 2 3 9 )之種類。特佳主體材料係選自包含萘、蒽、苯並蒽及/或芘之寡聚伸芳類或這些化合物之阻轉異構體（atropisomers)、寡聚伸芳伸乙烯類、酮類、氧化膦類和亞颯類之種類。非常特佳主體材料係選自包含萘、蒽、苯並蒽及/或芘之寡聚伸芳類或這些化合物之阻轉異構體。此外特佳者爲使用式I或11之化合物作爲電洞傳輸材料及/或作爲電洞注入材料。此特別地適用，如果Y 代表N及/或如果X代表n R1。化合物然後較佳使用於電洞傳輸層或電洞注入層中。爲了本發明，電洞注入層爲〜種直接相鄰於陽極之層。爲了本發明’電洞傳輸層爲一 -22- 201038533 種位於電洞注入層和發光層之間的層。如果使用式丨或j τ 之任一化合物作爲電洞傳輸材料或電洞注入材料，則它們較佳ί爹雜電子受體化合物’例如摻雜FcTCNQ (四氟四氰基唾啉—甲烷（quinodimethane))或摻雜如EP 1 4768 8 1 或EP 1 5 96445中所述之化合物。如果式I或II之任一化合物係用作電洞傳輸層中之電洞傳輸材料’則1 〇〇 %的比例爲較佳，也就是以純物質 0 使用此化合物。特佳者也爲式I或II之任一化合物與包含六氮雜聯伸三苯衍生物（特別是六氰基六氮雜聯伸三苯）之層組合使用於電洞-傳輸或-注入層（例如根據E P n 7 5 4 7 〇 )。因此’例如，較佳者爲一種如下所示的組合：陽極—六氮雜ϋ伸一本衍生物-電洞傳輸層，其中該電洞傳輸層包含一種或更多式I或U之化合物。在此結構中同樣地可能使用多數個連續電洞傳輸層，其中至少一個電洞傳輸層〇包含至少—種式1或π之化合物。另一較佳組合如下所示：陽極-電洞傳輸層-六氮雜聯伸三苯衍生物-電洞傳輸層’其中二個電洞傳輸層之至少一個包含一種或更多式I或II之化合物。在此結構中同樣地可能使用複數個連續電洞傳輸層取代一個電洞傳輸層，其中至少一個電洞傳輸層包含至少一種式I或π之化合物。此外式I或II之任一化合物特佳係用作電子傳輸材料及/或用作螢光和磷光oled之電洞阻隔材料及/或用作磷光OLED之三重態基質材料。此特別適用，如果γ代 -23- 201038533 表 C = 0 或 P = 0。本發明此外係有關上述定義之化合物於電子裝置的用途。上述化合物也可用於製備聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物。這通常是經由可聚合官能基進行。爲此目的，特佳者爲經反應性脫離基（諸如溴、碘、硼酸、硼酸酯、甲苯磺酸酯或三氟甲磺酸酯）取代之化合物。這些也可用作用於產生對應共軛、部份地共軛或非共軛聚合物、寡聚物之共單體或也作爲樹枝狀聚合物之核心。聚合作用在此較佳經由鹵素官能性或硼酸官能性進行。聚合物也可具有可交聯基或經由可交聯基交聯。特別適合的可交聯基爲該等然後在電子裝置之層中交聯者。本發明因此此外係有關包含一種或更多式I或π之任一化合物之聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物。至發源於式I或π之化合物的聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物之鍵可位在式I或II之化合物的任何所要位置，其特徵在於任意經基團R或R1取代。聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物在此可爲共軛、部份地共軛或非共軛。同樣地所包含者爲根據本發明之聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物與另外聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物之摻合物。爲了本發明，術語寡聚物係適用於具有約三至九個重複單元的化合物。爲了本發明，聚合物表示一種具有十個或更多重複單元之化合物。上述根據本發明之化合物可用作（例如）用於產生對應 -24- 201038533 共軛、部份地共軛或非共軛聚合物、寡聚物之共單體或也作爲樹枝狀聚合物之核心。聚合作用在此較佳經由鹵素官能性及/或硼酸官能性進行。這些聚合物可包含另外的重複單元。這些另外的重複單元較佳係選自由莽類（例如根據EP 842208或 WO 0 0/2 2026)、螺二蕗類（例如根據 EP 707020、 EP 8941 07或EP 04028865.6 )、三芳胺類、對-伸苯類（例如根據w Ο 9 2 / 1 8 5 5 2 )'咔唑類（例如根據 WO 04/070772 或 WO 04/ 1 1 3 468 )、噻吩類（例如根據 EP 1 02 8 1 3 6 )、二氫菲類（例如根據 w〇 05/0 1 4689 )、茚並荛類（例如根據WO 04/041901或WO 04/113412)、芳族酮類（例如根據WO 05/040302)、菲類（例如根據 WO 05/ 1 04264 )及/或金屬錯合物，特別是鄰金屬化銥錯合物所組成之群組。在此應明白地指出聚合物也可具有複數個選自的上述基團之一個或多個的不同重複單元。本發明同樣係有關上述定義之聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物於電子裝置中的用途。本發明此外係有關一種電子裝置，其包含至少一種如上述所定義之化合物’或一種如上述所定義之聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物。本發明同樣包含根據本發明之聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物，任意地與和其不同的另外寡聚物、聚合物或樹枝狀聚合物，或另外低分子量化合物的摻合物^ 電子裝置較佳係選自由有機電發光裝置（0LED )、 -25- 201038533 有機場效電晶體（O-FET )、有機薄膜電晶體（〇-TFT ) 、有機發光電晶體（0-LET)、有機積體電路（O-ic)、有機太陽能電池（Ο-SC)、有機場抑止裝置（！^1(1- quench devices) (0-FQD)、發光電化學電池（LEC)、有機光感受器（photoreceptors)和有機雷射二極體（〇_ 雷射）所組成群組。爲了本發明，根據本發明式I或11之任—化合物或根據本發明之聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物在電子裝置中較佳用作電洞傳輸層中及/或電洞注入層中之電洞傳輸材料且在這些層中式I或II任一化合物或聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物也可能任意地與電子受體化合物摻雜。此外根據本發明式I或Π之任一化合物或根據本發明之聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物在電子裝置中較佳用作電子傳輸層中之電子傳輸材料及/或用作電洞阻隔層中之電洞阻隔材料及/或用作發光層中之三重態基質材料。此外根據本發明式I或11之任一化合物或根據本發明之聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物在電子裝置中較佳使用於發光層，較佳作爲發光材料。有機電發光裝置包含陽極、陰極和至少一個發光層，其中至少一層（其可爲電洞傳輸或-注入層、發光層 '電子傳輸層或另一層）包含至少一種式I或π之任一化合物或根據本發明之聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物。陰極較佳包含具有低功函數之金屬、金屬合金或包含不同金屬’諸如鹼土金屬、鹼金屬、主族金屬或鑭系金屬 -26- 201038533 (例如Ca、Ba、Mg、Al、In、Mg、Yb等）之多層結構。在多層結構的情況中，除該等金屬之外也可使用具有較高功函數之其他金屬，如例如Ag，其中一般使用金屬之組合物’如例如C a / A g或B a / A g。較佳者同樣爲金屬合金 ’特別是包含鹼金屬或鹼土金屬和銀之合金，特佳包含 Mg和Ag之合金。較佳者也爲在金屬陰極與有機半導體之間引入具有高介電常數之材料的薄中間層。適合於此目 0 的者爲例如鹼金屬或鹼土金屬氟化物，以及對應氧化物或碳酸鹽類（例如 LiF、Li20 ' CsF、CS2C03、BaF2' MgO 、NaF、等等）。此層之層厚度較佳係介於0.5和5奈米之間。陽極較佳包含具有高功函數之材料。該陽極較佳具有大於4.5電子伏特之功函數（相對於真空）。適用於此目的者一方面爲具有高氧化還原電位之金屬，如例如Ag、 Pt或 Au。另一方面，金屬/金屬氧化物電極（例如 Q Al/Ni/NiOx，Al/Pt/PtOx )也爲較佳的。就一些應用而言，至少一電極須爲透明，以進行有機材料之輻射（0-SC )或光之偶合輸出（OLED/PLED，0-雷射）。較佳結構使用透明陽極。在此較佳陽極材料爲導電性混合金屬氧化物。特佳者爲氧化銦錫（ITO )或氧化銦鋅（IZO )。此外較佳者爲導電性摻雜有機材料，尤其是導電性摻雜聚合物。裝置係對應地（視應用而定）構成，提供接觸和最後密封，因爲在水及/或空氣存在下該等裝置之壽命大幅縮 -27- 201038533 短。式Ϊ或Π之任一化合物也可用作聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物中的發光單元及/或用作電洞傳輸單元及/ 或用作電子傳輸單元。此外較佳者爲有機電發光裝置，其特徵在於在相同層或在不同層中使用複數個發光化合物。這些化合物特佳具有總計多數個之介於380奈米和750奈米之間的發光最大値，所產生之全白色發光，也就是除了式I或II之化合物之外，可使用至少一個能夠發螢光或發磷光且發黃色、橘色或紅色光之另外發光化合物。特佳者爲三層系統，其之至少一層包含至少一種式I或II之化合物和其中該等層顯示藍色、綠色和橘色或紅色發光（基本結構參見例如 WO 05/0 11013)。寬帶發光體同樣地可使用於白色發光 OLED。除了陰極、陽極和發光層之外，有機電發光裝置也可包含另外的層。這些可爲（例如）：電洞注入層、電洞傳輸層、電子阻隔層、電洞阻隔層、電子傳輸層、電子注入層及/或電荷產生層（T. Matsumoto等人，Multiphoton Organic EL Device Having Charge Generation Layer， IDMC 2003，Taiwan ； Session 21 OLED (5))。然而，就此應指出這些層之各個不一定必須存在。因此，特別是當使用式I或II之任一化合物與電子-傳導主體材料時，此外如果有機電發光裝置不包含分開的電子傳輸層和發光層直接毗鄰電子-注入層或直接毗鄰陰極，則獲得非常好的 -28- 201038533 結果。或者，主體材料也可同時地作爲電子傳輸層中之電子傳輸材料。有機電發光裝置同樣地較佳不包含分開的電洞傳輸層和發光層較佳直接毗鄰電洞注入層或直接毗鄰陽極。式I或II之任一化合物此外較佳可同時地用作發光層中之摻雜劑和用作電洞傳輸層中及/或電洞注入層中之電洞傳導化合物（呈純物質或呈混合物）。此外較佳者一種有機電發光裝置，其特徵在於一或多 0 層係藉昇華法塗覆，其中材料係在真空昇華單元中以低於 1(Γ5毫巴，較佳爲低於10·6毫巴之初壓力下氣相沉積。然而，應指出也有可能爲甚至更低的初壓力，例如低於1 0 — 7 毫巴。同樣地較佳者爲有機電發光裝置，其特徵在於一或多層係以OVPD (有機氣相沉積）法或借助於載體氣昇華法塗覆，其中材料係在介於1 0·5毫巴與1巴之間的壓力下塗覆。此方法的特殊例子爲OVJP (有機蒸氣噴射印刷） Q 法’其中材料係經由噴嘴直接塗覆且因此結構化（例如， M.s. Arnold 等人之 Appl. Phys. Lett. 2008，92，053 30 1 此外較佳者爲有機電發光裝置，其特徵在於一或多層係從溶液產生’如例如藉旋轉塗布或以任何所欲之印刷法 ’如例如網版印刷、快乾印刷或套版印刷，但是特佳爲 LITI (光誘致熱成像、熱轉移印刷）或噴墨印刷。爲此目的需要式I或II之任一可溶性化合物。高溶解度可經由化合物的適當取代而達成。這些製備層的方法特別適合於 -29- 201038533 聚合物'寡聚物或樹枝狀聚合物。根據本發明的化合物在使用於有機電發光裝置時，較佳具有一或多項下列超越先前技藝之優點： 1 ·與根據先前技術之系統比較，對應裝置之功率變得較高’特別是在使用厚層的情形中。 2.與根據先前技術之系統比較，對應裝置之穩定性變得較高’其由特別是顯著較長壽命而彰顯，特別是在使用厚層的情形中。 3 ·當根據本發明之化合物用作電洞傳輸或電洞注入層中之電洞傳輸材料時，發現電壓對對應電洞傳輸及/或電洞注入層的層厚度爲較少依賴性。相比之下，在電洞傳輸或電洞注入層之較高層厚度的情形中，用根據先前技術之材料獲得較大電壓增加，因而產生較低之O L E D功率。 4·特別是，根據本發明化合物之結晶性被改良。而根據先前技術之化合物在許多情況下在氣相沉積期間於氣相沉積源上結晶，其如以工業大量生產進行，在延長氣相沉積的情況中導致沉積源的阻塞，在根據本發明化合物的情況中這種現象完全沒有觀察到或只有小程度。根據本發明之化合物因此特別適合用於大量生產。本申請案本文以及下列實例係針對根據本發明之化合物有關OLED及對應顯示器的用途。雖然有此敘述上的限制，但是熟習此技藝者亦有可能將根據本發明的化合物進一步使用於其他電子裝置中，例如有機場效電晶體（〇-F E T )、有機薄膜電晶體（Ο - T F T )、有機發光電晶體（ -30- 201038533 O-LET) '有機積體電路（〇_〗〇、有機太陽能電池（〇. SC )、有機場淬滅裝置（〇_Fqd )、發光電化學電池（ LEC)、有機光感受器或有機雷射二極體（〇_雷射），僅舉幾個應用，而無涉額外進步性。本發明同樣關於根據本發明的化合物在對應裝置中的用途及這些裝置本身。現知由下列實例詳細解釋本發明，但不希望本發明因 ^ 此被限制》〇【實施方式】實例= 除非另有指示，在正大氣壓下於無水溶劑中進行下列合成。起始點可使用例如，9,9 -二甲基- 9H -苐-2 -硼酸（ Synlett 2006，（5)，737-740 ) ° Q 實例1 :胺-1之合成 a) ( 2’-硝苯基）蕗-2-基衍生物之合成

將164.4克（650毫莫耳）的9,9-二甲基- 9H-莽-2-硼酸、33.8克（124毫莫耳）的2,5-二溴硝基苯和164.7克 (774毫莫耳）的K2C03懸浮在750毫升的THF和750 毫升的水中，將混合物用N2飽和，加入2.9克（2· 55毫 -31 - 201038533 莫耳）的肆（三苯基膦）鈀（0)，並將混合物在沸騰下加熱2小時。將混合物倒入3升的水/MeOH/6M HC1 1 : 1 :1的混合物，和用抽吸過濾淺褐色沈澱物’用水洗滌和乾燥。根據W-NMR之產物的含量爲約75%與183克之總產量（90% )。 b)二溴衍生物之合成

在保護氣體下最初將3 84克（973毫莫耳）的來自a )之化合物引進2.5升的氯仿中並冷卻至5°C。將55.2毫升（1071毫莫耳）的Br2(溶解在250毫升的氯仿中）逐滴加至此溶液，並將混合物過夜。將Na2S03溶液加至混合物，進行相分離，及在真空中除去溶劑。根據1 Η - N M R 之產物的含量爲95%與400克之總產量（86%)。 c)二溴茚並咔唑之合成

將14 0克（2 9 5毫莫耳）的來自b )之二溴衍生物和 5 0 0毫升（2 9 2 3毫莫耳）的亞磷酸三乙酯的混合物在回流下加熱1 2小時。接著藉由蒸餾（7 2 - 7 6 °C / 9毫米的H g ) -32- 201038533 除去殘餘亞磷酸三乙酯。將水/MeOH ( 1 : 1 )加至殘餘物中’及過濾固體和再結晶。根據1H-NMR之產物的含量爲約96%與110克之總產量（84%)。 d )胺之烷基化作用

〇在保護氣體下最初將52克（117.8毫莫耳）的來自c )之茚並咔唑引進450毫升的THF和150毫升的DMF中並冷卻至〇。(：。將7克（2 3毫莫耳）的6 0 %氫化鈉逐部分加至此溶液。接著逐滴加入2 2 ·0 1毫升的碘甲烷’和使混合物至室溫。將200毫升的25% NH3溶液加至混合物，進行相分離，並在真空中除去溶劑。根據1h-nmr之產物的含量爲約95%與48.1克之總產量（92% )。

Q e)用於胺-1之合成的哈特維-布希沃德偶合

將53克（1 16毫莫耳）來自d )之茚並咔唑和43.3 克（ 256毫莫耳）的二苯胺在1 500毫升二嚼烷中的除氣溶液用N2飽和1小時。首先將1 Μ之1 1.6毫升（1 1 · ό毫 -33- 201038533 莫耳）的P(tBu)3、然後2.6克（1 1 .6毫莫耳）的乙酸鈀加至溶液，和加入固態33.5克（349毫莫耳）的NaOtBu 。在回流下加熱反應混合物1 8小時。冷卻至室溫之後，小心地加入1 000毫升的水。將有機相用4x50毫升的H20 洗滌，經過Mg S04乾燥，並在真空中除去溶劑。藉由再結晶純化純產物。根據HP LC之產物含量爲99.9%與62.5 克之總產量（8 5 % )。實例2 :胺-2之合成 a )硫酸之合成

將200克（ 732毫莫耳）的2-溴-9,9-二甲基- 9H-弗、 122.9 克（73 2 毫莫耳）的 2-甲硫基（methylsulfanyl )苯基硼酸和2 0 2克（9 5 0毫莫耳）的K2 C Ο 3懸浮在8 5 〇毫升的THF和85〇毫升的水中，將混合物用Ν2飽和，加入 3.3克（2 _ 9毫莫耳）的肆（三苯基膦）鈀（〇 )，並將混合物在沸騰下加熱2小時。將混合物倒入3升的水 / M e Ο Η / 6 Μ H C1 1 : 1 : 1的混合物中，及用抽吸過濾淺褐色沈澱物，用水洗滌並乾燥。根據1 Η - N M R之產物的含量爲約9 5 %與1 9 0克之總產量（8 2 % )。 b )硫醚之氧化作用 -34- 201038533

在保護氣體下最初將196克（619·3毫莫耳）的來自 a )之硫釀引進2 · 3升的冰醋酸和2 5 0毫升的二氯甲烷中並冷卻至〇〇c。將1 _ 1升（6 1 9毫莫耳）的3 0 % H2 02溶液逐滴加至此溶液，且將混合物攪拌過夜。將N a2 S Ο 3溶液 0 加至混合物，進行相分離，並在真空中除去溶劑。根據 H_NMR之產物的含量爲約98%與200克之總產量（99% c)茚並二苯並噻吩之合成

將81克（273毫莫耳）的來自b )之產物和73 7毫升 (8329毫莫耳）的三氟甲烷磺酸的混合物在5°C下攪拌 48小時。隨後將2.4升的水/吡啶 5 : 1加至混合物，其然後在回流下加熱2 0分鐘。冷卻至室溫之後，小心地加入500毫升的水和1000毫升的二氯甲烷。將有機相用4χ 5〇毫升的Η20洗滌，經過MgS04乾燥，並在真空中除去溶劑。藉由再結晶純化純產物。根據HPLC之產物含量爲 98%與65克之總產量（80% )。 -35- 201038533 d )噻吩之氧化

在保護氣體下最初將15克（49毫莫耳）的來自之茚並二苯並噻吩引進〇_3升的冰醋酸中。將33毫 619毫莫耳）的30% H2〇2溶液逐滴加至此溶液’且合物攪拌過夜。將Na2S〇3溶液加至混合物’進行相，並在真空中除去溶劑。根據lH_NMR之產物的含里 98%與16克之總產量（95%)。 e )溴化作用 c ) 升（將混分離爲約

在保護氣體下最初將1〇5·6克017.6毫莫耳） d )之產物來引進2 _ 5升的二氯甲烷中並冷卻至5 °C ° 解在250毫升的氯仿中之32毫升（636.4毫莫耳）序逐滴加至此溶液’且將混合物攪拌過夜。將Na2S03 加至混合物，將該等相分離，並在真空中除去溶劑。 W-NMR之產物的含量爲約98%與114克之總產量（ Ο哈特維-布希沃德偶合的自將溶 Βγ2 溶液根據 -36- 87% 201038533

將35克（85毫莫耳）的來自e)之產物毫莫耳）的二苯胺在1 000毫升二噁烷中的除飽和1小時。首先將0.97毫升（4.2毫莫耳）、然後0.47克（2.12毫莫耳）的乙酸鈀加至〇著加入固態12克（127毫莫耳）的NaOtBu。熱反應混合物1 8小時。冷卻至室溫之後’ 1000毫升的水。將有機相用4x50毫升的H20 MgS04乾燥，並在真空中除去溶劑。藉由再結物。根據HP LC之產物含量爲98%與39克之 % )。 g)胺-2之合成 ]26 克（93 I溶液用n2 的 P(tBU)3 溶液，和接在回流下加小心地加入洗滌，經過晶純化純產總產量（75

將2.4克（65毫莫耳）的氫化鋰鋁逐部另 (16_3毫莫耳）的來自〇之產物在120毫升除氣溶液。將反應混合物在室溫下攪拌2小時地加入500毫升的水，接著逐滴加入250毫51 溶液。將有機相用4x50毫升的H2〇洗滌，經加至1 〇克的乙醚中之。然後小心的 1M HC1 i MgS04 乾 -37- 201038533 燥，並在真空中除去溶劑。藉由再結晶純化純產物。根據 HPLC之產物含量爲99.9%與6克之總產量（63%)。實例3至8 ·· Ο L E D之製備根據本發明之OLED係藉由根據WO 04/〇58 9 1 1之一般方法製備，其適合於本文所述之環境（例如’層厚度變化、所使用之材料）。將各種OLED的結果呈現於下列的實例3至8中。以結構化ITO (氧化銦錫）塗佈之玻璃板形成OLED之基板。爲了改良加工，將20奈米之PEDOT聚（3,4-伸乙基二氧基-2,5-噻吩）（從水旋轉塗佈；購自 H.C. Starck ’ Go si ar，德國）施用至基材。OLED由下列層順序所組成 :基材/PEDOT 20奈米/ HIL1 5奈米/電洞傳輸層（HTM) 20、110或200奈米/NPB 20奈米/發光層（EML) 30奈米 /電子傳輸層（ETM) 20奈米和最後陰極。在真空室中藉由熱氣相沉積塗布除了 PEDOT之外的材料。發光層在此總由基質材料（主體）和摻雜劑所組成，其係藉由共蒸發與主體摻合。在所示全部實例中，電子傳輸層由A1Q3組成，和陰極由具有1奈米厚度之Li F層和沈積在上端之具有1〇〇奈米厚度之鋁層形成。表1顯示用以構成OLED之材料的化學結構。HTM1在此爲根據先前技術之材料，胺-1爲根據本發明化合物之實例（根據實例1合成）。該等OLED以標準方法示性。爲此目的，電發光光譜 -38 - 201038533 、電流效率（以cd/A測量）、功率發光強度之函數，從電流-電壓-發光性線）計算，和測定壽命。壽命定義發光強度降至一半的時間。使用電壓 cd/m2的亮度之電壓。表2顯示爲一些OLED (實例3 用根據本發明之化合物胺-1作爲層厚 0 電洞傳輸材料時，獲得與先前技術化微地減少之操作電壓和可比較的電流自表2之實例3、4和6和7 )。對洞傳輸層，與先前技術比較其爲有利率、在使用胺-1時獲得操作電壓之晷之功率的顯著增加（參見表2中之實是極爲重要的觀點，尤其是關於移動動設備之操作期間儀器直接與顯示功 Q 根據本發明之化合物胺1係以下列 HTM 1 :在較厚電洞傳輸層之情形中小很多。有關加工性之進一步顯著改良可之材料而達成。就此而言，圖1顯示料Η Τ Μ1層（照片a )和根據本發明 )的氣相沉積之後取得之氣相沉積源奈米之厚度。清楚可知材料HTM1阻沉積源的上緣上形成材料的覆蓋層。 (以Im/W測量）爲強度特性線（IUL特爲 25,000 cd/m2 之初定義爲OLED達成1 至8 )之結果。當使度2 0和1 1 0奈米之合物HTM1比較爲些和功率效率（參見來於200奈米之較厚電的，由於較高生產良頁著改良、產生1 5 % 例5和8 )。此改良領域之應用，因爲移率消耗有關。此外，事實而超越先前技術，壽命消失的程度要透過使用根據本發明在根據先前技術之材之材料胺-1 (照片b 的照片，各具有700 塞來源，因爲在氣相結果，使用根據先前 -39- 201038533 技術之化合物Η ΤΜ 1於大量生產中’只會伴隨很大的技術困難。相比之下，在相同氣相沉積條件（氣相沉積速率約 1奈米/秒）下當使用根據本發明之化合物胺-1時’獲得在氣相沉積的上部上之只有輕微邊緣形成。此顯示根據本發明之材料比根據先前技術之材料顯著更適合於大量生產表1 令 Ρ ts； 3 NPB AIQa V N=/ \=N / \ HIL1 H1 D1 HTM1 胺-1 -40 - 201038533 表2 實例 EML HTM 使用電壓 1000 cd/m2 之電壓於 1000 cd/m2 之效率於 1000 cd/m2 之效率於 1000 cd/m2 之 CIE x/y 來自25000 cd/m2 之壽命 3 (比較） H1+10% 的D1 HTM1 20奈米 3.2 V 5.2 V 14.8 cd/A 8.9 Im/W 0.31/0.58 350小時 4 (比較） H1+10% 的D1 HTM1 110奈米 3.1 V 5.5 V 17.1 cd/A 9.7lm/W 0.29/0.61 243小時 5 較） H1+10% 的D1 HTM1 200奈米 4.1 V 6.9 V 15.0 cd/A 6.8 Im/W 0.30/0.58 171小時 6 H1+10% 的D1 胺，1 20奈米 3.1 V 5.2 V 14.9 cd/A 9 Im/W 0.30/0.59 355小時 7 H1+10% 的D1 胺-1 110奈米 3.1 V 5.4 V 17.9 cd/A 10.4 im/W 0,30/0.61 312小時 S H1+10% 的D1 胺-1 200奈米 2.9 V 5.9 V 14.7 cd/A 7.8 Im/W 0.29/0.58 289小時

【圖式簡單說明】圖 1 a) ·· 具有700奈米厚度之材料HTM1層的氣相沉積之後的氣相沉積源 1 =氣相沉積源之覆蓋 2 =氣相沉積源的上孔被材料阻塞圖 lb): 具有700奈米厚度之材料胺-1層的氣相沉積之後的氣相沉積源【主要元件符號說明】 1 :氣相沉積源之覆蓋 2 :氣相沉積坩鍋之壁 3 :材料在氣相沉積的坩鍋底上之殘留物 -41 - 201038533 4 :材料在氣相沉積源之上緣上的環 -42 -

Claims

201038533 七、申請專利範圍：

其中 ^ A對應於式III

式III 且其中連接至式I或II之化合物經由γ發生； Y在每種情況下彼此獨立爲N、P、P = Ο、B、C = Ο、Ο、S 、s = o 或 so2 ; z在每種情況下彼此獨立爲CR或N ; X在每種情況下彼此獨立地爲選自 BiR1)、C = 0、 C^CiR1；^、S、S = 0、S02 和 NiR1)之二價橋聯； R在每種情況下彼此獨立爲 Η、D、F、Cl、Br、I、 N(Ar)2 、N(R2)2 、 C( = 0)Ar、 P( = 0)Ar2 、 S( = 0) Ar、 S( = 0)2Ar、CR2 = CR2Ar、C N、N O 2、S i (R2) 3、B (O R2) 2、 os 02 R2、具有1至40個C原子之直鏈烷基、烯基、炔基、烷氧基或硫烷氧基或具有3至40個C原子之支鏈或環 -43- 201038533 狀烷基、烯基、炔基、烷氧基或硫烷氧基，其各可經一個或更多基團R2取代，其中一個或更多非相鄰CH2基團可經 R2C = CR2、CE C、Si(R2)2、Ge(R2)2、Sn(R2)2、c = 0、 C = S、C = Se、C=NR2、P (= O ) (R2)、S O、S Ο 2、N R2、〇、S 或-CONR2替換及其中一個或更多H原子可經D、F、Cl、 Br、I、CN或N〇2替換’或具有5至40個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在每種情況下可經一個或更多基團R2取代，或具有5至40個芳族環原子之芳氧基或雜芳氧基’其可經一個或更多基團R2取代，或這些系統之組合；其中，除此之外，二個或更多取代基R也可彼此形成單-或多環脂族環系統； R1在每種情況下彼此獨立爲Η、D、F、Cl、Br、I、CN、 N02、N(R2h、B(OR2)2、Si(R2)2、具有 1 至 40 個 c 原子之直鏈烷基、烯基、炔基、烷氧基或硫烷氧基或具有3至 4〇個c原子之支鏈或環狀烷基、烯基、炔基、院氧基或硫烷氧基，其各可經一個或更多基團R2取代，其中固或更多非相鄰（：112基團可經-尺2(： = €112-、-(：三（：-、&(112)2 、Ge(R2)2、Sn(R2)2、C = 0、C = S、C = Se、C = NR2、·〇_、 -S-、-COO-或-CONR2-替換及其中一個或更多H原子可終 D、F、Cl、Br、I、CN或N〇2替換’或芳胺類或經取代之咔唑類，其各可經一個或更基團R2取代，或具有5至 4〇個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其可經—個j $ 更多非芳族R2取代，或具有5至4〇個芳族環原子之芳氧基或雜芳氧基，其可經一個或更多非芳族基團R2取代， -44- 201038533 或這些系統之組合，其中，除此之外，二個或更多 R1此也可彼此形成單-或多環之環系統； R2在每種情況下彼此獨立爲Η、D或具有1至20 子之脂族或芳族烴基； Ar在每種情況下彼此獨立爲具有5至40個芳族環芳族或雜芳族環系統，其可經一個或更多基團r1^ E在每種情況下彼此獨立爲單鍵、N (R1)、Ο、S、 ❹、SKWh或⑽1); q = 1，如果基團Y的對應中央原子爲選自第3或的元素’或 =〇，如果基團Y的對應中央原子爲選或6主族的元素； t在每種情況下彼此獨立爲0或1，其先決條件爲 =〇則t = 0，和其中t = 0表示基團R1被鍵結而團E ; V在每種情況下彼此獨立爲〇或i，其先決條件爲 Q 之總數大於或等於一，其中v=0表示基團R被不是基團A ; w在每種情況下彼此獨立爲〇或1，其先決條件爲之總數大於或寺於一’其中w = 0表示基團R被不是基團A。 2.根據申請專利範圍第1項之化合物，其中 Y在每種情況下彼此獨立爲N或C = 0。 3 _根據申請專利範圍第1項之化合物，其中自 NCR1)或 S。取代基個C原原子之 Z代； C(R')2 5主族丨自第4 如果 q 不是基 V和w 鍵結而 V和W 鍵結而該基團 X係選 -45- 201038533 4. 根據申請專利範圍第1至3項中任一項之化合物，其中該基團Z在每種情況下彼此獨立爲CR。 5. 根據申請專利範圍第1至3項中任一項之化合物，其中Ar爲苯基、萘基、具有5-15個碳原子之經取代之芳族或雜芳族環系統或經芳胺或昨唑取代之芳族或雜芳族環系統。 6. 根據申請專利範圍第1至3項中任一項之化合物，其中 E不存在，也就是t = 0，或其中 E爲單鍵或〇(Ν)2。 7. 根據申請專利範圍第1至3項中任一項之化合物，其中該化合物係選自式I a和11 a :

其中符號和標記具有如申請專利範圍第1項中所指示之意義。 8.根據申請專利範圍第7項之化合物，其中X等於 S 或 Np1)。 9 一種聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物，其包含一個或更多的根據申請專利範圍第1至8項中一或多項之化合物，其中源於式1或II之化合物而接至聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物之鍵可位在式1或11之化合物的任何所要位虞’該化合物特徵在於任意經基團R或R1取代。 -46- 201038533 1 0 · —種根據申請專利範圍第1至9項中一或多項之化合物於電子裝置之用途。 1 1 . 一種電子裝置’其包含至少一種根據申請專利範圍第1至9項中一或多項之化合物。 1 2 ·根據申請專利範圍第u項之電子裝置，其特徵在於5¾裝置係選自由有機電發光裝置（〇LED)、有機場效電晶體（0-FET)、有機薄膜電晶體（〇_TFT)、有機 0 發光電晶體（〇-LET)、有機積體電路（0-IC)、有機太陽能電池（Ο-SC )、有機場抑止裝置（field-quench裝置 )(O-FQD)、發光電化學電池（LEC)、有機光感受器和有機雷射二極體（〇 _雷射）所組成之群組。 13.根據申請專利範圍第12項之有機電發光裝置，其特徵在於根據申請專利範圍第i至9項中一或多項之化合物係用作電洞傳輸層及/或電洞注入層中之電洞傳輸材料，其中該化合物在這些層中也可摻雜電子受體化合物， Q 或其特徵在於根據申請專利範圍第1至9項中—或多項之化合物係用作電子傳輸層中之電子傳輸材料及/或用作電洞阻隔層中之電洞阻隔材料及/或用作發光層中之三重態基質材料或其特徵在於根據申請專利範圍第1至9項中一或多項之化合物係用作發光層。 1 4 · 一種製備根據申請專利範圍第1至8項φ —或多項之化合物之方法，其特徵在於下列步驟： a )將荞衍生物偶合至經基團X1取代之苯衍生物，其中該基團X1爲一種可被轉化成二價基團X之基匪| ,及 -47- 201038533 b )將基團X 1轉化成基團X，其中X具有申請專利範圍第1項中所指示之意義。 -48 -