TW201036192A - Back contacting and interconnection of two solar cells - Google Patents

Description

201036192 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種同時製作太陽能電池上分隔的背接觸 和矽太陽能電池間内連接的方法。 【先前技術】 、目刖，生產太陽能電池的製程和太陽能模組中太陽能電 Ο 池間的内連接的製程是兩個分開的製程。在一第一製程 中，太陽能電池的接觸完全形成，在一第二製程中需要額 外的金屬化步驟以在一個模組中連接一系列的太陽能電 池。這分別在太陽能電池的排列對齊及在焊接接觸時有可 能造成電池破損上產生了挑戰。 專利申請案WO 20〇8/〇39〇78 A2描述了一種有成本效益 的彦接觸矽太陽能電池。在這種方法中，一鋁背接觸被應 用於整個太陽能電池背表面，之後使用適當的方法將接觸

〇 H 專利申5月案W02006/110048 A1描述了 一種使用由非晶 石夕底層和非晶氮化矽頂層組成的鈍化層結構的方法。專利 申請案W02006/110048 Α1並未提到將該鈍化層圖案化。 【發明内容】 本發明提供了一種方法，能夠在製造太陽能電池間内連 接的同時完成形成背接合太陽能電池的背接觸。 為解決上述難題，本發明提供了一種結構化的矽表面， 4 201036192 :中：矽材料的表面成為了金屬導體的基材時，所有的 ¥矽材料的表面成為了接觸分隔區域。較佳的，非矽材料 的表面由反射材料製成。 製作夕太陽忐電池上背接觸和石夕太陽能電池間内連 接的方法， 八r凡全處理矽太陽能電池的前表面，並對背 表面加工而使石夕太陽能電池間能夠藉由背表面來 方法包括： 疋太陽既·電池至一透明覆板（superstate )上由此 0 形成一結構； b. 沉積一鈍化層於該結構的背表面上； c. 沉積一矽材料層於該結構的背表面上； d. 以第一區域分隔矽材料層； e. 提供接觸位置於第二區域； f. 沉積一金屬層於該結構的背表面上； g_加熱該結構以形成矽化金屬； h.選擇性地將第三區域中的金屬層開口； Q L沉積金屬至矽化金屬上。 其包括了由本發 本發明還提供了 一種太陽能電池模組 明提供的方法製作的背接觸和内連接。 本發明的主要目的是提供一種有效方法，能夠同時完成 背接觸矽太陽能電池的局部定義的接觸和位於覆板模組的 太陽能電池間的内連接。 本發明的目的通過下文的說明以及申請專利範圍和附圖 所闡釋的特徵得以實現。 5 201036192 【實施方式】 本發明係關於製作-用於背接切太陽能電池的背接觸 結構和-系列電池間的内連接，其中該方法包含使用一珍 太陽能電池，其具有通常是摻雜有基礎濃度p型或η型摻 雜物的ρ型和/或η型導電性的摻雜區域。該方法還包含沉 冑-鈍化層至矽太陽能電池上’並使用一結構化的矽表面 作為基礎來形成分隔的金屬接觸。 本發明還關於-種方法，將石夕太陽能電池固定於一模組 〇 m ’並且在該石夕太陽㊣電池的背側產生一圖案化的背 接觸結構的同時利用低溫石夕化金屬形成來產生該些太陽能 電池間的内連接。 本發明可使用任何石夕晶圓切薄膜。包括單晶石夕、微晶 矽、奈米晶矽、多晶矽的晶圓或薄臈以及任何習知的和可 想到的在背側有P型摻雜和n型摻雜區域的配置。 ^每月ϋ側，，才旨的是太陽能電池暴露於陽光的那側。術 00背側疋與前側相對的那側，術語“背接觸，，意為所 〇 有連接處都置於太陽能電池的背側。 術邊ρ型摻雜區域”意為一太陽能電池的表面區域，其 :加入導致正電荷載子數量增加的換雜材料至表面下方— 疋距，内的石夕材料中而形成一太陽能電池區域，該太陽能 電池區域含有—具有Ρ型導電性的表面層。術語“η型摻雜 * '意為太以能電池的表面區域，其中加入導致負電 荷載子（移動電子）數量增加的換雜材料至表面下方一定 距離内的石夕材料中而形成—晶圓區域，該晶圓區域含有一 具有η型導電性的表面層。 6 201036192 本發明€關於一種製作石夕太陽能電池上背接觸和石夕太陽 能電池間内連接的方法，其中完全處理前表面，並對背表 面加工而使矽太陽能電池間能夠藉由背表面來接觸。該方 法包括： x a·固定太陽能電池至—透明覆板上，以形成一結構； b·沉積一鈍化層於該結構的背表面上； c. 沉積一矽材料層於該結構的背表面上； d. 以第一區域分隔該矽材料層； 0 e.提供接觸位置於第二區域； f. 沉積一金屬層於該結構的背表面上； g. 加熱該結構以形成碎化金屬； h. 選擇性地將第三區域中的金屬層開口； i. 沉積金屬至矽化金屬上。 本發明還關於一種裝置’包含具有使用以上方法製作的 背接觸和内連接的太陽能電池。 術語“矽材料’’指的是任何能在適當的熱處理中與沉積 ❹ 纟屬層1G9形成々化金屬的切材料 包含晶體妙、非晶 矽、微晶體矽和奈米晶體矽。矽材料可含有〇_4〇原子百分 率的氫1材料可固有或摻人摻雜濃度為G_ 1()21咖_3的n 型或p型。 術》。暴露矽表面”指的是暴露於周邊環境的矽材料。 術語“接觸位置，，在此意為太陽能電池表面上的一個區 域，在這個區域中太陽能電池會接觸。該區域可位於一 η ^摻雜區域’_ Ρ型摻雜區域’ ⑪材料或ρ型梦材料上。 術語‘‘提供―接觸位置”指的是以這樣一種方式處理結 7 201036192 構：在接觸位置和欲沉積的金屬層間，僅在接觸位置頂上 設有石夕材料。重要的—點是，無論先前步驟如何，只在接 觸位置上設有矽材料。 術語“梦化金屬，，指的是一種化合物，具有石夕和正電元 素。這些兀素通常是，舉例來說鎳、 紙、銀、金、銘、 銅、鎮、飢、絡。 術語太陽能電池”指的暑姑搞A 4Α * 扪疋破適虽摻雜的具有一種導電 性類型的矽基材，其具有至少一個1 ❹ Ο ^ ^個其他類型導電性的摻雜 區域，無論其是否提供了接觸或内連接。 的掺雜 術語“結構”指的是在任何製程步驟中的該裝置。 背接觸太陽能電池應在其㈣上具有至少—摻雜區域， 其與基材的摻雜相反，但通常會有„些播雜區域是叉H 式（interdigitated pattern )的交替導電性。 本發明提供了—種同時製㈣太陽能電池上背接觸與位 ^組覆板上㈣太陽能電池間内連接的方法，無論在應 文說明的方法之前，前表面和背表面被怎樣處理。本 明還關於—背接觸結構和—具有該背接觸結構的太陽能 電池。 j體來說，本發明係關於—結構12Q，包含接受了完全的 ^ ^處理和以此方法製造而能夠進行背接觸的％太陽能 电池1〇〇 。 本發明提供的方法能夠適用於無論使用了何種技術和方 背::何製造的矽材料基材應用於太陽能電池而使其能做 附圖中的圖式是以前側朝向頁面底部，背側朝向頁面頂 201036192 部的方式繪製的。附圖為示意圖，並未按照比例繪製。附 圖繪示了本發明的實施例。 太陽能電池100前側向下置於一模組覆板1〇4上，且通 過一附著層105附著於該模組覆板104上。第1&圖繪示了 這樣一個示例。附著層105通常包含透明粘合劑或在熱處 理後變透明的熱塑性材料。舉例來說，附著可以通過在模 組覆板104或矽太陽能電池100的前侧或兩者都應用透明 粘合劑來實現。附著層105可設於也可不設於太陽能電池 間的區域Α中’這取決於應用方法。 當太陽能電池100預備接受背側處理時，將鈍化層U3 沉積於整個結構120上，包括太陽能電池丨〇〇間的區域a。 或者，鈍化層113可在將太陽能電池10〇附著於模組覆 板104上之前形成在太陽能電池1〇〇的背側。這樣鈍化層 113就不會留在太陽能電池100間的區域A中了。 純化層113通常包含一非晶石夕底層1 〇6，其上沉積一非晶 氮化矽層107。 如果鈍化層113是一雙層堆疊，底層1〇6通常包含非晶 碳化矽、非晶氧化矽、非晶氮化矽、氧化鋁、非晶矽、微 晶體矽或奈米晶體矽。頂層丨07通常包含非晶碳化矽、非 晶氧化矽、非晶氮化矽或氧化鋁。 鈍化層113也可包含單獨一層，比如非晶碳化矽、非晶 氧化矽、非晶氮化矽、氧化鋁或一矽材料。 鈍化層113並不僅限於上文提到的材料。鈍化層丨13並 不限於單層或雙層’也可包含三層或更多層。 石夕材料層108沉積於結構12〇之上並覆蓋了鈍化層n3 9 201036192 和太陽能電池100間的區域A。 在鈍化層113是一包含矽材料的單層的情況下，那麼鈍 化層113和碎材料層108實際上只是一石夕材料層。在此情 形下，鈍化層113的沉積和矽材料層1〇8的沉積實際上是 同時完成的。 通常，如上文所述，下一步驟是在區域Β提供一接觸位 置。 在鈍化層113包含一非矽材料的情況下，例如非晶氮化 〇 矽，這樣的非矽材料層在區域Β中需要完全去除。這一步 驟可以在矽材料層108沉積前或沉積後完成。 在鈍化層113和矽材料層1〇8實際上是相同的單層時， 如上文所述，則已然提供了 一接觸位置。 在下文中所述的本發明的實施例中，鈍化層丨13包含一 非晶矽層106和一非晶氮化矽層1〇7。此外，矽材料層1〇8 包含非晶梦。 在鈍化層113包含非晶碳化矽、非晶氧化矽、非晶氮化 ❹ 矽、非晶矽、微晶體矽或奈米晶體矽的情況時，鈍化層113 的沉積可使用電漿增強化學氣相沉積（pE_CVD )、熱絲化 學氣相沉積（HW-CVD )、擴張熱電漿化學氣相沉積 (ETP-CVD)、電子迴旋共振（ECR)、濺鍍或其他合適的 技術。 氧化銘的沉積可使用原子層沉積（atomic layer deposition，ALD )。 通常鈍化層113的厚度為，較佳為52〇〇nm，最 佳為 10-150nm。 201036192 下一步驟通常是將暴露石夕表面圖案化，可藉由去除區域c 的石夕材料層或藉由在區域^㈣材料層⑽上形成— ㈣材料116來完成。一非石夕材料通常是一反射增強材料， 例如聚合物或包含反射增強添加劑的樹脂。反射增 通常以喷墨或絲網印刷的方式形成。 露矽 或鐳 在藉由去除區域c的石夕材料層1〇8的方式來完成暴 表面的圖案化的情況下，去除的方法通常是喷墨钱刻 射消融。

G

除了上述技術，妙材料層108可用喷墨方式沉積。在這 種情況下，暴露矽表面的沉積和圖案化是同時完成的。 在本發明的方法的兩個實_中，金屬層⑽的沉積使 用的是-選擇性沉積技術’這樣金屬就僅沉積在暴露石夕表 面上。通常沉積於除了區域c以外的所有區域。這個步驟 使得該些電池可具有背接觸與可具有相互内連接。 金屬層109的選擇性沉積技術可包含無電鑛或電錄。或 者，金屬沉積步驟可包含遮罩蒸鍍或遮罩濺鍍。 在另外兩個本發明的方法的實施例中’金屬層1〇9的沉 積使用非選擇性的方法，比如濺鍍或蒸鐘。這樣金屬層1〇9 就沉積至整個結構120上。 在應用金屬$ 109後，結構12〇接受適當的退火步驟以 促使金屬層109與矽材料接觸之處形成矽化金屬n〇,矽化 金屬110存在於除區域C以外的所有區域。形成矽化金屬 的溫度取決於所使用的金屬，通常在175它至55〇<t的溫 度範圍内形成，較佳為225 t至500 t，最佳為在275°C 至450 °C下5至60秒。此熱處理的溫度_時間曲線圖為線性 201036192 或非線性。此熱處理步驟可通過例如快速熱退火來完成。 在金屬109的沉積由非選擇性的方法完成的情況下， 如上所述’未形成石夕化金屬的金屬（多餘金屬）應該被去 除以分隔接觸。通常使用具有高選擇性的蝕刻溶液來完 成因此，蝕刻多餘金屬109的蝕刻率顯著大於蝕刻矽化 金屬110的ϋ刻率。此溶液可包括硝酸或靖酸與氫氣酸的 混合物。 將反射層116形成於矽材料層1〇8上且再使用上述化學 〇 處理去除多餘金屬109來將暴时表面予以圖案化的情況 下，反射層116應能忍受該化學處理直到該化學處理後反 射層116仍駐留在區域^中。 為了增加矽化金屬接觸11〇的導電性，使用例如電鍍的 方式將金屬112沉積到矽化金屬接觸u〇上。通常沉積的 金屬包含銅。 本發明的實施例 下文中的實施方式並非用以限定本發明，但可在本發明 之保護範圍内作更動與潤飾。本發明的一些實施例中的構 件可與其他實施例中的構件結合。 第一實施例 本發明的方法的第一實施例如第la-le圖所示。 本發明的方法的第一實施例由矽太陽能電池100開始。 矽太陽能電池100可以是p型或n型。矽太陽能電池1〇〇 已被摻雜以形成具有η型導電性的區域1〇1和具有p型導 12 201036192 電性的區域102。石夕太陽能電池100已接受了完全的前側處 理，因此具有表面區域103’製作方法可包含損壞蝕刻表 面紋理化以及表面鈍化。第la圖繪示了兩個矽太陽能電池 1〇〇，其前側向下置於一形成有附著層105的模組覆板1〇4 上0 第la圖中的區域A指的是太陽能電池間將被内連接的區 域。 背表面可以疋平坦的或紋理化的’例如使用了濕式化學 0 或電漿處理。 結構120先接受清洗，例如暴露於硫酸和過氧化氫的混 合物、氣化氫和過氧化氫以及水的混合物、或氫氧化銨和 過氧化氫以及水的混合物，接著進行氧化物去除，例如泡 在稀釋的氫氟酸中。 在結構120上，即矽太陽能電池100的背側和太陽能電 池100間的區域A内，沉積氫化非晶矽（a_Si:H)層1〇6。在 氫化非晶矽層106上，沉積氫化非晶氮化矽（a_SiNx:H) Q 層。這兩層構成了鈍化層113。 純化層113的通常厚度為l-l〇〇〇nm，較佳為5 2〇〇nm， 最佳為10-150nm。 鈍化層106和107的形成可通過使用電漿增強化學氣相 沉積（PE-CVD)或其他合適的技術完成，例如熱絲化學氣 相沉積（HW-CVD )、擴張熱電漿化學氣相沉積 (ETP-C VD )、電子迴旋共振（ECR )、濺锻或相似的技術。 在氫化非晶氮化矽層107上，使用與之前步驟相同的技 術沉積氫化非晶矽層10 8»這一層作為之後的金屬層沉積的 13 201036192 種子層。此步驟既可通過使用上文提到的方法進行，並且 可獨立疋成或在形成鈍化層的同—製程順序中完成。此 步驟的結構120如第la圖所示。 。接著I區域B中’在至少一些氫化非晶矽層i 〇6未受 損的情況下’去除氫化非晶梦層1G8和氫化非晶氮化石夕層 廷樣就在區域B中提供了接觸位置。 可以使用喷墨#刻、鐳射消融、絲網印刷㈣或應用-圖案化的㈣遮罩，並在㈣後移除㈣遮罩的方式完成。 〇 相似的’在區域c中，在至少一些氫化非晶氮化矽層107 保持原樣的情況下，去除氫化非晶⑦層1G8,形成了將沒有 金屬/儿積的開口圖案115，這樣就確定了接觸的分隔。以此 方式就完成了按第一區域c分隔矽材料層1〇8的製程。如 第1 b圖所示。 接著以選擇性沉積技術形成金屬層109,即金屬僅沉積在 被氫化非晶矽覆蓋的表面，也就是暴露矽表面。更確切的 說，金屬必須沉積在除區域c外的所有區域，如第lc圖所 ❹示，並且形成之後將形成矽化金屬的區域。 此方法可使用電鍍或無電鍍。或者，此方法可使用遮罩 蒸鍍或遮罩錢鍵。 適合電鑛和無電鍍的金屬包括鎳、鈀、銀、金、鉻、錫 或任何這些金屬的組合。本發明並不限制這些金屬的選 擇’任何與矽材料形成導電矽化金屬或矽合金而實現梦化 金屬或梦合金與矽材料間的歐姆接觸的金屬皆可使用。 從第lc圖可見，金屬形成了 一太陽能電池上一電極的一 接觸位置與另一太陽能電池上一電極的一接觸位置之間的 201036192 内連接。這樣就同時完成了製作每個電池的接觸結構與太 陽能電池間的内連接。 在形成金屬層109後，結構120接受適當的退火步驟以 促使金屬層109與矽材料（第ld圖）接觸之處的矽化金屬 11〇形成。矽化金屬通常在175。〇至55〇艺的溫度範圍内 形成，較佳為225。〇至50(TC，更佳為在275 °c至45(TC下 5至60秒，這取決於所使用的金屬。此熱處理的溫度-時間 曲線圖為線性或非線性。此熱處理步驟可通過例如快速熱 退火來完成。 為了增加接觸和内連接110的導電性，使用例如電鍍的 方法將金屬112沉積到矽化金屬上。（參見第le圖）。應注 意的疋，在第le圖中區域匚中的金屬層112有一不連續， 目的是為了接觸的隔離。 第二實施例 本發明的方法的第二實施例與第一實施例的起點相同， 如第2a圖所示。 形成氫化非晶矽層1〇8之後，在至少一些位於區域B中 的氫化非晶石夕層106保持原樣的情況下去除區域B中的氫 化非晶矽層108和氫化非晶氮化矽層1〇7，這樣就在區域8 中提供了接觸位置β 可以使用喷墨蝕刻、鐳射消融、絲網印刷蝕刻或應用一 圖案化的蝕刻遮罩，且在蝕刻後移除蝕刻遮罩的方式完成。 接著使用噴墨、絲網印刷或其他合適的技術在區域c中 形成反射材料116。形成反射材料U6的區域定義了沒有金 15 201036192 屬接觸駐留的區域，這樣辣& > 豕就凡成了按第一區域c分隔矽材 料層108的製程，參見第孔圖。 反射材料116通常包括樹脂或含有反射增強添加劑（例 如二氧化鈦微粒）的聚合物。 反射材料116需要使用略高的溫度或光處理法（例如暴 露於紫外光）來固化。 反射材料的目的是： -允許分隔太陽能電池的接觸和内連接，以及 〇 增強太陽能電池的背側反射並且因而提高太陽能電池 電流。 最後兩步驟的順序（鈍化層的開口和反射材料的形成） 並不絕對重要。 形成反射材料116後，通過如第一實施例中所述的選擇 性沉積技術形成金屬層109,如第及圖中所示。金屬層1〇9 僅沉積於暴露石夕表面上。 在形成金屬層109後，結構120接受適當的退火步驟以 ❹ 促使金屬層109與矽材料（第Id囷）接觸之處的矽化金屬 110形成。矽化金屬通常在175 t：至550°C的溫度範圍内形 成，較佳為225°C至500t，最佳為在275。(：至45〇τ：τ5 至60秒，取決於所使用的金屬。此熱處理的溫度-時間曲 線圖為線性或非線性。此熱處理步驟可通過例如快速熱退 火元成。為了增加碎化金屬接觸和内連接的導電性， 使用例如電鍍的方法將金屬112沉積到矽化金屬上。（參見 第2e圖）。應注意的是’在第2e圖中區域c中的金屬層112 有一不連續’目的是為了接觸的隔離。 201036192 第三實施例 第三實施例在金屬沉積步驟前與第二實施例相同，參見 第3a和3b圖。 在本發明的第三實施例中，金屬層109使用非選擇性技 術沉積’例如蒸鍍或濺鍍，這就使得金屬層109覆蓋整個 結構120，如第3c圖所示。 適合蒸鍍和之後的矽化金屬形成的金屬包括鎳、把、欽、 銀、金、鋁、鎢、饥、鉻或任何這些金屬的組合。 在形成金屬層109之後，結構120接受適當的退火步驟 以促使金屬層109與矽材料（第3d圖）接觸之處的石夕化金 屬110形成。石夕化金屬通常在175 t至550 的溫度範圍 内形成’較佳為225°C至500°C ’最佳為在275°C至450 t 下5至60秒，取決於所使用的金屬。此熱處理的溫度_時間 曲線圖為線性或非線性。此熱處理步驟可通過例如快速熱 退火完成。 下一步驟是在區域C分隔接觸’如第3e圖所示《可使用 鐳射消融未形成矽化金屬109的金屬層1〇9。或者，也可使 用具有高選擇性的蝕刻溶液。因此，蝕刻多餘金屬1〇9的 钱刻率顯著大於蝕刻矽化金屬110的蝕刻率。此溶液包括 硝酸或硝酸與氳氟酸的混合物。 反射材料116必須忍受選擇性蝕刻直到其在蝕刻過程中 不消失也不會散發到結構120的其他部分的程度。 為了增加接觸和内連接110的導電性，使用例如電鍍的 方法將金屬112沉積到矽化金屬上4參見第打圖）。應注 17 201036192 意的是，在第36圖中區域c中的金屬層112有一不連續， 目的是為了接觸的隔離。 第四實施例 第四實施例在金屬沉積步驟前與第一實施例相同，參見 第4a和4b圖。 在本發明的第四實施例中，金屬層109使用非選擇性技 術沉積，例如蒸鍍或濺鍍，這就使得金屬層109覆蓋整個 結構120 ’如第4c圖所示。 在形成金屬層109之後，結構120接受適當的退火步驟 以促使金屬層109與矽材料（第4(1圖）接觸之處的矽化金 屬110形成。矽化金屬通常在175它至55(rc的溫度範圍 内形成，較佳為225。(：至5001，最佳為在之乃艽至45〇<t 下5至60秒，取決於所使用的金屬。此熱處理的溫度時間 曲線圖為線性或非線性。此熱處理步驟可通過例如快速熱 退火完成。 下一步驟是在區域C分隔接觸，如第4e圖所示。可使用 鐳射消融未形成矽化金屬109的金屬層1〇9。或者，也可使 用高選擇性的蝕刻溶液。因此’蝕刻多餘金屬1〇9的蝕刻 率顯著大於蝕刻矽化金屬110的蝕剡率。此溶液包括硝酸 或硝酸與氫氟酸的混合物。 為了增加接觸和内連接110的導電性，使用例如電魏的 方法將金屬112沉積到矽化金屬上八參見第竹圖^應注 意的是’在第4e圖中區域c中的金屬層112有一不連續， 目的是為了接觸的隔離。 18 201036192 實施例中的製程並非用以限定本發明的方法 【圖式簡單說明】 參見展示實施例的附圖詳細闞釋本發明，其中 第la-e圖繪示了依照本發明的 二、· ^ 的第一實施例 第2a-e圖繪示了依照本發明的方 银， 刃方去的第二實施例 以及 第3a-f圖繪示了依照本發明的 J万法的第三實施例 第4a-f圖繪示了依照本發明的 ~ Ά

町方法的第四實施例 【主要模組符號說明】 100 矽太陽能電池 101 η型導電性區域 102 Ρ型導電性區域 103 表面區域 104 模組覆板 105 附著層 106 非晶碎層 107 非晶氣化珍層 108 矽材料層 109 金屬層 110 矽化金屬 112 金屬 113 鈍化層 114 區域Β 115 開放圖案 19 201036192 116 :反射材料 120 :結構

Claims (1)

1. 201036192 七、申請專利範圍： 1. 一種製作矽太陽能電池（100)上背接觸和該些矽太陽 能電池（100)間内連接的方法，其中完全處理該些矽太陽能 電池（100 )的前表面，並對背表面加工而使該些矽太陽能電 池（1〇〇)能夠藉由該背表面來接觸，其特徵在於，包含以下 步驟： a) 固定該些太陽能電池（1〇〇)至一透明覆板（1〇4)上， 以形成一結構（120); © „ b) 沉積一鈍化層（i13 )於該結構（12〇)的背表面上； c) 沉積一石夕材料層（1〇8)於該結構（12〇)的背表面上； d) 以第一區域（c)分隔該矽材料層（1〇8); e) 提供接觸位置於區域（b); Ο沉積一金屬層（109)於該結構（12〇)的背表面上； g) 加熱該結構（120)以形成矽化金屬（11〇);以及 h) 沉積金屬（II2)於該矽化金屬（11〇)上。 2. 如請求項丨所述之方法，其特徵在於，步驟d)中分隔 該碎材料層（108)包含將該區域（c)開口，直至該區域（c) 中暴露矽表面被去除的程度。 3. 如請求項1所述之方法，其特徵在於，步驟d)中分隔 該石夕材料層（108)係通過在該區域（c)上沉積一圖案化的 反射材料（116)完成。 21 201036192 4.如請求項K3任一所述之方法，其特徵在於，步驟匕） 和步驟c)同時進行。 5·如請求項1_3任一所述之方法，其特徵在於，步驟〇 在步驟b)之後進行。 6. 如請求項M任一所述之方*，其特徵在於，步驟〇 〇和步驟d)同時進行。 7. 如請求項^任一所述之方法，其特徵在於，步驟e) 在步驟c)之前進行。 8_如請求項^任一所述之方法，其特徵在於，該鈍化層 (113)是一非晶矽層（106)和—沉積在該非晶矽層（1〇6) ❹上的非晶氮化矽層（107)。 9. 如碩求項8所述之方法，其特徵在於，步驟通過去 除至少該矽氮化物層（107)完成。 10. 如請求項1-9任一所述之方法，其特徵在於，步驟f) 中該金屬層（1()9)的沉積通過無電鍍、⑽、遮罩蒸鑛或遮 罩濺鍍完成。 22 201036192 u·如請求項1-10任一所述之方法’其特徵在於，步驟h) 中該金屬（110)的沉積通過電解銅完成。 12. —種具有背接觸和内連接的裝置，其特徵在於，該背 接觸和内連接由請求項卜丨丨中之一所述的方法提供。 13. —種製作矽太陽能電池（1〇〇)上背接觸和該些矽太 陽能電池（100)間内連接的方法，其中完全處理該些矽太陽 〇能電池（1〇〇)的前表面，並對背表面加工而使該些矽太陽能 電池（100)能夠藉由該背表面來接觸，其特徵在於，包含以 下步驟： a) 固定該些太陽能電池（1〇〇)至一透明覆板（1〇4)上， 以形成一結構（120); b) 沉積一鈍化層（113)於該結構（120)的背表面上； c) 沉積一矽材料層（1〇8)於該結構（120)的背表面上； q d)以第一區域（C)分隔該矽材料層（108); e) 提供接觸位置於區域（B); f) 沉積一金屬層（109)於該結構（12〇)的背表面上； g) 加熱該結構（120)以形成矽化金屬（110); h) 將該區域（C)中的該金屬層（1〇9)開口；以及 i) 沉積金屬（112)於該矽化金屬（110)上。 14·如請求項13所述之方法’其特徵在於’步驟d)中分 隔該矽材料層（108)包含將該區域（C)開口，直至該區域 23 201036192 (c)中沒有殘留的矽材料的程度β 斤攻之方法，其特徵在於，步驟d)中分 隔該矽材料層（108) 甲刀 及斛l含在晶域（c)上沉積-圖案化的 反射材料（116)。 16. 如請求項13_16任—怵 所迷之方法，其特徵在於，步驟 Ο )和步驟c)在同一步驟中完成。 17. 如請求項13_16任—所述之方法，其特徵在於，步驟 a)在步驟b)之後進行。 18.如請求項13_16任—所述之方法，其特徵在於，步驟 c)和步驟d)同時進行。 ◎ 19.如請求項13_16任—所述之方法，其特徵在於，步驟 e)在步驟c)之前進行。 20.如請求項13_19任一所述之方法，其特徵在於，該鈍 化層（113)包含一非晶石夕層（106)和一沉積在該非晶梦層 (106)上的非晶氮化矽層（1〇7)。 21.如請求項20所述之方法，其特徵在於，步驟e)包含 去除至少該矽氮化物層（107)。 24 201036192 22.如請求喝13所述之方法，其特徵在於，步驟h)中將 該金屬層（109)開口係通㈣射消融該區域（⑺中的該金 屬層（109)完成。

   23.如請求項 該金屬層（1〇9) 性蝕刻來完成。 13所述之方法，其特徵在於，步驟h)中將 開口係通過將該結構（12〇 )暴露於一選擇 但匕3具有貪接觸和内連接的太陽能電池的裝 、特徵在於’該背接觸和内連接由請求項13-24中之—所的 方法提供。 所述的 〇 25