TW201035346A - Thin film comprising titanium oxide as major component and sintered sputtering target comprising titanium oxide as major component - Google Patents

Description

201035346 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種高折射率且具有低消光係數 (extinction coefficient)之以氧化鈦為主成分之薄膜、適合製 造該薄膜之以氧化鈦為主成分的燒結體濺錄把。 【先前技術】 近年來’開發出不需磁頭而可進行覆寫之高密度光資 〇 訊記錄媒體的高密度記錄光碟技術，並已快速地商品化。 尤其是CD-RW，以可進行覆寫之CD的形態出現於1977 年，目前，係最為普及之相變化光碟。此CD-RW之覆寫次 數可達1000次左右。 又，雖然開發出作為DVD用之DV；D_RW，但是此碟片 之層構造基本上與CD-RW相同或類似。其覆寫次數則可達 1000〜10000次左右。 此等係藉由照射光束，產生記錄材料之透射率，反射 〇 率專之光學變化’以進行資訊之記錄、再生、單寫，為快 速普及之電子零件。 一般，CD-RW或DVD-RW等所使用之相變化光碟，係 呈以ZnS · Si〇2等高熔點介電質之保護層夾持Ag_In_sb_Te 系或Ge-Sb-Te系等記錄薄膜層之兩側，並且再設置銀或銀 合金或鋁合金反射膜之四層構造。又，為了提高重複次數， 視需要，並在記憶層（memory layer)與保護層之間加入介面 層等。 3 201035346 反射層與保護層，除了要求增大記錄層之非晶質部盘 結晶部之反射率之差的光學功能外，且對於記錄薄膜之而; 濕性、防熱變形之功能，及記錄時熱的條件控制之功能亦 有所要求（參照非專利文獻1)。 最近’為了可進行大容量、高密度之記錄，提出一種 單面2層光記錄媒體（參照專利文獻υ。於此專利文獻卜 從雷射光之入射方向，具有形成在基板j上之第—資_ 與形成在基板2上之第二資却爲 _ 乐貝。扎層，而此等係透過中間層貼 合在一起，使資訊膜彼此相對向。 =時：第一貧訊層係由記錄層與第1金屬反射層所構 二::广由第1保護層、第2保護層、記錄層、 防—箄，/層所構成。其他，亦可任意形成用以防到、 熱擴散層等之層。又，此等之保護層、 。己、亲層、反射層等’亦提出有多種之材料。 由高炼點介電質所構成之保護 溫與冷卻所造成之熱反覆應力具頁要對因升 熱影響不會對反射膜 几 ’要使此等之 薄，具有低反射率：不:::方造成影響’而且其本身要 伴谁層且有*巫 不日曼貝之堅歡度。此意指，介電質 保叹層具有重要之功能。又 电買 涉膜層等，於上述之CD、DVD;;子層、反射層、干 功能之意義上，亦同樣重要。4電子零件，，在發揮各别 此二等多==膜，係藉_法來形成。 極所構成之基板與靶相對向來膜.I由正電極與負電 ' 在惰性氣體環境氣氛下，於 201035346 此等基板與靶之間施加高電壓，使其產生 触 电每，此時經電 離之電子與惰性氣體將會互相衝撞，形 ’” θ &包衣，此電蒙中 之％離子衝撞於靶（負電極）表面，而將靶構成 4» φ ^ e . y、J 军出’此 胧出之原子會附著於對向之基板表面而形成臈。 ”中，係提出使用氧化鈦(风)之靶來作為用以形成熱 線反射膜，抗反射膜之濺絲（參照專利文獻2)。此時，為、

了穩定濺鐘時之放電’係使比電阻值在0.35Ω cm以下，’且 可進行DC濺鍍，而可得到高折射率之臈。 且 然而，由於膜之透射率降低，故採取使氧含有 重直％以上，且導入氢夕古土 膜、㈠ ¥ ^之方法。又，由於導入氧會降低成 、速-，因此添加金屬氧化物，以謀求成膜速度之提升， 但是在要求折射率冑，吸收少之膜的精密光學構件，電子 零件的適用上卻會有問題。尤豆县 側會有問題。 題尤其疋在_随附近之短波長 專利文獻I :曰本特開20〇6_7971〇號公報。 專利文獻2 :曰本特許第3836163號公報。 非專利文獻1:技術雜認「光學」2641號，第9〜15 【發明内容】 本發明，鑑於上述問題， 率且具有低消光係數之以氧化 製造該薄膜之以氧化鈦為主成 其課題在於得至卜種透射率優 其目的在於得到一種高折射 鈦為主成分之薄膜、及適合 分之燒結體濺鍍靶，同時， 異、反射率之降低小、適用 5 201035346 。又，亦可 獏、抗反射 作為光資訊記錄媒體之干涉膜或保護膜的薄膜 適用於玻璃基板，亦即亦可使用作為熱線反射 膜、干涉渡光器。 特 為了解決上述課題’本發明人^經潛心研究之 得到以下之見解：在氧化鈦添加銅、料之金屬極為;效 且不會損及作為光資訊記錄媒體之干涉膜或保護膜的 性’能得到可維持透射率’防止反射率之降低之材料。 根據此見解’提供以下之發明。 1) -種以氧化鈦為主成分之薄膜，其特徵在於，包> 鈦、氧及銅，Ti在29.0at%以上、34 〇at%以下，cu在㈣^ %以上、7.7at%以下，剩餘部分由氧及不可避免之雜質戶, 構成，氧成分與金屬成分之比〇/(2Ti+〇 5Cu)在Ο.%以上 2) 種以氧化鈦為主成分之薄冑，其肖徵在於，包^ 鈦氧及鈾’ Τι在29.〇at%以上、34 〇at%以下，pt在〇 〇㈣ %以上:5.鳩以下’剩餘部分由氧及不可避免之雜質戶】 構成，氧成分與金屬成分之比〇/(2Ti+Pt)在0.95以上c 3)一種以氧化鈦為主成分之薄膜，其特徵在於，包含 鈦氧及選自鈷、鎳、⑲、金之i種以上的金屬μ η在 = .〇at%以上、34 〇at%以下，M在〇 〇〇3咖以上、7μ ^以下剩餘部分由氧及不可避免之雜質所構成，氧成分 與金屬成分之比〇/(2Ti+M)在0.95以上。 刀 八句如上述”至3)項中任-項所記載之以氧化鈦為主成 刀之溥膜，其中’於4〇〇〜41〇nm之波長區域的折射率在2 6〇 以上。 ’ 201035346 如上述5)所記載 办…、v工力乂妒 < 缚臈 於400〜41〇nm之波長區域的消光係數在〇〇5以下。 7)如上述1)至6)中任一項所記載之以氧化鈦為主成分 之薄膜，其係、使用於光干涉膜或保護膜之薄臈。

*8)如上述1}至6)中任—項所記載之以氧化鈦為主成分 之薄膜，其係使用作為光記錄媒體之薄膜。 又’本案提供以下之發明： 9) -種以氧化鈦為主成分之燒結體濺料，係包含銅， 剩餘部分由鈦、氧及不可避免之雜質所構成，其特徵在於， 各成分具有（Ti〇2，m)1.nCUn(其中，Q⑼化μ 0.2)之組成比，比電阻在ι〇〇Ω cm以下。 10) —種以氧化鈦為主成分之燒結體濺鍍靶，係包含 銘’剩餘部分由鈦、氧^可避免之雜f所構成，其特徵 在於，各成分具有（Ti02m)l nptn(其中，βΜΟ 5，00001 SnS 〇·15)之組成比，比電阻在1〇〇Ω cm以下。 11) 一種以氧化鈦為主成分之燒結體濺鍍靶，係包含選 自始、錄、|£、金之1種以上的金屬Μ，剩餘部分由欽、 氧及不可避免之雜質所構成，其特徵在於，各成分具有 (TiO^mMn(其中 ’ 〇Sm$〇_5，（^咖^^”之組成 比’比電阻在100 Ώ cm以下。 如以上，本發明係一種高折射率且具有低消光係數之 7 201035346 以氧化鈦為主成分之薄膜’適合製造該薄膜之以氧 主成刀的燒結體濺鍍靶，藉由本發明所得之薄膜，盍二 資訊記錄媒體之膜’層非常具有效果。又，本發明之镇‘、、、光 ::具有優異之透射率’反射率之降低小，特別適用： 光貝说記錄媒體之干涉膜或保護膜。 ，，·、 高炼點介電質之保護層，必須要對因升溫與冷 成之熱反覆應力具有抗性，並且要使此 反射膜或其他地方、A &鄉 …办響不會對 l、他地方造成影響，而且其本身亦要薄 反射率且不會變曹之取知# /、有低 之薄膜，1❹ 本發明之以氧化鈦為主成分 之為膜*備有可適用於此種材料之特性。 故亦且有^於賤鍍中之氧量亦可在較少之範圍進行調整， 故H亦可抑制成膜速纟降低之效果。 【實施方式】 本發明之以氧化鈦為 與氧之成分外，亦入右相’如上述，除了魏 種以上的金屬M。 ’、鈀金之 當含有銅時，伸—錄τ. 士 以在_略以I .Gat%以上、3—下， 免之雜質所構成，氧成分與金剩餘^刀由氧及不# 具有0.96以上之祖 、’ 刀之比〇/(2T1+0.5CU) 又，當含有銘時，係一種Ti/主成…膜。 …，在―以：、^ 及不可避免之_所構# /叫以下，剩餘部分由爲 斤構成，氧成分與金屬成分之比〇,2Ti 201035346 + ρ〇具有〇·95以上之組成比之以氧化鈦為主成分之薄膜。 並且’當包含選自鈷、鎳、鈀、金之1種以上的金屬Μ 時’係一種 Ti 在 29.0at% 以上、34.0at% 以下，Μ 在 〇.0〇3at %以上、7.7at%以下’剩餘部分由氧及不可避免之雜質所 構成’氧成分與金屬成分之比0/(2Ti+M)具有0.96以上 之組成比之以氧化鈦為主成分之薄膜。 Ο

銅或鉑或選自鈷、鎳、鈀、金之丨種以上之金屬Μ的 存在，具有提高薄膜之折射率的效果。若未達〇〇〇3，則此 等之添加效果小，又若超過7.4at%(添加銅或選自鈷、 把、合之 1 、，， ^ ' 1 之金屬M的情形）或5.7at%(添加鉬的情 形）貝丨薄膜之消光係數有增加的傾向，因此薄膜中之a 的存在量較佳在〇.〇3at%以上、7 _以下（後者之g 5.7at%)。 折射率獲得提升的 於銅或鉑或選自鈷、鎳 細粒子（奈米粒子等）的 緣故。 原因，雖然未必明確，但認為是由 、把、金之1種以上之金屬Μ以微 形態分散在氧化鈦之非晶質骐中的 此等之添加金屬，葙 属气几此 視晴况’有時候其一部分亦會以金 的情形，亦不會特別、二種一部分以氧化物之形態存在 提升。以此方式所’同樣地亦可使折射率獲得 的自由度高，4更佳之^射率的材料’多層光學膜設計 此等之薄膜為非晶 ^ 長區域的折射率在26〇以、’可得到於400〜41〇nm之波 U上之膜。又，可得到於400〜41 Onm 201035346 之波長區域的消光係數在0.1以下（進一步消光係數在0.05 以下）之薄膜。 上述4〇〇〜410nm之波長區域，係藍光雷射之波長區 域’於此波長區域’如上述’折射率在2 60以上，此折射 率以較高為佳。又，消光係數在0.1以下（進一步可達到〇.〇5 以下）、’此消光係數越低，在多層化時越適用。此以氧化鈦 為主成分之薄m ’適用作為干涉膜或保護膜，尤其是適用 作為光記錄媒體。 上述薄膜，在為包含銅或選自鈷、鎳、鈀、金之 ^ ^ m 以上的金Μ ’剩餘部分由鈦、氧及不可避免之雜質所構 、氧化鈦為主成分之靶時，可藉由使用各成分具有 (Ti〇2-mVnMn(其中，osmgo 5，〇 之組成 2且比電阻在麵⑽以下之以氧化鈦為主成分之燒結 體濺餘來加以製造，而在為包含翻，剩餘部分由欽、氧 及不可避免之雜質所構成之以氧化鈦為主成分之乾時，則 可精由使用各成分具有（Τι〇24為（其中，β Μ Μ， 」0001 ^〇.15)之組成比，且比電阻在⑽心㈣下之以 氧化鈦為主成分之燒結體濺鍍靶來加以製造。 此時之濺鍍 氧導入濺鏡氣體 之薄臈。 尤其是添加金屬量多時，藉由調整成將 可得到消光係數低之以氧化鈦為主成分 不發明之燒結體靶 廿 ……γ π ·<>肷力、組珉近似， :不相同。亦即，乾的基本成分，雖然係纟T1、添加金 Pt C〇、Nl、pd、Au)、〇之成分所構成，但各成 201035346 :有上述之組成比。因此’此靶具有100Ω cm以下之比電 、，…於上述中’ S m超過0.5時，則由於氧缺陷會過大， 消光係數具有增加的傾向，因此較佳係使m在〇 5以下。 又，當η未達0.0001時，則Cu、pt、c〇、犯、、如之 添加效果小，又若超過〇 2(惟，pt的情形為〇 時，則由 於前述成膜時之消光係數具有增加的傾向，因此較佳係〇 在〇._i以上、0.2(惟，Pt的情形為〇 15)以下。為了提升 _效率’把必須具有導電性，本發明之革巴具備此條件， 可進行DC濺鍍。 存在於燒結體濺鍍靶中之Cu、pt、c〇、Ni、相， 由於越以微細粒子的形態均均勻分散，越能有效防止異常 放電’因此平均粒徑較佳在20 a m以下。 使用此燒結體濺鍍靶，於含有〇1〜16%之氧的氬氣環 境氣氛中進行濺鍍，可於基板上形成含有Cu、pt、c〇、N^ ◎ Pd、Au及/或此等金屬之氧化物的氧化鈦薄膜。 於進行薄膜之製造時，可藉由使用具有上述組成比， 且比電阻在lOOQcm以下之燒結體濺鍍靶，於含有 %之氧的氬氣環境氣氛中進行濺鍍來製造。 亦即，藉此可在基板上形成包含鈦、氧及銅，Ti在29 〇Μ %以上、34.0at%以下，Cu在〇.〇〇3at%以上、7 7以％以下， 剩餘部分由氧及不可避免之雜質所構成，氧成分與金屬成 分之比0/ (2Ti + 0.5CU)在0.96以上之以氧化鈦為主成分之 薄膜，或是包含鈦、氧及鉑，Ti在29.〇at%以上、34 〇以％ 201035346 以 …下，Pt在0.003at%以上、5.7at%以下，剩餘部分由氧及 不可避免之雜質所構成，氧成分與金屬成分之比〇/(2h + Pt)在0.95以上之以氧化鈦為主成分之薄膜，或是包含1 鈦' 氧及選自鈷、錄、鈀、金之i種以上的金屬Μ，心 29.0at%以上、34.〇at%以下，M在〇 〇〇3咖以上、7 w %以下，剩餘部分由氧及不可避免之雜質所構成，氧成= 與金屬成分之比〇/(2Ti+M)在0.95以上之以氧化鈦為: 成分之薄膜。此時，可以直流濺鍍來進行成膜。 製造靶時，較佳為使用高純度（通常，在4N以上）且平 均粒徑10/zm以下之氧化鈦（Ti〇2)及高純度（通常，在 以上)且平均粒徑20 “ m以下之銅或鉑或選自鈷、鎳 '鈀、 金之1種以上之金屬M的粉末來作為原料。將此等調合 本發明之纟且成比D 一 接著，可使用濕式球磨機或乾式摻合機（混合機）進行混 合’以使此等所選擇之添加金屬均勻分散於氧化鈦粉。 混α後，填充於碳製的鑄模之後，進行熱壓。熱壓條 件，可根據組成成分來改變，但通常是在8〇〇〜ii〇〇t的範 圍’ ^面壓力100〜5〇〇kgf/cm2的範圍進行。然而，此^ :僅是代表性條件，其選擇可為任意，並無特別加以限制。 k ”’Q後，對燒結體進行機械加工，精加工成靶形狀。 藉此，可得到靶的基本成分由鈦、銅或鉑或選自鈷、 :八鈀、金之1種以上的金屬Μ、及氧之成分所構成，各 刀具有上述組成比，且銅或鉑或選自鈷、鎳、鈀、金之1 種以上的金屬或此等之氧化物以微細粒子之形態分 12 201035346 散於氧化鈦之基質中之靶。 實施例 以下，根擄實施例及比較例來説明。另， + τ施例僅 是顯示較佳之例，本發明並不受到此例之限制。亦即， 發明僅受到申請專利範圍之限制，而包括本發明所包P含2 實施例以外之各種變形。 3 (實施例1〜8) 使用平均粒徑為3/zm、純度為4^99 99%)之氧化鈦 (加2)與平均粒徑為I5//m、純度為3N(99 9%)之鋼粉作為 原料。將其加以調合成表丨所示之乾組成，然後進行混合。 使用濕式球磨機將此混合粉lkg加以混合，使糾勾 地分散於氧化鈦粉。接著，將經蒸發水分乾 填充於碳製的鑄模，進行熱壓。熱壓條件 ： 200kgf/em2。 w & Ο 如對所侍之燒結體進行機械加工’製得0 152mm、5mmt 之=結果’得到密度97%以上、比電阻如表丨所示之〇〇ι 咖之靶。錢鍍中沒有發生異常放電。此結果示於表 13 201035346 消光 係數 0.02 0.01 0.007 0.03 0.006 0.08 0.01 0.005 0.004 CN o <N 〇 0.005 \Ti o 折射率 2.65 2.64 1 2.62 ! 2.66 2.62 2.61 1 2.68 2.59 o (N 2.61 _1 2.59 2.55 0/ (2Ti + 0.5Cu) 0.98 0.99 1.00 0.99 1.00 0.97 0.96 1_ 1.00 1.01 0.95 0.92 1.00 0.76 64.5 65.5 66.5 66.2 1_ 66.66 65.7 61.9 66.697 66.8 64.7 58.7 66.698 60.1 rn H 寸 o 寸 d> 0.04 寸 Ο 卜^ 0.003 〇 oo 12.3 0.002 寸 o Ti(at%) CN 32.8 33.1 33.4 33.3 33.9 30.5 33.3 33.2 33.5 C\ (N 33.3 39.5 成膜速度 (A/sec/kW) 〇 〇 OS o 卜 ί—Η 寸 Ο 〇 \q On 〇 00 〇 錢鍵 Ar-4%〇2 Av-2%02 Ar-2%02 Ar-10%02 Ar-10%02 Ar-2%02 At-10%〇2 比電阻 0.8 Ω cm 3Qcm 7Qcm 7Qcm lOQcm 0.01 Qcm 0.03 Ω cm lOQcm > ΙΟΟΩαη 3Qcm 0.0005 Ω cm 20Qcm 0.01 Qcm 1 乾組成 Ti02 ： Cu = 90 ： 10 at% Ti02 ： Cu = 95 ： 5 at% Ti02 ： Cu = 99 ： 1 at% Ti〇2 ： Cu = 99 ： 1 at% Ti02 ： Cu = 99.9 ： 0.1 at% Ti0,.5 ： Cu = 99 ： 1 at% Ti02 ： Cu = 80 ： 20 at% Ti015 ： Cu = 99.99 ： 0.01 at% Ti02 = 100 at% Ti02 ： Cu - 99 ： 5 at% Ti02 ： Cu = 70 ： 30 at% Ti02 : Cu = 99.995 : 0.005 at% TiOL5 : Cu = 99 : 1 at% 實施例1 雜例2 實施例3 實施例4 實施例5 實施例6 例7 實施例8 tb^l例 1 财交例2 財交例3 tfc#交例4 tb#交例5 201035346 接著’使用以此方式所製得之濺鍍靶，在玻璃基板上 形成滅鍍膜。藏鍍條件’如表1所示，係於Ar氣環境氣氛 或Ar氣一〇2(2〜10%)氣環境氣氛t，氣壓：〇 5pa，氣體 流量：5〇SCCm，以濺鍍功率：5〇〇〜1〇〇〇w實施Dc濺鍍。 結果，可無問題地實施Dc濺鍍，且可確認此靶具有導 電性》 於玻璃基板上 形成lym之濺鍍膜。成膜速度、以

〇 ΕΡΜΑ(於Cu低濃度區域則以SIMS)所分析之膜#組成分別 不於表卜Ο係以平衡表不。如表i所*，〇 5叫 為（K96〜1·00。測定此賤㈣之折射率及消光係數。折射率 及消光係#:，係使用光波長：4〇5nm，藉由橢圓偏光計來加 以測定。此等之結果同樣地示於表i。 以上之結果 至 0.005〜0.08 〇 護膜。 ，折射率高達2,6〜2·68，又消光係數下降 皆可形成理想之光記錄媒體之干涉膜或保 (比杈例1〜5) 使用平均粒徑為3鋒、純度為卿9 99%)之氧化 (Τί〇2)與平均粒徑為15心、純度為项99.9% )之銅粉作 原料。將其加以調合成表丨所^❹組成，㈣進行混合 另比較例1為沒有添力口銅粉的情形。 使用濕式球磨機將此混合粉％加以混合，使銅均： 地刀散於减鈦粉。接著，將經蒸發水分 入 填充於碳製的鑄模，谁广勒网 ^ ° ^ 、進仃熱壓。熱壓條件，為97〇ν、面愚 200kgf/ cm 〇 15 201035346 對所仔之燒結體進行機械加工，製得必152咖、 之乾。結果’密度為95〜98%。如表1所示，乾之比電阻 為 > 100 Ω cm〜0.0005 Q cm 〇 接著，使用以此方式所银搵+、成& ^ 汀1侍之濺鍍靶，在玻璃基板上 形成減鑛膜。賤鑛條件’如表1所示，係於ΑΓ氣或Ai —〇2(2〜_)氣中，氣壓：0.5pa，氣體流量：5〇咖，以 濺鍍功率：500〜 1000w實施Dc濺鍍。 於玻璃基板上，形成“^賤鍵媒。成膜速度、藉由 顧A(Cu低濃度區域s刪）所分析之膜的組成分別示於表 。如此表！所示， =之折射率及消光係數。折射率及消光隸，係使用 =::7,藉由橢圓偏光計來進行測定。此等之結果 同樣地不於表1。 俜數：it結果’比較例1係無添加cu之氧爾。消光 =低至〇·_’折射率亦低至2 59。其結果並不適合作 為光記錄媒體之干涉膜或保護膜。 0 95 jtW氧成/刀與金屬成分之比〇//(2Ti+〇.5Cu)為 ㈣目=發明之條件。此時，折射率雖高達2.7, 數卻增加至〇.2。其結果，並不適合作為光 °己錄媒體之干涉膜或保護膜。 比較例3，Cu量過多，Λ八 + 0 、丸 氧成刀與金屬成分之比0/(2Ti 二)為;並不滿足本發明之條件。此時，折射率雖 -達2.7’但相反地消光係數卻增 適合作為光記錄媒體之干涉膜或保並不 16 201035346 比較例4，Cu量減少至0 002at% ,並不滿足本發明之 條件。此時’消光係數減少至〇_〇〇5，折射率亦低至2 59。 其結果’並不適合作為光記錄媒體之干涉膜或保護膜。 比較例5，氧成分與金屬成分之比0/(2Ti+〇.5Cu)減 少至0.76 ’並不滿足本發明之條件。此時，折射率低至2 55， 消光係數亦增加至0.5。其結果，並不適合作為光記錄媒體 之干涉膜或保護膜。 (實施例9〜1 5 ) 使用平均粒徑為3/zm、純度為4Ν(99·99%)之氧化鈦 (Ti〇2)與平均粒徑為乃^、純度為3ν(99 9%)之鈀（pd)粉 作為原料。將其加以調合成表2所示之靶組成，然後進行 混合。 使用濕式球磨機將此混合粉lkg加以混合，使鈀均勻 地分散於氧化鈦粉。接著，將經蒸發水分乾燥後之混合粉 填充於碳製的禱模’進行熱壓。㈣條件，4 970°C、面壓 2〇〇kgf/cm2。 對所侍之燒結體進行機械加工，製得0 i52mm、 之輕。結果’得到密度95%以上、比電阻如表2所示之〇〇ι 〜30 Ω cm之乾。 17 201035346 s ο s ο T-H 〇 0.008 o ϊ-Η 0.009 〇\ r—^ o CO d 折射率 •η \〇 CN 2.62 v〇 csi 2.60 iTi rsi 2.68 \Τί Ό CN 00 CN 2.54 〇/ (2Ti+Pd) 0.96 00 On Ο o t-H 〇 C\ d IT) Os 〇 Ο 1—Η 0.94 00 d 〇(at%) 'O 66.76 cn 66.696 Pd(at%) cn T—H 寸 d o oi 0.004 00 »n <N Ti(at%) Ο) m Γ- (N CO T-H rn ro (N CO m ro 29.6 m ro ro ro 00 CN 成膜速度 (A/sec/kW) 卜 ο Os d v〇 O 〇 rn 00 o 濺鍍 Ar-4%〇2 Ax-2%02 Ar-2%02 Ar-10%02 Ar-10%02 Ar-l%〇2 1 Ar-20%〇2 比電阻 9Qcm 20Qcm 3〇Qcm 6Ωογπ 0.01 Ω cm 0.3 Ω cm 0.05 Ω cm 20Ωοιη 0.001 Ω cm 把組成 Ti02 ： Pd = 90 ： 10 at% Ti02 ： Pd = 95 ： 5 at% Ti02 · Pd = 99 ： 1 at% Ti02 ： Pd = 99.9 ： 0.1 at% Ti〇i.5 ： Pd = 95 ： 5 at% Ti02 ： Pd = 80 ： 20 at% Ti〇i.9 ： Pd = 99.99 ： 0.01 at% Ti02 ： Pd = 95 ： 5 at% Ti02 ： Pd = 70 ： 30 at% 雜例9 實施例10 雜例11 雜例12 雜例13 «例 14 雜例15 tbi交例6 财交例7 201035346 接著，使用以此方式所製得之濺鍍靶，在玻璃基板上 形成濺鍍膜。濺鍍條件，如表2所示，係於Ar氣或Ar氣 —〇2(1〜10%)氣中，氣壓：0‘5Pa，氣體流量：5〇sccm，以 濺錄功率：500〜l〇〇〇w實施dc濺鍍。 結果，可無問題地實施Dc濺鍍，且可確認此靶具有導 電性。 於玻璃基板上’形成lAm之濺鑛膜。成膜速度、以 Ο ❹ ΕΡΜΑ所分析之膜的組成分別示於表2。如表2所示，〇/ (2T1+Pd)為0.95〜1.00。測定此激鍍膜之折射率及消光係 數。折射率及消光係數，係使用光波長：4〇5細，藉由擴圓 偏光計來加以測定。此等之結果同樣地示於表2。 以上之結果，折射率高達2.60〜2.68,又消光係數下降 至0.008〜（M。皆可形成理想之光記錄媒體之干涉膜或保護 膜。 (比較例6〜7) 使用平均粒徑為3#m、純度為4N(99 99%)之氧化鈦 (丁⑼）與平均粒徑為心爪、純度為卿9 9%)之纪（p句粉 作為原料將其加W調合成表2所示之&組成，然後進行 混合。 使用濕式球磨機將此混合粉叫加以混合，使把均句 地分散於氧化鈦粉。姑切 接者’將經蒸發水分乾燥後之混合粉 填充於叙製的鑄模，進行熱塵。熱壓條件，為97Gt、面壓 2〇〇kgf/em2。 1 對所得之燒結體進行機械加工，製得0 152mm、5mmt 19 201035346 接著，使用以此方式所製得之濺鍍靶，在其 开，成濺鑛膜。濺鑛條件，如表2所 上 或Ar氣一〇2(20%e产产A — 係於Ar氣環境氣氛 2(峨氣氛中，氣壓:〇.5Pa，氣體流量. 5〇SCcm，以賤鍍功率：5〇〇〜1〇〇〇w實施dc濺鍍。 . 於玻璃基板上，形成Um之濺_。成膜速度 職A所分析之膜的組成分別示於表2。如此表2所示，〇 f(2T1+Pd)為〇·85〜〇·94。測定此濺鍍膜之折射率及消光 係數。折射率及消光係數，係使用光波長：4G5nm，藉由橢 圓偏光計來進行測定。此等之結果同樣地示於表2。 以上之結果，比較例6,其氧成分與金屬成分之比Ο, (古2Tl+Pd)為G·94,並不滿^本發明之條件。此時，折射率 尚達2·68，但相反地消光係數卻增加至0· 19。其結果，並 不適合作為光記錄媒體之干涉膜或保護膜。 、 比較例7，Pd量❹至12 5at%，氧成分與金屬成分之 比〇/(2Ti+Pd)為〇 85，並不滿足本發明之條件。此時， 折射率低至2.54 ’消光係數增加至〇 3。其結果，並不適合 作為光記錄媒體之干涉膜或保護膜。 (實施例1 6〜1 7) 使用平均粒徑為3#m、純度為4N(99.99%)之氧化鈦 (Tl〇2)與平均粒徑為25/zm、純度為3Ν(99·9%)之鈷（Co)粉 作為原料。胺_甘 將/、加以調合成表3所示之乾組成，然後進行 混合。 20 201035346 使用濕式球磨機將此混合粉lkg

Ur八I _hv Μ處合，使姑均句 刀政於氧化鈦粉。接著，經基 掊*认〇·⑻. “ 水分乾燥後之混合粉 …奴製的鑄模，進行熱壓。熱壓條件 300kgf/cm2。 為 970 C 面 & ^ ^ φ \ 5 2mm ' 5mmt 比電阻如表3所示之0.06 對所得之燒結體進行機械加 之靶。結果，得到密度95%以上、 〜50 Ώ cm之乾。

〇 21 201035346 【£<〕 消光 係數 0.05 0.03 0.02 0.01 r-H 0.01 0.11 「 i 0.32 折射率 2.63 2.62 2.61 2.61 2.67 2.65 2.57 2.55 1 ! 0/ (2Ti + Co) 0.96 0.98 1 1.00 1 LOO | 0.95 0.99 0.94 0.84 〇(at%) 64.5 65.6 66.6 66.66 t—1 CO 66.497 64.1 58.8 i- Co(at%) 1_ cn ϊ> ΓΟ 0.04 m 0.003 卜 ΟΊ 1 12.5 丨 1 Ti(at%) 31.9 32.7 33.1 33.3 29.6 33.5 32.2 28.7 成膜速度 (A/sec/kW) Η as ο 〇 寸 1—< 00 m 〇 濺鍍 Ax-2%〇2 Αγ-2%〇2 Ax-2%02 Ar-10%02 Ar-0.5%02 At-20%〇2 比電阻 6Qcm 15Qcm 28Qcm 50Qcm 0.1 Qcm 0.06 Ω cm 6Qcm 0.002 Ω cm 把組成 1 _ — 一 _ 1- i Ti〇2 ： Co = 90 ： 10at% Ti〇2 ： Co = 95 ： 5 at% Ti02 : Co = 99 ·· 1 at% Ti02 ： Co = 99.9 ： 0.1 at% Ti02 ： Co = 80 ： 20 at% Ti〇i.9 : Co - 99.99 ： 0.01 at% 1 Ti02 ： Co = 90 ： 10 at% | Ti〇2 ： Co = 70 ： 30 at% 實施例16 tife例 17 is 雜例19 實施例20 實施例21 tt#交例8 tt#交例9 ττ 201035346 ,接著，使用以此方式所製得之濺鍍靶，在破璃基板上 形成濺鍍膜。濺鍍條件，如表3所示，係於Ar氣環境氣氛 或Ar氣一〇2(ι〇%)氣環境氣氛中，氣壓·· 〇 5pa，氣體流量： 5〇Sccm，以濺鍍功率：5〇〇〜1〇〇〇w實施dc濺鍍。可無問 題地實施DC濺鍍，且可確認此靶具有導電性。 於玻璃基板上，形成濺鍍膜。成膜速度、以 ΕΡΜΑ所分析之膜的組成分別示於表3。如表3所示，〇/ (2Ti+Co)為〇_95〜1.〇〇。測定此濺鍍膜之折射率及消光係 ◎數。折射率及消光係數，係使用光波長：4〇5咖，藉由擴圓 偏光計來加以測定.此等之結果同樣地示於表3。 以上之結果，折射率高達261〜2 67，又消光係數下降 至ο · ο 1 〇 ’1。&可形成理想之光記錄媒體之干涉臈或保護 m ° 一… (比較例8〜比較例9) 使用平均粒徑為3//m、純度為4Ν(99·99%)之氧化鈦 (ΤΊ02)與平均粒徑為2〇、純度為3Ν(99 之鈷粉作為 原料。將其加以調合成I 3所示之乾組& ’然後進行混合。 使用濕式球磨機將此混合粉lkg加以混合，使鈷均勻 地.分散於氧化鈦粉。接著，將經蒸發水分乾燥後之混合粉 填充於碳製的鑄模，進行熱壓。熱壓條件，為970。。、面壓 300kgf/em2。 對所得之燒結體進行機械加工，製得0 152mm、 之靶。結果’密度在95%以上。如表3所示，靶之比電阻 為 0.002Qcm 〜6Qcm。 23 201035346 接著，使用以此方式所製得之賤鑛 形厕膜。賤鍍條件，如表3所示，係於Ar!H 或Ar氣一〇2(0.5〜_)氣環境氣氛中 =境^ 流量:-…減鍍功率：500〜_w==體 系玻璃基板上’形成‘之濺鍍膜。成膜 E湯所分析之膜的組成分別示於表3。如此表3所示藉由〇 /(2Tl+C°)為〇.84〜〇·94。測定此滅鑛膜之折射率及消光 係數。折射率及消光係數，係使用光波長：他㈣，藉由擴 圓偏光5十來進行測定。此等之結果同樣地示於表3。 以上之結果，比較例8，其氧成分與金屬成分之比〇/ (加+Pd)為〇.94’並不滿足本發明之條件。此時，折射率 低至2‘57 ’消光係數亦增加i G n。其結果，並不適合作 為光記錄媒體之干涉膜或保護膜。 比較例9’ Co量過多至12.5at%，氧成分與金屬成分之 比〇/(2Ti+Pd)為0.84，並不滿足本發明之條件。此時， 折射率低至2 _ 5 5，消光係數增加至〇 · 3 2。其結果，並不適 合作為光記錄媒體之干涉膜或保護膜。 (實施例22〜26) 使用平均粒徑為lym、純度為4N(99_99%)之氧化鈦 (Ti〇2)與平均粒徑為7Mm、純度為3N(99 9%)之鉑（pt)粉作 為原料。將其加以調合成表4所示之|ε組成，然後進行混 合。 使用濕式球磨機將此混合粉1 kg加以混合，使鉑均勻 地分散於氧化鈇粉。接著，將經蒸發水分乾燥後之混合粉 24 201035346 填充於碳製的鑄模，進行熱壓。熱壓條件，， 壓 250kgf/cm2。 對所得之燒結體進行機械加工，製得0 之靶。結果，得到密度95%以上、比電阻如表 〜50 Ω cm之乾。 | 1000〇C、面 152mm、5mmt 4所示之0.07

❹ 25 201035346 ^ u t—Η d 〇 o s o f—H o 0.008 (N 〇 o 折射率 CN 0 01 κη r4 2.64 i_ <N Ό 〇\ CN CN 0/ (2Ti + Pt) in 〇\ O s； o CTs 〇\ o o 〇 CN ON d On 00 〇 〇(at%) CO VO in 寸 VO 66.76 66.696 CN in 1—H 1 Pt(at%) ^ri t> 寸 d o o 0.004 〇〇 卜 Ti(at%> On d CO 00 ri ro <N rn CO CN C-i m ro cn ro 00 \ 〇 噠\ < to o 寸 r-^ ¢^) <N 寸· <N 寸 ο 濺鍍 Ar-10%02 Ax-2%02 Ax-2%〇2 f Ar-l%〇2 Αγ-20%02 比電阻 1 Qcm 50Ω〇ιβ 6 Qcm lOQcm 0.07 Ω cm 50 Qcm 0.005 Ω cm 1 1&組成 1 Ti02 ： Pt = 85 ： 15 at% Ti02 ： Pt = 95 ： 5 at% Ti02 ： Pt - 99 ： 1 at% Ti〇2 ： Pt = 99.9 ： 0.1 at% Ti0,.9 : Pt = 99.99 ： 0.01 at% Ti02 ： Pt = 95 ： 5 at% 1- Ti02 ： Pt = 80 ： 20 at% 雜例22 實施例23 實蝴24 實施例25 實施例26 tbf交例10 tb|交例11 201035346 接著，使用以此方式所製得之濺鍍靶，在玻璃基板上 形成濺鍍膜。濺鑛條件，如表4所示，係於Ar氣環境氣氛 或Ar氣―〇2(丨〜10%)氣環境氣氛中，氣壓：〇.5Pa，氣體 流量：5〇sccm，以濺鍍功率：5〇〇〜1〇〇〇w實施Dc濺鍍。 可無問題地實施DC濺鍍，且可確認此靶具有導電性。 於玻璃基板上，形成之濺鍍膜。成膜速度、以 ΕΡΜΑ所分析之膜的組成分別示於表4。如表4所示，〇/ (2Τ! + Pt)為0.95〜1 .GO m㈣膜之折射率及消光係 〇數。折射率及消光係數，係使用光波長：405nm，藉由糖圓 偏光計來加以測定。此等之結果同樣地示於表4。 以上之結果’折射率高達2.62〜2 74，又消光係數下降 至0.008〜（M。皆可形成理想之光記錄媒體之干涉膜或㈣ 膜。 (比較例10〜比較例11) 使用平均粒徑為lem、純度為4Ν(99·99%)之氧化鈦

(Ti〇2)與平均粒徑為7、純度為3Ν(99·9%)之鉑（pt)粉作為 原料。將其加以調合成表4所示之靶組成，然後進行混合。 使用濕式球磨機將此混合粉lkg加以混合，使鉑均勻 地分散於氧化鈦粉。接著，將經蒸發水分乾燥後之混合粉 填充於碳製的鑄模，進行熱壓。熱壓條件，為1〇〇〇它:: 壓 250kgf/cm2。 工’製得 iM52mm、5mmt 如表4所示’靶之比電阻 對所得之燒結體進行機械加 之靶。結果，密度在95%以上。 為 0.005 Qcm〜50Qcm。 27 201035346 接著 ，使用以此方式所製得 形成濺鍍膜。濺鍍條件，如表4 _纖粑，在玻璃基板上 氣環境;氛;所：==二氛 Μ::::率I—實施心 ' " 形成丨“出之濺鍍膜。成膜速戶、藉由 歷A所分析之膜的組成分別示於表 成膜速度藉由 / /2Ti 4- Pf'i * 、 如此表 4 所示，Ο 〜〇·92°測定此濺鍍 數。折射率及消光係數，係❹m ·/料及4光係 使用先波長· 4〇5nm，藉由橢圓 先:1來進仃測定。此等之結果同樣地示於表4。 以上之結果’比較例1 〇，使备4、八 / ηΎ· , D ”乳成刀與金屬成分之比〇 t :、、、〇.92，並不滿足本發明之條件。此時，折射 率南達2 · 6 9，消朵孫杳々4站上 ,, 为先係數增加至0.2卜其結果，並不適合作 為光记錄媒體之干涉膜或保護膜。 “又例11 ’ Pt置過多至7 7at%，氧成分與金屬成分之 〇/(2Ti + pt)為〇·89 ’並不滿足本發明之條件。此時， 折射率南達2.65 ’消光係數增加至Q.4。其結果，並不適合 作為光記錄媒體之干涉膜或保護膜。 β (實施例27〜32) 使用平均粒徑為i # m、純度為4Ν(99 99% )之氧化鈦 (Τι〇2)與平均粒徑為2〇Mm、純度為3Ν(99 9%)之鎳（Ν〇粉 作為原料。將其加以調合成表5所示之靶組成，然後進行 混合。 使用濕式球磨機將此混合粉lkg加以混合，使鎳均句 地分散於氧化鈦粉。接著，將經蒸發水分乾燥後之混合粉 28 201035346 填充於碳製的鑄模，進行熱壓。熱壓條件，， 壓 250kgf/ cm2。 對所得之燒結體進行機械加工，製得0 之靶。結果，得到密度95%以上、比電阻如表 〜3 7 Ω cm之把。 % 1000〇C、面 1 52mm、5mmt 5所示之0.06

〇 29 201035346 ^4】 消光 係數 0.08 0.04 0.01 0.008 i-H o 0.02 0.15 0.35 1- 折射率 2.65 2.63 2.62 2.61 2.68 2.66 2.58 2.54 〇/ (2Ti+Ni) 0.96 0.97 0.99 1.00 0.96 0.99 0.93 0.83 〇(at%) 64.6 65.4 1_ 66.4 66.66 63.3 66.496 63.9 58.6 Ni(at%) rn 00 寸 Ο 0.04 CN 0.004 00 CO 12.5 31.9 32.8 33.2 33.3 29.5 33.5 32.3 28.9 成膜速度 (A/sec/kW) v〇 Ο Os o 00 Ο 'O 寸 o cn 00 ί—H m 〇 濺鍍 Ar-4%〇2 At-2%02 Ar-2%02 Ar-10%02 Ar-0.5%02 Ar-20%02 ： 比電阻 11 Ω cm 22Qcm 1_ 37Qcm 8Qcm 0.2 Ω cm 0.06 Ω cm 11 Qcm 1 0.005 Ω cm 靶組成 Ti02 ： Ni = 90 ： 10 at% Ti02 ： Ni = 95 ： 5 at% Ti02 ： Ni = 99 ： 1 at% Ti02 ： Ni = 99.9 ： 0.1 at% Ti02 ： Ni = 80 ： 20 at% Ti〇i.9 : Ni = 99.99 ： 0.01 at% Ti02 ： Ni = 90 ： 10 at% Ti02 ： Ni = 70 ： 30 at% 雜例27 實施例28 雜例29 實施例30 -1 實施例311 實施例32 tbi交例12 tb|交例13 201035346 接著，使用以此方式所製得之機鑛乾’在玻璃基板上 形成滅《。雜條件，如表5所示，係於Ar氣環境氣氛 或Ar氣—〇2(1〇%)氣環境氣氛中，氣壓：〇 5pa，氣體流量： 術㈣，以濺鐘功率：500〜·〇w實施dc減鑛。可無問 題地實施DC濺鍍，且可確認此靶具有導電性。 於玻璃基板上，形成之賤鑛膜。成膜速度、以 ΕΡΜΑ所分析之膜的組成分別示於表5。如表5所示， Ο 〇 (2Τι+Νι)為0.96〜l.oo。測定此濺鍍膜之折射率及消光係 數。折射率及消光係數，係使用光波長：奶咖，藉由擴圓 偏光計來加以測定。此等之結果同樣地示於表5。 以上之結果’折射率古·;告，<1 τ τ耵丰阿達2.61〜2.68,又消光係數下降 至0.008〜0.卜皆可形成理想之光記錄媒體之干涉膜或保護 膜。 (比較例12〜比較例1 3 ) 使用平均粒徑為1//m、純度為4N(99 99%)之氧化欽 (TK)2)與平均粒徑為2〇/zm、純度為3N(99.9⑹之錄⑽粉 作為原料。將其力“X調合成$ 5所示之乾組成，然後進行 處合。 使用濕式球磨機將此混合粉lkg加以混合，使 地分散於氧化鈦粉。接著，將經蒸發水分乾燥後之混合粉 填充於碳製的鑄模，進行熱麼。熱壓條件，為顧 壓 250kgf/ cm2 ° 對所得之燒結體進行機械加工，製得0 152mm、5mmt 之靶。結果’密度在95%以μ上主< ^ U上。如表5所示，靶之比電阻 31 201035346 為 0.005Dcm〜lli}cm〇 接著，使用以此方式所製得之減鑛乾，在玻璃基板上 形成濺鍍膜。濺鍍條件，如表5戶彳 " 或Ar氣—〇2(2囉環境氣氛中，氣壓：〇抓，氣體流量： 5〇SCcm，以濺鍍功率：5〇〇〜1〇〇〇w實施dc濺鍍。 於玻璃基板上’形成丨“之濺鍍膜。成膜速度、藉由 ΕΡΜΑ所分析之膜的組成分別示於表5。如此表$所示，〇 λ- / (2Ti + Pt)為0.83〜〇.93。測定此藏鑛膜之折射率及消光係 折射率及消光係數，係使用光波長：4〇5nm，藉由擴圓 偏光計來進行測定。此等之結果同樣地示於表5。 以上之結果，比較例12，其氧成分與金屬成分之比〇 ((2T1+Pt)為〇.93 ’並不滿足本發明之條件。此時，折射 率低至2.58,消光係數增加至〇15。其結果，並不適合作 為光記錄媒體之干涉膜或保護膜。 比較例13，Ni量過多至12.5at%，氧成分與金屬成分 之比0/(2Ti+Ni)為0·83，並不滿足本發明之條件。此時， :射率低至2.54 ’消光係數增加至〇.35。其結果，並不適 σ作為光記錄媒體之干涉膜或保護膜。 (實施例33〜38) 使用平均粒徑為3"m、純度為4Ν(99 99%)之氧化鈦 (Τΐ〇2)與平均粒徑為20"m、純度為3Ν(99.9%)之金（Au)粉 為原料。將其加以調合成表6所示之靶組成，然後進行 5使用濕式球磨機將此混合粉1 kg加以混合，使鎳均 勻地分散於氧化鈦粉。接著，將經蒸發水分乾燥後之混合 32 201035346 粉填充於碳製的鑄模，進行熱壓。熱壓條件： 壓 350kgf/ cm2。 對所得之燒結體進行機械加工，製得必 之靶。結果，得到密度95%以上、比電阻如表 〜5 1 Ω cm之乾。 為950°C、面 1 52mm、5mmt 6所示之0.06

33 201035346 消光 係數 0.09 0.06 0.02 0.007 o 0.01 0.13 0.32 折射率 2.69 2.66 2.64 -1 2.62 2.70 1 2.65 2.60 2.56 0/ (2Ti + Au) I 0.96 j 0.97 0.99 1.00 0.96 1.00 0.92 0.83 〇(at%) 1 64.5 ， 65.5 66.4 66.66 63.2 66.596 64.2 58.4 Au(at%) cn 卜 寸 Ο 0.04 iT] 0.004 oo 12.5 Ti(at%) 31^ 32.8 33.2 1 33.3 29.3 33.4 29.1 成膜速度 (A/sec/kW) 00 o τ-Η 00 ο in 寸 d O) cn 濺鍍 Ar-4%02 Ar-2%02 Ar-2%02 Ar-10%02 Ar-0.5%〇2 Ar-20%02 比電阻 _i 18Qcm j 35 Qcm 51 Qcm 7Ω〇χη 0.6 Ω cm 0.06 Qcm | 35 Qcm 1 0.01 Ω cm 靶組成 _ί Ti〇2 : Au = 90 : 10 at% j Ti02 ： Au = 95 ： 5 at% Ti02 ： Au = 99 ： 1 at% Ti〇2 ： Au = 99.9 ： 0.1 at% Ti02 ： Au = 80 ： 20 at% TiO, 9 : Au = 99.99 ： 0.01 at% Ti02 · Au = 95 ： 5 at% ί Ti02 ： Au = 70 ： 30 at% 實ifei列33 實施例34 實施例35 實施例36 實施例37 實施例38 交例14 tbf交例15 201035346 接著’使用以此方式所製得之激鍍乾，在玻璃基板上 形成麟膜。義條件，如表6所示，係於氣環境氣氛 或Ar氣—〇2(1〇%)氣環境氣氛中，氣壓：〇.5ρ&，氣體流量： 5〇SCCm，以濺鍍功率：5〇〇〜1〇〇〇w實施Dc濺鍍。可無問 題地實施DC濺鑛，且可確認此靶具有導電性。 於玻璃基板上，形成之濺鍍膜。成膜速度、以 ΕΡΜΑ所分析之膜的組成分別示於表6。如表6所示，Ο〆

(2Ti + Au)為〇.96〜丨.⑻。敎㈣㈣之折射率及消光係 數。折射率及消光係數，係使用光波長：4〇5_，藉由擴圓 偏光計來加以測定。此等之結果同樣地示於表6。 以上之結果，折射率高達2 62〜27〇,又消光係數下降 至0.007〜（M。皆可形成理想之光記錄媒體之干涉膜或保護 (比較例14〜比較例1 5 ) 使用平均粒徑為3#m、純度為4N(99 99%)之氧化鈦 =2)與平均粒徑為御m、純度為3N(99 D之金㈣粉 乍為原料。將其加以調合成纟6所㈣組成，然後進行 混合。使用濕式球磨機將此混合# lkg加以混合， 勾地分散於氧化鈦粉。 _ 描接著，將經蒸發水分乾燥後之混合粉填充於碳製的鑄 、，進行熱屬。熱塵條件，為95(rc、面塵35〇kgf八… 比I5U列14〜比較<列15之原料的粒徑、熱壓條件、面壓、 之pd相的粒徑同樣地示於表6。 製得 0 152mm、5mmt 對所得之燒結體進行機械加 35 201035346 之靶。結果，密度在95%以μ L , 上。如表6所示，勒之比電阻 為 0.01 Ω cni〜35Ω cm。 电 接著使用以此方式所製得之濺鍍靶，在玻 形成濺鍍膜。濺鍍條件，如矣 ^ 土板上 表6所不，係於Ar氣環境歲 或Ar氣一〇2(20%)氣環境氣 孔衣克風瓦 、汛中，氣壓.0,5Pa，氣體流量： 5 0 s c c m，以濺鍵功產.ς η λ 锻力羊· 500〜1_w實施DC濺鍍。 於玻璃基板上，形成〗 众^之氣•鍍膜。成膜速度、藉由 ΕΡΜΑ所分析之膜的組成分 精由 取刀別不於表6。如此表6所示，〇 = T1+Au)為〇.83〜〇.92。測定此_膜之折射率及消光 係數。折射率及消光係數，係 、使用先波長.405nm，藉由橢 圓偏光計來進行測定。此等之結果同樣地示於表6。 "以上之結果，比較例14，其氧成分與金屬成分之比〇 郎+Pt)為0.92,並不滿足本發明之條件。此時，折射 '、向達2.60,消光係數增加至Q13。其結果，並不適合作 為光記錄媒體之干涉膜或保護膜。 之ti· r^1 15 — i 12’5^% ’氧成分與金屬成分 (2Ti + >h)為0.83,並不滿足本發明之條件。此時， :射率低至2.%，消光係數增加至〇.32。其結果，並不適 σ作為光記錄媒體之干涉膜或保護膜。 (貫施例與比較例之彙整） 上述實施例與比較例，於本發明之範圍者，其折射率 鬲/肖光係數皆變小。同樣地，濺鑛乾之各成分符人本 發明之條件者，無之比電阻皆在100Dcm以下 # 玫電，呈良好之結果。 —吊 36 201035346 産業上之可利用性 本發明，係一種高折射率且具有低消光係數之以氧化 鈦為主成分之薄膜、以及適合製造該薄膜之以氧化鈦為主 成分的燒結體濺鍍靶，#由本發明所得之薄膜， 為CD、DVD等電子零件等之光資訊記錄媒體之膜、層。 又’本發明之薄膜，同時具有優異之透過 之降低小’特別適用作為光資訊記錄媒； ❹ Θ :覆應力具有抗性’並且使此等之熱影響不會二= 其他地方造成影響，而且其 射膜或 須有不會變質之堅韌度。 ’、具有低反射率且必 並且，具有此種特性之;bf*祖、* 車用玻璃、CRT用、平面顯示器用^用於建築用破璃、汽 線反射膜、抗反射膜、干涉濾‘器。，亦即亦可使用作為熱 【圖式簡單說明 益 【主要元件符號說明】 益 1 37

Claims (1)

1. 201035346 七、申請專利範圍·· 勹人乂氧化鈦為主成分之薄膜，其特徵在於： 0上、7.7at%以下，剩餘部分由氧及不讦避 光之雜質所椹 — 礼成分與金屬成分之比〇/(2Ti+0.5Cu) 仕ϋ·9ό以上。 種以氧化鈦為主成分之薄膜，其特徵在於： 包含鈦、今 Pt . 、氣及麵，Ti在29.0at%以上、34.0at%以下’

   1 在 〇-〇〇3at% l φ ^ Α /〇 Μ上、5.7at%以下，剩餘部分由氧及不吁避 尤之雜質所播士、 ^ 〇 95 成4 ’氧成分與金屬成分之比0/(2Ti + Pt)在 • 以上。 乂氣化鈦為主成分之薄膜，其特徵在於： Ti在^鈦、氧及選自鈷、鎳、鈀、金之1種以上的金屬Μ， 29.0&伙以上、34.(^%以下，在0.003^%以上、7上1 /¾以下，泰t 與金、剩餘部分由氧及不可避免之雜質所構成，氧成分 土屬成分之比〇/(2Ti+ M)在0.95以上。

   4.如申請專利範圍第丨至3項中任一項之以氧化鈦 成分之# Ί & /胰，其中，於400〜410nm之波長區域的折射率在 •如申請專利範圍第i至3項中任一項之以氧化敛為主 战分之M HU u . 4膜，其中，於400〜410nm之波長區域的消光係數 仕〇.丨以下。 令申晴專利範圍第5項之以氧化鈦為主成分夕节 骐，复 q土取刀之薄 ，、中，於400〜410nm之波長區域的消光係數在〇 〇5 38 201035346 以下。 7.如申請專利範圍第…項中任一項之以 . 成分之薄膜，其係使用於光干涉膜或保護膜之薄膜。‘、、、主 ： 8.如申請專利範圍第1至3項中任-項之以氧化: 成分之薄膜，其係使用作為光記錄媒體之薄膜。 主 9. 一種以氧化鈦為主成分之燒結體濺鍍靶，係包含銅 剩餘部分由鈦、氧及不可避免之雜質所構成，其特徵：於: 各成分具有（THCun(其中，πΜυ，〇._b 11^〇.2)之組成比，比電阻在1〇〇〇(^以下。 1 〇· —種以氧化鈦為主成分之燒結體濺鍍靶，係包含 翻，剩餘部分由鈦、氧及不可避免之雜質所構成，其特: 在於： 、 各成分具有(其中，0 $ 〇 5，〇 〇〇〇1 $ 客〇.15)之組成比，比電阻在1〇〇〇(^以下。 11 · 一種以氧化鈦為主成分之燒結體濺鍍靶，係包含選

   土鈷、鎳、鈀、金之丨種以上的金屬M，剩餘部分由鈦？ 氧及不可避免之雜質所構成，其特徵在於： ^ 各成分具有（Ti02_m)1_nMn(其中，〇gm$〇 5，〇〇〇〇ign 客0.2)之組成比，比電阻在100 Ω cm以下。 八、圖式·· (無） 39