TW201027606A - Chip-stripping method, chip-stripping device and fabricating method of semiconductor device - Google Patents

Chip-stripping method, chip-stripping device and fabricating method of semiconductor device Download PDF

Info

Publication number
TW201027606A
TW201027606A TW098137459A TW98137459A TW201027606A TW 201027606 A TW201027606 A TW 201027606A TW 098137459 A TW098137459 A TW 098137459A TW 98137459 A TW98137459 A TW 98137459A TW 201027606 A TW201027606 A TW 201027606A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
wafer
movable platform
exposed
platform portion
chip
Prior art date
Application number
TW098137459A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI452614B (zh
Inventor
Akira Nakatsu
Original Assignee
Canon Machinery Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Machinery Inc filed Critical Canon Machinery Inc
Publication of TW201027606A publication Critical patent/TW201027606A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI452614B publication Critical patent/TWI452614B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Description

201027606 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於一稂晶片剝離方法、晶片剝離裝置以及 半導體裝置製造方法。 【先前技術】 於半導體裝置的製造步驟中,需要將經切割的半導體 晶片(以下簡稱晶片)自黏著片材拾取(pickup)。先前的 晶片剝離裝置有:具備保持黏著片材的平台、相對於該平 台而進退的頂出台,以及藉由該頂出台而頂出的針的晶片 剝離裝置。即以如下方式構成:利用藉由頂出台而頂出的 針,使平台的黏著片材自背面侧頂出,從而使晶片自黏著 片材脫離。 然而,使用針的晶片剝離裝置存在針將晶片頂出而自 黏著片材剝離時會刺破膠帶的情況,於此種情況下,有會 損傷晶片背面的擔憂。另外,由於磨損或破損而使各針的 長度不同,而成為晶片傾斜頂出的狀態,從而有相鄰的晶 片彼此碰撞而互相損傷的擔憂。 而且’利用筒夾(c〇Uet)吸附而取出晶片。然而,若 晶片傾斜頂出,則產生利用筒夾的晶片的吸附錯誤。若產 生筒夾的晶片吸附錯誤,則對其後的作業帶來障礙。另外, 亦存在由於針的頂出而晶片損傷的情況。 因此’近年來’提出不使用此種針的晶片剝離裝置(曰 本專,第32G9736號說明書)。該晶片剝離裝置如圖5與圖 6所不,具備保持貼附有晶片j的黏著片材2的平台3。另 201027606 外,於平台3上附設有上表面乜較平台的上表面如更 出的可動平台部4。即,於平台3上設有凹部5,於該凹部 5中嵌合可動平台部4。於該情況下,可於可動平台部4 的上表面4a與平台3的上表面3a之間形成s〇的階差。即, 可動平台部4的上表面4a較平台3的上表面如於垂直方 向上僅高出S0。另外,自可動平台部4的端面9露出晶片 1的第1邊la。因此,於可動平台部4的外周侧,在^黏 事 著片材2之間形成空隙6。而具,如圖6所示,於平台3 上設有與上述空隙6連通之抽吸孔8。 接著,對使用上述晶片剝離裝置的晶片制離方法進行 說明。首先’於利用圖示省略的筒夾(吸附筒失),自上方 吸附(保持)晶片1的狀態下,經由抽吸孔δ,將黏著片 材2抽吸至下方。藉此,抽吸空隙6的空氣,並抽吸晶片 1的露出部的黏著片材2,如圖6Α所示的虛線所示般,於 晶片1的露出部剝離黏著片材2。 、 在使用上述晶片剝離裝置之情況下,於剝離的初始階 Φ 段’需要剝去晶片1的周圍部的一部分(於圖5所示的情 況下為晶片1的露出部)的黏著片材2。該晶片i的露= 部的黏著片材2由於切割時的應力而黏附較牢,故為了進 行剝離’需要較其他部位更大的應力。因此,使可動平台 部4的上表面4a自平台的上表面3a僅突出So。藉此,二 離黏著片材2的應力變大,而可剝離晶片1的露出部的黏 者片材2 〇 然後,如圖5B所示,使可動平台部4朝箭頭的方向 201027606 移動。藉此,利用可動平台部4所支撐的晶片丨的支撐面 積減少,黏著片材2的吸附(抽吸)面積增加,最終可自 該晶片1完全剝離黏著片材2。 於剝離黏著片材2時’藉由可剝離周圍部的一部分(露 出部)的較大應力’即較高階差,而可對晶片賦予較大彎ί 曲’於維持該階差的狀態下進行滑動運作。如此般,於剝 離初始階段將周圍部的一部分(露出部)剝離的情況下, 需要較大的剝離力。然而,剝離周圍部的一部分後,使可 動平台部4滑動而剝離其他部位時,無需剝離初始階段的 較大的_力。V ’在_階段於晶片的背面之剝離強戶 並不一樣。 右以初始階段的剝離為重點,增大可動平台匈 4的上表面4a與平台上表面3a的階差,則於使可動平心 部4滑動而剝離其他部位時’可於較高階差的狀態下施: 滑動運作1此,會對相鄰設置的其他晶片丨賦予如動態 扭轉的應力。若解此種應力,財相鄰設置的其他晶^ 1產生較大彎曲而破裂的擔憂。 另外,相反若以滑動運作時為重點,將可動平台部^ 4a與平台上表面3a的階差設定 二 1階段的_中無法產生所需的較大剝離力。㈣ 【發明内容】 剝離’本發喊供—種^祕方法、晶月 剝離的初*㈣導體裝置製造方法。上述晶片剝離方法方 剥離的初始階段,可較大_離力祕晶片的周圍老 201027606 的-部分(露出部),於進行滑動時, 下 破裂’從而可容易地剝離而取出應制離=動應力下的 本發明的晶片剝離方法是自於 ;著片材剝離上述晶片的晶片剥離方法,其是 平台部與可動平台部的平台上,使應剝離的 ❹ 參 部露出,以如上方式進行設置後,於上述千: 用上述凸狀部使上述晶片_ 从下’利 頂出’而於露出部的下方形成空隙:接片材而 的空隙作用負壓後驅動上述可動平台部。對露出部下部 根據本發明的晶片剝離方法, 下露心== 離力。予較· 完全剝離黏著片材。即, 二自該軸離的晶片 作用較大的剝離力;另外,、於可二可對黏著片材 對相鄰設置的其他晶片賦予如動時’可防止 鄰設置的其他晶片所賦予的轉的應力’減小對相 高,而於露ί:二的:置出空定平台部的上表面更 可於晶片的露出狀態下,使可動平台部的上表面自固 201027606 定平台部的上表面隆起。 21 上述可料台部細露_減的方向, 平方向滑動。 沿著水 地頂可動平台料上表面更高 ::更可:平台部的上表_同高度可ϊ=ΐ:部= 而製法是❹晶片制離方法 黏著片本 晶片剝離裝置是自於上表面貼附有晶片的 片的晶片剝離裝置,其具備··平台, trdir動平台部;凸狀部,其於使應剝離 八Γμ動平°部相對應且該晶片的周圍部的至少一部 的狀態下,使該晶片的露出部分經由 單兀’其經由負屢通道對上述空隙作用負壓;以及 ;:著二=述可動平台部朝舆上述露出侧相反側, 说可由銷狀(pin)構件或板狀構件構成上述凸狀部。即, :、、=麟狀構件,還是板狀構件,均可頂出晶片。可使可動 平台部自由滑動、或者自由升降且自由滑動。 [發明之效果] 於本發明中’於進行吸附前(負壓作用前),可確保 負壓作用用的空隙,並可穩定地進行晶片的露出部的剝 201027606 離。另外’進行滑動時,可防止對相鄰設置的其他晶片賦 予彎曲,而可進-步防止相鄰設置的其他晶片的破裂。 凸狀部可為鎖狀構件,亦可為板狀構件,能以簡單的 構成而形成,而可謀求低成本化,並且頂出功能亦穩定。 另外’若可動平台部可升降,則可設置使可動平台部滑動 時最適合的較低階差(固定平台部的上表面與可動平台部 的上表面的階差)。藉此,可減小對相鄰設置的其他晶片所 賦予的彎曲’從而可確實地防止對相鄰設置的其他晶片施 加較大的力。因此,可減輕滑動時的應力下的相鄰設置的 其他晶片的破裂’並可容易地獅而取出應剝離的晶片。 使上述凸狀部的頂出面較可動平台部的上表面更高 地頂出,藉此可增大露出部下部的空隙,可於剝離初始階 段發揮較大的傭力’從而可謀求剝離作業的穩定化。另 外’藤動⑽動)可動平台部時,使凸狀部㈣出面與可 動平台部的上表面為相同高度或較可動平台部的上表面 低,藉此可使可動平台部滑動等驅_ 參 響,從而可進行順利的剝離作業。 】凸狀邛影 為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易僅,下文特 舉實施例,並配合所附圖式作詳細說明如下。 将 【實施方式】 以下〜圖4對本㈣的實施 裝置== 明的__。該晶片二 裝置疋將黏者片材12上_ _多她賴 導體晶片)11,自上述黏著片材12依序剝離而取日曰出片= 201027606 置。即’其為製造作為半導體裝置的半導體晶片的半導 體裝置製造裝置中所使用的裝置, 晶片11是藉由以晶圓10(參照圖3)為原材料,並 將該原材料鱗成轉狀㈣成最終製品。因此晶片H 有正方形或條狀晶片等,,如圖3所示,晶圓體為 圓形,藉由切割而分割成各個晶片U,該晶片n貼附於 黏著片材12上,另外,於黏著片材12的外周侧貼附有包 含環狀體的框13。即,該框13與黏著片材12形成一體。 並且,於框13與黏著片材12形成一體的狀態下,利用該 晶片剝離裝置取出晶片Η。 晶片剝離裝置如圖1所示,其具備自上方保持應剝離 的晶片11的保持單元15,及載置黏著片材12的平台16。 平台16具備固定平台部16b與自由滑動的可動平台部 16a。即,於固定平台部i6b的上表面37設置凹部22,於 該凹部22配置矩形平板體即可動平台部16a。將可動平台 部16a的上表面34設定為較固定平台部16b的上表面37 為更高位。即,於可動平台部16a的上表面34與固定平台 部16b的上表面37之間設有階差s。 如圖2所示,可動平台部16a的寬度尺寸W設定為較 正方形晶片11的一邊的長度(寬度尺寸)W1更小。於該 情況下,可動平台部16a的一個前端面17a與應剝離的晶 片11的第1邊23a相對應,晶片11的第1邊23a較可動 平台部16a的前端面17a更露出。 於平台16上設有對與黏著片材12的邊界面導入負壓 201027606 的負屡通道30。負壓通道30設有開口於晶片11的第1邊 23a侧的抽吸口 30a、30b。於該情況下,俯視可瞭解,各 抽吸口 30a、30b與晶片11的露出部31相對應。 負壓通道30連接有圖示省略的真空泵。即,藉由驅 動真空泵,可自負壓通道30的抽吸口 30a、30b抽吸空氣。 如此般’可由負壓通道30與真空泵等構成負壓供給單元 (空氣抽吸單元)。 保持單元15是由异有吸附晶片11的頭20的吸附構 ® 件(筒夾)21所構成。頭20於其下端面20a設有吸附孔, 經由該吸附孔而真空抽吸晶片11,從而使晶片11吸附於 該頭20的下端面2〇a。因此,若解除該真空抽吸(抽成真 空)’則晶片11自頭20脫離。 可動平台部16a經由圖示省略的驅動機構,一邊使可 動平台部16a的前端面17a與晶片11的第χ邊23&保持平 行,一邊沿著水平方向移動。驅動機構可使用包含螺栓 (bolt)軸構件與旋接於其的螺帽(nut)構件的往復移動 ❹ 機構或氣缸(cylinder)機構等各種機構。 另外’於固定平台部16b的凹部22設有與晶片11的 .露出部31相對應且包含板狀構件51的凸狀部5〇。即,該 凸狀部50如圖2所示’其上端面(頂出面)的長邊51a 設定為與可動平台部16a的前端面17a的長度尺寸大致相 同’其短邊51b設定為較露出部31的寬度尺寸更小。並且, 以接觸或接近於可動平台部16a的前端面17a的方式配置 該凸狀部50。 201027606 ,部50連接設置有圖示省略的上下移動機構, 該凸狀部50獨立於可動平台部16a而上下移動。另外,上 下移動機構可㈣包含螺栓轴構件無接於其的螺帽構件 的往復移動機構或氣缸機構等各種機構。 於本發明中,於晶片11的露出部31的下部形成有空 隙19 ’藉由使凸狀部5G上升,可使晶片u的露出部31 經由黏著片材12而如圖1B所示般頂出。藉由該項出,晶 片11的露出部31與固定平台部16b的上表面的階差變大。 接著,對使用上述圖1所示的晶片剝離裝置的晶片剝 離方法進行綱。於可動平台部16a域“ η的狀 態下’使晶片11的周圍'部的至少一部分(即第i邊23a 侧)自可動平台部16a露出。藉此,如圖1A所示般,於 該露出部31的下方設置空隙19。該空隙19與抽吸口咖、 30b連通。此時,使保持單元15的筒夾21的頭2〇與晶片 1的上表面相抵接,同時經由吸附孔而真空抽吸晶片u, 從而使晶片11吸附於該頭20的下端面2〇a。 於該狀態下’使凸狀部50的頂出面(前端面)52的 局度位置與可勢平台部16a的上表面34的高度位置一致。 接著’如圖1B所示,使凸狀部5〇上升,而可使晶片n 的露出部31經由黏著片材12而頂出。即,增大晶片u 的露出部31與固定平台部16b的上表面的階差。 如上所述,上述空隙19與抽吸口 3〇a、3〇b連通。因 此,藉由驅動抽吸單元(負壓供給單元),經由抽吸口 30a、 30b抽吸空隙19的空氣而作用負壓。藉此,抽吸晶片^ 201027606 的露出部31 ’如圖1B所示的虛線所示般自晶片u的露 出部31剝離黏著片材。 其後’如圖1C所示,使凸狀部5〇下降。於該情況下, 凸狀部50的頂出面52的高度位置較可動平台部16&的上 表面34的高度位置更低。接著,使可動平台部他朝與露 出侧相反的方向即箭頭B方向,經由上述驅動機構而滑 動。藉由該滑動,利用可動平台部16a的晶片1的支撐面 積依序減少,對黏著片材12的下方的吸附(抽吸)面積增 加。此時’晶片11保持(吸附)於筒夾21,故黏著片材 12依序自晶片u剝離。因此,可動平台部16&的前端面 17&自晶片11的第1邊23a脫離時,可自該應剝離的晶片 1完全剝離黏著片材12。 〇並,,剝離後,使筒夾21上升而離開平台16,藉此 可自黏者片材12取出晶片η。然後,解除上述負壓狀態, 使可動平台部16&沿著與上述箭頭B相反的方向滑動,而 恢復至圖1A所示的狀態。 >。然後’若依序使該晶片剝離裝置對應於晶片U而進 操作’則可將黏著片材12上所有的晶片11自黏著片材 2剝離而取出。如此般,可於製造半導體裝置時使用該晶 剝離裴置。此處,所謂半導體裝置,是指藉由利用半導 ,性而可發揮功能的所有裝置,電光學裝置、半導體電 =以及電子設備全部為半導體裝置。另外,亦可為:形成 有電路的晶圓狀態的裝置、自晶圓切出的各個半導體晶 片將晶圓分割成多個而成的裝置、於晶圓狀態下所封裝 13 201027606 的裝置、晶圓狀態下簡糾裝置分贼多個而成的 裝置、以及對在晶圓狀態下所封裝的裝置進行切割而製成 各個半導體元件的裝置。 於本發明中,可利用凸狀部5〇使晶片u的露出部31 經由黏著片材12而頂出。並且,於該頂出狀態下,對露出 部31的下方的空隙19作用負壓,藉此可賦予較大的剝離 力。然後’藉由㈣可動平台部,而最終可自該應剝離的 晶片11 S全剝離黏著片材。即’於剝離初始階段,可對黏 著片材12作用較大的剝離力,另外,於可動平台部I6a 滑動時,可防止對相鄰設置的其他晶片如動態扭轉 的應力,而減小對相鄰設置的其他晶片丨〗所賦予的彎曲, 從而可進一步防止相鄰設置的其他晶片u的破裂。 另外,驅動(滑動)可動平台部16a時,可使凸狀部 50的頂出面52較可動平台部l6a的上表面34更低,故可 使可動平台部16a滑動等驅動而不受凸狀部5〇影響,從而 可進行順利的剝離作業。 圖4表示凸狀部50的變形例,於圖4A中,包含俯視 大致呈「口」字狀的板狀構件53。即,該板狀構件53包 含·與可動平台部16a的前端面i7a平行配置的平板狀本 體部53a,及自該平板狀本體部53a的端部呈直角彎曲的 端片部54b、54b。端片部54b、54b是沿著可動平台部16& 的前端面17a的側面而配設。利用該凸狀部5〇頂出晶片 11時的頂出面52於俯視時呈「〕」字狀。因此,若:用 圈4A的凸狀部50,則可穩定地進行晶片u的頂出,並可 201027606 始階段發揮較大_離力,從而可謀求制離作業 該情況下,沿著可是由雜構件55所構成。於 π r 動千台部16a的前端面17a,以特定n 距(Ρ_配設3 _狀構件。史播疋間 動。因此,藉由各銷妝# & 可上下移 _"二 =:55的上升,可使晶片11的露 ❹ 銷狀構件55的凸狀部5〇,=即便使用包含該 的剝離力,而可進於剝離補階段發揮較大 然而’於上述圖1所示的晶片剝離裝置中,可 部16a為僅進行滑動的構件,但可動平6 = 行上下祕(翁)賴動的構件。 T了為進 即’該情況下的驅動單元具備:使可 π動機構部(㈣單元)。升降機構部例如是具有上推銷, 經由往復移動機構使社減上下雜的機構部。另外, 滑動機構部(滑料元)具備傾升降機構部沿著大致水 平方向滑動的往復移動機構t另外,升降機構部及滑動機 構部的往復移動機構可使用包含螺栓轴構件與旋接於其的 螺帽構件的往復移動機構或氣缸機構、線性致動器(linear actuator)等各種公知公用的機構。 若使可動平台部16a自由升降,則可對可動平台部16a 的上表面34與固定平台部16b的上表面37的階差量進行 各種變更。即,可使可動平台部暫時上升後又使其下降至 15 201027606 原來的位置,或者使可動平台部16a暫時上升後又使其下 降至較原來的位置更高的中間高度位置。 藉由以此種方式進行變更,可使可動平台部l6a與固 疋平台部16b形成較高的階差,或者形成較低的階差。因 此,於剝離初始階段,若增大可動平台部16a與固定平台 部16b的階差,則即便減小凸狀部5〇的上升量,亦可對黏 者片材12作用較大的剝離力。因此,可防止產生由凸狀部 50的頂出所引起的晶片u的彎折力。此外,若減小可動 平台部16a與固定平台部16b的階差,則於可動平台部i6a 滑動時’可有效地防止對娜設置的其他晶片U賦予如動 態扭轉的應力,而可減小對相鄰設置的其他晶片u所賦予 的彎曲。 =上,對本發明的實施形態進行了說明,但本發明並 不限定於上述實施形態,可進行各種變形,例如,平台16 ^所^置的抽吸口 30a可於可抽吸空隙19的空氣‘圍 内’對大小、數目、形狀等進行任意設定 個。另外,離的晶片μ不限於正抽方及形口 短邊與長邊的長方形,而且亦可為長邊極長於 、狀。Ife著片材12的厚度亦根據抽吸力等而有所不 抽吸料(負壓供給㈣抽吸空隙15 乳時可自晶片η剝離’而為可進㈣曲變形的厚度即 給單:台部他的厚度亦可於利用抽吸單元(負麗供 -單疋)插吸空隙19的空氣時,根據可自晶片、剝離的 201027606 範圍而任意設定,另外,可動平台部16a的角部的角产並 不限於90度,可稍微呈銳角亦可稍微呈越角。 ^ 黏著片材12上所貼附的晶片u的數 目而於本:明中’可依序剝離黏著片材」 有晶 =受數目影響。晶片u的露出部31的面積= ,於剝離力作用於黏著片材12的範圍内進行各種設 ❹實施开於板f構件51作為凸狀部50的情況下,於上述 實施形態中,如圖2所示’其長邊5 = 部爲的長度大致相同,㈣ t疋為與了動千台 如的長度更長或者更短。另外,板狀 斗 只要可配置於露出部31的 f仵51的厚度尺寸 有多個。 巧31的下方即可。板狀構件51亦可具 於使用銷狀構件55作為凸十 實施形態中,如圖4B所干,i . n /的障況下,於上述 任意增減。另外,銷狀構件、55;^為3根,但其數目可 ❹亦可為剖面呈長圓或__2剖面呈_的圓柱體, 四角形、五离料=柱體’以及剖面呈三角形、 可為筒體。銷狀構件55的=挺體等。另外,亦 料推的範圍内進行各種^2。的面積亦可於可將露 於圖1C所示的狀態 的高度位置與可動平台部16am=料頂出面52 致。即便於此種一致的怦 表面34的尚度位置一 的滑動產生不良影響。亦不會對可動平台部16a 17 201027606 晶片11的露出部31的露出晷*5^秘 ★ 路®重可根據晶片11的大小、 厚度、材質等’於剝離初始階殺,於π#丨 ^ 階奴於可利用負壓的作用而 剝離黏著片材12的範圍内,進行任意設定。 [產業上之可利用性;| ° 於使黏著片材上所貼附的多個矩形薄片的晶片 (半導體W)自黏著諸依序卿^拾取的拾取裝置 中。晶片是藉由以為原材料,並將該原材料切斷成矩形狀 而形成最終製品。因此’晶片有正方形或條狀晶片等。 雖然本發明已以實施例揭露如上,然其並非用以限定 本發明,任何所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離 本發明之精神和範圍内,當可作些許之更動與潤飾,故本 發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 圖1A表示使用本發明的晶片剝離裝置的晶片剝離方 法於凸狀部頂出前的簡略剖面圖。 圖1B表示使用本發明的晶片剝離裝置的晶片剝離方 法於凸狀部的頂出狀態的簡略剖面圖。 圖1C表示使用本發明的晶片剝離裝置的晶片剝離方 法於可動平台部的滑動狀態的簡略剖面圖。 圖2是上述晶片剝離裝置的簡略平面圖。 圖3是表示黏著片材上所貼附的晶片的簡略平面圖。 圖4A是表示凸狀部的第1變形例的簡略平面圈。 圖4B是表示凸狀部的第2變形例的簡略平面圖 圖5A表示使用先前的晶片剝離裝置的晶片剝離方法 18 201027606 於可動平台部滑動前的簡略剖面圖。 圖5B表示使用先前的晶片剝離裝置的晶片剝離方法 於可動平台部的滑動狀態的簡略剖面圖。 圖6是先前的晶片剝離裝置的簡略平面圖。 【主要元件符號說明】 1、 11 :晶片 la、23a :第 1 邊 2、 12 :黏著片材 ® 3、16 :平台 3a、4a、34、37 ··上表面 4、 16a :可動平台部 5、 22 :凹部 6、 19 :空隙 8 :抽吸孔 9 :端面 10 :晶圓 ❹ 13 :框 15 :保持單元 16b:固定平台部 17a :前端面 20 :頭 20a:下端面 21 :筒夾 30 :負壓通道 19 201027606 • -----JT _ 30a、30b :抽吸口 31 :露出部 50:凸狀部 51、53 :板狀構件 51a :長邊 51b :短邊 52 ··頂出面 53a :平板狀本體部 53b :端片部 55 :銷狀構件 B :箭頭 S、S0 :階差 W、W1 :寬度尺寸

Claims (1)

  1. 201027606 am^ 七、申請專利範圍: 1. 一種晶片剝離方法’其是自於上表面貼附有晶片的 黏著片材剝離上述晶片的晶片剝離方法,其特徵在於: 於具備固定平台部與可動平台部的平台上,使應剝離 的晶片與可動平台部相對應,且該晶片的周圍部的至少一 部分自可動平台部露出,以如上方式進行設置後; 於上述露出狀態下’利用上述凸狀部使上述晶片的露 ❹ 材而頂出’而於露出部的下方形成 動平台部。W ^丨卜邵的空隙作用負壓後 使上請專利範圍第1項所述之晶片剥離方法’其' :上述凸狀部的頂出面較固定平 露出部的下方設置空隙。 的上表面更同’如 法,1中如於申曰請圍第1項或第2項所述之晶片_ 固定平台部的上表面隆I 動h部的上表面i 片劍^如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述之S 片制離方法,其中使上述可騎通之斑 向’沿著水平方向滑動。 °°朝與露出侧相反的力 片心^第4項中任-項所述之晶 上表面更高地·後,面較可動平台部的 部的頂出面與可動平台部上述凸狀 W表面為相⑽度或較可動平 201027606 台部的上表面更低。 6. -種半導體裝置製造方法’其是❹如申請專利範 圍第1項至第5項中任一項所述之晶片剝離方法而製造半 導體裝置。 ? •-種晶片剝灕裝置’其是自於上表面貼附有晶片的 黏著片材剝離上述晶片的晶片剝離裝置,其特徵且 平台,其具個定平台部與可動平台部;…備· 凸狀部’其於使應剝離的晶片與可動平台部相對應, 且該晶片的周圍部的至少一部分自可動平台部露出的狀態 下,使該晶片的露出部分經由上述黏著片材而頂出,而ς 該露出部的下方形成空隙; 、 .負壓供給單元,其經由負壓通道對上述空隙作用負 屋;以及 、 滑動單元,其使上述可動平台部朝與上述露出侧 侧,沿著水平方向滑動。 ❹ 8.如申請專利範圍第7項所述之晶片剝離裝置, 由銷狀構件或板狀構件構成上述凸狀部。 、疋 9·如申請專利範圍第7項或第8項所述之晶片剝離 置’其使可動平台部自由滑動。 10·如中請專利範圍第7項或第8項所述之晶 裝置,其使可動平台部自由升降且自由滑動。 22
TW098137459A 2008-11-04 2009-11-04 晶片剝離方法、晶片剝離裝置以及半導體裝置製造方法 TWI452614B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2008/070057 WO2010052759A1 (ja) 2008-11-04 2008-11-04 チップ剥離方法、チップ剥離装置、及び半導体装置製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201027606A true TW201027606A (en) 2010-07-16
TWI452614B TWI452614B (zh) 2014-09-11

Family

ID=42152575

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW098137459A TWI452614B (zh) 2008-11-04 2009-11-04 晶片剝離方法、晶片剝離裝置以及半導體裝置製造方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP4668361B2 (zh)
KR (1) KR101062708B1 (zh)
TW (1) TWI452614B (zh)
WO (1) WO2010052759A1 (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4927979B2 (ja) * 2010-09-28 2012-05-09 株式会社新川 半導体ダイのピックアップ装置及びその装置を用いた半導体ダイのピックアップ方法
JP6324857B2 (ja) * 2014-09-18 2018-05-16 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンダ並びにボンディング方法及びピックアップ装置
JP5980875B2 (ja) * 2014-10-21 2016-08-31 キヤノンマシナリー株式会社 チップ剥離装置及びチップ剥離方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3209736B2 (ja) * 1999-11-09 2001-09-17 エヌイーシーマシナリー株式会社 ペレットピックアップ装置
US7240422B2 (en) 2004-05-11 2007-07-10 Asm Assembly Automation Ltd. Apparatus for semiconductor chip detachment
JP4627649B2 (ja) * 2004-09-27 2011-02-09 芝浦メカトロニクス株式会社 半導体チップのピックアップ装置、ピックアップ方法及び実装装置
JP4429883B2 (ja) * 2004-11-30 2010-03-10 キヤノンマシナリー株式会社 ペレットピックアップ方法及びピックアップ装置
WO2008004270A1 (fr) * 2006-07-03 2008-01-10 Canon Machinery Inc. Méthode de ramassage et appareil de ramassage
KR101133963B1 (ko) * 2006-09-29 2012-04-05 캐논 머시너리 가부시키가이샤 픽업 방법 및 픽업 장치

Also Published As

Publication number Publication date
JP4668361B2 (ja) 2011-04-13
TWI452614B (zh) 2014-09-11
KR101062708B1 (ko) 2011-09-06
KR20110028663A (ko) 2011-03-21
WO2010052759A1 (ja) 2010-05-14
JPWO2010052759A1 (ja) 2012-03-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4816654B2 (ja) チップ剥離装置およびチップ剥離方法ならびにチップピックアップ装置
JP2010010207A (ja) 剥離装置および剥離方法
JP5210060B2 (ja) 剥離装置および剥離方法
TWI374513B (zh)
WO2008004270A1 (fr) Méthode de ramassage et appareil de ramassage
JP2007103826A (ja) 半導体チップのピックアップ装置
TW201027606A (en) Chip-stripping method, chip-stripping device and fabricating method of semiconductor device
WO2008041273A1 (fr) Procédé de capture et appareil de capture
JP4924316B2 (ja) 半導体製造装置及び半導体製造方法
JP4816598B2 (ja) チップ剥離装置およびチップ剥離方法ならびにチップピックアップ装置
WO2008053673A1 (fr) Dispositif de collecte de puce à semiconducteur
JP2004031672A (ja) チップのピックアップ装置
JP2005011836A (ja) ダイピックアップ方法及びダイピックアップ装置
JP4816622B2 (ja) チップ剥離装置およびチップ剥離方法ならびにチップピックアップ装置
JP5214739B2 (ja) チップ剥離方法、半導体装置の製造方法、及びチップ剥離装置
JP2010087359A (ja) ピックアップ装置
JP2004259811A (ja) ダイピックアップ方法及び装置
JP3945331B2 (ja) 半導体チップのピックアップ装置および吸着剥離ツール
JP2017041532A (ja) チップ剥離装置、およびチップ剥離方法
JP4613838B2 (ja) チップピックアップ装置およびチップピックアップ方法
KR20210029414A (ko) 다이 픽업 모듈 및 이를 포함하는 다이 본딩 장치
JP4457715B2 (ja) チップのピックアップ装置およびピックアップ方法
JP4704516B2 (ja) チップ剥離方法、チップ剥離装置、および半導体装置製造方法
JP2006344657A (ja) チップのピックアップ装置及びその使用方法
JP4629624B2 (ja) 半導体チップのピックアップ装置及びピックアップ方法