TW201027239A - Substrate for mask blank - Google Patents

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201027239 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 之光罩用之光罩基底 本發明係關於光微影製程中所使用 用基板。 【先前技術】

於半導體製造製程之光微影製程中使用有光罩。隨著半 導體兀件之微細化之發展，對於該光微影製程.中之微細化 之要求正提高。尤其是’為了應對微細化而使用ArF曝光 光（193 nm)之曝光裝置之高NA(numerical邛如阶，數值 孔徑）化不斷發展，進而導入濕浸式曝光技術，由此進一 步推進著间NA化。為了應對如此之微細化之要求、及高 NA化，要求提尚光罩之平坦度。亦即，隨著圖案線寬之 微細化之發展，由平坦度所引起之轉印圖案之位置偏移之 今許量變小’又，隨著高ΝΑκ之發展，而微影步驟中之

焦點裕量變少，因此光罩基板之、尤其是形成圖案之侧之 主表面（以下，將該侧之主表面簡單地稱作主表面或基板 主表面）的平坦度正變得更加重要。 另一方面’若該光罩係由真空吸盤而吸附於曝光裝置之 光罩台上’則有時會因與光罩台或真空吸盤之配合性而該 光罩於吸附時大幅變形。亦即，先前，由於以吸附前之光 罩之平坦度進行產品管理，因此即便吸附前為合格品，亦 有時會因與光罩台或真空吸附之配合性而在吸附於曝光裝 置之光罩台上時’光罩之平坦度大幅惡化。尤其是，於主 表面形狀之對稱性比較低、傾向於形狀扭曲之基板中，該 144956.doc 201027239 * · 貞向較為顯著。因此’必需考慮將光罩吸附於真空吸盤時 之平ί一度先别，提出有用以選擇吸附於曝光裝置之光罩 σ上之後之平坦度良好的光罩基板之方法(例如，參照專 #彳文獻1)。於該方法巾’對於複數個光罩基板之各自之主 I面的表面形狀及平坦度進行測定，其次對於將該基板吸 附於曝光裝置之光罩台上時之平坦度之變化進行模擬，藉 此可選擇在吸附於光罩台之前後之兩者中均具有平坦度良 好的表面形狀之光罩基板。 •先前技術文獻 專利文獻 專利文獻1 _曰本專利特開2〇〇3 5〇458號公報 【發明内容】 發明所欲解決之問題 然而，根據先前之方法，至於複數個光罩基板（光罩基 底用基4)之各個，必需取得表示主表面之表面形狀之資 Φ 訊、及吸附於曝光裝置之光罩台上之前後之主表面的平坦 度資訊，或取得表示根據光罩基板主表面之平坦度與曝光 裝置之光罩吸盤之構造而進行將光罩基板設置於曝光裝置 上時之模擬所得之主表面平坦度的資訊。因此，先前，為 了選擇吸附於曝光裝置之光罩台上之後之平坦度良好的光 罩基板，而非常耗費工時。又，將光罩基板吸附於光罩台 上之構造會由曝光裝置之不同而不同，從而必需針對每個 曝光裝置來選擇光罩基板。 先前採用的是如下方法：關注於在基板之研磨步驟中對 144956.doc 201027239 基板主表面之平坦度進行進一步潤飾’自該經研磨之基板 中選定被研磨為高平坦度之基板，進而藉由模擬而抽取適 合於所使用之曝光裝置者。然而，當藉由同時研磨複數片 基板之雙面研磨裝置而以成為具有高平坦度之基板之方式 進行研磨時，存在如下問題：同時研磨之基板中，達到其 目標之平坦度之基板之片數較少’且基板生產之良率惡 化。進而，如上所述，被研磨為高平坦度之基板未必係適 合於所使用之曝光裝置之基板，從而存在基板生產之良率 大幅降低之問題。 於半導體製造製程中’當形成具有半導體元件之電路圖 案之積層構造時，於各層中進行光微影步驟。就電路圖案 而言’由於在下層與上層之間亦必需形成配線，因此各層 圖案之重疊精度較為重要。尤其是，隨著近年來圖案之微 細化•高密度化，而形成半導體元件之積層構造時所使用 之光罩組要求較高的重疊精度。亦即，快閃記憶體hp(半 間距）36 nm世代中要求1.3 nm以下、hp25 nm世代中要求 〇_9 nm以下之晶圓上之重疊精度。然而，於光罩组中，即 便於各光罩上能夠以較高之位置精度而形成圖案，若於各 光罩上兩個基板之真空吸附於曝光裝置時之基板變形的傾 向不同，則導致各基板上之圖案之位置偏移亦表現出不同 之傾向，從而重疊精度惡化。 又，近年來，圖案之微細化及高密度化飛速地發展，於 1個光罩上形成微細且高密度圖案之情形開始產生極限。 作為解決該微影技術之問題點之方法之一，開發出一種雙 144956.doc 201027239 重圖案 / 雙重曝光（DP(d0Uble patterning)/DE(d〇uble exp〇sure))技術。雙重圖案/雙重曝光技術中，直至將1個微 細•间密度圖案分割為2個比較稀疏的圖案（第丨圖案、第2圖 - 案）’並製作分別形成有該2個圖案之光罩（第1光罩、第2光 罩）為止均相同。 於雙重圖案技術之情形時，首先，對於半導體元件之最 表層上所塗佈之第1抗蝕膜，進行使用第1光罩轉印第1圖 _ 案之曝光步驟及顯影步驟’以將第1圖案轉印至第1抗钱膜 (形成第1抗姓圖案）。接著m抗儀膜圖案作為餘刻光 罩而對最表層進行乾式餘刻，以將第i圖案轉印至最表 層。其^，將第i抗银圖案剝離’於最表層上塗佈第2抗敍 膜接著，進仃使用第2光罩將第2圖案轉印至第2抗蝕膜 之曝光步驟及顯影步驟，以將第2圖案轉印至第2抗钱膜 (形成第二抗#圖案）。其次’將第2抗蚀膜圖案作為姓刻光 罩而對取表層進行乾式㈣，以將第2圖案轉印至最表 ❹層。藉由進行該些步驟，可將幻圖案與第2圖案所合成之 微細·高密度圖案轉印至半導體元件之最表層\ 另方面，於雙重曝光技術之情形時，對半導體元件之 最表層上所塗佈之抗餘膜，進行以第丄光罩轉印第丄圖案之 光v驟進而進行以第2光罩轉印第2圖案之曝光步驟， 2此對相同抗飯膜進行2次曝光。對該步驟後之抗姓膜進 :顯如處理’藉此可將第1圖案與第2圖案所合成之微細· 南密度圖案轉印至抗㈣上。其後之向半導體元件之最表 層進行之微細•高漆廢顧 度圖案的轉印係於如先前所述之步驟 144956.doc 201027239 中進行。 於雙重圖案/雙重曝光（DP/DE)技術之任一技術中，以所 使用之2片成一組之光罩而曝光轉印的第1圖案與第2圖案 之重疊精度均會對半導體元件之圖案轉印精度帶來較大影 響（若重疊精度較低，則導致半導體元件上所形成之導線 寬度大幅變動，或成為斷線狀態或短路狀態等，此作為半 導體元件而言為一致命性的問題）。於該光罩組中，即便 能夠於各光罩上以非常高的位置精度形成圖案，若於各光 罩上真空吸附於曝光裝置時之基板變形之傾向不同，則導 致各基板上之圖案之位置偏移亦表現出不同之傾向，從而 重疊精度大幅惡化。 通常’於光罩之形成有轉印圖案之薄膜上表面，貼附有 在模板之一面上覆著透過曝光光之樹脂膜之構造的光罩護 膜。此係為了防止微粒附著於光罩之轉印圖案面上所必需 者。然而’於將光罩護膜貼附於形成有轉印圖案之薄膜 時’亦會對基板施加變形力。此時，若於各光罩上基板變 形之傾向不同，則導致各基板上之圖案之位置偏移亦表現 出不同之傾向’從而重疊精度大幅惡化。 本發明係鑒於所述方面而完成者，其目的在於提供一種 可使吸附前後之主表面之平坦度變化較小、使光罩所引起 之位置偏移非常小、進而使每個光罩之吸附前後之基板變 形之傾向的差異非常小之光罩基底用基板、光罩基底、反 射型光罩基底、光罩、反射型光罩、光罩基底用基板組、 光罩基底組、光罩組、及使用該些製造而成之半導體元件 144956.doc 201027239 之製造方法。 解決問題之技術手段 本發明之光罩基底用基板之特徵在於：（丨）分別設定： 第一對稱軸，其通過設定於具有2個主表面與4個端面之基 板之主表面上的中心點而與任一端面平行；及第二對稱 轴，其通過上述中心點而與第一對稱轴正交；以上述第一 對稱轴及第二對稱轴為基準而柵格狀地設定測定點，以分 _ 別測疋自基準面起算之上述主表面之高度；（2)計算出以上 述第一對稱軸為基準而處於線對稱位置之測定點彼此之高 度測定值的差分，至於所計算出之高度測定值之差分，全 部個數中相當於至少95%之個數之差分為特定值以内。 較好的是，本發明之光罩基底用基板中，計算出以上述 第一對稱轴為基準而處於線對稱位置之測定點彼此之高度 測定值之差分，且該計算出之高度測定值之差分之全部個 數中，相當於至少95%之個數之差分為特定值以内。 φ 本發明之光罩基底用基板之特徵在於：（丨）分別設定： 第一對稱轴，其通過設定於具有2個主表面與4個端面之基 板之主表面的中心點而與任一端面平行；及第二對稱軸， 其通過上述中心點而與第一對稱轴正交；以上述第一對稱 軸及第一對稱軸之各自為基準而柵格狀地設定測定點，以 分別測定自基準面起算之上述主表面之高度；⑺以上述中 心點為旋轉軸而使所有敎點旋轉9G度，並於使旋轉前之 所有測定點與旋轉後之所有測定點重疊時，計算出處於重 疊位置之測定點彼此之高度測定值之差分，至於所計算出 144956.doc 201027239 之高度測定值夕兰人 ^ 是刀’王部個數中相當於至少95%之個數 之差为為特定值以内。 ^的疋於本發明之光罩基底用基板中，上述測定點 設定於設置有形成轉印圖案之薄膜之侧的主表面。 較好的是，於本發明之光罩基底用基板中，設置有形成 轉印圖轉印圖案之薄膜之側之主表面中的132 mm見方内之 品域的平坦度為G.3师以下，且至於所計算出之高度測定 值之差刀，全部個數中相當於至少950/〇之個數之差分為1〇 nm以内。 較好的是，於本發明之光罩基底用基板中，設置有形成 轉I7圖案之薄膜之側之主表面中的142 mm見方内之區域的 平坦度為0,3 μηι以下，且至於所計算出之高度測定值之差 分，全部個數中相當於至少95%之個數之差分為2〇 nmw 内。 根據該些構成，可實現對稱性高之光罩基底用基板。若 為對稱性高之主表面形狀，則向曝光裝置吸附時對基板所 施加之變形力之不均較小而難以產生變形。又，自該光罩 基底用基板製作出光罩之後，即便於形成有轉印圖案之薄 膜上表面貼附光罩護膜時’對基板施加之變形力之不均亦 較小而難以產生變形。因此，可使吸附後之主表面之平坦 度更加良好’可使光罩所引起之位置偏移非常小。進而， 藉由將主表面之132 mm見方内之區域的平坦度規定為〇 3 μιη以下’可使向曝光裝置吸附前之平坦度為較高的水 準，因此向曝光裝置吸附之前後之平坦度變化量亦變小， 144956.doc -10- 201027239 可進一步抑制光罩所引起之位置偏移。又，若將更為嚴格 之條件即主表面之142 mm見方内之區域的平坦度規定為 〇·3 μηι以下’則可形成更高水準之光罩基底用基板，故而 較佳。 較好的是’於本發明之光罩基底用基板中，當設置於曝 光裝置上時’至於在受到吸引吸附之區域即上述主表面之 吸附區域内所計算出之高度測定值之差分，所有差分點數 中相當於至少95%之數量之差分為2 nm以内。 根據該構成’可使基板主表面之吸引吸附於曝光裝置之 區域的對稱性大幅提高，因此吸引吸附時對基板所施加之 變形力變得更加均等，從而可在該光罩基底用基板之基礎 上製作出精度非常高之光罩。 較好的是’於本發明之光罩基底用基板中，上述測定點 設定於設置有形成轉印圖案之薄膜之側的相反側之主表面 上至於所s十算出之南度測定值之差分，全部個數中相當 於至少95%之個數之差分為5 nm以内。 根據該構成，尤其是’用於在向曝光裝置設置時吸附基 板之背面侧之EUV(Extreme Ultra Violet，極紫外光）曝_光 用之反射型光罩所用的光罩基底用基板則為最佳。該構成 之基板於背面具有高對稱性，且具有高平坦度，因此吸附 背面侧時之基板變形力變得更加均等，可抑制形成有多層 反射膜或吸收體圖案之表側之主表面之平坦度變化。藉 此’可大幅抑制EUV曝光用反射型光罩之位置偏移。 較好的是，本發明之光罩基底中，於上述構成之光罩基 144956.doc 201027239 底用基板之主表面上形成有轉印圖案形成用薄膜。 較好的疋’本發明之反射型光罩基底中，於設置有形成 上述轉印圖案之薄膜之側之相反側的主表面的形狀受到規 疋之光罩基底用基板上，在設置有形成轉印圖案之薄膜之 側之主表面上形成有多層反射膜與轉印圖案形成用薄膜， 且於相反侧之主表面上形成有背面膜。 較好的是，本發明之光罩中，於上述構成之光罩基底之 轉印圖案形成用薄膜上形成有轉印圖案。 較好的是，本發明之反射型光罩中，於上述構成之反射 型光罩基底之轉印圖案形成用薄膜上形成有轉印圖案。 較好的是，本發明之光罩基底用基板組中’將複數片之 上述構成之光罩基底用基板設為基板組。 較好的是，本發明之光罩基底組中，將複數片之上述記 載之光罩基底設為基底組。 較好的是，本發明之光罩組係以2片光罩為一組者，藉 由雙重圖案/雙重曝光技術而自丨個轉印圖案分割出之2個 轉印圖案，分開形成於2片光罩之轉印圖案形成用薄膜 上。 ' 根據該些構成，對稱性高之基板彼此在吸附於曝光裝置 上時表現出相同之基板形狀變形之傾向。光罩之位置偏移 之傾向亦成為相同傾向，而且平坦度變化量亦被抑制得較 小，故而可使光罩組之各光罩彼此之位置精度為非常高之 水準。 較好的是’本發明導體元件之製&方法包括如下步 144956.doc 201027239 驟：使用上述記載之光罩，藉由光微影法而將光罩之轉印 圖案曝光轉印至晶圓上之抗蝕膜上。 較好的是’本發明之半導體元件之製造方法包括如下步 驟··使用上述記載之反射型光罩，藉由EUV微影法而將反 射型光罩之轉印圖案曝光轉印至晶圓上之抗蝕膜上。 t 較好的是’本發明之半導體元件之製造方法包括如下步 驟·使用上述記載之光罩組，藉由光微影法而將光罩之轉 ©印圖案曝光轉印至晶圓上之抗蝕膜上。 發明之效果 本發明之光罩基底用基板之特徵在於：（〗）分別設定： 第一對稱轴，其通過設定於具有2個主表面與4個端面之基 板之主表面上的中心點而與任一端面平行；及第二對稱 軸，其通過上述中心點而與第一對稱轴正交；以上述第一 對稱軸及第二對稱轴為基準而栅格狀地設定測定點，以分 别測定出自基準面起算之上述主表面之高度；⑺計算出以 • 上述第一對稱軸為基準線而處於對稱位置之測定點彼此之 高度測定值之差分（相同地，亦計算出以第二對稱轴為基 準線而處於對稱位置之測定點彼此之高度測定值的差分則 更佳）或以上述中心點為旋轉軸而使所有測定點旋轉9〇 度，並於使旋轉前之所有測定點與旋轉後之所有測定點重 昼時，計算出處於重疊位置之測定點彼此之高度測定值之 差分，至於所計算出之高度測定值之差分，全部個數令相 當於至少95%之個數之差分為特定值以内。 藉此，可提供主表面形狀之對稱性（線對稱、或旋轉（點） 144956.doc .13- 201027239 對稱）南之光罩基底用基板。而且，可抑制在吸附於曝光 裝置時產生偏向一個方向之變形，從而可使吸附前後之主 表面形狀之變化量（基板形狀之變形量）變小。其結果，可 以較高之平坦度維持主表面，從而可使光罩所引起之位置 偏移非常小。 * 【實施方式】 以下，參照隨附圖式對本發明之實施形態進行詳細說 明。 本發明之光罩基底用基板之特徵在於：（丨）分別設定：瘳 第一對稱轴，其通過設定於具有2個主表面與4個端面之基 板之主表面上的中心點而與任一端面平行；及第二對稱 轴，其通過上述中心點而與第一對稱軸正交；以上述第一 子稱軸及第一對稱輛為基準而拇格狀地設定測定點，以分 別測定自基準面起算之上述主表面之高度；⑺計算出以上 述第一對稱軸為基準而處於線對稱位置之測定點彼此之高 度測定值的差分’至於所計算出之高度測定值之差分，全 部個數中相當於至少95%之個數之差分為特定值以内。 Θ ;此對以上述方式而規定之對稱性進行說明。 圖1係表示本發明之實施形態之光罩基底用基板之平面 圖1所示之光罩基底用基板〗係實施了特定研磨之方形 基板圖1所示之主表面係設置有形成轉印圖案之薄膜 之侧之主表面。 該主表面中，分別設定有相對於左右兩端面ia、卟而 平行且等距離之第一對稱轴A、及相對於上下兩端面代、 U4956.doc -14 - 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Id而平行且等距離之第二對稱軸b。又，於主表面之例如 132 mm見方内之區域（虛線所包圍之區域）中，以左右對稱 軸A及上下對稱軸B為基準，以特定間隔設定虛擬栅袼（― 點鏈線）並將該柵格之交點（Ο型標記）作為測定點。 所謂本發明之光罩基底用基板之對稱性係指如圖2所 不，例如，於主表面之132 mm見方内之區域（圖之虛線 所包圍之區域）中，測定各測定點（例如第丨測定點、第2測 響疋點）中之自基準面起算之主表面之高度，並於與第一對 稱軸A正交之方向上，計算出自第一對稱轴a起處於左右 等距離之關係之兩個測定點（第1測定點、第2測定點）之高 度測疋值之差分（D1 )，於各測定點進行該高度測定值之差 刀之。十算，至於該s十算出之咼度測定值之差分，全部個數 (計算出之差分之總數）中相當於至少95〇/。之個數之差分為 特定值以内（例如1.0 nm以内）。 亦即，該對稱性意味著如下：如圖2所示，於以第一對 ❿ 稱軸A為中心處於左右等距離之關係之各個測定點中測定 相對於基準面之該測定點的高度’並於各測定點計算出兩 個測定結果之差分，且對該差分之個數進行計數，此時， 如圖3所不，所有測定點之差分之個數中至少95。/。之個數 為特定值（±10 nm以内藉此，可確保至少以主表面之第 一對稱軸A為中心之高對稱性，尤其是於曝光裝置之吸附 區域(參照圖5)覆過第一對稱軸A方向之情形時，由於對稱 地施加基板變形力，因此可抑制主表面之平坦度變化量， 且"T貫現南平坦度。 144956.doc -15- 201027239

進而’為了對於曝光裝置之吸附區域覆過第二對稱轴B 方向之情形而言亦可確實地實現較高之平坦度，只要適用 如下者即可：相同地，對於與主表面之第二對稱軸B正交 之方向’亦計算出自第二對稱轴B起處於上下等距離之關 係之兩個測定點之高度測定值之差分（D1)，並於各測定點 ’ °十算出該高度測定值之差分，至於所計算出之高度測定值 . 之差分’全部個數中相當於至少95%之個數之差分為特定 值（例如10 nm)以内。 再者，於進一步提高主表面之平坦度之情形時，提高向 ❹ 曝光裝置⑨附前之主纟面之平坦度即彳，較好的S，附加 有在主表面之132 mm見方内之區域之平坦度為〇 3 以下 作為條件。 ❹ 或者所明本發明之光罩基底用基板之對稱性係指，使 用圖1所示之虛擬柵格及測定點’於主表面之132 mm見方 内之區域中，以於第一對稱軸A與第二對稱軸B之交點X上 與兩個對稱轴正交之旋轉轴（紙面近前側'紙面内侧之轴）為 :心而使所有測定點旋轉9G度（圖1中之箭頭方向），並於與 旋轉前之所有測定點重疊時，計篡 寸鼻出重疊之旋轉前之測定 點（例如測定點XI)與旋轉後 (/、他）測疋點（例如測定點 X2)之間的差分，如圖3所示， 八 „ 至於所计算出之高度測定值 之差为，該計算出之全部個數中 生\上 肀相當於至少95°/0之個數之 差'刀為特定值（例如10 rnn)以内。 亦即，該對稱性意味著如 . 下.第一對稱軸Α與第二對稱 軸B正交，於使第一對稱軸八與 再 興第一對稱軸B之交點χ以橫 144956.doc •】6· 201027239 越紙面之方i ° “、、中心而旋轉時重疊之各個測定點中，測定 之# ^ 土準面之該測^點之高度，並計算出1^個測定結果 一刀，且對該差分之個數進行計數，此時，如圖3所 不王部個數中相#於至少抓之個數之差分為特定值 (±10 nm) 〇 藉此’可確保主表面整體之高對稱性，尤其是於曝光裝 置之吸附區域(參照圖5)覆過第-對稱軸A方向之情形時，

及覆過第二對稱轴B方向之情形時，均對稱地施加基板變 形力，因此可抑制主表面之平坦度變化量，從而可實現高 平坦度。 者本發明之光罩基底用基板中，至於所計算出之高 度測定值之差分’只要全部個數中相當於至少95%以上之 個數為特定值以内即可，該95%之數值相當於品質管理中 觀察到產品差異時所使用之標準偏差中之2σ。若為該程度 之精度偏差，則可說為能被其後之轉印圖案形成用薄膜之 成膜製程、光罩加工製程、曝光製程等之精度誤差吸收之 程度的高精度《又，亦可將為了製造本發明之高精度光罩 基底用基板而造成之產品良率之惡化控制於容許範圍内。 於較之產品良率而更要求更高精度之主表面形狀之情形 時’所計算出之高度測定值之差分的全部個數標準偏差中 之3σ(99.7%)處於特定值以内即可。 又，於進一步提高主表面之平坦度之情形時，提高向曝 光裝置吸附前之主表面之平坦度即可，較好的是，附加在 主表面之132 mm見方内之區域之平坦度為ο.〗 μιηα下作為 144956.doc -17· 201027239 條件。通常’於為半導體元件製造中所使涌之光罩之情形 時，令在圖案形成用薄膜形成轉印圖案之區域為以主表面 之中心為基準之132 mmx 104 mm之内側。其原因在於，必 需考慮光罩基底用基板之形成有圖案形成用薄膜之側之主 表面中的至少132 mm見方内的區域之高度測定值之差分及 ’ 平坦度。 或者’所謂本發明之光罩基底用基板之對稱性係指，使 用圖1所示之假想栅格及測定點，如圖2所示，於主表面之 142 mm見方内之區域中，測定各測定點（例如第1測定點、⑩ 第2測定點）中之自基準面起算之主表面之高度，在與第一 對稱軸A正交之方向上’計算出自第一對稱轴a起處於左 右等距離之關係之兩個測定點（第1測定點、第2測定點）之 尚度測定值之差分（D1)，於各測定點計算出該高度測定值 之差分，如圖4所示，至於所計算出之高度測定值之差 刀，s亥s十算出之全部個數中相當於至少％ 之個數之差分 為±20 nm以内。藉此，可於主表面之更廣之142 mm見方

内之區域中，確保至少以主表面之第一對稱轴A為中心之G n對稱性，尤其是於曝光襞置之吸附區域（參照圖5)覆過第 一對稱軸A方向之情形時，對稱地施加基板變形力，因此 可進一步抑制主表面之平坦度變化量，從而可實現較高之 * 平坦度。 - 進而，為了對於曝光裝置之吸附區域覆過第二對稱轴B 方向之情形而言亦可確實地實現較高之平坦度，只要適用 如下者即可：相同地，對於與主表面之第二對稱轴B正交 144956.doc -18· 201027239 之方向，亦計算出自第二對稱軸B起處於上下等距離之關 係之兩個測定點之高度測定值的差分（D1)，並於各測定點 计异出該尚度測定值之差分’至於所計算出之高度測定值 • 之差分，全部個數中相當於至少95%之個數之差分為特定 值（例如20 nm)以内。 再者，於進一步提高主表面之平坦度之情形時，提高向 曝光裝置吸附前之主表面之平坦度即可，較好的是附加主 表面之142 見方内之區域之平坦度為〇.3 μηι以下作為條 馨件。 或者，所謂本發明之光罩基底用基板之對稱性係指，使 .用圖1所示之假想柵格及測定點，於主表面之142 mm見方 内之區域中，以於第一對稱軸A與第二對稱軸B之交點X上 與兩個對稱轴正交之旋轉軸（紙面近前側_紙面内侧之軸）為 中心而使所有測定點旋轉90度（圖！中之箭頭方向），並於與 旋轉前之所有測定點重疊時，計算出重疊之旋轉前之測定 〇 點（例如測定點X1)與旋轉後之（其他）測定點（例如測定點 X2)之間的差分，如圖4所示，至於所計算出之高度測定值 之差分，該計算出之全部個數中相當於至少抓之個數之 差分為特定值（例如20 nm以内）。藉此，可於主表面之更 廣之142 _見方内之區域中、且於主表面整體確保高對稱 性，尤其是於曝光裝置之吸附區域(參照圖5)覆過第—對稱 軸A方向之情形時、及覆過第二對稱軸⑽向之情形時， 均可$稱地施加基板變形力，因此可抑制主表面之平坦度 變化量’從而可實現較高之平坦度。 144956.doc •19- 201027239 再者，於以光罩基底用基板為基礎最終製作之光罩中， 大多於形成有轉印圖案之轉印圖案形成用薄膜上表面黏貼 有如上所述之光罩護膜。該光罩護膜亦有時會黏貼於主表 面之132 mm見方之内側區域中，但黏贴於142 mm見方之 内側區域之情形亦較多。由於黏貼有光罩護膜之部分對基 板施加變形力，因此亦考慮142mm見方之内側區域之高度 測定值之差分及平坦度係有意味之事情。 再者，於進一步提高主表面之平坦度之情形時，提高向 曝光裝置吸附前之主表面之平坦度即可，較好的是附加主 表面之142 mm見方内之區域之平坦度為〇 3 μηι以下作為條 件。 又，較好的是，當將主表面上設置有薄膜、進而於該薄 膜上开> 成有轉印圖案而成之光罩設置於曝光裝置上時，至 於在圖5所示之吸引吸附區域即主表面之吸附區域内計算 出（於圖2中之第3測定點（圓形標記）測定）之高度測定值的 差分，如圖6所示，該計算出之全部個數中相當於至少 95%之個數之差分〇2為211111以内（參照圖2)。 藉此，可確保曝光裝置之吸附力所直接覆過之區域之對 稱性’藉此對基板施加之變形力大致對稱，可大幅抑制主 表面之平坦度變化量，從而可實現非常高之平坦度。 加速半導體元件之微細化’而另一方面，先前之光曝光 之短波長化接近於曝光極限。因此，作為高解像之曝光技 術’寄希望於使用波長較ArF準分子雷射更短之EUV光之 曝光技術即EUV微影（以下記為「EUVL」）。於此，所謂 144956.doc -20- 201027239 EUV光係指軟X射線區域或真空紫外區域之波段之光，具 體而言係指波長為0.2 nm〜100 nm左右之光。作為該EUV 光用之光罩（反射型光罩），例如可列舉如下之曝光用反射 型光罩：於基板上設置有具有多層膜構造之反射層，於該 反射層上圖案狀地設置有吸收軟X射線或真空紫外線之吸 '收體。 於EUV光用之反射型光罩中，由於具有多層反射膜之主 表面具有較高之壓縮應力’因此於凸面進行變形，其背面 ® (即由吸盤吸附之側之主表面）成為凹面。當將該反射型光 罩安裝於曝光裝置時’藉由靜電吸附而加以固定。於該情 形時’自光罩基板與光罩台之接觸點起擴大吸附，因此光 罩基板自外側接觸於光罩台，吸附力向内側擴展。該反射 型光罩在多層反射膜之較高之壓縮應力的作用下，背面 (吸附面）為凹面，因此首先是外側之部分接觸於光罩台。 此時存在所產生之中心部之間隙並未完全消除而產生吸附 φ 不良，或即便吸附亦未完全矯正基板（未變得平坦）之問 題。因此，於EUV光罩中，亦必需進一步提高背面之平坦 度，且希望背面亦具有較高之對稱性。 本發月之EUV光罩用之光罩基底用基板中，至於其背面 (設置有形成轉印圖案之薄膜之側之相反側的主表面），如 圖2所示，於主表面之142 mm見方内之區域（虛線所包圍之 區域）中’浪j定各測定點（例如第1測定點、第2測定點）中之 自基準面起算之主表面之高度，於與第一對稱軸A正交之 方向上，求出自帛二對稱轴A起算處於左^等距離之關係 144956.doc -21· 201027239 之兩個測定點（第1測定點、第2測定點）之高度測定值的差 分（D1)，並且於與第二對稱軸b正交之方向上，計算出自 第二對稱轴B起算處於上下等距離之關係之兩個測定點（第 1測定點、第2測定點）之高度測定值的差分（D1)，至於所 计异出之尚度測定值之差分，該計算出之全部個數中相當 於至少95%之個數之差分為5 nm以内。 藉此’可於背面之主表面之142 mm見方内之區域中確 保尚對稱性，即便對背面整體施加吸附力，亦可將被面之 主表面之平坦度變化量抑制得較小，同時亦可將表侧（設 @ 置有形成轉印圖案之薄膜之侧）之主表面之平坦度變化抑 制得較小’從而可實現較高之平坦度/ 再者，至於尚度測定值之差分之計算，即便採用以於第 對稱軸A與第一對稱軸b之交點X上與兩個對稱軸正交之 旋轉軸為中心使所有測定點旋轉90度之旋轉對稱進行計 算’亦可獲得相同之效果。 又，光罩基底用基板之形狀及高度差係可藉由以使用有 波長調變雷射之波長位移干涉計測定TTV(Total Thickness ® Variation ’總厚度差異）（板厚差異），而以上述方式求得。 "玄波長位移干涉計係如下者：根據分別自光罩基底用基板 之被測疋面及背面反射之反射光與測定器基準面（前方基 準面）之干涉條紋’而計算出被測定面之高度差作為相位 差’檢測各干涉條紋之頻率之差異，使分別自光罩基底用 基板之被測疋面及背面反射之反射光與測定器基準面⑽ 土 之干涉條紋分離，以測定被測定面之凹凸形 144956.doc •22- 201027239 狀。 不具有上述對稱性而具有扭曲形狀之基板吸附於曝光裝 置之光罩台上_，會導致光罩之平坦度大幅惡化。例如， . 將具有扭曲形狀之基板吸附於曝光裝置之光罩台上之前之 ㈣為如圖7⑷所示。若將具有該形狀之基板吸附於曝光 裝置之光罩台上，則成為如圖7⑻所示。圖⑽係預測將 基板吸附於曝光裝置之光罩台上時之表面形狀的圖。該表 Φ 面形狀之預測係根據曝光裝置之光罩吸盤構造及已取得之 光罩基底用基板之主表面之平坦度，並藉由模擬而進行預 測（參照曰本專利特開2〇〇4·157574號公報）。如根據圖70) 所得知，該基板於吸附於光罩台上之狀態下變形較大而具 有容易導致重疊精度降低之形狀。χ，該基板向曝光裝置 吸附之前後之形狀的變化量為如圖7(c)所示。 另一方面，當具有上述對稱性之本發明之基板吸附於曝 光裝置之光罩台上時，光罩變得大致平坦。例如，將具有 φ 上述對稱性之基板吸附於曝光裝置之光罩台上之前之形狀 為如圖8(a)所示。若具有該形狀之基板吸附於曝光裝置之 光罩則成為如圖8(b)所示。圖8(b)係預測將基板吸附 於曝光襄置之光罩台_之表面形狀的目。該表面形狀之預 /貝J係以與上述相同之方式而進行（參照日本專利特開 7574號A報）。如根據圖8(b)所得知，該基板於吸附於光 罩σ之狀態下大致平土旦而具有不會導致重昼精度降低之形 狀^又，該基板向曝光裝置吸附之前後之形狀的變化量為 如圖8(c)所示。 144956.doc •23- 201027239 即便為不具有本發明之對稱性之基板或為具有本發明 之對稱性之基板，就吸附於曝光裝置之光罩台上之前之形 狀而a，平坦度均為〇.3 μπι，但吸附於 上之後之形狀則完全不同。亦即，得知：為了使吸附^ 光裝置之光罩台之後之形狀變得平坦，而必需使光罩基底 用基板具有本發明之對稱性。 於半導體製造製程中，於形成具有半導體元件之電路圖 案之積層構1¾時，於各層進行光微影步驟。電路圖案中亦 必需於下層與上層之間形成有配線’因此各層之圖案之i _ ，精度較為重要。尤其是’隨著近年來圖案之微細化•高 捃度化，而對形成半導體元件之積層構造時所使用之光罩 組要求較高的重疊精度。 於該光罩組中’即便可於各光罩上以較高之位置精度而 形成圖案，若各光罩之兩個基板之主表面形狀不同，則真 空吸附於曝光裝置時之基板變形之傾向亦不同。進而，由 此而引起之基板上之圖案之位置偏移亦表現出不同之傾 向’因此導致2片光罩之重疊精度惡化。因此，至於將具⑩ 有半導體70件之電路圖案之積層構造形成於晶圓上時所使 用之光罩組中所用之基板組，較理想的是，形成圖案之側 之主表面形狀具有近似之形狀。 另一方面，近年來，圖案之微細化及高密度化飛速地發 展，於1個光罩上形成微細且高密度之圖案開始產生極 限。作為解決該微影技術之問題點之方法之一，開發出一 種雙重圖案/雙重曝光（DP/DE)技術。雙重圖案/雙重曝光技 144956.doc •24· 201027239 至將Η固微細·高密度圖案分割為2個比較稀疏的 (圖案、第2圖案)，並製作出分別形成有該2個圓案 之光罩（第1光罩、第2光罩）為止均㈣。 、

於雙重圖案技術之情形時’首先，對於半導體元件之晶 圓最表層(導電層、絕緣層、半導體層、硬光罩等)上所塗 佈之第1抗㈣’進行使用第1光罩轉印第i圖案之曝光步 驟及顯影步驟’以將第1圖案轉印至第1抗㈣上（形成第、 抗姓圖案）。接著’將第1抗㈣®案作為㈣光罩對最表 層進行乾式㈣’以將第1圖案轉印至最表層。其次，將 第1抗餘圖案剝離，於最表層上塗佈第2錢膜。接著，進 行使用第2光罩將第2圖案轉印至第2抗㈣上之曝光步驟 及顯影步驟，以將第2圖案轉印至第2抗蝕膜上（形成第2抗 蝕圖案）。其次，將第2抗蝕膜圖案作為蝕罩 進行乾式㈣，將第2圏案轉印至最表層上。藉 些步驟，可將第1圖案與第2圖案所合成之微細•高密度圖 案轉印至半導體元件之最表層上。 另一方面，於雙重曝光技術之情形時，對於半導體元件 之晶圓最表層（導電層、絕緣層、半導體層、硬光罩等）上 所塗佈之抗蝕膜，進行以第丨光罩轉印第丨圖案之曝光步 驟，進而進行以第2光罩轉印第2圖案之曝光步驟，如此般 對相同抗蝕膜進行2次曝光。對上述步驟後之抗蝕膜進行 顯影處理，由此可將第丨圖案與第2圖案所合成之微細•高 禮度圖案轉印至抗蝕膜上。隨後之向半導體元件最表層進 行之微細•高密度圖案之轉印係於如先前所述之步驟中進 144956.doc •25· 201027239 行。 於雙重圖案/雙重曝光（DP/DE)技術之任一技術中，以所 使用之2片成一組之光罩而曝光轉印之第1圖案與第2圖案 的重疊精度，均對半導體元件之圖案轉印精度帶來較大影 響（若重疊之精度較低，則半導體元件上所形成之導線寬 · 度大幅變動，或成為斷線狀態或短路狀態等，此作為半導 體元件而言係一致命性之問題）。即便能於光罩上以非常 南之位置精度而形成圖案，若組中之2片光罩之各基板的 主表面形狀不同，則真空吸附於曝光裝置時之基板變形之 _ 傾向亦不同。進而，由此而引起之基板上之圖案之位置偏 移亦表現出不同之傾向，因此導致2片光罩之重疊精度大 幅惡化。因此，至於雙重圖案/雙重曝光（Dp/DE)技術中所 使用之2片成一組之光罩中所用之基板組，較理想的是， 形成圖案之側之主表面形狀具有近似形狀。因此，至於雙 重圖案/雙重曝光（DP/DE)技術中所使用之2片成一組之光 罩中所用之基板組，較好的是，分別使用主表面具有上述 本發明之對稱性之基板。 〇 本發明中，作為光罩基底用基板可使用玻璃基板。作為 玻璃基板，若為用作光罩基底者則無特別限定。例如，可 列舉合成石英玻璃、鹼石灰玻璃、鋁矽酸鹽玻璃、硼矽酸 鹽玻璃、無鹼玻璃等。又，於EUV反射型光罩基底用玻璃 基板之情形時，為了抑制因曝光時之熱所造成之被轉印圖 案之變形，使用具有約0±10xl0-7/t之範圍内、更好的是 約0土 0.3x10 /C之範圍内之低熱膨脹係數的玻璃材料。進 144956.doc -26- 201027239 而’就EUV反射型光罩基底而言，因於玻璃基板上形成有 多數個膜’因此使用能夠抑制因膜應力所造成之變形之高 剛性玻璃材料。尤其好的是具有65 GPa以上之高楊氏模數 之玻璃材料。例如，使用Si〇2_Ti〇2系玻璃、合成石英玻璃 等非晶質玻璃、或將β-石英固溶體析出而成之結晶化玻 璃。 該等光罩基底用基板例如可經由粗研磨步驟、精密研磨 _ 步驟及超精密研磨步驟而製造。此時，所製造之基板係以 主表面具有上述對稱性為最低限度目標經研磨加工而成。 作為製作成對稱性優異之形狀之基板的具體方法，可列出 磁性流體研磨（MRF(Magneto Rheological Finishing))等。 圖10係說明MRF加工法之加工狀態之概略圖，圖i〇(a)係 表示正面方向剖面圖’圖l〇(b)係表示側面方向剖面圖。於 該圖中，根據MRF加工法，使含鐵（未圖示）之磁性流體41 中所含有之研磨砥粒（未圖示）在磁場辅助下，高速接觸於 ❹ 作為被加工物之光罩基底用基板1，並且對接觸部分之滯 留時間進行控制’藉此局部性地進行研磨加工。亦即，向 旋轉自如地受到支撐之圓盤狀電磁鐵6上投入磁性流體41 與研磨漿料42之混合液（磁性研磨漿料4)，將其前端作為局 部加工之研磨點5，使應除去之凸出部13接觸於研磨點5。 如此，沿著圓盤上之磁場，磁性研磨漿料4呈現出研磨漿 料42大多分布於基板1側、而磁性流體41大多分布於電磁 鐵6側之大致二層狀態而流動。將該狀態之一部分作為局 部性研磨加工之研磨點5而與基板1之表面接觸，藉此局部 144956.doc -27- 201027239 性地對凸出部13進行研磨以控制為數+ nm之平坦度。 該MRF加工法與先則之研磨方法不同，由於研磨點$時 常流動，故而不存在因加工工具之磨損或形狀變化所造成 之加工精度之劣化’進而需以高負重按壓基板卜故 而具有表面移位層中之内部損傷或傷痕較少之優點。又， MRF加工法於一面使研磨點5接觸一面使基板1移動時，根 據每個特定區域上所設定之加卫餘量（必需加卫量）而控制 基板1之移動速度，藉此可容易地調節除去量。

與磁性流體41混合之研磨漿料42係使用將微細的研磨粒 分散於液體中所成者。研磨粒為例如碳化矽、氧化鋁、金 剛石、氧化鈽、氧化鍅、氧化錳、膠體氧化矽等，且可根 據被加工物之材質或加工表面粗糙度等而適當地選擇。該 些研磨粒分散於水、酸性溶液、驗性溶液等液體中而成為 研磨漿料42，並與磁性流體41混合。 於*亥光罩基底用基板之主表面上至少形成遮光膜以作為 轉印圖案形成用薄膜，藉此可形成光罩基底。作為構成該

遮光膜之材料， 可列舉由鉻、鈕、矽化鉬所代表之過渡金 屬矽化物。於鉻系遮光膜之情形時，亦可向鉻中添加自 氮、氧、碳、敦及爛中選擇之i種以上之元素。㈣系遮 光膜之情形時，亦可向鈕中添加自氮、氧、碳、氟及删中 選擇之1種以上之元素。過渡金屬矽化物令之過渡金屬， 可列舉翻、组'嫣、鈦、鍅、釩、铪、鈮、鎳、鈀、釕、 铑:之任一者或合金。x，根據光罩之用途或構成，亦可 適當形成其他膜、抗反㈣及半透過料。作為抗反射膜 144956.doc -28- 201027239 之材料，若為鉻系材料則較好的是使用CrO、CrON、 CrOCN等；若為钽系材料則較好的是使用TaN、TaO、 TaNO、TaBN、TaBO、TaBNO等；若為MoSi系材料則較好 的是使用 MoSiON、MoSiO、MoSiN、MoSiOC、MoSiOCN 等（於其他過渡金屬矽化物之情形時，將上述之MoSi化合 物之Mo置換為該過渡金屬即可）。又，作為用作轉印圖案 形成用薄膜之相移膜之材料，較好的是使用MSiON、 MSiO、MSiN、MSiOC、MSiOCN(M : Mo、W、Ta、Zr、 Ni、Ru、Rh、Pd、Hf等）等。 遮光膜或相移膜可藉由濺鍍法而成膜。作為濺鍍裝置， . . . _ 昏 + 昏 .- - ' 昏 昏 + ' 昏 可使用DC(direct current，直流）磁控藏鍵裝置或RF(Radio Frequency，射頻）磁控濺鍵裝置等。於向光罩基底用基板 濺鍍遮光性膜時，較好的是，使基板旋轉，且將濺鍍靶材 配置於自基板之旋轉軸傾斜特定角度之位置上以進行成 膜。藉由該成膜法，可使遮光膜之面内之不均變小而均勻 地形成遮光膜。 於使基板旋轉，且將濺鍍耙材配置於自基板之旋轉軸傾 斜特定角度之位置上以進行成膜之情形時，相位角及透過 率之面内分布亦會根據基板與靶材之位置關係而發生變 化。至於靶材與基板之位置關係，使用圖9進行說明。偏 移距離（基板之中心軸、與通過粗材之中心且和上述基板 之中心轴平行之直線之間的距離），可根據應確保相位角 及透過率之分布之面積而進行調整。通常，於應確保分布 之面積較大之情形時，所必需之偏移距離會變大。於本實 144956.doc • 29- 201027239 施例之形態中，為了於M2 mm見方内之基板内實現相位角 分布為±2。以内及透過率分布為士 0.2%以内，偏移距離必需 為200 mm至350 mm左右，較好的偏移距離為240 mm至280 mm。靶材-基板間垂直距離（T/S)雖會根 而變化最佳範圍，但為了於142 mm見方内之基板内實現相 位角分布為±2。以内及透過率分布為±〇.2%以内，而乾材_ 基板間垂直距離（T/S)必需為200 mm至380 mm左右，較好 的T/S為210 mm至300 mm。把材傾斜角會影響成膜速度， 為了獲得較大之成膜速度，靶材傾斜角為〇。至45。為佳， 較好的把材傾斜角為1〇。至3〇。。 藉由光微影及蝕刻而對上述之至少遮光膜進行圖案化以 設置轉印圖案，藉此可製造光罩。再者，至於蝕刻所用之 餘刻劑’可根據被餘刻膜之材料而適當變更。 作為EUV光用之反射型光罩基底之構成通常為如下者： 於設置有形成轉印圖案之薄膜之侧之主表面上積層形成 有多層反射膜、保護膜（有時沒有）、緩衝膜（有時沒有）、 吸收體膜（轉印圖案形成用薄膜），且於相反側之主表面上 形成有吸附於EUV曝光裝置或成膜裝置之吸附台之背面 膜。就背面膜而言，由於Euv曝光裝置或成膜裝置之吸附 口大多If形為靜電吸盤，因此較理想的是背面膜為具有 :性之導電背面膜。此時，作為背面膜而[為。系材料 較好的疋Cr金屬、或於。中含有自〇n、c、m 選擇之1種以上之元音的Γ几人 之兀素的Cr化合物等。又，為Ta系材 時’較理想的是τ金屬 疋丄a 隹屬、或 TaB、TaN、TaO、TaBN、 144956.doc 201027239

TaBO、TaNO、TaBNO等。又，背面膜可為單層，亦可為 上述材料之多層膜。 多層反射膜由於必需以高反射率（至少60%以上）反射 EUV光，故而具有將包含低折射率材料（Si等）之低折射率 層與包含高折射率材料（Mo等）之高折射率層之組合交替積 層30〜60週期之構造。例如，作為可適用於波長為13 nm~14 nm之EUV光之多層反射膜，較好的是使用將Mo膜 與Si膜交替積層40週期左右之Mo/Si週期多層膜。此外還 有Ru/Si週期多層膜、Mo/Be週期多層膜、Mo化合物/Si化 合物週期多層膜、Si/Nb週期多層膜、Si/Mo/Ru週期多層 膜、Si/Mo/Ru/Mo週期多層膜、Si/Ru/Mo/Ru週期多層膜 等。 保護膜具有於將轉印圖案形成於吸收體膜上之乾式蝕刻 時保護多層反射膜之最表面免受損傷之作用、及抑制最表 面發生表面氧化之作用。作為適合於保護膜之材料，為Ru 系材料時有Ru金屬或Ru化合物、RuNb、RuZr等，為Si系 材料時有Si02、SiON等。 緩衝膜具有如下作用，即於將轉印圖案形成於吸收體膜 上之乾式蝕刻時保護多層反射膜之最表面免受損傷，及於 形成有轉印圖案之吸收體膜上存在缺陷之情形時，當以 FIB(Focused Ion Beam，聚焦離子束）進行修正時，保護多 層反射膜之最表面免受損傷。作為適合於緩衝膜之材料， 可列舉Cr系材料，即有Cr金屬或Cr化合物（CrN、CrO、 CrC、CrON、CrOC、CrOCN)等。 144956.doc -31 - 201027239 吸收體膜係用以形成轉印圖案之薄膜，其使用對EUV光 具有高吸收率者。吸收體膜使用鈕系材料為最佳，較佳為

Ta 金屬或 Ta 化合物（TaB、TaN、Ta〇、TaN〇、TaBN、

TaBO、TaBNO等）。又，亦可適用鈕矽化物系材料（TaSi、 TaSiN、TaSiO、TaSi〇N等）。又，於藉由蝕刻製程而形成 轉印圖案後之吸收體膜之圖案缺陷檢查中，由於檢查光大 多情形應用DUV(deep ultraviolet，深紫外線）光（j5〇 nm〜400 nm)，因此亦有時會將吸收體膜設為雙層構造令 下層為包含對EUV光之吸收率較高之材料吸收層，令上層 為包含對DUV光之反射率較低之反射材料的低反射層。此 時’下層使用可適用於上述吸收體膜之材料。上層使用上 述材料中對DUV光之反射率比較低之材料（氧化度或氮化 度較高之材料），或使用SiON等Si系氧化物•氮化物·氧氮化 物材料、或CrON等Cr系氧化物·氮化物•氧氮化物材料等。 實施例1 其次，對為了明確本發明之效果而實施之實施例i進行 說明。 對合成石英玻璃基板實施了精研加工及倒角加工而形成 玻璃基板，對該玻璃基板於以下之研磨條件下實施、粗研磨 步驟。粗研磨步驟後，為了將附著於玻璃基板上之研磨砥 粒除去而對玻璃基板進行超音波清洗。再者，加工壓力、 上下平台之各自轉數、研磨時間等研磨條件可進行適當調 整。 研磨液：氧化鈽（平均粒徑為2 μιη〜3 μιη)+水 144956.doc •32· 201027239 研磨墊：硬質拋光片（聚氨酯墊） 其次’對粗研磨後之玻璃基板，於以下之研磨條件下進 行精密研磨步驟。精密研磨步驟後，為了將附著於玻璃基 板上之研磨砥粒除去而對玻璃基板進行超音波清洗。以該 精密研磨步驟後之玻璃基板之形成轉印圖案之側的主表面 形狀為4角凸起之方式，對諸條件加以調整以進行研磨。 其原因在於’於接下來之超精密研磨步驟中，具有優先對 ❹ 基板主表面之4角進行研磨之特性，藉此，可抑制4角之塌 邊’可使基板主表面之142 mm見方内之平坦度為0.3 μιηα 下。 研磨液：氧化鈽（平均粒徑為1 μη1)+水 研磨墊：軟質拋光片（絨面革型） 其次，對精密研磨後之玻璃基板，於以下之研磨條件下 進行超精密研磨步驟。超精密研磨步驟後，為了將附著於 玻璃基板上之研磨砥粒除去而對玻璃基板進行超音波清 〇 洗。再者，加工壓力、上下平台之各轉數、研磨時間等研 磨條件可進行適當調整。該超精密研磨步驟中，具有因基 板开> 狀為方形而使得容易優先對4角進行研磨之特性。以 使基板主表面之表面粗糙；度為特定粗糙度〇4 nm以下、且 使基板主表面之142 mm見方内之平坦度大於〇 3 μιη之方式 而設定研磨條件。以如下方式製作本發明之玻璃基板 (152.4 mmxl52.4 mmx6.35 mm)。 研磨液：膠體氧化矽（平均粒徑為1〇〇nm)+水 研磨墊：超軟質拋光片（絨面革型） 144956.doc -33- 201027239 至於以上述方式而獲得之玻璃基板之主表面之平坦度及 對稱性’以使用有波長調變雷射之波長位移干涉計進行調 研。為了調研主表面之平坦度與對稱性，首先，（1)於實施 了特定研磨之方形之基板中之、設置有形成轉印圖案之薄 膜之侧之主表面上，分別設定相對於左右兩端面而平行且 等距離之第一對稱轴，及相對於上下兩端面而平行且等距 離之第二對稱軸，於上述主表面之132 mm見方内之區域 中，以上述第一對稱軸及上述第二對稱軸為基準且以特定 間隔设定假想栅格，並將該柵格之交點作為測定點，以測 疋各測定點中之自基準面起算之上述主表面之高度。接 者，（2)根據測定值而計算出基板之132 mm見方内區域之 平坦度，將平坦度大於0.3 pm者視作不合格品。進而，（3) 於與上述第一對稱軸正交之方向上，求出自上述第一對稱 轴起處於左右等距離之關係之兩個測定點之高度測定值的 差分’並且於與上述第一對稱軸正交之方向上計算出自 亡述第二對稱轴起處於上下等距離之關係之兩個測定點之 尚度測定值的差分，至於所計篡屮夕立 仏所4舁出之向度測定值之差分， 判定該計算出之全部個數中相告 θ 双Τ相田於至少95%之個數之差分 是否滿足10 nm以内。 =定之結果為，具有本發明之對稱性之基板為可使心 =二：需進行局部加工，對特別指定了該局部加J £域之玻璃基板，以MRF加工 磁性流體，所含有之研磨趙粒，進部加工。亦即4 觸，並對接觸部分之滞留時間進行控制，藉此局部性地途 144956.doc 201027239 行研磨加工。該研磨加工中，凸部位之凸度越大，研磨紙 粒之接觸部分之滯留時間越長。又，凸部位之凸度越小， 則將研磨砥粒之接觸部分之滯留時間控制得越短。 其次’於以上述方式而獲得之玻璃基板上，分別依序形 成包含彦面抗反射層、遮光層、表面抗反射層之遮光媒 (形成轉印圖案之薄膜）。具體而言’使用Cr靶材作為濺鑛 靶材，將Ar、C〇2、N2、He之混合氣體作為濺鑛氣體（氣 體流篁比為 Ar : C〇2 : N2 : He=24 : 29 : 12 : 35)，氣體壓 力為0.2 Pa，DC電源之電力為1.7 kW，使CrOCN膜成膜至 39 nm膜厚而作為背面抗反射層。接著，使用心靶材作為 濺鑛乾材，將Ar、NO、He之混合氣體作為濺鍍氣體（氣體 流量比為Ar : NO : He=27 : 18 : 55)，氣體壓力為u Pa， DC電源之電力為1.7 kW，使CrON膜成膜至17 11111膜厚而作 為遮光層。接著，使用Cr靶材作為濺鍍靶材，將Ar、 C〇2、N2、He之混合氣體作為濺鍍氣體（氣體流量比為 Q Ar : C〇2 : N2 : He=21 : 37 : 11 : 31)，使氣體壓力為 0.2 Pa，使DC電源之電力為1.8 kW，使CrOCN膜成膜至14 nm 膜厚而作為表面抗反射層。以如此方式而製造光罩基底。 將以如此方式而獲得之2片光罩基底作為光罩基底組使 用，對各個光罩基底使用DP技術，將符合於dRAM (Dynamic Random Access Memory，動態隨機存取記憶 體）hP32 nm世代之1個微細•高密度轉印圖案分為2個比較 稀疏的圖案而成之2個轉印圖案，分別藉由特定之步驟而 形成於各光罩基底之遮光膜上以製作DP用光罩組。以光罩 144956.doc -35- 201027239 檢查器檢查各DP用光罩後得知’各DP用光罩滿足DRAm hp3 2 nm世代之DP用光罩所需之條件。進而，使用該Dp用 光罩組，以曝光裝置對轉印對象物（晶圓上之抗蝕膜等）進 行圖案轉印後’可驗證出不存在因重疊精度不足所引起之 轉印對象物之配線短路或斷線，且具有高重叠精度。 又，將以相同方式而製造出之2片光罩基底作為光罩基 底組使用，對各個光罩基底使用DE技術，將符合於dram hp32 nm世代之1個微細•高密度轉印圖案分為2個比較稀疏 的圖案而成之2個轉印圖案，分別藉由特定之步驟而形成 於各光罩基底之遮光膜上以製作DE用光罩組。以光罩檢 查器檢查各DE用光罩後得知，各DE用光罩滿足DRAM hP32 nm世代之DE用光罩所需之條件。進而，使用該1^用 光罩組，以曝光裝置對轉印對象物（晶圓上之抗蝕膜等）進 行圖案轉印後，可驗證出不存在因重疊精度不足所引起之 轉印對象物之配線短路或斷線，且具有高重疊精度。 進而，對於以相同方式而製造出之2片光罩基底之各 個，將符合於DRAM hp45 nm世代之半導體元件之積層構 造之各電路圖案，分別藉由特定步驟而形成於各光罩基底 之遮光膜上以製作光罩組。於使用該光罩組形成半導體元 件之各電路圖案時，使用各光罩以曝光裝置將積層構造轉 印至晶圓上之抗蝕膜後，可驗證出不存在因各積層構造之 重疊精度不足所引起之上下層間之配線短路或斷線，且具 有高重疊精度。 實施例2 144956.doc • 36 - 201027239 與實施例1相同地’進行精密研磨及超精密研磨步驟而 獲得複數個玻璃基板。至於以如此方式而獲得之玻璃基板 之主表面之平坦度及對稱性，以使用有波長調變雷射之波 純移干涉計進行調研。為了調研主表面之平坦度與對稱 性：首先，⑴於實施了特定研磨之方形之基板中之、設置 有形成轉印圖案之薄膜之側之主表面上，分別設定相對於 左右兩端面而平行且等距離之第一對稱軸，及相對於上下 •兩端面而平行且等距離之第二對稱轴，於上述主表面之 ,mm見方内之區域中，以上述第一對稱軸及上述第二對 稱轴為基準且以特定間隔設定假想栅格並將該柵格之交點 作為測定點’以測定各測定點中之自基準面起算之上述主 表面之高度。接著，（2)根據測定值計算出基板之132 mm 見方内區域之平坦度，將平坦度大於〇.3 μιη者作為不合格 品"進而，（3)以於第一對稱轴與第二對稱軸之交點上與兩 個對稱轴正交之旋轉軸為中心而使所有測定點旋轉9〇度， φ 並在與旋轉前之所有測定點重疊時，計算出重疊之旋轉前 之測定點與旋轉後之（其他）測定點之間的差分，至於所計 算出之高度測定值之差分，判定該計算出之全部個數中相 當於至少95%之個數之差分是否滿足lOnm以内。 其次’與實施例1相同地，於上述基板組之各玻璃基板 上’分別依序形成包含背面抗反射層、遮光層、表面抗反 射層之遮光膜（形成轉印圖案之薄膜），以製造光罩基底。 將以如此方式而獲得之2片光罩基底作為光罩基底組使 用。與實施例1相同地，製作符合於DRAM hp32 nm世代之 144956.doc -37- 201027239 DP用光罩組。以光罩檢查器檢查各DP用光罩後得知，各 DP用光罩滿足DRAM hp32 nm世代之DP用光罩所需之條 件。進而，使用該DP用光罩組’以曝光裝置對轉印對象物 (晶圓上之抗蝕膜等）進行圖案轉印後，可驗證出不存在因 重疊精度不足所引起之轉印對象物之配線短路或斷線，且 具有高重疊精度。 又’將以相同方式而製造之2片光罩基底作為光罩基底 組使用，與實施例1相同地製作符合於DRAM hp32 nm世代 之DE用光罩組。以光罩檢查器檢查各de用光罩後得知， 各DE用光罩滿足DRAM hp32 nm世代之DE用光罩所需之條 件。進而，使用該DE用光罩組，以曝光裝置對轉印對象 物（晶圓上之抗蝕膜等）進行圖案轉印後，可驗證出不存在 因重疊精度不足所引起之轉印對象物之配線短路或斷線， 且具有高重疊精度。 又’對以相同方式而製造之2片光罩基底之各個，將符 合於DRAM hp45 nm世代之半導體元件之積層構造之各電 路圖案，分別藉由特定步驟而形成於光罩基底之遮光膜上 以製作光罩組。於俾用該光罩組形成半導體元件之各電路 圖案時’使用各光罩以曝光裝置將積層構造轉印至晶圓上 之抗姓膜後’可驗證出不存在因各積層構造之重疊精度不 足所引起之上下層間之配線短路或斷線，且具有高重疊精 度。 實施例3 與實施例1相同地，進行精密研磨及超精密研磨步驟而 144956.doc -38 - 201027239 獲得複數個破璃基板。至於以如此方式而獲得之玻璃基板 之主表面之平坦度及對稱性，以使用有波長調變雷射之波 長位移干涉計進行調研。為了調研主表面之平坦度與對稱 性，首先，（1)於實施了特定研磨之方形之基板_之、設置 有形成轉印圖案之薄膜之側之主表面上，分別設定相對於 左右兩端面而平行且等距離之第一對稱轴，及相對於上下 兩端面而平行且等距離之第二對稱軸，於上述主表面之 142 mm見方内之區域中，以上述第一對稱轴及上述第二對 稱轴為基準且以特定間隔設定假想柵格並將該柵格之交點 作為測定點，以測定各測定點中之自基準面起算之上述主 表面之高度。接著，（2)根據測定值計算出基板之142 mm 見方内區域之平坦度，並將平坦度大於〇3 μπι者作為不合 格品。進而，（3)於與上述第一對稱轴正交之方向上，求出 自上述第一對稱軸起處於左右等距離之關係之兩個測定點 之尚度測定值的差分，並且於與上述第一對稱轴正交之方 向上，計算出自上述簞二對稱軸起處於上下等距離之關係 之兩個測定點之高度測定值的差分，至於所計算出之高度 測定值之差分，判定該計算出之全部個數中相當於至少 95%之個數之差分是否滿足2〇mn以内。 其次，與實施例1相同地，於上述基板組之各玻璃基板 上，分別依序形成包含背面抗反射層、遮光層、表面抗反 射層之遮光膜（形成轉印圖案之薄膜），以製造光罩基底。 將以如此方式而獲得之2片光罩基底作為光罩基底組使 用，與實施例1相同地製作符合於DRAM hp22 nm世代之 144956.doc ·39· 201027239 DP用光罩組。以光罩檢查器檢查各DP用光罩後得知，各 DP用光罩滿足DRAM hp22 nm世代之DP用光罩所需之條 件。進而，使用該DP用光罩組以曝光裝置對轉印對象物 (晶圓上之抗蝕膜等）進行圖案轉印後，可驗證出不存在因 重疊精度不足所引起之轉印對象物之配線短路或斷線，且 具有高重疊精度。 又，將以相同方式而製造出之2片光罩基底作為光罩基 底組使用’與實施例1相同地製作符合於dram hp22 nm世 代之DE用光罩組。以光罩檢查器檢查各de用光罩後得 知，各DE用光罩滿足DRAM hp22 nm世代之DE用光罩所需 之條件。進而’使用該DE用光罩組，以曝光裝置對轉印 對象物（晶圓之抗餘膜等）進行圖案轉印後，可驗證出不存 在因重疊精度不足所引起之轉印對象物之配線短路或斷 線，且具有高重疊精度。 又，對同樣地製造出之2片光罩基底之各個，將符合於 DRAM hp45 nm世代之半導體元件之積層構造之各電路圖 案，分別藉由特定步驟而形成於各光罩基底之遮光膜上以 製作光罩組。於使用該光罩組形成半導體元件之各電路圖 案時’使用各光罩以曝光裝置將積層構造轉印至晶圓上之 抗银膜後’可驗證出不存在因各積層構造之重疊精度不足 所引起之上下層間之配線短路或斷線，且具有高重疊精 度。 實施例4 與實施例1相同地，進行精密研磨及超精密研磨步驟而 144956.doc •40· 201027239 传複數個麵基板。至於以如此方式而獲得之玻璃基板 之主表面之平坦度及對稱性，以使用有波長調變雷射之波 長位移干涉計進行㈣。為了調研主表面之平坦度與對稱 性：首先，(1)於實施了特定研磨之方形之基板中之、設置 有形成轉印圖案之薄膜之側之主表面上，分別設定相對於 左右兩端面而平行且等距離之第一對稱軸，及相對於上下 兩端面而平行且等距離之第二對稱軸，於上述表面之142 醜見方内之區域中，卩上述第一對稱軸及上述第二對稱 轴為基準且以特定間隔設定假想柵格並將該柵格之交點作 為測定點，以測定各測定點中之自基準面起算之上述主表 面之高度。接著，（2)根據測定值而計算出基板之142 mm 見方内區域之平坦度，並將平坦度大於〇 3 μπι者作為不合 格品。進而，（3)以於第一對稱軸與第二對稱軸之交點上與 兩個對稱軸正交之旋轉軸為中心而使所有測定點旋轉9〇 度，並在與旋轉前之所有測定點重疊時，計算出重疊之旋 轉前之測定點與旋轉後之（其他）測定點之間的差分，至於 所計算出之高度測定值之差分，判定該計算出之全部個數 中相當於至少95%之個數之差分是否滿足2〇 nm以内。 其次，與實施例1相同地’於上述基板組之各玻璃基板 上’分別依序形成包含背面抗反射層、遮光層、表面抗反 射層之遮光膜（形成轉印圖案之薄膜），以製造光罩基底。 將以如此方式而獲得之2片光罩基底作為光罩基底組使 用，與實施例1相同地製作符合於DRAM hp22 nm世代之 DP用光罩組。以光罩檢查器檢查各DP用光罩後得知，各 144956.doc -41· 201027239 DP用光罩滿足DRAM hp22 nm世代之DP用光罩所需之條 件。進而，使用該DP用光罩組，以曝光裝置對轉印對象物 (晶圓上之抗蝕膜等）進行圖案轉印後，可驗證出不存在因 重疊精度不足所引起之轉印對象物之配線短路或斷線，且 具有高重疊精度。 又，將同樣地製造出之2片光罩基底作為光罩基底組使 用’與實施例1相同地製作符合於DRAM hp22 nm世代之 DE用光罩組。以光罩檢查器檢查各〇Ε用光罩後得知，各 DE用光罩滿足DRAM hp22 nm世代之DE用光罩所需之條 件。進而’使用該DE用光罩組，以曝光裝置對轉印對象 物（晶圓上之抗蝕膜等）進行圖案轉印後，可驗證出不存在 因重疊精度不足所引起之轉印對象物之配線短路或斷線， 且具有高重疊精度。 又’對同樣地製造出之2片光罩基底之各個，將符合於 DRAM hp45 nm世代之半導體元件之積層構造之各電路圖 案’分別藉由特定步驟而形成於各光罩基底之遮光膜上以 製作光罩組。於使用該光罩組形成半導體元件之各電路圖 案時’使用各光罩以曝光裝置將積層構造轉印至晶圓上之 抗姓膜後’可驗證出不存在因各積層構造之重疊精度不足 所引起之上下層間之配線短路或斷線，且具有高重疊精 度。 實施例5 與實施例1相同地，進行精密研磨及超精密研磨步驟而 獲得複數個玻璃基板。至於以如此方式而獲得之玻璃基板 144956.doc •42- 201027239 之主表面之平坦度及對稱性，以使用有波長調變雷射之波 長位移干涉計進行調研。為了調研主表面之平坦度與對稱 性，首先，（1)於實施了特定研磨之方形之基板中之、設置 ㈣成轉印®案之薄膜之側之主表面上，分別狀相對於 左右兩端面而平行且等距離之第一對稱軸，及相對於上下 兩端面而平行且等距離之第二對稱軸，於上述主表面之 142 mm見方内之區域、及吸附於曝光裝置之部分即吸附區 • 財，以上述第一對稱軸及上述第二對稱軸為基準且以特 定間隔設定假想柵格並將該柵格之交點作為測定點，以測 定各測定點中之自基準面起算之上述主表面之高度。接 著，（2)根據測定值計算出基板之142 mm見方内區域之平 坦度，並將平坦度大於〇.3 4„1者作為不合格品。進而，（3) 於與上述第一對稱轴正交之方向上，計算出自上述第一對 稱轴起處於左右等距離之關係之、142 mm見方内區域内之 兩個測定點之高度測定值的差分，並且於與上述第一對稱 • 軸正交之方向上，計算出自上述第二對稱軸起處於上下等 距離之關係之、142 mm見方内區域内之兩個測定點之高度 測定值的差分，至於所計算出之高度測定值之差分將該 計算出之全部個數中相當於至少95%之個數之差分大於2〇 nm者設為不合格品。最後，於與上述第一對稱軸正交 之方向上，計算出自上述第一對稱轴起處於左右等距離之 關係之、吸附區域内之兩個測定點之高度測定值的差分， 並且於與上述第一對稱軸正交之方向上，計算出自上述第 二對稱轴起處於上下等距離之關係之、吸附區域内之兩個 144956.doc •43- 201027239 測定點之咼度測定值的差分，至於所計算出之高度測定值 之差分’判定該計算出之全部個數中相當於至少95〇/。之個 數之差分是否滿足2 nm以内。 其次，與實施例1相同地，於上述基板組之各玻璃基板 上，分別依序形成包含背面抗反射層、遮光層、表面抗反 射層之遮光膜（形成轉印圖案之薄膜），以製造光罩基底。 將以如此方式而獲得之2片光罩基底作為光罩基底組使 用’與實施例1相同地製作符合於DRAM hp22 nm世代之 DP用光罩組。以光罩檢查器檢查各dp用光罩後得知，各 DP用光罩滿足DRAM hp22 nm世代之DP用光罩所需之條 . . _ ' · .. . 件。進而’使用該DP用光罩組，以曝光裝置對轉印對象物 (晶圓上之抗蝕膜等）進行圖案轉印後，可驗證出不存在因 重疊精度不足所引起之轉印對象物之配線短路或斷線，且 具有高重疊精度。 又，將同樣地製造出之2片光罩基底作為光罩基底組使 用，與實施例1相同地製作符合於DRAM hp22 nm世代之 DE用光罩組。以光罩檢查器檢查各〇Ε用光罩後得知，各 DE用光罩滿足DRAM hp22 nm世代之DE用光罩所需之條 件。進而’使用該DE用光罩組，以曝光裝置對轉印對象 物（晶圓上之抗蝕膜等）進行圖案轉印後，可驗證出不存在 因重疊精度不足所引起之轉印對象物之配線短路或斷線， 且具有南重叠精度。 又’對同樣地製造出之2片光罩基底之各個，將符合於 DRAM hP45 nm世代之半導體元件之積層構造之各電路圖 144956.doc -44 - 201027239 1 ’分別藉由特定步驟而形成料光罩基底之遮光媒上以 製作光罩組。於使用該光罩組形成半導體元件之各電路圖 案時，使用各光罩以曝光裝置將積層構造轉印至晶圓上之 抗蝕膜後，可驗證出不存在因各積層構造之重疊精度不足 所引起之上下層間之配線短路或斷線，且具有高重疊精 度。 實施例6 ❹至於實施例丨中所製作之光罩基底用基板’於玻璃基板 上形成有MoSiON膜（背面抗反射層）、M〇Si(遮光層）、及 MoSiON膜（抗反射層）作為遮光膜（形成轉印圖案之薄膜）。 具體而言，使用Mo : Si=21 : 79(原子％比）之靶材，使 Ar、〇2、n2、He之濺鍍氣體壓力為〇 2 Pa(氣體流量比為 AN 02 = N2 : He=5 : 4 : 49 : 42)，使DC電源之電力為3.〇 kW ’且將包含鉬、矽、氧、氮之膜（M〇si〇：N膜）以7 nm之 膜厚形成’接著，使用相同之靶材，使Ar之濺鍍氣體壓力 φ 為01 Pa ’使DC電源之電力為2.0 kW，且將包含鉬及矽之 膜（MoSi膜：膜中之Mo與Si之原子％比為約21 : 79)以30 nm之膜厚而形成’接著，使用M〇: Si=4 : 96(原子％比）之 靶材’使Ar、02、N2、He之濺鍍氣體壓力為〇.1 Pa(氣體流 置比為 Ar . 〇2 : N2 : He=6 : 5 : 11 : 16)，使 DC 電源之電 力為3.0 kW，將包含錮、石夕、氧、氮之膜（MoSiON膜）以15 nm之膜厚而形成，以製造光罩基底。使遮光性膜10之合計 膜厚為52 nm。於該條件下成膜之背面抗反射層、遮光層 及表面抗反射層於整個遮光膜中應力較低，可將基板之形 144956.doc • 45· 201027239 狀變化抑制為最小限度。 將以如此方式而獲得之2片光罩基底作為光罩基底組使 用，與實施例1相同地製作符合於DRAM hp32 nm世代之 DP用光罩組。以光罩檢查器檢查各dp用光罩後得知，各 DP用光罩滿足DRAM hp32 nm世代之DP用光罩所需之條 件。進而’使用該DP用光罩組，以曝光裝置對轉印對象物 (BB圓上之抗飯膜等）進行圖案轉印後，可驗證出不存在因 重疊精度不足所引起之轉印對象物之配線短路或斷線，且 具有高重疊精度。 又，將同樣地製造出之2片光罩基底作為光罩基底組使 用’與實施例1相同地製作符合於DRAM hp32 nm世代之 DE用光罩組。以光罩檢查器檢查各DE用光罩後得知，各 DE用光罩滿足DRAm hp32 nm世代之DE用光罩所需之條 件。進而，使用該DE用光罩組，以曝光裝置對轉印對象 物（晶圓上之抗蝕膜等）進行圖案轉印後，可驗證出不存在 因重疊精度不足所引起之轉印對象物之配線短路或斷線， 且具有高重疊精度。 又，對同樣地製造出之2片光罩基底之各個，將符合於 DRAM hP45 nm世代之半導體元件之積層構造之各電路圖 案，分別藉由特定步驟而形成於各光罩基底之遮光膜上以 製作光罩組。於使用該光罩組形成半導體元件之各電路圖 案時，使用各光罩以曝光裝置將積層構造轉印至晶圓上之 抗蝕膜後，可驗證出不存在因各積層構造之重疊精度不足 所引起之上下層間之配線短路或斷線，且具有高重疊精 144956.doc •46· 201027239 度。 實施例7 至於實施例2中所製作之光罩基底用基板，於玻璃基板 上形成有與實施例6相同構造之包含背面抗反射層、遮光 層、及表面抗反射層之遮光膜。其次，將以如此方式而獲 得之2片光罩基底作為光罩基底組使用，與實施例2相同地 製作符合於DRAM hp32 nm世代之DP用光罩組。以光罩檢 ©查器檢查各DP用光罩後得知，各dp用光罩滿足DRAM hp32 nm世代之DP用光罩所需之條件。進而，使用該Dp用 光罩組’以曝光裝置對轉印對象物（晶圓上之抗蝕膜等）進 行圖案轉印後，可驗證出不存在因重疊精度不足所引起之 轉印對象物之配線短路或斷線，且具有高重疊精度。 又，將同樣地製造出之2片光罩基底作為光罩基底組使 用，與實施例2相同地製作符合於DRAM hp32 nm世代之 DE用光罩組。以光罩檢查器檢查各〇£用光罩後得知，各 φ DE用光罩滿足DRAM hp32 nm世代之DE用光罩所需之條 件。進而，使用該DE用光罩組，以曝光裝置對轉印對象 物（晶圓上之抗蝕膜等）進行圖案轉印後，可確認出不存在 因重疊精度不足所引起之轉印對象物之配線短路或斷線， 且具有高重疊精度。 又，對同樣地製造出之2片光罩基底之各個，將符合於 DRAM hp45 nm世代之半導體元件之積層構造之各電路圖 案，分別藉由特定步驟而形成於各光罩基底之遮光膜上以 製作光罩組。於使用該光罩組形成半導體元件之各電路圖 144956.doc -47- 201027239 案時，使用各光罩以曝光裝置將積層構造轉印至晶圓上之 抗蝕膜後，可驗證出不存在因各積層構造之重疊精度不足 所引起之上下層間之配線短路或斷線，且具有高重疊精 度。 實施例8 至於實施例3中所製作之光罩用基板’於玻璃基板上形 成有與實施例6相同構造之包含背面抗反射層、遮光層、 及表面抗反射層之遮光膜。其次，將以如此方式而獲得之 2片光罩基底作為光罩基底組使用，與實施例3相同地製作 符合於DRAM hp22 nm世代之DP用光罩組。以光罩檢查器 檢查各DP用光罩後得知’各dp用光罩滿足dram hp22 nm 世代之DP用光罩所需之條件。進而，使用該Dp用光罩 組’以曝光裝置對轉印對象物（晶圓上之抗蝕膜等）進行圖 案轉印後，可驗證出不存在因重疊精度不足所引起之轉印 對象物之配線短路或斷線，且具有高重疊精度。 又’將同樣地製造出之2片光罩基底作為光罩基底組使 用，與實施例3相同地製作符合於DRAM hp22 nm世代之 DE用光罩組。以光罩檢查器檢查各de用光罩後得知，各 DE用光軍滿足DRAM hp22 nm世代之DE用光罩所需之條 件。進而’使用該DE用光罩組，以曝光裝置對轉印對象 物（晶圓上之抗蝕膜等）進行圖案轉印後，可驗證出不存在 因重疊精度不足所引起之轉印對象物之配線短路或斷線， 且具有高重疊精度。 又’對同樣地製造出之2片光罩基底之各個，將符合於 144956.doc -48· 201027239 DRAM hP45 nm世代之半導體元件之積層構造之各電路圖 案，分別藉由特定之步驟而形成於各光罩基底之遮光膜上 以製作光罩組。於使用該光罩組形成半導體元件之各電路 圖案時，使用各光罩以曝光裝置將積層構造轉印至晶圓上 之抗蝕膜後，可驗證出不存在因各積層構造之重疊精度不 足所引起之上下層間之配線短路或斷線，且具有高重疊精 度。 實施例9 至於實施例4中所製作之光罩基底用基板，於玻璃基板 上形成有與實施例6相同構造之包含背面抗反射層、遮光 層、及表面抗反射層之遮光膜。其次，將以如此方式而獲 得之2片光罩基底作為光罩基底組使用，與實施例4相同地 製作符合於DRAM hp22 nm世代之DP用光罩組。以光罩檢 查器檢查各DP用光罩後得知，各dp用光罩滿足dram hP22 nm世代之DP用光罩所需之條件。進而’使用該抑用 φ 光罩組，以曝光裝置對轉印對象物（晶圓上之抗蝕膜等）進 行圖案轉印後’可驗證出不存在因重疊精度不足所引起之 轉印對象物之配線短路或斷線，且具有高重疊精度。 又’將同樣地製造出之2片光罩基底作為光罩基底組使 用，與實施例4相同地製作符合於DRAM hP22 nm世代之 DE用光罩組。以光罩檢查器檢查各de用光罩後得知，各 DE用光罩滿足DRAM hp22 nm世代之DE用光罩所需之條 件。進而，使用該DE用光罩組，以曝光裝置對轉印對象 物（晶圓之抗钱膜等）進行圖案轉印後，可驗證出不存在因 144956.doc -49- 201027239 重疊精度不足所引起之轉印對象物之配線短路或斷線，且 具有南重叠精度。 又’對同樣地製造出之2片光罩基底之各個，將符合於 DRAM hP45 nm世代之半導體元件之積層構造之各電路圖 案’为別藉由特定步驟而形成於各光罩基底之遮光膜上以 製作光罩組。於使用該光罩組形成半導體元件之各電路圖 案時’使用各光罩以曝光裝置將積層構造轉印至晶圓上之 抗钱膜後，可驗證出不存在因各積層構造之重疊精度不足 所引起之上下層間之配線短路或斷線，且具有高重養精 度。 實施例10 至於實施例5中所製作之光罩基底用基板，於玻璃基板 上形成與實施例6相同構造之包含背面抗反射層、遮光 層、及表面抗反射層之遮光膜。其次，將以如此方式而獲 得之2片光罩基底作為光罩基底組使用，與實施例5相同地 製作符合於DRAM hp22 nm世代之DP用光罩組。以光罩檢 查器檢查各DP用光罩後得知，各DP用光罩滿足dram hp22 nm世代之DP用光罩所需之條件。進而，使用該Dp用 光罩組’以曝光裝置對轉印對象物（晶圓上之抗钱膜等）進 行圖案轉印後，可驗證出不存在因重疊精度不足所引起之 轉印對象物之配線短路或斷線，且具有高重疊精度。 又，將同樣地製造出之2片光罩基底作為光罩基底組使 用，與實施例5相同地製作符合於DRAM hp22 nm世代之 DE用光罩組。以光罩檢查器檢查各用光罩後得知，各 144956.doc -50- 201027239 DE用光罩滿足DRAM hp22 nm世代之DE用光罩所需之條 牛進而使用該DE用光罩組，以曝光裝置對轉印對^ 物（晶圓上之抗蝕膜等）進行圖案轉印後，可驗證出不存在 • 因重疊精度不足所引起之轉印對象物之配線短路或斷線， 且具有高重疊精度。 又，對同樣地製造出之2片光罩基底之各個，將符合於 DRAM hP45 nm世代之半導體元件之積層構造之各電路圖 案，分別藉由特定步驟而形成於各光罩基底之遮光膜上以 製作光罩組。於使用該光罩組形成半導體元件之各電路圖 案時，使用各光罩以曝光裝置將積層構造轉印至晶圓上之 抗蝕膜後，可驗證出不存在因各積層構造之重疊精度不足 所引起之上下層間之配線短路或斷線，且具有高重疊精 度。 實施例11 至於實施例丨中所製作之光罩基底用基板，於玻璃基板 Φ 上形成有包含相移膜、背面抗反射層、遮光層、及表面抗 反射層之遮光膜。具體而言，使用]^0與81之混合靶材（原 子0/。比為Mo : Si=10 : 90)作為濺鍍靶材，使Ar、n2、He之 混合軋體為錢鍍氣體（氣體流量比為Ar : n2 : He=5 : 49 : 46)，使氣體壓力為〇.3 Pa，令DC電源之電力為2.8 kW，將 MoSiN膜成膜至69 nm媒厚以作為相移膜。其次，將成膜 有相移膜之基板以25(TC加熱處理5分鐘（退火處理）。 接著，形成包含背面抗反射層、遮光層、及表面抗反射 層之遮光膜。具體而言，首先，使用〇1_靶材作為濺鍍靶 144956.doc -51- 201027239 材，使Ar、C〇2、A、He之混合氣體為濺鍍氣體（氣體流 量比為 Ar : C02 : N2 : He=22 : 39 : 6 : 33)，使氣體壓力 為0.2 Pa ’使DC電源之電力為丨.7 kW，將CrOCN膜成膜至 30 nm膜厚以作為背面抗反射層。其次，使用心靶材作為 濺鑛把材，使Ar、&之混合氣體為濺鍍氣體（氣體流量比 為Ar : N2=83 : 17)，使氣體壓力為〇」pa，使DC電源之電 力為1.7 kW，將CrN膜成膜至4 nm之膜厚以作為遮光層。 接著，使用Cr靶材作為濺鍍靶材，使Ar、c〇2、n2、取之 /尾合氣體為濺鍵氣體（氣體流量比為Ar : c〇2 : N2 : He=21 : 37 : 11 : 31) ’使氣體壓力為0·2 Pa，使DC電源之 電力為1.8 kW，將CrOCN膜成膜至14 nm之膜厚以作為表 面抗反射層《於該條件下成膜之背面抗反射層、遮光層及 表面抗反射層於整個遮光膜上為低應力，又，相移膜亦為 低應力，從而可將基板之形狀變化抑制至最小限度。 其次，將以如此方式而獲得之2片光罩基底作為光罩基 底組使用，對各個光罩基底使用Dp技術，將符合於dram hp32 nm世代之1個微細•高密度之轉印圖案分為2個比較稀 疏之圖案而成的2個轉印圖案，分別藉由特定步驟而形成 於各光罩基底之相移膜上，於轉印圖案之外周將遮光帶之 圖案形成於遮光膜上以製作Dp用光罩組。以光罩檢查器檢 查各DP用光罩後得知，各Dp用光罩滿足dram卟32 世 代之DP用光罩所需之條件。進而，使用該用光罩組， 以曝光裝置對轉印對象物（晶圓上之抗蝕膜等）進行圖案轉 印後，可驗證出不存在因重憂精度不足所引起之轉印對象 144956.doc -52- 201027239 物之配線短路或斷線，且具有高重疊精度。 又，將同樣地製造出之2片力罩基底作$光罩基底組使 用，對各個光罩基底使用〇丑技術，將符合SDram hp32 nm世代之丨個微細•高密度之轉印圖案分為2個比較稀疏之 圖案而成的2個轉印圖案，分別藉由特定步驟而形成於各 光罩基底之相移膜上，於轉印圖案之外周將遮光帶之圖案 形成於遮光膜上以製作DE用光罩組。以光罩檢查器檢查 各DE用光罩後得知，各DE用光罩滿足dram冲32 nm世代 之DE用光罩所需之條件。進而，使用該DE用光罩組以 曝光裝置對轉印對象物（晶圓上之抗蝕膜等）進行圖案轉印 後，可驗證出不存在因重疊精度不足所引起之轉印對象物 之配線短路或斷線’且具有高重疊精度。 進而，對同樣地製造出之2片光罩基底之各個，將符合 於DRAM hpM nm世代之半導體元件之積層構造之各電路 圖案，分別藉由特定步驟而形成於各光罩基底之相移膜 φ 上，於轉印圖案之外周將遮光帶之圖案形成於遮光膜上以 製作光罩組。於使用該光罩組形成半導體元件之各電路圖 案時，使用各光罩以曝光裝置將積層構造轉印至晶圓上之 抗蝕膜後，可驗證出不存在因各積層構造之重疊精度不足 所引起之上下層間之配線短路或斷線，且具有高重疊精 度。 實施例12 與實施例1相同地，進行精密研磨及超精密研磨步驟而 獲得複數個玻璃基板（其中為以〇2吖1〇2玻璃基板）。至於以 144956.doc -53· 201027239 如此方式而獲得之玻璃基板之主表面之平坦度及對稱性， 以使用有波長調變雷射之波長位移干涉計進行調研。為了 調研主表面之平坦度與對稱性，首先，（1)於實施了特定研 磨之方形之基板中之、設置有形成轉印圖案之薄膜之側之 主表面上’分別設定相對於左右兩端面而平行且等距離之 第一對稱轴，及相對於上下兩端面而平行且等距離之第二 對稱軸，於上述主表面之整個可測定高度之區域，以上述 第一對稱轴及上述第二對稱軸為基準且以特定間隔設定假 想柵格並將該柵格之交點作為測定點，以測定各測定點中 之自基準面起算之上述主表面之高度。其次，（2)於與上述 第一對稱軸正交之方向上，計算出自上述第一對稱軸起處 於左右等距離之關係之兩個測定點之高度測定值的差分， 並且於與上述第一對稱軸正交之方向上，計算出自上述第 二對稱轴起處於上下等距離之關係之兩個測定點之高度測 定值的差分，至於所計算出之高度測定值之差分，判定該 計算出之全部個數中相當對於至少95%之個數之差分是否 滿足5 nm以内。 其次，針對合格品之玻璃基板之設置形成轉印圖案之薄 膜之側的相反侧之主表面，以與實施例1相同之順序選定 合格品。於以如此方式而獲得之玻璃基板之設置形成轉印 圖案之薄膜之側的相反側之主表面上，形成包含CrN之導 電性之背面膜。其次’於設置形成轉印圖案之薄膜之側之 主表面上，形成適合於13 nm〜14 nm波長之曝光光波段範 圍之EUV曝光光的多層反射膜即Mo膜/Si膜週期多層反射 144956.doc •54- 201027239 膜亦即，使用Mo乾材與Si無材，藉由離子束滅鑛而交替 積層形成於基板上。使Si膜為4·2 nm，使M〇膜為28 nm， 並將此作為一個週期而積層4〇個週期後，將Si膜成膜至4.2 nm。其次，使用RuNb靶材作為保護膜，將如；^膜成膜至 2_5nm，從而製造出具有多層反射臈之基板。 接著，於以上述方式而獲得之具有多層反射膜之基板之 保護膜上形成緩衝膜。將氮化鉻膜形成至2〇 nm2厚度而 作為緩衝膜。使用Cr靶材，且使用氬（Ar)與氮（N2)之混合 氣體作為濺鍍氣體，藉由Dc磁控濺鍍法而進行成膜。於 所成膜之CrNx膜中，使氮（N)為10 at%(x=〇.i)。而且，於 該緩衝膜上，將含Ta、B及N之材料以80 nm之厚度形成而 作為吸收體膜。亦即，使用含TaB之靶材，向氬（Ar)中添 加10%之氮（Ns)，並藉由DC磁控濺鍍法進行成膜而獲得反 射型光罩基底。 對以如此方式而獲得之2片反射型光罩基底之各個，將 符合於DRAM hp32 nm世代之半導體元件之積層構造之各 電路圖案，分別藉由特定步驟而形成於各光罩基底之遮光 膜上以製作反射型光罩組。於使用該光罩組形成半導體元 件之各電路圖案時，使用各光罩以曝光裝置將積層構造轉 印至晶圓上之抗蝕膜後，可驗證出不存在因各積層構造之 重疊精度不足所引起之上下層間之配線短路或斷線，且具 有高重疊精度。亦即，將反射型光罩之背面側靜電吸附於 曝光裝置之平台上時之基板的變形微小，且該變形於基板 間大致為相同傾向，藉此，吸收體膜之圖案之位置偏移亦 144956.doc -55- 201027239 微小且其傾向亦大致相同，從而可實現高重疊精度者。 如此，根據本發明，可實現對稱性高之光罩基底用基 板因此可使吸附後之主表面之平坦度更加良好，從而 可使光罩所引起之位置偏移非常小。 本發明並不限定於上述實施形態，其可作適當變更後加 以實施。例如，上述實施形態中之測定點之數量、假想柵 格間隔、材料、尺寸、處理順序等為一示例，可於發揮本 發明效果之範圍内作各種變更後加以實施。此外，只要於 不脫離本發明之目的之範圍則可作適當變更後加以實施。 本案係基於2008年11月26曰申請之日本專利申請案第 2008-301239號並主張優先權之利益者，該等之揭示將作 為參考文獻而整體併入於此。 【圖式簡單說明】 圖1係表示本發明之實施形態之光罩基底用基板之主表 面的平面圖； 圖2係表示本發明之實施形態之光罩基底用基板之主表 面的侧視圖； 圖3係表示測定點間之差分與測定點個數之間之關係的 1¾ · 圃， 圖4係表示測定點間之差分與測定點個數之間之關係的 SI · 團， 圖5係用以說明光罩台之吸附區域中之測定點之圖； 圖6係表示測定點間之差分與測定點個數之間之關係的 |33 · 圓， 144956.doc -56- 201027239 ffi 7(a)〜（c)係表示不具有本發明之對稱性之基板之主表 面形狀的圖； 圖8(a)〜(c)係表示具有本發明之對稱性之基板之主表面 形狀的圖； 圖9係表示本發明之實施形態之製造光罩基底時所使用 之濺鍍裝置之概略構成的圖；及 圖10係說明MRF加工法之加工狀態之概略圖，圖1〇(&)表 示正面方向剖面圖，圖10(b)表示側面方向剖面圖。 【主要元件符號說明】 1 光罩基底用基板 4 磁性研磨漿料 5 研磨點 6 電磁鐵 13 凸出部 41 磁性流體 42 研磨漿料 144956.doc -57·

Claims (1)

1. 201027239 七、申請專利範圍： 1· 一種光罩基底用基板，其特徵在於：分別設定：第一對 稱轴’其通過設定於具有2個主表面與4個端面之基板之 主表面上的中心點而與任一端面平行；及第二對稱軸， 其通過上述中心點而與第一對稱轴正交；以上述第一對 稱轴及第二對稱軸為基準而柵格狀地設定測定點，以分 別測定自基準面起算之上述主表面之高度，計算出以上 述第一對稱軸為基準而處於線對稱位置之測定點彼此之 局度測定值的差分，關於所計算出之高度測定值之差 分’全部個數中相當於至少95%之個數之差分為特定值 以内。 2. 如請求項1之光罩基底用基板，其中計算出以上述第二 對稱軸為基準而處於線對稱位置之測定點彼此之高度測 定值的差分’該計算出之高度測定值之差分之個數中， 相當於至少95°/。之個數之差分為特定值以内。 3. —種光罩基底用基板，其特徵在於：分別設定：第一對 稱轴’其通過設定於具有2個主表面與4個端面之基板之 主表面的中心點而與任一端面平行；及第二對稱軸，其 通過上述中心點而與第一對稱轴正交；以上述第一對稱 轴及第一對稱轴為基準而柵格狀地設定測定點，以分別 測疋自基準面起算之上述主表面之高度，以上述中心點 為旋轉軸而使所有測定點旋轉9〇度，並於旋轉前之所有 測定點與旋轉後之所有測定點重疊時，計算出處於重疊 位置之測定點彼此之高度測定值之差分，至於所計算出 144956.doc 201027239 之兩度測定值之差分’全部個數中相當於至少95%之個 數之差分為特定值以内。 4. 如請求項1至3中任一項之光罩基底用基板，其中上述測 定點設定於設置有形成轉印圖案之薄膜之侧的主表面。 5. 如請求項4之光罩基底用基板，其中設置有形成轉印圖 案之溥膜之側之主表面中的132 mm見方内之區域的平坦 度為0.3 μηι以下，且關於所計算出之高度測定值之差 分’全部個數中相當於至少95%之個數之差分為10 nm以 内0 6. 如請求項4之光罩基底用基板，其中設置有形成轉印圖 案之薄膜之側之主表面中的142 mm見方内之區域的平坦 度為0,3 μιη以下，且關於所計算出之高度測定值之差 分’全部個數中相當於至少95%之個數之差分為20 nm以 内0 7·如請求項1至6中任一項之光罩基底用基板，其中當設置 於曝光裝置上時，於受到吸引吸附之區域即上述主表面 之吸附區域内所計算出之高度測定值之差分，全部個數 中相當於至少95%之個數之差分為2 nm以内。 8.如請求項1至3中任一項之光罩基底用基板，其中上述測 定點設定於設置有形成轉印圖案之薄膜之侧的相反側之 主表面上’關於所計算出之高度測定值之差分，全部個 數中相當於至少95%之個數之差分為5nm以内。 9· 一種光罩基底’其特徵在於··於如請求項1至8中任一項 之光罩基底用基板之主表面上形成有轉印圖案形成用薄 144956.doc 201027239 膜。 10.=種反射型光罩基底，其特徵在於··於設置有形成如請 求項8之光罩基底用基板之轉印圖案之薄膜之侧的主表 面上形成有多層反射膜及轉印圖案形成用薄膜，且於設 置有形成轉印圖案之薄膜之側之相反側的主表面上形成 有背面膜。 11. ❹12. 一種光罩，其特徵在於：於如請求項9之光罩基底之上 述轉印圖案形成用薄膜上形成有轉印圖案。 一種反射型光罩，其特徵在於：於如請求項1〇之反射型 光罩基底之上述轉印圖案形成用薄膜上形成有轉印圖 案。 13. —種光罩基底用基板組，其特徵在於··將複數片之如請 求項1至8中任一項之光罩基底用基板設為基板組。 14. 一種光罩基底組，其特徵在於：將複數片之如請求項9 之光罩基底設為基底組。 鲁15. —種光罩組，其特徵在於：其係以2片之如請求項丨丨之 光罩為一組者，藉由雙重圖案/雙重曝光技術而自丨個轉 印圖案分割出之2個轉印圖案，分開形成於2片光罩之轉 印圖案形成用薄膜上。 16. 種半導體元件之製造方法，其特徵在於包括如下步 驟：使用如請求項11之光罩，藉由光微影法而將光罩之 轉印圖案曝光轉印至晶圓上之抗蝕膜上。 17. 種半導體元件之製造方法，其係使用如請求項12之反 射型光罩，藉由EUV微影法而將反射型光罩之轉印圖案 144956.doc 201027239 曝光轉印至晶圓上之抗蝕膜上而製造。 18. —種半導體元件之製造方法，其特徵在於包括如下步 驟：使用如請求項15之光罩組，藉由光微影法而將光罩 之轉印圖案曝光轉印至晶圓上之抗蝕膜上。 144956.doc