TW201021143A - Chemical vapor deposition reactor and process chamber for said reactor - Google Patents
Chemical vapor deposition reactor and process chamber for said reactor Download PDFInfo
- Publication number
- TW201021143A TW201021143A TW097145953A TW97145953A TW201021143A TW 201021143 A TW201021143 A TW 201021143A TW 097145953 A TW097145953 A TW 097145953A TW 97145953 A TW97145953 A TW 97145953A TW 201021143 A TW201021143 A TW 201021143A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- reactor
- substrate
- gas
- reactant
- chamber
- Prior art date
Links
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 title abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 title abstract description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 293
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 212
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims abstract description 174
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 29
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 claims description 15
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 13
- 239000003380 propellant Substances 0.000 claims description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 32
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 28
- 238000013461 design Methods 0.000 description 24
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 11
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 230000002939 deleterious effect Effects 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N diethylzinc Chemical compound CC[Zn]CC HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 230000003134 recirculating effect Effects 0.000 description 2
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HJTAZXHBEBIQQX-UHFFFAOYSA-N 1,5-bis(chloromethyl)naphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(CCl)=CC=CC2=C1CCl HJTAZXHBEBIQQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000032820 Ring chromosome 13 syndrome Diseases 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007264 Si2H6 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- USZGMDQWECZTIQ-UHFFFAOYSA-N [Mg](C1C=CC=C1)C1C=CC=C1 Chemical compound [Mg](C1C=CC=C1)C1C=CC=C1 USZGMDQWECZTIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOLCXWYRSKYTSP-UHFFFAOYSA-N arsenic trioxide Inorganic materials O1[As]2O[As]1O2 GOLCXWYRSKYTSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N methylidynetantalum Chemical compound [Ta]#C NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 229910003468 tantalcarbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45502—Flow conditions in reaction chamber
- C23C16/45508—Radial flow
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
201021143 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明關於一種金屬之有機化學汽相沉積反應器，其 係用來在多重基材上沉積半導體晶體。特別地本發明關於 一種促進高反應物效率及均一性之化學汽相遞送設備。 【先前技術】 0 金屬之有機化學汽相沉積法（MOCVD)係一用於沉積高 品質結晶薄膜的標準方法，而該結晶薄膜可用來製造電子 裝置，如發光二極體及雷射二極體。一般而言，MOCVD 反應器係使用金屬有機來源，如三甲基鎵（TMG)或三甲基 銦（TMI)，然後藉由對化學反應呈惰性之氣體（如氮或氫氣） 傳送到沈積室中。同時在該室中使該金屬有機化合物加 熱、分解，接著與氫化物氣體（例如氨或三氫化砷）反應而 在經加熱之基材上形成薄膜。舉例之，當TMG與氨在適 φ 當條件下注入反應器內，所發生之化學反應將形成簡單的 二元化合物薄膜，氮化鎵（GaN)。所得薄膜之厚度及組成 可藉由調整不同參數而控制，如反應器壓力、載體氣體流 速、基材旋轉速度、溫度、及視反應器設計而定的不同之 其他參數。再者，因爲這些反應係發生在基材表面，所 以，所得之薄膜特性係高度地藉由反應物氣體在基材上的 流動圖形而支配。 大多數的多重-晶圓MOCVD沉積室係由一可使反應 物氣體朝向所欲表面（如基材）的單一氣體注射器組成。這 -5- 201021143 些結構產生兩種形式之多重-基材反應器設計，其中一種 係基材與反應物氣體之流動成垂直’已知爲直立式反應器 設計，而另一種係反應物氣體之流動和基材表面平行，已 知爲水平式反應器設計。 在直立式多重-晶圓設計中，半導體基材或其他物件 係安裝在一沿著直立軸旋轉的基座圓盤上。生長期間，冷 的反應物氣體係經由通道往下流向基材。再者，來自基座 的熱度會使氣體上升，並在基材和基座上方形成很大的熱 氣體之不均勻界面層，並可延伸到反應器室的頂部表面。 當較低溫度之反應物氣體與熱氣體接觸時，會發生熱對 流。這些熱對流效應導致界面層的形成，而產生再循環的 流動圖形並引起層流擾動。這些層流中的擾動將藉由改變 通過基材表面之已沉積薄膜的均一性及組成而在薄膜上引 起有害的沉積條件。 多重一基材直立式反應器的另一非所欲的性質係反應 物沉積在反應物氣體注射器表面上的不利作用。爲了在反 應器內引起無旋渦之均一的流動圖形，直立式反應器通常 使用纖細的網孔或其他流動分配裝置。這些流動裝置經常 積聚已沉積之反應物，並在一段時間後干擾流動圖形。因 此，爲了維持可預料之流動圖形，需要定期地進行清潔步 驟。此舉導致廣泛的停工期並浪費沉積系統之生產力。 金屬之有機化學汽相沉積系統也可包含旋轉圓盤反應 器，其中基材係保持面朝下，而可旋轉之基座則安裝於反 應器室的頂部。生長期間，反應氣體就沿著位在其中一個 -6- 201021143 的室側壁或在反應器之底部室壁的注射通道而注入。此系 統的缺點之一是，爲了使基材保持面朝下的位置，必需使 用複雜的基座機制裝置來配合安裝面板、夾具、夾子、黏 著劑、或其他機制裝置。這些機制裝置也會干擾反應物氣 體的流動圖形而引起基材表面的不均勻沉積。此反應器的 另一缺點是，生長期間這些機制裝置會將不想要的雜質傳 到基材表面上。 Φ 此反應器的另一缺點是在反應物注射器上形成粒子。 此乃因爲生長期間所形成之粒子會積聚在基座上，隨後往 下掉落在位於反應器底部之氣體注射器上，而干擾被射入 之流動圖形。因此，爲了維持可預料之流動圖形，需要定 期地進行清潔步驟，此舉導致廣泛的停工期並浪費沉積系 統之生產力。 在多重一晶圓水平式設計中，反應器具有座落在使基 材旋轉之旋轉中心的單一氣體反應物注射器。該反應器也 φ 可包含基座，而基材或其他物件係放置在該基座上，並藉 由旋轉棒沿著中心旋轉。生長期間，冷的化學蒸氣經由通 道而水平流向基材。再者，來自基座的熱會使氣體上升並 在基材和基座上方形成很大的熱氣體之不均勻界面層，且 延伸到反應器室的頂部表面。當較低溫度之反應物氣體與 熱氣體接觸時，會發生熱對流。這些熱對流效應導致界面 層的形成，而產生再循環的流動圖形並引起層流的擾動。 類似於在直立式反應器設計中所觀察的結果，這些層流中 的擾動將藉由改變通過基材表面的已沉積薄膜之均一性及 201021143 組成而引起有害的沉積條件。然而，基於兩個主要原因這 些影響在水平式反應器中甚至更大。首先，因爲反應物氣 體的流動路徑與基材平行，沒有向下之流動向量來平衡因 加熱氣體之浮力效應所產生的向上流動向量。此舉將導致 界面層的厚度增加。第二，基座之旋轉速率遠小於直立式 反應器之旋轉速率，所以氣體無法經由基座之旋轉而拉引 到基座表面，如直立式反應器設計中所進行般。這兩種結 果大大地減少反應物在基材上的效率。除了上述之困難點 外，目前的水平式多重-基材反應器也遭受到反應器室壁 上之附加沉積所導致的影響。這些沉積對已沉積薄膜產生 有害的影響，包括：改變通過基材表面之流動圖形，随著 時間過去而引起溫度起伏，及使粒子從表面落至基材上。 因此，爲了維持可預料之流動圖形及通過基材之溫度分 佈，以及除去不想要之沉積物以便防止粒子掉落在基材上 (此將使基材受損），需要定期地進行清潔步驟。此舉導致 廣泛的停工期並浪費沉積系統之生產力。 MOCVD反應器也可使用兩個分開的氣體注射流，該 流之一係注射與基材表面平行之化學反應物蒸氣，而另一 注射流係藉由和基材表面成垂直而擠壓這些蒸氣更靠近基 材表面。此反應器設計具有一反應物注射器，其靠近旋轉 中之基材的一個導緣。該反應器也可包含基座，其可將基 材或其他物件放置在上面，並藉由旋轉棒沿著中心軸旋 轉。生長期間，反應物氣體係經由反應物注射器注入並依 循流動路線流到基材表面上。由第二注射器注入之第二個 -8- 201021143 流則，沿著和基材表面成垂直的流動通道，用來將反應物 氣體往下推近基材。該第二流動氣體對反應呈惰性，所以 在基材表面處不會引起反應。 如上文段落之說明般，二流式反應器系統的缺點之一 係一次只能讓一種基材被沉積。此單一基材設計因固有的 低生產量而大大地減低此沉積技術的商業可應用性。 此設計的另一缺點係所施加之反應物氣體只導向旋轉 中之基材的一個導緣。因此，在旋轉基材之角速度的切線 分量與反應物氣體供應方向之間的角度將決定於該基座之 位置。此舉導致通過基材表面之沉積條件的高可變性，而 大大地減低通過基材表面的均一性。再者，因來自被加熱 的基材的熱對流及基材表面之氣流交互作用所導致的反應 物氣體流動圖形被破壞，將引起反應物氣體通過基材表面 之層流的擾動，此乃因爲反應物係被注入於基座的一個導 緣上之故。當基材及基座之尺寸增加時，這些流動擾動的 影響也顯著地增加。在仍要維持層狀反應物流動圖形之 時，此舉大大地限制可同時被沉積之基材的尺寸及數目。 MQCVD 7jc平式反應器可使用供應方向與基材平行之 進料氣體及和基材放置方向相反的壓迫氣體，其中壓迫氣 體的中心部份比壓迫氣體之外圍部份的流動低。 此設計的另一缺點係使用一具有多重流動圖形及速度 之增壓氣體所增加的複雜性。多重流動圖形的使用會在該 等兩個流動之間的界面處發展出渦流，而顯著地影響通過 基材表面之反應物氣體的流動圖形。此舉導致通過基材表 -9- 201021143 面的不均勻沉積，並引起不適當的再現性。 本發明之前述目標及優點係解說那些可藉由各種範例 性具體實施例達成者，並且不意圖徹底舉例或限制可執行 的各種可能優點。因此，各種範例性具體實施例的這些和 其他目標及優點將從本文之說明中顯見，或可從演練各種 範例性具體實施例中獲得，這些具體實施例是本文所收錄 或綜觀熟諳此藝者已知之變更所作的修正。因此，本發明 係關於本文所示之新穎方法、排列、組合、及改良，並於 各種範例性具體實施例中說明。 【發明內容】 根據目前對製造半導體晶體之改良方法的需求，提出 各種範例性具體實施例的簡要敘述。下文槪述中將進行一 些簡化及省略，其乃意圖突顯並引進各種範例性具體實施 例的某些面貌，但並不限制其範圍。適於讓熟諳此藝者進 行並使用之本發明觀念的較佳範例性具體實施例之詳細說 明將於更後面的段落中進行。 在各種範例性具體實施例中，一種用於塗覆多於一種 的基材之反應器室可包含可旋轉之基座，當旋轉時該基座 的角速度具有切線分量；至少兩種安裝在該基座表面上之 基材，該基座使這些基材在該反應器室內旋轉；用於加熱 該基座之加熱器；第一氣體注射器，其係以和該等基材表 面傾斜之方式供應反應物氣體，其中該等反應物氣體係以 其流動方向與該角速度的切線分量形成一個角度的方向而 -10- 201021143 流動，其中該角度和該基座之位置無關；第二氣體注射 器，其係以和該基材表面成銳角之方式供應推進氣體；及 室氣體出口，使該等反應物氣體離開該反應器室。 在各種範例性具體實施例中，一種用於塗覆多於一種 的基材之反應器室可包含至少兩個安裝在該反應器室內之 基座；至少一種安裝到該基座表面上之基材；使該等基座 旋轉之裝置，該基座之旋轉引起該基材旋轉；用於加熱該 基座之裝置；第一氣體注射器，其係以和該基材表面傾斜 之方式供應反應物氣體，且該第一個氣體注射器之位置與 該等基座大約等距；第二氣體注射器，其係以和該基材表 面成銳角之方式供應推進氣體，使得以壓縮因加熱基座所 引起之界面層；及室氣體出口，使該等反應物氣體離開該 反應器室。 在各種範例性具體實施例中，基座可具有旋轉中心， 及第一氣體注射器大約位於該基座之旋轉中心。第二氣體 注射器大約位於基材上方。基材可放置在經加熱的基座 上，並沿著一共軸而旋轉，而該共軸係經由底板中的孔進 入該反應器室。該基座可具有以機械方式旋轉或以氣墊旋 轉方式操作的雙迴轉。 在各種範例性具體實施例中，反應器可進一步包含外 圍室壁，而該外圍室壁包含一可讓至少兩種基材進出的閘 閥。加熱裝置可提供在基座下方而用於加熱基座。反應物 氣體係通過位於外圍室壁、底板、或頂板上之通口而離 開，反應器室可具有中心點的頂部。反應物氣體可.經由入 -11 - 201021143 口而進入該反應器室，其中該入口大約位於該反應器室之 該頂部的中心點。 在各種範例性具體實施例中，反應器可進一步包含與 該室連接之旋轉棒，其中該基座係與該旋轉棒連接，且該 旋轉棒之旋轉引起該基座在該室中旋轉。反應器可進一步 包含頂板，其係沿著外部圓柱環向上移動而使可以自由接 近基材以供操作該基材。反應器可進一步包含底板，其係 沿著外部圓柱環向下移動而使可以自由接近基材以供操作 該基材。 在各種範例性具體實施例中，旋轉棒爲中空棒，且基 座表面可具有與該棒成一直線的中心入口，其中等反應物 氣體係藉由該棒及該中心入口而進入該室。反應器進一步 包含位於該中心入口上方的圓柱形零件，且該圓柱形零件 與該中心入口形成一個角度。可調節該圓柱形零件之角度 以調整該入口與該圓柱形零件之間的角度，且可調節該圓 柱形零件之位置以調整該入口與該基座之間的距離。 在各種範例性具體實施例中，反應器室可進一步包含 具有中心點的底部，其中反應物氣體係經由大約位於反應 器室之底部的中心點之入口而進入該反應器室。基座可向 上及向下移動而改變加熱器與基座之間的距離。反應器可 進一步包含反應物入口，其可經調節以調整在入口與基座 之間的角度。也可調節該反應物入口的位置以調整該入口 與該基座之間的距離。 在各種範例性具體實施例中，反應器室可進一步包含 -12- 201021143 外圍室壁，其中反應物氣體入口座落在外圍室壁，而該入 口與基座形成一個角度。該基座可向上及向下移動以改變 加熱器與該基座之間的距離。可調節反應物入口以調整該 入口與該基座之間的角度。也可調節該反應物入口的位置 以調整該入口與該基座之間的距離。 在各種範例性具體實施例中，金屬有機化學汽相沉積 (MOCVD)半導體製造反應器可包含一安裝在MOCVD反應 器室內的基座；至少兩種安裝在該基座表面上之基材；使 該基座旋轉之裝置，該基座之旋轉引起該基材旋轉，當旋 轉時該基座的角速度具有切線分量；用於加熱基座之裝 置；第一氣體注射器，其係以和該等基材表面傾斜之方式 供應反應物氣體，且其中該等反應物氣體係以其流動方向 與該角速度的切線分量形成一個角度的方向而流動，其中 該角度和基座之位置無關；第二氣體注射器，其係以和該 基材表面成銳角之方式供應推進氣體，使得以壓縮因加熱 該基座所引起之之界面層；及室氣體出口，使該等反應物 氣體離開該反應器室。 在各種範例性具體實施例中，基座可具有旋轉中心， 及第一氣體注射器大約位於該基座之旋轉中心。第二氣體 注射器大約位於基材上方。該基座可具有以機械方式旋轉 或之以氣墊旋轉方式操作的雙迴轉。 在各種範例性具體實施例中，反應器室可進一步包含 外圍室壁，而該外圍室壁具有一可讓基材進出的閘閥。反 應器室可進一步包含頂板，其係沿著外部圓柱環向上移動 -13- 201021143 而使可以自由接近基材以供操作該基材。反應器室可進一 步包含底板，其係沿著外部圓柱環向下移動而使可以自由 接近基材以供操作該基材。 在各種範例性具體實施例中，反應器室可進一步包含 位於側壁之反應物氣體。反應器室可進一步包含中空棒， 且基座之表面可具有與該棒成一直線的中心入口，其中反 應物氣體係藉由該棒及該中心入口而進入該室。 在各種範例性具體實施例中，金屬有機化學汽相沉積 (MOCVD)半導體製造反應器可包含至少兩個安裝在 MOCVD反應器室內的基座；至少一種安裝在該基座表面 上之基材；使該基座旋轉之裝置，該基座之旋轉引起該基 材旋轉；用於加熱基座之裝置；第一氣體注射器，其係以 和該基材表面傾斜之方式供應反應物氣體，且該第一個氣 體注射器之位置與該等基座大約等距；第二氣體注射器， 其係以和該基材表面成銳角之方式供應推進氣體，使得以 壓縮因加熱該基座所引起之之界面層；及室氣體出口，使 該等反應物氣體離開該反應器室。 在各種範例性具體實施例中，第二氣體注射器大約位 於基材上方。基座可以機械方式旋轉或以氣墊旋轉方式操 作。反應器室可進一步包含外圍室壁，而該外圍室壁具有 一可讓基材進出的閘閥。反應器室可進一步包含頂板，其 係沿著外部圓柱環向上移動而使可以自由接近基材以供操 作該基材。反應器室可進一步包含底板，其係沿著外部圓 柱環向下移動而使可以自由接近基材以供操作該基材。 14- 201021143 當考慮到與隨附之圖結合時，本發明之其他 益及新穎特徵將由下文之本發明詳細說明中而更 【實施方式】 參考各圖，其中數字係表示組件或步驟，且 各種範例性具體實施例之寬廣方向。 圖1係多重-晶圓雙流動MOCVD反應器： 一個具體實施例之示意圖，其係顯示本發明之原 反應器l〇la包含圓柱狀反應器容器101， 應物氣體注射器112a及112b、第二氣體注射器 氣體出口或排氣口 116。反應器101a大約是具 的圓柱形。反應器l〇la可具有直徑約60公分 板，其依次地支撐旋轉之基材承座或基座110, 放置多於一種之基材102或其他物件。基座110 通過底板之開口且經密封的旋轉軸1 03。加熱裝1 在基座110下方以便供應熱至基座110，並依次 102或其他物件。可藉由RF發電機或電阻形式 而加熱。基材102或其他物件之承座係由可容納 能耐受製程溫度及反應物氣體的適當材料製造。 石墨或塗覆有碳化矽之石墨製造。 反應物氣體注射器112a及112b係在基座1] 且位於基座110的旋轉軸中。此注射器係密； 1 15。注射器1 12a及1 12b可由金屬，例如不銹 或銅所組成。注射器1 1 2a及1 1 2b也可由具有低 目標、利 加明顯。 其中揭示 101a的第 理。 其具有反 1 14、及 有垂直軸 之圓形底 而上面可 具有一個 置107放 加熱基材 加熱元件 物件並且 承座可由 丨〇上方， 封於頂板 鋼、銘、 導熱性之 -15- 201021143 材料，例如石英、多晶形氧化鋁（Al2〇3)、及/或氮化硼所 組成。注射器1 1 2a及1 1 2b爲粗略圓柱形，其中反應物氣 體1 1 3沿著注射器1 1 2a及1 1 2b之頂部1 06進入，然後沿 著注射器1 12a及1 12b之底部以流動圖形104離開，而流 動圖形104係和基材102表面平行或傾斜，且其中反應物 流動方向與基座110旋轉之角速度的切線分量之間的角度 和基座110之位置無關。反應物氣體注射器112a及112b 係由兩個零件112a及112b組成。112b零件係爲具有兩 種不同外半徑的粗略圓柱形狀。較小的外半徑裝配在 112a中並提供了在112a與112b之間的間距以便讓反應 物氣體沿著此間隙以往下方向流動。然後較大的外半徑將 反應物氣體之流動導向粗略的水平方向。在112a與112b 之間的間距也可由集中於基座110之旋轉軸的同心管組 成。這些管可使離開反應物氣體注射器1 1 2a及1 1 2b之反 應物氣體均勻分佈。然後可讓反應物氣體沿著112a與 112b之間的間距離開並朝向基材102，以使反應物氣體之 流動與基材102表面平行或傾斜，其中反應物流動方向與 基座110旋轉之角速度的切線分量之間的角度和基座11〇 之位置無關。 反應物流動路徑係以徑向往外方式從反應物氣體注射 器11 2a及112b到該圓柱狀反應器本體101之外壁而導引 流過基材102或其他物件上，最後沿著位於外部圓柱狀室 壁119之排氣口 116離開111。舉例之，反應物氣體可由 三甲基鎵（TMG)、三甲基鋁（TMA)、二乙基鋅（DEZ)、三乙 201021143 基鎵（TEG)、雙（環戊二烯基）鎂（CP2Mg)、三甲基銦 (TMI)、三氫化砷（Ash3)、三氫化磷（PH3)、氨（NH3)、矽 烷（SiH4)、二矽烷（Si2H6)、硒化氫（H2Se)、硫化氫（H2S)、 甲烷（CH4)等所組成。 本發明之具體實施例的反應物流動圖形之俯視圖係示 於圖2。反應物氣體注射器1 12a及1 12b可射入反應物氣 體，其中在反應物流動方向104與旋轉基座110之角速度 (®s)的切線分量（Vt)之間的角度（Θ)和基座110之位置無 關。 相較於在反應物流動方向與旋轉基座110之角速度的 切線分量之間具有各種角度的反應器室，藉由使用一具有 反應物注射器1 12a及112b之反應器，而其中反應物係以 和基材102平行或傾斜之方向供應，且其中反應物流動方 向與基座110旋轉之角速度的切線分量之間的角度和基座 110之位置無關，則反應物氣體可同時橫越所有基材102 上的全部表面而均勻地沉積。此一改良的反應物注射設計 可增進基材102表面上之沉積的反應物之均勻度。此一改 良設計也可讓一致性且均句的沉積和基座11〇上之基材 102的位置無關。此舉也可讓位於基座110表面上之所有 基材102有相同的沉積膜。 再次參考圖1，第二氣體注射器1 1 4係以相距大於5 公釐，或大約15公釐的距離而位於基材102或其他物件 的上方，並在適當的位置處由安裝在反應器室l〇la之頂 板115的“L”形托座109所支撐。接著，第二氣體118係 -17- 201021143 注射在基材102表面或其他物件的上方’然後沿著與基材 102表面成垂直或銳角（例如，30°或更大）的向下流動圖形 117而行，使得以改變當熱氣體與流動方向平行或傾斜 (小於30。角）於基材102表面之較冷的反應物氣體接觸時 所產生之界面層的厚度。熱氣體之溫度範圍是大約20 0至 1 500°C，而冷氣體之溫度範圍是大約〇至200°C。第二氣 體118係由位於反應器室之頂板115上的氣體入口 105供 應。第二氣體注射器114可由在注射器114上具有開口的 “蓮蓬頭”形態之設計所組成。這些開口也可由小洞、狹 縫、同心圓、精細金屬絲網、或這些機制之組合所組成， 其係作用爲以和基材102表面成垂直或銳角的向下方向平 均地分佈所注射之氣體。第二氣體注射器1 1 4直接位於基 材102上方，以便集中在基材102表面上之反應物氣體的 氣流。由於垂直向下流到基材102或其他物件之第二氣體 係用來消除反應物氣體的再循環作用，所以可使用對該反 應物氣體無任何影響的所有氣體作爲壓制氣體。該等壓制 氣體之實例爲氫氣（H2)、氮氣（N2)、氨（He)、氖（Ne)、及 氬（Ar)。這些氣體可單獨或以其混合物使用。爲了減少在 基材102上之熱界面層，第二氣體注射器114可由高絕緣 材料，如石英（Si02)、多晶形氧化鋁（A1203)、或氮化硼 (BN)所組成。第二氣體注射器1 1 4也可由具有高導熱性 之金屬例如鋁、不銹鋼、或銅所組成，其可藉由循環流體 冷卻劑如水及/或乙二醇來冷卻。 相較於沒有使用如本發明之第二氣體流的反應器室， 201021143 藉由使用和基材102表面成垂直或銳角（如30°或更大）的 第二氣體流，可獨立地改變界面層之深度。因此，界面層 之厚度對各種可獨立控制在基材102表面上之氣體流動圖 形的沉積條件而言都可達成最佳化。界面層高度的操控可 減低當較低溫之反應物氣體與界面層接觸時所產生的渦 流。反應物氣體也可更容易地穿透界面層而允許更大的反 應物效率。 使用和基材102表面成垂直或銳角（如30°或更大）的 第二氣體流，可藉由將反應物氣體集中沉積在基材102表 面上，而使反應器表面之附加沉積的量減至最低。此舉也 使摻入基材102之雜質（其會使基材102受損）的量減至最 低。這些非所欲之沉積物在一段時間後也會造成反應器沉 積條件如基材1 02溫度及化學蒸汽流動圖形改變。此外， 藉由使不想要之表面上的附加沉積減至最小，落到基材 102或其他物件並使其損害的雜質量也就顯著地減少。這 些陳述之利益將顯著地減少習知之反應器設計所需之清洗 及調理步驟的次數。 爲了控制基材102及基座110上方之界面餍而使用和 基材102表面成垂直或銳角的第二氣體流，當注射器結構 要求基材102保持面朝下時，可排除爲了支撐基材102在 適當位置中而安裝面板、夾具、夾子、黏著劑、或其他複 雜機制的需求。這些複雜的機制會干擾反應物氣體的流動 圖形而在基材102表面上產生不均勻的沉積。此外，使用 這些複雜的機制來支撐基材102在適當位置也會於沉積過 -19- 201021143 程期間導入雜質。 藉由使用具有一種速度之第二氣體流，可消除因利用 具有二或多種氣體速度之第二氣體注射器而在多重氣體速 度之界面處所產生的渦流。任何在氣體流動圖形中的渦流 會藉由造成不穩定瞬態流動圖形而在反應物沉積於基材 102時引起有害作用，該不穩定瞬態流動圖形將影響沉積 膜的均勻度及再現性。 經由使用和基材102表面成垂直或銳角的第二氣體流 並結合可讓結晶膜層沉積於多於一個基材102或其他物件 的反應器設計機制，反應器之產量及依此之每沉積步驟的 總輸出生產力就可大大地增加。此反應器設計的另一優點 係能輕易地依比例決定反應器組件以便容納各種數目的基 材102，而無需改變反應器組件的整個設計。此舉在製造 用於各種客戶化應用的這些系統時有更大彈性。 包含反應物氣體注射器112a及112b和第二氣體注射 器114的反應器頂板115係藉由位於反應器容器之外直徑 上的橡膠Ο形環而密封至主反應器側壁119。此舉允許在 沉積步驟完成後，爲了替換基材102或其他物件，可藉由 除去頂板115而接近反應器。依此，基材102或其他物件 可根據所需而加以替換。反應器外壁係由不銹鋼所組成， 並可藉由循環流體如水及/或乙二醇而以流動方式冷卻。 圖3a顯示根據本發明之MOCVD反應器201a的另一 具體實施例，其中反應器201a具有中空旋轉棒210，以 使反應物氣體可沿著旋轉棒210進入反應器室。 -20- 201021143 圖3b顯示可用於反應器201a之基座 所示，反應器 201a在底板207中具有 208，此入口包括一沿著旋轉棒210及基座 口 209。此氣體入口 2 09可讓反應物氣體注 中。 加熱裝置211安置在基座212下方以便 212，並依次加熱基材217。可藉由RF發電 加熱元件而加熱。 當基座212旋轉時，反應物氣體將經由 部進入並引至旋轉棒210之頂部，再通過基 口。如箭頭213所示，這些反應物氣體以和 或或傾斜（小於30°角）的流動方式被吸引 217，其中反應物流動方向與基座212旋轉 線分量之間的角度與基座212之位置無關 217上沉積某種材料。根據本發明，此反應 引來如上文所述之相同優點。 如上文般，反應物氣體係藉由與基材表 角（例如，30°或更大）的第二個氣流214 217。此第二個氣流係以位於基材217上方 射器205而如上述般注射。 第二氣體注射器205係以相距大於5 15公釐的距離位於基材217上方，並在適 安裝在反應器室201a之頂板204的“ L”形 撐。然後第二氣體216注射在基材217表面 2 1 2。如圖3 a 中心氣體入口 212之氣體入 入反應器201a 供應熱至基座 機或電阻形式 旋轉棒210底 座212中之開 基材2 1 7平行 到旋轉之基材 之角速度的切 ，然後在基材 物流動設計可 面成垂直或銳 而更推近基材 之第二氣體注 公釐，或大約 當的位置處由 托座202所支 上方。第二氣 201021143 體216係由位於反應器室201a之頂板204上的氣體入口 203來供應。 如箭頭215所示，沒有沉積之反應物206係導向沈積 室的外壁，並經由位於反應器室之側壁218上的排氣口 2〇1離開。根據本發明，此第二個氣流可引來如上文所述 之相同優點。 圖4顯示根據本發明之MOCVD反應器301a的另一 具體實施例，其中反應器具有中空旋轉棒310，以使反應 物氣體可沿著旋轉棒310進入反應器室。圖3b之基座可 用於反應器301a中。 反應器301a包含中心氣體入口 309，此入口包括一 位於反應器301a之底板307的氣體入口 308，其延伸經 過轉棒310及基座312。像圖3a之具體實施例般，此氣 體入口 309可讓反應物氣體注入反應器301a中。 加熱裝置311安置在基座312下方以便供應熱至基座 312，並依次加熱基材318。可藉由RF發電機或電阻形式 加熱元件而加熱。 當基座312旋轉時，反應物氣體將經由旋轉棒310底 部進入並引至旋轉棒310之頂部，再通過基座312中的開 口。再者，位於基座312之開口上方的可調整圓柱盤316 可進一步幫助這些反應物氣體以和基材318平行或傾斜的 氣流313朝向旋轉之基材318’其中反應物流動方向與基 座312旋轉之角速度的切線分量之間的角度與基座312之 位置無關，然後在基材318上沉積某種材料。根據本發 -22- 201021143 明，此反應物流動設計可引來如上文所述之相同優點。像 圖1之具體實施例般，反應物氣體也可藉由與基材318表 面成垂直或銳角的第二個氣流314而更推近基材318。 此第二個氣流314係以位於基材318上方之第二氣體 注射器305而如圖1之具體實施例所說明般注射。第二氣 體注射器305係以相距大於5公釐，或大約15公釐的距 離位於基材318上方，並在適當的位置處由安裝在反應器 室30 1a之頂板304的“ L”形托座302所支撐。然後第二 氣體317注射在基材318表面上方。第二氣體317係由位 於反應器室301a之頂板3 04上的氣體入口 303來供應。 如路徑3 1 5所示，沒有沉積之反應物306係導向沈積 室的外壁，並經由位於反應器室之側壁319上的排氣口 301離開。根據本發明，此第二個氣流314可引來如上文 所述之相同優點。 圖5顯示根_本發明之MOCVD反應器401a的另一 具體實施例，其中反應器401a具有用於注入反應物氣體 415之反應物氣體注射器416a及416b，反應物氣體來自 位於反應器室401a之側壁420上的氣體入口 401，及其 中反應器401a具有中空旋轉棒410，以使廢體4〇9可經 由旋轉棒410離開反應器室401a。 加熱裝置411安置在基座412下方以便供應熱至基座 412，並依次加熱基材419。可藉由RF發電機或電阻形式 加熱元件而加熱。 第二氣體418係以位於基材419上方之第二氣體注射 -23- 201021143 器405而如圖1之具體實施例所說明般注射。第二氣體注 射器418係以相距大於5公釐，或大約15公釐的距離位 於基材419上方，並在適當的位置處由安裝在反應器室 401a之頂板404的“ L”形托座402所支撐。然後第二氣 體418注射在基材419表面上方。第二氣體418係由位於 反應器室401a之頂板4 04上的氣體入口 403來供應。 圖6顯示注射器416a及416b，其可用於反應器 401a，並包含安裝在反應器室401a之側壁的圓柱形入 口。此入口係由兩個具有圓環形狀的零件416a及416b組 成。這些零件416a及416b之安裝可使得在彼等零件 416a及416b之間的小開口 415能讓反應物氣體流入反應 器室401&中。此開口也可由小洞、狹縫、同心圓、精細 金屬絲網、或任何這些機制之組合所組成，係用於使已注 入之反應物氣體流以方向413流動平均分佈，而該方向 413係與基材419表面平行或傾斜，且其中如圖1之具體 實施例所說明般，反應物流動方向與基座412旋轉之角速 度的切線分量之間的角度和基座412之位置無關。根據本 發明，此反應物流動設計可引來如上文所述之相同優點。 如圖1之具體實施例的說明，圖5之反應物氣體係藉 由與反應物氣體413之流動方向及基材419表面成垂直或 銳角的第二個氣流414而更推近基材419。此第二個氣流 414係以位於基材419上方之氣體注射器405而如圖1之 具體實施例所述般注射。沒有沉積之反應物409係導向基 座412中的開口及旋轉棒410，並經由位於反應器室401a 201021143 之底部407的排氣口 408離開》此第二個氣流414可引來 根據本發明之如上文所述的相同優點。 圖7顯示根據本發明之MOCVD反應器501a的又一 具體實施例，反應器501a包含旋轉之基座510、反應物 氣體入口 506、第二氣體入口 505、在基座510上面之基 材502、及加熱器507，所有這些係類似於圖1之反應 器。在大部份的關係中，反應器501a係依圖1之反應器 101a的相同方式作用。然而，在反應器501a中，基座 510係經由棒503安裝到反應器501的底部，該棒5 03可 依箭頭520a、520b、520c、及520d所示之方向移動，以 調整在加熱器5 07與基座510之間的距離及角度。也就是 說，基座510可依520a及520b之方向垂直移動。基座 510也可依520c及52 0d之方向有角度地移動或傾斜，以 + /-15度之角度較佳。此一調整可改變連接到基座510之 熱量以便調整基座510上的溫度分佈，進而改變基座510 及被基座510支撐在上面之基材502的溫度分佈圖。旋轉 之基座5 1 0係以經電腦控制的步進馬達操作。 如圖7之進一步顯示，用於注入反應物氣體513之反 應物氣體注射器512a及512b也可依箭頭521a、521b、 521c、及521d所示之方向調整，以改變在基座510與反 應物氣體注射器512a及512b之間的距離及角度。也就是 說，注射器512b可藉由依箭頭521a及521b所示之方向 利用操作器垂直調整。再者，注射器512a及512b可依 521c及521d所示之方向有角度地調整，以+/-15度之角 -25- 201021143 度較佳。512a及512b兩部份可轉成角度/傾斜，並可獨立 地向上及向下移動。這些調整可改變被基座510支撐在上 面之基材502的半導體沉積條件。 第二氣體係以位於基材502上方之第二氣體注射器 5 1 4而如圖1之具體實施例所述般注射。第二氣體注射器 514係以相距大於5公釐，或大約15公釐的距離位於基 材502上方，並在適當的位置處由安裝在反應器室501a 之頂板515的“ L”形托座509所支撐。然後第二氣體注 射在基材502表面上方。第二氣體係由位於反應器室501 之頂板515上的氣體入口 505來供應。 此外，第二氣體注射器514也可依箭頭522a、 522b、522c、及522d所示之方向調整，以改變在第二氣 體注射器514與基座510之間的距離及角度。也就是說， 第二氣體注射器514可依箭頭522a及522b所示之方向而 垂直調整。再者，第二氣體注射器514也可依522c及 5 22d所示之方向傾斜成一角度，以+/-15度之角度較佳。 同時這些調整可改變被基座510支撐在上面之基材502的 半導體沉積條件。所以這些移動零件係藉由可調整螺絲而 移動或傾斜，但也可藉由經電腦控制之步進馬達而移動/ 傾斜。沒有沉積之反應物516係導向沈積室的外壁，並經 由位於反應器室501a之側壁508上的排氣口離開。 圖8顯示根據本發明之MOCVD反應器601a的又一 具體實施例，反應器601a包含反應物氣體入口 606及第 二氣體入口 605，所有這些係類似於圖1之反應器。在大 201021143 部份的關係中，反應器601a係依圖1之反應器l〇la的相 同方式作用。 反應器601a包含圓柱狀反應器容器601，其具有反 應物氣體注射器612a及612b、第二氣體注射器614、及 供沒有沉積之反應物616用的排氣口 608。反應器601a 係一具有垂直軸的粗略圓柱形。反應器601a可具有直徑 約60公分之圓形底板601，其依次地支撐旋轉之基座 φ 610a及610b，而基座上面可放置基材602a及602b。基 座610a及610b分別具有通過底板601之開口且經密封的 旋轉軸603 a及603 b。 加熱裝置621a及621b各別地安置在基座610a及 610b下方以便供應熱至基座610a及610b，並依次加熱基 材602a及6 02 b。可藉由RF發電機或電阻形式加熱元件 而加熱。 反應物氣體注射器612a及612b係在基座610a與 魯 6 10b之間的上方。注射器612a及612b係密封於頂板 615。注射器612a及612b可由金屬，例如不銹鋼、鋁、 或銅所組成。注射器612a及612b也可由具有低導熱性之 材料，例如石英、多晶形氧化鋁（ai2o3)、及/或氮化硼所 組成。注射器612a及612b爲粗略圓柱形，其中反應物氣 體613沿著注射器6 12a及612b之頂部606進入，然後經 由注射器612a及612b之底部以流動圖形604離開，而流 動圖形6 04係和基材602a及6 02b之表面平行或傾斜，且 其中反應物流動方向與基座610a及610b旋轉之角速度的 -27- 201021143 切線分量之間的角度和基座61 〇&及61 〇b之位置無關。 反應物流動路徑611係以徑向往外方式從反應物氣體 注射器612a及612b到該圓柱狀反應器本體601之外壁而 導引流過基材602a及602b上方，最後經由位於外部圓柱 狀室壁619之排氣口 608離開。 第二氣體注射器614係以相距大於5公釐，或大約 15公釐的距離而位於基材602a及602b的上方，並在適 當的位置處由安裝在反應器室601a之頂板615的“L”形 托座609所支撐。接著，第二氣體618係注射在基材 602a及602b之表面的上方，然後沿著與基材602a及 602b表面成垂直或銳角（例如，30°或更大）的向下流動圖 形617而行。第二氣體618係由位於反應器室之頂板615 上的氣體入口 605供應。 然而，在反應器室601a中係將單一基座替換爲至少 兩個旋轉之基座610a及610b，每一基座610a及610b支 持著至少一種基材602a及602b。該至少兩個旋轉之基座 610a及610b與反應物氣體注射器612a及612b大約等距 620。相較於反應器室中反應物注射器612a及612b與旋 轉基座610a及610b具有不同距離的反應器室，藉由使用 具有反應物注射器612a及612b之反應器（其中反應物係 以和基材602a及602b平行或傾斜之方向供應，及其中反 應物注射器612a及612b與至少兩個旋轉之基座610a及 610b大約等距），反應物氣體可同時均勻地沉積在所有基 座610a及610b上的基材602a及602b表面。此一改良的 201021143 反應物注射設計可增進基材602a及602b表面上之沉積的 反應物之均勻度。此一改良設計也可讓一致性且均勻的沉 積與基座610a及610b上之基材602a及602b的位置無 關。此舉也可讓位於基座610a及610b表面上之所有基材 602a及602b有相同的沉積膜。此外，藉由依此方式定位 反應物注射器612a及612b，就可排除雙迴轉基座之使 用。此舉可大大簡化基座設計，進而大大地使反應器零件 之成本及複雜度減至最低。 本文所說明之相關於圖7的可移動之基座安排及可調 整角度之基座也可用於反應器201a (圖3a)及301a (圖 4)，均爲具有通過基座之反應物氣體入口的反應器。可移 動之第二氣體入口安排及可調整角度之第二氣體入口也可 用於反應器201a (圖3a)、301a (圖4)、401a (圖5)、及 601a (圖8)。可移動之反應物氣體入口安排及可調整角度 之反應物氣體入口也可用於反應器401a (圖5)及601a (圖 8)。這些反應器包含僅有一種或所有這些調整選項。 雖然本發明已參考確定之較佳具體實施例而相當詳細 地說明，但其他變異也是可行的。許多不同的氣體入口、 氣體出口、及基座都可使用。這些氣體入口及出口可安排 在許多不同的位置。根據本發明之反應器可用來使來自諸 多不同材料系統的許多不同半導體晶體成長。 雖然各種範例性具體實施例已特定地參考確定之範例 性方向而詳細說明，但應明瞭的是本發明還可容納其他的 具體實施例’且其詳述中還能容納各種不同方向的修正。 -29 - 201021143 如同熟諳此藝者所輕易看見的，只要是屬於本發明之精神 及範圍，各種變更及修正都可進行。因此，前述之揭示內 容、說明、及圖都只是爲了解說目的，並不以任何方式限 制本發明，而本發明只受申請專利範圍所定義。 【圖式簡單說明】 下文中，本發明將不受限於本發明之一般槪念並藉由 和圖相關之具體實施例來解說，而相對於本文中未解說之 本發明的發明細節這些圖都進行了清楚的參考。這些圖無 需以衡量、強調來替代圖示解說本發明之原理。 圖1係本發明之第一個具體實施例的示意圖，其中圖 示氣體的流動方向； 圖2係圖示如本發明之較佳具體實施例所述的反應物 流動圖形之俯視圖； 圖3a係本發明之第二個具體實施例的示意圖，其中 圖示氣體的流動方向； 圖3b係一可用於圖3a之反應器的基座示意圖； 圖4係牢發明之第三個具體實施例的示意圖，其中圖 示氣體的流動方向； 圖5係本發明之第四個具體實施例的示意圖，其中圖 示氣體的流動方向； 圖6係一可用於圖5之反應器的反應物氣體注射器之 示意圖； 圖7係本發明之第五個具體實施例的示意圖，其中圖 -30- 201021143 示氣體的流動方向； 圖8係本發明之第六個具體實施例的示意圖，其中圖 示氣體的流動方向。
【主要元件符號說明】 l〇la :反應器 101 :反應器容器 1 02 :基材 103 :旋轉軸 1 0 4 :流動圖形 105 :氣體入口 106 :頂部 1 〇 7 :加熱裝置 109 : “ L”形托座 1 1 0 :基座 111 :最後離開 1 12a :反應物氣體注射器 1 12b :反應物氣體注射器 1 13 :反應物氣體 1 1 4 :第二氣體注射器 1 1 5 :頂板 1 1 6 :排氣口 1 1 7 :向下流動圖形 1 18 :第二氣體 -31 - 201021143 119:外部圓柱狀室壁 ω :角速度 Vt :切線分量 Θ :角度 201a : MOCVD 反應器 201 :排氣口 202 : “ L”形托座 203 :氣體入口 204 :頂板 205 :第二氣體注射器 206 :沒有沉積之反應物 207 :底板 208:中心氣體入口 209 :氣體入口 210 :中空旋轉棒 2 1 1 :加熱裝置 212 :基座 213 :箭頭 2 1 4 :第二個氣流 215 :箭頭 216 :第二氣體 217 :基材 2 1 8 :側壁 301a : MOCVD 反應器 201021143 301 ： 302 ： 3 03 ： 304 ： 3 05 ： 3 06 ： 3 07 ：
3 09 ： 3 10： 3 11： 3 12： 3 13： 3 14： 3 15： • 316 : 3 17： 3 18： 3 19： 40 1 a 402 ： 403 ： 4 04 ： 405 ： 排氣口 “L”形托座 氣體入口 頂板 第二氣體注射器 沒有沉積之反應物 底板 氣體入口 中心氣體入口 中空旋轉棒 加熱裝置 基座 氣流 第二個氣流 路徑 可調整圓柱盤 第二氣體 基材 側壁 :MOCVD反應器 “L”形托座 氣體入口 頂板 第二氣體注射器 -33 201021143 407 :底部 4 0 8 :排氣口 409 :沒有沉積之反應物 410 :中空旋轉棒 4 1 1 :加熱裝置 412 :基座 413 :方向
4 1 4 :第二個氣流 4 1 5 :反應物氣體 4 16a :反應物氣體注射器 4 16b :反應物氣體注射器 418 :第二氣體 419 :基材 4 2 0 :側壁 501a ： MOCVD 反應器
501 :反應器室 502 :基材 5 03 ：棒 5 05 :第二氣體入口 5 06 :反應物氣體入口 5 0 7 :加熱器 5 0 8 :側壁 5 09 : “ L”形托座 510 :旋轉之基座 -34- 201021143 512a :反應物氣體注射器 5 12b :反應物氣體注射器 5 1 3 :注入之反應物氣體 5 1 4 :第二氣體注射器 5 1 5 :頂板 516:沒有沉積之反應物 520a :箭頭方向
520b :箭頭方向 5 20c :箭頭方向 520d :箭頭方向 521a :箭頭方向 521b :箭頭方向 5 2 1 c :箭頭方向 521d :箭頭方向 522a :箭頭方向 5 22b :箭頭方向 522c :箭頭方向 5 22d :箭頭方向 601a :反應器 601 :反應器容器&底板 602a :基材 602b :基材 6〇3a :旋轉軸 603 b :旋轉軸 -35 201021143 6 0 4 :流動圖形 605 :氣體入口 6 0 6 .頂部 6 0 8 :排氣口 6 0 9 : “ L ”形托座 6 1 0 a :基座 6 10b ：基座 6 1 1 :反應物流動路徑 6 12a :反應物氣體注射器 6 12b :反應物氣體注射器 6 1 3 :反應物氣體 6 1 4 :第二氣體注射器 6 1 5 :頂板 6 1 6 :沒有沉積之反應物 6 1 7 :向下流動圖形 61 8 :第二氣體 619:外部圓柱狀室壁 620 :大約等距 6 2 1 a :加熱裝置 62 1b :加熱裝置 -36-
Claims (1)
- 201021143 十、申請專利範圍 1-—種用於塗覆多於一種的基材之反應器室，其包 含： 可旋轉之基座，當旋轉時該基座的角速度具有切線分 · 里 ， 至少兩種安裝在該基座表面上之基材，該基座使該等 基材在該反應器室內旋轉； •用於加熱該基座之裝置； 第一氣體注射器，其係以和該等基材表面傾斜之方式 供應反應物氣體， 其中該等反應物氣體係以其流動方向與該角速度的切 線分量形成一個角度的方向而流動， 其中該角度與該基座之位置無關； 第二氣體注射器，其係以和該基材表面成銳角之方式 供應推進氣體；及 含： 室氣體出口，使該等反應物氣體離開該反應器室。 2. 一種用於塗覆至少一種基材之反應器室，其包 至少兩個安裝在該反應器室內之基座； 至少一種安裝到該基座表面上之基材； 使該等基座旋轉之裝置，該基座之旋轉引起該基材旋 轉； 用於加熱該基座之裝置； 第一氣體注射器，其係以和該基材表面傾斜之方式供 -37- 201021143 應反應物氣體， 其中該第一氣體注射器之位置與該等基座大約等距； 第二氣體注射器，其係以和該基材表面成銳角之方式 供應推進氣體；及 室氣體出口，使該等反應物氣體離開該反應器室。 3. 如申請專利範圍第1項之反應器，其中該基座具 有旋轉中心，及該第一氣體注射器大約位於該基座之旋轉 中心。 4. 如申請專利範圍第1項之反應器，其中該第二氣 體注射器大約位於該等基材上方。 5. 如申請專利範圍第1項之反應器，其中該等基材 係放置在經加熱的基座上，並沿著一共軸而旋轉。 6. 如申請專利範圍第1項之反應器，其中該基座係 以機械方式旋轉之雙迴轉基座。 7. 如申請專利範圍第1項之反應器，其中該基座係 以氣墊旋轉方式操作之雙迴轉基座。 8. 如申請專利範圍第1項之反應器，其進一步包含 外圍室壁，而該外圍室壁使用一可讓該等基材進出的閘 閥，該外圍室壁進一步包含反應物氣體入口，而該入口與 該基座形成一個角度。 9. 如申請專利範圍第1項之反應器，其中該用於加 熱該基座之裝置係提供在該基座下方。 10. 如申請專利範圍第1項之反應器，其中該等反應 物氣體係通過位於外圍室壁上之通口而離開，該外圍室壁 -38 - 201021143 可沿著外部圓柱環向上移動而使可以自由接近該等基材以 供操作該等基材。 11. 如申請專利範圍第1項之反應器，其中該等反應 物氣體係通過位於底板上之通口而離開，該底板可沿著外 部圓柱環向下移動而使可以自由接近該等基材以供操作該 等基材。 12. 如申請專利範圍第1項之反應器，其中該等反應 物氣體係通過位於頂板上之通口而離開，該頂板可沿著外 部圓柱環向上移動而使可以自由接近該等基材以供操作該 等基材。 13. 如申請專利範圍第1項之反應器，其中該反應器 室進一步包含具有中心點的頂部，其中該等反應物氣體係 經由大約位於該反應器室之該頂部的中心點之入口而進入 該反應器室。 14. 如申請專利範圍第1項之反應器，其進一步包含 與該室連接之旋轉棒，其中該基座係與該旋轉棒連接，且 該旋轉棒之旋轉使得該基座與該棒成一直線而在該室中旋 轉，其中該等反應物氣體係藉由該棒而進入該室。 15. 如申請專利範圍第14項之反應器，其中該旋轉 棒爲中空棒，且其中該基座表面進一步包含與該棒成一直 線的中心入口，其中該等反應物氣體係藉由該棒及該中心 入口而進入該室。 16. 如申請專利範圍第15項之反應器’其進一步包 含位於該中心入口上方的圓柱形部份，且該圓柱形部份與 -39- 201021143 該中心入口形成一個角度，其中可調節該角度以調整該中 心入口與該圓柱形部份之間的距離。 17·如申請專利範圍第〗項之反應器，其中該反應器 室進一步包含具有中心點的底部，其中該等反應物氣體係 經由大約位於該反應器室之該底部的中心點之入口而進入 該反應器室。 18. 如申請專利範圍第1項之反應器，其中該基座可 向上及向下移動而改變該用於加熱該基座之裝置與該基座 之間的距離。 19. 如申請專利範圍第1項之反應器’其進一步包含 反應物入口，且可調節該入口以調整在該入口與該基座之 間的角度及距離。 -40-
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US96069107P | 2007-10-10 | 2007-10-10 | |
| PCT/US2008/005934 WO2009048490A1 (en) | 2007-10-10 | 2008-05-09 | Chemical vapor deposition reactor chamber |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201021143A true TW201021143A (en) | 2010-06-01 |
Family
ID=40549449
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW097145953A TW201021143A (en) | 2007-10-10 | 2008-11-27 | Chemical vapor deposition reactor and process chamber for said reactor |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20100199914A1 (zh) |
| JP (1) | JP2011501409A (zh) |
| KR (1) | KR20100061740A (zh) |
| TW (1) | TW201021143A (zh) |
| WO (1) | WO2009048490A1 (zh) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102181923A (zh) * | 2011-04-28 | 2011-09-14 | 浙江昀丰新能源科技有限公司 | 气相外延装置和气相外延方法 |
| TWI554637B (zh) * | 2014-10-13 | 2016-10-21 | Tes股份有限公司 | 金屬有機化學汽相沈積裝置 |
| TWI564428B (zh) * | 2014-10-13 | 2017-01-01 | Tes股份有限公司 | 金屬有機化學汽相沈積裝置 |
| CN112813414A (zh) * | 2020-12-30 | 2021-05-18 | 上海埃原半导体设备有限公司 | 一种化学气相沉积系统 |
| TWI752671B (zh) * | 2020-10-12 | 2022-01-11 | 松勁科技股份有限公司 | 用於低壓化學氣相沉積(lpcvd)系統的立式爐管之注射器 |
| WO2022077637A1 (zh) * | 2020-10-13 | 2022-04-21 | 东部超导科技（苏州）有限公司 | 喷淋板、配置喷淋板的mocvd反应系统及其使用方法 |
Families Citing this family (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8070880B2 (en) * | 2007-10-22 | 2011-12-06 | Hitachi Kokusai Electric, Inc. | Substrate processing apparatus |
| JP5195174B2 (ja) * | 2008-08-29 | 2013-05-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
| US9297072B2 (en) * | 2008-12-01 | 2016-03-29 | Tokyo Electron Limited | Film deposition apparatus |
| TW201122149A (en) * | 2009-12-31 | 2011-07-01 | Univ Nat Chiao Tung | Reactor, chemical vapor deposition reactor, and metal organic chemical vapor deposition reactor |
| US9705028B2 (en) * | 2010-02-26 | 2017-07-11 | Micron Technology, Inc. | Light emitting diodes with N-polarity and associated methods of manufacturing |
| DE102010016471A1 (de) * | 2010-04-16 | 2011-10-20 | Aixtron Ag | Vorrichtung und Verfahren zum gleichzeitigen Abscheiden mehrerer Halbleiterschichten in mehreren Prozesskammern |
| DE102010016477A1 (de) * | 2010-04-16 | 2011-10-20 | Aixtron Ag | Thermisches Behandlungsverfahren mit einem Aufheizschritt, einem Behandlungsschritt und einem Abkühlschritt |
| TW201246297A (en) * | 2011-04-07 | 2012-11-16 | Veeco Instr Inc | Metal-organic vapor phase epitaxy system and process |
| TWI505400B (zh) | 2011-08-26 | 2015-10-21 | Lg Siltron Inc | 基座 |
| KR101239163B1 (ko) * | 2011-08-26 | 2013-03-05 | (주) 라미나 | 반응기용 실린더 |
| KR101339534B1 (ko) * | 2012-01-13 | 2013-12-10 | 주식회사 엘지실트론 | 서셉터 |
| FI124298B (en) | 2012-06-25 | 2014-06-13 | Beneq Oy | Device for treating substrate surface and nozzle head |
| CN103866281B (zh) * | 2012-12-12 | 2016-12-07 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 等离子体增强化学气相沉积设备 |
| TWI502096B (zh) | 2013-06-17 | 2015-10-01 | Ind Tech Res Inst | 用於化學氣相沉積的反應裝置及反應製程 |
| JP2015056632A (ja) * | 2013-09-13 | 2015-03-23 | 東京エレクトロン株式会社 | シリコン酸化膜の製造方法 |
| KR101354784B1 (ko) * | 2013-10-01 | 2014-01-23 | 주식회사 엘지실트론 | 서셉터 |
| US10351955B2 (en) * | 2013-12-18 | 2019-07-16 | Lam Research Corporation | Semiconductor substrate processing apparatus including uniformity baffles |
| JP6221932B2 (ja) * | 2014-05-16 | 2017-11-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
| CN106471153B (zh) | 2014-07-17 | 2019-11-08 | 应用材料公司 | 使用转盘式批沉积反应器沉积钴层的方法和设备 |
| US10094023B2 (en) | 2014-08-01 | 2018-10-09 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for chemical vapor deposition of a cobalt layer |
| KR102372893B1 (ko) * | 2014-12-04 | 2022-03-10 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자 제조용 화학 기상 증착 장치 |
| WO2017015277A1 (en) * | 2015-07-21 | 2017-01-26 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Multi-wafer reactor |
| US10533251B2 (en) | 2015-12-31 | 2020-01-14 | Lam Research Corporation | Actuator to dynamically adjust showerhead tilt in a semiconductor processing apparatus |
| US10865477B2 (en) * | 2016-02-08 | 2020-12-15 | Illinois Tool Works Inc. | Method and system for the localized deposit of metal on a surface |
| JP7065857B2 (ja) | 2016-09-19 | 2022-05-12 | キング・アブドゥッラー・ユニバーシティ・オブ・サイエンス・アンド・テクノロジー | サセプター |
| JP6760833B2 (ja) * | 2016-12-20 | 2020-09-23 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
| US11979965B2 (en) | 2017-01-10 | 2024-05-07 | King Abdullah University Of Science And Technology | Susceptors for induction heating with thermal uniformity |
| CN117810127A (zh) | 2017-02-23 | 2024-04-02 | 株式会社国际电气 | 基板处理装置、半导体装置的制造方法、基板处理方法、容器及存储介质 |
| US11742231B2 (en) * | 2019-10-18 | 2023-08-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Movable wafer holder for film deposition chamber having six degrees of freedom |
| KR102489015B1 (ko) * | 2021-11-10 | 2023-01-13 | 신정훈 | 질화갈륨 단결정 성장을 위한 하이드라이드 기상 증착 장비 |
| CN116364614A (zh) * | 2021-12-27 | 2023-06-30 | 南昌中微半导体设备有限公司 | 一种晶圆传输装置、气相沉积系统及使用方法 |
| WO2024118468A1 (en) * | 2022-11-28 | 2024-06-06 | Veeco Instruments Inc. | Multi-disc chemical vapor deposition system |
| CN118007093B (zh) * | 2024-02-19 | 2024-07-26 | 江苏协鑫特种材料科技有限公司 | 一种用于碳化硅涂层生产的沉积炉进气结构 |
Family Cites Families (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3772659D1 (de) * | 1986-06-28 | 1991-10-10 | Ulvac Corp | Verfahren und vorrichtung zum beschichten unter anwendung einer cvd-beschichtungstechnik. |
| DE3751755T2 (de) * | 1986-06-30 | 1997-04-03 | Nihon Sinku Gijutsu K K | Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden aus der Gasphase |
| US4800105A (en) * | 1986-07-22 | 1989-01-24 | Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha | Method of forming a thin film by chemical vapor deposition |
| US5244501A (en) * | 1986-07-26 | 1993-09-14 | Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha | Apparatus for chemical vapor deposition |
| EP0255454A3 (en) * | 1986-07-26 | 1991-11-21 | Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha | Apparatus for chemical vapor deposition |
| US5334277A (en) * | 1990-10-25 | 1994-08-02 | Nichia Kagaky Kogyo K.K. | Method of vapor-growing semiconductor crystal and apparatus for vapor-growing the same |
| US5665640A (en) * | 1994-06-03 | 1997-09-09 | Sony Corporation | Method for producing titanium-containing thin films by low temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition using a rotating susceptor reactor |
| US6093252A (en) * | 1995-08-03 | 2000-07-25 | Asm America, Inc. | Process chamber with inner support |
| US5653808A (en) * | 1996-08-07 | 1997-08-05 | Macleish; Joseph H. | Gas injection system for CVD reactors |
| US6184158B1 (en) * | 1996-12-23 | 2001-02-06 | Lam Research Corporation | Inductively coupled plasma CVD |
| US20030049372A1 (en) * | 1997-08-11 | 2003-03-13 | Cook Robert C. | High rate deposition at low pressures in a small batch reactor |
| US6293749B1 (en) * | 1997-11-21 | 2001-09-25 | Asm America, Inc. | Substrate transfer system for semiconductor processing equipment |
| US6190732B1 (en) * | 1998-09-03 | 2001-02-20 | Cvc Products, Inc. | Method and system for dispensing process gas for fabricating a device on a substrate |
| US6309465B1 (en) * | 1999-02-18 | 2001-10-30 | Aixtron Ag. | CVD reactor |
| US6328221B1 (en) * | 2000-02-09 | 2001-12-11 | Moore Epitaxial, Inc. | Method for controlling a gas injector in a semiconductor processing reactor |
| DE10018015A1 (de) * | 2000-04-11 | 2001-10-25 | Infineon Technologies Ag | Anordnung zur Durchführung eines plasmabasierten Verfahrens |
| US6331212B1 (en) * | 2000-04-17 | 2001-12-18 | Avansys, Llc | Methods and apparatus for thermally processing wafers |
| JP2002110564A (ja) * | 2000-10-02 | 2002-04-12 | Japan Pionics Co Ltd | 気相成長装置及び気相成長方法 |
| US6428847B1 (en) * | 2000-10-16 | 2002-08-06 | Primaxx, Inc. | Vortex based CVD reactor |
| TW544775B (en) * | 2001-02-28 | 2003-08-01 | Japan Pionics | Chemical vapor deposition apparatus and chemical vapor deposition method |
| US7118781B1 (en) * | 2003-04-16 | 2006-10-10 | Cree, Inc. | Methods for controlling formation of deposits in a deposition system and deposition methods including the same |
| US20050178336A1 (en) * | 2003-07-15 | 2005-08-18 | Heng Liu | Chemical vapor deposition reactor having multiple inlets |
-
2008
- 2008-05-09 US US12/679,870 patent/US20100199914A1/en not_active Abandoned
- 2008-05-09 JP JP2010528858A patent/JP2011501409A/ja active Pending
- 2008-05-09 KR KR1020107008749A patent/KR20100061740A/ko active IP Right Grant
- 2008-05-09 WO PCT/US2008/005934 patent/WO2009048490A1/en active Application Filing
- 2008-11-27 TW TW097145953A patent/TW201021143A/zh unknown
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102181923A (zh) * | 2011-04-28 | 2011-09-14 | 浙江昀丰新能源科技有限公司 | 气相外延装置和气相外延方法 |
| TWI554637B (zh) * | 2014-10-13 | 2016-10-21 | Tes股份有限公司 | 金屬有機化學汽相沈積裝置 |
| TWI564428B (zh) * | 2014-10-13 | 2017-01-01 | Tes股份有限公司 | 金屬有機化學汽相沈積裝置 |
| TWI752671B (zh) * | 2020-10-12 | 2022-01-11 | 松勁科技股份有限公司 | 用於低壓化學氣相沉積(lpcvd)系統的立式爐管之注射器 |
| WO2022077637A1 (zh) * | 2020-10-13 | 2022-04-21 | 东部超导科技（苏州）有限公司 | 喷淋板、配置喷淋板的mocvd反应系统及其使用方法 |
| CN112813414A (zh) * | 2020-12-30 | 2021-05-18 | 上海埃原半导体设备有限公司 | 一种化学气相沉积系统 |
| CN112813414B (zh) * | 2020-12-30 | 2022-12-09 | 上海埃延半导体有限公司 | 一种化学气相沉积系统 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20100061740A (ko) | 2010-06-08 |
| WO2009048490A1 (en) | 2009-04-16 |
| US20100199914A1 (en) | 2010-08-12 |
| JP2011501409A (ja) | 2011-01-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW201021143A (en) | Chemical vapor deposition reactor and process chamber for said reactor | |
| JP6862095B2 (ja) | エピタキシャル成長装置用のチャンバ構成要素 | |
| TWI523974B (zh) | A CVD reactor carried by a multi-zone air cushion, and a method of controlling the temperature of the surface temperature of the substrate base | |
| US7923069B2 (en) | Multi-station deposition apparatus and method | |
| US9567673B2 (en) | Substrate susceptor and deposition apparatus having same | |
| US20140326186A1 (en) | Metal-organic vapor phase epitaxy system and process | |
| US6821347B2 (en) | Apparatus and method for depositing materials onto microelectronic workpieces | |
| EP1432844B1 (en) | Apparatus for inverted cvd | |
| US6812157B1 (en) | Apparatus for atomic layer chemical vapor deposition | |
| TWI503867B (zh) | Ｃｖｄ製程及ｃｖｄ反應器 | |
| US8986451B2 (en) | Linear batch chemical vapor deposition system | |
| TW200946713A (en) | CVD apparatus | |
| US20190032244A1 (en) | Chemical vapor deposition system | |
| TW202009322A (zh) | 氣相成長裝置 | |
| JP7296523B2 (ja) | 成膜装置およびプレート | |
| TWI490367B (zh) | 金屬有機化合物化學氣相沉積方法及其裝置 | |
| JP2007109685A (ja) | 化合物半導体製造装置および化合物半導体製造方法 | |
| TW202140845A (zh) | 具有雙重前置區板的cvd反應器 | |
| JPH0547669A (ja) | 気相成長装置 | |
| JP2021009889A (ja) | 成膜装置および成膜方法 | |
| CN115786873A (zh) | 半导体制造设备、腔体总成、及成长iii族氮化物的方法 | |
| JP2021005589A (ja) | 成膜装置および成膜方法 | |
| JPH02138726A (ja) | 化合物半導体装置の製造方法 |