CN102181923A - 气相外延装置和气相外延方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种气相外延装置和气相外延方法，公开的气相外延装置包括反应腔和设于所述反应腔内部的若干反应气体喷淋头、所述若干反应气体喷淋头位置对应的若干托盘，以及驱动所述托盘的动力轴，所述动力轴包括公转轴和若干自转轴，所述自转轴与所述托盘一一对应；各所述托盘与各所述自转轴连接，或交替地与所述公转轴和各所述自转轴连接。利用本发明所提供的气相外延装置和气相外延方法，既可以有效减少化学气相外延时流动失稳，减少寄生反应的发生；又可以有效解决量子阱的厚度控制问题，为不同的异质结生长过程提供不同的选择，提高了半导体元件的质量。

Description

气相外延装置和气相外延方法

技术领域

本发明涉及半导体生产技术领域，特别是涉及一种气相外延装置和气相外延方法。

背景技术

化学气相外延(CVD或VPE)技术广泛用于制备各种半导体薄膜器件，包括微电子芯片、发光二极管(LED)、太阳光伏电池等。化学气相外延的基本过程是，将源气体从气源引入反应器，气体粒子通过输运(对流和扩散)到达衬底表面，在高温衬底上由于热激发而发生化学反应，从而在晶片上沉积单晶或多晶薄膜。

在化学气相外延薄膜制备中，一个主要的困难是如何实现薄膜厚度和组分的均匀。生长出厚度和组分均匀的薄膜材料，最关键的是到达衬底各点的反应物浓度应尽量保持均匀一致。而由于气体进口和出口的位置差异，流动的边界层效应，以及气相的化学反应消耗，到达衬底各点的反应物浓度存在本质的不均匀。目前采用的各种方法，都只能尽量减少、而不能完全避免浓度的不均匀性。

原子层外延技术是化学气相外延的一种延伸，它是将待镀的晶片轮流接触不同的反应气体，通过表面化学吸附，使待镀的外延膜以单原子膜形式每次只生长一层。原子层外延技术可以完全避免气相寄生反应，只发生表面反应，在一个周期内只生长一层原子或分子，从而可以精确地控制薄膜生长厚度。因此对于要求精确控制薄膜厚度和组分的LED结构，特别是InGaN，AlGaN等异质结生长具有重要意义。

在生长LED异质结中面临的一个重要问题是，作为LED发光层的InGaN量子阱的生长温度与NH3的分解温度不匹配。InN的生长温度约为900K，而NH3的分解温度需要1300K。因此，很难获得合适的In和N的薄膜组分，而且量子阱的厚度也很难控制。

现有的化学气相外延反应器，如中国专利CN200910027837.4，介绍了一种多喷淋头式CVD反应器，其特点是采用多个喷淋头，可以提供快速的尾气出口。但该设计的尾气出口位于反应器的上方，当反应后的尾气离开喷淋头，向上移动时，容易沉积在垂直喷淋头的外侧壁面，因此存在掉渣的危险。

现有的原子层外延反应器，CN101313086A公开了一种可以同时实现CVD和ALD的化学气相沉积装置，其实现的方法为空间分隔方式，即将托盘上方空间分隔成不同的隔间，通入不同的反应气体，利用托盘扇区的旋转扫描，使待镀的晶片交替地暴露在不同的气体环境下，实现薄膜的CVD或ALD的生长。这种方法的主要问题是，随着托盘上各点逐渐远离旋转中心，线速度逐渐加快，而外圆部分的扇区面积也大大于内圆部分，使得靠近托盘外缘的晶片比靠近中心的晶片接触更多的反应气体(或反应气体驻留时间变长)，从而造成无论是CVD或ALD方式生长，反应浓度强烈地受转速和旋转中心距离的影响，从中心到边缘发生不均匀。

因此，如何提高源气体的均匀度，提高半导体加工的产品质量，是本领域技术人员目前需要解决的技术问题。

发明内容

本发明的目的是提供一种气相外延装置，该气相外延装置能有效提高源气体的均匀度，提高半导体加工的产品质量。本发明的另一目的是提供一种应用上述气相外延装置的气相外延方法。

为实现上述发明目的，本发明提供一种气相外延装置，包括反应腔和设于所述反应腔内部的若干反应气体喷淋头、所述若干反应气体喷淋头位置对应的若干托盘，以及驱动所述托盘的动力轴，所述动力轴包括公转轴和若干自转轴，所述自转轴与所述托盘的一一对应；各所述托盘与各所述自转轴连接，或交替地与所述公转轴和各所述自转轴连接。

优选地，还包括与所述公转轴固定连接的分度盘，各所述托盘通过所述分度盘与所述公转轴连接。

优选地，所述托盘和所述自转轴一者具有卡槽，另一者具有定位键，所述卡槽与所述定位键相互配合或分离。

优选地，所述分度盘和所述托盘一者具有凹槽，另一者具有固定键，所述固定键与所述凹槽相互配合或分离。

优选地，还包括分别环绕各所述反应气体喷淋头的环形气道，该环形气道的进气口与所述反应气体喷淋头的底部位置对应。

优选地，还包括设于所述反应腔外部的第一真空泵，该第一真空泵与所述环形气道的出气口连通。

优选地，各所述反应气体喷淋头均具有独立的气源。

优选地，相邻所述反应气体喷淋头之间设有惰性气体喷淋头。

优选地，所述反应腔包括第一流通口和第二流通口，所述第一连通口为惰性气体入口，所述第二流通口为尾气出口。

优选地，还包括设于所述反应腔外部的第二真空泵，该第二真空泵与所述尾气出口连通。

本发明还提供一种气相外延方法，包括以下步骤：

各托盘在与之固定连接的自转轴的驱动下旋转预定时间；

各所述托盘分别与所述自转轴分离，并均与公转轴固定连接；

所述公转轴旋转预定角度，各所述托盘旋转至新位置后与各所述自转轴固定连接。

优选地，还包括在公转轴旋转时，利用惰性气体吹扫各所述托盘。

优选地，还包括向反应腔中充入惰性气体，并将尾气抽出所述反应腔。

优选地，所述托盘外周设有环形气道，且使环形气道的进气口靠近所述托盘的喷淋头末端，并抽出所述环形气道中的气体。

本发明所提供的气相外延装置，包括反应腔和设于所述反应腔内部的若干反应气体喷淋头、所述若干反应气体喷淋头位置对应的若干托盘，以及驱动所述托盘的动力轴，与现有技术不同的是，所述动力轴包括自转轴和公转轴，所述自转轴与所述托盘一一对应；各所述托盘与各所述自转轴连接，或交替地与所述公转轴和各所述自转轴连接。实施化学气相外延时，每个托盘与自转轴连接，由自转轴驱动托盘自转，来自喷淋头的反应气体，以垂直射流方式喷向托盘上的晶片。将传统较大的旋转托盘分解为多个相对较小的托盘，各晶片与旋转中心轴之间的距离基本相等，反应气体到晶片上的浓度也基本相等，可以确保各晶片的生产进度和质量尽量保持一致，以提高晶片上薄膜生长层的均匀性，提高半导体元件的质量。

当需要实施原子层外延时，托盘不仅自转，而且以公转轴为中心公转，每个托盘轮流旋转到每个喷淋头下方，与自转轴连接，由自转轴带动托盘自转预定时间，接受喷淋头喷出的反应气体，发生薄膜沉积，与自转轴分离，各托盘同时与公转轴连接，由公转轴带动所有托盘一起公转预定角度，至新的工作位置后与新的自转轴位置对应，与公转轴分离后与新的自转轴连接，继续自转，接受新的喷淋头喷出的反应气体，发生又一次薄膜沉积。重复上述步骤，使晶片轮流接触不同的反应前体，实现原子层外延。

这样，利用本发明所提供的气相外延装置，既可以有效减少化学气相外延时流动失稳，减少寄生反应的发生；又可以有效解决量子阱的厚度控制问题，为不同的异质结生长过程提供不同的选择，提高了半导体元件的质量。

在一种优选的实施方式中，本发明所提供的气相外延装置还包括分别环绕各所述反应气体喷淋头的环形气道，该环形气道的进气口与所述反应气体喷淋头的底部位置对应。将反应气体喷淋头的底部与环形气道位置对应，可以有效缩短反应气体的流动路径，使气体驻留的时间缩短，减少寄生反应的发生，也减少流动失稳，使薄膜生长地更均匀，半导体元件的质量更好。

在另一种优选的实施方式中，相邻所述反应气体喷淋头之间设有惰性气体喷淋头。惰性气体喷淋头可以将前一种反应气体彻底冲洗掉，使晶片轮流接触不同的反应前体或惰性气体，实现原子层外延生长，提高每一层原子层外延的纯度，提高半导体元件的质量。

在提供上述气相外延装置的基础上，本发明还提供一种应用上述气相外延装置的气相外延方法；由于气相外延装置具有上述技术效果，应用该气相外延装置的气相外延方法也具有相应的技术效果。

附图说明

图1为本发明所提供气相外延装置一种具体实施方式的结构示意图；

图2为本发明所提供气相外延装置一种具体实施方式的俯视图；

图3为图2所示气相外延装置的剖视图；

图4为本发明所提供公转轴、自转轴及分度盘一种具体实施方式的连接示意图；

图5为本发明所提供气相外延装置一种具体实施方式的工作原理图；

图6为本发明所提供气相外延方法第一种具体实施方法的工作流程图；

图7为本发明所提供气相外延方法第二种具体实施方法的工作流程图。

具体实施方式

本发明的核心是提供一种气相外延装置，该气相外延装置能有效提高源气体的均匀度，提高半导体加工的产品质量。本发明的另一核心是提供一种应用上述气相外延装置的气相外延方法。

为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步的详细说明。

请参考图1至图4，图1为本发明所提供气相外延装置一种具体实施方式的结构示意图；图2为本发明所提供气相外延装置一种具体实施方式的俯视图；图3为图2所示气相外延装置的剖视图；图4为本发明所提供公转轴、自转轴及分度盘一种具体实施方式的连接示意图；图中环形箭头所示方向为自转轴的旋转方向，其它箭头所示方向为气体流通的方向。

本发明所提供的气相外延装置，包括反应腔17和设于反应腔17内部的若干反应气体喷淋头2、若干反应气体喷淋头2位置对应的若干托盘7，以及驱动托盘7的动力轴，与现有技术不同的是，动力轴包括自转轴9和公转轴13，自转轴9与托盘7的一一对应；各托盘7与各自转轴9连接，或交替地与公转轴13和各自转轴9连接。实施化学气相外延时，每个托盘7与自转轴9连接，由自转轴9驱动托盘7自转，来自喷淋头2的反应气体，以垂直射流方式喷向托盘7上的晶片3。将传统较大的旋转托盘7分解为多个相对较小的托盘7，各晶片3与旋转中心轴之间的距离基本相等，反应气体到晶片3上的浓度也基本相等，可以确保各晶片3的生产进度和质量尽量保持一致，以提高晶片3上薄膜生长层的均匀性，提高半导体元件的质量。

当需要实施原子层外延时，托盘7不仅自转，而且以公转轴13为中心公转，每个托盘7轮流旋转到每个喷淋头2下方，与自转轴9连接，由自转轴9带动托盘7自转预定时间，接受喷淋头2喷出的反应气体，发生薄膜沉积，与自转轴9分离，各托盘7同时与公转轴13连接，由公转轴13带动所有托盘7一起公转预定角度，至新的工作位置后与新的自转轴9位置对应，与公转轴13分离后与新的自转轴9连接，继续自转，接受新的喷淋头2喷出的反应气体，发生又一次薄膜沉积。重复上述步骤，使晶片3轮流接触不同的反应前体，实现原子层外延。

这样，利用本发明所提供的气相外延装置，既可以有效减少化学气相外延时流动失稳，减少寄生反应的发生；又可以有效解决量子阱的厚度控制问题，为不同的异质结生长过程提供不同的选择，提高了半导体元件的质量。

在一种具体的实施方式中，本发明所提供的气相外延装置还可以包括与公转轴13固定连接的分度盘10，各托盘7通过分度盘10与公转轴13连接。托盘7自转时与分度盘10分离，托盘7需要公转时与分度盘10固定连接，进而使托盘7与公转轴13固定连接，使公转轴13转动时，带动分度盘10和与分度盘10固定连接的托盘7，实现托盘7公转。

其中，托盘7与自转轴9相配合的方式可以为一者具有卡槽8，另一者具有定位键；托盘7自转时，卡槽8与定位键相互配合，使托盘7与自转轴9固定连接；托盘7公转时，卡槽8与定位键分离，使托盘7公转时与自转轴9分离。

同时，托盘7与分度盘10相配合的方式可以为一者具有凹槽12，另一者具有固定键11；托盘7自转时，凹槽12与固定键11相分离，使托盘7与公转轴13分离；托盘7公转时，凹槽12与固定键11相配合，使托盘7与公转轴13固定连接。

显然，各托盘7与公转轴13连接的方式包括但不限于上述的公转盘，托盘7与自转轴9连接的结构包括但不限于上述的卡槽8和定位键、公转轴13连接的结构包括但不限于上述的凹槽12与固定键11，上述连接方式为实现托盘7选择性地与自转轴9和公转轴13连接的一种具体连接方式，其具体实现的方式的可以有很多种，在此不再一一赘述。

为了提高半导体元件的质量，本发明所提供的气相外延装置还可以包括分别环绕各反应气体喷淋头2的环形气道4，该环形气道4的进气口与反应气体喷淋头2的底部位置对应。将反应气体喷淋头2的底部与环形气道4位置对应，可以有效缩短反应气体的流动路径，使气体驻留的时间缩短，减少寄生反应的发生，也减少流动失稳，使薄膜生长地更均匀，半导体元件的质量更好。

进一步地，本发明所提供的气相外延装置还可以包括设于反应腔17外部的第一真空泵，该第一真空泵与环形气道4的出气口5连通，使每个托盘7与上方的喷淋头2、周边的环形气道4，构成相对独立的垂直反应器，反应后的尾气折转90度，在第一真空泵的作用下，被位于喷淋头2外侧的环形气道4的出气口5吸入，快速地经出气口5排出，以提高反应尾气的流通速度，减少气相沉积和气相寄生反应的发生和由此带来的对反应系统的玷污，以便生长出高质量的薄膜。

请参考图5，图5为本发明所提供气相外延装置一种具体实施方式的工作原理图。

在一种优选的实施方式中，上述的各反应气体喷淋头2均具有独立的气源，如图5所示，喷淋头III中气体与喷淋头V中的气体分别来自不同的气源。使托盘7和晶片3能在不同的气体环境下生成不同的薄膜，且在每一个喷淋头2下只生长一个原子层。当托盘7公转旋转到一个喷淋头2位置，公转停止，分度盘10的固定键11向下旋转，使托盘7重新与自转轴9连接。公转采用间歇的形式，即每次旋转一定的角度，该角度恰好等于两相邻托盘7与公转中心连线的夹角。托盘7在该喷淋头2位置停留预定时间后，与自转轴9分离，重新与分度盘10连接，并随分度盘10旋转到下一个喷淋头2位置。重复上述步骤，从而使晶片3轮流接触不同的反应前体，实现原子层外延。

在进一步的技术方案中，相邻反应气体喷淋头2之间设有惰性气体喷淋头2。如图5所示，在喷淋头III中和喷淋头V分别有两个提供惰性气体N₂的惰性气体喷淋头，该惰性气体喷淋头可以将前一种反应气体彻底冲洗掉，使晶片3轮流接触不同的反应前体或惰性气体，实现原子层外延生长，提高每一层原子层外延的纯度，提高半导体元件的质量。

具体地，还可以在反应腔17中设置第一流通口和第二流通口(参见图1)，其中第一连通口为惰性气体进口14，第二流通口为尾气出口15，使惰性气体从第一连通口进入反应腔17，减少晶片3在不同的反应气体中发生寄生反应；同时，利用第二流通口将反应腔17中的尾气及时排出，进一步提高薄膜的生成质量。还可以在第二连接口连通第二真空泵，利用率真空泵将反应腔17中的尾气吸出，提高尾气的排出效率。

在一种具体的实施方式中，本发明所说的化学气相外延装置，包括一个反应腔17，内中包含若干个大小相等的圆柱形气体喷淋头2，喷淋头2上方对应有反应气体进口1，喷淋头2下方对应有石墨托盘7，托盘7数与喷淋头2数相等。每个托盘7上可放置若干片(例如19片)2时或4时晶片3。托盘7下方有电阻加热器6，喷淋头2与加热器6均固定不动，托盘7可以自转，也可以公转。每个喷淋头2的源气体独立控制，每个托盘7独立加热。在每个喷淋头2与托盘7之间的设有环形气道4，该环形气道4的所有出气口5与均与第一真空泵(未示出)连接，起到快速排除反应尾气的作用。因此，每个喷淋头2和与其对应的托盘7以及出气口5，构成相对独立的垂直反应器。在反应腔17的中心，有公转轴13，连接分度盘10，分度盘10的末端有固定键11，可以插入托盘7外缘的凹槽12，使托盘7与分度盘10连接。反应腔17上方有惰性气体进口14，下方有尾气出口15，与第二真空泵(未示出)连接，起到排出从出气口5间隙漏入反应腔17的反应尾气的作用。

反应腔17开启侧壁18可以方便地开启，在分度盘10的带动下，托盘7携带着晶片3轮流转到开启侧壁18，方便晶片3的取放。每个托盘7的自转中心有一多边形卡槽8，与自转轴9连接，再通过磁流体(未示出)与反应腔17外的伺服马达(未示出)连接，在伺服马达的带动下自转。每个托盘7外缘下部开有凹槽12，通过固定键11与分度盘10连接，在公转轴13的带动下公转。

除了上述气相外延装置，本发明还提供一种应用上述气相外延装置的气相外延方法。

请参考图6，图6为本发明所提供气相外延方法第一种具体实施方法的工作流程图。

在第一种具体的实施方式中，本发明所提供的气相外延方法包括以下步骤：

S11、各托盘7在与之固定连接的自转轴9的驱动下旋转预定时间；

S12、各托盘7分别与自转轴9分离，并均与公转轴13固定连接；

S13、公转轴13旋转预定角度后各托盘7与公转轴13分离，旋转至新位置后与各自转轴9固定连接，并转步骤S11。

当需要实施化学气相外延时，各个托盘7独立自转，托盘7无公转。每个托盘7与上方的喷淋头2，构成相对独立的垂直反应器。来自喷淋头2的两种或更多种反应气体，以垂直射流方式接近托盘7上的晶片3，反应前体在高温下发生分解，在晶片3上沉积薄膜。反应后的尾气，从每个喷淋头2与托盘7之间的外环出口迅速排出。由于喷淋头2与托盘7之间存在间隙，仍有少量气体流到大反应腔17空间。它们与大反应腔17的惰性气体混合后，从总出口排出。由于将传统的一个大反应器托盘7分解为多个相对较小的托盘7，并且每个小托盘7周边设置环形出口，因此反应气体流动路径缩短，气体驻留时间也缩短，既减少了流动失稳，也减少了寄生反应的发生。因此，本发明装置在实现多片式薄膜生长的同时，也能够快速排除反应后的尾气，大大减少气相寄生反应的发生和由此带来的对反应系统的影响。

当需要实施原子层外延时，生长过程与化学气相外延相似，每个托盘7与上方的喷淋头2一一对应，反应气体从喷淋头均匀喷向晶片3。但此时所有托盘7不仅独立自转，而且绕圆柱形腔体中心做分度公转，即每个托盘7轮流旋转到每个喷淋头2下方，自转几秒钟或更长时间，并接受喷淋头2喷出的反应气体，发生薄膜沉积，然后继续做分度公转。每个喷淋头2只提供一种反应气体，例如一个喷淋头2提供III族的TMGa气体，而相隔的另一个喷淋头2提供V族的NH3气体。两种反应气体喷淋头2之间，为惰性气体N2喷淋头2。从而在托盘7接触另一种反应气体之前，利用惰性气体将前一种反应气体彻底冲洗掉，即只允许表面反应。公转时，连接各个托盘7的分度盘10，通过将固定键11插入托盘7卡槽8，带动所有托盘7绕圆柱形腔体中心做分度公转，即每次旋转一定的角度，该角度恰好等于两相邻托盘7与公转中心连线的夹角。当托盘7旋转到与其相邻的下一个喷淋头2下方位置时，停留预定时间，然后继续公转，重复上述步骤，从而使晶片3轮流接触不同的反应前体，实现原子层外延。

请参考图7，图7为本发明所提供气相外延方法第二种具体实施方法的工作流程图。

在第二种具体的实施方式中，本发明所提供的气相外延方法包括以下步骤：

S21、各托盘7在与之固定连接的自转轴9的驱动下旋转预定时间；

S22、各托盘7分别与自转轴9分离，并均与公转轴13固定连接；

S23、公转轴13旋转，并利用惰性气体吹扫各托盘7；

S24、公转轴13旋转预定角度后，各托盘7与公转轴分离，并与自转轴9固定连接，并转步骤S21。

进一步的技术方案中，还可以包括向反应腔17中充入惰性气体，并将尾气抽出反应腔17；并可以在托盘7外周设有环形气道4，且使环形气道4的进气口靠近托盘7的喷淋头2末端，并抽出环形气道4中的气体，以提高尾气的流速，减少寄生反应。

当需要实施化学气相外延时，每个托盘7与其上方的喷淋头2对应，来自喷淋头2的反应气体，以垂直射流方式接近托盘7上的晶片3，每个托盘7独立旋转，托盘7无公转。

当需要实施原子层外延时，所有托盘7不仅独立自转，而且绕圆柱形腔体中心做分度公转，即每个托盘7轮流旋转到每个喷淋头2下方，与分度盘10脱离，与自转轴9连接，自转几秒钟或更长时间，接受该喷淋头2喷下的反应气体；然后与自转轴9脱离，与分度盘10连接后继续公转。每个喷淋头2只提供一种反应气体，因此每次只生长一个原子层。两种反应气体喷淋头2之间，为惰性气体喷淋头2。从而在晶片3接触下一种反应气体之前，利用惰性气体将前一种反应气体彻底冲洗掉，然后继续旋转，重复上述步骤。使晶片3轮流接触不同的反应前体或惰性气体，实现原子层外延。

以上对本发明所提供的气相外延装置和气相外延方法进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。

Claims (14)

1.一种气相外延装置，包括反应腔和设于所述反应腔内部的若干反应气体喷淋头、与所述若干反应气体喷淋头位置对应的若干托盘，以及驱动所述托盘的动力轴，其特征在于，所述动力轴包括公转轴和若干自转轴，所述自转轴与所述托盘一一对应；各所述托盘与各所述自转轴连接，或交替地与所述公转轴和各所述自转轴连接。

2.根据权利要求1所述的气相外延装置，其特征在于，还包括与所述公转轴固定连接的分度盘，各所述托盘通过所述分度盘与所述公转轴连接。

3.根据权利要求2所述的气相外延装置，其特征在于，所述托盘和所述自转轴一者具有卡槽，另一者具有定位键，所述卡槽与所述定位键相互配合或分离。

4.根据权利要求2所述的气相外延装置，其特征在于，所述分度盘和所述托盘一者具有凹槽，另一者具有固定键，所述固定键与所述凹槽相互配合或分离。

5.根据权利要求1至4任一项所述的气相外延装置，其特征在于，还包括分别环绕各所述反应气体喷淋头的环形气道，该环形气道的进气口与所述反应气体喷淋头的底部位置对应。

6.根据权利要求5所述的气相外延装置，其特征在于，还包括设于所述反应腔外部的第一真空泵，该第一真空泵与所述环形气道的出气口连通。

7.根据权利要求5所述的气相外延装置，其特征在于，各所述反应气体喷淋头均具有独立的气源。

8.根据权利要求7所述的气相外延装置，其特征在于，相邻所述反应气体喷淋头之间设有惰性气体喷淋头。

9.根据权利要求7所述的气相外延装置，其特征在于，所述反应腔包括第一流通口和第二流通口，所述第一连通口为惰性气体入口，所述第二流通口为尾气出口。

10.根据权利要求9所述的气相外延装置，其特征在于，还包括设于所述反应腔外部的第二真空泵，该第二真空泵与所述尾气出口连通。

11.一种气相外延方法，其特征在于，包括以下步骤：

各托盘在与之固定连接的自转轴的驱动下旋转预定时间；

各所述托盘分别与所述自转轴分离，并均与公转轴固定连接；

所述公转轴旋转预定角度，各所述托盘旋转至新位置后与各所述自转轴固定连接。

12.根据权利要求11所述的气相外延方法，其特征在于，还包括在公转轴旋转时，利用惰性气体吹扫各所述托盘。

13.根据权利要求11所述的气相外延方法，其特征在于，还包括向反应腔中充入惰性气体，并将尾气抽出所述反应腔。

14.根据权利要求11所述的气相外延方法，其特征在于，所述托盘外周设有环形气道，且使环形气道的进气口靠近所述托盘的喷淋头末端，并抽出所述环形气道中的气体。

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