KR101479480B1 - 박막 증착을 위한 장치 - Google Patents
박막 증착을 위한 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101479480B1 KR101479480B1 KR20120060193A KR20120060193A KR101479480B1 KR 101479480 B1 KR101479480 B1 KR 101479480B1 KR 20120060193 A KR20120060193 A KR 20120060193A KR 20120060193 A KR20120060193 A KR 20120060193A KR 101479480 B1 KR101479480 B1 KR 101479480B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- hub
- precursor gases
- gas
- blades
- spinner
- Prior art date
Links
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 title claims description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 248
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 109
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 70
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims description 29
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 8
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 7
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 7
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 43
- 239000010408 film Substances 0.000 description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007736 thin film deposition technique Methods 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical group [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical group [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 1
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/301—AIII BV compounds, where A is Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C23C16/303—Nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45587—Mechanical means for changing the gas flow
- C23C16/45589—Movable means, e.g. fans
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
전구체 가스들(G1, G2)을 사용하여 기판(113)의 표면 상에 박막을 증착시키기 위한 장치(101)가 제공된다. 상기 장치(101)는 ⅰ) 상기 기판(113)을 보유하기 위한 지지 디바이스(111); 및 ⅱ) 상기 지지 디바이스(111)에 인접 위치된 스피너(105)를 포함한다. 특히, 상기 스피너(105)는 모터에 연결하기 위한 허브(106), 및 상기 허브(106)에 연결되는 하나 이상의 블레이드들(201)을 포함한다. 특히, 상기 하나 이상의 블레이드들(201)은, 상기 기판(113)의 표면을 가로질러 상기 전구체 가스들(G1, G2)을 분배하도록, 상기 전구체 가스들(G1, G2)의 유체 유동을 추진시키기 위해 평면 상에서 상기 허브(106) 둘레를 회전하도록 작동할 수 있다.
Description
본 발명은, 기판의 표면 상에 박막을 증착하기 위해 전구체 가스(precursor gas)들이 장치 내로 도입되는, 박막 증착을 위한 장치에 관한 것이다.
박막 증착 기술은 일반적으로 집적 회로 디바이스 또는 광전자 디바이스를 제조하기 위한 기판 상에 반도체 재료를 증착시키기 위해 사용된다. 예를 들어, MOCVD는 기판 상에 질화 갈륨(GaN)과 같은 반도체 재료를 증착하기 위한 방법이다. 상기 MOCVD 방법은 리액터에 배열된 가열 기판 상의 전구체 가스들의 증착을 활성화기키는 반면, 예를 들면 쿨러인 챔버 벽들과 같은 불필요한 영역 상에서의 전구체 가스의 기생 증착(parasitic deposition)을 감소시키기 위한 온도 제어된 환경을 갖는 리액터에서 수행된다. 제 1 전구체 가스는 갈륨(Ga)과 같은 그룹 Ⅲ 성분을 포함하며, 반면 제 2 전구체 가스는 질소(N)와 같은 그룹 Ⅴ 성분을 포함한다. 이들 전구체 가스들은 가열된 기판의 평판형 표면 상에 GaN과 같은 화합물 반도체를 증착하기 위해 상기 리액터 내로 도입된다. 질소(N2) 및 산소(H2)와 같은 퍼징 가스(purging gas)들도 또한 상기 리액터 내의 원치 않는 영역들 상에서의 상기 전구체 가스들의 증착을 최소화하도록 상기 리액터 내로 도입된다. 질소(N2) 및 산소(H2)와 같은 캐리어 가스(carrier gas)들이 상기 가열된 기판을 향해 상기 전구체 가스들을 이동시키도록 상기 MOCVD 작업 동안 사용된다.
일반적으로, 상기 전구체 가스들은 상기 가열된 기판의 평판형 표면과 수직 또는 평행 방향으로 상기 리액터 내로 도입된다. 상기 전구체 가스들이 상기 화합물 반도체를 형성하기 위해 상기 가열된 기판의 주요 평판형 표면 상에 화학적으로 반응하는 것을 보증하도록, 이들 전구체 가스들은 상기 기판 표면의 상부 상에서 서로 폐쇄되어져야만 한다. 전구체 가스가 리액터 내로 도입될 경우 상기 전구체 가스가 서로 근접할 때, 불필요한 상호 가스상(gas phase) 반응이 발생하여, 상기 전구체들의 효율과 그에 따른 기판 상에 증착된 화합물 반도체의 품질이 악화된다는 한가지 문제점이 발생한다.
따라서, 본 발명의 목적은 박막 증착 기술들 가운데, 특히 화학적 기상 증착(CVD) 기술들 가운데 리액터 내로 전구체 가스들을 도입하는 종래 방법과 관련된 제약을 처리하기 위한 것이다.
본 발명의 제 1 양태는 전구체 가스를 사용하여 기판의 표면 상에 박막을 증착시키기 위한 장치에 관한 것이다. 상기 장치는: ⅰ) 상기 기판을 보유하도록 구성된 지지 디바이스; 및 ⅱ) 상기 지지 디바이스에 인접 위치된 스피너(spinner)를 포함한다. 특히, 상기 스피너는 모터에 연결하기 위한 허브, 및 상기 허브에 연결되는 하나 이상의 블레이드들을 갖는다. 특히, 상기 하나 이상의 블레이드들은, 상기 기판의 표면을 가로질러 상기 전구체 가스들을 분배하도록, 상기 전구체 가스들의 유체 유동을 추진시키기 위해 평면 상에서 상기 허브 둘레를 회전하도록 작동한다.
상기 허브 둘레를 회전하도록 작동하는 하나 이상의 블레이드들을 갖는 스피너를 제공함으로써, 상기 전구체 가스들의 균등한 분배가 상기 기판 표면을 가로질러 제공될 수 있다. 그와 달리, 상기 전구체 가스들의 분배는 상기 기판 표면 상의 특정 영역들에 위치될 수 있다. 따라서, 본 발명의 제 1 양태에 따른 실시예는 상기 기판의 표면 상에 증착됨으로써 적절한 양질의 박막을 얻을 수 있다는 장점을 갖는다.
본 발명의 일부 선택적 특징들은 첨부된 청구항들에 규정된다.
예를 들면, 상기 스피너의 블레이드는 상기 기판의 표면을 가로질러 상기 전구체 가스들의 분배를 추진시키기 위해 상기 평면에 대해 빗각(oblique angle)으로 경사지는 구동면을 가질 수 있다. 이는 증착 공정의 시간 단축에 도움을 줄 수 있다.
또한, 상기 스피너의 허브는 상기 전구체 가스들 중 하나가 상기 허브의 내부 안으로 도입되는 허브 입구를 포함하며, 상기 하나 이상의 블레이드들 각각은 블레이드 출구를 포함하며, 상기 전구체 가스가 상기 각각의 블레이드의 내부로부터 상기 블레이드 출구를 통해 분배되며, 상기 허브와 상기 블레이드의 내부는 상호 유체 연통된다. 이와 같은 방법에 있어서, 상기 스피너는 또한 상기 전구체 가스를 상기 기판 표면으로 지향시키기 위한 가스 분배기로서 작용할 수 있다.
선택적으로, 상기 하나 이상의 블레이드들 각각은 상기 기판 표면을 향해 상기 전구체 가스들을 추진시키도록 추가의 힘을 발생시키기 위한 익형(airfoil)이다.
본 발명의 제 2 양태는 전구체 가스들을 사용하여 기판의 표면 상에 박막을 증착시키기 위한 장치에 관한 것이다. 특히, 상기 장치는: ⅰ) 상기 기판을 지지하도록 구성된 지지 디바이스와; ⅱ) 가스 공급부들의 각각의 세트가 상기 전구체 가스들을 공급하도록 구성되는, 복수 세트의 상기 가스 공급부들; 및 ⅲ) 상기 전구체 가스들을 상기 기판의 표면으로 지향시키도록 구성되는 가스 분배기를 포함한다. 특히, 상기 가스 분배기는 복수 세트의 격실들을 포함하며, 상기 격실들의 각각의 세트는 상기 가스 공급부들의 개별 세트로부터 상기 전구체 가스들을 수용하도록 구성되며, 각각의 격실은 상기 수용된 전구체 가스들이 상기 가스 분배기로부터 상기 지지 디바이스를 향해 유동하는 구멍들을 갖는다. 특히, 상기 복수 세트의 가스 공급부들은 상기 전구체 가스들 중 적어도 하나를 제어 가능한 유동비로 공급하도록 작동된다. 또한, 상기 가스 분배기의 각각의 격실에 있는 구멍들은 균등하게 분배된다. 상기 격실 세트들 중 하나는 다른 개별 격실 세트들과 비교하여 상기 가스 분배기의 중심에 대용적부와 상기 가스 분배기의 에지에 소용적부를 갖는다. 상기 제 1 및 제 2 세트의 격실들 사이의 상대적인 가스 유동비를 제어함으로써, 적층된 박막의 두께 균등성이 조정 및 개선될 수 있다.
본 발명의 제 3 양태는 본 발명의 제 2 양태와 유사한 장치에 관한 것이다. 그러나, 대조적으로, 상기 가스 분배기의 복수 세트의 격실들이 동일한 용적을 갖는다. 상기 격실 세트들 중 하나는 다른 개별 격실 세트들과 비교하여 상기 가스 분배기의 중심에 다수의 구멍들과 상기 가스 분배기의 에지에 소수의 구멍들을 갖는다. 상기 제 1 및 제 2 세트의 격실들 사이의 상대적인 가스 유동비를 제어함으로써, 적층된 박막의 두께 균등성이 조정 및 개선될 수 있다.
상기 기판 상에 적층되는 박막의 두께 균등성을 개선함으로써, 본 발명의 제 2 양태에 따른 실시예는 상기 기판 표면 상에 적층되는 적절한 양질의 박막을 실현할 수 있다.
본 발명의 실시예들은 이제 도면들과 관련하여 오직 예시적 방법으로 설명될 것이다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 가스 분배기 및 스피너를 갖는 MOCVD 리액터를 나타내는 도면.
도 2는 사용시의 상기 스피너의 제 1 실시예의 등측도.
도 3a 및 도 3b는 각각 도 2의 스피너에 대한 평면도 및 저면도.
도 4는 블레이드 둘레의 기류를 나타내는, 도 2의 스피너의 블레이드에 대한 단면도.
도 5는 내부 격벽을 포함하는 도 2의 스피너의 블레이드를 나타내는 도면.
도 6은 수로(water channel)를 포함하는 도 2의 스피너를 나타내는 도면.
도 7a 및 도 7b는 각각 도 6의 스피너에 대한 평면도 및 저면도.
도 8은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 스피너의 등측도.
도 9a 및 도 9b는 각각 도 8의 스피너에 대한 평면도 및 저면도.
도 10a 및 도 10b는 각각 본 발명의 제 3 실시예에 따른 스피너의 평면도 및 저면도.
도 11은 도 2의 스피너의 블레이드에 대한 다른 형상을 나타내는 도면.
도 12는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 가스 분배기를 나타내는 도면.
도 13은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 가스 분배기를 나타내는 도면.
도 14는 기판들을 지지하기 위해 도 1의 MOCVD 리액터에서 사용하기 위한 서셉터(susceptor)들을 나타내는 도면.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 가스 분배기 및 스피너를 갖는 MOCVD 리액터를 나타내는 도면.
도 2는 사용시의 상기 스피너의 제 1 실시예의 등측도.
도 3a 및 도 3b는 각각 도 2의 스피너에 대한 평면도 및 저면도.
도 4는 블레이드 둘레의 기류를 나타내는, 도 2의 스피너의 블레이드에 대한 단면도.
도 5는 내부 격벽을 포함하는 도 2의 스피너의 블레이드를 나타내는 도면.
도 6은 수로(water channel)를 포함하는 도 2의 스피너를 나타내는 도면.
도 7a 및 도 7b는 각각 도 6의 스피너에 대한 평면도 및 저면도.
도 8은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 스피너의 등측도.
도 9a 및 도 9b는 각각 도 8의 스피너에 대한 평면도 및 저면도.
도 10a 및 도 10b는 각각 본 발명의 제 3 실시예에 따른 스피너의 평면도 및 저면도.
도 11은 도 2의 스피너의 블레이드에 대한 다른 형상을 나타내는 도면.
도 12는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 가스 분배기를 나타내는 도면.
도 13은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 가스 분배기를 나타내는 도면.
도 14는 기판들을 지지하기 위해 도 1의 MOCVD 리액터에서 사용하기 위한 서셉터(susceptor)들을 나타내는 도면.
도 1은 하나 이상의 가스 공급부들에 연결된 가스 분배기(103), 하나 이상의 가스들을 MOCVD 리액터(101) 내로 도입하기 위한 제 1 실시예에 따른 스피너(105), 하나 이상의 가스 공급부들에 연결된 가스 입구(107), 상기 가스 입구(107)를 상기 스피너(105)에 연결하는 피드스루(feedthrough; 109), 및 기판들(113)이 위치되는 서셉터(111)를 갖는 MOCVD 리액터(101)를 도시한다.
특히, 상기 피드스루(109)는 상기 스피너(105)의 허브(hub; 106)에 연결된다. 상호 유체 연통을 제공하는 다양한 채널들이 또한 상기 스피너(105), 상기 가스 입구(107), 및 상기 피드스루(109) 내에 포함되어, 상기 가스들은 상기 가스 입구(107)로부터 상기 피드스루(109)를 통해 상기 스피너(105)로 유동할 수 있으며, 이어서 상기 스피너(105)로부터 상기 MOCVD 리액터(101) 내로 유동할 수 있다. 상기 가스 입구(107)는 또한 상기 피드스루(109)를 구동시키기 위한 모터를 포함한다. 상기 모터가 상기 피드스루(109)를 구동시키기 위해 작동될 때, 상기 피드스루(109)는 상기 스피너(105)를 회전시키도록 상기 스피너(105)의 허브(106)를 순차 구동한다.
상기 MOCVD 리액터(101)가 작동되는 동안, 상기 기판들(113)은 히터에 의해 가열되며 또한 상기 서셉터(111)와 함께 회전한다. 제 1 전구체 가스(G1)는 상기 스피너(105)를 통해 상기 MOCVD 리액터(101) 내로 도입되고, 반면 제 2 전구체 가스(G2) 및 퍼징 가스들(G3)은 상기 가스 분배기(103)를 통해 도입된다. 특히, 상기 전구체 가스들(G1, G2) 및 퍼징 가스들(G3)은 일반적으로 상기 기판(113)의 평판형 표면과 수직인 하향 방향으로 상기 MOCVD 리액터(101) 내로 도입된다.
상기 제 1 전구체 가스(G1)는 갈륨(Ga)과 같은 그룹 Ⅲ 성분을 포함하는 유기 금속 가스이다. 상기 제 1 전구체 가스(G1)의 예로서는 트리메틸갈륨(trimethylgallium), 트리메틸인듐(trimethylindium), 트리메틸알루미늄(trimethyaluminium) 및 그들의 혼합물을 들 수 있다. 상기 제 2 전구체 가스(G2)는 질소(N)와 같은 그룹 Ⅴ 성분을 포함하는 유기 금속 가스이다. 상기 제 2 전구체 가스(G2)의 예로서는 암모니아 가스(NH3)를 들 수 있다. 상기 퍼징 가스들(G3)은 상기 제 1 및 제 2 전구체 가스들(G1, G2)을 상기 서셉터(111) 상에 위치된 기판들(113)을 향해 이동시키도록 돕는다. 상기 퍼징 가스들(G3)은 또한 내부 벽들의 오염을 최소화하기 위해 상기 제 1 및 제 2 전구체 가스들(G1, G2)을 상기 MOCVD 리액터(101)의 내부로부터 축출하도록 돕는다. 상기 퍼징 가스들(G3)의 예로서 질소 가스(N2) 및 산소 가스(H2)를 포함한다. 상기 퍼징 가스들(G3)은 또한 상기 전구체 가스들(G1, G2)을 상기 기판(113)의 주요 평판형 표면으로 운송하기 위한 캐리어 가스일 수 있다는 사실을 인식해야 한다.
상기 스피너(105)는 상기 MOCVD 리액터(101)가 작동하는 동안 회전된다. 따라서, 상기 스피너(105)의 회전은, 일반적으로 상기 기판들(113)의 평판형 표면들과 수직인 본래의 하향 방향으로부터 일반적으로 상기 기판들(113)의 평판형 표면들과 평행한 방향으로, 상기 전구체 가스들(G1, G2)과 상기 퍼징 가스들(G3)이 상기 기판들(113)의 평판형 표면을 향해 진행하는 방향을 변화시킨다. 따라서, 상기 스피너(105)의 회전은 상기 기판(113)의 평판형 표면을 가로질러 상기 전구체 가스들(G1, G2)의 균등한 분배를 제공한다. 상기 스피너(105)의 회전 없이는, 상기 전구체 가스들(G1, G2)의 분배가 상기 기판들(113)의 평판형 표면들 상의 특정 영역들에 국한될 수 있다. 추가적으로, 상기 전구체 가스들(G1, G2)은 그들이 상기 MOCVD 리액터(101) 내로 도입되기 전에 서로로부터 가능한 한 많이 분리될 수 있으며, 이때 상기 전구체 가스들(G1, G2)은 모두 화합물 반도체를 형성하도록 상기 기판들(113)의 평판형 표면들 바로 위에 있을 때 존재한다는 사실을 확실히 한다. 유리하게도, 상기 전구체 가스들(G1, G2) 사이의 불필요한 가스상 반응들은 상기 전구체 가스들(G1, G2)이 상기 MOCVD 리액터(101)의 기판들(113)을 향해 이동함에 따라 감소될 수 있다.
비록 도 1은 상기 제 1 전구체 가스(G1)가 상기 가스 분배기(103)를 통하는 대신 상기 스피너(105)를 통해 상기 MOCVD 리액터(101) 내로 도입된다는 사실을 나타내고 있으나, 그럼에도 불구하고, 상기 전구체 가스들과 상기 퍼징 가스들(G1-G3)을 상기 MOCVD 리액터(101) 내로 도입하는 다른 방법들이 실현 가능하다는 사실을 인지되어야 한다. 예를 들어, 상기 제 2 전구체 가스(G2)는 상기 스피너(105)를 통해 상기 MOCVD 리액터(101) 내로 도입될 수 있으며, 상기 퍼징 가스들(G3)은 상기 가스 분배기(103)를 통해 도입된다. 선택적으로, 상기 제 1 및 제 2 전구체 가스들(G1, G2) 모두는 상기 스피너(105)를 통해 상기 MOCVD 리액터(101) 내로 모두 도입될 수 있으며, 상기 퍼징 가스들(G3)은 단독으로 상기 가스 분배기(103)를 통해 도입된다. 또 다른 방법으로 상기 모든 전구체 및 퍼징 가스들(G1-G3)을 상기 가스 분배기(103)를 통해 상기 MOCVD 리액터(101) 내로 도입시키는 공정을 포함하며, 이 경우 어떠한 가스도 상기 스피너(105)를 통해서 도입되지 않는다. 이와 같은 특정 예에 있어서, 상기 스피터(105)는 고형 구조체일 수 있다. 또한, 만약 상기 가스 분배기(103)가 상기 제 1 및 제 2 전구체 가스들(G1, G2) 중 적어도 하나를 상기 MOCVD 리액터(101) 내로 도입시킬 경우, 상기 퍼징 가스들은 필요하지 않을 수도 있다.
도 2는 사용시의 상기 스피너(105)에 대한 등측도이다. 상기 스피너(105)는 상기 허브(106)에 연결된 4개의 연장 블레이드들(201a-d)을 포함한다. 상기 연장 블레이드들(201a-d) 각각은 일반적으로 얇고 편평한 구조체를 구성한다는 사실을 도 2로부터 볼 수 있다. 특히, 상기 연장 블레이드들(201a-d)은 서로 분기되고 또한 상기 허브(106) 둘레에 직각으로 떨어져 있다. 상기 연장 블레이드들(201a-d)은 또한 가스가 도입될 수 있는 입구들(207a-d) 및 상기 블레이드들(201a-d)의 베이스에 위치되고 상기 도입된 가스가 배출될 수 있는 출구들(209a-d)을 갖는 블레이드 채널들(203a-d)을 각각 포함할 수 있다.
상기 피드스루(109)는 또한 가스가 가스 공급부로부터 도입될 수 있는 입구와 상기 도입된 가스가 배출될 수 있는 출구를 갖는 가스 채널(205)을 포함한다. 다음에 상기 피드스루(109)로부터 배출된 가스는 허브 입구(208)를 통해 상기 허브(106)로 유입된다. 상기 스피너(105)의 허브(106)가 일반적으로 원통형이므로, 상기 피드스루(109)의 가스 채널(205), 상기 허브(106), 및 상기 블레이드들(201a-d)의 블레이드 채널들(203a-d)을 통한 유체 연통이 존재한다. 따라서, 이로 인해, 상기 MOCVD 리액터(101) 내로 도입되기 전에, 상기 제 1 전구체 가스(G1)가 상기 피드스루(109)로부터 상기 스피너(105)의 허브(106)를 통해 상기 블레이드들(201a-d)로 방해받지 않고 유동하도록 허용한다.
도 2로부터, 상기 블레이드들(201a-d)의 두께는 일반적으로 감소되며, 대응하는 웨지 부분들(wedge portions)을 형성하도록 각각의 에지 부분들(211a-d)을 향해 테이퍼진다는 사실을 또한 볼 수 있다. 그러나, 상기 블레이드들(201a-d) 각각이 대응하는 웨지 부분을 포함하는 구성은 바람직하기는 하나 필수적인 사항은 아니라는 사실을 인지해야 할 것이다. 선택적으로, 편평한 평행 면들을 갖는 연장 구조체들이 상기 각각의 블레이드들(201a-d)을 구성하기 위해 대신 사용될 수 있다.
상기 스피너(105)는 평면 상에서 상기 허브(106) 둘레의 원주 방향으로 회전하도록 구성되며, 상기 웨지 부분들(211a-d)은 상기 블레이드들(201a-d)의 선단 에지들을 구성하고, 그들의 대응하는 맞은 편 에지들은 회전하는 동안 상기 블레이드들(201a-d)의 후미 에지들을 구성한다. 따라서, 상기 스피너(105)의 상기 블레이드들(201a-d)은 도 2에서 상기 스피너(105)의 상부에서 볼 때 상기 허브(106) 둘레에서 반시계 원주 방향으로 회전하도록 구성된다.
도 3a 및 도 3b는 각각 도 2의 스피너(105)에 대한 평면도 및 저면도이다. 상기 허브(106)는 유체 연통을 허용하도록 하는 방식으로 상기 피드스루(109)의 가스 채널(205)과 연결하기 위한 허브 입구(208)를 포함한다는 사실을 도 3a로부터 알 수 있다. 그러나, 상기 허브(106)의 하측은 상기 제 1 전구체 가스(G1)가 상기 허브(106)로부터 상기 스피너(105)의 블레이드들(201a-d) 각각으로 유동하도록 도 3b에 도시된 바와 같이 완전히 폐쇄된다.
도 4는 도 3b에 나타낸 바와 같은 B-B' 라인을 따라 관측할 때, 도 2의 스피너(105)의 특정 블레이드(201a)에 대한 단면도이다. 상기 블레이드(201a)의 하측은 상기 블레이드(201a)가 회전하는 평면에 대해 빗각(oblique angle)으로 경사진다는 사실을 볼 수 있다. 따라서, 상기 블레이드(201a)의 경사진 하측은 회전하는 동안 유체 가스들 상에 구동력을 제공하며, 따라서 상기 유체 가스들은 상기 블레이드(201a)의 선단 에지로부터 후미 에지로 유동하게 된다. 따라서, 상기 블레이드(201a)가 회전함에 따라, 상기 선단 에지로부터 상기 후미 에지로 상기 블레이드(201a)의 상부면과 저면들을 따라 층류(laminar) 유체 유동이 발생된다. 특히, 상기 블레이드(201a)의 하측은 킹크부(kink; 401)를 형성하기 위해 다른 각도로 경사진다. 이는 상기 블레이드 채널(203a)의 대응하는 용적을 증가시킨다.
상기 스피너(105)의 다른 3개의 블레이드들(201b-d)도 또한 도 4에 도시된 상기 블레이드(201a)와 동일함을 인지해야 한다. 따라서, 층류 유체 유동이 블레이드들(201b-d)이 회전함에 따라 각각의 선단 에지들로부터 후미 에지들로 그들의 상부면 및 저면들을 따라 유사하게 발생된다.
비록 상기 전구체 가스들(G1, G2)과 상기 퍼징 가스들(G3)이 작동 중에 일반적으로 상기 기판들(113)의 평판형 표면들과 수직인 하향 방향으로 상기 MOCVD 리액터(101) 내로 도입된다 할지라도, 상기 블레이드들(201a-d)의 구조체에 의해 제공되는 구동력은 상기 스피너(105)가 회전될 때 상기 블레이드들(201a-d)의 상부면과 저면들 다음에 층류 가스 유동을 형성하도록 상기 전구체 가스들(G1, G2)과 상기 퍼징 가스들(G3)의 유동 방향을 변경시킨다. 이는, 비록 그들이 상기 MOCVD 리액터(101) 내로 도입될 때 서로로부터 분리될지라도, 상기 전구체 가스들(G1, G2)이 상기 웨이퍼 표면의 상부 상에 화학적으로 반응을 일으키도록 보장한다. 상기 전구체 가스들(G1, G2)을 서로로부터 떨어져 분리시킴으로써, 그들 사이의 어떠한 바람직하지 않은 가스상 반응도 크게 감소될 수 있다. 이는 상기 기판(113) 상에 증착되는 화합물 반도체의 전구체 효율과 품질을 크게 증가시킨다.
선택적으로, 상기 블레이드들(201a-d) 각각은 내부 격벽을 포함할 수 있다. 도 5는, 상기 블레이드(201a)의 길이를 따라 배열되고, 따라서 상기 블레이드 채널(203a)을 제 1 및 제 2 격실들(505, 507)로 분할하는, 내부 격벽(501)을 갖는 상기 블레이드(201a)의 단면도를 도시한다. 특히, 상기 내부 격벽(501)은, 나중에 상기 제 1 전구체 가스(G1)가 상기 제 2 격실(507)을 상기 출구(209a)로부터 상기 MOCVD 리액터(101) 내로 배출시키기 전에, 상기 제 1 전구체 가스(G1)가 상기 제 1 격실(505)로부터 상기 제 2 격실(507)로 유동할 수 있는 상기 블레이드(201a)의 길이를 따르는 슬릿형 개구부(503)를 포함한다.
상기 블레이드들(201a-d) 각각에 내부 격벽(501)을 갖지 않는, 대부분의 상기 제 1 전구체 가스(G1)는 상기 허브(106)로부터 가장 멀리 떨어져 있는 원위 단부들과 비교하여 상기 허브(106)에 가장 근접한 상기 블레이드들(201a-d)의 근위 단부들을 통해 상기 MOCVD 리액터(101) 내로 도입되는 경향을 가질 수 있다. 이는 결과적으로, 상기 블레이드들(201a-d) 각각의 길이를 따라 상기 MOCVD 리액터(101)에 있는 상기 제 1 전구체 가스(G1)의 부균등한 분배를 초래하게 된다.
상기 블레이드들(201a-d) 각각에 상기 내부 격벽(501)을 제공함으로써, 상기 출구(209a)보다 현저히 작은 상기 슬릿형 개구부(503)는 대부분의 상기 제 1 전구체 가스(G1)가 그들의 근위 단부들을 통해 상기 블레이드들(201a-d)로 배출되는 것을 방지하고, 또한 충분한 양의 상기 제 1 전구체 가스(G1)가 상기 블레이드들(201a-d)의 원위 단부들을 통해 배출되는 것을 보장한다. 따라서, 이는 상기 블레이드들(201a-d)의 길이를 따라 상기 MOCVD 리액터(101)에 있는 상기 제 1 전구체 가스(G1)를 훨씬 균등하게 분배하는 것을 보장한다.
도 5와 관련하여, 상기 블레이드(201a)의 표면은 상기 블레이드(201a)가 회전하는 평면에 대해 각각의 각도들(α, β 및 γ)로 경사진다는 사실을 또한 볼 수 있다. 적합하게도, 상기 α의 범위는 10-60° 사이로 될 수 있으며, β의 범위는 5-45° 사이로 될 수 있으며, 또한 γ의 범위는 45-135° 사이로 될 수 있다.
선택적으로, 상기 스피너(105)와 상기 피드스루(109)는, 도 6에 도시된 바와 같이, 사용 중 상기 스피너(105)를 냉각시키기 위해 상기 허브(106)와 상기 블레이드들(201a-d)의 내부 안에 배열된 수로(water channel; 220)를 추가로 포함할 수 있다. 상기 수로(220)는 냉각수가 물 공급부로부터 상기 수로(220) 내로 도입될 수 있는 물 입구(222)와, 냉각수가 상기 수로(220)로부터 방출될 수 있고 또한 재 냉각을 위해 상기 물 공급부로 복귀될 수 있는 물 출구(224)를 포함한다. 유리하게도, 상기 수로(220)는 고온의 MOCVD 공정에서의 호환성을 위해 상기 스피너(105)를 조정한다.
도 7a 및 도 7b는 각각 도 6의 스피너(105)에 대한 평면도 및 저면도이다. 상기 수로(220)의 상기 물 입구(222)와 상기 물 출구(224) 모두는 상기 허브(106)에 위치된다는 사실을 도 7a에서 볼 수 있다. 상기 수로(220)를 갖지 않는 상기 스피너(105)의 허브(106)와 같이, 상기 허브(106)의 하측은 상기 제 1 전구체 가스(G1)가 상기 허브(106)로부터 상기 스피너(105)의 블레이드들(201a-d) 각각으로 유동하도록 도 3b에서 볼 수 있는 바와 같이 완전히 폐쇄된다.
도 8은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 스피너(600)의 등측도를 나타낸다. 상기 스피너(600)는 상기 제 1 실시예의 스피너(105)와 크게 유사하다. 예를 들어, 상기 스피너(600)는 모터에 작동적으로 연결하기 위한 허브(606)를 포함한다. 상기 스피너(600)는 또한, 서로 분기되고 또한 상기 허브(606) 둘레에 직각으로 떨어져 있는, 상기 허브(606)에 연결된 4개의 연장 블레이드들(601a-d)을 포함한다. 상기 블레이드들(601a-d)은 또한 웨지 부분들을 구성하는 에지 부분들을 각각 포함하며, 또한 상기 블레이드들(601a-d)은 이들 웨지 부분들이 대응하는 선단 에지들을 구성하도록 회전하기 위해 구성된다.
그러나, 상기 제 2 실시예에 있어서 상기 스피너(600)의 허브(606)는, 상기 제 1 실시예에 따른 스피너(105)의 경우에는 오직 단일 허브 입구(208)만을 포함하는 대신, 유사한 피드스루(609)의 개별 가스 채널들(605a-d)과 유체 연통하기 위한 4개의 허브 입구들(608a-d)을 포함한다. 또한, 상기 블레이드들(601a-d)의 다른 블레이드 채널들 사이의 어떠한 유체 연통도 없다. 따라서, 상기 피드스루(609)는 다른 유체 가스들을 상기 MOCVD 리액터(101) 내로 공급하기 위한 다른 가스 공급부들에 연결될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 및 제 2 전구체 가스들(G1, G2) 모두는 상기 스피너(600)의 인접 블레이드들(601a-d)을 통해 상기 MOCVD 리액터(101) 내로 도입될 수 있다. 선택적으로, 상기 전구체 가스들(G1, G2)과 상기 퍼징 가스들(G3)은 모두 상기 스피너(600)의 상기 블레이드들(601a-d)을 통해 상기 MOCVD 리액터(101) 내로 도입될 수 있다.
도 9a 및 도 9b는 각각 도 8의 스피너(600)에 대한 평면도 및 저면도이다. 상기 허브(606)는 유체 연통을 허용하는 방식으로 상기 피드스루(609)의 대응하는 가스 채널들(605a-d)과 연결하기 위한 개별 허브 입구들(608a-d)을 포함한다는 사실을 도 9a에서 볼 수 있다. 상기 제 1 실시예에 따른 스피너(105)의 허브(106)와 같이, 상기 허브(606)의 하측은 상기 전구체 가스들(G1, G2) 및/또는 상기 퍼징 가스들(G3)이 상기 허브(606)로부터 상기 스피너(600)의 블레이드들(601a-d) 각각으로 유동하도록 도 9b에서 볼 수 있는 바와 같이 완전히 폐쇄된다.
물론, 상기 피드스루(609)는 상기 전구체 가스들(G1, G2)과 상기 퍼징 가스들(G3) 중 어느 하나를 상기 MOCVD 리액터(101)로 공급하는 단일 가스 공급부에 연결될 수 있다는 사실을 인식해야 할 것이다.
도 10a 및 도 10b는 각각 본 발명의 제 3 실시예에 따른 스피너(800)의 평면도 및 저면도이다. 상기 제 3 실시예의 스피너(800)도 또한 상기 제 1 및 제 2 실시예들의 스피너(105, 600)과 크게 유사한다. 예를 들어, 상기 스피너(800)는 허브(806)에 연결되는 4개의 연장 블레이드들(801a-d)을 포함한다. 특히, 상기 블레이드들(801a-d)은 서로 분기되고 또한 상기 서로 분기되고 또한 상기 블레이드들(801a-d)이 회전하는 상기 허브(806) 둘레에 직각으로 떨어져 있다. 상기 블레이드들(801a-d)은 또한 어떠한 도입된 가스도 배출될 수 있는 상기 블레이드들(201a-d)의 베이스에 있는 개별 출구들(809a-d)을 갖는 블레이드 채널들을 포함한다.
상기 제 1 및 제 2 실시예들의 스피너들(105, 600)과는 대조적으로, 상기 블레이드들(801a-d)의 상기 개별 출구들(809a-d)은, 상기 제 1 및 제 2 실시예들에 따른 스피너들(105, 600)에서와 같이 상기 블레이드들(801a-d)의 후미 에지들에 배열되는 것 대신에, 상기 블레이드들(801a-d)이 회전함에 따라 상기 블레이드들(801a-d)의 선단 에지들과 후미 에지들 사이에 중간 방식으로 배열된다는 사실을 도 10b로부터 볼 수 있다. 또한, 출구들의 2개의 평행한 열들이 상기 블레이드들(801a-d)의 각각의 선단 및 후미 에지들 사이에 제공된다.
도 11은 스피너(105)의 블레이드(1101)에 대한 다른 형상을 나타내는 도면이다. 상기 블레이드(1101)는, 상기 전구체 가스 또는 퍼징 가스가 상기 MOCVD 리액터(101) 내로 유동할 수 있는 출구들(1103)에 관한 것을 제외하고는, 이미 설명된 이전의 블레이드(201a)와 유사하다. 상기 이전의 블레이드(201a)의 구성에 있어서, 상기 출구(209a)는 상기 블레이드(201a)의 베이스에 위치된다. 따라서, 전구체 가스나 또는 퍼징 가스는 기판 표면을 향해 지향될 수 있다. 그러나, 상기 이전의 블레이드(201a)와는 대조적으로, 상기 블레이드(1101)의 출구들(1103)은 그의 측면에 배열된다. 따라서, 상기 전구체 가스나 또는 퍼징 가스는 상기 기판 표면과 일반적으로 평행한 방향으로 방출된다. 따라서, 상기 블레이드의 그와 같은 구성은, 상기 이전의 블레이드(201a)과 비교하여, 상기 MOCVD 리액터(101)가 사용 중일 때 유체 교란을 감소시킬 수 있다.
도 12는 상기 MOCVD 리액터(101)에서 사용될 수 있는 가스 분배기(1200)의 실시예의 평면도를 도시한다. 상기 가스 분배기(1200)는 상기 전구체 가스들(G1, G2) 및/또는 상기 퍼징 가스들(G3)을 상기 MOCVD 리액터(101)의 기판 표면을 향해 지향시키도록 구성된다. 특히, 상기 가스 분배기(1200)의 내부는 다양한 세트의 격실들(1202a-b, 1204a-b, 1206a-b, 1208a-b)로 분할되며, 상호간의 유체 연통을 방지하기 위해 상기 격실들(1202a-b, 1204a-b, 1206a-b, 1208a-b)의 다른 세트들 사이에 밀봉부들이 제공된다. 또한, 상기 가스 분배기(1200)는 상기 격실들(1202a-b, 1204a-b, 1206a-b, 1208a-b)의 베이스에 균등하게 분포되고 상기 유체 가스들이 통과하는 구멍들(1201)을 갖는다.
그러나, 상기 가스 분배기(1200)의 내부는 균등하게 분할되지 않으며, 따라서, 상기 격실들(1202a-b, 1204a-b, 1206a-b, 1208a-b)은 다른 내부 용적들을 갖는다. 특히, 상기 가스 분배기(1200)는 상기 격실들(1202a, 1204a, 1206a, 1208a)이 상기 인접한 격실들(1202b, 1204b, 1206b, 1208b)과 비교하여 그들의 외부 에지들에서 크게 집중된 구멍들(1201)을 갖는 방식으로 분할된다. 상기 격실들(1202a, 1204a, 1206a, 1208a)은 또한 상기 인접한 격실들(1202b, 1204b, 1206b, 1208b)과 비교하여 그들의 중앙에서 작게 집중된 구멍들(1201)을 갖는다.
사용 중, 상기 다양한 세트의 격실들(1202a-b, 1204a-b, 1206a-b, 1208a-b)은 다양한 유체 가스들을 수용하기 위해 분리된 가스 공급부들에 연결된다. 특히, 상기 격실들(1202a-b)은 상기 제 1 전구체 가스(G1)를 수용하고, 상기 격실들(1204a-b)은 상기 제 2 전구체 가스(G2)를 수용하고, 상기 격실들(1206a-b, 1208a-b)은 상기 퍼징 가스들(G3)을 수용한다. 특히, 2개의 분리된 세트의 가스 공급부에는 각각 상기 제 1 및 제 2 전구체 가스들(G1, G2)과 상기 퍼징 가스들(G3)을 상기 격실들(1202a, 1204a, 1206a, 1208a)로 공급하기 위한 제 1 세트, 및 각각 상기 제 1 및 제 2 전구체 가스들(G1, G2)과 상기 퍼징 가스들(G3)을 상기 격실들(1202b, 1204b, 1206b, 1208b)로 공급하기 위한 제 2 세트가 제공된다.
만약, 상기 기판(113) 상에 증착된 막의 두께가 그의 외부 에지에서보다 그의 중심에서 더 뚜꺼우면, 상기 제 1 전구체 가스(G1)를 수용하는 상기 격실(1202a)에 연결된 가스 공급부의 유동비가 상기 대응하는 격실(1202b)에 연결된 가스 공급부의 유동비에 비해 증가될 것이다. 이는 상기 기판(113) 상의 반도체 성분의 증착 성장이 상기 MOCVD 리액터(101)에서의 상기 제 1 전구체 가스(G1)의 분배에 가장 민감하기 때문이다. 따라서, 상기 격실(1202a)이 대응하는 상기 격실(1202b)과 비교하여 그의 외부 에지에서 크게 집중된 구멍들(1201)을 가질 경우, 상기 가스 분배기(1200)는 상기 기판(113) 상에 증착된 막의 두께의 비균등성을 보상할 수 있다.
그러나, 만약 상기 증착된 막의 두께가 상기 기판(113)의 중심에서보다 외주 에지에서 더 뚜꺼우면, 상기 격실(1202b)에 연결된 가스 공급부의 유동비가 상기 격실(1202a)에 연결된 가스 공급부의 유동비에 비해 증가될 것이다. 따라서, 상기 격실(1202b)이 대응하는 상기 격실(1202a)과 비교하여 그의 중심에서 크게 집중된 구멍들(1201)을 가지므로, 상기 가스 분배기(1200)는 상기 기판(113) 상에 증착된 막의 두께의 비균등성을 보상할 수 있다.
상기 격실들(1202a-b, 1204a-b, 1206a-b, 1208a-b)에 연결된 제 1 및 제 2 세트의 가스 공급부들 각각의 유동비는 상기 가스 분배기(1200)가 상기 증착된 기판 막의 두께 균등성을 보다 확실히 하고 또한 상기 기판 상에 증착된 막의 품질을 유리하게 개선할 수 있도록 적절히 조절될 수 있다는 사실을 인식할 수 있을 것이다.
도 13은 제 2 실시예에 따른 다른 가스 분배기(1300)를 나타낸다. 상기 이전의 가스 분배기(1200)와 같이, 상기 가스 분배기(1200)의 내부는 다양한 세트의 격실들(1302a-b, 1304a-b, 1306a-b, 1308a-b)로 분할되며, 유체 연통을 방지하기 위해 상기 격실들(1302a-b, 1304a-b, 1306a-b, 1308a-b)의 다른 세트들 사이에 밀봉부들이 제공된다.
사용 중, 상기 다양한 세트의 격실들(1302a-b, 1304a-b, 1306a-b, 1308a-b)은 다양한 가스들을 수용하기 위해 분리된 가스 공급부들에 연결된다. 특히, 상기 격실들(1302a-b)은 상기 제 1 전구체 가스(G1)를 수용하고, 상기 격실들(1304a-b)은 상기 제 2 전구체 가스(G2)를 수용하고, 상기 격실들(1306a-b, 1308a-b)은 상기 퍼징 가스들(G3)을 수용한다. 특히, 2개의 분리된 세트의 가스 공급부들에는 각각 상기 제 1 및 제 2 전구체 가스들(G1, G2)과 상기 퍼징 가스들(G3)을 상기 격실들(1302a, 1304a, 1306a, 1308a)로 공급하기 위한 제 1 세트, 및 각각 상기 제 1 및 제 2 전구체 가스들(G1, G2)과 상기 퍼징 가스들(G3)을 상기 격실들(1302b, 1304b, 1306b, 1308b)로 공급하기 위한 제 2 세트가 제공된다.
그러나, 이전의 가스 분배기(1200)와는 달리, 본 가스 분배기(1300)의 상기 격실들(1302a-b, 1304a-b)은 동일한 내부 용적을 갖는다. 상기 격실들(1306a-b)과 상기 격실들(1308a-b)도 또한 동일한 용적을 갖는다. 또한, 상기 격실들(1302a-b, 1304a-b) 각각의 베이스에 위치한 구멍들(1301)은 균등하게 분배되지 않는다. 그 대신, 상기 격실들(1302a, 1304a)의 외부 에지에서의 구멍들(1301)이 상기 대응하는 격실들(1302b, 1304b)의 외부 에지와 비교하여 더 높은 집중도를 갖는다. 또한, 상기 격실들(1302b, 1304b)의 중심에서의 구멍들(1301)이 상기 대응하는 격실들(1302a, 1304a)의 중심와 비교하여 더 높은 집중도를 갖는다.
만약 증착된 막의 두께가 그의 외부 에지에서보다 그의 중심에서 더 두꺼울 때, 상기 격실(1302a)에 연결된 가스 공급부의 유동비는 상기 격실(1302b)에 연결된 가스 공급부의 유동비에 비해 증가될 수 있다. 따라서, 상기 격실(1302a)이 상기 대응하는 격실(1302b)과 비교하여 그의 외부 에지에서 더 높은 집중도의 구멍들(1301)을 가지므로, 상기 가스 분배기(1200)는 상기 기판(113) 상에 증착된 막의 두께의 비균일성을 보상할 수 있다.
그러나, 만약 상기 증착된 막의 두께가 그의 중심에서보다 그의 외주 에지에서 더 뚜꺼우면, 상기 격실들(1302b)에 연결된 가스 공급부의 유동비가 상기 격실(1302a)에 연결된 가스 공급부의 유동비에 비해 증가될 수 있을 것이다. 따라서, 상기 격실(1302b)이 상기 대응하는 상기 격실(1302a)과 비교하여 그의 중심에서 크게 집중된 구멍들(1301)을 가지므로, 상기 가스 분배기(1300)는 상기 기판(113) 상에 증착된 막의 두께의 비균등성을 보상할 수 있다.
상기 격실들(1302a-b, 1304a-b)에 연결된 제 1 및 제 2 세트의 가스 공급부들 각각의 유동비는 상기 가스 분배기(1300)가 상기 증착된 기판 막의 두께 균등성을 보다 확실히 하고 또한 상기 증착된 막의 품질을 유리하게 개선할 수 있도록 적절히 조절될 수 있다는 사실을 인식할 수 있을 것이다.
도 14는 도 1의 MOCVD 리액터(101)에서 사용할 수 있는 서셉터들(1401)을 도시한다. 각각의 서셉터(1401)는 복수의 기판들(113)을 운반하며 또한 사용시에 회전된다. 상기 서셉터들(1401)을 회전시킴으로써, 상기 기판들(113) 상에 적층된 막의 두께에 있어서의 어떠한 차이도 보상될 수 있으며, 따라서 상기 증착된 막 두께의 균등성이 개선된다. 이는 상기 기판들(113) 상에 증착된 막의 품질을 개선시킨다.
본 발명의 범위와 정신을 벗어나지 않는 한도 내에서 상기 MOCVD 리액터(101)를 구성하는 요소들의 다른 변경들이 포함될 수 있음을 인식되어야 한다. 예를 들어, 비록 각각의 스피너의 실시예들이 상기 스피너 허브 둘레에 직각으로 이격된 4개의 서로 분기된 블레이드들을 갖는 것으로 설명되었지만, 그 대신 스피너의 다른 실시예들에서는 오직 단일 블레이드만을 가질 수 있거나, 또는 어떠한 수의 블레이드들을 가질 수도 있다. 또한, 비록 상기 기판들(113)의 표면들 상에 적층되는 재료로서 박막 GaN가 설명되었지만, 갈륨 비소(GaAs)와 같은 그룹 Ⅲ/Ⅴ 성분 그룹을 형성하는 다른 재료나 또는 산화 아연(ZnO)과 같은 그룹 Ⅱ/Ⅵ 성분 그룹을 형성하는 재료들이 또한 사용될 수 있다. 또한, 상술된 스피너 및 가스 분배기의 다른 실시예들이 예를 들면 화학적 증기 증착(CVD), 원자층 증착(ALD), 및 하이드라이드 증기상 에피탁시(HVPE; hydride vapour phase epitaxy)와 같은 다른 증착 기술에서도 사용될 수 있다.
Claims (14)
- 전구체 가스들(precursor gases)을 사용하여 기판의 표면 상에 박막을 증착시키기 위한 장치로서,
상기 기판을 보유하도록 구성된 지지 디바이스; 및
상기 지지 디바이스에 인접 위치된 스피너(spinner)를 포함하며,
상기 스피너는 모터에 연결하기 위한 허브(hub) 및 상기 허브에 연결되는 하나 이상의 블레이드들을 가지며,
상기 하나 이상의 블레이드들은, 상기 기판의 표면을 가로질러 상기 전구체 가스들을 분배하도록, 상기 전구체 가스들의 유체 유동을 추진시키기 위해 평면 상에서 상기 허브 둘레를 회전하도록 작동하며,
상기 하나 이상의 블레이드들 각각은 상기 기판의 표면을 가로질러 상기 전구체 가스들의 분배를 추진시키기 위해 상기 평면에 대해 빗각(oblique angle)으로 경사진 구동면을 가지며,
상기 구동면은 킹크부(kink)를 형성하기 위해 다른 각도들로 경사지는 박막 증착 장치. - 전구체 가스들(precursor gases)을 사용하여 기판의 표면 상에 박막을 증착시키기 위한 장치로서,
상기 기판을 보유하도록 구성된 지지 디바이스; 및
상기 지지 디바이스에 인접 위치된 스피너(spinner)를 포함하며,
상기 스피너는 모터에 연결하기 위한 허브(hub) 및 상기 허브에 연결되는 하나 이상의 블레이드들을 가지며,
상기 하나 이상의 블레이드들은, 상기 기판의 표면을 가로질러 상기 전구체 가스들을 분배하도록, 상기 전구체 가스들의 유체 유동을 추진시키기 위해 평면 상에서 상기 허브 둘레를 회전하도록 작동하며,
상기 허브는 허브 입구 및 상기 허브 내로 도입된 상기 전구체 가스들을 포함하며, 상기 허브 입구를 통해 상기 전구체 가스들 중 하나가 상기 허브의 내부 안으로 도입되고, 상기 허브 내로 도입된 상기 전구체 가스들은 상기 하나 이상의 블레이드들 각각으로 흐르며,
상기 하나 이상의 블레이드들 각각은 블레이드 출구를 포함하며, 상기 전구체 가스가 상기 각각의 블레이드의 내부로부터 상기 블레이드 출구를 통해 분배되며,
상기 허브의 내부와 상기 블레이드의 내부는 상호 유체 연통되는 박막 증착 장치. - 삭제
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 하나 이상의 블레이드들 각각은 익형(airfoil)인 박막 증착 장치.
- 삭제
- 제 2 항에 있어서, 상기 허브는 하나 이상의 상기 전구체 가스들을 받아들이도록(receive) 구성된 복수의 허브 입구들을 포함하는 박막 증착 장치.
- 제 2 항에 있어서, 상기 블레이드 출구는 상기 각각의 블레이드의 회전 방향으로부터 이격되어 있는 각각의 블레이드의 후미 에지(trailing edge)에 배치되는 박막 증착 장치.
- 제 2 항에 있어서, 상기 하나 이상의 블레이드들 각각의 내부 길이를 따라 배치된 내부 격벽(partition)을 추가로 포함하며, 상기 내부 격벽은 개구부를 규정하며(define), 상기 전구체 가스는 상기 각각의 블레이드 내부로부터 분배되기 전에 상기 개구부를 통해 유동하는, 박막 증착 장치.
- 제 2 항에 있어서, 상기 하나 이상의 블레이드들 각각의 내부 뿐만 아니라 상기 허브의 내부 안에 배열된 수로(water channel)를 추가로 포함하며, 상기 수로는 사용 중의 상기 스피너를 냉각시키기 위해 구비되며, 물 공급부로부터 물을 받아들이기(receive) 위한 물 입구 및 물을 방출하기 위한 물 출구를 갖는 박막 증착 장치.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 스피너에 인접 위치된 가스 분배기를 추가로 포함하는 박막 증착 장치.
- 제 10 항에 있어서, 상기 가스 분배기는 하나 이상의 퍼징 가스(purging gas)들을 상기 기판의 표면으로 지향시키도록 구성되는 박막 증착 장치.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 따른 장치의 상기 스피너로서 사용하기 위한 디바이스.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
가스 공급부들의 각각의 세트가 상기 전구체 가스들을 공급하도록 구성되는, 복수 세트의 상기 가스 공급부들; 및
상기 전구체 가스들을 상기 기판의 표면으로 지향시키도록 구성되는 가스 분배기로서, 상기 가스 분배기는 복수 세트의 격실들(compartments)을 포함하며, 상기 격실들의 각각의 세트는 상기 가스 공급부들의 개별 세트로부터 상기 전구체 가스들을 받아들이도록(receive) 구성되며, 각각의 격실은 구멍들(apertures)을 가지며, 받아들여진 전구체 가스들이 상기 구멍들을 통해 상기 가스 분배기로부터 상기 지지 디바이스를 향해 유동하는, 가스 분배기를 추가로 포함하며,
상기 복수 세트의 가스 공급부들은 상기 전구체 가스들 중 적어도 하나를 제어 가능한 유동률(flow rate)로 공급하도록 작동되며, 상기 가스 분배기의 각각의 격실에 있는 구멍들은 균등하게 분배되며, 상기 격실 세트들 중 하나는 각각의 다른 격실 세트들과 비교하여 상기 가스 분배기의 중심에 대용적부와 상기 가스 분배기의 에지에 소용적부를 갖는 박막 증착 장치. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
가스 공급부들의 각각의 세트가 상기 전구체 가스들을 공급하도록 구성되는, 복수 세트의 상기 가스 공급부들; 및
상기 전구체 가스들을 상기 기판의 표면으로 지향시키도록 구성되는 가스 분배기로서, 상기 가스 분배기는 복수 세트의 격실들을 포함하며, 상기 격실들의 각각의 세트는 상기 가스 공급부들의 개별 세트로부터 상기 전구체 가스들을 받아들이도록(receive) 구성되며, 각각의 격실은 구멍들을 가지며, 상기 가스 공급부들의 상기 개별 세트로부터 받아들여진 상기 전구체 가스들이 상기 구멍들을 통해 상기 가스 분배기로부터 상기 지지 디바이스를 향해 유동하는, 상기 가스 분배기;를 추가로 포함하며,
상기 복수 세트의 가스 공급부들은 상기 전구체 가스들 중 적어도 하나를 제어 가능한 유동률(flow rate)로 공급하도록 작동되며, 상기 복수 세트의 격실들은 동일한 용적을 가지며, 상기 격실 세트들 중 하나는 각각의 다른 격실 세트들과 비교하여 상기 가스 분배기의 중심에 더 많은 구멍들과 상기 가스 분배기의 에지에 더 적은 구멍들을 갖는 박막 증착 장치.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US13/155,529 US8840726B2 (en) | 2011-06-08 | 2011-06-08 | Apparatus for thin-film deposition |
| US13/155,529 | 2011-06-08 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20120136294A KR20120136294A (ko) | 2012-12-18 |
| KR101479480B1 true KR101479480B1 (ko) | 2015-01-06 |
Family
ID=47220726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR20120060193A KR101479480B1 (ko) | 2011-06-08 | 2012-06-05 | 박막 증착을 위한 장치 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8840726B2 (ko) |
| KR (1) | KR101479480B1 (ko) |
| CN (1) | CN102817012B (ko) |
| DE (1) | DE102012209244B4 (ko) |
| SG (1) | SG186555A1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9978777B2 (en) | 2016-01-11 | 2018-05-22 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device including thin film transistor array panel and manufacturing method thereof |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8840726B2 (en) * | 2011-06-08 | 2014-09-23 | Asm Technology Singapore Pte Ltd | Apparatus for thin-film deposition |
| US20130323422A1 (en) * | 2012-05-29 | 2013-12-05 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for CVD and ALD with an Elongate Nozzle and Methods Of Use |
| US9279185B2 (en) * | 2012-06-14 | 2016-03-08 | Asm Technology Singapore Pte Ltd | Feed-through apparatus for a chemical vapour deposition device |
| US9577143B1 (en) | 2012-06-15 | 2017-02-21 | Ostendo Technologies, Inc. | Backflow reactor liner for protection of growth surfaces and for balancing flow in the growth liner |
| US8992684B1 (en) * | 2012-06-15 | 2015-03-31 | Ostendo Technologies, Inc. | Epitaxy reactor internal component geometries for the growth of superior quality group III-nitride materials |
| US9023673B1 (en) | 2012-06-15 | 2015-05-05 | Ostendo Technologies, Inc. | Free HCL used during pretreatment and AlGaN growth to control growth layer orientation and inclusions |
| US10273578B2 (en) * | 2014-10-03 | 2019-04-30 | Applied Materials, Inc. | Top lamp module for carousel deposition chamber |
| JP6305314B2 (ja) * | 2014-10-29 | 2018-04-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置およびシャワーヘッド |
| JP6503730B2 (ja) * | 2014-12-22 | 2019-04-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
| US10954597B2 (en) * | 2015-03-17 | 2021-03-23 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition apparatus |
| JP6894482B2 (ja) * | 2019-09-12 | 2021-06-30 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体 |
| CN113467198B (zh) * | 2020-03-31 | 2023-04-18 | 长鑫存储技术有限公司 | 半导体设备及半导体结构的制备方法 |
| CN111501019A (zh) * | 2020-05-13 | 2020-08-07 | 深圳市纳设智能装备有限公司 | 一种用于cvd设备的反应室涡轮结构 |
| TWI771939B (zh) * | 2021-03-04 | 2022-07-21 | 漢民科技股份有限公司 | 前驅物循環式原子層沉積設備與方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020013383A (ko) * | 2000-08-09 | 2002-02-20 | 황 철 주 | 회전형 가스분사기를 가지는 반도체소자 제조장치 및 이를이용한 박막증착방법 |
| KR20040011862A (ko) * | 2002-07-31 | 2004-02-11 | (주)알파플러스 | 화학증착 시스템에서 분산판과 회전체를 갖는 샤워 헤드 구조 |
| KR20040045480A (ko) * | 2001-10-05 | 2004-06-01 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 반도체 웨이퍼 상에 프로세싱 가스를 고르게 유동시키는장치 및 방법 |
| KR20100077888A (ko) * | 2008-12-29 | 2010-07-08 | 주식회사 케이씨텍 | 원자층 증착장치 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5225366A (en) * | 1990-06-22 | 1993-07-06 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Apparatus for and a method of growing thin films of elemental semiconductors |
| GB2246793B (en) * | 1990-08-04 | 1994-09-21 | Tyne Tees Trans Tech Limited | Deposition employing fluidised bed |
| US6812157B1 (en) * | 1999-06-24 | 2004-11-02 | Prasad Narhar Gadgil | Apparatus for atomic layer chemical vapor deposition |
| US6554905B1 (en) * | 2000-04-17 | 2003-04-29 | Asm America, Inc. | Rotating semiconductor processing apparatus |
| DE10118130A1 (de) * | 2001-04-11 | 2002-10-17 | Aixtron Ag | Vorrichtung oder Verfahren zum Abscheiden von insbesondere kristallinen Schichten auf insbesondere kristallinen Substraten aus der Gasphase |
| KR100432704B1 (ko) * | 2001-09-01 | 2004-05-24 | 주성엔지니어링(주) | 수소화된 ＳｉＯＣ 박막 제조방법 |
| US20040129212A1 (en) * | 2002-05-20 | 2004-07-08 | Gadgil Pradad N. | Apparatus and method for delivery of reactive chemical precursors to the surface to be treated |
| US6656284B1 (en) * | 2002-06-28 | 2003-12-02 | Jusung Engineering Co., Ltd. | Semiconductor device manufacturing apparatus having rotatable gas injector and thin film deposition method using the same |
| KR100497748B1 (ko) * | 2002-09-17 | 2005-06-29 | 주식회사 무한 | 반도체소자 제조용 원자층 증착 장치 및 원자층 증착 방법 |
| US20040082251A1 (en) * | 2002-10-29 | 2004-04-29 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for adjustable gas distribution for semiconductor substrate processing |
| CN1894779A (zh) * | 2004-11-10 | 2007-01-10 | 三益半导体工业株式会社 | 板片式晶片处理装置 |
| KR100558922B1 (ko) * | 2004-12-16 | 2006-03-10 | (주)퓨전에이드 | 박막 증착장치 및 방법 |
| JP4885000B2 (ja) * | 2007-02-13 | 2012-02-29 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 気相成長装置および気相成長方法 |
| KR101431197B1 (ko) * | 2008-01-24 | 2014-09-17 | 삼성전자주식회사 | 원자층 증착설비 및 그의 원자층 증착방법 |
| TWI465599B (zh) * | 2008-12-29 | 2014-12-21 | K C Tech Co Ltd | 原子層沉積裝置 |
| JP5287592B2 (ja) * | 2009-08-11 | 2013-09-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
| US20110083735A1 (en) * | 2009-10-13 | 2011-04-14 | Ips Ltd. | Solar cell and method of fabricating the same |
| DE102011007735A1 (de) * | 2010-06-14 | 2011-12-15 | S.O.I. Tec Silicon On Insulator Technologies | Systeme und Verfahren zur Gasbehandlung einer Anzahl von Substraten |
| US8840726B2 (en) * | 2011-06-08 | 2014-09-23 | Asm Technology Singapore Pte Ltd | Apparatus for thin-film deposition |
-
2011
- 2011-06-08 US US13/155,529 patent/US8840726B2/en active Active
-
2012
- 2012-05-31 DE DE201210209244 patent/DE102012209244B4/de active Active
- 2012-06-01 SG SG2012040630A patent/SG186555A1/en unknown
- 2012-06-05 KR KR20120060193A patent/KR101479480B1/ko active IP Right Grant
- 2012-06-08 CN CN201210188760.0A patent/CN102817012B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020013383A (ko) * | 2000-08-09 | 2002-02-20 | 황 철 주 | 회전형 가스분사기를 가지는 반도체소자 제조장치 및 이를이용한 박막증착방법 |
| KR20040045480A (ko) * | 2001-10-05 | 2004-06-01 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 반도체 웨이퍼 상에 프로세싱 가스를 고르게 유동시키는장치 및 방법 |
| KR20040011862A (ko) * | 2002-07-31 | 2004-02-11 | (주)알파플러스 | 화학증착 시스템에서 분산판과 회전체를 갖는 샤워 헤드 구조 |
| KR20100077888A (ko) * | 2008-12-29 | 2010-07-08 | 주식회사 케이씨텍 | 원자층 증착장치 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9978777B2 (en) | 2016-01-11 | 2018-05-22 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device including thin film transistor array panel and manufacturing method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102817012A (zh) | 2012-12-12 |
| DE102012209244B4 (de) | 2015-04-30 |
| US20120312231A1 (en) | 2012-12-13 |
| KR20120136294A (ko) | 2012-12-18 |
| US8840726B2 (en) | 2014-09-23 |
| DE102012209244A1 (de) | 2012-12-13 |
| CN102817012B (zh) | 2015-01-28 |
| SG186555A1 (en) | 2013-01-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101479480B1 (ko) | 박막 증착을 위한 장치 | |
| TWI417415B (zh) | 化學氣相沉積流動入口元件及方法 | |
| US8152923B2 (en) | Gas treatment systems | |
| CN101819920B (zh) | 衬底处理装置 | |
| JP4630226B2 (ja) | シャワーヘッドを用いた化学気相蒸着方法及びその装置 | |
| US20100263588A1 (en) | Methods and apparatus for epitaxial growth of semiconductor materials | |
| US20110265725A1 (en) | Film deposition device and substrate processing device | |
| JP7495882B2 (ja) | マルチゾーンインジェクターブロックを備える化学蒸着装置 | |
| JP2021114541A (ja) | 気相成長装置 | |
| KR100782740B1 (ko) | 화학 기상 증착 장치 | |
| CN113508189B (zh) | 一种用于GaN材料生长的线性喷头 | |
| US20180119277A1 (en) | Gas Distribution Apparatus for Deposition System | |
| TW201309840A (zh) | 在所需位置具有進出閘門之沈積系統及相關製作方法 | |
| JP2005243963A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH01230225A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2005243964A (ja) | 化学気相成長装置および化学気相成長方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171219 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181219 Year of fee payment: 5 |