TWI496928B - 薄膜蒸鍍裝置 - Google Patents

Description

薄膜蒸鍍裝置

本發明係關於薄膜蒸鍍裝置，更具體而言，係關於利用等離子體在基板上蒸鍍薄膜的等離子體化學氣相沉積裝置。

太陽電池是利用半導體的性質將光能轉化為電能的裝置。這種太陽電池根據其種類分為單晶矽太陽電池、多晶矽太陽電池、薄膜太陽電池(thin-film solar cells)等。

薄膜類太陽電池是在玻璃或塑膠材質的透明基板上蒸鍍p膜、i膜、n膜來製造，結晶類太陽電池是在矽基板上蒸鍍防反射膜來製造，這種膜可以通過利用等離子體的化學氣相沉積工序蒸鍍在基板上。

本發明用於提供可以提高蒸鍍薄膜的均勻度的薄膜蒸鍍裝置。

本發明的目的不限於此，本領域普通技術人員可以根據以下的記載清楚地理解未提及的其他目的。

為了實現上述的課題，根據本發明的實施例的薄膜蒸鍍裝置包括：處理室；配置在上述處理室內，支承基板的基板支承機構；及配置在上述基板支承機構的上部，向上述基板供給處理氣體的噴淋頭。上述噴淋頭包括：上部平板，在該上部平板上形成有多個氣道以提供上述處理氣體的流路，在上述氣道形成氣體噴射孔，施加高頻電流而激勵上述處理氣體產生等離子體；擋板，配置在上述上部平板的下部，形成有多個孔而使上述處理氣體的流動均勻地分散；及噴射板，配置在上述擋板的下部，將通過上述擋板供給的上述處理氣體噴射到上述基板上。

根據本發明的實施例，上述氣道、上述氣體噴射孔、及上述平板的孔可以形成為流體流動的阻力依次增大。

根據本發明，在基板上更均勻地供給處理氣體，提高蒸鍍在基板上的薄膜的均勻性。

以下，參照圖式詳細說明本發明的優選實施例的薄膜蒸鍍裝置。首先，在各圖的構成要素標注參照元件符號時，應注意對於相同的構成要素，即便在不同圖式上表示，也盡可能使其具有相同的元件符號。另外，說明本發明時，在判斷為相關的公知結構或對功能的具體說明有可能擾亂本發明的宗旨的情況下，省略其詳細說明。

(實施例)

圖1是本發明的一實施例的PECVD裝置的立體圖，圖2及圖3是本發明的一實施例的PECVD裝置的平面結構圖及側截面結構圖。

若參照圖1至圖3，PECVD裝置1是用於對太陽電池用大面積基板S進行PECVD處理工序的裝置，包括：載鎖腔(load-lock chamber(載入互鎖真空室))100、運送腔200以及多個處理模組300。

載鎖腔100配置在PECVD裝置1的前方。載鎖腔100的4個腔由層疊配置的結構構成，在其中2個腔是工序處理前大面積基板S等待的裝載腔110a，其餘的2個腔可以用作被工序處理後的大面積基板S等待的卸載腔110b。

裝載腔110a和卸載腔110b分別具有第1出入口112和第2出入口114，在內部空間提供放置一片大面積基板的載物台120。在裝載腔110a的載物台120上設有用於預熱大面積基板的預熱部件130，在卸載腔110b的載物台120上放置已在處理腔處理過的大面積基板S，所以設有用於降低大面積基板的溫度的冷卻部件140。

大面積基板通過大氣壓運送機械手(未圖示)搬入裝載腔110a或從卸載腔110b搬出。構成載鎖腔100的裝載腔110a和卸載腔110b分別在運送腔200的運送機械手210裝載或卸載大面積基板的期間形成與運送腔200相同的(鄰接的)真空氣氛，在欲從大氣壓運送機械手接受未處理的大面積基板或搬出已經處理的大面積基板時，轉換為大氣壓狀態。即，載鎖腔100的裝載/卸載腔110a、110b為了防止運送腔200的氣壓狀態變化，其自行交替真空狀態和大氣壓狀態來維持壓力，為了盡可能迅速處理這種壓力變動，劃分為多個裝載腔110a和卸載腔110b。當然，載鎖腔的各腔可以不分為裝載用和卸載用而兼用於裝卸。

運送腔200位於載鎖腔100和處理模組300的中央。運送腔200與載鎖腔100及處理模組300的各處理腔300a連接，具有用於運送大面積基板的運送機械手210。運送機械手210可以由具有1個或2個臂結構的機械手構成，該1個或2個臂結構能夠將放置在裝載腔110a的載物台120上的大面積基板搬出而搬入處理模組300的處理腔300a中。

設置在運送腔200上的運送機械手210除本實施例所示的結構以外，還可以使用用於通常的太陽電池製造工序及平板顯示板製造工序的多種機械手。例如，可以使用可用一個臂處理兩片大面積基板S的具有雙刀片結構的臂的機械手，或具備一個以上的臂的機械手或混合採用這些的機械手。

處理模組300以運送腔200為中心連接配置在側面。在本實施例中示出以運送腔200為中心以90度間隔配置有3個處理模組300的情況，但是可以根據需要配置4個至5個處理模組300。

處理模組300利用等離子體進行在基板上蒸鍍薄膜的等離子體化學氣相沉積工序。在薄膜蒸鍍工序中所使用的基板，例如可以是在薄膜類太陽電池的製造中所使用的的玻璃或塑膠材質的透明基板，或在結晶類太陽電池的製造中所使用的矽基板等。處理模組300非常適合進行在薄膜類太陽電池的透明基板上依次層疊非晶矽(a-Si)膜和微晶矽(micro-crystalline silicon)(mc-Si)膜的疊層(tandem)結構的薄膜蒸鍍工序。

處理模組300是層疊有用於獨立地執行對大面積基板的等離子體處理工序的處理腔300a的結構，在本實施例中，處理模組300以層疊配置4個處理腔300a的結構構成，在高度允許的情況下可以層疊配置4個以上的處理腔。

在位於最下端的處理腔300a的下方設置有具備升降驅動部410的升降裝置400，該升降裝置400使分別設置在4個處理腔300a中的基座310同時升降。升降裝置400的升降驅動力通過升降軸360可以傳遞到各處理腔300a的基座。具有這種結構的處理模組300可以最大限度地降低設備高度，可以層疊配置更多的處理腔300a。

這樣，本發明的PECVD裝置1可以在相同的面積上配置多個(12個以上)處理腔310，從而可以提高工序及生產靈活性，可以最大化每個裝置的生產率。特別是，本發明非常適合於連續蒸鍍非晶矽膜和微晶矽膜的疊層結構的太陽電池製造工序，該微晶矽膜的蒸鍍厚度厚~20000Angstrom(2μm)左右而需要比其他薄膜長的蒸鍍時間。

疊層結構的太陽電池為了有效地吸收從紅外區域至紫外區域的太陽光光譜而提高發電效率，具有層疊非晶矽膜和微晶矽膜的結構。

圖4a是基座位于下方的狀態的處理腔剖面圖，圖4b是基座位于上方的狀態的處理腔剖面圖。

如圖4a及圖4b所示，處理腔300a提供位於基座310和噴淋頭320之間的工序處理區域(反應空間)。處理腔300a的工序處理區域構成為與層疊在同一處理模組300上的其他處理腔300a的等離子體形成區域未完全隔離的開放型。

在處理腔300a的側壁設置有決定運送腔200和反應空間之間的連通與否的槽閥門380，在從運送腔200向基座310上搬入大面積基板S時(或搬出大面積基板時)開放槽閥門380。

在處理腔310設置升降銷390，該升降銷390在搬入或搬出基板時支承大面積基板S，在基座310向下方下降的狀態下進行基板支承。即，通過運送機械手210搬入在大面積基板時，在基座310下降的狀態下基板被支承在升降銷390上，在基座310升降時基板被放置在基座310上部，升降銷390被插入形成於基座310上的銷孔中。

在基座310的上部空間設有用作電極的電極型噴淋頭320，該電極與為了形成等離子體而施加高頻電流的等離子體源即高頻電源(未圖示)連接。

噴淋頭320通過氣體供給機構600，根據在處理腔300中執行的處理工序的種類，接受用於在基板蒸鍍薄膜的等離子體形成用混合氣體。從氣體供給機構600供給的等離子體形成用混合氣體在噴淋頭320中等離子體化而在大面積基板S上進行預定的薄膜蒸鍍之後，通過氣體排氣管370排出。

基座310設置成可在處理腔300a內上下移動，並電性接地。大面積基板S安放在基座310上。在基座310的內部安裝用於加熱大面積基板S的加熱器(未圖示)。基座310的底面被基座支承架350支承。基座支承架350的長度比基座310寬，在兩端沿垂直方向設置升降軸360。

升降軸360的上端貫通噴淋頭320而與位於上部的處理腔300a的其他升降軸360連接。即，升降軸360具有相互傳遞升降裝置400的升降驅動力的功能。位於最下端的升降軸360與升降裝置400連接。升降裝置400的升降驅動力通過升降軸360傳遞到各處理腔300a，從而使設置在各處理腔300a的基座310同時升降。

作為參考，供給到噴淋頭500的氣體可以是原料氣體和反應氣體的混合氣體。原料氣體是包含要形成在基板上的薄膜的主要成分的氣體，反應氣體是用於形成等離子體的氣體。若舉出一例，在基板上蒸鍍矽氧化膜的情況下，作為原料氣體可以使用SiH4，作為反應氣體可以使用O2。根據其他例，在基板上蒸鍍氮化矽膜的情況下，作為原料氣體可以使用SiH4，作為反應氣體可以使用NH3、N2。根據其他例，在基板上蒸鍍非晶質矽膜的原料氣體可以使用SiH4，作為反應氣體可以使用H2。

圖5是表示噴淋頭500的剖面圖，圖6是表示上部平板的上表面結構的圖，圖7是放大圖5的主要部分的立體圖。

若參照圖5至圖7，噴淋頭500包括上部平板520、擋板540及噴射板560。

在上部平板520的下部結合擋板540，以便在與上部平板520之間形成一定的空間，在擋板540上形成有多個氣孔542。在擋板540的下部提供噴射板560，在噴射板560上形成有多個噴射孔562。通過上部平板520供給的氣體通過擋板540的噴射孔542之後，通過噴射板560的噴射孔562向大面積基板S噴射。

上部平板520可以形成為大致四邊形形狀的平板，在上部平板520連接用於生成等離子體的VHF(Very high frequency：30MHz~300MHz)頻帶的高頻電源(未圖示)。

在上部平板520的上表面形成多個氣道，以便供給到上部平板520的氣體均勻地流動。形成在上部平板520上的多個氣道由第1至第6線路L1~L6形成。第1線路L1位於上表面中央附近，是流入氣體的流入槽522連接在中間的線路，通過流入槽522提供到上部平板520的氣體在第1線路L1向兩側最先分支。第2線路L2從第1線路L1的兩端垂直朝兩方向分支。第3線路L3從各第2線路的末端垂直朝兩方向分支。第4線路L4從各第3線路L3的兩端垂直朝兩方向分支。第5線路L5從各第4線路L4的兩端垂直朝兩方向分支。第6線路L6從各第5線路的兩端垂直連接。在第6線路L6的兩末端部貫通形成氣體噴射孔527。

在上部平板520的上表面中心通過第1線路L1和第2線路L2形成”T字形狀”的第1通道521，在第1通道521的垂直部(相當於第1線路)連接向上部平板520流入氣體的流入槽522。多個通道以四邊形形態的配置結構形成為以上部平板520的中心為基準構成相互對稱，因此以下僅對對稱的一部分通道進行說明。

在“T”字形狀的第1通道521的某一個水準部(第2線路)的末端連接由第3線路L3和第4線路L4形成的“T”字形狀的第2通道523，在“T”字形狀的第2通道523的水準部(相當於第4線路)的末端垂直連接由第5線路L5和第6線路L6形成的第3通道524。在第3通道的水準部(相當於第6線路)的兩端貫通形成用於通過氣體的孔527。第1至第3通道形成為具有臺階部，在第1至第3通道的臺階部結合蓋板528。因此，在蓋板528的下表面和第1至第3通道的底面之間形成氣體流動的空間。

若觀察具有上述結構的噴淋頭500中的氣體流動，則通過上部平板520中央的流入槽522流入上部平板520的中央的氣體(SiH4和H2)通過第1至第3通道1次性地分支為64個之後，通過64個孔527流入上部平板520和擋板540之間的第1阻擋空間。接著，氣體通過擋板540的氣孔542進行2次性分支而流入擋板540和噴射板560之間的第2阻擋空間，最終通過噴射板560的噴射孔562而向大面積基板S全面地均勻噴射。

在此，若比較用於均勻的氣體供給的上部平板520、擋板540及噴射板560的開口率，則優選擋板540的氣孔542的開口率C2小於上部平板的孔527的開口率C1和噴射板的噴射孔562的開口率C3(C2<C1，C3)。作為參考，工序處理區域P3的壓力和第2阻擋空間P2的壓力幾乎相同，第1阻擋空間P1的壓力高於工序處理區域P3的壓力和第2阻擋空間P2的壓力(P1>P2，P2=P3)。

本發明的噴淋頭500在最初接受氣體的上部平板520的上表面形成多個氣道，以便供給到上部平板的氣體均勻地流動，從而可以向第1阻擋空間B1和進一步向第2阻擋空間B2均勻地供給氣體。由於能夠進行這種均勻的氣體供給(流動)，從而可以最小限度地降低形成於上部平板520和擋板540以及形成於擋板540和噴射板560之間的第1、第2阻擋空間B1、B2的高度，這樣可以減薄噴淋頭500的厚度而從整體上降低處理腔的高度，能夠期待在處理模組內層疊多個處理腔的特別的效果。

圖8是表示上部平板的變形例的圖。

若參照圖8，在上部平板520a的上表面形成多個氣道，以便供給到上部平板520a的氣體均勻地流動。形成在上部平板520a的多個氣道由第1至第9線路L1~L9形成。

第1線路L1位於上表面中央附近，是流入氣體的流入槽522連接在中間的線路，通過流入槽522提供到上部平板520的氣體在第1線路L1向兩側最先分支。第2線路L2從第1線路L1的兩端垂直連接。第3線路L3從各第2線路末端垂直連接。第4線路L4從各第3線路L3的末端垂直朝兩方向分支。第5線路L5從各第4線路L4的兩端垂直朝兩方向分支。第6線路L6從各第5線路的兩端垂直朝兩方向分支。第7線路L7從各第6線路的兩端垂直連接。第8線路L8從各第7線路L7的末端垂直朝兩方向分支。第9線路L9從各第8線路L8的末端垂直朝兩方向分支。在第9線路L9的兩末端部貫通形成氣體噴射孔527。

在上部平板520a的上表面中心，由第1線路L1和第2線路L2形成“ㄈ”字形狀的第1通道521，在第1通道521的垂直部(相當於第1線路)中心，沿著水準方向延長了向上部平板520流入氣體的流入槽522。多個通道以四邊形形態的配置結構形成為以“ㄈ”字形狀的第1通道521為中心對稱，在以下僅對對稱的一部分通道進行說明。

在“ㄈ”字形狀的第1通道521的某一個水準部(第2線路)的末端連接由第3線路L3和第4線路L4提供的“T”字形狀的第2通道523，在“T”字形狀的第2通道523的水準部(相當於第4線路)的某一個末端垂直連接第5線路L5即第3通道524。在第3通道524的兩末端連接由第6線路L6和第7線路L7形成的“ㄈ”字形狀的第4通道525a、525b。在第4通道525a、525b的兩末端連接由第8線路L8和第9線路L9形成的“H”字形狀的第5通道526a、526b、526c、526d。在第5通道526a、526b、526c、526d垂直部(相當於第9線路)兩端貫通形成用於通過氣體的孔527。第1至第5通道形成為具有臺階部，在第1至第5通道的臺階部結合蓋板528。因此，在蓋板528的下表面和第1至第5通道的底面之間形成氣體流動的空間。

若觀察具有上述結構的噴淋頭500中的氣體流動，通過上部平板520a中央的流入槽522流入上部平板520a的氣體(SiH4和H2)通過第1至第5通道1次性分支為64個之後，通過64個孔527流入上部平板520a和擋板540之間的第1阻擋空間。接著，氣體通過阻擋平板540的氣孔542進行2次性分支而流入擋板540和噴射板560之間的第2阻擋空間，最終通過噴射板560的噴射孔562而向大面積基板S全面地均勻噴射。

本發明適合在VHF30MHz~300MHz頻帶的高頻電源和1Torr以上10Torr以下的高壓條件(內部壓力越高，電子和中性氣體的衝撞次數增加而可以得到高密度的等離子體)下，在蒸鍍有非晶矽膜的大面積(1100*1400mm)大小的基板表面蒸鍍微晶矽薄膜，特別是對基板表面整體的膜厚均勻性的改善效果非常顯著。這種高頻電壓和高壓條件可以說是用於微晶矽薄膜蒸鍍的必需條件。

以上的說明只是例示性地說明了本發明的技術思想，本發明所屬技術領域的普通技術人員可以在不脫離本發明的本質特性的範圍內進行多種修改及變形。因此，本發明中公開的實施例不是為了限制本發明的技術思想，而是為了進行說明，本發明的技術思想的範圍不受這些實施例的限定。本發明的保護範圍應根據下面的申請專利範圍解釋，屬於與其等同的範圍內的所有技術思想應解釋為包含在本發明的權利範圍內。

1．．．PECVD裝置

100．．．載鎖腔

110a．．．裝載腔

110b．．．卸載腔

112．．．第1出入口

114．．．第2出入口

120．．．載物台

130．．．預熱部件

140．．．冷卻部件

200．．．運送腔

210．．．運送機械手

300．．．處理模組

300a．．．處理腔

310．．．基座

320．．．噴淋頭

350．．．基座支承架

360．．．升降軸

370．．．氣體排氣管

380．．．槽閥門

390．．．升降銷

400．．．升降裝置

500．．．噴淋頭

520．．．上部平板

520a．．．上部平板

521．．．第1通道

522．．．氣體流入槽

523．．．第2通道

524．．．第3通道

525a、525b．．．第4通道

526a、526b、526c、526d．．．第5通道

527．．．孔

528．．．臺階部結合蓋板

540．．．擋板

542．．．氣孔

560．．．噴射板

562．．．噴射孔

600．．．氣體供給機構

B1．．．第1阻擋空間

B2．．．第2阻擋空間

L1．．．第1線路

L2．．．第2線路

L3．．．第3線路

L4．．．第4線路

L5．．．第5線路

L6‧‧‧第6線路

L7‧‧‧第7線路

L8‧‧‧第8線路

L9‧‧‧第9線路

P1‧‧‧第1阻擋空間的壓力

P2‧‧‧第2阻擋空間的壓力

P3‧‧‧工序處理區域的壓力

S‧‧‧基板

以下說明的圖式僅用於例示，並不限定本發明的範圍。

圖1是本發明的一實施例的大面積基板用PECVD裝置的立體圖。

圖2是本發明的一實施例的大面積基板用PECVD裝置的平面結構圖。

圖3是本發明的一實施例的大面積基板用PECVD裝置的側截面結構圖。

圖4a是基座位於下方的狀態的處理腔剖面圖。

圖4b是基座位於上方的狀態的處理腔剖面圖。

圖5是噴淋頭的剖面圖。

圖6是表示上部平板的上表面結構的圖。

圖7是放大圖5的主要部分的立體圖。

圖8是表示上部平板的變形例的圖。

500．．．噴淋頭

520a．．．上部平板

527．．．孔

528．．．臺階部結合蓋板

540．．．擋板

560．．．噴射板

562．．．噴射孔

P1．．．第1阻擋空間的壓力

P2．．．第2阻擋空間的壓力

P3．．．工序處理區域的壓力

Claims (16)

1. 一種薄膜蒸鍍裝置，其特徵在於包括：基座，其係用以支承基板；及噴淋頭，其配置在上述基座的上部，具有電極的功能，向上述基板供給處理氣體，上述噴淋頭包括：上部平板，其在同一平面上形成多個氣道以提供上述處理氣體的流路，在上述氣道中形成有氣體噴射孔；及噴射板，其配置在上述上部平板的下部，具有將通過上述上部平板供給的上述處理氣體噴射到上述基板上的噴射孔，其中上述上部平板包括：“T”字形狀的第1通道，其係以與氣體流入的流入槽連接的上表面中心為基準形成為相互對稱，朝兩側分支；及“T”字形狀的第2通道，其係從上述第1通道的兩側末端垂直連接而分支為2個；“T”字形狀的第3通道，其係從上述第2通道的兩側末端垂直連接而分支為2個；通過上述流入槽流入的氣體通過上述第1至第3通道分支為64個。
2. 如申請專利範圍第1項之薄膜蒸鍍裝置，其中上述第3通道分別在末端部貫通形成有上述氣體噴射孔。
3. 如申請專利範圍第1項之薄膜蒸鍍裝置，其中上述第1至第3通道形成為具有臺階部，還包括結合在上述第1至第3通道的臺階部並在其間形成流過氣體的空間的蓋板。
4. 如申請專利範圍第1項之薄膜蒸鍍裝置，其中上述上部平 板包括：第1線路，其位於上表面中央附近，流入氣體的流入槽連接在中間；第2線路，其係從上述第1線路的兩端垂直地朝兩方向分支；第3線路，其係從上述第2線路的末端垂直地朝兩方向分支；第4線路，其係從上述第3線路的末端垂直地朝兩方向分支；第5線路，其係從上述第4線路的兩端垂直地朝兩方向分支；第6線路，其係從上述第5線路的兩端垂直地朝兩方向分支，在兩末端部貫通形成有氣體噴射孔。
5. 如申請專利範圍第1項之薄膜蒸鍍裝置，其中上述上部平板包括：第1通道，形成在上表面中心並連接氣體流入的流入槽；“T”字形狀的第2通道，從上述第1通道的兩側末端垂直連接而分支為2個；第3通道，從上述“T”字形狀的第2通道的兩側末端連接成分支為2個；“ㄈ”字形狀的第4通道，從上述第3通道的兩側末端垂直連接成分支為2個；及“H”字形狀的第5通道，從上述“ㄈ”字形狀的第4通道的兩側末端垂直連接成分支為4個；通過上述流入槽流入的氣體通過上述第1至第5通道分支為64個。
6. 如申請專利範圍第1項之薄膜蒸鍍裝置，其中上述噴淋頭還包括：擋板，配置在上述上部平板和上述噴射板之間，形成有多個孔而使上述處理氣體的流動均勻地分散；在上述擋板和上述上部平板之間提供第1阻擋空間，在上述擋板和上述噴射板之間提供第2阻擋空間。
7. 如申請專利範圍第6項之薄膜蒸鍍裝置，其中上述氣道、上述上部平板的氣體噴射孔及上述擋板的孔形成為流體流動的阻力依次增大。
8. 如申請專利範圍第6項之薄膜蒸鍍裝置，其中上述擋板的孔的開口率分別小於上述上部平板的氣體噴射孔的開口率和上述噴射板的噴射孔的開口率。
9. 如申請專利範圍第1項之薄膜蒸鍍裝置，其中上述上部平板形成為四邊形形狀的平板，在上述上部平板施加用於生成等離子體的30MHz~300MHz頻帶的高頻電源。
10. 一種薄膜蒸鍍裝置，其特徵在於包括：上部平板，施加用於生成等離子體的高頻電源，多個對稱的氣道形成在同一平面上，用於1次性分支供給從外部接受的處理氣體，在上述氣道的最末端形成有用於氣體噴射的氣體噴射孔；擋板，設置成在上述上部平板的下方提供第1阻擋空間，形成有用於將從上述上部平板1次分支而被供給的處理氣體2次性分支供給的多個孔；噴射板，設置成在上述擋板下方提供第2阻擋空間，形成有噴射上述處理氣體的噴射孔；基座，設置成位於上述噴射板下方，支承基板。
11. 一種薄膜蒸鍍裝置，其特徵在於包括：載鎖腔，放置基板；運送腔，與上述載鎖腔連接，具有用於運送基板的運送機械手；及處理模組，與上述運送腔連接，對基板進行等離子體處理的處理腔沿上下方向層疊有至少2個以上；上述處理腔包括：基座，裝載半導體基板；及噴淋頭，位於上述基座的上端，上部平板、擋板及噴射板配置成相互層疊，在其間提供第1阻擋空間和第2阻擋空間；上述上部平板在同一平面上形成有提供處理氣體的流路的氣道，以便向形成於上述擋板和上述上部平板之間的上述第1阻擋空間均勻地供給處理氣體。
12. 如申請專利範圍第11項之薄膜蒸鍍裝置，其中上述上部平板包括：“T”字形狀的第1通道，以與流入氣體的流入槽連接的上表面中心為基準形成為相互對稱，朝兩側分支；“T”字形狀的第2通道，從上述第1通道的兩側末端垂直連接而分支為2個；及“T”字形狀的第3通道，從上述第2通道的兩側末端垂直連接而分支為2個；通過上述流入槽流入的氣體通過上述第1至第3通道分支為64個。
13. 如申請專利範圍第12項之薄膜蒸鍍裝置，其中上述氣道、上述上部平板的氣體噴射孔及上述擋板的孔形成為流體 流動的阻力依次增大。
14. 如申請專利範圍第12項之薄膜蒸鍍裝置，其中上述擋板的孔的開口率小於上述上部平板的氣體噴射孔的開口率和上述噴射平板的噴射孔的開口率。
15. 一種基板用等離子體處理裝置，其特徵在於：在如申請專利範圍第12項之薄膜蒸鍍裝置中，上述處理模組和上述載鎖腔以上述運送腔為中心配置成放射形。
16. 一種基板用等離子體處理裝置，其特徵在於：在如申請專利範圍第12項之薄膜蒸鍍裝置中，上述處理模組包括：升降裝置，具有設置在位於最下端的上述處理腔下方的升降驅動部；以及升降桿，在上述處理腔的上述基座兩端沿垂直方向設置，通過上述升降裝置升降而使上述基座升降，上述升降桿的上端貫通上述噴淋頭並與位於上部的處理腔的另一升降軸連接，從而相互傳遞上述升降裝置的升降驅動力。