KR101523299B1 - 반응 유도 유닛 및 기판 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 본 발명의 기판 처리 장치는 공정 챔버; 상기 공정 챔버에 설치되고 동일 평면상에 복수의 기판이 놓여지며, 회전축에 연결되어 회전되는 기판 서셉터; 상기 기판 서셉터 저면에 위치되는 히터 부재; 및 상기 기판 서셉터에 놓여진 복수의 기판들 각각에 대응하는 위치에서 기판의 처리면으로 가스를 분사하는 반응 유도 유닛들을 포함하되; 상기 반응 유도 유닛은 적어도 3개 이상이 적층된 플레이트들에 의해 다층 복합 구조의 유로를 가질 수 있다.

Description

반응 유도 유닛 및 기판 처리 장치{Reaction induction unit and substrate processing apparatus}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 특히 기판으로 분사하는 가스의 온도, 압력 그리고 반응 시간의 컨트롤을 용이하게 할 수 있는 반응 유도 유닛 및 그것을 갖는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 소자를 제조하는 증착 과정에 증착 막질의 형성도(conformability)를 개선하기 위해서 하나의 시스템 내에서 두 가지 이상의 가스의 반응 생성물을 이용하여 전구체(precursor)와 반응 증착시 온도, 압력, 가스율(Gas Ratio), 반응 시간(Reaction Time) 제어가 불가하거나 난이하여 반응 조건 충족을 위한 좁은 공정 윈도우 또는 반응 생성물의 소량 생산에 따른 배드 필름 품질(Bad film quality) 및 재결합(Recombination)으로 인한 균일한 공급이 난이하여 로딩 이펙트(loading Effect)가 발생된다.
본 발명의 목적은 두 가지 이상의 가스 반응 생성물을 이용하여 전구체와 반응 증착시 온도, 압력 그리고 반응 시간의 컨트롤을 용이하게 할 수 있는 반응 유도 유닛 및 그것을 갖는 기판 처리 장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 목적은 두 가지 이상의 가스를 내부에서 반응시켜 반응 생성물을 균일하게 공급할 수 있는 반응 유도 유닛 및 그것을 갖는 기판 처리 장치를 제공하는데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 공정 챔버; 상기 공정 챔버에 설치되고 동일 평면상에 복수의 기판이 놓여지며, 회전축에 연결되어 회전되는 기판 서셉터; 상기 기판 서셉터 저면에 위치되는 히터 부재; 및 상기 기판 서셉터에 놓여진 복수의 기판들 각각에 대응하는 위치에서 기판의 처리면으로 가스를 분사하는 반응 유도 유닛들을 포함하되; 상기 반응 유도 유닛은 적어도 3개 이상이 적층된 플레이트들에 의해 다층 복합 구조의 유로를 갖는 기판 처리 장치를 제공하고자 한다.
또한, 상기 반응 유도 유닛은 적어도 하나 이상의 가스 주입 포트를 갖는 탑 플레이트; 상기 탑 플레이트 아래에 적층되게 설치되고, 가스의 혼합 및 히팅을 위한 1차 유로들 및 상기 1차 유로를 경유한 가스가 빠져나가는 제1관통홀들 갖는 미들 플레이트; 및 상기 미들 플레이트 아래에 적층되게 설치되고, 상기 제1관통홀들을 통해 유입된 가스의 압력 및 반응 시간 조절을 위한 2차 유로들을 갖는 바텀 플레이트를 포함할 수 있다.
또한, 상기 미들 플레이트는 적어도 하나 이상 설치될 수 있다.
또한, 상기 반응 유도 유닛은 상기 바텀 플레이트에 설치되고, 상기 2차 유로들과 연결되어 상기 2차 유로들을 경유한 가스를 기판 상으로 분사하는 분사 노즐을 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 분사 노즐은 상기 바텀 플레이트의 중앙에 형성된 슬롯에 탈부착 가능하게 설치되며, 바닥면에 다수의 분사홀들과, 측면에 상기 2차 유로들의 끝단과 연결되는 홈들을 가질 수 있다.
또한, 상기 미들 플레이트는 상기 1차 유로들이 상기 미들 플레이트의 중앙으로부터 가장자리로 향하도록 형성되고, 상기 제1관통홀들은 상기 1차 유로들 끝단에 형성될 수 있다.
또한, 상기 바텀 플레이트는 상기 2차 유로들이 상기 바텀 플레이트의 가장자리로부터 중앙을 향하도록 형성될 수 있다.
또한, 상기 2차 유로는 일단이 상기 제1관통홀과 연결되고 타단이 상기 분사 노즐과 연결될 수 있다.
또한, 상기 2차 유로는 길이, 턴(turn)수가 서로 다른 독립된 패스를 가질 수 있다.
또한, 상기 미들 플레이트는 중앙에 상기 1차 유로들이 연결되고 상기 가스 주입 포트를 통해 가스가 유입되는 중앙 광장부를 포함할 수 있다.
또한, 상기 1차 유로들은 격벽들에 의해 제공되고, 상기 2차 유로들은 홈 형태로 제공될 수 있다.
또한, 상기 2차 유로는 상기 1차 유로보다 그 길이가 길 수 있다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 적어도 하나 이상의 가스 주입 포트를 갖는 탑 플레이트; 상기 탑 플레이트 아래에 적층되게 설치되고, 가스의 혼합 및 히팅을 위한 1차 유로들 및 상기 1차 유로를 경유한 가스가 빠져나가는 제1관통홀들 갖는 미들 플레이트; 상기 미들 플레이트 아래에 적층되게 설치되고, 상기 제1관통홀들을 통해 유입된 가스의 압력 및 반응 시간 조절을 위한 2차 유로들을 갖는 적어도 하나의 바텀 플레이트; 및 상기 바텀 플레이트에 설치되고, 상기 2차 유로들과 연결되어 상기 2차 유로들을 경유한 가스를 기판상으로 분사하는 분사 노즐을 포함하는 반응 유도 유닛을 제공하고자 한다.
또한, 상기 분사 노즐은 상기 바텀 플레이트의 중앙에 형성된 슬롯에 탈부착 가능하게 설치되며, 바닥면에 다수의 분사홀들과, 측면에 상기 2차 유로들의 끝단과 연결되는 홈들을 가질 수 있다.
또한, 상기 미들 플레이트는 상기 1차 유로들이 상기 미들 플레이트의 중앙으로부터 가장자리로 향하도록 형성되고, 상기 제1관통홀들은 상기 1차 유로들 끝단에 형성되며, 상기 바텀 플레이트는 상기 2차 유로들이 상기 바텀 플레이트의 가장자리로부터 중앙을 향하도록 형성될 수 있다.
또한, 상기 미들 플레이트는 중앙에 상기 1차 유로들이 연결되고 상기 가스 주입 포트를 통해 가스가 유입되는 중앙 광장부를 가질 수 있다.
또한, 상기 1차 유로들은 격벽들에 의해 제공되고, 상기 2차 유로들은 홈 형태로 제공될 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 두 가지 이상의 가스 반응에 적합한 압력, 반응 시간 그리고 온도 조건을 제공하고, 반응을 유도하여 넓은 공정 윈도우 확보 및 반응 생성물의 재결합을 최소화할 수 있어 박막 품질 및 로딩 이펙트(loading Effect)를 개선할 수 있는 각별한 효과를 갖는다.
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 기판 서셉터의 사시도이다.
도 3은 도 1에 도시된 반응 유도 유닛들의 배면도이다.
도 4는 반응 유도 유닛의 사시도이다.
도 5는 반응 유도 유닛의 분해 사시도이다.
도 6은 반응 유도 유닛의 단면도이다.
도 7은 바텀 플레이트에 설치된 분사 노즐을 보여주는 평면도이다.
도 8은 냉매 유로가 형성된 플레이트를 보여주는 도면이다.
이하에서는 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세하게 설명한다. 상술한 본 발명이 해결하고자 하는 과제, 과제 해결 수단, 및 효과는 첨부된 도면과 관련된 실시 예들을 통해서 용이하게 이해될 것이다. 각 도면은 명확한 설명을 위해 일부가 간략하거나 과장되게 표현되었다. 각 도면의 구성 요소들에 참조 번호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 동일한 부호를 가지도록 도시되었음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
( 실시 예 )
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 도면이다. 도 2는 도 1에 도시된 기판 서셉터의 사시도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치(10)는 공정 챔버(process chamber)(100), 기판 지지부재(support member)인 기판 서셉터(200), 반응 유도 유닛들(300) 그리고 공급 부재(400)를 포함한다.
공정 챔버(100)는 일측에 출입구(112)가 제공된다. 출입구(112)는 공정 진행시 기판(W)들의 출입이 이루어진다. 도시하지 않았지만, 공정 챔버(100)는 가장자리에 공정 챔버로 공급된 반응가스 및 증착 공정 중에 발생된 반응 분산물을 배기하기 위한 배기덕트가 제공될 수 있다. 일 예로, 배기덕트는 기판 서셉터(200)의 외측에 위치하는 링 타입으로 이루어질 수 있다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 기판 서셉터(200)는 공정 챔버(100)의 내부 공간에 설치된다. 일 예로, 기판 서셉터(200)는 4장의 기판들이 놓여지는 배치 타입으로 이루어진다. 기판 서셉터는 상부면에 기판들이 놓여지는 제1 내지 제4스테이지(212a-212d)들이 형성된 원판형상으로 이루어진다. 기판 서셉터에 구비된 제1 내지 제4스테이지(212a-212d)는 기판의 형상과 유사한 원형으로 이루어질 수 있다. 제1 내지 제4스테이지(212a-212d)는 기판 서셉터(200)의 중앙을 중심으로 동심원상에 90도 간격으로 배치된다. 일 예로, 기판 서셉터(200)는 스테이지의 개수가 4개가 아닌 3개 또는 4개 이상이 적용될 수 있다.
기판 서셉터(200)는 회전축(280)과 연결된 구동부(290)에 의해 회전된다. 기판 서셉터(200)를 회전시키는 구동부(290)는 구동모터의 회전수와 회전속도를 제어할 수 있는 엔코더가 설치된 스텝핑 모터를 사용하는 것이 바람직하다.
도시하지 않았지만, 기판 서셉터(200)는 각각의 스테이지에서 기판(W)을 승강 및 하강시키는 복수의 리프트 핀(미도시됨)이 구비될 수 있다. 리프트 핀은 기판(W)을 승하강함으로써, 기판(W)을 기판 서셉터(200)의 스테이지로부터 이격시키거나, 스테이지에 안착시킨다.
도 1을 참조하면, 공급부재(400)는 제1가스 공급부재(410a)와 제2가스 공급부재(410b)를 포함할 수 있다. 제1가스 공급부재(410a)는 기판(w) 상에 소정의 박막을 형성하기 위한 제1반응 가스를 4개의 반응 유도 유닛들 각각으로 공급하며, 제2가스 공급부재(410b)는 제2반응 가스를 4개의 반응 유도 유닛들 각각으로 공급한다. 본 실시예에서는 2개의 서로 다른 반응가스를 공급하기 위해 2개의 가스공급부재가 사용되었으나, 공급하는 가스의 특성에 따르 2개 이상의 서로 다른 가스 또는 동일한 가스를 공급할 수 있도록 복수개의 가스공급부재가 적용될 수 있음은 당연하다.
도 3은 도 1에 도시된 반응 유도 유닛들의 배면도이다.
도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 4개의 반응 유도 유닛(300)은 기판 서셉터(200)에 놓여진 4장의 기판 각각으로 가스를 분사한다. 반응 유도 유닛(300)는 적어도 하나의 반응가스를 공급부재로부터 공급받을 수 있다. 반응 가스는 외부에서 예열 처리된 후 반응 유도 유닛(300)으로 공급될 수 있다. 일 예에 따르면, 반응 유도 유닛(300) 각각은 제1,2반응가스를 공급부재(400)로부터 공급받을 수 있다. 4개의 반응 유도 유닛(300)들은 전체적으로 원반 형상을 갖고, 각각은 90도 간격으로 구획된 부채꼴 모양으로, 저면에는 가스 분사구(312)들이 형성되어 있다.
예컨대, 반응 유도 유닛(300)들은 90도 간격의 부채꼴 형상을 하고 있으나, 본 발명은 이에 국한되는 것이 아니며 공정 목적이나 특성에 따라 45도 간격 또는 180도 간격으로 구성할 수도 있으며, 반응 챔버 형태에 따라 반응 유도 유닛 크기, 형태 및 설치 위치를 달리 구성할 수도 있다.
도 4 및 도 5는 반응 유도 유닛의 사시도 및 분해사시도이고, 도 6은 반응 유도 유닛의 단면도이며, 도 7은 바텀 플레이트에 설치된 분사 노즐을 보여주는 평면도이다.
도 4 내지 도 7에서와 같이, 반응 유도 유닛(300)은 적어도 3개 이상이 적층된 플레이트들에 의해 다층 복합 구조의 유로를 제공한다. 본 실시예에서는 3개의 플레이트가 적층된 다층 복합 구조를 예를 들어 설명한다. 하지만, 이는 일 예에 불과하며 플레이트의 개수는 2개 또는 4개 이상일 수 있다.
반응 유도 유닛(300)은 탑 플레이트(310), 미들 플레이트(320), 바텀 플레이트(330) 그리고 분사 노즐(350)을 포함하며, 탑 플레이트(310), 미들 플레이트(320) 그리고 바텀 플레이트(330)는 순차적으로 적층되게 설치된다.
탑 플레이트(310)는 3개의 주입 포트(312,314)를 갖는다. 2개의 주입 포트(312)는 반응 가스 주입을 위한 가스 주입 포트이고, 다른 하나의 주입 포트(314)는 반응 유도 유닛(300) 내부의 압력을 체크하기 위한 압력 포트이다.
미들 플레이트(320)는 탑 플레이트(310) 아래에 적층되게 설치된다. 미들 플레이트(320)는 가스의 혼합 및 히팅을 위한 1차 유로(322)들 및 1차 유로(322)를 경유하면서 혼합되고 히팅된 가스가 바텀 플레이트(330)의 2차 유로(332)로 흐르도록 제공되는 제1관통홀(324)들 포함한다.
1차 유로들은 미들 플레이트의 중앙 광장부(328)로부터 가장자리를 향하는 4개의 유로들을 포함하며, 제1관통홀(324)은 각 유로의 끝단에 형성된다. 1차 유로들은 격벽(326)들에 의해 제공된다. 중앙 광장부(328)는 미들 플레이트의 중앙에 위치되어 탑 플레이트의 가스 주입 포트를 통해 가스가 유입되는 공간으로, 4개의 1차 유로들과 연결된다.
본 실시예에서는 미들 플레이트(320)가 탑 플레이트(310)와 바텀 플레이트(330) 사이에 하나가 설치된 것으로 도시하고 설명하고 있으나, 이는 일 예에 불과하며 공급되는 가스의 개수, 특성에 따라 가스 혼합 그리고 온도 조절을 위해 유로의 형태, 길이가 다른 하나 이상이 적층되게 설치될 수 있으며 적층된 플레이트에 서로 다른 가스 및 동일한 가스가 공급될 수 있다.
바텀 플레이트(330)는 미들 플레이트(320) 아래에 적층되게 설치된다. 바텀 플레이트(330)는 4개의 제1관통홀(324)을 통해 유입된 가스의 압력 및 반응 시간 조절을 위한 4개의 2차 유로(332)들을 갖는다. 미들 플레이트(320)로부터 제공되는 가스는 4개의 2차 유로(332)들을 통과하면서 압력 및 반응 시간이 조절될 수 있다. 예를 들어, 가스 압력이 낮게 형성되는 경우, 2차 유로의 볼륨 축소, 턴(turn)수 증가, 길이 증가, 형상 변경 등을 통해 2차 유로에서의 가스 압력을 높일 수 있다. 이와는 반대로, 가스 압력이 높게 형성되는 경우, 2차 유로의 볼륨 확대, 턴(turn)수 감소, 길이 감소, 형상 변경 등을 통해 2차 유로에서의 가스 압력을 낮출 수 있다. 이렇게, 2차 유로에서 반응 시간 및 압력이 충족된 반응 가스는 분사 노즐로 제공된다.
2차 유로(332)들은 바텀 플레이트(330)의 가장자리로부터 중앙을 향하도록 형성된다. 2차 유로(332)의 일단은 미들 플레이트(320)의 관통홀(324)과 연결되고, 타단은 바텀 플레이트(330) 중앙에 설치되는 분사 노즐(350)과 연결된다.
2차 유로(332)들은 홈 형태로 제공될 수 있다. 그리고, 2차 유로(332)는 1차 유로(322)의 길이보다 그 길이가 긴 것을 특징으로 한다. 2차 유로(332)는 길이, 턴(turn)수가 서로 다른 독립된 패스 형태로 제공될 수 있다.
분사 노즐(350)은 바텀 플레이트(330)에 설치된다. 분사 노즐(350)은 4개의 2차 유로(332)들과 연결되어 2차 유로(332)들을 경유한 가스를 기판 상으로 분사한다. 분사 노즐(350)은 바텀 플레이트(330)의 중앙에 형성된 슬롯(338)에 탈부착 가능하게 설치된다. 분사 노즐(350)은 바닥면에 다수의 분사홀(352)들과, 양측면에 2차 유로(332)들의 끝단(335)과 연결되는 홈(354)들을 갖는다.
반응 유도 유닛(300)에서 반응 가스는 1차 유로 또는 2차 유로를 경유하는 과정에서 챔버 내부의 열전도에 의한 예열이 이루어질 수 있다.
도 8은 냉매 유로가 형성된 플레이트를 보여주는 도면이다.
도 8에서와 같이, 본 실시예에 따르면, 반응 유도 유닛을 구성하는 플레이트(380)에는 반응 가스가 흐르는 유로(382)와 인접하게 냉매 유로(384)가 형성될 수 있다. 냉매 유로(384)에는 외부의 냉매 공급 장치(900)로부터 제공되는 냉매가 순환하게 되면서 유로를 흐르는 가스를 쿨링할 수 있다. 이러한 냉매 유로(384)는 도 4에 도시된 반응 유도 유닛(300)의 미들 플레이트(320) 또는 바텀 플레이트(330) 상에 형성될 수 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
300: 반응 유도 유닛 310 : 탑 플레이트
320 : 미들 플레이트 330 : 바텀 플레이트
350 : 분사 노즐

Claims (18)

  1. 삭제
  2. 기판 처리 장치에 있어서:
    공정 챔버;
    상기 공정 챔버에 설치되고 동일 평면상에 복수의 기판이 놓여지며, 회전축에 연결되어 회전되는 기판 서셉터;
    상기 기판 서셉터 저면에 위치되는 히터 부재; 및
    상기 기판 서셉터에 놓여진 복수의 기판들 각각에 대응하는 위치에서 기판의 처리면으로 가스를 분사하는 반응 유도 유닛들을 포함하되;
    상기 반응 유도 유닛은
    적어도 하나 이상의 가스 주입 포트를 갖는 탑 플레이트;
    상기 탑 플레이트 아래에 적층되게 설치되고, 가스의 혼합 및 히팅을 위한 1차 유로들 및 상기 1차 유로를 경유한 가스가 빠져나가는 제1관통홀들 갖는 미들 플레이트;
    상기 미들 플레이트 아래에 적층되게 설치되고, 상기 제1관통홀들을 통해 유입된 가스의 압력 및 반응 시간 조절을 위한 2차 유로들을 갖는 바텀 플레이트; 및
    상기 바텀 플레이트에 설치되고, 상기 2차 유로들과 연결되어 상기 2차 유로들을 경유한 가스를 기판 상으로 분사하는 분사 노즐을 포함하고,
    상기 분사 노즐은
    상기 바텀 플레이트의 중앙에 형성된 슬롯에 탈부착 가능하게 설치되며,
    바닥면에 다수의 분사홀들과, 측면에 상기 2차 유로들의 끝단과 연결되는 홈들을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 미들 플레이트는 적어도 하나 이상 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제 2 항에 있어서,
    상기 미들 플레이트는
    상기 1차 유로들이 상기 미들 플레이트의 중앙으로부터 가장자리로 향하도록 형성되고,
    상기 제1관통홀들은 상기 1차 유로들 끝단에 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 기판 처리 장치에 있어서:
    공정 챔버;
    상기 공정 챔버에 설치되고 동일 평면상에 복수의 기판이 놓여지며, 회전축에 연결되어 회전되는 기판 서셉터;
    상기 기판 서셉터 저면에 위치되는 히터 부재; 및
    상기 기판 서셉터에 놓여진 복수의 기판들 각각에 대응하는 위치에서 기판의 처리면으로 가스를 분사하는 반응 유도 유닛들을 포함하되;
    상기 반응 유도 유닛은
    적어도 하나 이상의 가스 주입 포트를 갖는 탑 플레이트;
    상기 탑 플레이트 아래에 적층되게 설치되고, 가스의 혼합 및 히팅을 위한 1차 유로들 및 상기 1차 유로를 경유한 가스가 빠져나가는 제1관통홀들 갖는 적어도 하나의 미들 플레이트; 및
    상기 미들 플레이트 아래에 적층되게 설치되고, 상기 제1관통홀들을 통해 유입된 가스의 압력 및 반응 시간 조절을 위한 2차 유로들을 갖는 바텀 플레이트를 포함하고,
    상기 바텀 플레이트는
    상기 2차 유로들이 상기 바텀 플레이트의 가장자리로부터 중앙을 향하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 기판 처리 장치에 있어서:
    공정 챔버;
    상기 공정 챔버에 설치되고 동일 평면상에 복수의 기판이 놓여지며, 회전축에 연결되어 회전되는 기판 서셉터;
    상기 기판 서셉터 저면에 위치되는 히터 부재; 및
    상기 기판 서셉터에 놓여진 복수의 기판들 각각에 대응하는 위치에서 기판의 처리면으로 가스를 분사하는 반응 유도 유닛들을 포함하되;
    상기 반응 유도 유닛은
    적어도 하나 이상의 가스 주입 포트를 갖는 탑 플레이트;
    상기 탑 플레이트 아래에 적층되게 설치되고, 가스의 혼합 및 히팅을 위한 1차 유로들 및 상기 1차 유로를 경유한 가스가 빠져나가는 제1관통홀들 갖는 적어도 하나의 미들 플레이트;
    상기 미들 플레이트 아래에 적층되게 설치되고, 상기 제1관통홀들을 통해 유입된 가스의 압력 및 반응 시간 조절을 위한 2차 유로들을 갖는 바텀 플레이트; 및
    상기 바텀 플레이트에 설치되고, 상기 2차 유로들과 연결되어 상기 2차 유로들을 경유한 가스를 기판 상으로 분사하는 분사노즐을 포함하고,
    상기 2차 유로는 일단이 상기 제1관통홀과 연결되고 타단이 상기 분사 노즐과 연결되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 기판 처리 장치에 있어서:
    공정 챔버;
    상기 공정 챔버에 설치되고 동일 평면상에 복수의 기판이 놓여지며, 회전축에 연결되어 회전되는 기판 서셉터;
    상기 기판 서셉터 저면에 위치되는 히터 부재; 및
    상기 기판 서셉터에 놓여진 복수의 기판들 각각에 대응하는 위치에서 기판의 처리면으로 가스를 분사하는 반응 유도 유닛들을 포함하되;
    상기 반응 유도 유닛은
    적어도 하나 이상의 가스 주입 포트를 갖는 탑 플레이트;
    상기 탑 플레이트 아래에 적층되게 설치되고, 가스의 혼합 및 히팅을 위한 1차 유로들 및 상기 1차 유로를 경유한 가스가 빠져나가는 제1관통홀들 갖는 적어도 하나의 미들 플레이트; 및
    상기 미들 플레이트 아래에 적층되게 설치되고, 상기 제1관통홀들을 통해 유입된 가스의 압력 및 반응 시간 조절을 위한 2차 유로들을 갖는 바텀 플레이트를 포함하고,
    상기 2차 유로는 길이, 턴(turn)수가 서로 다른 독립된 패스를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 미들 플레이트는
    중앙에 상기 1차 유로들이 연결되고 상기 가스 주입 포트를 통해 가스가 유입되는 중앙 광장부를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  11. 기판 처리 장치에 있어서:
    공정 챔버;
    상기 공정 챔버에 설치되고 동일 평면상에 복수의 기판이 놓여지며, 회전축에 연결되어 회전되는 기판 서셉터;
    상기 기판 서셉터 저면에 위치되는 히터 부재; 및
    상기 기판 서셉터에 놓여진 복수의 기판들 각각에 대응하는 위치에서 기판의 처리면으로 가스를 분사하는 반응 유도 유닛들을 포함하되;
    상기 반응 유도 유닛은
    적어도 하나 이상의 가스 주입 포트를 갖는 탑 플레이트;
    상기 탑 플레이트 아래에 적층되게 설치되고, 가스의 혼합 및 히팅을 위한 1차 유로들 및 상기 1차 유로를 경유한 가스가 빠져나가는 제1관통홀들 갖는 적어도 하나의 미들 플레이트; 및
    상기 미들 플레이트 아래에 적층되게 설치되고, 상기 제1관통홀들을 통해 유입된 가스의 압력 및 반응 시간 조절을 위한 2차 유로들을 갖는 바텀 플레이트를 포함하고,
    상기 1차 유로들은 격벽들에 의해 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 2차 유로들은 홈 형태로 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 2차 유로는 상기 1차 유로보다 그 길이가 긴 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  14. 삭제
  15. 반응 유도 유닛에 있어서:
    적어도 하나 이상의 가스 주입 포트를 갖는 탑 플레이트;
    상기 탑 플레이트 아래에 적층되게 설치되고, 가스의 혼합 및 히팅을 위한 1차 유로들 및 상기 1차 유로를 경유한 가스가 빠져나가는 제1관통홀들 갖는 미들 플레이트;
    상기 미들 플레이트 아래에 적층되게 설치되고, 상기 제1관통홀들을 통해 유입된 가스의 압력 및 반응 시간 조절을 위한 2차 유로들을 갖는 적어도 하나의 바텀 플레이트; 및
    상기 바텀 플레이트에 설치되고, 상기 2차 유로들과 연결되어 상기 2차 유로들을 경유한 가스를 기판상으로 분사하는 분사 노즐을 포함하되;
    상기 분사 노즐은
    상기 바텀 플레이트의 중앙에 형성된 슬롯에 탈부착 가능하게 설치되며,
    바닥면에 다수의 분사홀들과, 측면에 상기 2차 유로들의 끝단과 연결되는 홈들을 갖는 것을 특징으로 하는 반응 유도 유닛.
  16. 반응 유도 유닛에 있어서:
    적어도 하나 이상의 가스 주입 포트를 갖는 탑 플레이트;
    상기 탑 플레이트 아래에 적층되게 설치되고, 가스의 혼합 및 히팅을 위한 1차 유로들 및 상기 1차 유로를 경유한 가스가 빠져나가는 제1관통홀들 갖는 미들 플레이트;
    상기 미들 플레이트 아래에 적층되게 설치되고, 상기 제1관통홀들을 통해 유입된 가스의 압력 및 반응 시간 조절을 위한 2차 유로들을 갖는 적어도 하나의 바텀 플레이트; 및
    상기 바텀 플레이트에 설치되고, 상기 2차 유로들과 연결되어 상기 2차 유로들을 경유한 가스를 기판상으로 분사하는 분사 노즐을 포함하되;
    상기 미들 플레이트는
    상기 1차 유로들이 상기 미들 플레이트의 중앙으로부터 가장자리로 향하도록 형성되고,
    상기 제1관통홀들은 상기 1차 유로들 끝단에 형성되며,
    상기 바텀 플레이트는
    상기 2차 유로들이 상기 바텀 플레이트의 가장자리로부터 중앙을 향하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반응 유도 유닛.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 미들 플레이트는
    중앙에 상기 1차 유로들이 연결되고 상기 가스 주입 포트를 통해 가스가 유입되는 중앙 광장부를 갖는 것을 특징으로 하는 반응 유도 유닛.
  18. 반응 유도 유닛에 있어서:
    적어도 하나 이상의 가스 주입 포트를 갖는 탑 플레이트;
    상기 탑 플레이트 아래에 적층되게 설치되고, 가스의 혼합 및 히팅을 위한 1차 유로들 및 상기 1차 유로를 경유한 가스가 빠져나가는 제1관통홀들 갖는 미들 플레이트;
    상기 미들 플레이트 아래에 적층되게 설치되고, 상기 제1관통홀들을 통해 유입된 가스의 압력 및 반응 시간 조절을 위한 2차 유로들을 갖는 적어도 하나의 바텀 플레이트; 및
    상기 바텀 플레이트에 설치되고, 상기 2차 유로들과 연결되어 상기 2차 유로들을 경유한 가스를 기판상으로 분사하는 분사 노즐을 포함하되;
    상기 1차 유로들은 격벽들에 의해 제공되고,
    상기 2차 유로들은 홈 형태로 제공되는 것을 특징으로 하는 반응 유도 유닛.
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