CN102199761A - 薄膜沉积装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种薄膜沉积装置，主要包括有一反应室、一主承载盘、至少一卫星承载盘、一第一驱动模块及至少一第二驱动模块，其中主承载盘位于反应室内部，而卫星承载盘则设置于主承载盘上。第一驱动模块可用以直接或间接驱动主承载盘进行公转，而第二驱动模块则可用以驱动接近反应室的排气口的一个或多个卫星承载盘进行自转。

Description

薄膜沉积装置

技术领域

本发明涉及一种薄膜沉积装置，特别涉及一种可以驱动特定卫星承载盘进行自转的薄膜沉积装置。

背景技术

薄膜沉积(Thin Film Deposition)可应用于各种物品或组件，例如半导体组件等的表面处理；它是一种在各种材料例如金属、超硬合金、陶瓷及圆片基板的表面上，成长一个或多层同质或异质材料薄膜的工艺。

依据沉积过程是否含有化学反应，薄膜沉积可区分为物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，简称PVD)及化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，简称CVD)。

随着沉积技术及沉积参数差异，所沉积薄膜的结构可能是“单晶”、“多晶”、或“非结晶”的结构。单晶薄膜的沉积在集成电路工艺中特别重要，称为“外延”(epitaxy)。外延成长的半导体薄膜的主要优点是：因为在沉积过程中可直接掺杂施体或受体，因此可精确控制薄膜中的“掺质分布”(dopant profile)，并且不包含氧与碳等杂质。

金属有机化学气相沉积(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition，简称MOCVD)，其原理是利用承载气体(carrier gas)携带气相反应物，或是前驱物进入装有圆片的腔体中，圆片下方的承载盘(susceptor)以特定加热方式(例如高周波感应或电阻)加热圆片及接近圆片的气体使其温度升高，而高温会触发单一个或是数种气体间的化学反应，使通常为气态的反应物被转换为固态的生成物，并沉积在圆片表面上。

当以金属有机化学气相沉积方法形成各种组件，例如发光二极管时，组件的良率、产率、质量与工艺息息相关，而工艺的质量取决于反应腔体(reactor chamber)内部气体流场的稳定性、温度控制、气体控制等等因素，其中各因素对于沉积物的均匀性(uniformity)均有重大影响。

承载盘(susceptor)是为转动设计以带动圆片旋转，藉此提高圆片上方气体浓度均匀性，得到一致的膜厚；通过旋转圆片也可以提高受热均匀性，得到较佳的薄膜质量。通常，基板旋转装置可以分为主承载盘(susceptor)与卫星承载盘(satellite wafer holder)，其中，卫星承载盘是用以承载单一个或多个圆片并进行自转运动(rotation)，而主承载盘用以承载单一个或多个卫星承载盘并进行公转运动(revolution)。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种薄膜沉积装置，其中第一驱动模块用以驱动主承载盘转动，在主承载盘转动的过程中，第二驱动模块将会驱动靠近反应室的排气口的一个或多个卫星承载盘进行自转，而其余的卫星承载盘则维持未自转状态，以避免影响反应室的流场均匀性。

本发明的又一目的，在于提供一种薄膜沉积装置，其中反应室包括有一进气口及一排气口，工艺气体由进气口导入反应室并由排气口导出。驱动气体入口的设置位置则较靠近反应室的排气口，在使用时可将驱动气体由驱动气体入口导入，并以导入的驱动气体吹动卫星承载盘转动，藉此可避免在将驱动气体导入驱动气体入口的过程中，对反应室内的工艺气体的均匀度造成影响。

本发明的又一目的，在于提供一种薄膜沉积装置，其中第二驱动模块包括有一外壳体及一多层中空套筒，多层中空套筒设置于外壳体的内部并连接主承载盘，且多层中空套筒可相对于外壳体进行转动，以带动主承载盘进行转动。在主承载盘转动的过程中，可导入驱动气体吹动主承载盘上的卫星承载盘进行转动，藉此有利于提高反应室内的工艺气体的均匀度。

本发明的又一目的，在于提供一种薄膜沉积装置，其中第二驱动模块包括有一外壳体及一多层中空套筒，且外壳体包覆在多层中空套筒外部。外壳体上设置有多个驱动气体入口，而多层中空套筒上则设置有多个连通口及多个气体通道，其中连通口设置在多层中空套筒的表面，且各个连通口分别朝不同的方向。当多层中空套筒相对于外壳体进行转动时，各个连通口将在不同的时间点与驱动气体入口重合，使得在同一个时间点上驱动气体将只会进入单一个连通口，并进一步吹动单一个卫星承载盘转动，藉此以维持反应室内的工艺气体的均匀度。

本发明的又一目的，在于提供一种薄膜沉积装置，其中主承载盘上设置有多个独立流道，各个流道分别连接单一气体通道或单一卫星承载盘，并使得驱动气体经由气体通道引导至卫星承载盘，而后再经由流道将通过卫星承载盘的驱动气体导出。此外，驱动气体只用以驱动靠近反应室的排气口的一个或多个卫星承载盘进行自转，使得驱动气体将会经由流道传送至排气口的邻近区域，并直接由排气口将驱动气体排出反应室。

本发明的一实施例提供一种薄膜沉积装置，包括有：一反应室，包括有一个或多个进气口及一排气口，工艺气体是通过进气口导入而由排气口导出；一主承载盘，位于反应室内部；一个或多个卫星承载盘，设置于主承载盘上，每一卫星承载盘用以承载一个或多个圆片；一第一驱动模块，用以直接或间接驱动主承载盘进行公转；及至少一第二驱动模块，当主承载盘进行公转时，第二驱动模块用以驱动接近排气口的一个或多个卫星承载盘进行自转。

本发明的一实施例提供一种薄膜沉积装置，其特征在于，该第二驱动模块提供一驱动气体以驱动卫星承载盘进行自转。

本发明的一实施例提供一种薄膜沉积装置，其特征在于，当该主承载盘进行转动时，该第二驱动模块提供该驱动气体以驱动接近该排气口的一个或多个该卫星承载盘进行自转，其余的卫星承载盘不提供该驱动气体，以维持该反应室的流场均匀性。

本发明的一实施例提供一种薄膜沉积装置，其特征在于，该第二驱动模块包括一个或多个气体通道，且该气体通道的数量与该卫星承载盘的数目相同，每一气体通道对应每一卫星承载盘，当该主承载盘进行转动时，该驱动气体进入接近该排气口的一个或多个气体通道，以驱动对应的该卫星承载盘进行自转。

本发明的一实施例提供一种薄膜沉积装置，其特征在于，该第二驱动模块还包括有：一外壳体，该外壳体上设置有与该气体通道数目相同的驱动气体入口，每一该驱动气体入口对应每一该气体通道；及一多层中空套筒，设置于该外壳体内部，并包括有多个中空套筒以同心圆方式层层包覆，每层该中空套筒与其内层该中空套筒之间的空隙形成该气体通道，且每层该中空套筒具有对应于该驱动气体入口的一连通口，其中，该多层中空套筒连接固定于该主承载盘，且通过该第一驱动模块驱动而相对于该外壳体进行转动。

本发明的一实施例提供一种薄膜沉积装置，其特征在于，该驱动气体在同一时间点只会由单一该驱动气体入口进入单一该连通口，藉此驱动单一卫星承载盘转动。

本发明的一实施例提供一种薄膜沉积装置，其特征在于，每个该连通口具有不同高度。

本发明的一实施例提供一种薄膜沉积装置，其特征在于，每个该连通口投影在一相同水平面上与该多层中空套筒的中心轴距离不同。

本发明的一实施例提供一种薄膜沉积装置，其特征在于，相邻内外层连通口投影在一相同水平面上与该多层中空套筒的中心轴的夹角小于180度。

本发明的一实施例提供一种薄膜沉积装置，其特征在于，该主承载盘具有多个独立流道，每一流道连接单一气体通道或单一卫星承载盘。

本发明的一实施例提供一种薄膜沉积装置，其特征在于，每一该流道以切线方向连接每一卫星承载盘。

本发明的一实施例提供一种薄膜沉积装置，其特征在于，该主承载盘具有多个独立流道，每一流道连接单一气体通道或单一卫星承载盘，每一流道还包含该卫星承载盘的部分弧线以及由部分弧线延伸至该卫星承载盘的一切线，由该主承载盘侧面穿出。

本发明的一实施例提供一种薄膜沉积装置，其特征在于，该卫星承载盘包含一环形凸缘与侧面连续凹槽，且该驱动气体施加于该侧面连续凹槽上，以带动该卫星承载盘转动。

本发明的一实施例提供一种薄膜沉积装置，其特征在于，该主承载盘上设置有多个开口，且该卫星承载盘通过该环形凸缘悬挂于该主承载盘的开口上。

本发明的一实施例提供一种薄膜沉积装置，其特征在于，还包含一个或多个加热单元，且该加热单元位于该卫星承载盘下方，并以该加热单元对该卫星承载盘加热。

本发明的一实施例提供一种薄膜沉积装置，其特征在于，该反应室于侧面具有一进气口，且该反应室于侧面具有该排气口。

本发明的一实施例提供一种薄膜沉积装置，其特征在于，该反应室于上方具有一进气口，且该反应室于侧面具有该排气口。

本发明的一实施例提供一种薄膜沉积装置，其特征在于，该反应室于上方具有多个进气口，且该反应室于侧面具有该排气口

综上，采用本发明提供的薄膜沉积装置，可有效维持反应室内的工艺气体的均匀性。

以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。

附图说明

图1为现有技术薄膜沉积装置的构造示意图；

图2A至图2C分别为本发明第一实施例的薄膜沉积装置示意图；

图3A及图3B分别为本发明第二实施例的薄膜沉积装置示意图；

图4为本发明第二实施例的薄膜沉积装置的多层中空套筒示意图；

图4A：为本发明第二实施例的薄膜沉积装置的多层中空套筒仰视图；

图5为本发明第二实施例的薄膜沉积装置的第二驱动模块侧视图；

图6为本发明第三实施例的薄膜沉积装置的立体剖视图；

图7为本发明第三实施例的薄膜沉积装置部分构造的立体示意图；

图8A及图8B：分别为本发明第三实施例的薄膜沉积装置的俯视图；及

图9A至图9D分别为本发明第三实施例的薄膜沉积装置的剖视示意图。

其中，附图标记

10薄膜沉积装置        11反应室

111进气口             113排气口

12工艺气体            13承载盘

15驱动模块            16圆片

20薄膜沉积装置        21反应室

211进气口             213排气口

22工艺气体            23主承载盘

24驱动气体            24’驱动废气

25卫星承载盘

25’最靠近排气口的特定卫星承载盘

26圆片                    27第一驱动模块

28气体通道                29第二驱动模块

30薄膜沉积装置            31反应室

311进气口                 313排气口

33主承载盘                34流道

35卫星承载盘              36圆片

37第一驱动模块            38气体通道

39第二驱动模块            391外壳体

392驱动气体导管

393多层中空套筒           3931中空套筒

395驱动气体入口           397连通口

40薄膜沉积装置            41反应室

411进气口                 413排气口

43主承载盘                431开口

433加热单元               44流道

45卫星承载盘              451第一卫星承载盘

452环形凸缘               453第二卫星承载盘

454侧面连续凹槽           455第三卫星承载盘

456滚珠                   457第四卫星承载盘

46圆片                    47第一驱动模块

481第一气体通道           483第二气体通道

485第三气体通道           487第四气体通道

49第二驱动模块            491外壳体

493多层中空套筒           495驱动气体入口

4921第一驱动气体导管      4923第二驱动气体导管

4925第三驱动气体导管      4927第四驱动气体导管

4971第一连通口            4973第二连通口

4975第三连通口            4977第四连通口

具体实施方式

下面结合附图对本发明的结构原理和工作原理作具体的描述：

请参阅图1，为现有技术薄膜沉积装置的构造示意图。薄膜沉积装置10包括有一反应室11、一承载盘13及一驱动模块15，并包括有一进气口111及一排气口113，而承载盘13则设置于反应室11内部。

一工艺气体12由进气口111导入反应室11，将反应后的废气由排气口113导出。主承载盘13上方设置卫星承载盘14，且主承载盘13与驱动模块15相连接，通过驱动模块15带动主承载盘13进行转动；卫星承载盘14承载单一个或多个圆片16并进行自转。现有薄膜沉积装置通常仅提供全部卫星承载盘同时自转功能或是同时关闭自转功能，不提供驱动特定卫星承载盘的功能。

本发明的第一实施例提供一种薄膜沉积装置20，请参阅图2A，薄膜沉积装置20主要包括有一反应室(reactor)21、一主承载盘(susceptor)23、一个或多个卫星承载盘(satellite wafer holder)25、一第一驱动模块27及至少一第二驱动模块29，其中卫星承载盘25设置于主承载盘23上，且每个卫星承载盘25均可用以承载一个或多个圆片26。

反应室21包括有一进气口211及一排气口213，，例如可将一工艺气体22由进气口211导入反应室21，经过反应后的废气由排气口213导出，当反应室21内的工艺气体22产生反应时，会形成固体产物沉积在圆片26表面并形成薄膜。主承载盘23、卫星承载盘25、圆片26及第二驱动模块29均设置于反应室21内部。

第一驱动模块27可直接或间接驱动反应室21内的主承载盘23进行转动，主承载盘23转动时会带动卫星承载盘25及圆片26进行转动。于主承载盘23转动的过程中，第二驱动模块29驱动接近排气口213的一个或多个卫星承载盘25进行自转(rotation)。于一范例中，第二驱动模块29提供驱动气体24，并以驱动气体24驱动特定卫星承载盘25’进行自转。其余的卫星承载盘25则不提供驱动气体24。因此，本发明可以提供驱动特定卫星承载盘自转的功能。

如上所述，当主承载盘23驱动最靠近排气口213的特定卫星承载盘25’时，第二驱动模块29提供驱动气体24并引导驱动气体24至卫星承载盘25’附近，藉此驱动卫星承载盘25’进行自转，驱动废气24’由排气口213排出。由于驱动废气24’的产生地点十分接近排气口213，位于反应室的下游端，几乎对反应室上游进气口211的流场不会造成影响，因此，工艺气体22可以在圆片26上方形成层流流场，再配合卫星承载盘的公转与自转设计，以便于在圆片26的表面形成较为均匀的薄膜。

在本实施例的又一范例中，第二驱动模块29包括有一个或多个气体通道28，其中气体通道28的数量与卫星承载盘25相同，且每一气体通道28对应每一卫星承载盘25，当主承载盘进行公转时，驱动气体24将会进入接近排气口213的一个或多个气体通道28，并以驱动气体24驱动对应的卫星承载盘25进行自转，而其余的卫星承载盘25则不提供驱动气体24，藉此以避免影响反应室21的流场均匀性，较详细的实施方式将会在后面的实施例中进一步说明。

如图2B与图2C所示，在不同范例中也可对进气口211及排气口213的数目与位置进行调整。如图2B所示，反应室21的进气口211设置在反应室21的上方，而排气口213则设置在反应室21的右下方。如图2C所示，反应室21的进气口211的数量也可为多个。

本发明的第二实施例提供一种薄膜沉积装置30，请参阅图3A及图3B，薄膜沉积装置30包括有一反应室31、一主承载盘33、多个卫星承载盘35、一第一驱动模块37及至少一第二驱动模块39。第一驱动模块37用以直接或间接驱动主承载盘33进行公转，主承载盘33上设置有多个卫星承载盘35，而卫星承载盘35则可用以承载一个或多个圆片(wafer)36。

主承载盘33及卫星承载盘35均可为圆盘状，且第一驱动模块37可带动主承载盘33以其圆心为中心进行转动，并带动卫星承载盘35及圆片36进行公转。第二驱动模块39则用以驱动一个或多个卫星承载盘35在主承载盘33上进行转动(自转)，并带动圆片36进行自转，例如第二驱动模块39可用以驱动接近排气口313的一个或多个卫星承载盘35进行自转。

在本实施例中，第二驱动模块39包括有一外壳体391及一多层中空套筒393，其中多层中空套筒393设置于外壳体391的内部。如图4及图5所示，多层中空套筒393包括有多个中空套筒3931，并于相邻的中空套筒3931之间形成气体通道38。例如可将多个中空套筒3931以同心圆方式层层包覆，每层中空套筒3931与其内层中空套筒3931之间的空隙形成气体通道38，且每层中空套筒3931具有对应于驱动气体入口395的一连通口397。多层中空套筒393连接固定于主承载盘33，且通过第一驱动模块37驱动多层中空套筒393，使得多层中空套筒393相对于外壳体391进行转动。

参考图4与图4A所示，第二驱动模块39的外壳体391上设置有多个驱动气体入口395，通过用以连接驱动气体入口395的驱动气体导管392将驱动气体24导入例如驱动气体入口395的数目与气体通道38的数目相同，且每一个驱动气体入口395对应每一个气体通道38。于本实施例的一范例中，驱动气体入口395设置位置较靠近反应室31的排气口313。

第二驱动模块39的多层中空套筒393的表面上设置有多个连通口397，其中连通口397的数量与驱动气体入口395的数量相同，并可将驱动气体24依序经由驱动气体入口395及连通口397导入多层中空套筒393内的通道38，而后再经由通道38将驱动气体24传送至卫星承载盘35。

在本发明一实施例中，如图3B所示，主承载盘33具有多个独立流道34，每一流道34连接单一气体通道38或单一卫星承载盘35，例如每一流道34以切线方向连接每一卫星承载盘35。在使用时驱动气体24会被气体通道38引导至卫星承载盘35，并带动卫星承载盘35转动，而后再经由流道34将通过卫星承载盘35的驱动废气24’导出。

第二驱动模块39的多层中空套筒393内设置有多个通道38，其中通道38的数量与连通口397的数量相同，且各个通道38分别连接不同的连通口397，并经由各个通道38将由连通口397进入的驱动气体24引导至不同的卫星承载盘35。

多个连通口397可分别设置在多层中空套筒393表面的不同角度上，并使得各个连通口397分别朝向不同的方向。此外，各个连通口397可分别设置在不同的中空套筒3931上，且各个连通口397可具有不同的高度。如图4A所示，可使得每个连通口397投影在一相同水平面上与多层中空套筒393的中心轴距离不同。又，相邻的内外层连通口397投影在一相同水平面上与多层中空套筒393的中心轴的夹角小于180度。

在本实施例的一范例中，主承载盘33上设置有四个卫星承载盘35；第二驱动模块39的外壳体391上设置有四个驱动气体入口395；多层中空套筒393的表面则设置有四个连通口397，该四个连通口397分别位于各个中空套筒3931表面的不同方位及/或高度上，并使得各个相邻的连通口397的夹角约略为90度，当然在不同实施中，相邻的连通口397也可不为90度，并可依据连通口397的数量或相关的需求改变相邻的连通口397的夹角；而多层中空套筒393的内部则设置有四个通道38。

由于设置在多层中空套筒393表面的连通口397分别朝不同的方向，因此在多层中空套筒393相对于外壳体391进行转动的过程中，设置在多层中空套筒393表面上的各个连通口397将会分别在不同的时间点与外壳体391上的驱动气体入口395重合。例如在同一时间点上只有一个连通口397会与接近排气口313的驱动气体入口395重合，使得在同一时间点上驱动气体24仅会由驱动气体入口395进入单一个连通口397，并通过与连通口397连接的通道38将驱动气体24引导至单一个卫星承载盘35上，换言之，在同一个时间点上驱动气体24只会驱动主承载盘33上的单一个卫星承载盘35进行转动。

本发明的第三实施例提供一种薄膜沉积装置40，请参阅图6，薄膜沉积装置40包括有一反应室41、一主承载盘43、多个卫星承载盘45、一第一驱动模块47及至少一第二驱动模块49。反应室41包括有一进气口411及一排气口413，可将工艺气体22由进气口411导入反应室41，并由排气口413导出反应室41。主承载盘43上设置有多个开口431，且各个开口431均可容纳并承载一卫星承载盘45。

第一驱动模块47可用以带动主承载盘43进行转动。第二驱动模块49提供驱动气体24，并引导驱动气体24至卫星承载盘45，并使得接近排气口413的一个或多个卫星承载盘45进行自转。在本实施例中，驱动气体导管492可设置于反应室41外部，并由反应室41外部将驱动气体24导入驱动气体导管492，以避免影响到反应室41内部的工艺气体22的浓度分布。

请参阅图6与图7，卫星承载盘45包括有一环形凸缘452与侧面连续凹槽454，其中驱动气体24会施加在侧面连续凹槽454上，并带动卫星承载盘45转动。主承载盘43上设置有多个开口431，且卫星承载盘45通过设置在侧边的环形凸缘452悬挂在主承载盘43的开口431上。卫星承载盘45下方也可增设有多个滚珠456，并有利于卫星承载盘45相对于主承载盘43进行转动(自转)。

主承载盘43还包括有至少一加热单元433，例如高周波感应或是电阻，加热单元433设置于开口431内，在将卫星承载盘45设置于开口431时，加热单元433将会位于卫星承载盘45下方，并可用以对卫星承载盘45、圆片46及圆片46附近的工艺气体22进行加热，藉此以提高圆片46及圆片46附近的工艺气体22的温度，进而触发工艺气体22产生反应，并在圆片46的表面上形成薄膜。

请配合参阅图8A及图8B所示，第二驱动模块49及/或主承载盘43内包括有多个气体通道，例如第一气体通道481、第二气体通道483、第三气体通道485及第四气体通道487。且气体通道481/483/485/487的数目与卫星承载盘451/453/455/457的数目相同，每一气体通道481/483/485/487对应每一卫星承载盘451/453/455/457，当主承载43盘进行公转时，驱动气体24将会进入接近排气口413的一个或多个气体通道481/483/485/487，以驱动对应的卫星承载盘451/453/455/457进行自转，并有利于维持反应室41的流场均匀性。

第一通道481可用以将驱动气体24引导至第一卫星承载盘451，第二通道483可用以将驱动气体24引导至第二卫星承载盘453，第三通道485可用以将驱动气体24引导至第三卫星承载盘455，第四通道487则可用以将驱动气体24引导至第四卫星承载盘457，藉此将可以驱动气体24分别驱动各个卫星承载盘45进行转动。

此外，如图8B所示，主承载盘43也可设置有多个独立流道44，每一流道44连接单一气体通道481/483/485/487或单一卫星承载盘451/453/455/457，例如每一流道44以切线方向连接每一卫星承载盘451/453/455/457。此外，每一流道44还包含卫星承载盘451/453/455/457的部分弧线以及由部分弧线延伸至卫星承载盘451/453/455/457的一切线，并由主承载盘43侧面穿出。驱动气体24通过气体通道481/483/485/487引导至相对应的卫星承载盘451/453/455/457，以驱动各个卫星承载盘451/453/455/457转动，而后再经由流道44将通过卫星承载盘451/453/455/457的驱动废气24’导出。

在本发明一实施例中，薄膜沉积装置40的运作方式如图9A至图9D所示，薄膜沉积装置40的第二驱动模块49包括一外壳体491及一多层中空套筒493，其中外壳体491包括有多个驱动气体入口以连接多个驱动气体导管4921/4923/4925/4927，而多层中空套筒493则包括有多个气体通道481/483/485/487及多个连通口4971/4973/4975/4977。

如图9A所示，在多层中空套筒493相对于外壳体491转动的过程中，当第一驱动气体导管4921与第一连通口4971重合时，驱动气体24将会经由第一驱动气体导管4921及第一气体通道481传送至第一卫星承载盘451，并带动第一卫星承载盘451转动。

如图9B所示，在多层中空套筒493相对于外壳体491转动的过程中，当第二驱动气体导管4923与第二连通口4973重合时，驱动气体24将会经由第二驱动气体导管4923及第二气体通道483传送至第二卫星承载盘453，并带动第二卫星承载盘453转动。

如图9℃所示，在多层中空套筒493相对于外壳体491转动的过程中，当第三驱动气体导管4925与第三连通口4975重合时，驱动气体24将会经由第三驱动气体导管4925及第三气体通道485传送至第三卫星承载盘455，并带动第三卫星承载盘455转动。

如图9D所示，在多层中空套筒493相对于外壳体491转动的过程中，当第四驱动气体导管4927与第四连通口4977重合时，驱动气体24将会经由第四驱动气体导管4927及第四气体通道487传送至第四卫星承载盘457，并带动第四卫星承载盘457转动。

通过上述的步骤将可使得主承载盘43上的各个卫星承载盘45依序进行转动，并可进一步使得各个卫星承载盘45在靠近反应室41的排气口413时，驱动气体24才可以驱动卫星承载盘45进行转动。此外，通过卫星承载盘45的驱动废气24’将会经由流道44传送至排气口413的邻近区域，并可直接由排气口413将驱动废气24’排出反应室41，以降低对反应室41内的流场影响。

当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (18)

1.一种薄膜沉积装置，其特征在于，包括有：

一反应室，包括有一个或多个进气口及一排气口，工艺气体由该进气口导入，反应后的废气由该排气口导出；

一主承载盘，位于该反应室内部；

一个或多个卫星承载盘，设置于该主承载盘上，每一卫星承载盘用以承载一个或多个圆片；

一第一驱动模块，用以直接或间接驱动该主承载盘进行转动；及

至少一第二驱动模块，当该主承载盘进行转动时，该第二驱动模块用以驱动接近该排气口的一个或多个该卫星承载盘进行自转。

2.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置，其特征在于，该第二驱动模块提供一驱动气体以驱动卫星承载盘进行自转。

3.根据权利要求2所述的薄膜沉积装置，其特征在于，当该主承载盘进行转动时，该第二驱动模块提供该驱动气体以驱动接近该排气口的一个或多个该卫星承载盘进行自转，其余的卫星承载盘不提供该驱动气体，以维持该反应室的流场均匀性。

4.根据权利要求2所述的薄膜沉积装置，其特征在于，该第二驱动模块包括一个或多个气体通道，且该气体通道的数量与该卫星承载盘的数目相同，每一气体通道对应每一卫星承载盘，当该主承载盘进行转动时，该驱动气体进入接近该排气口的一个或多个气体通道，以驱动对应的该卫星承载盘进行自转。

5.根据权利要求4所述的薄膜沉积装置，其特征在于，该第二驱动模块还包括有：

一外壳体，该外壳体上设置有与该气体通道数目相同的驱动气体入口，每一该驱动气体入口对应每一该气体通道；及

一多层中空套筒，设置于该外壳体内部，并包括有多个中空套筒以同心圆方式层层包覆，每层该中空套筒与其内层该中空套筒之间的空隙形成该气体通道，且每层该中空套筒具有对应于该驱动气体入口的一连通口，其中，该多层中空套筒连接固定于该主承载盘，且通过该第一驱动模块驱动而相对于该外壳体进行转动。

6.根据权利要求5所述的薄膜沉积装置，其特征在于，该驱动气体在同一时间点只会由单一该驱动气体入口进入单一该连通口，藉此驱动单一卫星承载盘转动。

7.根据权利要求5所述的薄膜沉积装置，其特征在于，每个该连通口具有不同高度。

8.根据权利要求5所述的薄膜沉积装置，其特征在于，每个该连通口投影在一相同水平面上与该多层中空套筒的中心轴距离不同。

9.根据权利要求5所述的薄膜沉积装置，其特征在于，相邻内外层连通口投影在一相同水平面上与该多层中空套筒的中心轴的夹角小于180度。

10.根据权利要求5所述的薄膜沉积装置，其特征在于，该主承载盘具有多个独立流道，每一流道连接单一气体通道或单一卫星承载盘。

11.根据权利要求10所述的薄膜沉积装置，其特征在于，每一该流道以切线方向连接每一卫星承载盘。

12.根据权利要求11所述的薄膜沉积装置，其特征在于，该主承载盘具有多个独立流道，每一流道连接单一气体通道或单一卫星承载盘，每一流道还包含该卫星承载盘的部分弧线以及由部分弧线延伸至该卫星承载盘的一切线，由该主承载盘侧面穿出。

13.根据权利要求10所述的薄膜沉积装置，其特征在于，该卫星承载盘包含一环形凸缘与侧面连续凹槽，且该驱动气体施加于该侧面连续凹槽上，以带动该卫星承载盘转动。

14.根据权利要求13所述的薄膜沉积装置，其特征在于，该主承载盘上设置有多个开口，且该卫星承载盘通过该环形凸缘悬挂于该主承载盘的开口上。

15.根据权利要求12所述的薄膜沉积装置，其特征在于，还包含一个或多个加热单元，且该加热单元位于该卫星承载盘下方，并以该加热单元对该卫星承载盘加热。

16.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置，其特征在于，该反应室于侧面具有一进气口，且该反应室于侧面具有该排气口。

17.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置，其特征在于，该反应室于上方具有一进气口，且该反应室于侧面具有该排气口。

18.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置，其特征在于，该反应室于上方具有多个进气口，且该反应室于侧面具有该排气口。

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